CN103748971B - 双相清洁室以及包括双相清洁室的组件 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 284
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 54
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000009418 renovation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 deionized water) Chemical compound 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J21/00—Vacuum tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
在一实施方式中，双相清洁室可包括湍流混合室、流体扩散器、等静压室和破裂减轻喷嘴。所述湍流混合室可与第一流体入口和第二流体入口流体连通。所述流体扩散器可与所述湍流混合室流体连通。所述破裂减轻喷嘴可包括第一流体收集支管、第二流体收集支管和位移阻尼突起部。所述位移阻尼突起部可设置在所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管之间且可自所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管中的每一个偏移，且朝向所述流体扩散器。从所述第一流体入口、所述第二流体入口、或者从该二者引入的加压清洁流体流过所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管的所述出口通道。
Description
背景技术
一些已公布的美国专利申请(例如公布号为2007/0068629、2007/0235660以及2007/0284246、2005/0241765的美国申请)和已授权的美国专利(例如专利号为6,073,577、6,148,765、6,194,322、6,245,192和6,376,385的美国专利)包含与硅基电极及电极组件有关的教导。但是，本发明人已认识到，这些引证文件的教导为用于清洁或翻新(refurbish)其中所公开的电极和电极组件类型的新型设备和方法的发展留下了空间。
发明内容
本公开总体上涉及双相清洁室，特别是涉及用于清洁在等离子体处理系统中作为激励电极使用的硅基电极的气体通道的双相清洁室。虽然本公开的范围并不限于具体类型的电极，也不限于已使用待抛光电极的情况，但出于阐述目的，此处所描述的双相清洁室涉及具有同中心布置的气体通道的盘形单硅基电极。实践此处所描述的实施方式会发现，此处所建议的一些双相清洁室在各种类型的电极和非电极的情境下有良好的效用。此外，电极的硅基部分附着有背板的电极可被清洁或翻新，如此处所描述的。
图1示出了耦合到盘形硅基电极100的双相清洁室10。图4示出了硅基电极。和与图1和4中所示出的类似的硅基电极及电极组件的结构有关的进一步的教导可在公布号为2007/0068629、2007/0235660和2007/0284246的美国申请中找到，这些申请的相关部分通过参考并入本文。另外的相关的教导可在专利号为6,073,577、6,148,765、6,194,322、6,245,192和6,376,385的美国专利以及公布号为2005/0241765的美国申请中找到。
在一实施方式中，双相清洁室可包括湍流混合室、流体扩散器、等静压室(isostatic pressure chamber)和破裂减轻喷嘴(rupturemitigating nozzle)。所述湍流混合室可与用于提供第一相的第一流体入口和用于提供第二相的第二流体入口流体连通。所述流体扩散器可包括面朝湍流的表面、面朝等静压的表面以及在所述面朝湍流的表面和所述面朝等静压的表面之间的多个扩散流动路径。所述流体扩散器可与所述湍流混合室流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝湍流的表面面朝所述湍流混合室。所述破裂减轻喷嘴可包括第一流体收集支管、第二流体收集支管和位移阻尼突起部。所述等静压室可与所述流体扩散器流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝等静压的表面面朝所述等静压室。所述位移阻尼突起部可设置在所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管之间。所述位移阻尼突起部可自所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管中的每一个偏移，且朝向所述流体扩散器。所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管中的每一个都可包括与环境压力流体连通的出口通道。所述破裂减轻喷嘴可与所述流体扩散器流体连通使得从所述第一流体入口、所述第二流体入口、或者从该二者引入的加压清洁流体流过所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管的所述出口通道。
在另一实施方式中，双相清洁室可包括湍流混合室、流体扩散器、等静压室和破裂减轻喷嘴。所述湍流混合室可与第一流体入口和第二流体入口流体连通。所述流体扩散器可包括面朝湍流的表面、面朝等静压的表面以及从所述面朝湍流的表面经过并穿过所述流体扩散器到所述面朝等静压的表面的多个扩散流动路径。所述流体扩散器可与所述湍流混合室流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝湍流的表面面朝所述湍流混合室且所述第一流体入口和所述第二流体入口中的每一个不与所述流体扩散器的所述扩散流动路径直接对齐。所述等静压室可与所述流体扩散器流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝等静压的表面面朝所述等静压室。所述破裂减轻喷嘴可被设定形状以接收硅基电极且可包括与环境压力流体连通的至少一个出口通道。所述破裂减轻喷嘴可与所述等静压室流体连通使得从所述第一流体入口和/或所述第二流体入口引入的加压清洁流体流过所述至少一个出口通道。
在又一实施方式中，双相清洁组件可包括湍流混合室、流体扩散器、硅基电极和破裂减轻喷嘴。所述湍流混合室可与所述流体扩散器流体连通。所述流体扩散器可与所述硅基电极流体连通。所述硅基电极可包括多个气体通道。所述破裂减轻喷嘴可包括至少一个流体收集支管和至少一个位移阻尼突起部。当加压清洁流体被注入所述湍流混合室时，所述加压清洁流体可流过所述流体扩散器，可大体上等静压地撞击所述硅基电极，并可流过所述硅基电极的所述气体通道。所述流体收集支管可在所述加压清洁流体经过所述硅基电极之后接收所述加压清洁流体。所述位移阻尼突起部可与所述硅基电极接触。
附图说明
当结合接下来的附图进行阅读时，可最好地理解下面的本公开具体实施方式的详细描述，其中同样的结构用同样的附图标记示出，且其中：
图1示意性地描绘了根据此处所示出和所描述的一或多种实施方式的双相清洁室的剖视图；
图2示意性地描绘了根据此处所示出和所描述的一或多种实施方式的流体扩散器；
图3示意性地描绘了根据此处所示出和所描述的一或多种实施方式的破裂减轻喷嘴；
图4示意性地描绘了根据此处所示出和所描述的一或多种实施方式的硅基电极。
具体实施方式
如上所述，本公开涉及双相清洁室，其可用于清洁或翻新在等离子体处理室中使用之后的诸如硅基电极之类的电极。本公开的构思不应当局限于具体的电极或电极组件构造。因此，可用本文所记载的实施方式清洁或翻新电极、多部件电极组件的内电极和外电极。另外，电极的硅基部分附着有背板的电极可如本文所述被清洁或翻新。
关于硅基电极100，注意，本文中的涉及硅基电极或包括硅的电极应当被解读为涵盖在构造中使用各种形式的硅的任何一种(比如，例如单晶硅或多晶硅)的各种电极中的任何一种。在一些实施方式中，硅基电极可以是实质上的纯硅(即，具有杂质的硅，所述杂质比如用于制造n型或p型硅的掺杂物)。在进一步的实施方式中，替代地或另外地，电极可包括氮化硅、碳化硅、碳化硼、氮化铝、氧化铝、或者它们的组合。
参考图1，双相清洁室10包括湍流混合室20、流体扩散器30、等静压室50和破裂减轻喷嘴60。湍流混合室20被构造为接收流体并将流体沿着希望的流动路径引导，其在图1中被描绘为沿Y轴正方向引导。湍流混合室20包括与用于提供第一相的流体源流体连通的第一流体入口22以及与用于提供第二相的流体源流体连通的第二流体入口24。出于限定和描述本公开的目的，注意，本文所使用的术语“流体”意指诸如液体或气体等物质，该物质能够流动且在有趋向于改变其形状的力作用于其上时以稳定的速率改变其形状，比如，例如清洁的干燥空气(CDA)、氧气、水(例如，去离子水)，等等。另外，注意，本文所使用的短语“流体连通”意指流体从一个物件至另一物件的交换，其可包括例如可压缩和不可压缩的流体的流动。
因此，第一相的CDA可通过第一流体入口22提供给湍流混合室20而第二相的水可通过第二流体入口24同时或不同时地提供给湍流混合室20。此外，第一流体入口22和第二流体入口24可有效地耦合到控制器使得流体源在单个清洁操作过程中在将流体同时供应给湍流混合室20达一个时间段和不同时供应达另一个时间段之间交替。经由第一流体入口22和第二流体入口24中的每一个所传送的流体被加压以便促进流体的流动。
因此，第一流体入口22和第二流体入口24可被配置来传送清洁流体的配方，该配方可包括从约0％至约100％的CDA和从约0％至约100％的水。第一流体入口22和第二流体入口24可传送具有从约0psi(约0kPa)至约50psi(约344.7kPa)(比如，例如从约30psi(约206.8kPa)至约50psi(约344.7kPa)、或者从约35psi(约241.3kPa)至约45psi(约310.3kPa)或者约40psi(约275.8kPa))的表压的流体。
在一实施方式中，湍流混合室20包括约束引入湍流混合室20中的流体流的面朝扩散器的表面26和面朝内部的表面28。湍流混合室20可被形成在双相清洁室10的壳体12中使得流动路径开始于面朝扩散器的表面26。具体地，第一流体入口22和第二流体入口24可穿过湍流混合室20的面朝扩散器的表面26而形成。替代地，第一流体入口22、第二流体入口24、或者它们二者可穿过湍流混合室20的任何表面而形成。例如，第一流体入口22、第二流体入口24、或者它们二者可穿过湍流混合室20的面朝内部的表面28而引入。
仍然参考图1，双相清洁室10包括用于使流体从湍流混合室20扩散的流体扩散器30。流体扩散器30包括面朝湍流的表面32、面朝等静压的表面34以及在面朝湍流的表面32和面朝等静压的表面34之间的多个扩散流动路径36。由此，引介到面朝湍流的表面32的加压清洁流体流过扩散流动路径36朝向面朝等静压的表面34。在加压清洁流体流过扩散流动路径36并远离流体扩散器30的面朝等静压的表面34之后，加压清洁流体通过流体扩散器30扩散。
参考图2，在一实施方式中，流体扩散器30包括经过流体扩散器30的中心区域40的扩散流动路径36。在围绕流体扩散器30的中心区域40的同心阵列42中可布置数量渐增的扩散流动路径36。在一些实施方式中，各个同心阵列42中的扩散流动路径36的数量随着同心阵列42的周长的增加而增加，即，各个同心阵列42在X-Z平面中与流体扩散器30的中心区域40的间隔越远，该阵列中的扩散流动路径36的数量越多。
在一些实施方式中，扩散流动路径36大体上是直的(例如，每个流动路径的中心与Y轴大体上对齐)。注意，虽然扩散流动路径36在图2中被描绘为具有大体上圆形的横截面，但扩散流动路径36可具有任何横截面形状，比如，例如椭圆形、多边形、或者它们的组合。在进一步的实施方式中，扩散流动路径36可相对于Y轴旋转使得加压清洁流体流在不是沿着Y轴的方向上被引导。此外，每个扩散流动路径36可以是弯曲的使得扩散流动路径36随着其通过流体扩散器30而改变方向。
流体扩散器30的面朝湍流的表面32包括用于减弱(mitigating)穿过流体扩散器的流体流的混合区域38。因此，混合区域38是面朝湍流的表面的不包括任何扩散流动路径36的部分。混合区域38可以是设置在扩散流动路径36的同心阵列42中的两个同心阵列之间的同心区域。注意，虽然图2将流体扩散器30描绘为圆形物件，但是流体扩散器30可以是任何形状且可包括适合与喷头电极一起使用的任何几何形状的扩散流动路径36和混合区域38，如下面会更详细描述的。
再参考图1，双相清洁室10包括用于自流体扩散器30的面朝等静压的表面34沿着流体流动路径引导加压清洁流体的等静压室50。加压清洁流体以大体上等静压的方式排出等静压室50，即，加压清洁流体在加压清洁流体的整个横截面(例如，沿着X-Z平面)上施加大体上恒定的压力或者加压清洁流体沿着位于加压清洁流体的流动路径中的物件的横截面(例如，沿着X-Z平面)施加大体上恒定的压力。
等静压室50包括构造来接受加压清洁流体的室入口52和构造来以大体上等静压的方式喷出加压清洁流体的室出口54。室入口52与室出口54间隔室高度56。等静压室可具有足以使从流体扩散器30的面朝等静压的表面34排出的加压清洁流体形成为大体上等静压的方式的室高度56。在一实施方式中，室出口54可被设定形状以比室入口52具有较大的横截面面积(例如，沿着X-Z平面测得的)。
仍然参考图1，双相清洁室10包括配置来保护在加压清洁流体的流动路径中的硅基电极100的破裂减轻喷嘴60。因此，破裂减轻喷嘴60被设定形状以接收硅基电极100且包括与环境压力流体连通的至少一个出口通道70。具体地，破裂减轻喷嘴60可控制加压清洁流体的流量使得硅基电极100可成为在相对于环境压力较高的压力和环境压力之间的交界面。
同时参考图1和2，破裂减轻喷嘴60包括至少一个流体收集支管68和至少一个位移阻尼突起部62。流体收集支管68可被配置来接收并引导加压清洁流体远离位移阻尼突起部。每个流体收集支管68包括与环境压力流体连通的至少一个出口通道70。
位移阻尼突起部62可被配置来抵抗偏转，比如沿着Y轴方向的偏转。每个位移阻尼突起部62可包括赋形部64和电极接触部66。在一实施方式中，赋形部64从流体收集支管68延伸到电极接触部66。赋形部64可以是适于将流体收集支管68与电极接触部66分开(相对于Y轴偏移)的任何形状。因此，赋形部64可以是例如有小平面的、弯曲的、倒角的、或者可以包括构造来将流体收集支管68与电极接触部66分开的任何其它轮廓。另外，注意，虽然电极接触部66在图1和2中被描绘成大体上是平坦的，但是电极接触部66可以是适于控制由电极接触部66支撑的物件在该物件遭遇加压清洁流体时的位移的任何形状。
在一实施方式中，破裂减轻喷嘴60包括第一流体收集支管68、第二流体收集支管68和位移阻尼突起部62。位移阻尼突起部62可设置在第一和第二流体收集支管68之间且自第一和第二流体收集支管68中的每一个偏移。在一些实施方式中，破裂减轻喷嘴60包括与环境压力流体连通的中央出口通道72。在进一步的实施方式中，可相对于中央出口通道72大体上同中心地布置多个位移阻尼突起部62、多个流体收集支管或者二者都布置。
破裂减轻喷嘴60可进一步包括电极接触构件74和结构构件76。电极接触构件74可由相对于硅基电极100较柔性的任何材料(比如，例如塑料)制成。结构构件76可由相对于硅基电极100较刚性的任何材料(比如，例如不锈钢)制成。根据本文所描述的实施方式，破裂减轻喷嘴60的构造为接触设置的任何部分(例如，位移阻尼突起部62)可由电极接触构件74形成。此外，破裂减轻喷嘴的任何其它部分可由电极接触构件74形成。因此，虽然电极接触构件74在图1中被描绘为形成位移阻尼突起部62、流体收集支管68、以及出口通道和中央出口通道72的部分，但破裂减轻喷嘴60的任何部分均可由电极接触构件74或结构构件76形成。另外，注意，虽然电极接触构件74和结构构件76在图1中被描绘为经由夹持构件90彼此连接的板，但电极接触构件74和结构构件76可以是整体的或者可以用电极接触构件74裹住结构构件76。
再参考图1，在一实施方式中，双相清洁室10包括湍流混合室20、流体扩散器30、等静压室50和破裂减轻喷嘴60，各自流体连通。具体地，流体扩散器30与湍流混合室20流体连通使得流体扩散器30的面朝湍流的表面32面朝湍流混合室20。等静压室50与流体扩散器30流体连通使得流体扩散器30的面朝等静压的表面34面朝等静压室50。破裂减轻喷嘴60与等静压室50流体连通使得从第一流体入口22、第二流体入口24、或者从该二者引入的加压清洁流体流过流体收集支管68的出口通道70。
双相清洁室10可进一步包括用于将双相清洁室10支撑在平面上(即，用于制作“台面”单元)的底座构件80。底座构件80可与破裂减轻喷嘴60流体连通。底座构件80可包括与流体排放特征84流体连通的环境压力入口82。在一实施方式中，底座80的流体排放特征84与破裂减轻喷嘴60的出口通道70流体连通，环境压力入口与环境压力流体连通。流到破裂减轻喷嘴60的加压清洁流体可被传送到流体排放特征84并穿过环境压力入口82至环境压力。
同时参考图1和4，双相清洁室10可作为压力容器进行操作，引导加压清洁流体穿过位于等静压室50和破裂减轻喷嘴60之间的硅基电极100的气体通道102。因此，双相清洁室10的部件可通过经由由夹持构件90提供的夹持压力而密封的O形环92被密封在另一个上。例如，环境压力可以只经由环境压力入口82提供给双相清洁室10(除非由第一或第二流体入口提供)。此外，双相清洁室10中的表压可通过与湍流混合室20流体连通的卸压阀94调节。
因此，当硅基电极100位于等静压室50和破裂减轻喷嘴60之间且加压清洁流体被注入湍流混合室20中时，硅基电极100的气体通道102可被加压清洁流体清洁。具体地，加压清洁流体可流过流体扩散器30使得它大体上等静压地撞击硅基电极并流过硅基电极100的气体通道102。
在一实施方式中，第一流体入口22和第二流体入口24可各自与流体扩散器30的混合区域38对齐使得注入湍流混合室20中的任何加压清洁流体在没有与流体扩散器30的混合区域38相互作用的情况下不能流过扩散流动路径36。因此，不受任何特定理论的束缚，要相信的是，加压清洁流体和混合区域38之间的这种相互作用可使加压清洁流体在扩散穿过流体扩散器30的扩散流动路径36之前在湍流混合室20中汹涌翻腾(turbulently churn)。
在加压清洁流体流过硅基电极100之后，流体收集支管68接收该加压清洁流体。贯穿整个清洁过程，位移阻尼突起部62与硅基电极100接触。破裂减轻喷嘴60的位移阻尼突起部62可被构造为接触硅基电极100的有限部分。在一实施方式中，位移阻尼突起部62接触硅基电极100的无孔部分104，即，位移阻尼突起部62接触硅基电极100却不妨碍流体流过气体通道102。具体地，位移阻尼突起部62的电极接触部66具有小于或等于硅基电极100的横向的孔间距106的宽度。因此，位移阻尼突起部62通过限制硅基电极100的可由加压清洁流体引发的变形而减少或防止了硅基电极100中的张应力。
出于描述和限定本发明的目的，注意，本文用术语“大体上”和“约”来表示可归因于任何定量比较、值、测量结果、或者其它事项的不确定性的固有程度。本文还用术语“大体上”和“约”来表示使定量表示可从所陈述的参考值变化却不导致所讨论的主题的基本功能变化的一种程度。
注意，当本文使用术语“通常(commonly)”时，它不是用来限制要求保护的本发明的范围或者暗示某些特征对要求保护的本发明的结构或功能而言是关键的、必不可少的、甚或重要的。相反，这些术语仅仅意在标识本公开的实施方式的具体方面或者强调可能在本公开的具体实施方式中使用或可能不使用的替代的或另外的特征。类似地，虽然本公开的一些方面在本文中被标识为优选的或特别有利的，但可以预期的是，本公开并不一定局限于发明的这些优选方面。
另外注意，方向标准(比如，例如流动路径、X轴方向、Y轴方向、X轴、Y轴、X-Z平面等)出于阐述目的而提供，并没有限制意图。具体地，注意，这种方向标准联系图1-4中所描绘的坐标系统而设定。因此，就结构而言，通过对所提供的坐标系统作出相应的改变，方向可被翻转或者定向为任意方向，从而扩展了本文中所记载的实施例。
在参考本发明的具体实施方式详细描述本发明之后，显而易见的是，没有背离所要求保护的本发明的范围的修改例和变化例是可行的。
注意，所要求保护的本发明中的一或多个使用作为过渡语的术语“其中(wherein)”。出于限定本发明的目的，注意，所要求保护的本发明中所引入的该术语作为开放式的过渡语，用于引入该结构的一系列特征的阐述且应当以与更常用的开放式前序术语“包括(comprising)”类似的方式进行解释。
Claims (22)
1.一种包括湍流混合室、流体扩散器、等静压室和破裂减轻喷嘴的双相清洁室，其中：
所述湍流混合室与用于提供第一相的第一流体入口和用于提供第二相的第二流体入口流体连通；
所述流体扩散器包括面朝湍流的表面、面朝等静压的表面以及在所述面朝湍流的表面和所述面朝等静压的表面之间的多个扩散流动路径；
所述流体扩散器与所述湍流混合室流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝湍流的表面面朝所述湍流混合室；
所述破裂减轻喷嘴包括第一流体收集支管、第二流体收集支管和位移阻尼突起部；
所述等静压室与所述流体扩散器流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝等静压的表面面朝所述等静压室；
所述位移阻尼突起部设置在所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管之间；
所述位移阻尼突起部自所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管中的每一个偏移，且朝向所述流体扩散器；
所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管中的每一个都包括与环境压力流体连通的出口通道；以及
所述破裂减轻喷嘴与所述流体扩散器流体连通使得从所述第一流体入口和/或所述第二流体入口引入的加压清洁流体流过所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管的所述出口通道。
2.如权利要求1所述的双相清洁室，其中所述第一相包括CDA而所述第二相包括去离子水。
3.如权利要求1所述的双相清洁室，其中所述第一相和所述第二相同时提供。
4.如权利要求1所述的双相清洁室，其中所述第一相和所述第二相不同时提供。
5.如权利要求1所述的双相清洁室，其中：
所述等静压室包括与室出口间隔室高度的室入口；以及
所述室出口比所述室入口具有较大的横截面面积。
6.如权利要求1所述的双相清洁室，其中所述破裂减轻喷嘴的所述位移阻尼突起部包括赋形部和电极接触部，其中所述赋形部从所述第一流体收集支管延伸到所述电极接触部。
7.如权利要求6所述的双相清洁室，其中所述位移阻尼突起部的所述赋形部是倒角的。
8.如权利要求6所述的双相清洁室，其中所述位移阻尼突起部的所述电极接触部大体上是平坦的。
9.如权利要求1所述的双相清洁室，其中：
所述破裂减轻喷嘴包括中央出口通道；以及
所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管相对于所述中央出口通道同中心布置。
10.如权利要求1所述的双相清洁室，其还包括底座构件，其中：
所述底座构件包括流体排放特征和环境压力入口；
所述底座构件的所述流体排放特征与所述出口通道和所述环境压力入口流体连通；以及
所述环境压力入口与所述环境压力流体连通。
11.一种包括湍流混合室、流体扩散器、等静压室和破裂减轻喷嘴的双相清洁室，其中：
所述湍流混合室与第一流体入口和第二流体入口流体连通；
所述流体扩散器包括面朝湍流的表面、面朝等静压的表面以及从所述面朝湍流的表面经过并穿过所述流体扩散器到所述面朝等静压的表面的多个扩散流动路径；
所述流体扩散器与所述湍流混合室流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝湍流的表面面朝所述湍流混合室且所述第一流体入口和所述第二流体入口中的每一个不与所述流体扩散器的所述扩散流动路径直接对齐；
所述等静压室与所述流体扩散器流体连通使得所述流体扩散器的所述面朝等静压的表面面朝所述等静压室；
所述破裂减轻喷嘴包括至少一个流体收集支管和至少一个位移阻尼突起部，其中所述位移阻尼突起部自所述流体收集支管中的每一个偏移，且朝向所述流体扩散器；
所述破裂减轻喷嘴被设定形状以接收硅基电极且包括与环境压力流体连通的至少一个出口通道；以及
所述破裂减轻喷嘴与所述等静压室流体连通使得从所述第一流体入口和/或所述第二流体入口引入的加压清洁流体流过所述至少一个出口通道。
12.如权利要求11所述的双相清洁室，其中：
所述湍流混合室包括面朝所述流体扩散器的面朝扩散器的表面；以及
所述第一流体入口和所述第二流体入口穿过所述面朝扩散器的表面形成。
13.如权利要求11所述的双相清洁室，其中所述流体扩散器的所述扩散流动路径被布置在围绕所述流体扩散器的中心区域的同心阵列中。
14.如权利要求13所述的双相清洁室，其中：
所述流体扩散器包括位于所述扩散流动路径的所述同心阵列中的两个同心阵列之间的混合区域；以及
所述第一流体入口和/或所述第二流体入口与所述流体扩散器的所述混合区域对齐。
15.一种包括湍流混合室、流体扩散器、硅基电极和破裂减轻喷嘴的双相清洁组件，其中：
所述湍流混合室与所述流体扩散器流体连通；
所述流体扩散器与所述硅基电极流体连通；
所述硅基电极包括多个气体通道；以及
所述破裂减轻喷嘴包括至少一个流体收集支管和至少一个位移阻尼突起部，其中所述位移阻尼突起部自所述流体收集支管中的每一个偏移，且朝向所述流体扩散器，使得当加压清洁流体被注入所述湍流混合室时：
所述加压清洁流体流过所述流体扩散器，大体上等静压地撞击所述硅基电极，并流过所述硅基电极的所述气体通道；
所述流体收集支管在所述加压清洁流体经过所述硅基电极之后接收所述加压清洁流体；以及
所述位移阻尼突起部与所述硅基电极接触。
16.如权利要求15所述的双相清洁组件，其中：
所述破裂减轻喷嘴包括电极接触构件和结构构件；
所述电极接触构件相对于所述硅基电极较柔性；以及
所述结构构件相对于所述硅基电极较刚性。
17.如权利要求16所述的双相清洁组件，其中所述破裂减轻喷嘴的所述电极接触构件包括所述位移阻尼突起部。
18.如权利要求15所述的双相清洁组件，其中所述硅基电极由实质上的纯硅制成。
19.如权利要求15所述的双相清洁组件，其中所述加压清洁流体具有从0psi(0kPa)至50psi(344.7kPa)的表压。
20.如权利要求15所述的双相清洁组件，其中当所述加压清洁流体被注入所述湍流混合室时，所述加压清洁流体在所述湍流混合室中汹涌翻腾。
21.如权利要求15所述的双相清洁组件，其中所述破裂减轻喷嘴的所述位移阻尼突起部与所述硅基电极的无孔部分接触。
22.如权利要求15所述的双相清洁组件，其中：
所述破裂减轻喷嘴的所述位移阻尼突起部包括电极接触部；以及
所述电极接触部具有小于或等于所述硅基电极的横向的孔间距的宽度。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/186,827 | 2011-07-20 | ||
| US13/186,827 US9245719B2 (en) | 2011-07-20 | 2011-07-20 | Dual phase cleaning chambers and assemblies comprising the same |
| PCT/US2012/046579 WO2013012693A1 (en) | 2011-07-20 | 2012-07-13 | Dual phase cleaning chambers and assemblies comprising the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103748971A CN103748971A (zh) | 2014-04-23 |
| CN103748971B true CN103748971B (zh) | 2016-10-12 |
Family
ID=47554903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201280035797.8A Active CN103748971B (zh) | 2011-07-20 | 2012-07-13 | 双相清洁室以及包括双相清洁室的组件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9245719B2 (zh) |
| KR (1) | KR101967495B1 (zh) |
| CN (1) | CN103748971B (zh) |
| TW (2) | TWI647334B (zh) |
| WO (1) | WO2013012693A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9245719B2 (en) | 2011-07-20 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Dual phase cleaning chambers and assemblies comprising the same |
| TWI723024B (zh) * | 2015-06-26 | 2021-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備 |
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| US9245719B2 (en) | 2011-07-20 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Dual phase cleaning chambers and assemblies comprising the same |
-
2011
- 2011-07-20 US US13/186,827 patent/US9245719B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-13 WO PCT/US2012/046579 patent/WO2013012693A1/en active Application Filing
- 2012-07-13 KR KR1020147004480A patent/KR101967495B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-13 CN CN201280035797.8A patent/CN103748971B/zh active Active
- 2012-07-20 TW TW106144956A patent/TWI647334B/zh active
- 2012-07-20 TW TW101126330A patent/TWI613317B/zh active
-
2016
- 2016-01-21 US US15/003,485 patent/US9748078B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9245719B2 (en) | 2016-01-26 |
| KR20140046470A (ko) | 2014-04-18 |
| US20130019907A1 (en) | 2013-01-24 |
| TW201319304A (zh) | 2013-05-16 |
| TWI647334B (zh) | 2019-01-11 |
| US20160141153A1 (en) | 2016-05-19 |
| WO2013012693A1 (en) | 2013-01-24 |
| TW201812090A (zh) | 2018-04-01 |
| CN103748971A (zh) | 2014-04-23 |
| US9748078B2 (en) | 2017-08-29 |
| KR101967495B1 (ko) | 2019-04-09 |
| TWI613317B (zh) | 2018-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |