TWI655305B - 薄膜製造裝置、薄膜製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種能夠將膜厚之測定結果直接反映給成膜工程之薄膜製造裝置和薄膜製造方法。
在1個的成膜單元(11)之成膜室(22)內，於成膜對象物上形成被作了圖案化的薄膜，之後，當使其移動至其他之成膜單元(11)的成膜室(22)內並形成被作了圖案化的其他薄膜時，係於位置在成膜單元(11)之間的第1或第2移動室(21、23)之中，對於所形成了的薄膜中之與成膜對象物表面相接觸的測定用薄膜之部分，而從送光部(32)來照射偏光，並藉由受光部(33)來受光反射光，再藉由橢圓偏光計來求取出薄膜之膜厚。當測定結果乃身為異常值的情況時，係使形成出現有異常值之薄膜的成膜室(22)之運轉停止。當在複數之成膜室(22)中而形成相異之薄膜時，若是以使各薄膜之測定用部分會相互分離地被配置的方式來預先形成遮罩，則就算是形成了2層以上的薄膜之後，亦能夠進行膜厚測定。

Description

薄膜製造裝置、薄膜製造方法
本發明，係有關於膜厚測定之技術，特別是，係有關於藉由以橢圓偏光計所進行之測定來進行成膜工程之管理的技術。
在真空蒸鍍裝置等之成膜裝置中，係從被設置在成膜室之內部的成膜源而放出薄膜之構成材料的微粒子，並使其附著在成膜對象物上，而形成所期望之膜厚的薄膜。
故而，薄膜之膜厚的管理係變得重要，在技術上，一般而言，係使用膜厚感測器，而一面測定膜厚一面使薄膜成長。
例如，在圖10之元件符號110所代表的蒸鍍裝置中，在真空槽111中係被配置有蒸發源112，於其上方，係被配置有遮罩113和成膜對象物114，在使真空槽111內成為真空氛圍的狀態下，若是從蒸發源112而放出薄膜材料之微粒子(於此係為蒸氣)，則通過了被形成於 遮罩113上之開口後的蒸氣，係到達成膜對象物114，並形成依循於遮罩113之開口圖案的圖案之薄膜。
在蒸發源112之蒸氣所到達的位置處，係被配置有水晶震動元件115，從蒸發源112所被放出之微粒子，係除了到達成膜對象物114以外，也會到達水晶震動元件115處，在水晶震動元件115之表面上所成長的薄膜之膜厚，係使用水晶震動元件115之共振頻率的改變而被測定出來，並換算為被形成在成膜對象物114之表面上的薄膜之膜厚值。
在此種膜厚測定中，除了測定精確度為低以外，也有必要對於成長有薄膜之水晶震動元件115頻繁地進行交換，而會使裝置之稼動率惡化。
除了在成膜中而對於膜厚進行測定的管理以外，亦存在有下述一般之管理方法，亦即是：依據時間管理等，來形成應該會成為所期望之膜厚的薄膜，之後，將成膜對象物搬出至成膜室之外部，並使用橢圓偏光計等之膜厚計來進行膜厚的測定，藉由此來確認所形成了的薄膜之膜厚是否落於基準範圍內。
使用有震動元件之膜厚計，係容易起因於頻率之降低或溫度改變等的因素而導致測定值受到影響，相較於此，橢圓偏光計之膜厚測定係為正確，而能夠得到信賴性為高之膜厚值。
然而，由於橢圓偏光計係被配置在大氣中，因此，若是將身為測定對象之成膜對象物搬出至大氣中並進行測 定，則在測定作業中係成為需要耗費長的時間，而難以將測定結果立即反映至成膜工程中。
又，在形成如同有機EL裝置一般之多層之層積膜的情況時，對於層積膜之膜厚進行測定一事，在技術上係有所困難，而並無法將測定結果反映至成膜工程。
下述文獻，係為具備有橢圓偏光計之先前技術的成膜裝置。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特表2012-502177號公報
本發明，係為用以解決上述先前技術之課題所創作者，其目的，係在於提供一種並不需要使成膜對象物曝露於大氣中便能夠藉由橢圓偏光計來對於膜厚進行測定，並能夠將所測定出的膜厚值於短時間內而反映至生產工程中的技術。
為了解決上述課題，本發明，係為一種薄膜製造裝置，其特徵為，係具備有：第1成膜源，係放出身為第1成膜物質之微粒子的第1微粒子；和第2成膜源，係放出身為第2成膜物質之微粒子的第2微粒子；和第 1、第2成膜室，係分別被配置有前述第1、第2成膜源；和第1遮罩，係被形成有第1主開口，並被配置在前述第1成膜室中；和第2遮罩，係被形成有第2主開口，並被配置在前述第2成膜室中；和橢圓偏光計，係具有射出被作了偏光的射出光之送光部、和受光射入光之受光部，在前述第1成膜室中，成膜對象物和前述第1遮罩係相互對向，藉由通過了前述第1主開口之前述第1微粒子，在前述成膜對象物上係被形成有第1主薄膜，在前述第2成膜室中，成膜對象物和前述第2遮罩係相互對向，藉由通過了前述第2主開口之前述第2微粒子，在前述成膜對象物上係被形成有第2主薄膜，在前述第1遮罩處，於與前述第1主開口相異之場所處係被形成有第1副開口，在前述第2遮罩處，於與前述第2主開口相異之場所處係被形成有第2副開口，係構成為：當在前述第1成膜室處形成薄膜時，係藉由通過了前述第1副開口之第1微粒子而形成與前述成膜對象物之表面作了接觸的第1測定用薄膜，當在前述第2成膜室處形成薄膜時，係藉由通過了前述第2副開口之第2微粒子而形成與前述成膜對象物之表面作了接觸的第2測定用薄膜，進而，係設置有使從前述第1成膜室所搬出的前述成膜對象物被作搬入之移動室，前述送光部和前述受光部，係被配置在前述移動室內，被配置在前述移動室內之前述成膜對象物的前述第1測定用薄膜之表面係露出，前述射出光係被照射至前述第1測定用薄膜之露出了的表面上，反射光係射入至前述受 光部中，前述第1測定用薄膜之膜厚值係被測定出來。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，在測定了前述第1測定用薄膜之膜厚值後，前述第2主薄膜和前述第2測定用薄膜係被形成。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，前述第1、第2成膜室和前述移動室，係以使被形成了前述第1主薄膜和前述第1測定用薄膜並且被從前述第1成膜室而搬出了的前述成膜對象物，會在前述移動室內而使前述射出光被照射至前述第1測定用薄膜上，之後被搬入至前述第2成膜室內，並被形成前述第2主薄膜和前述第2測定用薄膜的方式，而被作配置。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，在被形成了前述第1、第2主薄膜和前述第1、第2測定用薄膜之後，前述第1測定用薄膜之膜厚值係被測定出來。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，前述射出光係被照射至被配置在前述移動室內之前述成膜對象物的前述第2測定用薄膜處，反射光係射入前述受光部處，前述第2測定用薄膜之膜厚值係被測定出來。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，前述第1、第2主薄膜，係被形成於前述成膜對象物之表面之相同的場所上。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，係具備有：第3成膜源，係放出身為第3成膜物質之微粒子的第3微粒子；和第3成膜室，係被配置有前述第3成膜源；和第 3遮罩，係被形成有第3主開口和第3副開口，並被配置在前述第3成膜室中，在前述第3成膜室中，前述成膜對象物和前述第3遮罩係相互對向，藉由通過了前述第3主開口之前述第3微粒子、和通過了前述第3副開口之前述第3微粒子，在被形成有前述第1、第2主薄膜和前述第1、第2測定用薄膜，並且前述第1、第2測定用薄膜之表面係有所露出的前述成膜對象物上，係被形成有第3主薄膜和第3測定用薄膜，前述第3測定用薄膜，係與前述成膜對象物相接觸地而被形成，在被形成了前述第3主薄膜和前述第3測定用薄膜之後，前述第1、第2測定用薄膜之表面係仍維持於露出的狀態。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，在前述第1、第2測定用薄膜之膜厚值被測定出來之後，前述第3主薄膜和前述第3測定用薄膜係被形成。
本發明，係為一種薄膜製造裝置，其中，前述第1、第2、第3主薄膜，係被形成於前述成膜對象物之表面之相同的場所上。
本發明，係為一種遮罩組，其特徵為：係由複數之遮罩所成，前述複數之遮罩，係分別具備有使成膜物質之微粒子通過之主開口、和遮蔽前述微粒子之遮蔽部，並與成膜對象物相對面，而使通過了前述主開口之前述微粒子到達前述成膜對象物，並在前述成膜對象物之表面上分別形成主薄膜，複數之前述各遮罩，係分別具備有副開口，在與任意一枚之前述遮罩之前述副開口相對面的前述成膜對 象物之位置處，其他之前述遮罩的遮蔽部係對面，藉由通過了前述副開口之前述微粒子，在前述成膜對象物上，係於各前述遮罩之每一者處與前述主薄膜一同地而形成副薄膜。
本發明，係為一種遮罩組，其中，前述副薄膜之至少一部分，係被作為與前述成膜對象物相接觸之測定用薄膜。
本發明，係為一種薄膜製造方法，係為在成膜對象物上一次一層地依序形成複數之薄膜的薄膜製造方法，其特徵為：當在形成了身為包含有從最初所形成之薄膜起直到在最後之前一個的順序所形成之薄膜並且包含有與前述成膜對象物相接觸的測定用薄膜之一薄膜之後，從形成了前述一薄膜之成膜裝置起，來經由移動室而移動至形成下一薄膜之成膜裝置處時，於前述移動室內，對於前述一薄膜之前述測定用薄膜照射被作了偏光的射出光，並受光反射光，而根據偏光狀態之變化，來求取出前述測定用薄膜之膜厚值，並將所求取出的膜厚值與基準範圍作比較，若是該膜厚值身為基準範圍外，則輸出警報。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其特徵為：係使用有遮罩組，該遮罩組，係構成為：係由複數之遮罩所成，前述複數之遮罩，係分別具備有使成膜物質之微粒子通過之主開口、和遮蔽前述微粒子之遮蔽部，並與成膜對象物相對面，而使通過了前述主開口之前述微粒子到達前述成膜對象物，並在前述成膜對象物之表面上分別形成主薄 膜，複數之前述各遮罩，係分別具備有副開口，在與任意一枚之前述遮罩之前述副開口相對面的前述成膜對象物之位置處，其他之前述遮罩的遮蔽部係對面，藉由通過了前述副開口之前述微粒子，在前述成膜對象物上，係於各前述遮罩之每一者處與前述主薄膜一同地藉由相同之形成條件而形成與前述成膜對象物作了接觸的測定用薄膜，該薄膜製造方法，係使用前述遮罩組，而在各前述遮罩處使前述成膜對象物一次一枚地作對面，並藉由各前述遮罩來在前述成膜對象物上分別形成前述主薄膜，藉由各前述遮罩之前述副開口所形成的前述測定用薄膜，係與前述成膜對象物相接觸地而形成，測定出前述測定用薄膜之膜厚值，而求取出前述主薄膜之膜厚值。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，係將所測定出的前述膜厚值與基準範圍作比較，當比較結果係代表前述膜厚值為位在前述基準範圍外的情況時，係以使前述膜厚值會落入前述基準範圍內的方式，來對於形成前述被測定膜厚值之前述測定用薄膜和與前述測定用薄膜一同形成之前述主薄膜的形成條件作變更。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，係在與相同之前述遮罩一次一枚地相對面之複數之前述成膜對象物中的第1成膜對象物處，使一個的前述遮罩相對面並形成前述主薄膜和前述測定用薄膜，再對於膜厚作測定而得到前述比較結果，之後，使相同之前述遮罩與第2成膜對象物相對面，並形成前述主薄膜和前述測定用薄膜，當前述第 1成膜對象物之前述比較結果係代表所測定出的前述膜厚值為落在前述基準範圍外的情況時，於在前述第2成膜對象物上形成前述主薄膜和前述測定用薄膜之前，對於前述形成條件作變更。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，前述成膜對象物，在藉由最初所相對面之前述遮罩而被形成了前述主薄膜和前述測定用薄膜之後，於直到藉由最後所相對面之前述遮罩而形成前述主薄膜和前述測定用薄膜為止的期間中，係在被放置於真空氛圍中之後被搬出至大氣中，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜中，所期望之前述測定用薄膜之前述膜厚值，係於搬出至大氣中之前，在前述真空氛圍中進行測定。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，在搬出至大氣中之後，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜亦係使表面露出，藉由各前述遮罩所形成並在前述真空氛圍中而對於前述膜厚值作了測定的前述測定用薄膜中之所期望的前述測定用薄膜之前述膜厚值，係於將前述成膜對象物搬出至大氣中之後，再進行測定。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，前述成膜對象物，在藉由最初所相對面之前述遮罩而被形成了前述主薄膜和前述測定用薄膜之後，於直到藉由最後所相對面之前述遮罩而形成前述主薄膜和前述測定用薄膜為止的期間中，係在被放置於真空氛圍中之後被搬出至大氣中，在搬出至大氣中之後，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用 薄膜亦係使表面露出，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜中之所期望的前述測定用薄膜之前述膜厚值，係於將前述成膜對象物搬出至大氣中之後，再進行測定。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，係使藉由至少2枚以上之前述遮罩所形成的前述主薄膜作層積，而製造層積膜。
本發明，係為一種薄膜製造方法，其中，係將橢圓偏光計之射出被作了偏光的射出光之送光部和受光射入光之受光部，放置在前述真空氛圍中，並朝向藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜中之藉由至少一枚之前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜射出前述射出光，再使於被照射了前述射出光之前述測定用薄膜處所反射了的反射光射入至前述受光部中，而根據射入了的前述反射光之偏光狀態，來測定被照射了前述射出光之前述測定用薄膜之膜厚。
在層積複數之薄膜並形成層積膜時，由於係能夠進行單層膜之測定，因此係能夠求取出正確的膜厚值。
又，由於係在層積膜被形成之前的階段中對於膜厚進行測定，因此，當膜厚之測定結果係身為異常值的情況時，係能夠使形成了出現有異常值之成模式中的成膜工程 中止，並在將異常之原因除去後，再使其恢復成膜之進行，因此，不良品之發生量係變少。
又，由於係能夠在形成了由其中一個成膜源所致之薄膜後，於短時間內而測定出該薄膜之膜厚，因此，係能夠依據測定結果來對於該其中一個薄膜源之成膜條件在短時間內作變更，故而，係能夠將膜厚值維持為一定之值。
使一個的成膜對象物與遮罩相對面而形成薄膜，並對於膜厚進行測定而求取出測定結果，當測定結果係代表所測定出之膜厚值為位在基準範圍外的情況時，只要在使下一個成膜對象物與形成了進行過測定的測定用薄膜之遮罩相對面並形成主薄膜之前，以使膜厚值會落入基準範圍內的方式來對於薄膜之形成條件作變更，便能夠使膜厚值乃身為基準範圍外之成膜對象物的數量減少。
當測定結果乃代表膜厚值係落於基準範圍內的情況時，係並不對於形成條件作變更。
3、31~310‧‧‧遮罩
4‧‧‧成膜對象物
6、61~610‧‧‧副薄膜
7、71~710‧‧‧主薄膜
10a、10b‧‧‧薄膜形成裝置
16、161~1610‧‧‧副開口
17、171~1710‧‧‧主開口
20‧‧‧成膜源
22‧‧‧成膜室
21、23、24‧‧‧移動室
30‧‧‧橢圓偏光計
32‧‧‧送光部
33‧‧‧受光部
〔圖1〕本發明之第1例之薄膜製造裝置。
〔圖2〕(a)~(c)：成膜室。
〔圖3〕(a)、(b)：移動室。
〔圖4〕(a)：成膜對象物之平面圖，(b)：薄膜形成前之成膜對象物的A0-A0線截斷剖面圖，(c)：該 成膜對象物的B0-B0線截斷剖面圖。
〔圖5〕(a)：被形成了最初的薄膜之成膜對象物之平面圖，(b)：該成膜對象物的A1-A1線截斷剖面圖，(c)：該成膜對象物的B1-B1線截斷剖面圖，(d)：形成最初的薄膜之遮罩之平面圖。
〔圖6〕(a)：被形成了第2層的薄膜之成膜對象物之平面圖，(b)：該成膜對象物的A2-A2線截斷剖面圖，(c)：該成膜對象物的B2-B2線截斷剖面圖，(d)：形成第2層的薄膜之遮罩之平面圖。
〔圖7〕(a)：被形成了第3層的薄膜之成膜對象物之平面圖，(b)：該成膜對象物的A3-A3線截斷剖面圖，(c)：該成膜對象物的B3-B3線截斷剖面圖，(d)：形成第3層的薄膜之遮罩之平面圖。
〔圖8〕(a)：被形成了最後的薄膜之成膜對象物之平面圖，(b)：該成膜對象物的A10-A10線截斷剖面圖，(c)：該成膜對象物的B10-B10線截斷剖面圖，(d)：形成最後的薄膜之遮罩之平面圖。
〔圖9〕本發明之第2例之薄膜製造裝置。
〔圖10〕先前技術之薄膜製造裝置。
〔圖11〕移動室之其他例。
〔圖12〕(a)、(b)：用以對於副開口之位置作說明之圖。
〈薄膜製造裝置〉
圖1，係對於本發明之第1例之薄膜製造裝置10a作展示。
圖1之元件符號11，係代表成膜單元，此薄膜製造裝置10a，係將複數之成膜單元11連接成一列而構成者。
在此例中，各成膜單元11係身為相同的構造，並分別具備有第1移動室21、和第2移動室23、以及1至複數台之成膜室22。各成膜單元11，係分別具備有複數台(於此係為2台)之成膜室22，在各成膜室22中，係分別被配置有放出成膜物質之微粒子的成膜源20。在成膜物質之微粒子中，係包含有成膜物質之蒸氣(亦包含起因於昇華所產生的氣體)和濺鍍粒子。
在各成膜單元11之第1移動室21中，係分別被配置有搬送裝置25，搬送裝置25(於此係為搬送機器人)，係具備有載置成膜對象物並移動之手26。成膜對象物，係為玻璃基板或半導體晶圓等之板狀的基板。
各成膜單元11之成膜室22和第2移動室23，係被與該成膜單元11之第1移動室21作連接。
各成膜單元11之搬送裝置25，係被控制裝置37所控制，控制裝置37係對於手26之移動作控制，並構成為若是將成膜對象物載置在手26上，則係能夠對於被與第1移動室21作了連接的成膜室22內而進行成膜對象物之 搬入搬出。
成膜對象物，係在複數之成膜單元11內而依序移動，被配置成一列之複數之成膜單元11中的移動之上游側之成膜單元11的第2移動室23，係亦被與下游側之成膜單元11的第1移動室21作連接。在最上游之成膜單元11的第1移動室21處，係被連接有進行此薄膜製造裝置10a之前置工程的前置處理裝置41，最下游之成膜單元11的第2移動室23，係被與進行此薄膜製造裝置10a之後續工程的後續處理裝置42作連接。
各第1移動室21內之搬送裝置25，係將配置在被與第1移動室21作了連接的上游側之成膜單元11的第2移動室23或者是前置處理裝置41之內部的成膜對象物載置在手26上，並使其移動至成膜室22中。
又，係可將被配置在成膜室22之內部的成膜對象物載置在手26上並使其移動至下游側之成膜單元的第2移動室23或後續處理裝置42處。
在圖2(a)中，係對於各成膜室22之內部作展示。各成膜室22，係具備有真空槽50，在真空槽50之內部，係被配置有遮罩保持裝置51和基板保持裝置52。在遮罩保持裝置51處，係被保持有遮罩3。
圖5(d)、圖6(d)、圖7(d)、圖8(d)之元件符號31~33、310，係為能夠使用在本發明中的遮罩3之例，並分別代表形成最初之層的薄膜和第2層的薄膜和第3層的薄膜以及最後之層的薄膜之遮罩，且身 為在相同的成膜對象物處而形成薄膜的由複數之遮罩31~33、310所成的遮罩組。
圖5(d)~圖8(d)之遮罩31~33、310，係可分別配置在相異之成膜室22中，並在一枚的成膜對象物上形成薄膜，亦可將複數之遮罩31~33、310中的一至複數枚之所期望的遮罩配置在相同的成膜室22中。
圖2(b)之元件符號4，係代表被搬入至各成膜室22內之成膜對象物，該成膜對象物4，係藉由基板保持裝置52而被作保持，如圖2(b)中所示一般，遮罩3係位置在成膜對象物4和成膜源20之間，遮罩3和成膜對象物4係相互平行並相互分離且相互對面。
在各遮罩3處，係被形成有遮罩對位記號，在成膜對象物4處，係被形成有基板對位記號(對位記號係並未作圖示)。
在真空槽50之壁面處，係被氣密地設置有透明之窗57。在真空槽50之外部之窗的附近處，係被配置有攝像裝置55，並成為藉由攝像裝置55來經由窗57而對於真空槽50之內部作觀察，當在遮罩保持裝置51和基板保持裝置52處分別被配置有遮罩3和成膜對象物4的狀態時，係成為能夠藉由攝像裝置55來對於基板對位記號和遮罩對位記號作觀察。
基板保持裝置52和遮罩保持裝置51之其中一方或者是雙方，係被與對位裝置作連接，若是對位裝置53動作，則係一面維持遮罩3和成膜對象物4之間的平 行狀態，一面使基板保持裝置52和遮罩保持裝置51之其中一方或者是雙方相對性地移動，而成為能夠變更遮罩3和成膜對象物4之間的相對位置。
攝像裝置55，係被與對位裝置53作連接，攝像裝置55所攝像了的攝像結果，係被輸出至對位裝置53。
藉由攝像裝置55，基板對位記號和遮罩對位記號係被觀察到，藉由對位裝置53，而根據攝像結果來求取出特定之相對性的位置和所攝像到的實際之相對性的位置之間之誤差，並以使該誤差減少的方式，來藉由對位裝置53而使遮罩3和成膜對象物4之間作相對性的移動，以進行對位。
當誤差變得較特定值更小而結束對位時，被設置在成膜對象物4處之特定出成膜對象物4上之位置的座標軸和被設置在遮罩3上之特定出遮罩3上之位置的座標軸，係除了遮罩3和成膜對象物4之間的距離方向之差異以外而被設為相互一致者。
在被配置於各成膜室22之內部的遮罩3處，係如同圖5(d)~圖8(d)之遮罩31~33、310中所示一般，於並不使粒子通過之板狀的遮蔽部15處，被形成有身為貫通孔之主開口171~173、1710和副開口161~163、1610之二種類的開口，被配置在各成膜室22內之成膜源20，係與其中一枚之遮罩31~33、310相對面。
若是將各遮罩31~33、310和主開口171~ 173、1710以及副開口161~163、1610分別以元件符號3、17、16來作代表，則在被與遮罩3進行了對位之成膜對象物4處，係藉由從一個的成膜源20所放出並且通過了主開口17之微粒子，而在與主開口17相對向之位置處被形成有薄膜，並藉由從相同的成膜源20所放出並且通過了副開口16之微粒子，而在與副開口16相對向之位置處被形成有薄膜。
若是將在各成膜室22之內部，將藉由通過了主開口17之微粒子所形成之薄膜稱作主薄膜，並將藉由通過了副開口16之微粒子所形成的薄膜稱作副薄膜，則在結束了對位的狀態下，主開口17，係藉由被與成膜對象物4進行了對位之遮罩3，而與被形成主薄膜之場所相對面，副開口16，係藉由該遮罩3，而與被形成副薄膜之場所相對面。
在對位結束之後，如圖2(c)中所示一般，成膜對象物4和遮罩3係相對性地近接移動，成膜對象物4和遮罩3係相接觸，或者是，成膜對象物4和遮罩3係有所分離地而相互接近，並在真空槽50內被作保持。
成膜室22之內部，當成膜對象物4被搬入時，係被設為真空氛圍，若是成膜對象物4和遮罩3之間的對位結束，則係從成膜源52而對於真空槽50之內部放出形成薄膜之材料的微小粒子，主薄膜和副薄膜，係被形成於所應形成的場所處。
另外，主薄膜，係身為構成藉由薄膜製造裝 置所製造的製品之一部分的薄膜，副薄膜，係如同後述一般，為被使用於膜厚測定中之薄膜。
若是將在一台的成膜室22之內部所形成的薄膜設為一層，則在一枚的成膜對象物4上，係藉由各成膜室22而一次一層地依序被形成薄膜。
圖5(a)、(c)、圖6(a)、(c)、圖7(a)、(c)、圖8(a)、(c)之元件符號71~73、710，係身為在最初之成膜室22~第3個的成膜室22和最後的成膜室22中所形成之主薄膜，圖5(a)、(b)、圖6(a)、(b)、圖7(a)、(b)、圖8(a)、(b)之元件符號61~63、610，係身為在最初之成膜室22~第3個的成膜室22和最後的成膜室22中所形成之副薄膜。
另外，在圖5(d)~圖8(d)之遮罩31~33、310中，副開口161~163、1610，係被配置在遮罩31~33、310之周緣部處，但是，副開口161~1610之形成位置，係並不被限定於此，副開口161~1610，係亦可被形成於相鄰之主開口171~1710之間的遮蔽部15處。例如，在圖12(b)中所示之遮罩310的副開口1610，係被配置在於上下方向而相鄰之主開口1710之間的遮蔽部15處，如圖12(a)中所示一般，藉由包含該遮罩310之各遮罩31~310的副開口161~1610所形成的副薄膜61~610，係被配置在被層積有藉由各遮罩31~310之主開口171~1710所形成的主薄膜71~710之層積膜的周圍處。
接著，在上述之薄膜製造裝置10a中，於各 成膜室22之內部，最初之主薄膜71，係與成膜對象物4之表面相接觸地而被形成，第2層以後之主薄膜72~710，係與緊接於前所形成之主薄膜71~79的表面相接觸地而被形成，故而，在複數之成膜室22的內部而一次一層地被形成之主薄膜71~710，係被作層積並構成層積膜8(圖8(c))。
除了最初的主薄膜71以外，第2層以後之第特定層的主薄膜，係亦能夠與成膜對象物4相接觸地而被形成，進而，在此種主薄膜上，係亦可被形成有藉由其他之成膜室22所形成的主薄膜並構成層積膜，此些情況係亦被包含在本發明中。
另一方面，副薄膜61~610，其之全部或者是一部分係與成膜對象物4相接觸地而被形成，若是將副薄膜61~610之中的與成膜對象物4相接觸地而被形成之部分稱作測定用薄膜，則在各成膜室22內所形成的測定用薄膜，係成為在成膜對象物4上而被形成於相異的場所處。
若是當將在各成膜室22中所使用的遮罩3，以使被設置在各遮罩3處之座標軸除了遮罩3之間的距離方向之差異以外均會成為相互一致的方式，來將遮罩3彼此相互重合時，使用各遮罩3來形成測定用薄膜，則一個的遮罩3之主開口17，係亦可使其之全部或者是一部分與其他的遮罩3之主開口17或在較該遮罩3更前面而被使用的遮罩3之副開口16相重合。在此例中，一枚的遮 罩3之主開口17，係成為使全體與其他的全部之遮罩3的主開口17相重合。
另一方面，一枚的遮罩3之副開口16中的形成測定用薄膜之部分，係並不會與其他之遮罩3的主開口17和副開口16相重合，故而，當以使被設置在遮罩3處之座標除了遮罩3之間的距離方向之差異以外均會成為相互一致的方式，來將各遮罩3彼此相互重合時，被配置在相異的成膜室22中之遮罩3中之一枚的遮罩3之副開口16的形成測定用薄膜之部分，係成為並不會與其他的遮罩3之副開口16或主開口17相重合。
故而，就算是在使用複數之成膜室22而層積了主薄膜71~710之後，副薄膜61~610之測定用薄膜的部分之表面亦係成為維持於露出的狀態。
另外，在圖8之例中，副薄膜61~610之全部均係被設為測定用薄膜。
若是將在各成膜室22中所形成的主薄膜71~710和副薄膜61~610以元件符號7、6來作代表，則在各成膜室22內，被形成了主薄膜7和副薄膜6之成膜對象物4，係通過第1移動室21而被移動至其他之成膜室22或者是第2移動室23處。於此，假設係為移動至第2移動室23處者。
參考圖3(a)，第2移動室23，係具備有真空槽40，在該真空槽40之外部，係被配置有橢圓偏光計30之測定裝置本體34。在第2移動室23之內部，係被配 置有橢圓偏光計30之送光部23和受光部33，以及基板配置部45。
送光部32，係構成為將被作了偏光的射出光朝向特定方向而射出，受光部33，係受光射入光，並將射入光之偏光狀態輸出至測定裝置本體34處。
被形成了主薄膜7和副薄膜6之成膜對象物4，係被搬入至第2移動室23之真空槽40內，並如同該圖(b)中所示一般，被配置在基板配置部45上。
在基板配置部45處，係被設置有移動裝置44，藉由移動裝置44之動作，被配置在基板配置部45上之成膜對象物4，係以會使送光部32所射出之被作了偏光的射出光照射在測定對象之副薄膜6處的方式而移動。
在成膜室22處所形成的薄膜中之至少尚未被進行膜厚測定之薄膜的測定用薄膜之部分，係使其表面露出，被作了偏光的射出光，若是被照射至測定用薄膜上並被反射，則係產生反射光。
受光部33，係被配置在起因於測定用薄膜之反射所產生了的反射光會射入的位置處，若是受光部33受光射入了的反射光，則反射光之偏光狀態係被輸出至測定裝置本體34處。
在測定裝置本體34處，係根據代表所輸入的偏光狀態之訊號，來求取出送光部32所射出了的被作了偏光的射出光、和受光部33所受光了的反射光，此兩者間之偏光狀態的變化，並依據所記憶了的算出程序，來求取出測 定用薄膜之膜厚。
在成膜對象物4之表面上，係被形成有在相異之成膜室22中所形成的複數之測定用薄膜，當在成膜對象物4上形成有該些測定用薄膜中之未測定之複數之測定用薄膜的情況時，係藉由移動裝置44來使基板配置裝置移動，並使送光部32所射出之被作了偏光的射出光射入至其他之未測定之測定用薄膜處，且藉由受光部33來受光反射光，以對於該測定用薄膜之膜厚進行測定。
如此這般，在各第2移動室23中，係能夠進行複數之未測定的測定用薄膜之膜厚測定，所求取出的膜厚之值，係被記憶在測定裝置本體34之記憶裝置中，並且被輸出至控制裝置37處。又，所求取出的膜厚值，係被顯示在與測定裝置本體34作了連接的顯示裝置處。
在測定裝置本體34處，係針對各成膜源20之每一者，而分別記憶有膜厚之值的基準範圍，所測定出的薄膜之膜厚的測定值，係被和與所測定的薄膜相對應之基準範圍作比較，當所測定出的膜厚並非落於基準範圍內時(測定值為較基準範圍之最小值而更小或者是較最大值而更大時)，係判斷為檢測出了膜厚之異常值，而對於存在有異常事態之發生一事發布警報，並使在形成了被判定為異常值之成膜室22中的成膜工程停止，並且，被形成了該異常值之薄膜的成膜對象物4，係以進行再生或者是廢棄的方式來與其他之成膜對象物4作區分。
當異常值之原因和產生了異常值之成膜對象 物4被除去之後，在成膜室22中之成膜工程係再度開始，在身為層積膜之製造途中的成膜對象物4處，層積膜係被完成。
當測定值為位置在基準範圍中時(測定值成為基準範圍之最小值以上最大值以下時)，係並不發布警報，並進行下一個工程。
於此，當所測定出的膜厚值為位置在基準範圍之中的情況時，係可進行像是針對藉由相同之成膜源20所形成的薄膜之在前一次乃至於複數次前所測定之膜厚值和此次所測定之膜厚值作比較，當所測定出之膜厚值為逐漸變大的情況時，係將該薄膜之成膜時間縮短，相反的，當膜厚值為逐漸變小的情況時，則係將該薄膜之成膜時間增長等的生產工程之管理。
〈層積膜之製造〉
針對藉由此薄膜製造裝置10a來形成層積膜的處理程序作說明。
在成膜室22和第1移動室21以及第2移動室23處，係分別被設置有真空排氣裝置。
各真空排氣裝置，係被與控制裝置37作連接，並藉由控制裝置37而開始動作，各室係被關閉並被進行真空排氣，各室內係預先被設為真空氛圍。
藉由控制裝置37，來藉由第1個的成膜單元11內之搬送裝置25而使被配置在前置處理裝置41處之成膜對象物4 移動，並搬入至第1個的成膜室22之內部。
圖4(a)，係對於該成膜對象物4之平面圖作展示，成膜對象物4之表面係露出。該圖之(b)，係為沿著A0-A0截斷線之截斷剖面圖，該圖之(c)，係為沿著B0-B0截斷線之截斷剖面圖。
在第1個的成膜室22中，進行成膜對象物4和遮罩3之間的對位，並從被配置在該成膜室22內之成膜源20放出微粒子，而在成膜對象物4之表面上形成被作了圖案化的薄膜，之後，在被與同樣之第1移動室21作了連接的其他之成膜室22中，藉由相同之處理程序而形成薄膜。與此相異的，亦可構成為：在1個的成膜單元11內，設置1台之成膜室22，若是第1層之薄膜被形成，則使在該成膜單元11處之成膜工程結束，並進行膜厚測定；又，亦可構成為：設置3室以上之成膜室22，並在各成膜室22處，於一枚之成膜對象物4上分別形成複數之薄膜，再於1室之第2移動室23中，進行該些之薄膜的膜厚測定。
於此，在第1個的成膜單元11處，係被設置有第1個和第2個的2室之成膜室22，若是在第1個和第2個的成膜室22中被形成薄膜，則成膜對象物4，係被搬入至第1個的成膜單元11之第2移動室23的內部，在第1個和第2個的成膜室22內所被形成之2層的副薄膜61、62之測定用薄膜之部分的膜厚係被測定出來。
圖3(b)，係對於當對第1層和第2層的副薄膜 61、62進行測定時之第2移動室23內作展示。但是，在該圖(b)中，第1層和第2層的主薄膜71、72係被省略。
於測定後，當並未被檢測出異常值的情況時，與該成膜單元11相鄰接並位置在下游側處之第2個的成膜單元11之搬送裝置25，係將被配置在上游側之第1個的第2移動室23內之成膜對象物4從該第2移動室23而搬出，並搬入至被與第2個的成膜單元11之第1移動室21作了連接的第3個的成膜室22內，而形成薄膜。
圖6(b)、圖7(b)、圖8(b)，係分別為沿著圖6(a)之A2-A2截斷線和圖7(a)之A3-A3截斷線和圖8(a)之A10-A10截斷線的截斷剖面圖，圖6(c)、圖7(c)、圖8(c)，係分別為沿著B2-B2截斷線、B3-B3截斷線、B10-B10截斷線之截斷剖面圖。
圖5(d)，係為被配置在第1個的成膜室22中之遮罩31，該圖之(a)，係對於藉由該遮罩31而在第1個的成膜室22中被形成了主薄膜71和副薄膜61之成膜對象物4的表面作展示。
在第1個的成膜室22中所被形成之薄膜，係與成膜對象物4相接觸地而被形成。
又，圖6(d)、圖7(d)，係為被配置在第2個的成膜室22和第3個的成膜室22中之遮罩32、33，圖6(a)、圖7(a)，係為藉由第2個和第3個的成膜室22之遮罩32、33而被形成了第2層和第3層之主薄膜 72、73和副薄膜62、63之成膜對象物4的表面。
如同根據圖5(d)、圖6(d)、圖7(d)而可得知一般，被配置在第1個~第3個的成膜室22中之遮罩31~33，若是將各遮罩31~33以使遮罩31~33上之座標軸除了遮罩間之距離方向的差異以外均會成為相互一致的方式來作重合，則各遮罩31~33之主開口171~173彼此，係被配置在相同的場所，副開口161~163彼此，係以相同之大小而分離有一定之間隔地被作配置。
故而，在第1個~第3個的成膜室22中所被形成之主薄膜71~73和副薄膜61~63中的主薄膜71~73，係被層積為3層，副薄膜61~63，係成為以一定之間隔而分離配置。
接著，若是在第4個的成膜室22中被形成薄膜，則成膜對象物4，係被搬入至第2個的成膜單元11之第2移動室23中，第3個和第4個的副薄膜63、64之測定用薄膜之部分的膜厚係被測定出來。
如此這般，複數之薄膜係分別在成膜室22中而被形成，若是最後之薄膜被形成，則係完成將複數之薄膜作了層積的層積膜8(圖8(c))。
圖8(d)中所記載之遮罩3，係為形成最後(於此係為第10個)的薄膜之遮罩310，如同圖8(a)~(c)中所示一般，主薄膜71~710之全部的層係被作層積，但是，於在全部的成膜室22中而依序被形成的薄膜處，係分別被設置有測定用薄膜，就算是當最後的薄膜被 作了形成之後，各測定用薄膜亦仍係分別使表面有所露出。
在最後的成膜單元11處，係被形成有最後之層的前一層之薄膜和最後之層的薄膜，被形成了最後的薄膜之成膜對象物4，係被移動至第2移動室23處，被作了偏光之射出光，係被照射至最後之薄膜的測定用薄膜和其之前一層之薄膜的測定用薄膜的其中一方處，在膜厚被測定出來之後，被作了偏光的射出光係被照射至另外一方處，而膜厚係被測定出來。
如此這般，在上述之薄膜製造裝置10a中，由於係成為不會在測定用薄膜上而形成其他層之薄膜，因此，當在一枚的成膜對象物4之上形成複數之薄膜時，於形成全部的薄膜之前，係能夠對於已形成了的複數之薄膜的膜厚進行測定。特別是，針對所期望之薄膜，係能夠於該薄膜之形成後，在形成其他薄膜之前，藉由橢圓偏光計30來對於薄膜之膜厚進行測定。
另外，在全部的薄膜之膜厚被作了測定之後，成膜對象物4，係從最後的成膜單元11之第2移動室23而被移動至進行後續工程之後續處理裝置42的內部。
在以上所作了說明的例子中，當在薄膜製造裝置10a內之複數之薄膜的形成結束時，藉由各成膜源20所形成了的測定用薄膜之表面係露出，而並未被形成有其他之薄膜。故而，就算是在從薄膜製造裝置10a內而作了搬出之後，亦能夠對於各薄膜之膜厚進行再測定。
另外，當檢測出了異常值時所發出的警報，係可藉由顯示在被與測定裝置本體34或其他之裝置作了連接的顯示裝置處一事，來進行之。又，係亦可從被設置在測定裝置本體34或其他之裝置處的揚聲器來以聲音而發出警報，或者是亦能夠使被設置在測定裝置本體34或其他之裝置處的燈泡進行點滅。
又，成膜源20，係可使用蒸發源、濺鍍靶材等，當成膜源20乃身為蒸發源時，被配置在成膜源20內之成膜物質係被加熱並蒸發或昇華，由蒸氣或昇華物而成之微粒子係被放出至成膜室22內。
當成膜源20乃身為濺鍍靶材時，在成膜室22內係被導入有濺鍍氣體，在成膜源20上係產生有濺鍍氣體之電漿，成膜源20係被濺鍍，由濺鍍粒子所成之微粒子係從成膜源20而放出至成膜室22內。
又，能夠使用於本發明中之成膜源20，係並不被限定於蒸發源或濺鍍靶材，除此之外，只要是能夠放出成膜物質之微粒子的成膜源20，便可配置在成膜室22內，於此種成膜源20的情況時，亦同樣的，遮罩3，係被配置在與成膜源20相對面的位置處。
在上述薄膜製造裝置10a中，送光部32和受光部33雖係被配置在第2移動室23中，但是，在圖9所示之本發明之第2例的薄膜製造裝置10b中，送光部32和受光部33，係並非被配置在第2移動室23中，而是被配置在第1移動室21之內部。第2薄膜製造裝置10b之 其他構成，係與第1薄膜製造裝置10a相同。
在第1薄膜製造裝置10a中，係在從第1移動室21而移動至第2移動室23中之後，再進行膜厚測定，但是，在第2薄膜製造裝置10b中，若是於正要從第1移動室21而移動至第2移動室23中之前而進行膜厚測定，則係能夠以與當藉由第1薄膜製造裝置10a來進行薄膜形成和膜厚測定的情況時相同之處理程序，來藉由第2薄膜製造裝置10b而進行薄膜形成和膜厚測定。
也就是說，送光部32和受光部33，只要並非為在成膜室22之內部，而是在被配置於至少二台的成膜室22之間之移動室中即可，不論是在第1移動室21中設置送光部32和受光部33之情況或者是在第2移動室23中設置送光部32和受光部33之情況的何種之情況，均係被包含在本發明中。
另外，在圖3(a)之第2移動室23中，雖然送光部32和受光部33係被配置在真空氛圍中，而橢圓偏光計30之測定裝置本體34係被配置在真空槽40之外部，但是，本發明，若是如同圖11中所示一般之將送光部32和受光部33以及測定裝置本體配置於真空槽40之內部而分別被置於真空氛圍中的第2移動室24，則亦可使用在本發明中。
又，更進而，與此相反的，若是將送光部32和受光部33以及測定裝置本體34配置於真空槽40之外部並將橢圓偏光計30放置在大氣中的情況時之移動室，則亦可 使用在本發明中。
又，若是使用被構成為不會在與成膜對象物相接觸地而形成之測定用薄膜之表面上形成其他薄膜的圖案之各遮罩3，並藉由各遮罩3來在一枚的成膜對象物上預先形成分別使表面作了露出的測定用薄膜，則在藉由各遮罩3而形成了主薄膜和副薄膜之後，係可對於各副薄膜之測定薄膜部分的膜厚值進行測定。進而，就算是在將成膜對象物搬出至大氣中之後，亦能夠對於各測定用薄膜之膜厚進行測定。
又，由於係針對以相異之物質或相異之形成條件所形成的主薄膜之每一者，而在一枚之成膜對象物上將所對應之測定用薄膜以會使表面露出的方式來形成，因此，係並不需要針對各主薄膜之每一者而分別使用膜厚測定用之基板，在形成將各主薄膜作層積所成之層積膜時，係能夠使為了求取出各主薄膜之適當的形成條件所需要的時間成為更短的時間。
又，在形成了主薄膜之後，由於係立即地求取出膜厚值，因此，係能夠對於在膜厚值之測定後再開始製造之主薄膜的形成條件作變更，又，由於只要構成為在各測定用薄膜之表面上不會被形成其他的薄膜，則就算是在主薄膜之形成結束並被搬出至大氣中之後，亦能夠對於各測定用薄膜之膜厚值進行測定，因此，係亦能夠為了對於真空中之測定作更完整的補足而在搬出至大氣中之後對於膜厚值進行測定。
係可針對在真空中並未對膜厚值進行測定的測定用薄膜，而在搬出至大氣中之後再進行膜厚值之測定，亦可針對在真空中已對於膜厚值作了測定的測定用薄膜，而在搬出至大氣中之後再度進行膜厚值之測定。
如此這般，由於就算是當在大氣中而進行膜厚值之測定的情況時，於測定之後也不需要將成膜對象物送回至真空氛圍中並進行成膜，因此係不會有在薄膜形成作業中而需要耗費長時間的情形。又，在將成膜對象物搬出至大氣中之後，由於係只要在有必要時才對於測定用薄膜之膜厚進行測定，因此，係成為並不需要進行非必要的測定。
又，當使藉由各遮罩所形成之測定用薄膜之表面作了露出的情況時，由於係能夠在將成膜對象物搬出至大氣中之前，在真空氛圍中對於測定用薄膜之膜厚進行測定，因此，係能夠採用像是在真空氛圍中對於少數之測定點進行測定並在搬出至大氣中之後對於多數之測定點進行測定等之構成，而能夠並不使成膜工程中之測定時間增長地便將測定精確度提高。

Claims (16)

  1. 一種薄膜製造裝置，其特徵為，係具備有：第1成膜源，係放出身為第1成膜物質之微粒子的第1微粒子；和第2成膜源，係放出身為第2成膜物質之微粒子的第2微粒子；和第1、第2成膜室，係分別被配置有前述第1、第2成膜源；和第1遮罩，係被形成有第1主開口，並被配置在前述第1成膜室中；和第2遮罩，係被形成有第2主開口，並被配置在前述第2成膜室中；和橢圓偏光計，係具有射出身為偏光的射出光之送光部、和受光射入光之受光部，在前述第1成膜室中，成膜對象物和前述第1遮罩係相互對向，藉由通過了前述第1主開口之前述第1微粒子，在前述成膜對象物上係被形成有第1主薄膜，在前述第2成膜室中，成膜對象物和前述第2遮罩係相互對向，藉由通過了前述第2主開口之前述第2微粒子，在前述成膜對象物上係被形成有第2主薄膜，在前述第1遮罩處，於與前述第1主開口相異之場所處係被形成有第1副開口，在前述第2遮罩處，於與前述第2主開口相異之場所處係被形成有第2副開口， 係構成為：當在前述第1成膜室處形成薄膜時，係藉由通過了前述第1副開口之第1微粒子而形成與前述成膜對象物之表面作了接觸的第1測定用薄膜，當在前述第2成膜室處形成薄膜時，係藉由通過了前述第2副開口之第2微粒子而形成與前述成膜對象物之表面作了接觸的第2測定用薄膜，進而，係設置有使被形成有前述第1主薄膜和前述第1測定用薄膜並且從前述第1成膜室所搬出的前述成膜對象物被作配置之移動室，前述送光部和前述受光部，係被配置在前述移動室內，前述第1、第2成膜室和前述移動室係分別被與真空排氣裝置作連接，在使前述移動室之內部被作了真空排氣的狀態下而被配置在前述移動室內之前述成膜對象物的前述第1測定用薄膜之表面係露出，前述射出光係被照射至前述第1測定用薄膜之露出了的表面上，反射光係射入至前述受光部中，前述第1測定用薄膜之膜厚值係被測定出來。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之薄膜製造裝置，其中，在測定了前述第1測定用薄膜之膜厚值後，前述第2主薄膜和前述第2測定用薄膜係被形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之薄膜製造裝置，其中，前述第1、第2成膜室和前述移動室，係以使被形成了前述第1主薄膜和前述第1測定用薄膜並且被從前述 第1成膜室而搬出了的前述成膜對象物，會在前述移動室內而使前述射出光被照射至前述第1測定用薄膜上，之後被搬入至前述第2成膜室內，並被形成前述第2主薄膜和前述第2測定用薄膜的方式，而被作配置。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之薄膜製造裝置，其中，在被形成了前述第1、第2主薄膜和前述第1、第2測定用薄膜之後，前述第1測定用薄膜之膜厚值係被測定出來。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中之任一項所記載之薄膜製造裝置，其中，前述射出光係被照射至被配置在前述移動室內之前述成膜對象物的前述第2測定用薄膜處，反射光係射入前述受光部處，前述第2測定用薄膜之膜厚值係被測定出來。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中之任一項所記載之薄膜製造裝置，其中，前述第1、第2主薄膜，係被形成於前述成膜對象物之表面之相同的場所上。
  7. 如申請專利範圍第1~4項中之任一項所記載之薄膜製造裝置，其中，係具備有：第3成膜源，係放出身為第3成膜物質之微粒子的第3微粒子；和第3成膜室，係被配置有前述第3成膜源；和第3遮罩，係被形成有第3主開口和第3副開口，並被配置在前述第3成膜室中，在前述第3成膜室中，前述成膜對象物和前述第3遮 罩係相互對向，藉由通過了前述第3主開口之前述第3微粒子、和通過了前述第3副開口之前述第3微粒子，在被形成有前述第1、第2主薄膜和前述第1、第2測定用薄膜，並且前述第1、第2測定用薄膜之表面係露出的前述成膜對象物上，係被形成有第3主薄膜和第3測定用薄膜，前述第3測定用薄膜，係與前述成膜對象物相接觸地而被形成，在被形成了前述第3主薄膜和前述第3測定用薄膜之後，前述第1、第2測定用薄膜之表面係仍維持於露出的狀態。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之薄膜製造裝置，其中，在前述第1、第2測定用薄膜之膜厚值被測定出來之後，前述第3主薄膜和前述第3測定用薄膜係被形成。
  9. 如申請專利範圍第7項所記載之薄膜製造裝置，其中，前述第1、第2、第3主薄膜，係被形成於前述成膜對象物之表面之相同的場所上。
  10. 一種薄膜製造方法，其特徵為：係使用有遮罩組，該遮罩組，係構成為：係由複數之遮罩所成，前述複數之遮罩，係分別具備有使成膜物質之微粒子通過之主開口、和遮蔽前述微粒子之遮蔽部，並與成膜對象物相對面，而使通過了前述主開口之前述微粒子到達前述成膜對象物，並在前述成膜對象物之表面上分別形成主薄膜， 複數之前述各遮罩，係分別具備有副開口，在與任意一枚之前述遮罩之前述副開口相對面的前述成膜對象物之位置處，其他之前述遮罩的遮蔽部係相對面，藉由通過了前述副開口之前述微粒子，在前述成膜對象物上，係於各前述遮罩之每一者處與前述主薄膜一同地藉由相同之形成條件而形成與前述成膜對象物作了接觸的測定用薄膜，該薄膜製造方法，係使用前述遮罩組，而在各前述遮罩處使前述成膜對象物一次一枚地作對面，並藉由各前述遮罩來在前述成膜對象物上將前述主薄膜分別在真空氛圍中形成，藉由各前述遮罩之前述副開口所形成的前述測定用薄膜，係與前述成膜對象物相接觸地而形成，將橢圓偏光計之射出身為偏光的射出光之送光部和受光射入光之受光部，放置在前述真空氛圍中，並朝向藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜中之藉由至少一枚之前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜射出前述射出光，再使於被照射了前述射出光之前述測定用薄膜處所反射了的反射光射入至前述受光部中，而根據射入了的前述反射光之偏光狀態，來測定被照射了前述射出光之前述測定用薄膜之膜厚，並求取出前述主薄膜之膜厚值。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之薄膜製造方法，其中，係將所測定出的前述膜厚值與基準範圍作比較，當比較結果係代表前述膜厚值為落於前述基準範圍外 的情況時，係以使前述膜厚值會落入前述基準範圍內的方式，來對於形成前述被測定膜厚值之前述測定用薄膜和與前述測定用薄膜一同形成之前述主薄膜的形成條件作變更。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載之薄膜製造方法，其中，係在與相同之前述遮罩一次一枚地相對面之複數之前述成膜對象物中的第1成膜對象物處，使一個的前述遮罩相對面並形成前述主薄膜和前述測定用薄膜，再對於膜厚作測定而得到前述比較結果，之後，使相同之前述遮罩與第2成膜對象物相對面，並形成前述主薄膜和前述測定用薄膜，當前述第1成膜對象物之前述比較結果係代表所測定出的前述膜厚值為落於前述基準範圍外的情況時，於在前述第2成膜對象物上形成前述主薄膜和前述測定用薄膜之前，對於前述形成條件作變更。
  13. 如申請專利範圍第10~12項中之任一項所記載之薄膜製造方法，其中，前述成膜對象物，在藉由最初所相對面之前述遮罩而被形成了前述主薄膜和前述測定用薄膜之後，於直到藉由最後所相對面之前述遮罩而形成前述主薄膜和前述測定用薄膜為止的期間中，係在被放置於真空氛圍中之後，被搬出至大氣中，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜中，所期 望之前述測定用薄膜之前述膜厚值，係於搬出至大氣中之前，在前述真空氛圍中進行測定。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之薄膜製造方法，其中，在搬出至大氣中之後，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜亦係使表面露出，藉由各前述遮罩所形成並在前述真空氛圍中而對於前述膜厚值作了測定的前述測定用薄膜中之所期望的前述測定用薄膜之前述膜厚值，係於將前述成膜對象物搬出至大氣中之後，再進行測定。
  15. 如申請專利範圍第10~12項中之任一項所記載之薄膜製造方法，其中，前述成膜對象物，在藉由最初所相對面之前述遮罩而被形成了前述主薄膜和前述測定用薄膜之後，於直到藉由最後所相對面之前述遮罩而形成前述主薄膜和前述測定用薄膜為止的期間中，係在被放置於真空氛圍中之後，被搬出至大氣中，在搬出至大氣中之後，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜亦係使表面露出，藉由各前述遮罩所形成了的前述測定用薄膜中之所期望的前述測定用薄膜之前述膜厚值，係於將前述成膜對象物搬出至大氣中之後，再進行測定。
  16. 如申請專利範圍第10~12項中之任一項所記載之薄膜製造方法，其中，係使藉由至少2枚以上之前述遮 罩所形成的前述主薄膜作層積，而製造層積膜。
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