TWI652266B - 經取代咪唑並吡啶基胺基吡啶化合物之鹽類和多晶型 - Google Patents

經取代咪唑並吡啶基胺基吡啶化合物之鹽類和多晶型 Download PDF

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Abstract

本申請案係關於化合物A(3-(3-(4-(1-胺基環丁基)苯基)-5-苯基-3H-咪唑並[4,5-b]吡啶-2-基)吡啶-2-胺)之鹽、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的非晶形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的結晶形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的多晶型、及化合物A游離鹼或化合物A之鹽的介晶型(mesomorph)。本申請案亦關於包含化合物A游離鹼或化合物A之鹽的該等鹽、固態形式、非晶形式、結晶形式、多晶型、或介晶型之藥學組成物。本申請案提供用於製備化合物A游離鹼或化合物A之鹽的該等鹽、固態形式、非晶形式、結晶形式、多晶型、或介晶型之方法。

Description

經取代咪唑並吡啶基胺基吡啶化合物之鹽類和多晶型 相關申請案
此申請案主張2014年4月22日申請之U.S.S.N.61/982,692之優先權及權益，該案內容係以全文引用方式併入本文中。
本發明係關於化合物A(3-(3-(4-(1-胺基環丁基)苯基)-5-苯基-3H-咪唑並[4,5-b]吡啶-2-基)吡啶-2-胺)之鹽、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的非晶形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的結晶形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的多晶型、及化合物A游離鹼或化合物A之鹽的介晶型(mesomorph)。
在美國，癌症為僅次於心臟病之第二大死因(Cancer Facts and Figures 2004,American Cancer Society,Inc.)。 儘管若早期發現癌症時近來在癌症診斷及治療、手術及放射治療方面之進步有療效，但當前用於轉移性疾病的藥物治療大部分為姑息性且鮮少提供長期治癒。即使採用上市之新化學治療，持續需要能有效用於單一藥物治療(monotherapy)或與作為第一線治療之現有藥劑併用，以及作為抗藥性腫瘤(resistant tumor)之治療的第二及第三線治療的新藥物。
癌症細胞的定義為異質性。例如，在單一組織或細胞類型內，多點突變「機制」會導致癌症發生。就此而言，異質性經常存在於從相同組織之腫瘤及源自不同個體之相同類型的腫瘤取得之癌症細胞之間。經常伴隨某些癌症觀察到之突變「機制」在不同組織類型之間彼此各異(例如，經常觀察到之導致結腸癌的突變「機制」會與經常觀察到之導致白血病的「機制」不同)。因此，經常難以預測特定癌症是否會對特定化學治療劑有反應(Cancer Medicine，第5版，Bast等編，B.C.Decker Inc.，安大略漢密爾頓)。
當調節正常細胞之生長及分化的細胞訊息傳導路徑之組分錯調(dysregulated)時，會導致細胞增生失調及癌症發生。細胞傳訊蛋白質中之突變會造成此等蛋白質在細胞週期期間以不適當水準或在不適當時間表現或活化，其繼而會導致不受控之細胞生長或細胞與細胞附連性質改變。例如，因突變、基因重排、基因擴增、及受體和配位體二者過度表現造成之受體酪胺酸激酶的錯調已牽涉人類癌症之發生及進展。
AKT蛋白質族(其成員亦稱為蛋白質激酶B(PKB))在哺乳動物細胞傳訊中扮演重要角色。人體中有三種在AKT族之基因：Akt1、Akt2、及Akt3。該等基因為是絲胺酸/蘇胺酸特定蛋白質激酶族之成員的酶編碼。Akt1係藉由抑制細胞凋亡程序而涉及細胞存活路徑。Akt1亦可誘發蛋白質合成路徑，及因此為在導致骨骼肌肥大及一般組織生長之細胞路徑中的關鍵傳訊蛋白質。Akt2為胰島素傳訊路徑中之重要傳訊分子，且需要以誘發葡萄糖運輸。Akt3之角色較不明確，惟其似乎定期表現於腦中。
AKT族藉由結合及調節許多下游作用器(例如核因子-κB、Bcl-2族蛋白質及鼠雙微體2(murine double minute 2)(MDM2))而調節細胞存活及代謝。Akt1已知在細胞週期中發揮作用。再者，經活化Akt1可使遭受可能之致突變影響的細胞增生及存活，及因此，會促使獲得其他基因中之突變。Akt1亦牽涉血管生成及腫瘤發生。破究顯示缺乏Akt1增強與皮膚及血管中之基質異常關聯的病理性血管生成及腫瘤生長。由於Akt1會阻礙細胞凋亡，從而促進細胞存活，故為許多類型癌症的主要因子。
因此，需要用於調控AKT基因及治療增生失調(包括癌症)之新化合物及方法。鑑別該等化合物之游離鹼及鹽、及具有最佳物理及化學性質的該等化合物之游離鹼及鹽的固態形式(諸如非晶形式、結晶形式及介晶形式)將促進該等化合物作為藥品的發展。此種物理與化學性質之最有用者包括：容易且可再現地製備、結晶性、不吸濕性、 水性溶解性、對可見光與紫外線之安定性、在溫度與濕度之加速安定性條件下變質之低速率、在同質異構形式間之同質異構化的低速率，以及對人類長期投與的安全性。本申請案針對該等需求。
本申請案至少部分關於經取代經取代咪唑並吡啶基胺基吡啶化合物(化合物A)之固態形式：
3-(3-(4-(1-胺基環丁基)苯基)-5-苯基-3H-咪唑並[4,5-b]吡啶-2-基)吡啶-2-胺。
本申請案亦至少部分關於化合物A之鹽。
本申請案亦至少部分關於化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式。
在一實施態樣中，該化合物之鹽為單鹽、雙鹽、或三鹽。
在一實施態樣中，本申請案關於化合物A之HCl鹽。在一實施態樣中，該化合物A之HCl鹽為單HCl鹽、雙HCl鹽、或三HCl鹽。在一實施態樣中，該化合物A之HCl鹽為三HCl鹽。
在一實施態樣中，本申請案關於化合物A之甲磺酸鹽(mesylate)(即，甲磺酸鹽(methane sulfonic acid salt))。在 一實施態樣中，該化合物A之甲磺酸鹽為單HCl鹽、雙HCl鹽、或三HCl鹽。在一實施態樣中，該化合物A之甲磺酸鹽為雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，該固態形式為非晶形式。在其他實施態樣中，該固態形式為結晶形式。在其他實施態樣中，該固態形式為介晶形式。在另一實施態樣中，該固態形式為非溶劑合的。在另一實施態樣中，該固態形式為溶劑合物。
在另一實施態樣中，該化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固體呈多重多晶形式。
在一實施態樣中，該化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式為安定的固態形式。在一實施態樣中，該化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式為安定的非晶形式。在其他實施態樣中，該化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式為安定的結晶形式。在其他實施態樣中，該化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式為安定的多晶型。在一實施態樣中，該化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式為安定的介晶型。
在一實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為非溶劑合的。在其他實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為溶劑合物。在一實施態樣中，化合物A鹽之多晶型為非溶劑合的。在其他實施態樣中，化合物A鹽之多晶型為溶劑合物。
本申請案亦至少部分關於化合物A游離鹼之多晶型。 在一實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式1。在一些實施態樣中，形式1在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約22.0及25.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式1在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.3、17.1、22.0、及25.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式1在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.3、9.5、12.9、14.1、15.2、16.6、17.1、19.2、19.4、19.6、21.2、22.0、22.4及25.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式1為溶劑合物。在其他實施態樣中，形式1為二氯甲烷(DCM)或甲基乙基酮(MEK)溶劑合物。在其他實施態樣中，形式1為DCM半溶劑合物或MEK半溶劑合物。
在其他實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式2。在一些實施態樣中，形式2在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約18.4及19.3° 2θ。在一些實施態樣中，形式2在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15.8、18.4、19.3、及20.1° 2θ。在一些實施態樣中，形式2在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.3、8.8、11.6、13.3、15.8、18.4、19.3、20.1、20.9、21.4、23.2、25.9及26.6° 2θ。在一些實施態樣中，形式2為非溶劑合的。
在其他實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式3。在一些實施態樣中，形式3在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15.1及23.4° 2θ。在一些實施態 樣中，形式3在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15.1、18.8、21.0、及23.4° 2θ。在一些實施態樣中，形式3在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.4、7.6、8.4、11.7、15.1、16.7、18.8、21.0、及23.4° 2θ。在一些實施態樣中，形式3為非溶劑合的。
在其他實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式4。在一些實施態樣中，形式4在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17及23° 2θ。在一些實施態樣中，形式4在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15、17、23、及26° 2θ。在一些實施態樣中，形式4在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8、14、15、17、22、23、及26° 2θ。在一些實施態樣中，形式4為溶劑合物。在其他實施態樣中，形式4為四氫呋喃(THF)溶劑合物。在其他實施態樣中，形式4為THF半溶劑合物。
本申請案亦至少部分關於化合物A甲磺酸鹽之多晶型。在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式A。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.4及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.4、15.5、18.8、及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.1、7.8、9.4、10.1、12.1、15.5、16.2、18.8、19.9、21.1、23.0、25.1及27.4° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式B。在一些實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2及14.3° 2θ。在一些實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、6.6、14.3、及15.3° 2θ。在一些實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、6.6、11.3、14.3、15.3、22.8、及26.9° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式C。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約20.3及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.6、18.4、19.3、19.7及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、8.9、9.8、10.1、13.7、18.4、19.3、19.7、22.8、及26.8° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式D。在一些實施態樣中，形式D在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.5及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式D在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.9、11.5、14.5、20.3、及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式D在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.4、5.9、11.5、14.5、17.9、20.3、23.0、23.6、24.0、26.2、27.8、及28.9° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式E。在一些實施態樣中，形式E在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約20.9及21.9° 2θ。在一些實施態樣中，形式E在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約13.7、20.6、20.9、21.9、及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式E在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.9、11.3、13.7、16.5、19.3、20.6、20.9、21.9、23.0、23.8、及26.2° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式F。在一些實施態樣中，形式F在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約16.7及17.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式F在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約16.7、17.0、19.5、20.3、及24.4° 2θ。在一些實施態樣中，形式F在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.8、7.2、15.6、16.7、17.0、19.5、20.3、21.7、24.0、及24.4° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式G。在一些實施態樣中，形式G在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8及22.1° 2θ。在一些實施態樣中，形式G在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8、14.9、16.3、22.1、及23.7° 2θ。在一些實施態樣中，形式G在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8、10.8、14.9、16.3、17.7、22.1、23.1、23.7、24.5、及26.5° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式H。在一些實施態樣中，形式H在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約10.9及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式H在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.1、10.9、12.4、15.9、及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式H在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.1、10.1、10.9、12.4、15.7、15.9、16.4、20.4、20.8、及22.8° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式I。在一些實施態樣中，形式I在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2及10.5° 2θ。在一些實施態樣中，形式I在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2、6.2、10.5、20.2、及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式I在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2、6.2、10.5、11.1、13.6、20.2、22.0、22.3、23.0、及23.8° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式J。在一些實施態樣中，形式J在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.0及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式J在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.6、17.0、21.9、22.8、及24.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式J在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.6、17.0、19.7、20.4、21.9、22.8、24.8、25.3、26.7、及27.7° 2θ。
在其他實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式K。在一些實施態樣中，形式K在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.2及10.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式K在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.2、10.0、15.7、20.0、及23.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式K在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.1、9.2、10.0、15.7、17.5、19.3、20.0、21.5、23.2、及23.8° 2θ。
本申請案亦至少部分關於包含化合物A及及藥學上可接受之稀釋劑、賦形劑或載體的藥學組成物。本申請案亦至少部分關於包含化合物A游離鹼或化合物A之鹽及藥學上可接受之稀釋劑、賦形劑或載體的藥學組成物。在一實施態樣中，該鹽為HCl鹽或甲磺酸鹽。
本申請案亦至少部分關於包含化合物A游離鹼之安定固態形式及藥學上可接受之稀釋劑、賦形劑或載體的藥學組成物。本申請案亦至少部分關於包含化合物A之鹽的安定固態形式及藥學上可接受之稀釋劑、賦形劑或載體的藥學組成物。在一實施態樣中，該固態形式為非晶形式。在其他實施態樣中，該固態形式為結晶形式。在其他實施態樣中，該固態形式為介晶形式。在另一實施態樣中，該固態形式為非溶劑合的。在另一實施態樣中，該固態形式為溶劑合物。
本申請案亦至少部分關於化合物A游離鹼或化合物A之鹽的結晶形式、及藥學上可接受之稀釋劑、賦形劑或載 體的藥學組成物。本申請案亦至少部分關於化合物A游離鹼或化合物A之鹽的多晶型、及藥學上可接受之稀釋劑、賦形劑或載體的藥學組成物。在一實施態樣中，該多晶型為形式1、2、3、或4、或形式A、B、C、D、E、F、G、H、I、J或K。
本申請案亦至少部分關於製備化合物A之鹽、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的非晶形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的多晶型、或化合物A游離鹼或化合物A之鹽的介晶型之方法。
本申請案至少部分關於製備化合物A游離鹼之多晶型的方法，包括：將化合物A游離鹼溶解於溶劑中以形成溶液；及從該溶液分離出化合物A。在一實施態樣中，該方法進一步包括在化合物A溶解期間加熱該溶液。在一實施態樣中，該方法進一步包括在化合物A溶解期間攪拌該溶液。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該溶液以促進從該溶液分離出化合物A。在一實施態樣中，該方法進一步包括蒸發該溶液以促進從該溶液分離出化合物A。在一實施態樣中，該方法進一步包括在從該溶液分離出化合物A之前將化合物A晶種多晶型添加至該溶液。
本申請案至少部分關於製備化合物A之鹽的多晶型之方法，包括：將化合物A游離鹼溶解於第一溶劑中以形成第一溶液；混合酸與該第一溶液。在一實施態樣中，在該酸係與該第一溶液混合之前，將該酸溶解於第二溶劑以形 成第二溶液。在一實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係相同；在其他實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係不同。在一實施態樣中，該混合包括將該酸或該第二溶液添加至該第一溶液；在其他實施態樣中，該混合包括將該第一溶液添加至該酸或該第二溶液。在一實施態樣中，該混合形成第三溶液。在一實施態樣中，該混合形成第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括加溫該第一溶液。在一實施態樣中，該方法進一步包括加溫該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之後攪拌該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括蒸發該第三溶液。在一實施態樣中，該方法進一步包括將晶種多晶型添加至該第三溶液以形成第二漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第二漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第二漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之後攪拌該第二漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括過濾該第三溶液、該第一漿體、或該第二漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括乾燥該第三溶液、該第一漿體、或該第二漿體。
本申請案亦至少部分關於製備化合物A之鹽的多晶型之方法，包括：將化合物A游離鹼溶解於第一溶劑中以形成化合物A漿體；添加酸至該化合物A漿體。在一實施 態樣中，在該酸添加至該化合物A漿體之前，將該酸溶解於第二溶劑中以形成第二溶液。在一實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係相同；在其他實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係不同。在一實施態樣中，將該酸或該第二溶液添加至該化合物A漿體形成第三溶液。在一實施態樣中，將該酸或該第二溶液添加至該化合物A漿體形成第一溶液。在一實施態樣中，該方法進一步包括，加溫該化合物A漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括加溫該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之後攪拌該第三溶液或該第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括蒸發該第三溶液。在一實施態樣中，該方法進一步包括將第三溶劑添加至該第三溶液以形成第二漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括將晶種多晶型添加至該第三溶液以形成第三漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第二漿體或該第三漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第二漿體或該第三漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之後攪拌該第二漿體或該第三漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括過濾該第三溶液、該第一漿體、該第二漿體、或該第三漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括乾燥該第三溶液、該第一漿體、該第二漿體、或該第三漿體。
除非另外界定，否則本文所使用之所有技術及科學術語具有與熟悉本申請案所屬技術的人士一般暸解之相同意義。在本說明書中，除非另外清楚描述，否則單數形亦包括複數形。雖然可將本文所述之方法及材料相似或等效者用於本申請案之實施或試驗，但以下描述適用之方法及材料。本文所提及之所有出版品、專利申請案及其他參考資料係以引用方式併入。本文所引用之參考資料不被承認為先前技術。在互相矛盾情況下，以本說明書(包括定義)為主。此外，該等材料、方法及實例僅為舉例說明，且不希望其具有限制性。
本申請案之其他特徵及優點將由以下詳細描述及申請專利範圍明暸。
圖1：化合物A游離鹼之晶體的影像
圖2：化合物A游離鹼之多晶型形式1的XRPD
圖3：化合物A游離鹼之形式1、2及3的XRPD
圖4：化合物A游離鹼之形式1的XRPD。(A)在40℃與75% RH貯存一週之前及之後的化合物A游離鹼之形式1的XRPD比較；(B)在25℃與96% RH貯存一週之前及之後的化合物A游離鹼之形式1的XRPD比較；(C)在GVS之前及之後的化合物A游離鹼之形式1的XRPD比較
圖5：化合物A游離鹼之形式1的GVS等溫線
圖6：化合物A游離鹼之形式1的HPLC
圖7：化合物A游離鹼之1H NMR。(A)形式1 DCM溶劑合物，(B)形式2，及(C)形式1 MEK溶劑合物
圖8：化合物A游離鹼之形式1的DSC及TGA溫度記錄圖
圖9：化合物A游離鹼半THF溶劑合物之結構表現
圖10：化合物A游離鹼半THF溶劑合物之晶體的影像
圖11：化合物A游離鹼半THF溶劑合物之結合氫的二聚物
圖12：化合物A游離鹼半THF溶劑合物之二聚物的結合氫之鏈
圖13：俯視b-晶軸時在單位晶胞內之化合物A游離鹼半THF溶劑合物的堆砌
圖14：化合物A游離鹼半THF溶劑合物之模擬
圖15：化合物A HCl鹽之晶體的影像
圖16：化合物A HCl鹽之XRPD
圖17：化合物A單HCl鹽之多晶型的XRPD(A)及雙HCl鹽之多晶型的XRPD(B)
圖18：化合物A HCl鹽之GVS等溫線
圖19：化合物A HCl鹽之HPLC
圖20：化合物A HCl鹽於乾燥前之1H NMR(A)及乾燥後之1H NMR(B)。
圖21：化合物A HCl鹽之DSC及TGA溫度記錄圖
圖22：化合物A三HCl鹽於貯存後之XRPD
圖23：化合物A甲磺酸鹽之晶體的影像
圖24：化合物A甲磺酸鹽之XRPD
圖25：化合物A甲磺酸鹽之XRPD。(A)在40℃及75% RH貯存之前及之後(上三條曲線顯示貯存後之XRPD；中間三條曲線顯示貯存前之XRPD；及底部曲線顯示化合物A游離鹼之XRPD)，(B)GVS之前及GVS之後(底部曲線顯示GVS之前的XRPD)，及(C)於40℃及75% RH貯存之前及之後(底部曲線顯示貯存前之XRPD)
圖26：化合物A甲磺酸鹽之GVS。(A)動力學線圖，(B)等溫線線圖。
圖27：化合物A甲磺酸鹽之HPLC
圖28：化合物A甲磺酸鹽之1H NMR
圖29：化合物A甲磺酸鹽之DSC及TGA溫度記錄圖
圖30：冷凍乾燥化合物A雙甲磺酸鹽之XRPD
圖31：冷凍乾燥化合物A雙甲磺酸鹽之1H NMR
圖32：化合物A甲磺酸鹽之形式A的XRPD
圖33：化合物A甲磺酸鹽之形式A的1H NMR
圖34：化合物A甲磺酸鹽之形式A的DSC
圖35：化合物A甲磺酸鹽之形式A的TGA
圖36：化合物A甲磺酸鹽之形式A的IR
圖37：化合物A甲磺酸鹽之形式B的XRPD
圖38：化合物A甲磺酸鹽之形式B的1H NMR
圖39：化合物A甲磺酸鹽之形式B的DSC
圖40：化合物A甲磺酸鹽之形式B的TGA
圖41：化合物A甲磺酸鹽之形式B的IR
圖42：化合物A甲磺酸鹽之形式C的XRPD
圖43：化合物A甲磺酸鹽之形式C的1H NMR
圖44：化合物A甲磺酸鹽之形式C的DSC
圖45：化合物A甲磺酸鹽之形式C的TGA
圖46：化合物A甲磺酸鹽之形式C的IR
圖47：化合物A甲磺酸鹽之形式A的DSC(A)及形式B的DSC(B)，及形式A及形式B之DSC的疊合圖(C)
圖48：化合物A甲磺酸鹽之形式B在加熱之前及之後的XRPD
圖49：化合物A HCl鹽之XRPD
圖50：化合物A硫酸鹽之XRPD
圖51：化合物A甲磺酸鹽之XRPD
圖52：化合物A順丁烯二酸鹽之XRPD
圖53：化合物A磷酸鹽之XRPD
圖54：化合物A L-麩胺酸鹽之XRPD
圖55：化合物A L-酒石酸鹽之XRPD
圖56：化合物A黏酸鹽之XRPD
圖57：化合物A檸檬酸鹽之XRPD
圖58：化合物A D-葡萄糖醛酸鹽之XRPD
圖59：化合物A馬尿酸鹽之XRPD
圖60：化合物A D-葡萄糖酸鹽之XRPD
圖61：化合物A L-乳酸鹽之XRPD
圖62：化合物A L-抗壞血酸鹽之XRPD
圖63：化合物A丁二酸鹽之XRPD
圖64：化合物A乙酸鹽之XRPD
圖65：化合物A HCl鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示四對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖66：化合物A硫酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖67：化合物A甲磺酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示4對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖68：化合物A順丁烯二酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示3對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖69：化合物A磷酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示5對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖70：化合物A L-酒石酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖71：化合物A黏酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示2對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖72：化合物A檸檬酸鹽在40℃及75% RH貯存之 前及之後的XRPD(下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖73：化合物A D-葡萄糖醛酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖74：化合物A馬尿酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示2對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖75：化合物A D-葡萄糖酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖76：化合物A L-乳酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示3對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖77：化合物A L-抗壞血酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖78：化合物A丁二酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖79：化合物A乙酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及之後的XRPD(顯示3對曲線，各曲線對之下方曲線顯示貯存之前的XRPD)
圖80：得自THF之化合物A單HCl鹽的1H NMR(A)、得自乙酸乙酯之化合物A單HCl鹽的1H NMR(B)、及得自乙醇之化合物A單HCl鹽的1H NMR(C)，以及得自乙醇之化合物A雙HCl鹽的1H NMR(D)
圖81：得自乙醇之化合物A雙硫酸鹽的1H NMR
圖82：得自THF之化合物A單甲磺酸鹽的1H NMR(A)、得自乙酸乙酯之化合物A單甲磺酸鹽的1H NMR(B)、及得自乙醇之化合物A單甲磺酸鹽的1H NMR(C)，以及得自THF之化合物A雙甲磺酸鹽的1H NMR(D)
圖83：得自乙酸乙酯之化合物A單順丁烯二酸鹽的1H NMR(A)及得自乙醇之化合物A單順丁烯二酸鹽的1H NMR(B)，以及得自THF之化合物A雙順丁烯二酸鹽的1H NMR(C)
圖84：得自THF之化合物A單磷酸鹽的1H NMR(A)、得自乙酸乙酯之化合物A單磷酸鹽的1H NMR(B)、及得自乙醇之化合物A單磷酸鹽的1H NMR(C)，以及得自乙酸乙酯之化合物A雙磷酸鹽的1H NMR(D)及得自乙醇之化合物A雙磷酸鹽的1H NMR(E)
圖85：得自THF之化合物A單酒石酸鹽的1H NMR
圖86：得自乙酸乙酯之化合物A單黏酸鹽的1H NMR(A)及得自乙醇之化合物A單黏酸鹽的1H NMR(B)
圖87：得自乙醇之化合物A單檸檬酸鹽的1H NMR
圖88：得自THF之化合物A D-葡萄糖醛酸鹽的1H NMR
圖89：得自乙酸乙酯之化合物A單馬尿酸鹽的1H NMR(A)及得自乙醇之化合物A單馬尿酸鹽的1H NMR(B)
圖90：得自THF之化合物A D-葡萄糖酸鹽的1H NMR
圖91：得自THF之化合物A L-抗壞血酸鹽的1H NMR
圖92：得自乙醇之化合物A丁二酸鹽的1H NMR
圖93：得自THF之化合物A單L-乳酸鹽的1H NMR(A)、 得自乙酸乙酯之化合物A單L-乳酸鹽的1H NMR(B)、及得自乙醇之化合物A單L-乳酸鹽的1H NMR(C)
圖94：得自THF之化合物A單乙酸鹽的1H NMR(A)、得自乙酸乙酯之化合物A單乙酸鹽的1H NMR(B)、及得自乙醇之化合物A單乙酸鹽的1H NMR(C)
圖95：(A)化合物A硫酸鹽之XRPD，及(B)化合物A硫酸鹽在40℃及75% RH貯存之前及貯存之後(上三條曲線顯示貯存後之XRPD；中間三條曲線顯示貯存前之XRPD；及底部曲線顯示化合物A游離鹼之XRPD)
圖96：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：水合篩選及按比例放大(Hydration Screen and Scale-Up)
圖97：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-PLM分析
圖98：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析
圖99：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-DSC分析
圖100：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：形式A與加熱至150℃之後的形式A比較
圖101：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-DVS分析
圖102：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：DVS之後分析
圖103：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：去離子水中之漿體
圖104：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度分析
圖105：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在40℃及75% RH之安定性研究
圖106：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在周圍溫度之安定性研究
圖107：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在80℃之安定性研究
圖108：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：在40℃及75% RH、周圍溫度、及80℃之安定性試驗
圖109：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-1H NMR光譜法
圖110：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖111：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖112：形式A化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖113：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：水合篩選及按比例放大
圖114：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-PLM分析
圖115：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析：在空氣乾燥2至3天後
圖116：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析：在真空乾燥1天後
圖117：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析：在50℃再乾燥1天後
圖118：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-DSC分析
圖119：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：形式A與形式B與加熱至250℃之後的形式B比較
圖120：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-DVS分析
圖121：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析： DVS之後分析
圖122：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：去離子水中之漿體
圖123：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度分析
圖124：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在40℃及75% RH之安定性研究
圖125：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在周圍溫度之安定性研究
圖126：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在80℃之安定性研究
圖127：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：安定性試驗-形式B、I、及J與在40℃及75% RH、周圍溫度、及80℃之形式B比較
圖128：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-1H NMR光譜法
圖129：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖130：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖131：形式B化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖132：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析
圖133：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-PLM分析
圖134：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析
圖135：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-DSC分析
圖136：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-DVS分析
圖137：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：DVS之後分析
圖138：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：去離子水中之漿體
圖139：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度分析
圖140：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在40℃及75% RH之安定性研究
圖141：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在周圍溫度之安定性研究
圖142：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在80℃之安定性研究
圖143：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：在40℃及75% RH、周圍溫度、及80℃之安定性試驗
圖144：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-1H NMR光譜法
圖145：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖146：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖147：形式C化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖148：於-18℃急速冷卻(Crash Cooling)實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態於各種不同溶劑中的XRPD分析
圖149：於-18℃急速冷卻實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態於各種不同溶劑中的XRPD分析
圖150：於-18℃急速冷卻實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-丙酮：水(90：10)
圖151：於-18℃急速冷卻實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-丙酮：水(50：50)、1,4-二烷：水(80：20)、及乙醇
圖152：於-18℃急速冷卻實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-丙酮：水(50：50)、甲醇、及甲醇：水(98：2)
圖153：於-18℃急速冷卻實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-1-丙醇：水(90：10)、1-丙醇：水(50：50)、及2-丙醇：水(90：10)
圖154：於-18℃急速冷卻實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-四氫呋喃：水(70：30)
圖155：緩慢冷卻實驗(以0.3℃/min從60℃至5℃)-化合物A雙甲磺酸鹽之固態於各種不同溶劑中的XRPD分析
圖156：緩慢冷卻實驗(以0.3℃/min從60℃至5℃)-化合物A雙甲磺酸鹽之固態於各種不同溶劑中的XRPD分析
圖157：緩慢冷卻實驗(以0.3℃/min從60℃至5℃)-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-丙酮：水(90：10)、1,4-二烷：水(80：20)、及乙醇：水(90：10)
圖158：緩慢冷卻實驗(以0.3℃/min從60℃至5℃)-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-乙醇：水(50：50)、甲醇、及甲醇：水(98：2)
圖159：緩慢冷卻實驗(以0.3℃/min從60℃至5℃)-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-甲醇：水(80：20)、1-丙醇、及1-丙醇：水(90：10)
圖160：緩慢冷卻實驗(以0.3℃/min從60℃至5℃)- 化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-1-丙醇：水(50：50)、2-丙醇：水(50：50)、及四氫呋喃：水(70：30)
圖161：在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的XRPD分析
圖162：在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的XRPD分析
圖163：反溶劑在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-丙酮：水(90：10)、丙酮：水(50：50)、及乙腈：水(90：10)
圖164：反溶劑在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-乙腈：水(50：50)、二甲亞碸、及1,4-二烷：水(80：20)
圖165：反溶劑在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-乙醇：水(90：10)、乙醇：水(50：50)、及甲醇
圖166：反溶劑在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-甲醇：水(98：2)、甲醇：水(80：20)、及1-丙醇：水(90：10)
圖167：反溶劑在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-1-丙醇：水(50：50)、2-丙醇：水(90：10)、及2-丙醇：水(50：50)
圖168：反溶劑在周圍溫度於各種不同溶劑中之反溶劑(丙酮)添加實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-四氫呋喃：水(70：30)及水
圖169：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的XRPD分析
圖170：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的XRPD分析
圖171：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-丙酮：水(95：5)、丙酮：水(90：10)、及丙酮：水(50：50)
圖172：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-乙腈：水(90：10)、乙腈：水(50：50)、1,4-二烷：水(80：20)
圖173：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-乙醇、乙醇：水(50：50)、及甲醇
圖174：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-甲醇：水(98：2)、甲醇：水(80：20)、及1-丙醇：水(90：10)
圖175：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-1-丙醇：水(50：50)、2-丙醇：水(98：2)、及2-丙醇：水(90：10)
圖176：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-2-丙醇：水(50：50)、四氫呋 喃：水(95：5)、及四氫呋喃：水(70：30)
圖177：從各種不同溶劑之蒸發實驗-化合物A雙甲磺酸鹽之固態的PLM分析-水
圖178：水合篩選實驗-在10℃於丙酮及乙腈中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的低濃度漿體之XRPD分析
圖179：水合篩選實驗-在10℃於2-丙醇中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的低濃度漿體之XRPD分析
圖180：水合篩選實驗-在10℃於丙酮及乙腈中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的高濃度漿體之XRPD分析
圖181：水合篩選實驗-在10℃於2-丙醇中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的高濃度漿體之XRPD分析
圖182：水合篩選實驗-在25℃於丙酮及乙腈中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的低濃度漿體之XRPD分析
圖183：水合篩選實驗-在25℃於2-丙醇中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的低濃度漿體之XRPD分析
圖184：水合篩選實驗-在25℃於丙酮及乙腈中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的高濃度漿體之XRPD分析
圖185：水合篩選實驗-在25℃於2-丙醇中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的高濃度漿體之XRPD分析
圖186：水合篩選實驗-在50℃於丙酮及乙腈中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的低濃度漿體之XRPD分析
圖187：水合篩選實驗-在50℃於2-丙醇中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的低濃度漿體之XRPD分析
圖188：水合篩選實驗-在50℃於丙酮及乙腈中的化 合物A雙甲磺酸鹽之固態的高濃度漿體之XRPD分析
圖189：水合篩選實驗-在50℃於2-丙醇中的化合物A雙甲磺酸鹽之固態的高濃度漿體之XRPD分析
圖190：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：水合篩選及按比例放大
圖191：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-PLM分析
圖192：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-於周圍溫度空氣乾燥約3天之後的TG/DTA分析
圖193：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-於真空下乾燥1天之後的TG/DTA分析
圖194：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-DSC分析
圖195：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：在加熱至150℃之後的形式A、形式D、形式I、形式D，以及加熱至260℃之後的形式D
圖196：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-DVS分析
圖197：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：DVS之後分析
圖198：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：去離子水中之漿體
圖199：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度分析
圖200：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在40℃及75% RH之安定性研究
圖201：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在周圍溫度之安定性研究
圖202：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在80℃之安定性研究
圖203：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：在40℃及75% RH、周圍溫度、及80℃之安定性試驗
圖204：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-1H NMR光譜法
圖205：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：水合篩選及按比例放大
圖206：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-PLM分析
圖207：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-於周圍溫度空氣乾燥約3天之後的TG/DTA分析
圖208：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-於真空下再乾燥約1天之後的TG/DTA分析
圖209：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-於加熱實驗(150℃)之後的TG/DTA分析
圖210：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-DSC分析
圖211：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：形式A、形式E、在加熱至150℃之後的形式E、以及在加熱至260℃之後的形式E
圖212：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-DVS分析
圖213：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：DVS之後分析
圖214：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：去離子水中之漿體
圖215：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度分析
圖216：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在40℃及75% RH之安定性研究
圖217：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在周圍溫度之安定性研究
圖218：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在80℃之安定性研究
圖219：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：在40℃及75% RH、周圍溫度、及80℃之安定性試驗
圖220：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-1H NMR光譜法
圖221：形式F化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析
圖222：形式G化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析
圖223：形式H化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析
圖224：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：水合篩選及按比例放大
圖225：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-PLM分析
圖226：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析
圖227：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-DSC分析
圖228：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-DVS分析
圖229：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：DVS之後分析
圖230：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：去離子水中之漿體
圖231：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度分析
圖232：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在 40℃及75% RH之安定性研究
圖233：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在周圍溫度之安定性研究
圖234：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-HPLC純度：在80℃之安定性研究
圖235：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析：在40℃及75% RH、周圍溫度、及80℃之安定性試驗
圖236：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-1H NMR光譜法
圖237：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD分析
圖238：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-TG/DTA分析
圖239：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖240：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖241：形式D化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖242：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖243：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖244：形式E化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖245：形式F化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖246：形式F化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖247：形式F化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖248：形式G化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖249：形式G化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖250：形式G化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖251：形式H化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖252：形式H化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖253：形式H化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖254：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖255：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖256：形式I化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖257：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖258：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖259：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖260：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD
圖261：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-指示峰
圖262：形式J化合物A雙甲磺酸鹽-XRPD-峰列表
圖263：在多晶型篩選、水合篩選及按比例放大評估期間鑑別之化合物A雙甲磺酸鹽的所有多晶形式之XRPD比較
發明詳細說明 化合物A游離鹼之多晶型
可將化合物A溶解然後從下述溶劑或其混合物結晶出，以產生本申請案之多晶形式。在一些實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型係藉由下述製備：將化合物A游離鹼溶解於溶劑或溶劑之混合物以形成溶液，及從該溶液分離出化合物A游離鹼。在本申請案之特定實施態樣中，溶劑或其混合物係經蒸發以產生化合物A游離鹼多晶型。適於製備化合物A游離鹼之多晶型的溶劑包括但不局限於 DCM、THF、二烷、乙酸乙酯、乙醇、IPAc、IPA、MEK、丙酮、乙腈、硝甲烷、水、及其混合物。在特定實施態樣中，適於製備化合物A游離鹼之多晶型的溶劑為DCM、IPA、MEK、丙酮、THF、IPAc、乙腈、二烷、乙酸乙酯、及乙醇。例如，將化合物A游離鹼溶解然後從DCM、IPA、MEK、丙酮、THF、IPAc、或乙腈結晶出來。溶劑可為無水的或可含有各種不同量之水(例如0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5至10%、10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、50至60%、60至70%、70至80%、及80至90%)。
在一實施態樣中，用於製備化合物A游離鹼之多晶型的方法進一步包括在化合物A溶解期間加溫該溶液。例如，該溶液可加溫至20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃。在一實施態樣中，該方法進一步包括在化合物A溶解期間攪拌該溶液。例如，該溶液可攪拌至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該溶液以促進從該溶液分離出化合物A。例如，該溶液可冷卻至100至90℃、90至80℃、80至70℃、70至60℃、60至50℃、50至40℃、40至30℃、30至20℃、20至10℃、或10至0℃、或低於0℃。在一實施態樣中，該方法進一 步包括蒸發該溶液以促進從該溶液分離出化合物A游離鹼。在一實施態樣中，該方法進一步包括在從該溶液分離出化合物A游離鹼之前將化合物A晶種多晶型添加至該溶液。在一實施態樣中，該分離包括從該溶液過濾出化合物A游離鹼。在一實施態樣中，該分離進一步包括乾燥化合物A游離鹼。例如，該乾燥可在任何適當條件(例如，適當溫度(例如，低於0℃、0至10℃、10至20℃、20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃)進行。
在一實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式1。在一些實施態樣中，形式1在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約22.0及25.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式1在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.3、17.1、22.0、及25.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式1在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.3、9.5、12.9、14.1、15.2、16.6、17.1、19.2、19.4、19.6、21.2、22.0、及25.0° 2θ。在一實施態樣中，形式1具有與圖2所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式1可為溶劑合物。在一些實施態樣中，形式1可為二氯甲烷(DCM)或甲基乙基酮(MEK)溶劑合物。在另一實施態樣中，形式1可為DCM半溶劑合物或MEK半溶劑合物。
在一實施態樣中，形式1可從IPA、MEK、或丙酮分離出來。
在一些實施態樣中，形式1在或低於150℃、140℃、130℃、120℃、100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃、40℃、或30℃之溫度為安定的。例如，形式1在25℃為安定的。在一些實施態樣中，形式1在或高於50% RH、60% RH、70% RH、80% RH、或90% RH為安定的。例如，形式1在0至96% RH之範圍中為安定的。例如，形式1在96% RH為安定的。
在一實施態樣中，形式1可轉化成其他多晶形式。例如，形式1於加熱時可轉化成形式2。
在其他實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式2。在一些實施態樣中，形式2在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約18.4及19.3° 2θ。在一些實施態樣中，形式2在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15.8、18.4、19.3、及20.1° 2θ。在一些實施態樣中，形式2在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.3、8.8、11.6、13.3、15.8、18.4、19.3、20.1、20.9、21.4、23.2、25.9、及26.6° 2θ。在一實施態樣中，形式2具有與圖3所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一些實施態樣中，形式2為非溶劑合的。
在一實施態樣中，形式2可從IPAc或乙腈分離出來。
在一些實施態樣中，形式2在或低於250℃、240℃、230℃、220℃、210℃、200℃、190℃、180℃、170℃、160℃、150℃、140℃、130℃、120℃、100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃、40℃、或30℃之溫度為安定的。在一些實施態樣中，形式2在或高於50% RH、60% RH、70% RH、80% RH、或90% RH為安定的。例如，形式2在0至96% RH之範圍中為安定的。例如，形式2在96% RH為安定的。
在一實施態樣中，形式2可轉化成其他多晶形式。例如，形式2於熔融然後冷卻時可轉化成形式3。
在其他實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式3。在一些實施態樣中，形式3在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15.1及23.4° 2θ。在一些實施態樣中，形式3在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15.1、18.8、21.0、及23.4° 2θ。在一些實施態樣中，形式3在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.4、7.6、8.4、11.7、15.1、16.7、18.8、21.0、及23.4° 2θ。在一實施態樣中，形式3具有與圖3所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一些實施態樣中，形式3為非溶劑合的。
在一些實施態樣中，形式3在或低於250℃、240℃、230℃、220℃、210℃、200℃、190℃、180℃、170℃、160℃、150℃、140℃、130℃、120℃、100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃、40℃、或30℃之溫度 為安定的。在一些實施態樣中，形式3在或高於50% RH、60% RH、70% RH、80% RH、或90% RH為安定的。例如，形式3在0至96% RH之範圍中為安定的。例如，形式3在96% RH為安定的。
在其他實施態樣中，化合物A游離鹼之多晶型為形式4。在一些實施態樣中，形式4在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17及23° 2θ。在一些實施態樣中，形式4在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約15、17、23、及26° 2θ。在一些實施態樣中，形式4在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8、14、15、17、22、23、及26° 2θ。在一實施態樣中，形式4具有與圖14所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式4可為溶劑合物。在一些實施態樣中，形式4為四氫呋喃(THF)溶劑合物。在另一實施態樣中，形式4為THF半溶劑合物。
在一實施態樣中，形式4可從THF分離出來，例如，形式4可從含5%水之THF分離出來。
在一些實施態樣中，形式4在或低於250℃、240℃、230℃、220℃、210℃、200℃、190℃、180℃、170℃、160℃、150℃、140℃、130℃、120℃、100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃、40℃、或30℃之溫度為安定的。在一些實施態樣中，形式4在或高於50% RH、60% RH、70% RH、80% RH、或90% RH為安定 的。例如，形式4在0至96% RH之範圍中為安定的。例如，形式4在96% RH為安定的。
化合物A之鹽
化合物A游離鹼具有三個pKa值：7.84、4.69、及2.82。化合物A可為單鹽、雙鹽、及三鹽。與化合物A形成鹽之酸包括但不局限於HCl、H2SO4、甲磺酸、順丁烯二酸、磷酸、L-麩胺酸、L-酒石酸、半乳糖二酸、檸檬酸、D-葡萄糖醛酸、馬尿酸、D-葡萄糖酸、L-乳酸、L-抗壞血酸、丁二酸、及乙酸。該等酸與化合物A游離鹼形成單鹽、雙鹽、及三鹽。
化合物A之鹽可於適當溶劑或溶劑之混合物中製備。 該等溶劑包括但不局限於THF、二烷、乙酸乙酯、乙醇、乙酸異丙酯(IPAc)、異丙醇(IPA)、MEK、丙酮、乙腈、及硝甲烷。選擇適當溶劑時考慮的因素包括但不局限於，化合物A游離鹼之溶解性、該鹽於於該溶劑中之安定性、該鹽之溶解性、及待形成之鹽的類型(即，單鹽、雙鹽、或三鹽)。
化合物A之鹽可藉由在適當溶劑或溶劑之混合物混合化合物A游離鹼與酸而形成。該混合物可經加熱，例如，以促進化合物A游離鹼溶解或化合物A游離鹼與該酸之間的反應。該混合物亦可經冷卻，例如，以降低不想要的副反應或減少鹽降解。用於反應之酸的量係根據鹽的類型(即，單鹽、雙鹽、或三鹽)來決定。反應時間可經調整以 完成該反應。例如，反應類型可為5分鐘、10分鐘、20分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘、2小時、3小時、4小時、6小時、8小時、10小時、12小時、18小時、24小時、36小時、48小時、60小時、或72小時。反應混合物可經冷卻以促進鹽沉澱及分離。
化合物A之鹽可經由簡單過濾或本技術中已知的其他純化方法(例如HPLC)純化。
化合物A之鹽可為水溶性。例如，化合物A之鹽的溶解性可在0.01至0.05mg/ml、0.05至0.1mg/ml、0.1至0.5mg/ml、0.5至1.0mg/ml、1至5mg/ml、5至10mg/ml、10至20mg/ml、20至30mg/mI、30至40mg/ml、40至50mg/ml、50至75mg/ml、或75至100mg/ml、或高於100mg/ml之範圍。
化合物A之鹽可為非晶形或結晶體。化合物A之鹽可形成多重多晶型。非晶形化合物A之鹽可轉化成多晶型。例如，於加熱時或在潮濕條件(例如>50% RH)下，非晶形化合物A之鹽可轉化成結晶形式。非晶形鹽亦可失去相對離子(例如三鹽轉變成雙鹽及/或單鹽)及轉化成結晶形式。化合物A之鹽的多晶型可轉化成其他多晶型。
化合物A之鹽的多晶型
化合物A之鹽的多晶型可藉由將化合物A游離鹼與酸或酸之溶液混合而形成。在一些實施態樣中，化合物A之鹽的多晶型可藉由下述製備：將化合物A游離鹼溶解於 第一溶劑以形成第一溶液；將酸與該第一溶液混合。在一實施態樣中，在該酸係與該第一溶液混合之前，將該酸溶解於第二溶劑以形成第二溶液。例如，該酸包括但不局限於HCl、H2SO4、甲磺酸、順丁烯二酸、磷酸、L-麩胺酸、L-酒石酸、半乳糖二酸、檸檬酸、D-葡萄糖醛酸、馬尿酸、D-葡萄糖酸、L-乳酸、L-抗壞血酸、丁二酸、及乙酸。例如，該酸為HCl或甲磺酸。
在一實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係相同；在其他實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係不同。例如，該第一溶劑係選自THF、二烷、乙酸乙酯、乙醇、IPAc、IPA、MEK、丙酮、乙腈、硝甲烷、及甲醇。溶劑可為無水的或可含有各種不同量之水(例如0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5至10%、10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、50至60%、60至70%、70至80%、及80至90%)。例如，該第一溶劑為THF、乙酸乙酯、乙醇、或甲醇。例如，該第一溶劑為含水之甲醇(例如，0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5至10%、10至20%)。例如，該第二溶劑係選自THF、二烷、乙酸乙酯、乙醇、IPAc、IPA、MEK、丙酮、乙腈、硝甲烷、及甲醇。例如，該第二溶劑為THF、乙酸乙酯、乙醇、或甲醇。溶劑可為無水的或可含有各種不同量之水(例如0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5至10%、10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、50至60%、60至70%、70至80%、及80至90%)。例如，該第一溶劑及第二溶劑為 相同且各為THF、乙酸乙酯、乙醇、或甲醇。
在一實施態樣中，該方法進一步包括加溫該第一溶液。例如，該第一溶液可加溫至20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃。
在一實施態樣中，該混合包括將該酸或該第二溶液添加至該第一溶液；在其他實施態樣中，該混合包括將該第一溶液添加至該酸或該第二溶液。在一實施態樣中，該混合形成第三溶液。在一實施態樣中，該混合形成第一漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括加溫該第三溶液或該第一漿體。例如，該第三溶液或該第一漿體可加溫至20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第三溶液或該第一漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第三溶液或該第一漿體。例如，該第三溶液或該第一漿體可冷卻至100至90℃、90至80℃、80至70℃、70至60℃、60至50℃、50至40℃、40至30℃、30至20℃、20至10℃、或10至0℃、或低於0℃。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之 後攪拌該第三溶液或該第一漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。
在一實施態樣中，該方法進一步包括蒸發該第三溶液。
在一實施態樣中，該方法進一步包括將晶種多晶型添加至該第三溶液以形成第二漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第二漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第二漿體。例如，該第二漿體可冷卻至100至90℃、90至80℃、80至70℃、70至60℃、60至50℃、50至40℃、40至30℃、30至20℃、20至10℃、或10至0℃、或低於0℃。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之後攪拌該第二漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。
在一實施態樣中，該方法進一步包括過濾該第三溶液、該第一漿體、或該第二漿體。該過濾可在任何條件下進行。例如，該過濾可在周圍溫度或在其他適當溫度(例如，低於0℃、0至10℃、10至20℃、20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、 80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃)進行。在一實施態樣中，該方法進一步包括乾燥該第三溶液、該第一漿體、或該第二漿體。該乾燥可在任何適當條件(例如，適當溫度(例如，低於0℃、0至10℃、10至20℃、20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃)、適當持續期間(例如，少於5分鐘、10分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、及24小時)、及壓力(例如，大氣壓力及真空下))下進行。
在其他實施態樣中，化合物A之鹽的多晶型可藉由下述製備：將化合物A游離鹼溶解於第一溶劑中以形成化合物A漿體；添加酸至該化合物A漿體。在一實施態樣中，在該酸添加至該化合物A漿體之前，將該酸溶解於第二溶劑中以形成第二溶液。例如，該酸包括但不局限於HCl、H2SO4、甲磺酸、順丁烯二酸、磷酸、L-麩胺酸、L-酒石酸、半乳糖二酸、檸檬酸、D-葡萄糖醛酸、馬尿酸、D-葡萄糖酸、L-乳酸、L-抗壞血酸、丁二酸、及乙酸。例如，該酸為HCl或甲磺酸。
在一實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係相同；在其他實施態樣中，該第一溶劑及該第二溶劑係不同。例如，該第一溶劑係選自THF、二烷、乙酸乙酯、乙醇、IPAc、IPA、MEK、丙酮、乙腈、硝甲烷、及甲醇。溶劑 可為無水的或可含有各種不同量之水(例如0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5至10%、10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、50至60%、60至70%、70至80%、及80至90%)。例如，該第一溶劑為THF、乙酸乙酯、乙醇、或甲醇。例如，該第一溶劑為含水之甲醇(例如，0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5至10%、10至20%)。例如，該第二溶劑係選自THF、二烷、乙酸乙酯、乙醇、IPAc、WA、MEK、丙酮、乙腈、硝甲烷、及甲醇。例如，該第二溶劑為THF、乙酸乙酯、乙醇、或甲醇。溶劑可為無水的或可含有各種不同量之水(例如0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5至10%、10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、50至60%、60至70%、70至80%、及80至90%)。例如，該第一溶劑及第二溶劑為相同且各為THF、乙酸乙酯、乙醇、或甲醇。
在一實施態樣中，該方法進一步包括，加溫該化合物A漿體。例如，該化合物A漿體可加溫至20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃。例如，該化合物A漿體可加溫至55℃。
在一實施態樣中，將該酸或該第二溶液添加至該化合物A漿體形成第三溶液。在一實施態樣中，將該酸或該第二溶液添加至該化合物A漿體形成第一溶液。在一實施態樣中，該方法進一步包括加溫該第三溶液或該第一漿體。 例如，該第三溶液或該第一漿體可加溫至20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第三溶液或該第一漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第三溶液或該第一漿體。例如，該第三溶液或該第一漿體可冷卻至100至90℃、90至80℃、80至70℃、70至60℃、60至50℃、50至40℃、40至30℃、30至20℃、20至10℃、或10至0℃、或低於0℃。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之後攪拌該第三溶液或該第一漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。
在一實施態樣中，該方法進一步包括蒸發該第三溶液。
在一實施態樣中，該方法進一步包括將第三溶劑添加至該第三溶液以形成第二漿體。例如，該第三溶劑可為誘發漿體形成之任何溶劑。例如，該第三溶劑係選自THF、二烷、乙酸乙酯、乙醇、IPAc、IPA、MEK、丙酮、乙腈、硝甲烷、及甲醇。該第三溶劑可為無水的或可含有各種不同量之水(例如0.1至0.5%、0.5至1%、1至5%、5 至10%、10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、50至60%、60至70%、70至80%、及80至90%)。例如，該第三溶劑為IPAc。
在一實施態樣中，該方法進一步包括將晶種多晶型添加至該第三溶液以形成第三漿體。在一實施態樣中，該方法進一步包括攪拌該第二漿體或該第三漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。在一實施態樣中，該方法進一步包括冷卻該第二漿體或該第三漿體。例如，該第二漿體或第三漿體可冷卻至100至90℃、90至80℃、80至70℃、70至60℃、60至50℃、50至40℃、40至30℃、30至20℃、20至10℃、或10至0℃、或低於0℃。在一實施態樣中，該方法進一步包括在該冷卻之後攪拌該第二漿體或該第三漿體。例如，該攪拌持續至少5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、24小時、36小時、或48小時。
在一實施態樣中，該方法進一步包括過濾該第三溶液、該第一漿體、該第二漿體、或該第三漿體。該過濾可在任何條件下進行。例如，該過濾可在周圍溫度或在其他適當溫度(例如，低於0℃、0至10℃、10至20℃、20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃)進行。在一實施態樣中，該 方法進一步包括乾燥該第三溶液、該第一漿體、該第二漿體、或該第三漿體。該乾燥可在任何適當條件(例如，適當溫度(例如，低於0℃、0至10℃、10至20℃、20至30℃、30至40℃、40至50℃、50至60℃、60至70℃、70至80℃、80至90℃、90至100℃、100至150℃、或150至200℃、或高於200℃)、適當持續期間(例如，少於5分鐘、10分鐘、20分鐘、30分鐘、60分鐘、2小時、4小時、8小時、12小時、及24小時)、及壓力(例如，大氣壓力及真空下))下進行。
本申請案亦至少部分關於化合物A甲磺酸鹽之多晶型。在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式A。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.4及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.4、15.5、18.8、及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.1、7.8、9.4、10.1、12.1、15.5、16.2、18.8、19.9、21.1、23.0、25.1及27.4° 2θ。在一實施態樣中，形式A具有與圖32所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，化合物A為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一些實施態樣中，形式A在或低於350℃、325℃、300℃、275℃、250℃、200℃、150℃、100℃、或 50℃之溫度為安定的。在一些實施態樣中，形式A在或低於325℃為安定的。在一些實施態樣中，形式A在或高於50% RH、60% RH、70% RH、80% RH、或90% RH為安定的。例如，形式A在0至96% RH之範圍中為安定的。
在一些實施態樣中，形式A顯示開始溫度在305.9℃之急劇吸熱及在307.6℃的熔融(圖34)。在一些實施態樣中，形式A顯示直到熔融為止無顯著失重(圖35)。
在一實施態樣中，形式A可藉由下述製造：將化合物A游離鹼溶解於THF；將甲磺酸於THF中之溶液添加至該化合物A游離鹼溶液以形成漿體；及過濾且乾燥該漿體。
在其他實施態樣中，形式A可藉由下述製造：將乾甲醇添加至該化合物A雙甲磺酸鹽之非晶形式以製備漿體。 在過濾該樣本及使之在周圍溫度下乾燥之前在約22℃攪拌該漿體約22天。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式B。在一些實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2及14.3° 2θ。在一些實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、6.6、14.3、及15.3° 20。在一些實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、6.6、11.3、14.3、15.3、22.8、及26.9° 2θ。 在一實施態樣中，形式B具有與圖37所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式B為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一些實施態樣中，形式B在或低於210℃、205℃、200℃、150℃、100℃、或50℃之溫度為安定的。在一些實施態樣中，形式B在或低於205℃為安定的。在一些實施態樣中，形式B在或高於50% RH、60% RH、70% RH、80% RH、或90% RH為安定的。例如，形式B在0至96% RH之範圍中為安定的。
在一些實施態樣中，形式B顯示開始溫度在182.6℃之寬吸熱及在194.1℃的熔融(圖39)。在一些實施態樣中，形式B顯示在開始溫度在199.3℃之放熱且峰在204.5℃(圖39)。在一些實施態樣中，形式B顯示開始溫度在299.9℃之第二吸熱及在302.3℃的第二熔融(圖39)。 在一些實施態樣中，形式B顯示在多個溫度有失重(圖40)。
在一實施態樣中，形式B可藉由下述製造：將化合物A游離鹼溶解於含水甲醇以形成第一漿體；將甲磺酸添加至該第一漿體以形成溶液；將IPAc添加至該溶液以形成第二漿體；及過濾且乾燥該第二漿體。例如，該甲磺酸為純甲磺酸。例如，該含水甲醇可含有2%水。
在其他實施態樣中，形式B可藉由下述製造：將具有0.35水活性之2-丙醇添加至化合物A雙甲磺酸鹽的非晶形式以製備漿體。在示性之前於過濾該樣本及使之在周圍溫度下乾燥之前在約22℃攪拌該漿體約3天。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式 C。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約20.3及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.6、18.4、19.3、19.7、20.3、及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、8.9、9.8、10.1、13.7、17.6、18.4、19.3、19.7、20.3、22.8、及26.8° 2θ。在一實施態樣中，形式C具有與圖42所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式C為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一些實施態樣中，形式C在或低於400℃、375℃、350℃、325℃、300℃、275℃、250℃、200℃、150℃、100℃、或50℃之溫度為安定的。在一些實施態樣中，形式C在或低於310℃為安定的。在一些實施態樣中，形式C在或高於50% RH、60% RH、70% RH、80% RH、或90% RH為安定的。例如，形式C在0至96% RH之範圍中為安定的。
在一些實施態樣中，形式C顯示開始溫度在286.1℃之急劇吸熱及在288.5℃的熔融(圖44)。在一些實施態樣中，形式C顯示直到熔融為止無顯著失重(圖45)。
在一實施態樣中，形式C可藉由下述製造：將化合物A游離鹼溶解於含水甲醇以形成溶液；將甲磺酸添加至該溶液；將化合物A甲磺酸鹽晶種(例如，形式C晶種)添加至該溶液以形成漿體；及過濾且乾燥該漿體。例如，該甲 磺酸為純甲磺酸。例如，該含水甲醇可含有2%水。
在其他實施態樣中，形式C可藉由下述製造：將2%含水甲醇添加至形式A以形成漿體，攪拌該漿體，及過濾且乾燥該漿體。
如本技術中為人熟知，因儀器及實驗條件中之波動，從本申請案多晶型之示性(例如，藉由TGA、DSC、XRPD、PLM示性)所獲得的結果在各不同測量具有稍微差異。例如，不同測量之多晶型之X射線粉末繞射峰會偏移。即，從不同測量，X射線粉末繞射峰可具有稍微不同的數值。然而，多晶型之X射線粉末繞射圖案(例如，峰之位置、強度、及形狀)實質上相似(例如，至少80%、85%、90%、或95%之圖案係彼此匹配)。
在一實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.1及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.1、15.1、16.0、18.5、22.8、及22.9° 2θ。在一些實施態樣中，形式A在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約3.8、7.6、9.1、9.9、15.1、16.0、16.1、18.5、22.8、22.9、及23.2° 2θ。在一實施態樣中，形式A具有與圖110所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。在一實施態樣中，形式A具有如圖112所示之X射線粉末繞射峰。
在一實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.0及14.6° 2θ。在一些實施態樣 中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.0、6.4、11.1、14.6、15.1、及23.7° 2θ。在一些實施態樣中，形式B在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.0、6.4、11.1、14.6、15.1、17.3、22.5、22.7、23.7、及27.0° 2θ。在一實施態樣中，形式B具有與圖129所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。在一實施態樣中，形式B具有如圖131所示之X射線粉末繞射峰。
在一實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約20.1及22.6° 2θ。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.5、18.2、19.0、19.6、20.1、及22.6° 2θ。在一些實施態樣中，形式C在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約12.5、16.6、17.5、18.2、19.0、19.6、20.1、21.7、22.6、23.0、23.6、24.0、26.6、及27.2° 2θ。在一實施態樣中，形式C具有與圖145所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。在一實施態樣中，形式C具有如圖147所示之X射線粉末繞射峰。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式D。在一些實施態樣中，形式D在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.5及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式D在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.9、11.5、14.5、20.3、及23.0° 29。在一些實施態樣中，形式D在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末 繞射峰在大約5.4、5.9、11.5、14.5、17.9、20.3、23.0、23.6、24.0、26.2、27.8、及28.9° 2θ。在一實施態樣中，形式D具有如圖241所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣中，形式D具有與圖239所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式D為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，形式D為如圖191所示以PLM分析測定具有扁棒/板狀形態的雙折射。
在一實施態樣中，形式D具有在約50.3℃開始之初始寬吸熱(峰103.2℃)。在一實施態樣中，形式D在約229℃與235℃之間具有小型吸熱/放熱情況。在一實施態樣中，形式D具有在約300.9℃之最終吸熱(峰304.1℃)(圖194)。
在一實施態樣中，形式D具有藉由約Karl-Fischer滴定法測量為約3.8%的水含量。
在一實施態樣中，形式D具有HPLC純度99.9%(圖199)。
在一實施態樣中，形式D係藉由1H NMR光譜示性於圖204。
在一實施態樣中，形式D可藉由下述製造：將具有0.6水活性之2-丙醇添加至化合物A雙甲磺酸鹽的非晶形式以形成漿體，在約22℃攪拌該漿體，及過濾且乾燥該漿體。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式 E。在一些實施態樣中，形式E在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約20.9及21.9° 2θ。在一些實施態樣中，形式E在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約13.7、20.6、20.9、21.9、及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式E在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.9、11.3、13.7、16.5、19.3、20.6、20.9、21.9、23.0、23.8、及26.2° 2θ。在一實施態樣中，形式E具有如圖244所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣中，形式E具有與圖242所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式E為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，形式E為如圖206所示以PLM分析測定具有長棒狀形態的雙折射。
在一實施態樣中，形式E具有在約45.9℃開始之寬吸熱(峰86.5℃)。在一實施態樣中，形式E在約189℃與215℃之間具有吸熱/放熱情況。在一實施態樣中，形式E具有在約299.1℃之最終吸熱情況(峰303.7℃)(圖210)。
在一實施態樣中，形式E具有藉由約Karl-Fischer滴定法測量為約6.2%的水含量。
在一實施態樣中，形式E具有HPLC純度99.8%(圖215)。
在一實施態樣中，形式E係藉由1H NMR光譜示性於圖220。
在一實施態樣中，形式E可藉由下述製造：將具有 0.89水活性之丙酮添加至化合物A雙甲磺酸鹽的非晶形式以形成漿體，在約22℃攪拌該漿體，及過濾且乾燥該漿體。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式F。在一些實施態樣中，形式F在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約16.7及17.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式F在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約16.7、17.0、19.5、20.3、及24.4° 2θ。在一些實施態樣中，形式F在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.8、7.2、15.6、16.7、17.0、19.5、20.3、21.7、24.0、及24.4° 2θ。在一實施態樣中，形式F具有如圖247所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣中，形式F具有與圖245所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式F為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式G。在一些實施態樣中，形式G在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8及22.1° 2θ。在一些實施態樣中，形式G在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8、14.9、16.3、22.1、及23.7° 2θ。在一些實施態樣中，形式G在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8、10.8、14.9、16.3、17.7、22.1、23.1、23.7、24.5、及26.5° 2θ。在一實施態樣中，形式G具有如圖250所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣 中，形式G具有與圖248所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式G為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式H。在一些實施態樣中，形式H在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約10.9及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式H在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.1、10.9、12.4、15.9、及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式H在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.1、10.1、10.9、12.4、15.7、15.9、16.4、20.4、20.8、及22.8° 2θ。在一實施態樣中，形式H具有如圖253所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣中，形式H具有與圖251所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式H為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式I。在一些實施態樣中，形式I在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2及10.5° 2θ。在一些實施態樣中，形式I在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2、6.2、10.5、20.2、及23.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式I在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2、6.2、10.5、11.1、13.6、20.2、22.0、22.3、23.0、及23.8° 2θ。在一實施態樣中，形式I具有如圖256所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣中，形 式I具有與圖254所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式I為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，形式I為如圖225所示以PLM分析測定具有棒狀形態的雙折射。
在一實施態樣中，形式I具有在約231.9℃之小型吸熱情況(峰235.7℃)。在一實施態樣中，形式I具有在約303.7℃之最終吸熱(峰306.3℃)(圖227)。
在一實施態樣中，形式I具有藉由約Karl-Fischer滴定法測量為約0.8%的水含量。
在一實施態樣中，形式I具有HPLC純度99.6%(圖231)。
在一實施態樣中，形式I係藉由1H NMR光譜示性於圖236。
在一實施態樣中，形式I可藉由下述製造：將化合物A雙甲磺酸鹽之形式A溶解於乾甲醇中。在一實施態樣中，於約50℃在真空下蒸發該溶液。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式J。在一些實施態樣中，形式J在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.0及22.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式J在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.6、17.0、21.9、22.8、及24.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式J在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.6、17.0、19.7、20.4、21.9、22.8、 24.8、25.3、26.7、及27.7° 2θ。在一實施態樣中，形式J具有如圖259所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣中，形式J具有與圖257所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式J為化合物A雙甲磺酸鹽。
在一實施態樣中，化合物A甲磺酸鹽之多晶型為形式K。在一些實施態樣中，形式K在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.2及10.0° 2θ。在一些實施態樣中，形式K在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.2、10.0、15.7、20.0、及23.8° 2θ。在一些實施態樣中，形式K在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.1、9.2、10.0、15.7、17.5、19.3、20.0、21.5、23.2、及23.8° 2θ。在一實施態樣中，形式K具有如圖262所示之X射線粉末繞射峰。在一實施態樣中，形式K具有與圖260所示實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
在一實施態樣中，形式K為化合物A雙甲磺酸鹽。
預期本申請案之化合物的所有形式(例如，游離鹼及鹽、及非晶形式、結晶形式、多晶型、及其介晶型)，係呈摻合物或純形式或實質上純形式，包括個別異構物之消旋混合物及混合物。消旋形式可藉由物理方法(例如非鏡像異構衍生物之分離或結晶)解析，或藉由手性管柱層析術或超臨界流體層析術分離。該等個別光學異構物可藉由慣用方法(諸如例如與光學活性酸或鹼形成鹽，然後結晶) 而從消旋物獲得。此外，可存在晶體多晶型性，但不局限於及可為單一結晶形式或結晶形式混合物，或為無水或溶劑合(例如，DCM溶劑合、MEK溶劑合、THF溶劑合、及水合)結晶形式。
用語「結晶多晶型」、「晶體多晶型」、「結晶形式」、「多晶型」、或「多晶形式」意指化合物(例如，其游離鹼、鹽、或溶劑合物)可以不同晶體堆砌排列結晶的晶體結構，所有該等影響結構均具有相同元素組成。不同結晶形式通常具有不同X射線繞射圖案、紅外線光譜、熔點、密度、晶體形狀、光學及電性質、安定性及溶解性。結晶溶劑、結晶速率、貯存溫度、及其他因素可造成某一種結晶形式佔優勢。化合物之晶體多晶型可藉由在不同條件下結晶而製備。
另外，本申請案之化合物(例如，其游離鹼及鹽、以及非晶形式、結晶形式、多晶型、及介晶型)可以水合或非水合(無水)形式或與其他溶劑分子之溶劑合物或呈非溶劑合形式存在。水合物之非限制性實例包括一水合物、二水合物等。溶劑合物之非限制性實例包括DCM溶劑合物、MEK溶劑合物、THF溶劑合物等。
本申請案之一些化合物(例如，其游離鹼及鹽、以及非晶形式、結晶形式、多晶型、及介晶型)可以數種互變異構形式存在，且此等互變異構形式包括在本申請案範圍內。「互變異構物」係指其結構的原子排列明顯不同，但以容易且迅速均衡存在之化合物。互變異構物可作為於溶 液中之互變異構物組的混合物存在。在固體形式中，經常有一種互變異構物為主要者。應暸解本申請案之化合物可作為不同互變異構物描述。亦應暸解，當化合物具有互變異構物形式時，預期所有互變異構物形式係在本申請案範圍內，且化合物之命名不排除任何互變異構物形式。即使可描述一種互變異構物，本申請案包括本化合物之所有互變異構物。
如本文所使用，用語「鹽」為藥學上可接受之鹽及可包括酸加成鹽，包括鹽酸鹽、氫溴酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽、硫酸氫鹽、烷磺酸鹽、芳磺酸鹽、乙酸鹽、苯甲酸鹽、檸檬酸鹽、順丁烯二酸鹽、反丁烯二酸鹽、丁二酸鹽、乳酸鹽、酒石酸鹽、甲磺酸鹽、胺基酸鹽(例如，L-麩胺酸鹽)、半乳糖二酸(黏酸)鹽、檸檬酸鹽、葡萄糖醛酸鹽、馬尿酸鹽、葡萄糖酸鹽、及抗壞血酸鹽；鹼金屬陽離子係諸如Na+、K+、Li+，鹼土金屬鹽，諸如Mg2+或Ca2+；及有機胺鹽。
如本文所使用，用語「多晶型」、「多晶形式」、「結晶多晶型」、「晶體多晶型」及「結晶形式」以及本文相關用語係指相同分子之結晶形式，且不同多晶型可具有不同物理性質，諸如例如由於該晶格中分子的排列或構形造成的熔融溫度、熔化熱、溶解性、溶解速率及/或振動光譜。由多晶型所展現之物理性質差異影響藥學參數，諸如貯存安定性、壓縮性與密度(在調配與產物製造方面極為重要)以及溶解速率(生物利用率方面之重要因素)。安 定性差異亦可由化學反應性(例如差別氧化作用，如此當包含一種多晶型時劑型比包括另一種多晶型時更迅速變色)或機械性質(例如，錠劑碎粒以動力學傾向多晶型貯存時轉化成熱力學更安定之多晶型)或此二者(一種多晶型之錠劑在高濕度時更容易崩解)之改變而造成。在極端實例中，由於溶解性/溶解差異之故，某些多晶型過度會導致缺乏效力，或在另一極端則為毒性。此外，該結晶之物理性質對於製造而言可能相當重要，例如一種多晶型可能更有可能形成溶劑合物或可能難以過濾並清洗至無雜質(例如，多晶型之間的粒子形狀與大小分布可能不同)。
分子之多晶型可藉由本技術中習知之許多方法製得。 此等方法包括但不局限於熔融再結晶、熔融冷卻、溶劑再結晶、去溶劑化、迅速蒸發、迅速冷卻、緩慢冷卻、蒸氣擴散、及昇華。
用於發明同素異形體之技術包括但不局限於微差掃描熱量測定法(DSC)、X射線粉末繞射測定法(XRPD)、單晶X射線繞射測定法、振動光譜法(例如IR與Raman光譜法)、TGA、DTA、DVS、固態NMR、高溫載台光學顯微術、掃描電子顯微術(SEM)、電子結晶學與定量分析、粒子大小分析(PSA)、表面積分析、溶解性研究與溶解研究。
如本文所使用，用語「非晶形式」係指物質之非結晶固態形式。
如本文所使用，用語「多晶型」、「多晶形式」或 「介晶形式」以及本文中之相關用語係指以介於液態與固態之間的狀態存在之物質(例如，液晶)。在介晶形式中，物質之相同分子可以組織方式定向(例如結晶)，且該物質可如液體般流動。不同類型之介晶型展現獨特性質(例如光學性質(例如雙折射))且可由偏振光區分。多晶型可或可不藉由明顯XRPD峰鑑別。
如本文所使用，用語「溶劑合物」意指含有化學計量之量的溶劑或非化學計量之量的溶劑之溶劑加成形式。一些化合物具有將固定莫耳比之溶劑分子捕集在結晶固態中的傾向，因而形成溶劑合物。若溶劑為水，所形成之溶劑合物為水合物，當溶劑為醇時，所形成之溶劑合物為醇化物。水合物係由一或多個水之分子與水於其中可保有其分子狀態(如H2O)的物質之一的組合所形成，此種組合能形成一或多種水合物。例如，溶劑合物可為二氯甲烷(DCM)溶劑合物、甲基乙基酮(MEK)溶劑合物、或四氫呋喃(THF)溶劑合物。
如本文所使用，用語「非溶劑合」或「去溶劑合」係指不含溶劑之物質的固態形式(例如，結晶形式、非晶形式、及介晶型)。
如本文所使用，用語「純、意指約90至100%，較佳為95至100%，更佳為98至100%(wt./wt.)，或99至100%(wt./wt.)純化合物；例如，存在少於約10%，少於約5%，少於約2%，或少於約1%之雜質。此等雜質包括，例如，降解產物、氧化產物、溶劑、及/或其他不想 要的雜質。
如本文所使用，當在特定期間(例如一週、兩週、三週、及四週)於濕度(例如，10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、75%、80%、85%、90%、及95% RH)、曝光及溫度(例如，高於0℃，例如，20℃、25℃、30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃、及70℃)之恆定條件下未觀察到大量降解產物時，化合物為「安定」的。在特定條件下當降解雜質出現或現存之雜質的面積百分比(例如以HPLC示性之AUC)開始增加時，化合物不被視為安定的。降解生長量與時間之關係對於判定化合物安定性而言相當重要。
如本文所使用，用語「混合」意指結合、摻合、攪拌、搖動、渦漩、或攪動。用語「攪拌」意指混合、搖動、攪動或渦漩。用語「攪動」意指混合、搖動、攪拌、或渦漩。
除非明確指示，否則用語「大約」及「約」為同義詞。在一實施態樣中，「大約」及「約」係指所陳述之量、值、或期間±20%、±15%、±10%、±8%、±6%、±5%、±4%、±2%、±1%、或±0.5%。在其他實施態樣中，「大約」及「約」係指所列之量、數、或期間±10%、±8%、±6%、±5%、±4%、或±2%。在又其他實施態樣中，「大約」及「約」係指所列之量、數、或期間±5%。
當陳述XRPD峰時使用用語「大約」及「約」時，該 等用語係指所陳述之X射線粉末繞射峰±0.3° 2θ、±0.2° 2θ、或±0.1° 2θ。在其他實施態樣中，用語「大約」及「約」係指所列之X射線粉末繞射峰±0.2° 2θ。在其他實施態樣中，用語「大約」及「約」係指所列之X射線粉末繞射峰±0.1° 2θ。
當陳述溫度或溫度範圍時使用用語「大約」及「約」時，該等用語係指所陳述之溫度或溫度範圍±5℃、±2℃、或±1℃。在其他實施態樣中，用語「大約」及「約」係指所陳述之溫度或溫度範圍±2℃。
本申請案之化合物(例如，其游離鹼及鹽、以及非晶形式、結晶形式、多晶型、及介晶型)亦可製備為前體藥物(prodrug)，例如藥學上可接受之前體藥物。用語「前體藥物(pro-drug)」及「前體藥物(prodrug)」於本文中互換使用，且係指在活體內釋放活性原母藥(parent drug)之任何化合物。由於前體藥物已知增強藥品的數種所希望品質(例如，溶解性、生物利用率、製造等)，本申請案之化合物可以前體藥物形式遞輸。因而，本申請案意欲涵蓋本主張之化合物的前體藥物、遞輸彼等之方法及含彼等之組成物。用語「前體藥物」包括共價鍵聯至一或多個前體部分(pro-moieties)(諸如胺基酸部分或其他水溶性部分)之本申請案的化合物。本申請案之化合物可經由水解、氧化、及/或酶釋放機制從該前體部分釋放。在一實施態樣中，本申請案之前體藥物組成物展現提高之水溶解性、經改良之安定性、及經改良之藥物動力曲線的附加益處。該前體部 分可經選擇以獲得想要的前體藥物特徵。例如，前體部分(例如，胺基酸部分或其他水溶性部分(諸如磷酸鹽))可根據溶解性、安定性、生物利用率、及/或活體內遞輸或吸收來選擇。用語「前體藥物」亦意欲包括當將此種前體藥物投與對象時在活體內釋放本申請案之活性原母藥的任何共價鍵結載體。本申請案中之前體藥物係藉由使改質以例行操縱或於活體內分裂成以母化合物之方式來改質存在於該化合物中之官能基所製備。前體藥物包括本申請案之化合物，其中羥基、胺基、巰基、羧基、或羰基係鍵結至可於活體內分裂而分別形成游離羥基、游離胺基、游離巰基、游離羧基或游離羰基的任何基團。
前體藥物之實例包括但不局限於式I之化合物中的羥基官能基之酯(例如，乙酸酯、二烷胺基乙酸酯、甲酸酯、磷酸酯、硫酸酯、及苯甲酸酯衍生物)及胺基甲酸酯(例如，N,N-二甲胺基羰基)、羧基官能基之酯(例如乙酯、嗎啉基乙醇酯)、N-醯基衍生物(例如，N-乙醯基)、N-曼尼希鹼(N-Mannich base)、希夫鹼(Schiff base)及胺基官能基之烯胺酮(enaminone)、酮及醛官能基之肟、縮醛、縮酮及烯醇酯等，見Bundegaard,H."Design of Prodrugs"，第1至92頁，Elesevier，New York-Oxford(1985)。
合成化合物A
製備有機分子之標準合成方法和製程以及官能基轉變和操縱(包括保護之使用)可從相關科學文獻或從本領域中 之標準參考教科書獲得。雖然不局限於任一或數個來源，但有機合成的公認參考教科書包括：Smith,M.B.；March,J.March's Advanced Organic Chemistry：Reactions,Mechanisms,and Structure，第5版；John Wiley & Sons：New York,2001；及Greene,T.W.；Wuts,P.G.M.Protective Groups in Organic Synthesis，第3版；John Wiley & Sons：New York，1999。
化合物A之製備方法描述於美國專利申請案第20110172203號，該案係以全文引用方式併入本文中。
治療方法
本申請案提供治療有此需要之對象的細胞增生失調之方法，係藉由對有此需要之對象投與此治療、治療有效量之本申請案的化合物(例如，其游離鹼及鹽、以及非晶形式、結晶形式、多晶型、及介晶型)、或其藥學上可接受之前體藥物或代謝物來進行。該細胞增生失調可為癌症或癌前病況。本申請案進一步提供使用本申請案之化合物、或其藥學上可接受之前體藥物或代謝物來製備可用於治療細胞增生失調的藥劑。
本申請案亦提供保護有此需要之對象抗細胞增生失調的方法，係藉由將治療有效量之之本申請案的化合物、或其藥學上可接受之前體藥物或代謝物投與需要此治療的對象來進行。該細胞增生失調可為癌症或癌前病況。本申請案亦提供使用本申請案之化合物、或其藥學上可接受之前 體藥物或代謝物來製備可用於防止細胞增生失調的藥劑。
如本文所使用，「有此需要之對象」為具有細胞增生失調之對象，或相對於一般人口發生細胞增生失調之風險高的對象。有此需要之對象可能具有癌前病況。較佳地，有此需要之對象有癌症。「對象」包括哺乳動物。該哺乳動物可為例如任何哺乳動物，例如，人類、靈長類、鳥類、小鼠、大鼠、禽類、犬、貓、乳牛、馬、山羊、駱駝、綿羊或豬。較佳地，該哺乳動物係人類。
如本文所使用，用語「細胞增生失調」係指細胞之未經調節或異常生長或此二者的病況會導致發生不想要病況或疾病，該病況或疾病可能是或可能不是癌性的。 本申請案之範例細胞增生失調包括細胞分裂係不受調節的各式病況。範例細胞增生失調包括但不局限於腫瘤、良性腫瘤、惡性腫瘤、癌前病況、原位腫瘤、包膜性腫瘤(encapsulated tumor)、轉移性腫瘤、液態腫瘤、實性瘤、免疫腫瘤、血液腫瘤、癌症(cancer)、癌(carcinoma)、白血病、淋巴瘤、肉瘤、及迅速分裂細胞。本文所使用之用語「迅速分裂細胞」係定義為以超過或大於相同組織內鄰近或並列細胞當中之預期或所觀察到的速率分裂的任何細胞。細胞增生失調包括癌前病變或癌前病況。細胞增生失調包括癌症。較佳地，本文所提供之方法係用以治療或減輕癌症的症狀。用語「癌症」包括實性瘤以及血液腫瘤及/或惡性腫瘤(malignancy)。「癌前病變細胞」或「癌前細胞」為表現是為癌前病變或癌前病況之細胞增生失調的 細胞。「癌症細胞」或「癌性細胞」為表現是為癌症之細胞增生失調的細胞。任何可重現測量方法均可用於鑑別癌症細胞或癌前細胞。癌症細胞或癌前細胞可藉由組織樣本(例如，活體組織切片樣本)之組織分類或分級來鑑別。癌症細胞或癌前細胞可經由使用適當分子標記來鑑別。
範例非癌性病況或失調包括但不局限於類風濕性關節炎；發炎；自體免疫疾病；淋巴球增生病況；肢端肥大症；類風濕性脊椎炎；骨關節炎；痛風、其他關節炎病況；敗血症；敗血性休克；內毒素性休克；革蘭氏陰性敗血症；毒性休克症侯群；氣喘；成人呼吸窘迫症候群；慢性阻塞性肺臟疾病；慢性肺臟發炎；發炎性腸道疾病；克隆氏症；乾癬；濕疹；潰瘍性結腸炎；胰臟纖維化；肝纖維化；急性及慢性腎臟病；大腸激躁症；熱病(pyresis)；再狹窄(restenosis)；腦型瘧疾；中風及缺血性損傷；神經創傷；阿滋海默氏症；漢廷頓氏舞蹈症；帕金森氏症；急性及慢性疼痛；過敏性鼻炎；過敏性結膜炎；慢性心臟衰竭；急性冠心症(coronary syndrome)；惡病質；瘧疾；麻風；萊什曼病；萊姆病)Lyme disease)；萊特氏症候群(Reiter's syndrome)；急性滑膜炎；肌肉變性；黏液囊炎；肌腱炎；腱鞘炎；突出、破裂或滑脫椎間盤症侯群；骨質疏鬆症；血栓形成；再狹窄；矽肺症；肺結節病(pulmonary sarcosis)；骨之再吸收疾病(諸如骨質疏鬆症)；移植物抗宿主反應；多發性硬化症；狼瘡；肌纖維痛；AIDS及其他病毒性疾病(諸如帶狀疱疹、第I型或第 II型單純型疱疹、流行性感冒病毒及巨細胞病毒)；及糖尿病。
範例癌症包括但不局限於腎上腺皮質癌、AIDS相關之癌症、AIDS相關之淋巴瘤、肛門癌、肛門直腸癌、肛管之癌症、闌尾癌、兒童小腦星狀細胞瘤、兒童大腦星狀細胞瘤、基底細胞癌、皮膚癌(非黑色素瘤)、膽管癌、肝外膽管癌、肝內膽管癌、膀胱癌(bladder cancer)、膀胱癌(uringary bladder cancer)、骨關節癌(bone and joint cancer)、骨肉瘤及惡性纖維性組織細胞瘤、腦癌、腦腫瘤、腦幹神經膠瘤、小腦星狀細胞瘤、大腦星狀細胞瘤/惡性神經膠瘤、室管膜瘤、神經管胚細胞瘤、小腦幕上原始神經外胚層腫瘤(supratentorial primitive neuroectodeimal tumor)、視覺路徑及下視丘神經膠瘤、乳癌、支氣管腺瘤/類癌、類癌腫瘤、胃腸神經系統癌、神經系統淋巴瘤、中樞神經系統癌、中樞神經系統淋巴瘤、子宮頸癌、兒童癌症、慢性淋巴球性白血病、慢性骨髓性白血病、慢性骨髓增生失調、結腸癌、大腸直腸癌、皮膚T細胞淋巴瘤、類淋巴腫瘤、漸進壞死性蕈狀肉芽腫、西澤氏症候群(Seziary Syndrome)、子宮內膜癌症、食道癌、顱外生殖細胞腫瘤、睪丸外生殖細胞腫瘤、肝外膽管癌、眼癌(eye cancer)、眼球內黑色素瘤、視網膜母細胞瘤、膽囊癌、胃癌、胃腸類癌腫瘤、胃腸基質瘤(GIST)、生殖細胞腫瘤、卵巢生殖細胞腫瘤、妊娠性滋養細胞腫瘤神經膠瘤、頭頸癌、肝細胞(肝)癌、霍奇金氏淋巴瘤、下咽癌、眼球內黑 色素瘤、眼癌(ocular cancer)、胰島細胞腫瘤(內分泌胰腺)、卡波西氏肉瘤、腎癌(kidney cancer)、腎癌(renal cancer)、腎癌(kidney cancer)、喉癌(laryngeal cancer)、急性淋巴母細胞性白血病、急性骨髓性白血病、慢性淋巴球性白血病、慢性骨髓性白血病、髮樣細胞白血病、唇及口腔癌、肝癌、肺癌、非小細胞肺癌、小細胞肺癌、AIDS相關之淋巴瘤、非霍奇金氏淋巴瘤、原發性中樞神經系統淋巴瘤、瓦氏巨球蛋白血症(Waldenstram macroglobulinemia)、神經管胚細胞瘤、黑色素瘤、眼內(眼)黑色素瘤、莫克爾氏細胞癌、惡性間皮瘤、間皮瘤、轉移性鱗狀頸癌(squamous neck cancer)、口腔癌(mouth cancer)、舌癌(cancer of the tongue)、多發性內分泌腫瘤症候群、漸進壞死性蕈狀肉芽腫、骨髓增生不良症候群、骨髓增生不良/骨髓增生疾病、慢性骨髓性白血病、急性骨髓性白血病、多發性骨髓瘤、慢性骨髓增生失調、鼻咽癌、神經母細胞瘤、口腔癌(oral cancer)、口腔癌(oral cavity cancer)、口咽癌、卵巢癌、卵巢上皮癌、卵巢低惡性腫瘤、胰腺癌、胰島細胞癌症、副鼻竇及鼻腔癌、副甲狀腺癌、陰莖癌、咽癌、嗜鉻細胞瘤、松果體胚細胞瘤(pineoblastoma)及小腦幕上原始神經外胚層腫瘤(supratentorial primitive neuroectodermal tumor)、腦下垂體腫瘤、漿細胞腫瘤/多發性骨髓瘤、胸膜肺細胞瘤、攝護腺癌、直腸癌、腎盂及輸尿管移行細胞癌、視網膜母細胞瘤、橫紋肌肉瘤、唾液腺癌、尤文氏肉瘤(ewing family of sarcoma tumor)、卡波西氏肉瘤、軟組織肉瘤、子宮癌、子宮肉瘤、皮膚癌(非黑色素瘤)、皮膚癌(黑色素瘤)、莫克爾氏細胞皮膚癌、小腸癌、軟組織肉瘤、鱗狀細胞癌、胃癌、小腦幕上原始神經外胚層腫瘤、睾丸癌、喉癌(throat cancer)、胸腺瘤、胸腺瘤及胸腺癌、甲狀腺癌、腎盂及輸尿管及其他泌尿器官移行細胞癌、妊娠性滋養細胞腫瘤、尿道癌、子宮內膜子宮癌(endometrial uterine cancer)、子宮肉瘤、子宮體癌、陰道癌、陰門癌、及威爾姆斯腫瘤(Wilm's Tumor)。
如本文所使用，「治療(treating/treat)」描述用以對抗疾病、病況或失調之對於病患的管理及照顯，且包括投與本申請案之化合物、或其藥學上可接受之前體藥物或代謝物以減輕疾病、病況或失調之症狀或併發症，或消除該疾病、病況或失調。
本申請案之化合物、或其藥學上可接受之前體藥物或代謝物亦可用以防止疾病、病況或失調。如本文所使用，「防止(preventing/prevent)」描述減少或消除該疾病、病況或失調之症狀或併發症開始。
如本文所使用，用語「減輕」意在描述失調之徵象或症狀的嚴重性降低的過程。重要的是，徵象或症狀可在未消除情況下減輕。在較佳實施態樣中，投與本申請案之藥學組成物導致消除徵象或症狀，然而，並不需要消除。有效劑量預期能降低徵象或症狀的嚴重性。例如，若失調(諸如可在多重部位發生之癌症)在多重部位中至少一者的 嚴重性降低，該癌症之徵象或症狀係減輕。
治療癌症可導致腫瘤的尺寸縮小。腫瘤尺寸縮小亦可稱為「腫瘤消退」。治療癌症可導致腫瘤體積縮小。治療癌症導致腫瘤數目減少。治療癌症可導致在遠離原發腫瘤位置之其他組織或器官中轉移性病變的數目減少。治療癌症可導致經治療對象之群體的平均存活時間比只接受載體之群體增長。治療癌症可導致經治療對象之群體的平均存活時間比未經治療對象之群體增長。治療癌症可導致經治療對象之群體的平均存活時間比接受非本申請案之化合物、或其藥學上可接受之鹽、前體藥物、代謝物、類似物或衍生物的單一藥物治療之群體增長。治療癌症可導致經治療對象之群體的死亡率比只接受載體之群體降低。治療癌症可導致經治療對象之群體的死亡率比未經治療群體降低。治療癌症可導致經治療對象之群體的死亡率比接受非本申請案之化合物、或其藥學上可接受之鹽、前體藥物、代謝物、類似物或衍生物的單一藥物治療之群體降低。治療癌症可導致腫瘤生長速率降低。治療癌症可導致腫瘤再生長減少。治療或防止細胞增生失調可導致細胞增生速率降低。治療或防止細胞增生失調可導致增生細胞的比例降低。治療或防止細胞增生失調可導致細胞增生之面積或區域尺寸縮小。治療或防止細胞增生失調可導致具有異常外觀或形態之細胞的數目或比例降低。
如本文所使用，「單一藥物治療」係指對有此需要之對象投與單一活性或治療化合物。較佳地，單一藥物治療 將涉及投與治療有效量之活性化合物。例如，將使用本發明化合物、或其藥學上可接受之前體藥物、代謝物、類似物或衍生物之一的癌症單一藥物治療投與需要癌症治療的對象。單一藥物治療可與合併治療(combination therapy)對照，合併治療中投與多種活性化合物之組合，較佳係該組合的各組分係以治療有效量存在。在一態樣中，使用本申請案之化合物、或其藥學上可接受之前體藥物或代謝物單一藥物治療在誘發所希望的生物效果方面比合併治療更有效。
如本文所使用，「合併治療」或「協同治療(co-therapy)」包括投與本申請案之化合物、或其藥學上可接受之前體藥物、代謝物、類似物或衍生物、及至少第二藥劑作為特定治療方案一部分，旨在於從該等治療劑之共同作用提供有益效果。該組合的有益效果包括但不局限於得自治療劑之組合的藥物動力或藥效動力學共同作用。該等合併使用之治療劑的投與通常係在界定的時間期間(視所選擇之組合而定，經常為數分鐘、數小時、數天或數週)內進行。「合併治療」可但通常並非旨在包括投與二或多種該等治療劑作為其順便且任意地導致本申請案的組合之獨立單一藥物治療方案一部分。
「合併治療」旨在包括以依序方式投與該等治療劑，其中各治療劑係在不同時間投與，以及該等治療劑或至少兩種該等治療劑之投與係以實質上同時的方式投與。實質上同時投與可例如藉由對該對象投與具有各治療劑之固比 率的單一膠囊或該等治療劑各者的多個或單一膠囊而達成。依序或實質上同時投與各治療劑可藉由任何適當途徑進行，該等途徑包括但不局限於口服途徑、靜脈內途徑、肌內途徑、及經由黏膜組織直接吸收。該等治療劑可由相同途徑或由不同途徑投與。例如，所選擇之組合的第一治療劑可藉由靜脈內注射投與，然而該組合之其他治療劑可口服投與。或者，例如，所有治療劑可口服投與，或所有治療劑可藉由靜脈內注射投與。治療劑投與的順序並無嚴格限制。
「合併治療」亦包括投與上述治療劑與其他生物活性成分及非藥物治療(例如手術或放射治療)的其他組合。當合併治療進一步包括非藥物治療時，該非藥物治療可於任何適合時間進行，只要從該等治療劑和非藥物治療之組合的獲致有益效果即可。例如，在適當情況下，當從治療劑之投與暫時移除非藥物治療(可能數天或甚至數週)時，仍獲致有益效果。
本申請案之化合物、或其藥學上可接受之前體藥物、代謝物、類似物或衍生物可與第二化學治療劑組合投與。 該第二化學治療劑(亦稱為抗惡性腫瘤藥劑或抗增生藥劑)可為烷基化劑(analkylating agent)；抗生素；抗代謝物；解毒劑；干擾素；多株或單株抗體；EGFR抑制劑；HER2抑制劑；組織蛋白去乙醯酶抑制劑；荷爾蒙；有絲分裂抑制劑；MTOR抑制劑；多激酶(multi-激酶)抑制劑；絲胺酸/蘇胺酸激酶抑制劑；酪胺酸激酶抑制劑；VEGF/VEGFR抑 制劑；紫杉烷或紫杉烷衍生物、芳香酶抑制劑、蒽環黴素(anthracycline)、微管標靶藥物、拓樸異構酶毒性藥物、分子標靶(molecular target)或酶之抑制劑(例如，激酶抑制劑)、胞苷結構類似藥物或任何化學治療、抗惡性腫瘤或抗增生藥劑。
藥學組成物
本申請案亦提供包含化合物A、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的固態形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的非晶形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的結晶形式、化合物A游離鹼或化合物A之鹽的多晶型、及/或化合物A游離鹼或化合物A之鹽的介晶型之藥學組成物。
「藥學組成物」為呈適於投與對象之含有本申請案的游離鹼、其鹽及/或固態固態形式之調配物。在一實施態樣中，該藥學組成物為散裝或呈單位劑型。該單位劑型為各式形式的任一者，包括例如膠囊、IV袋、錠劑、氣溶膠吸入器上之單泵或小瓶。呈組成物單位劑量中之活性成分(例如，所揭示之游離鹼、鹽及其固態形式之調配物)的量為有效量，且係根據所涉及之特定治療而變動。熟習本領域之人士將認可有時必須視病患年齡及狀況而對劑量進行例行變動。劑量亦將視投與途徑而定。預期使用各式途徑，包括口服、肺臟、直腸、非經腸、經皮、皮下、靜脈內、肌內、腹膜內、吸入、頰內、舌下、胸膜內、椎管 內、鼻內等。本申請案之化合物的局部或經皮投與之劑型包括粉劑、噴霧、軟膏、糊劑、乳霜、洗劑、凝膠、溶液、貼布與吸入劑。在一實施態樣中，該活性成分係在滅菌條件下與藥學上可接受之載體、及與需要之任何防腐劑、緩衝劑或推進劑混合。
如本文所使用，「藥學上可接受」一詞係指在合理的醫藥判斷範圍內適於用以與人類及動物之組織接觸而無過度毒性、刺激、過敏性反應、或其他問題或併發症、具有相稱之合理益處/風險比的化合物、材料、組成物、載體及/或劑型。
「藥學上可接受之賦形劑」意指通常為安全、無毒性且並非生物或其他方面不良的可用於製備藥學組成物的賦形劑，且包括在獸醫用途以及人類藥學用途可接受的賦形劑。本說明書及申請專利範圍中所使用之「藥學上可接受之賦形劑」包括一或超過一種此類賦形劑。
本申請案之藥學組成物係調配成與其計畫投與途徑相容。投與途徑之實例包括非經腸(例如，靜脈內、皮內、皮下)、口服(例如，吸入)、經皮(局部)、及經黏膜投與。用於非經腸、皮內、或皮下施用之溶液或懸浮液可包括下列組分：滅菌稀釋劑，諸如用於注射的水、鹽水溶液、不揮發油、聚乙二醇、甘油、丙二醇或其他合成溶劑；抗菌劑，諸如苯甲醇或對羥苯甲酸甲酯；抗氧化劑，諸如抗壞血酸或亞硫酸氫鈉；螯合劑，諸如乙二胺四乙酸；緩衝劑，諸如乙酸鹽、檸檬酸鹽或磷酸鹽、以及用於調整滲性 之藥劑(諸如氯化鈉或右旋糖)。該pH可以酸或鹼(諸如氫氯酸或氫氧化鈉)調整。該非經腸製劑可密封於由玻璃或塑膠製成的安瓿、拋棄式注射器或多劑量小瓶中。
本申請案之藥學組成物可以許多當前用於化學治療之為人熟知方法來投與對象。例如，為了治療癌症，本申請案之化合物可直接注射至腫瘤、注射至血流中或體腔，或口服或使用貼片經由皮膚施加。所選擇之劑量應足以構成有效治療但不會高到造成不可接受的副作用。在治療期間或治療之後合理期間內較佳應嚴密監測疾病病況(例如癌症、癌前病變等)的狀態及病患的健康。
如本文所使用之用語「治療有效量」係指用於治療、改善或防止已鑑別之疾病或病況，或展現可偵測治療或抑制效果的藥劑之量。該效果可由本技術已知的任何檢定方法偵測。用於對象之精確有效量將取決於對象的體重、尺寸及健康；病況之性質及程度；以及選擇用於投與的治療或治療組合。給定狀態之治療有效量可藉由在臨床醫師的技術及判裝範圍內之例行實驗測定。在較佳態樣中，待治療之疾病或病況為癌症。在其他態樣，待治療之疾病或病況為細胞增生失調。
就任一化合物而言，治療有效劑量可以細胞培養檢定(例如，國性腫瘤細胞之檢定)，或以動物模型(通常為大鼠、小鼠、兔子、狗或豬)作最初估計。該動物模型亦可用以決定適當濃度範圍與投與途徑。然後，此等資訊可用以決定用於人類的可用劑量與投與途徑。治療/預防功效 或毒性可藉由標準藥學程序於細胞培養或實驗動物中測定，例如，ED50(群體中50%治療有效之劑量)及LD50(群體中50%死亡的劑量)。介於毒性及治療效果之間的劑量比為治療指數，及可表示為LD50/ED50比。展現大治療指數之藥學組成物為佳。該劑量可視所使用之劑型、病患的敏感性及投與途徑而在此範圍內變動。
劑量及投與係經調整以提供充足水準之活性成分或維持所要的效果。需要考慮的因素包括疾病狀態的嚴重性、對象的一般健康、年齡、體重，與對象性別、飲食、投與時間與頻率、藥物組合、反應敏感性與對治療的耐受性/反應而定。長效型藥學組成物可視特定調配物的半衰期及廓清率而每3至4天、每週、或每兩週一次投與。
含有本申請案之游離鹼、鹽及/或其固態形式的藥學組成物可以一般已知方式製造，例如利用慣用混合、溶解、造粒、糖衣製造、研碎、乳化、膠囊充填、覆埋、或冷凍乾燥法。藥學組成物可以慣用方式使用一種藥學上可接受之載體(包括可促進將活性成分處理成藥學上可使用的製劑之賦形劑及/或輔助劑)調配。當然，適當調配物係視所選用的投與途徑而定。
適於注射用途的藥學組成物包括滅菌水溶液(當為水溶性時)或分散液及滅菌粉末以供即時製備滅菌可注射溶液或分散液。就靜脈內投與而言，適用載體包括生理鹽水、抑菌水、Cremophor ELTM(BASF,Parsippany,N.J.)或磷酸鹽緩衝之鹽水(PBS)。在所有情況下，該組成物必須 滅菌且應為存在容易注射性之程度的流體。其在製造及貯存條件下必須具有安定性，且必須防腐以抗微生物(諸如細菌及真菌)的污染作用。該載體可為含有例如水、乙醇、多元醇(例如甘油、丙二醇、及液態聚乙二醇等)之溶劑或分散介質、及其適用混合物。適當流性可藉由例如使用塗層(諸如卵磷脂)、在分散液情況下藉由維持所需之粒子大小，以及藉由使用界面活性劑而加以維持。防止微生物之作用可藉由各種抗細菌及抗真菌劑(例如對羥苯甲酸酯、氯丁醇、酚、抗壞血酸、乙汞硫柳酸鈉)等獲致。在許多情況下，較佳係在該組成物中包括等滲壓劑，例如糖、多元醇(諸如甘露糖醇、山梨醇)、氯化鈉。可注射組成物之長期吸收可藉由在該組成物中包括延遲吸收之藥劑(例如單硬脂酸鋁及明膠)實現。
滅菌可注射溶液可藉由將於適當溶劑中之所需量的該活性成分與前文列舉的成分之組合合併，視需要，接著進行過濾滅菌而製備。通常，分散係藉由將該活性成分併入含有基底分散介質及來自前文所列舉之所需的其他成分之滅菌載劑。在用於製備滅菌可注射溶液之滅菌粉末的情況下，製備方法為真空乾燥及冷凍乾燥，其來從先前滅菌過濾之溶液產生該活性成分加上任何額外所要之成分的粉末。
口服組成物通常包括惰性稀釋劑及可食用藥學上可接受之載體。彼等可密封於明膠膠囊中或壓製成錠劑。基於口服治療投與目的，活性成分可與賦形劑結合並以錠劑、 片劑或膠囊形式使用。口服組成物亦可使用流體載體製備以作為漱口水使用，其中於該流體載體中之化合物係口服施用且漱口以及吐出或嚥下。可包括藥學上相容之黏合劑及/或佐劑材料作為該組成物的一部分。錠劑、丸劑、膠囊、片劑等可含有下列成分或具有相似性質之化合物中任一者：黏合劑(諸如微晶型纖維素、黃蓍樹膠或明膠)；賦形劑(諸如澱粉或乳糖)、崩解劑(諸如藻酸、Primogel或玉米澱粉)；潤滑劑(諸如硬脂酸鎂或Sterotes)；助流劑(諸如膠態二氧化矽)；甜味劑(諸如蔗糖或糖精)；或調味劑(諸如薄荷、柳酸甲酯、或柳橙調味劑)。
就藉由吸入投與而言，該活性成分係以來自含有適當推劑劑(例如氣體(諸如二氧化碳))之加壓容器或分配器、或霧化器的氣溶膠噴霧形式遞輸。
系統性投與亦可藉由經黏膜或經皮方式。就經黏膜或經皮投與而言，將適於待滲透之障壁的滲透劑用於該調配物。此等滲透劑通常為本技術中已知，及就經黏膜投與而言，包括例如清潔劑、膽鹽、及梭鏈孢酸添加劑。經黏膜投與可經由使用鼻噴霧或栓劑達成。就經皮投與而言，將該活性成分調配成如本技術一般已知的軟膏、油膏、凝膠或乳霜。
該活性成分可與將保護該化合物對抗被身體迅速消除的藥學上可接受之載體製備，諸如控制釋放調配物，包括植入物及微膠囊化遞輸系統。可使用生物可降解、生物相容聚合物，諸如乙烯乙酸乙烯酯、聚酐、聚羥乙酸、膠 原、聚原酸酯(polyorthoester)及聚乳酸。對於熟習本領域之人士而言製備此等調配物的方法顯而易見。該等材料亦可從Alza Corporation及Nova Pharmaceuticals,Inc.購得。脂質體懸浮液(包括目標鎖定對於病毒抗原具有單株抗體之受感染細胞之脂質體)亦可用作藥學上可接受之載體。此等可根據本技術中已知的方法，如描述於美國專利第4,522,811中所製備。
尤其有利的是將口服或非經腸組成物調配成單位劑型以利投與且投以均勻劑量。如本文所使用之單位劑型係指適合作為待治療之對象的單位劑量之物理分離的單位；各單位含有經計算之預定數量的活性成分以連同所需之醫藥載劑產生所希望的治療效果。本申請案之單位劑型的規格係直接視該活性成分之獨特特性及待獲致之特定治療效果決定。
在治療應用中，在影響所選擇之劑量的其他因素當中，根據本申請案所使用之藥學組成物的劑量特別視該藥劑、接受病患的年齡、體重及臨床條件、以及投與該治療之臨床醫師或醫生的經驗及判斷而變動。通常，該劑量應還以導致減緩，及較佳係消退腫瘤的生長，以及亦較佳係造成該癌症完全消退。劑量可從每天約0.01mg/kg至每天約5000mg/kg。在較佳態樣中，劑量可從每天約1mg/kg至每天約1000mg/kg。在一態樣中，劑量將在約0.1mg/天至約50g/天；約0.1mg/天至約25g/天；約0.1mg/天至約10g/天；約0.1mg至約3g/天；或約0.1mg至約1 g/天之範圍，呈單一劑量、分劑量或持續劑量(該劑量可針對病患體重(kg計)、體表面積(m2計)及及年齡(歲)調整)。藥劑之有效量係提供如臨床醫師或其他合格觀察者所注意到的客觀地可鑑別改善之量。例如，病患的腫瘤消退可參考腫瘤直徑測量。腫瘤真空縮小表示消退。消退亦由在治療停止之後腫瘤未復發來表示。如本文所使用，用語「劑量接受方式」係指用以在對象或細胞中產生所希望生物效果的活性成分之量。
藥學組成物可連同投與指示包括於容器、包裝、或分配器中。
本申請案之化合物能進一步形成鹽。所有該等形式亦預期包括在所主張之申請案的範圍內。
如本文所使用，「藥學上可接受之鹽」係指本申請案之化合物的衍生物，其中母化合物係藉由形成其酸鹽或鹼鹽來改質。藥學上可接受之鹽的實例包括但不局限於鹼性殘基(諸如胺)之無機酸鹽或有機酸鹽、酸性殘基(諸如羧酸)之鹼鹽或有機鹽等。藥學上可接受之鹽包括母化合物之慣用無毒性鹽或四級銨鹽，其係例如從無慣性無機酸或有機酸形成。例如，此種慣用無毒性鹽包括但不局限於從選自下列之無機酸及有機酸所衍生者：2-乙醯氧基苯甲酸、2-羥基乙磺酸、乙酸、抗壞血酸、苯磺酸、苯甲酸、重碳酸、碳酸、檸檬酸、乙二胺四乙酸、乙二磺酸、1,2-乙磺酸、反丁烯二酸、葡萄庚酸、葡萄糖酸、麩胺酸、羥乙酸、乙內醯腫酸、己基間二羥基苯甲酸、海巴明酸 (hydrabamic)、氫溴酸、氫氯酸、氫碘酸、羥基順丁烯二酸、羥基萘甲酸、2-羥乙磺酸、乳酸、乳糖酸、月桂基磺酸、順丁烯二酸、蘋果酸、苯乙醇酸、甲磺酸、萘磺酸(napsylic)、硝酸、草酸、撲酸(pamoic)、泛酸、苯乙酸、磷酸、聚半乳糖醛酸、丙酸、柳酸、硬脂酸、次乙酸、丁二酸、胺磺酸、對胺苯磺酸、硫酸、單寧酸、酒路、甲苯磺酸、及常見胺酸，例如丙胺酸、丙胺酸、苯丙胺酸、精胺酸等。
藥學上可接受之鹽的其他實例包括己酸、環戊烷丙酸、丙酮酸、丙二酸、3-(4-羧基苯甲醯基)苯甲酸、桂皮酸、4-氯苯磺酸、2-萘磺酸、4甲苯磺酸、樟腦磺酸、4-甲基雙環-[2.2.2]-辛-2-烯-1-甲酸、3-苯丙酸、三甲基乙酸、第三丁基乙酸、黏康酸等。本申請案亦包括當存在於母化合物中之酸質子係經金屬離子(例如鹼金屬離子、鹼土金屬離子、或鋁離子)置換；或與有機鹼(諸如乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-胺基-2-(羥甲基)丙-1,3-二醇(tromethamine)、N-甲基還原葡糖胺配位時所形成的鹽。
應暸解所有此等指示的藥學上可接受之鹽包括相同鹽之如本文所定義的溶劑加成形式(溶劑合物)或結晶形式(多晶型)。
本申請案之化合物亦可製備為酯，例如，藥學上可接受之酯。例如，化合物中之羧酸官能基可轉化成其對應酯，例如甲酯、乙酯或其他酯。又，化合物中之醇基可轉化成其對應之酯，例如，乙酸酯、丙酸酯或其他酯。
本申請案之化合物亦可製備為前體藥物，例如，藥學上可接受之前體藥物。用語「前體藥物」及「前體藥物」於本文中互換使用，且係指在活體內釋放活性原母藥之任何化合物。由於前體藥物已知增強藥品的數種所希望品質(例如，溶解性、生物利用率、製造等)，本申請案之化合物可以前體藥物形式遞輸。因而，本申請案意欲涵蓋本主張之化合物的前體藥物、遞輸彼等之方法及含彼等之組成物。「前體藥物」意欲包括當將此種前體藥物投與對象時在活體內釋放本申請案之活性原母藥的任何共價鍵結載體。本申請案中之前體藥物係藉由使改質以例行操縱或於活體內分裂成以母化合物之方式來改質存在於該化合物中之官能基所製備。前體藥物包括本申請案之化合物，其中羥基、胺基、巰基、羧基、或羰基係鍵結至可於活體內分裂而分別形成游離羥基、游離胺基、游離巰基、游離羧基或游離羰基的任何基團。
前體藥物之實例包括但不局限於本申請案之化合物中的羥基官能基之酯(例如，乙酸酯、二烷胺基乙酸酯、甲酸酯、磷酸酯、硫酸酯、及苯甲酸酯衍生物)及胺基甲酸酯(例如，N,N-二甲胺基羰基)、羧基官能基之酯(例如乙酯、嗎啉基乙醇酯)、N-醯基衍生物(例如，N-乙醯基)、N-曼尼希鹼、希夫鹼及胺基官能基之烯胺酮、酮及醛官能基之肟、縮醛、縮酮及烯醇酯等，見Bundegaard,H.「Design of Prodrugs」，第1至92頁，Elesevier，New York-Oxford(1985)。
本申請案之藥學組成物係口服、鼻腔、經皮、肺臟、吸入、經頰、舌下、腹膜內、皮下、肌內、靜脈內、直腸、胸膜內、椎管內及非經腸投與。在一實施態樣中，該化合物係口服投與。熟習本領域之人士將認可特定投與途徑的優點。
使用該等化合物之劑量方案係根據包括下列之各式因素來選擇：病患之類型、物種、年齡、體重、性別及醫療狀況；待治療之病況的嚴重性；投與之途徑；病患的腎及肝功能；以及所使用之特定或其鹽。普通技術醫生或獸醫可容易判定及開立以用防止、對抗或阻止癌症進展所需之藥物的有效量處方。
本申請案之揭示化合物的調配及投與技術可見Remington：the Science and Practice of Pharmacy，第19版，Mack Publishing Co.,Easton,PA(1995)。在一實施態樣中，本文所描述之化合物、及其藥學上可接受之鹽係與藥學上可接受之載體或稀釋劑合併用於藥學製劑。適用之藥學上可接受之載體包括惰性固體填料或稀釋劑以及滅菌水性或有機溶液。該等化合物將以足以提供在本文所述範圍內之所需劑量的量存在於此等藥學組成物中。
除非另外指明，否則本文所使用之所有百分比及比率均以重量計。從不同實例可明白本申請案之其他特性及優點。所提供之實例說明可用於實施本申請案的不同組分及方法。該等實例不局限所主張之申請案。根據本揭示，技術人士可鑑別及使用可用於實施本申請案的其他組分及方 法。
實施例1：X射線粉末繞射(XRPD) 1.1.Bruker AXS C2 GADDS
X射線粉末繞射圖案係於使用Cu Kα輻射(40kV，40mA)、自動化XYZ級、用於自動樣本定位之雷射視頻顯微鏡與HiStar 2維區偵測器的Bruker AXS C2 GADDS繞射儀上收集。X射線光學系統係由與0.3mm之針孔準直器耦合之單一Gobel多層鏡所組成。每週性能檢查係使用合格標準NIST 1976 Corundum(平板)進行。
該束發散度(即，X射線束在樣本上之有效大小)為大約4mm。θ-θ連續掃描模式係使用提供3.2°-29.7°之有效2θ範圍的20cm之樣本-偵測器距離。通常，該樣本係曝露於X射線束120秒。用於數據收集之軟體為供WNT 4.1.16用之GADDS，且該數據係使用Diffrac Plus EVA v 11.0.0.2或v 13.0.0.2分析與呈現。
環境條件
在環境條件操作之樣本係使用原接收狀態而未經研磨的粉末製備成平板試樣。將大約1至2mg之該樣本輕壓在載玻片上以獲得平面。
非環境條件
將在非環境條件下操作之樣本安裝在具有熱傳導化合 物的矽晶圓上。然後以10℃/min將該樣本加熱至適當溫度，然後在開始收集數據之前保持恆溫1分鐘。
1.2.Bruker AXS D8 Advance
X射線粉末繞射圖案係在Bruker D8繞射儀上使用Cu Kα輻射(40kV，40mA)、θ-2θ測角儀、及V4之發散及接收狹縫、Ge單光儀及Lynxeye偵測器收集。該儀器係使用經認證Corundum標準(NIST 1976)檢查性能。用於數據收集的軟體係Diffrac Plus XRD Commander v2.5.0，且使用Diffrac Plus EVA v 11,0.0.2或v 13.0.0.2分析與呈現該數據。樣本係在環境條件下作為使用原接收狀態之粉末的成平板試樣操作。
將該樣本輕柔地裝入切入經拋光零背景(510)矽晶圓中之孔腔。於分析期間以該樣本自有之平面旋轉。數據收集細節為：
˙角度範圍：2至42 °2θ
˙步輻：0.05° 2θ
˙收集時間：0.5s/步
1.3.Bruker AXS D8 Advance
可變溫XRPD分析係在Bruker D8 ADVANCE上以毛細管模式，使用Oxford Cryosystems Cryostream，於23℃、115℃、150℃及200℃進行。樣本係在介於3.0與50.0° 2θ之間掃描。材料係於毛細管樣本固持器中製備。 然後將該樣本載入Bruker D8 ADVANCE繞射儀並使用下列實驗條件分析之：
1.4.Siemens D5000
XRPD分析係在Siemens D5000上，在介於3.0與30.0(或50.0用於所接收材料之示性)° 2θ之間掃描該等樣本。將材料輕柔地壓在插入樣本固持器之玻璃圓盤上。然後將該樣本載入以反射模式運作之Siemens D5000繞射儀，並使用下列實驗條件分析。
實施例2：1H NMR
NMR光譜係在配備自動取樣器且由DRX400控制台之Bruker 400MHz儀器上收集。使用以Topspin v1.3運轉之ICON-NMR v4.0.4，使用標準Bruker裝載實驗獲得自動化實驗。就非例行光譜法而言，數據係經由單獨使用Topspin獲得。除非另外陳述，否則樣本係於DMSO-d6中製備。使用ACD SpecManager v12.00進行離線分析。
1H NMR光譜實驗係在Bruker AV400上進行(頻率：400MHz)。實驗係在氧化氘中進行，且各樣本係製備成約10mM濃度。
實施例3：微差掃描熱量測定法(DSC) 3.1.Mettler DSC 823e
DSC數據係在配備34位點自動取樣器之Mettler DSC 823e上收集。該儀器係使用合格銦校準能量及溫度。通常，在具有針孔之鋁盤中，將0.5至3mg各樣本以10℃/min從25℃加熱至300℃。在樣本上維持50ml/min之氮吹洗。該儀器控制及數據分析軟體為STARe v9.20。
3.1.Seiko DSC6200
將大約5mg之材料秤重至鋁DSC盤中，並以穿孔蓋非氣密式密封。然後將該樣本盤載入Seiko DSC6200儀器(配備冷卻器)且保持在25℃。一旦獲得安定熱流反應，將該樣本及參考物以10℃/min之掃描速率加熱至約360℃，及監測所得之熱流反應。
實施例4：熱重量分析(TGA)
TGA數據係在配備34位點自動取樣器之Mettler TGA/SDTA 851e上收集。該儀器係使用合格銦進行溫度校準。通常將5至30mg之各樣本載於預秤重之鋁坩堝上，並以10℃/min從周圍溫度加熱至350℃。在樣本上維持50ml/min之氮吹洗。該儀器控制及數據分析軟體為STARe v9.20。
將大約5mg之材料秤重至開放式鋁盤中，並載入同時熱重量/微差熱分析器(TG/DTA)中，並保持於室溫。然 後該樣本以10℃/min的速率從25℃加熱到300℃，在該時間.期間內將樣本重量隨著任何微差熱情況(DTA)的變化加以記錄。使用氮作為吹洗氣體，流率為100cm3/min。
實施例5：偏光顯微鏡(PLM) 5.1.Leica LM/DM
在具有用於捕捉影像之數位相機的Leica LM/DM偏光顯微鏡上研究樣本。將少量各樣本置於載玻片上，安裝於浸入油中並以玻璃片覆蓋，儘可能分離個別粒子。樣本係以適當倍率及耦合至λ假色濾光片之部分偏振光觀看。
5.1.Olympus BX50
使用配備Motic相機及影像捕捉軟體(Motic Images Plus 2.0)之Olympus BX50偏光顯微鏡測定雙折射的存在。除非另外陳述，否則所有影像係使用20x物鏡記錄。
實施例6：藉由HPLC之化學純度測定
純度分析係在配備二極體陣列偵測器之Agilent HP1100系列系統上且使用ChemStation軟體vB.02.01-SR1使用以下詳述之方法進行：
實施例7：重量蒸汽吸附(GVS) 7.1.SMS DVS Intrinsic
吸附等溫線係使用由DVS Intrinsic控制軟體v1.0.0.30控制之SMS DVS Intrinsic水分吸收分析儀而獲得。樣本溫度係藉由儀器控制維持在25℃。濕度係藉由混合總流率為200ml/min之乾燥及潮濕氮流來控制。相對濕度係藉由位於接近樣本之經校準Rotronic探針(動態範圍1.0至100% RH)測量。藉由微量天平(精確度±0.005mg)恆定地監測與% RH相關之樣本的重量變化(質量鬆弛)。
通常，在環境條件下將5至20mg之樣本置於已扣重網狀不鏽鋼籃。樣本係在40% RH及25℃(通常為室溫條件)裝載及卸載。水分吸附等溫線係如下概述進行(4次掃描提供兩個完整循環)。標準等溫線係在25℃以10% RH間隔在0至90% RH範圍內進行。數據分析係在MicrosoftExcel中使用DVS Analysis Suite v6.0.0.7實施。
樣本係在該等溫線完成之後回收並以XRPD重分析。
7.2.動態蒸汽吸附(DVS)
將大約10mg之樣本置入網狀蒸汽吸附天平盤且載入由Surface Measurement Systems所製之DVS-1動態蒸汽吸附天平。該樣本接受10%增量之0至90%、90至0%相對濕度(RH)斜面曲線(針對無水樣本)以及30至90%、90至0%、0至90%、90至0%(針對水合樣本)，於各級維持該樣本直到已獲致穩定重量(99.5%級完成度)為止。繪製吸附/去吸附循環期間之重量變化，以測定樣本之吸濕性質。
實施例8：藉由Karl Fischer(KF)滴定之水測定 8.1.Mettler Toledo DL39 Coulometer
各樣本的水含量係在Mettler Toledo DL39 Coulometer上使用Hydranal Coulomat AG試劑及氬吹洗來測量。將經秤重固體樣本溶解於溶劑中且將某一體積導入容器至等於 每一滴定大約10mg之樣本。進行重複測定。
8.2.Mettler Toledo C30 Compact Titrator
起初，藉KF(Mettler Toledo C30 Compact Titrator)分析只含甲醇的空白樣本以測定樣本分析之前的空白試樣水含量。將大約10至15mg之固體材料精確地秤重至小瓶中。然後將該材料沉積於甲醇並記錄所添加之量。然後將所得之溶液手動導入Mettler Toledo C30 Compact Titrator的滴定單元。水含量係計算為百分比且印出數據。
實施例9：熱力水溶解性 9.1.溶解性
藉由將充足化合物懸浮於水中使最大最終濃度10mg/ml該化合物的母游離形式來測定水溶解性。懸浮液係在25℃均衡24小時，然後測量pH。然後經由玻璃纖維C過濾器過濾該懸浮液。然後藉由適當因數(例如，101)稀釋該濾液。定量係藉由HPLC參考於DMSO中大約0.25mg/ml的標準溶液進行。注射不同體積之該標準經稀釋及達經稀釋樣本溶液。溶解性係使用當主峰在標準注射時於相同停留時間所發現的峰之積分所獲定的峰面積來計算。
分析係在配備二極體陣列偵測器之Agilent HP1100系列系統上且使用ChemStation軟體vB.02.01-SR1進行。
9.2.高效液相層析術-紫外線偵測(HPLC-UV)
純度及濃度分析係使用以下方法進行：儀器參數：管柱：Waters Xbridge Shield RP18，4.6 x 150mm，3.5μm，零件編號186003045
管柱溫度：25℃
自動取樣器溫度：5℃
偵測：226nm
流動相A：95：5：0.1%水：甲醇：TFA
流動相B：95：5：0.1%甲醇：水：TFA
梯度：見下表條件
流率：1.0mL/分鐘
注射體積：10μL
分析時間：36分鐘
重均衡時間：4分鐘
數據收集時間：36分鐘
洗針液：100%甲醇
梯度條件
實施例10：離子層析術(IC)
數據係在Metrohm 761 Compact IC(陽離子)/Metrohm 861 Advanced Compact IC(陰離子)上使用IC Net軟體v2.3收集。將精確秤重之樣本製備成於適當溶解溶液中之儲備溶液且在試驗之前適當地稀釋。定量係藉由與待分析之該離子的已知濃度標準溶液比較而獲致。
實施例11：高溫載台顯微鏡
樣本係藉由使用高溫載台設備之具有10x倍率的透鏡偏光顯微鏡(PLM)分析。溫度係以10℃/min從25℃緩升至325℃。
實施例12：化合物A游離鹼之多晶型 製備化合物A游離鹼之多種多晶型。
形式1係藉由將化合物A游離鹼從異丙醇(IPA)、甲基乙基酮(MEK)或丙酮分離而形成。形式1構成棒形雙折射粒子(圖1)。其化學純度為99.3%(圖6)，具有0.01當量之殘留二烷。結晶化合物A游離鹼不溶於水。
形式1可為二氯甲烷(DCM)溶劑合物，其含有0.4至0.6當量之DCM(圖7A)、或MEK矽石，其含有0.4至0.6當量之MEK(圖7C)。形式1在25℃及0至96% RH之貯存條件下為安定的(圖4B及C)，且展現在0至90% RH最小吸水率(<0.8%，w/w)(圖5)。
形式1展現寬吸熱，開始溫度為~118℃，及於~207℃熔融(圖8)。形式1在110至150℃之溫度範圍中損失8.8%(w/w)重量，其對應於0.49當量之DCM(圖8)。形式1於貯存時觀察到最小吸水率(圖5)。
形式1於~110℃釋放DCM且轉變成非溶劑合形式2(圖3)。形式1於在40℃及75% RH下貯存時亦轉變成形式2(圖4A)。
形式2亦藉由將化合物A游離鹼從乙酸異丙酯(IPAc)或乙腈分離而形成。形式2不含任何大量溶劑(圖7B)。形式2於~210℃熔融，及當冷卻時，轉化成形式3(圖3)。
形式4係藉由緩慢蒸發含5% H2O於THF中之的游離鹼溶液而生長(圖10)。形式4為半THF溶劑合物，且具有含有展現最小無序之化合物A游離鹼的獨立分子及半個THF分子的非對稱單元。化合物A游離鹼中之無序係位於在環丁基環上經取代之胺基上，且觀察到其為長形氮橢圓體。當胺基未由芳環共軛時觀察劍此類型無序。最終RI[I>2σ(I)]=4.74%。通過吡啶環(C1-C5)之6個原子計算的最小平方平面提供與0.0267平面性的RMSD，其中C5顯示與平面性-0.0463(9)Å之最大偏差。經由9個原子稠環(C6-C11，N3，N4，N5)計算之最小平方平面提供與0.0083平面性的RMSD，其中C7顯示與平面性0.016(1)Å之最大偏差。介於該平面與先前平面之雙面角為20.27(5)°。通過苯環(C12-C17)之6個原子計算的最小平方平面提供與0.0015平面性的RMSD，其中C16顯示與平面性 0.0025(9)Å之最大偏差。介於該平面與先前平面之雙面角為27.53(2)°。通過第二苯環(C18-C23)之6個原子計算的最小平方平面提供與0.0125平面性的RMSD，其中C23顯示與平面性-0.0187(8)之最大偏差。介於該平面與先前平面之雙面角為61.64(4)°。該環丁環(C24-C27)採用典型波狀(蝶狀)結構以最小化環應變。
在形式4中，化合物A游離鹼經由與在吡啶環上之胺基的氮N1(作為供體)及在對稱相關分子上之吡啶環的氮N2(作為受體)的氫鍵形成二聚物，N1-H1AB---N2[D+…A=3.051(2)Å](圖11)。化合物A游離鹼之二聚物單元係藉由在環丁環之胺取代基N6及形成化合物A二聚物單元之鏈中的對稱相關分子中之相同基團之間的氫鍵鍵結在一起，N6-H6B---N2[D…A=3.284(4)Å](圖12)。在吡啶環上之胺基的氮N1及該9個原子環系統的氮N4之間亦觀察到內部氫鍵，N1-H1AA---N4[D…A=2.696(2)Å](圖11)。單位晶胞內之化合物A游離鹼半THF溶劑合物的堆砌影像係示於圖13。無其他不常見結構特徵，且傅立葉差異圖無特徵，分別顯示0.372及-0.285eÅ -3之最大及最小電子密度。產生模擬XRPD圖案作為該材料之參考圖案(圖14)。 形式4之特徵係提供於表5至13。
細化摘要：
實施例13：製備化合物A鹽及多晶型
精確秤重大約40至45mg之化合物A游離鹼，且添加50體積之適當溶劑。該等溶劑包括二烷、乙酸乙酯、乙酸異丙酯(IPAc)、異丙醇(IPA)、四氫呋喃(THF)、 甲基乙基酮(MEK)、丙酮、乙醇、乙腈、及硝甲烷。將該等樣本加溫至50℃為時1小時，及添加各種不同酸儲備溶液(例如，HCl、硫酸、甲磺酸、順丁烯二酸、磷酸、L-麩胺酸、L-酒石酸、半乳糖二酸、檸檬酸、D-葡萄糖醛酸、馬尿酸、D-葡萄糖酸、L-乳酸、L-抗壞血酸、丁二酸、乙酸)。為了形成單鹽，添加1.1當量之該酸；及為了形成雙鹽，添加2.1當量之該酸。該等樣本於50℃再維持2至3小時及以0.1℃/min冷卻至0℃並維持於0℃隔夜。
實施例14：化合物A之鹽的多晶型
根據實施例12製備之各種不同化合物A之鹽形成具有明顯不同XRPD圖案的多晶型(圖49至64)。該等化合物A之鹽的多晶型在貯存時為安定的(圖65至79)。
實施例15：製備化合物A HCl鹽及多晶型
精確秤重大約10mg之化合物A游離鹼，且添加50體積之適當溶劑。該等溶劑包括二烷、乙酸乙酯、IPAc、IPA、THF、MEK、丙酮、乙醇、乙腈、及硝甲烷。該等樣本係加溫至50℃為時1小時，及添加各種不同HCl酸儲備溶液(例如，於THF、乙酸乙酯、或乙醇中之儲備溶液)。為了形成單鹽，添加1.1當量之該酸；及為了形成雙鹽，添加2.1當量之該酸。該等樣本於50℃再維持4小時及以0.1℃/min冷卻至0℃並維持於0℃隔夜。
實施例16：製備化合物A HCl鹽及多晶型
在50℃於1分鐘期間將HCl(於THF中1M)(3.4ml，3.4mmol，3.3當量)添加至化合物A游離鹼(450.3mg，1.04mmol，1當量)及乙醇(22.5ml，50相對體積)之攪拌懸浮液。該混合物於添加~3ml之酸時成為溶液，及在完成添加之後保持為溶液。該混合物於50℃攪拌1小時，然後以0.1℃/min冷卻至0℃，再攪拌5小時。取等分樣品，藉由真空過濾分離出固體，於吸力下乾燥且藉由XRPD分析以確認形成所要材料。剩餘混合物係於0℃再攪拌4小時。固體係藉由真空過濾分離，於吸力下且以30℃/5 mbar乾燥，獲得呈黃色固體的所要材料。表14顯示化合物A HCl鹽之多晶型之一的分析。
實施例17：化合物A HCl鹽之多晶型
化合物A係在所有所使用之溶劑中形成單HCl鹽。該化合物A之單HCl鹽展現四種不同結晶XRPD圖案(圖 17A)。
化合物A亦在所有所使用之溶劑中形成雙HCl鹽。該化合物A之雙HCl鹽展現四種不同結晶XRPD圖案(圖17B)。
化合物A亦形成三HCl鹽。XRPD顯示該三HCl為非晶形(圖16)。化合物A三HCl鹽於水中之可溶性高。安定性研究顯示在儲存下，化合物A三HCl鹽部分轉變成雙HCl鹽及/或單HCl鹽，且展現不同的XRPD圖案(圖22)。
實施例18：製備化合物A甲磺酸鹽(mesylate)及多晶型
精確秤重大約10mg之化合物A游離鹼且添加至50體積之適當溶劑。該等溶劑包括二烷、乙酸乙酯、IPAc、IPA、THF、MEK、丙酮、乙醇、乙腈、及硝甲烷。該等樣本係加溫至50℃為時1小時，及添加各種不同甲磺酸儲備溶液(例如，於THF、乙酸乙酯、或乙醇中之儲備溶液)。為了形成單鹽，添加1.1當量之該酸；及為了形成雙鹽，添加2.1當量之該酸。該等樣本於50℃再維持4小時及以0.1℃/min冷卻至0℃並維持於0℃隔夜。
化合物A甲磺酸鹽之多晶型係從各種不同溶劑分離出來，該等溶劑包括例如THF、乙酸乙酯、及乙醇。化合物A甲磺酸鹽之多晶型於水中之可溶性高且在貯存下為安定的。在40℃及75% RH下貯存之前及之後，化合物A甲磺酸鹽之多晶型的XRPD中未觀察變化。亦未觀察到甲磺 酸的任何損失。
實施例19：製備化合物A甲磺酸鹽(methane sulfonic acid salt)及多晶型
於50℃在1分鐘期間內將甲磺酸(於THF中1M溶液)(3.4ml，3.4mmol，3.3當量)添加至化合物A游離鹼(450.1mg，1.04mmol，1當量)於THF(22.5ml，50相對體積)中之攪拌溶液。形成非常厚的沉澱物，並將攪拌速率提高以獲得可流動懸浮液。該混合物於50℃攪拌1小時，然後以0.1℃/min冷卻至0℃，再攪拌6小時。取等分樣品，藉由真空過濾分離出固體，於吸力下乾燥且藉由XRPD分析以確認形成所要材料。剩餘混合物係於0℃再攪拌1小時。固體係藉由真空過濾分離且在吸力下乾燥以產生呈黃色固體之所要材料。表15顯示化合物A甲磺酸鹽之多晶型之一的分析。
實施例20：化合物A雙甲磺酸鹽之多晶型
將化合物A雙甲磺酸鹽冷凍乾燥以產生非晶形鹽(圖30)。化合物A雙甲磺酸鹽之成熟係以各種不同溶劑在不同條件下進行。250mg之非晶形甲磺酸鹽係在5mL適當溶劑中漿化。溫度係在55℃及0℃之間循環，且於各溫度保持4小時。在循環之間，在一小時期間將溫度調整至下一設定溫度。溫度循環重複4次°一旦完成該循環，過濾漿體並藉由XRPD分析各分離之固體。23種受試溶劑提供可過濾固體。XRPD圖案係摘要於表16。鑑別兩種明顯不同之化合物A雙甲磺酸鹽的多晶型。
實施例21：化合物A雙甲磺酸鹽之多晶型 形式A
化合物A游離鹼(41.06g，94.93mmol，1.0當量)於THF(2.0L，50體積)中之溶液係在50℃於3分鐘期間經甲磺酸(208ml，208mmol，2.2當量)於THF中之1M溶液處理。所得之濃稠漿體係在冷卻至20℃之前於50℃再攪拌1小時，及在20℃攪拌17小時。然後將所得之漿體過濾並以THF清洗固體(2 x 300mL)，且於50℃真空下乾燥22小時及於20℃乾燥48小時。此產生呈淺黃色結晶 固體之化合物A雙甲磺酸鹽(58.1g，98%分離產率)。或者，形式A可進一步在約22℃下於乾甲醇中漿化48小時以改善結晶度。
化合物A雙甲磺酸鹽形式A之XRPD、1H NMR、DSC、TGA及IR數據係如圖32至36提供。形式A之XRPD圖案(圖32)係藉由在4.1、7.8、9.4、10.1、12.1、15.5、16.2、18.8、19.9、21.1、23.0、25.1及27.4° 2θ觀察到的單峰區別。該形式A鹽之1H NMR顯示存在2.41ppm(對應於1.87當量)之甲磺酸鹽相對離子。離子層析術量得30.1%(wt)之甲磺酸，其對應於1.94當量(無水基準)。亦在1H NMR中觀察到殘留THF，其對應於在2918ppm之THF藉由GC測量之OVI分析。DSC(圖34)顯示顯示開始溫度在305.9℃之急劇吸熱及在307.6℃之熔融。直到在DSC實驗中觀察到熔融情況為止，TGA(圖35)中未觀察到明顯失重情況。為形式A之代表的IR光譜係如圖36所示。
形式A之額外示性描述如下。
PLM分析表示形式A為具有針狀形態的雙折射。
TGA在低於約60℃顯示失重約1.47%，可能是未結合溶劑/水所致。在高於約300℃降解之前未觀察到進一步失重。DTA表示在約92.2℃開始之小型吸熱(峰96.1℃)，以及在約302.6℃開始之最終吸熱(峰312.8℃)。
DSC分析顯示在約107.1℃開始之小型吸熱情況(峰115.4℃)，以及在約305.1℃開始之最終吸熱(峰308.2 ℃)。
形式A之樣本係加熱至約150℃且進行加熱後之XRPD分析，提供與形式A一致的繞射圖。在加熱至約150℃之後進行進一步TG/DTA分析，然後使該樣本冷卻至周圍溫度。該分析係與初始TG/DTA一致，再次顯示於約92.2℃之吸熱。該等加熱實驗表示於92.2℃之吸熱情況可能對應於固體至固體轉變，其中形式A轉化成高於此溫度之較高熔融形式，即形式A與高溫形式之間的雙變性關係。
經由可變溫度XRPD分析(VT-XRPD)尋求該轉變的進一步確認，於該可變溫度XRPD分析中將形式A之樣本置入毛細管且於23、115、150及200℃進行XRPD分析。於23℃，繞射圖與形式A一致。於150與200℃，觀察到與形式A不同之繞射圖案，表示轉化成不同多晶形式。該不同形式被稱為形式K。於115℃(轉變溫度)，觀察到形式A及形式K之混合物。該VT-XRPD分析確認於約107.1℃(峰115.4℃)之固體至固體轉變以及介於此二形式之間的可能雙變性關係。
藉由Karl-Fischer滴定量得約1.1%之水含量。
觀察到HPLC純度為99.8%。
HPLC濃度分析表示約383.4mg/mL之水溶解性。形式A在去離子水中漿化約24小時之後的XRPD分析表示形式A轉化成形式E。
DVS分析顯示至高達70% RH之吸水率為約2.4%， 表示中等吸濕性。未觀察到明顯磁滯。在DVS分析之後進行的XRPD分析提供與形式A一致之繞射圖，惟觀察到結晶有些損失。
在40℃/75% RH、80℃及在周圍溫度之安定性試驗之後未觀察到多晶形式改變。HPLC分析表示40℃/75% RH之純度為約99.8%，80℃為約99.8%，及在周圍溫度為約99.7%。
形式B
化合物A游離鹼(5.0g，11.56mmol，1.0當量)於2% H2O/MeOH(50ml，10vol)中之漿體係於55℃使用純甲磺酸(1.51ml，23.35mmol，2.02當量)處理。所得之溶液係於55℃下攪拌5分鐘。在80分鐘期間添加i-PrOAc(95mL)導致形成濃稠漿體，將其冷卻至20℃且攪拌18小時。過濾該漿體並以i-PrOAc(50mL)清洗濕濾餅，然後在真空下於55℃乾燥該濾餅22小時。所得之固體為白色固體(7.07g，98%產率)。形式B可藉由於22℃將非晶形化合物A雙甲磺酸鹽在2-丙醇(Aw=0.35)中漿化約72小時而按比例放大。
化合物A雙甲磺酸鹽形式B之XRPD、1H NMR、DSC、TGA及IR數據係如圖37至41提供。形式B之XRPD圖案(圖37)係藉由在6.2及6.6°之2θ觀察到的雙重峰區分。形式B鹽之1H NMR(圖38)顯示存在2.39ppm(對應於1.91當量)之甲磺酸鹽相對離子。離子層析術 量得29.9%之甲磺酸，其對應於1.92當量之甲磺酸鹽(無水基準)。藉由1H NMR觀察到殘留i-PrOAc，其對應於量得32,783ppm之i-PrOAc的藉由GC測量之OVI分析。 DSC(圖39)顯示顯示開始溫度在182.6℃之寬吸熱及在194.1℃之熔融。吸熱之後緊接著開始溫度為199.3℃且峰於204.5℃的放熱。觀察到第二吸熱之開始溫度為299.9℃及第二熔融於302.3℃。在TGA中觀察到三個分開的失重情況(圖40)。一情況在DSC中觀察到的熔融/再結晶情況之前(<150℃)，一情況對應於該熔融/再結晶情況(~250℃)，及第三情況在第二吸熱情況期間發生(~300℃)。形式B之代表IR光譜係如可41所示。
形式B之額外示性描述如下。
PLM分析表示形式B為具有小棒/針狀晶體的雙折射。
在周圍溫度空氣乾燥2至3天之後，TGA在低於50℃顯示失重約1.90%，接著在約50與130℃之間失重4.26%，其中在約130與190℃之間進一步失重2.35%。DTA痕跡顯示在約189.8℃開始之初始吸熱情況(峰195.6℃)，接著是峰在205.7℃的放熱情況。然後觀察到在約303.6℃開始之急劇吸熱(峰306.8℃)。在周圍溫度於真空下再乾燥1天之後，TGA在低於60℃顯示失重約2.37%，接著在約60℃與140℃之間失重2.61%，其中在約140與200℃之間進一步失重2.43%。DTA痕跡顯示在約187.3℃開始之初始吸熱情況(峰193.6℃)，接著是峰在 205.7℃的放熱情況。然後觀察到在約300.0℃開始之急劇吸熱(峰304.9℃)。在50℃再乾燥1天之後，TGA在低於60℃顯示失重約0.81%，接著在約60℃與140℃之間失重1.54%，其中在約140與200℃之間進一步失重2.39%。 DTA痕跡顯示在約189.3℃開始之初始吸熱情況(峰195.0℃)，接著是峰在205.8℃的放熱情況。然後觀察到在約302.1℃開始之急劇吸熱(峰305.9℃)。
為了評估在約190℃與210℃之間發生的熱轉變(在脫水/去溶劑化之後)，將形式B之樣本加熱至約250℃且在所得固體上進行加熱後之XRPD分析。所獲得之繞射圖與形式A一致。
DSC分析顯示峰於約108.6℃之寬吸熱。觀察到在約172.6℃開始之另一吸熱(峰186.4℃)，接著為峰在201.4℃之放熱。觀察到在約298.1℃開始之最終吸熱(峰302.2℃)。
藉由Karl-Fischer滴定量得約2.3%之水含量。
觀察到HPLC純度為99.7%。
HPLC濃度分析表示約359mg/mL之水溶解性。形式B在去離子水中漿化約24小時之後的XRPD分析表示形式B轉化成形式E。
DVS分析表示一些存在於形式B中之溶劑在初始吸附循環期間已被驅出該樣本。該等去吸附循環表示從90%下降至0% RH之逐漸損失。在DVS分析之後進行的XRPD分析提供與形式B以及先前所鑑別的所有其他形式 不同之繞射圖。該形式被稱為形式J。
在安定性研究期間，形式B在周圍溫度時多晶形式保持未改變但在40℃/75% RH轉化成形式J以及在80℃轉化成形式I。HPLC分析表示在40℃/75% RH之純度為約99.8%，在80℃為約99.8%，及在周圍溫度為約99.7%。
形式C
化合物A游離鹼(40.0g，92.48mmol，1.0當量)於2% H2O/MeOH(480mL，12vol)中之漿體係於55℃使用純甲磺酸(12.1ml，185.9mmol，2.01當量)處理，且以化合物A雙甲磺酸鹽形式C作為所得溶液之晶種。在30分鐘期間將所得稀漿體冷卻至50℃並保持1小時，然後在45分鐘期間將該混合物冷卻至40℃。該漿體係在40℃攪拌1小時，及移除熱源以將該漿體緩慢冷卻至周圍溫度。在20℃攪拌19小時之後，過濾該漿體。固體係在真空下於60℃乾燥24小時以提供灰白色固體(4 1.52g，72%產率)。形式C可藉由在60℃於含水甲醇(2%水)將化合物A雙甲磺酸鹽漿化來按比例放大。
化合物A雙甲磺酸鹽形式C之XRPD、1H NMR、DSC、TGA及IR數據係如圖42至46提供。形式C之XRPD圖案(圖42)係由在6.2°之2θ觀察到的單一淺峰後接在8.9°、9.8°及10.1°之2θ開始之額外峰來區分。形式C鹽之1H NMR分析(圖43)顯示存在2.41ppm(對應於1.92當量)之甲磺酸鹽相對離子。離子層析術量得30.7% 之甲磺酸，其對應於1.99當量之甲磺酸鹽(無水基準)。在1H NMR光譜中觀察到微量殘留MeOH，其對應於量得552ppm MeOH的藉由GC測量之OVI分析。DSC(圖44)顯示顯示開始溫度在286.1℃之急劇吸熱及在288.5℃之熔融。直到在DSC實驗中觀察到熔融情況為止，TGA(圖45)中未觀察到明顯失重情況，與該樣本之分解一致。形式C之IR光譜係如圖46提供。
測量形式A之DSC(圖47A)及形式B之DSC(圖47B)並重疊顯示(圖47C)。在形式B中觀察到在約190℃發生之寬吸熱，接著為在195℃之急劇放熱，表示形式可能改變。第二吸熱在297℃發生，且此類似於形式A中觀察到的吸熱。
形式B之樣本係加熱至235℃並保持15分鐘，然後冷卻回周圍溫度。加熱後之固體藉由XRPD分析顯示不再存在形式B(圖48)且所得之圖案與形式A的XRPD一致。
形式C之額外示性描述如下。
PLM分析表示形式C為具有小塊狀形態的雙折射。
TG/DTA顯示在約292.5℃開始之急劇吸熱(峰294.1℃)，對應與TGA痕跡中之失重0.9%。
DSC分析顯示在約291.8℃開始之單一吸熱情況(峰294.6℃)。
藉由Karl-Fischer滴定量得約0.3%之水含量。
觀察到HPLC純度為99.7%。
HPLC濃度分析表示約367mg/mL之水溶解性。在去 離子水中漿化約24小時之後的對該材料之XRPD分析表示形式C轉化成形式E。
DVS分析表示至高達90% RH之總吸水率為約0.54%，顯示該材料為非吸濕。在DVS分析之後進行的XRPD分析表示與形式C一致之繞射圖。
在40℃/75% RH、80℃及在環境條件之安定性試驗之後未觀察到多晶形式改變。HPLC分析表示40℃/75% RH之純度為約99.9%，80℃為約99.9%，及在周圍溫度為約99.9%。觀察到1H NMR光譜與所接收之材料一致。
實施例22：溶劑溶解性
使用化合物A雙甲磺酸鹽之非晶形式作為該甲磺酸鹽篩選的輸入材料。溶解性值係藉由溶劑添加技術估計以提供在稍後實驗期間產生漿體的近似值。秤重大約15mg之非晶形材料放入24個小瓶中。將各溶劑以10個10μl等分、5個20μl等分、3個100μl等分及1個500μl等分添加至適當小瓶或直到該材料溶解。在添加之間，將該樣本加熱至40℃。於已含有1000μl之溶劑但仍可觀察到固體材料的小瓶添加另一1000μl等分之溶劑。若添加2000μl之溶劑但固體未溶解，溶解性計算為低於此點。
為溶解性篩選所選用之溶劑系統係示於表177-1。
化合物A雙甲磺酸鹽之溶解性係示於下表17-2。
實施例23：主要多晶型篩選-為多晶型篩選之所選用溶劑系統
列於表18-1之溶劑系統係為多晶型篩選所選擇。
緩慢冷卻實驗
將大約150mg之非晶形化合物A秤入29個小瓶各者中，且添加適當體積之溶劑以製備漿體，在60℃攪拌固體約48小時以獲得熱力平衡系統。然後過濾該等漿體且將溶液分成3份。在攪拌下以0.3℃/min對一部分進行從60℃至5℃之緩慢冷卻。然後回收任何固體材料並藉由PLM及XRPD分析。圖155至160。
急速冷卻實驗
使用如緩慢冷卻實驗中所述製備之飽和溶液，急速冷卻實驗係在29種所選用之溶劑系統各者中，藉由將該等溶劑置於約2℃與約-18℃之環境最少72小時來進行。然後回收任何固體材料並藉由PLM及XRPD分析。圖148 至154。
反溶劑添加實驗
反溶劑添加實驗係在環境條件(約22℃)藉由將反溶劑(丙酮)添加至於29種所選用之溶劑系統各者中的非晶形化合物A雙甲磺酸鹽之飽和經過濾溶液來進行。反溶劑之添加持續直到無進一步沉澱為止或直到不再有反溶劑可添加至該小瓶為止。回收任何固體材料並藉由PLM及XRPD分析。圖161至168。
蒸發實驗
使用如緩慢冷卻實驗中所述製備之飽和溶液，藉由在環境條件(約22℃)蒸發在29種所選用之溶劑系統各者中該等溶液來進行蒸發實驗。然後回收任何固體材料且在溶劑蒸發至乾之後藉由PLM及XRPD分析。圖169至177。
多晶型篩選之結果係示於表18-2。
如表18-2所示：從冷卻及蒸發實驗在甲醇及甲醇/水溶劑系統中觀察到形式A。
從各種不同實驗在乙醇、乙醇/水、甲醇、甲醇/水、 1-丙醇、1-丙醇/水、2-丙醇/水及乙腈/水溶劑系統中觀察到形式B。
從各種不同實驗，在丙酮/水、乙腈/水、1,4-二烷/水、乙醇/水、甲醇/水、1-丙醇、1-丙醇/水、2-丙醇/水、四氫呋喃/水及水中觀察到形式D。
從使用丙酮作為反溶劑之反溶劑添加，在DMSO中觀察到形式G。
從一些蒸發實驗觀察到非晶形材料。
實施例24：水合篩選
列於表19之溶劑係根據化學多樣性為水合篩選所選擇。
表20所示之水活性係針對水合篩選在各溶劑中於10℃、25℃及50℃計算。溫度係經選擇以涵蓋預期的結晶溫度範圍。進行獨立之高(目標為150mg/mL)及低(目標為75mg/mL)漿體濃度實驗。
水合篩選過程
將大約75至150mg(視溶解性而定)之非晶形化合物A雙甲磺酸鹽材料秤入108個小瓶各者中，且於各溶劑：水系統中漿化，其中在10℃、25℃及50℃有6種不同水活性。圖178至189。
首先進行低漿體濃度實驗，其中將至高達1mL之0.1至0.6水活性的溶劑添加至75mg。就0.7至0.9水活性而言，將至高達100μL之溶劑添加至75mg。其次進行高漿體濃度實驗，其中將大約相同體積之溶劑添加至150mg。
該等漿體係在指定溫度攪拌約48小時，然後分離並使之在環境條件下乾燥，然後藉由XRPD分析以鑑別所獲得之固體材料的形式。該材料在較高水活性溶劑系統中之溶解性更高；因此若需要，添加額外固體以形成漿體。
實施例25：形式A之替代製備
將大約13.3mL之乾甲醇添加至1g非晶形式之化合物A雙甲磺酸鹽以製備漿體。在示性之前於過濾該樣本及使之在周圍溫度下乾燥之前在約22℃攪拌該漿體約2天。
實施例26：形式B之替代製備
將大約13.3mL之0.35水活性的2-丙醇添加至1g非晶形式之化合物A雙甲磺酸鹽以製備漿體。在示性之前於過濾該樣本及使之在周圍溫度下乾燥之前在約22℃攪拌該漿體約3天。
實施例27：形式C之替代製備
將大約5mL之2%含水甲醇添加至1g形式A之化合物A雙甲磺酸鹽以製備漿體，該漿體係在約60℃下攪拌約3天。然後在示性之前過濾該樣本並使之在周圍溫度乾燥。
實施例28：製備形式D
將大約13.3mL之0.6水活性的2-丙醇添加至1g非晶形式之化合物A雙甲磺酸鹽以製備漿體。該漿體係在約22℃攪拌約3天。然後在示性之前過濾該樣本並使之在環境條件乾燥。
實施例29：製備形式E
將大約1.2mL之0.89水活性的2-丙醇添加至1g非晶形式之化合物A雙甲磺酸鹽以製備漿體。在示性之前於過濾該樣本及使之在周圍溫度下乾燥之前在約22℃攪拌該漿體約3天。
實施例30：製備形式I
將大約5g所接收材料形式A之化合物A雙甲磺酸鹽溶解於50mL的乾甲醇。然後於烘箱中在約50℃在真空下蒸發該溶液，產生固體。
實施例31：安定性試驗
將形式A、形式B、形式C、形式D、形式E及形式I曝露於40℃/75% RH、周圍(約22℃)及高溫(80℃)之環境1週以測定安定性。所得之固體係藉由XRPD分析以確立是否發生任何形式改變，及藉由HPLC測定純度。
實施例32：水溶解性研究
在去離子水中產生形式A、形式B、形式C、形式 D、形式E及形式I之漿體，並在周圍溫度(約22℃)搖動約24小時。然後藉由HPLC分析所得之溶液，及測定水溶解性。剩餘固體係XRPD分析以確定在漿化期間是否發生任何形式改變。
實施例33：形式D之示性
形式D係藉由在約22℃將非晶形化合物A雙甲磺酸鹽材料於Aw=0.60之2-丙醇中漿化72小時而按比例放大(圖190)。
PLM分析表示該材料為具有扁棒/板狀形態之雙折射(圖191)。
在周圍溫度空氣乾燥約3天之後，TG/DTA顯示在約50.3℃開始之初始吸熱(峰71.3℃)，對應於在TG痕跡中之7.10%失重。在介於約75℃與220℃之間觀察到進一步1.24%逐漸失重。DTA痕跡亦顯示在介於222℃與235℃之間的小型吸熱/放熱情況，在約281.4℃之小型吸熱，及在約307.3℃開始之最終急劇吸熱(峰310.7℃)(圖192)。在周圍溫度於真空下再乾燥1天之後，TG/DTA顯示在約45.1℃開始之初始吸熱(峰63.7℃)，對應於在TG痕跡中之4.09%失重。在介於約75℃與180℃之間觀察到進一步0.81%逐漸失重。DTA痕跡亦顯示在約221℃與235℃之間的小型吸熱/放熱情況及在約306.0℃開始之最終急劇吸熱(峰309.8℃)(圖193)。
為了評估脫水後以及在介於約229℃及235℃之間發 生的熱轉變之後所獲得之形式，在一實驗中將形式D的樣本加熱至約150℃及在第二實驗中加熱至260℃。在所得固體上進行之加熱後XRPD分析提供分別與150℃及260℃實驗一致的繞射圖(圖195)。
DSC分析顯示在約71.9℃開始之初始寬吸熱(峰103.2℃)。在約229℃與235℃之間觀察到小型吸熱/放熱情況。觀察到在約300.9℃開始之最終吸熱(峰304.1℃)(圖194)。
藉由Karl-Fischer滴定量得約3.8%之水含量。
觀察到HPLC純度為99.9%(圖199)。
HPLC濃度分析表示約352mg/mL之水溶解性。在去離子水中漿化約24小時之後的對該材料之XRPD分析表示形式D轉化成形式E(圖198)。
藉由DVS分析，在0% RH脫水之後，第二吸附循環顯現在介於30%與50% RH之間表示出再水合，吸水率為約12%。該等去吸附等溫線表示當該材料水合時，隨著相對濕度降至低於40% RH，觀察到水逐漸流失，因此觀察到脫水(圖196)。在DVS分析之後進行的XRPD分析提供與形式I一致之繞射圖(圖197)。
在安定性研究期間，形式D在周圍溫度時多晶形式保持未改變但在40℃/75% RH轉化成形式J以及在80℃轉化成形式I(圖203)。HPLC分析表示在40℃/75% RH純度為約99.9%(圖200)，在80℃為約99.9%(圖202)及在環境條件為約99.9%(圖201)。
觀察到1H NMR光譜係與所接收材料一致。其中存在少量2-丙醇。API：2-丙醇之比為約1：0.25(圖204)。
因此，從該示性觀察到形式D為潛在混合水合物及溶劑合物。
實施例34：形式E之示性
形式E係藉由在約22℃將非晶形化合物A雙甲磺酸鹽材料於Aw=0.89之丙酮中漿化72小時而按比例放大(圖205)。
PLM分析表示該材料為具有長棒狀形態之雙折射(圖206)。
在周圍溫度空氣乾燥約3天之後，TG/DTA顯示在約45.9℃開始之初始吸熱(峰71.9℃)，對應於在TG痕跡中之7.7%失重。DTA痕跡亦顯示在約192℃與220℃之間的吸熱/放熱情況及在約299.5℃開始之最終急劇吸熱(峰305.4℃)(圖207)。在周圍溫度於真空下再乾燥1天之後，TG/DTA顯示在約39.8℃開始之初始吸熱(峰59.8℃)，對應於在TG痕跡中之4.8%失重。DTA痕跡亦顯示在約192℃與220℃之間的吸熱/放熱情況及在約301.4℃開始之最終急劇吸熱(峰305.0℃)(圖208)。
為了評估在形式E脫水之後所獲得的形式，在一實驗中將樣本加熱至150℃及在第二實驗中加熱至260℃。加熱後之XRPD分析顯示形式E在150℃加熱實驗保持未改變，但在260℃轉化成形式A(圖211)。因此，TG/DTA再 次於已加熱至150℃且冷卻回周圍溫度之樣本上進行(圖209)。該TG/DTA分析顯示熱情況與在真空乾燥之前的初始形式E樣本一致。此表示在脫水之後，當曝露於環境條件時，該材料再獲得水/再水合。
DSC分析顯示在約58.1℃開始之寬吸熱(峰86.5℃)。 在約189℃與215℃之間觀察到吸熱/放熱情況。存在於約299.1℃開始之最終吸熱情況(峰303.7℃)(圖210)。
KF分析表示水含量為約6.2%。
觀察到HPLC純度為99.8%(圖215)。
HPLC濃度分析表示約347mg/mL之水溶解性。
在去離子水中漿化約24小時之後的對該材料之XRPD分析表示形式E保持未改變(圖214)。
在DVS分析期間，第一吸附循環表示形式E水合物為非吸濕性。在去吸附循環期間，在低於10% RH發生脫水。在第二吸附循環期間，在低於20% RH觀察到約2.78%之吸水率(對應於1莫耳當量之水)(圖212及213)。 然後在介於20%與40% RH之間迅速吸收另外5.5%水，可能表示進一步水合。
在安定性研究期間，形式E在40℃/75% RH及環境條件下之多晶形式方面保持未改變。在80℃貯存之後，藉由XRPD分析與形式E比較，觀察到一些改變，可能係因貯存期間脫水所致(圖219)。HPLC分析表示在40℃/75% RH純度為約99.8%(圖216)，在80℃為約99.8%(圖218)及在環境條件為約99.7%(圖217)。
觀察到1H NMR光譜與所接收之材料一致(圖220)。
因此從該示性觀察到形式E為水合物。
實施例35：形式F之示性
於25℃在0.76水活性之乙腈中水合篩選期間觀察到形式F。來自水合篩選之形式F樣本係藉由TG/DTA分析：來自水合篩選之形式F的TG/DTA顯示在介於約25與120℃之間的初始失重為6.53%。在DTA中觀察到多個吸熱及放熱情況(圖221)。
從該有限示性看出，形式F可能為潛在溶劑合物/水合物。
實施例36：形式G之示性
在蛋白質篩選期間，從反溶劑(丙酮)添加在DMSO中觀察劍形式G。來自多晶型篩選之形式G樣本係藉由TG/DTA分析：來自多晶型篩選之形式G的TG/DTA顯示在介於約25與200℃之間的初始失重為10.66%。在介於150至180℃之間的DTA中觀察到非常小型吸熱情況(圖222)。
從該數據，形式G可能為DMSO溶劑合物。
實施例37：形式H之示性
於50℃在0.21水活性之乙腈中水合篩選期間觀察到形式H。來自水合篩選之形式H樣本係藉由TG/DTA分 析：來自水合篩選之形式H的TG/DTA顯示在介於約25與60℃之間的初始失重為約3.58%。在介於60與240℃之間觀察到約0.95%的進一步失重。DTA痕跡顯示在約45.8℃之初始吸熱、在約202℃之放熱以及在約306.6℃開始之最終吸熱(峰309.8℃)(圖223)。
從該有限示性看出，形式H可能為溶劑合物/水合物。
實施例38：形式I之示性
形式I候藉由於約50℃在真空下蒸發形式A之化合物A雙甲磺酸鹽的甲醇溶液而按比例放大(圖224)。
PLM分析表示該材料為具有棒狀形態之雙折射(圖225)。
TG/DTA顯示兩個非常小型吸熱情況，於約96.3℃及約239.4℃。然後觀察到在約307.1℃開始之最終吸熱(峰310.1℃)。在低於約60℃觀察到0.4%少許失重，可能因未結合溶劑/水所致(圖226)。
DSC分析顯示在約231.9℃開始之小型吸熱情況(峰235.7℃)，接著為在約303.7℃開始之最終吸熱(峰306.3℃)(圖227)。
藉由Karl-Fischer滴定量得約0.8%之水含量。
觀察到HPLC純度為99.6%(圖231)。
HPLC濃度分析表示約368mg/mL之水溶解性。在去離子水中漿化約24小時之後的對該材料之XRPD分析表 示形式I轉化成形式E(圖230)。
藉由DVS分析，吸附循環顯現在高於40% RH表示出水合，其中在介於40%與50% RH之間的吸水率為約10%。去吸附循環表示低於50% RH之水逐漸流失/脫水(圖228至229)。
在安定性研究期間，形式I在環境條件及80℃貯存下之多晶形式方面保持未改變，但在40℃/75% RH貯存轉化成形式J(圖235)。HPLC分析表示在40℃/75% RH純度為約99.8%(圖232)，在80℃為約99.9%(圖234)及在環境條件為約99.6%(圖233)。
觀察到1H NMR光譜與所接收之材料一致(圖236)。
因此從該示性觀察到形式I為無水的。
實施例39：形式J之示性
在形式B之DVS分析之後觀察到其他多晶形式。該形式被稱為形式J(圖237)。
TGA在低於約90℃顯示約2.76%失重。DTA痕跡顯示峰在約76.3℃之初始吸熱情況以及峰在約227.3℃之小型吸熱情況，緊接著為峰在233.3℃之放熱情況。然後觀察到在約306.5℃開始之急劇吸熱(峰309.6℃)(圖238)。
從該有限示性看出，形式J可能為水合物。
實施例40：各示性形式之摘要
成功製備之形式的示性摘要係呈現於下表21。
各種形式之示性形成在形式B之DVS分析之後鑑別的額外形式，其被稱為形式J。形式A之可變溫XRPD分析在高於約107℃之溫度亦表示不同形式，其被稱為形式K。

Claims (56)

  1. 一種化合物A之甲磺酸鹽的多晶型，
    Figure TWI652266B_C0001
    其係選自形式A、形式B、形式C、形式D、形式E、形式F、形式G、形式H、形式I、形式J、及形式K，其中：該形式A之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.4及23.0° 2θ或在9.1及22.8° 2θ，該形式B之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2及14.3° 2θ或在6.0及14.6° 2θ，該形式C之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約20.3及22.8° 2θ或在20.1及22.6° 2θ，該形式D之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.5及23.0° 2θ，該形式E之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約20.9及21.9° 2θ，該形式F之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約16.7及17.0° 2θ，該形式G之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8及22.1° 2θ，該形式H之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約10.9及22.8° 2θ，該形式I之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2及10.5° 2θ，該形式J之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.0及22.8° 2θ，及該形式K之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.2及10.0° 2θ。
  2. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式A之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.4、15.5、18.8、及23.0° 2θ。
  3. 如申請專利範圍第2項之多晶型，其中該形式A之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.1、7.8、9.4、10.1、12.1、15.5、16.2、18.8、19.9、21.1、23.0、25.1、及27.4° 2θ。
  4. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式A之特徵為具有與圖32所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  5. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式A之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.1、15.1、16.0、18.5、22.8、及22.9° 2θ。
  6. 如申請專利範圍第5項之多晶型，其中該形式A之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約3.8、7.6、9.1、9.9、15.1、16.0、16.1、18.5、22.8、22.9、及23.2° 2θ。
  7. 如申請專利範圍第6項之多晶型，其中該形式A之特徵為具有如圖112所示的X射線粉末繞射峰。
  8. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式A之特徵為具有與圖110所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  9. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式B之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、6.6、14.3、及15.3° 2θ。
  10. 如申請專利範圍第9項之多晶型，其中該形式B之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、6.6、11.3、14.3、15.3、22.8、及26.9° 2θ。
  11. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式B之特徵為具有與圖37所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  12. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式B之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.0、6.4、11.1、14.6、15.1、及23.7° 2θ。
  13. 如申請專利範圍第12項之多晶型，其中該形式B之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.0、6.4、11.1、14.6、15.1、17.3、22.5、22.7、23.7、及27.0° 2θ。
  14. 如申請專利範圍第13項之多晶型，其中該形式B之特徵為具有如圖131所示的X射線粉末繞射峰。
  15. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式B之特徵為具有與圖129所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  16. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式C之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.6、18.4、19.3、19.7、20.3、及22.8° 2θ。
  17. 如申請專利範圍第16項之多晶型，其中該形式C之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.2、8.9、9.8、10.1、13.7、17.6、18.4、19.3、19.7、20.3、22.8、及26.8° 2θ。
  18. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式C之特徵為具有與圖42所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  19. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式C之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約17.5、18.2、19.0、19.6、20.1、及22.6° 2θ。
  20. 如申請專利範圍第19項之多晶型，其中該形式C之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約12.5、16.6、17.5、18.2、19.0、19.6、20.1、21.7、22.6、23.0、23.6、24.0、26.6、及27.2° 2θ。
  21. 如申請專利範圍第20項之多晶型，其中該形式C之特徵為具有如圖147所示的X射線粉末繞射峰。
  22. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式C之特徵為具有與圖145所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  23. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式D之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.9、11.5、14.5、20.3、及23.0° 2θ。
  24. 如申請專利範圍第23項之多晶型，其中該形式D之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.4、5.9、11.5、14.5、17.9、20.3、23.0、23.6、24.0、26.2、27.8、及28.9° 2θ。
  25. 如申請專利範圍第24項之多晶型，其中該形式D之特徵為具有如圖241所示的X射線粉末繞射峰。
  26. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式D之特徵為具有與圖239所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  27. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式E之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約13.7、20.6、20.9、21.9、及23.0° 2θ。
  28. 如申請專利範圍第27項之多晶型，其中該形式E之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約8.9、11.3、13.7、16.5、19.3、20.6、20.9、21.9、23.0、23.8、及26.2° 2θ。
  29. 如申請專利範圍第28項之多晶型，其中該形式E之特徵為具有如圖244所示的X射線粉末繞射峰。
  30. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式E之特徵為具有與圖242所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  31. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式F之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約16.7、17.0、19.5、20.3、及24.4° 2θ。
  32. 如申請專利範圍第31項之多晶型，其中該形式F之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.8、7.2、15.6、16.7、17.0、19.5、20.3、21.7、24.0、及24.4° 2θ。
  33. 如申請專利範圍第32項之多晶型，其中該形式F之特徵為具有如圖247所示的X射線粉末繞射峰。
  34. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式F之特徵為具有與圖245所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  35. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式G之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8、14.9、16.3、22.1、及23.7° 2θ。
  36. 如申請專利範圍第35項之多晶型，其中該形式G之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.8、10.8、14.9、16.3、17.7、22.1、23.1、23.7、24.5、及26.5° 2θ。
  37. 如申請專利範圍第36項之多晶型，其中該形式G之特徵為具有如圖250所示的X射線粉末繞射峰。
  38. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式G之特徵為具有與圖248所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  39. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式H之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.1、10.9、12.4、15.9、及22.8° 2θ。
  40. 如申請專利範圍第39項之多晶型，其中該形式H之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約6.1、10.1、10.9、12.4、15.7、15.9、16.4、20.4、20.8、及22.8° 2θ。
  41. 如申請專利範圍第40項之多晶型，其中該形式H之特徵為具有如圖253所示的X射線粉末繞射峰。
  42. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式H之特徵為具有與圖251所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  43. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式I之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2、6.2、10.5、20.2、及23.0° 2θ。
  44. 如申請專利範圍第43項之多晶型，其中該形式I之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約5.2、6.2、10.5、11.1、13.6、20.2、22.0、22.3、23.0、及23.8° 2θ。
  45. 如申請專利範圍第44項之多晶型，其中該形式I之特徵為具有如圖256所示的X射線粉末繞射峰。
  46. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式I之特徵為具有與圖254所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  47. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式J之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.6、17.0、21.9、22.8、及24.8° 2θ。
  48. 如申請專利範圍第47項之多晶型，其中該形式J之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約14.6、17.0、19.7、20.4、21.9、22.8、24.8、25.3、26.7、及27.7° 2θ。
  49. 如申請專利範圍第48項之多晶型，其中該形式J之特徵為具有如圖259所示的X射線粉末繞射峰。
  50. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式J之特徵為具有與圖257所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  51. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式K之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約9.2、10.0、15.7、20.0、及23.8° 2θ。
  52. 如申請專利範圍第51項之多晶型，其中該形式K之特徵為在使用Cu Kα輻射下具有X射線粉末繞射峰在大約4.1、9.2、10.0、15.7、17.5、19.3、20.0、21.5、23.2、及23.8° 2θ。
  53. 如申請專利範圍第52項之多晶型，其中該形式K之特徵為具有如圖262所示的X射線粉末繞射峰。
  54. 如申請專利範圍第1項之多晶型，其中該形式K之特徵為具有與圖260所示者實質上相似的X射線粉末繞射圖案。
  55. 一種藥學組成物，其包含如申請專利範圍第1至54項中任一項之多晶型，及藥學上可接受之稀釋劑、賦形劑或載體。
  56. 如申請專利範圍第55項之藥學組成物，係用於治療有此需要之對象的細胞增生失調。
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