TWI659299B - 資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法 - Google Patents

資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI659299B
TWI659299B TW107113372A TW107113372A TWI659299B TW I659299 B TWI659299 B TW I659299B TW 107113372 A TW107113372 A TW 107113372A TW 107113372 A TW107113372 A TW 107113372A TW I659299 B TWI659299 B TW I659299B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target block
reads
data
storage space
memory
Prior art date
Application number
TW107113372A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201944240A (zh
Inventor
鄭雨軒
Original Assignee
慧榮科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 慧榮科技股份有限公司 filed Critical 慧榮科技股份有限公司
Priority to TW107113372A priority Critical patent/TWI659299B/zh
Priority to CN201810891929.6A priority patent/CN110389716B/zh
Priority to US16/388,445 priority patent/US10714193B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI659299B publication Critical patent/TWI659299B/zh
Publication of TW201944240A publication Critical patent/TW201944240A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0751—Error or fault detection not based on redundancy
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0751—Error or fault detection not based on redundancy
    • G06F11/0754—Error or fault detection not based on redundancy by exceeding limits
    • G06F11/076—Error or fault detection not based on redundancy by exceeding limits by exceeding a count or rate limit, e.g. word- or bit count limit
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0619—Improving the reliability of storage systems in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/0644—Management of space entities, e.g. partitions, extents, pools
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G11C16/3422—Circuits or methods to evaluate read or write disturbance in nonvolatile memory, without steps to mitigate the problem
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38—Response verification devices
    • G11C29/42—Response verification devices using error correcting codes [ECC] or parity check
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/10—Providing a specific technical effect
    • G06F2212/1032—Reliability improvement, data loss prevention, degraded operation etc
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C2029/0409—Online test
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C2029/0411—Online error correction

Abstract

一種資料儲存裝置及其預防資料錯誤方法。資料儲存裝置包括記憶體以及記憶體控制器。記憶體包括複數個區塊。記憶體控制器耦接記憶體，並用以執行以下操作：記錄記憶體的一目標區塊的讀取次數；當目標區塊的讀取次數滿足一條件，對目標區塊的一空白儲存空間執行一錯誤位元檢查以取得一檢查結果；以及回應於判斷檢查結果為失敗，對目標區塊的空白儲存空間填入一偽資料(dummy data)。

Description

資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法
本揭露是關於一種資料儲存裝置及應用其的操作方法。
隨著記憶體製造工藝的進步，記憶體的內部結構被安排得更加緊密以追求更大的單位儲存容量。然而，此種緊密配置可能使讀取干擾(read disturbance)的影響更加顯著。讀取干擾一般指的是讀取操作對記憶體中的非讀取位置造成的非預期影響，例如使非讀取位置的記憶胞的閥電壓分佈產生偏移。倘若記憶胞的閥電壓分佈在資料寫入前已發生偏移，則之後對其寫入資料將會產生無法更正(uncorrectable)的錯誤位元。
本揭露是關於一種資料儲存裝置及應用其的操作方法，可預先檢測記憶體中受讀取干擾影響而發生錯誤的區塊，並避免對此些區塊寫入有效資料。
根據本揭露的一方面，提出一種資料儲存裝置，包括記憶體以及記憶體控制器。記憶體包括複數個區塊。記憶體控制器耦接記憶體，並用以執行以下操作：記錄記憶體的一目標區塊的讀取次數；當目標區塊的讀取次數滿足一條件，對目標區塊的一空白儲存空間執行一錯誤位元檢查以取得一檢查結果；以及回應於判斷檢查結果為失敗，對目標區塊的空白儲存空間填入一偽資料(dummy data)。
根據本揭露的另一方面，提出一種資料儲存裝置的預防資料錯誤方法。資料儲存裝置包括記憶體以及記憶體控制器。預防資料錯誤方法由記憶體控制器執行，並包括以下步驟：記錄記憶體的一目標區塊的讀取次數；當目標區塊的讀取次數滿足一條件，對目標區塊的一空白儲存空間執行一錯誤位元檢查以取得一檢查結果；以及回應於判斷檢查結果為失敗，對目標區塊的空白儲存空間填入一偽資料。
為了對本揭露之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
第1圖繪示依據本揭露一實施例的資料儲存裝置100的方塊圖。資料儲存裝置100包括記憶體102以及記憶體控制器104。記憶體控制器104耦接記憶體102，並可用於執行本揭露實施例所描述的資料儲存裝置的操作方法。
記憶體102可為非揮發性記憶體，例如反及閘快閃記憶體(NAND flash)。記憶體控制器104可實現成一或多個控制器晶片，其可與記憶體140相互傳送/接收資料與指令，以實現對記憶體102的操作，例如讀取(read)、編程(program)、抹除(erase)等操作。舉例來說，記憶體控制器104可包括具有韌體碼的微控制器以及唯讀記憶體(ROM)，其中微控制器可執行韌體碼以操作或是存取記憶體104。
記憶體102包括複數個邏輯單元編號（LUN，Logical Unit Number），每一邏輯單元編號包括至少一邏輯單元平面（Plane），每一平面包括複數個區塊，例如區塊BK 0~BK N，每個區塊BK 0~BK N包括複數個頁（Page），每一頁包括至少一區段（Sector），其中，記憶體控制器104可依據實體位址來存取記憶體102中特定頁或區塊的使用者資料。如第1圖所示，區塊BK 0包括頁P 00~P 0K、區塊BK 1包括頁P 10~P 1K、...、區塊BK N包括頁P N0~P NK。每個頁可包括若干個記憶胞(未繪示)。根據記憶體類型的不同，記憶胞可以被規劃成四階式記憶胞（Quad Level Cell，QLC）、 三階式記憶胞（Triple Level Cell，TLC）、雙階式記憶胞（Multiple Level Cell，MLC）或是單階式記憶胞（Single Level Cell，SLC）。
資料儲存裝置100更可耦接至一主機（未繪示）。主機可輸出資料存取指令（讀出或寫入）至資料儲存裝置100以存取資料儲存裝置100的使用者資料（讀出或寫入使用者資料）。舉例來說，資料儲存裝置100中的記憶體控制器104可回應來自主機的資料讀取指令，對記憶體102中的一或多個特定實體位址進行讀取操作。主機可以為個人電腦、手機、平板電腦、車載系統、導航裝置等。
值得注意的是，為簡化說明，第1圖僅顯示與本揭露相關的元件。然應知本揭露的實施並不以第1圖所示的架構為限。
第2圖繪示依據本揭露一實施例的資料儲存裝置100的預防資料錯誤方法的流程圖。
在步驟202，記憶體控制器104記錄目標區塊（例如區塊BK 0）的讀取次數，其中，讀取次數的計算乃依據目標區塊的頁（例如頁P 00）或區段（例如頁P 00的區段）的讀取次數，目標區塊的讀取次數較佳為各別頁或區段的讀取次數的加總，亦可為所有頁或區段的讀取次數中的最大值。另外，目標區塊較佳為寫入來自主機的使用者資料的區塊，或是寫入來自另一區塊（或稱來源區塊）的使用者資料的區塊（或稱目的區塊）。目標區塊較佳為尚未寫入區塊關閉（End of Block，EOB）資訊的區塊，或稱為開放區塊（Open Block），即仍具有空白儲存空間，所述空白儲存空間例如包括尚未編程使用者資料的一或多個頁或區段。其中，區塊關閉資訊包括使用者資料的實體位址至邏輯位址的映射（Mapping）資訊。
在步驟204，記憶體控制器104判斷目標區塊的讀取次數是否滿足一條件，所述條件例如包括讀取次數是否超過一限值，其中，限值可為一固定值，例如：20000次，或可隨著目標區塊的抺除次數的增加而降低，例如：抺除次數小於200時，限值為20000次，抺除次數大於200時，限值為18000。
在步驟206，當上述條件滿足時，記憶體控制器104對目標區塊的空白儲存空間執行錯誤位元檢查以取得檢查結果，其中，錯誤位元檢查的標的為空白儲存空間中的任一頁或區段，錯誤位元檢查的方法乃讀取標的並判斷讀取的結果是否包括非預設之值，例如，讀取的結果應該顯示所有位元皆為”1”，則”0”為非預設之值。記憶體控制器104讀取空白儲存空間的任一頁或區段並判斷讀取的結果中是否包括有”0”，如果無則檢查結果為通過；如果有則檢查結果為失敗。另外，記憶體控制器104亦可將讀取的結果輸出至錯誤更正碼（Error Correcting Code，ECC）引擎，而ECC引擎會輸出錯誤位元數的數目，記憶體控制器104再依據此數目來決定檢查結果。如果此數目等於0則檢查結果為通過，此數目大於0則檢查結果為失敗。另外，考量ECC引擎的錯誤更正能力，即使讀取的結果具有數個錯誤位元數，記憶體控制器104仍判定檢查結果為通過。例如，讀取的結果中”0”的數目小於50時，檢查結果為通過；當讀取的結果中”0”的數目大於等於50時，檢查結果才被判定為失敗。
在步驟208，記憶體控制器104判斷檢查結果是否通過，如果是則結束預防資料錯誤方法的執行，如果否則執行步驟210。
在步驟210，記憶體控制器104將空白儲存空間填入偽資料（Dummy Data）。如果在步驟208中，記憶體控制器104判斷檢查結果為失敗，則不再寫入使用者資料至目標區塊的空白儲存空間，反而，填入偽資料至空白儲存空間，之後，在預設位址，例如：最後一頁，寫入EOB資訊，之後，將目標區塊予以關閉或變更為資料區塊。
在一實施例中，在步驟210中記憶體控制器104可選擇僅對目標區塊的空白儲存空間的一部份填入偽資料，例如僅對存在寫入干擾的一或多個空白頁填入偽資料，其中，寫入干擾發生在寫入使用者資料至目標頁時，寫入干擾範圍包括與目標頁的字線（Word line）有實體相鄰或串聯（String）的字線之間。
目標區塊的空白儲存空間的所有位元的值應該皆為”1”。如果位元的值變更為”0”則可能是受到讀取干擾影響所造成的改變，藉由執行預防資料錯誤方法可預先檢測出空白儲存空間是否已受讀取干擾影響。如果檢查結果為失敗，這表示讀取干擾可能影響資料寫入的正確性，因此，應避免對目標區塊進行使用者資料的寫入，或者，如同步驟210所示，填入偽資料至目標區塊的空白儲存空間。
在一實施例中，預防資料錯誤方法較佳於背景中執行，因此，不影響資料儲存裝置100對主機的系統效能。另外，錯誤位元檢查的標的可為空白儲存空間中的第一頁或區段，或最後一頁或區段。
第3圖繪示資料編程的示意圖，在第3圖的例子中，目標區塊包括有頁P 0~P 7（更精準地說是邏輯頁P 0~P 7），使用者資料係依頁的先後順序，依序編程至頁P 0~P 7中，其中以網底標示的頁P 0~P 4為已編程使用者資料的頁，而無網底標示的頁P 5~P 7為尚未編程使用者資料的頁，即為目標區塊的空白儲存空間。另外，以雙階式記憶胞為例，頁P 0及P 2可由同一字線所控制，頁P 1~P 3可由另一字線所控制；以三階式記憶胞為例，頁P 0、P 2及P 5可由同一字線所控制，以此類推。
另外，在本揭露實施例中所提及的方法操作，除特別敘明其順序者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同時或部分同時執行。
根據本揭露以上所述的多個實施例，藉由偵測記憶體的累積讀取次數，並在累積讀取次數滿足特定條件時對記憶體中的目標區塊實施錯誤更正碼檢查，可預先檢測出受到讀取干擾影響的目標區塊。受影響的目標區塊將被填入偽資料，以防止之後再被填入有效使用者資料。透過此方式，可有效提升資料儲存的可靠度、減少無法更正的錯誤位元產生。
綜上所述，雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧資料儲存裝置
102‧‧‧記憶體
104‧‧‧記憶體控制器
BK0~BKN、BKi‧‧‧區塊
P00~P0K、P10~P1K、PN0~PNK、Pi0~Pi7‧‧‧頁
202、204、206、208、210‧‧‧步驟
第1圖繪示依據本揭露一實施例的資料儲存裝置的方塊圖。 第2圖繪示依據本揭露一實施例的資料儲存裝置的預防資料錯誤方法的流程圖。 第3圖繪示依據本揭露一實施例的資料編程的示意圖。

Claims (12)

  1. 一種資料儲存裝置，包括： 一記憶體，包括複數個區塊；以及 一記憶體控制器，耦接該記憶體，並用以執行以下操作： 記錄該記憶體的一目標區塊的讀取次數； 當該目標區塊的讀取次數滿足一條件，對該目標區塊的一空白儲存空間執行一錯誤位元檢查以取得一檢查結果；以及 回應於判斷該檢查結果為失敗，對該目標區塊的該空白儲存空間填入一偽資料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中該目標區塊包括複數個頁或複數個區段，該目標區塊的讀取次數訊息指示該目標區塊的該些頁或該些區段的各別的讀取次數的加總。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中於判斷該目標區塊的讀取次數滿足該條件時，係判斷該目標區塊的讀取次數是否超過一限值。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中於執行該錯誤位元檢查時，該記憶體控制器係讀取該空白儲存空間中的任一頁或任一區段，並判斷讀取的結果是否包括非預設之值。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中於執行該錯誤位元檢查時，該記憶體控制器係讀取該空白儲存空間中的任一頁或任一區段，將讀取的結果傳送至一錯誤更正碼引擎，並依據該錯誤更正碼引擎輸出的錯誤位元數的數目決定該檢查結果。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中於對該目標區塊的該空白儲存空間填入該偽資料時，該記憶體控制器係對該目標區塊的該空白儲存空間的一部份填入該偽資料。
  7. 一種資料儲存裝置的預防資料錯誤方法，該資料儲存裝置包括一記憶體以及一記憶體控制器，該預防資料錯誤方法由該記憶體控制器執行，並包括： 記錄該記憶體的一目標區塊的讀取次數； 當該目標區塊的讀取次數滿足一條件，對該目標區塊的一空白儲存空間執行一錯誤位元檢查以取得一檢查結果；以及 回應於判斷該檢查結果為失敗，對該目標區塊的該空白儲存空間填入一偽資料。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之預防資料錯誤方法，其中該目標區塊包括複數個頁或複數個區段，該目標區塊的讀取次數訊息指示該目標區塊的該些頁或該些區段的各別的讀取次數的加總。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之預防資料錯誤方法，其中於判斷該目標區塊的讀取次數滿足該條件時，係判斷該目標區塊的讀取次數是否超過一限值。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之預防資料錯誤方法，其中於執行該錯誤位元檢查時，該記憶體控制器係讀取該空白儲存空間中的任一頁或任一區段，並判斷讀取的結果是否包括非預設之值。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之預防資料錯誤方法，其中於執行該錯誤位元檢查時，該記憶體控制器係讀取該空白儲存空間中的任一頁或任一區段，將讀取的結果傳送至一錯誤更正碼引擎，並依據該錯誤更正碼引擎輸出的錯誤位元數的數目決定該檢查結果。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之預防資料錯誤方法，其中於對該目標區塊的該空白儲存空間填入該偽資料時，該記憶體控制器係對該目標區塊的該空白儲存空間的一部份填入該偽資料。
TW107113372A 2018-04-19 2018-04-19 資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法 TWI659299B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107113372A TWI659299B (zh) 2018-04-19 2018-04-19 資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法
CN201810891929.6A CN110389716B (zh) 2018-04-19 2018-08-07 数据存储装置及应用其的预防数据错误方法
US16/388,445 US10714193B2 (en) 2018-04-19 2019-04-18 Data storage apparatus and method for preventing data error using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107113372A TWI659299B (zh) 2018-04-19 2018-04-19 資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI659299B true TWI659299B (zh) 2019-05-11
TW201944240A TW201944240A (zh) 2019-11-16

Family

ID=67348124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107113372A TWI659299B (zh) 2018-04-19 2018-04-19 資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10714193B2 (zh)
CN (1) CN110389716B (zh)
TW (1) TWI659299B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI748507B (zh) * 2020-06-08 2021-12-01 瑞昱半導體股份有限公司 資料存取系統及操作資料存取系統的方法
US11301343B2 (en) * 2020-06-12 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Memory block age detection
CN113253943B (zh) 2021-07-06 2021-10-12 苏州浪潮智能科技有限公司 一种优化固态硬盘中open block的方法、装置、设备及可读介质

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140136883A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-15 Lsi Corporation Read disturb effect determination
JP5537551B2 (ja) * 2008-09-28 2014-07-02 ラマト アット テル アビブ ユニバーシティ リミテッド フラッシュメモリにおける適応符号化用の方法およびシステム
US20150332788A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Read disturb detection
JP6088675B1 (ja) * 2016-02-02 2017-03-01 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置
KR20180001711A (ko) * 2016-06-27 2018-01-05 삼성전자주식회사 저장 장치
TW201802683A (zh) * 2016-07-11 2018-01-16 慧榮科技股份有限公司 用於資料儲存裝置的損耗平均方法
TW201805937A (zh) * 2016-08-08 2018-02-16 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置、記憶體控制器及其資料管理方法
US20180067697A1 (en) * 2016-09-06 2018-03-08 Donghwan Lee Storage Devices Including Nonvolatile Memory Devices and Access Methods for Nonvolatile Memory Devices

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101783164A (zh) * 2009-01-16 2010-07-21 慧帝科技(深圳)有限公司 用来存取一快闪存储器之方法以及相关之记忆装置
US7818525B1 (en) * 2009-08-12 2010-10-19 Texas Memory Systems, Inc. Efficient reduction of read disturb errors in NAND FLASH memory
US8954650B2 (en) * 2011-09-16 2015-02-10 Intel Corporation Apparatus, system, and method for improving read endurance for a non-volatile memory
CN103136108B (zh) * 2011-12-05 2016-04-06 慧荣科技股份有限公司 快闪存储装置及其数据读取方法
CN105320464B (zh) * 2014-07-21 2018-07-31 群联电子股份有限公司 防止读取干扰的方法、存储器控制电路单元与存储装置
US20160118132A1 (en) * 2014-10-27 2016-04-28 Sandisk Enterprise Ip Llc Low Impact Read Disturb Handling
US9552171B2 (en) * 2014-10-29 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Read scrub with adaptive counter management
US10354737B2 (en) * 2017-06-22 2019-07-16 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile memory sub-block erasure disturb management scheme
US10115472B1 (en) * 2017-08-02 2018-10-30 International Business Machines Corporation Reducing read disturb effect on partially programmed blocks of non-volatile memory

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5537551B2 (ja) * 2008-09-28 2014-07-02 ラマト アット テル アビブ ユニバーシティ リミテッド フラッシュメモリにおける適応符号化用の方法およびシステム
US20140136883A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-15 Lsi Corporation Read disturb effect determination
US20150332788A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Read disturb detection
JP6088675B1 (ja) * 2016-02-02 2017-03-01 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置
KR20180001711A (ko) * 2016-06-27 2018-01-05 삼성전자주식회사 저장 장치
TW201802683A (zh) * 2016-07-11 2018-01-16 慧榮科技股份有限公司 用於資料儲存裝置的損耗平均方法
TW201805937A (zh) * 2016-08-08 2018-02-16 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置、記憶體控制器及其資料管理方法
US20180067697A1 (en) * 2016-09-06 2018-03-08 Donghwan Lee Storage Devices Including Nonvolatile Memory Devices and Access Methods for Nonvolatile Memory Devices

Also Published As

Publication number Publication date
US10714193B2 (en) 2020-07-14
US20190325981A1 (en) 2019-10-24
TW201944240A (zh) 2019-11-16
CN110389716B (zh) 2022-11-25
CN110389716A (zh) 2019-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101887557B1 (ko) 플래시 메모리 모듈에 액세스하기 위한 플래시 메모리 제어기 및 메모리 장치, 그리고 관련된 방법
US9239758B2 (en) Semiconductor storage device, method for controlling the same and control program
TWI394167B (zh) 對於記憶體的錯誤校正
US11030096B2 (en) Method of identifying and preparing a key block in a flash memory system and memory controller therefor
TWI389122B (zh) 用來存取一快閃記憶體之方法以及相關之記憶裝置及其控制器
KR101716716B1 (ko) 플래그 셀들을 갖는 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 동작 방법
US11004519B2 (en) Storage device and operating method thereof
US8760921B2 (en) Storage device and control method of nonvolatile memory
US20150355844A1 (en) Remapping in a memory device
TWI659299B (zh) 資料儲存裝置及應用其的預防資料錯誤方法
KR101468432B1 (ko) 제어된 스크럽 데이터 판독에 의해 트리거되는 플래시 메모리 리프레시 기술
US10803973B2 (en) Memory management method and storage controller
US10748599B1 (en) Data reading method, storage controller and storage device background of the disclosure
CN112035055A (zh) 存储设备及其操作方法
US11309036B1 (en) Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in NAND flash memory
TWI648743B (zh) 半導體裝置及其操作方法
US11817170B2 (en) Storage controller determining error count, method of operating the same, and method of operating storage device including the same
KR20140104829A (ko) 멀티 레벨 셀 비휘발성 메모리 시스템
US8885406B2 (en) Memory device, memory control device, and memory control method
TWI823649B (zh) 快閃記憶體控制器的控制方法、快閃記憶體控制器以及電子裝置
US20220310168A1 (en) Operating method of storage controller using count value of direct memory access, storage device including storage controller, and operating method of storage device
US20230178159A1 (en) Memory device and operating method thereof
EP4198988A1 (en) Storage controller using history data, method of operating the same, and method of operating storage device including the same
EP4160603A1 (en) Storage controller determining error count, method of operating the same, and method of operating storage device including the same
JP7291640B2 (ja) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のリフレッシュ方法