TWI643049B - 用於產生溫度補償參考電壓之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於產生一溫度補償參考電壓之裝置及方法。該裝置藉由分別控制(經由負回饋)跨電流流經之單獨電阻器之電壓而產生實質上相等的溫度補償電流。溫度補償電流中之兩者係藉由將一絕對溫度補充(CTAT)電流(ICTAT)與一正比於絕對溫度(PTAT)電流(IPTAT)組合(例如，求和)而形成。藉由將另一該溫度補償電流組態為流經一輸出電阻器來產生一參考電壓VREF。

Description

用於產生溫度補償參考電壓之裝置及方法
本發明之態樣大體係關於產生溫度補償參考電壓，且更特定言之，係關於藉由跨電阻器施加經控制電壓而產生溫度補償電流的溫度補償參考電壓產生器。
帶隙參考電壓源產生在所界定之(極寬)溫度範圍內實質上恆定的參考電壓VREF。在離散電路或積體電路(IC)應用中，參考電壓VREF用於許多應用中，諸如用於基於參考電壓對供電電壓進行調節之電壓調節。
所產生之帶隙參考電壓通常約1.2伏特，此係因為電壓之源係基於矽在零(0)度克耳文下之1.22eV帶隙。由於帶隙參考電壓VREF為約1.2伏特，因此帶隙參考電壓源需要大於1.2伏特之供電電壓(諸如1.4伏特供電電壓)來適應(例如)用於使帶隙參考電壓偏壓之場效電晶體(FET)的200毫伏特(mV)汲極至源極電壓Vds。
目前，由於用於IC中之FET之大小的繼續減小及降低功率消耗之進一步需求，許多電路用低於1.2伏特之帶隙電壓的供電電壓操作。回應於此需要，帶隙參考電壓源已設計成用低於1.2伏特之供電電壓操作。
以下呈現一或多個實施例之簡化概述，以便提供對此等實施例之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，而是既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲描繪任何或所有實施例之範疇。其唯一目的在於以簡化形式呈現一或多個實施例的一些概念以作為稍後呈現之更詳細描述的序言。
本發明之一態樣係關於一種經組態以產生一溫度補償參考電壓之裝置。該裝置包括電阻器之第一集合及第二集合；一電流產生器，其經組態以產生流經一或多個電阻器之該第一集合的一第一溫度補償電流，其中一第一電壓係基於該第一溫度補償電流，跨一或多個電阻器之該第一集合產生；一控制電路，其經組態以跨一或多個電阻器之該第二集合產生一第二電壓，其中該第二電壓係基於該第一電壓，且其中基於該第二電壓產生流經電阻器之該第二集合的一第二溫度補償電流；及一或多個電阻器之一第三集合，該第二溫度補償電流流經該第三集合，其中該溫度補償參考電壓係基於該第二溫度補償電流，跨一或多個電阻器之該第三集合產生。
本發明之另一態樣係關於一種用於產生一溫度補償參考電壓之方法。該方法包括：產生流經一或多個電阻器之一第一集合的一第一溫度補償電流，其中一第一電壓係基於該第一溫度補償電流，跨一或多個電阻器之該第一集合產生；跨一或多個電阻器之一第二集合產生一第二電壓，其中該第二電壓係基於該第一電壓，且其中基於該第二電壓產生流經電阻器之該第二集合的一第二溫度補償電流；及施加該第二溫度補償電流使其流經一或多個電阻器之一第三集合，其中該溫度補償參考電壓係跨一或多個電阻器之該第三集合產生。
本發明之另一態樣係關於一種經組態以產生一溫度補償參考電壓之裝置。該裝置包含：用於產生流經一或多個電阻器之一第一集合的一第一溫度補償電流的構件，其中一第一電壓係基於該第一溫度補償電流，跨一或多個電阻器之該第一集合產生；用於跨一或多個電阻器之一第二集合產生一第二電壓的構件，其中該第二電壓係基於該第一電壓，且其中基於該第二電壓產生流經電阻器之該第二集合的一第二溫度補償電流；及用於施加該第二溫度補償電流使其流經一或多個電阻器之一第三集合的構件，其中該溫度補償參考電壓係跨一或多個電阻器之該第三集合產生。
為實現前述及相關之目的，一或多個實施例包括在下文充分描述且特別地在申請專利範圍中指出的特徵。以下描述及附加圖式詳細闡述該一或多個實施例之特定說明性態樣。然而，此等態樣僅指示可供各種實施例之原理採用的各種方式中之少數方式，且描述實施例意欲包括所有此等態樣及其等效物。
100‧‧‧裝置
110‧‧‧子電路
120‧‧‧子電路
125‧‧‧二極體組
130‧‧‧運算放大器
140‧‧‧子電路
200‧‧‧裝置
240‧‧‧子電路
245‧‧‧運算放大器
300‧‧‧裝置/參考電壓源
310‧‧‧子電路
320‧‧‧子電路
340‧‧‧子電路
400‧‧‧裝置
410‧‧‧子電路
420‧‧‧子電路
425‧‧‧二極體組
440‧‧‧子電路
500‧‧‧方法
502‧‧‧區塊
504‧‧‧區塊
506‧‧‧區塊
D1‧‧‧二極體
D21‧‧‧並聯二極體
D2N‧‧‧並聯二極體
I1‧‧‧電流
I2‧‧‧電流
I3‧‧‧電流
ICTAT‧‧‧絕對溫度補充(CTAT)電流
IPTAT‧‧‧正比於絕對溫度(PTAT)電流
M1‧‧‧場效電晶體(FET)
M2‧‧‧場效電晶體(FET)
M3‧‧‧場效電晶體(FET)
M4‧‧‧場效電晶體(FET)
M10‧‧‧場效電晶體(FET)
Q1‧‧‧雙極電晶體
Q21‧‧‧並聯的連接有二極體之雙極電晶體
Q2N‧‧‧並聯的連接有二極體之雙極電晶體
R1‧‧‧電阻器
R2‧‧‧電阻器
R3‧‧‧電阻器
R4‧‧‧電阻器
R5‧‧‧電阻器
R6‧‧‧電阻器
R7‧‧‧電阻器
R11‧‧‧電阻器
R12‧‧‧電阻器
R21‧‧‧電阻器
R22‧‧‧電阻器
R31‧‧‧電阻器
R32‧‧‧電阻器
R41‧‧‧電阻器
R42‧‧‧電阻器
R43‧‧‧電阻器
R44‧‧‧電阻器
R45‧‧‧電阻器
R46‧‧‧電阻器
R47‧‧‧電阻器
R48‧‧‧電阻器
R51‧‧‧電阻器
R52‧‧‧電阻器
R53‧‧‧電阻器
R54‧‧‧電阻器
R61‧‧‧電阻器
R62‧‧‧電阻器
R63‧‧‧電阻器
R64‧‧‧電阻器
R65‧‧‧電阻器
R66‧‧‧電阻器
R67‧‧‧電阻器
R68‧‧‧電阻器
VA‧‧‧電壓
VB‧‧‧電壓
VC‧‧‧電壓
Vdd‧‧‧第一電壓軌/供電電壓
VREF‧‧‧溫度補償參考電壓
VSB‧‧‧偏壓電壓
圖1說明根據本發明之一態樣的用於產生溫度補償參考電壓之例示性裝置的示意圖。
圖2說明根據本發明之另一態樣的用於產生溫度補償參考電壓之另一例示性裝置的示意圖。
圖3說明根據本發明之另一態樣的用於產生溫度補償參考電壓之又一例示性裝置的示意圖。
圖4說明根據本發明之另一態樣的用於產生溫度補償參考電壓之再一例示性裝置的示意圖。
圖5說明根據本發明之另一態樣的產生溫度補償參考電壓之例示性方 法的流程圖。
相關申請案之交互參考
本申請案主張2015年12月15日在美國專利商標局申請之非臨時申請案第14/970,265號的優先權及權益。
下文結合附圖所闡述之詳細描述意欲作為對各種組態之描述，且不意欲表示於其中可實踐本文中所描述之概念的唯一組態。出於提供對各種概念的透徹理解之目的，詳細描述包括特定細節。然而，熟習此項技術者將顯而易見：可在無此等具體細節之情況下實踐此等概念。在一些情況下，熟知結構及組件係以方塊圖形式展示，以便避免混淆此類概念。
圖1說明根據本發明之一態樣的用於產生溫度補償參考電壓VREF之例示性裝置100的示意圖。
裝置100包括用於產生絕對溫度補充(CTAT)電流ICTAT(例如，負溫度係數電流)之子電路110。子電路110包括場效電晶體(FET)M1、電阻器R4，及二極體D1。可藉由p通道金屬氧化物半導體(PMOS)FET實施之FET M1串聯於電阻器R4與二極體D1之並聯耦接而耦接於第一電壓軌(例如，Vdd)與第二電壓軌(例如，接地)之間。充當電流源之FET M1經組態以產生電流I1，該電流在電阻器R4與二極體D1之間分流。跨二極體D1形成之電壓VA具有負溫度係數，例如，CTAT電壓。電壓VA亦跨電阻器R4。因此，ICTAT電流經形成流過電阻器R4。
裝置100包括用於產生正比於絕對溫度(PTAT)電流之子電路120。子電路120包括電阻器R5及R6、N個並聯二極體D21至D2N之二極體組125、運算放大器(operational amplifier/Op Amp)130，及FET M2。FET M2、電阻器R5，及二極體組125串聯耦接於Vdd與接地之間。可藉由 PMOS FET實施之FET M2亦串聯於電阻器R6而耦接於Vdd與接地之間。運算放大器130包括經組態以接收跨二極體D1之電壓VA的負輸入端子、經組態以接收跨電阻器R5及二極體組125之串聯連接之電壓VB的正輸入端子，及耦接至FET M1及M2之閘極的輸出端子。
經由負回饋控制，運算放大器130控制流經FET M1及M2之電流I1及I2(經由其各別閘極電壓)，使得電壓VB係基於電壓VA(例如，實質上彼此相等，VB=VA)。由於FET M1及M2經組態以具有相同大小，且其閘極亦耦接至一起以形成電流鏡，因此電流I1及I2亦大體上相同。由於電壓VA及VB相同，且電阻器R4及R6經組態以具有大體上相同的電阻，因此流經電阻器R6之電流亦為ICTAT電流，例如，與流經電阻器R4之電流ICTAT大體上相同。
因此，流經二極體D1之電流與流經二極體組125之N個並聯二極體D21至D2N的經組合電流大體上相同。二極體組125之二極體D21及D2N的每一者經組態與二極體D1大體上相同。因此，因為流經二極體D1之相同電流在二極體組125之N個二極體中分流，所以流經二極體組125之二極體中之每一者的電流密度為小於流經二極體D1之電流密度的因子N。由於電流密度差，二極體組125產生不同於跨二極體D1之CTAT電壓的一CTAT電壓。因此，跨電阻器R5產生具有正溫度係數之電壓(例如，PTAT電壓)。此產生流經電阻器R5之電流IPTAT。
由FET M2產生之電流I2為電流IPTAT及ICTAT之組合(例如，總和)。因此，藉由適當選擇R4、R5及R6之電阻，電流I2可經組態在所界定之溫度範圍內為實質上恆定的。
裝置100進一步包括經組態以基於流經M2之溫度補償電流I2產生溫 度補償參考電壓VREF的子電路140。子電路140包括FET M3及電阻器R1。溫度補償電流I2經由FET M2及M3之電流鏡組態進行鏡像(例如，FET經組態以具有大體上相同的大小及相同的閘極至源極電壓Vgs)，以形成溫度補償電流I3。亦可藉由PMOS FET實施之FET M3串聯於電阻器R7而耦接於Vdd與接地之間，此產生流經電阻器R7之溫度補償電流I3，以形成溫度補償參考電壓VREF。
因此，為恰當地操作裝置100，由電流源M1、M2及M3產生之電流I1、I2及I2應大體上相同。然而，歸因於供電電壓Vdd相對較低(例如，低於1V)，FET M1及M2之汲極至源極電壓Vds可歸因於電壓VA及VB隨溫度降低而增大而變得相對較小。在此情況下，FET M1及M2之Vds可顯著小於FET M3之Vds；且因此，FET M1及M2可具有不同於FET M3之輸出阻抗的輸出阻抗。此在電流I3與電流I1及I2之間產生電流失配，其產生參考電壓VREF之誤差。
電流I1、I2及I3間的額外失配可能由歸因於製程變化的FET M1、M2及M3之失配導致。
圖2說明根據本發明之另一態樣的用於產生溫度補償參考電壓VREF之另一例示性裝置200的示意圖。裝置200經組態以解決與具有不同汲極至源極電壓Vds之FET M1、M2及M3相關聯的問題；且因此，解決與產生電流I1、I2及I3中之電流失配的不同輸出阻抗相關聯的問題。裝置200類似於裝置100，但包括經修改之參考電壓VREF產生子電路240，其具有用以確保跨電流源FET M1、M2及M3之電壓大體上相同的額外控制電路。
詳言之，除FET M3及電阻器R7以外，子電路240包括運算放大器245及FET M4。運算放大器245包括經組態以接收電壓VB之正輸入端、耦 接至FET M3之汲極的負輸入端，及耦接至FET M4之閘極的輸出端。可藉由PMOS FET實施之FET M4耦接於FET M3與電阻器R7之間。參考電壓VREF在FET M4之汲極處產生。
歸因於負回饋，運算放大器245控制FET M4之閘極，使得電壓VC與電壓VB大體上相同。因此，跨電流源FET M1、M2及M3之電壓大體上相同。
儘管此為對圖1中所示之裝置100的改良，但歸因於電流源FET M1、M2及M3之間的失配，參考電壓VREF中仍存在誤差。亦即，即使可經由藉由運算放大器130及245及FET M4提供之負回饋控制使得跨FET M1、M2及M3之電壓大體上相同，但分別流經FET M1、M2及M3之電流I1、I2及I2可歸因於由製程變化所造成的其跨導增益之差而不同。此產生不同電流I1、I2及I3，其在參考電壓VREF中產生誤差。此誤差隨著供電電壓Vdd降低而變為愈加普遍。
圖3說明根據本發明之另一態樣的用於產生溫度補償參考電壓VREF之又一例示性裝置300的示意圖。裝置300後的概念源自電阻器可製得比FET更恆定的事實；且因此，相比於FET，可達成電阻器之間的較佳匹配。因此，裝置300後的概念會將電流源M1、M2及M3替換為其各別電阻器R1、R2及R3(實質上具有相等電阻)，且使用運算放大器130及245來施加負回饋控制，以跨電阻器R1、R2及R3施加大體上相同的電壓。此確保所產生的分別流經電阻器R1、R2及R3之電流I1、I2及I3大體上相同，其導致參考電壓VREF之誤差顯著減小。
詳言之，裝置300包括經組態以產生ICTAT電流之子電路310，經組態以產生IPTAT電流之子電路320，及經組態以產生溫度補償參考電壓VREF之 子電路340。子電路310、320及340分別類似於裝置200之子電路110、120及240，但不同之處在於，用電阻器R1、R2及R3分別取代電流源FET M1、M2及M3。另外，裝置300進一步包括耦接於供電電壓軌Vdd與電阻器R1、R2及R3之間的FET M10，其可藉由PMOS FET實施。運算放大器130之輸出端耦接至FET M10之閘極，以控制電阻器R1、R2及R2所共用之節點處的電壓VSB。此被稱作單點偏壓，其中負回饋對單個節點處之偏壓電壓(例如，VSB)起作用。
因此，由運算放大器130提供之負回饋控制迫使電壓VA及VB大體上相同。因此，跨電阻器R1及R2之電壓降彼此相等(VSB-VA=VSB-VB，此係因為VA=VB)。類似地，由運算放大器245產生之負回饋控制迫使電壓VB及VC大體上相同。因此，跨電阻器R2及R3之電壓降彼此相等(VSB-VB=VSB-VC，此係因為VB=VC)。
由於跨電阻器R1、R2及R3之電壓大體上相同，且電阻器R1、R2及R3可製造成具有大體上相同電阻，因此溫度補償電流I1、I2及I3大體上相同。此導致產生參考電壓VREF過程中的誤差顯著減小。
圖4說明根據本發明之另一態樣的用於產生溫度補償參考電壓VREF之再一例示性裝置400的示意圖。裝置400可為參考電壓源300之更詳細實施的實例。裝置400包括經組態以產生ICTAT電流之子電路410、經組態以產生IPTAT電流之子電路420，及經組態以產生溫度補償參考電壓VREF之子電路440。在具有如下文所述的一些不同的情況下，子電路410、420及440分別類似於裝置300之子電路310、320及340。裝置400之剩餘電路(亦即運算放大器130及245及FET M10)與裝置300之剩餘電路大體上相同。
裝置400與300之間的不同之處如下：(1)電阻器R1被替換為串聯耦接 之電阻器R11及R12；(2)電阻器R2被替換為串聯耦接之電阻器R21及R22；(3)電阻器R3被替換為串聯耦接之電阻器R31及R32；(4)電阻器R4被替換為串聯耦接之電阻器R41至R48；(5)電阻器R5被替換為與彼此並聯耦接的一對串聯耦接之電阻器R51至R52及R53至R54；(6)電阻器R6被替換為串聯耦接之電阻器R61至R68；(7)電阻器R7被替換為串聯耦接之電阻器R71至R74；(8)二極體D1被替換為連接有二極體之雙極電晶體Q1；及(9)並聯二極體D21至D2N之二極體組125被替換為並聯的連接有二極體之雙極電晶體Q21至Q2N之二極體組425。
裝置400之操作原理與裝置300之操作原理基本上相同。在裝置400中用多個電阻器代替裝置300中之單個電阻器的原因有兩個：(1)歸因於製程要求(例如，對電阻器之長寬比的限制)，可能需要多個電阻器(每一者符合製程要求)串聯或並聯連接以達成所要電阻；及(2)多個電阻器允許製程變化以統計方式達到平衡，以供較佳控制每組電阻器之總電阻。應注意，替換每單個電阻器的電阻器之數目及/或組合在其他實施例中可改變。熟習此項技術者應顯而易見，本文中揭示之概念不限於圖4中所說明的特定實施。
圖5說明根據本發明之另一態樣的用於產生溫度補償參考電壓VREF之例示性方法500的流程圖。方法500包括產生流經一或多個電阻器之第一集合的第一溫度補償電流，其中第一電壓係基於第一溫度補償電流，跨一或多個電阻器之第一集合產生(區塊502)。
參看圖3至圖4，用於產生第一溫度補償電流I2之構件的實例包括具有以下各者之電路系統：(1)電阻器R1(或R11至R12)、R2(或R21至R22)、R4(或R41至R48)、R5(或R51至R54)，及R6(或R61至R68)；(2) 二極體D1或連接有二極體之電晶體Q1；(3)並聯耦接之二極體D21至D2N的二極體組125，或連接有二極體之電晶體Q21至Q2N的二極體組425；及(4)包括運算放大器130及電晶體(例如，FET)M10之控制電路。第一溫度補償電流I2流經一或多個電阻器R2或R21至R22之第一集合，其中第一電壓(VSB-VB)係基於第一溫度補償電流I2而跨一或多個電阻器R2或R21至R22之第一集合產生。
方法500包括跨一或多個電阻器之第二集合產生第二電壓，其中該第二電壓係基於該第一電壓，且其中基於第二電壓產生流經電阻器之第二集合的第二溫度補償電流(區塊504)。
參看圖3至圖4，用於產生第二電壓之構件的實例包括運算放大器245及電晶體(例如，FET)M4。因此，第二電壓(VSB-VC)係跨一或多個電阻器R3或R31至R32之第二集合產生，其中第二電壓(VSB-VC)係基於(例如，實質上等於)第一電壓(VSB-VB)，且其中第二溫度補償電流I3係基於第二電壓(VSB-VC)經由電阻器R3或R31至R32之第二集合產生。
方法500包括施加第二電流使其流經一或多個電阻器之第三集合，其中溫度補償參考電壓係跨一或多個電阻器之第三集合產生(區塊506)。
參看圖3至圖4，用於施加第二電流使其流經一或多個電阻器之第三集合的構件之實例包括電阻器R3或R31至R32、FET M4，及電阻器R7或R71至R74之串聯連接。因此，施加第二電流I3使其流經一或多個電阻器R7或R71至R74之第三集合，以跨一或多個電阻器R7或R71至R74之第三集合產生溫度補償參考電壓VREF。
提供本發明之先前描述以使任何熟習此項技術者能夠進行或使用本發明。熟習此項技術者將易於瞭解對本發明之各種修改，且本文中定義之 一般原理可在不背離本發明之精神或範疇的情況下應用於其他變體。因此，本發明並不意欲限於本文中所描述之實例，而應符合與本文中所揭示之原理及新穎特徵相一致的最廣泛範疇。

Claims (30)

  1. 一種用於產生溫度補償參考電壓之裝置，其包含：一或多個電阻器之一第一集合；一或多個電阻器之一第二集合；一第一電晶體，其分別耦合於一第一電壓軌與一或多個電阻器之該第一集合及該第二集合之間；一電流產生器，其經組態以：在該第一電晶體之一控制端子產生一控制信號以產生施加至一或多個電阻器之該第一集合及該第二集合之個別第一末端之一單偏壓電壓；及在一或多個電阻器之該第一集合之一第二末端產生一第一電壓，其中基於該單偏壓電壓及該第一電壓之間的一第一電壓差經由一或多個電阻器之該第一集合產生一第一溫度補償電流；一第一控制電路，其經組態以在一或多個電阻器之該第二集合之一第二末端產生一第二電壓，其中該第二電壓係基於該第一電壓，且其中基於該單偏壓電壓及該第二電壓之間之一第二電壓差經由一或多個電阻器之該第二集合產生一第二溫度補償電流；及一或多個電阻器之一第三集合，該第二溫度補償電流流經該第三集合，其中一溫度補償參考電壓係基於該第二溫度補償電流，跨一或多個電阻器之該第三集合產生。
  2. 如請求項1之裝置，其中該電流產生器包含：一絕對溫度補充(CTAT)電流產生器，其經組態以產生一CTAT電流；及一正比於絕對溫度(PTAT)電流產生器，其經組態以產生一PTAT電流，其中該第一溫度補償電流包含該CTAT電流與該PTAT電流之一組合。
  3. 如請求項2之裝置，其中該CTAT電流產生器包含：一第一器件，其經組態以產生一第一CTAT電壓；及一或多個電阻器之一第四集合，其中該第一CTAT電壓係跨一或多個電阻器之該第四集合施加以產生該CTAT電流。
  4. 如請求項3之裝置，其中該第一器件包含一二極體或一連接有二極體之電晶體。
  5. 如請求項3之裝置，其中該PTAT電流產生器包含：一第二器件，其經組態以產生一第二CTAT電壓；及一或多個電阻器之一第五集合，其經組態以接收跨該第五集合的基於該第一電壓與該第二CTAT電壓之間的一差之一PTAT電壓，其中該第一電壓係基於該第一CTAT電壓。
  6. 如請求項5之裝置，其中該第二器件包含並聯耦接之複數個二極體或並聯耦接之複數個連接有二極體之電晶體。
  7. 如請求項5之裝置，其中該電流產生器進一步包含一第二控制電路，其經組態以基於該第一CTAT電壓產生該第一電壓。
  8. 如請求項7之裝置，其中該第二控制電路包含：一第一運算放大器，其包含：一第一輸入端，其經組態以接收該第一CTAT電壓；一第二輸入端，其經組態以接收該第一電壓；一輸出端，其經組態以基於該第一CTAT電壓及該第一電壓產生該控制信號；及一或多個電阻器之一第六集合，其耦接於該第一電晶體與該第一運算放大器之該第一輸入端之間，其中基於該單偏壓電壓及該第一CTAT電壓之間之一第三電壓差經由一或多個電阻器之該第六集合產生一第三溫度補償電流；其中一或多個電阻器之該第一集合耦接於該第一電晶體與該第一運算放大器之該第二輸入端之間；其中一或多個電阻器之一第七集合耦接於該第一運算放大器之該第二輸入端與一第二電壓軌之間。
  9. 如請求項8之裝置，其中該第一控制電路包含：一第二電晶體，其耦接於一或多個電阻器之該第二集合與一或多個電阻器之該第三集合之間；及一第二運算放大器，其包括：耦接至該第一運算放大器之該第二輸入端的一第一輸入端，耦接至介於一或多個電阻器之該第二集合與該第二電晶體之間的一第二節點的一第二輸入端，及耦接至該第二電晶體之一控制端子的一輸出端。
  10. 如請求項1之裝置，其中該第一控制電路包含：一第二電晶體，其耦接於一或多個電阻器之該第二集合與一或多個電阻器之該第三集合之間；及一運算放大器，其包括：耦接至一或多個電阻器之該第一集合之該第二末端的一第一輸入端、耦接至介於一或多個電阻器之該第二集合與該第二電晶體之間的一節點的一第二輸入端，及耦接至該第二電晶體之一控制端子的一輸出端。
  11. 一種用於產生溫度補償參考電壓之方法，其包含：在一第一電晶體之一控制端子產生一控制信號以在一或多個電組器之第一集合及第二集合之個別第一末端產生一單偏壓電壓，其中基於該單偏壓電壓與一或多個電阻器之該第一集合之一第二末端之一第一電壓之間的一第一電壓差經由一或多個電阻器之該第一集合產生一第一溫度補償電流；在一或多個電阻器之該第二集合之一第二末端產生一第二電壓，其中該第二電壓係基於該第一電壓，且其中基於該單偏壓電壓與該第二電壓之間之一第二電壓差經由一或多個電阻器之該第二集合產生一第二溫度補償電流；及施加該第二溫度補償電流使其流經一或多個電阻器之一第三集合，其中一溫度補償參考電壓係基於該第二溫度補償電流，跨一或多個電阻器之該第三集合產生。
  12. 如請求項11之方法，其中產生該第一溫度補償電流包含：產生一絕對溫度補充(CTAT)電流；產生一正比於絕對溫度(PTAT)電流；及將該CTAT電流與該PTAT電流組合以產生該第一溫度補償電流。
  13. 如請求項12之方法，其中產生該CTAT電流包含：產生一第一CTAT電壓；及跨一或多個電阻器之一第四集合施加該第一CTAT電壓以產生該CTAT電流。
  14. 如請求項13之方法，其中該產生該第一CTAT電壓包含使一二極體或一連接有二極體之電晶體偏壓。
  15. 如請求項13之方法，其中產生該PTAT電流包含：產生一第二CTAT電壓；基於該第一CTAT電壓產生該第一電壓；及跨一或多個電阻器之一第五集合施加一第四電壓以產生該PTAT電流，其中該第四電壓係基於該第一電壓與該第二CTAT電壓之間的一差。
  16. 如請求項15之方法，其中產生該第二CTAT電壓包含使並聯耦接之複數個二極體或並聯耦接之複數個連接有二極體之電晶體偏壓。
  17. 如請求項15之方法，其進一步包含產生該控制信號以將該第一電壓組態為基於該第一CTAT電壓。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含：跨一或多個電阻器之一第六集合施加一第五電壓，其中該第五電壓係基於該單偏壓電壓與該第一CTAT電壓之間的一差；及跨一或多個電阻器之一第七集合施加一第六電壓，其中該第六電壓係基於該第一電壓與一供電軌電壓之間的一差。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包含產生與該第一電壓實質相同之該第二電壓。
  20. 如請求項11之方法，其進一步包含產生與該第一電壓實質相同之該第二電壓。
  21. 一種用於產生溫度補償參考電壓之裝置，其包含：用於在一第一電晶體之一控制端子產生一控制信號以在一或多個電組器之第一集合及第二集合之個別第一末端產生一單偏壓電壓的構件，其中基於該單偏壓電壓與一或多個電阻器之該第一集合之一第二末端之一第一電壓之間的一第一電壓差經由一或多個電阻器之一第一集合產生一第一溫度補償電流；用於在一或多個電阻器之該第二集合之一第二末端產生一第二電壓的構件，其中該第二電壓係基於該第一電壓，且其中基於該單偏壓電壓與該第二電壓之間之一第二電壓差經由一或多個電阻器之該第二集合產生一第二溫度補償電流；及用於經由一或多個電阻器之一第三集合施加該第二溫度補償電流的構件，其中一溫度補償參考電壓係基於該第二溫度補償電流，跨一或多個電阻器之該第三集合產生。
  22. 如請求項21之裝置，其中產生該第一溫度補償電流包含：用於產生一絕對溫度補充(CTAT)電流的構件；用於產生一正比於絕對溫度(PTAT)電流的構件；及用於將該CTAT電流與該PTAT電流組合以產生該第一溫度補償電流的構件。
  23. 如請求項22之裝置，其中用於產生該CTAT電流的該構件包含：用於產生一第一CTAT電壓的構件；及用於跨一或多個電阻器之一第四集合施加該第一CTAT電壓以產生該CTAT電流的構件。
  24. 如請求項23之裝置，其中用於產生該第一CTAT電壓的該構件包含用於使一二極體或一連接有二極體之電晶體偏壓的構件。
  25. 如請求項23之裝置，其中用於產生該PTAT電流的該構件包含：用於產生一第二CTAT電壓的構件；用於基於該第一CTAT電壓產生該第一電壓的構件；及用於跨一或多個電阻器之一第五集合施加一第四電壓以產生該PTAT電流的構件，其中該第四電壓係基於該第一電壓與該第二CTAT電壓之間的一差。
  26. 如請求項25之裝置，其中用於產生該第二CTAT電壓的該構件包含用於使並聯耦接之複數個二極體或並聯耦接之複數個連接有二極體之電晶體偏壓的構件。
  27. 如請求項25之裝置，其進一步包含用於產生該控制信號以將該第一電壓組態為基於該第一CTAT電壓的構件。
  28. 如請求項27之裝置，其進一步包含：用於跨一或多個電阻器之一第六集合施加一第五電壓的構件，其中該第五電壓係基於該單偏壓電壓與該第一CTAT電壓之間的一差；及用於跨一或多個電阻器之一第七集合施加一第六電壓的構件，其中該第六電壓係基於該第一電壓與一供電軌電壓之間的一差。
  29. 如請求項28之裝置，其進一步包含用於產生與該第一電壓實質相同之該第二電壓的構件。
  30. 如請求項21之裝置，其進一步包含用於產生與該第一電壓實質相同之該第二電壓的構件。
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