TWI646711B - 具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板、製造具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板之方法、可撓性顯示器裝置及可撓性照明裝置 - Google Patents

具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板、製造具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板之方法、可撓性顯示器裝置及可撓性照明裝置 Download PDF

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Abstract

本發明揭露一種可撓性屏障織物基板，該可撓性屏障織物基板包括：編織織物基礎材料；平坦化層，其形成在編織織物基礎材料上；及屏障層，其形成在平坦化層上，其中一或複數個無機薄膜層及一或複數個聚合物薄膜層交替堆疊在該屏障層中。

Description

具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板、製造具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板之方法、可撓性顯示器裝置及可撓性照明裝置 【相關申請案之交叉引用】
本申請案主張於2014年12月30日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2014-0193558號的優先權及權益，其全部內容以引用方式併入本文。
本發明係關於一種具有高可撓性之屏障織物基板及其製造方法。特定而言，本發明係關於一種採用纖維作為基礎材料的具有高可撓性之屏障織物基板以及其製造方法，並且有可能實現可穿戴顯示器及可撓性照明裝置。
可撓性裝置包括積體裝置，諸如在由可撓性塑膠材料藉由使用有機材料及/或無機材料來使用沉積及印刷製程而形成的基板上的顯示器、電路、電池及感測器，並且具有之優勢在於該裝置輕且薄並且即便受衝擊亦不破裂。因 此，可預期該可撓性裝置將替代當前平板顯示器及照明裝置等，並且已在積極進行研究。
然而，安裝在基板上之有機電子裝置易受濕氣或氧氣的滲透而損壞，並且塑膠材料基板還具有很高的濕氣及氧氣滲透性。因此，實現可撓性裝置存在困難，並且舉例而言，難以將有機發光二極體(OLED)應用於可撓性顯示器。
因此，已對阻斷濕氣及氧氣之屏障與封裝技術進行研究，以便製造具有長使用壽命之有機電子裝置。儘管有機電子裝置的上部及下部最初係藉由使用玻璃罩或金屬罩作為屏障層及封裝層來進行封裝，但問題在於濕氣仍可滲透過在基板與屏障層及/或封裝層之間的密封劑進行。此外，因為屏障層及/或封裝層是非可撓性的，所以問題在於難以將該屏障層及/或封裝層應用於可撓性裝置。作為克服玻璃罩或金屬罩之缺點的替代方案，已提出使用無機薄膜、有機薄膜或為其組合之有機多層薄膜/無機多層薄膜的屏障或封裝技術。
然而，儘管屏障與封裝技術已有所發展，但塑膠材料基板因該材料之特性而在待應用領域方面受到限制，且缺點在於僅能在一個方向上彎曲，由於低彎曲可恢復性而不具有懸垂特性(drape characteristics)，並且未能適當地利用可撓性之優點。為了製造不可安裝的最終可穿戴裝置或可撓性裝置，電子裝置元件需要在諸如織物的可穿戴母體材料或基礎材料中形成。為此，需要一種屏障技術，該屏障技術可具有能夠填充織物所固有之許多孔隙之優異屏 障性質，並且還可維持織物所具有之高可撓性。
[引用文獻清單]
[專利文件]
[專利文件1]韓國專利早期公開之申請案第10-2014-0127882號。
[專利文件2]韓國專利早期公開之申請案第10-2013-0136805號。
[專利文件3]韓國專利早期公開之申請案第10-2014-0008516號。
本發明致力於提供一種屏障性質水準類似於玻璃的織物基板，該織物基板可應用於可穿戴顯示器或可撓性照明裝置。由此，本發明致力於實現可穿戴資訊科技(information technology，IT)裝置，而非可安裝或可附接的IT裝置。
本發明之例示性實施例提供一種可撓性屏障織物基板，該可撓性屏障織物基板包括：編織織物基礎材料；平坦化層，其形成在編織織物基礎材料上；及屏障層，其形成在平坦化層上，其中一或複數個無機薄膜層及一或複數個聚合物薄膜層交替堆疊在該屏障層中。
根據本發明之例示性實施例，較佳的是，在屏障層所包括的複數個層之中，與平坦化層接觸的最內層及自平坦化層間隔開最大限度的最外層皆為無機薄膜層。
根據本發明之另一個例示性實施例，較佳的是，在屏 障層所包括的複數個層之中，與平坦化層接觸的最內層及自平坦化層間隔開最大限度的最外層皆為聚合物薄膜層。
根據本發明之再一個例示性實施例，較佳的是，在屏障層中，無機薄膜層、聚合物薄膜層及無機薄膜層依序堆疊在平坦化層上。
根據本發明之又一個例示性實施例，編織織物基礎材料可為由以下物質構成之材料所形成的編織織物(woven fabric)：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、耐綸、丙烯酸(acryl)或其混合物。
根據本發明之再一個例示性實施例，較佳的是，平坦化層包括選自由矽烷、聚碳酸酯、丙烯酸酯系聚合物、胺系寡聚物及乙烯基系聚合物組成之群的一或複數者。
根據本發明之另一個例示性實施例，較佳的是，無機薄膜層由氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、氮碳化物或氮氧碳化物構成，該氧化物、該氮化物、該碳化物、該氮氧化物、該氮碳化物或該氮氧碳化物包括選自由矽、鋁、鈦、鋅、及鋯組成之群的一或複數種金屬元素。
根據本發明之又一個例示性實施例，較佳的是，聚合物薄膜層由下式1表示之叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷構成。
[式1]
根據本發明之再一個例示性實施例，較佳的是，無機薄膜層具有約10nm至50nm的厚度。
根據本發明之又一個例示性實施例，較佳的是，聚合物薄膜層具有約20nm至100nm的厚度。
本發明之另一個例示性實施例提供用於製造可撓性屏障織物基板之方法，該方法包括：在編織織物基礎材料上形成平坦化層；在平坦化層上將第一屏障層形成為無機薄膜層或聚合物薄膜層；將第二屏障層形成為無機薄膜層或聚合物薄膜層，以使得用於第二屏障層的材料及用於第一屏障層的材料交替堆疊在第一屏障層上；及在第二屏障層上藉由再次使用與第一屏障層相同的組態來堆疊第三屏障層。
根據本發明之例示性實施例，該方法可進一步包括一或複數次重複形成第二屏障層及形成第三屏障層。
根據本發明之另一個例示性實施例，較佳的是，無機薄膜層係藉由原子層沉積法形成。
根據本發明之再一個例示性實施例，較佳的是，聚合物薄膜層係藉由電漿加強化學氣相沉積法形成。
本發明之又一個例示性實施例可提供一種可撓性顯示 器裝置或可撓性照明裝置，該可撓性顯示器裝置或該可撓性照明裝置包括具有根據本發明之組態的基板。
根據本發明之織物基板提供一種多層屏障層，該多層屏障層包括一或複數個聚合物薄膜層及一或複數個無機薄膜層，該一或複數個聚合物薄膜層及該一或複數個無機薄膜層係藉由使用有機前驅物材料/無機前驅物材料來製備，且因此可有效地抑制氧氣或濕氣滲透進入有機電子裝置，進而防止裝置劣化。
應用於本發明之聚合物薄膜層具有優異的可撓性，且因此在應用於有機電子裝置時，可實現織物基板之可撓性。
因為根據本發明之織物基板保持高可撓性，所以可預期當使用根據本發明之織物基板時，可達成自可安裝或可附接IT裝置至可穿戴IT裝置之變化。因此，有可能將根據本發明之織物基板用作可穿戴顯示器裝置及可撓性照明裝置之基板。
上文概述僅為說明性且並非意欲以任何方式進行限制。除上文描述之說明性態樣、實施例及特徵之外，其他態樣、實施例及特徵將藉由參照圖式及以下詳述而變得顯而易見。
S1‧‧‧步驟1
S2‧‧‧步驟2
S3‧‧‧步驟3
S4‧‧‧步驟4
100‧‧‧編織織物基礎材
200‧‧‧平坦化層
300‧‧‧屏障層
301‧‧‧無機薄膜層
302‧‧‧聚合物薄膜層
圖1為示意性示出根據本發明之例示性實施例之織物基板之組態的視圖。
圖2為示出根據本發明之例示性實施例之織物基板之截面組態的視圖，其中編織織物基礎材料100、平坦化層 200、無機薄膜層301、聚合物薄膜層302及無機薄膜層301依序堆疊。
圖3為簡單示出根據本發明之例示性實施例之製造織物基板的製程流程的視圖。
圖4為掃描式電子顯微鏡(SEM)影像，該影像示出在根據本發明之例示性實施例之用於形成有機電子裝置之編織織物基礎材料上形成平坦化層之後，編織織物基礎材料的(a)側面橫截面及(b)表面狀態。
圖5為示出量測根據本發明之例示性實施例之織物基板之堅實度的結果的圖表。
圖6為示出量測根據本發明之例示性實施例之織物基板之水蒸汽傳輸速率的結果的圖表。
圖7為示出一種設備之視圖，該設備用於依照電學性質的變化來量測鈣的氧化程度以便量測根據本發明之例示性實施例之織物基板的水蒸汽傳輸速率。
圖8為示出依照鈣的氧化程度來量測根據本發明之例示性實施例的織物基板之水蒸汽傳輸速率的結果的圖表。
應當理解圖式不必按比例繪製，從而呈現出說明本發明之基本原理之各種特徵的略微簡化表示。本文所述的包括諸如特定尺寸、方位、位置及形狀的揭示內容之特定設計特徵將部分地藉由具體預期應用及使用環境來決定。
在圖式中，元件符號遍及圖式中的若干圖式指代本發明之相同或等同部件。
在下文中，本發明將參照圖式來詳細描述。在描述本發明時，將省略與公開已知功能或組態相關之詳細說明，以便不使本發明之要旨模糊。
可撓性之含義廣泛。相應地，諸如塑膠薄膜的母體材料是可撓性的，但不能穿戴，即不適用於最終可穿戴基礎材料或具有高可撓性之照明裝置。使用織物的基板具有優異的堅實度(firmness)及折皺回復性(其為織物固有之懸垂性)，但由於較差表面粗糙度及許多孔隙而難以賦予屏障性質。因此，本案發明人已對可用作供最終含義的可穿戴裝置之母體材料的織物基板進行了研究，該最終含義的可穿戴裝置可如衣服一般穿戴且同時具有類似於玻璃水準之屏障性質，進而完成本發明。
本發明係關於一種織物基板，該織物基板可應用於可穿戴顯示器或諸如可撓性照明裝置的可撓性裝置。根據本發明之例示性實施例的織物基板包括：編織織物基礎材料；平坦化層，其形成在編織織物基礎材料上；及屏障層，其形成在平坦化層上，其中一或複數個無機薄膜層及一或複數個聚合物薄膜層交替堆疊在屏障層中。
首先，參照圖1，將描述根據本發明之例示性實施例之織物基板的組態。圖1為示意性示出根據本發明之例示性實施例之織物基板之組態的視圖。
如在圖1中示出，根據本發明之例示性實施例之織物基板包括：編織織物基礎材料100；用於使編織織物基礎材料平坦化的平坦化層200；及用於阻斷氣體及濕氣的屏 障層300，其形成在平坦化層上。屏障層300是一種薄膜，其中無機薄膜層301及聚合物薄膜層302交替堆疊，且具有一種結構，其中一或複數個無機薄膜層及一或複數個聚合物薄膜層交替堆疊。藉由該組態提供一種織物基板，其中編織織物基礎材料的許多孔隙經填充並且仍確保可撓性。
在下文中，將詳細描述織物基板的各個組態元件。
編織織物基礎材料100可以是由以下物質構成之材料所形成的編織織物：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、耐綸、丙烯酸或其混合物。在上述物質之中，因為熱穩定性容易改善，所以更佳的為由以下物質構成之材料所形成的編織織物：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯或其混合物。其中該編織織物為不透明之材質，使得該編織織物基礎材料100亦為不透明。
組成編織織物基礎材料的編織織物的厚度無具體限制，但作為塗層載體材料且考慮到最終基板的厚度，合適的厚度為約50μm至230μm，較佳的厚度為約50μm至150μm，且更佳的厚度為約50μm至100μm。
編織織物的表面粗糙度在約25μm至50μm之範圍內，該粗糙度值很高，使得即便形成屏障層仍難以實現合適的屏障效能。因此，有必要使由編織織物構成之編織織物基礎材料平坦化。
較佳的是，平坦化層200包括選自由矽烷、聚碳酸酯、丙烯酸酯系聚合物、胺系寡聚物及乙烯基系聚合物組成之 群的一或複數者，因為此舉有可能確保熱穩定性及可撓性。
較佳的是，平坦化薄膜具有約0.01μm至5μm的厚度及約5nm至300nm的表面平滑度(Ra)，並且因此防止氣體阻斷薄膜因基板之位準差(level difference)而未緊密附著的現象。
矽烷可以是選自由甲矽烷(SiH4)、二矽烷(Si2H6)、三矽烷(Si3H8)及四矽烷(Si4H10)組成之群的一或複數者。此外，矽烷可包括選自由環氧基、烷氧基、乙烯基、苯基、甲基丙烯醯氧基、胺基、氯矽烷基、氯丙基及巰基組成之群的一或複數種官能基。
平坦化薄膜還可包括光吸收劑，特定而言是選自由二苯甲酮系、草醯苯胺系(oxalanilide-based)、苯并三唑系及三嗪系(triazine-based)光吸收劑組成之群的一或多者。
屏障層300係用於阻斷氣體及濕氣，且為無機薄膜層301及聚合物薄膜層302在其中交替堆疊的薄膜，且具有一或複數個無機薄膜層及一或複數個聚合物薄膜層在其中交替堆疊的結構。
無機材料具有低擴散速率及低溶解度，且因此作為濕氣滲透的屏障層而具有優異性質。然而，當屏障層僅僅由無機材料形成，且因此應用於可撓性裝置時，該裝置受實質損傷之可能性很高。因此，存在之問題在於濕氣滲透的可能性增加且屏障效能亦劣化。因此，在本發明中，藉由使用由下式1表示且具有矽氧鍵(Si-O bond)的有機混合式前驅物化合物/無機混合式前驅物化合物所獲得之聚合物 薄膜與無機薄膜一起堆疊，進而提供多層屏障薄膜。該聚合物薄膜可使薄膜的表面平坦化，且延長擴散途徑以降低水蒸汽傳輸速率，進而賦予高屏障效能。此外，屏障效能因厚度相對薄而可得到改善，從而使得當聚合物薄膜應用於有機電子裝置時，該聚合物薄膜可以小於現有產品的厚度來實現高效能的屏障性質，且亦可確保可撓性。
交替堆疊無機薄膜層及聚合物薄膜層之方法無具體限制。根據本發明之例示性實施例，在屏障層所包括的複數個層之中，與平坦化層接觸的最內層及自平坦化層間隔開最大限度的最外層兩者皆可變成無機薄膜層或聚合物薄膜層。如在圖2中所示，例示性實施例可具有其中無機薄膜層301、聚合物薄膜層302及無機薄膜層301依序堆疊在平坦化層200上之組態。
無機薄膜層301可由氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、氮碳化物或氮氧碳化物構成，該氧化物、該氮化物、該碳化物、該氮氧化物、該氮碳化物或該氮氧碳化物包括選自由矽、鋁、鈦、鋅、及鋯組成之群的一或複數種金屬元素，並且較佳地使用一或複數種氧化物。
該無機薄膜層具有較佳地約10nm至50nm的厚度。當厚度小於10nm時，屏障性質很輕微，且當厚度大於50nm時，可撓性劣化，且因此，容易產生諸如裂紋及針孔之缺陷，此狀況不佳。
聚合物薄膜層302是藉由電漿加強化學氣相沉積法將由下式1表示之叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷(TTMSVS)進行沉積而獲得之層。藉由電漿沉積的叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷薄膜在與無機層之黏著力及覆蓋針孔缺陷之特性上很優異，並且使薄膜的表面平坦化，且即便在小厚度情況下仍延長擴散途徑，進而賦予高屏障效能。此外，叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷可用作層間中間體以在彎曲期間使裂紋最小化，進而維持編織織物基礎材料的優點。此外，當叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷薄膜與無機層一起用作堆疊結構時，叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷極適用於編織織物基礎材料之屏障層的材料，因為屏障性質顯著改善。
聚合物薄膜層具有約20nm至100nm的厚度，該厚度係較佳的，因為有可能使彎曲期間裂紋產生的現象最小 化。當厚度小於20nm時，擴散途徑不充分，且因此屏障性質之改善極小，且當厚度大於100nm時，可撓性及屏障性質在彎曲期間劣化，此狀況不佳。
藉由堆疊根據本發明之無機薄膜層及聚合物薄膜層而獲得的織物基板將織物用作母體材料，即便在厚度較小的屏障層組態中，該織物基板亦具有優異氣體屏障性質，且因此可預期該織物基板易於應用於可穿戴顯示器或可撓性照明裝置的基板。
然後，將參照圖3描述根據本發明之用於製造織物基板的方法。圖3為簡單示出製造根據本發明之例示性實施例之織物基板的製程流程的視圖。
根據圖3，織物基板係藉由包括以下步驟之方法製造：在編織織物基礎材料上形成平坦化層(步驟S1)；在平坦化層上形成第一屏障層作為無機薄膜層或聚合物薄膜層(步驟S2)；形成第二屏障層作為無機薄膜層或聚合物薄膜層，以使得用於第二屏障層的材料及用於第一屏障層的材料交替堆疊在第一屏障層上(步驟S3)；及藉由再次使用與第一屏障層相同的組態在第二屏障層上堆疊第三屏障層(步驟S4)；並且步驟S3及步驟S4可重複一或複數次直至織物基板變成待獲得之用於最外層的材料。
用於編織織物基礎材料、平坦化層、無機薄膜層及聚合物薄膜層的組成組分可如上文描述一般來應用，且因此將省略對其之詳細說明。
在織物基板中的編織織物基礎材料上形成平坦化層之 步驟S1係用於將光滑度賦予由聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯或其混合物構成之編織織物材料所形成之編織織物基礎材料。因為該織物是作為三維(3D)結構編織，所以該織物具有許多孔隙及高表面粗糙度，且因此不適於用作形成電子裝置的基板，作為特定實例，該電子裝置諸如上文所述之有機電子裝置。因此，平坦化層需要形成在織物基礎材料上以填充編織織物基礎材料的孔並且降低表面粗糙度。
作為在編織織物基礎材料上形成平坦化層的方法，可使用進行積層(lamination)之轉移法、狹槽塗覆法、旋塗法以及此類方法，並且較佳地使用採用積層的轉移法。與其他塗覆方法相比，積層方法包括：在離型膜上施加構成平坦化層的塗覆材料、以及使離型膜分離並同時使編織織物基礎材料上的塗覆材料積層，且因此具有之優點在於表面粗糙度為約1nm至10nm，從而使得具有極高平坦化程度之離型膜的表面粗糙度可按其在平坦化層上之原樣反映。
用於組成平坦化層的材料較佳地為可降低表面粗糙度並同時不影響堅實度或折皺回復性(其為編織織物基礎材料作為織物的性質)的材料。較佳的是，該材料包括選自由矽烷、聚碳酸酯、丙烯酸酯系聚合物、胺系寡聚物及乙烯基系聚合物組成之群的一或複數者。較佳的是，形成平坦化層，以使得編織織物基礎材料具有10nm或更小的表面粗糙度。為達此目的，需要形成平坦化層以便具有約0.01μm至5μm的厚度及約5nm至300nm的表面平滑度 (Ra)。
步驟S2為在平坦化層上將第一屏障層形成為無機薄膜層或聚合物薄膜層，且可首先形成任何層，但更佳的是，因無機材料對氣體擴散及濕氣滲透的高屏障效能而在平坦化層上首先形成無機薄膜層。
步驟S3及步驟S4為交替堆疊無機薄膜層及聚合物薄膜層的步驟，且可重複一或複數次直至織物基板變成待獲得之用於最外層的材料。特定而言，如在圖2中所示，在步驟S3中執行堆疊聚合物薄膜層之後，則在步驟S4中形成無機薄膜層，即可藉由將步驟S3及步驟S4各執行一次來獲得完整織物基板。
作為形成平坦化層上之無機薄膜層或聚合物薄膜層的方法，可使用原子層沉積法。原子層沉積法可在無機薄膜層中減少針孔的產生，且該減少作用(減少針孔的產生)係基於自限制反應。原子層沉積法在100℃或更低的低處理溫度下抑制薄膜中形成針孔，並且還促進薄膜的製造，此狀況係較佳的。較佳的是，無機薄膜層以每層約10nm至50nm或更小的厚度沉積。
較佳的是，聚合物薄膜層藉由電漿加強化學氣相沉積法沉積。該方法係較佳的，因為聚合物薄膜可具有緻密結構，極少需要固化，且可改善聚合物性質。較佳的是，聚合物薄膜層以每層約20nm至100nm或更小的厚度沉積。
根據本發明之織物基板藉由將其中堆疊有無機薄膜層及聚合物薄膜層之結構包括在內來保持高可撓性及高氣體 阻斷性。因此，織物基板可應用於可穿戴的顯示器，並且還可應用於可撓性有機電子裝置，進而阻斷氧氣及濕氣，特定而言，該可撓性有機電子裝置諸如有機發光二極體、有機太陽電池或有機薄膜電晶體的各種產品。
實例
藉由使用對包括環氧基的矽烷系樹脂進行積層的轉移法，將平坦化層200堆疊在由聚對苯二甲酸乙二酯及聚對萘二甲酸乙二酯的混合物構成之編織織物基礎材料100上，該平坦化層200具有75μm的厚度。然後，藉由原子層沉積法，將Al2O3形成為無機薄膜層301以具有10nm至50nm的厚度。然後，藉由電漿加強化學氣相沉積法，將叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷形成為聚合物薄膜層302以具有50nm至80nm的厚度。然後，藉由原子層沉積法將Al2O3再次形成為無機薄膜層301以具有10nm至50nm的厚度，製造出織物基板。
為了確認其中形成有平坦化層之織物基板的光滑度是否得到改善，對編織織物基礎材料的側截面及表面的表面粗糙度進行確認之結果作為圖4中之影像示出。根據圖4之(a)所示，平坦化層極均勻地形成，且表面狀態(圖4之(b))相當平滑。如上所述，經確認，編織織物的高表面粗糙度可藉由使用平坦化層來改善。示出了編織織物基礎材料的表面粗糙度，其中形成根據本發明之平坦化層以具有5nm或更小的厚度，且因此隨後屏障層可均勻地形成。
<堅實度之量測>
為了評估織物基板的可撓性，針對製造織物基板之各個步驟量測顯示織物之可撓性程度的堅實度，並且結果在圖5及表1中示出。
堅實度是一種量度，其顯示織物線的剛度及軟度，並且評估對布料之移動的耐性(可撓性)。堅實度影響布料之織構及懸垂性。堅實度藉由懸臂工法(ISO 4064：2011)來量測。懸臂工法將測試樣品放置在成41.5度的斜面上，並且量測測試樣品的前端所觸及之長度。值越小表明堅實度效能越優異。
根據圖5及表1，可發現織物基板的堅實度遠優於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的堅實度，且與編織織物基礎材料的堅實度之差異極小。因此，根據本發明之織物基板可按原樣維持織物的可撓性，且因此可用作用於要求高可撓性的裝置之基板，該裝置諸如為可穿戴顯示器。
<水蒸汽傳輸速率之量測>
然後，評估織物基板的水蒸汽傳輸速率。水蒸汽傳輸速率(WVTR)藉由自MOCON公司市售可得之量測設備(能夠量測至多5×10-3g/m2/天的WVTR)來量測，該量測設備一般在量測期間使用，且結果在圖6中示出。使用該設備的量測原理為：藉由將待分析樣品基板固定在支架上，向一 個表面連續噴灑固定量的濕氣以使樣品基板通過，然後允許感測器獲取在相對側檢測到的濕氣量且對該量進行量化，從而顯示所得值。根據圖6，可發現在實例中製造的織物基板具有5×10-3g/m2/天或更小的水蒸汽傳輸速率，並且即便經過很長時間，該織物基板仍具有優異阻斷效能。
所謂鈣(Ca)測試係與評估組合來執行，以便於以更精確方式來定量量測所測試織物基板之水蒸汽傳輸速率。在圖7中所示的鈣氧化程度係藉由使用用於依照電學性質的變化來量測氧化程度之設備來進行評估。該設備利用一種現象：其中鈣在沉積之後立即攜帶金屬性質，且因此具有導電性，但具有無機材料之性質及非導體之性質，即便在鈣與濕氣鍵合而改性成為氧化鈣之後亦具有高電阻。該方法藉由將預先沉積的電極與在鈣上的織物基板結合且同時面向屏障層，並且藉由向兩個電極施加正電壓來定量分析在時間上隨電阻變化而改變之電流值，量測滲透屏障層的濕氣的量。圖8示出Ca測試結果，且所得水蒸汽傳輸速率根據以下公式計算。因此，在實例中獲得的織物基板的水蒸汽傳輸速率是9×10-4g/m2/天，表示濕氣阻斷效能是優異的。
WVTR=1.54×(36/40.1)×0.001×(δ H)×(24/δ T)
δ H：鈣高度的變化量
δ H：經過的時間(小時)
如上所述，例示性實施例已在圖式及說明書中描述並且說明。選擇且描述例示性實施例以便解釋本發明的某些 原理及其實際應用，進而允許此項技術中其他技藝人士實行並利用本發明之各種例示性實施例以及其各種替代形式及修改形式。自前文描述顯而易見，本發明之某些態樣不受本文說明之實施例的具體細節所限制，且因此可預期，熟習此項技術者將想到其他修改及應用或其等效物。然而，目前構造之許多變化、修改、改變及其他用途及應用將在考慮說明書及圖式之後對於熟習此項技術者變得顯而易見。將所有不背離本發明之精神及範疇之此類變化、修改、改變及其他用途及應用視為由本發明所覆蓋，本發明僅受以下申請專利範圍所限制。

Claims (15)

  1. 一種具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其包含：一不透明編織織物基礎材料；一平坦化層，其形成在該編織織物基礎材料上；及一屏障層，其形成在該平坦化層上；一或複數個無機薄膜層及一或複數個聚合物薄膜層交替堆疊在該屏障層中；其中該聚合物薄膜層由下式1表示之叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷所構成：
  2. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中在該屏障層所包含之複數個層之中，與該平坦化層接觸之一最內層及自該平坦化層間隔開最大限度之一最外層皆為一無機薄膜層。
  3. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中在該屏障層所包含之複數個層之中，與該平坦化層接觸之一最內層及自該平坦化層間隔開 最大限度之一最外層皆為一聚合物薄膜層。
  4. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中在該屏障層中，一無機薄膜層、一聚合物薄膜層及一無機薄膜層依序堆疊在該平坦化層上。
  5. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中該編織織物基礎材料是由以下物質構成之材料所編織而成：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、耐綸、丙烯酸或其混合物。
  6. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中該平坦化層包含選自由矽烷、聚碳酸酯、丙烯酸酯系聚合物、胺系寡聚物及乙烯基系聚合物組成之群的一或複數者。
  7. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中該無機薄膜層由氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、氮碳化物或氮氧碳化物構成，該氧化物、該氮化物、該碳化物、該氮氧化物、該氮碳化物或該氮氧碳化物包括選自由矽、鋁、鈦、鋅、及鋯組成之群的一或複數種金屬元素。
  8. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中該無機薄膜層具有約10nm至50nm的一厚度。
  9. 如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板，其中該聚合物薄膜層具有約20nm至100nm 的一厚度。
  10. 一種用於製造具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板之方法，該方法包括以下步驟：在一不透明編織織物基礎材料上形成一平坦化層；在該平坦化層上將一第一屏障層形成為一無機薄膜層或一聚合物薄膜層；將一第二屏障層形成為一無機薄膜層或一聚合物薄膜層，以使得用於該第二屏障層的材料及用於該第一屏障層的材料交替堆疊在該第一屏障層上；及在該第二屏障層上藉由再次使用與該第一屏障層相同的組態來堆疊一第三屏障層；其中該聚合物薄膜層由下式1表示之叁(三甲基矽氧基)(乙烯基)矽烷所構成：
  11. 如請求項10所記載之用於製造具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板之方法，其進一步包含：一或複數次重複形成該第二屏障層及形成該第三屏障層。
  12. 如請求項10所記載之用於製造具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板之方法，其中該無機薄膜層係藉由原子層沉積法形成。
  13. 如請求項10所記載之用於製造具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板之方法，其中該聚合物薄膜層係藉由電漿加強化學氣相沉積法形成。
  14. 一種可撓性顯示器裝置，其包含如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板。
  15. 一種可撓性照明裝置，其包含如請求項1所記載之具有懸垂特性的可撓性屏障織物基板。
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