CN111225997B - 铝箔及电极用铝部件 - Google Patents
铝箔及电极用铝部件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111225997B CN111225997B CN201880067332.8A CN201880067332A CN111225997B CN 111225997 B CN111225997 B CN 111225997B CN 201880067332 A CN201880067332 A CN 201880067332A CN 111225997 B CN111225997 B CN 111225997B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum
- aluminum foil
- coating
- alumina
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 238
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 230
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 168
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 161
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 111
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 29
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 11
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims description 9
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000004682 monohydrates Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000004684 trihydrates Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims description 4
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002467 phosphate group Chemical class [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 claims 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 79
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000002585 base Substances 0.000 description 30
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 27
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 20
- -1 phosphate ester salts Chemical class 0.000 description 20
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 18
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 14
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 12
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 10
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 6
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 5
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 5
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 150000001553 barium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000000703 Cerium Chemical class 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 2
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 2
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWNEELMSUHJGO-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-4,5,6,7-tetrahydro-[1,3]oxazolo[4,5-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C(O1)=NC2=C1CCNC2 SIWNEELMSUHJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006369 KF polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910012820 LiCoO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910032387 LiCoO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLCFGWHYROZGBI-JJKGCWMISA-M Potassium gluconate Chemical compound [K+].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HLCFGWHYROZGBI-JJKGCWMISA-M 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- GOZLPQZIQDBYMO-UHFFFAOYSA-N azanium;zirconium;fluoride Chemical compound [NH4+].[F-].[Zr] GOZLPQZIQDBYMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISFLYIRWQDJPDR-UHFFFAOYSA-L barium chlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)=O.[O-]Cl(=O)=O ISFLYIRWQDJPDR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- GXUARMXARIJAFV-UHFFFAOYSA-L barium oxalate Chemical compound [Ba+2].[O-]C(=O)C([O-])=O GXUARMXARIJAFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940094800 barium oxalate Drugs 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ARSLNKYOPNUFFY-UHFFFAOYSA-L barium sulfite Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])=O ARSLNKYOPNUFFY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HLKMEIITONDPGG-UHFFFAOYSA-L barium(2+);2-hydroxypropanoate Chemical compound [Ba+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O HLKMEIITONDPGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AGXUVMPSUKZYDT-UHFFFAOYSA-L barium(2+);octadecanoate Chemical compound [Ba+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O AGXUVMPSUKZYDT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- AKLNLVOZXMQGSI-UHFFFAOYSA-N bufetolol Chemical compound CC(C)(C)NCC(O)COC1=CC=CC=C1OCC1OCCC1 AKLNLVOZXMQGSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- ZGJOORCILCWISV-UHFFFAOYSA-L magnesium difluoride pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[F-].[F-].[Mg++] ZGJOORCILCWISV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QENHCSSJTJWZAL-UHFFFAOYSA-N magnesium sulfide Chemical compound [Mg+2].[S-2] QENHCSSJTJWZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- 239000004224 potassium gluconate Substances 0.000 description 1
- 235000013926 potassium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 229960003189 potassium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVOIJEARBNBHHP-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(oxo)alumane Chemical compound [K+].[O-][Al]=O KVOIJEARBNBHHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- ZLIBICFPKPWGIZ-UHFFFAOYSA-N pyrimethanil Chemical compound CC1=CC(C)=NC(NC=2C=CC=CC=2)=N1 ZLIBICFPKPWGIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 1
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011684 sodium molybdate Substances 0.000 description 1
- 235000015393 sodium molybdate Nutrition 0.000 description 1
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 235000019794 sodium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- RCYJPSGNXVLIBO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenetitanium Chemical compound [S].[Ti] RCYJPSGNXVLIBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000002349 well water Substances 0.000 description 1
- 235000020681 well water Nutrition 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
- H01M4/72—Grids
- H01M4/74—Meshes or woven material; Expanded metal
- H01M4/742—Meshes or woven material; Expanded metal perforated material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/60—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using alkaline aqueous solutions with pH greater than 8
- C23C22/66—Treatment of aluminium or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
- C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
- C25D9/08—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes
- C25D9/12—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes on light metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/46—Metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/66—Current collectors
- H01G11/68—Current collectors characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/66—Current collectors
- H01G11/70—Current collectors characterised by their structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
- H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/665—Composites
- H01M4/667—Composites in the form of layers, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
- H01G11/28—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features arranged or disposed on a current collector; Layers or phases between electrodes and current collectors, e.g. adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
- Y02T10/70—Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
本发明的课题在于提供一种与电极材料的密合性良好且与电极材料的导电性高的铝箔及电极用铝部件。所述铝箔具有贯穿孔,且在铝箔表面具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜,而且,在氧化铝被膜的表面的一部分具有亲水层。
Description
技术领域
本发明涉及一种铝箔及电极用铝部件。
背景技术
近年来,随着个人电脑、移动电话等可携式设备或混合动力汽车、电动汽车等开发,作为其电源的蓄电装置,尤其,锂离子电容器、锂离子二次电池、双电层电容器的需求逐渐增大。
已知有作为使用于这种蓄电装置的正极或负极的电极用集流体(以下,简称为“集流体”。),使用铝板。并且,已知在由该铝板构成的集流体的表面,作为电极材料涂布活性碳等活性物质,用作正极或负极。
在大容量下一代二次电池中,根据电极材料的材质,为了确保容量为目的,预先将大量Li(锂)离子掺杂于电极中。已知,在Li离子的掺杂方法中,通过将Li金属放入电池单元中,促进在电池单元中的溶解而使过多的Li离子扩散于电极的方法。电极材料基本为透射Li离子的多孔材料。另一方面,集流体通常使用金属箔,导电但不导通离子,所述集流体用作电极材料的支承体且起到充放电时用于电出入的导电板的作用。因此,为了使Li离子扩散于电池单元中的电极材料的每一个角落,使用设置有多个贯穿孔的贯穿箔,该贯穿箔用于使Li离子通过金属箔。
例如,专利文献1中,记载有如下铝板:在厚度方向上具有多个贯穿孔,厚度为40μm以下,贯穿孔的平均开口直径为0.1~100μm,贯穿孔的平均开口率为2~30%,Fe的含量为0.03质量%以上,并且,Fe的含量相对于Si的含量的比率为1.0以上。记载有该铝板用作蓄电装置的集流体。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2016/158245号
发明内容
发明要解决的技术课题
其中,关于贯穿箔,为了降低与电极材料的接触电阻,要求与电极材料的亲和性。若与电极材料的亲和性高,则电极材料进入贯穿孔内而实现高密合性。高密合性能够降低接触电阻,并且,在多次进行充电与放电时也能够避免电极材料从集流体剥离的风险,表现出优异的循环特性。
下一代二次电池中用于正极的电极材料制备成水性涂布液而涂布于用作集流体的贯穿箔。因此,用于正极的贯穿箔优选为亲水性。作为表现出亲水性的金属已知有铝或铬,其中,优选为将环境影响少的铝使用于正极集流体。
然而,为了获取更高的与用于正极的电极材料的亲水性,作为用作集流体的贯穿箔的材料,仅使用铝并不充分。因此,考虑到在贯穿箔的表面设置亲水层。然而,亲水层可以成为电阻,因此,单纯地设置亲水层,则电极材料与贯穿箔的导电性有可能降低。
因此,本发明的课题在于提供一种与电极材料的密合性良好,并且,与电极材料的导电性高的铝箔及电极用铝部件。
用于解决技术课题的手段
本发明人为了实现上述课题而深入研究的结果,发现能够通过如下解决上述课题,并完成了本发明,即,一种铝箔,其具有贯穿孔,且在铝箔表面具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜,而且,在氧化铝被膜的表面的至少一部分具有亲水层。
即,发现能够通过以下结构来实现上述课题。
[1]一种铝箔,其具有贯穿孔,
在铝箔的表面具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜,而且,在氧化铝被膜的表面的至少一部分具有亲水层。
[2]根据[1]所述的铝箔,其中,
氧化铝被膜的密度为2.7~4.1g/cm3。
[3]根据[1]或[2]所述的铝箔,其中,
厚度为25nm以下的氧化铝被膜包含氧化铝、一水合氧化铝及三水合氧化铝中的至少一种。
[4]根据[1]~[3]中任一项所述的铝箔,其中,
氧化铝被膜的厚度为1nm~15nm。
[5]根据[1]~[4]中任一项所述的铝箔,其中,
亲水层包含具有至少一个选自由硅酸盐、磷酸盐、磺酸、磺酸盐、膦酸、膦酸盐、磷酸酯、磷酸酯盐及氟锆酸构成的组中的结构的化合物。
[6]根据[1]~[5]中任一项所述的铝箔,其中,
贯穿孔的平均开口直径为1μm~500μm。
[7]根据[1]~[6]中任一项所述的铝箔,其中,
贯穿孔的孔密度为1~1000个/mm2。
[8]根据[1]~[7]中任一项所述的铝箔,其中,
铝箔的厚度为5μm~100μm。
[9]根据[1]~[8]中任一项所述的铝箔,其中,
铝箔的两个面具有氧化铝被膜,而且,在两个面的氧化铝被膜各自的表面的至少一部分具有亲水层。
[10]一种电极用铝部件,其使用了权利要求1~9中任一项所述的铝箔。
发明效果
如以下进行说明,根据本发明,能够提供一种与电极材料的密合性良好,并且,与电极材料的导电性高的铝箔及电极用铝部件。
附图说明
图1是示意地表示本发明的铝箔的一例的剖视图。
图2是用于说明本发明的铝箔的优选的制造方法的一例的示意性剖视图。
图3是用于说明本发明的铝箔的优选的制造方法的一例的示意性剖视图。
图4是用于说明本发明的铝箔的优选的制造方法的一例的示意性剖视图。
图5是用于说明本发明的铝箔的优选的制造方法的一例的示意性剖视图。
图6是用于说明本发明的铝箔的优选的制造方法的一例的示意性剖视图。
具体实施方式
以下,对本发明详细地进行说明。
关于以下所记载的构成要件的说明,有时基于本发明的代表性实施方式来进行,但本发明并非限定于这些实施方式。
另外,在本说明书中,使用“~”表示的数值范围是指,将记载于“~”前后的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
[铝箔]
本发明的铝箔是具有贯穿孔的铝箔,
在铝箔的表面具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜,而且,在氧化铝被膜的表面的至少一部分具有亲水层。
接着,利用图1对本发明的铝箔的结构进行说明。
图1是表示本发明的铝箔的优选的实施方式的一例的示意性剖视图。
如图1所示,铝箔10中,在铝基材3的两个主表面的各自形成有厚度为25nm以下的氧化铝被膜14,而且,在氧化铝被膜14的表面具有亲水层16。并且,铝箔10具有在厚度方向上贯穿多个贯穿孔5的铝基材3及氧化铝被膜14。即,铝箔10具有如下结构:层叠有具有在厚度方向上贯穿的贯穿孔的铝基材3及具有在厚度方向上贯穿的贯穿孔的氧化铝被膜14,并且,在氧化铝被膜14的表面形成有亲水层16。
另外,在图1所示的例中,亲水层16设为形成于氧化铝被膜14的主表面(最大面)及贯穿孔5的内壁部分的结构,但并不限定于此,至少形成于一部分即可。
并且,在图1所示的例中,氧化铝被膜14设为形成于铝基材3的两个主表面的结构,但并不限定于此,还可以为仅形成于一侧的主表面的结构。
本发明的铝箔用作集流体,在表面涂布有活性物质(电极材料)而用作蓄电装置的正极或负极。
铝箔通过具有在厚度方向上贯穿的多个贯穿孔,在用作集流体的情况下,能够使锂离子容易移动。并且,通过具有多个贯穿孔,能够提高与活性物质的密合性。
在此,在本发明中,厚度为25nm以下的氧化铝被膜14是指由无孔质氧化被膜单独,或者无孔质氧化被膜与多孔状(多孔质)的薄氧化被膜这两者构成的氧化铝被膜。具体而言,厚度为25nm以下的氧化铝被膜14形成为如下:由厚度为15nm以下的无孔质氧化被膜单独,或者在无孔质氧化被膜上形成10nm以下的多孔状的薄氧化被膜,并且总厚度为25nm以下。
并且,本发明中,亲水层16是指具有亲水性的层,为提高氧化铝被膜14表面的亲水性的层。
如上所述,在大容量下一代二次电池中,根据电极材料的材质,为了确保容量为目的,预先将大量Li(锂)离子掺杂于电极中。已知,在Li离子的掺杂方法中,通过将Li金属放入电池单元中,促进在电池单元中的溶解而使过多的Li离子扩散于电极的方法。电极材料基本为透射Li离子的多孔材料。另一方面,集流体通常使用金属箔,导电但不导通离子,所述集流体用作电极材料的支承体且起到充放电时用于电出入的导电板的作用。因此,为了使Li离子扩散于电池单元中的电极材料的每一个角落,使用设置有多个贯穿孔的贯穿箔,该贯穿箔用于使Li离子通过金属箔。
并且,下一代二次电池中用于正极的电极材料制备成水性涂布液而涂布于用作集流体的贯穿箔。因此,用于正极的贯穿箔优选为亲水性。作为表现出亲水性的金属已知有铝。因此,将铝箔用作正极集流体。
然而,为了获取更高的与用于正极的电极材料的亲水性,作为用作集流体的贯穿箔的材料,仅使用铝并不充分。因此,考虑到在贯穿箔的表面设置亲水层。然而,亲水层可以成为电阻,因此,单纯地设置亲水层,则电极材料与贯穿箔的导电性有可能降低。
例如,存在于铝箔的表面的氧化铝被膜的厚度为大于25nm的情况下,成为具有多个空孔的多孔状(多孔质)的层,因此,亲水层浸入空孔内而大量附着于氧化铝被膜上,因此,提高亲水性但导致电阻变高而电极材料与贯穿箔的导电性降低。
相对于此,本发明的铝箔10在表面具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜14,而且,在氧化铝被膜14的表面的至少一部分具有亲水层16。通过具有亲水层16,能够提高与用于正极的电极材料的亲和性。此时,通过将表面的氧化铝被膜的厚度设为25nm以下,能够设为无空孔的层,或者,存在具有空孔的层但由于是非常薄的层,因此,能够抑制大量附着亲水层16。从而,能够抑制铝箔10与电极材料的电阻变高而保持导电性。
并且,由于铝箔10与电极材料的亲和性高,电极材料进入贯穿孔5内而实现高密合性。高密合性能够降低铝箔10与电极材料的接触电阻。并且,在多次进行充电与放电时也能够避免电极材料从铝箔10(集流体)剥离的风险,表现出优异的循环特性。
其中,本发明的铝箔中,氧化铝被膜14的密度优选为2.7~4.1g/cm3,更优选为3.2~4.1g/cm3。
铝容易氧化,暴露于大気中会导致氧化,因此,始终具有氧化被膜。由于氧化被膜的绝缘性较高,因此,若铝基材的表面存在较厚的氧化被膜,则有可能铝基材与电极材料(活性物质)之间的电阻增大。
相对于此,通过将氧化铝被膜的膜密度设为2.7~4.1g/cm3,能够抑制水分浸透于氧化铝被膜而到达铝基材,因此,能够抑制铝基材的氧化的进行并抑制氧化铝被膜的厚度变厚。由此,能够稳定地维持电阻低的状态。
另外,关于氧化铝被膜的膜密度,使用KOBE STEEL,LTD.制造,高分辨率RBS分析装置HRBS500(High Resolution Rutherford Backscattering Spectrometry;HR-RBS)进行测定。使能量450keV的He+离子相对于试样表面(铝箔的氧化铝被膜的表面)的法线,以62.5度入射于试样,并在散射角55度的位置通过磁场偏转型能量分析器检测经散射的He+离子,由此得到表面密度。由所得到的表面密度(atoms/cm2)换算为质量表面密度(g/cm2),并根据该值及通过透射型电子显微镜(TEM)测定的膜厚,计算氧化铝被膜的密度(g/cm3)。
并且,从能够进一步降低铝箔与电极材料之间的电阻等观点考虑,氧化铝被膜14的厚度优选为1nm~25nm,更优选为1nm~15nm,进一步优选为1nm~8nm。
另外,关于无孔质氧化被膜的膜厚,通过透射型电子显微镜(TransmissionElectron Microscope:TEM)观察截面,且在3处测定膜厚并计算平均值作为膜厚。
并且,贯穿孔的平均开口直径优选为1μm以上且500μm以下,更优选为1μm以上且小于100μm,进一步优选为大于1μm且80μm以下,尤其优选为大于3μm且40μm以下,最优选为5μm以上且30μm以下。
通过将贯穿孔的平均开口直径设为上述范围,能够防止将电极材料涂布于铝箔时发生涂布液遗漏等,并能够提高与所涂布的电极材料活性物质的密合性。并且,即使设为铝箔具有多个贯穿孔的情况下,也能够设为具有充分的拉伸强度。
另外,关于贯穿孔的平均开口直径,从铝箔的一个面,使用高分辨率扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope:SEM),以200倍的倍率拍摄铝箔的表面,在所得到的SEM照片中,提取至少20个周围以环状相连的贯穿孔,读取其开口径,且计算它们的平均值作为平均开口直径。
并且,关于开口径,测定了贯穿孔部分的端部间的距离的最大值。即,贯穿孔的开口部的形状并不限定于大致圆形,因此,在开口部的形状为非圆形的情况下,将贯穿孔部分的端部间的距离的最大值设为开口径。由此,例如,在两个以上的贯穿孔为一体化形状的贯穿孔的情况下,也将它视为一个贯穿孔,并将贯穿孔部分的端部间的距离的最大值设为开口径。
并且,贯穿孔的孔密度(数密度)越大,越能够提高预涂特性及密合性。另一方面,贯穿孔的孔密度(数密度)越小,越能够提高抗拉强度。从而,从预涂特性、密合性及抗拉强度等观点考虑,优选为1~1000个/mm2,更优选为3~900个/mm2,进一步优选为100~200个/mm2。
关于贯穿孔的孔密度(数密度),在铝箔的一侧的主表面侧设置平行光光学单元,使平行光透射而从铝箔的另一侧的主表面使用光学显微镜以倍率100倍拍摄铝箔的表面而获取相片。在所获得的相片的10cm×10cm的范围中,对5处100mm×75mm的视场测量贯穿孔的个数并换算每mm2的个数,并计算各视场(5处)的值的平均值作为贯穿孔的孔密度。
作为铝基材的厚度,并无限定,但优选为5μm~100μm,更优选为10μm~30μm。
<铝基材>
铝基材并无特别限定,例如,能够使用JIS标准H4000中所记载的合金编号1085、1N30、3003等公知的铝基材。另外,铝基材为以铝为主要成分且包含微量的杂元素的合金板。
<厚度为25nm以下的氧化铝被膜>
上述厚度为25nm以下的氧化铝被膜为厚度为15nm以下的无孔质氧化被膜单独,或者,无孔质氧化被膜与多孔状(多孔质)的薄氧化被膜这两者构成的氧化被膜,优选为含有氧化铝(Al2O3)等铝氧化物的层。
其中,氧化铝可作为一水合氧化铝(Al2O3·1H2O)、三水合氧化铝(Al2O3·3H2O)等铝的水合物而存在。
从而,上述厚度为25nm以下的氧化铝被膜优选为包含选自氧化铝(Al2O3)、一水合氧化铝(Al2O3·1H2O)及三水合氧化铝(Al2O3·3H2O)中的至少一个的层。
这种厚度为25nm以下的氧化铝被膜通过尽量在低湿度条件下形成的自然氧化被膜而形成。
如专利文献1中也记载,作为在铝箔中形成细贯穿孔的方法,已知有在铝基材上实施电解溶解处理而形成贯穿孔的方法。在实施这种电解溶解处理时,在铝基材的表面形成氢氧化铝被膜。因此,将电解溶解处理之后的铝基材进行干燥,则在其表面形成较厚的氧化铝被膜。因此,导致电阻变高。
相对于此,如在后面进行详述,去除用于形成贯穿孔的电解溶解处理时所形成的氢氧化铝被膜,然后,通过自然氧化等在铝基材的表面形成氧化铝被膜,能够适当地形成厚度为25nm以下的氧化铝被膜。
如上所述,厚度为25nm以下的氧化铝被膜的密度优选为2.7~4.1g/cm3。
氧化铝(Al2O3)的密度为4.1g/cm3左右,氧化铝一水合物(Al2O3·1H2O)的密度为3.07g/cm3左右,氧化铝三水合物(Al2O3·3H2O)的密度为2.42g/cm3左右。
从而,水合物的比率变得越低,厚度为25nm以下的氧化铝被膜的密度变得越高。例如,在厚度为25nm以下的氧化铝被膜的密度为小于3.95g/cm3的情况下,厚度为25nm以下的氧化铝被膜包含3%以上的水合物。
从设为密度高且厚度为25nm以下的氧化铝被膜的观点考虑,氧化铝被膜中包含的氧化铝(Al2O3)优选为70%以上,更优选为80%以上,进一步优选为90%以上。
并且,包含于厚度为25nm以下的氧化铝被膜中的一水合氧化铝(Al2O3·1H2O)及三水合氧化铝(Al2O3·3H2O)优选为45%以下,更优选为30%以下,进一步优选为15%以下。
<亲水层>
上述亲水层为在铝箔的表面赋予亲水性的层,优选为含有亲水性成分的层。
其中,亲水性成分是指,与不存在于铝箔的表面的情况下相比,通过存在于铝箔的表面而可提高表面的亲水性的成分。
作为上述亲水性成分,例如,可适当地举出:具有至少一个选自由硅酸盐、磷酸盐、磺酸、磺酸盐、膦酸、膦酸盐、磷酸酯、磷酸酯盐及氟锆酸构成的组中的结构的化合物,其中,优选为具有至少一个选自由硅酸盐、磷酸酯、磷酸酯盐构成的组中的结构的化合物。
作为亲水层,具体而言,例如,可举出:通过使用硅酸钠水溶液进行的亲水处理而形成的亲水层、日本专利第3318031号中所记载的通过使用聚乙烯基膦酸进行的亲水处理而形成的亲水层、通过浸渍于氟锆酸钠溶液与磷酸氢钠液的混合液中而形成的亲水层、日本特开2001-199175号公报中所记载的涂布含有选自铍、镁、铝、硅、钛、硼、锗、锡、锆、铁、钒、锑及过渡金属中的至少一个元素的氧化物或氢氧化物的胶体的涂布液而成的亲水层、日本特开2002-079772号公报中所记载的具有通过交联或伪交联有机亲水性聚合物而得的有机亲水性基质的亲水层、具有通过由聚烷氧基硅烷、酞酸酯、锆酸盐或铝酸酯的水解、缩合反应带来的溶胶-凝胶转换而得的无机亲水性基质的亲水层,或者,由具有包含金属氧化物的表面的无机薄膜构成的亲水层。
使用硅酸钠水溶液进行的亲水处理容易进行水洗用水及废液的处理,因此,优选用于工业生产上。
亲水层的厚度优选为0.1nm~5nm,更优选为0.2nm~3nm,进一步优选为0.3nm~1nm。
亲水层的厚度能够用蚀刻ESCA(Electron Spectroscopy for ChemicalAnalysis)来测定。
关于亲水层,能够将上述各成分溶解或者分散于水或水和有机溶剂的混合溶剂中来制备亲水层用液体,并将该亲水层用液体通过涂布、浸渍等公知的方法形成于具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜的铝基材的表面。作为涂布方法,能够使用公知的各种方法。例如,可举出棒涂机涂布、旋转涂布、喷淋涂布、帘式涂布、浸涂、气刀刮涂、刮板涂布、辊涂布等。
[铝箔的制造方法]
接着,对本发明的铝箔的制造方法进行说明。
本发明的铝箔的制造方法优选具有如下工序:
在铝基材上形成贯穿孔的工序;
在形成有贯穿孔的铝基材上形成厚度为25nm以下的氧化铝被膜的工序;及
在形成有厚度为25nm以下的氧化铝被膜的铝基材的表面形成亲水层的工序。
以下,对铝箔的制造方法的优选的一例进行说明。
铝箔的制造方法优选具有如下工序:
被膜形成工序,将铝基材作为阴极,在第1酸性水溶液中进行电解处理,并在铝基材的表面形成氢氧化铝被膜;
贯穿孔形成工序,将铝基材作为阳极,在第2的酸性水溶液中进行电解处理,并在铝基材及氢氧化铝被膜上进行贯穿孔形成处理而形成贯穿孔;
被膜去除工序,将被膜形成工序后的铝基材浸渍在碱性水溶液中来去除氢氧化铝被膜;
氧化被膜形成工序,在被膜去除工序之后的铝基材的表面通过自然氧化而形成厚度为25nm以下的氧化铝被膜;及
亲水层形成工序,在氧化铝被膜的表面形成亲水层。
通过氧化被膜形成工序,在铝基材上形成厚度为25nm以下的氧化铝被膜。
并且,通过被膜去除工序,去除不必要的被膜或油分等,并露出铝基材,容易形成通过自然氧化而成的厚度为25nm以下的氧化铝被膜。
并且,在被膜形成工序、贯穿孔形成工序、被膜去除工序、氧化被膜形成工序及亲水层形成工序的各自的工序结束后,优选具有进行水洗处理的水洗工序。
并且,在最后的水洗处理之后,优选具有进行干燥处理的干燥工序。
以下,将铝箔的制造方法的各工序利用图2~图5来进行说明之后,对各工序进行详述。
图2~图5是表示铝箔的制造方法的优选的实施方式的一例的示意性剖视图。
如图2~图5所示,铝箔的制造方法为具有如下工序的制造方法,即,对铝基材1的两个主表面实施被膜形成处理,由此形成氢氧化铝被膜2的被膜形成工序(图2及图3);在被膜形成工序之后实施电解溶解处理而形成贯穿孔5,并形成具有贯穿孔的铝基材3及具有贯穿孔的氢氧化铝被膜4的贯穿孔形成工序(图3及图4);在贯穿孔形成工序之后,去除具有贯穿孔的氢氧化铝被膜4,并制作具有贯穿孔的铝基材3的被膜去除工序(图4及图5);及在被膜去除工序之后,通过自然氧化,在具有贯穿孔的铝基材3的两个主表面形成厚度为25nm以下的氧化铝被膜14的氧化被膜形成工序(图5及图6),并在氧化被膜形成工序之后的表面形成亲水层16的亲水层形成工序(图6及图1)。
〔被膜形成工序〕
被膜形成工序为将铝基材作为阴极,并在第1酸性水溶液中实施电解处理(被膜形成处理),并在铝基材的表面形成氢氧化铝被膜的工序。
<被膜形成处理>
上述被膜形成处理并无特别限定,例如,能够实施与以往公知的氢氧化铝被膜的形成处理相同的处理。
作为被膜形成处理,例如,能够适当地采用日本特开2011-201123号公报的[0013]~[0026]段中所记载的条件或装置。
在本发明中,被膜形成处理的条件因所使用的电解液而发生各种变化,因此,不能一概地确定,通常,电解液浓度1~80质量%、液温5~70℃、电流密度0.5~60A/dm2、电压1~100V、电解时间1秒~20分钟为适当,且以成为所希望的被膜量的方式调整。
在本发明中,作为电解液(第1酸性水溶液),优选使用硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、草酸或者这些酸中的两种以上的混合酸来进行电化学处理。
在包含硝酸、盐酸的电解液中进行电化学处理的情况下,可以在铝基材与对电极之间施加直流电流,也可以施加交流电流。在对铝基材施加直流电流的情况下,电流密度优选为1~60A/dm2,更优选为5~50A/dm2。在连续进行电化学处理的情况下,优选根据通过电解液对铝基材进行供电的液给电方式进行。
在本发明中,通过被膜形成处理而形成的氢氧化铝被膜的量优选为0.05~50g/m2,更优选为0.1~10g/m2。
〔贯穿孔形成工序〕
贯穿孔形成工序为在被膜形成工序之后,将铝基材作为阳极,在第2酸性水溶液中实施电解处理(电解溶解处理),由此在铝基材及氢氧化铝被膜中形成贯穿孔的工序。
<电解溶解处理>
上述电解溶解处理并无特别限定,能够使用直流电流或交流电流,并将酸性溶液(第2酸性水溶液)用于电解液。其中,优选使用硝酸、盐酸中的至少一个以上的酸进行电化学处理,更优选除了这些酸以外,还使用硫酸、磷酸、草酸中的至少一个以上的混合酸进行电化学处理。
在本发明中,作为电解液即酸性溶液,除了上述酸以外,还能够使用美国专利第4,671,859号、美国专利第4,661,219号、美国专利第4,618,405号、美国专利第4,600,482号、美国专利第4,566,960号、美国专利第4,566,958号、美国专利第4,566,959号、美国专利第4,416,972号、美国专利第4,374,710号、美国专利第4,336,113号、美国专利第4,184,932号的各说明书等中所记载的电解液。
酸性溶液的浓度优选为0.1~2.5质量%,更优选为0.2~2.0质量%。并且,酸性溶液的液温优选为20~80℃,更优选为30~60℃。
并且,以上述酸为主体的水溶液能够在浓度1~100g/L的酸的水溶液中,在1g/L至饱和为止的范围内添加硝酸铝、硝酸钠、硝酸铵等具有硝酸根离子的硝氧化合物或氯化铝、氯化钠、氯化铵等具有盐酸根离子的盐氧化合物、硫酸铝、硫酸钠、硫酸铵等具有硫酸根离子的硫氧化合物中的至少一个来使用。
并且,在以上述酸为主体的水溶液中,可以溶解有铁、铜、锰、镍、钛、镁、硅等铝合金中所包含的金属。优选使用在酸的浓度0.1~2质量%的水溶液中以铝离子成为1~100g/L的方式添加氯化铝、硝酸铝、硫酸铝等而成的液体。
在电化学溶解处理中主要使用直流电流,但在使用交流电流的情况下,其交流电源波并无特别限定,可使用正弦波、矩形波、梯形波、三角波等。
(硝酸电解)
在本发明中,通过使用了以硝酸为主体的电解液的电化学溶解处理(以下,还简称为“硝酸溶解处理”。),能够轻松地形成平均开口直径为0.1μm以上且小于100μm的贯穿孔。
其中,从容易控制贯穿孔形成的溶解点的理由考虑,硝酸溶解处理优选为在使用直流电流,将平均电流密度设为5A/dm2以上,且将电量设为50C/dm2以上的条件下实施的电解处理。另外,平均电流密度优选为100A/dm2以下,且电量优选为10000C/dm2以下。
并且,硝酸电解中的电解液的浓度或温度并无特别限定,能够在高浓度例如使用硝酸浓度15~35质量%的硝酸电解液在30~60℃下进行电解或使用硝酸浓度0.7~2质量%的硝酸电解液在30~80℃的温度下进行电解。
并且,能够使用在上述硝酸电解液中混合浓度0.1~50质量%的硫酸、草酸、磷酸中的至少一个而成的电解液进行电解。
(盐酸电解)
在本发明中,通过使用了以盐酸为主体的电解液的电化学溶解处理(以下,还简称为“盐酸溶解处理”。),能够轻松地形成平均开口直径为1μm以上且小于100μm的贯穿孔。
其中,从容易控制贯穿孔形成的溶解点的理由考虑,盐酸溶解处理优选为在使用直流电流,将平均电流密度设为5A/dm2以上,且将电量设为50C/dm2以上的条件下实施的电解处理。另外,平均电流密度优选为100A/dm2以下,且电量优选为10000C/dm2以下。
并且,盐酸电解中的电解液的浓度或温度并无特别限定,能够在高浓度例如使用盐酸浓度10~35质量%的盐酸电解液在30~60℃下进行电解或使用盐酸浓度0.7~2质量%的盐酸电解液在30~80℃下进行电解。
并且,能够使用在上述盐酸电解液中混合浓度0.1~50质量%的硫酸、草酸、磷酸中的至少一个的电解液来进行电解。
〔被膜去除工序〕
被膜去除工序为进行化学溶解处理来去除氢氧化铝被膜的工序。
上述被膜去除工序例如能够通过实施后述的酸蚀刻处理或碱蚀刻处理来去除氢氧化铝被膜。
<碱蚀刻处理>
碱蚀刻处理为通过使上述氢氧化铝被膜与碱溶液接触来溶解表层的处理。
作为使用于碱溶液中的碱,例如,可举出苛性碱、碱金属盐。具体而言,作为苛性碱,例如,可举出氢氧化钠(苛性钠)、苛性钾。并且,作为碱金属盐,例如,可举出偏硅酸钠、硅酸钠、偏硅酸钾、硅酸钾等碱金属硅酸盐;碳酸钠、碳酸钾等碱金属碳酸盐;铝酸钠、铝酸钾等碱金属铝酸盐;葡萄糖酸钠、葡萄糖酸钾等碱金属醛醣酸盐;磷酸氢二钠、磷酸氢二钾、磷酸三钠、磷酸三钾等碱金属磷酸氢盐。其中,从蚀刻速度较快的方面及廉价的方面考虑,优选为苛性碱的溶液及含有苛性碱与碱金属铝酸盐这两者的溶液。尤其,优选氢氧化钠的水溶液。
碱溶液的浓度优选为0.1~50质量%,更优选为0.2~10质量%。在铝离子溶解于碱溶液中的情况下,铝离子的浓度优选为0.01~10质量%,更优选为0.1~3质量%。碱溶液的温度优选为10~90℃。处理时间优选为1~120秒。
作为使氢氧化铝被膜与碱溶液接触的方法,例如,可举出使形成有氢氧化铝被膜的铝基材通过装有碱溶液的槽中的方法、将形成有氢氧化铝被膜的铝基材浸渍在装有碱溶液的槽中的方法及将碱溶液喷射在形成有氢氧化铝被膜的铝基材的表面(氢氧化铝被膜)的方法。
<酸蚀刻处理>
酸蚀刻处理为了完全去除在所述碱蚀刻处理之后残留于表面的残渣而进行。并且,同时,为了在之后进行的氧化被膜形成处理中,排除不必要地形成较厚的氧化被膜的可能性,需要在酸蚀刻处理之后不容易残留残渣。
其中,作为氢氧化铝溶解液,例如,优选为含有选自包含硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、草酸、铬化合物、锆化合物、钛化合物、锂盐、铈盐、镁盐、氟硅酸钠、氟化锌、锰化合物、钼化合物、镁化合物、钡化合物及卤素单体的组中的至少一种的水溶液。
具体而言,作为铬化合物,例如,可举出氧化铬(III)、铬(VI)酸酐等。
作为锆化合物,例如,可举出氟化锆铵、氟化锆、氯化锆。
作为钛化合物,例如,可举出氧化钛、硫化钛。
作为锂盐,例如,可举出氟化锂、氯化锂。
作为铈盐,例如,可举出氟化铈、氯化铈。
作为镁盐,例如,可举出硫化镁。
作为锰化合物,例如,可举出高锰酸钠、高锰酸钙。
作为钼化合物,例如,可举出钼酸钠。
作为镁化合物,例如,可举出氟化镁-五水合物。
作为钡化合物,例如,可举出氧化钡、乙酸钡、碳酸钡、氯酸钡、氯化钡、氟化钡、碘化钡、乳酸钡、草酸钡、高氯酸钡、硒酸钡、亚硒酸钡、硬脂酸钡、亚硫酸钡、钛酸钡、氢氧化钡、硝酸钡,或者它们的水合物等。
在上述钡化合物中,优选氧化钡、乙酸钡、碳酸钡,尤其优选氧化钡。
作为卤素单体,例如,可举出氯、氟、溴。
其中,上述酸性溶液优选为含有以下酸的水溶液,作为酸,可举出硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、草酸等,也可以为2种以上的酸的混合物。
作为酸浓度,优选为0.01mol/L以上,更优选为0.05mol/L以上,进一步优选为0.1mol/L以上。上限并无特别限定,通常优选为10mol/L以下,更优选为5mol/L以下。
溶解处理通过使形成有氢氧化铝被膜的铝基材与上述溶解液接触来进行。关于接触的方法,并无特别限定,例如,可举出浸渍法、喷淋法。其中,优选喷淋法。优选在酸蚀刻处理之后进行充分的水洗处理。
〔氧化被膜形成工序〕
氧化被膜形成工序为通过使去除了氢氧化铝被膜的铝基材的表面自然氧化而在铝基材的两个主表面形成厚度为25nm以下的氧化铝被膜的工序。
如上所述,为了形成贯穿孔而进行电解溶解处理时,利用碱蚀刻处理去除形成于铝基材的表面的氢氧化铝被膜,而且利用酸蚀刻处理去除其残渣,然后,通过自然氧化等在铝基材的表面形成氧化被膜,能够适当地形成厚度为25nm以下的氧化铝被膜。
关于氧化铝被膜的厚度、密度等,能够通过改变被膜去除工序之后的铝基材的保管方法而改变形成于铝表面的氧化铝被膜的厚度等。具体而言,能够通过改变温度、湿度、保管时间等而改变氧化铝被膜的厚度等。
〔亲水层形成工序〕
亲水层形成工序为在厚度为25nm以下的氧化铝被膜的表面形成亲水层的工序。
如上所述,关于亲水层,能够将作为亲水层的化合物等溶解或者分散于水或者水和有机溶剂的混合溶剂中来制备亲水层用液体,并将该亲水层用液体通过涂布、浸渍等公知的方法形成于具有氧化铝被膜的铝基材的表面。
〔水洗工序〕
如上所述,在本发明中,在上述被膜形成工序、贯穿孔形成工序、被膜去除工序、氧化被膜形成工序及亲水层形成工序的各自的工序结束后,优选具有进行水洗处理的水洗工序。水洗中能够使用纯水、井水、自来水等。为了防止将处理液带入下一个工序,也可以使用夹持装置。
〔干燥工序〕
如上所述,在各工序后的水洗工序之后,可进行干燥工序。
干燥的方法并无限定,能够适当利用通过气刀等吹散水分的方法、基于加热的方法等公知的干燥方法。并且,也可以进行多个干燥方法。
另外,在上述例中,通过进行被膜形成工序、贯穿孔形成工序及被膜去除工序来在铝基材上形成了贯穿孔,但并不限定于此,也可以通过其他公知的方法进行。
例如,能够通过在铝基材的表面涂布抗蚀剂材料之后对抗蚀剂材料进行光刻,然后,进行蚀刻加工来形成贯穿孔。或者,使铝基材与蚀刻剂接触,以铝基材中的金属间化合物(析出物或者晶出物)作为起点而局部产生溶解来形成贯穿孔的方法。在该方法的情况下,根据铝基材的材质而金属间化合物的存在状况不同,因此,根据材质提前设定条件,并调整蚀刻剂的条件、蚀刻的时间等条件即可。
并且,能够利用通过冲孔、针加工等物理接触而进行的机械加工方法来形成贯穿孔。
[集流体]
如上述,本发明的铝箔能够用作电极用铝部件,并能够用作蓄电装置用集流体(以下,还称为“集流体”)。
在集流体中,铝箔通过在厚度方向上具有多个贯穿孔,例如在使用于锂离子电容器中的情况下能够在短时间内进行锂的预掺杂,并能够使锂更均匀地分散。并且,与活性物质层或活性碳的密合性变得良好,能够制作循环特性或输出特性、涂布适性等生产率优异的蓄电装置。
并且,在使用本发明的铝箔的集流体中,具有亲水层,因此,与活性物质层(电极材料)的密合性变得良好、能够抑制剥离而获得优异的循环特性。另一方面,将亲水层形成于薄氧化铝被膜的表面,因此,能够抑制与活性物质层之间的电阻变高而制作效率良好的蓄电装置。
<活性物质层>
作为活性物质层,并无特别限定,能够利用现有的蓄电装置中所使用的公知的活性物质层。
具体而言,对于在将铝箔用作正极的集流体的情况下的可以包含于活性物质及活性物质层的导电材料、粘合剂、溶剂等,能够适当采用日本特开2012-216513号公报的[0077]~[0088]段中所记载的材料,且其内容作为参考编入本说明书中。
并且,对于在将铝箔用作负极的集流体的情况下的活性物质,能够适当采用日本特开2012-216513号公报的[0089]段中所记载的材料,且其内容作为参考编入本说明书中。
[蓄电装置]
在将本发明的铝箔作为集流体而利用的电极中,能够用作蓄电装置的正极或者负极。
在此,对于蓄电装置(尤其,二次电池)的具体构成或所适用的用途,能够适当采用日本特开2012-216513号公报的[0090]~[0123]段中所记载的材料或用途,且其内容作为参考编入本说明书中。
[正极]
将本发明的铝箔用作集流体的正极为具有将铝箔使用于正极的正极集流体及包含形成于正极集流体的表面的正极活性物质的层(正极活性物质层)的正极。
在此,对于上述正极活性物质或可以包含于上述正极活性物质层的导电材料、粘结剂、溶剂等,能够适当采用日本特开2012-216513号公报的[0077]~[0088]段中所记载的材料,且其内容作为参考编入本说明书中。
[负极]
将本发明的铝箔用作集流体的负极为具有将铝箔使用于负极的负极集流体及包含形成于负极集流体的表面的负极活性物质的层的负极。
在此,对于上述负极活性物质,能够适当采用日本特开2012-216513号公报的[0089]段中所记载的材料,且其内容作为参考编入本说明书中。
[其它用途]
本发明的铝箔除了能够用作蓄电装置用集流体以外,还能够用作使用于电解电容器的电极用铝部件。
实施例
以下根据实施例对本发明进一步详细地进行说明。以下的实施例中所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理顺序等只要不脱离本发明的主旨,则能够适当进行改变。因此,本发明的范围不应限定于以下所示的实施例来进行解释。
[实施例1]
<铝箔的制作>
(贯穿孔的形成)
参考日本特开2011-208254的实施例1,如以下所述,调整条件而使用电解法在铝基材上形成了贯穿孔。
制作铝纯度99.99%的铸锭,通过实施均化处理、热轧(温度400℃)及冷轧、中间退火、二次冷轧来获得了厚度30μm的铝基材。在对表面进行清洗之后,在500℃氩气中实施了10小时的退火。通过该退火,能够将铝的晶体取向大致朝向同一方向对齐。接着,通过将包含盐酸5%的水溶液用作电解液进行直流蚀刻而形成隧道坑并使其贯穿,从而,形成了平均开口直径1μm、孔密度900个/mm2的贯穿孔。
另外,平均开口直径及孔密度是利用上述的方法来测定的。
(氧化被膜的形成(氧化被膜形成工序))
接着,将形成有贯穿孔的铝基材在温度25℃、湿度7%RH下保管3个月并使其自然氧化而形成了氧化铝被膜。
将所形成的氧化铝被膜的厚度利用上述方法来测定的结果为5nm。
(亲水层的形成(亲水层形成工序))
接着,通过将形成有氧化铝被膜的铝基材在60℃的硅酸钠水溶液中浸渍5秒钟来形成亲水层,然后,通过进行20秒钟水洗处理来制作了铝箔。作为硅酸钠水溶液,使用了浓度5%的1号硅酸钠(JIS K1408-1966)水溶液。
并且,在形成亲水层之后,测定了作为亲水层的构成元素的硅的附着量(Si附着量)。关于Si附着量,能够使用荧光X射线分析装置(XRF),根据预先已进行Si定量的材料的测定结果,制作校准曲线,并根据该校准曲线计量Si附着量。
[实施例2]
如以下改变贯穿孔的形成方法,将贯穿孔的平均开口直径设为11μm、孔密度设为110个/mm2,除此以外,以与实施例1相同的方法制作了铝箔。
(a)氢氧化铝被膜形成处理(被膜形成工序)
准备了平均厚度20μm的铝基材(JIS H-4160、合金编号:1N30-H、铝纯度:99.30%)。
使用在50℃下保温的电解液(硝酸浓度1%、硫酸浓度0.2%、铝浓度0.5%),将上述铝基材作为阴极,且在电量总和为500C/dm2的条件下实施电解处理,由此在铝基材上形成了氢氧化铝被膜。另外,在直流电源下进行了电解处理。将电流密度设为50A/dm2。
在形成氢氧化铝被膜之后,进行了基于喷雾的水洗。
(b)电解溶解处理(贯穿孔形成工序)
接着,使用在50℃下保温的电解液(硝酸浓度1%、硫酸浓度0.2%、铝浓度0.5%),将铝基材作为阳极,且在电量总和为500C/dm2的条件下实施电解处理,由此在铝基材及氢氧化铝被膜中形成了贯穿孔。另外,在直流电源下进行了电解处理。将电流密度设为25A/dm2。
形成贯穿孔之后,通过喷淋进行水洗并使其干燥。
(c)氢氧化铝被膜的去除处理(被膜去除工序)
接着,将电解溶解处理之后的铝基材在氢氧化钠浓度5质量%、铝离子浓度0.5质量%的水溶液(液温35℃)中浸渍30秒钟之后,进行水洗,并在硝酸浓度30%、铝离子浓度0.5质量%的水溶液(液温50℃)中浸渍20秒钟而去除了碱蚀刻处理的残渣。
然后,通过喷淋进行水洗并使其干燥而在铝基材上形成了贯穿孔。
[实施例3]
将上述(a)被膜形成工序中的总电量改变为1000C/dm2、将上述(b)贯穿孔形成工序中的总电量改变为1000C/dm2,将贯穿孔的平均开口直径设为20μm、孔密度设为160个/mm2,除此以外,以与实施例2相同的方法制作了铝箔。
[实施例4]
如以下改变贯穿孔的形成方法,将贯穿孔的平均开口直径设为90μm、将孔密度设为8个/mm2,除此以外,以与实施例1相同的方法制作了铝箔。
参考WO2016/060037所记载的比较例1,在铝基材上涂布抗蚀剂并进行露光之后进行蚀刻而形成了贯穿孔。
准备了平均厚度20μm的铝基材(JIS H-4160、合金编号:1N30-H、铝纯度:99.30%)。
将负型抗蚀剂液(SHINWA IND.CO.,LTD制、EF-100)利用棒涂机以10μm厚度均匀地涂布于上述铝基材的两个主表面,并在80℃下干燥了10分钟。接着,准备了每1mm2形成有8个80μm径的圆的负掩蔽膜(150μm)。将该负膜真空密合于层叠有抗蚀剂的铝基材的一面,从此处隔开一定距离而设置的紫外线曝光机照射300mJ/cm2的紫外线,在抗蚀剂层形成了潜像。另一方面,关于与形成并使其密合的负掩蔽膜的面不同的另一侧的面,不介于负掩蔽膜而将整个面用300mJ/cm2的紫外线进行了露光。接着,用1%碳酸钠水溶液以1分钟/30℃的条件对未露光处进行显影来去除。
接着,蚀刻去除了显影之后露出的铝面。具体而言,利用2.2mol/dm3FeCl3+1.0mol/cm3HCl水溶液(温度40℃),在0.15MPa的压力下进行了1分钟淋浴处理。然后,立刻进行了水洗及干燥。接着,剥离去除了固化的抗蚀剂。具体而言,通过3%氢氧化钠水溶液(温度40℃)在0.15MPa的条件下进行了1分钟的淋浴处理。然后,进行水洗及干燥而获得了形成有贯穿孔的铝基材。
[实施例5]
如以下改变贯穿孔的形成方法,将贯穿孔的平均开口直径设为300μm、将孔密度设为3个/mm2,除此以外,以与实施例1相同的方法制作了铝箔。
参考日本特开2008-218559号中所记载的实施例1,改变条件而在铝基材上形成了贯穿孔。使用孔径300μm的成套冲模,以冲孔加工在厚度20μm的铝基材上形成了贯穿孔。
[实施例6]
将成套冲模改变为孔径500μm的成套冲模,将贯穿孔的平均开口直径设为500μm、将孔密度设为1个/mm2,除此以外,以与实施例5相同的方法制作了铝箔。
[实施例7]
将上述(a)被膜形成工序中的总电量改变为750C/dm2,将上述(b)贯穿孔形成工序中的总电量改变为750C/dm2,并将贯穿孔的平均开口直径设为15μm、将孔密度设为140个/mm2,将氧化被膜形成工序改变为如下而将氧化铝被膜的厚度设为1nm,除此以外,以与实施例2相同的方法制作了铝箔。
(氧化被膜的形成(氧化被膜形成工序))
接着,将形成有贯穿孔的铝基材在温度25℃、湿度7%RH下保管1个月并使其自然氧化而形成了氧化铝被膜。
[实施例8]
如下改变氧化被膜形成工序,将氧化铝被膜的厚度设为4nm,除此以外,以与实施例7相同的方法制作了铝箔。
(氧化被膜的形成(氧化被膜形成工序))
接着,将形成有贯穿孔的铝基材在温度25℃、湿度7%RH下保管2个月并使其自然氧化而形成了氧化铝被膜。
[实施例9]
如下改变了氧化被膜形成工序,并将氧化铝被膜的厚度设为8nm,除此以外,以与实施例7相同的方法制作了铝箔。
(氧化被膜的形成(氧化被膜形成工序))
接着,将形成有贯穿孔的铝基材在温度25℃、湿度15%RH下保管3个月并使其自然氧化而形成了氧化铝被膜。
[实施例10]
如下改变了氧化被膜形成工序,并将氧化铝被膜的厚度设为12nm,除此以外,以与实施例7相同的方法制作了铝箔。
(氧化被膜的形成(氧化被膜形成工序))
接着,将形成有贯穿孔的铝基材在温度25℃、湿度20%RH下保管3个月并使其自然氧化而形成了氧化铝被膜。
[实施例11]
如下改变了氧化被膜形成工序,并将氧化被膜的厚度设为25nm,除此以外,以与实施例7相同的方法制作了铝箔。
(氧化被膜的形成(氧化被膜形成工序))
接着,将形成有贯穿孔的铝基材在温度25℃、湿度30%RH下保管3个月并使其自然氧化而形成了氧化铝被膜。
[实施例12]
将上述(a)被膜形成工序中的总电量改变为750C/dm2、将上述(b)贯穿孔形成工序中的总电量改变为750C/dm2,将贯穿孔的平均开口直径设为11μm、将孔密度设为140个/mm2,并如下改变了氧化被膜形成工序,并将氧化铝被膜的厚度设为3nm,除此以外,以与实施例7相同的方法制作了铝箔。
(氧化被膜的形成(氧化被膜形成工序))
接着,将形成有贯穿孔的铝基材在温度25℃、湿度7%RH下保管1.5个月并使其自然氧化而形成了氧化铝被膜。
[实施例13]
将成套冲模改变为孔径300μm的成套冲模,并将贯穿孔的平均开口直径设为300μm、将孔密度设为3个/mm2,除此以外,以与实施例5相同的方法制作了铝箔。
[实施例14及15]
如下改变了亲水层形成工序,除此以外,以与实施例12及13相同的方法制作了铝箔。
(亲水层的形成(亲水层形成工序))
接着,通过将形成有氧化铝被膜的铝基材在60℃的硅酸钠水溶液中浸渍5秒钟来形成亲水层,然后,通过进行20秒钟水洗处理来制作了铝箔。作为硅酸钠水溶液,使用了浓度3%的3号硅酸钠(JIS K1408-1966)水溶液。
[比较例1及2]
未实施亲水层形成工序(未形成亲水层),除此以外,以与实施例3及13相同的方法制作了铝箔。
[实施例16及17]
如下改变了亲水层形成工序,除此以外,以与实施例12及13相同的方法制作了铝箔。
(亲水层的形成(亲水层形成工序))
接着,在形成有氧化铝被膜的铝基材上,使用聚乙烯基膦酸实施了亲水处理。
参考日本专利第3318031号的实施例(1-a),实施了使用聚乙烯基膦酸进行的亲水处理。具体而言,在氧化被膜形成工序之后,将铝基材在60℃下,在聚乙烯基膦酸的0.2%水溶液中浸渍30秒钟并进行了水洗。
[评价]
在实施例及比较例中制作的铝箔的两个面作为电极材料而涂布将LiCoO2作为正极材料而包含的用于正极的活性物质,制作了正极电极。
作为用于正极的活性物质,将LiCoO2的粉末90质量份与粘合剂(KUREHACORPORATION制KF聚合物)10质量份添加到水中并使其分散,制作了浆料。
接着,利用模涂布机以合计成为200μm的厚度的方式将所制备的浆料涂布于所制作的铝箔的两个面,并在120℃下干燥30分钟,从而在铝箔的表面形成活性物质层而制作了正极电极。
<密合性>
通过胶带剥离试验,对铝箔与活性物质层的密合性进行了评价。
在胶带剥离试验中,作为粘着胶带,使用了Nichiban Co.Ltd.制的双面胶带“Nicetack”。将宽度15mm的粘着胶带的一面粘贴于活性物质层的表面,将另一面粘贴于不锈钢制的块体,在将不锈钢块体剥离时,对活性物质的剥离状态进行了评价。
A:未剥离
B:在小于总体的10%的范围内剥离。
C:剥离总体的10%以上。
在上述中所制作的正极电极的表面/背面施加0.20MPa的负荷来密合φ2.8cm的铜探针,并使用电阻计(RESISTANCE HiTESTER 3541、HIOKIE.E.CORPORATION.)测定了电阻值,并对导电性进行了评价。
将评价结果示于表1~表3。
[表1]
[表2]
[表3]
从表1~表3可知,关于具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜,而且,在氧化铝被膜的表面具有亲水层的本发明的实施例,与比较例相比,密合性良好,能够提高导电性。
并且,从与实施例1~6的对比可知,贯穿孔的平均开口直径优选为1μm以上且500μm以下,更优选为1μm以上且小于100μm。
并且,从实施例7~11的对比可知,氧化铝被膜的厚度优选为1nm~12nm。
并且,从与实施例12~17的对比可知,亲水层优选为包含具有硅酸盐的化合物。
根据以上,本发明的效果显而易见。
符号说明
1-铝基材,2-氢氧化铝被膜,3-具有贯穿孔的铝基材,4-具有贯穿孔的氢氧化铝被膜,5-贯穿孔,10-铝箔,14-氧化铝被膜,16-亲水层。
Claims (10)
1.一种集流体用铝箔,其具有贯穿孔,
在所述集流体用铝箔的表面具有厚度为25nm以下的氧化铝被膜,而且,在所述氧化铝被膜的表面的至少一部分具有亲水层,
所述亲水层包含选自硅酸钠和聚乙烯基膦酸中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的集流体用铝箔,其中,
所述氧化铝被膜的密度为2.7g/cm3~4.1g/cm3。
3.根据权利要求1或2所述的集流体用铝箔,其中,
所述厚度为25nm以下的氧化铝被膜包含氧化铝、一水合氧化铝及三水合氧化铝中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的集流体用铝箔,其中,
所述氧化铝被膜的厚度为1nm~15nm。
5.根据权利要求1或2所述的集流体用铝箔,其中,
所述亲水层包含具有至少一个选自由硅酸盐、磷酸盐、磺酸、磺酸盐、膦酸、膦酸盐、磷酸酯、磷酸酯盐及氟锆酸构成的组中的结构的化合物。
6.根据权利要求1或2所述的集流体用铝箔,其中,
所述贯穿孔的平均开口直径为1μm~500μm。
7.根据权利要求1或2所述的集流体用铝箔,其中,
所述贯穿孔的孔密度为1个/mm2~1000个/mm2。
8.根据权利要求1或2所述的集流体用铝箔,其中,
所述集流体用铝箔的厚度为5μm~100μm。
9.根据权利要求1或2所述的集流体用铝箔,其中,
在所述集流体用铝箔的两个面具有所述氧化铝被膜,而且,在两个面的所述氧化铝被膜各自的表面的至少一部分具有亲水层。
10.一种电极用铝部件,其使用了权利要求1或2所述的集流体用铝箔。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017200347 | 2017-10-16 | ||
JP2017-200347 | 2017-10-16 | ||
PCT/JP2018/036858 WO2019077995A1 (ja) | 2017-10-16 | 2018-10-02 | アルミニウム箔および電極用アルミニウム部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111225997A CN111225997A (zh) | 2020-06-02 |
CN111225997B true CN111225997B (zh) | 2022-06-07 |
Family
ID=66174363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880067332.8A Active CN111225997B (zh) | 2017-10-16 | 2018-10-02 | 铝箔及电极用铝部件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11527758B2 (zh) |
JP (1) | JP6936864B2 (zh) |
CN (1) | CN111225997B (zh) |
WO (1) | WO2019077995A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021107063A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ用陰極箔、電解コンデンサ、および、これらの製造方法 |
GB201917790D0 (en) * | 2019-12-05 | 2020-01-22 | Coated Metallic Tech Limited | Protective coatings for metals |
CN111957542A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-20 | 江苏万源新材料股份有限公司 | 一种具有保湿功能的涂层铝箔及其制备工艺 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1181404A (zh) * | 1997-10-20 | 1998-05-13 | 常州市兴荣机电制造有限公司 | 亲水性耐蚀性兼优膜的成膜剂及其预涂膜铝箔和成膜方法 |
JP2013218813A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Furukawa Sky Kk | 二次電池電極用アルミニウム合金箔、及びその製造方法 |
CN103917919A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-07-09 | 伊斯曼柯达公司 | 用于在机显影的平版印版前体 |
EP3138691A1 (en) * | 2015-09-02 | 2017-03-08 | Agfa Graphics Nv | Inkjet printing device with dimpled vacuum belt |
CN107075714A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-08-18 | 富士胶片株式会社 | 铝板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4730405B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2011-07-20 | トヨタ自動車株式会社 | リチウムイオン電池の正電極板に用いる電池用電極箔、リチウムイオン電池用の正電極板、リチウムイオン電池、車両、電池搭載機器、リチウムイオン電池の正電極板に用いる電池用電極箔の製造方法、及び、リチウムイオン電池用の正電極板の製造方法 |
KR20170118806A (ko) | 2015-03-31 | 2017-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 알루미늄판 및 축전 디바이스용 집전체 |
WO2017018462A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | 富士フイルム株式会社 | アルミニウム板およびアルミニウム板の製造方法 |
KR20180108807A (ko) * | 2016-03-25 | 2018-10-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 알루미늄판의 제조 방법, 및 알루미늄판의 제조 장치 |
JP6486867B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2019-03-20 | 太陽誘電株式会社 | 電気化学デバイス用電極及び電気化学デバイス用電極の製造方法 |
-
2018
- 2018-10-02 WO PCT/JP2018/036858 patent/WO2019077995A1/ja active Application Filing
- 2018-10-02 JP JP2019549187A patent/JP6936864B2/ja active Active
- 2018-10-02 CN CN201880067332.8A patent/CN111225997B/zh active Active
-
2020
- 2020-04-15 US US16/848,949 patent/US11527758B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1181404A (zh) * | 1997-10-20 | 1998-05-13 | 常州市兴荣机电制造有限公司 | 亲水性耐蚀性兼优膜的成膜剂及其预涂膜铝箔和成膜方法 |
CN103917919A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-07-09 | 伊斯曼柯达公司 | 用于在机显影的平版印版前体 |
JP2013218813A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Furukawa Sky Kk | 二次電池電極用アルミニウム合金箔、及びその製造方法 |
CN107075714A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-08-18 | 富士胶片株式会社 | 铝板 |
EP3138691A1 (en) * | 2015-09-02 | 2017-03-08 | Agfa Graphics Nv | Inkjet printing device with dimpled vacuum belt |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019077995A1 (ja) | 2020-11-05 |
WO2019077995A1 (ja) | 2019-04-25 |
US11527758B2 (en) | 2022-12-13 |
JP6936864B2 (ja) | 2021-09-22 |
CN111225997A (zh) | 2020-06-02 |
US20200243865A1 (en) | 2020-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10593989B2 (en) | Method for manufacturing aluminum plate, aluminum plate, collector for storage device, and storage device | |
JP6374013B2 (ja) | アルミニウム板 | |
CN111225997B (zh) | 铝箔及电极用铝部件 | |
KR101922519B1 (ko) | 알루미늄판 및 알루미늄판의 제조 방법 | |
WO2016017380A1 (ja) | アルミニウム板 | |
US11527760B2 (en) | Aluminum member for electrodes and method of producing aluminum member for electrodes | |
WO2016158245A1 (ja) | アルミニウム板および蓄電デバイス用集電体 | |
WO2017163913A1 (ja) | アルミニウム板の製造方法、及び、アルミニウム板の製造装置 | |
WO2017018462A1 (ja) | アルミニウム板およびアルミニウム板の製造方法 | |
JP5142254B2 (ja) | リチウムイオン電池の正極板及びその製造方法、ならびに、それを用いたリチウムイオン電池 | |
WO2022185778A1 (ja) | 集電体用アルミニウム基材、キャパシタ、二次電池、および、集電体用アルミニウム基材の製造方法 | |
KR102314065B1 (ko) | 인-시츄 침전법을 통한 잎모양의 산화구리 나노 구조체의 제조방법 및 리튬 이온 배터리 전극으로의 응용 | |
CN113646460B (zh) | 铝箔、铝箔的制造方法、集电体、锂离子电容器及锂离子电池 | |
CN116097478A (zh) | 集电体用铝部件以及锂离子电容器、双电层电容器、半固态电池、固态电池及使用非水电解液的二次电池 | |
CN114270576A (zh) | 铝箔 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |