TWI630619B - 半導體裝置 - Google Patents

半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI630619B
TWI630619B TW102139977A TW102139977A TWI630619B TW I630619 B TWI630619 B TW I630619B TW 102139977 A TW102139977 A TW 102139977A TW 102139977 A TW102139977 A TW 102139977A TW I630619 B TWI630619 B TW I630619B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
voltage
voltages
semiconductor device
signals
Prior art date
Application number
TW102139977A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201421485A (zh
Inventor
金秀桓
金在勳
沈大用
Original Assignee
愛思開海力士有限公司
韓國首爾大學校產學協力團
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 愛思開海力士有限公司, 韓國首爾大學校產學協力團 filed Critical 愛思開海力士有限公司
Publication of TW201421485A publication Critical patent/TW201421485A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI630619B publication Critical patent/TWI630619B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一半導體裝置包括：一控制電壓產生器，其根據一溫度區段信號產生一控制電壓；及一溫度電壓輸出區塊，其根據該控制電壓及該溫度區段信號輸出隨一溫度而變化的一溫度電壓。

Description

半導體裝置 相關申請案之交叉參考
本申請案主張2012年11月23日申請之韓國專利申請案第10-2012-0134048號之優先權，其以全文引用的方式併入本文中。
本發明之實施例係關於一種半導體裝置，且更特定言之，係關於一種能夠在低驅動電壓下量測溫度之半導體裝置。
其中包括半導體裝置之系統可量測溫度，且根據所量測的溫度控制該半導體裝置之各種操作參數。
圖1為說明根據先前技術的溫度電壓產生器的方塊圖。
該溫度電壓產生器包括：電壓控制器10，其經組態以接收參考電壓VIN且產生控制電壓VC；及電壓輸出裝置20，其經組態以根據該控制電壓VC輸出溫度電壓VTEMP。電壓控制器10包括電阻器R1及NMOS電晶體N1，兩者串聯連接。電壓輸出裝置20包括皆串聯連接的電阻器R2、R3及NMOS電晶體N2。
圖2為說明與處於低驅動電壓VDRV下的根據圖1的先前技術之溫度電壓產生器有關的問題之圖。
可藉由改變電阻器R1至R3之電阻值及參考電壓VIN來調整圖2中的溫度電壓VTEMP之斜率及位準。當驅動電壓VDRV如圖2中所說明而下降時，習知溫度電壓產生器之溫度電壓VTEMP的斜率減小。因 為由具有較低驅動電壓VDRVL之溫度電壓產生器產生的溫度電壓VTEMP之斜率減小，因此較之於由具有較高驅動電壓VDRVH之溫度電壓產生器產生之溫度電壓VTEMP，溫度電壓VTEMP之相同改變導致所量測溫度T的較大改變。結果，由在較低驅動電壓VDRVL下操作的溫度電壓產生器進行之溫度量測使得難以進行精確量測。
各種實施例係針對能夠在低驅動電壓下量測溫度之半導體裝置。
在一實施例中，一半導體裝置可包括：一控制電壓產生器，其用於根據一溫度區段信號產生控制電壓；及一溫度電壓輸出區塊，其用於根據該控制電壓及該溫度區段信號輸出隨溫度而變化的溫度電壓。
在一實施例中，一半導體裝置可包括：一第一信號產生器，其用於產生隨一溫度區段中之溫度而變化的一第一信號；及一第二信號產生器，其用於產生在該溫度區段中恆定之一第二信號。
在一實施例中，一半導體可包括：一控制器，其用於依序產生複數個溫度信號，每一溫度信號對應於一溫度區段；一參考電壓產生器，其用於根據該複數個溫度信號依序產生第一參考電壓；一溫度電壓產生器，其用於根據該複數個溫度信號依序產生溫度電壓及複數個第二參考電壓；及一比較器，其用於依序比較該等第一參考電壓與該等溫度電壓。
在一實施例中，該參考電壓產生器可包括：一分壓器，其用於劃分一驅動電壓以產生複數個分壓；及一第一選擇器，其用於根據該複數個溫度信號依序選擇該複數個分壓中的一者作為該等第一參考電壓。
在一實施例中，該參考電壓產生器可進一步包含一第二選擇 器，該第二選擇器用於根據該複數個溫度信號依序選擇該複數個分壓中的一者作為該等第二電壓。
在一實施例中，該半導體裝置可進一步包含：一分壓器，其用於劃分一驅動電壓以產生複數個分壓；及一選擇器，其用於根據該複數個溫度信號依序選擇該複數個分壓中的一者作為該等第二參考電壓。
在一實施例中，該溫度電壓產生器可包括：一控制電壓產生器，其用於根據該複數個溫度信號依序產生複數個控制電壓；及一溫度電壓輸出區塊，其用於根據該複數個溫度信號及該複數個控制電壓依序輸出該複數個溫度電壓。
在一實施例中，該控制電壓產生器可包括：一第一電阻器區塊，其電阻由該複數個溫度信號依序控制；及一第二電阻器區塊，其電阻由該複數個第二參考電壓依序控制，且其中該複數個控制電壓係藉由該第一電阻器區塊與該第二電阻器區塊之電阻比率判定。
在一實施例中，該溫度電壓輸出區塊可包括：一第三電阻器區塊，其電阻由該複數個溫度信號依序控制；及一第四電阻器區塊，其電阻由該複數個控制電壓依序控制，其中該複數個溫度電壓係藉由該第三電阻器區塊與該第四電阻器區塊之電阻比率判定。
在一實施例中，該半導體裝置可進一步包含：複數個鎖存器，其用於根據該複數個溫度信號依序儲存來自該比較器之一輸出；及一解碼器，其用於根據該複數個鎖存器之值產生一溫度代碼。
在一實施例中，一半導體裝置可產生複數個溫度電壓，每一溫度電壓隨複數個溫度區段當中的一對應溫度區段中之溫度而變化，其中一溫度電壓對應於包括在不同溫度區段中之兩個或兩個以上溫度。
10‧‧‧電壓控制器
20‧‧‧電壓輸出裝置
100‧‧‧溫度電壓產生器
110‧‧‧控制電壓產生器
111‧‧‧第一電阻器區塊
112‧‧‧第二電阻器區塊
120‧‧‧溫度電壓輸出區塊
121‧‧‧第三電阻器區塊
122‧‧‧第四電阻器區塊
130‧‧‧輸入電壓產生器
131‧‧‧分壓器
132‧‧‧選擇器
200‧‧‧參考電壓產生器
210‧‧‧分壓器
220‧‧‧選擇器
230‧‧‧選擇器
300‧‧‧控制器
400‧‧‧比較器
500‧‧‧溫度代碼產生器
510‧‧‧儲存區塊
520‧‧‧解碼器
N1‧‧‧NMOS電晶體
N2‧‧‧NMOS電晶體
R1‧‧‧電阻器
R2‧‧‧電阻器
R3‧‧‧電阻器
圖1為說明習知溫度電壓產生器之方塊圖。
圖2為說明與處於低驅動電壓下的習知溫度電壓產生器有關的問題之圖。
圖3a至圖3i為說明根據一實施例之自一溫度電壓產生器輸出之各種溫度電壓的圖。
圖4為說明根據一實施例之半導體裝置之方塊圖。
圖5為說明根據一實施例之溫度電壓產生器之電路圖。
圖6為說明根據一實施例之輸入電壓產生器之方塊圖。
圖7為說明根據一實施例之參考電壓產生器之方塊圖。
圖8為說明根據一實施例之參考電壓產生器之方塊圖。
圖9為說明根據一實施例之半導體裝置之方塊圖。
圖10為說明根據一實施例之溫度代碼產生器之方塊圖。
圖11為說明根據一實施例之半導體裝置之方塊圖。
圖12為說明根據一實施例之半導體裝置之操作的流程圖。
圖13包括說明根據圖12之流程圖操作的半導體裝置之溫度電壓之圖。
圖14為說明根據一實施例之半導體裝置之操作的流程圖。
圖15包括說明根據圖14之流程圖操作的半導體裝置之溫度電壓之圖。
下文將參考隨附圖式更詳細地描述各種實施例。然而，本發明之此等實施例可採用不同形式/以不同形式具現化，且不應解釋為限於本文中闡述之實施例。貫穿本發明，相同的參考數字貫穿各圖及本發明之實施例指代相同部分。
圖3a至圖3i為說明根據一實施例之自一溫度電壓產生器輸出之各種溫度電壓的圖。
在此等實施例中，對應於溫度量測範圍之溫度區段劃分成複數 個溫度區段。經劃分溫度區段之數目及每一經劃分溫度區段之間隔可根據實施例而變化。
經劃分溫度區段中的一者中之溫度電壓可與其他經劃分溫度區段中之溫度電壓以不同方式隨溫度而變化。在一些實施例中，相同溫度電壓對應於可包括在不同溫度區段中之兩個或兩個以上溫度。
圖3a1-3a3至圖3c1-3c3可表示其中溫度區段TL至TH被劃分成兩個溫度區段TL至TF及TF至TH之實施例。考慮到電路中之電壓降，最高溫度電壓VM可能小於驅動電壓VDRV。
在圖3a1-3a3中所示的實施例中，溫度電壓V1對應於兩個溫度T10及T11，其中之每一者包括在不同溫度區段中。
在一實施例中，一溫度區段中之溫度電壓可與其他溫度區段中之溫度電壓以不同方式隨該溫度區段中之溫度而變化。
返回參看圖2，最大與最小溫度電壓VM與Vm之間的差與溫度區段TL至TH之間隔之間的比率S0表示為以下方程式1：S0=(VM-Vm)/(TH-TL)[方程式1]。
方程式1對應於自根據圖2之習知溫度電壓產生器輸出之溫度電壓VTEMP的斜率。
參看圖3a，來自根據本發明之一實施例的溫度電壓產生器的在每一溫度區段TL至TF及TF至TH中之溫度電壓輸出VTEMP的斜率S1及S2分別由以下方程式2及3表示：S1=(VM-Vm)/(TF-TL)[方程式2]；S2=(VM-Vm)/(TH-TF)[方程式3]。
斜率S1及S2之值皆大於斜率S0之值。
在習知方法中，最高溫度電壓VM隨著驅動電壓VDRV變低而減小。此導致溫度電壓VTEMP之斜率的減小，且因此溫度電壓VTEMP之甚至小的改變亦可能引起對應溫度的大改變。結果，由在較低驅動 電壓VDRV下操作的溫度電壓產生器進行之溫度的精確量測變得更困難。
在一實施例中，對應於一溫度量測範圍之一個溫度區段劃分成複數個溫度區段。因此，隨著驅動電壓VDRV變低，每一溫度區段中之溫度電壓VTEMP的斜率可能具有大於預定值之值。
該預定值可根據實施例而變化。在一實施例中，針對一溫度區段之預定值大於方程式1之S0。針對溫度量測不必如前述溫度區段般精確的另一溫度區段之預定值可等於或小於方程式1之S0。
圖3a1中之溫度電壓VTEMP可認為係分別在圖3a2及圖3a3中展示的兩個溫度電壓VTEMP1與VTEMP2之組合。可由圖5中所示的溫度電壓產生器按順序產生溫度電壓VTEMP1及VTEMP2中的每一者。
參看圖3a2，第一溫度電壓VTEMP1在第一溫度區段TL至TF中具有所要斜率。第一溫度電壓VTEMP1在第二溫度區段TF至TH中具有最小溫度電壓Vm。參看圖3a3，第二溫度電壓VTEMP2在第二溫度區段TF至TH中具有所要斜率。第二溫度電壓VTEMP2在第一溫度區段TL至TF中具有最高溫度電壓VM。
在一實施例中，比較值在對應溫度區段中保持實質上相同的參考電壓與在該對應溫度區段中變化之溫度電壓。如圖3a2及圖3a3中所說明，將第一參考電壓VREF1及第二參考電壓VREF2分別與第一溫度電壓VTMEP1及第二溫度電壓VTEMP2相比較。在另一實施例中，在每一溫度區段中使用兩個或兩個以上參考電壓以增大溫度量測之解析度，此將參看圖14及圖15加以詳細描述。
參看圖3b1至圖3b3，一個溫度區段中之最高溫度電壓VM及/或最小溫度電壓Vm不同於其他溫度區段中之彼等V2及V3。
結果，當溫度電壓VTEMP高於第二溫度區段TF至TH中之最高溫度電壓V2或低於第二溫度區段TF至TH中之最小溫度電壓V3時，溫度 電壓VTEMP可對應於一個溫度。當溫度電壓VTEMP在最大與最小電壓V2與V3之間時，溫度電壓VTEP對應於包括在不同溫度區段中之兩個溫度。
圖3b1中之溫度電壓VTEMP可認為係分別在圖3b2及圖3b3中展示的兩個溫度電壓VTEMP1與VTEMP2之組合。可由圖5中所示的溫度電壓產生器按順序產生溫度電壓VTEMP1及VTEMP2中的每一者。
參看圖3c1，在第一溫度區段TL至TF中之溫度電壓VTEMP具有正斜率時，第二溫度區段TF至TH中之溫度電壓VTEMP具有負斜率。圖3c1中之溫度電壓VTEMP可認為係分別在圖3c2及圖3c3中展示的兩個溫度電壓VTEMP1與VTEMP2之組合。可由圖5中所示的溫度電壓產生器按順序產生溫度電壓VTEMP1及VTEMP2中的每一者。
圖3d1至圖3g3說明根據將溫度範圍TL至TH劃分成三個溫度區段TL至TF1、TF1至TF2及TF2至TH之實施例的自溫度電壓產生器輸出的溫度電壓。
圖3d1中之溫度電壓VTEMP可認為係分別在圖3d2、圖3d3及圖3d4中展示的三個溫度電壓VTEMP1、VTEMP2與VTEMP3之組合。可由圖5中所示的溫度電壓產生器按順序產生溫度電壓VTEMP1、VTEMP2及VTEMP3中的每一者。
在一實施例中，比較值在對應溫度區段中保持實質上相同的參考電壓與在該對應溫度區段中變化之溫度電壓較。舉例而言，如圖3d2至圖3d4中所說明，將第一參考電壓VREF1、第二參考電壓VREF2及第三參考電壓VREF3分別與第一溫度電壓VTEMP1、第二溫度電壓VTEMP2及第三溫度電壓VTEMP3相比較。
參看圖3e1，在精確溫度量測不如在其他溫度區段(例如，TL至TF1及TF2至TH)中那般需要的第二溫度區段TF1至TF2中之溫度電壓VTEMP實質上維持在最小電壓溫度Vm。
圖3e1中之溫度電壓VTEMP可認為係分別在圖3e2、圖3e3及圖3e4中展示的三個溫度電壓VTEMP1、VTEMP2與VTEMP3之組合。可由圖5中所示的溫度電壓產生器按順序產生溫度電壓VTEMP1、VTEMP2及VTEMP3中的每一者。
參看圖3f1及圖3g1，第二溫度區段TF1至TF2為第一溫度區段TL至TF1與第三溫度區段TF2至TH之間的邊界區段。第一、第二及第三溫度電壓VTEMP1、VTEMP2及VTEMP3分別對應於第一、第二及第三溫度區段TL至TF1、TF1至TF2及TF2至TH中之溫度電壓。在一實施例中，如圖3f2中所示，第二溫度電壓VTEMP2及第一溫度電壓VTEMP1在溫度TF1處連續。在另一實施例中，如圖3g3中所示，第二溫度電壓VTEMP2及第三溫度電壓VTEMP3在溫度TF2處連續。
在藉由自低溫TL掃描至高溫TH而判定溫度之一實施例中，在第一溫度區段TL至TF1及第二溫度區段TF1至TF2中使用圖3f1之左側圖判定對應於溫度電壓VTEMP之溫度，且在第三溫度區段TF2至TH中使用圖3f1之右側圖判定對應於溫度電壓VTEMP之溫度。
在藉由自高溫TH掃描至低溫TL而判定對應於溫度電壓VTEMP之溫度之一實施例中，在第二溫度區段TF1至TF2及第三溫度區段TF2至TH中使用圖3g1之右側圖判定該溫度，且在第一溫度區段TL至TF1中使用圖3g1之左側圖判定該溫度。
圖3h1及圖3i1說明根據將溫度範圍TL至TH劃分成四個溫度區段TL至TF1、TF1至TF2、TF2至TF3及TF3至TH之實施例的自溫度電壓產生器輸出的溫度電壓VTEMP。
圖3h1中之溫度電壓VTEMP可認為係分別在圖3h2、圖3h3、圖3h4及圖3h5中展示的四個溫度電壓VTEMP1、VTEMP2、VTEMP3與VTEMP4之組合。可由圖5中所示的溫度電壓產生器按順序產生溫度電壓VTEMP1、VTEMP2、VTEMP3及VTEMP4中的每一者。
在一實施例中，比較值在對應溫度區段中保持實質上相同之參考電壓與該對應溫度區段中之溫度電壓。如圖3h2至圖3h5中所說明，將第一參考電壓VREF1、第二參考電壓VREF2、第三參考電壓VREF3及第四參考電壓VREF4分別與第一溫度電壓VTEMP1、第二溫度電壓VTEMP2、第三溫度電壓VTEMP3及第四溫度電壓VTEMP4相比較。
參看圖3i2至圖3i5，比較每一溫度區段中之兩個參考電壓與對應溫度區段中之溫度電壓VTEMP。如圖3i2至圖3i5中所示，比較參考電壓VREF11及VREF12與第一溫度電壓VTEMP1，比較參考電壓VREF21及VREF22與第二溫度電壓VTEMP2，比較參考電壓VREF31及VREF32與第三溫度電壓VTEMP3，且比較參考電壓VREF41及VREF42與第四溫度電壓VTEMP4。
可在每一溫度區段中使用更多參考電壓以進一步增大溫度量測之解析度，此將參看圖14及圖15加以詳細描述。
圖4為說明根據一實施例之半導體裝置之方塊圖。
在一實施例中，該半導體裝置包括一溫度電壓產生器100，該溫度電壓產生器100經組態以根據溫度區段信號STEMP產生隨溫度區段中之溫度而變化的溫度電壓VTEMP。該半導體裝置亦包括：參考電壓產生器200，其經組態以產生在溫度區段中實質上恆定的第一參考電壓VREF；控制器300，其經組態以產生溫度區段信號STEMP；及比較器400，其經組態以比較該第一參考電壓VREF與該溫度電壓VTEMP。
在一實施例中，該控制器300根據溫度區段依序產生且輸出複數個溫度區段信號STEMP。在此實施例中，當一區段信號STEMP在特定時間具有對應於一溫度區段之預定值時，溫度電壓產生器100輸出位準及斜率根據區段信號STEMP而在該溫度區段中變化之溫度電壓VTEMP。參考電壓產生器200輸出對應於該溫度區段之第一參考電壓 VREF，且比較器400輸出兩個電壓VTEMP與VREF之間的比較結果。
圖5為說明根據一實施例之溫度電壓產生器100之方塊圖。
在圖5中所示的實施例中，溫度電壓產生器100包括控制電壓產生器110及溫度電壓輸出區塊120。
控制電壓產生器110包括：第一電阻器區塊111，其電阻值由溫度區段信號STEMP控制；及第二電阻器區塊112，其電阻值由可為第二參考電壓VIN之輸入電壓VIN控制。第一電阻器區塊111與第二電阻器區塊112串聯地耦接至彼此。
第一電阻器區塊111包括一個或一個以上電晶體及電阻器，該等電阻器中的每一者並聯地耦接至一對應電晶體。第二電阻器區塊112包括串聯地耦接至彼此之一個或一個以上電晶體。在一實施例中，包括在第一電阻器區塊111及第二電阻器區塊112中之該等電晶體分別為PMOS及NMOS電晶體。在此實施例中，將溫度區段信號STEMP[m]及[n]之反相信號STEMP[x]及[y]施加至第一區塊111中之PMOS電晶體的閘極。
第二參考電壓VIN可由溫度區段信號STEMP控制，且可根據溫度區段而具有不同值。產生包括第二參考電壓VIN之VIN的輸入電壓產生器130之一實施例說明於圖6中。
參看圖6，輸入電壓產生器130包括分壓器131，分壓器131用以將驅動電壓VDRV劃分成複數個分壓。輸入電壓產生器130亦包括選擇器132，選擇器132根據溫度區段信號STEMP選擇該複數個分壓中的一者且輸出該選定分壓作為第二參考電壓VIN。
在一實施例中，輸入電壓產生器130可單獨地包含在半導體裝置中。在另一實施例中，如下文將參看圖8所描述，輸入電壓產生器130包含在參考電壓產生器200中。
返回參看圖5，溫度電壓輸出區塊120包括：第三電阻器區塊 121，其電阻值由溫度區段信號STEMP控制；及第四電阻器區塊122，其電阻值由控制電壓VC控制。第四電阻器區塊122串聯地耦接至第三電阻器區塊121。在其它實施例中，第三電阻器區塊121之電阻值保持實質上恆定，而第一電阻器區塊111之電阻值根據溫度區段信號STEMP而變化。
第三電阻器區塊121包括一個或一個以上電晶體及電阻器，該等電阻器中的每一者並聯地耦接至一對應電晶體。第四電阻器區塊122包括串聯地耦接至彼此之一個或一個以上電晶體。在一實施例中，包括在第三電阻器區塊121及第四電阻器區塊122中之該等電晶體分別為PMOS及NMOS電晶體。在此實施例中，將溫度區段信號STEMP[m]及[n]之反相信號STEMP[x]及[y]施加至第三電阻器區塊121中之PMOS電晶體的閘極。
在一實施例中，溫度電壓輸出區塊120進一步包含耦接至第四電阻器區塊122之電阻器R。
自溫度電壓輸出區塊120輸出之溫度電壓VTEMP可根據溫度區段信號STEMP及控制電壓VC隨溫度區段中之溫度而變化。
舉例而言，在圖5中，如下文將論述，可調整第二參考電壓VIN以及第一電阻器區塊111及第三電阻器區塊121之電阻值以控制溫度電壓VTEMP之斜率及位準。
可根據溫度區段信號STEMP之值調整第一電阻器區塊111之電阻值，溫度區段信號STEMP之值在不同溫度區段中變化。舉例而言，若第一電阻器區塊111之電阻值減小，而第二參考電壓VIN及第三電阻器區塊121之電阻保持實質上恆定，則跨第一電阻器區塊111兩端之電壓降減小，且控制電壓VC增大。因為施加至第四電阻器區塊122之電晶體的閘極-源極電壓增大，因此跨第三電阻器區塊121兩端之電壓降增大，藉此間小溫度電壓VTEMP之位準。因此，藉由調整用於第 一電阻器區塊111之溫度區段信號STEMP之值，可使溫度電壓VTEMP之位準上下偏移。
可根據溫度區段信號STEMP之值調整第三電阻器區塊121之電阻值。舉例而言，若第三電阻器區塊121之電阻值改變，而第二參考電壓VIN及第一電阻器區塊111之電阻保持實質上恆定，則溫度電壓VTEMP所經歷之輸出電阻值改變。因為溫度電壓輸出區塊120之增益與輸出電阻值成比例，因此溫度電壓VTEMP之斜率改變。
此外，可根據溫度區段信號STEMP之值調整第二參考電壓VIN。舉例而言，第二參考電壓VIN增大，而第一電阻器區塊111及第三電阻器區塊121之電阻值保持實質上恆定。特定言之，若第二參考電壓VIN高而使得第二電阻器區塊112之電晶體的閘極-源極電壓大於第二電阻器區塊112之電晶體的零溫度係數(ZTC)，則隨著溫度減小，穿過電晶體之汲極-源極電流Ids變高，且控制電壓VC減小。因為第四電阻器區塊122之電晶體的閘極-源極電壓減小，因此穿過第四電阻器區塊122之此等電晶體的電流亦減小。結果，跨第三電阻器區塊121兩端的電壓降減小，且溫度電壓VTEMP增大。因此，溫度電壓VTEMP具有與絕對溫度互補(CTAT)特性，此導致隨溫度而變的溫度電壓VTEMP之負斜率。另一方面，當第二參考電壓低而使得第二電阻器區塊112之電晶體的閘極-源極電壓低於電晶體之ZTC時，溫度電壓VTEMP具有與絕對溫度成比例(PTAT)特性，此導致如圖3c3之第二溫度區段TF至TH中所示的溫度電壓VTEMP之正斜率。
因此，藉由調整第一電阻器區塊111及/或第三電阻器區塊121之電阻值及/或第二參考電壓VIN，可視需要控制溫度電壓VTEMP之斜率及位準。
藉由控制溫度電壓VTEMP之斜率及位準，自溫度電壓輸出區塊120輸出之溫度電壓VTEMP可具有如圖3a至圖3i中所說明之各種特 性。在一實施例中，可藉由溫度區段信號STEMP來獨立地調整第一電阻器區塊111、第三電阻器區塊121之電阻值、第二參考電壓VIN中的每一者。
溫度區段信號STEMP可用於產生在每一溫度區段中具有所要特性之溫度電壓VTEMP。在一實施例中，控制器300(見圖4)針對預定週期產生對應於溫度區段的溫度區段信號STEMP，且針對該預定週期將所產生之溫度區段STEMP提供至溫度電壓產生器100及第一參考電壓產生器200。舉例而言，在圖5中，溫度區段信號STEMP根據對應溫度區段而具有不同值STEMP[m]/STEMP[n](例如，0/0、0/1、1/0，及1/1)。
圖7為說明根據一實施例之參考電壓產生器之方塊圖。
參看圖7，參考電壓產生器200包括用以將驅動電壓VDRV劃分成複數個分壓之分壓器210。參考電壓產生器200亦包括選擇器220，選擇器220根據溫度區段信號STEMP選擇該複數個分壓中的一者且輸出該選定分壓作為第一參考電壓VREF。
舉例而言，分壓器210包括串聯連接至彼此之複數個電阻器。
在一實施例中，第一參考電壓VREF在複數個溫度區段中具有實質上恆定值，且此等值可因溫度區段而不同。
圖8為說明根據一實施例之參考電壓產生器之方塊圖。
在此實施例中，參考電壓產生器200進一步包含選擇器230，選擇器230將第二參考電壓VIN輸出至溫度電壓產生器。選擇器230及分壓器210充當圖6中所示的輸入電壓產生器130。在此實施例中，因為圖6中所示的輸入電壓產生器130包括在參考電壓產生器200中，因此如圖6中所說明的輸入電壓產生器130不包括在溫度電壓產生器100中(見圖4)。
圖9為說明根據另一實施例之半導體裝置之方塊圖。
在圖9中所示的實施例中，第二參考電壓VIN係自溫度電壓產生器100外部的外部節點提供。在另一實施例中，第二參考電壓VIN係在如圖8中所說明的參考電壓產生器200中產生。
圖10為說明根據一實施例之溫度代碼產生器之方塊圖。
根據此實施例，溫度代碼產生器500包括在半導體裝置中。
溫度代碼產生器500包括：儲存區塊510，其具有複數個鎖存器；及解碼器520，其用於自儲存在儲存區塊510中之值產生溫度代碼DTEMP。
如上文所提及，如圖4中所示，比較器400輸出每一溫度區段中的溫度電壓VTEMP與第一參考電壓VREF之間的比較結果。儲存區塊510將每一比較結果儲存在對應於該溫度區段之鎖存器中。
解碼器520可使用該儲存區塊510之該複數個鎖存器中所儲存的值產生溫度代碼DTEMP。產生溫度代碼DTEMP之編碼方法可根據實施例而變化。
圖11為說明根據另一實施例之半導體裝置之方塊圖。
在此實施例中，比較器400對並聯之溫度區段執行比較操作。另一方面，圖10中所示的實施例之比較器400按順序執行對對應溫度區段之比較操作中的每一者。
在圖11中所示的此實施例中，溫度電壓產生器100包括複數個子溫度電壓產生器，且參考電壓產生器200可包括複數個子參考電壓產生器。子溫度電壓產生器產生對應於一溫度區段之溫度電壓(例如，VTEMP1、VTEMP2，等)，且子參考電壓產生器產生對應於該溫度區段之參考電壓(例如，VREF1、VREF2，等)。
在一實施例中，子溫度電壓產生器100中的每一者對應於如圖5中所說明之溫度電壓產生器100，且子參考電壓產生器200中的每一者對應於如圖7中所說明之參考電壓產生器200。
對應於一溫度區段之溫度區段信號STEMP可提供至每一子溫度電壓產生器及每一子參考電壓產生器，使得該子溫度電壓產生器及該參考電壓產生器產生對應於該溫度區段之溫度電壓及參考電壓。在此實施例中，比較器400包括複數個子比較器，該複數個子比較器比較對應於該溫度區段之溫度電壓與子參考電壓。
在此實施例中，解碼器520自來自比較器400之複數個比較結果產生溫度代碼DCODE。因為此等比較結果係同時自比較器400中之子比較器提供至解碼器520，因此在此實施例中，可忽略圖10中所示的比較器510中之鎖存器。
此外，因為複數個溫度區段信號係同時提供至子溫度電壓產生器及子參考電壓產生器，因此在圖11中說明的此實施例中，可忽略經組態以按順序提供複數個溫度區段信號之控制器300(見圖10)。
圖11中所說明的此實施例可以比圖10中所說明之實施例更快的速度執行溫度感測操作。在一實施例中，圖10及圖11中所示的兩個實施例可經組合以執行溫度感測操作。舉例而言，在一些溫度區段中，可使用圖10中之實施例來執行溫度感測操作，且在其他溫度區段中，可使用圖11中之實施例來執行溫度感測操作。
圖12為說明根據一實施例之半導體裝置之操作的流程圖。
在S110，將對應於第一溫度區段之溫度區段變數I初始化為1。
在S120，產生對應於第I溫度區段之溫度區段信號STEMP、第二參考電壓VIN及溫度電壓VTEMP。
在S130，產生對應於第I溫度區段之第一參考電壓VREF。
在S140，比較溫度電壓VTEMP與第一參考電壓VREF，且將比較結果儲存在對應於該溫度區段之鎖存器中。
在S150，判定當前溫度區段是否為變數I對應於Imax之最後溫度區段。若當前溫度區段不為最後溫度區段，則在S151，藉由將溫度區 段變數自I增大至I+1而將當前溫度區段改變至下一溫度區段，且程序進行至S120。
若當前溫度區段為最後溫度區段，則在步驟S160對在S140儲存在鎖存器中之資料進行解碼，以判定溫度。
圖13a至圖13e說明根據圖12之流程圖操作的半導體裝置之溫度電壓之圖。
參看圖13a至圖13e，將量測的溫度由TC表示。在圖13b至圖13e中，對應於每一溫度區段之參考電壓由VREF1至VREF4表示，且對應於每一溫度區段中之溫度TC的溫度電壓由VTC1至VTC4表示。
LATCH(x)(其中x為1、2、及4中的一者)指示每一溫度區段中之參考電壓VREFx與溫度電壓VTCx之間的比較結果。舉例而言，當VREFx大於VTCx時，LATCH(X)設定為1，而當VREFx等於或小於VTCx時，LATCH(x)設定為0。在此狀況下，儲存在鎖存器中之資料可表示為「1100」。
可根據鎖存器資料判定溫度TC。在一實施例中，藉由檢查鎖存器資料之轉變點，可判定溫度TC。對於圖13b至圖13e中所示的實例，因為鎖存器資料之轉變發生在第二鎖存器與第三鎖存器之間，因此對應於溫度TC之溫度電壓VTEMP在參考電壓VREF2與VREF3之間。當對應於第二溫度區段TF1至TF2中之溫度電壓VREF2的溫度T2及對應於第三溫度區段TF2至TF3中之溫度電壓VREF3的溫度T3得以判定時，溫度TC在T2與T3之間。
可視其他內部或外部電路元件之需要而使用各種方法自鎖存器資料編碼表示溫度TC之代碼DTEMP。
在圖12至圖13中所示的此實施例中，溫度解析度取決於溫度區段之數目及寬度。可藉由在每一溫度區段中使用兩個或兩個以上參考電壓來進一步增大溫度解析度，如將參看圖14至圖15所描述。
圖14為說明根據一實施例之半導體裝置之操作的流程圖。
在S110，將對應於第一溫度區段之溫度區段變數I初始化為1。
在S120，產生對應於第I溫度區段之溫度區段信號STEMP、第二參考電壓VIN及溫度電壓VTEMP。
在S121，將對應於第I溫度區段之參考電壓變數J初始化為1。
在S130，產生對應於第I溫度區段之第J參考電壓VREF。
在S140，比較溫度電壓VTEMP與第J參考電壓VREF，且將比較結果儲存在對應於該溫度區段之鎖存器中。
在S141，判定當前參考電壓VREF是否為變數對應於當前溫度區段中之Jmax的最後參考電壓。若當前參考電壓不為最後參考電壓，則在S142，藉由將參考電壓變數自J增大到J+1而將當前參考電壓改變至下一參考電壓，且程序進行至S130。
若當前參考電壓為最後參考電壓，則程序進行至S150。
在S150，判定當前溫度區段是否為變數I對應於Imax之最後溫度區段。若當前溫度區段不為最後溫度區段，則在S151，藉由將溫度區段變數自I增大至I+1而將當前溫度區段改變至下一溫度區段，且程序進行至S120。
若當前溫度區段為最後溫度區段，則在步驟S160對儲存在鎖存器中之資料進行解碼，以判定溫度。
圖15說明根據圖14之流程圖操作的半導體裝置之溫度電壓。
參看圖15，將量測的溫度由TC表示。在圖15中，第I溫度區段中之第J參考電壓由VREFIJ表示，其中I為1、2、3及4中的一者，且J為1及2中的一者，且對應於第I溫度區段中之溫度TC的溫度電壓由VTCI表示。LATCH(I,J)表示第I溫度區段中之參考電壓VREFIJ與溫度電壓VTCI之間的比較結果。舉例而言，當VREFIJ大於VTCI時，LATCH(I,J)設定為1，且當VREFIJ等於或小於VTCI時，LATCH(I,J)設定為0。 在此狀況下，如圖15中所示，儲存在鎖存器中之資料可表示為「11 10 00 00」。
可根據鎖存器資料判定溫度TC。在一實施例中，藉由檢查鎖存器資料之轉變點，可判定溫度TC。對於圖15中所示的實例，因為轉變發生在第二鎖存器中，因此對應於溫度TC之溫度電壓VTEMP在參考電壓VREF21與VREF22之間。當對應於在第二溫度區段TF1至TF2中之溫度電壓VREF21的溫度T21及對應於在第二溫度區段TF1至TF2中之溫度電壓VREF22的溫度T22得以判定時，溫度TC在T21與T22之間。因為T21與T22之間的間隔短於圖13中的T2與T3之間的間隔，因此圖15中所示的此實施例具有比圖13中之實施例更好的解析度。
儘管已為達成說明之目的而描述各種實施例，但熟習此項技術者將顯而易見，可在不偏離如由以下申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇的情況下進行各種改變及修改。

Claims (21)

  1. 一種半導體裝置，其包含：一控制電壓產生器，其經組態以根據一溫度區段信號及一輸入電壓產生一控制電壓；一溫度電壓輸出區塊，其經組態以根據該控制電壓及該溫度區段信號輸出隨一溫度而變化之一溫度電壓；一電壓選擇器，其經組態以根據該溫度區段信號選擇複數個電壓中的一者作為該輸入電壓；及一分壓器，其經組態以藉由劃分一驅動電壓而產生該複數個電壓。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中該控制電壓產生器包含：一第一電阻器區塊，其具有由該溫度區段信號控制之一第一電阻值；及一第二電阻器區塊，其具有由該輸入電壓控制之一第二電阻值，其中該控制電壓係由該第一電阻值與該第二電阻值之間的一比率判定。
  3. 如請求項2之半導體裝置，其中該第二電阻器區塊包括一電晶體，且該第二電阻值係由施加至該電晶體之一閘極的該輸入電壓控制，且其中該輸入電壓係由該溫度區段信號控制。
  4. 如請求項2之半導體裝置，其中該溫度電壓輸出區塊包含：一第三電阻器區塊，其具有由該溫度區段信號控制之一第三電阻值；及一第四電阻器區塊，其具有由該控制電壓控制之一第四電阻值，該溫度電壓係由該第三電阻值與該第四電阻值之間的一比率判定。
  5. 如請求項4之半導體裝置，其中該第四電阻器區塊包括一電晶體，且該第四電阻器區塊之該電阻值係由施加至該電晶體之一閘極的該控制電壓控制。
  6. 一種半導體裝置，其包含：一第一信號產生器，其經組態以根據複數個輸入電壓依序產生複數個第一信號，該複數個第一信號中的一者在複數個溫度區段中的一者中變化，其中該複數個輸入電壓中的一者藉由一電壓選擇器根據該複數個溫度區段中的該者而被選擇，且該複數個輸入電壓係藉由以一分壓器劃分一驅動電壓而產生；及一第二信號產生器，其產生複數個第二信號，該複數個第二信號中的一者在該複數個溫度區段中的一者中實質上恆定。
  7. 如請求項6之半導體裝置，其中該複數個第一信號中的每一者對應於包括在一對應溫度區段中之一溫度，且對應於包括在該複數個溫度區段中之其他者中的一個或一個以上溫度。
  8. 如請求項6之半導體裝置，其進一步包含：一控制器，其經組態以產生複數個溫度區段信號，該複數個溫度區段信號中的每一者對應於該複數個溫度區段中的一者。
  9. 如請求項8之半導體裝置，其進一步包含：一比較器，其經組態以比較該複數個第一信號中的一者與一對應溫度區段中之一對應第二信號。
  10. 如請求項9之半導體裝置，其進一步包含：複數個鎖存器，該複數個鎖存器中的每一者儲存來自該對應溫度區段中之該比較器的一結果；及一解碼器，其經組態以使用儲存在該複數個鎖存器中之複數個結果產生一溫度代碼。
  11. 如請求項6之半導體裝置，其中該第一信號產生器包括複數個子第一信號產生器，該等子第一信號產生器中的每一者產生在一對應溫度區段中變化的一對應第一信號。
  12. 如請求項11之半導體裝置，其中該第二信號產生器包括複數個子第二信號產生器，該等子第二信號產生器中的每一者產生在該對應溫度區段中實質上恆定的一對應參考電壓。
  13. 如請求項12之半導體裝置，其進一步包含複數個比較器，該等比較器中的每一者比較該對應第一信號與該對應參考電壓。
  14. 如請求項13之半導體裝置，其進一步包含一解碼器，該解碼器經組態以根據來自該複數個比較器之複數個輸出產生一溫度代碼。
  15. 一種半導體裝置，其包含：一控制器，其經組態以依序產生複數個溫度區段信號，該複數個溫度區段信號中的每一者對應於一溫度區段；一參考電壓產生器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號依序產生第一參考電壓；一溫度電壓產生器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號及複數個第二參考電壓依序產生溫度電壓；一比較器，其經組態以依序比較該等第一參考電壓與該等溫度電壓；一第一選擇器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號依序選擇複數個電壓中的一者作為該等第一參考電壓中的一者；一第二選擇器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號依序選擇該複數個電壓中的一者作為該等第二參考電壓中的一者；及一分壓器，其經組態藉由劃分一驅動電壓而產生該複數個電壓。
  16. 一種半導體裝置，其包含：一控制器，其經組態以依序產生複數個溫度區段信號，該複數個溫度區段信號中的每一者對應於一溫度區段；一參考電壓產生器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號依序產生第一參考電壓；一溫度電壓產生器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號及複數個第二參考電壓依序產生溫度電壓；一比較器，其經組態以依序比較該等第一參考電壓與該等溫度電壓；一選擇器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號依序選擇複數個電壓中的一者作為該等第二參考電壓中的一者；及一分壓器，其經組態藉由劃分一驅動電壓而產生該複數個電壓。
  17. 如請求項15或16之半導體裝置，其中該溫度電壓產生器包含：一控制電壓產生器，其經組態以根據該複數個溫度區段信號依序產生複數個控制電壓；及一溫度電壓輸出區塊，其經組態以根據該複數個溫度區段信號及該複數個控制電壓依序輸出該複數個溫度電壓。
  18. 如請求項17之半導體裝置，其中該控制電壓產生器包含：一第一電阻器區塊，其具有由該複數個溫度區段信號依序控制之一第一電阻值；及一第二電阻器區塊，其具有由該複數個第二參考電壓依序控制之一第二電阻值，其中該複數個控制電壓係由該第一電阻值與該第二電阻值之間的一比率判定。
  19. 如請求項18之半導體裝置，其中該溫度電壓輸出區塊包含：一第三電阻器區塊，其具有由該複數個溫度區段信號依序控制之一第三電阻值；及一第四電阻器區塊，其具有由該複數個控制電壓依序控制之一第四電阻值，其中該複數個溫度電壓係由該第三電阻值與該第四電阻值之間的一比率判定。
  20. 如請求項15或16之半導體裝置，其進一步包含：複數個鎖存器，其經組態以根據該複數個溫度信號依序接收來自該比較器之輸出，且儲存對應於該等輸出之值；及一解碼器，其經組態以根據該複數個鎖存器之該等所儲存值產生一溫度代碼。
  21. 一種半導體裝置，其經組態以根據複數個輸入電壓依序產生複數個溫度電壓，該複數個溫度電壓中的每一者隨在複數個溫度區段當中的一對應溫度區段中之一溫度而變化，其中該複數個溫度電壓中的一者對應於該複數個溫度區段當中的不同溫度區段中之一個或一個以上溫度，其中該等輸入電壓中的一者藉由一選擇器而被選擇，該選擇器經組態以根據該複數個溫度區段中的一相應溫度區段依序選擇複數個電壓中的一者，且其中該複數個電壓係藉由以一分壓器劃分一驅動電壓而產生。
TW102139977A 2012-11-23 2013-11-04 半導體裝置 TWI630619B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??10-2012-0134048 2012-11-23
KR1020120134048A KR101978516B1 (ko) 2012-11-23 2012-11-23 반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201421485A TW201421485A (zh) 2014-06-01
TWI630619B true TWI630619B (zh) 2018-07-21

Family

ID=50773275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102139977A TWI630619B (zh) 2012-11-23 2013-11-04 半導體裝置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9645015B2 (zh)
KR (1) KR101978516B1 (zh)
CN (1) CN103837252B (zh)
TW (1) TWI630619B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120115863A (ko) * 2011-04-11 2012-10-19 에스케이하이닉스 주식회사 온도센서
KR102033790B1 (ko) * 2013-09-30 2019-11-08 에스케이하이닉스 주식회사 온도센서
KR20160036333A (ko) * 2014-09-25 2016-04-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
US10473531B2 (en) * 2017-09-05 2019-11-12 Novatek Microelectronics Corp. Temperature sensor and method of detecting temperature
KR102533348B1 (ko) * 2018-01-24 2023-05-19 삼성전자주식회사 온도 감지 장치 및 온도-전압 변환기
KR102571616B1 (ko) * 2018-12-06 2023-08-29 에스케이하이닉스 주식회사 슈도 극저온 온도 센싱부 및 전압 공급부를 갖는 슈도 극저온용 반도체 소자 및 반도체 스택

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050174164A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Dirk Fuhrmann Integrated semiconductor memory with temperature-dependent voltage generation
US20050270011A1 (en) * 2002-03-22 2005-12-08 Hideyuki Aota Temperature sensor
CN101430231A (zh) * 2007-10-31 2009-05-13 凹凸电子（武汉）有限公司 温度探测方法以及系统
US20110204873A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Hynix Semiconductor Inc. Temperature sensor
CN102207409A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 深圳艾科创新微电子有限公司 一种温度检测电路
KR101131561B1 (ko) * 2010-08-31 2012-04-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5731742A (en) * 1996-12-17 1998-03-24 Motorola Inc. External component programming for crystal oscillator temperature compensation
JP2002048651A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Nippon Precision Circuits Inc 半導体温度検出方法およびその回路
JP2005234988A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Sanyo Electric Co Ltd 電圧発生回路
KR100671693B1 (ko) * 2005-03-29 2007-01-19 매그나칩 반도체 유한회사 아날로그 상호 연관된 이중 샘플링 기능을 수행하는ｃｍｏｓ 이미지센서
US8475039B2 (en) * 2009-04-22 2013-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Providing linear relationship between temperature and digital code
JP5343734B2 (ja) * 2009-06-26 2013-11-13 富士通株式会社 半導体記憶装置
US8326568B2 (en) * 2010-07-02 2012-12-04 Himax Technologies Limited Temperature sensor and temperature sensing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050270011A1 (en) * 2002-03-22 2005-12-08 Hideyuki Aota Temperature sensor
US7033072B2 (en) * 2002-03-22 2006-04-25 Ricoh Company, Ltd. Temperature sensor
US20050174164A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Dirk Fuhrmann Integrated semiconductor memory with temperature-dependent voltage generation
CN101430231A (zh) * 2007-10-31 2009-05-13 凹凸电子（武汉）有限公司 温度探测方法以及系统
US20110204873A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Hynix Semiconductor Inc. Temperature sensor
CN102207409A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 深圳艾科创新微电子有限公司 一种温度检测电路
KR101131561B1 (ko) * 2010-08-31 2012-04-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로

Also Published As

Publication number Publication date
US10197453B2 (en) 2019-02-05
US20140146852A1 (en) 2014-05-29
TW201421485A (zh) 2014-06-01
KR20140066610A (ko) 2014-06-02
US9645015B2 (en) 2017-05-09
CN103837252A (zh) 2014-06-04
US20190128745A1 (en) 2019-05-02
US10612981B2 (en) 2020-04-07
US20170191878A1 (en) 2017-07-06
CN103837252B (zh) 2019-05-07
KR101978516B1 (ko) 2019-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI630619B (zh) 半導體裝置
US8475039B2 (en) Providing linear relationship between temperature and digital code
US8193836B2 (en) Techniques for measuring voltages in a circuit
EP3152538B1 (en) Low power low cost temperature sensor
JP4758077B2 (ja) 温度測定回路及び方法
US7459983B2 (en) Temperature detecting semiconductor device
US10001416B2 (en) Temperature sensor having calibration function according to temperature, method of operating the same, and devices including the same
US20170187358A1 (en) Semiconductor device
CN110068401B (zh) 温度感测设备和温度-电压转换器
US10359793B2 (en) Method and circuit for controlling oscillator and apparatus employing the same
JP2004501376A (ja) 電圧又は温度を測定するための、並びに予め決めうる任意の温度依存性を有する電圧を発生するための方法及び回路
US10041841B2 (en) Semiconductor device
US20160341604A1 (en) Thermal Oscillator
US20190074835A1 (en) Supply voltage compensation for an input/output driver circuit using clock signal frequency comparison
US7091796B2 (en) Method and system for calibration of a voltage controlled oscillator (VCO)
US20240142316A1 (en) Digital temperature sensor and method of measuring temperature
KR101043730B1 (ko) 반도체 장치의 온도정보 출력회로 및 온도정보 출력방법
KR20070066109A (ko) 온-칩 온도계 및 온-칩 온도계를 이용하여 칩 내부의온도를 측정하는 방법
JP2010066881A (ja) クロック信号出力回路及びクロック信号出力回路の発振動作方法
KR20130087693A (ko) 공정 변화 감지 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치