TWI636817B - 氣泡分離機構與氣泡分離方法、及其應用於含有藥液供給之製程機台 - Google Patents
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Abstract
本發明為一種氣泡分離機構及其方法,其包含有一腔體;一活塞,設於腔體的底面並且具有一初始高度;一第一通道,一端耦接腔體的側面並且相通於腔體,而第一通道設有一第一切換閥並且具有一第一高度;一第三通道,一端耦接腔體之側面並且相通於腔體,而第三通道具有一第二高度;一第二通道,一端耦接腔體之頂面並且相通於腔體,而第二通道設有一第二切換閥並且具有一第三高度,而初始高度、第一高度、第二高度與第三高度分別為活塞頂部表面、第一通道中心、第二通道與第三通道中心距離地面之垂直距離,而第二高度大於第一高度,第一高度大於或等於第三高度,第三高度大於初始高度,其中因進入腔體中之流體具有第一高度的高度差,使其具有的位能差轉換成存於腔體中流體內的分子動能,以使流體中的氣泡移動至液面的效率增加,提升氣泡分離的效率。
Description
一種氣泡分離機構與分離方法、及其應用於含有藥液供給之製程機台,尤指一種含有藥液供給的製程機台利用進料與出料之間的高度差所產生的位能差,進行氣泡分離的機構及其分離方法。
先前技術中氣泡與液體的分離,如中國專利第CN201010526270.8號,使用震動方式,排除液體中的氣體,包括超音波震動。但震動方式所含震波會使液體具有震波,對於精密塗佈產業,所需含低震或無震的塗佈液體,還必須考慮減震裝置。
先前技術中氣泡與液體的分離,如中華民國專利第I349745號,揭示利用液體壓力減壓延遲,來偵測判斷液體中的氣體含量,但壓力減壓須較複雜的裝置,而且不同的液體有不同的粘度,液壓的物理現象也不盡相同,因此一種分離裝置,較難多種液體狀態下適用。
先前技術,半導體藥液之濾泡裝置多設於生產機臺內部,例如:光阻塗佈機、顯影機及濕式蝕刻機之裝置,若藥液之氣泡未完全排出時,氣泡將直接附著於產品上,將對製程造成負面影響降低產品良率,而造成的影響包括有:殘影(Mura)、水印(Water Mark)、針孔(Pin Hole)及種種相關受氣泡影響而造成反應不全(例如:顯影不全、蝕刻不全)之缺
陷,造成產品良率大幅降低,而有待從事此行業者加以解決。
為減少先前技術藥液之氣泡未完全排出時,氣泡將直接附著於產品上,將對製程造成負面影響降低產品良率,本發明目的在於提供一種氣泡分離機構,適用於一含有藥液之製程機台,含有藥液之製程機台包含有一容置槽、至少一氣泡分離機構以及一輸出裝置之塗佈機台(Coater)、顯影機台(Developer)、清洗機台(Cleaner)、濕蝕刻機台(Wet Etching)或剝膜機台(Stripper),而分離氣泡機構包含有一腔體;一活塞,設於腔體中的底面並且具有一初始水平高度;一第一通道,一端耦接腔體的側面並且相通於腔體,第一通道設有一第一切換閥並且具有一第一水平高度;一出料管,一端耦接腔體之側面並且相通於腔體,而出料管具有一第二水平高度;一第二通道,一端耦接腔體之頂面並且相通於腔體,而第二通道設有一第二切換閥,其中初始高度、第一高度與第三高度分別為活塞頂部表面、第一通道中心、第二通道與第三通道中心距離地面之垂直距離,而第二高度大於第一高度,第一高度大於或等於第三高度,而第三高度大於初始高度。
本發明另一目的在於提供一種氣泡分離方法,適用於一外側分別連接有一第一通道、一第二通道與一第三通道之腔體,腔體具有一初始內部容積,而腔體之內部容積為可壓縮,包含有以下步驟:開啟第一通道並且封閉第二通道,提供一流體經第一通道進入腔體中。
封閉第一通道並開啟第二通道,而存於流體中的氣泡受浮力
而朝液面方向移動,並經第二通道排出至腔體外部。
封閉第二通道後,壓縮腔體以形成一第一內部容積,使第三通道位置的液壓增加而迫使流體經第三通道排出至腔體外部。
完成壓縮後再開啟第一通道,以使流體再進入腔體中,其中連接腔體處之第一通道、第二通道與第三通道於通道的中心距離地面分別具有一第一高度、一第二高度與一第三高度,而第二高度大於第一高度,第一高度大於或等於第三高度。。
本發明之技術特徵在於提供更精簡的氣泡分離裝置結構及其方法,並可適用於不同黏滯度的液體的氣泡分離,以及廣泛應用於半導體製程中的各種含有藥液的製程機台,有效解決本案所欲達成的目的。
21‧‧‧第一通道
22‧‧‧第三通道
23‧‧‧腔體
231‧‧‧尖椎體
24‧‧‧第二通道
31‧‧‧第一切換閥
32‧‧‧第二切換閥
33‧‧‧第三切換閥
41‧‧‧流體
42‧‧‧氣泡
h1‧‧‧第一高度
h2‧‧‧第二高度
h3‧‧‧第三高度
p0‧‧‧初始高度
p1‧‧‧第一壓縮高度
p2‧‧‧第二壓縮高度
100‧‧‧容置槽
110‧‧‧供給管路
120‧‧‧供料泵
200‧‧‧氣泡分離機構
210‧‧‧氣泡分離機構
300‧‧‧輸出裝置
310‧‧‧輸送管路
320‧‧‧噴嘴
S1~S4‧‧‧氣泡分離方法步驟(被動洩壓排泡)
S10~S40‧‧‧氣泡分離方法步驟(主動壓縮排泡)
第1圖繪製本案一實施例之氣泡分離機構之剖面示意圖。
第2圖繪製本案另一實施例之氣泡分離機構之剖面示意圖。
第3圖繪製本案之氣泡分離機構之進料示意圖。
第4圖繪製本案之氣泡分離機構之排泡示意圖。
第5圖繪製本案之氣泡分離機構之出料示意圖。
第6圖繪製一種氣泡與液體的分離效率曲線圖。
第7圖繪製一種應用氣泡分離機構之製程機台示意圖。
第8圖繪製本案一實施例之氣泡分離方法步驟示意圖。
第9圖繪製本案另一實施例之氣泡分離方法步驟示意
圖。
第10圖繪製本案一實施例之氣泡分離機構的作動時序示意圖。
第11圖繪製本案另一實施例之氣泡分離機構的作動時序示意圖。
第12圖繪製本案一實施例之氣泡分離機構(含第三切換閥)的作動時序示意圖。
第13圖繪製本案另一實施例之氣泡分離機構(含第三切換閥)的作動時序示意圖。
請參考第1圖所示,本發明揭露一種氣泡分離機構200,適用於一含有藥液之製程機台,而含有藥液之製程機台用以在一基材上(如矽晶圓、玻璃基板、金屬基板、塑膠基板或軟性基板)進行塗佈藥液、清洗、蝕刻、去膜之製程,例如半導體製程之一塗佈製程機台(Coater)、一顯影製程機台(Developer)、一清洗製程機台(Cleaner)、一濕蝕刻製程機台(Wet Etching)或者一剝膜製程機台(Stripper)等,但不依此為限。
請參考第7圖所示,圖示中繪製之含有藥液之製程機台表示為塗佈機台,而圖式中僅依此塗佈機台的架構為例做說明,但不以此為限,含有藥液之製程機台包含有一容置槽100、至少一氣泡分離機構200,以及一輸出裝置300。
容置槽100之內部含有一製程藥液,例如光阻液、顯影液、蝕刻液、去離子水、剝離液,而容置槽100對外連接至少一供給管路110與
一供料泵120,其中該供給管路110一端連接氣泡分離機構200,透過供料泵120用以將容置槽100中的製程藥液輸送至氣泡分離機構200。
輸出裝置300一側設有至少一輸送管路310,另一側設置有至少一噴嘴320,而輸送管路310一端連接氣泡分離機構200,另一端連接輸出裝置300,其中輸出裝置300用以接收經氣泡分離機構200處理後之製程藥液,並經噴嘴320將製程藥液輸出至基材上。
請參考第1圖所示,圖式繪製本案之氣泡分離機構200的其一實施例,氣泡分離機構200包含有一腔體23、一第一通道21、一第三通道22、一第二通道24與一活塞25、一第一切換閥31,以及一第二切換閥32。
腔體23具有至少一頂面、一底面與一側面,腔體23內部用以容置製程藥液,腔體23可為一柱狀的腔體結構,例如圓柱狀,而位於腔體結構的頂端可為一漸縮的結構型態,例如一尖錐體231的結構型態,但不以此為限,此結構型態設計提供腔體23中製程液體的氣泡易於集中至鄰近於第二通道24,以提升氣泡排除的效率。
第一通道21設於腔體23的側面且一端耦接含有藥液之製程機台的供給管路110(未圖示),另一端耦接腔體23的側面並且相通於腔體23,第一通道21用以輸送製程液體進入腔體23中,而第一通道21具有一第一高度h1,其中第一高度h1為以平行地面為參考點至第一通道21之孔徑中心的垂直軸向距離,進一步說明,第一通道21可為一管體結構,其內徑介於0.3~6公分之間,但
不以此為限。
第二通道24設於腔體23的頂面且一端耦接腔體23並且相通於腔體23,第二通道24用以提供腔體23中的氣體釋放的管道,而第二通道24的結構型態於圖式中雖呈現為一直管型態,但不以此為限,可為一具有曲度的彎管型態,而第二通道24具有一第二高度h2,其中第二高度h2為以平行地面為參考點至第二通道24與腔體23耦接位置的垂直軸向距離。
第三通道22設於腔體23的側面且一端耦接含有藥液之製程機台的輸送管路310(未圖示),另一端耦接腔體23的側面並且相通於腔體23,而第三通道22與第一通道21所設置於腔體23側面位置可為同一側面、相反側或任意一側面,在此不限定,依實際需求做設計,而第三通道22用以輸出完成排泡後的製程液體至輸送管路310,其中第三通道22具有一第三高度h3,第三高度h3為以平行地面為參考點至第三通道22中心的垂直軸向距離,進一步說明,第三通道22可為一管體結構,其內徑介於0.3~6公分之間,但不以此為限,而第三通道22的內徑可小於或等於第一通道21之內徑,在此不限定,依實際需求做設計。
活塞25設於腔體23的底面且一端耦接驅動裝置(圖未示),另一端嵌入於腔體23中,用以進行往復作動以壓縮腔體23的內部容積而使腔體內形成正壓或負壓狀態,腔體中呈負壓狀態時以進一步增加第一通道21中的製程液體進入腔體23中的吸入,腔體中呈正壓狀態時以提供腔體中氣體經第二通道24排出,以及
增加腔體23中的製程液體經第三通道22至輸送管路310的動力,進一步說明,活塞25未作動進行壓縮時具有一初始高度p0,初始高度p0為以平行地面為參考點至活塞25頂面的垂直軸向距離,其中初始高度p0、第一高度h1、第高度h2與第三高度h3之間的關係為第二高度h2大於第一高度h1,第一高度h1大於或等於第三高度h3,而第三高度h3大於初始高度p0,再者,第一高度h1與第三高度h3之間具有一預定間距,而預定間距為第一通道21孔徑中心與第三通道22孔徑中心的間距,其中預定間距介於該第一通道21內徑的0.5~3.5倍之間。
第一切換閥31連接於第一通道21,經外部控制系統(圖未示)的控制以進行切換閥門開啟或關閉,用以開放或阻擋製程液體進入腔體23中,而第二切換閥32連接於第二通道24,經外部控制系統(圖未示)的控制以進行切換閥門開啟或關閉,以開放氣泡排出腔體23外部,而第一切換閥31與第二切換閥32可為一電磁切換閥,或者為一壓力切換閥,在此不限定,依實際需求做設計。
請參考第2圖所示,圖式繪製本案另一實施例之一氣泡分離機構210,本實施例中與前一實施例的主要差異在於氣泡分離機構210具有一第三切換閥33,而與前一實施例相似結構部分則沿用第1圖之元件符號,本實施例中僅說明主要差異部分。
第三切換閥33連接於第三通道22,經外部控制系統(圖未示)的控制以進行切換閥門開啟或關閉,用以開放或阻擋製程液體經第三通道22排出於腔體23,而第三切換閥33可為一電磁切
換閥,或者為一壓力切換閥,在此不限定,依實際需求做設計。
而本案更揭露一種氣泡分離方法,來達成本案所欲解決的問題,請參考第8圖所示,圖示繪製本案一實施例之氣泡分離方法程序步驟,腔體23具有一初始內部容積,且腔體23之內部容積為可壓縮,該氣泡分離方法為被動式排泡,包含有以下步驟:
S1:開啟第一通道21並且封閉第二通道24,提供一流體經第一通道21進入腔體23中,進一步說明,視該流體黏滯性(Viscosity)的數值而造成流體經第三通道22洩漏於外的可能,可進一步封閉第三通道22。
S2:封閉第一通道21並開啟第二通道24,而存於流體中的氣泡受浮力而朝液面方向移動,並經第二通道24排出至腔體外部。
S3:封閉該第二通道,壓縮腔體23以形成一第一內部容積,使第三通道22位置的液壓增加而迫使該流體經第三通道22排出至腔體23外部,而第一內部容積小於初始內部容積,其中壓縮方式為利用活塞25作動的方式,進一步說明,若於S1步驟中所述之封閉第三通道22,則於此S3步驟需開啟第三通道22以使流體排出。
S4:再開啟第一通道21且活塞回至初始高度p0,造成腔體23內部容積膨脹以使流體再進入腔體23中。
再請參考第9圖所示,圖式繪製本案所述之氣泡分離方法的另一實施例,該氣泡分離方法為主動式排泡,包含有以下步驟:
S10:開啟第一通道21並且封閉第二通道24,提供一流體經第一通道21進入腔體23中,進一步說明,視該流體黏滯性(Viscosity)的數值
而造成流體經第三通道22洩漏於外的可能,可進一步封閉第三通道22。
S20:封閉第一通道21並開啟第二通道24後,壓縮腔體23以形成一第二內部容積,而存於流體中的氣泡受浮力而朝液面方向移動,並經第二通道24排出至腔體23外部,其中於此階段壓縮腔體的方式是提升氣泡排出的效率。
S30:封閉該第二通道24後,壓縮腔體以形成一第一內部容積,使第三通道22位置的液壓增加而迫使該流體經第三通道22排出至腔體23外部,而第一內部容積、第二內部容積與初始內部容積的關係為第一內部容積小於第二內部容積,而第二內部容積小於初始內部容積,其中壓縮方式同前一實施例所述的方式,進一步說明,若於S10步驟中所述之封閉第三通道22,則於此S30步驟需開啟第三通道22以使流體排出。
S40:再開啟第一通道21且活塞25回至初始高度p0,造成腔體23內部容積膨脹使流體再進入腔體23中
本案特舉實施例作說明,請參考第3~5圖並配合第10圖所示,圖式繪製本案於一實施例所述之氣泡分離機構200的作動程序,以分別進行進料、排泡、出料的過程,而本案所述之氣泡分離機構200的作動程序的複數個實施例將以時序狀態進行說明,其中一實施例說明如下:
A.進料過程:第一切換閥31狀態為開(switch on),第二切換閥32狀態為關(switch 0ff),活塞25由一第一壓縮高度p1移動至初始高度p0,以使供給管路110(圖未示)中的一流體41(製程液體)持續進入腔體23中,其中複數個氣泡42存於流體41中。
B,排泡過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第二切換閥32狀態為開(switch on),活塞25保持於初始高度p0,以使流體41中的氣泡42逐漸集中於鄰近第二通道24的液面位置後,經第二通道24排至腔體23的外部。
C.出料過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第二切換閥32狀態為關(switch off),活塞25朝腔體23頂面方向移動至第一壓縮高度p1,用以壓縮腔體內部容積造成腔體內壓力增加,以使腔體23中的流體41經第三通道22進入輸送管路310(圖未示),其中第一壓縮高度p1是以平行地面為參考點至活塞25頂面的垂直軸向距離,而初始高度p0小於第一壓縮高度p1,而第一壓縮高度p1小於第三高度h3,進一步說明,本實施例中之第一切換閥31與第二切換閥32的開關切換時間範圍介於0.1~180秒之間,而於狀態切換時具有一延遲時間,該延遲時間以毫秒或微秒單位計。
請參考第3~5圖並配合第11圖所示,本發明之氣泡分離機構200作動程序的另一實施例說明如下:
A.進料過程:第一切換閥31狀態為開(switch on),第二切換閥32狀態為關(switch off),活塞25由第一壓縮高度p1移動至初始高度p0,以使供給管路110(圖未示)中的流體41持續進入腔體23中,其中複數個氣泡42存於流體41中。
B.排泡過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第二切換閥32狀態為開(switch on),活塞25朝腔體23頂面方向移動至一第二壓縮高度p2,以使流體41中的氣泡42逐漸集中於鄰近第二
通道24的液面位置後,經第二通道24排至腔體23的外部,其中第二壓縮高度p2是以平行地面為參考點至活塞25頂面的垂直軸向距離。
C.出料過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第二切換閥32狀態為關(switch off),活塞25朝腔體23頂面方向再移動至第一壓縮高度p1,用以壓縮腔體內部容積造成腔體內壓力增加,以使腔體23中的流體41經第三通道22進入輸送管路310(圖未示),其中初始高度p0小於第二壓縮高度p2,第二壓縮高度p2小於第一壓縮高度p1,第一壓縮高度p1小於第三高度h3,進一步說明,本實施例中之第一切換閥31與第二切換閥32的開關切換時間範圍介於0.1~180秒之間,而於狀態切換時具有一延遲時間,該延遲時間以毫秒或微秒單位計。
請參考第2圖並配合第12圖所示,本案於一實施例所述之氣泡分離機構210的作動程序,以分別進行進料、排泡、出料的過程,而本案所述之氣泡分離機構210的作動程序的複數個實施例,其中一實施例說明如下
A.進料過程:第一切換閥31狀態為開(switch on),第二切換閥32狀態為關(switch off),第三切換閥33狀態為關(switch off),活塞25由第一壓縮高度p1移動至初始高度p0,以使供給管路110(圖未示)中的流體41(製程液體)持續進入腔體23中,其中複數個氣泡42存於流體41中。
B.排泡過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第
二切換閥32狀態為開(switch on),第三切換閥33狀態為關(switch off),活塞25保持於初始高度p0,以使流體41中的氣泡42逐漸集中於鄰近第二通道24的液面位置後,經第二通道24排至腔體23的外部。
C.出料過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第二切換閥32狀態為關(switch off),第三切換閥33狀態為開(switch on),活塞25朝腔體23頂面方向移動至第一壓縮高度p1,用以壓縮腔體內部容積造成腔體內壓力增加,以使腔體23中的流體41經第三通道22進入輸送管路310(圖未示),其中第一壓縮高度p1是以平行地面為參考點至活塞25頂面的垂直軸向距離,而初始高度小於第一壓縮高度p1,而第一壓縮高度p1小於第三高度h3,進一步說明,本實施例中之第一切換閥31、第二切換閥32與第三切換閥33的開關切換時間範圍介於0.1~180秒之間,而於狀態切換時具有一延遲時間,該延遲時間以毫秒或微秒單位計。
請參考第2圖並配合第13圖所示,本發明之氣泡分離機構210的作動程序另一實施例說明如下:
A.進料過程:第一切換閥31狀態為開(switch on),第二切換閥32狀態為關(switch off),第三切換閥33狀態為關(switch off),活塞25由第一壓縮高度p1移動至初始高度p0,以使供給管路110(圖未示)中的流體41持續進入腔體23中,其中複數個氣泡42存於流體41中。
B.排泡過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第
二切換閥32狀態為開(switch on),第三切換閥33狀態為關(switch off),活塞25朝腔體23頂面方向移動至第二壓縮高度p2,以使流體41中的氣泡42逐漸集中於鄰近第二通道24的液面位置後,經第二通道24排至腔體23的外部,其中第二壓縮高度p2是以平行地面為參考點至活塞25頂面的垂直軸向距離。
C.出料過程:第一切換閥31狀態為關(switch off),第二切換閥32狀態為關(switch off),第三切換閥33狀態為開(switch on),活塞25朝腔體23頂面方向再移動至第一壓縮高度p1,用以壓縮腔體內部容積造成腔體內壓力增加,以使腔體23中的流體41經第三通道22進入輸送管路310(圖未示),其中第一壓縮高度p1是以平行地面為參考點至活塞25頂面的垂直軸向距離,而初始高度p0小於第二壓縮高度p1,第二壓縮高度p2小於第一壓縮高度p1,而第一壓縮高度小於第三高度h3,進一步說明,本實施例中之第一切換閥31、第二切換閥32與第三切換閥33的開關切換時間範圍介於0.1~180秒之間,而於狀態切換時具有一延遲時間,該延遲時間以毫秒或微秒單位計。
請參考第6圖所示,圖示繪製說明第一通道21與第三通道22之間所述之預定間距對於排泡效率的影響,其中預定間距是正比於排泡減少的時間,當預定間距由0.5倍增加至3.5倍時,排泡減少的時間亦由~5%提升至~45%。
本案所述之氣泡分離方法的兩個實施例中,因持續進入腔體之流體具有第一高度的高度差,使進入的流體具有的位能差轉換成存於腔體中流體內的分子動能,而進一步提供流體中的氣泡具有朝液面方向之動
量,以使黏滯度較高之流體中的氣泡移動至液面的氣泡排出的效率增加,以提升氣泡分離的效率。
本發明所述之氣泡分離機構、分離方法及其應用於含有藥液供給之製程機台,相較於先前技術中,透過本發明之技術手段提供更精簡的氣泡分離裝置結構與氣泡分離程序,並可適用於不同黏滯度的液體的氣泡分離,以及廣泛應用於半導體製程中的各種含有藥液的製程機台,有效解決本案所欲達成的目的。
綜上所述,乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段之較佳實施方式或實施例而已,並非用來限定本發明專利實施之範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符,或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾,皆為本發明專利範圍所涵蓋。
Claims (14)
- 一種氣泡分離機構,其包含有:一腔體,該腔體具有至少一頂面、一底面與一側面;一活塞,設於該腔體中之該底面位置,該活塞具有一初始高度;一第一通道,其一端耦接該腔體之該側面並且相通於該腔體,該第一通道設有一第一切換閥,而該第一通道具有一第一高度;一第三通道,其一端耦接該腔體之該側面並且相通於該腔體,而該第三通道具有一第三高度;以及一第二通道,其一端耦接該腔體之該頂面並且相通於該腔體,該第二通道設有一第二切換閥,該第二通道具有一第二高度;其中,該初始高度、該第一高度、該第二高度與該第三高度分別為該活塞頂部表面、該第一通道中心、該第二通道與該第三通道中心距離地面之垂直距離,而該第二高度大於該第一高度,該第一高度大於或等於該第三高度,該第三高度大於該初始高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣泡分離機構,其中該腔體之頂端為一尖椎體結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣泡分離機構,其中該第一通道、該第二通道與該第三通道分別為一管體結構。
- 如申請專利範圍第3項所述之氣泡分離機構,其中該第一高度與該第三高度之間具有一預定間距,該預定間距係為該第一通道中心與該第三通道中心的距離,而該預定間距介於該第一通道內徑的0.5~3.5倍之間。
- 如申請專利範圍第3項所述之氣泡分離機構,其中該第一通道的內徑介於0.3~6公分之間,而該第三通道的內徑介於0.3~6公分之間。
- 如申請專利範圍第3項所述之氣泡分離機構,其中該第一通道的內徑大於或等於該第三通道的內徑。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣泡分離機構,其中該第三通道可設有一第三切換閥。
- 一種含有藥液供給之製程機台,其包含有:一容置槽,其內部具有一製程藥液;至少一供給管路,其耦接並相通於該容置槽;一供料泵,其連接於該容置槽之外部;至少一氣泡分離機構,其具有:一腔體,該腔體具有至少一頂面、一底面與一側面;一活塞,設於該腔體中之該底面位置,該活塞具有一初始高度;一第一通道,其一端耦接該腔體之該側面並且相通於該腔體,該第一通道設有一第一切換閥,而該第一通道具有一第一高度;一第三通道,其一端耦接該腔體之該側面並且相通於該腔體,而該第三通道具有一第三高度;以及一第二通道,其一端耦接該腔體之該頂面並且相通於該腔體,該第二通道設有一第二切換閥,該第二通道具有一第二高度;一輸出裝置,其一側設有至少一輸送管路,該輸送管路兩端分別耦接該輸出裝置與該第三通道,而該輸出裝置另一側設有至少一噴嘴;其中,該初始高度、該第一高度、該第二高度與該第三高度分別為該活塞頂部表面、該第一通道中心、該第二通道與該第三通道中心距離地面之垂直距離,而該第二高度大於該第一高度,該第一高度大於或等於該第三高度,該第三高度大於該初始高度。
- 如申請專利範圍第8項所述之含有藥液供給之製程機台,其中該藥液供 給之製程機台為一塗佈製程機台、一顯影製程機台、一清洗製程機台、一濕蝕刻製程機台或者一剝膜製程機台。
- 一種氣泡分離方法,其適用於一外側分別連接有一第一通道、一第二通道與一第三通道之腔體,該腔體具有一初始內部容積,而該腔體之內部容積為可壓縮,該氣泡分離方法係包含以下步驟:A.開啟該第一通道並且封閉該第二通道,其中該腔體為一第一內部容積,該第一內部容積小於該初始內部容積;B.提供一流體經該第一通道進入該腔體中,其中該腔體為該初始內部容積;C.封閉該第一通道並開啟該第二通道,而存於該流體中的氣泡受浮力而朝液面方向移動,並經該第二通道排出至該腔體外部,該腔體為該初始內部容積;D.封閉該第二通道;E.壓縮該腔體以形成該第一內部容積,使該第三通道位置的液壓增加而迫使該流體經該第三通道排出至該腔體外部;以及F.完成壓縮後再開啟該第一通道,該腔體為該第一內部容積,該腔體為該初始內部容積時使該流體再進入該腔體中;其中,該第一通道、該第二通道與該第三通道,其前述三者於連接該腔體之通道的中心距離地面分別具有一第一高度、一第二高度與一第三高度,而該第二高度大於該第一高度,該第一高度大於或等於該第三高度。
- 如申請專利範圍第10項所述之氣泡分離方法,其中上述該氣泡分離方法中的步驟C至D之間更包含有步驟C1,如下述:C1.壓縮該腔體以形成一第二內部容積,以使存於該流體中的氣泡所受 浮力增加並朝液面的方向移動,並經該第二通道排出至該腔體外部;其中,上述該第一內部容積小於該第二內部容積,而該第二內部容積小於該初始內部容積。
- 如申請專利範圍第10項所述之氣泡分離方法,其中上述該氣泡分離方法中的步驟A至B之間更包含有步驟A1,而步驟E替換為步驟E1,且步驟E1至F之間更包含步驟E2,如下述:A1.封閉該第三通道;E1.壓縮該腔體以形成該第一內部容積,使該第三通道位置的液壓增加,並開啟該第三通道,以使該流體經該第三通道排出至該腔體外部;E2.封閉第三通道。
- 如申請專利範圍第10、11或12之任一項所述之氣泡分離方法,其中上述之該壓縮方式可為利用活塞移動的壓縮方式,而該活塞設於該腔體底面。
- 請專利範圍第13項所述之氣泡分離方法,其中存於該液體之氣泡經該第二通道排出的速率係正比於該第一高度與該第三高度之間的距離。
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