TWI648419B - 具有低摩擦墊之物理氣相沉積靶材 - Google Patents

具有低摩擦墊之物理氣相沉積靶材 Download PDF

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Abstract

本文提供用於基材處理腔室之靶材組件的具體例。在一 些具體例中，靶材組件包括一板，包含包括一中央部份及一支撐部份的第一側；一靶材，設置於該中央部份之上；複數個凹部，形成於該支撐部份中；及複數個墊，部分設置於該複數個凹部中。

Description

具有低摩擦墊之物理氣相沉積靶材
本發明的具體例大體上係關於半導體處理設備。
物理氣相沉積(PVD)通常用於在基材(例如半導體基材)上形成材料薄膜。濺射靶材(通常包括背板)被提供至在合適腔室中相鄰的基材，並形成PVD濺射腔室的上部分。背板通常靜置於陶瓷絕緣環上。在一些製程中，在處理期間，靶材與腔室的溫度增加，導致靶材背板與腔室壁的熱膨脹。靶材背板與腔室壁的熱膨脹可能會不同，且發明家觀察到此現象導致靶材背板與絕緣環相對於彼此移動而產生摩擦力。觀察得知摩擦力會導致背板與絕緣環互相摩擦，而導致背板的部分在界面磨損。磨損的材料可能污染腔室。
因此，發明家提供可有利地在靶材與PVD腔室之間的界面減少摩擦力的靶材組件。
本文提供用於基材處理腔室之靶材組件的具體例。在一些具體例中，靶材組件包括一板，包含包括一中央部份及一支撐部份的第一側；一靶材，設置於該中央部份；複數 個凹部，形成於該支撐部份中；及複數個墊，部分設置於該複數個凹部中。
在一些具體例中，用於基材處理腔室之靶材組件包括一板，包含包括一中央部份及一支撐部份的第一側；一溝槽，形成於該板中並分隔該支撐部份為大氣端及真空端，該大氣端自該溝槽徑向地朝外，該真空端自該溝槽徑向地朝內；一濺射表面，設置於該中央部份上且自中央位置延伸至第一徑向位置；複數個凹部，形成於該支撐部份的大氣端中且圍繞該板的周圍來間隔；以及複數個減摩墊，部分設置於該複數個凹部中，使得軸承表面在該板的該第一側上而間隔。
在一些具體例中，基材處理裝置可包括：一腔室主體；一蓋，設置於該腔室主體的上方；一靶材組件，耦合至該蓋，該靶材組件包括一背板，具有第一側及相對的第二側；一靶材材料，接合至該背板的第一側；複數個凹部，形成於該背板中；以及複數個墊，部分設置於該複數個凹部中，各墊具有軸承表面；一支撐件，耦合至該蓋，該蓋鄰近該支撐件之外端且徑向地朝內延伸；以及一密封環，設置於該背板與該支撐件之間，其中該密封環藉由該支撐件沿著該密封環的底表面來支撐，且其中該密封環的頂表面沿著該複數個墊的軸承表面與該靶材組件接觸。
本發明其他與更進一步的具體例如下所述。
100‧‧‧靶材組件
102‧‧‧板
104‧‧‧前端
106‧‧‧中央部份
108‧‧‧靶材
110‧‧‧濺射表面
112‧‧‧支撐部份
114‧‧‧外圍
116‧‧‧中心點
117‧‧‧徑向位置
118‧‧‧溝槽
120‧‧‧凹部
122‧‧‧縱軸
124‧‧‧中點
126‧‧‧圓環路徑
202‧‧‧底表面
204‧‧‧中央軸
206‧‧‧大氣端
208‧‧‧真空端
210‧‧‧墊
212‧‧‧軸承表面
214‧‧‧座表面
240‧‧‧緊固件
242‧‧‧背板緊固件
250‧‧‧埋頭孔凹部
252‧‧‧穿孔
256‧‧‧表面
258‧‧‧底表面
302‧‧‧拱形凹部
304‧‧‧中間半徑
306‧‧‧圓環路徑
308‧‧‧弧形長度
310‧‧‧角度
400‧‧‧物理氣相沉積腔室
401‧‧‧腔室蓋
402‧‧‧內部組件
403‧‧‧外部接地組件
404‧‧‧處理腔室
406‧‧‧基材支撐件
408‧‧‧基材
410‧‧‧接地圍牆
412‧‧‧接地遮蔽件
456‧‧‧接地板
457‧‧‧第一表面
458‧‧‧源分配板
464‧‧‧導體件
466‧‧‧第一端
468‧‧‧第二端
470‧‧‧腔
475‧‧‧支撐件
481‧‧‧密封環
482‧‧‧RF功率源
490‧‧‧密封元件
藉由參照後附圖式中之例示具體實施例可理解如上簡述及如下詳細討論之本發明的具體實施例。然而，應注意， 該等附加圖式僅圖示本發明之典型具體例，並因此不應視為對本發明之範疇的限制，因為本發明的具體例可允許其他同等有效之具體例。
第1圖描繪根據本發明的一些具體例之靶材組件的底視圖。
第2A圖描繪沿著第1圖的A-A線之靶材組件的剖視圖。
第2B圖描繪根據本發明的一些具體例之靶材組件的部分底視圖。
第2C圖描繪根據本發明的一些具體例之靶材組件的示範性接觸墊的俯視圖。
第2D圖描繪沿著第2C圖的D-D線之接觸墊的側視圖。
第3圖描繪根據本發明的一些具體例之靶材組件的部分的示意圖。
第4圖描繪根據本發明的一些具體例之具有靶材組件的處理腔室。
為了便於瞭解，已經在可能之處使用相同的元件符號來表示圖式共有的相同元件。圖式並未依比例繪製，並且可以為了清晰而簡化圖式。構思的是，可以受益地將一個實施例的元件和特徵併入其他實施例中而不需進一步描述。
本文提供用於基材處理腔室(例如用於物理氣相沉積(PVD)腔室)的靶材組件的具體例。本發明的靶材組件可有 利地在靶材組件與處理腔室中用於支撐靶材組件的支撐件之間減少摩擦力，減少摩擦力可有益地減少支撐件或靶材組件的磨損，因此可有利地減少由磨損材料帶入腔室的污染。
本發明的具體例可藉由同時參考第1圖與第2圖而更佳地理解，其中第1圖係底視圖且第2圖係側邊剖視圖。
第1圖描繪根據本發明的一些具體例之靶材組件100的底視圖。靶材組件100可用於任一適合的基材處理腔室，例如任一ENDURA®模型的物理氣相沉積(PVD)腔室，可從美國加州聖大克勞拉市(Santa Clara)之應用材料公司(Applied Materials,Inc.)購得。包括靶材組件100的示範性PVD腔室描述於如下第4圖。本文描述的裝置亦可有益地用於其他處理腔室。靶材組件100可有利地用於一些腔室，該等腔室經配置以處理200mm、300mm或450mm直徑的基材，然而經配置以處理其他尺寸的基材的腔室可能同等地受益。
靶材組件100包括具有第一側104的靶材背板102，該第一側包含中央部份106及支撐部份112。靶材組件100包括將沉積於基材上的源材料108。源材料108設置於背板102的中央，自相對應中心點116的中央位置延伸至第一徑向位置117。源材料108包括濺射表面110，該濺射表面110自背板102升起(朝外偏移)且直接地遠離背板102。在一些具體例中，源材料108可能使用適當的結合處理(例如擴散結合)以附接於第一側104或機械地附接於背板102。儘管靶材組件100標示為組件，但可當作整體件。例如，在一些具體例中，源材料108與背板102可使用相同材料來一體成形。
支撐部份112自中央部份106徑向地朝外設置且在一些具體例中，朝外延伸至距離背板102的中心點116一距離R1的外圍114處。支撐部份112可包括通道或O型環溝槽(溝槽118)，該溝槽外接中央部份106且置中地設置在離穿過中心點116的中心軸204的一距離R2處。溝槽118經配置以保留密封元件(第4圖中的密封元件490，例如O型環或襯墊)，以加速腔室部分的密封的形成，例如在PVD腔室中的絕緣環。溝槽118可為所示的正方形溝槽，或可為任何形狀，包括非限制的半圓形或燕尾形(即，溝槽的側壁發散且基底大於開口)的實施例。
溝槽118分隔該支撐部份112為大氣端206及真空端208，該大氣端自該溝槽118徑向地朝外，該真空端自該溝槽118徑向地朝內。真空部分可延伸至中央軸204且包括背板102的中央部份106及源材料108。
複數個凹部120形成於該支撐部份112的大氣端206中，穿過第一側104且部分穿過背板102的厚度T。如第1圖所述，36個凹部120形成於背板102中，然而亦可形成更多個或較少個的凹部。
僅為了容易說明，凹部120係描繪為相似的尺寸及各自為相同或相似的矩形剖面。在一些具體例中，凹部120為矩形，平均地圍繞該板而角度地間隔，且沿著以中央軸204為中心的圓環路徑126(如虛線所示)校準排列，使得各矩形凹部的縱軸122在軸122的中點124相對於圓環路徑126係為正切的。縱軸122可為主軸，即該軸平行於凹部120的長邊。 凹部的尺寸與數量可選為使得複數個凹部的各縱軸122軸長的總合，即總軸長係介於使凹部120校準排列的圓環路徑長度的約25%至約75%之間，例如約50%。
在一些具體例中，如第3圖所示，凹部可為拱形凹部302(即，具有拱形剖面)，具有相當於R3的內徑及相當於R4的外徑。拱形凹部可受限於包括角度310的徑向線，該角度310介於約2.5度至約7.5度之間，例如約5度。
在一些具體例中，校準排列拱形凹部302，使座落且平行於各拱形凹部302的內徑R3與外徑R4之間的中間半徑304沿著圓環路徑306(如虛線所示)設置，該圓環路徑置中於背板102的中心點116。拱形凹部302的尺寸與數量可選為使得中間半徑304具有弧形長度308，其中複數個拱形凹部302的各弧形長度308的總合，即總弧形長度係介於圓環路徑長度的約25%至約75%之間，例如約50%。
其他可用於凹部120的剖面形狀包括但不限於以下範例，如圓形、橢圓形、五角形、或其他曲線或多角形。
如第2A圖所描述，墊210部分設置於凹部120中，使得墊210的軸承表面212在第一側104上(即，高於第一側)而間隔，且墊210的座表面214由凹部120的底表面202支撐，以防止進一步位移入背板102中。為了明確之故，僅有一個墊210顯示於圖中，儘管本文中有足夠數量的墊210圍繞靶材組件100放置以支撐靶材組件100。在一些具體例中，墊210部分設置於各複數個凹部120中。在其他具體例中，墊210設置於部分凹部120中，例如交替的凹部或一些其他 圖形的凹部。在本發明的一些具體例中，軸承表面212在第一側104上以約0.05mm至約1mm(例如約0.75mm)的距離而間隔。
在一些具體例中，使用緊固件240可將各墊固定至相對應的凹部120中，如第2B圖所示。緊固件可為設置穿過墊210的閂、螺釘、鉚釘、或其他形式的緊固件。如第2B圖所示，一或多個墊210可設置於鄰近背板緊固件242，例如在一些具體例中，在背板緊固件242的兩側將背板固定至處理腔室。在其他具體例中，用於固定墊210至背板102的緊固件240亦可延伸穿過背板102以將背板102固定至處理腔室。墊210可交替地或結合設置於沿著背板102的其他位置。
第2C及2D圖分別為示範性墊210的俯視圖與剖示圖(沿著D-D線)，該墊可藉由緊固件240而固定至背板102。如第2C圖所示，墊210包括軸承表面212、具有部分延伸進入該墊210主體之第一直徑的埋頭孔凹部250，以及具有小於該第一直徑之第二直徑的穿孔252。緊固件240可設置於埋頭孔凹部250及穿孔252中，使得緊固件240的頭係軸承表面212下方的埋頭孔(即，使得緊固件240的頭不接觸如第4圖所述的密封環481)，或使得緊固件240的頭與該軸承表面212齊平。緊固件240的頭將接合墊210的表面256。緊固件240的柄係設置穿過穿孔252以固定墊210至背板102。墊210的座表面214將接合凹部120的底表面202。
在一些具體例中，調整墊210與凹部120的尺寸，以當墊210部分設置於凹部120中時建立一嵌合。各墊210 可壓合進入凹部之一者，以提供凹部至少一邊的嵌合。在非限制的範例中，嵌合係沿著凹部120邊緣且約為0.15mm，即墊210的一邊長於凹部120相對應的邊約0.15mm。在一些具有矩形形狀的墊210的具體例中，軸承表面212可為約10mm乘以約28mm的尺寸以及具有垂直於軸承表面約8mm的深度。亦可根據腔室的結構、靶材的尺寸、墊的結構或其他相似因素而使用其他尺寸。
在一些具體例中，墊210係可個別自凹部120移除的，例如用來移除破損的墊。移除的墊可使用任一合適的方法(包括手動)，用與墊210及壓合進入凹部120的相同結構的低成本替換墊來輕易地替換。
墊210係用製程可相容的材料來形成，該製程可相容的材料具有低摩擦係數及高降伏強度，以抵抗抽真空力或其他基材處理環境負載。一些可用於墊的材料的非限制範例包括極高分子量的聚乙烯(UHMWPE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚甲醛均聚物樹脂(acetal homopolymer resins)如DELRIN®，及其他相似物。
發明家觀察到在傳統PVD腔室中絕緣環與靶材之間材料的轉移。已理解到轉移的材料為摩擦的結果，且由於除了其他因素外尚因熱負載及真空負載導致兩部件之間的移動，而導致處理腔室的支撐件(例如第4圖所描述之密封環481)與靶材組件100之間的摩擦。亦觀察到摩擦會磨損單一部件或部件兩者的材料。在處理期間磨損的材料可進入腔室且污染腔室。觀察到污染會導致除了其他結果外尚有腔室中的電 弧以及處理結果中相關的負面影響。
發明家觀察到減少靶材與絕緣環之間的摩擦可減少材料的磨損及轉移。根據本發明具體例之靶材組件以多種方法減少兩部件之間的摩擦。彼此間隔的個別的墊在絕緣環及靶材之間提供分離的接觸點。被選為用於墊的材料可為具有適當機械性質的任一材料，例如包括耐熱性、摩擦係數及工作強度。已觀察到具有由一材料形成的墊的靶材相較於沒有包括本發明的墊的靶材係可降低摩擦力，該材料具有適合用於本發明的工作強度及低摩擦係數(例如UHMWPE、PEEK、PTFE及聚甲醛均聚物樹脂)。
本發明的墊提供有限的點的接觸，減少摩擦源使摩擦源僅限於在那些接觸點。在不包括本發明的墊之靶材的支撐部份的區域中，靶材及絕緣環保持間隔且不提供摩擦力。例如相較於分隔支撐件與靶材組件的環，藉由最小化對於個別的墊的接觸可減少摩擦。
發明家亦觀察到相較於完整的環，維持個別發明的墊的精密允差(close tolerance)係較為容易的。維持精密允差可促進靶材組件100至腔室的改良密封。發明家亦指出，可一致地調整凹部120與墊210的尺寸以用於目前腔室尺寸(即，用於處理200、300及450mm直徑基材的腔室)。個別的墊亦可相容於將來其他尺寸的腔室。此外，個別的墊相較於環更易於安裝及維持。
第4圖係根據本發明的具體例，描繪具有靶材組件100的物理氣相沉積(PVD)腔室400的簡易剖面示意圖。
在本發明的一些具體例中，PVD腔室400包括一腔室蓋401，該腔室蓋401設置於該處理腔室404的上方且可自處理腔室404移除。腔室蓋401可包括內部組件402及外部接地組件403。處理腔室404包含用於接受基材408於其上的基材支撐件406。基材支撐件406可設置於較低的接地圍牆410中，該較低的接地圍牆410可為處理腔室404的一腔室圍牆。較低的接地圍牆410可電性耦合至腔室蓋401的接地組件403，使得RF回傳路徑提供至設置於腔室蓋401上的RF功率源482。
腔室蓋401大體上包括設置於內部組件402周圍的接地組件403。接地組件403可包括接地板456，該接地板456具有第一表面457，該第一表面457可大體上平行且相對於內部組件402的背側。接地遮蔽件412可自接地板456的第一表面457延伸且圍繞內部組件402。接地組件403可包括支撐組件475以支撐接地組件403中的內部組件402。
內部組件402可包括源分配板458，該源分配板458相對於靶材組件100的背側且沿著靶材組件100的外圍邊緣電性耦合至靶材組件100。如上所述，靶材組件100可包含將沉積於基材(例如濺射期間的基材408)上的源材料108。源材料108可由金屬、金屬氧化物、金屬合金或其相似物所組成。在一些具體例中，靶材組件100包括用以支撐源材料108的背板102。如第4圖所述，源材料108可設置於背板102的基材支撐面側上。背板102可包含導體材料(如銅、銅-鋅、銅-鉻或與靶材相同的材料)，使得RF及DC功率可藉由背板102 而耦合至源材料108。或者，背板102可為非導體且可包括如電性引線或相似物的導體元素(未顯示)。背板102包括保留密封元件490的溝槽118及保留墊210的一或多個凹部120。
在一些具體例中，支撐件475可耦合至接地遮蔽件412的較低端並徑向地向內延伸，以支撐密封環481及內部組件402，該接地遮蔽件412鄰近支撐件475的外圍邊緣。密封環481可為環或具有所欲剖面的其他環狀形狀。密封環481可包括兩相對的平坦且大體上平行的表面，以促進內部組件402的靶材組件100的背板102在密封環481第一側上的接合，以及促進支撐件475在密封環481第二側上的接合。密封環481可由介電材料(如陶瓷)所製成。密封環481可使內部組件402與接地組件403絕緣。密封環481藉由墊210的軸承表面212來接合背板102。此外，設置於背板102的溝槽118中的密封元件490亦接觸密封環481以在背板102及密封環481之間形成真空密封。
導體件464可設置於源分配板458及靶材組件100的背側之間，以自源分配板傳導RF能量至靶材組件100的外圍邊緣。導體件464可為圓柱狀，該導體件464具有第一端466及第二端468，該第一端466耦合至鄰近源分配板458的外圍邊緣的源分配板458的面向靶材表面，該第二端468耦合至鄰近靶材組件100的外圍邊緣的靶材組件100的面向源分配板表面。在一些具體例中，第二端468耦合至鄰近背板102的外圍邊緣的背板102的面向源分配板表面。在一些具體例中，背板102可藉由一或多個緊固件耦合至導體件464的 第二端468。
內部組件402可包括設置於靶材組件100背側及源分配板458之間的腔470。腔470可至少部分地儲存磁電管組件。腔470至少部分地由導體件464的內部表面、源分配板458的面向靶材表面及靶材組件100(或背板102)的面向源分配板表面(如背側)來界定。在一些具體例中，腔470可至少部分地由冷卻液填充，例如水(H2O)或其他相似物。
前述說明係與本發明之實施例有關，可推知本發明之其他與進一步的實施例而不背離本發明之基本範疇。

Claims (15)

  1. 一種用於一基材處理腔室的靶材組件，該靶材組件包含：一板，該板包含包括一中央部份及一支撐部份的一第一側，其中該中央部份經配置以支撐靶材源材料；複數個凹部，形成於該支撐部份中；及複數個墊，部分設置於該複數個凹部中，其中該複數個墊的每一個墊係經由被設置成穿過該墊的一緊固件以固定至該支撐部份，且其中該複數個墊的每一個墊包括一軸承表面、一埋頭孔(countersunk)凹部以及一穿孔，該埋頭孔凹部部分延伸進入該墊的一主體且具有一第一直徑，該穿孔具有小於該第一直徑的一第二直徑。
  2. 如請求項1所述之靶材組件，其中該複數個凹部係圍繞該板的周圍來間隔。
  3. 如請求項1所述之靶材組件，其中該複數個凹部的尺寸係相似的。
  4. 如請求項1所述之靶材組件，其中該緊固件係設置於該埋頭孔凹部及該穿孔中。
  5. 如請求項4所述之靶材組件，其中該緊固件的一頭係下列其中一者：在該軸承表面的下方的埋頭孔或與該軸承表面齊平。
  6. 如請求項4所述之靶材組件，其中該緊固件的一柄係設置成穿過該穿孔以將該墊固定至該板。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之靶材組件，其中該複數個墊的每一個墊包含一座表面及一軸承表面，其中當該座表面被支撐在一凹部的一底表面時，該軸承表面係在該板的該第一側上而間隔。
  8. 如請求項7所述之靶材組件，其中該軸承表面在該第一側上以約0.05mm至約1mm的距離而間隔。
  9. 如請求項1至6中任一項所述之靶材組件，其中該板包括一溝槽，該溝槽分隔該支撐部份為一大氣端及一真空端，該大氣端自該溝槽徑向地朝外，該真空端自該溝槽徑向地朝內。
  10. 如請求項9所述之靶材組件，其中該複數個凹部形成於該大氣端中。
  11. 如請求項1至6中任一項所述之靶材組件，其中該複數個墊為可替換的墊。
  12. 如請求項1至6中任一項所述之靶材組件，其中該複數個墊由一或多個極高分子量的聚乙烯或聚醚醚酮形成。
  13. 一種用於一基材處理腔室的靶材組件，該靶材組件包含：一板，包含包括一中央部份及一支撐部份的一第一側，其中該中央部份經配置以支撐靶材源材料；一溝槽，形成於該板中並分隔該支撐部份為一大氣端及一真空端，該大氣端自該溝槽徑向地朝外，該真空端自該溝槽徑向地朝內；複數個凹部，形成於該支撐部份的該大氣端中且圍繞該板的周圍來間隔；及複數個減摩墊，部分設置於該複數個凹部中，使得一軸承表面在該板的該第一側上而間隔，其中該複數個減摩墊的每一個減摩墊係經由被設置成穿過該減摩墊的一緊固件以固定至該支撐部份，且其中該複數個減摩墊的每一個減摩墊包括一軸承表面、一埋頭孔(countersunk)凹部以及一穿孔，該埋頭孔凹部部分延伸進入該減摩墊的一主體且具有一第一直徑，該穿孔具有小於該第一直徑的一第二直徑。
  14. 如請求項13所述之靶材組件，其中該溝槽經配置以保留一密封元件，以加速在該大氣端與該真空端之間的密封的形成。
  15. 一種基材處理裝置，包含：一腔室主體；一蓋，設置於該腔室主體的上方；一靶材組件，耦合至該蓋，該靶材組件包括一背板，具有一第一側及相對的一第二側，其中該背板的該第一側經配置以支撐靶材源材料；複數個凹部，形成於該背板中；以及複數個墊，部分設置於該複數個凹部中，每一個墊具有一軸承表面；一支撐件，耦合至該蓋，該蓋鄰近該支撐件之一外端且徑向地朝內延伸；以及一密封環，設置於該背板與該支撐件之間，其中該密封環藉由沿著該密封環的一底表面的該支撐件來支撐，且其中該密封環的一頂表面沿著該複數個墊的該軸承表面與該靶材組件接觸。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD836572S1 (en) 2016-09-30 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
USD851613S1 (en) 2017-10-05 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
USD868124S1 (en) 2017-12-11 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
USD877101S1 (en) 2018-03-09 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
USD888903S1 (en) 2018-12-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Deposition ring for physical vapor deposition chamber
US11961723B2 (en) 2018-12-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Process kit having tall deposition ring for PVD chamber
USD908645S1 (en) 2019-08-26 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Sputtering target for a physical vapor deposition chamber
USD937329S1 (en) 2020-03-23 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Sputter target for a physical vapor deposition chamber
USD1037954S1 (en) 2020-10-23 2024-08-06 Applied Materials, Inc. Self-retained low friction pad
US11618943B2 (en) * 2020-10-23 2023-04-04 Applied Materials, Inc. PVD target having self-retained low friction pads
USD940765S1 (en) 2020-12-02 2022-01-11 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
KR102446965B1 (ko) * 2021-01-28 2022-09-26 (주)지오엘리먼트 강성이 강화된 오링용 그루브를 갖는 스퍼터링 타겟 및 이의 제조방법
USD1007449S1 (en) 2021-05-07 2023-12-12 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW259881B (zh) * 1993-11-24 1995-10-11 Applied Materials Inc
TW201020334A (en) * 2008-09-26 2010-06-01 Tango Systems Inc Sputtering chamber having ICP coil and targets on top wall
US7922881B2 (en) * 2005-02-28 2011-04-12 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target with an insulating ring and a gap between the ring and the target
TW201207996A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Applied Materials Inc Methods for depositing metal in high aspect ratio features

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2511880Y2 (ja) * 1990-09-25 1996-09-25 エヌテイエヌ株式会社 スラスト軸受装置
US6689254B1 (en) * 1990-10-31 2004-02-10 Tokyo Electron Limited Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor
JPH055853U (ja) * 1991-07-02 1993-01-26 クラリオン株式会社 スパツタのターゲツト支持構造
JPH0853757A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Fujitsu Ltd スパッタ用ターゲットの製造方法、スパッタ方法、及び、スパッタ装置
US5607124A (en) * 1995-06-01 1997-03-04 Earley; John A. Down spout spacer and anchoring arrangement
US5690795A (en) * 1995-06-05 1997-11-25 Applied Materials, Inc. Screwless shield assembly for vacuum processing chambers
US6264812B1 (en) * 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US5658442A (en) 1996-03-07 1997-08-19 Applied Materials, Inc. Target and dark space shield for a physical vapor deposition system
US5736021A (en) * 1996-07-10 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Electrically floating shield in a plasma reactor
US6045670A (en) * 1997-01-08 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Back sputtering shield
US6149776A (en) 1998-11-12 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Copper sputtering target
WO2000032347A1 (en) * 1998-12-03 2000-06-08 Tosoh Smd, Inc. Insert target assembly and method of making same
US6416634B1 (en) 2000-04-05 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing target arcing during sputter deposition
US20020162741A1 (en) 2001-05-01 2002-11-07 Applied Materials, Inc. Multi-material target backing plate
KR100878103B1 (ko) * 2001-05-04 2009-01-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 순차적 증착 및 에칭에 의한 이온화된 ｐｖｄ
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
UA84862C2 (en) * 2003-03-03 2008-12-10 Месье-Бугатти Substrate
KR20050059782A (ko) * 2003-12-15 2005-06-21 매그나칩 반도체 유한회사 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 장벽 금속층 형성 방법
CN1910304A (zh) * 2004-02-03 2007-02-07 霍尼韦尔国际公司 物理气相沉积靶构造
US7682495B2 (en) * 2005-04-14 2010-03-23 Tango Systems, Inc. Oscillating magnet in sputtering system
JP2006329415A (ja) * 2005-05-21 2006-12-07 Hamaguchi Imao ワッシャおよびボルトナット
US8968536B2 (en) * 2007-06-18 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target having increased life and sputtering uniformity
US20110036709A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Applied Materials, Inc. Process kit for rf physical vapor deposition
JP2011038590A (ja) * 2009-08-11 2011-02-24 Tss Co Ltd フレームの連結構造
US8795488B2 (en) * 2010-03-31 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for physical vapor deposition having centrally fed RF energy
WO2012114941A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 東レ株式会社 プラズマ処理用マグネトロン電極

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW259881B (zh) * 1993-11-24 1995-10-11 Applied Materials Inc
US7922881B2 (en) * 2005-02-28 2011-04-12 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target with an insulating ring and a gap between the ring and the target
TW201020334A (en) * 2008-09-26 2010-06-01 Tango Systems Inc Sputtering chamber having ICP coil and targets on top wall
TW201207996A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Applied Materials Inc Methods for depositing metal in high aspect ratio features

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