TWI661550B - 可撓性發光二極體（ｌｅｄ）燈絲及其組合 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可撓性發光二極體(LED)燈絲，其包括：一可撓性基板，其是由金屬層為基底而外圍包覆陶瓷絕緣層所構成，該可撓性基板之一端或兩端具有正負電極；複數個發光二極體(LED)晶片，其係設置於該可撓性基板之上；及複數個導電單元，其電性連接該一或複數個發光二極體(LED)晶片以及該正負電極。本發明也提供一種可撓性發光二極體(LED)燈絲組合，其係由複數個該可撓性發光二極體(LED)燈絲緊密貼合所組成。本發明之可撓性發光二極體(LED)燈絲及其組合具有可彎折、高散熱效率及全周光之優勢，可應用於更多元的燈具及造型，使目前公認環保之LED燈可更為普及。
Description
本發明係關於一種可撓性發光二極體(LED)燈絲及其組合，特別係一種以金屬層為基底而外圍包覆陶瓷絕緣層所構成，兼具剛性、高散熱性及可撓性發光二極體(LED)燈絲及其組合。
現代社會對於高效能的追求快速擴及於照明領域，而耗電量高及亮度低的傳統白熾燈泡已無法滿足現代人生活需求，且傳統燈泡使用壽命較短對於環境實屬一大負擔。隨著照明技術快速發展，應用發光二極體(LED)之照明燈應運而生。發光二極體(LED)燈不僅耗電量小、照度高且耐用持久，快速普及於大眾生活，然而，發光二極體(LED)燈照射角度有所限制，一般只能照射120°，因此，發光二極體(LED)燈僅在直視的狹小角度內提供高亮度光源，偏離該角度後光線迅速減弱，對於空間照明而言，發光二極體(LED)燈的利用相當受限。
為求包含發光二極體(LED)燈的優勢，並進一步解決發光二極體(LED)燈源照射角度問題，目前發展出發光二極體(LED)燈絲燈技術，其是以一長型基底上面串接多顆發光二極體(LED)晶
片以作為發光燈絲，並在外部套設燈罩，可提供全周光光源，是最接近傳統鎢絲燈泡的配光。一般發光二極體(LED)燈絲根據基底材質不同可分為剛性燈絲與柔性燈絲，剛性燈絲材料例如：藍寶石、陶瓷、玻璃和金屬，柔性燈絲是以銅箔覆合高分子材料薄膜，例如：雙馬來醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-triazine，BT)樹脂、聚乙烯(PE)樹脂或聚醯亞胺(PI)樹脂等。
然而，剛性燈絲使用藍寶石及陶瓷作為基底材質時，其原料成本高；而柔性燈絲雖具有柔軟可彎曲的優勢，但樹脂形成的構件會致使散熱效果變差，無法有效散逸高功率元件產生的熱，且發光二極體(LED)發光元件較小，局部產生的熱能若無法有效散逸到外部，將導致整體元件溫度上升，致使發光二極體(LED)發光效率降低、亮度降低，甚至可能過熱毀損，使發光二極體(LED)燈無法達到理論上應具有之使用壽命長度。
有鑑於此，目前照明產業亟需一種可兼具剛性燈絲較佳之散熱效率與柔性燈絲之可撓特性之全周光發光二極體(LED)燈絲，以提升發光二極體(LED)燈在照明產業上的泛用性。
本發明之主要目的在於提供一種可撓性發光二極體(LED)燈絲，其包括：一可撓性基板，該可撓性基板是由金屬層為基底而外圍包覆陶瓷絕緣層所構成，該可撓性基板之一端或兩端具有正負電極；複數個發光二極體(LED)晶片，該發光二極體晶片(LED)係設置於該可撓性基板之上；及複數個導電單元，該導電單
於該複數個發光二極體晶片(LED)之間，與該發光二極體晶片(LED)及該正負電極之間電性連接。
於一較佳實施例中，進一步包含一螢光層，該螢光層至少部分覆設於該可撓性基板上之該發光二極體晶片及該複數個導電單元。
於一較佳實施例中，該金屬層具有複數個貫孔，該貫孔的內周側壁面包覆陶瓷絕緣層。
於一較佳實施例中，該陶瓷絕緣層之厚度為10μm至400μm。
於一較佳實施例中，該正負電極是使用金屬鍍法形成於該可撓性基板有設置該複數個發光二極體(LED)晶片的側面之兩端，並與該複數個發光二極體(LED)晶片平行。
於一較佳實施例中，該發光二極體(LED)晶片可為正裝型發光二極體(LED)晶片或倒裝型發光二極體(LED)晶片。
於一較佳實施例中，該可撓性發光二極體(LED)燈絲彎折形成U型結構，使該可撓性基板無設置該複數個發光二極體(LED)晶片的側面位於該U型結構之內側，該可撓性基板有設置該複數個發光二極體晶片(LED)的側面位於該U型結構之外側，及該正負電極分別位於該U型結構之端點。
本發明亦提供一種可撓性發光二極體(LED)燈絲組合，其包括複數個如上所述之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中該複數個可撓性發光二極體(LED)燈絲之間係以可撓性基板非設置
發光二極體(LED)晶片之面緊密貼合。
本發明之可撓性發光二極體(LED)燈絲及其組合具有可彎曲及高散熱效率及全周光之優勢。因此，在照明產業上，本發明可應用於更多元的燈具及造型，使目前公認環保之發光二極體(LED)燈可更為普及。
100‧‧‧可撓性發光二極體(LED)燈絲
10‧‧‧可撓性基板
11‧‧‧金屬層
12‧‧‧陶瓷絕緣層
13‧‧‧電極
131‧‧‧正電極
132‧‧‧負電極
14‧‧‧發光二極體(LED)晶片
15‧‧‧導電單元
16‧‧‧螢光層
200‧‧‧可撓性發光二極體(LED)燈絲
20‧‧‧可撓性基板
21‧‧‧金屬層
22‧‧‧陶瓷絕緣層
23‧‧‧電極
231‧‧‧正電極
232‧‧‧負電極
24‧‧‧發光二極體(LED)晶片
25‧‧‧導電單元
26‧‧‧螢光層
300‧‧‧可撓性發光二極體(LED)燈絲
30‧‧‧可撓性基板
31‧‧‧金屬層
32‧‧‧陶瓷絕緣層
33‧‧‧電極
331‧‧‧正電極
332‧‧‧負電極
34‧‧‧發光二極體(LED)晶片
35‧‧‧導電單元
36‧‧‧螢光層
37‧‧‧貫孔
400‧‧‧摺疊型可撓性發光二極體(LED)燈絲
500‧‧‧可撓性發光二極體(LED)燈絲組合
58‧‧‧金屬夾
圖1係本發明第一實施態樣之發光二極體(LED)燈絲剖面示意圖。
圖2係本發明第一實施態樣之發光二極體(LED)燈絲俯視示意圖。
圖3係本發明第二實施態樣之發光二極體(LED)燈絲剖面示意圖。
圖4係本發明第二實施態樣之發光二極體(LED)燈絲俯視示意圖。
圖5係本發明第三實施態樣之發光二極體(LED)燈絲剖面示意圖。
圖6係本發明第三實施態樣之發光二極體(LED)燈絲俯視示意圖。
圖7係本發明第四實施態樣之發光二極體(LED)燈絲剖面示意圖。
圖8係本發明第五實施態樣之發光二極體(LED)燈絲組合剖面示意圖。
有關本發明之詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下。再者，本發明中之圖式，為說明方便，其比例未必照實際比例繪製，該等圖式及其比例並非用以限制本發明之範圍，在此先行敘明。
本文中所稱之「包含或包括」意指不排除一或多個其他組件、步驟、操作和/或元素的存在或添加至所述之組件、步驟、操作和/或元素。「約或接近」或「基本上」意指具有接近於允許指定誤差的數值或範圍，以避免被任何不合理之第三方，違法或不公平的使用為理解本發明揭示之精確或絕對數值。「一」意指該物的語法對象為一或一個以上(即，至少為一)。
以下係針對本發明的其中一較佳實施態樣進行說明：
請參閱圖1及圖2，其分別係本發明可撓性發光二極體(LED)燈絲之一實施態樣之剖面示意圖及俯視示意圖。本發明係一種可撓性發光二極體(LED)燈絲100，其包括：一可撓性基板10，該可撓性基板10是由金屬層11為基底而外圍包覆陶瓷絕緣層12所構成，該可撓性基板10之一端或兩端具有正負電極131、132；複數個發光二極體(LED)晶片14，該發光二極體(LED)晶片14係設置於該可撓性基板10之上；及複數個導電單元15，該導電單元15係配置於該複數個發光二極體(LED)晶片14之間，與該發光二極體(LED)晶片14及該正負電極131、132之間電性連接。
本文所述之「可撓性」係指一物能實現可撓曲或彎折的特性，即具有軟性特質。於一實施態樣中，本發明之可撓性發光二極體(LED)燈絲係一線型結構。於另一實施態樣中，本發明之可撓性發光二極體(LED)燈絲係一具有曲度的彎曲結構。又於另一實施態樣中，本發明之可撓性發光二極體(LED)燈絲係一180°彎曲的摺疊結構。再於另一實施態樣中，本發明之可撓性發光二極體(LED)燈絲係一螺旋型結構。然而，前述撓曲型式或不撓曲型式之本發明可撓性發光二極體(LED)燈絲僅係舉例說明實施之態樣，並非用以限制本發明之可撓性發光二極體(LED)燈絲之撓曲形式。
本文所述之「螢光層16」係指一透明膠材其中分散有螢光粉。螢光層之主要功能如：(1)可使發光二極體(LED)晶片所發出之光線通過螢光層後改變光線顏色；(2)藉由發光二極體(LED)晶片發光或外部光源使螢光粉激發，而使整體螢光層產生光致發光效果，即作為可撓性發光二極體(LED)燈絲之間接光源；(3)保護發光二極體(LED)晶片及導電單元，降低氧化效率，提升可撓性發光二極體(LED)燈絲使用壽命。該透明膠材之具體實例如：酚醛樹脂、環氧樹脂、矽膠、聚氨酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚烯烴/硫醇、乙烯基醚樹脂等，較佳是環氧樹脂、矽膠、甲基矽樹脂、苯基矽樹脂、甲基苯基矽樹脂或改性矽樹脂，於本發明中不予限制。螢光層可僅覆設於可撓性發光二極體(LED)燈絲具有發光二極體(LED)晶片之面(即固晶面)，即單面覆膠；螢光層也可覆設於固晶面及固晶面之側面，僅露出非固晶面及電極，即三
面覆膠；螢光層也可完整覆設於可撓性發光二極體(LED)燈絲，僅露出電極，即四面覆膠。於一較佳實施態樣中，該螢光層16至少部分覆設於該可撓性基板10上之該發光二極體(LED)晶片14及該複數個導電單元15。
本文所述之「金屬層11」可為鋁、銅、銀、金、鈦、鉑、鋅、鎳及前述金屬之組合及前述金屬之合金所組成之群組，但本發明不限於此。於一較佳實施態樣中，該金屬層11係鋁、鋁合金、銅或銅合金，例如該銅合金包含銅鋅合金、銅錫合金、銅鋁合金、銅矽合金或銅鎳合金等，但不限於此等；該鋁合金包含鋁矽合金、鋁鎂矽合金、鋁銅合金、鋁鎂合金、鋁錳合金、鋁鋅合金或鋁鋰合金，但不限於此等。
本文所述之「電極13」一般分為正、負電極131、132，該電極13是位於該可撓性基板10之一端或兩端，利用該導電單元15與該發光二極體(LED)晶片14間電性連接。該電極13可為通用之電極材料，例如：鋁銅(AlCu)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、金(Au)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鈀(Pd)或前述金屬之合金，但本發明不限於此等。於一較佳實施態樣中，該電極13是使用金屬鍍法形成於該可撓性基板10兩端平行於該發光二極體(LED)晶片14之面，所述金屬鍍法包含電鍍、化學鍍、浸入鍍等通用將金屬形成於陶瓷上之方法。習知發光二極體(LED)燈絲係使用黏著劑將正負電極固定於發光二極體(LED)基底材質的兩端，該黏著劑多為樹脂類黏著劑(例如環氧樹脂等)，其
固化後導熱性差，致使發光二極體(LED)燈絲導電發光時，基底材質無法有效散熱，即使發光二極體(LED)燈絲使用高導熱材質，其散熱受導熱差的黏著劑所阻，無法有效逸散熱能，造成整體發光二極體(LED)燈絲的散熱效率降低；相較之下，本發明使用金屬鍍法形成正負電極的方式，是使導熱率佳的金屬材料(即電極)與導熱率佳陶瓷材料(即陶瓷絕緣層)直接連結，免除使用其它導熱性差的黏著劑，可大幅提升整體發光二極體(LED)燈絲之散熱效率。
本文所述之「陶瓷絕緣層12」可為通用之陶瓷材料，其包含各種金屬氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、矽化物或其等之組合，實例如碳化矽(SiC)、氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AIN)、氧化鋁(Al2O3)、碳化鈦(TiC)、硼化鈦(TiB2)或碳化硼(B4C)等，且不限於此等，且以氧化鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)為較佳，因此三者具有良好的導熱率且熱膨脹係數小。該陶瓷絕緣層12之形成方法可為通用之陶瓷及金屬複合方法，包含塗覆、陽極氧化、微弧氧化、電漿電解氧化、磁控濺射或溶膠凝膠方法，且不限於此等。於一實施態樣中，該陶瓷絕緣層12之厚度為10~400μm，較佳為20~200μm，更佳為30~50μm，例如10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm、160μm、170μm、180μm、190μm、200μm、225μm、250μm、275μm、300μm、325μm、350μm、375μm或400μm，介於此厚度之陶瓷絕緣層較不易碎裂且具有可撓性，能承受加工時基板沖壓的力量。此外，陶瓷絕緣層可經過鏡面處理，具有反
射性。
本文所述之「發光二極體(Light Emitting Diode，LED)晶片14」可以係任何種類的發光二極體(LED)晶片，利用該導電單元15與該電極13間電性連接。於一較佳實施態樣中，該發光二極體(LED)晶片14係正裝型發光二極體(LED)晶片(或稱「水平式晶片」)或倒裝型發光二極體(LED)晶片(或稱「覆晶(Flip chip)」)。
本文所述之「導電單元15」係指任何可以讓電流通過、有電路導通功能的材料或元件，其電性連接該一或複數個發光二極體(LED)晶片14以及該正負電極131、132。該導電單元15設置的形式包含電鍍、化學鍍、浸入鍍等通用將導電金屬形成於陶瓷上之方法，或使用打線等通用導電金屬線路連結方法，於本發明中不予以限制，於一實施態樣中，該導電單元15係設置於該陶瓷絕緣層12表面；於另一實施態樣中(如圖3及圖4所示)，該導電單元25係設置於該陶瓷絕緣層22之上。該導電單元15的材料可為銅(Cu)、鈦(Ti)、鈦鎢合金(TiN)、銅鎳合金(CuNi)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、金錫合金(AuSn)、錫(Sn)、鋁(Al)等，於本發明中不予以限制。
以下係針對本發明的另一較佳實施態樣進行說明：請一併參閱圖8，其所示為本發明可撓性發光二極體(LED)燈絲組合500之一實施態樣之示意圖。
本較佳實施態樣中係提供一種可撓性發光二極體(LED)燈絲組合，其包括複數個如上所述之可撓性發光二極體(LED)
燈絲，其中該複數個可撓性發光二極體(LED)燈絲之間係以可撓性基板10之非設置發光二極體(LED)晶片14之面緊密貼合。
本文所述之「緊密貼合」可以係「黏合」或「非黏合」方式。所述黏合方式可使用一般通用之熱固化膠或光固化膠，例如：酚醛樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚烯烴/硫醇或乙烯基醚樹脂等，但本發明不限於此等；或是使用可導電性之膠體，例如：銀膠、焊錫膠或鑄焊膠等，但本發明不限於此等。所述非黏合方式，例如：金屬夾，但本發明不限於此等。於一較佳實施態樣中，可撓性發光二極體(LED)燈絲組合500是以金屬夾58將二個LED燈絲之一端固定，以達緊密貼合，該方法可有較佳之散熱效率，但本發明對於該緊密貼合方式不予限制。
下文中，將進一步以詳細說明與實施例描述本發明。然而，應理解這些實施例僅用於幫助可更加容易理解本發明，而非用於限制本發明之範圍。
I. 第一實施態樣-覆晶型可撓性發光二極體(LED)燈絲
參照圖1及圖2，其分別為本發明第一實施態樣之剖面示意圖及俯視示意圖。
首先，使用一薄長條狀之鋁作為金屬層11，並在該金屬層11外部塗覆30μm之氧化鋁陶瓷，使該金屬層11外部包覆一陶瓷絕緣層12使之絕緣，將前述已塗覆陶瓷絕緣層12之金屬層11
之一端利用電鍍鍍上一正電極131，另一端鍍上一負電極132，且進一步於該陶瓷絕緣層12表面以電鍍方式形成一金屬線路層以作為導電單元15，且該導電單元15與該正電極131及負電極132電性連接，完成一可撓性基板10。
接續，於該可撓性基板10上配置複數個覆晶型發光二極體(LED)晶片14，固晶方式可使用環氧樹脂，該各個發光二極體(LED)晶片14皆與該導電單元15電性連接，即該複數個發光二極體(LED)晶片14間以及上述之正、負電極131、132以該導電單元15電性連接，而形成一串聯電路。
最後，於該可撓性基板10外部以四面覆膠方式塗覆一螢光層16，使該螢光層16完整覆蓋該複數個發光二極體(LED)晶片及該導電單元15，僅露出該正、負電極131、132。當該複數個LED晶片發射光源通過該螢光層16可使光線由藍光轉為白光，且該螢光層16中分散的螢光粉可被激發發光，以完成一全周光光源之覆晶型可撓性發光二極體(LED)燈絲100。
II. 第二實施態樣-正裝型可撓性發光二極體(LED)燈絲
參照圖3及圖4，其分別為本發明第二實施態樣之剖面示意圖及俯視示意圖。
首先，使用一薄長條狀之鋁作為金屬層21，並在該金屬層21外部塗覆30μm之氧化鋁陶瓷，使該金屬層21外部包覆一陶瓷絕緣層22使之絕緣，將前述已塗覆陶瓷絕緣層22之金屬層21
之一端利用電鍍鍍上一正電極231，另一端鍍上一負電極232，完成一可撓性基板20。
接續，於該可撓性基板20上配置複數個正裝型發光二極體(LED)晶片24，固晶方式可使用銀膠以增進導熱效果，該各個發光二極體(LED)晶片24間設有金屬導線以作為導電單元25，該導電單元25與前述之正電極231或負電極232電性連接，即該複數個發光二極體(LED)晶片24間以及前述之正、負電極231、232以該導電單元25電性連接，而形成一串聯電路。
最後，於該可撓性基板20外部以四面覆膠方式塗覆一螢光層26，使該螢光層26完整覆蓋該複數個發光二極體(LED)晶片及該導電單元25，僅露出該正、負電極231、232。當該複數個發光二極體(LED)晶片發射光源通過該螢光層26可使光線由藍光轉為白光，且該螢光層26中分散的螢光粉可被激發發光，以完成一全周光正裝型可撓性發光二極體(LED)燈絲200。
III. 第三實施態樣-貫孔型可撓性發光二極體(LED)燈絲
參照圖5及圖6，其分別為本發明第三實施態樣之剖面示意圖及俯視示意圖。
首先，使用一薄長條狀之鋁作為金屬層31，並在該金屬層31上打孔，使該金屬層31上具有複數個貫孔37，接著在該金屬層31外部塗覆30μm之氧化鋁陶瓷，該貫孔37之內周側的壁面亦塗覆有氧化鋁陶瓷，使整體該金屬層31外部包覆一陶瓷絕緣層
32使之絕緣。將前述已塗覆陶瓷絕緣層32之金屬層31之一端利用電鍍鍍上一正電極331，另一端鍍上一負電極332，完成一可撓性基板30。
接續，於該可撓性基板30之貫孔37兩側配置正裝型發光二極體(LED)晶片34，各個該發光二極體(LED)晶片34間設有金屬導線以作為導電單元35，該導電單元35與前述之正電極331或負電極332電性連接，即各個該發光二極體(LED)晶片34間以及前述之正、負電極331、332以該導電單元35電性連接，而形成一串聯電路。
最後，於該可撓性基板30外部以四面覆膠方式塗覆一螢光層36，使該螢光層36完整覆蓋該發光二極體(LED)晶片及該導電單元35，僅露出該正、負電極331、332。當該發光二極體(LED)晶片發射光源通過該螢光層36可使光線由藍光轉為白光，且該螢光層36中分散的螢光粉可被激發發光，以完成一全周光光源之貫孔型可撓性發光二極體(LED)燈絲300。
該貫孔型可撓性發光二極體(LED)燈絲300之優勢在於光線可穿越該貫孔37，使非固晶面之亮度更高。
IV. 第四實施態樣-摺疊型可撓性發光二極體(LED)燈絲
參照圖7，其所示分別為本發明第四實施態樣之剖面示意圖。
使用一未塗覆螢光層之第一實施態樣，於其固晶面
塗覆一螢光層16，使該螢光層16完整覆蓋該複數個LED晶片及該導電單元15，僅露出該正、負電極131、132，得到一單面覆膠之可撓性發光二極體(LED)燈絲。
接著，將前述單面覆膠之可撓性發光二極體(LED)燈絲進行180°摺疊彎折成U型結構，使該可撓性基板無設置該複數個發光二極體(LED)晶片的側面位於該U型結構之內側，該可撓性基板有設置該複數個發光二極體(LED)晶片的側面位於該U型結構之外側，該U型結構之內側可緊密貼合，完成一全周光光源之摺疊型可撓性發光二極體(LED)燈絲400。
該摺疊型可撓性發光二極體(LED)燈絲400之優勢在於該發光二極體(LED)晶片係環繞設置於燈絲之外部，可360°提供LED光源，且非固晶面不覆膠，散熱效率較佳。
V. 第五實施態樣-可撓性發光二極體(LED)燈絲組合
參照圖8，其為本發明第五實施態樣之剖面示意圖。
使用二個未塗覆螢光層之第一實施態樣，各別於其固晶面及固晶面之側面塗覆螢光層16，僅露出非固晶面及正、負電極131、132，得到二個三面覆膠之可撓性發光二極體(LED)燈絲。
接著，將前述三面覆膠之可撓性發光二極體(LED)燈絲固晶面朝外，使用一金屬夾58固定燈絲之一端，使該二個三面覆膠之可撓性發光二極體(LED)燈絲非固晶面緊密貼合，完成一全周光光源之可撓性發光二極體(LED)燈絲組合500。
該可撓性發光二極體(LED)燈絲組合500之優勢在於
該LED晶片係設置於燈絲之外部，可360°提供LED光源，且非固晶面不覆膠，僅以金屬夾58作為固定構件，散熱效率較佳。
綜上所述，本發明提供一種可撓性發光二極體(LED)燈絲及其組合，其兼具剛性及柔性，可配合不同使用方式或燈具配置進行彎折。本發明中可撓性基板之主要材料為金屬及陶瓷，兩者成本較低且皆具有高散熱效率，可解決習知發光二極體(LED)燈散熱問題並降低製作成本。本發明提供多種全周光光源之燈絲，可應用於發光二極體(LED)燈泡，在照明產業上，可應用於更多元的燈具及造型，使目前公認環保之發光二極體(LED)燈可更為普及。
以上已將本發明做一詳細說明，惟以上所述者，僅惟本發明之一較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍內。
Claims (8)
- 一種可撓性發光二極體(LED)燈絲，其包括：一可撓性基板，該可撓性基板是由金屬層為基底而外圍包覆陶瓷絕緣層所構成，該可撓性基板之一端或兩端具有正負電極；複數個發光二極體晶片，該發光二極體晶片係設置於該可撓性基板之上；及複數個導電單元，該導電單元係配置於該複數個發光二極體晶片之間，與該發光二極體晶片及該正負電極之間電性連接。
- 如請求項1之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中進一步包含一螢光層，該螢光層至少部分覆設於該可撓性基板上之該發光二極體晶片及該複數個導電單元。
- 如請求項2之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中該金屬層具有複數個貫孔，該貫孔的內周側壁面包覆陶瓷絕緣層。
- 如請求項3之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中該陶瓷絕緣層之厚度為10μm至400μm。
- 如請求項4之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中該正負電極是使用金屬鍍法形成於該可撓性基板有設置該複數個發光二極體晶片的側面之兩端，並與該複數個發光二極體晶片平行。
- 如請求項1至4任一項之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中該發光二極體晶片可為正裝型發光二極體晶片或倒裝型發光二極體晶片。
- 如請求項1至4任一項之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中該可撓性發光二極體(LED)燈絲彎折形成U型結構，使該可撓性基板無設置該複數個發光二極體晶片的側面位於該U型結構之內側，該可撓性基板有設置該複數個發光二極體晶片的側面位於該U型結構之外側，及該正負電極分別位於該U型結構之端點。
- 一種可撓性發光二極體(LED)燈絲組合，其包括複數個如請求項1至7任一項之可撓性發光二極體(LED)燈絲，其中該複數個可撓性發光二極體(LED)燈絲之間係以可撓性基板非設置發光二極體晶片之面緊密貼合。
Priority Applications (2)
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Citations (7)
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Patent Citations (7)
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|---|---|---|---|---|
| WO2013136389A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | 基板、発光装置及び照明装置 |
| TW201407825A (zh) * | 2012-08-15 | 2014-02-16 | Epistar Corp | 發光元件 |
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| TW201431042A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-01 | Xu-Wen Liao | 雙面發光之ｌｅｄ燈板結構及其製造方法 |
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