TWI628255B - Soft magnetic thermosetting adhesive film, magnetic film laminated circuit board, and position detecting device - Google Patents

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TWI628255B
TWI628255B TW103111116A TW103111116A TWI628255B TW I628255 B TWI628255 B TW I628255B TW 103111116 A TW103111116 A TW 103111116A TW 103111116 A TW103111116 A TW 103111116A TW I628255 B TWI628255 B TW I628255B
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土生剛志
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種軟磁性熱硬化性接著膜，其係包含磁性層、及積層於磁性層之一面之表層之軟磁性熱硬化性接著膜。磁性層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、酚樹脂及軟磁性粒子之磁性組合物所形成。表層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂，且實質上不含有軟磁性粒子之表層組合物所形成。

Description

軟磁性熱硬化性接著膜、磁性膜積層電路板、及位置偵測裝置
本發明係關於一種軟磁性熱硬化性接著膜、磁性膜積層電路基板、及位置偵測裝置。
使筆型之位置指示器於位置偵測平面上移動而偵測位置之位置偵測裝置被稱為數位轉換器(digitizer)，並作為電腦之輸入裝置而普及。該位置偵測裝置包含位置偵測平面板、及配置於其下且於基板之表面形成有迴路線圈(loop coil)之電路基板(感測器基板)。而且，藉由利用由位置指示器與迴路線圈所產生之電磁感應，而偵測位置指示器之位置。
提出有於位置偵測裝置中，為了控制電磁感應時所產生之磁通而使通訊高效化，而於感測器基板之與位置偵測平面相反側之面(相反面)配置含有軟磁性物質之軟磁性膜之方法(例如參照下述專利文獻1)。
於下述專利文獻1中，揭示有含有軟磁性粉末、包含丙烯酸系橡膠、酚樹脂、環氧樹脂及三聚氰胺等之黏合劑樹脂、以及膦酸金屬鹽之磁性膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-212790號公報
然而，有於感測器基板中，採用於該基板之兩面形成有迴路線圈等佈線圖案之兩面電路基板以使其薄型化之情況。而且，於將磁性膜積層於形成有佈線圖案之基板之情形時，一般而言，經由雙面接著膠帶而將磁性膜與電路基板積層。
若如此，則無法將雙面接著膠帶或磁性膜完全地埋入佈線間之基板部分，而於雙面接著膠帶或磁性膜與佈線之間產生間隙。若產生此種間隙，則積層有磁性膜之電路基板由於實施有因安裝電子零件等而進行之回焊(reflow)步驟，故而藉由該回焊步驟所產生之高溫，而以該間隙作為起點而產生空隙(void)。其結果，產生如下之情形：於磁性膜表面呈現出凹凸，或磁性膜與電路基板剝離。
本發明之目的在於提供一種具有耐回焊性之軟磁性熱硬化性接著膜、由該軟磁性熱硬化性接著膜所獲得之磁性膜積層電路基板及位置偵測裝置。
本發明之軟磁性熱硬化性接著膜之特徵在於：其係包含磁性層、及積層於上述磁性層之一面之表層之軟磁性熱硬化性接著膜，且上述磁性層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、酚樹脂及軟磁性粒子之磁性組合物所形成，且上述表層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂，且實質上不含有軟磁性粒子之表層組合物所形成。
又，於本發明之軟磁性熱硬化性接著膜中，較佳為上述表層組合物中之丙烯酸系樹脂之含有比率相對於包含上述丙烯酸系樹脂、上述環氧樹脂及上述酚樹脂之樹脂成分100質量份，而為10質量份以上且80質量份以下。
於本發明之軟磁性熱硬化性接著膜中，較佳為上述表層進而含有平均粒徑為100μm以下之無機粒子，且上述無機粒子之含有比率為 45質量%以下。
於本發明之軟磁性熱硬化性接著膜中，較佳為上述表層之厚度為15μm以上且55μm以下。
本發明之磁性膜積層電路基板之特徵在於：藉由將上述軟磁性熱硬化性接著膜積層於在一面設置有佈線之電路基板之一面，並使上述軟磁性熱硬化性接著膜熱硬化而獲得。
於本發明之磁性膜積層電路基板中，較佳為上述表層之厚度相對於上述佈線之厚度為1~4倍。
又，本發明之位置偵測裝置之特徵在於：包含上述磁性膜積層電路基板。
若將本發明之軟磁性熱硬化性接著膜積層於電路基板上，則可將表層組合物即除軟磁性粒子以外之樹脂成分確實地埋入佈線圖案之佈線間之間隙。因此，可獲得耐回焊性優異之電路基板。
於本發明之磁性膜積層電路基板中，由於磁性膜確實地接著於電路基板，故而可於回焊處理時抑制磁性膜與電路基板之剝離或磁性膜之表面產生凹凸。因此，耐回焊性優異。
本發明之位置偵測裝置即便於回焊處理後，含有軟磁性粒子之磁性膜亦確實地接著於電路基板。因此，可抑制位置偵測裝置之性能之劣化，且能確實地進行位置偵測。
1‧‧‧表層
1a‧‧‧硬化表層
2‧‧‧磁性層
2a‧‧‧硬化磁性層
3‧‧‧分隔件
4‧‧‧軟磁性熱硬化性接著膜
5‧‧‧佈線圖案
6‧‧‧基板
7‧‧‧電路基板
8‧‧‧佈線
9‧‧‧間隙
10‧‧‧磁性膜
11‧‧‧表層組合物
11a‧‧‧硬化表層組合物
12‧‧‧磁性組合物
12a‧‧‧硬化磁性組合物
13‧‧‧磁性膜積層電路基板
14‧‧‧軟磁性粒子
圖1係本發明之磁性膜積層電路基板之製造方法之一實施形態的製造步驟圖，圖1A係表示準備軟磁性熱硬化性接著膜與電路基板之步驟，圖1B係表示使軟磁性熱硬化性接著膜與電路基板接觸之步驟，圖1C係表示將軟磁性熱硬化性接著膜按壓於電路基板之步驟， 圖1D係表示將軟磁性熱硬化性接著膜於電路基板上加熱之步驟。
本發明之軟磁性熱硬化性接著膜包含磁性層、及積層於上述磁性層之一面之表層。更具體而言，本發明之軟磁性熱硬化性接著膜係包含具有接著性及熱硬化性之表層、與具有磁性及熱硬化性之磁性層之軟磁性熱硬化性接著膜。
表層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂之表層組合物所形成。
表層組合物含有包含丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂之樹脂成分及視需要之熱硬化觸媒、無機粒子等。
作為丙烯酸系樹脂，例如可列舉：藉由以具有直鏈或支鏈之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之1種或2種以上作為單體成分，並使該單體成分聚合而獲得之丙烯酸系聚合物等。再者，「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸及/或甲基丙烯酸」。
作為烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基等碳數1~20之烷基。較佳為可列舉碳數1~6之烷基。
丙烯酸系聚合物亦可為(甲基)丙烯酸烷基酯與其他單體之共聚物。
作為其他單體，例如可列舉：例如丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之單體，例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體，例如順丁烯二酸酐、伊康酸酐等酸酐單 體，例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等含羥基之單體，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體，2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之單體，例如苯乙烯單體、丙烯腈等。
該等之中，較佳為可列舉：含縮水甘油基之單體、含羧基之單體或含羥基之單體。於丙烯酸系樹脂為(甲基)丙烯酸烷基酯與該等其他單體之共聚物之情形時，即於丙烯酸系樹脂具有縮水甘油基、羧基或羥基之情形時，軟磁性熱硬化性接著膜之耐回焊性更進一步優異。
於作為(甲基)丙烯酸烷基酯與其他單體之共聚物之情形時，其他單體之調配比率(質量)相對於共聚物，較佳為40質量%。
關於丙烯酸系樹脂之重量平均分子量，例如為1×105以上，較佳為3×105以上，又，例如亦為1×106以下。藉由設定為該範圍，而軟磁性熱硬化性接著膜之接著性及耐回焊性優異。再者，重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC，Gel Permeation Chromatography)，並根據標準聚苯乙烯換算值而測定。
關於丙烯酸系樹脂之玻璃轉移點(Tg)，例如為-30℃以上，較佳為-20℃以上，又，例如亦為30℃以下，較佳亦為15℃以下。若為上述下限以上，則軟磁性熱硬化性接著膜之接著性優異。另一方面，若為上述上限以下，則軟磁性熱硬化性接著膜之操作性優異。再者，玻璃轉移點係藉由使用動態黏彈性測定裝置(DMA，Dynamic Mechanical Analysis，頻率1Hz，升溫速度10℃/min)所測定之損耗正切(tanδ)之最大值而獲得。
關於丙烯酸系樹脂之含有比率，相對於樹脂成分(即，包含丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂、進而視需要所調配之其他樹脂(下述)之成分)100質量份，例如為5質量份以上，較佳為10質量份以上，更佳為20質量份以上，進而較佳為40質量份以上，又，例如亦為90質量份以下，較佳亦為80質量份以下，更佳亦為70質量份以下，進而較佳亦為60質量份以下。若丙烯酸系樹脂之含有比率超過上述上限，則產生軟磁性熱硬化性接著膜對電路佈線基板之埋入性較差，而耐回焊性較差之情形。另一方面，若丙烯酸系樹脂之含有比率低於上述下限，則軟磁性熱硬化性接著膜之樹脂成分之流動性變得過高。
關於環氧樹脂，只要為通常用作接著劑組合物者，則並無特別限定，例如可列舉：雙酚型環氧樹脂(尤其為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂等)、苯酚型環氧樹脂(尤其為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂。又，例如亦可列舉：乙內醯脲型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂等。該等可單獨使用或併用2種以上。
該等環氧樹脂之中，較佳為可列舉：雙酚型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂，更佳為可列舉：雙酚型環氧樹脂。藉由含有該等環氧樹脂，而與酚樹脂之反應性優異，其結果，軟磁性熱硬化性接著膜具有良好之耐回焊性。
酚樹脂係環氧樹脂之硬化劑，可列舉：例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，例如可溶酚醛型酚 樹脂，例如聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。該等可單獨使用或併用2種以上。該等酚樹脂之中，較佳為可列舉：酚醛清漆型樹脂，更佳為可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂，進而較佳為可列舉：苯酚芳烷基樹脂。藉由含有該等酚樹脂，而可提高磁性膜積層電路基板之絕緣性。
於酚樹脂之羥基當量相對於環氧樹脂之環氧當量100g/eq而為1g/eq以上且未達100g/eq之情形時，環氧樹脂相對於樹脂成分100質量份之含有比率例如為15質量份以上，較佳為35質量份以上，又，例如亦為70質量份以下，酚樹脂相對於樹脂成分100質量份之含有比率例如為5質量份以上，較佳為15質量份以上，又，例如亦為30質量份以下。
於酚樹脂之羥基當量相對於環氧樹脂之環氧當量100g/eq而為100g/eq以上且未達200g/eq之情形時，環氧樹脂相對於樹脂成分100質量份之含有比率例如為10質量份以上，較佳為25質量份以上，又，例如亦為50質量份以下，酚樹脂相對於樹脂成分100質量份之含有比率例如為10質量份以上，較佳為25質量份以上，又，例如亦為50質量份以下。
於酚樹脂之羥基當量相對於環氧樹脂之環氧當量100g/eq而為200g/eq以上且1000g/eq以下之情形時，環氧樹脂相對於樹脂成分100質量份之含有比率例如為5質量份以上，較佳為15質量份以上，又，例如亦為30質量份以下，酚樹脂相對於樹脂成分100質量份之含有比率例如為15質量份以上，較佳為35質量份以上，又，例如亦為70質量份以下。
再者，併用2種環氧樹脂之情形時之環氧當量係各環氧樹脂之環氧當量乘以各環氧樹脂相對於環氧樹脂之總量之質量比率，並累加其等而得之全部環氧樹脂之環氧當量。
又，關於酚樹脂中之羥基當量，以環氧樹脂之環氧基每1當量計，例如為0.2當量以上，較佳為0.5當量以上，又，例如亦為2.0當量以下，較佳亦為1.2當量以下。若羥基之量為上述範圍內，則軟磁性熱硬化性接著膜之硬化反應變得良好，且，可抑制劣化。
尤其環氧樹脂與酚樹脂之合計含有比率，相對於樹脂成分100質量份，例如為10質量份以上，較佳為20質量份以上，更佳為30質量份以上，進而較佳為40質量份以上，又，例如亦為95質量份以下，較佳亦為90質量份以下，更佳亦為80質量份以下，進而較佳亦為60質量份以下。
若合計含有比率未達上述範圍，則由於貼合時之彈性模數變高，故而存在軟磁性熱硬化性接著膜對電路基板之佈線間之埋入性較差之情形。另一方面，若合計含有比率超過上述範圍，則存在丙烯酸系樹脂之含有比率減少，黏度過度地降低，而成膜性降低之情形。
關於表層組合物中之樹脂成分之含有比率，例如為10質量%以上，較佳為20質量%以上，又，例如亦為90質量%以下，較佳亦為80質量%以下。若樹脂成分之含有比率為上述範圍，則耐回焊性、絕緣性、成膜性等優異。
樹脂成分亦可含有除丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂以外之其他樹脂。作為此種樹脂，例如可列舉：熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂。該等樹脂可單獨使用或併用2種以上。
作為熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂(6-尼龍、6,6-尼龍等)、苯氧基樹脂、飽和聚酯樹脂(PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等)、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂 等。
作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。
關於樹脂成分中之其他樹脂之含有比率，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。
表層組合物較佳為含有熱硬化觸媒。
作為熱硬化觸媒，只要為藉由加熱而促進樹脂成分之硬化之觸媒，則並無限定，例如可列舉：具有咪唑骨架之鹽、具有三苯基膦結構之鹽、具有三苯基硼烷結構之鹽、含胺基之化合物等。
作為具有咪唑骨架之鹽，例如可列舉：2-苯基-1H-咪唑4,5-二甲醇(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2-PHZ)、2,4-二胺基-6-(2'-甲基咪唑基(1)')乙基-均三嗪-異三聚氰酸加成物(商品名：2MAOK-PW)等(上述商品名均為四國化成(股)製造)。
作為具有三苯基膦結構之鹽，例如可列舉：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦、溴化四苯基鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、氯化甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、氯化苄基三苯基鏻(商品名：TPP-ZC)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)等(上述商品名均為北興化學公司製造)。
作為具有三苯基硼烷結構之鹽，例如可列舉：三(對甲基苯基)膦等。又，作為具有三苯基硼烷結構之鹽，亦可進而包含具有三苯基膦結構者。作為具有三苯基膦結構及三苯基硼烷結構之鹽，可列舉：四苯基硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-K)、四-對三硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-MK)、四苯基硼酸苄基三苯基鏻(商品名：TPP-ZK)、三苯基 膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(上述商品名均為北興化學公司製造)。
作為含胺基之化合物，例如可列舉：單乙醇胺三氟硼酸鹽(Stella Chemifa(股)製造)、雙氰胺(Nacalai Tesque(股)製造)等。
關於熱硬化觸媒之形狀，例如可列舉：球狀、橢球狀等。
熱硬化觸媒可單獨使用或併用2種以上。
關於熱硬化觸媒之調配比率，相對於樹脂成分100質量份，例如為0.2質量份以上，較佳為0.3質量份以上，又，例如亦為1質量份以下，較佳亦為0.6質量份以下。若熱硬化觸媒之調配比率為上述上限以下，則可使軟磁性熱硬化性接著膜之室溫下之長期保存性變得良好。另一方面，若熱硬化觸媒之調配比率為下限以上，則可使軟磁性熱硬化性接著膜於低溫度且短時間之條件下加熱硬化，又，可使軟磁性熱硬化性接著膜之耐回焊性變得良好。
表層組合物較佳為含有無機粒子。藉此，可提高軟磁性熱硬化性接著膜之導熱性或彈性模數。
作為構成無機粒子之材料，可列舉：例如二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，例如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬、或合金類，此外碳等。其中，較佳為可列舉二氧化矽，尤佳為可列舉熔融二氧化矽。
關於無機粒子之平均粒徑，例如為100μm以下，較佳為80μm以下，又，例如為0.1μm以上。
平均粒徑可藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置進行測定。
於調配無機粒子之情形時，相對於表層組合物，例如為100質量%以下，較佳為45質量%以下，又，例如為1質量%以上，較佳為10質量%以上。
該等無機粒子可單獨使用或併用2種以上。
表層組合物亦可視需要含有添加劑。作為添加劑，例如可列舉：交聯劑等市售或公知者。
作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等聚異氰酸酯化合物。
作為交聯劑之含有比率，相對於表層組合物100質量份，例如為0.05質量份以上且7質量份以下。若將交聯劑之量設為上述上限以下，則使接著力變得更加良好，另一方面，若設為上述下限以上，則使軟磁性熱硬化性接著膜之耐回焊變得更加良好。
表層組合物(進而表層)實質上不含有軟磁性粒子。
所謂實質上不含有軟磁性粒子，係指表層組合物(進而表層)中之軟磁性粒子之含有比率為5質量%以下，較佳為1質量%以下，更佳為0.1質量%以下之情形。若將包含此種含有比率之軟磁性熱硬化性接著膜積層於電路基板，則可防止電路基板之絕緣性之劣化，並且對電路基板賦予軟磁性熱硬化性接著膜之特性(磁特性)。
再者，關於軟磁性粒子，於下述之磁性層中進行詳述。
磁性層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、酚樹脂及軟磁性粒子之磁性組合物所形成。
磁性組合物含有包含丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂之樹脂成分、軟磁性粒子及視需要之熱硬化觸媒等。
關於丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂，可列舉與表層中上述之丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂相同者。藉由含有此種樹脂，而可使其與表層之相溶性變得良好，且可抑制表層與磁性層間之剝離。
關於丙烯酸系樹脂之含有比率，相對於樹脂成分100質量份，例如為10質量份以上，較佳為20質量份以上，更佳為40質量份以上， 又，例如亦為80質量份以下，較佳亦為70質量份以下，進而較佳亦為60質量份以下。
環氧樹脂及酚樹脂各自之含有比率與表層組合物中之含有比率相同，關於環氧樹脂與酚樹脂之合計含有比率，相對於樹脂成分100質量份，例如為20質量份以上，較佳為30質量份以上，更佳為40質量份以上，又，例如亦為90質量份以下，較佳亦為80質量份以下，進而較佳亦為60質量份以下。
關於磁性組合物中之樹脂成分之含有比率，例如為10質量%以上，較佳為20質量%以上，又，例如亦為90質量%以下，較佳亦為80質量%以下。藉由設為上述範圍，而成膜性、耐回焊性優異。
於磁性組合物中之樹脂成分中，除丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂以外，亦可含有其他樹脂，且該等之種類及調配比率與表層組合物中之其他樹脂相同。
作為構成軟磁性粒子之軟磁性材料，例如可列舉：磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)、鋁矽鐵粉(Fe-Si-Al合金)、鎳鐵合金(Fe-Ni合金)、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、鐵氧體等。該等之中，就磁特性之方面而言，較佳為可列舉：鋁矽鐵粉(Fe-Si-Al合金)。
該等之中，更佳為可列舉：Si含有比率為9~15質量%之Fe-Si-Al合金。藉此，可增大磁性膜之磁導率實部。
作為軟磁性粒子之形狀，較佳為可列舉扁平狀(板狀)。關於扁平率(扁平度)，例如為8以上，較佳為15以上，又，例如為80以下，較佳為65以下。再者，扁平率係以50%粒徑(D50)之粒徑除以軟磁性粒子之平均厚度而成之縱橫比之形式算出。
關於軟磁性粒子之平均粒徑(平均長度)，例如為3.5μm以上，較佳為10μm以上，又，例如亦為100μm以下。關於平均厚度，例如為 0.3μm以上，較佳為0.5μm以上，又，例如亦為3μm以下，較佳亦為2.5μm以下。藉由調整軟磁性粒子之扁平率、平均粒徑、及平均厚度等，而可減小由軟磁性粒子所產生之退磁場之影響，其結果，可增加軟磁性粒子之磁導率。再者，為了使軟磁性粒子之大小均勻，亦可視需要使用利用篩子等分級之軟磁性粒子。
關於軟磁性粒子，亦可利用例如偶合劑對其表面進行偶合處理。由於藉由使用經偶合處理之軟磁性粒子，而可加強軟磁性粒子與樹脂成分之界面，故而可以較高之比率對磁性層填充軟磁性粒子。
作為偶合劑，例如可列舉：γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等矽烷偶合劑等。
再者，於磁性層中含有該經偶合處理之軟磁性粒子之情形時，可使用預先經矽烷偶合處理之軟磁性粒子作為原料，又，於製造軟磁性熱硬化性接著膜時，亦可藉由將偶合劑與軟磁性熱硬化性組合物一同進行混合，而進行偶合處理。
關於磁性組合物(進而磁性層)中之軟磁性粒子之含有比率，例如為50質量%以上，較佳為60質量%以上，更佳為70質量%以上，又，例如亦為98質量%以下，較佳亦為97質量%以下。藉由設為上述上限以下之範圍，而製作軟磁性熱硬化性接著膜時之成膜性優異。另一方面，藉由設為上述下限以上之範圍，而軟磁性熱硬化性接著膜之磁特性優異。
磁性組合物較佳為含有熱硬化觸媒。
作為熱硬化觸媒，可列舉與表層組合物中上述之熱硬化觸媒相同者。關於熱硬化觸媒之調配比率，相對於磁性層中之樹脂成分100質量份，例如為0.2質量份以上，較佳為0.3質量份以上，又，例如亦為1質量份以下，較佳亦為0.6質量份以下。
磁性組合物亦可視需要含有添加劑。作為添加劑，例如可列舉：交聯劑、無機粒子等市售或公知者。該等可列舉與磁性層中上述之交聯劑及無機粒子相同者。
其次，對於本發明之軟磁性熱硬化性接著膜之製造方法進行說明。
於製作軟磁性熱硬化性接著膜時，例如製作磁性層，並於其表面積層表層。
於製作磁性層時，首先，調製使上述之磁性組合物於溶劑中溶解或分散而成之磁性組合物溶液。
作為溶劑，可列舉：例如丙酮、甲基乙基酮等酮類，例如乙酸乙酯等酯類，例如N,N-二甲基甲醯胺等醯胺類等有機溶劑等。又，作為溶劑，亦可列舉：例如水，例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇等醇等水系溶劑。
關於磁性組合物溶液中之固形物成分量，例如為10質量%以上，較佳為30質量%以上，又，例如亦為90質量%以下，較佳亦為70質量%以下。
繼而，將磁性組合物溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材(分隔件、核心材料等)之表面而形成塗膜，其後，使塗膜於特定條件下乾燥。藉此，可獲得軟磁性熱硬化性接著膜。
作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉：刮刀法、輥式塗敷、網版塗敷、凹版塗敷等。
作為乾燥條件，乾燥溫度例如為70℃以上且160℃以下，乾燥時間例如為1分鐘以上且5分鐘以下。
再者，作為表層之積層方法，除了上述之塗敷以外，亦可列舉利用公知之方法將預先形成之表層(片狀)積層或轉印於磁性層之方法。
於所獲得之磁性層中，軟磁性粒子相對於磁性層，例如含有30體積%以上，較佳為含有40體積%以上，更佳為含有50體積%以上，又，例如含有90體積%以下，較佳為含有85體積%以下，較佳為含有80體積%以下。若軟磁性粒子為上述範圍內，則軟磁性熱硬化性接著膜之磁特性優異。
關於磁性層之厚度，例如為5μm以上，較佳為30μm以上，更佳為50μm以上，又，例如亦為500μm以下，較佳亦為300μm以下，更佳亦為250μm以下。
磁性層於室溫(具體而言為25℃)下為半硬化狀態(B階段狀態)。
又，磁性層較佳為含有扁平狀軟磁性粒子，且該扁平狀軟磁性粒子於磁性層之二維之面內方向排列。即，以扁平狀軟磁性粒子之長邊方向(與厚度方向正交之方向)沿著磁性層(軟磁性熱硬化性接著膜)之面方向之方式配向。藉此，磁性層係以高比率填充有軟磁性粒子，而磁特性優異。
作為分隔件，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、紙等。該等係藉由例如氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑、聚矽氧系剝離劑等而對其表面進行脫模處理。
作為核心材料，可列舉：例如塑膠膜(例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、金屬膜(例如鋁箔等)，例如利用玻璃纖維或塑膠製不織纖維等強化之樹脂基板、矽基板、玻璃基板等。
分隔件或核心材料之厚度例如為1μm以上且500μm以下。
繼而，於磁性層之表面積層表層。
於積層表層時，首先，製備將上述之表層組合物於溶劑中溶解或分散而成之表層組合物溶液。
作為溶劑，亦可列舉上述者。
關於表層組合物溶液中之固形物成分量，例如為10質量%以上，較佳為30質量%以上，又，例如亦為90質量%以下，較佳亦為70質量%以下。
繼而，將表層組合物溶液以成為特定厚度之方式塗佈於磁性層之表面而形成塗膜，其後，使塗膜於特定條件下乾燥。藉此，可獲得於磁性層之表面積層有表層之軟磁性熱硬化性接著膜。
作為塗佈方法，可列舉上述之塗敷等。
作為乾燥條件，乾燥溫度例如為70℃以上且160℃以下，乾燥時間例如為1分種以上且5分鐘以下。
所獲得之表層於室溫(具體而言為25℃)下為半硬化狀態(B階段狀態)。
關於表層之厚度，例如為5μm以上，較佳為10μm以上，更佳為15μm以上，又，例如亦為100μm以下，較佳亦為80μm以下，更佳亦為55μm以下。
關於以如此之方式所獲得之軟磁性熱硬化性接著膜之厚度(總厚度)，例如為10μm以上，更佳為40μm以上，又，例如亦為600μm以下，較佳亦為380μm以下。
關於本發明之軟磁性熱硬化性接著膜，例如可製備為如下之層構造：僅由軟磁性熱硬化性接著膜構成之單層構造，於核心材料之單面或兩面積層有軟磁性熱硬化性接著膜之多層構造，於軟磁性熱硬化性接著膜之單面或兩面積層有分隔件之多層構造等。
作為本發明之較佳之層構造，係於軟磁性熱硬化性接著膜之單面或兩面積層有分隔件之多層構造。藉此，可於供於實用前保護軟磁性熱硬化性接著膜，又，亦可以將分隔件轉印於電路基板時之支持基材之形式而使用。
其次，對於磁性膜積層電路基板之製造方法(軟磁性熱硬化性接 著膜之貼附方法)之一實施形態，參照圖1而進行說明。
於該方法中，首先如圖1A所示，準備包含表層1與磁性層2且於磁性層2上積層有分隔件3之軟磁性熱硬化性接著膜4、以及於基板6之表面形成有佈線圖案5之電路基板7。繼而，將軟磁性熱硬化性接著膜4與電路基板7以表層1與佈線圖案5對向之方式隔著間距而於厚度方向上配置。
軟磁性熱硬化性接著膜4可利用上述之方法而獲得，且於其磁性層2中，軟磁性粒子14於磁性組合物12中分散。再者，於圖1A之態樣中，作為軟磁性粒子14，使用扁平狀軟磁性粒子14，且該扁平狀軟磁性粒子14係以其長邊方向(與厚度方向正交之方向)沿著軟磁性熱硬化性接著膜4之面方向之方式配向。另一方面，表層1係由表層組合物11所形成，且不含有軟磁性粒子14。
電路基板7例如為以電磁感應方式所使用之電路基板7等，且於基板6之一面形成有迴路線圈等佈線圖案5。佈線圖案5係藉由半加成(semi-additive)法或減成(subtractive)法等而形成。
作為構成基板6之絕緣材料，例如可列舉：玻璃環氧基板、玻璃基板、PET基板、鐵氟龍(Teflon)基板、陶瓷基板、聚醯亞胺基板等。
關於構成佈線圖案5之各佈線8之寬度，例如為5μm以上，較佳為9μm以上，又，例如亦為500μm以下，較佳亦為300μm以下。
關於各佈線8間之間隙9(間距，圖1A中所示之X之長度)，例如為50μm以上，較佳為80μm以上，又，例如亦為3mm以下，較佳亦為2mm以下。軟磁性熱硬化性接著膜4可表現出對上述範圍之間隙9之優異之埋入性。
關於佈線8之厚度(高度，圖1A中所示之Y之長度)，例如為5μm以上，較佳為10μm以上，又，例如亦為50μm以下，較佳亦為35μm以下。表層1之厚度相對於佈線8之厚度，例如為1倍以上，較佳為2倍 以上，例如為5倍以下，較佳為4倍以下，軟磁性熱硬化性接著膜4之表層1之厚度可調整為此種範圍。軟磁性熱硬化性接著膜4可表現出對上述範圍之高度之優異之埋入性。
繼而，如圖1B所示，使表層1與佈線8之上表面接觸。
其後，如圖1C所示，將軟磁性熱硬化性接著膜4按壓於佈線8。藉此，形成表層1之表層組合物11會流動，而佈線圖案5被埋藏於表層組合物11中。即，構成佈線圖案5之各佈線8之表面及側面被表層組合物11所覆蓋。與此同時，自佈線圖案5露出之基板6之表面被表層組合物11所覆蓋。
關於壓力，例如為10MPa以上，較佳為20MPa以上，又，例如為100MPa以下，較佳為50MPa以下。
繼而，如圖1D所示，加熱軟磁性熱硬化性接著膜4。藉此，可獲得於電路基板7積層有經熱硬化之磁性膜10之磁性膜積層電路基板13。
關於加熱溫度，例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如亦為200℃以下，較佳亦為175℃以下，更佳亦為140℃以下。
關於加熱時間，例如為0.1小時以上，較佳為0.2小時以上，又，例如亦為24小時以下，較佳亦為3小時以下，更佳亦為2小時以下。
以如此之方式所獲得之磁性膜積層電路基板13包含形成有佈線圖案5之電路基板7、以及積層於該電路基板7上之磁性膜10。
磁性膜10包含經熱硬化之硬化磁性層2a、及積層於該硬化磁性層2a之一面之經熱硬化之硬化表層1a。
硬化磁性層2a係使磁性組合物12硬化而形成。具體而言，由包含軟磁性粒子14、磁性組合物中之樹脂成分經熱硬化而成之硬化樹脂成分、以及視需要添加之熱硬化性觸媒及添加劑之硬化磁性組合物12a所形成，且為硬化狀態(C階段狀態)。
硬化表層1a係使表層組合物11硬化而形成。具體而言，由包含表層組合物11中之樹脂成分經熱硬化而成之硬化樹脂成分、及視需要添加之熱硬化性觸媒、無機粒子及添加劑之硬化表層組合物11a所形成，且為硬化狀態。
硬化磁性層2a之厚度與磁性層2之厚度大致相同，硬化表層1a之厚度與表層1之厚度大致相同。
於磁性膜積層電路基板13中，佈線圖案5被埋藏於硬化表層1a中。即，構成佈線圖案5之各佈線8之表面及側面被硬化表層1a所覆蓋。與此同時，自佈線圖案5露出之基板6之表面被硬化表層1a(進而磁性膜10)所覆蓋。
又，於分隔件3與佈線8或基板6之間、及佈線8間之間隙9中，雖然埋入有硬化表層組合物11a，但軟磁性粒子14實質上並不存在。
再者，雖然於上述之方法中，將軟磁性熱硬化性接著膜4按壓於佈線8後，而加熱軟磁性熱硬化性接著膜4，但亦可於按壓之同時加熱軟磁性熱硬化性接著膜4。
再者，雖然於圖1之實施態樣中，使用僅於一面形成有佈線圖案5之電路基板7，但亦可使用於一面及另一面均形成有佈線圖案5之電路基板7。於該情形時，另一面與一面亦同樣地，可積層軟磁性熱硬化性接著膜4。
本發明之位置偵測裝置例如包含：包含上述之磁性膜積層電路基板13及安裝於該磁性膜積層電路基板之感測器部之感測器基板、以及對向配置於感測器基板上之位置偵測平面板。
作為將感測器部安裝於磁性膜積層電路基板13時之回焊步驟之方法，例如可列舉：熱風回焊、紅外線回焊等。又，亦可為整體加熱或局部加熱中之任一種方式。
關於回焊步驟中之加熱溫度，例如為200℃以上，較佳為240℃ 以上，又，例如為300℃以下，較佳為265℃以下。關於加熱時間，例如為1秒以上，較佳為5秒以上，更佳為30秒以上，又，例如為2分鐘以下，較佳為1.5分鐘以下。
藉由將位置偵測平面板隔著間距而對向配置於上述中所獲得之感測器基板上，而可製造位置偵測裝置。
而且，該軟磁性熱硬化性接著膜4係包含磁性層2、及積層於上述磁性層2之一面之表層1之軟磁性熱硬化性接著膜4，且磁性層2係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、酚樹脂及軟磁性粒子14之磁性組合物12所形成，表層1係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂，且實質上不含有軟磁性粒子14之表層組合物11所形成。
因此，若將軟磁性熱硬化性接著膜4積層於電路基板7，則軟磁性熱硬化性接著膜4可將表層組合物11確實地埋入各佈線8間之間隙9中，又，使軟磁性熱硬化性接著膜4與基板6良好地接著。其結果，若使用該軟磁性熱硬化性接著膜4，則可獲得具有耐回焊性之磁性膜積層電路基板13。
又，由於埋入性良好，故而可使磁性層2與基板6之距離接近，而能使磁性膜積層電路基板13薄型化。
又，於被埋入之表層組合物11中，實質上不含有軟磁性粒子14。即，可抑制軟磁性粒子14於佈線8間分佈不均之情況。其結果，可抑制佈線8彼此經由軟磁性粒子14而短路之情況，從而具有良好之絕緣性。
又，磁性膜積層電路基板13係可藉由將軟磁性熱硬化性接著膜4積層於一面設置有佈線8之電路基板7之一面，並使軟磁性熱硬化性接著膜4熱硬化而獲得。
因此，硬化表層1a被確實地埋入各佈線8間之間隙9中，而硬化表層1a牢固地接著於基板6及佈線8。因此，即便於高溫下進行回焊處 理，磁性膜10與電路基板7亦不易剝離，且，可抑制磁性膜10之表面產生凹凸。因此，耐回焊性優異。又，由於軟磁性粒子14不存在於佈線8間，故而可防止由軟磁性粒子14所引起之短路，從而絕緣性優異。又，由於在佈線8之上表面，積層有含有軟磁性粒子14之硬化磁性層2a，故而具有良好之磁性特性。又，由於硬化磁性層2a與基板6之距離接近，故而可薄型化。
於該位置偵測裝置中，磁性膜10與電路基板7確實地接著。又，該磁性膜10含有軟磁性粒子14。因此，可抑制位置偵測裝置之性能之劣化，能確實地進行位置偵測。
[實施例]
以下表示實施例及比較例，進而具體地說明本發明，但本發明並不受任何實施例及比較例限定。又，以下所示之實施例之數值可代替為上述之實施形態中所記載之數值(即，上限值或下限值)。
實施例1 (磁性層之製作)
藉由以軟磁性粒子成為80體積%之方式，將軟磁性粒子(Fe-Si-Al合金，扁平狀，Meito公司製造)95質量份、以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主成分之丙烯酸酯系聚合物(根上工業公司製造，商品名「Pagoclone W-197CM」)50質量份、雙酚A型環氧樹脂(JER公司製造，Epikote 1004)20質量份、雙酚A型環氧樹脂(JER公司製造，Epikote YL980)12質量份、苯酚芳烷基樹脂(三井化學公司製造，Milex XLC-4L)18質量份、及2-苯基-1H-咪唑4,5-二甲醇(熱硬化觸媒，四國化成公司製造，商品名：Curezol 2PHZ-PW)0.5質量份進行混合，而獲得磁性組合物。
藉由使該磁性組合物溶解於甲基乙基酮中，而製備固形物成分濃度15質量%之磁性組合物溶液。
將該磁性組合物溶液塗佈於經聚矽氧脫模處理之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之分隔件(厚度為50μm)上，其後，於130℃下乾燥2分鐘。
藉此，製造積層有分隔件之磁性層(僅磁性層之厚度為50μm)。該磁性層為半硬化狀態。
(軟磁性熱硬化性接著膜之製作)
繼而，藉由將以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主成分之丙烯酸酯系聚合物(根上工業公司製造，商品名「Pagoclone W-197CM」)80質量份、雙酚A型環氧樹脂(JER公司製造，Epikote 1004)8質量份、雙酚A型環氧樹脂(JER公司製造，Epikote YL980)5質量份、苯酚芳烷基樹脂(三井化學公司製造，Milex XLC-4L)7質量份、2-苯基-1H-咪唑4,5-二甲醇(熱硬化觸媒，四國化成公司製造，商品名：Curezol 2PHZ-PW)0.5質量份、二氧化矽(Micron公司製造，商品名：SP10，平均粒徑2.5μm)45質量份進行混合，而獲得表層組合物。
藉由使該表層組合物溶解於甲基乙基酮中，而製備固形物成分濃度15質量%之表層組合物溶液。
將該表層組合物溶液塗佈於上述中所製作之磁性層上，其後，於130℃下乾燥2分鐘。
藉此，製造於磁性層上積層有表層之軟磁性熱硬化性接著膜。該表層(厚度55μm)為半硬化狀態。
實施例2~10
藉由表1中所記載之材料及調配比率，而獲得磁性組合物及表層組合物。使用該等磁性組合物及表層組合物，並調整為表1之厚度，除此以外，以與實施例1相同之方式，製造各實施例之軟磁性熱硬化性接著膜。
比較例1
將實施例1中所製作之磁性層製成比較例1之軟磁性熱硬化性接著膜。即，將不包含表層之磁性層製成比較例1之軟磁性熱硬化性接著膜。
(評價)
．耐回焊性
藉由在於基板之一面形成有迴路線圈狀之佈線圖案之電路基板(佈線之寬度100μm，佈線之高度15μm，間隙之間距(間距)200μm)上，以表層與佈線圖案接觸之方式，積層各實施例及比較例之軟磁性熱硬化性接著膜，並於175℃下加熱30分鐘，而使軟磁性熱硬化性接著膜熱硬化，從而獲得磁性膜積層電路基板。
使該磁性膜積層電路基板以保持10秒260℃以上之溫度之方式通過經溫度設定之IR(Infra-red，紅外線)回焊爐，而獲得回焊處理基板。
對於該回焊處理基板，觀察磁性膜與電路基板之界面。關於該界面，將於界面上產生剝離之情形，或於磁性膜表面產生凹凸之情形評價為×，將雖然界面產生剝離，但於膜表面未產生凹凸之情形評價為△，將未確認到剝離及凹凸之產生之情形評價為○。
將其結果示於表1。
．絕緣性
準備以佈線之寬度50μm、佈線之高度15μm、間隙之間距(間距)50μm之條件相互編為梳子狀而成之未導通之測試用佈線圖案。於該測試用佈線圖案上以其表層與佈線圖案接觸之方式積層各實施例及各比較例之軟磁性熱硬化性接著膜，其後，於175℃下花費60分鐘進行加熱，而製作磁性膜。然後，於測試用佈線圖案之兩電極間施加10V之電壓，測定絕緣電阻。
將電阻值為1×109Ω以上之情形評價為○，將電阻值為1×106Ω以上且未達1×109Ω之情形評價為△，將電阻值未達1×106Ω之情形評價為×。
．成膜性
於製造各實施例及各比較例之軟磁性熱硬化性接著膜時，觀察將各表層組合物溶液塗佈於磁性層時之塗佈穩定性、及製造之軟磁性熱硬化性接著膜之表面。再者，於比較例1中，觀察將磁性組合物溶液塗佈於分隔件時之塗佈穩定性及製造之軟磁性熱硬化性膜之表面。
將可將表層組合物溶液(或於比較例1中，磁性組合物)穩定地塗佈於磁性層(或分隔件)，且於製造之軟磁性熱硬化性接著膜之表面未產生粗糙之情形評價為○，將雖然可將軟磁性熱硬化性組合物溶液穩定地塗佈，但於軟磁性熱硬化性接著膜之表面確認到粗糙之情形評價為△，將無法將表層組合物溶液穩定地塗佈之情形評價為×。
將其結果示於表1。
表中之各成分中之數值於無特別之記載之情形時，表示質量份數。
又，表中，關於各成分之簡稱，於下文中記載其詳細內容。
．Fe-Si-Al合金：商品名「SP-7」，軟磁性粒子，平均粒徑65μm，扁平狀，Meito公司製造
．Pagoclone W-197CM：商品名，以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主成分之丙烯酸酯系聚合物，根上工業公司製造
．Epikote 1004：商品名，雙酚A型環氧樹脂，環氧當量875~975g/eq，JER公司製造
．Epikote YL980：商品名，雙酚A型環氧樹脂，環氧當量180~190g/eq，JER公司製造
．Milex XLC-4L：商品名，苯酚芳烷基樹脂，羥基當量170g/eq，三井化學公司製造
．Curezol 2PHZ-PW：商品名，2-苯基-1H-咪唑4,5-二甲醇，四國化成公司製造
．二氧化矽：商品名「SP10」，熔融二氧化矽，Micron公司製造，平均粒徑(D50)2.5μm
再者，上述發明雖然係以本發明之例示之實施形態之形式提供，但該等僅為例示，不應限定性地進行解釋。藉由該技術領域之業者而明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。
[產業上之可利用性]
本發明之軟磁性熱硬化性接著膜、磁性膜積層電路基板及位置偵測裝置可應用於各種工業製品。例如，本發明之軟磁性熱硬化性接著膜及磁性膜積層電路基板可用於位置偵測裝置等，又，本發明之位置偵測裝置可用於數位轉換器等電腦之輸入裝置。

Claims (7)

  1. 一種軟磁性熱硬化性接著膜，其特徵在於：其係包含磁性層、及積層於上述磁性層之一面之表層者，且上述磁性層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、酚樹脂及軟磁性粒子之磁性組合物所形成，且上述表層係由含有丙烯酸系樹脂、環氧樹脂及酚樹脂，且實質上不含有軟磁性粒子之表層組合物所形成，上述表層組合物中之丙烯酸系樹脂之含有比率相對於包含上述丙烯酸系樹脂、上述環氧樹脂及上述酚樹脂之樹脂成分100質量份，為5質量份以上且90質量份以下。
  2. 如請求項1之軟磁性熱硬化性接著膜，其中上述表層組合物中之丙烯酸系樹脂之含有比率相對於包含上述丙烯酸系樹脂、上述環氧樹脂及上述酚樹脂之樹脂成分100質量份，為10質量份以上且80質量份以下。
  3. 如請求項1之軟磁性熱硬化性接著膜，其中上述表層進而含有平均粒徑為100μm以下之無機粒子，且上述無機粒子之含有比率為45質量%以下。
  4. 如請求項1之軟磁性熱硬化性接著膜，其中上述表層之厚度為15μm以上且55μm以下。
  5. 一種磁性膜積層電路基板，其特徵在於：其係藉由將如請求項1之軟磁性熱硬化性接著膜積層於在一面設置有佈線之電路基板之一面，並使上述軟磁性熱硬化性接著膜熱硬化而獲得。
  6. 如請求項5之磁性膜積層電路基板，其中相對於上述佈線之厚度，上述表層之厚度為1~4倍。
  7. 一種位置偵測裝置，其特徵在於：其包含藉由將如請求項1之軟 磁性熱硬化性接著膜積層於在一面設置有佈線之電路基板之一面，並使上述軟磁性熱硬化性接著膜熱硬化而獲得之磁性膜積層電路基板。
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