TWI655644B - 雷射蝕刻加工用導電性糊劑、導電性薄膜及導電性疊層體 - Google Patents

雷射蝕刻加工用導電性糊劑、導電性薄膜及導電性疊層體 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種適於雷射蝕刻加工之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，能將以習知的網版印刷法難以應付的L/S為50/50μm以下的高密度電極電路配線以低成本且低環境負荷製造且能減少基材之熱劣化。本發明提供一種雷射蝕刻加工用導電性糊劑，含有由熱塑性樹脂構成之黏結劑樹脂(A)、金屬粉(B)及有機溶劑(C)，前述黏結劑樹脂(A)為數量平均分子量5,000~60,000且玻璃轉移溫度未達60℃之熱塑性樹脂，並提供使用該導電性糊劑形成之導電性薄膜、導電性疊層體、電氣電路及觸控面板。

Description

雷射蝕刻加工用導電性糊劑、導電性薄膜及導電性疊層體
本發明係關於能製造平面方向之配置密度高的導電性圖案的導電性圖案之製造方法，及能理想地使用於此製造方法之導電性糊劑。本發明之導電性圖案，一般可用於透明觸控面板之電極電路配線。
近年行動電話、筆記電腦、電子書籍等為代表的搭載透明觸控面板的電子設備的高性能化與小型化急速進展。該等電子設備之高性能化與小型化，除了要求搭載之電子零件之小型化、高性能化、整合度提高，還要求將此等電子零件彼此予以接合之電極電路配線之高密度化。作為透明觸控面板之方式，除了電極電路配線數少的電阻膜方式，尚有電極電路配線數大幅增加的電容方式近年急速普及，考量如此的觀點，強烈要求電極電路配線之高密度化。又，為了使顯示器畫面更大，且因商品設計方面的要求，要求配置電極電路配線的框部更窄，考量如此的觀點，亦尋求電極電路配線之高密度化。為了滿足如以上的要求，要求能進行比以往更高密度配置電極電路配線的技術。
電阻膜方式之透明觸控面板之框部分之電極電路配線之配置密度，以往係平面方向之線與間距之寬各約200μm(以下有時簡稱為L/S＝200/200μm)以上，將其利用導電性糊劑之網版印刷而形成。電容方式之觸控面板，要求L/S為約100/100μm以下，有時更進一步要求L/S為50/50μm以下，利用網版印刷形成電極電路配線的技術逐漸有難以應付的狀況。
作為替代網版印刷之電極電路配線形成技術之一候選者，可列舉光微影法。若使用光微影法，能充分形成L/S為50/50μm以下的細線。但光微影法也存有課題。光微影法之最典型的事例為使用感光性光阻之方法，一般而言，在已形成銅箔層之表面基板的銅箔部位塗佈感光性光阻，利用光罩或雷射光之直接描繪等方法將所望圖案進行曝光，並實施感光性光阻之顯影，之後將所望圖案以外之銅箔部位以藥品加以溶解・除去，藉此使銅箔之細線圖案形成。所以，廢液處理所致之環境負荷大，而且步驟煩雜，考量生產效率之觀點、成本的觀點，遭遇到許多課題。
光微影法也有不使用感光性光阻的方式，例如專利文獻1、2揭示:使用導電性糊劑形成乾燥塗膜，對其以雷射光進行直接描繪，使已照到雷射光的部分定影於基材，未照射部分進行顯影除去並形成所望圖案之技術。若依如此的方法，比起一般的光微影法，能就未使用感光性光阻的分量簡化步驟，但和以往已知的使用感光性光阻的光微影法同樣須要濕處理的顯影步驟，故有顯影廢液處理的問題，而且因為使用玻璃熔塊(glass frit)、奈米的銀粉作為導電性糊劑的成分，故煅燒步驟須為400℃以上的高溫，有須要龐大能量的問題、或有能使用的基材限於能耐受400℃以上之高溫之煅燒步驟者的問題。而且步驟煩雜，在生產效率方面不理想。
因為上述狀況，作為替代網版印刷之電極電路配線形成技術之一候選例，專利文獻3揭示的雷射蝕刻工法在近年受人重視。若使用雷射蝕刻工法，能充分形成L/S為50/50μm以下之細線。雷射蝕刻工法係指將由黏結劑樹脂與導電粉體構成之層(以後稱為導電性薄膜)形成在絕緣性基材上，並將其一部分利用雷射光照射而從絕緣性基材上除去之工法。
但雷射蝕刻法也有課題。利用雷射光照射去除導電性薄膜時會產生多量的熱，故會使導電性薄膜及基材出現熱劣化，結果可能損及對於導電性薄膜為必要不可缺的基材密合性、電特性。作為抑制熱劣化之方法，可以考量減小雷射的能量，但若能量太小則無法蝕刻，於細線間會造成短路、毛邊(burr)，在生產效率方面不理想。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-237573號公報 [專利文獻2]日本特開2011-181338號公報 [專利文獻3]日本特願2012-161485號
[發明欲解決之課題]
本發明之目的在於為了使雷射蝕刻所致基材及導電性薄膜之熱劣化為最小限度，提供即使在低能量之雷射條件仍能達成高密度電極電路配線之製造方法。又，提供能理想地使用在如此的製造方法的導電性糊劑。 [解決課題之方式]
本案發明人等就於平面方向以高密度配置電極電路配線的製造方法努力研究，結果發現適於低能量之雷射蝕刻工法中形成由黏結劑樹脂與導電粉體構成之層的理想導電性糊劑。亦即，本發明包括以下構成。
1. 一種雷射蝕刻加工用導電性糊劑，含有由熱塑性樹脂構成之黏結劑樹脂(A)、金屬粉(B)及有機溶劑(C)，其特徵為:該黏結劑樹脂(A)係數量平均分子量為5,000~60,000且玻璃轉移溫度未達60℃之熱塑性樹脂。 2. 如1.之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，其中，該黏結劑樹脂(A)係選自於由聚酯樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、氯乙烯樹脂、及纖維素衍生物樹脂構成之群組中之1種或2種以上之混合物。 3. 如1.或2.之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，其中，該黏結劑樹脂(A)的酸價未達50當量/106 g。 4. 如1.至3.中任一項之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，係將導電性糊劑過濾而得。 5. 一種導電性薄膜，係由如1.至4.中任一項之雷射蝕刻加工用導電性糊劑形成。 6. 一種導電性疊層體，如5.之導電性薄膜與基材係疊層。 7. 如6.之導電性疊層體，其中，該基材具有透明導電性層。 8. 一種電氣電路，係使用如5.之導電性薄膜、或如6.或7.之導電性疊層體而成。 9. 一種電氣電路，具有配線部位，該配線部位係藉由對於如5.之導電性薄膜之一部分照射選自於二氧化碳氣體雷射、YAG雷射、纖維雷射及半導體雷射之雷射光而去除該導電性薄膜之一部分以形成。 10. 如9.之電氣電路，其中，該導電性薄膜係形成於透明導電性層上。 11. 一種觸控面板，包含如8.至10.中任一項之電氣電路作為構成構件。 [發明之效果]
本發明之導電性糊劑含有由熱塑性樹脂構成之黏結劑樹脂(A)、金屬粉(B)及有機溶劑(C)，前述黏結劑樹脂(A)為數量平均分子量5,000~60,000且玻璃轉移溫度未達60℃的熱塑性樹脂，藉由採取如此的構成，能形成於低能量之雷射蝕刻加工適性優異的導電性薄膜。在此，雷射蝕刻加工適性優異，係指利用雷射蝕刻加工將導電性薄膜的至少一部分從基材剝離並形成L/S＝20/20μm之 細線時滿足以下的4個條件:1)確保細線兩端間之導通、2)確保相鄰細線間之絕緣、3)細線形狀良好、4)雷射蝕刻後之基材密合性良好。又，藉由將本發明之實施態樣即導電性糊劑進行過濾，能對於凝聚的銀粉施加剪切而使其解聚，且同時能去除大型粒子，故可發揮改善蝕刻的效果。
＜＜構成本發明之導電性糊劑之成分＞＞ 本發明之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，含有由熱塑性樹脂構成之黏結劑樹脂(A)、金屬粉(B)及有機溶劑(C)，含有前述黏結劑樹脂(A)係數量平均分子量為5,000~60,000、玻璃轉移溫度未達60℃之熱塑性樹脂作為必要成分。
＜黏結劑樹脂(A)＞ 黏結劑樹脂(A)之種類只要是熱塑性樹脂即可，不特別限定，可以列舉聚酯樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、苯酚樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯酸樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯酚樹脂、聚乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、苯酚樹脂、醇酸樹脂、苯乙烯-丙烯酸樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚合樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚合樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、矽酮樹脂、氟系樹脂等，該等樹脂可以單獨或以2種以上之混合物的形式使用。宜為選自於由聚酯樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、氯乙烯樹脂、纖維素衍生物樹脂構成之群中之1種或2種以上之混合物較佳。又，該等樹脂之中，使用含有聚酯樹脂、聚酯成分作為共聚合成分之聚胺甲酸酯樹脂(以下有時稱為聚酯聚胺甲酸酯樹脂)、環氧樹脂之中之至少1種以上的話，就黏結劑樹脂(A)而言更理想。
本發明中，使用聚酯樹脂作為黏結劑樹脂(A)的好處之一為分子設計之自由度之高度。能選擇構成聚酯樹脂之二羧酸及二醇成分並使共聚合成分自如變化，又，也容易對於分子鏈中，或分子末端賦予官能基。所以，可適當調整獲得之聚酯樹脂之玻璃轉移溫度、或和對於基材及導電性糊劑摻合之其他成分間的親和性等樹脂的特性。
本發明中，作為黏結劑樹脂(A)之聚酯樹脂之共聚合成分，能使用之二羧酸例如:對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2,6-萘二羧酸等芳香族二羧酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、癸二酸、十二烷二羧酸、壬二酸等脂肪族二羧酸、二聚酸等碳數12~28之二元酸、1,4-環己烷二羧酸、1,3-環己烷二羧酸、1,2-環己烷二羧酸、4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐、3-甲基六氫鄰苯二甲酸酐、2-甲基六氫鄰苯二甲酸酐、二羧基氫化雙酚A、二羧基氫化雙酚S、二聚酸、氫化二聚酸、氫化萘二羧酸、三環癸烷二羧酸等脂環族二羧酸、羥基苯甲酸、乳酸等羥基羧酸。又，在無損發明效果之範圍內，也可以併用偏苯三甲酸酐 、苯均四酸酐等三元以上之羧酸、富馬酸等不飽和二羧酸、及/或5-磺基間苯二甲酸鈉鹽等含磺酸金屬鹽基之二羧酸作為共聚合成分。
本發明中，作為黏結劑樹脂(A)之聚酯樹脂之共聚合成分，能使用之多元醇例如:乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己烷二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2-甲基-1,5-戊二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、2,2-二乙基-1,3-丙二醇、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇等脂肪族二醇、1,4-環己烷二甲醇、1,3-環己烷二甲醇、1,2-環己烷二甲醇、二聚二醇等脂環族二醇。又，在無損發明效果之範圍內，也可併用三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、甘油、季戊四醇、聚甘油等三元以上之多元醇作為共聚合成分。
本發明中，作為黏結劑樹脂(A)使用之聚酯樹脂，考量密合性、或和併用之其他樹脂間之相溶性及耐熱衝擊性等觀點，宜構成前述聚酯樹脂之全部酸成分之中之脂肪族二羧酸有10莫耳%以上共聚合較佳，更佳為20莫耳%以上，又更佳為30莫耳%以上。芳香族二羧酸成分之共聚合比率若太高，獲得之聚酯樹脂之玻璃轉移溫度成為60℃以上，可能因為和併用之樹脂間之相溶性惡化引起保存安定性之惡化、雷射蝕刻加工之直線性降低、獲得之導電性薄膜雷射蝕刻後之密合性降低。
本發明中，使用聚胺甲酸酯樹脂作為黏結劑樹脂(A)亦為理想的實施態樣。和聚酯樹脂的情形同樣，關於聚胺甲酸酯樹脂，亦可藉由選擇適當成分作為構成聚胺甲酸酯樹脂之共聚合成分，並對於分子鏈中，或分子末端賦予官能基，以適當調整玻璃轉移溫度、或和基材及導電性糊劑摻合之其他成分間之親和性等樹脂之特性。
關於聚胺甲酸酯樹脂之共聚合成分無特殊限定，考量設計自由度、耐濕熱性、耐久性維持這些觀點，宜為使用聚酯多元醇作為共聚合成分之聚酯聚胺甲酸酯樹脂較佳。前述聚酯多元醇之理想例，可列舉前述本發明中可作為黏結劑樹脂(A)使用之聚酯樹脂之中之多元醇。
本發明中可作為黏結劑樹脂(A)使用之聚胺甲酸酯樹脂，例如可利用多元醇與聚異氰酸酯之反應獲得。作為能當成前述聚胺甲酸酯樹脂之共聚合成分的聚異氰酸酯，可列舉2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、對伸苯基二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、間伸苯基二異氰酸酯、3,3’-二甲氧基-4,4’-伸聯苯二異氰酸酯、2,6-萘二異氰酸酯、3,3’-二甲基-4,4’-伸聯苯二異氰酸酯、4,4’-二伸苯基二異氰酸酯、4,4’-二異氰酸酯二苯醚、1,5-萘二異氰酸酯、間二甲苯二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯等，可為芳香族二異氰酸酯、脂肪族二異氰酸酯及脂環族二異氰酸酯中任一者。又，在無損本發明效果之範圍，也可併用三元以上之異氰酸酯化合物作為共聚合成分。
本發明中，可作為黏結劑樹脂(A)使用之聚胺甲酸酯樹脂中，可以視需要共聚合具有能和異氰酸酯反應之官能基的化合物。作為能和異氰酸酯反應之官能基，宜為羥基及胺基較理想，可為有其中任一者也可以有兩者。其具體例，可列舉二羥甲基丁酸、二羥甲基丙酸、1,2-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、2-乙基-1,3-己二醇、2,2-二甲基-3-羥基丙基-2’,2’-二甲基-3’-羥基丙酸酯、2-正丁基-2-乙基-1,3-丙二醇、3-乙基-1,5-戊二醇、3-丙基-1,5-戊二醇、2,2-二乙基-1,3-丙二醇、3-辛基-1,5-戊二醇、3-苯基-1,5-戊二醇、2,5-二甲基-3-鈉磺基-2,5-己烷二醇、二聚二醇(比如Uniqema International公司製PRIPOOL-2033)等的1分子中有2個羥基的化合物;三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、甘油、季戊四醇、聚甘油等1分子中有3個以上的羥基的醇;單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等1分子有1個以上的羥基與胺基的胺基醇;乙二胺、1,6-己二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,11-十一烷二胺、1,12-十二烷二胺等脂肪族二胺、間二甲苯二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯醚、4,4’-二胺基二苯醚等芳香族二胺等1分子中有2個胺基的化合物。上述數量平均分子量未達1,000的具有1分子有2個以上能和異氰酸酯反應之官能基的化合物，可單獨使用也可併用多數。
本發明中，可作為黏結劑樹脂(A)之環氧樹脂例如雙酚A環氧丙醚、雙酚S環氧丙醚、酚醛清漆環氧丙醚、溴化雙酚等環氧丙醚型、六氫鄰苯二甲酸環氧丙酯、二聚酸環氧丙酯等環氧丙酯型、三環氧丙基異氰尿酸酯、或環氧環己基甲基羧酸酯、環氧化聚丁二烯、環氧化大豆油等脂環族或脂肪族環氧化物等，可以單獨使用一種也可併用2種以上。其中，考量塗膜耐久性之觀點，雙酚A環氧丙醚較理想，一分子中有2個以上的環氧丙醚基者又更佳。
本發明中，黏結劑樹脂(A)之數量平均分子量無特殊限定，數量平均分子量為5,000~60,000較佳，更佳為10000~40000。數量平均分子量若太低，考量形成之導電性薄膜之耐久性、耐濕熱性方面不理想。另一方面，數量平均分子量若太高，樹脂之凝聚力增加，雖就導電性薄膜而言之耐久性等提高，但是雷射蝕刻加工適性顯著惡化。
本發明中，黏結劑樹脂(A)之玻璃轉移溫度宜未達60℃較佳，30℃以下更佳。更佳為15℃以下。更低玻璃轉移溫度的話，有如下效果:銀塗膜之表面平滑性提高，雷射蝕刻後之細線之銳利性提高。且銀塗膜成為更黏著質，結果可達成高基材密合性。又，黏結劑樹脂(A)之玻璃轉移溫度之下限不特別限定，通常約-20℃以上。
本發明中，黏結劑樹脂(A)之酸價不特別限定，酸價若太高，形成之導電性薄膜之吸水性提高，可能因羧基所致催化作用促進黏結劑樹脂之水解，可能導致導電性薄膜之可靠性降低。水解於玻璃轉移溫度愈低愈顯著，本發明之玻璃轉移溫度考量水解之觀點為不利。而藉由設黏結劑樹脂(A)之酸價為低酸價，較佳為未達50eq/ton，更佳為30eq/ton以下，能達成同時兼顧導電性薄膜之高可靠性與雷射蝕刻之直線性及密合性的導電性糊劑。
＜金屬粉(B)＞ 本發明使用之金屬粉(B)，可列舉銀粉、金粉、鉑粉、鈀粉等貴金屬粉、銅粉、鎳粉、鋁粉、黃銅粉等卑金屬粉、以銀等貴金屬鍍敷或合金化的卑金屬粉等，例如覆銀的銅粉。該等金屬粉可以單獨使用也可以併用。該等之中，若考慮導電性、安定性、成本等，銀粉單獨或以銀粉作為主體較佳。
本發明使用之金屬粉(B)之形狀無特殊限定。以往已知之金屬粉之形狀，例如屑片狀(鱗片狀)、球狀、樹枝狀(dendrite狀)、日本特開平9-306240號公報記載之球狀之1次粒子凝聚成3維狀的形狀(凝聚狀)等，從雷射蝕刻性之觀點，該等之中，使用球狀、凝聚狀及屑片狀金屬粉較佳，更佳為屑片狀、球狀。
本發明使用之金屬粉(B)之中心徑(D50)宜為4μm以下較佳。藉由使用中心徑為4μm以下的金屬粉(B)，雷射蝕刻加工部位之細線形狀有變得良好的傾向。使用中心徑比4μm還大的金屬粉時，雷射蝕刻加工後之細線形狀變差，結果會有細線彼此接觸，引起短路的可能性。再者，會有已利用雷射蝕刻加工而剝離・除去的導電性薄膜再度附著於加工部位的可能性。金屬粉(B)之中心徑之下限不特別限定，考量成本的觀點，且若粒徑變細則易凝聚，結果會造成分散困難，中心徑宜為80nm以上較佳。中心徑若比80nm還小，金屬粉之凝聚力增加，雷射蝕刻加工適性惡化，此外從成本的觀點也不理想。
又，中心徑(D50)係指以某測定方法獲得之累積分布曲線(體積)中，其累積値成為50%之粒徑(μm)。本發明中，係使用雷射繞射散射式粒度分布測定裝置(日機裝(股)製、MICROTRAC HRA)以全反射模式測定累積分布曲線。
金屬粉(B)之含量，考量形成之導電性薄膜之導電性良好的觀點，相對於熱塑性樹脂(A)100質量份為400質量份以上較理想，560質量份以上更理想。又，(B)成分之含量，考量和基材之密合性為良好之觀點，相對於熱塑性樹脂(A)100質量份為1,900質量份以下較理想，1,230質量份以下更理想。
＜有機溶劑(C)＞ 本發明能使用之有機溶劑(C)不特別限定，考量保持有機溶劑之揮發速度為適當範圍之觀點，沸點為100℃以上、未達300℃較佳，更佳為沸點為150℃以上、未達280℃。本發明之導電性糊劑，一般係將熱塑性樹脂(A)、金屬粉(B)、有機溶劑(C)及視需要的其他成分以三輥研磨機等進行分散而製作，此時有機溶劑之沸點若太低，會有於分散時溶劑揮發而使構成導電性糊劑之成分比改變的顧慮。另一方面，有機溶劑之沸點若太高，取決於乾燥條件，會有溶劑在塗膜中殘留多量的可能性，有導致塗膜可靠性降低的顧慮。
又，本發明能使用之有機溶劑(C)，宜為熱塑性樹脂(A)可溶且能使金屬粉(B)良好地分散者為較佳。具體例可列舉乙基二甘醇乙酸酯(EDGAC)、丁基甘醇乙酸酯(BMGAC)、丁基二甘醇乙酸酯(BDGAC)、環己酮、甲苯、異佛爾酮、γ-丁內酯、苯甲醇、Exxon化學製Solvesso 100、150、200、丙二醇單甲醚乙酸酯、己二酸、琥珀酸及戊二酸之二甲酯之混合物(例如:杜邦(股)公司製DBE)、萜品醇(terpineol)等，該等之中，考量熱塑性樹脂(A)之摻合成分之溶解性優異、連續印刷時之溶劑揮發性適當，對於利用網版印刷法等所為之印刷的適性良好的觀點，EDGAC、BMGAC、BDGAC及此等之混合溶劑為較佳。
有機溶劑(C)之含量，宜為相對於糊劑全部重量100重量份為5重量份以上、40重量份以下較佳，10重量份以上、35重量份以下又更佳。有機溶劑(C)之含量若太高，糊劑黏度變得太低，細線印刷時有易出現垂液的傾向。另一方面，有機溶劑(C)之含量若太低，就糊劑而言之黏度變得極高，形成導電性薄膜時之例如網版印刷性有時顯著降低，此外，形成之導電性薄膜之膜厚變厚，雷射蝕刻加工性有降低的情形。
＜雷射光吸收劑(D)＞ 本發明之導電糊劑中也可以摻合雷射光吸收劑(D)。在此，雷射光吸收劑(D)係於雷射光之波長有強吸收的添加劑，雷射光吸收劑(D)本身可為導電性也可為非導電性。例如:使用基本波之波長為1064nm之YAG雷射作為光源時，可以將於波長1064nm有強吸收之染料及/或顏料作為雷射光吸收劑(D)。藉由摻合雷射光吸收劑(D)，本發明之導電性薄膜可將雷射光以高效率吸收，促進發熱引起之黏結劑樹脂(A)之揮發、熱分解，其結果，雷射蝕刻加工適性提高。
本發明能使用之雷射光吸收劑(D)之中，有導電性者之例可以列舉碳黑、石墨粉等碳系之填料。碳系填料之摻合，也有提高本發明之導電性薄膜之導電性之效果，但例如碳黑在1060nm附近有吸收波長，故若照射YAG雷射、纖維雷射等波長1064nm之雷射光，可期待以下效果:導電性薄膜能將雷射光以高效率吸收，對於雷射光照射之感度提高，提高雷射照射之掃描速度時及/或雷射光源為低輸出時也能獲得良好的雷射蝕刻加工適性。前述碳系填料之含量，相對於金屬粉(B)100重量份為0.1~5重量份較佳，0.3~2重量份更佳。碳系填料之摻合比率過低時，提高導電性之效果及提高對於雷射光照射之感度之效果小。另一方面，碳系填料之摻合比率過高時，導電性薄膜之導電性有降低之傾向，而且有時會出現樹脂吸附在碳的空隙部位，和基材間之密合性降低的問題。
本發明能使用之雷射光吸收劑(D)之中，為非導電性者之例，可列舉以往公知之染料、顏料及紅外線吸收劑。更具體而言，可列舉偶氮染料、金屬錯鹽偶氮染料、吡唑哢偶氮染料、萘醌染料、蒽醌染料、酞花青染料、碳陽離子(carbonium)染料、醌亞胺染料、次甲基染料、花青染料、方酸類(squarylium)色素、吡喃(pyrylium)鹽、金屬硫醇錯合物等染料;顏料可列舉黑色顏料、黃色顏料、橙色顏料、褐色顏料、紅色顏料、紫色顏料、藍色顏料、綠色顏料、螢光顏料、金屬粉顏料，此外，聚合物結合色素。具體而言，可以使用不溶性偶氮顏料、偶氮色澱顏料、縮合偶氮顏料、螯合偶氮顏料、酞花青系顏料、蒽醌系顏料、苝及紫環酮系顏料、硫靛系顏料、喹吖啶酮系顏料、二 系顏料、異吲哚啉酮系顏料、喹啉黃(quinophthalones)系顏料、青料色紋飾色澱顏料、顏料、亞硝基顏料、硝基顏料、天然顏料、螢光顏料、無機顏料。紅外線吸收劑之例可列舉:二亞銨鹽型之紅外線吸收劑NIR-IM1、銨鹽型之NIR-AM1(均為Nagasechemtex公司製)。該等非導電性之雷射光吸收劑(D)的含有量為0.01~5重量份，較佳為0.1~2重量份較佳。非導電性之雷射光吸收劑(D)之摻合比率若太低，提高對於雷射光照射之感度之效果小。非導電性雷射光吸收劑(D)之摻合比率若太高，導電性薄膜之導電性有降低之虞，且雷射光吸收劑之色調變顯著，取決於用途，有時並不理想。
本發明之導電性糊劑可添加下列無機物。無機物可列舉:碳化矽、碳化硼、碳化鈦、碳化鋯、碳化鉿、碳化釩、碳化鉭、碳化鈮、碳化鎢、碳化鉻、碳化鉬、碳化鈣、類鑽碳等各種碳化物；氮化硼、氮化鈦、氮化鋯等各種氮化物、硼化鋯等各種硼化物；氧化鈦(titania)、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋅、氧化銅、氧化鋁、二氧化矽、燻製二氧化矽(例如日本Aerosil公司製Aerosil)膠體二氧化矽等各種氧化物；鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鍶等各種鈦酸化合物；二硫化鉬等硫化物；氟化鎂、氟化碳等各種氟化物；硬脂酸鋁、硬脂酸鈣、硬脂酸鋅、硬脂酸鎂等各種金屬肥皂；此外可使用滑石、膨潤土、滑石、碳酸鈣、膨潤土、高嶺土、玻璃纖維、雲母等。藉由添加該等無機物，有時能提高印刷性、耐熱性，進一步提高機械特性、長期耐久性。其中，於本發明之導電性糊劑，考量賦予耐久性、印刷適性，尤其網版印刷適性之觀點，燻製二氧化矽為較佳。
又，本發明之導電性糊劑中，也可以摻合觸變性賦予劑、消泡劑、阻燃劑、黏著賦予劑、水解防止劑、塗平劑、塑化劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、顏料、染料。進一步，也可適當摻合碳二醯亞胺、環氧化物等作為樹脂分解抑制劑。此等可以單獨使用也可以併用。
＜硬化劑(E)＞ 本發明之導電性糊劑中，可於無損本發明之效果之程度摻合能和黏結劑樹脂(A)反應之硬化劑。藉由摻合硬化劑，硬化溫度提高，生產步驟之負荷有可能增加，但能期待由於塗膜乾燥時或雷射蝕刻時產生之熱所致之交聯而提高塗膜之耐濕熱性。
能和本發明之黏結劑樹脂(A)反應之硬化劑，雖不限種類，但考量密合性、耐彎曲性、硬化性等，異氰酸酯化合物及/或環氧樹脂尤佳。再者，若使用異氰酸酯基已封端化的異氰酸酯化合物，儲藏安定性提高，較理想。異氰酸酯化合物以外之硬化劑，可以列舉甲基化三聚氰胺、丁基化三聚氰胺、苯胍胺、尿素樹脂等胺基樹脂、酸酐、咪唑類、苯酚樹脂等公知化合物。也可對該等硬化劑併用因應其種類選擇的公知的觸媒或促進劑。硬化劑之摻合量，係以無損本發明效果之程度摻合，雖無特殊限制，相對於黏結劑樹脂(A)100質量份為0.5~50質量份較理想，1~30質量份更佳，2~20質量份又更佳。
能摻合於本發明之導電性糊劑之異氰酸酯化合物，例如有芳香族或脂肪族之二異氰酸酯、3元以上之聚異氰酸酯等，可為低分子化合物、高分子化合物中任一者。例如:四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、亞二甲苯二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、氫化亞二甲苯二異氰酸酯、二聚酸二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族二異氰酸酯、或該等異氰酸酯化合物之3聚體、及該等異氰酸酯化合物之過剩量與例如乙二醇、丙二醇、三羥甲基丙烷、甘油、山梨醇、乙二胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等低分子活性氫化合物或各種聚酯多元醇類、聚醚多元醇類、聚醯胺類之高分子活性氫化合物等反應而獲得之含末端異氰酸酯基之化合物。又，異氰酸酯基之封端化劑，例如苯酚、硫苯酚、甲硫基苯酚、乙基硫苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、硝基苯酚、氯苯酚等苯酚類；丙酮肟、甲基乙基酮基肟、環己酮肟等肟類；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類；乙烯氯乙醇(ethylene chlorohydrin)、1,3-二氯-2-丙醇等鹵素取代醇類；第三丁醇、第三戊醇等3級醇類；ε-己內醯胺、δ-戊內醯胺、γ-丁內醯胺、β-丙內醯胺等內醯胺類，此外也可列舉芳香族胺類、醯亞胺類、乙醯基丙酮、乙醯乙酸酯、丙二酸乙酯等活性亞甲基化合物、硫醇類、亞胺類、咪唑類、尿素類、二芳基化合物類、重亞硫酸鈉等。其中，考量硬化性，肟類、咪唑類、胺類尤佳。
本發明中，能作為硬化劑之環氧化合物，例如雙酚A環氧丙醚、雙酚S環氧丙醚、酚醛清漆環氧丙醚、溴化雙酚等環氧丙醚型、六氫鄰苯二甲酸環氧丙酯、二聚酸環氧丙酯等環氧丙酯型、三環氧丙基異氰尿酸酯、或環氧環己基甲基羧酸酯、環氧化聚丁二烯、環氧化大豆油等脂環族或脂肪族環氧化物等，可單獨使用一種也可以併用二種以上。其中，從硬化性之觀點，雙酚A環氧丙醚最理想，其中分子量未達5000、一分子中有2個以上的環氧丙醚基者又更佳。
＜＜對於本發明之導電性糊劑要求之物性＞＞ 本發明之導電性糊劑之黏度不特別限定，因應塗膜之形成方法適當地調整即可。例如:導電性糊劑向基材之塗佈係利用網版印刷進行時，導電性糊劑之黏度於印刷溫度為100dPa・s以上，更佳為150dPa・s以上。上限無特殊限定，若黏度太高，導電性薄膜之膜厚變得太厚，雷射蝕刻加工適性有時會下降。
本發明之導電性糊劑，F値為60~95%較佳，更佳為75~95%。F値是指糊劑中之含有填料質量份相對於全部固體成分100質量份之數値，以F値＝(填料質量份/固體成分質量份)×100表達。在此所指言之填料質量份是指導電性粉末之質量份，固體成分質量份是指溶劑以外的成分的質量份，包括導電性粉末、黏結劑樹脂、其他硬化劑、添加劑全部。F値若太低，無法獲得呈良好導電性之導電性薄膜，F値若太高，導電性薄膜與基材間之密合性及/或導電性薄膜之表面硬度有降低的傾向，也不能避免印刷性降低。又，在此的導電性粉末係指由金屬粉(B)及非金屬構成的導電性粉末兩者。
＜＜本發明之導電性糊劑之製造方法＞＞ 本發明之導電性糊劑可如前述，將熱塑性樹脂(A)、金屬粉(B)、有機溶劑(C)及視需要的其他成分以三輥研磨機等進行分散而製作。在此，顯示製作程序之例。首先將熱塑性樹脂(A)溶於有機溶劑(C)。之後，添加金屬粉(B)及視需要之添加劑，以雙行星式、溶解機、行星式攪拌機等實施分散。之後以三輥研磨機進行分散，獲得導電性糊劑。以此方式獲得之導電性糊劑也可視需要進行過濾。使用其他分散機，例如珠磨機、捏揉機、擠壓機等進行分散也無任何問題。
＜＜本發明之導電性薄膜、導電性疊層體及此等之製造方法＞＞ 藉由將本發明之導電性糊劑塗佈或印刷在基材上並形成塗膜，然後使塗膜含有之有機溶劑(C)揮發，使塗膜乾燥，可形成本發明之導電性薄膜。將導電性糊劑塗佈或印刷在基材上的方法無特殊限定，利用網版印刷法印刷的話，從步驟簡便性及使用導電性糊劑形成電氣電路之業界普及之技術的觀點，為較理想。又，導電性糊劑若塗佈或印刷在比起最終電氣電路必要之導電性薄膜部位更廣一些的部位的話，考量減低雷射蝕刻步驟之負荷，以良好效率形成本發明之電氣電路之觀點，為較理想。
本發明之導電性糊劑塗佈之基材宜使用尺寸安定性優異之材料較理想。例如由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲丁二醇酯或聚碳酸酯等可撓性優異材料構成的薄膜。又，也可使用玻璃等無機材料作為基材。基材厚度無特殊限定，50~350μm，100~250μm的話，在考量圖案形成材料之機械特性、形狀安定性或操作性等方面更理想。
又，可對於塗佈本發明之導電性糊劑之基材之表面實施物理性處理及/或化學性處理，以提高導電性薄膜與基材間之密合性。物理性處理方法，例如噴砂法、噴射含微粒之液體之濕噴砂法、電暈放電處理法、電漿處理法、紫外線或真空紫外線照射處理法等。又，化學性處理方法，例如強酸處理法、強鹼處理法、氧化劑處理法、偶聯劑處理法等。
又，前述基材也可以有透明導電性層。本發明之導電性薄膜可疊層在透明導電性層上。前述透明導電性層之素材不特別限定，例如:氧化銦・錫作為主成分而成之ITO膜、或由奈米尺寸之線狀銀構成之銀奈米線膜。又，可使用透明導電性層不只是形成在基材全面，而是以蝕刻等去除掉透明導電性層之一部分者。
使有機溶劑(C)揮發之步驟宜於常溫下及/或加熱下進行較佳。加熱時，考量乾燥後之導電性薄膜之導電性、密合性、表面硬度良好的觀點，加熱溫度為80℃以上較理想，100℃以上更佳，110℃以上又更佳。又，考慮基底之透明導電性層之耐熱性、及生產步驟之省能量之觀點，加熱溫度為150℃以下較理想，135℃以下更佳，130℃以下又更佳。對於本發明之導電性糊劑摻合硬化劑時，若於加熱下實施使有機溶劑(C)揮發之步驟，硬化反應會進行。
本發明之導電性薄膜之厚度依使用之用途設定適當厚度即可。惟考量乾燥後之導電性薄膜之導電性良好之觀點、及雷射蝕刻加工適性良好之觀點，導電性薄膜之膜厚為3μm以上、30μm以下較理想，更佳為4μm以上、20μm以下，又更佳為4μm以上、10μm以下。導電性薄膜之膜厚若太薄，可能無法獲得就電路而言的所望導電性。膜厚若太厚，雷射蝕刻加工所須雷射照射量為過大，有時會損傷基材。又，膜厚的不均一程度大的話，導電性薄膜之蝕刻容易性會有不均勻的情形，會有容易發生因蝕刻不足所致線間短路、蝕刻過度導致斷線的傾向。所以，膜厚的不均一程度宜小為佳。
本發明之導電性薄膜之表面粗糙度Ra為0.7μm以下較理想，更佳為0.5μm以下。表面粗糙度Ra若太高，導電性薄膜之蝕刻端部易出現鋸齒狀，易出現線間短路、蝕刻過度導致之斷線。表面粗糙度Ra會受糊劑組成(尤其黏結劑種類與銀粉種類)、糊劑黏度、網版印刷條件強烈影響，故須將此等條件予以適當調整並控制。
＜＜本發明之電氣電路及其製造方法＞＞ 本發明之電氣電路，係對於利用本發明之導電性糊劑而形成在基材上的導電性薄膜的至少一部分照射雷射光，而具有從基材上去除前述導電性薄膜之一部分而形成之配線部位的電氣電路。若採用如此的電氣電路的形成方法，和光微影法不同，能使圖案形成步驟為乾處理，不產生含金屬成分的廢液，所以無須廢液處理等，可說是環保的處理。又，步驟上也單純，所以可壓低關於製造設備的投資，製造設備運作後之維持管理也容易。又，利用導電性糊劑在基材上形成導電性薄膜之方法不特別限定，可依印刷或塗佈進行。
雷射光之照射方法無特殊限制，可使用近年普及的雷射蝕刻加工裝置、或使此等的尺寸精度更提高者。雷射蝕刻加工裝置可直接將以CAD等圖像處理應用軟體製作的數據用在雷射加工，故製造圖案的替換極容易。此點可作為較以往實施之以網版印刷法形成圖案優越的其中一點。
在雷射光被照射、吸收之部位，雷射光之能量被變換為熱，因溫度上昇而熱分解及/或揮發，將照射部位剝離・除去。為了將本發明之導電性薄膜之受雷射光照射的部位以良好效率從基材除去，本發明之導電性薄膜宜於照射雷射光之波長有強吸收較佳。所以，雷射種類宜選擇在構成本發明之導電性薄膜之任一成分有強吸收之波長區有能量之雷射種類較佳。
一般的雷射種類，可列舉準分子雷射(基本波之波長為193~308nm)、YAG雷射(基本波之波長為1064nm)、纖維雷射(基本波之波長為1060nm)、CO2雷射(基本波之波長為10600nm)、半導體雷射等，基本上任一方式、任一波長之雷射種類均無問題。可選擇和導電性薄膜中任一構成成分之吸收波長區一致而且可照射基材無強吸收之波長之雷射種類，以有效率地實施雷射光照射部位之導電性薄膜之除去且能避免基材損失。考量如此的觀點，照射之雷射種類，基本波之波長為532~10700nm之範圍為較佳。使用層結構具聚酯之導電性薄膜、或層結構具聚酯之導電性薄膜之一部分利用蝕刻除去而成的薄膜作為基材時，使用YAG雷射或纖維雷射的話，因基材在基本波的波長無吸收，不易對於基材造成損傷，於此點特別理想。
雷射輸出、頻率不特別限定，能調節成可於蝕刻寬10~50μm去除雷射光照射部位之導電性薄膜且不損傷基底之基材。一般，雷射輸出宜於0.5~100W、頻率10~1000kHz、脈衝寬1000ns以下之範圍內適當調節較佳。雷射輸出若太低，導電性薄膜之除去有不足的傾向，可藉由降低雷射之掃描速度、增加掃描次數以某個程度避免如此的傾向。雷射輸出若太高，因來自照射部分之熱之擴散而使導電性薄膜剝離的部位比起雷射束徑大出非常多，線寬可能變得太細或斷線。考量此點，雷射輸出宜於0.5~20W、頻率10~800kHz、脈衝寬800ns以下之範圍內適當調節較佳，更佳為0.5~12W、頻率10~600kHz、脈衝寬600ns以下。
雷射光之掃描速度，考量利用工站時間減少所獲致生產效率提高之觀點，愈高愈好，具體而言，1000mm/s以上較理想，1500mm/s以上更佳，2000mm/s以上更理想。掃描速度若太慢，不僅生產效率降低，導電性薄膜及基材有受熱歷程而損傷之虞。加工速度之上限無特殊限制，但掃描速度若太高，雷射光照射部位之導電性薄膜之除去不完全，電路有短路的可能性。又，掃描速度若太快速，在形成之圖案之角隅部位，無法避免比起直線部位的掃描速度減速，角隅部位之熱歷程比直線部位高，角隅部位之雷射蝕刻加工部位周邊之導電性薄膜之物性有顯著降低之虞。
雷射光之掃描，可利用移動雷射光之發射體、移照被照射雷射光之被照射體、或組合兩者均可，例如可使用XY台座達成。又，也可藉由使用電流鏡(galvanic mirror)等改變雷射光之照射方向來掃描雷射光。
雷射光照射時，可藉由使用聚光透鏡(無色透鏡等)以提高每單位面積之能量密度。此方法的優點可列舉:比起使用遮罩的情形，能加大每單位面積的能量密度，故即使是輸出小的雷射振盪器也能以高掃描速度實施雷射蝕刻加工。將已聚光的雷射光向導電性薄膜照射時，須調整焦距。焦距的調節，尤其須依塗佈於基材之膜厚調節，但宜調整成不損傷基材且能將預定之導電性薄膜圖案予以剝離・除去較佳。
將同一圖案重複多次進行雷射光掃描為一理想實施態樣。當有第1次掃描除去不完全之導電性薄膜部位時或已除去之構成導電性薄膜之成分再度附著於基材時，可利用多次掃描將雷射光照射部位之導電性薄膜予以完全除去。掃描次數之上限不特別限定，因加工部位周邊受多次熱歷程可能會損傷且塗膜物性可能降低，故須注意。又，考量生產效率的觀點，掃描次數當然是愈少愈好。
不將同一圖案重複多次進行雷射光掃描亦為一理想實施態樣。只要對於獲得之導電性薄膜、導電性疊層體及電氣電路之特性不造成不利影響，掃描次數當然愈少生產效率愈優異。
本發明之導電性薄膜因為以高濃度含有昂貴的導電性粉體，故若考量電氣電路製造所要之總成本，將從基材除去之導電性薄膜所含之導電性粉體予以回收並再利用係為重要。藉由建構於雷射光照射部位附近有高性能的集塵機，能將導電性粉體以良好效率回收的系統，能成為充分划算的加工法。
＜＜本發明之觸控面板＞＞ 本發明之導電性薄膜、導電性疊層體及/或電氣電路可作為觸控面板之構成構件。前述觸控面板可為電阻膜方式也可為電容方式。可應用在任一觸控面板，但本糊劑適於細線形成，故特別可適用在電容方式之觸控面板之電極配線用途。又，構成前述觸控面板之基材，宜使用有ITO膜、銀奈米線膜等透明導電性層之基材、或將此等利用蝕刻而去除一部分的基材較佳。 【實施例】
為了更詳細說明本發明，以下舉實施例、比較例，但本發明不受限於此等實施例。又，實施例、比較例記載之各測定値係依以下方法測得。
1.數量平均分子量 將試樣樹脂溶於四氫呋喃使樹脂濃度成為約0.5重量%，以孔徑0.5μm的聚四氟乙烯製濾膜過濾，作為GPC測定試樣。將四氫呋喃作為移動相，使用島津製作所公司製之凝膠滲透層析(GPC)Prominence，將示差折射計(RI計)作為檢測器，以管柱溫度30℃、流量1ml/分實施樹脂試樣之GPC測定。又，數量平均分子量，係就標準聚苯乙烯換算値，捨去相當於分子量未達1000之部分而算出。GPC管柱使用昭和電工(股)製之shodex　KF-802、804L、806L。
2.玻璃轉移溫度(Tg) 將試樣樹脂5mg放入鋁製樣本盤並密封，使用精工儀器(股)製之差示掃描熱量分析計(DSC)DSC-220，以升溫速度20℃/分測定直到200℃，求出玻璃轉移溫度以下之基線之延長線和過渡部之呈最大斜度的切線的交點的溫度。
3.酸價 精稱試樣樹脂0.2g並溶於20ml之氯仿。然後使用酚酞溶劑作為指示劑，以0.01N氫氧化鉀(乙醇溶液)進行滴定。酸價之單位為eq/ton，亦即試樣每1噸的當量。
4.樹脂組成 將試樣樹脂溶解於氯仿-d，使用VARIAN製400MHz-NMR裝置，利用1H-NMR分析求出樹脂組成。
5.糊劑黏度 黏度之測定係於樣本溫度25℃使用BH型黏度計(東機產業公司製)於20rpm實施測定。
6.導電性糊劑之儲藏安定性 將導電性糊劑裝入塑膠容器並蓋緊後，於40℃保存1個月。保存後進行黏度測定，並實施依上述5.導電性疊層體試件製作之試件之評價。 ○：無顯著黏度變化，維持初始之比電阻、鉛筆硬度及密合性。 ×：認為有顯著黏度上昇(初始黏度之2倍以上)或顯著黏度降低(初始黏度之1/2以下)、及/或比電阻、鉛筆硬度及/或密合性降低任一者。
7.導電性疊層體試件之製作 在厚度100μm之經回火處理之PET薄膜(東麗公司製Lumirror S)及ITO膜(尾池工業(股)製、KH300)，分別利用使用400網目的不銹鋼網版以網版印刷法印刷導電性糊劑，形成寬25mm、長度450mm之整面塗滿圖案，然後於熱風循環式乾燥爐中於130℃加熱30分鐘，作為導電性疊層體試件。又，調整印刷時之塗佈厚，使乾燥膜厚成為4~10μm。
8.密合性 使用前述導電性疊層體試件，依JIS　K-5400-5-6：1990，使用Cellotape (註冊商標)( Nichiban (股)製)，利用剝離試驗實施評價。惟格子圖案之各方向之切割數為11個、切割間隔為1mm。100/100代表無剝離，呈密合性良好，0/100代表全部剝離。
9.比電阻 測定前述導電性疊層體試件之片電阻與膜厚並計算比電阻。膜厚係使用Gauge Stand ST-022(小野測器公司製)，以PET膜之厚度作為零點而測定5點的硬化塗膜之厚度，採用其平均值。片電阻係使用MILLIOHMMETER4338B(HEWLETT PACKARD公司製)針對4片試片進行測定，採用其平均值。又，以本MILLIOHMMETER能檢測之範圍為1×10-2 以下(Ω・cm)，1×10-2 (Ω・cm)以上之比電阻為測定極限外。
10.鉛筆硬度 將導電性疊層體試件放在厚度2mm的SUS304板上，依JIS　K　5600-5-4：1999測定鉛筆硬度。
11.耐濕熱性試驗： 將導電性疊層體試件於80℃加熱300小時，然後於85℃、85%RH(相對濕度)加熱300小時，之後於常溫放置24小時後，實施各種評價。 12.表面粗糙度 使用表面粗糙度計(Handysurf E-35B、東京精密公司製，依JIS-1994算出)，對於前述導電性疊層體試件測定表面粗糙度Ra。
13.雷射蝕刻加工適性之評價 利用網版印刷法，在聚酯基材(東麗公司製Lumirror S(厚度100μm))上將導電性糊劑印刷塗佈成2.5×10cm的長方形。使用400不銹鋼網目 (乳劑厚10μm、線徑18μm(Murakami公司製)、壓延加工)作為網版，以橡皮刮刀速度50mm/s進行印刷。印刷塗佈後於熱風循環式乾燥爐於130℃進行30分鐘乾燥，獲得導電性薄膜。又，將糊劑稀釋調整成使膜厚為5~7μm。其次對於以上述方法作成之導電性薄膜進行雷射蝕刻加工，製成如圖1之有4條長度50mm之直線部分之圖案，作為雷射蝕刻加工適性評價試驗片。
線間之雷射蝕刻加工係藉由將雷射光以40μm(L/S＝20/20μm)節距掃描3次以進行。雷射光源使用YAG雷射(波長：1064nm)，以頻率220kHz、輸出8W、掃描速度2800mm/s、脈衝寬75ns(條件1)、及頻率500kHz、輸出8W、掃描速度2800mm/s、脈衝寬15ns(條件2)兩者進行。依下式計算脈衝能量，結果條件1為36μJ、條件2為16μJ。 脈衝能量＝輸出/頻率 藉此，可說比起條件1，條件2以較低能量蝕刻。
評價項目、測定條件如下。
(雷射蝕刻加工寬評價) 測定前述雷射蝕刻加工適性評價試驗片中已去除導電性薄膜之部位之線寬。測定係使用雷射顯微鏡(Keyence VHX-1000)進行，依下列之評價判斷基準判定。 ○：已去除導電性薄膜之部位之線寬為18~22μm △：已去除導電性薄膜之部位之線寬為14~17μm或23~26μm ×：已去除導電性薄膜之部位之線寬為13μm以下、或27μm以上
(雷射蝕刻加工適性評價1細線兩端間導通性) 利用前述雷射蝕刻加工適性評價試驗片中，細線之兩端間是否確保導通以評價。具體而言，將測試器各碰觸端子A1-端子B1間、端子A2-端子B2間、端子A3-端子B3間、端子A4-端子B4間而確認是否有導通，依下列評價基準判定。 ○：全部4條細線均在細線兩端間有導通 △：4條細線之中有1~3條，細線兩端間無導通 ×：4條細線全部均在細線兩端間無導通 (雷射蝕刻加工適性評價2相鄰細線間絕緣性) 利用前述雷射蝕刻加工適性評價試驗片中，相鄰細線間之絕緣是否確保以評價。具體言之，將測試器各碰觸端子A1-端子A2間、端子A2-端子A3間、端子A3-端子A4間以確認是否有導通，並依下列評價基準判定。 ○：所有相鄰細線間係絕緣 △：一部分相鄰細線間係絕緣 ×：所有相鄰細線間未絕緣
(已去除導電性薄膜之部位之殘渣之評價) 以雷射顯微鏡觀察前述雷射蝕刻加工適性評價試驗片中之已去除導電性薄膜之部位，依下列評價基準判定是否有殘渣附著。 ○：已去除導電性薄膜之部位無殘渣。 △：已去除導電性薄膜之部位有若干殘渣。 ×：已去除導電性薄膜之部位可見到許多殘渣。
(雷射蝕刻後之導電性薄膜與基材間之密合性之評價) 依使用Cellotape (註冊商標)(Nichiban (股)製)之膠帶剝離試驗評價前述雷射蝕刻加工適性評價試驗片中之已去除導電性薄膜之部位所夾持之導電性薄膜殘存之部位對於基材之密合性。此評價係於試驗片剛製作好24小時後(初始)及之後又於85℃、85%RH(相對濕度)的濕熱環境下靜置120小時再於常溫靜置24小時後(耐濕熱試驗後)進行。 ○：無剝離。 △：一部分剝離。 ×：全部剝離。
樹脂之製造例 聚酯樹脂P-1之製造例 於配備攪拌機、冷凝器、及溫度計之反應容器中加入對苯二甲酸700份、間苯二甲酸420份、己二酸246份、乙二醇680份、新戊二醇614份，於氮氣環境加壓到2大氣壓，費時3小時從160℃升溫到230℃，實施酯化反應。釋壓後，加入鈦酸四丁基酯0.92份，然後將系內緩慢減壓，費時20分鐘減壓到5mmHg，再於0.3mmHg以下之真空下於260℃進行40分鐘縮聚反應，獲得聚酯樹脂。獲得之共聚合聚酯樹脂P-1之組成及物性示於表1。
聚酯樹脂P-2~P-6之製造例 改變聚酯樹脂P-1之製造例中之單體種類及摻合比率，製造聚酯樹脂P-2~P-6。獲得之共聚合聚酯樹脂之組成及樹脂物性示於表1。
聚胺甲酸酯樹脂U-1之製造例 於配備攪拌機、冷凝器、溫度計之反應容器中投入1500份之聚酯樹脂P-5、1000份之P-6、新戊二醇(NPG)180份、1,6-己二醇(1,6HD)50份後，加入乙基二甘醇乙酸酯(EDGAC)2587份，於85℃溶解。之後，加入4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)810份，於85℃反應2小時後，添加作為觸媒的二月桂酸二丁基錫0.5份，於85℃進一步反應4小時。然後，以3440份EDGAC將溶液稀釋，獲得聚胺甲酸酯樹脂U-1之溶液。獲得之聚胺甲酸酯樹脂溶液之固體成分濃度為37質量%。將以此方式獲得之樹脂溶液滴加在聚丙烯薄膜上，使用不銹鋼鋼製之塗抹器延展，獲得樹脂溶液之薄膜。將其於調整成120℃之熱風乾燥機內靜置3小時而使溶劑揮發，然後從聚丙烯薄膜將樹脂薄膜剝離，獲得薄膜狀乾燥樹脂薄膜。乾燥樹脂薄膜之厚度為約30μm。將上述乾燥樹脂薄膜作為聚胺甲酸酯樹脂U-1之試樣樹脂，各種樹脂物性之評價結果示於表2 。
聚胺甲酸酯樹脂U-2之製造例 聚胺甲酸酯樹脂U-2，係除了將聚酯多元醇、具有和異氰酸酯反應之基之化合物及聚異氰酸酯替換為表2所示者以外，以和聚胺甲酸酯樹脂U-1之製造例同樣的方法製造而得。聚胺甲酸酯樹脂U-2之樹脂物性之評價結果示於表2。
【表2】
DMBA：二羥甲基丁酸 1,6HD：1,6-己二醇 NPG：新戊二醇 MDI：4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯
實施例1 將以使聚酯樹脂P-1成為固體成分濃度42質量%之方式溶於EDGAC/BDGAC(7：3)而得之溶液2381份(固體成分換算1000份)、9000份之屑片狀銀粉1、108份之硬化劑1、塗平劑56份、36份之添加劑1、作為溶劑之EDGAC 92份、BDGAC40份摻合，以冷卻的三輥研磨機混練機分散2次。其次，在糊劑過濾機(PROTEK公司製PF320A)安裝500網目(不銹鋼網濾器(線徑25μm、孔目30μm)的濾器，實施上述糊劑之過濾。之後將獲得之導電性糊劑印刷成預定圖案後，進行130℃×30分鐘乾燥，獲得導電性薄膜。使用此導電性薄膜測定基本物性，然後實施雷射蝕刻加工之研究。糊劑及糊劑塗膜、雷射蝕刻加工性之評價結果示於表3。
實施例2~12、比較例1~3 改變導電性糊劑之樹脂及摻合，進行實施例2~12、比較例1~3。導電性糊劑之摻合及評價結果示於表3。實施例能於烘箱130℃×30分的較低溫且短時間的加熱獲得良好的塗膜物性。且向ITO膜之密合性、濕熱環境試驗後之密合性亦良好。
又，表3中，黏結劑樹脂、導電粉末、添加劑及溶劑使用以下物質。 銀粉1：屑片狀銀粉(D50：0.5μm) 銀粉2：球狀銀粉(D50：1μm) 碳黑：Tokaicarbon(股)製♯4400 科琴黑：Lion(股)製Ketjen ECP600JD 石墨粉：中越石墨工業所(股)製石墨BF 硬化劑1：旭化成化學 (股)製MF-B60X 硬化劑2：三菱化學製jER-828 硬化觸媒：共同藥品(股)製KS1260 塗平劑：共榮社化學(股)MK Conk 分散劑1：BYK Japan(股)公司製Disperbyk2155 添加劑1：日本Aerosil (股)製二氧化矽R972 添加劑2：Nagasechemtex(股)製　NIR-AM1 EDGAC：Daicel(股)製乙基二甘醇乙酸酯 BDGAC：Daicel(股)製丁基二甘醇乙酸酯 DBE：杜邦(股)製己二酸、琥珀酸及戊二酸之二甲酯之混合物
【表3】 [產業利用性]
本發明之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，保持雷射蝕刻加工適性且濕熱環境可靠性優異，能提供維持作為導電性薄膜之塗膜耐久性之導電性薄膜，例如作為搭載觸控面板之行動電話、筆記電腦、電子書等使用的導電性糊劑有用。
1a、2a、3a、4a‧‧‧端子A
1b、2b、3b、4b‧‧‧細線B
1c、2c、3c、4c‧‧‧端子C
圖1係對於本發明之實施例、比較例使用之雷射蝕刻加工適性評價試驗片照射雷射光之圖案之示意圖。白色部位照到雷射光，在基材上形成之導電性薄膜被除去。網點部位未照到雷射光。圖中之尺寸表示之單位為mm。

Claims (10)

  1. 一種雷射蝕刻加工用導電性糊劑，含有由熱塑性樹脂構成之黏結劑樹脂(A)、金屬粉(B)及有機溶劑(C)，其特徵為：相對於該黏結劑樹脂(A)100質量份，該金屬粉(B)為400~1,900質量份，相對於該雷射蝕刻加工用導電性糊劑全部重量100重量份，該有機溶劑(C)為5~40重量份；該黏結劑樹脂(A)含有聚酯樹脂及聚胺甲酸酯樹脂中的至少1種，係數量平均分子量為5,000~60,000，酸價未達50當量/106g，且玻璃轉移溫度未達60℃之熱塑性樹脂；該金屬粉(B)之中心徑(D50)為80nm~4μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，其中，該黏結劑樹脂(A)更含有選自於由環氧樹脂、苯氧基樹脂、氯乙烯樹脂、及纖維素衍生物樹脂構成之群組中之1種以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之雷射蝕刻加工用導電性糊劑，係將導電性糊劑過濾而得。
  4. 一種導電性薄膜，係由如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷射蝕刻加工用導電性糊劑形成。
  5. 一種導電性疊層體，如申請專利範圍第4項之導電性薄膜與基材係疊層。
  6. 如申請專利範圍第5項之導電性疊層體，其中，該基材具有透明導電性層。
  7. 一種電氣電路，係使用如申請專利範圍第4項之導電性薄膜、或如申請專利範圍第5或6項之導電性疊層體而成。
  8. 一種電氣電路，具有配線部位，該配線部位係藉由對於如申請專利範圍第4項之導電性薄膜之一部分照射選自於二氧化碳氣體雷射、YAG雷射、纖維雷射及半導體雷射之雷射光而去除該導電性薄膜之一部分以形成。
  9. 如申請專利範圍第8項之電氣電路，其中，該導電性薄膜係形成於透明導電性層上。
  10. 一種觸控面板，包含如申請專利範圍第7至9項中任一項之電氣電路作為構成構件。
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