TWI649291B - 高折射薄鏡片 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 31
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 26
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 11
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007524 flame polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 231100000027 toxicology Toxicity 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/068—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing rare earths
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本發明係關於具有高折射率(nd)的平板鏡片(glass sheets)、包括此些平板鏡片之一複合層組件(assembly)、一種平板鏡片的製作方法及其應用。
本發明之平板鏡片可於平板鏡片製造製程中加工且具有傳統光學鏡片的光學特性。本發明之平板鏡片為高透明、抗結晶、抗化學與高折射的。其黏度-溫度表現適用於平板鏡片製造製程中的製程步驟。
Description
本發明係關於具有高折射率(nd)的薄鏡片(thin glasses)、包括此些薄鏡片之一複合層(layer composite)、此薄鏡片的製作之一種方法及其應用。
具有折射率介於高於1.5至折射率為1.7之一範圍內的鏡片(glasses)為已知的。然而,於技術鏡片(technical glasses)領域中,其藉由加入從生態學觀點而言為有問題的且對於大型經濟製程亦為不利之大量的氧化鉛(lead oxide)而可達到前述折射率。具有高折射率範圍內的光學位置(optical position)的已知傳統光學鏡片(conventional optical glasses)適用於光與影像傳輸之用途,且因此應用於傳統應用領域(亦即影像、顯微鏡、醫療工程、數位投影、微影、光學傳輸工程、汽車領域內的光學/照光)中,基於隨後由其產生的產品的幾何結構(即鏡片、稜鏡、纖維),其一般製備為一塊狀材料(bulk material)。在連續晶棒(ingot)製作中的晶棒片段、纖維芯玻璃棒及光學區塊(optical block)為光學鏡片(optical glasses)的產品製程的標準格式。於一般為厚度(晶棒片段)或直徑(纖維芯玻璃棒)之最小幾何幅度上,20毫米(mm)之最小尺寸可視為經濟且合理的應用,但厚度較佳地大於40毫米,而光學區塊僅僅從150毫米起算。
通常,技術鏡片(technical glasses,依據技術熱形成法所製備)具有約為1.50之折射率。一般來說,具有折射率大於1.6之鏡片幾乎不適用技術熱形成法,由於其最常具有一陡的黏度曲線(黏度隨著溫度的強烈變化,即短鏡片特性)及高結晶傾向。相較於晶棒的製作,於技術熱形成法的情況下,此些特性成為難題,因為大的技術聚集體(technical aggregates)內的停留時間相當長,進而預成核/成核時間也相當長。此外,技術熱形成方法相係與較長之製程時間與較高之製程裕度有關,從而相對的較長時間讓晶核發展成為結晶物。
因此,介於傳統光學鏡片與技術標準制造鏡片之間的結晶傾向與黏度曲線的陡度之間存在有差異,用於製作技術鏡片之聚集體(即平、薄與管狀鏡片)之技術基本條件的物化特性曲線為特別量身訂做的,其相較於製作光學鏡片的聚集體為顯著地較大。
通常,技術鏡片具有”長”黏度分佈,其意謂著其黏度並不會隨著溫度的改變而強烈的變化。自此,其導致了各單一製程結果的較長時間以及通常增加的製程溫度結果,其於大的技術聚集體的情形下對於收益率具有較少與眾不同的負面影響。再者,由於聚集體的流動條件與尺寸,於聚集體內之材料具有顯著較長的滯留時間。於較大技術聚集體內的滯留時間係顯著地較大,而因此預成核/成核時間也較長。此外,技術熱形成法與較長製程時間有關,使得相對的長時間使晶核發展成了結晶。對於具有高結晶傾向之鏡片而言,此為一極重點。長鏡片於連續的大聚集體具有優勢,由於此些鏡片可於一較大
溫度範圍內製作。因此,便不需要使製程於面向儘快施行之熱鏡片處理時減速。
如果,考慮到於平板鏡片製造方法(例如拉製法、溢流熔融法、下拉法、滾軋法)內生產傳統光學材料,光學鏡片的化學成分便需按照以下方式改變,此些的成分需要改變(通常為減少),其為期望光學鏡片之光學特性的原因。此衡量可為,例如為TiO2、ZrO2、Nb2O5、BaO、CaO、ZnO、SrO或La2O3之比例的減少。如此的確造成了具有減少結晶傾向之較長鏡片,但亦造成了折射率與分散特性方面的可觀損失。
基於關於用於無法為傳統光學鏡片所滿足之被處理的鏡片之特定化學需要相關經濟原因,目前較優選的平板/薄鏡片製程更為劣化。舉例來說,於浮製法製程中,於鏡片內並不允許氧化還原敏感性成分的存在。因此,舉例來說,無法使用其有效反應係基於氧化還原平衡的改變之如氧化鉛、鉍、鎢及傳統多價精煉劑(砷)之標準光學成分。
因此,關於其加工性,介於光學鏡片與技術鏡片之此兩傳統族群材料之間其存在有矛盾差異。
於傳統應用領域之外,具有高折射率薄鏡片具有多種應用。當然,其仍存在有藉由光學鏡片之晶棒之冷再處理以製造此薄鏡片的可能性。但是,很明顯地此晶棒片段的切割與拋光步驟相當地昂貴,且此外其使得鏡片處於強應力之下。因此,於如此狀態下無法達成極低厚度以及較大尺寸。當薄鏡片經過機械研磨之後,其便導致了表面條件的非最佳化狀態。
GB 2,447,637 B係關於可用於照光或顯示目的之
一種OLED複合層。但在此採用了具有僅約為1.5之折射率之基板鏡片。其相關缺點為須藉由一抗反射層以弱化之。
US 2012/194,064 A1描述了OLED用之一擴散層。在此使用之鏡片包含非常多的Bi2O3及非常少的SiO2與BaO。於US 2011/287,264 A1中亦存在有相同情形。
特別地,對於作為於一OLED或一光電模組內之一基板或一覆板之應用而言,於一平板鏡片與一鄰近膜層之間沒有或僅有極少的全反射發生是很重要的。所使用之鏡片的折射率需越高越好。由於複合層具有多種應用,其中鏡片係鄰近於具有高折射率之一膜層,例如OLED內的銦錫氧化物。當於OLED內所產生的光線發射時,來自銦錫氧化物層的光線便須進入覆板鏡片之內。介於銦錫氧化物層與鏡片之間的折射率的差異越大,於介面處的全反射的特色越大。因此,可於一個非常有優勢的方式下應用此處經濟製造的具有高折射率之薄鏡片。
本發明係關於具有高折射率(nd)的平板鏡片(glass sheets)、包括此些平板鏡片之一複合層組件(assembly)、一種平板鏡片的製作方法及其應用。
本發明之平板鏡片可於平板鏡片製造製程中加工且具有傳統光學鏡片的光學特性。本發明之平板鏡片為高透明、抗結晶、抗化學與高折射的。其黏度-溫度表現適用於平板鏡片製造製程中的製程步驟。
本發明之目的在於提供一種薄鏡片,其可為一平板鏡片製造方法處理而同時具有傳統光學鏡片的光學特性之特徵。換句話說,此鏡片可結合技術鏡片的可加工性及光學鏡片的光學特性。
本發明之標的係藉由專利申請專利範圍的技術特徵所解釋。
本發明之薄鏡片為高透光、抗結晶、抗化學與高折射。其黏度-溫度表現適用於平板鏡片製造製程中的製程步驟。
本發明之鏡片為一平板鏡片,特別是具有較佳地低於2毫米之低厚度之一平板鏡片(以下稱”薄鏡片”)。依據本發明之薄鏡片,不僅於其厚度不同於傳統光學鏡片,且其表面特性亦然。此與其所能被得到之製造方法有關。於製造具有2毫米或更低之厚度之傳統光學鏡片的嘗試中,依照所選定製程將會發生特定問題。如前所述,基於鏡片的缺點與其結晶傾向,利用平板鏡片製造方法便無法可能達到一滿意結果。但是然而,當其可能嘗試藉由切割與研磨而自條片段而製造鏡片,便一方面可能增加成本,而另一方面表面條件可能很難達到滿足鏡片的需求。本發明之薄鏡片具有大於1.60之折射率、較佳地大於1.65、更佳地大於1.67、更加地大於1.69、更加地大於1.70、又更加地大於1.72,且特佳地大於等於1.74。
由於其組成物,本發明之薄鏡片可藉由平板鏡片
製造方法而製造。較佳地,平板鏡片製造方法係選自包括非連續平板鏡片製造方法、連續平板鏡片製造方法、在線平板鏡片製造方法、與其組合所組成族群。特佳地,平板鏡片製造方法係擇自包括連續平板鏡片製造方法、在線平板鏡片製造方法與其組合所組成族群。
較佳地,在本發明的範疇內之平板鏡片製造方法中特別地為再曳引法、下拉法、溢流熔融法、浮製法與滾軋法。特佳為下拉法和溢流熔融法籍由藉由此些製造方法,可製作出具有特定表面特性之薄鏡片。基於薄鏡片可被得到之的製造方法,薄鏡片較佳地具有至少一火焰拋光表面,特別為兩個火焰拋光表面。火焰拋光表面極為平滑,即其顯現出低的粗糙度。相對於機械研磨,於火焰拋光非圓滑表面之情形下,係加熱欲拋光之此材料至一如此高溫度使得其流動,如此造成了一平滑表面狀態。因此,藉由火焰拋光之平滑表面產品的成本大體低於具非常平滑機械研磨表面之產品的成本。特佳地,平板鏡片製造方法為下拉法與溢流熔融法。
依據本發明之平板鏡片製造方法,可較佳地得到具有至少一火焰拋光表面之薄鏡片。當於產品中使用了下拉或溢流熔融製程時,接著可得到較佳地包括甚至兩個火拋光表面之鏡片。
對於本發明之薄鏡片而言,”表面”係指上方側及/或下方側,因此相較於其他區域,此二區域為最大的。
火焰拋光表面之特徵在於具有一特定低粗糙度。火焰拋光表面的粗糙度係低於機械研磨表面的粗糙度。
本發明之薄鏡片的火焰拋光表面較佳地具有約最多5奈米、較佳地最多3奈米,且特佳地最多1奈米之一均方根粗糙度(Rq或亦稱RMS)。薄鏡片之粗糙深度Rt較佳地最多為6奈米、更較佳地最多為4奈米,且特佳地最多為2奈米。此粗糙深度可依照DIN EN ISO 4287而決定。
於機械研磨表面的情況下,粗糙度值極為不佳。此外,於機械研磨表面的情形中,藉由原子力顯微鏡(AFM)的幫助可發現研磨軌跡。再者,藉由原子力顯微鏡的幫助亦可發現如鑽石粉末、氧化鐵、及/或CeO2之機械研磨劑的殘留物。由於於研磨之後的機械研磨表面總需要經過潔淨,其造成於鏡片表面處之特定離子的浸出。可採用二次離子質譜儀(ToF-SIMS)偵測到特定離子的缺乏情形。此些離子可例如為鈣、鋅、鋇與鹼金屬。
本發明之薄鏡片具有較佳地低於2毫米、更佳地最多0.8毫米、且更佳地最多0.6毫米之一厚度。特佳地,此厚度最多0.35毫米且特別地最多0.2毫米。如此之薄鏡片的特徵在於可允許如可撓OLED複合層之足夠彈性。為了確保足夠穩定度,此厚度可較佳地至少為0.02毫米。通常,厚度的實施例較佳地為15微米、30微米、50微米、70微米、100微米、0.2毫米、0.21毫米、0.3毫米、0.4毫米、0.55毫米、0.7毫米、0.9毫米、1.0毫米、1.1毫米、1.2毫米或2.0毫米,其中於此些情形中可能採用多種應用。
如此,本發明之薄鏡片便可於平板鏡片製造方法中製作,關於其結晶特性其應該具有特定參數的特徵。由於傳
統光學鏡片的製造中,基於融化製程中的短的成核時間,結晶的風險顯著地減少,而此些參數於傳統光學鏡片的情形中並非重要,於聚集體內的短殘留時間及短的製程時間則造成了鏡片的缺點。因此,於短的預成核或一點也沒有預成核的情形下,光學鏡片係快速地自高於失透上限(OEG、液相溫度)之一溫度冷卻至低於失透下限(UEG)之一溫度,以便其於小幅預成核後可快速地穿過結晶成長的範圍,而於熱形成製程結果中沒有結晶物。
但是採用平板鏡片製程方法的加工中,此些鏡片係置於相對高溫下一段時間。因此,對於抗結晶而言,特別重要的是依據本發明之薄鏡片其具有越低越好之失透上限(OEG),以達到介於熱製程溫度(VA)與失透上限(OEG)之間差異,其越高越好。
因此,依據本發明之薄鏡片對於結晶應該具有如此之抵抗能力,縱使其於加熱之後置於溫度800℃-1050℃(OEG/55)下55分鐘的時間的情形中,也不會顯現出任一或任何的可見結晶物。如此之測試係於依據鉑載板方法於一校正梯度爐管下施行。依據本發明,可見結晶物為具有大於10微米之直徑的結晶物。
對於本發明之薄鏡片而言,相對少量的SiO2為足夠的。另一方面,由於其使得黏度曲線較為不陡,SiO2於鏡片中為重要的成份。但是另一方面,當使用許多SiO2時,只可加入有相對少量的成分以有效地增加折射率。因此,本發明之薄鏡片內僅可包括最多至52%重量百分比、較佳地最多50%重量百
分比、更佳地最多48%重量百分比、又更加地最多45%重量百分比之SiO2。然而,本發明之薄鏡片需要滿足關於化學穩定性與黏度曲線的陡度的特定需求,因此於薄鏡片內包含有至少20%重量百分比、較佳地至少25%重量百分比、更加地至少28%重量百分比、又更加地至少30%重量百分比的SiO2。
依據本發明之薄鏡片內BaO為一大量主要組成物。BaO有助於高折射率。基於此目的,較佳地,依據本發明之薄鏡片包含至少2%重量百分比之BaO之比例。較佳地,BaO的成分至少5%重量百分比,更佳地至少7%重量百分比,且特佳地至少9%重量百分比。但是其比例太高時會降低抗化學性質且會增加鏡片的結晶傾向,於依據本發明中較佳的之製造方法中其為需要避免。因此,BaO的組成限制於最多14.5%重量百分比,較佳地最多14%重量百分比,更佳地最多12%重量百分比。
於依據本發明之薄鏡片中,關於期望之折射率與所需結晶穩定度的一重要標準為BaO與SiO2成分的一平衡比率。BaO與SiO2的比例為重量比之比率,且較佳地至少為0.05與最多0.75,較佳地至少0.1與最多0.5。
為了增加薄鏡片的折射率及為了改善薄鏡片的化學穩定性,於依據本發明之薄鏡片內,TiO2為一必要組成物。於依據本發明之薄鏡片內,包含了含量高於12%重量百分比之TiO2,較佳地至少12.5%重量百分比、較佳地至少13%重量百分比之TiO2,更加地至少14%重量百分比,特佳地至少15%重量百分比。但是當TiO2的使用量太多時,會增加鏡片之結晶傾
向。因此,依據本發明之薄鏡片包含了比例為最多32%重量百分比之TiO2,較佳地最多30%重量百分比,較佳地最多28%重量百分比,更佳地最多25%重量百分比。
依據本發明之薄鏡片內,關於期望之折射率與所需結晶穩定度的一重要標準為BaO與TiO2成分的一平衡比率。相較於較BaO,TiO2造成鏡片折射率的較高增加情形。為了達成足夠高之折射率,因此BaO與TiO2的重量百分比的比率較佳地不高於2。但是,相較於BaO減少了OEG,TiO2增加了鏡片的OEG。為了確保鏡片的足夠的抗結晶性,因此依據本發明之薄鏡片內的BaO與TiO2的重量百分比的比率至少為0.1。BaO與TiO2的重量百分比的比率較佳地至少為0.2與最多1.4,更佳地至少為0.5且與1.2。
關於期望之折射率與所需的”長”黏度曲線的一更重要指標為SiO2與TiO2成分的一平衡比率。相較於SiO2,TiO2造成了鏡片的折射率的增加情形。為了達成足夠高之折射率,因此SiO2與TiO2的重量百分比的比率較佳地不高於7。然而,相較於SiO2,TiO2導致了較”短”黏度曲線。為了達到足夠”長”黏度曲線,因此於SiO2與TiO2的重量百分比的比率較佳地至少為0.7。特佳地,SiO2與TiO2的重量百分比的比率至少為1.5且至多為4。
依據本發明之薄鏡片的Nb2O5之成分為至少0.5%重量百分比,較佳地至少為1%重量百分比,更佳地至少2%重量百分比,特佳地為至少5%重量百分比,尤佳地為至少8%重量百分比。Nb2O5可用以調整依據本發明所需之高折射率。但
需要考量到所使用之此些成分的數量仍須限制,否則可能增加結晶傾向太多。因此,於依據本發明之薄鏡片內之Nb2O5的比例較佳地為最多26%重量百分比,更佳地為最多25%重量百分比,又更佳地最多23%重量百分比,特佳地最多20%重量百分比,尤佳地最多15%重量百分比。
選擇性之一組成物為La2O3,其較佳地可介於0-7%重量百分比之一成分下使用。較佳地,依據本發明之薄鏡片包含成分為至少0.1%重量百分比、更佳地至少0.5%重量百分比、又更加地至少1%重量百分比之La2O3。較佳地,於依據本發明之薄鏡片內之La2O3的比例為最多5%重量百分比,更佳地為最多4%重量百分比,又更佳地最多2%重量百分比。La2O3可用以調整依據本發明所需之高折射率。但需要考量到所使用之此些成分的數量仍須限制,否則可能增加結晶傾向太多。較佳實施例中可甚至沒有La2O3。
本發明之薄鏡片可包括B2O3,其成分較佳地為最多17%重量百分比。於較佳實施例中,此成分之含量係限制於最多為15%重量百分比,較佳地最多為12%重量百分比,更加地最多為10%重量百分比。當於所期望鏡片中的B2O3比例太低時,鏡片的黏度便會變得太高。本發明之薄鏡片較佳地包括成分為至少1%重量百分比,較佳地至少2%重量百分比,又較佳地至少4%重量百分比,特佳地5.5%重量百分比之B2O3。但是當另一方面使用太高成分的B2O3時,便無法達到期望之抗化學性。此為如半導體製程中(例如潔淨步驟)之鏡片加工的一臨界點。此外,於鏡片中B2O3的高成分增大了腐蝕情形,且因此於
鏡片生產時的熔融物中導入了耐火金屬材料。其導致了不均勻性、散射、非均相成核與再次結晶。特佳之實施例中甚至沒有B2O3。
B2O3為相似於SiO2之一鏡片形成物,當SiO2與B2O3的含量經過選擇而使得SiO2與B2O3的總和不低於20%重量百分比,更佳地為25%重量百分比,更佳地為30%重量百分比,特佳地為33%重量百分比的一數值時,其具有優點。當SiO2與B2O3的總和太低時,鏡片便會顯現出低的結晶傾向並具有不良抗化學性。較佳地,SiO2與B2O3的成分之總和最多為55%重量百分比,更佳地最多為50%重量百分比,更佳地最多為49%重量百分比,更佳地最多為46%重量百分比,依然更佳地最多為45$%重量百分比,特佳地最多為40%重量百分比。當SiO2與B2O3的成分的總和太高時,便會得到具有太低折射率之鏡片。
相對於SiO2,B2O3導致了依據本發明之鏡片的熔點降低。但B2O3的比例增加減少了材料的抗化學性。因此,為了達到足夠之抗化學性,於依據本發明之鏡片內之B2O3與SiO2的重量百分比的比率較佳地最多為0.75,更加地最多為0.5。
Al2O3導致了鏡片的熔點增加,其導致了能量損耗的增加且降低了聚集體的工作壽命。依據本發明之薄鏡片較佳地包括低於1.5%重量百分比,較佳地低於1%重量百分比,更加地低於0.5%重量百分比,特佳地低於0.1%重量百分比之Al2O3含量。本發明之特佳實施例甚至不包括Al2O3。
特別地,與B2O3結合,Li2O可強烈地攻擊製造設備(腐蝕),其造成了材料移除(穿透鏡片)、混濁、非均勻成核
與聚集體的短工作壽命。此外,Li2O導致了於鏡片內的結晶成長成分的流動性增加,使得晶片的結晶傾向增加。此外,降低了鏡片的抗化學性。因此,依據本發明之實施例的薄鏡片較佳地沒有Li2O。
依據本發明之實施例之薄鏡片可包括K2O。K2O作為黏度的精密調整之用。依據本發明之薄鏡片之K2O的比例較佳地至少為0.5%重量百分比,更佳地至少為1%重量百分比,又更佳地至少為2%重量百分比,特佳地至少為4%重量百分比。但是當在鏡片中使用太高比例的K2O時,會造成流動性增加與低的抗化學性。較佳地,於鏡片內所包含之K2O之量最多為15%重量百分比,更佳地最多為10%重量百分比,又更佳地最多為8%重量百分比,又更佳地最多為6%重量百分比。
依據本發明之薄鏡片可包括Na2O。Na2O作為黏度的精密調整之用。依據本發明之薄鏡片之Na2O的比例較佳地至少為0.5%重量百分比,更佳地至少為1%重量百分比,又更佳地至少為2%重量百分比,特佳地至少為5%重量百分比。但是當在鏡片中使用太高比例的Na2O時,會造成流動性增加與低的抗化學性。此外,當Na2O比例太高時,鏡片之結晶傾向會顯著地增加。因此,於本發明之薄鏡片內所包含之Na2O之比例最多為11%重量百分比,較佳地最多為10%重量百分比,又更佳地最多為8.5%重量百分比,特佳地最多為7%重量百分比。較佳實施例中至不包括Na2O。
Na2O與K2O作為黏度的精密調整之用。鏡片之Na2O與K2O的總和的比例較佳地至少為3%重量百分比,更佳地
至少為5%重量百分比,又更佳地至少為7%重量百分比。但是當Na2O與K2O之比例太高時會造成流動性的增加與低的抗化學性。因此,鏡片內的K2O與Na2O總和的成分較佳地最多為23%重量百分比,更加地最多20%重量百分比,又更加地最多17%重量百分比。
鏡片之Na2O的比例太高會造成流動性的增加且因此增加了結晶傾向。當太高之的Na2O比例所造成之流動性的增加可藉由K2O而降低(對抗)。因此,較佳地,依據本發明之鏡片的K2O的重量百分比至少越高越好,較佳地甚至高於Na2O的單獨重量百分比。較佳地,K2O比上Na2O之重量百分比的比率至少為1,較佳地高於1,更佳地高於1.2,又更佳地高於1.5。
依據本發明之薄鏡片可包括MgO。MgO係用於調整鏡片的黏度之用。較佳地,其含量最高為5%重量百分比,較佳地最高為2%重量百分比。當使用太多MgO時,材料黏度便變成太低。此外,可能得到太短的鏡片。因此,較佳實施例中沒有使用MgO。
薄鏡片可能包括SrO。當使太多的SrO時,便得到太短的鏡片。此外,SrO的使用與高成本有關。因此,依據本發明之薄鏡片之SrO的比例最多為1%重量百分比,較佳地最多0.5%重量百分比,更佳地最多為0.2%重量百分比,特佳地最多為0.1%重量百分比。特佳實施例中沒有使用SrO。
當SrO的比例太高時,鏡片便太短,如前所述,其特別地對於平板鏡片方法內的鏡片加工性具有一負面影響。於此情形中,如此特別造成了負面影響,鏡片便具有增加的熔
點,其主要起因於Al2O3的含量太高。因此,於依據本發明之薄鏡片中,Al2O3與SrO成分的總和較佳地低於2%重量百分比,更佳地低於1.5%重量百分比,更佳地低於1%重量百分比,特佳地低於0.5%重量百分比。
本發明之薄鏡片可包括用於調整黏度與溫度的相關性之CaO。基於此目的,較佳地採用最多為15%重量百分比,更佳地最多為10%重量百分比,又更佳地最多為7%重量百分比,特佳地最多為5%重量百分比之CaO。當使用太多之CaO時,便得到太短之鏡片。較佳實施例內包含至少為0.5%重量百分比,更佳地至少為1%重量百分比,又更佳地至少為2%重量百分比之CaO。
依據本發明之薄鏡片可包括ZnO。ZnO作為鏡片的黏度的調整及用於降低結晶的傾向。較佳地,ZnO的成分最多為6%重量百分比,較佳地最多為5%重量百分比,更加地最多為4%重量百分比,又更較佳地最多為2%重量百分比。ZnO含量並不能太多,由於否則鏡片會變得太短。
為了選擇性調整鏡片的長度,如BaO、SrO、CaO、MgO及ZnO等氧化物的重量總和的比例較佳地一共具有不超過15%重量百分比一數值。
為了增加鏡片的折射率,可使用ZrO2。依據本發明之鏡片內ZrO2的含量的狀況中較佳為0至7%重量百分比。較佳地,依據本發明之鏡片包含最多5%重量百分比之一比例之ZrO2,較佳地最多4%重量百分比。當ZrO2所使用總量太高時,由於成核增加而增加了鏡片的結晶傾向。於特佳實施例中,至
少使用1%重量百分比的ZrO2。ZrO2的添加亦改善了化學穩定性。
可使用高折射率組成物TiO2、ZrO2及Nb2O5以增加本發明之薄鏡片之折射率。但是然而,當此些組成物的使用量太高時,鏡片的結晶傾向便太高。意外的是可以發現到ZrO2與Nb2O5的總合與TiO2的重量的比率對於鏡片之結晶傾向有影響。較佳地,此比率需低於2之數值,較佳地低於1.75,更佳地低於1.5,又更佳地低於1.4,又更佳地低於1.3,又更佳地低於1.2,又更佳地低於1.1,特佳地為最多1.0。
助熔劑與鏡片形成物的重量比率太低時導致不良的鏡片熔解及鏡片的結晶傾向的增加。依據本發明,助熔劑為Li2O、Na2O、與K2O之鹼金屬氧化物。依據本發明,鏡片形成物為SiO2、B2O3、P2O5、As2O3、GeO2及Sb2O5。較佳地,助熔劑與鏡片形成物的比率至少為0.1,較佳地至少為0.15,更加地至少為0.2,特佳地至少為0.3。但是此比率不應太高,較佳地,此比率最多為0.8,更佳地最多為0.6,又更佳地最多為0.5。
此外,其亦顯示,助熔劑與高反射率組成物TiO2、ZrO2及Nb2O5的總量與鏡片形成物的重量比率對於依據本發明之薄鏡片之結晶傾向具有影響。較佳地,此比率需高於0.7,較佳地高於0.8,更佳地高於1。但是此比率需不能太高。較佳地,此比率最多為1.8,較佳地最多為1.6,且特佳地最多為1.5。
本發明之鏡片可包括Ta2O5。Ta2O5導致依據本發明之鏡片的極佳抗結晶性。較佳地,Ta2O5的含量至少1%重量百分比,較佳地為至少2%重量百分比。但是Ta2O5非常強烈地增
加了鏡片的價格。因此,依據本發明之鏡片較佳地不包括多於8%重量百分比,更佳地多於5%重量百分比的Ta2O5。因此,於本發明的特定實施例中甚至沒有Ta2O5。
本發明之鏡片可包括GeO2。GeO2導致了依據本發明之鏡片的極佳抗結晶性。較佳地,GeO2的含量為至少1%重量百分比,更加地為至少2%重量百分比。但GeO2非常強烈地增加了鏡片的價格。因此,依據本發明之鏡片較佳地不包括多於8%重量百分比,更佳地多於5%重量百分比的GeO2。因此,於本發明的特定實施例中甚至沒有GeO2。
當於描述中提到鏡片沒有一組成物時或此鏡片並不包括一特定組成物,如此便意味著,於鏡片中此成分僅允許以雜質方式存在。此意味著其並未添加或包含非大量。依據本發明,非大量係指少於1000ppm之量,較佳地少於500ppm,且最佳地少於100ppm。較佳地,依據本發明之薄鏡片沒有未於描述中所提到之組成物以作為一鏡片成分。特別地,本發明之薄鏡片較佳地沒有PbO,由於PbO其為對於環境與健康為非友善的之一組成物。再者,鏡片沒有Bi2O3,由於此組成物強烈地增加了結晶傾向及鏡片的原料成本且減少了穿透率。較佳地,鏡片並不包含Fe2O3,由於Fe2O3減少了穿透率。本發明之較佳實施例沒有Y2O3、P2O5與F-。
此外,如特別是SnO2、Sb2O3、硫化物及或氯化物常用精煉劑可添加至薄鏡片內以用於精煉。亦可添加As2O3,但基於毒理學與對環境有害原因,較佳地不添加此組成物。
如前所述,本發明之鏡片之特徵在於相對低之熔
點與熱處理溫度。依據本發明之鏡片的熱處理溫度較佳地低於1000℃,更佳地介於800℃-1000℃,以及特佳地介於820℃-970℃。低處理溫度保護了聚集體且因此增加了產品的利潤。
依據本發明,鏡片的熔點(Tm)(於鏡片具有黏度為102dPas時之顯示溫度)較佳地介於至少850℃與最高1250℃之範圍之間,更佳地介於至少900℃與最多1150℃之範圍之間。
依據本發明之鏡片的玻璃轉移溫度(Tg)較佳地介於高於500℃之一範圍,更佳地高於550℃及更佳地高於600℃且更佳地低於750℃,更佳地低於700℃。
本發明之薄鏡片較佳地於一平板鏡片製造方法中製備。依據本發明之此方法包括下述步驟:a.熔化包括以以下重量百分比(wt%)表示之成份之一鏡片混合物:(1)20wt%~52wt%之SiO2;(2)2wt%~14.5wt%之BaO;(3)大於12wt%~32wt%之TiO2;(4)0.5wt%~26wt%之Nb2O5;(5)0wt%~11wt%之Na2O;及(7)0wt%~1wt%之SrO;及b.處理該鏡片熔融物或得自該鏡片熔融物之該鏡片成為一薄鏡片。
處理該鏡片熔融物或得自該鏡片熔融物之該薄鏡片較佳地於一平板鏡片製造方法中施行。於本發明的範疇中,
平板鏡片製造方法較佳地為再曳引、下拉、溢流熔融、浮製與滾軋。較佳地,平板鏡片製造方法為下拉與溢流熔融。亦可能為如浮製與滾軋之其他方法,但基於較差鏡片表面的傾向,其並非較佳的。若鏡片需浮製,此外便需考量特定組成物之氧化還原特定特性。因此,此熱形成製程並不被偏好。於其他實施例中,再曳引法是較佳的平板鏡片製造方法,再曳引法較佳地實現了依據本發明之薄鏡片的小批次規模的製作。其他平板鏡片製造方法較適用於大批次規模製作。此外,再曳引法較佳地實現了鏡片的更多種變化。
依據本發明之平板鏡片製造方法較佳地為所謂的在線法,於其內薄鏡片係熔化且立刻接著形成。在線法其特徵在於熔融態的鏡片熔融物更經過處理而沒有早先施行任何冷卻步驟。因此,於薄鏡片之在線法中並非一開始鑄成晶棒並接著加工之,而是直接於熔化步驟之後將之形成一薄鏡片。於本發明之其他實施例中,平板鏡片製造方法較佳地為並非在線法。
較佳地,平板鏡片製造方法為下拉法與溢流熔融法以及再曳引法。下拉法係描述於WO 02/051757 A2中而溢流熔融法係描述於WO 03/051783 A1中。
於下拉法中,自下拉流通槽鏡片熔融物通過形成於一玻璃帶之一噴嘴,選擇性採用一導引主體,其藉由水平設置之滾筒向下拉扯至期望之厚度與寬度。
於溢流熔融法中,導引鏡片熔融物進入一溢流槽,其中鏡片熔融物流通到至少兩側的邊緣之外(溢流)。下拉
鏡片熔融物的兩側帶沿著溢流槽的牆壁向下流且於拔椎狀的下方部處結合(融合)成為一鏡片帶。
於此兩種方法中,鏡片熔融物皆維持且於液態下移動一相對長時間。因此,結晶的風險相對高。如此,結晶方面須依照特定方法考量。另一重要觀點為鏡片的溫度-黏度曲線。此製程可於一較佳方式下施行,當具有減低溫度之鏡片於一太短時間內且當製程溫度不太高時無法變得太黏滯。本發明的鏡片之特徵為此些特性,其造成了製程之一較穩定型態以及顯著地增加所使用之生產裝置(拉扯槽、溢流融合通道等)的工作生命。
於其他實施例中,再曳引法為較佳的平板鏡片製造方法。於一再曳引步驟中,係部分加熱一片鏡片且藉由適當機械製造設備的幫忙於其縱長方向上拖曳。當鏡片被再曳引時,通常於一握把的一側固定有一橢圓形控片且加熱其另一端。當鏡片變得為可變形時,藉由施加一拉伸力至控片固定於握把上之該端以曳引之。於一再曳引步驟中,可自具有一寬度B與一厚度D之一空片一薄鏡片製備成具有一寬度b與一厚度d之薄鏡片。較佳地,此比率b/d係高於比率B/D。
對於再曳引步驟,由於需允許結晶成長之控片的部分須保持於一溫度下之較長時間,相較於其他之平板鏡片製造方法,需滿足所處理鏡片內對於抗結晶的更高需求。此外,生產製程時,控片的鏡片已經通過了結晶成長範圍一次,使得於鏡片內可能已經出現了增加的晶核,其幫助了結晶的加速。因此,基於其低抗結晶性,傳統光學鏡片很難適用再曳引。再
者,用於再曳引之鏡片需要具有一特別長黏度曲線的特徵。因此,於溫度的小幅變動的情形下,黏度須小幅改變,使得再曳引步驟可黏度條件儘可能保持不變下施行。否則,此將造成一顯著的低品質之再曳引鏡片,特別是由於鏡片厚度的不期望地的波動所造成。
本發明之薄鏡片較佳地具有高抗結晶性之特徵,其為對於再曳引為有利的。本發明之薄鏡片較佳地具有長黏度曲線,其對於再曳引為有利的。
較佳地,鏡片的再曳引可藉由依據本發明之再曳引參數而改善。
為了避免再結晶,根據本發明控片的變形區的高度較佳地越小越好。因此其可以達到溫度範圍允許結晶可非常快速地通過。此變形區係為鏡片控片的一部,其中控片具有介於0.95*D與1.05*d間之一厚度。因此,其為鏡片可變形的一區間。於此變形區內,控片之此厚度可小於原始厚度D,但並無法達成最終厚度d。控片的變形區可作為抵達一變形溫度範例,其處於鏡片具有介於104dPas與108dPas之一黏度。變形區的高度較佳地最多為6*D(特別地最多為100毫米),更佳地最多為5*D(特別地最多為40毫米),且特佳地最多為4*D(特別地最多30毫米)。
加熱控片的變形區至變形溫度可較佳地藉由一加熱設備的幫助所達成。此加熱設備較佳地為一電阻加熱器、一燃燒器、一輻射加熱器、有或沒有雷射掃描器之一雷射及其組合。於包括可遮蔽控片之沒有要被加熱的此些區域之遮蔽物的
加熱設備中可較佳地獲得一小的變形區。另一方面或另外的,可使用可聚焦加熱此控片之一加熱設備,例如一雷射或一雷射掃描器。另一其他實施例係關於一加熱設備,其本身具有一低高度且設置於接近變形區處,使得加熱大體不會推進至不應該被加熱的之區域內。此外,可提供一冷卻設備,其較佳地直接設置於加熱設備之後。由於控片非常快速地冷卻,此冷卻設備更減少變形區的高度。因此,較佳地直接於變形步驟之後,係增加鏡片之黏度至大於109dPas的數值,使得大體沒有繼續發生變型。較佳地施行此冷卻步驟以造成至少為106dPas/s的黏度改變速率。因此,鏡片可以快速地冷卻至低於變形與結晶成長的範圍之溫度之下。
特別地,此加熱設備較佳地為一雷射,其具有或不具有雷射掃描器,而較佳地為具有雷射掃描器之一雷射。如前所述,利用雷射之控片的聚焦加熱使得變形區為儘量小的。再者,採用雷射,摻進鏡片的熱可依照特定方法調整。因此,變形區的雷射的溫度可依照特定方法調整。可最小化具有雷射溫度相關之黏度波動,可得到具有低的厚度變化之鏡片。
可導引具有極高頻率之雷射至控片的寬度方向上,且因此其能量可按照輸入的熱能而改變而達成。於雷射光束內所包含之光能量可調整劑量且非常精細地聚焦,使得其可直接地為控片內小的選擇區域所吸收。溫度曲線的設計可做的更精密,而對於控片的影響可儘影響小區域,此即具有高解析度,並最終造成受曳引之薄鏡片的品質改善。於此情形中,所添加熱能較佳地可被對應於所選知雷射光束的功率選擇情形
控制。
搖擺於控片的寬度方向上的雷射光束之頻率可經過選擇而為極高的,其導致了幾乎穩定的熱輸入。此外,光線能量的一較佳確切劑量成為可能。上述對於曳引之薄鏡片的品質為有利的影響。較佳地,雷射光束的頻率係高於5kHz,較佳地高於8kHz,更加地高於10kHz,特佳地高於12kHz,尤加地高於15kHz。
此雷射光束係由CO2雷射所產生,具有介於約9-12微米之範圍內之一波長,較佳地具有介於10-11微米之範圍之一波長,特佳地具有約為10.6微米之一波長。較佳地,此雷射光束藉由一掃描器而於控片上移動。
依據一較佳實施例,所選擇之進入控片的熱輸入的解析度係明定,以使得雷射光束可由一光學系統所產生,雷射光束的聚焦可於控片內約1平方毫米的範圍內有效。
依據較佳實施例,於通常商用平板鏡片製造設備的拖曳速度的情形中,此方法係施行使得雷射光束於約0.3-10米/每分鐘拖曳速度以及高於10kHz一頻率下導引至控片上的0.5-1米之寬度之上。
此外,本發明之一部分為包括本發明之至少一薄鏡片之一複合層。特別地,此複合層為透光的或朝向至少一側為透光的。
依據本發明之複合層較佳地包括一半導體層與兩電極。於此情況下,一電極可為一導電透明氧化物層(例如銦錫氧化物)或亦為銀奈米線之一電極,其可藉由安排而導電。
更較佳地,複合層包括一基板層或一覆板層,其中此基板層及/或此覆板層包括或包含依據本發明之薄鏡片。
由於依據本發明之薄鏡片於鹼金屬氧化物中係為極度不良的,於介於薄鏡片與半導體層之間之複合層之一較佳實施例中,可省略阻絕用之組障層。於特定半導體層之情形中,此組障層可通常需要使用,以避免鹼金屬的擴散進入半導體層內。擴散至半導體層之上的鹼性離子可最高造成系統的整個失效的缺陷(例如於一TFT螢幕之應用情形中)。
具有位於複合層的兩側的鏡片基板之一系統亦為可能,其特別地較佳於透明OLED照明系統的情形中,或亦可用於達成具有此鏡片之密閉封裝之一OLED或PV系統。
於較佳實施例中,此複合層可用於發光OLED系統的製作。
依據本發明之具有依據本發明之作為一基板與一覆板用之一薄鏡片之一複合層係通常特別地適用於所有應用,其中可導引例如可見光、紫外光、遠紅外線、或其他射線穿過系統及具有一增加折射率之特性之一或多個膜層,其中於此些膜層之間的介面處可能產生折射。
上述為如通常為光學且特別地半導體的應用,例如OLED系統(作為顯示器且亦特別作為區域照光的光源)。另一半導體應用為例如薄光伏層,特別是有機薄光伏層。
於其他實施例中,依據本發明之複合層可用於太陽能模組內或做為太陽能模組。很明顯的,藉由依據本發明之鏡片的應用,對於太陽能模組亦為有利特性可於其複合層內達
成,由於其處光線的不受阻礙地穿透一基板鏡片極為重要。因此,可得到具有改變的效率之使用此複合層的太陽能模組。於如此太陽能模組內複合層亦與電極一起使用。
依據本發明之薄鏡片可藉由一平板鏡片製造方法所生產。依據本發明,”平板鏡片製造方法”較佳地的意思是允許具有一窗格寬高比(厚度比表面區域,如下述)的鏡片製造之一種方法。此些窗格之特徵在於最小厚度為0.02毫米(最薄鏡片)以及約0.1-1毫米之標準厚度,最高至3毫米厚度。較佳地,此些寬度介於0.1-3米。此類型之平板鏡片製造方法隨著介於前述較佳方法與相關製程之期望寬高比而改變。因此,可達成於基板層內薄鏡片所需厚度。於具有折射率大於1.6之傳統光學鏡片中,此些平板鏡片製造方法無法施行,由於其包括成分及/或具有組成物其造成了鏡片的低結晶穩定度。
較佳地,於複合層內之基板層具有一低於3毫米之膜厚。更加地,此膜厚係低於2毫米,且特佳地低於1毫米或低於0.5毫米。於此膜層組成此膜層之一較佳彈性型態中,膜厚較佳少於500微米,特佳地少於200微米。如此具有優勢,由於具有減少厚度,鏡片的彈性也增加。因此,隨著厚度的增加,複合層的彈性整體將會減少。但當所選之膜厚太少時,一方面加工性會受到阻礙,且另一方面減少了複合層的對於毀損之整個抵抗能力。因此,基板層之膜厚較佳地至少為0.03毫米,且更加地至少為0.05毫米。薄鏡片之此有利彈性可藉由適當成分的選擇而達成。
較佳地,此複合層係為一OLED照光系統(照明)內
之一組成物。依據本發明之鏡片的使用作為一OLED之一基材鏡片及/或於一OLED發光系統係為本發明之一部。
依據本發明之鏡片的應用係採用薄鏡片作為一基板或一覆板之型態,特別本發明之一部分為於具有一半導體層之一複合層內。較佳地,此應用為前述複合層內之應用。
於表1至表2內之下述實施例顯示了本發明之薄鏡片的合成組成物以及此些鏡片的特徵的部分參數。此數據係按照重量百分比(wt%)顯示。此些實施例之鏡片可能依據本發明之平板鏡片製造方法的幫助而處理成為本發明之薄鏡片而沒有任何結晶物。
Claims (10)
- 一種具有至少一火焰拋光表面且具有高於1.60之折射率之薄鏡片,包括以下以重量百分比(wt%)表示之成分:(1)20wt%~52wt%之SiO2;(2)2wt%~14.5wt%之BaO;(3)大於12wt%~32wt%之TiO2;(4)0.5wt%~26wt%之Nb2O5;(5)0wt%~11wt%之Na2O;及(6)0wt%~1wt%之SrO,其中該至少一火焰拋光表面具有最多為5奈米的一均方根粗糙度(Rq或亦稱RMS)。
- 依據申請專利範圍第1項所述之薄鏡片,更包括以下以重量百分比(wt%)表示之成分:(1)20wt%~52wt%之SiO2;(2)0wt%~17wt%之B2O3;(3)0wt%~11wt%之Na2O;(4)0wt%~15wt%之K2O;(5)0wt%~5wt%之MgO;(6)0wt%~15wt%之CaO;(7)0wt%~1wt%之SrO;(8)2wt%~14.5wt%之BaO;(9)0wt%~6wt%之ZnO;(10)大於12wt%~32wt%之TiO2;(11)0wt%~7wt%之ZrO2; (12)0.5wt%~26wt%之Nb2O5;(13)0wt%~7wt%之La2O3;(14)0wt%~8wt%之Ta2O5;及(15)0wt%~8wt%之GeO2。
- 依據申請專利範圍第1項或第2項所述之薄鏡片,其中SiO2與TiO2的重量比例之比值至少為1.5且最多為4。
- 依據申請專利範圍第1項或第2項所述之薄鏡片,其中BaO、SrO、CaO、MgO及ZnO之含量之總和為最多15重量百分比(wt%)。
- 依據申請專利範圍第1項或第2項所述之薄鏡片,其中Nb2O5之含量為至少1重量百分比(wt%)。
- 依據申請專利範圍第1項或第2項所述之薄鏡片,其中SiO2與B2O3之含量之總和為至少30重量百分比(wt%)與最多40重量百分比(wt%)。
- 依據申請專利範圍第1項或第2項所述之薄鏡片,包括以下以重量百分比(wt%)表示之成分:(1)25wt%~50wt%之SiO2;(2)5wt%~14.5wt%之BaO;(3)15wt%~30wt%之TiO2;(4)2wt%~15wt%之Nb2O5(5)5wt%~11wt%之Na2O(6)1wt%~10wt%之K2O;及(7)0.5wt%~5wt%之CaO。
- 一種複合層,包括申請專利範圍第1-7項中任一項所述之一 薄鏡片以及至少一半導體層。
- 一種依據申請專利範圍第1-7項中任一項所述之薄鏡片之製造方法,具有下列步驟:a.熔化包括以下以重量百分比(wt%)表示之成分之一鏡片混合物以形成一鏡片熔融物:(1)20wt%~52wt%之SiO2;(2)2wt%~14.5wt%之BaO;(3)大於12wt%~32wt%之TiO2;(4)0.5wt%~26wt%之Nb2O5;(5)0wt%~11wt%之Na2O;及(6)0wt%~1wt%之SrO。以及b.處理該鏡片熔融物或一得自該鏡片熔融物之鏡片而成為一薄鏡片。
- 一種鏡片之應用,其係以申請專利範圍第1-7項中任一項所述之薄鏡片之形態作為一基板或一覆板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014109831.5A DE102014109831B4 (de) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | Hochbrechende Dünngläser |
??102014109831.5 | 2014-07-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201613838A TW201613838A (en) | 2016-04-16 |
TWI649291B true TWI649291B (zh) | 2019-02-01 |
Family
ID=53761333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104121614A TWI649291B (zh) | 2014-07-14 | 2015-07-03 | 高折射薄鏡片 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102014109831B4 (zh) |
TW (1) | TWI649291B (zh) |
WO (1) | WO2016008866A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016107934B4 (de) | 2016-04-28 | 2023-07-13 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung hochbrechender Dünnglassubstrate |
US11319243B2 (en) | 2018-01-17 | 2022-05-03 | Corning Incorporated | High refractive index optical borate glass |
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Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN100569681C (zh) | 2001-12-14 | 2009-12-16 | 康宁股份有限公司 | 溢流下拉熔制法制造平板玻璃的装置和方法 |
US9136504B2 (en) | 2004-08-04 | 2015-09-15 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electroluminescent device |
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JP5510337B2 (ja) | 2009-01-26 | 2014-06-04 | 旭硝子株式会社 | ガラス組成物、ガラスフリット、および基板上にガラス層を具備する部材 |
KR20120098612A (ko) | 2009-10-15 | 2012-09-05 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유기 led 소자의 산란층용 유리 및 그것을 사용한 유기 led 소자 |
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DE112012002137B4 (de) * | 2011-05-18 | 2019-02-07 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glas mit hohem Brechungsindex |
-
2014
- 2014-07-14 DE DE102014109831.5A patent/DE102014109831B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-03 TW TW104121614A patent/TWI649291B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-07-14 WO PCT/EP2015/066017 patent/WO2016008866A1/de active Application Filing
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CN1396132A (zh) * | 2001-07-11 | 2003-02-12 | 肖特玻璃制造厂 | 无铅重燧石光学玻璃 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102014109831B4 (de) | 2017-12-28 |
TW201613838A (en) | 2016-04-16 |
WO2016008866A1 (de) | 2016-01-21 |
DE102014109831A1 (de) | 2016-01-14 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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