TWI655515B - Multi-beam optical system adjustment method and multi-beam exposure device - Google Patents

Multi-beam optical system adjustment method and multi-beam exposure device Download PDF

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Abstract

本發明的一個態樣之多射束光學系統的調整方法，其特徵為，在成形孔徑陣列基板的包含複數個開口部全體之區域，接受帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，藉此形成多射束，一面將多射束的交叉點高度位置設為可變一面測定多射束的畸變，測定多射束的畸變會變得更小之多射束的交叉點高度位置，將限制多射束當中脫離軌道的射束通過之限制孔徑基板的高度位置，調整至交叉點高度位置。

Description

多射束光學系統的調整方法及多射束曝光裝置
本發明係多射束光學系統的調整方法及多射束曝光裝置，例如有關運用了電子束之多射束描繪中的電子束光學系統的調整方法。
肩負半導體元件微細化發展的微影技術，在半導體製造過程當中是唯一生成圖樣的極重要製程。近年來隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。當中，電子線(電子束)描繪技術在本質上具有優良的解析性，對晶圓等使用電子線來描繪係行之已久。 　　舉例來說，有使用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形下，藉由使用多射束，能夠一次照射較多的射束，故能使產出大幅提升。該多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之光罩而形成多射束，然後各自受到遮沒控制，未被遮蔽的各射束則藉由對物透鏡而在試料面上成像(例如參照日本特開2015-023286號公報)。 　　在包含多射束描繪裝置之運用了電子束之曝光裝置中，照射出的電子束，會藉由光學系統暫且匯聚形成交叉點(crossover)後再往試料照射。在該交叉點位置，會配置限制多餘的電子通過之限制孔徑。在此，若藉由對物透鏡將電子束實際地成像在試料面上，則可能有由於透鏡的製造誤差等而導致實際的交叉點位置偏離設計位置之情形。在該情形下，若藉由上游側的透鏡來將交叉點位置匹配至設計位置，則成像在試料面上的像的畸變會變大。特別是，多射束描繪中，相較於單射束描繪而言形成於試料面上之像的尺寸大得多，故若畸變變大，則相較於單射束描繪的情形會更大幅受其影響。故，理想是將畸變減小。 　　另一方面，若將交叉點位置挪離設計位置，則在限制孔徑面上的射束尺寸會變大，故依此會變得難以使足夠的射束通過。為了解決該問題，只要增大限制孔徑的開口徑即可。藉由增大限制孔徑的開口徑能夠避免射束損失。然而，若增大限制孔徑的開口徑，則會導致原本應限制通過的多餘的電子也通過。因該多餘的電子(洩漏射束)，會發生導致成像在試料面上的像的對比度降低這樣的新問題。又，當以限制孔徑進行遮沒控制的情形下，若不將遮沒偏向量增大則無法設為射束OFF，而會發生導致遮沒控制變得困難這樣的問題。
本發明的一個態樣，係提供一種可抑制多射束的成像畸變同時限制多餘的電子通過之光學系統的調整方法及多射束曝光裝置。 　　本發明的一個態樣之多射束光學系統的調整方法，係 　　在成形孔徑陣列基板的包含複數個開口部全體之區域，接受帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，藉此形成多射束， 　　一面將多射束的交叉點高度位置設為可變一面測定多射束的畸變， 　　測定多射束的畸變會變得更小之多射束的交叉點高度位置， 　　將限制多射束當中脫離軌道的射束通過之限制孔徑基板的高度位置，調整至交叉點高度位置。 　　本發明的一態樣之多射束曝光裝置，具備： 　　放出源，放出帶電粒子束；及 　　照明透鏡，照明帶電粒子束； 　　成形孔徑陣列基板，形成有複數個開口部，在包含複數個開口部全體之區域受到被照明之帶電粒子束的照射，帶電粒子束的一部分分別通過複數個開口部，藉此形成多射束；及 　　限制孔徑基板，限制多射束當中脫離軌道之射束通過；及 　　高度位置調整機構，將限制孔徑基板的高度位置可變地調整；及 　　畸變測定機構，測定多射束的畸變。
以下，實施形態中，說明一種可抑制多射束的成像畸變同時限制多餘的電子通過之光學系統的調整方法及曝光裝置。 　　此外，以下在實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係針對使用電子束之構成來做說明。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是使用離子束等帶電粒子的射束。此外，實施形態1中，說明使用了描繪裝置作為曝光裝置的一例之構成。但，曝光裝置不限於描繪裝置，亦可為檢查裝置等進行帶電粒子束對於試料之照射之裝置。 實施形態1. 　　圖1為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置100具備描繪機構150與控制部160。描繪裝置100為多帶電粒子束描繪裝置之一例，並且為多帶電粒子束曝光裝置之一例。描繪機構150具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202(電磁透鏡)、成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列機構204、限制孔徑基板206、對物透鏡群212、偏向器208、檢測器213、校準線圈211、及高度位置調整機構214。在描繪室103內配置XY平台105。在XY平台105上，配置有於描繪時(照射時)成為描繪對象基板的光罩等試料101。試料101係包括製造半導體裝置時的曝光用光罩、或供製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，試料101包括已塗布阻劑，但尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。在XY平台105上還配置個別射束位置檢測機構218、及XY平台105的位置測定用的鏡(mirror)210。 　　對物透鏡群212，具有複數段的對物透鏡215，216(電磁透鏡)。圖1中，例如具有2段的對物透鏡215，216。 　　個別射束位置檢測機構218，具有通過標記基板220、塊體222、及電流檢測器224。 　　控制部160具有控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、透鏡控制電路131、透鏡控制電路132、放大器134、孔徑控制電路136、放大器137、平台控制機構138、平台位置測定器139及磁碟裝置等記憶裝置140，142。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、透鏡控制電路131、透鏡控制電路132、放大器134、孔徑控制電路136、放大器137、平台控制機構138、平台位置測定器139及記憶裝置140，142，透過未圖示之匯流排而相互連接。描繪資料從描繪裝置100的外部被輸入並存儲於記憶裝置140(記憶部)。在透鏡控制電路131連接有照明透鏡202。在透鏡控制電路132，連接有複數段的對物透鏡215，216。在透鏡控制電路132，還連接有校準線圈211。在偏向控制電路130，連接有遮沒孔徑陣列機構204。此外，在偏向控制電路130，透過未圖示之DAC放大器單元連接有偏向器208。在放大器134連接有檢測器213。在孔徑控制電路136，連接有高度位置調整機構214。在放大器137連接有電流檢測器224。平台控制機構138，控制XY平台105的驅動。平台位置測定器139，將雷射光照射至XY平台105上的鏡210，並接受來自鏡210的反射光。然後，利用該反射光的資訊來測定XY平台105的位置。 　　在控制計算機110內，配置有擊發資料生成部50、測定部52、測定部53、畸變量演算部54、判定部56、抽出部58、設定部60、設定部62、測定部64、抽出部66、設定部68、及描繪控制部70。擊發資料生成部50、測定部52、測定部53、畸變量演算部54、判定部56、抽出部58、設定部60、設定部62、測定部64、抽出部66、設定部68、及描繪控制部70這些各「～部」具有處理電路，作為該處理電路，能夠使用電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「～部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於擊發資料生成部50、測定部52、測定部53、畸變量演算部54、判定部56、抽出部58、設定部60、設定部62、測定部64、抽出部66、設定部68、及描繪控制部70必要的輸入資料或演算出的結果會隨時被記憶於記憶體112。 　　定義著複數個圖形圖樣的描繪資料係從描繪裝置100的外部輸入，被存儲於記憶裝置140。 　　此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必須之構成。對描繪裝置100而言，通常也可具備必要的其他構造。 　　圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。圖2中，在成形孔徑陣列基板203，有縱(y方向)p列×橫(x方向)q列(p，q≧2)的孔(開口部)22以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。圖2中，例如於縱橫(x，y方向)形成512×512列的孔22。各孔22均形成為相同尺寸形狀的矩形。或者是相同直徑的圓形亦可。電子束200的一部分各自通過該些複數個孔22，藉此會形成多射束20。在此，雖然揭示了於縱橫(x，y方向)均配置了2列以上的孔22之例子，但並不限於此。例如，亦可為在縱橫(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。此外，孔22的排列方式，亦不限於如圖2般配置成縱橫為格子狀之情形。例如，縱方向(y方向)第k段的列及第k+1段的列的孔，彼此亦可於橫方向(x方向)錯開尺寸a而配置。同樣地，縱方向(y方向)第k+1段的列及第k+2段的列的孔，彼此亦可於橫方向(x方向)錯開尺寸b而配置。 　　圖3為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。 　　圖4為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。另，在圖3及圖4，沒有記載成令控制電極24與相向電極26與墊(pad)43的位置關係一致。遮沒孔徑陣列機構204，如圖3所示，是在支撐台33上配置由矽等所構成之半導體基板31。基板31的中央部，例如從背面側被切削成較薄，而被加工成較薄的膜厚h之薄膜區域330(第1區域)。圍繞薄膜區域330之周圍，成為較厚的膜厚H之外周區域332(第2區域)。薄膜區域330的上面與外周區域332的上面，是形成為同一高度位置或實質上同一高度位置。基板31，是藉由外周區域332的背面而被保持於支撐台33上。支撐台33的中央部係開口，薄膜區域330的位置，位於支撐台33的開口之區域。 　　在薄膜區域330，於和圖2所示之成形孔徑陣列基板203的各孔22相對應之位置，有供多射束的各個射束通過用之通過孔25(第2開口部)開口。換言之，在基板31的薄膜區域330，供使用了電子線的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔25係以陣列狀形成。又，在基板31的薄膜區域330上，且以夾著複數個通過孔25當中相對應的通過孔25而相向之方式在基板31上各自配置有複數個電極群。具體而言，在薄膜區域330上，如圖3及圖4所示，於各通過孔25的鄰近位置，夾著該通過孔25而各自配置有遮沒偏向用之控制電極24及相向電極26的組合(遮沒器：遮沒偏向器)。此外，在基板31內部且薄膜區域330上的各通過孔25的鄰近，配置有對各通過孔25用的控制電極24施加偏向電壓之控制電路41(邏輯電路)。各射束用的相向電極26被接地連接。 　　此外，如圖4所示，各控制電路41，連接至控制訊號用之n位元(例如10位元)的並列配線。各控制電路41，除了控制訊號用之n位元的並列配線以外，還連接至時鐘訊號線及電源用的配線等。時鐘訊號線及電源用的配線等亦可流用並列配線的一部分配線。對於構成多射束之各個射束的每一者，構成由控制電極24及相向電極26及控制電路41所組成之個別遮沒機構47。此外，圖3例子中，控制電極24及相向電極26及控制電路41是配置於基板31的膜厚較薄之薄膜區域330。但，並不限於此。此外，在薄膜區域330以陣列狀形成之複數個控制電路41，例如藉由同一行或同一列而被群組化，群組內的控制電路41群，如圖4所示般被串聯連接。又，來自對每一群組配置的墊43之訊號會被傳遞至群組內的控制電路41。具體而言，在各控制電路41內，配置有未圖示之移位暫存器，例如p×q道的多射束當中例如同一行的射束的控制電路內的移位暫存器係被串聯連接。又，例如p×q道的多射束的同一行的射束的控制訊號是以序列(series)被發送，例如各射束的控制訊號係藉由p次的時鐘訊號而被存儲於相對應之控制電路41。 　　在控制電路41內，配置有未圖示之放大器(切換電路之一例)。作為放大器之一例，配置CMOS(Complementary MOS)反相器(inverter)電路。又，CMOS反相器電路連接至正的電位(Vdd：遮沒電位：第1電位)(例如5V)(第1電位)與接地電位(GND：第2電位)。CMOS反相器電路的輸出線(OUT)連接至控制電極24。另一方面，相向電極26被施加接地電位。 　　在CMOS反相器電路的輸入(IN)，被施加比閾值電壓還低之L(low)電位(例如接地電位)、及閾值電壓以上之H(high)電位(例如1.5V)的其中一者，以作為控制訊號。實施形態1中，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加H電位之狀態(有效(active)狀態)下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為正電位(Vdd)，而藉由與相向電極26的接地電位之電位差所造成的電場將相對應射束20偏向，並以限制孔徑基板206遮蔽，藉此控制成射束OFF。另一方面，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加L電位之狀態下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為接地電位，與相向電極26的接地電位之電位差會消失而不會將相對應射束20偏向，故會通過限制孔徑基板206，藉此控制成射束ON。 　　通過各通過孔的電子束20，會各自獨立地藉由施加於成對之2個控制電極24及相向電極26的電壓而被偏向。藉由該偏向而受到遮沒控制。具體而言，控制電極24及相向電極26之組合，係以藉由作為各自相對應的切換電路之CMOS反相器電路而被切換之電位，將多射束的相對應射束各自個別地遮沒偏向。像這樣，遮沒孔徑陣列機構204，會使用複數個電極群，將通過了成形孔徑陣列基板203的複數個孔22(開口部)之多射束的各射束各自個別地予以遮沒偏向。 　　圖5為實施形態1中的描繪動作的一例說明用概念圖。如圖5所示，試料101的描繪區域30，例如朝向y方向以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域32。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束20擊發所能夠照射之照射區域34位於第1個條紋區域32的左端或更左側之位置，開始描繪。在描繪第1個條紋區域32時，例如使XY平台105朝－x方向移動，藉此便相對地朝x方向逐漸進行描繪。令XY平台105例如以等速連續移動。第1個條紋區域32的描繪結束後，使平台位置朝-y方向移動，調整以使得照射區域34相對地於y方向位於第2個條紋區域32的右端或更右側之位置，這次使XY平台105例如朝x方向移動，藉此朝向-x方向以同樣方式進行描繪。在第3個條紋區域32朝x方向描繪，在第4個條紋區域32朝－x方向描繪，像這樣一面交互地改變方向一面描繪，藉此能夠縮短描繪時間。但，並不限於該一面交互改變方向一面描繪之情形，在描繪各條紋區域32時，亦可設計成朝向同方向進行描繪。1次的擊發(後述之照射步級的合計)當中，藉由因通過成形孔徑陣列基板203的各孔22而形成之多射束，最大會一口氣形成與各孔22相同數量之複數個擊發圖樣。 　　圖6為實施形態1中的多射束的照射區域與描繪對象像素之一例示意圖。圖6中，條紋區域32例如以多射束的射束尺寸而被分割成網目狀的複數個網目區域。該各網目區域係成為描繪對象像素36(單位照射區域、或描繪位置)。描繪對象像素36的尺寸，並不限定於射束尺寸，亦可為和射束尺寸無關而由任意大小所構成者。例如，亦可由射束尺寸的1/n(n為1以上的整數)的尺寸來構成。圖6例子中揭示，試料101的描繪區域，例如於y方向以和多射束20一次的照射所能照射之照射區域34(描繪照野)的尺寸實質相同之寬度尺寸被分割成複數個條紋區域32之情形。另，條紋區域32的寬度不限於此。較佳為照射區域34的n倍(n為1以上之整數)之尺寸。圖6例子中，揭示8×8列的多射束之情形。又，在照射區域34內，揭示一次的多射束20擊發所能夠照射之複數個像素28(射束的描繪位置)。換言之，相鄰像素28間的間距即為多射束的各射束間之間距。圖6例子中，藉由被相鄰4個像素28所包圍，且包括4個像素28當中的1個像素28之正方形區域，來構成1個格子29。圖6例子中，揭示各格子29由4×4像素所構成之情形。 　　圖7為實施形態1中的多射束的描繪方法之一例說明用圖。圖7例子中，揭示描繪圖6所示條紋區域32的多射束當中，由y方向第3段的座標(1，3)，(2，3)，(3，3)，…，(512，3)的各射束所描繪之格子的一部分。圖7例子中，例如揭示XY平台105在移動8射束間距份的距離之期間描繪(曝光)4個像素之情形。在描繪(曝光)該4個像素的期間，藉由偏向器208將多射束20全體予以一齊偏向，藉此使照射區域34追隨XY平台105之移動，以免照射區域34因XY平台105之移動而與試料101之相對位置偏離。換言之，係進行追蹤(tracking)控制。圖7例子中，揭示在移動8射束間距份的距離之期間描繪(曝光)4個像素，藉此實施1次的追蹤循環之情形。 　　具體而言，平台位置測定器139，將雷射照射至鏡210，並從鏡210接受反射光，藉此對XY平台105的位置測長。測長出的XY平台105的位置，會被輸出至控制計算機110。在控制計算機110內，描繪控制部70將該XY平台105的位置資訊輸出至偏向控制電路130。在偏向控制電路130內，配合XY平台105的移動，演算用來做射束偏向之偏向量資料(追蹤偏向資料)以便追隨XY平台105的移動。身為數位訊號之追蹤偏向資料，藉由未圖示之DAC放大器將數位訊號變換成類比訊號後予以放大，並施加至偏向器208以作為追蹤偏向電壓。 　　然後，描繪機構150，在該擊發中的多射束的各射束各自的照射時間當中的最大描繪時間Ttr內的和各個像素36相對應之描繪時間(照射時間、或曝光時間)，對各像素36照射多射束20當中和ON射束的各者相對應之射束。 　　圖7例子中，藉由座標(1，3)的射束(1)，從時刻t＝0至t＝最大描繪時間Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如最下段右邊第1個像素，進行第1擊發之射束的照射。從時刻t＝0至t＝Ttr為止之期間，XY平台105例如朝-x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。 　　從該擊發的射束照射開始起算經過該擊發的最大描繪時間Ttr後，藉由偏向器208一面持續用於追蹤控制之射束偏向，一面在用於追蹤控制之射束偏向之外，另藉由偏向器208將多射束20一齊偏向，藉此將各射束的描繪位置(前次的描繪位置)移位至下一各射束的描繪位置(本次的描繪位置)。圖7例子中，在成為時刻t＝Ttr的時間點，將描繪對象像素從矚目格子29的最下段右邊數來第1個像素移位至下面數來第2段且右邊數來第1個像素。在此期間，XY平台105亦定速移動，故追蹤動作持續。 　　然後，一面持續追蹤控制，一面對已被移位之各射束的描繪位置，以和該擊發的最大描繪時間Ttr內的各自相對應之描繪時間，照射和多射束20當中ON射束的各者相對應之射束。圖7例子中，藉由座標(1，3)的射束(1)，從時刻t＝Ttr至t＝2Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如下面數來第2段且右邊數來第1個像素，進行第2擊發之射束的照射。從時刻t＝Ttr至t＝2Ttr為止之期間，XY平台105例如朝－x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。 　　圖7例子中，在成為時刻t＝2Ttr的時間點，藉由偏向器208所做的多射束之一齊偏向，將描繪對象像素從矚目格子29的下面數來第2段且右邊數來第1個像素移位至下面數來第3段且右邊數來第1個像素。在此期間，XY平台105亦移動，故追蹤動作持續。然後，藉由座標(1，3)的射束(1)，從時刻t＝2Ttr至t＝3Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如下面數來第3段且右邊數來第1個像素，進行第3擊發之射束的照射。從時刻t＝2Ttr至t＝3Ttr為止之期間，XY平台105例如朝-x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。在成為時刻t＝3Ttr的時間點，藉由偏向器208所做的多射束之一齊偏向，將描繪對象像素從矚目格子29的下面數來第3段且右邊數來第1個像素移位至下面數來第4段且右邊數來第1個像素。在此期間，XY平台105亦移動，故追蹤動作持續。然後，藉由座標(1，3)的射束(1)，從時刻t＝3Ttr至t＝4Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如下面數來第4段且右邊數來第1個像素，進行第4擊發之射束的照射。從時刻t＝3Ttr至t＝4Ttr為止之期間，XY平台105例如朝-x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。藉由上述，便結束矚目格子29的右邊數來第1個像素列之描繪。 　　圖7例子中，對從初始位置被移位了3次後之各射束的描繪位置照射了各個相對應之射束後，將追蹤控制用的射束偏向予以重置，藉此將追蹤位置返回開始做追蹤控制時之追蹤開始位置。換言之，使追蹤位置朝和平台移動方向相反之方向返回。圖7例子中，在成為時刻t＝4Ttr的時間點，解除矚目格子29的追蹤，將射束擺回至朝x方向挪移了8射束間距份之矚目格子。另，圖7例子中，雖說明了座標(1，3)的射束(1)，但針對其他座標的射束，亦是對各個相對應之格子同樣地進行描繪。也就是說，座標(n，m)的射束，在t＝4Ttr的時間點，對於相對應之格子結束從右邊數來第1個像素列之描繪。例如，座標(2，3)的射束(2)，對和圖7的射束(1)用的矚目格子29於-x方向相鄰之格子，結束從右邊數來第1個像素列之描繪。 　　另，由於各格子的從右邊數來第1個像素列之描繪已結束，故追蹤重置後，於下次的追蹤循環中，首先偏向器208會將各個相對應的射束的描繪位置予以偏向以便對位(移位)至各格子的下面數來第1段且右邊數來第2個像素。 　　如上述般，同一追蹤循環中，於藉由偏向器208將照射區域34控制在對試料101而言相對位置成為同一位置之狀態下，藉由偏向器208一面使其每次移位1像素一面進行各擊發。然後，追蹤循環結束1循環後，返回照射區域34的追蹤位置，再如圖5的下段所示，例如將第1次的擊發位置對位至挪移了1像素之位置，一面進行下一次的追蹤控制一面藉由偏向器208使每次移位1像素一面進行各擊發。條紋區域32的描繪中，藉由重複該動作，照射區域34的位置以照射區域34a～34o這樣的方式依序逐一移動，逐一進行該條紋區域之描繪。 　　另，上述例子中，雖揭示了以偏向器208來進行追蹤偏向與移位偏向雙方之情形，但並不限於此。以複數個偏向器，例如2個偏向器來分開控制追蹤偏向與移位偏向亦合適。接著說明描繪機構150的具體動作。 　　從電子槍201(放出源)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202被折射而對成形孔徑陣列基板203全體做照明。在成形孔徑陣列基板203，形成有矩形的複數個孔22(第1開口部)，電子束200係對包含所有複數個孔22之區域做照明。照射至複數個孔22的位置之電子束200的各一部分，會分別通過該成形孔徑陣列基板203的複數個孔22，藉此形成例如矩形形狀的複數個電子束(多射束)20a～e。像這樣，成形孔徑陣列基板203，會形成多射束20。該多射束20a～e，通過遮沒孔徑陣列機構204的各個相對應之遮沒器(控制電極24與相向電極26之組合)(第1偏向器：個別遮沒機構47)內。該遮沒器，各自將至少個別通過之電子束20做遮沒控制，以使射束於設定好的描繪時間(照射時間)成為ON狀態。 　　通過了遮沒孔徑陣列機構204的多射束20a～e，藉由照明透鏡202所致之折射，而朝向形成於限制孔徑基板206之中心的孔行進。然後，多射束20a～e，在限制孔徑基板206的中心的孔(第3開口部)的高度位置會形成交叉點(C.O.)。此處，藉由遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器而被偏向了的電子束20(圖1虛線所示射束20a)，其位置會偏離限制孔徑基板206(遮沒孔徑構件)中心的孔，而被限制孔徑基板206遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器偏向的電子束20，會如圖1所示般通過限制孔徑基板206的中心的孔。像這樣，限制孔徑基板206，是將藉由個別遮沒機構47而偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽。然後，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑基板206的射束，形成1次份的擊發的各射束。通過了限制孔徑基板206的多射束20的各射束，藉由因透鏡控制電路132而各自被激磁之對物透鏡群212，成為成形孔徑陣列基板203的孔22的期望縮小倍率之孔徑像，在試料101上合焦。然後，藉由偏向器208，通過了限制孔徑基板206的各射束(多射束20全體)朝同方向被一齊偏向，照射至各射束於試料101上各自之照射位置。一次所照射之多射束20，理想上會成為以成形孔徑陣列基板203的複數個孔22的排列間距乘上上述期望之縮小率而得之間距而並排。 　　此處，描繪裝置100中，如圖1所示，被成形的多射束20會藉由照明透鏡202而暫且匯聚，形成交叉點(C.O.1)。然後，將於交叉點(C.O.1)後擴散了的多射束20藉由對物透鏡群212再度匯聚，形成了交叉點(C.O.2)後，成為期望的縮小倍率的像而往試料101面上成像。實施形態1中，在交叉點(C.O.1)位置，配置限制多餘的電子通過之限制孔徑基板206。若藉由對物透鏡群212將多射束20實際地成像在試料101面上，則可能有因對物透鏡群212的製造誤差等的影響，導致在多射束20的像的焦點位置匯合於試料101面上之狀態下，多射束20的交叉點(C.O.1)位置會偏離設計位置之情形。在該情形下，若藉由上游側的照明透鏡202來將交叉點(C.O.1)位置匹配至設計位置，則成像在試料101面上的像的畸變會變大。特別是，多射束描繪中，相較於單射束描繪而言形成於試料101面上之像的尺寸大得多，故若畸變變大，則相較於單射束描繪的情形會更大幅受其影響。 　　另一方面，若交叉點(C.O.1)位置偏離設計位置，則在配置於設計位置之限制孔徑基板206面上的多射束20全體的射束尺寸會變大。因此，若依此，多射束20的一部分會無法通過限制孔徑基板206的開口部，導致發生射束損失。反之，若增大限制孔徑基板206的開口部的開口徑，則雖能避免射束損失，但會導致原本應限制通過的多餘的電子也通過。因該多餘的電子(洩漏射束)，會發生導致成像在試料101面上的像的對比度降低。又，當以限制孔徑基板206進行遮沒控制的情形下，若不將個別遮沒機構47所造成的遮沒偏向量增大則無法設為射束OFF，會導致遮沒控制變得困難。鑑此，實施形態1中，是事後再將限制孔徑基板206的位置匹配至實際上藉由對物透鏡群212而多射束20的像的焦點位置匯合於試料101面上之狀態下的交叉點(C.O.1)位置。以下具體說明之。 　　圖8為實施形態1中的多射束光學系統的調整方法的主要工程示意流程圖。圖8中，實施形態1中的多射束光學系統的調整方法，係實施照明透鏡的初始設定工程(S102)、焦點對合工程(S104)、孔徑粗調整工程(S106)、射束位置測定工程(S108)、畸變量演算工程(S110)、判定工程(S112)、照明透鏡值變更工程(S114)、最小畸變的透鏡值選擇工程(S116)、照明透鏡設定工程(S118)、孔徑高度設定工程(S120)、多射束徑測定工程(S122)、最小射束徑孔徑高度選擇工程(S124)、孔徑設置(調整)工程(S126)這一連串工程。孔徑高度設定工程(S120)、多射束徑測定工程(S122)、以及最小射束徑孔徑高度選擇工程(S124)，構成交叉點位置測定工程(S119)。 　　作為照明透鏡的初始設定工程(S102)，透鏡控制電路131，設定將電子束200照明至成形孔徑陣列基板203之照明透鏡202的設定值。此處，首先，設定將照明透鏡202激磁之作為設計上的透鏡值之初始值。 　　作為焦點對合工程(S104)，透鏡控制電路132，使用2段的對物透鏡215，216，將多射束20的焦點對合於試料面101上。實施形態1中，藉由2段的對物透鏡215，216，進行多射束20的縮小及成像。實施形態1中，藉由使用複數段的對物透鏡215，216來構成高倍率的縮小光學系統。例如，將總縮小倍率設定為200～300倍。對物透鏡215相當於負責多射束的縮小之上游側的電磁透鏡。而，最終段的對物透鏡216相當於負責多射束的縮小之下游側的電磁透鏡。 　　圖9A及圖9B為實施形態1中的多射束的外徑軌道之一例與多射束的中心射束的孔徑像的成像軌道之一例示意圖。圖9A中，縱軸表示從成像軌道的光軸起算之水平方向(例如x方向)的位置(a.u)。橫軸表示從試料面101起算之高度方向(z方向)的位置(a.u)。橫軸的左端表示成形孔徑陣列基板203背面的高度位置，右端表示試料101上面的高度位置。圖9A中，揭示了多射束20的外徑軌道(A)(軸外軌道)、及多射束的中心射束的孔徑像的成像軌道(B)(軸上軌道)。圖9B揭示了多射束20的外徑軌道A(軸外軌道)的擴大圖。如圖9A所示，多射束的中心射束的孔徑像的成像軌道B(軸上軌道)，從成形孔徑陣列基板203背面(物面)擴散，藉由對物透鏡215成像後，將擴散了的軌道藉由對物透鏡216成像至試料101面上。此時，多射束20的外徑軌道A(軸外軌道)，如圖9A及圖9B所示，從成形孔徑陣列基板203的上游側藉由照明透鏡202朝光軸側被折射而匯聚，形成了交叉點(C.O.1)後，藉由對物透鏡215，216朝光軸側被折射而匯聚，形成交叉點(C.O.2)，往試料101面到達。 　　圖10為實施形態1中的交叉點位置與畸變量之關係一例示意圖。圖10中，橫軸表示交叉點(C.O.1)高度位置，縱軸右側表示和交叉點(C.O.1)高度位置相對應之畸變量，縱軸左側表示和交叉點(C.O.1)高度位置相對應之交叉點(C.O.2)高度位置。橫軸表示愈朝右側前進則愈趨近試料面之情形。縱軸左側表示愈朝上方前進則愈趨近試料面之情形。縱軸右側表示愈朝上方前進則畸變量愈變大之情形。如圖10所示，可知形成於試料面上之多射束20的像的畸變量(C)，在交叉點(C.O.1)高度位置的最佳高度位置顯現最小值，在最佳高度位置的前後會變大。此外，可知交叉點(C.O.2)高度位置(D)，若交叉點(C.O.1)高度位置愈趨近試料面，則會愈趨近試料面。為了將畸變量抑制在容許值內，交叉點(C.O.1)高度位置的範圍也會被限制。故，當交叉點(C.O.1)高度的設計值偏離圖10所示容許範圍的情形下，若將交叉點(C.O.1)高度位置匹配至設計值則會導致畸變量偏離容許範圍。故，可知理想並非將交叉點(C.O.1)高度位置匹配至設計值，而是反過來因應交叉點(C.O.1)高度位置來調整限制孔徑基板206的高度位置。 　　作為孔徑粗調整工程(S106)，孔徑控制電路136，驅動高度位置調整機構214，將限制孔徑基板206的高度位置做粗調整。具體而言，是粗調整至多射束20的全射束會通過限制孔徑基板206的開口部之高度位置。多射束20的全射束會不會通過限制孔徑基板206的開口部，可依下述方式判斷。具體而言，透鏡控制電路132，將校準線圈211激磁，將多射束20偏向，在限制孔徑基板206上掃描。然後，檢測器213，檢測因多射束20照射至限制孔徑基板206而放出之，包含反射電子在內之2次電子。藉由檢測器213檢測出的資料，被輸出至放大器134，從類比資料被變換成數位資料後被放大而被輸出至控制計算機110。由得到的訊號的二維分布，得到將孔徑開口用作為孔標記而測定出之多射束20的像。解析力，是由孔徑開口尺寸決定。在控制計算機110內，測定部52接收該2次電子的檢測資料，測定多射束20的像。此處，只要判斷測定出的多射束20的像的尺寸是否比限制孔徑基板206的開口部的尺寸還小即可。此處在孔徑基板206位置，多射束20的像理想上會成為一個圓狀，但也可能成為分離的各個射束像的集合體。當各個射束像分離的情形下，將涵括最外周的圓的大小訂為多射束20的像的尺寸即可。然後，孔徑控制電路136，驅動高度位置調整機構214，將限制孔徑基板206的高度位置予以粗調整至多射束20的像的尺寸會變得比限制孔徑基板206的開口部的尺寸還小之限制孔徑基板206的高度位置。或是，亦可不使用校準線圈211，而檢測器213檢測因多射束20照射至限制孔徑基板206而放出之，包含反射電子在內之2次電子。然後，孔徑控制電路136，驅動高度位置調整機構214，將限制孔徑基板206的高度位置予以粗調整至不會檢測2次電子之限制孔徑基板206的高度位置。針對高度位置調整機構214的構成後述之。 　　作為射束位置測定工程(S108)，個別射束位置檢測機構218，於多射束20的全射束通過限制孔徑基板206的開口部之狀態下，測定多射束20的各射束的位置。 　　圖11A及圖11B為實施形態1中的檢測個別射束位置之手法說明用圖。如圖11A所示，在成形孔徑陣列基板203，係有用來形成多射束20之複數個孔22於x，y方向以規定的間距(Px，Py)形成。然後，藉由對物透鏡群212被縮小成期望的縮小倍率，於試料101面上，各射束會於x，y方向以間距(Px’，Py’)形成。鑑此，如圖11B所示，藉由將形成於通過標記基板220之孔的尺寸f1做成比各射束的間距Px’(及Py’)還小，能夠遮蔽和測定對象的射束201鄰接之射束20j而避免其通過，而能使射束1道1道地通過。更理想是，可訂為將射束的緣邊部分的模糊(blur)尺寸進一步扣除而成之尺寸。然後，藉由塊體222調整，使得通過標記基板220的上面的高度位置和試料101上面成為同一高度位置。位於形成於通過標記基板220之孔的下側之塊體222的區域形成為空洞，通過了通過標記基板220的孔之測定對象的射束20i，入射至電流檢測器224。然後，電流檢測器224，測定入射的射束201的電流值。藉由電流檢測器224檢測出的資料，被輸出至放大器137，從類比資料變換成數位資料後被放大而被輸出至控制計算機110。在控制計算機110內會被輸出至測定部53。以多射束20掃描該通過標記基板220上。多射束20的掃描，能夠藉由以偏向器208將多射束20一齊偏向來進行。如此一來，測定部53，便沿著各射束位置接收檢測出的電流值資料。然後，能夠將電流值資料的強度的峰值位置檢測成為該射束的位置。 　　作為畸變量演算工程(S110)，畸變量演算部54，於多射束20的全射束通過形成於限制孔徑基板206之開口部的狀態下，測定多射束20的畸變。具體而言，畸變量演算部54，輸入各射束位置，由藉由得到的各射束的照射位置而形成之像的形狀來演算x，y方向的畸變量。演算出的畸變量被存儲於記憶裝置142。個別射束位置檢測機構218與畸變量演算部54，為畸變測定機構的一例。 　　作為判定工程(S112)，判定部56，判定是否已設定過將照明透鏡202激磁之事先設定好的範圍內的複數個設定值(透鏡值)的全部。設定值(透鏡值)的振幅(範圍)可事先設定經驗上判斷為必要之幅度。例如，以將照明透鏡202激磁之設計上的透鏡值為中心，以其前後規定的幅度來設定。當尚未設定過複數個設定值(透鏡值)的全部的情形下，進入照明透鏡值變更工程(S114)。當已設定過複數個設定值(透鏡值)的全部的情形下，進入最小畸變的透鏡值選擇工程(S116)。 　　作為照明透鏡值變更工程(S114)，透鏡控制電路131，設定將電子束200照明至成形孔徑陣列基板203之照明透鏡202的設定值。此處，係變更成將照明透鏡202激磁之事先設定好的範圍內的複數個設定值(透鏡值)當中尚未設定過之值。如此一來，多射束20的交叉點(C.O.1)高度位置會被變更。 　　然後，回到孔徑粗調整工程(S106)，反覆孔徑粗調整工程(S106)至照明透鏡值變更工程(S114)為止的各工程，直到判定工程(S112)中判定已設定過複數個設定值(透鏡值)的全部為止。 　　像以上這樣，多射束20的交叉點(C.O.1)高度位置，是藉由照明透鏡202的設定值而被可變地調整。然後，一面將多射束20的交叉點(C.O.1)高度位置設為可變一面測定多射束20的畸變。 　　作為最小畸變的透鏡值抽出工程(S116)，抽出部58，從和得到的照明透鏡202的各設定值相對應之多射束20的畸變量當中，抽出(選擇)多射束20的畸變會變得更小之照明透鏡202的設定值(透鏡值)。 　　作為照明透鏡設定工程(S118)，設定部60，對透鏡控制電路131輸出控制訊號，以便設定被抽出的設定值(透鏡值)。透鏡控制電路131，設定從設定部60被輸出的設定值(透鏡值)，以作為照明透鏡202的設定值。 　　作為交叉點高度位置測定工程(S119)，測定多射束20的畸變會變得更小之多射束20的交叉點(C.O.1)高度位置。具體而言係如下述般動作。 　　作為孔徑高度設定工程(S120)，設定部62，將藉由設定好的照明透鏡202的透鏡值做粗調整時之孔徑高度，輸出至孔徑控制電路136。然後，孔徑控制電路136，驅動高度位置調整機構214，設定限制孔徑基板206的高度位置。首先，設為孔徑粗調整工程(S106)中藉由該照明透鏡202的透鏡值做粗調整時之孔徑高度，藉此便能姑且將限制孔徑基板206設置成多射束20全體會通過限制孔徑基板206的開口部之高度位置。 　　圖12為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之一例示意構成圖。圖12中，在高度位置調整機構214，藉由驅動筒230支撐限制孔徑基板206的外徑邊端。又，藉由支撐板232從外側支撐驅動筒230。支撐板232，是在形成有可供驅動筒230於光軸方向移動之尺寸的開口部之支撐台238上，夾著壓電元件234受到支撐。此外，支撐板232與支撐台238之間透過彈簧236而連接，藉由彈簧236的彈力，支撐板232與支撐台238之間的尺寸被限制成壓電元件234的尺寸。孔徑控制電路136，對壓電元件234施加控制電壓，因應壓電元件234的伸縮而驅動驅動筒230，控制限制孔徑基板206的高度位置。圖12例子中，高度位置調整機構214，令限制孔徑基板206於高度方向上下移動，藉此將限制孔徑基板206的高度位置可變地調整。多射束20，通過在限制孔徑基板206的中央部開口之開口部152。此外，限制孔徑基板206，限制多射束20當中脫離軌道之射束通過。 　　作為多射束徑測定工程(S122)，測定部64，測定多射束20的射束徑。具體而言，透鏡控制電路132，將校準線圈211激磁，將多射束20偏向，在限制孔徑基板206上掃描。然後，檢測器213，檢測因多射束20照射至限制孔徑基板206而放出之，包含反射電子在內之2次電子。藉由檢測器213檢測出的資料，被輸出至放大器134，從類比資料被變換成數位資料後被放大而被輸出至控制計算機110。在控制計算機110內，測定部64接收該2次電子的檢測資料，測定多射束20的像的射束尺寸。 　　然後，一面一點一點地變更限制孔徑基板206的高度位置，一面反覆該孔徑高度設定工程(S120)及多射束徑測定工程(S122)。如此一來，便測定當將限制孔徑基板206的高度位置予以一點一點地可變地變更時之各高度位置下的多射束20的射束徑。測定出的多射束20的射束徑的資訊被存儲於記憶裝置142。 　　作為最小射束徑孔徑高度選擇工程(S124)，抽出部66，從測定出的各高度位置下的多射束20的射束徑當中抽出會成為最小射束徑之限制孔徑基板206的高度位置。成為最小射束徑之限制孔徑基板206的高度位置，便成為多射束20的交叉點(C.O.1)高度位置。像以上這樣，校準線圈211、檢測器213、放大器134、測定部64、及抽出部66等，係構成測定多射束20的交叉點(C.O.1)高度位置之測定機構。 　　作為孔徑設置(調整)工程(S126)，設定部68，將被抽出的限制孔徑基板206的高度位置輸出至孔徑控制電路136。然後，孔徑控制電路136，驅動高度位置調整機構214，將限制孔徑基板206的高度位置設定至成為最小射束徑之位置。換言之，高度位置調整機構214，將限制多射束20當中脫離軌道的射束通過之限制孔徑基板206的高度位置，調整至交叉點高度位置。 　　圖13A至圖13D為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。如圖13A所示，高度位置調整機構214，具有驅動板242，248及輥子244a，244b的組合及輥子246a，246b的組合。圖13A例子中，是使用將高度位置相異的複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d予以橫向接續而成之機構。在複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d的兩側，連接著驅動板242，248。又，驅動板242被夾在輥子244a，244b的組合之間，藉此受到支撐。此外，驅動板248被夾在輥子246a，246b的組合之間，藉此受到支撐。又，藉由令輥子244a，244b的組合與輥子246a，246b的組合之其中一方相互朝反方向旋轉驅動，便能令驅動板242，248朝x方向(或y方向)移動。高度位置相異的複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d於橫向被接續，故如圖13A至圖13D所示，藉由令驅動板242，248朝x方向(或y方向)移動，能夠將複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d當中具有任意高度的1者配置在供多射束20通過之光軸上。換言之，高度位置調整機構214，令限制孔徑基板朝和多射束20的光軸正交之方向滑移，藉此將限制孔徑基板的高度位置可變地調整。 　　圖14為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。圖14所示高度位置調整機構214的例子，為圖13A至圖13D的例子之變形例。當將複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d橫向接續而成之機構的x方向(或y方向)的空間狹窄的情形下，亦可將驅動板251，253及輥子254a，254b的組合及輥子256a，256b的組合的配置高度錯開。圖14例子中，揭示了將驅動板251，253及輥子254a，254b的組合及輥子256a，256b的組合的配置高度，從將複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d橫向接續而成之機構往上方錯開之情形。在複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d的兩側，連接著輔助板252，258。又，驅動板251與輔助板252之間，藉由支撐棒255而連接。驅動板253與輔助板258之間，藉由支撐棒257而連接。又，驅動板251被夾在輥子254a，254b的組合之間，藉此受到支撐。此外，驅動板253被夾在輥子256a，256b的組合之間，藉此受到支撐。又，藉由令輥子254a，254b的組合與輥子256a，256b的組合之其中一方相互朝反方向旋轉驅動，便能令驅動板251，253朝x方向(或y方向)移動。高度位置相異的複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d於橫向被接續，故如圖14所示，藉由令驅動板251，253朝x方向(或y方向)移動，能夠將複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d當中具有任意高度的1者配置在供多射束20通過之光軸上。 　　圖15為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。圖15所示高度位置調整機構214的例子，為圖12的例子之變形例。圖15例子中，是藉由輥子235a，235b的組合來夾住驅動筒230，以取代支撐板232及壓電元件234及彈簧236。又，藉由令輥子235a，235b的組合相互朝反方向旋轉，來將驅動筒230朝z方向(高度方向)驅動，將限制孔徑基板206的高度位置控制成任意高度。 　　上述例子中，揭示了僅限調整限制孔徑基板206的高度位置之情形，但並不限於此。 　　圖16為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。圖16所示高度位置調整機構214的例子，是在上述圖12或圖15的構成，更配置水平驅動機構。圖16所示高度位置調整機構214的例子中，於x方向藉由活塞262及輔助棒268夾住支撐台238。輔助棒268，藉由彈簧264和框體(例如電子鏡筒102內壁)連接。同樣地，於y方向藉由活塞263及輔助棒269夾住支撐台238。輔助棒269，藉由彈簧265和框體(例如電子鏡筒102內壁)連接。又，藉由未圖示之步進馬達等將活塞262朝x方向驅動，將支撐台238朝x方向推，藉此便能令限制孔徑基板206的開口部152的x方向位置移動。同樣地，若將活塞262朝－x方向驅動，彈簧264將支撐台238朝－x方向推，藉此便能令限制孔徑基板206的開口部152的－x方向位置移動。同樣地，藉由未圖示之步進馬達等將活塞263朝y方向驅動，將支撐台238朝y方向推，藉此便能令限制孔徑基板206的開口部152的y方向位置移動。同樣地，若將活塞263朝－y方向驅動，彈簧265將支撐台238朝－y方向推，藉此便能令限制孔徑基板206的開口部152的－y方向位置移動。此外，藉由彈簧264的彈力，輔助棒268會將支撐台238朝－x方向回推，故藉由活塞262及輔助棒268經常地拘束支撐台238的x方向之移動。故，藉由活塞262的驅動位置，能夠高精度地控制限制孔徑基板206的開口部152的x方向位置。同樣地，藉由彈簧265的彈力，輔助棒269會將支撐台238朝－y方向回推，故藉由活塞263及輔助棒269經常地拘束支撐台238的y方向之移動。故，藉由活塞263的驅動位置，能夠高精度地控制限制孔徑基板206的開口部152的y方向位置。 　　圖17為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。圖17所示高度位置調整機構214的例子，為上述圖13A至圖13D的例子之變形例。圖17例子，更配置水平驅動機構。圖17中，揭示從上方觀看時之構成。如同圖13A至圖13D的例子般，是使用將高度位置相異的複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d予以橫向接續而成之機構。將該複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d於橫向接續之狀態下，配置於驅動板272上。在驅動板272，當然會配置複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d的各開口部152a，152b，152c，152d的位置而形成有比各開口部152a，152b，152c，152d還更大開口之貫通孔。又，驅動板272的左端側，被夾在輥子271a，271b的組合之間，藉此受到支撐。驅動板272的右端側，被夾在輥子273a，273b的組合之間，藉此受到支撐。又，藉由令輥子271a，271b的組合與輥子273a，273b的組合之其中一方相互朝反方向旋轉驅動，便能令驅動板272朝x方向移動。高度位置相異的複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d於橫向(x方向)被接續，故能夠將複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d當中具有任意高度的1者配置在供多射束20通過之光軸上。又，於y方向藉由活塞274及輔助棒277夾住驅動板272。輔助棒277，藉由彈簧276和框體(例如電子鏡筒102內壁)連接。又，藉由未圖示之步進馬達等將活塞274朝y方向驅動，將驅動板272朝y方向推，藉此便能令限制孔徑基板206的開口部152的y方向位置移動。 　　圖18為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。圖18所示高度位置調整機構214的例子，為上述圖14的例子之變形例。圖18例子中，是在高度位置相異的複數個限制孔徑基板206a，206b，206c，206d，各自形成複數個開口部152。圖18例子中，在限制孔徑基板206a形成朝x方向並排之3個開口部152a。同樣地，在限制孔徑基板206b形成朝x方向並排之3個開口部152b。同樣地，在限制孔徑基板206c形成朝x方向並排之3個開口部152c。同樣地，在限制孔徑基板206d形成朝x方向並排之3個開口部152d。藉由設置複數個同一高度的開口部152，即使因污染等的附著而開口部152的1者發生了眼孔堵塞的情形下，仍能使用同樣高度的其他的開口部152。 　　此外，藉由準備開口尺寸相異的開口部，即使交叉點尺寸相異的情形仍能設計成能夠選擇適當的孔徑。 　　在同一高度預先準備相異尺寸的開口，還能夠先利用比期望的開口尺寸還大的開口來進行了調整後，再將孔徑基板平行挪移而使用期望尺寸的開口。如此一來，於初始調整時當在孔徑基板位置的射束尺寸大的情形下能夠使測定變得容易。此外，由設想之運轉條件來預先準備設想之尺寸的開口，即使因照明條件的變更等而交叉點尺寸變化時仍能選擇最符合條件之尺寸的開口。這不限定於圖18例子。 　　圖19為在實施形態1中的高度位置調整機構配置了反射電子吸收機構的構成之一例示意構成圖。圖19中，揭示在圖15所示高度位置調整機構214的上方配置了反射電子吸收機構310之情形。但，並不限於此。配置在上述的高度位置調整機構214的其他例子的上方亦無妨。 　　反射電子吸收機構310，具有筒狀吸收體312及複數個靜子葉片314。筒狀吸收體312，例如形成為具有規定的厚度之圓形的筒狀。此外，筒狀吸收體312，在內壁兩側，具有朝向中心方向略微上側延伸之複數個靜子葉片314。圖19例子中，例如揭示2階段的靜子葉片314錯開高度位置配置之情形。各靜子葉片218，合適是被角度調整成朝向形成於限制孔徑基板206之開口部152中心。藉由該角度調整，能夠有效率地捕獲散射電子及x射線。此外，各段的靜子葉片314，可形成為於圓周方向接連而成之圓錐台狀，複數個葉片沿著圓周方向並排配置亦合適。 　　筒狀吸收體312及複數個靜子葉片314，是以原子序13號(鋁：Al)以下的原子(低Z材料)作為材料。除鋁(Al)以外，合適是使用例如碳(C)等。此外，筒狀吸收體312及複數個靜子葉片314，是使用導電性的材料以免帶電。藉由使用低Z材料，當散射電子衝撞的情形下，能夠減低從衝撞點進一步產生散射電子及x射線。此外，衝撞至筒狀吸收體312的內壁面之散亂電子，即使反射，軌道也會受到位於反射軌道上之靜子葉片314干涉，讓能量被消耗。故，能夠不易往電子鏡筒102中心區域(多射束20的通過區域)返回。像這樣，反射電子吸收機構310，藉由捕捉(trap)散射電子來吸收散射電子。藉由反射電子吸收機構310，能夠防止反射電子到達遮沒孔徑陣列機構204。另，將反射電子吸收機構310用作為反射電子電流檢測器亦合適。 　　像以上這樣，按照實施形態1，即使當因光學系統的製造誤差等而交叉點(C.O.1)高度位置偏離了設計位置的情形下，仍能將限制孔徑基板206可變地調整至多射束20的交叉點(C.O.1)高度位置。因此，能夠抑制多射束20的成像畸變同時限制多餘的電子通過。其結果，能夠做高精度的描繪(曝光)。 　　以上已一面參照具體例一面針對實施形態做了說明。但，本發明並非限定於該些具體例。 　　此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，有關控制描繪裝置100之控制部構成雖省略其記載，但當然可適當選擇使用必要之控制部構成。 　　其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有多射束光學系統的調整方法及多射束曝光裝置，均包含於本發明之範圍。 　　雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些新穎之實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
20(20a～20e)‧‧‧多射束
22‧‧‧孔(開口部)
24‧‧‧控制電極
25‧‧‧通過孔
26‧‧‧相向電極
28‧‧‧像素
29‧‧‧格子
30‧‧‧描繪區域
31‧‧‧半導體基板
32‧‧‧條紋區域
33‧‧‧支撐台
34(34a～34o)‧‧‧照射區域
36‧‧‧描繪對象像素
41‧‧‧控制電路
47‧‧‧個別遮沒機構
50‧‧‧擊發資料生成部
52‧‧‧測定部
53‧‧‧測定部
54‧‧‧畸變量演算部
56‧‧‧判定部
58‧‧‧抽出部
60‧‧‧設定部
62‧‧‧設定部
64‧‧‧設定部
66‧‧‧抽出部
68‧‧‧設定部
70‧‧‧描繪控制部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
131、132‧‧‧透鏡控制電路
134、137‧‧‧放大器
136‧‧‧孔徑控制電路
138‧‧‧平台控制機構
139‧‧‧平台位置測定器
140,142‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪機構
152(152a、152b、152c、152d)‧‧‧開口部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧成形孔徑陣列基板
204‧‧‧遮沒孔徑陣列機構
206(206a、206b、206c、206d)‧‧‧限制孔徑基板
208‧‧‧主偏向器
210‧‧‧鏡
211‧‧‧校準線圈
212‧‧‧對物透鏡群
213‧‧‧檢測器
214‧‧‧高度位置調整機構
215,216‧‧‧對物透鏡
218‧‧‧個別射束位置檢測機構
220‧‧‧通過標記基板
222‧‧‧塊體
224‧‧‧電流檢測器
230‧‧‧驅動筒
232‧‧‧支撐板
234‧‧‧壓電元件
236‧‧‧彈簧
238‧‧‧支撐台
242、248、251、253、272‧‧‧驅動板
235a、235b、244a、244b、246a、246b、254a、254b、256a、256b、271a、271b、273a、273b‧‧‧輥子
252、258‧‧‧輔助板
255、257‧‧‧支撐棒
262、263、274‧‧‧活塞
264、265、276‧‧‧彈簧
268、269、277‧‧‧輔助棒
310‧‧‧反射電子吸收機構
312‧‧‧筒狀吸收體
314‧‧‧靜子葉片
330‧‧‧薄膜區域
332‧‧‧外周區域
圖1為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。 　　圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。 　　圖3為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。 　　圖4為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。 　　圖5為實施形態1中的描繪動作的一例說明用概念圖。 　　圖6為實施形態1中的多射束的照射區域與描繪對象像素之一例示意圖。 　　圖7為實施形態1中的多射束的描繪方法之一例說明用圖。 　　圖8為實施形態1中的多射束光學系統的調整方法的主要工程示意流程圖。 　　圖9A及圖9B為實施形態1中的多射束的外徑軌道之一例與多射束的中心射束的孔徑像的成像軌道之一例示意圖。 　　圖10為實施形態1中的交叉點位置與畸變量之關係一例示意圖。 　　圖11A及圖11B為實施形態1中的檢測個別射束位置之手法說明用圖。 　　圖12為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之一例示意構成圖。 　　圖13至圖13D為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。 　　圖14為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。 　　圖15為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。 　　圖16為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。 　　圖17為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。 　　圖18為實施形態1中的高度位置調整機構的構成之另一例示意構成圖。 　　圖19為在實施形態1中的高度位置調整機構配置了反射電子吸收機構的構成之一例示意構成圖。

Claims (9)

  1. 一種多射束光學系統的調整方法，係在成形孔徑陣列基板的包含複數個開口部全體之區域，接受帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個開口部，藉此形成多射束，一面將前述多射束的交叉點高度位置設為可變一面測定前述多射束的畸變，測定前述多射束的畸變會變得更小之前述多射束的交叉點高度位置，將限制前述多射束當中脫離軌道的射束通過之限制孔徑基板的高度位置，調整至前述交叉點高度位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多射束光學系統的調整方法，其中，設定將前述帶電粒子束照明至前述成形孔徑陣列基板之照明透鏡的設定值，前述交叉點高度位置，藉由前述照明透鏡的設定值而可變地受到調整。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之多射束光學系統的調整方法，其中，於前述多射束的全射束通過形成於前述限制孔徑基板之開口部的狀態下，前述多射束的畸變受到測定。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之多射束光學系統的調整方法，其中，前述限制孔徑基板朝和前述多射束的光軸正交之方向滑移，藉此前述限制孔徑基板的高度位置可變地受到調整。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之多射束光學系統的調整方法，其中，前述限制孔徑基板於高度方向上下移動，藉此前述限制孔徑基板的高度位置可變地受到調整。
  6. 一種多射束曝光裝置，具備：放出源，放出帶電粒子束；及照明透鏡，照明前述帶電粒子束；成形孔徑陣列基板，形成有複數個開口部，在包含前述複數個開口部全體之區域受到被照明之前述帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個開口部，藉此形成多射束；及限制孔徑基板，限制前述多射束當中脫離軌道之射束通過；及高度位置調整機構，將前述限制孔徑基板的高度位置可變地調整；及畸變測定機構，測定前述多射束的畸變。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之多射束曝光裝置，其中，更具備：測定機構，測定前述多射束的交叉點高度位 置。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之多射束曝光裝置，其中，前述高度位置調整機構，令前述限制孔徑基板於高度方向上下移動，藉此將前述限制孔徑基板的高度位置可變地調整。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之多射束曝光裝置，其中，前述高度位置調整機構，令前述限制孔徑基板朝和前述多射束的光軸正交之方向滑移，藉此將前述限制孔徑基板的高度位置可變地調整。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI775448B (zh) * 2020-08-19 2022-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束檢查裝置及其調整方法
TWI791173B (zh) * 2019-11-21 2023-02-01 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束調整方法，多帶電粒子束照射方法及多帶電粒子束照射裝置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6851181B2 (ja) * 2016-11-09 2021-03-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム光学系の調整方法
US10978270B2 (en) * 2018-12-19 2021-04-13 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, interchangeable multi-aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
US11804355B2 (en) 2018-12-28 2023-10-31 Asml Netherlands B.V. Apparatus for multiple charged-particle beams
TWI737117B (zh) * 2019-03-05 2021-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束照射裝置
CN115151997A (zh) * 2019-10-18 2022-10-04 Asml荷兰有限公司 用于电压对比缺陷检测的系统和方法
JP2023074919A (ja) * 2021-11-18 2023-05-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置の制御方法および描画装置
US20240112884A1 (en) * 2022-09-28 2024-04-04 Kla Corporation Distortion reduction in a multi-beam imaging system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10261566A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Toshiba Corp ビーム電流測定用貫通孔の製造方法
TW201432773A (zh) * 2012-12-26 2014-08-16 Nuflare Technology Inc 多重帶電粒子束描繪裝置
US20150021493A1 (en) * 2013-07-17 2015-01-22 Ims Nanofabrication Ag Pattern Definition Device Having Multiple Blanking Arrays
US20160211111A1 (en) * 2015-01-19 2016-07-21 Nuflare Technology, Inc. Rotation angle measuring method of multi-charged particle beam image, rotation angle adjustment method of multi-charged particle beam image, and multi-charged particle beam writing apparatus

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3218467B2 (ja) * 1992-06-09 2001-10-15 株式会社ニコン 荷電粒子線描画装置
EP1296351A4 (en) * 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE
JP2004111708A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 A & D Co Ltd 電子ビーム描画装置の焦点調整方法
JP2005032958A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Nikon Corp 荷電粒子線装置の照明条件調整方法、及び露光方法
JP4171479B2 (ja) 2005-06-28 2008-10-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置及び荷電粒子線応用方法
JP2007208035A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置の照明光学系の調整方法
US9737272B2 (en) * 2008-05-22 2017-08-22 W. Davis Lee Charged particle cancer therapy beam state determination apparatus and method of use thereof
JP6293435B2 (ja) * 2013-08-08 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6363864B2 (ja) * 2014-04-16 2018-07-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置、及び電子ビームの収束半角調整方法
JP6383228B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2016134555A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビームの電流量測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6523767B2 (ja) * 2015-04-21 2019-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2016225357A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2017107959A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム装置及びマルチ荷電粒子ビーム像の形状調整方法
JP6684586B2 (ja) * 2015-12-22 2020-04-22 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム装置
US9852876B2 (en) * 2016-02-08 2017-12-26 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP6727021B2 (ja) * 2016-04-26 2020-07-22 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置、マルチ荷電粒子ビームの照射方法及びマルチ荷電粒子ビームの調整方法
JP6589758B2 (ja) * 2016-07-04 2019-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6851181B2 (ja) * 2016-11-09 2021-03-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム光学系の調整方法
JP2018078251A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10261566A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Toshiba Corp ビーム電流測定用貫通孔の製造方法
TW201432773A (zh) * 2012-12-26 2014-08-16 Nuflare Technology Inc 多重帶電粒子束描繪裝置
US20150021493A1 (en) * 2013-07-17 2015-01-22 Ims Nanofabrication Ag Pattern Definition Device Having Multiple Blanking Arrays
US20160211111A1 (en) * 2015-01-19 2016-07-21 Nuflare Technology, Inc. Rotation angle measuring method of multi-charged particle beam image, rotation angle adjustment method of multi-charged particle beam image, and multi-charged particle beam writing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI791173B (zh) * 2019-11-21 2023-02-01 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束調整方法，多帶電粒子束照射方法及多帶電粒子束照射裝置
TWI775448B (zh) * 2020-08-19 2022-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束檢查裝置及其調整方法

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Publication number Publication date
TW201830150A (zh) 2018-08-16
JP6851181B2 (ja) 2021-03-31
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