TWI635474B - 顯示裝置及其畫素偵測方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供顯示裝置以及顯示裝置的畫素偵測方法。顯示裝置包括顯示面板以及多數個電流偵測電路。顯示面板包括多數個畫素電路、多數個第一偵測共用線、多數個第二偵測共用線。多數個電流偵測電路用以在偵測期間接收對應畫素電路的第一發光電流以判斷對應畫素電路的第一發光元件是否正常，並且接收對應畫素電路的第二發光電流以判斷對應畫素電路的第二發光元件是否正常。

Description

顯示裝置及其畫素偵測方法

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是可執行畫素偵測操作的一種顯示裝置。

隨著顯示技術的進步，發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）已經被廣泛應用在顯示技術之中，而將主動矩陣有機發光二極體（Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED）以及微型發光二極體（MicroLED，μLED）運用於發光二極體顯示器，即是發光二極體顯示技術的主要發展重點之一。並且，為確保發光二極體顯示器具有穩定的良率以及可呈現均勻的顯示效果，在發光二極體顯示器的畫素電路中，每一個畫素電路會存在至少兩個發光二極體的電路設計。然而，上述的電路設計可能會引發以下狀況。

首先，當畫素電路進行顯示時，在畫素電路中的驅動電晶體需提供可驅動至少兩個發光二極體的驅動電流。如此一來會增加驅動電晶體的電流應力（current stress），易造成劣化問題，降低使用壽命。

在至少兩個發光二極體的畫素電路設計中，無法確認畫素電路中的各個發光二極體的發光表現或故障狀況，進而無法單獨對特定的發光二極體進行補償或更換。

再者，在至少兩個發光二極體的畫素電路設計中，由於發光二極體彼此間是並聯耦接，因此當其中發光二極體的光電特性不同於其他發光二極體，會進一步影響其他發光二極體的發光表現。進而造成不可預期的顯示結果。

本發明提供一種顯示裝置以及顯示裝置的畫素偵測方法，用以降低驅動電晶體的電流應力，並且可對逐一補償畫素電路中的多數個發光二極體的顯示表現，藉以使畫素電路中的多數個發光二極體具有均勻的顯示表現。

本發明的顯示裝置包括顯示面板、多數個電流偵測電路、多數個第一開關、多數個第二開關、多數個第三開關以及多數個第四開關。顯示面板包括多數個畫素電路、多數個第一偵測共用線、多數個第二偵測共用線。多數個畫素電路分別包括第一發光元件、第一限流電路、第二發光元件以及第二限流電路。第一限流電路耦接第一發光元件，並且接收第一資料電壓，以依據第一資料電壓提供第一發光電流至第一發光元件。第二限流電路，耦接第二發光元件，並且接收第二資料電壓，以依據第二資料電壓提供第二發光電流至第二發光元件。多數個第一偵測共用線耦接多數個畫素電路，用以分別傳送對應畫素的第一發光電流。多數個第二偵測共用線耦接多數個畫素電路，用以分別傳送對應畫素的第二發光電流。多數個電流偵測電路用以在偵測期間接收對應畫素的第一發光電流以判斷對應畫素的第一發光元件是否正常，並且接收對應畫素的第二發光電流以判斷對應畫素的第二發光元件是否正常。多數個第一開關分別耦接於對應的第一偵測共用線與對應的電流偵測電路之間，並且在偵測期間導通。多數個第二開關分別耦接於對應的第一偵測共用線與系統低電壓之間，並且在顯示操作期間導通。多數個第三開關分別耦接於對應的第二偵測共用線與對應的電流偵測電路之間，並且在偵測期間導通。多數個第四開關分別耦接於對應的第二偵測共用線與系統低電壓之間，並且在顯示操作期間導通。

本發明的畫素偵測方法包括：在點亮偵測期間，透過第一偵測共用線將流經畫素電路的第一發光元件的第一發光電流傳送至電流偵測電路，以判斷第一發光元件是否正常；在點亮偵測期間，透過第二偵測共用線將流經畫素電路的第二發光元件的第二發光電流傳送至電流偵測電路，以判斷第二發光元件是否正常；以及在顯示操作期間，透過第一偵測共用線及第二偵測共用線傳送系統低電壓至畫素電路。

基於上述，本發明實施例的顯示裝置藉由開關將偵測共用線耦接至電流偵測電路或系統低電壓，而流經第一發光元件的第一發光電流及流經第二發光元件的第二發光電流可透過第一偵測共用線及第二偵測共用線傳送至電流偵測電路。藉此，可分別檢測第一發光元件及第二發光元件的健康狀態。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依據本發明一實施例所繪示的顯示裝置的電路示意圖。請參考圖1A，顯示裝置100包括顯示面板110、多數個電流偵測電路（如CSU1、CSU2）。顯示面板110包括多數個畫素電路SP1、多數個第一偵測共用線Lcom1及多數個第二偵測共用線Lcom2、以及多數個第一開關S1、多數個第二開關S2、多數個第三開關S3及多數個第四開關S4，為了便於說明，上述元件的數量以單個為例，但本發明實施例不以此為限。其中，偵測共用線Lcom1及Lcom2在此為圖案化的電極，而非整面的片電極，而偵測共用線Lcom1及Lcom2的圖案可依據本領域通常知識者而定。

本實施例中，畫素電路SP1透過偵測共用線Lcom1、Lcom2以及開關S1、S3耦接至電流偵測電路，並且畫素電路SP1可透過偵測共用線Lcom1、Lcom2以及開關S2、S4接收系統低電壓OVSS，其中開關S1~S4可以是電晶體開關，並且開關S1~S4可以單輸入多輸出的解多工器來取代，本發明實施例不以此為限。

在本實施例中，畫素電路SP1分別包括第一發光元件D1、第二發光元件D2、第一限流電路CL1、第二限流電路CL2，其中畫素電路SP1可以是RGB畫素的一個子畫素，發光元件D1、D2分別為有機發光二極體或微型發光二極體，但本發明實施例不以此為限。

在圖1A中，限流電路CL1耦接發光元件D1，並且接收第一資料電壓Vdata1，以依據資料電壓Vdata1提供第一發光電流I1至發光元件D1的陽極。限流電路CL2耦接發光元件D2，並且接收第二資料電壓Vdata2，以依據資料電壓Vdata2提供第二發光電流I2至第二發光元件D2的陽極。發光元件D1的陰極耦接偵測共用線Lcom1，以傳送發光電流I1至偵測共用線Lcom1。發光元件D2的陰極耦接偵測共用線Lcom2，以傳送發光電流I2至偵測共用線Lcom2。

開關S1耦接於偵測共用線Lcom1與電流偵測電路CSU1之間，並且在偵測期間導通，以在偵測期間傳送發光電流I1至電流偵測電路CSU1。開關S2耦接於對應的偵測共用線Lcom1與系統低電壓OVSS之間，並且在顯示操作期間導通，以在顯示操作期間提供系統低電壓OVSS至偵測共用線Lcom1。開關S3耦接於偵測共用線Lcom2與電流偵測電路CSU2之間，並且在偵測期間導通，以在偵測期間傳送發光電流I2至電流偵測電路CSU2。開關S4耦接於對應的偵測共用線Lcom2與系統低電壓OVSS之間，並且在顯示操作期間導通，以在顯示操作期間提供系統低電壓OVSS至偵測共用線Lcom2。上述為舉例以說明，但本發明實施例不以此為限。

在本實施例中，開關S1~S4可配置於顯示面板110上，電流偵測電路CSU1、CSU2可配置於電路板（未繪示）上。在一些實施例中，開關S1~S4及電流偵測電路CSU1、CSU2可一併配置於電路板（未繪示）上，但本發明實施例不以此為限。並且，開關S1~S4可受控於控制電路（例如時序控制器）而導通或截止。在圖1A的實施例中，顯示面板110僅以單個畫素電路SP1中來呈現，以便於描述本實施例的實施方式，但是本發明顯示面板110的畫素電路（如SP1）的數量，並不以此實施例為限。

在本實施例中，限流電路CL1可包括第一驅動電晶體T2、第一電容C1以及第一寫入電晶體T1。驅動電晶體T2與發光元件D1串聯耦接於系統高電壓OVDD與第一偵測共用線Lcom1之間，其中發光元件D1在此是順向耦接於驅動電晶體T2的汲極與偵測共用線Lcom1之間，並且驅動電晶體T2的源極耦接系統高電壓OVDD。電容C1耦接於驅動電晶體T2的源極端與閘極端之間。寫入電晶體T1具有接收第一資料線LD1所傳送的第一資料電壓Vdata1的源極端、接收掃描線SLX所傳送的掃描信號SEL(N)的閘極端、以及耦接驅動電晶體T2的閘極端的汲極端，其中N為一非零的正整數。其中，掃描信號SEL(N)可由掃描驅動器來提供，但本發明實施例不以此為限。在其他實施例中，發光元件D1可以順向耦接於系統高電壓OVDD與驅動電晶體T2的源極之間。

限流電路CL2包括第二驅動電晶體T3、第二電容C2以及第二寫入電晶體T4。驅動電晶體T3與發光元件D2串聯耦接於系統高電壓OVDD與第二偵測共用線Lcom2之間，其中發光元件D2在此是順向耦接於驅動電晶體T3的汲極與第二偵測共用線Lcom2之間，並且驅動電晶體T3的源極耦接系統高電壓OVDD。電容C2耦接於驅動電晶體T3的源極端與閘極端之間。寫入電晶體T4具有接收第二資料線LD2所傳送的第二資料電壓Vdata2的源極端、接收掃描線SLX所傳送的掃描信號SEL(N)的閘極端、以及耦接驅動電晶體T3的閘極端的汲極端。在本實施例中，畫素電路SP1的寫入電晶體T1的閘極端及寫入電晶體T4的閘極端是透過掃描線SLX同步接收掃描信號SEL(N)。在其他實施例中，發光元件D2可以順向耦接於系統高電壓OVDD與驅動電晶體T3的源極之間。

本實施例的限流電路CL1依據資料電壓Vdata1控制發光元件D1的發光程度。限流電路CL2依據資料電壓Vdata2控制發光元件D2的發光程度。也就是說，本實施例的畫素電路SP1可透過資料電壓Vdata1以及資料電壓Vdata2的調整，個別控制發光元件D1以及發光元件D2的發光亮度。

另外，在限流電路CL1中，驅動電晶體T2用以提供第一發光電流I1到發光元件D1，並且限制第一發光電流I1的大小；驅動電晶體T3用以提供第二發光電流I2到發光元件D2，並且限制第二發光電流I2的大小。也就是說，在畫素電路SP1中，單一驅動電晶體僅針對對應的單一發光元件提供發光電流。相較於單一驅動電晶體提供用以驅動至少兩個發光二極體的發光電流，本實施例可有效降低驅動電晶體的電流應力，以減緩驅動電晶體的劣化。

在顯示操作期間，顯示裝置100導通開關S2、S4，使畫素電路SP1的發光元件D1的陰極透過偵測共用線Lcom1以及導通的開關S2連接到系統低電壓OVSS。並且，使發光元件D2的陰極透過偵測共用線Lcom2以及導通的開關S4連接到系統低電壓OVSS。資料電壓Vdata1可透過導通的寫入電晶體T1傳送到驅動電晶體T2的閘極，並且透過電容C1儲存資料電壓Vdata1。資料電壓Vdata2可透過導通的寫入電晶體T4傳送到驅動電晶體T3的閘極，並且透過電容C2儲存資料電壓Vdata2。掃描線SLX同時耦接於寫入電晶體T1的閘極端以及寫入電晶體T4的閘極端，以同步傳送掃描信號SEL(N)到驅動電晶體T2、T3。在寫入電晶體T1因為接收掃描信號SEL(N)而導通的情況下，驅動電晶體T2可依據資料電壓Vdata1而產生發光電流I1。並且，在寫入電晶體T4也因為掃描信號SEL(N)而同步導通的情況下，驅動電晶體T3可依據資料電壓Vdata2而同步產生發光電流I2。如此一來，發光元件D1、D2可在顯示操作期間，分別依據發光電流I1、I2而發光。

在圖1A的實施例中，偵測期間可進一步區分為點亮偵測期間及特性偵測期間。在點亮偵測期間，顯示裝置100可透過電流偵測電路CSU1、CSU2分別接收對應畫素電路（如SP1）的發光電流I1、I2，以判斷畫素電路SP1的發光元件D1、D2是否正常。在本實施例中，點亮偵測期間的操作可以是在製造過程中或者是在品保過程中時進行。

在特性偵測期間，顯示裝置100可透過電流偵測電路CSU1、CSU2分別接收對應畫素電路（如SP1）的發光電流I1、I2，以判斷畫素電路SP1的驅動電晶體T2、T3的電氣特性。在本實施例中，特性偵測期間的操作可以是顯示裝置100開機或關機時進行。

詳細來說，在點亮偵測期間或特性偵測期間，顯示裝置100會對所要偵測的畫素電路SP1的資料電壓Vdata1以及資料電壓Vdata2的設定為低灰階電壓，以使要偵測的畫素電路SP1的發光元件D1及D2呈現導通，亦即使限流電路CL1、CL2依據低灰階電壓而分別產生對應的發光電流I1、I2。在點亮偵測期間，電流偵測電路CSU1可透過開關S1以接收發光電流I1，並且依據所接收的發光電流I1來判斷發光元件D1是否正常。同樣地，電流偵測電路CSU2也透過所接收的發光電流I2並依據所接收的發光電流I2來判斷發光元件D2是否正常。

而另一方面，在點亮偵測期間或特性偵測期間，當畫素電路SP1不需被偵測時，對應於畫素電路SP1的資料電壓Vdata1、Vdata2則會被設定為截止電壓，以使畫素電路SP1的發光元件D1及D2呈現截止，亦即驅動電晶體T2、T3會呈現截止而不會提供發光電流I1及I2。因此，電流偵測電路CSU1、CSU2則不會判斷到其他畫素電路SP1的發光元件D1、D2。

在其他實施例中，顯示裝置100也可針對同一畫素電路SP1的發光元件D1及D2進行分時偵測，亦即可將資料電壓Vdata1、Vdata2的其中之一設定為低灰階電壓，並且將資料電壓Vdata1、Vdata2的其中另一設定為截止電壓，以使限流電路CL1、CL2的其中之一依據低灰階電壓產生對應的發光電流I1、I2，限流電路CL1、CL2的其中另一依據截止電壓而截止。因此，在點亮偵測期間，電流偵測電路CSU1、CSU2可分時判斷同一畫素電路SP1的發光元件D1、D2是否正常。

在此，顯示裝置100在偵測期間可藉由電流偵測電路CSU1、CSU2以及偵測共用線Lcom1、Lcom2來判斷發光元件D1、D2的驅動狀況是否正常，以及判斷驅動電晶體T2、T3的電氣特性是否正常。如此一來，顯示裝置100可確認出畫素電路SP1中的各個發光元件D1、D2以及各個驅動電晶體T2、T3的電性表現或故障狀況，進而個別對驅動電晶體T2、T3進行對應地補償或更換，亦即調整資料電壓Vdata1、Vdata2的電壓準位。

圖1B是依據本發明一實施例所繪示的顯示裝置的佈線示意圖。請參考圖1B，在本實施例中，RGB畫素電路P1至少包括畫素電路SP11、SP12、SP13，用以分別顯示紅色、綠色及藍色。同樣地，RGB畫素電路P2包括畫素電路SP21、SP22、SP23。畫素電路SP11、SP12、SP13、SP21、SP22、SP23的電路配置可參照圖1A的畫素電路SP1所示，故不在此重述。並且，本發明的畫素電路的數量，並不以圖1B所示為限。其中，相似的元件使用相似的標號。

在顯示裝置100中，位於同一列上的多數個畫素電路可耦接於同一條偵測共用線。在本實施例中，位於同一列上的畫素電路SP11、SP12、SP13可共同耦接於偵測共用線Lcom1_1、Lcom1_2。位於另一列上的畫素電路SP21、SP22、SP23可共同耦接於偵測共用線Lcom2_1、Lcom2_2。畫素電路SP11、SP12、SP13、SP21、SP22、SP23分別耦接多數個資料線LD1_1、LD1_2、LD2_1、LD2_2、LD3_1、LD3_2以及掃描線SL1、SL2。畫素電路SP11、SP12、SP13分別透過偵測共用線Lcom1_1以及開關S12耦接至電流偵測電路CSU11，並透過偵測共用線Lcom1_1以及開關S11耦接至系統低電壓OVSS。畫素電路SP11、SP12、SP13分別透過偵測共用線Lcom1_2以及開關S13耦接至電流偵測電路CSU12，並透過偵測共用線Lcom1_2以及開關S14耦接至系統低電壓OVSS。畫素電路SP21、SP22、SP23可透過偵測共用線Lcom2_1以及開關S22耦接至電流偵測電路CSU21，並透過偵測共用線Lcom2_1以及開關S21耦接至系統低電壓OVSS。畫素電路 SP21、SP22、SP23可透過偵測共用線Lcom2_2以及開關S23耦接至電流偵測電路CSU22，並透過偵測共用線Lcom2_2以及開關S24耦接至系統低電壓OVSS。

在顯示操作期間，顯示裝置100使畫素電路SP11、SP12、SP13、SP21、SP22、SP23可透過資料線來分別接收多個資料電壓Vdata1_1、Vdata1_2、Vdata2_1、Vdata2_2、Vdata3_1、Vdata3_2，透過掃描線SL1、SL2來分別接收依序致能的掃描信號SEL(N)、SEL(N+1)。並且顯示裝置100導通開關S12、S14、S22、S24以使畫素電路SP1、SP2耦接至系統低電壓OVSS。如此一來，畫素電路SP1、SP2在顯示操作期間可依據資料電壓Vdata1_1、Vdata1_2、Vdata2_1、Vdata2_2、Vdata3_1、Vdata3_2以及掃描信號SEL(N)、SEL(N+1)來顯示影像。

在點亮偵測期間或特性偵測期間，顯示裝置100使畫素電路SP11、SP12、SP13、SP21、SP22、SP23可透過掃描線SL1、SL2來分別接收掃描信號SEL(N)、SEL(N+1)。並且，顯示裝置100導通開關S11、S13、S21、S23，以使畫素電路SP11、SP12、SP13、SP21、SP22、SP23耦接至電流偵測電路CSU11、CSU12、CSU21、CSU22。顯示裝置100可利用逐行偵測或是各行逐一偵測的方式，來對畫素電路SP11、SP12、SP13、SP21、SP22、SP23進行點亮偵測或特性偵測的操作。

具體來說明，在點亮偵測期間或特性偵測期間，偵測共用線Lcom1_1所耦接的畫素電路（如SP11、SP12、SP13）的其中之一所接收的第一資料電壓（如Vdata1_1、Vdata2_1、Vdata3_1）設定為低灰階電壓並且使偵測共用線Lcom1_1的其餘畫素電路（如SP11、SP12、SP13）所接收的第一資料電壓（如Vdata1_1、Vdata2_1、Vdata3_1）設定為截止電壓。偵測共用線Lcom1_2所耦接的畫素電路（如SP11、SP12、SP13）的其中之一所接收的第二資料電壓（如Vdata1_2、Vdata2_2、Vdata3_2）設定為低灰階電壓並且使偵測共用線的其餘畫素電路（如SP11、SP12、SP13）所接收的資料電壓（如Vdata1_2、Vdata2_2、Vdata3_2）設定為截止電壓。

舉例來說明，請同時參考圖1A及圖1B。在圖1A及圖1B的實施例中，偵測共用線Lcom1_1、Lcom1_2是耦接於畫素電路SP11、SP12、SP13。在點亮偵測期間或特性偵測期間，顯示裝置100可首先讓畫素電路SP11接收為低灰階電壓的資料電壓Vdata1_1及Vdata1_2、以及致能的掃描信號SEL(N)，並依據發光電流（如I1、I2）判斷畫素電路SP11的發光元件D1及D2是否正常。並且，顯示裝置100使其他畫素電路（如SP12、SP13）接收為截止電壓的資料電壓Vdata2_1、Vdata2_2、Vdata3_1、Vdata3_2以使畫素電路SP12、SP13不會提供發光電流（如I1、I2），亦即不會判斷到其他畫素電路（如SP12、SP13）的發光元件（如D1及D2）是否正常。

另一方面，相同於上述方式，可讓畫素電路SP21接收為低灰階電壓資料電壓Vdata2_1及Vdata2_2以及致能的掃描信號SEL(N+1)，以判斷畫素電路SP21的發光元件（如D1及D2）是否正常。並且，不會判斷到其他畫素電路（如SP22、SP23）的發光元件是否正常。以此類推。

在圖1A的實施例中，限流電路CL1、CL2中的寫入電晶體T1、T4以及驅動電晶體T2、T3可以是P型電晶體。亦即圖1A所示顯示面板110可以是低溫多晶矽（Low Temperature Poly Silicon，LTPS）顯示面板。圖2是依據本發明另一實施例所繪示的顯示裝置的電路示意圖。請參考圖2，顯示裝置200大致相同於顯示裝置100其不同的是，在顯示面板210的畫素電路SP2中，限流電路CL1、CL2的寫入電晶體NT1、NT4以及驅動電晶體NT2、NT3是N型電晶體，亦即圖2所示顯示面板210可以是非晶矽（amorphous silicon，a-Si）顯示面板、低溫多晶矽顯示面板、或者氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）顯示面板。上述圖1A及圖2的實施例所提及的內容僅只是範例，不用以限縮本發明的範疇。

另一些實施例中，寫入電晶體T1與寫入電晶體T4的閘極端可接收不同的掃描信號，藉以分時方式將資料電壓Vdata1、Vdata2依照時序傳送到驅動電晶體T2及T3。圖3是依據本發明又一實施例所繪示的顯示裝置的電路示意圖。請參考圖3，與圖1A不同的是，在顯示裝置300的顯示面板310中，畫素電路SP3的資料線LD1同時耦接到寫入電晶體T1、T4的源極端以依序傳送資料電壓Vdata1及資料電壓Vdata2，掃描線SLX1、SLX2分別耦接到寫入電晶體T1、T4的閘極端以傳送依序致能的掃描信號SEL(N)、SEL(N+1)。也就是說，寫入電晶體T1、T4的源極端耦接於同一資料線LD1，並且依據掃描信號SEL(N)、SEL(N+1)，使寫入電晶體T1、T4依序傳送來自於資料線LD1的資料電壓Vdata1及資料電壓Vdata2到驅動電晶體T2、T3。

圖4是依據本發明又一實施例所繪示的顯示裝置的佈線示意圖。請參考圖4，與圖1B不同的是，位於同一列上的畫素電路SP11、SP12、SP13是共同耦接於掃描線SL1_1、SL1_2。而位於同一列上的畫素電路SP21、SP22、SP23則是共同耦接於掃描線SL2_1、SL2_2。位於同一行上的畫素電路SP11、SP21是共同耦接於資料線LD1。位於同一行上的畫素電路SP12、SP22是共同耦接於資料線LD2。位於同一行上的畫素電路SP13、SP23則是共同耦接於資料線LD3。畫素電路SP11、SP12、SP13可透過掃描線SL1_1、SL1_2來分別接收依序致能的掃描信號SEL(N)、SEL(N+1)，以分別透過資料線LD1、LD2、LD3依序接收資料電壓Vdata1_1、Vdata1_2、Vdata2_1、Vdata2_2、Vdata3_1、Vdata3_2。畫素電路SP21、SP22、SP23可透過掃描線SL2_1、SL2_2來分別接收依序致能的掃描信號SEL(N+2)、SEL(N+3)，以分別透過資料線LD1、LD2、LD3依序接收資料電壓Vdata1_1、Vdata1_2、Vdata2_1、Vdata2_2、Vdata3_1、Vdata3_2。

圖5是依據本發明再一實施例所繪示的顯示裝置的佈線示意圖。請參考圖5，與圖1B、圖4不同的是，圖5的顯示裝置500中，各行的畫素電路（如SPR、SPG、SPB）可耦接相同的偵測共用線（如Lcom1_1、Lcom1_2、Lcom2_1、Lcom2_2、Lcom3_1、Lcom3_2），並且畫素SPR、SPG、SPB耦接於不相同的偵測共用線Lcom1_1、Lcom1_2、Lcom2_1、Lcom2_2、Lcom3_1、Lcom3_2。在本實施例的各行的多數個畫素電路的顯示色不同於相鄰行的多數個畫素的顯示色。也就是說，畫素電路SPG的顯示色與相鄰行的畫素電路SPR、SPB的顯示色不相同。

在本實施例的畫素SPR、SPG、SPB中的偵測共用線Lcom1_1、Lcom1_2、Lcom2_1、Lcom2_2、Lcom3_1、Lcom3_2是平行於資料線LD1_1、LD1_2、LD2_1、LD2_2、LD3_1、LD3_2的佈局設計，亦即在本實施例的畫素電路SPR、SPG、SPB中，偵測共用線Lcom1_1、Lcom1_2、Lcom2_1、Lcom2_2、Lcom3_1、Lcom3_2的布局設計可以相似於資料線LD1_1、LD1_2、LD2_1、LD2_2、LD3_1、LD3_2的布局設計。

應注意的是，在本實施例中，由於各行的畫素SPR、SPG、SPB中用於顯示不同顯示色的發光元件可能具有不同的電致發光效率。因此在本實施例中，各行的畫素所接收的系統低電壓OVSS1、OVSS2及OVSS3可彼此不同，以使畫素SPR、SPG、SPB可以達到顯示效果可以相似或相同。

圖6是依據本發明一實施例所繪示的畫素偵測方法的流程圖。請參考圖6，首先，在步驟S610中，在點亮偵測期間，透過第一偵測共用線將流經畫素電路的第一發光元件的第一發光電流傳送至電流偵測電路，以判斷第一發光元件是否正常。在步驟S620中，在點亮偵測期間，透過第二偵測共用線將流經畫素電路的第二發光元件的第二發光電流傳送至電流偵測電路，以判斷第二發光元件是否正常。在步驟S630中，在顯示操作期間，透過第一偵測共用線及第二偵測共用線傳送系統低電壓至畫素電路。關於上述步驟S610~S630的實施細節，在前述的圖1A的實施例中已有詳盡的說明，因此不再重述。

綜上所述，本發明實施例的顯示裝置藉由開關將偵測共用線耦接至電流偵測電路或系統低電壓，而流經第一發光元件的第一發光電流及流經第二發光元件的第二發光電流經可透過第一偵測共用線及第二偵測共用線傳送至電流偵測電路。藉此，可分別檢測第一發光元件及第二發光電流的健康狀態。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300‧‧‧顯示裝置
110、210、310‧‧‧顯示面板
P1、P2‧‧‧RGB畫素電路
SP1~SP3、SP11~SP13、SP21~SP23、SPR、SPG、SPB‧‧‧畫素電路
D1、D2‧‧‧發光元件
C1、C2‧‧‧電容
T1、T4‧‧‧寫入電晶體
T2、T3‧‧‧驅動電晶體
OVSS、OVSS1~OVSS3‧‧‧系統低電壓
OVDD‧‧‧系統高電壓
I1、I2‧‧‧發光電流
SLX、SLX1、SLX2、SL1、SL2、SL1_1、SL1_2、SL2_1、SL2_2‧‧‧掃描線
Lcom1、Lcom2、Lcom1_1、Lcom1_2、Lcom2_1、Lcom2_2、Lcom3_1、Lcom3_2‧‧‧偵測共用線
S1~S4、S11~S14、S21~S24、S31~S34‧‧‧開關
CSU1、CSU2、CSU11、CSU12、CSU21、CSU22、CSU31、CSU32‧‧‧電流偵測電路
SEL(N)、SEL(N+1)、SEL(N+2)、SEL(N+3)‧‧‧掃描信號
LD1~LD3、LD1_1、LD1_2、LD2_1、LD2_2、LD3_1、LD3_2‧‧‧資料線
Vdata1_1、Vdata1_2、Vdata2_1、Vdata2_2、Vdata3_1、Vdata3_2‧‧‧資料電壓
CL1、CL2‧‧‧限流電路
S610~S630‧‧‧步驟

圖1A是依據本發明一實施例所繪示的顯示裝置的電路示意圖。 圖1B是依據本發明一實施例所繪示的顯示裝置的佈線示意圖。 圖2是依據本發明另一實施例所繪示的顯示裝置的電路示意圖。 圖3是依據本發明又一實施例所繪示的顯示裝置的電路示意圖。 圖4是依據本發明又一實施例所繪示的顯示裝置的佈線示意圖。 圖5是依據本發明再一實施例所繪示的顯示裝置的佈線示意圖。 圖6是依據本發明一實施例所繪示的畫素偵測方法的流程圖。

Claims (18)

1. 一種顯示裝置，包括： 一顯示面板，包括： 多個畫素電路，其中該些畫素電路分別包括： 一第一發光元件； 一第一限流電路，耦接該第一發光元件，並且接收一第一資料電壓，以依據該第一資料電壓提供一第一發光電流至該第一發光元件； 一第二發光元件；以及 一第二限流電路，耦接該第二發光元件，並且接收一第二資料電壓，以依據該第二資料電壓提供一第二發光電流至該第二發光元件； 多個第一偵測共用線，耦接該些畫素電路，用以分別傳送對應畫素電路的該第一發光電流； 多個第二偵測共用線，耦接該些畫素電路，用以分別傳送對應畫素電路的該第二發光電流； 多個電流偵測電路，用以在一偵測期間接收對應畫素電路的該第一發光電流以判斷對應畫素電路的該第一發光元件是否正常，並且接收對應畫素電路的該第二發光電流以判斷對應畫素電路的該第二發光元件是否正常； 多個第一開關，分別耦接於對應的第一偵測共用線與對應的電流偵測電路之間，並且在該偵測期間導通； 多個第二開關，分別耦接於對應的第一偵測共用線與一系統低電壓之間，並且在一顯示操作期間導通； 多個第三開關，分別耦接於對應的第二偵測共用線與對應的電流偵測電路之間，並且在該偵測期間導通；以及 多個第四開關，分別耦接於對應的第二偵測共用線與該系統低電壓之間，並且在該顯示操作期間導通。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各列的該些畫素電路耦接同一第一偵測共用線及同一第二偵測共用線。
3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各行的該些畫素電路耦接同一第一偵測共用線及同一第二偵測共用線。
4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中各行的該些畫素電路的一顯示色不同於相鄰行的該些畫素電路的一顯示色，並且各行的該些畫素電路所接收的該系統低電壓不同於相鄰行的該些畫素電路所接收的該系統低電壓。
5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中在該偵測期間中，各該些第一偵測共用線所耦接的該些畫素電路的其中之一所接收的該第一資料電壓設定為一低灰階電壓，各該些第一偵測共用線所耦接的該些畫素電路的其餘畫素電路所接收的該些第一資料電壓設定為一截止電壓。
6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中在該偵測期間中，各該些第二偵測共用線所耦接的該些畫素電路的其中之一所接收的該第二資料電壓設定為一低灰階電壓，各該些第二偵測共用線所耦接的該些畫素電路的其餘畫素電路所接收的該些第二資料電壓設定為一截止電壓。
7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一限流電路包括： 一第一驅動電晶體，與該第一發光元件串聯耦接於一系統高電壓與對應的第一偵測共用線之間； 一第一電容，耦接於該第一驅動電晶體的一源極端與一閘極端之間；以及 一第一寫入電晶體，具有接收該第一資料電壓的一源極端、接收一第一掃描信號的一閘極端、以及耦接該第一驅動電晶體的該閘極端的一汲極端。
8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中該第二限流電路包括： 一第二驅動電晶體，與該第二發光元件串聯耦接於該系統高電壓與對應的第二偵測共用線之間； 一第二電容，耦接於該第二驅動電晶體的一源極端與一閘極端之間；以及 一第二寫入電晶體，具有接收該第二資料電壓的一源極端、接收一第二掃描信號的一閘極端、以及耦接該第二驅動電晶體的該閘極端的一汲極端。
9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該顯示面板更包括多個第一資料線、多個第二資料線及多個掃描線，其中各該些第一資料線耦接各該些畫素電路的該第一寫入電晶體的該源極端以傳送該第一資料電壓，各該些第二資料線耦接各該些畫素電路的該第二寫入電晶體的該源極端以傳送該第二資料電壓，各該些掃描線耦接各該些畫素電路的該第一寫入電晶體的該閘極端及該第二寫入電晶體的該閘極端以同步傳送該第一掃描信號及該第二掃描信號。
10. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該顯示面板更包括多個資料線、多個第一掃描線及多個第二掃描線，其中各該些資料線耦接各該些畫素電路的該第一寫入電晶體的該源極端及該第二寫入電晶體的該源極端以依序傳送該第一資料電壓及該第二資料電壓，各該些第一掃描線耦接各該些畫素電路的該第一寫入電晶體的該閘極端以傳送該第一掃描信號，各該些第二掃描線耦接各該些畫素電路的該第二寫入電晶體的該閘極端以傳送該第二掃描信號。
11. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該偵測期間包括一點亮偵測期間及一特性偵測期間，在該點亮偵測期間，該些電流偵測電路分別接收對應畫素電路的該第一發光電流以判斷對應畫素電路的該第一發光元件是否正常，並且該些電流偵測電路分別接收對應畫素電路的該第二發光電流以判斷對應畫素電路的該第二發光元件是否正常，在特性偵測期間，該些電流偵測電路分別接收對應畫素電路的該第一發光電流以判斷對應畫素電路的該第一驅動電晶體的電氣特性，並且該些電流偵測電路分別接收對應畫素電路的該第二發光電流以判斷對應畫素電路的該第二驅動電晶體的電氣特性。
12. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一發光元件及該第二發光元件分別為一有機發光二極體或一微型發光二極體。
13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該些第一開關、該些第二開關、該些第三開關、以及該些第四開關為配置於該顯示面板。
14. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該些電流偵測電路、該些第一開關、該些第二開關、該些第三開關、以及該些第四開關為配置於一電路板。
15. 一種畫素偵測方法，包括： 在一點亮偵測期間，透過一第一偵測共用線將流經一畫素電路的一第一發光元件的一第一發光電流傳送至一電流偵測電路，以判斷該第一發光元件是否正常； 在該點亮偵測期間，透過一第二偵測共用線將流經該畫素電路的一第二發光元件的一第二發光電流傳送至該電流偵測電路，以判斷該第二發光元件是否正常；以及 在一顯示操作期間，透過該第一偵測共用線及該第二偵測共用線傳送一系統低電壓至該畫素電路。
16. 如申請專利範圍第15項所述的畫素偵測方法，其中該第一發光元件串聯耦接一第一驅動電晶體，該第二發光元件串聯耦接一第二驅動電晶體，其中該畫素偵測方法更包括： 在一特性偵測期間，透過該第一偵測共用線將流經該畫素電路的該第一發光元件及該第一驅動電晶體的該第一發光電流傳送至該電流偵測電路，以判斷該第一驅動電晶體的電氣特性；以及 在該特性偵測期間，透過該第二偵測共用線將流經該畫素電路的該第二發光元件及該第二驅動電晶體的該第二發光電流傳送至該電流偵測電路，以判斷該第二驅動電晶體的電氣特性。
17. 如申請專利範圍第16項所述的畫素偵測方法，更包括： 在該點亮偵測期間及該特性偵測期間的一受測期間，傳送一低灰階電壓以導通該第一驅動電晶體及該第二驅動電晶體；以及 在該點亮偵測期間及該特性偵測期間的一非受測期間，傳送一截止電壓以關閉該第一驅動電晶體及該第二驅動電晶體。
18. 如申請專利範圍第15項所述的畫素偵測方法，其中該第一發光元件及該第二發光元件分別為一有機發光二極體或一微型發光二極體。