TWI629105B - Nozzle for material delamination and use thereof - Google Patents
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Abstract
一種用於材料拆層的噴嘴，包含一上基板和一下基板，該上基板包含至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部，該下基板和該上基板相隔設置，包含至少兩個沿該通道方向排列且與該上基板相對設置的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部和該第二凸出部對應設置且彼此間形成一第一流道，該第一凹陷部和該第二凹陷部對應設置且彼此間形成一第二流道，其中，該上基板的該第一凸出部和該下基板的該第二凸出部由一圖案化製程製作。
Description
本發明為有關一種噴嘴及其用途，尤指一種用於材料拆層且具有複數次拆層效果的噴嘴及其用途。
一般而言，高壓均質設備(High Pressure Homogenizer)係透過一高壓裝置對一混合溶液進行加壓並輸送至一均質閥(Homogenizing Valve)，藉由該均質閥的流道截面積縮減設計，當該混合溶液中的一待拆解物質經過該均質閥時，將產生一將該待拆解物質分散的剪切力，目前高壓均質設備已廣泛的應用於奈米尺寸的領域中，例如醫藥、生技、化工以及奈米材料等領域。
如中華民國發明專利公告第I262821號，提出一種高壓均質裝置之導流構造，包含有一導入元件、至少二個入流單元、一導出元件以及至少一出流單元，該導入元件具有一第一內端面與一第一外端面，該入流單元設於該導入元件之預定部位，各該入流單元分別具有一入流孔連通於各該第一內端面與第一外端面之間，以及一導流槽設於該第一內端面上，其一端與對應之該入流孔連通，另一端則朝預定方向延伸並與另一入流單元之導流槽連接，該導出元件具有與該第一內端面抵接之一第二內端面以及一第二外端面，該出流單元連通於該第二內端面與該第二外端面之間，並與該入流單元之預定部位相連通。
於以上先前技術之中，由於傳統的該導入元件和該導出元件製造成本較高且加工困難，故大部分係以圓盤狀進行設計且再於內部形成連通孔以供高壓混合液通過，而對於平面材料拆層來說，此設計方式僅提供高壓混合液達到單次的拆層效果，且拆層效率低，需要經過多次循環之後才能夠取得較高比例的石墨烯，因此，現有的高壓均質噴嘴不利於石墨烯產業的發展。
本發明的主要目的，在於解決習知高壓均質噴嘴拆層效果不佳的問題。
為達上述目的，本發明提供一種用於材料拆層的噴嘴，包含一上基板和一下基板，該上基板包含至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部，該下基板和該上基板相隔設置，包含至少兩個沿該通道方向排列且與該上基板相對設置的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部和該第二凸出部對應設置且彼此間形成一第一流道，該第一凹陷部和該第二凹陷部對應設置且彼此間形成一第二流道，其中，該上基板的該第一凸出部和該下基板的該第二凸出部由一圖案化製程製作。
為達上述目的，本發明另提供一種用於材料拆層的噴嘴，包含一上基板和一下基板，該上基板包含至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部，該下基板和該上基板相隔設置，包含至少兩個沿該通道方向排列且與該上基板相對設置的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部和該第二凸出部錯位設置，該第一凹陷部和該第二凹陷部錯位設置，而該第
一凸出部和該第二凹陷部之間形成一第三流道，該第二凸出部和該第一凹陷部之間形成一第四流道，其中，該上基板的該第一凸出部和該下基板的該第二凸出部由一圖案化製程製作。
為達上述目的，本發明另提供一種噴嘴在材料拆層的用途，係令一待拆解物質與一溶劑混合而形成一溶液後，使該溶液快速通過一噴嘴內部，衝擊該第一凸出部、該第一凹陷部、該第二凸出部和該第二凹陷部而產生一剪切力將該待拆解物質分散而形成複數個拆解後的物質；其中，該噴嘴包括：一上基板和一相對該上基板設置的下基板，於該上基板與該下基板相對的一側形成至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部，並於該下基板與該上基板相對的一側形成至少兩個沿該通道方向排列的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部與該第二凸出部對應設置且彼此間形成一第一流道，該第一凹陷部與該第二凹陷部對應設置且彼此間形成一第二流道，該第一流道具有一第一間距，該第二流道具有一第二間距，該第一間距小於該第二間距。
為達上述目的，本發明又提供一種噴嘴在材料拆層的用途，係令一待拆解物質與一溶劑混合而形成一溶液後，使該溶液快速通過一噴嘴內部，衝擊該第一凸出部、該第一凹陷部、該第二凸出部和該第二凹陷部而產生一剪切力將該待拆解物質分散而形成複數個拆解後的物質；其中，該噴嘴包括：一上基板和一相對該上基板設置的下基板，於該上基板與該下基板相對的一側形成至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部，並於該下基板與該上基板相對的一側形成至少
兩個沿該通道方向排列的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部與該第二凸出部錯位設置，該第一凹陷部與該第二凹陷部錯位設置，該第一凸出部和該第二凹陷部之間形成一第三流道，該第二凸出部和該第一凹陷部之間形成一第四流道，該第三流道具有一第三間距，該第四流道具有一第四間距，該第三間距大於該第四間距。
由以上可知，本發明相較於習知技藝可達到之功效在於，利用該圖案化製程分別於該上基板和該下基板之間形成複數個相對設置的凸出部和凹陷部，當一溶液中的一待拆解物質通過由該些凸出部和該些凹陷部形成的該些流道時，將產生複數次拆層的功效，且拆層後的結構較完整。
S1~S3‧‧‧步驟
10‧‧‧上基板
11‧‧‧第一凸出部
12‧‧‧第一凹陷部
20‧‧‧下基板
21‧‧‧第二凸出部
22‧‧‧第二凹陷部
30‧‧‧第一流道
31‧‧‧第二流道
32‧‧‧第三流道
33‧‧‧第四流道
d1‧‧‧第一間距
d2‧‧‧第二間距
d3‧‧‧第三間距
d4‧‧‧第四間距
『圖1』，為本發明第一實施例，該噴嘴剖面示意圖。
『圖2』，為本發明第二實施例，該噴嘴剖面示意圖。
『圖3』，為本發明一實施例的步驟流程示意圖。
有關本發明的詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下：請搭配參閱『圖1』及『圖2』所示，分別為本發明第一實施例和第二實施例的該噴嘴剖面示意圖，本發明為一種用於材料拆層的噴嘴，包含一上基板10和一下基板20，該上基板10包含至少兩個第一凸出部11以及一第一凹陷部12，該第一凸出部11沿一通道方向排列設置，該第一凹陷部12設置於該些第一凸出部11之間，該下基板20與該上基板10相隔設置且包含至少兩個第二凸出部21以及一第二凹陷部22，該第二凸出部21沿該通道
方向排列且與該上基板10相對設置，該第二凹陷部22設置於該些第二凸出部21之間，其中，該上基板10的該第一凸出部11和該下基板20的該第二凸出部21由一圖案化製程製作而成，該圖案化製程又可稱為一圖案化藍寶石基板(Pattern Sapphire Substraes，簡稱PSS)製程，其製作方法主要可分為一壓印(Imprint)技術和一光刻(Stepper)技術，該壓印技術為將一光阻劑(Photoresist)塗佈於一基板上並進行烘烤處理，接著利用一壓印製程將該光阻劑圖案化且於圖案化完成後對該基板進行蝕刻，最後移除由該光阻劑形成的一遮罩層後即完成一圖案化藍寶石基板；該光刻技術為將該光阻劑塗佈於該基板上並進行烘烤處理，待烘烤處理後以一曝光製程將該光阻劑圖案化且於圖案化完成後對該基板進行一顯影製程，待該顯影製程結束後對該基板進行蝕刻，最後移除由該光阻劑形成的該遮罩層後即完成該圖案化藍寶石基板。於本實施例中，該上基板10和該下基板20可為鑽石、藍寶石、六方氮化硼、碳化矽或上述之組合。
為了詳細說明該噴嘴的內部結構，將以兩個實施例作為舉例，於第一實施例中，該第一凸出部11與該第二凸出部21相對應設置且彼此間形成一第一流道30，該第一流道30具有一第一間距d1，該第一凹陷部12與該第二凹陷部22相對應設置且彼此間形成一第二流道31，該第二流道31具有一第二間距d2，該第一間距d1小於該第二間距d2，其中該第一間距d1介於30微米至400微米之間，該第二間距d2介於500微米至2000微米之間，如『圖1』所示。於本實施例中，該第一凸出部11、該第一凹陷部12、該第二凸出部21和該第二凹陷部22係為一圓弧面。
於第二實施例中，本實施例與第一實施例之差異為該第一凸出部11和該第二凸出部21錯位設置，該第一凹陷部12和該第二凹陷部22錯位設置，而該第一凸出部11和該第二凹陷部22之間形成一第三流道32，該第三
流道32具有一第三間距d3，該第二凸出部21和該第一凹陷部12之間形成一第四流道33，該第四流道33具有一第四間距d4，該第三間距d3大於該第四間距d4，其中該第三間距d3介於500微米至2000微米之間，該第四間距d4介於30微米至400微米之間，如『圖2』所示。於本實施例中，該第一凸出部11和該第二凸出部21係為一圓弧面，該第一凹陷部12和該第二凹陷部22係為一平板面，其中該第一凸出部11具有一自該上基板10突出的第一突出高度，該第二凸出部21具有一自該下基板20突出的第二突出高度，該第一突出高度小於該第二突出高度。以上僅以兩個實施例作為舉例，只要係將藉由該圖案化製程製作而成的基板組合而成的該噴嘴即可，不以本案之舉例為限。
請搭配參閱『圖3』所示，為本發明一實施例的步驟流程示意圖，本發明為一種用於材料拆層的噴嘴的製造方法，包含以下步驟：
步驟S1：提供一上基板10和一下基板20，於本實施例中，該上基板10和該下基板20可為鑽石、藍寶石、六方氮化硼、碳化矽或上述之組合。
步驟S2：利用一圖案化製程於該上基板10與該下基板20相對的一側形成至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部11以及一設置於該些第一凸出部11之間的第一凹陷部12。
步驟S3：利用該圖案化製程於該下基板20與該上基板10相對的一側形成至少兩個沿該通道方向排列的第二凸出部21以及一設置於該些第二凸出部21之間的第二凹陷部22。
為了詳細說明該噴嘴的內部結構，將以兩個實施例作為舉例，第一實施例為該第一凸出部11與該第二凸出部21對應設置且彼此間形成一第一流道30，該第一流道30具有一第一間距d1，該第一凹陷部12與該第二凹陷部22相對應設置且彼此間形成一第二流道31，該第二流道31具有一第二
間距d2，該第一間距d1介於30微米至400微米之間，該第二間距d2介於500微米至2000微米之間；第二實施例為該第一凸出部11與該第二凸出部21錯位設置，該第一凹陷部12與該第二凹陷部22錯位設置，該第一凸出部11和該第二凹陷部22之間形成一第三流道32，該第二凸出部21和該第一凹陷部12之間形成一第四流道33，該第三流道32具有一第三間距d3，該第四流道33具有一第四間距d4，該第三間距d3大於該第四間距d4，其中該第三間距d3介於500微米至2000微米之間，該第四間距d4介於30微米至400微米之間，以上僅以兩個實施例作為舉例，只要係將該圖案化製程製作而成的基板組合應用並形成具有一剪切力的該噴嘴即可，不以本案之舉例為限。
於實際應用，先將一待拆解物質與一溶劑混合而形成一溶液，接著使該溶液快速通過該噴嘴內部，由於該噴嘴內部之該第一凸出部11和該第一凹陷部12與該第二凸出部21和該第二凹陷部22之間具有不同間距的該些流道，當該溶液流過該噴嘴時，該待拆解物質與該第一凸出部11、該第一凹陷部12、該第二凸出部21和該第二凹陷部22衝擊而產生該剪切力，該剪切力會將該待拆解物質分散而形成複數個拆解後的物質。
綜上所述，利用該圖案化製程分別於該上基板和該下基板之間形成複數個相對設置的凸出部和凹陷部，當該溶液中的該待拆解物質通過由該些凸出部和該些凹陷部形成的該些流道時，可產生複數次的拆層功效，且拆層後的結構較完整，並非習知係以圓盤狀且於內部形成連通孔的設計方式，使高壓混合液僅達到單次的拆層效果，故本發明之該噴嘴用於均質拆解製程時，可大幅縮短製程時間。
以上已將本發明做一詳細說明，惟以上所述者，僅為本發明的一較佳實施例而已，當不能限定本發明實施的範圍。即凡依本發明申請範圍所作的均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明的專利涵蓋範圍內。
Claims (5)
- 一種用於材料拆層的噴嘴，包含：一上基板，包含至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部；以及一和該上基板相隔設置的下基板，包含至少兩個沿該通道方向排列且與該上基板相對設置的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部和該第二凸出部對應設置且彼此間形成一第一流道，該第一凹陷部和該第二凹陷部對應設置且彼此間形成一第二流道，其中，該上基板的該第一凸出部和該下基板的該第二凸出部由一圖案化製程製作；令一待拆解物質與一溶劑混合而形成一溶液後，使該溶液快速通過該噴嘴內部，衝擊該第一凸出部、該第一凹陷部、該第二凸出部和該第二凹陷部而產生一剪切力將該待拆解物質分散而形成複數個拆解後的物質；其中該第一流道具有一第一間距，該第二流道具有一第二間距，該第一間距介於30微米至400微米之間，該第二間距介於500微米至2000微米之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之噴嘴，其中該上基板和該下基板擇自於鑽石、藍寶石、六方氮化硼及碳化矽所組成之群組。
- 一種用於材料拆層的噴嘴，包含：一上基板，包含至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部；以及一和該上基板相隔設置的下基板，包含至少兩個沿該通道方向排列且與該上基板相對設置的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部 之間的第二凹陷部，該第一凸出部和該第二凸出部錯位設置，該第一凹陷部和該第二凹陷部錯位設置，而該第一凸出部和該第二凹陷部之間形成一第三流道，該第二凸出部和該第一凹陷部之間形成一第四流道，其中，該上基板的該第一凸出部和該下基板的該第二凸出部由一圖案化製程製作；令一待拆解物質與一溶劑混合而形成一溶液後，使該溶液快速通過該噴嘴內部，衝擊該第一凸出部、該第一凹陷部、該第二凸出部和該第二凹陷部而產生一剪切力將該待拆解物質分散而形成複數個拆解後的物質；其中該第三流道具有一第三間距，該第四流道具有一第四間距，該第三間距介於500微米至2000微米之間，該第四間距介於30微米至400微米之間。
- 一種噴嘴在材料拆層的用途，係令一待拆解物質與一溶劑混合而形成一溶液後，使該溶液快速通過一噴嘴內部，衝擊該第一凸出部、該第一凹陷部、該第二凸出部和該第二凹陷部而產生一剪切力將該待拆解物質分散而形成複數個拆解後的物質；其中，該噴嘴包括：一上基板和一相對該上基板設置的下基板，於該上基板與該下基板相對的一側形成至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部，並於該下基板與該上基板相對的一側形成至少兩個沿該通道方向排列的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部與該第二凸出部對應設置且彼此間形成一第一流道，該第一凹陷部與該第二凹 陷部對應設置且彼此間形成一第二流道，該第一流道具有一第一間距，該第二流道具有一第二間距，該第一間距小於該第二間距；其中該第一流道具有一第一間距，該第二流道具有一第二間距，該第一間距介於30微米至400微米之間，該第二間距介於500微米至2000微米之間。
- 一種噴嘴在材料拆層的用途，係令一待拆解物質與一溶劑混合而形成一溶液後，使該溶液快速通過一噴嘴內部，衝擊該第一凸出部、該第一凹陷部、該第二凸出部和該第二凹陷部而產生一剪切力將該待拆解物質分散而形成複數個拆解後的物質；其中，該噴嘴包括：一上基板和一相對該上基板設置的下基板，於該上基板與該下基板相對的一側形成至少兩個沿一通道方向排列的第一凸出部以及一設置於該些第一凸出部之間的第一凹陷部，並於該下基板與該上基板相對的一側形成至少兩個沿該通道方向排列的第二凸出部以及一設置於該些第二凸出部之間的第二凹陷部，該第一凸出部與該第二凸出部錯位設置，該第一凹陷部與該第二凹陷部錯位設置，該第一凸出部和該第二凹陷部之間形成一第三流道，該第二凸出部和該第一凹陷部之間形成一第四流道，該第三流道具有一第三間距，該第四流道具有一第四間距，該第三間距大於該第四間距；其中該第三流道具有一第三間距，該第四流道具有一第四間距，該第三間距介於500微米至2000微米之間，該第四間距介於30微米至400微米之間。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI268804B (en) * | 2003-09-23 | 2006-12-21 | Univ Tsinghua | The impinging micromixer with swirling inlet ports |
| JP2007216206A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-30 | Ricoh Co Ltd | 微小流路構造体・微小液滴生成方法・微小液滴生成システム・微粒子・マイクロカプセル |
| CN101300067A (zh) * | 2005-10-24 | 2008-11-05 | 阿尔法拉瓦尔股份有限公司 | 多用途流动模块 |
| TW201026382A (en) * | 2008-09-29 | 2010-07-16 | Corning Inc | Multiple flow path microrector design |
| TWI439410B (zh) * | 2006-09-01 | 2014-06-01 | Tosoh Corp | 微小流路構造及使用有其之微小粒子製造方法 |
-
2016
- 2016-10-07 TW TW105132527A patent/TWI629105B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI268804B (en) * | 2003-09-23 | 2006-12-21 | Univ Tsinghua | The impinging micromixer with swirling inlet ports |
| CN101300067A (zh) * | 2005-10-24 | 2008-11-05 | 阿尔法拉瓦尔股份有限公司 | 多用途流动模块 |
| JP2007216206A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-30 | Ricoh Co Ltd | 微小流路構造体・微小液滴生成方法・微小液滴生成システム・微粒子・マイクロカプセル |
| TWI439410B (zh) * | 2006-09-01 | 2014-06-01 | Tosoh Corp | 微小流路構造及使用有其之微小粒子製造方法 |
| TW201026382A (en) * | 2008-09-29 | 2010-07-16 | Corning Inc | Multiple flow path microrector design |
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| Publication number | Publication date |
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