CN115151997A - 用于电压对比缺陷检测的系统和方法 - Google Patents

用于电压对比缺陷检测的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115151997A
CN115151997A CN202080084220.0A CN202080084220A CN115151997A CN 115151997 A CN115151997 A CN 115151997A CN 202080084220 A CN202080084220 A CN 202080084220A CN 115151997 A CN115151997 A CN 115151997A
Authority
CN
China
Prior art keywords
charged particle
mode
primary
particle beam
aperture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080084220.0A
Other languages
English (en)
Inventor
任伟明
刘学东
陈仲玮
季晓宇
陈晓雪
周为民
张楠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN115151997A publication Critical patent/CN115151997A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2202—Preparing specimens therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/44—Sample treatment involving radiation, e.g. heat
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/418—Imaging electron microscope
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
    • G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0041—Neutralising arrangements
    • H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0048—Charging arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
    • H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0456—Supports
    • H01J2237/0458—Supports movable, i.e. for changing between differently sized apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817—Pattern inspection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Radiation-Therapy Devices (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

公开了在带电粒子束设备的多种操作模式中提供探测斑的系统和方法。该方法可以包括：激活带电粒子源以生成初级带电粒子束，并且在带电粒子束设备的第一操作模式和第二操作模式之间进行选择。在泛射模式中，聚束透镜可以使通过孔径板中的孔径的初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，以形成初级带电粒子束的第二部分，并且第二部分中的基本上所有带电粒子被用来泛射样品的表面。在检查模式中，聚束透镜可以使初级带电粒子束的第一部分聚焦，使得孔径板中的孔径阻挡外围带电粒子束，以形成用于检查样品表面的初级带电粒子束的第二部分。

Description

用于电压对比缺陷检测的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月18日提交的美国申请62/923,286和于2020年5月29日提交的美国申请63/032,134的优先权，这些美国申请通过引用被整体并入本文中。
技术领域
本文中所提供的实施例公开了一种带电粒子束设备，更具体地，公开了一种通过减小带电粒子束的带电粒子之间的库仑相互作用效应而具有增强的成像分辨率和吞吐量的电子显微镜。
背景技术
在集成电路(IC)的制造过程中，检查未完成或完成的电路组件以确保其根据设计而制造且无缺陷。利用光学显微镜或带电粒子(例如电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(SEM))的检查系统可以被采用。随着IC组件的物理尺寸持续缩小，缺陷检测中的分辨率和吞吐量变得更加重要。对于电压对比检测缺陷，可以在泛射模式和检查模式中使用单束检查工具。尽管可以通过在泛射模式和检查模式之间保持工具参数不变来增加吞吐量，但是增加的库仑相互作用可能对分辨率生成负面影响，使得检查工具不足以用于其期望的目的。
发明内容
本公开的一个方面涉及一种带电粒子束设备。该设备可以包括：带电粒子源，被配置为生成沿主光轴的初级带电粒子束；第一孔径阵列，包括第一孔径，该第一孔径被配置为允许初级带电粒子束的至少第一部分通过；聚束透镜，被配置为：基于设备的选定操作模式，使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，其中选定操作模式包括第一模式和第二模式；以及孔径板，包括第二孔径，该第二孔径被配置为形成初级带电粒子束的第二部分。在第一操作模式中，初级带电粒子束的第二部分中的基本上所有带电粒子被用来泛射样品的表面，并且在第二操作模式中，初级带电粒子束的第二部分中的至少一些带电粒子被用来检查样品的表面。
第一孔径可以被配置为阻挡初级带电粒子束的外围带电粒子以形成初级带电粒子束的第一部分，并且第一孔径阵列包括尺寸不同的至少两个孔径。第一孔径阵列可以被设置在基本垂直于主光轴的第一平面内并且能够在该第一平面内移动。第一孔径阵列可以沿着主光轴被设置在带电粒子源与聚束透镜之间。
第二孔径可以是限流孔径，该限流孔径被配置为：在第一操作模式中，允许初级带电粒子束的第一部分中的基本上所有带电粒子通过以形成初级带电粒子束的第二部分，并且在第二操作模式中，阻挡初级带电粒子束的第一部分的外围带电粒子以形成初级带电粒子束的第二部分。孔径板可以能够沿着主光轴移动。孔径板可以包括限流孔径阵列，该限流孔径阵列能够沿主光轴移动。限流孔径阵列可以能够沿着主光轴在聚束透镜与物镜之间移动。限流孔径阵列可以能够沿着基本垂直于主光轴的第二平面移动。
该设备还可以包括限束孔径阵列，该限束孔径阵列被配置为限制初级带电粒子束的第二部分的束流。限束孔径阵列可以包括多个限束孔径，并且多个限束孔径中的至少两个限束孔径的尺寸不同。限束孔径阵列可以被设置在基本上垂直于主光轴的第三平面内，并且能够在该第三平面内移动。在第一操作模式和第二操作模式中，第一孔径和多个限束孔径中的限束孔径可以是相同的。
在第一操作模式中，聚束透镜可以被配置为：使初级带电粒子束的第二部分中的基本上全部靠近于第三平面而形成交叉，使得初级带电粒子束的第二部分中的基本上所有带电粒子通过限束孔径阵列中的孔径。在第一操作模式中，物镜被配置为：使初级带电粒子束的第二部分散焦，并且在样品的表面上形成第一斑，该第一斑具有第一流水平。
在第二操作模式中，限束孔径阵列中的孔径被配置为限制初级带电粒子束的第二部分的束流。在第二操作模式中，物镜被配置为：使初级带电粒子束的第二部分中的至少一些聚焦，以在样品的表面上形成第二斑，该第二斑具有第二流水平。第一流水平可以大于或等于第二流水平。第一斑可以大于或等于第二斑。
设备可以还包括控制器，该控制器被配置为：在第一模式中，在样品的表面上执行带电粒子泛射；以及在第二模式中，执行对样品的表面的带电粒子束检查。控制器还可以被配置为：基于选定操作模式，调整聚束透镜的电激励。第一操作模式中的物镜的电激励可以与第二操作模式中的物镜的电激励相同或基本上相似。
本公开的另一方面涉及一种在带电粒子束设备中在样品的表面上形成探测斑的方法，该带电粒子束设备包括第一孔径阵列、聚束透镜、第二孔径阵列以及孔径板。该方法可以包括：激活带电粒子源以生成沿主光轴的初级带电粒子束，并且在带电粒子束设备的第一操作模式和第二操作模式之间进行选择。在第一操作模式中，聚束透镜可以被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得至少第一部分通过孔径板中的孔径以形成初级带电粒子束的第二部分，并且第二部分中的基本上全部可以被用来泛射样品的表面，并且在第二操作模式中，聚束透镜可以被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得孔径板中的孔径阻挡至少第一部分中的外围带电粒子以形成初级带电粒子束的第二部分，并且初级带电粒子束的第二部分中的至少一些被用来检查样品的表面。
该方法还可以包括：阻挡初级带电粒子束中的外围带电粒子以形成初级带电粒子束的至少第一部分。第一孔径阵列可以被设置在基本垂直于主光轴的第一平面内并且能够在该第一平面内移动。第一孔径阵列可以被设置在带电粒子源与聚束透镜之间。形成初级带电粒子束的至少第一部分可以包括：调整第一孔径阵列在第一平面内的位置，使得第一孔径阵列中的孔径的中心与主光轴对准。孔径板可以能够沿着主光轴移动。孔径板可以包括限流孔径阵列，该限流孔径阵列可以能够沿着主光轴移动。限流孔径阵列可以能够沿着主光轴在聚束透镜与物镜之间移动。限流孔径阵列可以能够沿着基本垂直于主光轴的第二平面移动。
在第一操作模式中，该方法可以包括：使初级带电粒子束的第二部分散焦，并且在样品的表面上形成第一斑，该第一斑具有第一流水平。
在第二模式中，该方法可以包括：使用第二孔径阵列限制初级带电粒子束的第二部分的束流，第二孔径阵列中的孔径被配置为形成初级带电粒子束的第二部分中的至少一些；以及使初级带电粒子束的第二部分中的至少一些聚焦，并且在样品的表面上形成第二斑，该第二斑具有第二流水平。第一流水平可以大于或等于第二流水平。第一斑可以大于或等于第二斑。在第一操作模式和第二操作模式中，第一孔径和多个限束孔径中的限束孔径可以是相同的。
该方法可以包括：使用控制器在第一操作模式和第二操作模式之间进行切换。该方法还可以包括：使用控制器基于选定操作模式来调整聚束透镜的电激励。该方法还可以包括：在第一操作模式中，在样品的表面上执行带电粒子泛射；以及在第二操作模式中，执行对样品的表面的带电粒子束检查。
本公开的另一方面涉及一种非瞬态计算机可读介质，该非瞬态计算机可读介质存储指令集，该指令集能够由带电粒子束设备的一个或多个处理器执行以使带电粒子束设备执行检查样品的方法。该方法可以包括：激活带电粒子源以生成沿主光轴的初级带电粒子束；以及在带电粒子束设备的第一操作模式和第二操作模式之间进行选择。在第一操作模式中，聚束透镜可以被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得至少第一部分通过孔径板中的孔径以形成初级带电粒子束的第二部分，并且第二部分中的基本上全部可以被用来泛射样品的表面，以及在第二操作模式中，聚束透镜可以被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得孔径板中的孔径阻挡至少第一部分中的外围带电粒子以形成初级带电粒子束的第二部分，并且初级带电粒子束的第二部分中的至少一些被用来检查样品的表面。
通过结合附图进行的以下描述，本公开的实施例的其他优势将变得明显，其中通过说明和示例的方式阐述了本发明的某些实施例。
附图说明
图1是图示了根据本公开的实施例的示例性电子束检查(EBI)系统的示意图。
图2A和图2B是图示了根据本公开的实施例的示例性电子束工具及其束路径的示意图，该示例性电子束工具可以是图1的示例性电子束检查系统的部分。
图3是图示了根据本公开的实施例的单束设备中的电子束工具的示例性配置的示意图。
图4A和图4B是图示了根据本公开的实施例的分别在图3中的单束设备的泛射模式和检查模式中的电子束工具和电子束路径的示例性配置的示意图。
图5至图7是图示了根据本公开的实施例的在单束设备的检查模式中的电子束工具和电子束路径的示例性配置的示意图。
图8是图示了根据本公开的实施例的单束设备中的电子束工具的示例性配置的示意图。
图9A至图9C是图示了根据本公开的实施例的单束设备中的示例性电子束工具的示意图。
图10A和10B是图示了根据本公开的实施例的以泛射模式和检查模式操作的示例性电子束工具的示意图。
图11A和图11B是图示了根据本公开的实施例的以泛射模式和检查模式操作的示例性电子束工具的示意图。
图12A至图12C是图示了根据本公开的实施例的以泛射模式和检查模式操作的示例性电子束工具的示意图。
图13是图示了根据本公开的实施例的以泛射模式和检查模式操作的示例性电子束工具的示意图。
图14是表示根据本公开的实施例的在单束设备中在样品的表面上形成探测斑的示例性方法的工艺流程图。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施例，示例性实施例的示例在附图中示出。以下描述参考附图，其中不同附图中的相同数字表示相同或相似的元件，除非另有表示。在示例性实施例的以下描述中阐述的实现不表示所有实现。反而，它们仅仅是根据与所附权利要求中所述的公开实施例相关的方面的设备和方法的示例。例如，尽管一些实施例在利用电子束的上下文中进行描述，但是本公开不限于此。可以类似地应用其他类型的带电粒子束。此外，可以使用其他成像系统，诸如光学成像、光电检测、x射线检测等。
电子器件由在被称为衬底的硅片上形成的电路构成。许多电路可以被一起形成在同一硅片上，并且被称为集成电路或IC。这些电路的尺寸已经显著减小，使得它们中的许多可以安装在衬底上。例如，智能电话中的IC芯片可以小至拇指指甲并且还可以包括超过20亿个晶体管，每个晶体管的尺寸小于人头发的尺寸的1/1000。
制造这些极小的IC是复杂、耗时且昂贵的过程，通常涉及数百个单独的步骤。即使在一个步骤中的错误也有可能导致完成的IC中的缺陷，由此使其无用。因此，制造过程的一个目标是避免这种缺陷，以使在过程中制造的功能IC的数目最大化，即提高工艺的总产率。
提高产率的一个组件是监测芯片制造过程以确保其生产足够数目的功能集成电路。监测该过程的一种方式是在芯片电路结构形成的各个阶段检查芯片电路结构。可以使用扫描电子显微镜(SEM)进行检查。SEM可以用于对这些极小的结构进行成像，实际上，拍摄这些结构的“照片”。该图像可以用于确定该结构是否被正确地形成以及它是否被形成在正确的位置处。如果该结构是有缺陷的，则可以调整该过程，使得缺陷不太可能再次出现。
检测垂直高密度结构(诸如3D NAN闪速存储器设备)中的掩埋缺陷可能具有挑战性。检测这种器件中的掩埋或表面上的电缺陷的若干方式之一是在SEM中使用电压对比法。在该方法中，样品的材料、结构或区域的电导率差异引起其SEM图像中的对比度差异。在缺陷检测的上下文中，样品表面下的电缺陷可以在样品表面上生成电荷变化，因此电缺陷可以通过样品表面的SEM图像中的对比度来检测。为了增强电压对比度，可以采用被称为预充电或泛射的过程，其中在使用小束流但高成像分辨率的检查之前，可以将样品的感兴趣区域暴露于大束流。对于检查，泛射的优势中的一些可以包括减少对晶片的充电以使由于充电引起的图像失真最小化，并且在一些情况下，增加对晶片的充电以增强图像中的缺陷特征与周围无缺陷特征的差异等。
一些检查系统(诸如SEM，被配备以使用电压对比法来检测晶片的缺陷)可以以多种模式操作，诸如以泛射模式操作来突出缺陷，然后以检查模式操作来检测缺陷。在一些检查系统中，为了增加检查分辨率，可以将库仑孔径阵列(例如，图2A和图2B的库仑孔径阵列224)放置在限束孔径阵列(例如，图2A和图2B的限束孔径阵列235)上方，以减少检查模式中的库仑相互作用。另外，为了通过消除移动晶片以与泛射电子束或检查束对准来增加吞吐量，可以在泛射模式中使用具有大流的初级束(图2B中的虚线)，并且可以在检查模式中使用具有小流的初级束(图2B中的实线)。为了进一步增加吞吐量，限束孔径阵列中的使用孔径和库仑孔径阵列中的相同使用孔径可以用在泛射模式和检查模式中。在泛射模式中，可能优选的是允许最大量的电子通过孔径并且使照射样品的初级电子束的束流最大化，以增强电压对比度，因此可能需要库仑孔径阵列的大孔径。然而，在检查模式中，具有小束流的小探测斑对于高分辨率成像可能是期望的。如果在检查模式中使用库仑孔径阵列的大孔径，则由于增加的库仑相互作用，大束流可能负面影响成像分辨率。对于SEM中的电压对比缺陷检测，在泛射模式和检查模式之间的切换可以包括例如通过选择库仑孔径阵列的孔径尺寸来调整束流。选择和对准孔径以产生期望的束流可能花费若干秒，并且可能降低整体检查吞吐量等。因此，对于电压对比缺陷检测，可能期望基于所选择的操作模式来快速调整束流以维持高检查吞吐量。
在本公开的一些实施例中，带电粒子束设备可以包括电子源，该电子源被配置为沿着主光轴发射电子以形成初级电子束。该设备还可以包括限流孔径板，该限流孔径板被放置在库仑孔径阵列与限束孔径阵列之间。库仑孔径阵列的孔径可以被配置为允许初级电子束的第一部分通过，聚束透镜被配置为基于选定操作模式来使初级电子束的第一部分聚焦，并且限流孔径板的孔径可以被配置为基于选定操作模式来允许初级电子束的第一部分中的全部或部分通过。通过限流孔径板中的孔径的部分是初级电子束的第二部分。随后，第二部分中的全部或部分可以通过限束孔径阵列中的孔径。通过限束孔径阵列中的孔径的部分是初级电子束的第三部分。基于操作模式，初级电子束的第三部分可以用于泛射或检查样品的表面。使用限流孔径板来阻挡初级带电粒子束的第一部分中的外围电子可以允许用户避免切换库仑孔径阵列的孔径而不牺牲检查模式中的图像分辨率，因此减少系统相关的延迟并且维持高吞吐量。
当带电粒子束设备以泛射模式操作时，初级电子束中的电子可以具有相当高的能量。因此，在泛射模式期间，当这些初级电子撞击样品时，可以从样品生成具有高能量的信号电子。如果这些高能信号电子撞击电子检测器，则检测器表面可能被累积的电子电荷污染，这可能恶化检测器的性能。此外，连接到检测器的电子电路系统(例如，低噪声放大器)可能因由高能量信号电子引起的浪涌流或过流而损坏。为了在泛射模式期间保护电子检测器，在一些实施例中，带电粒子束设备可以具有检测器保护机构，该检测器保护机构被配置为当设备以泛射模式操作时防止高能量信号电子到达电子检测器。
为了清楚起见，附图中组件的相对尺寸可能被放大。在以下附图描述中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的组件或实体，并且仅描述关于各个实施例的区别。如本文中所使用的，除非另外特别说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除了不可行的情况。例如，如果说明组件可以包括A或B，则除非另外特别说明或不可行，该组件可以包括A、或B、或A和B。作为第二示例，如果说明组件可以包括A、B或C，则除非另外特别说明或不可行，该组件可以包括A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
现在参考图1，图1图示了与本公开的实施例一致的示例性带电粒子束检查系统100，诸如电子束检查(EBI)系统。如图1所示，带电粒子束检测系统100包括主室10、装载-锁定室20、电子束工具40和设备前端模块(EFEM)30。电子束工具40位于主室10。虽然描述和附图是针对电子束的，但是应当理解，实施例并不用于将本公开内容限制为特定的带电粒子。
EFEM 30包括第一装载口30a和第二装载口30b。EFEM 30可包括额外的(多个)装载口。第一装载口30a和第二装载口30b接收包含晶片(例如，半导体晶片或由其他(多个)材料制成的晶片)或待检查样品(晶片和样品在下文统称为“晶片”)的晶片前开式整合舱(frontopening unified pods,FOUP)。EFEM 30中的一个或多个机械臂(未示出)将晶片传送到装载-锁定室20。
装载-锁定室20被连接到装载/锁定真空泵系统(未示出)，该装载/锁定真空泵系统去除装载-锁定室20中的气体分子以达到低于大气压的第一压力。在达到第一压力后，一个或多个机械臂(未示出)将晶片从装载-锁定室20传送到主室10。主室10被连接到主室真空泵系统(未示出)，该主室真空泵系统去除主室10中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后，晶片经受电子束工具40的检查。在一些实施例中，电子束工具40可以包括单束检查工具。在其他实施例中，电子束工具40可以包括多束检查工具。
控制器50可以被电连接到电子束工具40并且也可以被电连接到其它组件。控制器50可以是被配置为执行对带电粒子束检查系统100的各种控制的计算机。控制器50还可以包括被配置为执行各种信号和图像处理功能的处理电路系统。虽然控制器50在图1中被示为在包括主室10、装载-锁定室20和EFEM 30的结构之外，但是应当理解，控制器50可以是该结构的部分。
虽然本公开提供了容纳电子束检查系统的主室10的示例，但是应当注意，本公开的方面在其最广泛的意义上不限于容纳电子束检查系统的室。更准确地说，应当理解，前述原理也可以应用于其它腔室。
现在参考图2A，图2A是图示了根据本公开的实施例的电子束工具40的示例性配置的示意图，该电子束工具40可以是图1的带电粒子束检查系统100的部分。电子束工具40(在本文中也称为设备40)可以包括电子发射器，该电子发射器可以包括阴极203、阳极220和枪孔径222。电子束工具40还可以包括库仑孔径阵列224、聚束透镜226、限束孔径阵列235、物镜组装件232和电子检测器244。电子束工具40还可以包括由机动台234支撑的样品保持器236，以保持待检查的样品250。应当理解，可以根据需要添加或省略其它相关组件。
尽管图2A将电子束工具40示为一次仅使用一个初级电子束来扫描样品250的一个位置的单束检查工具，但是电子束工具40也可以是采用多个初级电子子束来同时扫描样品250上的多个位置的多束检查工具。
在一些实施例中，电子发射器可以包括阴极203、提取器阳极220，其中初级电子可以从阴极发射并且被提取或加速以形成初级电子束204，该初级电子束204形成初级束交叉202(虚拟的或真实的)。初级电子束204可以被可视化为从初级束交叉202发射。
在一些实施例中，电子发射器、聚束透镜226、物镜组装件232、限束孔径阵列235和电子检测器244可以与设备40的主光轴201对准。在一些实施例中，电子检测器244可以沿次光轴(未示出)偏离主光轴201而放置。
在一些实施例中，物镜组装件232可以包括经修改的摆动物镜减速浸没透镜(SORIL)，该经修改的SORIL包括磁透镜体232a、控制电极232b、偏转器232c(或多于一个的偏转器)、激励线圈232d和极片232e。在一般的成像过程中，从阴极203的尖端发出的初级电子束204由被施加到阳极220的加速电压加速。初级电子束204的部分通过枪孔径222和库仑孔径阵列224中的孔径，并且由聚束透镜226聚焦，以便全部或部分地通过限束孔径阵列235中的孔径。通过限束孔径阵列235中的孔径的电子可以被经修改的SORIL透镜聚焦以在样品250的表面上形成探测斑，并且被偏转器232c偏转以扫描样品250的表面。从样品表面发出的次级电子可以由电子检测器244收集以形成感兴趣的扫描区域的图像。
在物镜组装件232中，激励线圈232d和极片232e可以生成磁场，该磁场通过极片232e的两端部之间的间隙漏出并且分布在围绕光轴201的区域中。被初级电子束204扫描的样品250的部分可以被浸没在磁场中并且可以被充电，这进而创建电场。该电场可以减少在样品250的表面附近和在样品250的表面上撞击初级电子束204的能量。与极片232e电隔离的控制电极232b控制样品250上和上方的电场以减小物镜组装件232的像差，并且控制信号电子束的聚焦情况以用于高检测效率。偏转器232c可以使初级电子束204偏转，以便于晶片上的束扫描。例如，在扫描过程中，可以控制偏转器232c以在不同的时间点处使初级电子束204偏转到样品250的顶表面的不同位置上，以提供用于样品250的不同部分的图像重建的数据。
当接收到初级电子束204时，背散射电子(BSE)和次级电子(SE)可以从样品250的部分发射。电子检测器244可以捕获BSE和SE，并且基于从所捕获的信号电子收集的信息来生成样品的一个或多个图像。如果电子检测器244远离主光轴201而设置，则束分离器(未示出)可以将BSE和SE导向电子检测器244的传感器表面。检测到的信号电子束可以在电子检测器244的传感器表面上形成对应的次级电子束斑。电子检测器244可以生成表示接收到的信号电子束斑的强度的信号(例如，电压，电流)，并且向处理系统(诸如控制器50)提供该信号。次级或背散射电子束的强度和所得束斑可以根据样品250的外部或内部结构而变化。此外，如上所述，初级电子束204可以被偏转到样品250的顶表面的不同位置上，以生成不同强度的次级或背散射信号电子束(以及所得到的束斑)。因此，通过将信号电子束斑的强度与样品250上的初级电子束204的位置进行映射，处理系统可以重建样品250的图像，该图像反映样品250的内部或外部结构。
在一些实施例中，控制器50可以包括图像处理系统，该图像处理系统包括图像获取器(未示出)和存储装置(未示出)。图像获取器可以包括一个或多个处理器。例如，图像获取器可以包括计算机、服务器、大型主机、终端、个人计算机、任何种类的移动计算设备等、或它们的组合。图像获取器可以通过诸如电导体、光纤电缆、便携式存储介质、IR、蓝牙、因特网、无线网络、无线电等介质或它们的组合被通信地耦合到设备40的电子检测器244。在一些实施例中，图像获取器可以从电子检测器244接收信号并且可以构建图像。因此，图像获取器可以获取样品250的区域的图像。图像获取器还可以执行各种后处理功能，诸如生成轮廓、在所获取的图像上叠加指示符等。图像获取器可以被配置为对所获取的图像执行亮度和对比度等的调整。在一些实施例中，存储装置可以是诸如硬盘、闪速驱动器、云存储、随机存取存储器(RAM)、其它类型的计算机可读存储器等的存储介质。存储装置可以与图像获取器耦合，并且可以用于将扫描的原始图像数据保存为初始图像和保存后处理图像。
在一些实施例中，控制器50可以包括测量电路系统(例如，模数转换器)以获得检测到的次级电子的分布。在检测时间窗口期间收集的电子分布数据与入射在样品(例如，晶片)表面上的初级束204的对应扫描路径数据相结合，可以用于重建检查下的晶片结构的图像。被重建的图像可以用于揭示样品250的内部或外部结构的各种特征，由此可以用于揭示晶片中可能存在的任何缺陷。
在一些实施例中，控制器50可以控制对聚束透镜226的激励的操作和调整。控制器50可以基于所选择的操作模式来调整聚束透镜226的电激励。如图2B所示，例如，在泛射模式中，聚束透镜226可以通过施加电信号来电激励，使得入射的初级电子束204可以被强聚焦以在限束孔径阵列235的孔径235-2处或附近形成交叉。然而，在检查模式中，电信号可被施加到聚束透镜226，使得入射的初级电子束204可以被弱聚焦，以允许初级电子束204的小部分通过限束孔径阵列235的孔径，并且通过物镜232被聚焦在样品250上。
现在参考图3，图3图示了根据本公开的实施例的单束检查设备中的电子束工具300的示例性配置。电子束工具300可以包括电子源301、库仑孔径阵列308、聚束透镜303、限流孔径板309、限束孔径阵列307、次级电子检测器305、扫描偏转单元306和物镜组装件304。应当理解，可以适当地添加或省略或重新排序相关组件。
在一些实施例中，电子源301可以被配置为发射初级电子，该初级电子来自阴极并且被提取以形成初级电子束310，该初级电子束310从初级束交叉(虚拟的或真实的)302发出。在一些实施例中，初级电子束310可以被可视化为沿着主光轴300_1从初级束交叉302发射。在一些实施例中，电子束工具300的一个或多个元件可以与主光轴300_1对准。
参考图3，库仑孔径阵列308可以位于电子源301的紧接下游。如在本公开的上下文中所使用的，“下游”是指元件沿着从电子源301开始的初级电子束310的路径的定位，而“紧接下游”是指第二元件沿着初级电子束310的路径以使得在第一元件和第二元件之间没有其它元件的定位。例如，如图3所示，库仑孔径阵列308可以位于电子源301的紧接下游，使得在电子源301与库仑孔径阵列308之间没有其它电学、光学或电光元件。这种配置可以用于有效地减小库仑效应等。在一些实施例中，孔径板(例如，枪孔径板)(未示出)可以被放置在电子源301与库仑孔径阵列308之间以在初级电子束310入射到库仑孔径阵列308上之前阻挡初级电子束310的外围电子，以降低库仑相互作用效应。
在一些实施例中，库仑孔径阵列308可以包括束形成机构。库仑孔径阵列308可以被配置为：阻挡来自初级电子束310的最终可能不用于形成探测斑的外围电子，并且减小库仑相互作用效应等。在一些实施例中，其中库仑孔径阵列308位于电子源301的紧接下游，库仑孔径阵列308可以被定位为尽可能靠近电子源301以在早期切掉电子，以进一步减小库仑相互作用效应。
库仑孔径阵列308可以包括多个库仑孔径308-1、308-2和308-3。如图3所示，孔径308-1、308-2和308-3的尺寸可以不同。在一些实施例中，库仑孔径阵列308中的至少两个孔径的尺寸不同。诸如孔径308-1的较大孔径可以允许更多电子通过，因此形成具有大束流的电子束(例如，初级电子束310)。诸如308-2或308-3的较小孔径可以阻挡从电子源301发出的更多外围电子，因此形成具有较小束流的电子束。尽管图3中的库仑孔径阵列308示出了三个孔径，但是应当理解，库仑孔径阵列308可以酌情包括一个或多个孔径。
在一些实施例中，库仑孔径阵列308可以被设置在电子源301的下游或紧接下游，并与主光轴300_1正交，并且可以移动以将其不同孔径与初级电子束310对准。库仑孔径阵列308可以被设置在垂直于或基本垂直于主光轴300_1的平面上。在一些实施例中，库仑孔径阵列308的位置可以在X轴或Y轴上进行调整，使得所需孔径(例如，孔径308-1、308-2或308-3)可以与主光轴300-1对准并且垂直于主光轴300-1。在一些实施例中，库仑孔径阵列308的位置可以沿着主光轴300_1进行调整以更靠近或进一步远离电子源301。
在一些实施例中，初级电子束310的电子的至少一部分可以通过的库仑孔径阵列308的孔径基于操作模式来确定。例如，在泛射模式中，较大的孔径(诸如孔径308-1)可以用于通过允许更多电子通过而形成具有大束流的束，最终导致较大的束斑。在一些实施例中，在检查模式中，基于期望的检查分辨率和束流，孔径308-1、308-2或308-3中的任一可以用于形成照射聚束透镜303的初级电子束。对于高的检查分辨率和灵敏度，可能期望使用较小的孔径，诸如308-2或308-3，因为可以被允许通过该孔径的电子的数目有限，因此减小库仑相互作用效应。然而，在一些实施例中，由于所消耗的时间等，从泛射模式中的孔径308-1切换到检查模式中的孔径308-2或308-3可能是不期望的，由此不利地影响检查吞吐量。
在一些实施例中，如图3所示，期望孔径(例如，孔径308-1、308-2或308-3)的几何中心可以与主光轴300_1对准。在一些实施例中，将孔径例如从308-1切换到308-2或从308-1切换到308-3可以包括将使用中的孔径的几何中心与主光轴300_1对准。
在一些实施例中，聚束透镜303可以基本上类似于图2A的聚束透镜226，并且可以执行类似的功能。在一些实施例中，聚束透镜303可以被配置为接收初级电子束310的被允许通过库仑孔径阵列308中的选定孔径的部分。在一些实施例中，聚束透镜303可以被配置为基于所选择的操作模式来使初级电子束310的接收部分聚焦。聚束透镜303可以包括静电、电磁或复合电磁透镜等。在一些实施例中，聚束透镜303可以与控制器(诸如图2A所示的控制器50)电耦合或通信耦合。控制器50可以向聚束透镜303施加电激励信号，以基于所选择的操作模式来调整聚束透镜303的聚焦能力。
现在参考图4A，图4A图示了在泛射模式下的电子束工具300和电子束路径的示例性配置。在图4A所示的泛射模式中，控制器50可以将电信号施加到聚束透镜303，使得初级电子束310的完全或部分地通过库仑孔径阵列308中的选定孔径的电子可以被聚焦以通过限束孔径阵列307中的使用孔径(例如，孔径307-2)。使用中的孔径可以具有用于检查模式的所需尺寸，使得孔径307-2可以用于泛射模式和检查模式，以减少在不同操作模式之间选择和对准限束孔径阵列307的孔径所需的时间。在一些实施例中，电子可以沿着交叉平面在使用孔径中形成交叉。交叉平面可以与限束孔径阵列307被设置在其中的平面重合。在一些实施例中，限束孔径阵列307被设置在其中的平面的位置可以沿着主光轴300_1进行调整以与交叉平面重合。限流孔径板309中的使用孔径309-1可以被配置为允许电子通过限束孔径阵列307和库仑孔径阵列308中的使用孔径。在一些实施例中，控制器50可以向物镜304施加电信号，并且该电信号也可以用于检查模式。物镜304可以被配置为：使通过限束孔径阵列307和库仑孔径阵列308中的使用孔径的电子部分地聚焦到样品350上，并且在其上形成大的束斑并利用电子泛射样品350。
在图4B所示的检查模式中，控制器50可以向聚束透镜303施加电信号，使得初级电子束310的所需部分可以通过限束孔径307中的使用孔径307-2。所需部分然后可以通过物镜304被完全聚焦，以在样品350的表面上形成小的探测斑。在一些实施例中，控制器50可以向物镜304施加电信号，并且该电信号也可以用于泛射模式。然而，在检查模式中，通过库仑孔径阵列308中的使用孔径308-1的外围电子可以大部分地被限流孔径板309中的使用孔径309-1阻挡。切掉外围电子可以减小限流孔径板309与限束孔径阵列307之间的库仑效应，并且因此可以改进图像分辨率而无需在泛射模式与检查模式之间切换库仑孔径阵列308的孔径，同时改进检查吞吐量。
对电压对比缺陷的检测可以包括：在泛射操作模式中通过预充电或样品泛射来突出缺陷，随后在检查操作模式中通过高分辨率成像来检测缺陷，等等。在一些实施例中，检查模式中的探测斑的尺寸可以小于泛射模式中的束斑，以提供更高的分辨率和检查灵敏度。如前所提及的，虽然可以通过减小库仑孔径阵列308的孔径尺寸来减小探测尺寸，但是这样做可能对检查吞吐量生成负面影响。因此，期望在检查模式中减小探测尺寸，同时保持检查吞吐量。
在一些实施例中，限流孔径板309可以被设置在聚束透镜303与限束孔径阵列307之间。限流孔径板309的位置和使用中的孔309-1的尺寸可以被选择为：在检查模式中尽可能多地阻挡外围电子，同时在泛射模式中允许基本上所有的电子，并且因此在检查模式中减小库仑效应并提高检查吞吐量。在一些实施例中，限流孔径板309可以被设置在聚束透镜303的下游或紧接下游并与主光轴300_1正交，并且可以使用具有较大开口的孔径。在一些实施例中，限流孔径板309可以沿着与主光轴300_1正交的平面而设置，使得限流孔径板309与聚束透镜303之间的距离基本上等于限流孔径板309与限束孔径阵列307之间的距离，并且使用具有较小开口的孔径。
在一些实施例中，限流孔径板309的孔径尺寸和位置可以确定在检查模式中减小库仑效应的效率。例如，如果限流孔径板309被放置为更靠近聚束透镜303，则可以使用较大的孔径尺寸。在这种情况下，尽管在检查模式中孔径可以较早地阻挡初级电子束310的外围电子，但是被阻挡的外围电子的数目可以较低。在一些实施例中，限流孔径板309的孔径尺寸或位置可以被改变以优化对检查模式中的库仑效应的降低，而在泛射模式中，通过限流孔径板309和限束孔径阵列307的电子的数目可以不受影响。因此，限流孔径板309可以包括如图5所示的多于一个的孔径(例如409-1和409-2)，或者可以如图6所示的沿着主光轴500_1移动，或者可以包括如图7所示的多于一个的孔径(例如509-1和509-2)并能够沿着主光轴600_1移动。
在一些实施例中，例如如图5所示，限流孔径板409可以包括两个或更多个孔径409-1和409-2，并且孔径的尺寸、间距和形状可以不同。限流孔径板409可以沿着与主光轴400_1正交或基本正交的平面而定位，使得限流孔径板409中的选定孔径的几何中心与主光轴400_1对准。
在一些实施例中，例如在图6中，限流孔径板509的位置可以基于(但不限于)初级电子束310的大小、聚束透镜303的聚焦能力、泛射模式中的所需束流等而沿着主光轴500_1进行调整。例如，在泛射模式中，限流孔径板509可以沿着主光轴500_1被设置在距聚束透镜303的第一距离处，使得其允许具有所需束流的电子束通过且入射在物镜组装件304上，并且在检查模式中，将限流孔径板509放置在与泛射模式中相同的位置处可以显著地减小库仑相互作用效应。
在一些实施例中，例如在图7中，限流孔径阵列609可以包括两个或更多个孔径，并且可以调整限流孔径板609沿主光轴600_1的位置，以使库仑相互作用效应最小化或减小，由此提高检查操作模式中的成像分辨率。在调整限流孔径的尺寸时可能遇到的若干问题中的一个问题可能是执行包括但不限于移动限流孔径板(例如，限流孔径板509)、将限流孔径与主光轴600_1对准的操作所消耗的时间，因此不利地影响检查吞吐量。在一些实施例中，限流孔径509-1的尺寸和限流孔径板509沿主光轴600-1的位置可以是固定的，而与操作模式无关。
返回参考图3，限束孔径阵列307可以被配置为在泛射模式中允许来自聚束透镜303的电子束中的基本上所有电子，并且在检查模式中阻挡外围电子以在样品350上实现期望的探测流。样品350上的探测斑的尺寸可以由限束孔径阵列307中的选定孔径的尺寸确定。
在一些实施例中，限束孔径阵列307可以包括限束孔径307-1、307-2和307-3。尽管图3示出了不同尺寸的至少两个限束孔径(例如307-2和307-3)，但是应当理解，所有限束孔径可以具有相似的尺寸。限束孔径阵列307可以被设置在限流孔径板309的下游或紧接下游，并且与主光轴300_1正交。在一些实施例中，限束孔径阵列307可以被设置在限流孔径板309和次级电子检测器305之间。限束孔径阵列307的位置可以沿X轴、Y轴或Z轴进行调整。在一些实施例中，限束孔径阵列307的位置可以在X轴或Y轴上进行调整，使得选定的限束孔径可以与主光轴300_1对准。在一些实施例中，例如，限束孔径307-2可以被对准，使得限束孔径307-2的几何中心可以与主光轴300-1对准。可以沿着与主光轴300_1平行的Z轴调整限束孔径阵列307的位置，以调整限束孔径阵列307与限流孔径板309之间的距离。在一些实施例中，可以调整限束孔径阵列307与限流孔径板309之间的距离，以调整库仑相互作用效应。
在现有的电压对比缺陷检测和检查工具中，所遇到的一些挑战包括限束孔径阵列307的可允许尺寸的限制和限束孔径阵列307的有限移动范围。另外，限束孔径阵列307的限束孔径可以被彼此远离地定位以阻挡来自聚束透镜303的电子束中的外围电子的所需部分，因此限制可采用的限束孔径的数目。因此，可能希望在聚束透镜303和限束孔径阵列307之间提供诸如在限流孔径板309中的限流孔径，以在检查模式中阻挡外围电子并减小入射到限束孔径阵列307上的电子束的尺寸，同时在泛射模式中允许初级电子束310中的基本上所有电子通过。将限流孔径板309放置在聚束透镜303和限束孔径阵列307之间可以进一步允许提供具有减小的间距的更多限束孔径。
电子束工具300可以还包括偏转扫描单元306。在一些实施例中，偏转扫描单元306可以位于主投影光学系统(图3中未示出)内。在检查模式中，偏转扫描单元306可以被配置为使初级束310偏转以扫描样品350的表面。物镜组装件304和次级电子检测器305可以分别基本上类似于图2A的物镜组装件232和电子检测器244，并且可以执行基本上类似的功能。
在一些实施例中，可以调整库仑孔径阵列308以从使用大孔径308-1切换到较小孔径308-2或308-3，以提高检查模式中的检查分辨率和检查灵敏度或缺陷可检测性。
现在参考图8，图8图示了根据本公开的实施例的单束设备中的电子束工具800的示例性配置。电子束工具800可以包括电子源301、库仑孔径阵列308、聚束透镜303、限流孔径板309、限束孔径阵列307、物镜组装件822和信号电子偏转器825。在一些实施例中，电子束工具800可以还包括多个电子检测器，诸如透镜内电子检测器803和805。在一些实施例中，透镜内电子检测器803和805可以被分别耦合到电子束工具800的第一通道和第二通道。在一些实施例中，可以针对不同的检查特性来优化每个通道。例如，在一些实施例中，第一通道可以被优化用于高速检测，同时第二通道可以被优化用于高分辨率检测。
如上文关于图4A所说明的，当设备在泛射模式中操作时，聚束透镜303可以使初级电子束310聚焦，使得初级电子束310的电子可以通过库仑孔径阵列308中的选定孔径308-1和限束孔径阵列307中的使用孔径(例如，孔径307-2)。在一些实施例中，电子可以在使用中的孔径307-2附近沿着交叉平面形成交叉。交叉平面可以与限束孔径阵列307所在的平面重合。限流孔径板309中的使用孔径309-1可以被配置为允许电子通过库仑孔径阵列308和限束孔径阵列307中的使用孔径。
电子束工具800可以包括物镜组装件822(例如，图4A的物镜304)。在一些实施例中，物镜组装件822可以包括复合电磁透镜，该复合电磁透镜包括磁透镜和静电透镜，该磁透镜包括激励线圈822M、磁透镜体822A和内极片822C，该静电透镜由内极片822C(类似于图2的极片232e)和控制电极822B(类似于图2的控制电极232b)形成，它们共同工作以使初级电子束310聚焦在样品850处。当设备以泛射模式操作时，物镜组装件822可以被配置为使通过库仑孔径阵列308和限束孔径阵列307中的使用孔径的初级电子束310部分地聚焦到样品850上，并且在样品850上形成大泛射束斑872f以对样品850的部分进行预充电。
如先前关于图2A所描述的，初级电子束310的电子与样品850的相互作用可以生成信号电子(例如，信号电子沿着路径881和891行进)。在一些实施例中，信号电子可以包括SE和BSE。当设备以泛射模式操作时，初级电子束310的流可以达到相当高的水平(例如，>2000nA)，并且初级电子束310的电子可以被加速以具有相当高的动能。因此，在泛射模式期间生成的信号电子可以达到相当高的水平(例如，如果产量为1，则大致高达初级束流的类似水平)，并且取决于着陆能量，信号电子还将具有相当高的动能，例如，从几keV直到电子源发射能量。如果这些大量的高能信号电子撞击电子检测器803和805，则检测器表面可能被存在于真空中的累积含碳材料污染，并且被高能且大量的信号电子轰击，这可能导致检测器随时间老化。此外，被连接到检测器803和805的电子电路系统(例如，低噪声放大器)可能由于由高能量信号电子引起的浪涌电流或过电流而损坏。
为了减轻在泛射模式期间的这些潜在问题，在一些实施例中，电子束工具800可以包括检测器保护机构，该检测器保护机构被配置为当设备以泛射模式操作时防止信号电子到达电子检测器。
在一些实施例中，控制电极822B可以被放置以在样品850与透镜内电子检测器803和805之间形成有源能量滤波器。在一些实施例中，控制电极822B可以被设置在样品850和物镜组装件822的磁透镜822M之间。当电源870参照样品850将控制电极822B偏置到一定电压时，在控制电极822B和样品850之间生成电场，导致信号电子的静电势垒。静电势垒阻挡具有比势垒的阈值能级低的发射能量的信号电子。应理解，“有源滤波器”是指使用有源组件(诸如生成“有源”电场的电极-与仅使用无源元件的“无源滤波器”相比)的电子滤波器。
例如，如图8所示，控制电极822B相对于样品850被负偏置，使得带负电的信号电子(例如，路径881上的SE)被反射回样品850，因为路径881上的SE没有足够的能量以通过能量势垒。尽管具有比势垒的阈值能级高的发射能量的信号电子(例如，路径891上的BSE)可以克服能量势垒并且朝向透镜内电子检测器805传播，但这些BSE可以不损坏检测器805或相关联的电子电路系统，因为这些BSE的产量相对较低。例如，当泛射模式中的初级电子束310的探测流在1000-2000nA的范围内时，所得到的信号电子可以主要包括SE。因此，将SE(例如，路径881上的电子)反射回样品850可以显著地减少到达检测器的总电子数，由此减小放大器过电流或检测器污染的可能性。此外，被反射的SE可以帮助样品预充电过程。
现在参考图9A至图9C，图9A至图9C图示了根据本公开的实施例的包括电子检测器保护器906的另一实施例的示例性电子束工具900。
有源能量滤波器(诸如图8所示的滤波器)生成可以影响初级电子束310中的电子的电场。在一些实施例中，可能期望在使对初级电子的影响最小化的同时保护检测器。此外，在一些实施例中，还可能期望在泛射模式和检查模式之间保持初级束条件(例如，被施加到初级电子的磁场和电场的强度)不变，以实现更快的模式切换。与图8的电子束工具800相比，电子束工具900包括有源能量滤波器906，该有源能量滤波器906被设置在透镜内电子检测器805附近。有源能量滤波器906可以被配置为在泛射模式中滤除信号电子991。当设备以检查模式操作时，有源能量滤波器906可以被停用，使得信号电子991可以通过有源能量滤波器906并且由检测器805检测。由于能量滤波器906可以被定位为远离主光轴，与电子束工具800相比，对初级电子束的影响可以减小。
如图9B所示，有源能量滤波器906可以包括高压电极906hv和接地电极906g。电极906hv和906g可以是网型电极。在泛射模式期间，高压电极906hv可以相对于接地电极906g被负偏置以生成电场，使得带负电的信号电子朝向样品850被反射。在一些实施例中，可以改变由电源905v提供的偏置电压以调整有源能量滤波器906的能量势垒。例如，偏置电压可以增加以阻挡包括BSE和SE的所有信号电子；并且减小以仅阻挡具有低发射能量(例如，SE)的信号电子，同时允许具有高发射能量(例如，BSE)的信号电子通过到达检测器805。
在一些实施例中，高电压电极906hv和接地电极906g可以包括由导电材料(诸如金属，合金，半导体或复合物等)制成的网状结构。高压电极906hv和接地电极906g可以被设置在物镜组装件822和透镜内电子检测器805之间。在一些实施例中，高压电极906hv和接地电极906g可以被设置为比物镜组装件822更靠近透镜内电子检测器805。
如图9C所示，有源能量滤波器906可以包括管状电极906e而不是网型结构。类似于图9B中的网型高压电极906hv，管状电极906e可以相对于接地电极906g被负偏置以生成电场。
现在参考图10A至图10B，图10A至图10B是图示了根据本公开的实施例的以泛射模式(图10A)和检查模式(图10B)操作的示例性电子束工具1000的示意图。电子束工具1000可以以与图9A的电子束工具900基本上类似的方式操作，因为当工具处于泛射模式时，信号电子1091被阻止到达电子检测器805。
在一些实施例中，工具1000可以包括在用于泛射模式的第一位置(图10A)与用于检查模式的第二位置(图10B)之间可移动的电子阻止器1006。如图10A所示，当工具1000以泛射模式操作时，电子阻止器1006可以被定位在样品850与电子检测器805之间的第一位置，使得从样品850生成的信号电子1091被电子阻止器1006阻挡。在一些实施例中，电子阻止器1006可以是由能够衰减进入的信号电子的能量的材料制成的板。例如，电子阻止器1006可以包括半导体材料(诸如氮化硅)或导电材料(诸如铝膜)，其提供衰减能力，同时还提供一定水平的导电性，以释放可能由于信号电子的入射而在电子阻止器1006内累积的任何电荷。在一些实施例中，电子阻止器1006可以被连接到接地。
如图10B所示，当工具1000以检查模式操作时，电子阻止器1006可以被定位在远离信号电子1093在其上行进的路径的第二位置，使得信号电子1093可以到达电子检测器805的表面以用于检测。
在一些实施例中，工具1000可以使用能够在第一位置和第二位置之间快速移动电子阻止器1006的移动机构(未示出)，使得整个系统的吞吐量将不受模式切换的影响。例如，在一些实施例中，可以使用压电马达来移动电子阻止器1006。
现在参考图11A至图11B，图11A至图11B是图示了根据本公开的实施例的以泛射模式(图11A)和检查模式(图11B)操作的示例性电子束工具1100的示意图。与图10A至图10B的电子束工具1000相比，电子束工具1100可以被配置为基于操作模式来改变信号电子的路径(例如，在1191与1193之间)，而非移动能量滤波器(例如，图10A至10B的电子阻止器1006)。
在泛射模式中，如图11A所示，信号电子偏转器825可以将信号电子1191朝向由电子阻止器1106保护的电子检测器803偏转。在检查模式中，如图11B所示，信号电子偏转器825可以将信号电子1193朝向电子检测器805偏转以用于检测。在一些实施例中，信号电子偏转器825可以包括被配置为生成电场和磁场的维恩滤波器。
在一些实施例中，用于电子阻止器1106的移动机构(未示出)可能太慢，以至于基于操作模式将滤波器移入和移出可能负面地影响整个系统吞吐量。在这种情况下，可能希望将电子阻止器1106放置在检测器803(未使用)的前面，并且当工具从泛射模式切换到检查模式时，将信号电子朝向检测器805重新路由。因为操作模式切换(在泛射模式与检查模式之间)依赖于信号电子的重新路由(例如，在1191与1193之间)而不是电子阻止器1106的放置，所以工具1100可以利用相对较慢的移动机构，诸如步进马达。
在一些实施例中，电子阻止器1106可以包括有源滤波器，类似于关于图9A至图9C所描述的有源能量滤波器906。在一些实施例中，电子阻止器1106可以包括无源能量滤波器，类似于图10A至图10B中所示的电子阻止器1006。
现在参考图12A至图12C，图12A至图12C是图示了根据本公开的实施例的以泛射模式(图12A)和检查模式(图12B)操作的示例性电子束工具1200的示意图。类似于图11A至图11B中所示的电子束工具1100，电子束工具1200可以使用信号电子偏转器825以基于操作模式来将信号电子朝向不同目标偏转。例如，在泛射模式中，如图12A所示，信号电子偏转器825可以将信号电子1291朝向靠近于电子检测器805而定位的电子阻止器1206偏转。在检查模式中，如图12B所示，信号电子偏转器825可以将信号电子1293朝向电子检测器805偏转以用于检测。在一些实施例中，电子阻止器1206可以包括无源能量滤波器，类似于图10A至图10B中所示的电子阻止器1006。
如图12A至图12C所示，在一些实施例中，电子阻止器1206可以远离主光轴800_1来定位。因此，在泛射模式期间，电子信号偏转器825可能需要产生更强的偏转功率来弯曲，以便以更大的偏转极角(相对于主光轴800_1的极角)偏转信号电子。
图12C示出了图12A至图12B中所示的电子束工具1200的电子阻止器1206和检测器803、805的三维表示。在一些实施例中，检测器803、805和电子阻止器1206可以被布置在由X轴和Y轴形成的XY平面上，其中主光轴800_1与Z轴对准。在一些实施例中，检测器803、805和电子阻止器1206可以沿着与X轴对准的轴800_2来定位。
当电子束工具1200以检查模式操作时，信号电子1293可以被引导到检测器805。当电子工具1200以泛射模式操作时，信号电子1291可以被进一步弯曲远离主光轴800_1并且被引导到电子阻止器1206。因此，在一些实施例中，主光轴800_1与检测器805的中心之间的距离1235可以小于主光轴800_1与阻止器1206的中心之间的距离1236。
在典型的电子束检查系统中，增加的偏转极角可以导致增加的偏转像差，诸如像色散的色差，可以恶化初级束分辨率。然而，因为在泛射模式期间不生成图像，所以检查系统可能不需要在泛射模式期间提供高分辨率性能，并且因此信号电子1291能够以较大偏转极角来偏转而不影响整体系统性能。另一种方式是改变信号电子相对于检测器的相对方位角。然而，对检测器进行旋转比对束进行旋转更不可行，这导致下一个实施例。
图13示出了根据本公开的实施例的电子束工具1300的电子阻止器1306和检测器803、805的另一示例性布置。类似于图12C的电子束工具1200，在一些实施例中，检测器803、805和电子阻止器1306可以被布置在XY平面上。在一些实施例中，检测器803、805可以沿着例如与X轴对准的轴800_2来定位，并且电子阻止器1306可以沿着例如与Y轴对准的轴800_3来定位。
当电子束工具1300以检查模式操作时，信号电子1393可以被引导到检测器805。当电子束工具1300以泛射模式操作时，信号电子1391可以围绕主光轴800_1而被弯曲并被引导到电子阻止器1306。例如，在泛射模式期间，信号电子偏转器(诸如图12A至图12B的信号电子偏转器825)可以生成旋转电磁场，以将信号电子1391围绕主光轴800_1朝向电子阻止器1306旋转大约90度(如由方位角1337所示)。
因此，(主光轴800_1与检测器805的中心之间的)距离1335和(主光轴800_1与阻止器1306的中心之间的)距离1336可以是相同的。换言之，偏转极角(相对于主光轴800_1的极角)可以在操作模式之间基本上不改变，同时当泛射模式中的信号电子被按方位角地旋转时，防止它们到达检测器805。在一些实施例中，极角可在5度内保持相同。在这样的配置中，信号电子偏转器的弯曲功率在泛射模式期间不需要增加，这对于某些实施例可能是期望的，因为减小了在维恩滤波器中电弧放电和发热的风险。
现在参考图14，图14图示了根据本公开的实施例的表示在单束设备中在样品的表面上形成探测斑的示例性方法1400的处理流程图。方法1400可以由例如图1所示的带电粒子束检查系统100的控制器50执行。控制器50可以被编程以执行方法1400的一个或多个块。例如，控制器50可以向聚束透镜施加电信号，以基于所选择的操作模式来调整初级带电粒子束的焦点并执行其它功能。
在步骤1410中，可以激活带电粒子源(例如，图3的电子源301)以生成带电粒子束(例如，图3的初级电子束310)。电子源可以由控制器(例如，图1的控制器50)激活。例如，电子源可以被控制以发射初级电子来形成沿主光轴(例如，图3的主光轴300_1)的电子束。电子源可以被远程激活，例如通过使用软件、应用程序或用于控制器的处理器通过控制电路系统为电子源供电的指令集。
EBI系统可以提供用于支持多种操作模式的机制。例如，电子束工具(例如，图3的电子束工具300)可以被配置为以泛射模式操作以通过利用带电粒子(例如，电子)泛射样品的表面来突出电压对比缺陷，并且以检查模式操作以使用高分辨率成像方法来分析在泛射模式期间突出的任何缺陷。电子束工具可以被配置为在操作模式之间切换。例如，电压对比缺陷检测和分析的完整扫描可以包括对样品的表面泛射预定的持续时间，随后对通过泛射所标识的任何缺陷进行高分辨率检查。
在步骤1420中，可以选择电子束工具的操作模式，诸如泛射模式或检查模式。在一些实施例中，用户可以基于包括但不限于应用、需求和期望分析的因素来选择操作模式。在一些实施例中，电子束工具可以被编程为在没有用户交互的情况下运行，例如，执行操作模式的选择，以所选择的操作模式操作检查工具，或者执行包括切换操作模式的一系列步骤。例如，控制器(例如，图2的控制器50)可以被编程以通过激活泛射模式来发起电压对比缺陷检测，以调整聚束透镜(例如，图3的聚束透镜303)的电激励来调整聚焦功率，以在完成泛射之后切换到检查模式等。
在步骤1430中，电子束工具可以被配置为以泛射模式操作，在泛射模式中，控制器可以将电信号施加到聚束透镜，使得通过孔径阵列(例如，图3的库仑孔径阵列308)中的选定孔径的初级电子束中的基本上所有电子可以被聚焦以在交叉平面中形成交叉。交叉平面可以与限束孔径阵列(例如，图3的限束孔径阵列307)被设置在其中的平面重合。限束孔径阵列可以被配置为允许通过来自聚束透镜的电子束中的基本上所有电子并且将初级电子束朝向物镜(例如，图3的物镜组装件304)引导。物镜可以被配置为使初级电子束散焦以在样品(例如，图3的样品350)的表面上形成探测斑。
电子束工具可以包括限流孔径阵列(例如，图5的限流孔径板409)，该限流孔径阵列被配置为：基于操作模式，允许初级电子束的电子通过。例如，在泛射模式中，限流孔径板可以允许初级电子束中的基本上所有电子通过。可以调整限流孔板沿Z轴的位置，使得最多的电子可以通过，以允许形成具有大束流的束。限流孔径板可以被放置在聚束透镜的下游，并且沿着主光轴与聚束透镜相距最佳距离。
离开物镜并入射到样品表面上的电子束可以包括具有大束流的散焦束。由散焦电子束形成的探测斑可以包括散焦的大探测斑，该大探测斑被配置为利用诸如电子的带电粒子泛射样品的表面。可以对样品泛射预定的持续时间，或者可以基于包括但不限于样品、应用、缺陷特征等的因素来调整时间。样品表面上的特征的传导率的变化性引起从由束-样品相互作用发射的次级电子产生的图像中的对比度的变化性。
此外，当电子束工具以泛射模式操作时，为了保护电子检测器，检测器保护器可以被配置为防止多个信号电子到达电子检测器。在一些实施例中，检测器保护器包括有源能量滤波器(例如，由图8中的控制电极822B和样品850形成的能量滤波器；图9A的有源能量滤波器906)可以被配置为滤除在泛射模式期间从样品生成的高能量信号电子。当设备以检查模式操作时，有源能量滤波器可以被停用，使得信号电子可以通过有源能量滤波器并且由电子检测器检测。在一些实施例中，包括电子阻止器(例如，图10A的电子阻止器1006、图11A的1106、和图12A的1206)的检测器保护器可以被配置为在泛射模式期间阻挡高能量信号电子。
在步骤1440中，在检查操作模式中，从初级束交叉(虚拟的或真实的)(例如，图4B的初级束交叉302)发出的初级电子束可以通过库仑孔径阵列中的库仑孔径(例如，图4B的孔径308-1)。尽管使用较小的孔径(例如，图4B的孔径308-2或308-3)可以通过减小库仑相互作用效应来提高检查分辨率和灵敏度，但是将库仑孔径阵列调整为从大孔径(例如，孔径308-1)切换到较小孔径(例如，较小孔径308-2或308-3)可能不利地影响检查吞吐量。因此，可能期望在泛射和检查操作模式期间保持库仑孔径阵列的孔径尺寸。在一些实施例中，可以调整库仑孔径阵列以从使用较大的孔径切换到使用较小的孔径，以提高检查分辨率和检查灵敏度或缺陷可检测性。
控制器可以调整聚束透镜的电激励以调整聚束透镜的聚焦功率。可以将电信号施加到聚束透镜，使得可以使用物镜来使初级电子束的探测子束聚焦，以在样品的表面上形成聚焦的探测斑。被施加到聚束透镜的电信号可以使初级电子束入射到孔径板上，使得初级电子束中的外围电子的部分可以被阻挡而不朝向样品传播。在检查操作模式中，孔径板可以用作限流孔径板，该限流孔径板被配置为修整初级电子束中的外围电子并且减小库仑相互作用效应。在一些实施例中，限流孔径板可以包括孔径的阵列。
在检查操作模式中，限流孔径板的位置与其在泛射模式中的位置相比可以不被调整。这可以有助于使检查延迟最小化，该检查延迟是由于以下而引起的：启动机械组件以使限流孔径板能够移动，对准限流孔径板以使得限流孔径的几何中心与主光轴和系统的其它组件对准，同时通过阻挡外围电子来减小库仑交互作用。
在一些实施例中，限流孔径板的位置可以基于包括但不限于初级电子束尺寸、聚束透镜的聚焦能力、期望的探测束流等因素来沿着主光轴进行调整。例如，限流孔径板与限束孔径阵列之间的距离可以通过调整限流孔径板的位置来增加，以使库仑相互作用效应最小化。在一些实施例中，限流孔径板中的孔径的尺寸可以被调整以使库仑相互作用效应最小化，例如，通过减小所选择的限流孔径的尺寸或选择在限流孔径板中的多个阵列中的较小限流孔径。较小的限流孔径可以允许较少的电子通过，因此使库仑相互作用效应最小化。
通过限流孔径板中的限流孔径的电子的部分可以通过位于限流孔径板下游或紧接下游的限束孔径阵列中的一个限束孔径。该部分可以被引导朝向并入射在物镜上，该物镜被配置为使该部分聚焦在样品的表面上以形成探测斑。物镜的电激励在泛射模式和检查模式中可以是相同的。例如，电激励可以包括电信号(例如，电压，电流等)以调整影响该部分的电子的能量、路径、方向等的电场或磁场。
此外，当电子束工具以检查模式操作时，检测器保护器可以被配置为允许多个信号电子到达电子检测器。在一些实施例中，检测器保护器包括有源能量滤波器(例如，由图8中的控制电极822B和样品850形成的能量滤波器；图9A的有源能量滤波器906)可以被停用，使得信号电子可以通过有源能量滤波器并且由电子检测器检测。在一些实施例中，包括电子阻止器(例如，图10A的电子阻止器1006、图11A的1106、和图12A的1206)的检测器保护器可以被配置为移动离开信号电子行进的路径，使得信号电子可以由电子检测器检测。
可以使用以下条款进一步描述这些实施例：
1.一种带电粒子束设备，包括：
带电粒子源，被配置为生成沿主光轴的初级带电粒子束；
第一孔径阵列，包括第一孔径，该第一孔径被配置为允许初级带电粒子束的至少第一部分通过；
聚束透镜，被配置为：基于设备的选定操作模式，使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，其中选定操作模式包括第一模式和第二模式；以及
孔径板，包括第二孔径，该第二孔径被配置为形成初级带电粒子束的第二部分，其中：
在第一操作模式中，初级带电粒子束的第二部分中的基本上所有带电粒子被用来泛射样品的表面，并且
在第二操作模式中，初级带电粒子束的第二部分中的至少一些带电粒子被用来检查样品的表面。
2.根据条款1的设备，其中第一孔径被配置为：阻挡初级带电粒子束中的外围带电粒子，以形成初级带电粒子束的第一部分。
3.根据条款1和2中任一项的设备，其中第一孔径阵列包括尺寸不同的至少两个孔径。
4.根据条款1-3中任一项的设备，其中第一孔径阵列被设置在基本垂直于主光轴的第一平面内并且能够在第一平面内移动。
5.根据条款1-4中任一项的设备，其中第一孔径阵列沿主光轴被设置在带电粒子源与聚束透镜之间。
6.根据条款1-5中任一项的设备，其中第二孔径是限流孔径，该限流孔径被配置为：
在第一操作模式中，允许初级带电粒子束的第一部分中的基本上所有带电粒子通过，以形成初级带电粒子束的第二部分；以及
在第二操作模式中，阻挡初级带电粒子束的第一部分中的外围带电粒子，以形成初级带电粒子束的第二部分。
7.根据条款1-6中任一项的设备，其中孔径板能够沿主光轴移动。
8.根据条款7的设备，其中孔径板包括限流孔径阵列，该限流孔径阵列能够沿基本垂直于主光轴的第二平面移动。
9.根据条款1-6中任一项的设备，其中孔径板包括限流孔径阵列，该限流孔径阵列能够沿基本垂直于主光轴的第二平面移动。
10.根据条款1-9中任一项的设备，还包括限束孔径阵列，该限束孔径阵列被配置为：限制在第二模式中的初级带电粒子束的第二部分的束流。
11.根据条款10的设备，其中限束孔径阵列包括多个限束孔径，并且多个限束孔径中的至少两个限束孔径的尺寸不同。
12.根据条款10和11中任一项的设备，其中限束孔径阵列被设置在基本上垂直于主光轴的第三平面内并且能够在第三平面内移动。
13.根据条款11和12中任一项的设备，其中在第一操作模式和第二操作模式中，第一孔径和多个限束孔径中的限束孔径是相同的。
14.根据条款12和13中任一项的设备，其中在第一操作模式中，聚束透镜被配置为：使初级带电粒子束的第二部分形成靠近于第三平面的交叉，使得初级带电粒子束的第二部分中的基本上所有带电粒子通过限束孔径阵列中的孔径。
15.根据条款14的设备，其中在第二操作模式中，限束孔径阵列中的孔径被配置为限制初级带电粒子束的第二部分的束流。
16，根据条款8-15中任一项的设备，还包括物镜，其中在第一操作模式中，物镜被配置为使初级带电粒子束的第二部分散焦并且在样品的表面上形成第一斑，第一斑具有第一流水平。
17.根据条款16的设备，其中在第二操作模式中，物镜被配置为使通过限束孔径阵列中的孔径的初级带电粒子束的第二部分中的至少一些聚焦，以在样品的表面上形成第二斑，该第二斑具有第二流水平。
18.根据条款17的设备，其中在第一操作模式中物镜的电激励与在第二操作模式中物镜的电激励相同或基本上相似。
19.根据条款17-18中任一项的设备，其中第一流水平大于或等于第二流水平。
20.根据条款17-19中任一项的设备，其中第一斑大于或等于第二斑。
21.根据条款1-20中任一项的设备，还包括控制器，该控制器被配置为：
在第一模式中在样品的表面上执行带电粒子泛射；以及
在第二模式中执行对样品的表面的带电粒子束检查。
22.根据条款21的设备，其中控制器还被配置为基于选定操作模式来调整聚束透镜的电激励。
23.根据条款1-22中任一项的设备，还包括：
电子检测器，被配置为检测当设备处于第二操作模式时从初级带电粒子束入射到样品上所生成的多个信号电子；以及
检测器保护器，被配置为当设备处于第一操作模式时防止多个信号电子到达电子检测器。
24.根据条款23的设备，其中多个信号电子包括背散射电子(BSE)或次级电子(SE)。
25.根据条款23和24中任一项的设备，其中控制器还被配置为基于选定操作模式来控制检测器保护器。
26.根据条款23-25中任一项的设备，其中检测器保护器包括有源能量滤波器，该有源能量滤波器被配置为生成电场，该电场反射多个信号电子中的全部或子集。
27.根据条款26的设备，其中有源能量滤波器包括被定位在样品与物镜之间的电极，其中该电极被配置为相对于样品来负偏置以生成电场。
28.根据条款27的设备，其中电极是物镜的部分。
29.根据条款26的设备，其中有源能量滤波器包括被定位在电子检测器与物镜之间的第一电极和第二电极，其中第一电极被配置为相对于第二电极来负偏置以生成电场。
30.根据条款29的设备，其中第一电极包括网状电极。
31.根据条款29的设备，其中第一电极包括管状电极。
32.根据条款29-31中任一项的设备，其中第二电极包括网状电极。
33.根据条款29-32中任一项的设备，其中第二电极被连接到接地。
34.根据条款23-25中任一项的设备，其中检测器保护器包括能够在第一位置与第二位置之间移动的电子阻止器，其中：
当设备处于第一操作模式时，电子阻止器被定位在样品与电子检测器之间的第一位置，并且被配置为阻挡多个信号电子，并且
当设备处于第二操作模式时，电子阻止器被定位在远离电子检测器的第二位置，并且被配置为允许多个信号电子通过到达电子检测器。
35.根据条款34的设备，其中电子阻止器包括金属板。
36.根据条款34和35中任一项的设备，其中电子阻止器被连接到接地。
37.根据条款34-36中任一项的设备，其中检测器保护器还包括被配置为改变多个信号电子的方向的偏转器，其中：
当设备处于第一操作模式时，偏转器被配置为将多个信号电子朝向电子阻止器偏转，并且
当设备处于第二操作模式时，偏转器被配置为将多个信号电子朝向电子检测器偏转。
38.根据条款37的设备，其中偏转器包括电场发生器和磁场发生器。
39.根据条款37和38中任一项的设备，其中偏转器是维恩滤波器。
40.根据条款23-25中任一项的设备，其中检测器保护器包括：
电子阻止器，位于电子检测器附近；以及
偏转器，被配置为改变多个信号电子的方向，其中：
当设备处于第一操作模式时，偏转器被配置为以相对于主光轴的第一极偏转角和第一方位偏转角使多个信号电子朝向电子阻止器偏转，并且
当设备处于第二操作模式时，偏转器被配置为以相对于主光轴的第二极偏转角和第二方位偏转角使多个信号电子朝向电子检测器偏转。
41.根据条款40的设备，其中电子阻止器被定位为比电子检测器更远离主光轴。
42.根据条款40和41中任一项的设备，其中第一极偏转角大于第二极偏转角。
43.根据条款40-42中任一项的设备，其中第一方位偏转角和第二方位偏转角是相同的或基本上相似的。
44.根据条款40的设备，其中电子检测器和电子阻止器被定位为围绕主光轴。
45.根据条款40和44中任一项的设备，其中第一极偏转角和第二极偏转角是相同的或基本上相似的。
46.根据条款40、44-45中任一项的设备，其中第一方位偏转角和第二方位偏转角是不同的。
47.根据条款40、44-46中任一项的设备，其中第一方位偏转角与第二方位偏转角之间的差大约是90度。
48.根据条款40-47中任一项的设备，其中电子阻止器包括金属板。
49.根据条款40-48中任一项的设备，其中电子阻止器被连接到接地。
50.根据条款40-49中任一项的设备，其中偏转器包括电场发生器和磁场发生器。
51.根据条款40-50中任一项的设备，其中偏转器是维恩滤波器。
52.一种在带电粒子束设备中的样品表面上形成探测斑的方法，该带电粒子束设备包括第一孔径阵列、聚束透镜、第二孔径阵列和孔径板，该方法包括：
激活带电粒子源以生成沿主光轴的初级带电粒子束；以及
在带电粒子束设备的第一操作模式和第二操作模式之间进行选择，其中：
在第一操作模式中，聚束透镜被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得至少第一部分通过孔径板中的孔径，以形成初级带电粒子束的第二部分，并且初级带电粒子束的第二部分中的基本上所有带电粒子被用来泛射样品的表面，并且
在第二操作模式中，聚束透镜被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得孔径板中的孔径阻挡至少第一部分的外围带电粒子束，以形成初级带电粒子束的第二部分，并且初级带电粒子束的第二部分中的至少一些带电粒子被用来检查样品的表面。
53.根据条款52的方法，还包括：阻挡初级带电粒子束中的外围带电粒子，以形成初级带电粒子束的至少第一部分。
54.根据条款52和53中任一项的方法，其中第一孔径阵列被设置在基本垂直于主光轴的第一平面内并且能够在第一平面内移动。
55.根据条款52-54中任一项的方法，其中第一孔径阵列被设置在带电粒子源与聚束透镜之间。
56.根据条款54-55中任一项的方法，其中形成初级带电粒子束的至少第一部分包括：调整第一孔径阵列在第一平面中的位置，使得第一孔径阵列中的孔径的中心与主光轴对准。
57.根据条款52-56中任一项的方法，其中孔径板能够沿着主光轴移动。
58.根据条款57的方法，其中孔径板包括限流孔径阵列，该限流孔径阵列能够沿基本垂直于主光轴的第二平面移动。
59.根据条款58的方法，其中限流孔径阵列能够沿着主光轴移动。
60.根据条款52-59中任一项的方法，还包括：在第一模式中，使初级带电粒子束的第二部分散焦并且在样品的表面上形成第一斑，第一斑具有第一流水平。
61.根据条款57-60中任一项的方法，还包括：在第二模式中，
使用限束孔径阵列限制初级带电粒子束的第二部分的束流，限束孔径阵列中的孔径被配置为形成初级带电粒子束的第二部分中的至少一些；以及
使初级带电粒子束的第二部分中的至少一些聚焦，并且在样品的表面上形成第二斑，第二斑具有第二流水平。
62.根据条款61的方法，其中在第一操作模式和第二操作模式中，第一孔径和限束孔径阵列中的孔径是相同的。
63.根据条款61和62中任一项的方法，其中第一流水平大于第二流水平。
64.根据条款61和63中任一项的方法，其中第一斑大于或等于第二斑。
65.根据条款52-64中任一项的方法，还包括：使用控制器在第一操作模式和第二操作模式之间进行切换。
66.根据条款65的方法，还包括：使用控制器，基于选定操作模式，调整聚束透镜的电激励。
67.根据条款52-66中任一项的方法，还包括：在第一操作模式中在样品的表面上执行带电粒子泛射。
68.根据条款52-67中任一项的方法，还包括：在第二操作模式中对样品的表面执行带电粒子束检查。
69.一种非瞬态计算机可读介质，该非瞬态计算机可读介质存储指令集，该指令集能够由带电粒子束设备的一个或多个处理器执行以使带电粒子束设备执行检查样品的方法，该方法包括：
激活带电粒子源以生成沿主光轴的初级带电粒子束；以及
在带电粒子束设备的第一操作模式和第二操作模式之间进行选择，其中：
在第一操作模式中，聚束透镜被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得至少第一部分通过孔径板中的孔径，以形成初级带电粒子束的第二部分，并且初级带电粒子束的第二部分中的基本上所有带电粒子被用来泛射样品的表面，以及
在第二操作模式中，聚束透镜被配置为：使初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得孔径板中的孔径阻挡至少第一部分的外围带电粒子束，以形成初级带电粒子束的第二部分，并且初级带电粒子束的第二部分中的至少一些带电粒子被用来检查样品的表面。
70.一种带电粒子束设备，包括：
带电粒子源，被配置为生成沿主光轴的初级带电粒子束；
聚束透镜，被配置为基于设备的操作模式来改变初级带电粒子束在样品上的聚焦水平，其中该操作模式包括检查模式和泛射模式，
电子检测器，被配置为检测由初级带电粒子束入射到样品上而生成的多个信号电子；以及
检测器保护器，被配置为：
当设备以泛射模式操作时防止多个信号电子到达电子检测器，并且
当设备以检查模式操作时，允许多个信号电子到达电子检测器。
71.根据条款70的设备，其中多个信号电子包括背散射电子(BSE)或次级电子(SE)。
72.根据条款70和71中任一项的设备，其中检测器保护器包括有源能量滤波器，该有源能量滤波器被配置为生成电场，该电场反射多个信号电子中的全部或子集。
73.根据条款72的设备，其中有源能量滤波器包括被定位在样品与物镜之间的电极，其中该电极被配置为相对于样品来负偏置以生成电场。
74.根据条款73的设备，其中电极是物镜的部分。
75.根据条款72的设备，其中有源能量滤波器包括被定位在电子检测器与物镜之间的第一电极和第二电极，其中第一电极被配置为相对于第二电极来负偏置以生成电场。
76.根据条款75的设备，其中第一电极包括网状电极。
77.根据条款75的设备，其中第一电极包括管状电极。
78.根据条款75-77中任一项的设备，其中第二电极包括网状电极。
79.根据条款75-78中任一项的设备，其中第二电极被连接到接地。
80.根据条款70和71中任一项的设备，其中检测器保护器包括能够在第一位置与第二位置之间移动的电子阻止器，其中：
当设备以反射模式操作时，电子阻止器被定位在样品与电子检测器之间的第一位置，并且被配置为阻止多个信号电子，并且
当设备以检查模式操作时，电子阻止器被定位在远离电子检测器的第二位置，并且被配置为允许多个信号电子通过到达电子检测器。
81.根据条款80的设备，其中电子阻止器包括金属板。
82.根据条款80和81中任一项的设备，其中电子阻止器被连接到接地。
83.根据条款80-82中任一项的设备，其中检测器保护器还包括被配置为改变多个信号电子的方向的偏转器，其中：
当设备以泛射模式操作时，偏转器被配置为将多个信号电子朝向电子阻止器偏转，并且
当设备以检查模式操作时，偏转器被配置为将多个信号电子朝向电子检测器偏转。
84.根据条款83的设备，其中偏转器包括电场发生器和磁场发生器。
85.根据条款83和84中任一项的设备，其中偏转器是维恩滤波器。
86.根据条款70和71中任一项的设备，其中检测器保护器包括：
电子阻止器，位于电子检测器附近；以及
偏转器，被配置为改变多个信号电子的方向，其中：
当设备以泛射模式操作时，偏转器被配置为以相对于主光轴的第一极偏转角和第一方位偏转角使多个信号电子朝向电子阻止器偏转，并且
当设备以检查模式操作时，偏转器被配置为以相对于主光轴的第二极偏转角和第二方位偏转角使多个信号电子朝向电子检测器偏转。
87.根据条款86的设备，其中电子阻止器被定位为比电子检测器更远离主光轴。
88.根据条款86和87中任一项的设备，其中第一极偏转角大于第二极偏转角。
89.根据条款86-88中任一项的设备，其中第一方位偏转角和第二方位偏转角是相同的或基本上相似的。
90.根据条款86的设备，其中电子检测器和电子阻止器被定位为围绕主光轴。
91.根据条款86和90中任一项的设备，其中第一极偏转角和第二极偏转角是相同的或基本上相似的。
92.根据条款86、90-91中任一项的设备，其中第一方位偏转角和第二方位偏转角是不同的。
93.根据条款86、90-92中任一项的设备，其中第一方位偏转角与第二方位偏转角之间的差大约是90度。
94.根据条款86-93中任一项的设备，其中电子阻止器包括金属板。
95.根据条款86-94中任一项的设备，其中电子阻止器被连接到接地。
96.根据条款86-95中任一项的设备，其中偏转器包括电场发生器和磁场发生器。
97.根据条款86-96中任一项的设备，其中偏转器是维恩滤波器。
可以提供一种非瞬态计算机可读介质，该非瞬态计算机可读介质存储用于控制器(例如，图1的控制器50)的处理器执行以下的指令：图像检查、图像获取、选择操作模式、激活带电粒子源、调整聚束透镜的电激励、移动样品台以调整样品的位置等。非瞬态介质的常见形式包括例如软盘、柔性盘、硬盘、固态驱动器、磁带或任何其他磁性数据存储介质、光盘只读存储器(CD-ROM)、任何其他光学数据存储介质、具有孔图案的任何物理介质、随机存取存储器(RAM)、可编程只读存储器(PROM)、和可擦除可编程只读存储器(EPROM)、FLASH-EPROM或任何其他闪速存储器、非易失性随机存取存储器(NVRAM)、高速缓存、寄存器、任何其他存储器芯片或盒式存储器、以及它们的联网版本。
应当理解，本公开的实施例不限于上面已经描述和在附图中示出的确切构造，并且可以在不脱离其范围的情况下进行各种修改和改变。已经结合各种实施例描述了本公开，考虑到本文公开的本发明的说明书和实践，本发明的其他实施例对于本领域技术人员来说将是明显的。说明书和实施例仅被认为是示例性的，本发明的真正范围和精神由以下权利要求指出。
以上描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员来说明显的是，可以在不脱离下面所阐述的权利要求的范围的情况下进行所描述的修改。

Claims (15)

1.一种带电粒子束设备，包括：
带电粒子源，被配置为生成沿主光轴的初级带电粒子束；
第一孔径阵列，包括第一孔径，所述第一孔径被配置为允许所述初级带电粒子束的至少第一部分通过；
聚束透镜，被配置为：基于所述设备的选定操作模式，使所述初级带电粒子束的所述至少第一部分聚焦，其中所述选定操作模式包括第一模式和第二模式；以及
孔径板，包括第二孔径，所述第二孔径被配置为形成所述初级带电粒子束的第二部分，其中：
在所述第一操作模式中，所述初级带电粒子束的所述第二部分中的基本上所有带电粒子被用来泛射样品的表面，并且
在所述第二操作模式中，所述初级带电粒子束的所述第二部分中的至少一些带电粒子被用来检查所述样品的所述表面。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一孔径被配置为：阻挡所述初级带电粒子束中的外围带电粒子，以形成所述初级带电粒子束的所述第一部分。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一孔径阵列包括尺寸不同的至少两个孔径。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一孔径阵列被设置在基本垂直于所述主光轴的第一平面内并且能够在所述第一平面内移动。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一孔径阵列沿所述主光轴被设置在所述带电粒子源与所述聚束透镜之间。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二孔径是限流孔径，所述限流孔径被配置为：
在所述第一操作模式中，允许所述初级带电粒子束的所述第一部分中的基本上所有带电粒子通过，以形成所述初级带电粒子束的所述第二部分；以及
在所述第二操作模式中，阻挡所述初级带电粒子束的所述第一部分中的外围带电粒子，以形成初级带电粒子束的所述第二部分。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述孔径板能够沿所述主光轴移动。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述孔径板包括限流孔径阵列，所述限流孔径阵列能够沿基本垂直于所述主光轴的第二平面移动。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述孔径板包括限流孔径阵列，所述限流孔径阵列能够沿基本垂直于所述主光轴的第二平面移动。
10.根据权利要求1所述的设备，还包括限束孔径阵列，所述限束孔径阵列被配置为：限制在所述第二模式中的所述初级带电粒子束的所述第二部分的束流。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述限束孔径阵列包括多个限束孔径，并且所述多个限束孔径中的至少两个限束孔径的尺寸不同。
12.根据权利要求10所述的设备，其中所述限束孔径阵列被设置在基本垂直于所述主光轴的第三平面内并且能够在所述第三平面内移动。
13.根据权利要求11所述的设备，其中在所述第一操作模式和所述第二操作模式中，所述第一孔径和所述多个限束孔径中的限束孔径是相同的。
14.根据权利要求12所述的设备，其中在所述第一操作模式中，所述聚束透镜被配置为：使所述初级带电粒子束的所述第二部分形成靠近于所述第三平面的交叉，使得所述初级带电粒子束的所述第二部分中的基本上所有带电粒子通过所述限束孔径阵列中的孔径。
15.一种非瞬态计算机可读介质，所述非瞬态计算机可读介质存储指令集，所述指令集能够由带电粒子束设备的一个或多个处理器执行以使所述带电粒子束设备执行检查样品的方法，所述方法包括：
激活带电粒子源以生成沿主光轴的初级带电粒子束；以及
在所述带电粒子束设备的第一操作模式和第二操作模式之间进行选择，其中：
在所述第一操作模式中，聚束透镜被配置为：使所述初级带电粒子束的至少第一部分聚焦，使得所述至少第一部分通过孔径板中的孔径，以形成所述初级带电粒子束的第二部分，并且所述初级带电粒子束的所述第二部分中的基本上所有带电粒子被用来泛射样品的表面，以及
在所述第二操作模式中，聚束透镜被配置为：使所述初级带电粒子束的所述至少第一部分聚焦，使得所述孔径板中的孔径阻挡所述至少第一部分的外围带电粒子束，以形成所述初级带电粒子束的所述第二部分，并且所述初级带电粒子束的所述第二部分中的至少一些带电粒子被用来检查所述样品的所述表面。
CN202080084220.0A 2019-10-18 2020-09-30 用于电压对比缺陷检测的系统和方法 Pending CN115151997A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962923286P 2019-10-18 2019-10-18
US62/923,286 2019-10-18
US202063032134P 2020-05-29 2020-05-29
US63/032,134 2020-05-29
PCT/EP2020/077276 WO2021073868A1 (en) 2019-10-18 2020-09-30 Systems and methods for voltage contrast defect detection

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115151997A true CN115151997A (zh) 2022-10-04

Family

ID=72826838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080084220.0A Pending CN115151997A (zh) 2019-10-18 2020-09-30 用于电压对比缺陷检测的系统和方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20220375712A1 (zh)
KR (1) KR20220062640A (zh)
CN (1) CN115151997A (zh)
IL (1) IL292290A (zh)
TW (2) TW202401477A (zh)
WO (1) WO2021073868A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115690097A (zh) * 2022-12-15 2023-02-03 宁德时代新能源科技股份有限公司 极片贴标控制方法、装置、电子设备及存储介质

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220375712A1 (en) * 2019-10-18 2022-11-24 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for voltage contrast defect detection
EP4117012A1 (en) * 2021-07-07 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical device, charged particle apparatus and method
US20230066086A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 Kla Corporation High resolution, multi-electron beam apparatus
WO2023094098A1 (en) * 2021-11-24 2023-06-01 Asml Netherlands B.V. Charged-particle beam apparatus for voltage-contrast inspection and methods thereof
WO2023241870A1 (en) * 2022-06-16 2023-12-21 Asml Netherlands B.V. Systems and methods of defect detection by voltage contrast imaging
EP4306945A1 (en) * 2022-07-11 2024-01-17 ASML Netherlands B.V. Method of assessing a sample, apparatus for assessing a sample

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4687940A (en) * 1986-03-20 1987-08-18 Hughes Aircraft Company Hybrid focused-flood ion beam system and method
EP0853243A3 (en) * 1997-01-13 1999-07-28 Schlumberger Technologies, Inc. Method and apparatus for detecting defects in wafers
US5920073A (en) * 1997-04-22 1999-07-06 Schlumberger Technologies, Inc. Optical system
US6252412B1 (en) * 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
US6627884B2 (en) * 2001-03-19 2003-09-30 Kla-Tencor Technologies Corporation Simultaneous flooding and inspection for charge control in an electron beam inspection machine
US9184024B2 (en) * 2010-02-05 2015-11-10 Hermes-Microvision, Inc. Selectable coulomb aperture in E-beam system
US8618480B2 (en) * 2012-03-23 2013-12-31 Hermes Microvision Inc. Charged particle beam apparatus
US9105440B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
TWI685012B (zh) 2014-12-22 2020-02-11 美商卡爾蔡司顯微鏡有限責任公司 帶電粒子束系統、用以處理樣品的方法、用以製造約瑟夫接面的方法與用以產生複數個約瑟夫接面的方法
EP3325950B1 (en) * 2015-07-22 2020-11-04 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
JP6851181B2 (ja) * 2016-11-09 2021-03-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム光学系の調整方法
CN115206757A (zh) * 2017-08-02 2022-10-18 Asml荷兰有限公司 用于带电粒子浸没以增强电压对比缺陷信号的系统和方法
JP7442441B2 (ja) 2017-09-29 2024-03-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子ビーム検査のためのサンプルの予備帯電方法及び装置
WO2019166331A2 (en) * 2018-02-27 2019-09-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method
WO2020141030A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. In-lens wafer pre-charging and inspection with multiple beams
US20220375712A1 (en) * 2019-10-18 2022-11-24 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for voltage contrast defect detection

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115690097A (zh) * 2022-12-15 2023-02-03 宁德时代新能源科技股份有限公司 极片贴标控制方法、装置、电子设备及存储介质
CN115690097B (zh) * 2022-12-15 2023-03-10 宁德时代新能源科技股份有限公司 极片贴标控制方法、装置、电子设备及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
TW202401477A (zh) 2024-01-01
US11513087B2 (en) 2022-11-29
KR20220062640A (ko) 2022-05-17
US20210116398A1 (en) 2021-04-22
TWI824184B (zh) 2023-12-01
IL292290A (en) 2022-06-01
US20220375712A1 (en) 2022-11-24
TW202131370A (zh) 2021-08-16
WO2021073868A1 (en) 2021-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI824184B (zh) 帶電粒子束裝置及非暫時性電腦可讀媒體
TWI687680B (zh) 用於帶電粒子泛流以增強電壓對比缺陷信號的系統及方法
TWI794782B (zh) 具有多個偵測器之帶電粒子束裝置及用於成像之方法
TWI662580B (zh) 帶電粒子束樣本檢查系統及用於其中操作之方法
JP7181305B2 (ja) 信号電子検出性能を向上させたマルチビーム検査装置
JP7231738B2 (ja) 複数ビームを用いたインレンズウェーハプリチャージ及び検査
CN113892163A (zh) 具有低串扰的多带电粒子射束设备
WO2022231673A1 (en) Back-scatter electrons (bse) imaging with a sem in tilted mode using cap bias voltage
TWI809260B (zh) 具有單光束模式之多光束檢測設備及相關檢測方法
TWI794767B (zh) 用於信號電子偵測的系統及方法
TWI804837B (zh) 信號電子偵測之系統及方法
WO2023094098A1 (en) Charged-particle beam apparatus for voltage-contrast inspection and methods thereof
TW202414488A (zh) 具有快速聚焦校正的帶電粒子束裝置及其方法
WO2023078620A2 (en) Multiple charged-particle beam apparatus and methods of operating the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination