TWI647334B - 雙相清洗腔室及具有此腔室之組件 - Google Patents
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Abstract
在一實施例中，一種雙相清理室可包含紊流混合室、流體擴散室、等靜壓室與破裂緩和噴嘴。紊流混合室可與第一流體入口及第二流體入口作流體交流。流體擴散室可與紊流混合室作流體交流。破裂緩和噴嘴可包含第一流體收集凹部、第二流體收集凹部與位移阻尼凸部。位移阻尼凸部可位於第一與第二流體收集凹部之間且可偏離第一流體收集凹部與第二流體收集凹部的每一者並偏向流體擴散室。自第一流體入口、第二流體入口或兩者所引入之經加壓的清理流體會流過第一與第二流體收集凹部的出口通道。
Description
本發明係關於雙相清理室尤其是電極之雙相清理室。
許多已公開之美國專利申請案如US2007/0068629、US2007/0235660及US2007/0284246、US2005/0241765以及已獲權之美國專利如US6,073,577、US6,148,765、US6,194,322、US6,245,192與US6,376,385包含了以矽為基質之電極以及電極組件之結構的教示。然而，本發明人意識到此些參考文獻的教示在其所揭露之電極類型與電極組件之清理或更新用的方法與裝置上尚有改善的空間。
本發明係大致上關於雙相清理室，更具體而言係關於用來清理以矽為基質之電極之氣體通道的雙相清理室，以矽為基質之電極係用來作為電漿處理系統中之激發電極。雖然本發明的內容不限於特定類型的電極或已經使用的待拋光電極，但為了達到說明的目的，參考具有同心配置之氣體通道的碟形以純矽為基質之電極來說明雙相清理室。實施本文中所述之實施例者將發現，本文中所提出的某些雙相清理室能充分有利地使用各種類型的電極與非電極。又，可以內文中所述的方式清理或更新具有背板黏附至電極之矽基質部的電極。
圖1顯示雙相清理室10，其係耦合至碟形之以矽為基質的電極100。圖4顯示以矽為基質之電極。在美國專利公開案US2007/0068629、US2007/0235660與US2007/0284246中教示了類似於圖1與圖4中所示之以矽為基質之電極的結構及電極組件，將上列文獻的相關部分包含於此作為參考。在美國專利US6,073,577、US6,148,765、US 6,194,322、US 6,245,192與US 6,376,385以及美國專利公開案US2005/0241765中可找到額外的相關教示。
在一實施例中，雙相清理室可包含紊流混合室、流體擴散室、等靜壓室 與破裂緩和噴嘴。紊流混合室可與用以提供第一相的第一流體入口及用以提供第二相的第二流體入口作流體交流。該流體擴散室包含面紊流表面、面等靜表面及位於該面紊流表面 與該面等靜表面間的複數擴散流路徑。該流體擴散室可與該紊流混合室作流體交體俾使該流體擴散室的該面紊流表面面對該紊流混合室。該破裂緩和噴嘴包含第一流體收集凹部、第二流體收集凹部及位移阻尼凸部。該等靜壓室可與該流體擴散室作流體交流俾使該流體擴散室的該面等靜表面面對該等靜壓室。該位移阻尼凸部係設於該第一與第二流體收集凹部之間。該位移阻尼凸部係自該第一流體收集凹部與該第二流體收集凹部的每一者偏離並偏向該流體擴散室。該第一流體收集凹部與該第二流體收集凹部的每一者都包含與環境壓力作流體交流的出口通道。
該破裂緩和噴嘴可與該流體擴散室作流體交流俾使自該第一流體入口、該第二流體入口或此兩入口所導入之經加壓的清理流體流過該第一與第二流體收集凹部的該出口通道。
在另一實施例中，一種雙相清理室可包含紊流混合室、流體擴散室、等靜壓室與破裂緩和噴嘴。該紊流混合室可與第一流體入口及第二流體入口作流體交流。該流體擴散室可包含面紊流表面、面等靜表面及從該面紊流表面通過該流體擴散室而到達該面等靜表面的複數擴散流路徑。該流體擴散室可與該紊流混合室作流體交流俾使該流體擴散室的該面紊流表面面對該紊流混合室，且該第一流體入口與該第二流體入口並未直接與該流體擴散室的該擴散流路徑對準。該等靜壓室可與該流體擴散室作流體交流俾使該流體擴散室的該面等靜表面面對該等靜壓室。可設計該破裂緩和噴嘴的形狀以容納以矽為基質之電極並可包含與環境壓力作流體交流的至少一出口通道。該破裂緩和噴嘴可與該等靜壓室作流體交流俾使自該第一流體入口 及/或該第二流體入口所導入之經加壓的清理流體流過該至少一出口通道。
在更另一實施例中，一種雙相清理組件可包含紊流混合室、流體擴散室、以矽為基質之電極及破裂緩和噴嘴。該紊流混合室可與該流體擴散室作流體交流。該流體擴散室可與該以矽為基質之電極作流體交流。該以矽為基質之電極可包含複數氣體通道。該破裂緩和噴嘴可包含至少一流體收集凹部與至少一位移阻尼凸部。當經加壓的清理流體被注射至該紊流混合室中時，該經加壓的清理流體可流過該流體擴散室、可實質上等靜壓地沖刷以矽為基質之電極、且可流過該以矽為基質之電極的該氣體通道。該流體收集凹部可在該經加壓的清理流體流過該以矽為基質之電極後容納該經加壓的清理流體。該位移阻尼凸部可與該以矽為基質之電極接觸。
如上所述，本發明係關於一種雙相清理室，其可用來清理或更新經電漿處理室使用後之電極如以矽為基質之電極。本發明的概念不應限於特定電極或電極組件結構。是以，利用本文中所述的實施晚可清理或更新電極、多元件電極組件的內與外電極。又，可以內文中所述的方式清理或更新具有背板黏附至電極之矽基質部的電極。
考慮以矽為基質之電極100，應注意，本文中所指之以矽為基質的電極或含矽電極應被解讀為包含在結構中使用到任何形式之矽如單晶矽或多晶矽的各種電極。在某些實施例中，以矽為基質的電極可實質上為純矽(即具有雜質如造成n型或p型矽之摻雜物的矽)。在其他實施例中，電極可代替性地或額外包含氮化矽、碳化矽、碳化硼、氮化鋁、氧化鋁或其組合。
參考圖1，雙相清理室10包含紊流混合室20、流體擴散室30、等靜壓室50及破裂緩和噴嘴60。該紊流混合室20係用以容納流體並引導流體沿著期望的流動路徑行進，此流動路徑被顯示為圖中沿著正Y方向。紊流混合室20包含與用以提供第一相之流體源作流體交流的第一流體入口22以及與用以提供第二相之流體源作流體交流的第二流體入口24。為了定義及闡述本發明，應注意本文中所用的「流體」一詞意味著能夠流動且當受到欲改變其形狀之力作用於其上時能以穩定速度改變形狀的流體或氣體，例如潔淨的乾燥空氣 (CDA)、氧氣、水 (例如去離子水)等。又，應注意本文中所用的「流體交流」一詞意味著自一物體至另一物體的流體交換，其可包含例如可壓縮流及不可壓縮流。
因此，可同時或不同步地藉由第一流體入口22將第一相的CDA提供至紊流混合室20並藉由第二流體入口24將第二相的水提供至紊流混合室20。又，第一流體入口22與第二流體入口24可操作性地耦合至控制器，俾使流體源(複數流體源)在單一清理操作期間於下面兩種模式間切換：同時地供應流體至紊流混合室20一段時間；及在另一段時間內不同步。藉由第一流體入口22與第二流體入口24中之每一者所輸送的流體都會受到加壓以促進流體的流動。
是以，第一流體入口22與第二流體入口24可用以輸送可包含自約0% CDA至約100% CDA與自約0%水至約100%水的清理流體配方。第一流體入口22與第二流體入口24 可輸送計示壓力(gauge pressure)約0 psi (約0 kPa)至約50 psi (約344.7 kPa)例如自約30 psi (約206.8 kPa)至約50 psi (約344.7 kPa)、或自約35 psi (約241.3 kPa) to至45 psi (約310.3 kPa)或約40 psi (約275.8 kPa)的流體。
在一實施例中，紊流混合室20包含限制流體流被導入紊流混合室20中的面擴散器表面26與面內部表面28。紊流混合室20可被形成在雙相清理室10的外殼12中俾使流動路徑於面擴散器表面26處開始。更具體而言，可形成貫穿紊流混合室20之面擴散器表面26的第一流體入口22與第二流體入口24。或者，可形成貫穿紊流混合室20之任何表面的第一流體入口22、第二流體入口24或此兩者。例如，可引導第一流體入口22、第二流體入口24或此兩者貫穿紊流混合室20的面內部表面28。
仍參考圖1，雙相清理室10包含用以擴散來自紊流混合室20之流體的流體擴散室30。流體擴散室30包含面紊流表面32、面等靜表面34 及位於面紊流表面32與面等靜表面34間的複數擴散流路徑 36。是以，被引導至面紊流表面32之經加壓的清理流體會流過擴散流路徑36而朝向面等靜表面34前進。在經加壓的清理流體流過擴散流路徑 36並離開流體擴散室30的面等靜表面34後，經加壓的清理流體會經由流體擴散室30擴散。
參考圖2，在一實施例中，流體擴散室30包含通過流體擴散室30之中央區40的擴散流路徑36。可增加設置在圍繞流體擴散室30之中央區40的同心陣列42中的擴散流路徑36的數目。在某些實施例中，每一同心陣列42中之擴散流路徑36的數目會隨著同心陣列42的圓周增加，即在X-Z平面上一同心陣列42離流體擴散室30的中央區40愈遠則此同心陣列42中的擴散流路徑 36的數目則愈多。
在某些實施例中，擴散流路徑36是實質上直的 (例如每一流動路徑的中心係實質上與Y軸對準)。應瞭解，雖然在圖2中所示的擴散流路徑36具有實質上的圓形橫剖面，但擴散流路徑36可具有任何橫剖面形狀如橢圓形、多角形或其組合。在其他實施例中，擴散流路徑 36可相對於Y軸轉動，俾使經加壓的清理流體流被引導至Y軸以外的方向。又，每一擴散流路徑 36可為曲折的俾使擴散流路徑36通過流體擴散室30時改變其方向。
流體擴散室30的面紊流表面32包含用以減少流體流通過流體擴散室的混合區38。因此，混合區38為面紊流表面中不包含任何擴散流路徑36的部分。混合區38可以是擴散流路徑36之兩同心陣列42間的同心區域。應瞭解，雖然圖2將流體擴散室30顯示為環形物件，但流體擴散室30可具有任何形狀且可包含具有適合與噴淋頭電極一起使用之任何幾何特徵的擴散流路徑36與混合區38。下面將會更詳細說明之。
再參考圖1，雙相清理室10包含用以引導來自流體擴散室30之面等靜表面34之經加壓的清理流體沿著一流體流動路徑流動的等靜壓室50。經加壓的清理流體以實質上等靜壓的方式離開等靜壓室50，即經加壓的清理流體在整個經加壓之清理流體的橫剖面上(例如沿著X-Z平面)施加實質上相同的壓力或者經加壓的清理流體在被置於經加壓之清理流體之流動路徑上之物體的橫剖面上(例如沿著X-Z平面) 施加實質上相同的壓力。
等靜壓室50包含用以接受經加壓之清理流體的腔室入口52及用以以實質上等靜壓方式噴出經加壓之清理流體的腔室出口54。腔室入口52與腔室出口54間距離腔室高度56。等靜壓室可具有充分的腔室高度56使得經加壓的清理流體能自流體擴散室30的面等靜表面34離開而形成實質上的等靜壓形態。在一實施例中，可設計腔室出口54的形狀而使其橫截面積 (例如沿著X-Z平面量測)大於腔室入口52。
仍參考圖1，雙相清理室10包含用以固定在經加壓之清理流體之流動路徑內之以矽為基質之電極100的破裂緩和噴嘴60。因此，破裂緩和噴嘴60的形狀被設計成用來容納以矽為基質之電極100且包含與環境壓力作流體交流的至少一出口通道70。更具體而言，破裂緩和噴嘴60可控制經加壓之清理流體的流動，俾使以矽為基質之電極100可為環境壓力與相對於環境壓力之相對高壓之間的介面。
共同參考圖1與2，破裂緩和噴嘴60包含至少一流體收集凹部68與至少一位移阻尼凸部62。流體收集凹部68可用以容納經加壓的清理流體並引導自位移阻尼凸部離開的經加壓的清理流體。流體收集凹部68的每一者都包含與環境壓力作流體交流的至少一出口通道70。
位移阻尼凸部62可用來抵抗例如沿著Y方向的偏移。每一位移阻尼凸部62可包含成形部64與電極接觸部66。在一實施例中，成形部64自流體收集凹部68延伸至電極接觸部66。成形部 64可以是適合用來分離 (例如相對於Y軸的偏離) 流體收集凹部 68與電極接觸部66的任何形狀。因此，成形部64可以例如是有刻面的、有曲面的、有倒角的或包含用以分離流體收集凹部 68與電極接觸部66的任何其他形狀。此外應注意，雖然圖1與2將電極接觸部66顯示成實質上平坦的，但電極接觸部 66可具有適合控制電極接觸部 66所支撐之物體在受到經加壓之清理流體作用時所產生之位移的任何形狀。
在一實施例中，破裂緩和噴嘴60包含第一流體收集凹部68、第二流體收集凹部68及位移阻尼凸部62。位移阻尼凸部62可設置於第一與第二流體收集凹部68之間並偏離第一與第二流體收集凹部68的每一者。在某些實施例中，破裂緩和噴嘴60包含與環境壓力作流體交流的中央出口通道72。在其他實施例中，可相對於中央出口通道72以實質上的同心方式配置複數的位移阻尼凸部 62、複數的流體收集凹部或兩者。
破裂緩和噴嘴60更可包含電極接觸構件74與結構構件76。電極接觸構件74可由比以矽為基質之電極100更具有撓性的材料如塑膠所形成。結構構件76可由比以矽為基質之電極100更剛硬的材料如不銹鋼所形成。根據本文中所述的實施例，破裂緩和噴嘴60之用以接觸的任何部分 (例如，位移阻尼凸部62)可由電極接觸構件74所形成。又，破裂緩和噴嘴的任何其他部分可由電極接觸構件74所形成。是以，雖然電極接觸構件74在圖1中被顯示為形成了位移阻尼凸部62、流體收集凹部68及出口通道與中央出口通道72的一部分，但破裂緩和噴嘴60的任何部分皆可由電極接觸構件74或結構構件76所形成。另外應注意，雖然在圖1中將電極接觸構件74與結構構件76顯示為藉由鉗制構件90而彼此耦合的板狀物，但電極接觸構件74與結構構件76可為整合結構或者結構構件76可塗覆有電極接觸構件74。
再次參考圖1，在一實施例中，雙相清理室10包含紊流混合室20、流體擴散室30、等靜壓室50與破裂緩和噴嘴60，上述的每一者都作流體交流。更具體而言，流體擴散室30係與紊流混合室20作流體交流俾使流體擴散室30 的面紊流表面32面對紊流混合室20。等靜壓室50係與流體擴散室30作流體交流俾使流體擴散室30的面等靜表面34面對等靜壓室50。破裂緩和噴嘴60係與等靜壓室50作流體交流俾使自第一流體入口22、第二流體入口24或此兩者所導入之經加壓的清理流體流過流體收集凹部68的出口通道70。
雙相清理室10更可包含在平坦表面上支撐雙相清理室10的基座構件80，即用以「置於平臺上」的單元。基座構件80可與破裂緩和噴嘴60作流體交流。基座構件 80可包含與流體排放結構84作流體交流的環境壓力入口82。在一實施例中，基座構件 80的流體排放結構84係與破裂緩和噴嘴60作流體交流而環境壓力入口的出口通道70係與環境壓力作流體交流。流至破裂緩和噴嘴60之經加壓的清理流體可與流體排放結構84作流體交流並經由環境壓力入口 82而與環境壓力作流體交流。
共同參考圖1與4，雙相清理室10可操作成為一壓力容器，引導通過置於等靜壓室50與破裂緩和噴嘴60間之以矽為基質之電極100之氣體通道102之經加壓的清理流體。因此，可藉由鉗制構件90所提供之鉗制壓力所密封的O形環92使雙相清理室10的元件彼此密封。例如，環境壓力只可藉由環境壓力入口 82而提供至雙相清理室10 (除非藉由第一或第二流體入口提供)。又，可藉由與紊流混合室20作流體交流的洩壓閥94來調節雙相清理室10中的計示壓力。
因此，當以矽為基質之電極100係置於等靜壓室50與破裂緩和噴嘴60之間且經加壓之清理流體被注射至紊流混合室20中時，以矽為基質之電極100的氣體通道102可被經加壓的清理流體所清理。更具體而言，經加壓的清理流體可流過流體擴散室30俾以實質上等靜壓地沖刷以矽為基質之電極並流過以矽為基質之電極100的氣體通道102。
在一實施例中，第一流體入口22與第二流體入口24的每一者皆可與流體擴散室30的混合區38對準，俾使被注射至紊流混合室20中之經加壓的清理流體無法在不與流體擴散室30之混合區38相互作用的情況下流過擴散流動路徑 36。因此，在不限於任何特定理論的前提下，本發明人相信經加壓之清理流體與混合區38間的此類相互作用可使得經加壓的清理流體在擴散通過流體擴散室30的擴散流動路徑36前在紊流混合室20內以紊流方式劇烈攪拌。
當經加壓的清理流體流過以矽為基質之電極100後，流體收集凹部68容納經加壓的清理流體。在清理處理的整個期間，位移阻尼凸部62係與以矽為基質之電極100接觸。破裂緩和噴嘴60的位移阻尼凸部62可用以接觸以矽為基質之電極100的一有限部分。在一實施例中，位移阻尼凸部62接觸以矽為基質之電極100的非多孔部104，即位移阻尼凸部62 在不避免流體流過氣體通道102的方式下接觸以矽為基質之電極100。更具體而言，位移阻尼凸部62之電極接觸部 66所具有的寬度係小於或等於以矽為基質之電極100的橫向孔洞間距106。因此，位移阻尼凸部62藉由限制以矽為基質之電極100可能因經加壓之清理流體所引發的形變而降低或避免以矽為基質之電極100中的張應力。
為了達到說明與定義本發明的目的，應注意本文中的「實質上」及「約」等詞語被用來代表可歸因於任何數量比較、值、量測或其他表示方式之不確定性的固有程度。「實質上」及「約」等詞語亦被用來代表一種數量表示程度，從一既定的參考點偏離此程度並不會造成所關注標的之基本功能的改變。
應瞭解，在本文中當使用到「常」等詞語時，並非是要限制本發明的範疇或暗指特定的特徵對本發明的結構或功能是關鍵的、根本的或重要的。相反地，此些詞語只是要表達本發明之一實施例的特定態樣或強調替代性或額外的特徵不一定要用於本發明的特定實施例中。類似地，雖然在本文中指出了本發明的某些態樣為較佳的或尤其有利的，但本發明並不必要地限於此些本發明的較佳態樣。
又應注意，方向性的參考標示如流動路徑、X-方向、Y-方向、X-軸、Y-軸、X-Z 平面等是用來清楚說明而非造成限制。更具體而言，應注意此類方向性的參考標示係針對圖1-4中所示的座標系統所製作。是以，藉著對針對結構所提供的座標系統進行對應的改變，可使方向顛倒或朝向任何方向偏移，以延伸本文中的實例。
在參考特定實施例詳細說明本發明後，當能明白在不脫離隨附之申請專利範圍所定義之本發明範疇的情況下可對本發明進行許多修改與變化。
應注意，下面之申請專利範圍中的一或多項使用到「其中」一詞作為轉折語。為了定義本發明應瞭解，申請專利範圍中所使用到的此轉折語為用來導入一系列結構特徵之敘述的開放式轉折語，其應以類似解讀常用的開放式前言用語「包含」的方式解讀之。
10‧‧‧雙相清理室
12‧‧‧外殼
20‧‧‧紊流混合室
22‧‧‧第一流體入口
24‧‧‧第二流體入口
26‧‧‧面擴散器表面
28‧‧‧面內部表面
30‧‧‧流體擴散室
32‧‧‧面紊流表面
34‧‧‧面等靜表面
36‧‧‧擴散流路徑
38‧‧‧混合區
40‧‧‧中央區
42‧‧‧同心陣列
50‧‧‧等靜壓室
52‧‧‧腔室入口
54‧‧‧腔室出口
56‧‧‧高度
60‧‧‧破裂緩和噴嘴
62‧‧‧位移阻尼凸部
64‧‧‧成形部
66‧‧‧電極接觸部
68‧‧‧流體收集凹部
70‧‧‧出口通道
72‧‧‧中央出口通道
74‧‧‧電極接觸構件
76‧‧‧結構構件
80‧‧‧基座構件
82‧‧‧環境壓力入口
84‧‧‧流體排放結構
90‧‧‧鉗制構件
92‧‧‧O形環
94‧‧‧洩壓閥
100‧‧‧電極
102‧‧‧氣體通道
104‧‧‧非多孔部
106‧‧‧橫向孔洞間距
參考下列附圖閱讀本發明之特定實施例的下面詳細敘述後當能清楚瞭解本發明，類似的結構係以類似的參考標號標示之：
圖1概略地顯示文中敘述之根據一或多個實施例之雙相清理室的橫剖面；
圖2 概略地顯示文中敘述之根據一或多個實施例之流體擴散室；
圖3概略地顯示文中敘述之根據一或多個實施例之破裂緩和噴嘴；及
圖4概略地顯示文中敘述之根據一或多個實施例之以矽為基質之電極。
Claims (16)
- 一種破裂緩和噴嘴，使用於雙相清理室中用以清理具有複數通道的電極，其中該清理室具有等靜壓室，其中該電極的第一側係與該等靜壓室流體連接，且其中該破裂緩和噴嘴係在該電極的第二側上，該破裂緩和噴嘴包含： 至少一流體收集凹部，其中當該電極係容納在該雙相清理室中時，該至少一流體收集凹部係配置成與該電極間隔開，從而形成與該電極中的該等通道流體連接的至少一腔室； 一或更多出口通道，自該至少一流體收集凹部延伸且與環境壓力流體連接；及 一或更多位移阻尼凸部，自該至少一流體收集凹部延伸，且配置成當該電極係容納在該雙相清理室中時不覆蓋該電極中的該等通道其中任何者，其中該至少一流體收集凹部係配置成引導經加壓的清理流體離開該一或更多位移阻尼凸部。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，更包含： 一電極接觸構件，用以容納該電極，其中該電極接觸構件更包含該至少一流體收集凹部及該一或更多位移阻尼凸部；及 一結構構件，耦合至該電極接觸構件並配置成於該電極被該電極接觸構件容納時提供結構支撐。
- 如申請專利範圍第2項之破裂緩和噴嘴，其中該電極接觸構件係由比該電極更具撓性之材料所製成；且其中該結構構件係由比該電極更剛硬之材料所製成。
- 如申請專利範圍第3項之破裂緩和噴嘴，其中該電極接觸構件係由塑膠所製成；且其中該結構構件係由不銹鋼所製成。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該電極為含矽電極，且其中該一或更多位移阻尼凸部包含比該電極更具撓性之材料。
- 如申請專利範圍第5項之破裂緩和噴嘴，其中該一或更多位移阻尼凸部包含塑膠。
- 如申請專利範圍第6項之破裂緩和噴嘴，其中該至少一流體收集凹部係由比該電極更剛硬之材料所形成。
- 如申請專利範圍第7項之破裂緩和噴嘴，其中該至少一流體收集凹部的該材料包含不銹鋼。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該至少一流體收集凹部包含第一流體收集凹部、及第二流體收集凹部，且其中該一或更多位移阻尼凸部包含在該第一流體收集凹部與該第二流體收集凹部之間的第一位移阻尼凸部。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該一或更多出口通道包含中央出口通道，且其中該一或更多位移阻尼凸部包含相對於該中央出口通道以實質上同心方式配置的複數位移阻尼凸部。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該第一流體收集凹部包含板狀物。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該等位移阻尼凸部係設置成容許經加壓的清理流體透過該電極中全部的該複數通道而從該等靜壓室流至該一或更多出口通道。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該一或更多位移阻尼凸部包含塑膠。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該至少一流體收集凹部係由比該電極更剛硬之材料所形成。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該至少一流體收集凹部的該材料包含不銹鋼。
- 如申請專利範圍第1項之破裂緩和噴嘴，其中該電極中的該等通道具有橫向孔洞間距，且其中該等位移阻尼凸部在接觸點具有小於或等於該橫向孔洞間距的寬度。
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