TWI645556B - 影像感測器封裝體 - Google Patents
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Abstract
影像感測器封裝體包含介質層，其具有第一表面和相對於第一表面的第二表面。影像感測器封裝體也包含金屬-絕緣體-金屬結構設置於介質層的第一表面上，其中金屬-絕緣體-金屬結構包含第一金屬層、第一絕緣層和第二金屬層，且第一絕緣層設置於第一金屬層與第二金屬層之間。影像感測器封裝體更包含光學濾光片設置於介質層的第二表面上。
Description
本發明是關於影像感測技術，特別是關於具有光學濾光片和金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal，MIM)結構的影像感測器封裝體。
為了捕捉場景的彩色影像，影像感測器必須對廣泛的光譜範圍的光線具有敏感度。影像感測器對於自場景反射的光可產生反應，且能將光的強度轉換為電子訊號。影像感測器，例如電荷耦合元件(charge-coupled device，CCD)影像感測器，或者互補式金屬氧化物半導體場效電晶體(complementary metal-oxide semiconductor，CMOS)影像感測器，一般具有將入射光轉換為電子訊號的光電轉換區。此外，影像感測器具有傳送和處理電子訊號的邏輯電路。
現今，影像感測器廣泛地應用於許多領域以及裝置中，例如光感測器、近接(proximity)感測器、時差測距(time-of-flight，TOF)攝影機、光譜儀(spectrometer)、用於物聯網(Internet of things，IOT)的智能感測器，以及先進駕駛輔助系統(advanced driver assistance systems，ADAS)的感測器。
雖然現存的影像感測器封裝體已足夠應付它們原先預定的用途，但它們仍未在各個方面皆徹底的符合要求，因
此影像感測器封裝體目前仍有需克服的問題。
根據本發明的一些實施例，影像感測器封裝體具有設置於光電轉換區上的光學濾光片和金屬-絕緣體-金屬結構。光學濾光片可吸收不預期被傳送至影像感測器封裝體之光電轉換區的光，增加信號對雜訊(signal to noise，S/N)的比值。此外，金屬-絕緣體-金屬結構可窄化穿透至光電轉換區的光的半峰全寬(full width at half maximum，FWHM)。結果，影像感測器封裝體可產生較高的信號對雜訊(S/N)的比值。再者，金屬-絕緣體-金屬結構可幫助降低影像感測器封裝體的藍位移(blue shift)，以及減少大角度之入射光的角響應(angular response)的衰退。另外，由於金屬-絕緣體-金屬結構的厚度夠薄，可降低影像感測器封裝體的整體尺寸。
根據一些實施例，提供影像感測器封裝體。影像感測器封裝體包含介質層，其具有第一表面和相對於第一表面的第二表面。影像感測器封裝體也包含設置於介質層的第一表面上的金屬-絕緣體-金屬結構，其中金屬-絕緣體-金屬結構包含第一金屬層、第一絕緣層和第二金屬層，且第一絕緣層係設置於第一金屬層與第二金屬層之間。影像感測器封裝體更包含設置於介質層的第二表面上的光學濾光片。
以下實施例配合所附圖式將提供更詳細的說明。
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f‧‧‧影像感測器封裝體
101‧‧‧半導體基底
101B‧‧‧背面
101F‧‧‧正面
103‧‧‧光電轉換區
105‧‧‧高介電常數膜
107‧‧‧第一金屬層
109‧‧‧第一絕緣層
111‧‧‧第二金屬層
115‧‧‧金屬-絕緣體-金屬結構
117‧‧‧間隙物層
119‧‧‧空腔
121‧‧‧蓋板
123、130a、130b‧‧‧介質層
125‧‧‧光學濾光片
127‧‧‧黏著層
150‧‧‧電路板
160‧‧‧導電結構
170‧‧‧支架
180‧‧‧濾光片
190‧‧‧透鏡
200‧‧‧影像感測器模組
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7‧‧‧厚度
藉由以下的詳細說明配合所附圖式，我們能更加理解本發明的實施例，其中：
第1A圖是根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體的部分剖面示意圖；第1B圖是根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體的部分剖面示意圖；第1C圖是根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體的部分剖面示意圖；第1D圖是根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體的部分剖面示意圖；第1E圖是根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體的部分剖面示意圖；第1F圖是根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體的部分剖面示意圖；第2圖是根據一些實施例，顯示包含第1A-1F圖之影像感測器封裝體的影像感測器模組的剖面示意圖；第3圖是根據一些實施例，顯示不同厚度之光學濾光片的穿透特性圖；第4A圖是根據一些實施例，顯示金屬-絕緣體-金屬結構的標準化角響應特性圖；第4B和4C圖是根據一些實施例，顯示第1A-1F圖之X-Z面上金屬-絕緣體-金屬結構的模擬電場圖。第4B圖顯示當入射角為0度時，金屬-絕緣體-金屬結構的電場分布，第4C圖顯示當入射角為30度時，金屬-絕緣體-金屬結構的電場分布；第5圖是根據一些實施例，顯示金屬-絕緣體-金屬結構的穿透特性圖；
第6A和6B圖是根據一些實施例，顯示第1A-1F圖之X-Z面上影像感測器封裝體的模擬電場圖。第6A圖顯示當入射光的波長為670nm時，影像感測器封裝體的電場分布，第6B圖顯示當入射光的波長為940nm時，影像感測器封裝體的電場分布；以及第7圖是根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體的穿透特性圖。
以下描述為實行本發明實施例的詳細方式，此描述內容是為了說明本發明實施例的基本概念，而非用於限定本發明的範圍，本發明的保護範圍當以所附申請專利範圍為準。
參閱第1A圖，根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體100a的部分剖面示意圖。一些實施例中，影像感測器封裝體100a為互補式金氧半場效電晶體(CMOS)影像感測器(CMOS image sensor，CIS)封裝體。影像感測器封裝體100a包含半導體基底101，例如矽晶圓或晶片。半導體基底101具有複數個光電轉換區103，且每一個光電轉換區103可包含一個光電轉換元件，例如光電二極體。雖然第1A圖僅顯示一個光電轉換區103，然而影像感測器封裝體100a實際上可具有多個排成陣列的光電轉換區103。
半導體基底101的背面101B通常具有光電轉換區103形成於其上，而半導體基底101的正面101F通常具有影像感測器封裝體100a所需的各種導線和電子電路的導線層(未繪示)形成於其上。一些實施例中，影像感測器封裝體100a為
背照式(backside illumination，BSI)影像感測封裝體。在背照式(BSI)影像感測封裝體中，半導體基底101的背面101B，即具有光電轉換區103形成於其上的表面，係靠近影像感測器封裝體100a接收光的表面，而半導體基底101的正面101F，即具有導線層形成於其上的表面，係遠離影像感測器封裝體100a接收光的表面。
一些實施例中，影像感測器封裝體100a的半導體基底101被翻轉以作為前照式(front-side illumination，FSI)影像感測封裝體。在前照式(FSI)影像感測封裝體中，半導體基底101的正面101F，即具有導線層形成於其上的表面，係靠近影像感測器封裝體100a接收光的表面，而半導體基底101的背面101B，即具有光電轉換區103形成於其上的表面，係遠離影像感測器封裝體100a接收光的表面。在第1A圖所示之實施例中，影像感測器封裝體100a為背照式(BSI)影像感測封裝體。
如第1A圖所示，根據一些實施例，影像感測器封裝體100a更包含形成於半導體基底101上且覆蓋光電轉換區103的高介電常數(high-k)膜105。高介電常數膜105可採用沈積製程，由二氧化鉿(HfO2)、氧化鉿鉭(HfTaO)、氧化鉿鈦(HfTiO)、氧化鉿鋯(HfZrO)、五氧化二鉭(Ta2O5)或其他合適的高介電常數之介電材料形成。高介電常數膜105具有高折射率，例如為2至2.5。
一些實施例中，影像感測器封裝體100a包含形成於高介電常數膜105上的金屬-絕緣體-金屬結構(MIM)115。金
屬-絕緣體-金屬結構115包含第一金屬層107、第一絕緣層109和第二金屬層111。第一絕緣層109係夾設於第一金屬層107與第二金屬層111之間。雖然第1A圖僅顯示金屬-絕緣體-金屬結構115中的三層，然而金屬-絕緣體-金屬結構115可超過三層。舉例而言，金屬-絕緣體-金屬結構115可為五層的結構，此結構係更包括第二絕緣層(未繪示)和第三絕緣層(未繪示)，且第一金屬層107、第一絕緣層109和第二金屬層111係夾設於第二絕緣層與第三絕緣層之間。在金屬-絕緣體-金屬結構115中，金屬層和絕緣層係交錯排列。
一些實施例中，第一金屬層107和第二金屬層111可由銀(Ag)製成，且第一絕緣層109、第二絕緣層(未繪示)和第三絕緣層(未繪示)係由非晶矽製成。第一金屬層107具有厚度T1，第一絕緣層109具有厚度T2，以及第二金屬層111具有厚度T3。厚度T1和厚度T3皆小於厚度T2。如第1A圖所示，厚度T1、T2和T3的總和定義為金屬-絕緣體-金屬結構115的總厚度T4。
在其他實施例中，提供五層的金屬-絕緣體-金屬結構。在此實施例中，五層的金屬-絕緣體-金屬結構更包含第二和第三絕緣層，第一金屬層107和第二金屬層111由銀製成，且第一絕緣層109、第二絕緣層和第三絕緣層由非晶矽製成。厚度T1約為20nm，厚度T2約為352.8nm，厚度T3約為24nm，以及第二和第三絕緣層分別具有約77nm和約96.8nm的厚度。結果，五層的金屬-絕緣體-金屬結構的總厚度很薄，約為571nm。
再參見第1A圖，在金屬-絕緣體-金屬結構115上設置間隙物層117(或圍堰(dam))，且間隙物層117環繞空腔119。再者，至少一部份的光電轉換區103未被間隙物層117所覆蓋，且空腔119係設置於前述之部分的光電轉換區103的正上方。一些實施例中，蓋板121係設置於間隙物層117和空腔119上，且蓋板121可為透明材料。明確而言，蓋板121可由玻璃、透明塑膠材料或其他合適之材料製成。總而言之，金屬-絕緣體-金屬結構115、間隙物層117和蓋板121將空腔119密封。間隙物層117、空腔119和蓋板121組成介質層130a。
一些實施例中，間隙物層117可由無機材料製成，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、金屬氧化物或前述之組合；或者由有機高分子材料製成，例如環氧樹脂(epoxy resin)、聚醯亞胺(polyimide)、苯環丁烯(butylcyclobutene，BCB)、聚對二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、碳化氟(fluorocarbons)、丙烯酸酯(acrylates)、光阻材料或其他合適的絕緣材料。蓋板121可由任何合適的材料製成，包含玻璃、塑膠、丙烯酸(acrylic)、藍寶石(sapphire)及前述之組合，但不限於此。一些實施例中，蓋板121具有厚度T5，其在約200μm至約500μm的範圍內。此外，蓋板121的折射率約為1.55。
如第1A圖所示，影像感測器封裝體100a更包含設置於蓋板121上的光學濾光片125。一些實施例中，光學濾光片125可為藍光穿透的濾光片、綠光穿透的濾光片、紅光穿透的濾光片或紅外線(IR)穿透的濾光片。一些實施例中，光學濾光片125由光阻材料和光阻材料中混合的染料(pigment)製
成，且光阻材料可為有機材料。此外，光學濾光片125具有厚度T6，其在約1μm至約20μm的範圍內，特別是在約10μm至約20μm的範圍內。
一些實施例中，蓋板121的厚度T5大於光學濾光片125的厚度T6，且光學濾光片125的厚度T6大於金屬-絕緣體-金屬結構115的總厚度T4。
第1A圖的影像感測器封裝體100a包含設置於光電轉換區103上的光學濾光片125和金屬-絕緣體-金屬結構115，且光學濾光片125和金屬-絕緣體-金屬結構115係設置於介質層130a的相對兩側上。明確而言，金屬-絕緣體-金屬結構115係設置於光電轉換區103與介質層130a之間。
光學濾光片125可吸收不預期被傳送至光電轉換區103的光，藉此增加信號對雜訊(S/N)的比值。換言之，前述不預期的光的穿透率(亦稱為穿透度)可藉由光學濾光片125而減少。此外，金屬-絕緣體-金屬結構115可窄化穿透至光電轉換區103的光的半峰全寬(FWHM)。結果，影像感測器封裝體100a可產生較高的信號對雜訊(S/N)的比值。再者，金屬-絕緣體-金屬結構115可幫助降低影像感測器封裝體100a的藍位移，以及減少大角度之入射光的角響應的衰退。另外，由於金屬-絕緣體-金屬結構115的厚度夠薄，影像感測器封裝體100a的整體尺寸不至於增加太多。
參閱第1B圖，根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體100b的部分剖面示意圖。在第1B圖的實施例中，黏著層127(例如透明膠)取代第1A圖的間隙物層117和空腔119，
且黏著層127和蓋板121組成介質層130b。此外，在第1B圖的實施例中，金屬-絕緣體-金屬結構115和光學濾光片125的位置與第1A圖的實施例相同，並未改變。一些實施例中，金屬-絕緣體-金屬結構115藉由黏著層127黏附於蓋板121上。影像感測器封裝體100b的一些組件與第1A圖所示之影像感測器封裝體100a的組件相似，在此為了簡化便不重複。
參閱第1C圖，根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體100c的部分剖面示意圖。在第1C圖的實施例中，由透明材料製成的介質層123取代第1B圖中的蓋板121和黏著層127，且透明材料的折射率在約1.2至約1.6的範圍內。此外，在第1C圖的實施例中，金屬-絕緣體-金屬結構115和光學濾光片125的位置與第1B圖的實施例相同，並未改變。一些實施例中，介質層123具有厚度T7，其在約100μm至約400μm的範圍內。介質層123的厚度T7大於光學濾光片125的厚度T6，且光學濾光片125的厚度T6大於金屬-絕緣體-金屬結構115的總厚度T4。影像感測器封裝體100c的一些組件相似於第1B圖所示之影像感測器封裝體100b的組件，在此為了簡化便不重複。
參閱第1D圖，根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體100d的部分剖面示意圖。相較於第1B圖之影像感測器封裝體100b，第1D圖之影像感測器封裝體100d的金屬-絕緣體-金屬結構115與光學濾光片125交換位置。明確而言，光學濾光片125係夾設於光電轉換區103上的高介電常數膜105與蓋板121下的黏著層127之間。此外，金屬-絕緣體-金屬結
構115係設置於介質層130b的蓋板121上。影像感測器封裝體100d的一些組件相似於第1B圖所示之影像感測器封裝體100b的組件，在此為了簡化便不重複。
參閱第1E圖，根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體100e的部分剖面示意圖。相較於第1C圖之影像感測器封裝體100c，第1E圖之影像感測器封裝體100e的金屬-絕緣體-金屬結構115與光學濾光片125交換位置。明確而言，光學濾光片125係夾設於光電轉換區103上的高介電常數膜105與介質層123之間。此外，金屬-絕緣體-金屬結構115係設置於介質層123上。影像感測器封裝體100e的一些組件相似於第1C圖所示之影像感測器封裝體100c的組件，在此為了簡化便不重複。
參閱第1F圖，根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體100f的部分剖面示意圖。在第1F圖的實施例中，影像感測器封裝體100f的介質層130b係設置於光學濾光片125上，且金屬-絕緣體-金屬結構115係夾設於光電轉換區103上的高介電常數膜105與光學濾光片125之間。此外，介質層130b的蓋板121藉由黏著層127黏附於光學濾光片125上。影像感測器封裝體100f的一些組件與第1B圖所示之影像感測器封裝體100b的組件相似，在此為了簡化便不重複。
參閱第2圖，根據一些實施例，顯示影像感測器模組200的剖面示意圖。一些實施例中，影像感測器封裝體100可為像感測器封裝體100a、100b、100c、100d、100e、100f中任一者，且藉由複數個導電結構160(例如焊球、凸塊或導電
柱)安裝於電路板150上。影像感測器封裝體100經由導電結構160與電路板150電性連接。
如第2圖所示，影像感測器模組200更包含支架170、濾光片180和透鏡190。支架170具有容置空間，使得濾光片180和透鏡190設置於支架170的容置空間中，並固定於支架170上。因此，影像感測器模組200為定焦(fixed-focus)裝置。支架170的容置空間更可容納電路板150上的影像感測器封裝體100。容置空間內的濾光片180位於透鏡190與影像感測器封裝體100之間，且濾光片180與影像感測器封裝體100之間具有空隙。一些實施例中，濾光片180由透光材料(例如玻璃)以及藉由形成於透光材料上的濾光層所製成。明確而言，濾光片180可為第1A圖的蓋板121，且支架170可為第1A圖的間隙物層117。一些實施例中，濾光片180係用於消除影像雜訊。再者，透鏡190可由單一透鏡或多重透鏡組所形成。為了簡化圖式，在此僅繪示平的濾光片180和透鏡190。影像感測器模組200的結構可視設計需求而定，未限於此。舉例而言，在其他實施例中，影像感測器模組200可為變焦(variable focus)裝置。
參閱第3圖，根據一些實施例，顯示不同厚度之光學濾光片125的穿透特性圖。如前所述，光學濾光片125可降低不預期被傳送至影像感測器封裝體100之光電轉換區103的光的穿透率。舉例而言，對於預期作為紅外線(IR)影像感測器封裝體的影像感測器封裝體100而言，波長範圍在約380nm至約750nm的可見光在抵達紅外線(IR)影像感測器封裝體的
光電轉換區103之前會被濾掉。亦即，可見光無法穿透至紅外線(IR)影像感測器封裝體的光電轉換區103，以及可見光的穿透率近乎0。在以下所述的實施例中，使用紅外線(IR)影像感測器封裝體以示範影像感測器封裝體100的前述特性。
在作為紅外線(IR)影像感測器封裝體的影像感測器封裝體100中，使用紅外線(IR)穿透濾光片作為光學濾光片125。光學濾光片125(即紅外線(IR)穿透濾光片)的厚度越厚，可抵達之可見光的穿透率越低。如第3圖所示，厚度為20μm和7μm的光學濾光片125(即紅外線(IR)穿透濾光片)可完全濾掉入射光中的可見光，但仍有一小部分的可見光穿透厚度為1μm的光學濾光片125。
參閱第4A圖，根據一些實施例，顯示金屬-絕緣體-金屬結構115的標準化角響應特性圖。如前所述，金屬-絕緣體-金屬結構115可減少大角度之入射光的角響應的衰退。如第4A圖所示，以波長為940nm的入射光來看，當入射角在0度至約15度的範圍內時，標準化角響應的值維持在1，以及當入射角增加至30度時，標準化角響應的值輕微地下降至約0.95。
參閱第4B和4C圖，根據一些實施例，顯示第1A-1F圖之X-Z面上金屬-絕緣體-金屬結構115的模擬電場圖。明確而言，第4B圖顯示當入射角為0度時，金屬-絕緣體-金屬結構115的電場分布，以及第4C圖顯示當入射角為30度時，金屬-絕緣體-金屬結構115的電場分布。光電轉換區103的寬度約為1μm，此寬度與第4B和4C圖的X軸座標刻度互相對
應。光電轉換區103的位置在Z=0之處，且入射光的方向為自Z>0往Z=0的方向。此外，右側的長條代表電場強度，且電場強度係以平方伏特/平方公尺(V/m)2為單位進行測量。
如第4B和4C圖所示，入射光的電場強度均勻地分布於Z=0.7與Z=0之間的區域內，代表入射光可順利地抵達影像感測器封裝體100的光電轉換區103。此外，相較於第4B圖之電場分布，第4C圖顯示在入射角為30度時電場強度僅些微地降低。
參閱第5圖，根據一些實施例，顯示金屬-絕緣體-金屬結構115的穿透特性圖。如前所述，金屬-絕緣體-金屬結構115可窄化穿透至光電轉換區103的光的半峰全寬(FWHM)，以及降低藍位移。如第5圖所示，入射光之穿透率的頻帶寬度(band width)係狹窄的，且金屬-絕緣體-金屬結構115表現出非常小的藍位移，僅有7nm。
參閱第6A和6B圖，根據一些實施例，顯示第1A-1F圖之X-Z面上影像感測器封裝體100的模擬電場圖。第6A圖顯示當入射光的波長為670nm時，影像感測器封裝體的電場分布，第6B圖顯示當入射光的波長為940nm時，影像感測器封裝體的電場分布。如先前所述，光電轉換區103的寬度約為1μm，此寬度與第6A和6B圖的X軸座標刻度互相對應。光電轉換區103的位置在Z=0之處，且入射光的方向為自Z>0往Z=0的方向。此外，右側的長條代表電場強度，且電場強度係以平方伏特/平方公尺(V/m)2為單位進行測量。
如的6A圖所示，作為紅外線(IR)影像感測器封裝
體的影像感測器封裝體100的金屬-絕緣體-金屬結構115和光學濾光片125完全濾掉短波長的入射光，例如670nm。亦即，波長為670nm的入射光並未穿透至影像感測器封裝體100的光電轉換區103(位於Z=0之處)。另外，如第6B圖所示，長波長的入射光，例如紅外線(IR)區域的940nm，順利地穿透至影像感測器封裝體100的光電轉換區103(位於Z=0之處)。
參閱第7圖，根據一些實施例，顯示影像感測器封裝體100的穿透特性圖。如前所述，由於影像感測器封裝體100包含金屬-絕緣體-金屬結構115和光學濾光片125，可降低不預期的光的穿透率(亦即增加信號對雜訊(S/N)的比值)，可減少預期被傳送至光電轉換區103的光的半峰全寬(FWHM)(亦即可窄化穿透之光的頻帶寬度)。結果，影像感測器封裝體100可產生較高的信號對雜訊(S/N)的比值，此功效可由第7圖所證明。此外，可避免或減少藍位移的影響。舉例而言，如第7圖所示，影像感測器封裝體100表現出非常小的藍位移，僅有7nm。
雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，在此技術領域中具有通常知識者當可瞭解，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
Claims (12)
- 一種影像感測器封裝體，包括：一介質層，具有一第一表面和相對於該第一表面的一第二表面；一金屬-絕緣體-金屬結構，設置於該介質層的該第一表面上，其中該金屬-絕緣體-金屬結構包括一第一金屬層、一第一絕緣層和一第二金屬層，且該第一絕緣層係設置於該第一金屬層與該第二金屬層之間；一光學濾光片，設置於該介質層的該第二表面上；一半導體基底，具有一光電轉換區；以及一高介電常數膜，設置於該半導體基底上且覆蓋該光電轉換區，其中該高介電常數膜係設置於該金屬-絕緣體-金屬結構與該半導體基底之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該光學濾光片為紅外線穿透、紅光穿透、綠光穿透或藍光穿透的濾光片，且該光學濾光片的厚度在10μm至20μm的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層係設置於該半導體基底上，且該金屬-絕緣體-金屬結構係設置於該半導體基底與該光學濾光片之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層係設置於該半導體基底上，且該光學濾光片係設置於該半導體基底與該金屬-絕緣體-金屬結構之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層包括一間隙物層、一空腔和一透明材料，該透明材料係設置於該間隙物層與該光學濾光片之間，且該間隙物層、該金屬-絕緣體-金屬結構和該透明材料將該空腔密封。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層包括一黏著層和一透明材料，該透明材料係設置於該黏著層上且位於該光學濾光片與該半導體基底之間，且該黏著層係設置於該金屬-絕緣體-金屬結構上。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層包括一黏著層和一透明材料，該透明材料係設置於該黏著層上且位於該金屬-絕緣體-金屬結構與該半導體基底之間，且該黏著層係設置於該光學濾光片上。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層包括一透明材料，且該透明材料的折射率在1.2至1.6的範圍內，且其中該介質層係設置於該金屬-絕緣體-金屬結構上，且該金屬-絕緣體-金屬結構係設置於該介質層與該半導體基底之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層包括一透明材料，且該透明材料的折射率在1.2至1.6的範圍內，且其中該介質層係設置於該光學濾光片上，且該光學濾光片係設置於該介質層與該半導體基底之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該第一金屬層和該第二金屬層由銀製成，且該第一絕緣層由非晶矽製成，以及其中該第一金屬層具有一第一厚度，該第二金屬層具有一第二厚度，該第一絕緣層具有一第三厚度，且該第三厚度大於該第一厚度和該第二厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該金屬-絕緣體-金屬結構更包括一第二絕緣層和一第三絕緣層，且該第一金屬層、該第一絕緣層和該第二金屬層係設置於該第二絕緣層與該第三絕緣層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝體，其中該介質層的厚度大於該金屬-絕緣體-金屬結構的厚度，且該光學濾光片的厚度大於該金屬-絕緣體-金屬結構的厚度。
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