TWI648531B - Surface enhanced Raman scattering unit and method of use thereof - Google Patents

Surface enhanced Raman scattering unit and method of use thereof Download PDF

Info

Publication number
TWI648531B
TWI648531B TW106109038A TW106109038A TWI648531B TW I648531 B TWI648531 B TW I648531B TW 106109038 A TW106109038 A TW 106109038A TW 106109038 A TW106109038 A TW 106109038A TW I648531 B TWI648531 B TW I648531B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
raman scattering
enhanced raman
cover
optical function
Prior art date
Application number
TW106109038A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201723468A (zh
Inventor
柴山勝己
伊藤將師
能野隆文
廣瀨真樹
吉田杏奈
大藤和人
丸山芳弘
Original Assignee
日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 filed Critical 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Publication of TW201723468A publication Critical patent/TW201723468A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI648531B publication Critical patent/TWI648531B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65—Raman scattering
    • G01N21/658—Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
    • G01J3/4412—Scattering spectrometry
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/02—Mechanical
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/02—Mechanical
    • G01N2201/022—Casings
    • G01N2201/0227—Sealable enclosure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Optical Measuring Cells (AREA)
  • Examining Or Testing Airtightness (AREA)

Abstract

本發明之SERS單元1A包括：基板4；光學功能部10，其形成於基板4上，且產生表面增強拉曼散射；及封裝體20A，其將光學功能部10收納於惰性之空間S中，且使空間S不可逆地開放。

Description

表面增強拉曼散射單元及其使用方法
本發明係關於一種表面增強拉曼散射單元及其使用方法。
作為先前之表面增強拉曼散射單元，眾所周知有具備使表面增強拉曼散射(SERS：Surface Enhanced Raman Scattering)產生之微小金屬構造體者(例如，參照專利文獻1及非專利文獻1)。於如此之表面增強拉曼散射單元中，若使成為拉曼分光分析之對象之試料與微小金屬構造體接觸，於該狀態下對該試料照射激發光，則產生表面增強拉曼散射，放出增強至例如108倍左右之拉曼散射光。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-33518號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]“Q-SERSTMG1Substrate”，[online]，optoscience股份有限公司，[平成24年7月19日檢索]，因特網<URL：http：//www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf>
然而，如上所述之表面增強拉曼散射單元中，存在起因於微小金屬構造體之氧化、或異物或雜質對微小金屬構造體之附著等，而於使用前表 面增強拉曼散射效果易於劣化之問題。
因此，本發明之目的在於提供可防止使用前之表面增強拉曼散射效果劣化之表面增強拉曼散射單元及其使用方法。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元包括：基板；光學功能部，其形成基板上，且產生表面增強拉曼散射；及封裝體，其將光學功能部收納於惰性之空間中，且使空間不可逆地開放。
該表面增強拉曼散射單元中，產生表面增強拉曼散射之光學功能部藉由封裝體而收納於惰性之空間中。因此，藉由在使用之前將封裝體開封使空間不可逆地開放，可防止使用前之表面增強拉曼散射效果劣化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，封裝體亦可係為了將試料配置於光學功能部上，而使空間不可逆地開放。根據該構成，如上所述藉由在使用之前將封裝體開封並將試料配置於光學功能部上，可防止使用前之表面增強拉曼散射效果劣化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，封裝體亦可為安裝於基板上之蓋。根據該構成，藉由利用基板，可謀求將光學功能部收納於惰性之空間中且使空間不可逆地開放之封裝體之構造之簡化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，蓋亦可具有藉由空間與蓋之外部之壓力差而變形之變形部。根據該構成，例如於藉由提高真空度而實現惰性之空間之情形時，可根據變形部之變形狀態判斷是否將封裝體開封，或者判斷使用前之洩漏之產生之有無。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，蓋亦可藉由蓋之一部分被卸除，而使空間不可逆地開放。根據該構成，由於為向光學功能部上 之試料之穩定性的配置等，故而可利用蓋之中殘留於基板上之部分。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為蓋具有於包圍光學功能部之狀態下安裝於基板上之筒狀之包圍部，及於與光學功能部對向之狀態下將包圍部之開口密封之對向部，且對向部作為蓋之一部分自包圍部卸除。根據該構成，由於為向光學功能部上之試料之穩定性的配置等，故而可利用殘留於基板上之包圍部。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為對向部之厚度較包圍部之厚度更薄。根據該構成，於使用前，可確實地維持收納光學功能部之惰性之空間，且於使用時，可將對向部自包圍部容易地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可於包圍部與對向部之交界部分形成有弱化部。根據該構成，於使用前，可確實地維持收納光學功能部之惰性之空間，且於使用時，可將對向部自包圍部容易地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，光學功能部於基板上形成有複數個，包圍部及對向部針對每個光學功能部而設置亦可。根據該構成，藉由僅將與應使用之光學功能部對應之對向部卸除，可將其他光學功能部維持於惰性之空間中。又，可於相同基板上不混合複數種類之試料而進行測量。進而，可省去測量時更換表面增強拉曼散射單元等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元亦可進而包括安裝於蓋之一部分之握持構件。根據該構成，可使用握持構件，將蓋之一部分容易且確實地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，握持構件亦可隔著樹 脂層而安裝於蓋之一部分。根據該構成，即便蓋之一部分產生彎曲等，亦可將握持構件容易且確實地安裝於蓋之一部分。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，蓋亦可藉由蓋之整體自基板上被卸除，而使空間不可逆地開放。根據該構成，於使用前，可更確實地維持收納光學功能部之惰性之空間，從而可使蓋之整體之強度提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為光學功能部於基板上形成有複數個，蓋針對每個光學功能部而於基板上安裝有複數個。根據該構成，藉由僅將與應使用之光學功能部對應之蓋卸除，可將其他光學功能部維持於惰性之空間中。又，可於相同基板上不混合複數種類之試料而進行測量。進而，可省去測量時更換表面增強拉曼散射單元等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元亦可進而包括安裝於蓋之握持構件。根據該構成，可使用握持構件，將蓋容易且確實地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，握持構件亦可隔著樹脂層而安裝於蓋。根據該構成，即便蓋產生彎曲等，亦可將握持構件容易且確實地安裝於蓋。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元亦可進而包括安裝有基板之操作基板，且封裝體為安裝於操作基板上之蓋。根據該構成，藉由利用操作基板，可謀求將光學功能部收納於惰性之空間中且使空間不可逆地開放之封裝體之構造之簡化。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，蓋亦可具有藉由空間與蓋之外部之壓力差而變形之變形部。根據該構成，例如於藉由提高真空 度而實現惰性之空間之情形時，可根據變形部之變形狀態判斷是否將封裝體開封，或者判斷使用前之洩漏之產生之有無。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，蓋亦可藉由蓋之一部分被卸除，而使空間不可逆地開放。根據該構成，可利用蓋之中殘留於基板上之部分，將試料穩定地配置於光學功能部上。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為蓋具有在包圍基板及光學功能部之狀態下安裝於操作基板上之筒狀之包圍部，及在與基板及光學功能部對向之狀態下將包圍部之開口密封之對向部，且對向部作為蓋之一部分自包圍部卸除。根據該構成，可將包圍部利用於試料向光學功能部上之穩定性的配置。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，對向部之厚度亦可較包圍部之厚度更薄。根據該構成，於使用前，可確實地維持收納光學功能部之惰性之空間，且於使用時，可將對向部自包圍部容易地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可於包圍部與對向部之交界部分形成有弱化部。根據該構成，於使用前，可確實地維持收納光學功能部之惰性之空間，且於使用時，可將對向部自包圍部容易地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為基板於操作基板上安裝有複數個，包圍部及對向部針對每個基板而設置。根據該構成，藉由僅將與應使用之光學功能部對應之對向部卸除，可將其他光學功能部維持於惰性之空間中。又，可於相同操作基板上不混合複數種類之試料而進行測量。進而，可省去測量時更換表面增強拉曼散射單元等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元亦可進而包括安裝於蓋之一部分之握持構件。根據該構成，可使用握持構件，將蓋之一部分容易且確實地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，握持構件亦可隔著樹脂層而安裝於蓋之一部分。根據該構成，即便蓋之一部分產生彎曲等，亦可將握持構件容易且確實地安裝於蓋之一部分。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，蓋亦可藉由蓋之整體自操作基板上被卸除，而使空間不可逆地開放。根據該構成，於使用前，可更確實地維持收納光學功能部之惰性之空間，從而可使蓋之整體之強度提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為基板於操作基板上安裝有複數個，蓋針對每個基板而於操作基板上安裝有複數個。根據該構成，藉由僅將與應使用之光學功能部對應之蓋卸除，可將其他光學功能部維持於惰性之空間中。又，可於相同操作基板上不混合複數種類之試料而進行測量。進而，可省去測量時更換表面增強拉曼散射單元等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元亦可進而包括安裝於蓋之握持構件。根據該構成，可使用握持構件，將蓋容易且確實地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，握持構件亦可隔著樹脂層而安裝於蓋。根據該構成，即便蓋產生彎曲等，亦可將握持構件容易且確實地安裝於蓋。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為封裝體具有：操作基板，其具有收納基板及光學功能部且將基板安裝於內表面之凹部； 及片材，其密封凹部之開口；封裝體藉由片材自操作基板被卸除，而使空間不可逆地開放。根據該構成，藉由利用操作基板，可謀求將光學功能部收納於惰性之空間中且使空間不可逆地開放之封裝體之構造之簡化。進而，可利用凹部，將試料穩定地配置於光學功能部上。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，操作基板亦可具有複數個收納基板及光學功能部且將基板安裝於內表面之凹部。根據該構成，藉由僅將收納有應使用之光學功能部之凹部開封，可將收納於其他凹部之光學功能部維持於惰性之空間中。又，可不於相同操作基板上混合複數種類之試料地進行測量。進而，可省去測量時更換表面增強拉曼散射單元等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，片材亦可針對每個凹部而設置複數個。根據該構成，藉由僅對收納有應使用之光學功能部之凹部將片材自操作基板卸除，可容易且確實地實現該凹部之開封、及其他凹部之密封。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為封裝體具有收納基板及光學功能部之蓋，及將蓋之開口密封之片材；藉由外力之作用而使蓋變形，且經由基板而破壞片材，藉此封裝體使空間不可逆地開放。根據該構成，可使自封裝體取出後之基板及光學功能部之操作之自由度提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可於蓋之內表面，以與光學功能部對向之方式形成有凹部。根據該構成，可於將基板及光學功能部收納於封裝體時，或將基板及光學功能部自封裝體取出時，防止蓋與光學功能部干涉。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可於蓋之內表面，於光學功能部之周圍以與基板對向之方式形成有凸部。根據該構成，可於將基板及光學功能部收納於封裝體時，或將基板及光學功能部自封裝體取出時，防止蓋與光學功能部干涉。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元亦可進而包括安裝有封裝體即蓋之操作基板，基板係以光學功能部與操作基板對向之方式而安裝於蓋之內表面，蓋係藉由蓋之整體自操作基板上被卸除，而使空間不可逆地開放亦可。根據該構成，於將蓋之整體自操作基板上卸除時，可抑制異物或雜質附著於光學功能部。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，亦可為蓋於操作基板上安裝有複數個，基板針對每個蓋而安裝於蓋之內表面。根據該構成，藉由僅將收納有應使用之光學功能部之蓋開封，可將收納於其他蓋之光學功能部維持於惰性之空間中。又，可不於相同操作基板上混合複數種類之試料地進行測量。進而，可省去測量時更換表面增強拉曼散射單元等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元亦可進而包括安裝於蓋之握持構件。根據該構成，可使用握持構件，將蓋容易且確實地卸除。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元中，握持構件亦可隔著樹脂層而安裝於蓋。根據該構成，即便蓋產生彎曲等，亦可將握持構件容易且確實地安裝於蓋。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元之使用方法係如下表面增強拉曼散射單元之使用方法，該表面增強拉曼散射單元包括：基板；光學功能部，其形成於基板上，且產生表面增強拉曼散射；及封裝體，其將光 學功能部收納於惰性之空間中，且使空間不可逆地開放；且該表面增強拉曼散射單元之使用方法包括：第1步驟，其藉由將封裝體開封，而使空間不可逆地開放；第2步驟，其於第1步驟之後，將試料配置於光學功能部上；及第3步驟，其於第2步驟之後，對試料照射激發光。
本發明之一態樣之表面增強拉曼散射單元之使用方法中，於使用前，產生表面增強拉曼散射之光學功能部藉由封裝體而收納於惰性之空間中。因此，藉由在使用之前將封裝體開封而使空間不可逆地開放，可防止使用前之表面增強拉曼散射效果劣化。
根據本發明，可提供可防止使用前之表面增強拉曼散射效果劣化之表面增強拉曼散射單元及其使用方法。
1A、1B、1C、1D、1E‧‧‧SERS單元(表面增強拉曼散射單元)
2‧‧‧操作基板
2a‧‧‧正面
3‧‧‧SERS元件(表面增強拉曼散射元件)
4‧‧‧基板
4a‧‧‧正面
4b‧‧‧背面
5‧‧‧成形層
6‧‧‧導電體層
7‧‧‧微細構造部
8‧‧‧支持部
9‧‧‧框部
10‧‧‧光學功能部
11‧‧‧密封構件(握持構件)
11a‧‧‧基端部
11b‧‧‧前端部
13‧‧‧覆蓋玻璃
14‧‧‧片材
14a‧‧‧端部
15‧‧‧凹部
15a‧‧‧底面(內表面)
15b‧‧‧開口
16‧‧‧蓋
16a‧‧‧底面(內表面)
16b‧‧‧開口
16c‧‧‧凸緣部
16d‧‧‧側壁部
17‧‧‧片材
18‧‧‧凹部
19‧‧‧凸部
20A、20B、20C、20D、20E‧‧‧封裝體
21‧‧‧蓋
22‧‧‧包圍部
22a‧‧‧端面
22b‧‧‧端面
23‧‧‧對向部
23a‧‧‧正面
24‧‧‧弱化部
25‧‧‧變形部
26‧‧‧樹脂層
31‧‧‧硬質構件(握持構件)
31a‧‧‧基端部
31b‧‧‧前端部
32‧‧‧突起構件(握持構件)
34‧‧‧爪部
41‧‧‧壁部
42‧‧‧壁部
43‧‧‧薄壁部
200‧‧‧晶圓
300‧‧‧晶圓
R‧‧‧區域
S‧‧‧空間
圖1係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之俯視圖。
圖2係沿著圖1之II-II線之剖面圖。
圖3係圖2之局部放大剖面圖。
圖4係表示圖1之表面增強拉曼散射單元之使用步驟之剖面圖。
圖5係表示圖1之表面增強拉曼散射單元之使用步驟之局部放大剖面圖。
圖6係表示圖1之表面增強拉曼散射單元之製造步驟之剖面圖。
圖7係表示圖1之表面增強拉曼散射單元之製造步驟之剖面圖。
圖8係表示圖1之表面增強拉曼散射單元之製造步驟之剖面圖。
圖9係表示本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之使用步驟之剖面圖。
圖10係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖11係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之局部放大剖面圖。
圖12係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖13係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖14係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖15係表示圖14之表面增強拉曼散射單元之使用步驟之剖面圖。
圖16係本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之俯視圖。
圖17係沿著圖16之XVII-XVII線之剖面圖。
圖18係表示圖16之表面增強拉曼散射單元之使用步驟之剖面圖。
圖19係表示本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之使用步驟之剖面圖。
圖20係本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖21係本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖22係本發明之第3實施形態之表面增強拉曼散射單元之俯視圖。
圖23係沿著圖22之XXIII-XXIII線之剖面圖。
圖24係表示圖22之表面增強拉曼散射單元之使用步驟之剖面圖。
圖25係本發明之第4實施形態之表面增強拉曼散射單元之剖面圖。
圖26係本發明之第4實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖27(a)、(b)係本發明之第4實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖28係本發明之第1實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖29(a)-(c)係本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖30係本發明之第3實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖31係本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖32(a)、(b)係本發明之第2實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖33係本發明之第5實施形態之表面增強拉曼散射單元之剖面圖。
圖34係表示圖33之表面增強拉曼散射單元之使用步驟之剖面圖。
圖35係本發明之第3實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
圖36係圖1之表面增強拉曼散射單元之光學功能部之SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)照片。
圖37係本發明之第3實施形態之表面增強拉曼散射單元之變化例之剖面圖。
以下，參照圖式，對本發明之較佳實施形態進行詳細說明。再者，於各圖中對相同或相當部分附上相同符號，並省略重複之說明。
[第1實施形態]
如圖1及圖2所示，SERS單元(表面增強拉曼散射單元)1A包括操作基板2、及安裝於操作基板2上之SERS元件(表面增強拉曼散射元件)3。操作基板2為矩形板狀之載玻片、樹脂基板或陶瓷基板等。SERS元件3於偏向於操作基板2之長邊方向之一端部之狀態下，配置於操作基板2之正面2a。
SERS元件3包括安裝於操作基板2上之基板4、形成於基板4上之成形層5、及形成於成形層5上之導電體層6。基板4係藉由矽或玻璃等而形成為矩形板狀，且具有數百μm×數百μm~數十mm×數十mm左右之外形及100μm~2mm左右之厚度。基板4之背面4b係藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於操作基板2之正面2a。
如圖3所示，成形層5包含微細構造部7、支持部8、及框部9。微細構造部7為具有週期性圖案之區域，於成形層5之中央部形成於與基板4相反側之表層。微細構造部7中，將具有數nm~數百nm左右之粗度及高度之複數個支柱以數十nm~數百nm左右之間距而週期性地排列。於自基板4之厚度方向觀察之情形時，微細構造部7具有數百μm×數百μm~數十mm×數十mm左右之矩形狀之外形。支持部8為支持微細構造部7之區域，且形成於基板4之正面4a。框部9為環狀地包圍支持部8之區域，且形成於基板4之正面4a。支持部8及框部9具有數十nm~數十μm左右之厚度。如此之成形層5，例如，藉由利用奈米壓印法將配置於基板4上之樹脂(丙烯酸 系、氟系、環氧系、矽酮系、胺基甲酸酯系、PET、聚碳酸酯、無機有機混合材料等)或低熔點玻璃成形，而一體地形成。
導電體層6自微細構造部7遍及框部9而形成。於微細構造部7中，導電體層6到達露出於與基板4相反側之支持部8之表面。導電體層6具有數nm~數μm左右之厚度。如此之導電體層6，例如，係藉由在利用奈米壓印法而成形之成形層5蒸鍍金屬(Au、Ag、Al、Cu或Pt等)等之導電體而形成。SERS元件3中，藉由微細構造部7、及形成於露出於與基板4相反側之支持部8之表面之導電體層6，而構成產生表面增強拉曼散射之光學功能部10。
作為參考，表示光學功能部10之SEM照片。圖36所示之光學功能部係於具有以特定之間距(中心線間距離360nm)而週期性地排列之複數個支柱(直徑120nm，高度180nm)之奈米壓印樹脂製之微細構造部，作為導電體層，以膜厚成為50nm之方式蒸鍍Au而成者。
如圖1及圖2所示，SERS單元1A進而包括將形成於基板4上之光學功能部10收納於惰性之空間S中之封裝體20A。封裝體20A係將成為拉曼分光分析之對象之試料配置於光學功能部10上，故而使空間S不可逆地開放。空間S係藉由提高真空度，或填充惰性氣體，或者，於異物或雜質較少之環境中進行封裝體20A之構成(此處，下述之蓋21之安裝)，而形成為惰性之空間。再者，所謂「封裝體使空間不可逆地開放」，係指封裝體為開封後無法再次返回至原來之狀態者(即，為無法再構成者)，且藉由封裝體之開封而開放之空間亦無法再次返回至原來之惰性之空間。
如圖3所示，封裝體20A為安裝於SERS元件3上之蓋21。蓋21隔著成形層5之框部9及導電體層6而安裝於基板4上。蓋21具有於包圍光學功能 部10之狀態下安裝於基板4上之矩形筒狀之包圍部22，及於與光學功能部10對向之狀態下將包圍部22之開口密封之膜狀之對向部23。包圍部22中之基板4側之端面22b藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於導電體層6之表面。包圍部22及對向部23藉由矽或玻璃等而一體地形成，且劃定朝向基板4側擴展之四角錐台狀之空間S。
如圖1及圖2所示，SERS單元1A進而包括安裝於蓋21之一部分之密封構件(握持構件)11。密封構件11之基端部11a貼附於操作基板2之正面2a。密封構件11之前端部11b貼附於蓋21之對向部23中之與基板4相反側之正面23a(參照圖3)，前端部11b之一部分自蓋21上伸出。再者，密封構件11之基端部11a亦可不貼附於操作基板2之正面2a。
如圖3所示，蓋21中，對向部23之厚度較包圍部22之厚度更薄。作為一例，相對於包圍部22之厚度為0.3mm~2mm左右，而對向部23之厚度為數μm~百μm左右。進而，於包圍部22與對向部23之交界部分形成有弱化部24。藉此，如圖4所示，若握持並提拉密封構件11之前端部11b之一部分，則貼附有密封構件11之前端部11b之對向部23亦被提拉。此時，於包圍部22與對向部23之交界部分中蓋21以弱化部24為起點而斷裂，貼附有密封構件11之前端部11b之對向部23自包圍部22卸除。如此，藉由將對向部23自包圍部22卸除，而封裝體20A使空間S不可逆地開放。再者，亦可取代密封構件11之前端部11b，而握持並提拉密封構件11之基端部11a。
再者，所謂弱化部24係指強度被弱化，或應力易於集中之區域，且係成為蓋21之斷裂之起點之區域。作為弱化部24，存在沿著包圍部22與 對向部23之交界部分而形成於該交界部分之內部之改質區域，或沿著包圍部22與對向部23之交界部分而形成於該交界部分之表面之切口、龜裂或槽等。改質區域係藉由雷射光之照射而形成。切口、龜裂及槽係藉由機械加工或蝕刻而形成。
其次，對SERS單元1A之使用方法進行說明。首先，如圖4所示，握持並提拉密封構件11之前端部11b之一部分，將對向部23自包圍部22卸除。如此藉由將封裝體20A開封，而使空間S不可逆地開放(第1步驟)。
繼而，如圖5所示，使用滴管等，將溶液之試料12(或者，使粉體之試料分散於水或乙醇等溶液中而成者)滴下至包圍部22之內側，將試料12配置於光學功能部10上(第2步驟)。如此，將作為蓋21之一部分之包圍部22用作溶液之試料12之單元(腔室)。繼而，為了降低透鏡效果，而將覆蓋玻璃13載置於包圍部22之與基板4相反側之端面22a，使之與溶液之試料12密接。如此，可將作為蓋21之一部分之包圍部22用作覆蓋玻璃13之載置台。
繼而，將SERS單元1A設置於拉曼分光分析裝置，對配置於光學功能部10上之試料12，經由覆蓋玻璃13而照射激發光(第3步驟)。藉此，於光學功能部10與試料12之界面產生表面增強拉曼散射，來自試料12之拉曼散射光增強至例如108倍左右而放出。因此，拉曼分光分析裝置中，可實現高感度、高精度之拉曼分光分析。
再者，向光學功能部10上配置試料之方法除了上述方法以外，有如下方法。例如，亦可握持操作基板2，使SERS元件3浸漬於溶液之試料(或者，使粉體之試料分散於水或乙醇等溶液中而成者)並提拉，噴吹後使試料乾燥。又，亦可將溶液之試料(或者，使粉體之試料分散於水或乙醇等 溶液中而成者)微量滴下至光學功能部10上，使試料自然乾燥。又，亦可將粉體之試料直接分散於光學功能部10上。而且，於該等情形時，於測定時亦可不配置覆蓋玻璃13。
其次，對SERS單元1A之製造方法進行說明。首先，如圖6所示，準備包含複數個成為SERS元件3之部分之晶圓300。於晶圓300中，成為SERS元件3之部分配置為矩陣狀。如此之晶圓300以晶圓級藉由實施奈米壓印法之成形及金屬之蒸鍍等而製成。另一方面，準備包含複數個成為蓋21之部分之晶圓200。於晶圓200中，成為蓋21之部分與晶圓300中之成為SERS元件3之部分同樣地排列為矩陣狀。如此之晶圓200以晶圓級藉由實施蝕刻或噴擊加工等而製成。
繼而，如圖7所示，於真空中、惰性氣體環境中、或者異物或雜質較少之之環境中，使成為SERS元件3之部分與成為蓋21之部分對應，藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而將晶圓300與晶圓200相互固定。藉此，將各光學功能部10收納於惰性之空間S中。
繼而，如圖8所示，針對成為SERS元件3之部分之每一者(換言之，針對成為蓋21之部分之每一者)切割晶圓300及晶圓200。藉此，製成複數個固定有蓋21之SERS元件3。如此，於晶圓300及晶圓200之切割時，將各光學功能部10收納於惰性之空間S中，故而可防止起因於異物或雜質之附著等之光學功能部10之劣化。繼而，藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而將SERS元件3固定於操作基板2上。進而，將密封構件11之基端部11a貼附於操作基板2之正面2a，將密封構件11之前端部11b 貼附於蓋21之對向部23之正面23a。根據以上，製造出SERS單元1A。
其次，對由SERS單元1A發揮之效果進行說明。首先，SERS單元1A中，產生表面增強拉曼散射之光學功能部10藉由封裝體20A而收納於惰性之空間S中。因此，藉由在使用之前將封裝體20A開封而使空間S不可逆地開放，可防止使用前之表面增強拉曼散射效果之劣化(例如，起因於異物或雜質向光學功能部10附著等之表面增強拉曼散射效果之劣化)。
此處，SERS單元1A中，藉由將成為拉曼分光分析之對象之試料(例如分子試料)與光學功能部10中之導電體層6之表面密接，可產生有效之表面增強拉曼散射，故而防止該導電體層6之表面之污染極為重要。例如，該污染有大氣中之有機物之附著、水分之附著、由吸附水分而引起之該導電體層6之表面之氧化、微小之微粒之附著等，若因該等而該導電體層6之表面被污染，則試料向該導電體層6之表面之接觸受到阻礙，無法產生有效之表面增強拉曼散射。因此，所謂惰性之空間S，例如，係指藉由提高真空度，或填充惰性氣體，或者於異物或雜質較少之環境中進行封裝體20A之構成，而遮斷直至開放之前為止與外部環境之流通，難以產生如上所述之污染之空間(即，與外部環境中相比，難以產生光學功能部10中之導電體層6之表面之污染之空間)。
又，封裝體20A為安裝於SERS元件3之基板4上之蓋21，故而可利用基板4，謀求將光學功能部10收納於惰性之空間S中且使空間S不可逆地開放之封裝體20A之構造之簡化。
又，蓋21係藉由將對向部23自包圍部22卸除，而使空間S不可逆地開放，故而可為了試料向光學功能部10上之穩定性的配置等，而利用殘留於基板4上之包圍部22。
又，對向部23之厚度較包圍部22之厚度更薄，進而，於包圍部22與對向部23之交界部分形成有弱化部24，故而於使用前，可確實地維持收納有光學功能部10之惰性之空間S，於使用時，可將對向部23自包圍部22容易地卸除。再者，於使用時，若可將對向部23自包圍部22容易地卸除，則亦可實施對向部23之薄型化或弱化部24之形成之任一者。
又，於使用時於自蓋21卸除之對向部23安裝有密封構件11，故而於使用時，可使用密封構件11，將對向部23自蓋21容易且確實地卸除，從而可避免起因於對向部23向光學功能部10脫落等而光學功能部10被污染。
其次，對上述SERS單元1A之變化例進行說明。如圖9所示，蓋21亦可為藉由將蓋21之整體自基板4上卸除，而使空間S不可逆地開放者。即，於使用時，於握持並提拉密封構件11之前端部11b之一部分時，包圍部22之端面22b與SERS元件3之導電體層6之表面之接合斷裂，蓋21之整體自基板4上卸除。於該情形時，於包圍部22與對向部23之交界部分未形成弱化部24。進而，亦無須使對向部23之厚度變薄。再者，於將溶液之試料12(或者，使粉體之試料分散於水或乙醇等溶液中而成者)配置於光學功能部10上時，將藉由例如矽酮等而形成為與包圍部22同等之形狀之間隔件配置於基板4上即可。
根據該構成，無須為了於使用時將對向部23自包圍部22容易地卸除，而形成弱化部24，或使對向部23薄至必要以上。因此，於使用前，可更確實地維持收納有光學功能部10之惰性之空間S，從而可使蓋21之整體之強度提高。
又，如圖10所示，導電體層6亦可直接形成於基板4之正面4a。於該 情形時，藉由奈米壓印法、蝕刻、陽極氧化或雷射剝蝕等，而於基板4之正面4a形成微細構造部，其後，藉由金屬之蒸鍍等而於基板4之正面4a形成導電體層6。又，如圖11所示，包圍部22之端面22b亦可固定於在光學功能部10以外之部分中露出之基板4之正面4a。根據該構成，於封裝體20A之開封時，可防止外力作用於導電體層6而導電體層6剝離之事態。再者，包圍部22及對向部23亦可劃定並非四角錐台狀而是四角稜柱狀之空間S。根據該構成，易於在包圍部22與對向部23之交界部分產生龜裂，故而於將對向部23自包圍部22卸除之情形時有效。
於將蓋21固定於導電體層6之情形時與於將蓋21固定於基板4之情形時，藉由利用例如直接接合，而後者較前者而言固定力易於變高。因此，於藉由將蓋21之一部分卸除而將封裝體20A開封之情形時，將蓋21固定於基板4可謂較佳。另一方面，於藉由將蓋21之整體卸除而將封裝體20A開封之情形時，將蓋21固定於導電體層6可謂較佳。
又，無論於將蓋21固定於導電體層6之情形時與於將蓋21固定於基板4之情形時，於藉由使用樹脂之接合而將蓋21固定之情形時，與藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、或陽極接合而將蓋21固定之情形時相比，難以維持氣密性。因此，於藉由使用樹脂之接合而將蓋21固定之情形時，與藉由提高真空度而實現惰性之空間S相比，藉由以成為與大氣壓同等之壓力之方式填充惰性氣體，或者，於異物或雜質較少之之環境中進行封裝體20A之構成，而實現惰性之空間S可謂較佳。
又，如圖12所示，安裝於基板4上之蓋21亦可具有藉由空間S與蓋21之外部之壓力差而變形之變形部25。此處，具有較包圍部22之厚度更薄之厚度之對向部23兼作變形部25，藉由提高真空度而實現惰性之空間S。 因此，變形部25以凹陷之方式而變形。再者，若藉由以成為超過大氣壓之壓力之方式填充惰性氣體而實現惰性之空間S，則變形部25以凸起之方式而變形。根據該構成，可基於變形部25之變形狀態而判斷封裝體20A是否開封，或者使用前之洩漏之產生之有無。
又，如圖13所示，密封構件11亦可隔著樹脂層26而安裝於蓋21之一部分。此處，密封構件11之前端部11b隔著樹脂層26而安裝於對向部23。根據該構成，即便對向部23產生彎曲等，亦可將密封構件11之前端部11b容易且確實地安裝於對向部23。
又，如圖14所示，於藉由將對向部23自包圍部22卸除而將封裝體20A開封之情形時，於在基板4上形成有複數個光學功能部10時，包圍部22及對向部23針對每個光學功能部10而設置。於該情形時，相鄰之包圍部22彼此既可連續並一體地形成，亦可離開而分開形成。根據該構成，將密封構件11針對每個對向部23而安裝，如圖15所示，藉由僅將與應使用之光學功能部10對應之對向部23自包圍部22卸除，可將其他光學功能部10維持於惰性之空間S中。進而，亦可將複數個對向部23自包圍部22卸除，針對每個光學功能部10而配置不同之試料。如此，可不於相同基板4上混合複數種類之試料地進行測量。進而，可省去測量時更換SERS單元1A等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
再者，於藉由將蓋21之整體自基板4上卸除而將封裝體20A開封之情形時，於在基板4上形成有複數個光學功能部10時，蓋21亦可針對每個光學功能部10而於基板4上安裝有複數個。於該情形時，相鄰之包圍部22彼此必須離開並分開形成。根據該構成，亦將密封構件11針對每個蓋21而安裝，僅將與應使用之光學功能部10對應之蓋21自基板4上卸除，藉此可將 其他光學功能部10維持於惰性之空間S中。進而，亦可將複數個蓋21自基板4上卸除，針對每個光學功能部10而配置不同之試料。如此，可不於相同基板4上混合複數種類之試料地進行測量。進而，可省去測量時更換SERS單元1A等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
[第2實施形態]
如圖16及圖17所示，SERS單元1B係主要在蓋21安裝於操作基板2上之方面與上述SERS單元1A不同。SERS單元1B中，將形成於基板4上之光學功能部10收納於惰性之空間S中之封裝體20B為安裝於操作基板2上之蓋21。蓋21之包圍部22之端面22b係藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於操作基板2之正面2a。
於SERS單元1B中，亦為對向部23之厚度較包圍部22之厚度更薄，進而，於包圍部22與對向部23之交界部分形成有弱化部24。藉此，如圖18所示，若握持並提拉密封構件11之前端部11b之一部分，則貼附有密封構件11之前端部11b之對向部23亦被提拉。此時，於包圍部22與對向部23之交界部分中以弱化部24為起點而蓋21斷裂，貼附有密封構件11之前端部11b之對向部23自包圍部22卸除。如此，藉由將對向部23自包圍部22卸除，而封裝體20B使空間S不可逆地開放。
根據以如上方式而構成之SERS單元1B，除了發揮與上述SERS單元1A共用之效果以外，發揮如下之效果。即，SERS單元1B中，封裝體20B為安裝於操作基板2上之蓋21，故而可利用操作基板2，謀求將光學功能部10收納於惰性之空間S中且使空間S不可逆地開放之封裝體20B之構造之簡化。
其次，對上述SERS單元1B之變化例進行說明。如圖19所示，蓋21亦可為藉由將蓋21之整體自操作基板2上卸除，而使空間S不可逆地開放者。即，於使用時，於握持並提拉密封構件11之前端部11b之一部分時，包圍部22之端面22b與操作基板2之正面2a之接合斷裂，蓋21之整體自操作基板2上卸除。於該情形時，於包圍部22與對向部23之交界部分未形成弱化部24。進而，亦無須使對向部23之厚度變薄。再者，於將溶液之試料12(或者，使粉體之試料分散於水或乙醇等溶液中而成者)配置於光學功能部10上時，將藉由例如矽酮等而形成為與包圍部22同等之形狀之間隔件配置於操作基板2上即可。
根據該構成，無須為了於使用時將對向部23自包圍部22容易地卸除，而形成弱化部24，或使對向部23薄至必要以上。因此，於使用前，可更確實地維持收納有光學功能部10之惰性之空間S，從而可使蓋21之整體之強度提高。
又，如圖20所示，安裝於操作基板2上之蓋21亦可具有藉由空間S與蓋21之外部之壓力差而變形之變形部25。此處，具有較包圍部22之厚度更薄之厚度之對向部23兼作變形部25，藉由提高真空度而實現惰性之空間S。因此，變形部25以凹陷之方式而變形。再者，若藉由以成為超過大氣壓之壓力之方式填充惰性氣體而實現惰性之空間S，則變形部25以凸起之方式而變形。根據該構成，可基於變形部25之變形狀態而判斷封裝體20B是否開封，或者使用前之洩漏之產生之有無。
又，如圖21所示，密封構件11亦可隔著樹脂層26而安裝於蓋21之一部分。此處，密封構件11之前端部11b隔著樹脂層26而安裝於對向部23。根據該構成，即便對向部23產生彎曲等，亦可將密封構件11之前端部11b 容易且確實地安裝於對向部23。
又，於藉由將對向部23自包圍部22卸除而將封裝體20B開封之情形時，於在操作基板2上形成有複數個SERS元件3時，包圍部22及對向部23亦可針對每個SERS元件3而設置。於該情形時，相鄰之包圍部22彼此既可連續並一體地形成，亦可離開並分開形成。根據該構成，將密封構件11針對每個對向部23而安裝，藉由僅將與應使用之光學功能部10對應之對向部23自包圍部22卸除，可將其他光學功能部10維持於惰性之空間S中。進而，亦可將複數個對向部23自包圍部22卸除，針對每個光學功能部10而配置不同之試料。如此，可不於相同操作基板2上混合複數種類之試料地進行測量。進而，可省去測量時更換SERS單元1B等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
再者，於藉由將蓋21之整體自操作基板2上卸除而將封裝體20B開封之情形時，於在操作基板2上形成有複數個SERS元件3時，蓋21亦可針對每個SERS元件3而於操作基板2上安裝有複數個。於該情形時，相鄰之包圍部22彼此必須離開並分開形成。根據該構成，亦將密封構件11針對每個蓋21而安裝，僅將與應使用之光學功能部10對應之蓋21自操作基板2上卸除，藉此可將其他光學功能部10維持於惰性之空間S中。進而，亦可將複數個蓋21自操作基板2上卸除，針對每個光學功能部10而配置不同之試料。如此，可不於相同操作基板2上混合複數種類之試料地進行測量。進而，可省去測量時更換SERS單元1B等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
[第3實施形態]
如圖22及圖23所示，SERS單元1C主要在藉由操作基板2及片材14而 構成封裝體20C之方面與上述SERS單元1A不同。於SERS單元1C中，收納SERS元件3之剖面矩形狀之凹部15形成於操作基板2之正面2a。於凹部15內，SERS元件3之基板4之背面4b係藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於凹部15之底面(內表面)15a。於該狀態下，凹部15之開口15b係藉由貼附於操作基板2之正面2a之片材14而密封。SERS單元1C中，如圖24所示，藉由將片材14自操作基板2卸除，封裝體20C使空間S不可逆地開放。再者，具有凹部15之操作基板2既可為藉由蝕刻或噴擊加工等而於包含玻璃、陶瓷或矽等之基板上形成凹部15者，亦可為將PET或聚碳酸酯、聚丙烯、苯乙烯樹脂、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、聚乙烯、PMMA(polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)、矽酮、液晶聚合物等塑膠或模製玻璃等成型者。
根據以如上方式而構成之SERS單元1C，除了與上述SERS單元1A共通之效果以外，並發揮如下效果。即，在SERS單元1C中，藉由利用操作基板2，可謀求將光學功能部10收納於惰性之空間S中且使空間S不可逆地開放之封裝體20C之構造之簡化。進而，可利用操作基板2之凹部15，將試料穩定地配置於光學功能部10上。
[第4實施形態]
如圖25所示，SERS單元1D係主要在藉由蓋16及片材17而構成封裝體20D之方面與上述SERS單元1A不同。於SERS單元1D中，於SERS元件3之基板4位於與蓋16之底面(內表面)16a相反側之狀態下，將SERS元件3收納於蓋16。於蓋16之開口16b，設置有朝向外側之凸緣部16c。蓋16之 開口16b藉由貼附於凸緣部16c之片材17而密封。於蓋16內，SERS元件3係藉由蓋16之側壁部16d而限制向與蓋16之底面16a平行之方向之移動。於該狀態下，於蓋16之底面16a，以與SERS元件3之光學功能部10對向之方式而形成有凹部18。蓋16係藉由聚丙烯、聚氯乙烯、聚烯烴等高防濕性塑膠而一體地形成。片材17為鋁箔等。
SERS單元1D中，藉由如壓破蓋16之外力之作用而使蓋16變形，隔著基板4而片材17被破壞，藉此封裝體20D使空間S不可逆地開放。藉此，可取出SERS元件3。於自封裝體20D取出SERS元件3時，雖然蓋16之底面16a接觸於光學功能部10之周圍之導電體層6(即，形成於成形層5之框部9上之導電體層6)，但是相對於光學功能部10而凹部18成為逃逸區域，故而蓋16之底面16a不會接觸於光學功能部10。
根據以如上方式而構成之SERS單元1D，除了與上述SERS單元1A共用之效果以外，發揮如下效果。即，可使自封裝體20D取出之後之SERS元件3之操作之自由度提高。進而，於將SERS元件3收納於封裝體20D時，或於將SERS元件3自封裝體20D取出時，可防止蓋16與光學功能部10干涉。再者，藉由將凸緣部16c彼此連接，亦可將複數個SERS單元1D矩陣狀地連接。此時，若將改質區域、切口、龜裂或槽等弱化部形成於相鄰之凸緣部16c之交界部分，則可僅將SERS單元1D之必要部分分離。
其次，對上述SERS單元1D之變化例進行說明。如圖26所示，亦可於蓋16之底面16a形成有凸部19。凸部19係於光學功能部10之周圍以與基板4對向之方式而形成為矩形環狀。藉此，於自封裝體20D取出SERS元件3時，雖然凸部19接觸於光學功能部10之周圍之導電體層6(即，形成於成形層5之框部9上之導電體層6)，但是蓋16之底面16a及凸部19不會接觸於光 學功能部10。因此，於將SERS元件3收納於封裝體20D時，或於將SERS元件3自封裝體20D取出時，可防止蓋16與光學功能部10干涉。再者，凸部19亦可於光學功能部10之周圍以與基板4對向之方式而設置有複數個。又，凸部19於收納於封裝體20D之SERS元件3接觸於片材17之狀態下，既可以接觸於SERS元件3之方式而設置，亦可以自SERS元件3離開之方式而設置。
又，如圖27所示，於將光學功能部10以外之部分中使基板4之正面4a露出之SERS元件3收納於封裝體20D之情形時，於將SERS元件3收納於封裝體20D時，或於將SERS元件3自封裝體20D取出時，使凹部18之周圍之蓋16之底面16a接觸於已露出之基板4之正面4a(圖27之(a))，又，或使凸部19接觸於已露出之基板4之正面4a(圖27之(b))即可。
[第5實施形態]
如圖33所示，SERS單元1E係主要在將SERS元件3安裝於蓋21之方面與圖19所示之SERS單元1B之變化例不同。於SERS單元1E中，將形成於基板4上之光學功能部10收納於惰性之空間S中之封裝體20E為安裝於操作基板2上之蓋21。蓋21之包圍部22之端面22b係藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於操作基板2之正面2a。
SERS元件3之基板4以光學功能部10與操作基板2之正面2a對向之方式而安裝於蓋21之內表面。基板4之背面4b係藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於蓋21之對向部23之內表面。
如圖34所示，SERS單元1E中，於使用時，於握持並提拉密封構件11 之前端部11b之一部分時，包圍部22之端面22b與操作基板2之正面2a之接合斷裂，而將蓋21之整體自操作基板2上卸除。如此，蓋21係藉由將蓋21之整體自操作基板2上卸除，而使空間S不可逆地開放。再者，密封構件11亦可隔著樹脂層26而安裝於蓋21。
根據以如上方式而構成之SERS單元1E，除了與圖19所示之SERS單元1B之變化例共用之效果以外，發揮如下效果。即，SERS單元1E中，於將蓋21之整體自操作基板2上卸除時，可抑制異物或雜質附著於光學功能部10。
再者，於操作基板2上安裝有複數個蓋21，SERS元件3之基板4針對每個蓋21而安裝於蓋21之內表面亦可。根據該構成，藉由僅將收納有應使用之光學功能部10之蓋21開封，可將收納於其他蓋21之光學功能部10維持於惰性之空間S中。又，於各個蓋21中，可不混合複數種類之試料而進行測量。進而，可省去測量時更換SERS單元1B等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
以上，對本發明之第1~第5實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述各實施形態。例如，空間S之形狀除了四角錐台狀以外，可形成為圓柱狀、圓錐台狀、四角稜柱狀等各種形狀。又，SERS單元1A~1E亦可採用例如於第1實施形態及第2實施形態中對複數個光學功能部10對應1個(相同)對向部23之構成等，複數個光學功能部10收納於相同封裝體20A~20E之構成。如以上般，SERS單元1A~1E之各構成之材料及形狀並不限定於上述材料及形狀，可應用各種材料及形狀。
又，微細構造部7既可隔著例如支持部8而間接地形成於基板4之正面4a上，亦可直接地形成於基板4之正面4a上。又，導電體層6並不限定於直 接地形成於微細構造部7上，亦可隔著用以使金屬相對於微細構造部7之密接性提高之緩衝金屬(Ti、Cr等)層等某些層而間接地形成於微細構造部7上。
又，如圖28所示，第1實施形態之SERS單元1A中，亦可代替密封構件11，將硬質構件(握持構件)31安裝於蓋21。硬質構件31藉由樹脂、金屬、陶瓷或玻璃等而形成為矩形板狀。硬質構件31之基端部31a係藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於蓋21之對向部23之正面23a，硬質構件31之前端部31b成為自由端。於該情形時，藉由使硬質構件31之前端部31b相對於操作基板2進退，而將蓋21之對向部23、或蓋21之整體與硬質構件31一起卸除。再者，亦可於蓋21一體地形成硬質構件31。又，於第2實施形態之SERS單元1B中，亦可代替密封構件11，而將硬質構件31安裝於蓋21。
又，如圖29所示，於第2實施形態之SERS單元1B中，亦可代替密封構件11，而將突起構件(握持構件)32安裝於蓋21。突起構件32包含樹脂、金屬、陶瓷或玻璃等，且藉由直接接合、使用焊錫等金屬之接合、共晶接合、利用雷射光之照射等而進行之熔融接合、陽極接合、或使用樹脂之接合，而固定於蓋21之對向部23之正面23a。於使用焊錫等金屬、或樹脂進行接合之情形時，若蓋21之包圍部22之端面22a相對於對向部23之正面23a向與操作基板2相反側突出，則於對向部23之正面23a上於由包圍部22包圍之區域R，留下焊錫等金屬、或樹脂，而將突起構件32容易且確實地固定於對向部23之正面23a。於該情形時，藉由握持並提拉突起構件32，而將蓋21之對向部23與突起構件32一起卸除。
再者，於自基板4之厚度方向觀察之情形時，區域R之寬度既可為與空間S之寬度同等(圖29之(a))，亦可為大於空間S之寬度(圖29之(b))，亦可為小於空間S之寬度(圖29之(a))。又，亦可於蓋21一體地形成突起構件32。又，於第1實施形態之SERS單元1A中，亦可代替密封構件11，而將突起構件32安裝於蓋21。又，如圖30所示，於第3實施形態之SERS單元1C中，亦可代替片材14，而藉由包含樹脂、金屬、陶瓷或玻璃等之蓋33而將凹部15之開口15b密封，於該蓋33安裝突起構件32。又，如圖31所示，於第2實施形態之SERS單元1B中，於在操作基板2上形成有複數個SERS元件3，包圍部22及對向部23針對每個SERS元件3而設置之情形時，亦可將各對向部23安裝於突起構件32。
又，如圖32所示，於第2實施形態之SERS單元1B中，亦可代替密封構件11，而將爪部34一體地形成於蓋21。於該情形時，藉由將鑷子等鉤住爪部34並提拉爪部34，而將蓋21之整體卸除。再者，爪部34既可形成為凸緣狀(圖32之(a))，亦可突起狀地形成有一個或複數個(圖32之(b))。又，於第1實施形態之SERS單元1A中，亦可代替密封構件11，而將爪部34一體地形成於蓋21。
又，如圖35所示，於第3實施形態之SERS單元1C中，操作基板2亦可具有複數個凹部15，該凹部15收納基板2及光學功能部10且將基板2安裝於內表面。根據該構成，藉由僅將收納有應使用之光學功能部10之凹部15開封，可將收納於其他凹部15之光學功能部10維持於惰性之空間S中。又，可不於相同操作基板2上混合複數種類之試料地進行測量。進而，可省去測量時更換SERS單元1C等之工時，從而可謀求作業效率之提高。
進而，SERS單元1C中，片材14亦可針對每個凹部15而設置有複數 個。根據該構成，藉由僅對收納有應使用之光學功能部10之凹部15將片材14自操作基板2卸除，可容易且確實地實現該凹部15之開封、及其他凹部15之密封。
又，如圖37所示，亦可於第3實施形態之SERS單元1C之操作基板2之背面2b，以形成沿著與操作基板2之厚度方向垂直之方向延伸之壁部41、42之方式，而設置複數個薄壁部43。此處，壁部41沿著操作基板2之外緣而形成為環狀，壁部42於壁部41之內側形成為格子狀。作為一例，各薄壁部43形成為長方體狀。
根據該構成，於為防止操作基板2產生翹曲而進行拉曼分光分析之情形時，於將操作基板2配置於拉曼分光分析裝置之平台上時，可將激發光之焦點精度佳地對準於光學功能部10。尤其，於在操作基板2形成凹部15之情形時，操作基板2之材料選擇容易形成凹部15之樹脂等材料，但越是此種材料越容易產生翹曲，故而設置如上所述之薄壁部43極為有效。但為防止亦於上述任一形態之操作基板2產生翹曲，可設置如上所述之薄壁部43。
再者，於操作基板2之正面2a沿著操作基板2之外緣而環狀地形成有切口部44。該切口部44以配置其他SERS單元1C之壁部41之方式形成，故而於搬送時等，可堆疊複數個SERS單元1C。
又，於圖37所示之SERS單元1C中，亦藉由握持片材14之端部14a將片材14向凹部15之相反側提拉，而將片材14自操作基板2卸除。藉此，可確實地防止光學功能部10產生損傷，且使封裝體20C內之空間S不可逆地開放。如此，片材14中之端部14a不貼附於操作基板2之正面2a，而將片材14作為自操作基板2卸除時之握持部而發揮功能。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供能防止使用前之表面增強拉曼散射效果劣化之表面增強拉曼散射單元及其使用方法。

Claims (11)

  1. 一種表面增強拉曼散射單元，其包括：操作基板；微細構造部，其配置於上述操作基板上；導電體層，其覆蓋上述微細構造部，構成產生表面增強拉曼散射之光學功能部；及封裝體，其將上述光學功能部收納於空間中，且使上述空間不可逆地開放；上述操作基板為具有長邊方向之板狀；上述微細構造部僅配置於上述操作基板上之一部分。
  2. 如請求項1之表面增強拉曼散射單元，其進而包括基板，該基板包含：正面，其形成有上述微細構造部；及背面，其於與上述操作基板之正面相對面之狀態，安裝在上述操作基板之上述正面。
  3. 如請求項2之表面增強拉曼散射單元，其中上述封裝體係安裝在上述基板之蓋。
  4. 如請求項1或2之表面增強拉曼散射單元，其中上述封裝體包含：凹部，其設置於上述操作基板，且配置有上述光學功能部。
  5. 如請求項4之表面增強拉曼散射單元，其中上述封裝體包含：片材(sheet)，其密封上述凹部之開口。
  6. 如請求項5之表面增強拉曼散射單元，其中上述片材係：藉由上述片材之端部被握持並被提拉至與上述凹部為相反之側，而自上述操作基板被卸除。
  7. 如請求項1或2之表面增強拉曼散射單元，其中上述封裝體係安裝於上述操作基板之蓋。
  8. 如請求項1或2之表面增強拉曼散射單元，其中於上述操作基板之背面，藉由設置薄壁部，而形成有於與上述操作基板之厚度方向垂直之方向延伸的壁部。
  9. 如請求項8之表面增強拉曼散射單元，其中上述薄壁部係於上述操作基板之上述背面設置有複數個。
  10. 如請求項8之表面增強拉曼散射單元，其中設置於上述操作基板並配置有上述光學功能部之凹部之底面係：相較於上述薄壁部之底面，較位於上述操作基板之上述背面側。
  11. 一種表面增強拉曼散射單元之使用方法，該表面增強拉曼散射單元包括：操作基板；微細構造部，其配置於上述操作基板上；導電體層，其覆蓋上述微細構造部，構成產生表面增強拉曼散射之光學功能部；及封裝體，其將上述光學功能部收納於空間中，且使上述空間不可逆地開放；該使用方法包含：第1步驟，其藉由開封上述封裝體，使上述空間不可逆地開放；第2步驟，其於上述第1步驟之後，於上述光學功能部上配置試料；及第3步驟，其於上述第2步驟之後，向上述試料照射激發光；上述操作基板為具有長邊方向之板狀；上述微細構造部僅配置於上述操作基板上之一部分。
TW106109038A 2012-08-10 2013-08-09 Surface enhanced Raman scattering unit and method of use thereof TWI648531B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP??2012-178766 2012-08-10
JP2012178766 2012-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201723468A TW201723468A (zh) 2017-07-01
TWI648531B true TWI648531B (zh) 2019-01-21

Family

ID=50068249

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102128776A TWI585391B (zh) 2012-08-10 2013-08-09 Surface - enhanced Raman scattering unit and its use
TW106109038A TWI648531B (zh) 2012-08-10 2013-08-09 Surface enhanced Raman scattering unit and method of use thereof

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102128776A TWI585391B (zh) 2012-08-10 2013-08-09 Surface - enhanced Raman scattering unit and its use

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9588049B2 (zh)
EP (1) EP2889606A4 (zh)
JP (4) JP6126098B2 (zh)
CN (3) CN104520694B (zh)
TW (2) TWI585391B (zh)
WO (1) WO2014025033A1 (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9267894B2 (en) 2012-08-10 2016-02-23 Hamamatsu Photonics K.K. Method for making surface enhanced Raman scattering device
JP6230250B2 (ja) * 2013-03-29 2017-11-15 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット、及びラマン分光分析方法
CN104520696B (zh) 2012-08-10 2018-01-12 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射元件及其制造方法
JP6055234B2 (ja) 2012-08-10 2016-12-27 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
CN104541158B (zh) 2012-08-10 2017-05-24 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射元件、以及制造表面增强拉曼散射元件的方法
EP2884262B1 (en) 2012-08-10 2022-04-27 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering unit
JP5921381B2 (ja) 2012-08-10 2016-05-24 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP5921380B2 (ja) 2012-08-10 2016-05-24 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP6151948B2 (ja) 2013-03-29 2017-06-21 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
JP5945192B2 (ja) 2012-08-10 2016-07-05 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP6058313B2 (ja) 2012-08-10 2017-01-11 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
TWI604186B (zh) 2012-08-10 2017-11-01 Hamamatsu Photonics Kk Surface Enhanced Raman Scattering Element
JP5908370B2 (ja) 2012-08-10 2016-04-26 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP6023509B2 (ja) 2012-08-10 2016-11-09 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
CN104520694B (zh) 2012-08-10 2018-05-15 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射单元及其使用方法
JP6230596B2 (ja) * 2013-03-29 2017-11-15 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
JP6294797B2 (ja) * 2014-09-10 2018-03-14 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
US10527494B2 (en) * 2014-09-26 2020-01-07 Korea Intitute of Machinery & Materials Substrate on which multiple nanogaps are formed, and manufacturing method therefor
EP3306308B1 (en) * 2015-05-29 2021-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering unit
WO2017003435A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Analyte detection package with integrated lens
US10458918B2 (en) 2015-11-13 2019-10-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Substance detection device
EP3440699A4 (en) * 2016-07-15 2019-11-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. FRAME LAYER RECEIVING ENHANCED LUMINESCENCE PLATE IN SURFACE SUPPORTED BY SUBSTRATE
US11215562B2 (en) 2017-08-28 2022-01-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Deformable covers on sensors and reservoirs
CN112005101A (zh) 2018-08-28 2020-11-27 松下知识产权经营株式会社 传感器基板及其制造方法
CN109827941B (zh) * 2018-12-28 2021-08-13 安徽中科赛飞尔科技有限公司 一种凸字型高通量高重复性基底结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1957245A (zh) * 2004-05-19 2007-05-02 Vp控股有限公司 通过sers增强化学基团检测的具有层化等离子体结构的光学传感器
US20070140900A1 (en) * 2003-05-27 2007-06-21 Hong Wang Micro structure for sensing trace chemicals
TW201229490A (en) * 2011-01-07 2012-07-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd A molecule carrier used for single molecule detection

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0544867U (ja) 1991-11-18 1993-06-15 三洋電機株式会社 測定装置の包装体
US5655661A (en) * 1994-03-08 1997-08-12 Westvaco Corporation Wrapper for flanged tray with opening feature
JPH07260646A (ja) 1994-03-17 1995-10-13 Nikon Corp 試料容器
US6582996B1 (en) * 1998-07-13 2003-06-24 Fujitsu Limited Semiconductor thin film forming method
US20040023046A1 (en) 1998-08-04 2004-02-05 Falko Schlottig Carrier substrate for Raman spectrometric analysis
JP2003026232A (ja) 2001-07-18 2003-01-29 Seiko Epson Corp 梱包方法及び緩衝材
US7460224B2 (en) 2005-12-19 2008-12-02 Opto Trace Technologies, Inc. Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering
CN100357738C (zh) 2004-03-26 2007-12-26 博奥生物有限公司 一种检测小分子化合物的方法
JP2005303090A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Toshiba Corp 配線基板および配線基板の製造方法
JP2005337771A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 National Institute For Materials Science ナノ構造を有する集積化ピラー構造光学素子
GB0424458D0 (en) 2004-11-04 2004-12-08 Mesophotonics Ltd Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
US7245370B2 (en) 2005-01-06 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowires for surface-enhanced Raman scattering molecular sensors
US7136160B2 (en) 2005-01-27 2006-11-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Integrated system and method for transversal enhanced Raman Spectroscopy
JP4317989B2 (ja) 2005-01-31 2009-08-19 独立行政法人産業技術総合研究所 分子センシング装置及びラマン散乱増強用チップ
JP4685650B2 (ja) 2005-02-14 2011-05-18 富士フイルム株式会社 ラマン分光用デバイス、及びラマン分光装置
GB0606088D0 (en) 2006-03-27 2006-05-03 E2V Biosensors Ltd Improved serrs substrate
US7511808B2 (en) * 2006-04-27 2009-03-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Analyte stages including tunable resonant cavities and Raman signal-enhancing structures
US8330951B2 (en) * 2006-04-28 2012-12-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nano-enhanced Raman spectroscopy substrate packaging structure
US7528948B2 (en) 2006-07-25 2009-05-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Controllable surface enhanced Raman spectroscopy
JP4883398B2 (ja) 2006-09-06 2012-02-22 独立行政法人産業技術総合研究所 エバネッセント波励起蛍光観察における背景光低減方法及び部材
US7545490B1 (en) 2006-09-26 2009-06-09 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Microscope flow cell apparatus for raman analysis of a liquid
BRPI0719825A2 (pt) * 2006-10-12 2014-05-06 Koninkl Philips Electronics Nv Sistema de detecção e método para detectar pelo menos uma molécula alvo
US7388661B2 (en) 2006-10-20 2008-06-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanoscale structures, systems, and methods for use in nano-enhanced raman spectroscopy (NERS)
US7898658B2 (en) 2007-01-23 2011-03-01 The Regents Of The University Of California Platform for chemical and biological sensing by surface-enhanced Raman spectroscopy
JP2008196992A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 National Institute Of Information & Communication Technology 表面プラズモンの電場増強構造
JP5397577B2 (ja) 2007-03-05 2014-01-22 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ
JP2008268059A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 St Japan Inc 試料ホルダ
US8958070B2 (en) * 2007-05-29 2015-02-17 OptoTrace (SuZhou) Technologies, Inc. Multi-layer variable micro structure for sensing substance
JP4993360B2 (ja) 2007-06-08 2012-08-08 富士フイルム株式会社 微細構造体及びその製造方法、光電場増強デバイス
JP2009047623A (ja) 2007-08-22 2009-03-05 Jiyasuko Eng Kk 透過測定用ホルダ
JP2009103643A (ja) 2007-10-25 2009-05-14 Fujifilm Corp 表面増強ラマン分光装置
US7791016B2 (en) 2007-10-29 2010-09-07 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector
US8115920B2 (en) 2007-11-14 2012-02-14 3M Innovative Properties Company Method of making microarrays
JP2009222483A (ja) 2008-03-14 2009-10-01 Fujifilm Corp 検査チップ作製方法および被検体検出方法
JP2009222507A (ja) 2008-03-14 2009-10-01 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微量物質検出素子
JP2009236830A (ja) 2008-03-28 2009-10-15 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 被分析物担体、及び、その製造方法
CN101281133B (zh) 2008-05-12 2010-08-18 中国科学院合肥物质科学研究院 具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法
JP4980324B2 (ja) 2008-09-30 2012-07-18 テルモ株式会社 成分測定装置
JP5042371B2 (ja) 2008-10-30 2012-10-03 日本電信電話株式会社 測定チップ着脱装置、ｓｐｒ測定システム及び測定チップ着脱方法
KR20110097834A (ko) 2008-11-17 2011-08-31 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 표면 증강 라만 산란을 위한 기판
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
JP5500571B2 (ja) * 2009-03-26 2014-05-21 株式会社ニデック 試験片，該試験片の製造方法
JP2012523576A (ja) 2009-04-13 2012-10-04 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 試料中の分析物の存在を検出するための方法および装置
US8223331B2 (en) 2009-06-19 2012-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Signal-amplification device for surface enhanced raman spectroscopy
CN101936906B (zh) * 2009-06-30 2012-08-08 北京盈沣财智投资咨询有限公司 载体和试剂盒以及表面增强拉曼光谱分析方法
JP2011021085A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Yokohama Rubber Co Ltd:The 空気入りタイヤ用ゴム組成物
JP2011033518A (ja) 2009-08-04 2011-02-17 Toray Res Center:Kk 表面増強ラマン分光分析方法
US8659391B2 (en) 2009-08-18 2014-02-25 Indian Institute Of Technology Madras Multielement and multiproperty tagging
CN102483354B (zh) 2009-09-17 2015-12-16 惠普发展公司，有限责任合伙企业 用于表面增强拉曼光谱术的电驱动设备
JP2011075348A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nidek Co Ltd 試験片の製造方法
TWI523950B (zh) * 2009-09-30 2016-03-01 凸版印刷股份有限公司 核酸分析裝置
EP2488855A2 (en) 2009-10-15 2012-08-22 Spectrafluidics, Inc. Sers-active absorbers for the analysis of analytes
DK2491372T3 (da) 2009-10-23 2021-10-18 Univ Danmarks Tekniske Overfladeforbedrede raman-spredningssubstratforbrugsvarer til raman-spektroskopi
JP5544836B2 (ja) 2009-11-19 2014-07-09 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴チップ
US20110166045A1 (en) * 2009-12-01 2011-07-07 Anuj Dhawan Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same
JP5589656B2 (ja) 2009-12-11 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 センサーチップ、センサーカートリッジ及び分析装置
PL219706B1 (pl) * 2010-03-23 2015-06-30 Inst Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk Platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana
JP5574783B2 (ja) * 2010-03-31 2014-08-20 富士フイルム株式会社 蛍光検出装置および方法
EP2572242A4 (en) 2010-05-21 2014-02-19 Univ Princeton STRUCTURES FOR LOCAL ELECTRIC FIELD ENHANCEMENT, LIGHT ABSORPTION, LUMINOUS RADIATION AND MATERIAL DETECTION, AND METHODS OF MANUFACTURE AND USE
JP5552007B2 (ja) * 2010-09-17 2014-07-16 富士フイルム株式会社 光電場増強デバイス
CN101995400B (zh) * 2010-09-29 2012-01-11 江南大学 一种双酚a的表面增强拉曼光谱检测方法
JP5614278B2 (ja) 2010-12-24 2014-10-29 セイコーエプソン株式会社 センサーチップ、センサーチップの製造方法、検出装置
US8509868B2 (en) 2011-04-12 2013-08-13 Panasonic Corporation Method for measuring a concentration of a biogenic substance contained in a living body
JP5779963B2 (ja) 2011-04-28 2015-09-16 ナノフォトン株式会社 観察試料密閉容器
US9080980B2 (en) 2011-07-27 2015-07-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Surface enhanced raman spectroscopy employing a nanorod in a surface indentation
WO2013058739A1 (en) 2011-10-18 2013-04-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Molecular sensing device
US20140218727A1 (en) 2011-10-26 2014-08-07 Zhiyong Li Apparatus for use in a sensing application having a destructible cover
CN102408094B (zh) * 2011-11-11 2014-04-09 华东理工大学 高重复性表面增强拉曼光谱活性基底的制备方法
CN102628809A (zh) * 2012-04-20 2012-08-08 吉林大学 一种表面增强拉曼检测试纸及其应用
TWI469917B (zh) 2012-08-09 2015-01-21 Nat Univ Tsing Hua 具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置
CN104520694B (zh) 2012-08-10 2018-05-15 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射单元及其使用方法
EP2884262B1 (en) 2012-08-10 2022-04-27 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering unit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070140900A1 (en) * 2003-05-27 2007-06-21 Hong Wang Micro structure for sensing trace chemicals
CN1957245A (zh) * 2004-05-19 2007-05-02 Vp控股有限公司 通过sers增强化学基团检测的具有层化等离子体结构的光学传感器
TW201229490A (en) * 2011-01-07 2012-07-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd A molecule carrier used for single molecule detection

Also Published As

Publication number Publication date
JP6282768B2 (ja) 2018-02-21
JP2017138328A (ja) 2017-08-10
CN108844940B (zh) 2021-10-29
TW201415001A (zh) 2014-04-16
CN104520694A (zh) 2015-04-15
TWI585391B (zh) 2017-06-01
CN108827928B (zh) 2021-12-24
JP6328868B1 (ja) 2018-05-23
US20170227468A1 (en) 2017-08-10
EP2889606A4 (en) 2016-04-20
JP6310170B2 (ja) 2018-04-11
US9588049B2 (en) 2017-03-07
TW201723468A (zh) 2017-07-01
JP2018141789A (ja) 2018-09-13
JPWO2014025033A1 (ja) 2016-07-25
CN104520694B (zh) 2018-05-15
WO2014025033A1 (ja) 2014-02-13
JP2018059954A (ja) 2018-04-12
CN108844940A (zh) 2018-11-20
EP2889606A1 (en) 2015-07-01
JP6126098B2 (ja) 2017-05-10
US20170089838A1 (en) 2017-03-30
CN108827928A (zh) 2018-11-16
US10184895B2 (en) 2019-01-22
US9658166B2 (en) 2017-05-23
US20150204792A1 (en) 2015-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI648531B (zh) Surface enhanced Raman scattering unit and method of use thereof
TWI583939B (zh) Surface - enhanced Raman scattering unit
US10281404B2 (en) Surface-enhanced raman scattering unit and raman spectroscopic analysis method
US9863883B2 (en) Surface-enhanced raman scattering element
US9863884B2 (en) Surface-enhanced Raman scattering element, and method for producing same
US9851305B2 (en) Surface-enhanced Raman scattering unit and Raman spectroscopic analysis method
JP2014196974A (ja) 表面増強ラマン散乱ユニット
EP3306308B1 (en) Surface-enhanced raman scattering unit
JP6282762B2 (ja) 表面増強ラマン散乱ユニット