TWI626632B - Display device and electronic device - Google Patents

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TWI626632B
TWI626632B TW103121092A TW103121092A TWI626632B TW I626632 B TWI626632 B TW I626632B TW 103121092 A TW103121092 A TW 103121092A TW 103121092 A TW103121092 A TW 103121092A TW I626632 B TWI626632 B TW I626632B
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Eigo Kubota
Jianglin Yue
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Sony Corp
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Abstract

本發明之目的在於提供一種可提高對比度之顯示裝置。
本發明之顯示裝置包含複數個發光部、包圍複數個發光部各者之光吸收部、及設置於發光部及光吸取部之兩者表面之低反射層。光吸收部之表面係將光擴散之凹凸面,低反射層係仿照凹凸面而設置。

Description

顯示裝置及電子機器
本技術係關於顯示裝置及電子機器。詳細為關於具有防反射功能之顯示裝置及電子機器。
先前,顯示裝置之最表面係一般包含玻璃層或透明樹脂層之單一之構成構件之平坦面。然而,近年來,亦有人提出藉由包含複數個構成材料之凹凸面(階差面)構成最表面之顯示裝置。例如於專利文獻1、2中,顯示裝置之最表面係反復排列包含LED(Light Emitting Diode:發光二極體)密封部及其周邊之黑色部之單位構造而構成。因此,LED密封部及黑色部之表面不位於同一高度,顯示裝置之表面成為具有高低之階差之凹凸面。又,亦有LED密封部或黑色部不具有平坦面,而具有凹凸面之狀況。
於顯示裝置之最表面與空氣之邊界面中,由於產生與兩者之折射率之差異相應之反射率(菲涅耳之反射規則)之外光反射,故而亮處對比度下降。因此,關於如上述般於最表面具有凹凸面之顯示裝置,亦期望抑制外光反射,提高亮處對比度之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-173149號公報
[專利文獻2]日本特開2009-076949號公報
因此,本技術之目的在於提供一種可提高對比度之顯示裝置及電子機器。
為解決上述問題,第1技術係一種顯示裝置,其包含:複數個發光部;光吸收部,其包圍複數個發光部各者;低反射層,其設置於發光部及光吸收部之兩者表面;且光吸收部之表面係將光擴散之凹凸面;低反射層係仿照凹凸面設置。
第2技術係一種顯示裝置,其具備2維配置之複數個顯示單元;顯示單元包含:複數個發光部、包圍複數個發光部各者之光吸收部、及設置於發光部及光吸收部之兩者表面之低反射層;光吸收部之表面係將光擴散之凹凸面;低反射層係仿照凹凸面設置。
第3技術係一種電子機器,其具備顯示裝置,該顯示裝置包含:複數個發光部、包圍複數個發光部各者之光吸收部、及設置於發光部及光吸收部之兩者表面之低反射層;光吸收部之表面係將光擴散之凹凸面;低反射層係仿照凹凸面設置。
如以上說明般,根據本技術,可提高顯示裝置之對比度。
1‧‧‧大畫面顯示裝置
1s‧‧‧顯示面
10‧‧‧顯示裝置
10s‧‧‧顯示面
11‧‧‧電路基板
12‧‧‧光吸收部
12a‧‧‧開口
12s‧‧‧細微凹凸面
13‧‧‧發光部
13a‧‧‧低反射層
13b‧‧‧低反射層
14‧‧‧低反射層
14a‧‧‧低反射層
14b‧‧‧低反射層
21‧‧‧基板
22‧‧‧配線層
23‧‧‧平坦化膜
24‧‧‧驅動IC
31‧‧‧發光元件
32‧‧‧密封部
41‧‧‧光吸收部
41s‧‧‧細微凹凸面
42‧‧‧光吸收層
42s‧‧‧平坦面
43‧‧‧擴散層
50‧‧‧顯示裝置
51‧‧‧電路基板
52‧‧‧發光部
53‧‧‧覆蓋玻璃
61‧‧‧發光元件
62‧‧‧光反射層
63‧‧‧擴散層
64‧‧‧中空部
65‧‧‧擴散層
66‧‧‧密封部
67‧‧‧擴散層
68‧‧‧黑色矩陣
68a‧‧‧開口
70‧‧‧顯示裝置
111‧‧‧電視裝置
112‧‧‧框體
113‧‧‧顯示裝置
121‧‧‧筆記型個人電腦
122‧‧‧電腦本體
123‧‧‧框體
124‧‧‧框體
125‧‧‧顯示裝置
151‧‧‧光源
152‧‧‧使用者
153‧‧‧外光
201‧‧‧大畫面顯示裝置
201s‧‧‧顯示面
210‧‧‧顯示裝置
210s‧‧‧顯示面
212‧‧‧光吸收部
212s‧‧‧平坦面
aft‧‧‧最終配光不均
bef‧‧‧光源配光不均
FFP‧‧‧遠場圖案
I-I‧‧‧線
X‧‧‧軸方向
Y‧‧‧軸方向
Z‧‧‧軸方向
θ‧‧‧角度
圖1A係顯示本技術之第1實施形態之顯示裝置之外觀之一例之立體圖。圖1B係沿著圖1A之I-I線之剖面圖。
圖2係放大顯示圖1B之一部分之剖面圖。
圖3係顯示本技術之第1實施形態之大畫面顯示裝置之構成之一例之立體圖。
圖4A係用以說明作為比較例之大畫面顯示裝置之作用之概略圖。圖4B係用以說明本技術之第1實施形態之大畫面顯示裝置之作用之概略圖。
圖5係顯示作為比較例之顯示裝置之構成之概略圖。
圖6A~圖6D係用以說明本技術之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例之步驟圖。
圖7A、圖7B係用以說明本技術之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例之步驟圖。
圖8係本技術之第2實施形態之顯示裝置之構成之一例之剖面圖。
圖9A~圖9C係用以說明本技術之第2實施形態之顯示裝置之製造方法之一例之步驟圖。
圖10A係作為電子機器顯示電視裝置之例之外觀圖。圖10B係作為電子機器顯示筆記型個人電腦之例之外觀圖。
圖11A係顯示參考例1之樣本之反射光譜的測定條件之圖。圖11B係顯示參考例1之樣本之反射光譜的評估結果之圖。
圖12A係顯示參考例4之樣本之反射光強度之角度依存性之測定條件之圖。圖12B係顯示參考例4之樣本之反射光強度之角度依存性之評估結果之圖。
圖13A係顯示本技術之第3實施形態的顯示裝置之構成之一例之剖面圖。圖13B~圖13D係顯示本技術之第3實施形態之變化例之顯示裝置之構成例之剖面圖。
圖14A~圖14C係顯示本技術之第3實施形態之變化例之顯示裝置 之構成例之剖面圖。
圖15A係顯示未設置擴散層之情形時之FFP之圖。圖15B係顯示設置有擴散層之情形時之FFP之圖。
圖16A係顯示將平行光相對於擴散層垂直入射時之透射散射特性之圖。圖16B係顯示將平行光相對於擴散層傾斜入射時之透射散射特性之圖。
圖17係顯示某微粒子濃度之光擴散層透射前後之配光不均之關係之圖。
圖18A係顯示未設置擴散層之情形時之FFP之圖。圖18B係顯示設置有擴散層之情形時之FFP之圖。
對本技術之實施形態,參照圖式依照以下之順序進行說明。
1第1實施形態(顯示裝置之第1例)
1.1顯示裝置之構成
1.2大畫面顯示裝置之構成
1.3顯示裝置之作用
1.4顯示裝置之製造方法
2.第2實施形態(顯示裝置之第2例)
2.1顯示裝置之構成
2.2顯示裝置之製造方法
3.第3實施形態(顯示裝置之第3例)
3.1概要
3.2顯示裝置之構成
3.3光擴散層之成膜方法
3.4效果
3.5變化例
4.第4實施形態(電子機器之例)
<1第1實施形態>
[1.1顯示裝置之構成]
如圖1A及圖1B所示,本技術之第1實施形態之顯示裝置10具備電路基板11、設置於該電路基板11之表面之光吸收部12及複數個發光部13。顯示裝置10係所謂LED(Light Emitting Diode:發光二極體)之顯示裝置,具有使用者視認顯示圖像之矩形狀之顯示面10s。於本說明書中,將顯示面10s之平面方向中正交之2個方向分別稱為「x軸方向」、「y軸方向」,將相對於顯示面10s垂直之方向(即顯示裝置10之厚度方向)稱為「z軸方向」。又,於顯示裝置10或構成其之構件之兩主表面之中,將由使用者視認顯示圖像之側之主表面稱為「表面」,將與其為相反側之主表面稱為「背面」。
顯示面10s係由光吸收部12及複數個發光部13之表面構成。由於該等光吸收部12與發光部13於z軸方向具有階差,故顯示面10s為凹凸面。
(光吸收部)
光吸收部(光吸收層)12係具有複數個開口12a之黑色層(所謂黑色矩陣)。複數個開口12a係於電路基板11之表面以規則之週期2維排列於x軸方向及y軸方向。發光部13之表面係經由該開口12a露出。作為開口12a之形狀,例如,例舉矩形狀或菱形等多角形狀、圓形狀等,但並非限定於此者。另,於圖1A中,顯示將開口12a設為矩形狀之例。
如圖2所示,於光吸收部12之表面,設置有將光擴散之細微凹凸面12s。該細微凹凸面12s係藉由使複數個微粒子之表面自光吸收部12之表面突出而構成,或藉由於光吸收部12之表面形狀複製細微凹凸形狀而構成。另,亦可組合使用該等兩種構成。
微粒子之平均粒徑為例如4~20μm之範圍內。作為微粒子,可使用無機微粒子及有機微粒子之至少一者。作為有機微粒子,可使用例如包含聚氨酯、丙烯酸(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、丙烯酸苯乙烯共聚物、三聚氰胺、聚碳酸酯(PC)等者。作為無機微粒子,可使用例如包含氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化锌、氧化锡、碳酸鈣、硫酸鋇、滑石粉、陶土、硫酸鈣等者。
(發光部)
如圖2所示,發光部13具備發光元件31、密封部32,且構成顯示裝置10之像素。作為發光元件31,使用例如單色LED、紅(R)及綠(G)之2色LED、紅(R)、綠(G)及藍(B)之3色LED。於顯示裝置10為全彩顯示裝置之情形時,作為發光部13使用3色LED。
複數個發光部13係於電路基板11之表面以規則之週期2維地排列於x軸方向及y軸方向。如此般排列之複數個發光部13各者之周圍係由光吸收部12包圍。發光元件31係較好為設置於開口12a內。更具體而言,發光元件31係較好為自顯示面10s之垂線方向觀察,設置於與光吸收部12之背面幾乎同一高度、或較背面更高之位置。藉此,與將發光元件31設置於較光吸收部12之背面更深之位置之情形相比較,可縮小開口12a。因此,由於可縮小開口率,故可提高亮處對比度。又,與將發光元件31設置於較光吸收部12之背面更深之位置之情形相比較,不要求高精度之對準。因此,由於可擴大對準誤差之容許範圍,故可改善良率。
密封部32係藉由覆蓋設置於電路基板11之表面之發光元件31,密封發光元件31。密封部32係以例如透明之樹脂材料、或擴散透射光之幾乎透明之樹脂材料構成。
作為密封部32之上表面(即構成顯示面10s之面)之形狀,例舉例如平坦面、彎曲面、凹凸面等。作為彎曲面,例舉相對於電路基板11 之表面為凸狀或凹狀之彎曲面,該等彎曲面之中較好為凸狀之彎曲面。其理由為,因藉由使自發光元件31出射之光朝廣角方向擴展,可改善視角。作為凸狀之彎曲面,例舉例如部分球面形狀、拱頂形狀、自由曲面狀等。此處,所謂部分球面狀係切去球形之一部分之形狀。對部分球面形狀,定義為亦包含大致部分球面形狀者。所謂大致部分球面形狀,係於不導致光學特性之大幅下降之範圍中,略微歪扭部分球面形狀之形狀。
(低反射層)
如圖2所示,於光吸收部12、密封部32之表面分別設置有低反射層14a、低反射層14b。低反射層14a係以仿照光吸收部12之細微凹凸面12s之方式設置。低反射層14b係以仿照密封部32之上表面之方式設置。藉此,降低密封部32及光吸收部12引起之外光反射。
低反射層14a、14b係較好為包含折射率n為1.5以下之低折射率材料作為主成分。其理由為,藉此,可將低反射層14a、14b之折射率設為空氣之折射率與密封部32及光吸收部12之折射率之間之中間之折射率。作為低反射率材料,可使用例如氟系樹脂、多孔質氧化矽粒子(多孔氧化矽粒子)等多孔質粒子、中空氧化矽粒子等中空粒子。該等材料係不僅可單獨使用,亦可2種以上組合使用。此處,多孔質粒子及中空粒子係具有光之波長以下之粒徑之奈粒子。若自提高防滴性、防污性及指紋拂拭性等觀點來看,則作為低折射率材料係較好為使用氟系樹脂。
作為低反射層14a、14b,亦可採用層積有含有多孔質粒子且膜厚為λ/(4.n)之第1層、及含有氟系樹脂且具有較光之波長小一位數之膜厚(例如10nm程度)之第2層者。於此情形時,第2層為最表面層之側。若採用此種構成之低反射層14a、14b,則降低反射率,且可賦予防滴性、防污性及指紋拂拭性等光學特性以外之效能。
低反射層14a、14b係較好為藉由濕製程製作之低反射塗佈層。其理由為,藉由濕製程製作低反射層14a、14b,與藉由濺鍍等乾製程製作之情形相比較,可使原料或設備等費用低廉化。
低反射層14a、14b係例如含有氟之低反射層、多孔質低反射層或含有氟之多孔質低反射層。含有氟之低反射層係含有氟樹脂之低反射層。多孔質低反射層係具有多孔質構造之低反射層,包含例如多孔質氧化矽粒子等多孔質粒子、及中空氧化矽粒子等中空粒子之至少一者。含有氟之多孔質低反射層係含有氟樹脂,且具有多孔質粒子等形成之多孔質構造之低反射層。
若自以濕製程形成均一性優良之低反射層14a、14b之觀點來看,則低反射層14a、14b之膜厚係較好為以低反射為目的之入射光之波長λ以上。另一方面,若自降低外光之反射之觀點來看,則低反射層14a、14b之膜厚係較好為λ/(4.n)(λ:以低反射為目的之入射光之波長,n:低反射層14a、14b之折射率)。可使空氣-低反射層14a間及低反射層14a-光吸收部12間之反射光彼此以半波長(於空氣中為λ/2)偏離之狀態干涉,藉由總體互相打消,實現最合適之反射降低條件。又,可使空氣-低反射層14b間及低反射層14b-密封部32間之反射光彼此以半波長(於空氣中為λ/2)偏離之狀態干涉,藉由總體互相打消,實現最合適之反射降低條件。以反射之降低為目的之光之波長頻帶係可視光之波長頻帶。此處,所謂可視光之波長頻帶係指360nm~830nm之波長頻帶。
(電路基板)
如圖2所示,電路基板11具備:基板21;配線層22,其設置於基板21之表面;平坦化膜23,其設置於配線層22之表面;及複數個驅動IC(Integrated Circuit:積體電路)24,其設置於平坦化膜23之表面。
作為基板21,可使用例如樹脂基板或玻璃基板等。作為樹脂基 板之材料,例舉例如聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚萘二酸乙二醇酯、甲基丙烯酸樹脂、尼龍、聚縮醛、氟樹脂、石碳酸樹脂、聚胺酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醚醚酮、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳香酯、聚醚醯亞胺、聚醯胺-醯亞胺樹脂、甲基丙烯酸甲酯(共)聚合體等。作為玻璃基板之材料,例舉例如鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質玻璃、石英玻璃、液晶化玻璃、環氧玻璃等。
配線層22包含設置於基板21之表面之配線。經由該配線,將驅動IC24、及省略圖示之驅動器IC連接。自驅動器IC藉由控制信號控制驅動IC24。平坦化膜23係用以將設置有配線層22之基板21之表面平坦化之膜。
驅動IC24係與發光部13對應設置,以驅動IC24及發光部13形成一組。驅動IC24係由光吸收部12覆蓋。藉由驅動IC24而控制發光部13之點亮動作等。
[1.2大畫面顯示裝置]
如圖3所示,本技術之第1實施形態之大畫面顯示裝置1具備上述第1實施形態之複數個顯示裝置(顯示單元)10。該大畫面顯示裝置1係藉由將複數個顯示裝置10以瓷磚狀2維排列而構成之平鋪顯示器。另,於圖3中,雖顯示藉由9個顯示裝置10構成大畫面顯示裝置1之例,但構成大畫面顯示裝置1之顯示裝置10之個數並非限定於該例者,亦可藉由數十個或數百個顯示裝置10構成大畫面顯示裝置1。
[1.3顯示裝置之顯示面之作用]
以下,參照圖4A、圖4B,對具有上述構成之顯示裝置10之顯示面10s之作用進行說明。
於圖4A中,顯示藉由作為比較例之複數個顯示裝置210構成大畫面顯示裝置201之例。該顯示裝置210係如圖5所示,代替第1實施形態 之顯示裝置10(參照圖2)中,具有細微凹凸面12s之光吸收部(消光黑色層)12而採用具有平坦面212s之光吸收部(有光黑色層)212者。即,代替藉由光吸收部12及複數個發光部13之表面構成之顯示面10s,而採用藉由光吸收部212及複數個發光部13之表面構成之顯示面210s。另一方面,於圖4B中,顯示藉由本技術之第1實施形態之複數個顯示裝置10構成大畫面顯示裝置1之例。該顯示裝置10係如圖2所示,具有具備細微凹凸面12s之光吸收部(消光黑色層)12。
如圖4A所示,於作為比較例之顯示裝置210中,來自太陽等光源151之外光153入射於光吸收部212之平坦面212s時,藉由光吸收部12吸收外光153中之一部分,相對於此,剩餘則藉由平坦面212s之平坦面正反射。
期望大畫面顯示裝置201之顯示面201s為平坦面,有時由於排列複數個顯示裝置210時之配置精度之關係而引起顯示面201s略微彎曲。有此種彎曲時,根據構成大畫面顯示裝置201之各顯示裝置210,於藉由光吸收部212之平坦面212s正反射之方向產生差異。有此種差異時,構成大畫面顯示裝置201之各顯示裝置210之外形對使用者152而言感受到不同。
另一方面,如圖4B所示,於第1實施形態之顯示裝置10中,來自太陽等光源151之外光153入射於光吸收部12之細微凹凸面12s時,藉由光吸收部12吸收外光153中之一部分,相對於此,剩餘則藉由光吸收部12之細微凹凸面12s擴散反射。藉此,所有方向之反射光大致為相同亮度。因此,即使於顯示面1s略微彎曲之情形,構成大畫面顯示裝置1之各顯示裝置10對使用者152而言看起來大致相同。
[1.4顯示裝置之製造方法]
以下,參照圖6A~圖6D、圖7A、圖7B,對本技術之第1實施形態之顯示裝置之製造方法之一例進行說明。
(配線層之形成步驟)
首先,如圖6A所示,於基板21之表面形成配線層22。
(平坦化膜之形成步驟)
接著,如圖6B所示,於配線層22之表面形成平坦化膜23。
(發光元件及驅動IC之形成步驟)
接著,如圖6C所示,於平坦化膜23之表面之特定位置形成複數個發光元件31及驅動IC24。
(光吸收部之形成步驟)
接著,藉由例如印刷法,將包含光吸收部形成用之樹脂組合物之矩陣狀之塗膜形成於平坦化膜23之表面。作為印刷法,例舉例如噴墨印刷、平板印刷、網版印刷等。光吸收部形成用之樹脂組合物係包含碳黑等黑色粒子之樹脂組合物。該樹脂組合物包含選自由自然硬化性樹脂組合物、能量線硬化性樹脂組合物及熱硬化性樹脂組合物所組成之群之1種以上。
此處,所謂能量線硬化性樹脂組合物係指藉由照射能量線可硬化之樹脂組合物。所謂能量線係表示電子線、紫外線、紅外線、雷射光線、可視光線、電離放射線(X射線、α射線、β射線、γ射線等)、微波、高頻波等之可成為自由基、陽離子、陰離子等之聚合反應之誘因之能量線。作為能量線硬化性樹脂組合物係較好為使用藉由紫外線硬化之紫外線硬化樹脂組合物。又,所謂自然硬化性樹脂係指可藉由自然乾燥硬化之樹脂組合物。
接著,光吸收部形成用之樹脂組合物包含溶媒之情形時,藉由使塗膜乾燥,而揮發溶媒。光吸收部形成用之樹脂組合物為自然硬化性樹脂組合物之情形時,於該步驟塗膜硬化,且如圖6所示,具有複數個開口12a之光吸收部12形成於平坦化膜23之表面。
接著,低反射層形成用之樹脂組合物包含能量線硬化性樹脂組 合物及熱硬化性樹脂組合物之至少一者之情形時,藉由對塗膜實施能量線照射或加熱處理,使塗膜硬化。藉此,如圖6D所示,具有複數個開口12a之光吸收部12形成於平坦化膜23之表面。
另,作為光吸收部12之表面之細微凹凸面12s之形成方法,例舉例如事先使光吸收部形成用之樹脂組合物含有複數個微粒子,且使複數個微粒子之表面自光吸收部12之表面突出之方法;藉由模具成型於光吸收部形成用之樹脂組合物複製凹凸之方法;藉由噴砂於光吸收部12之表面形成凹凸之方法等。
(密封部之形成步驟)
接著,於開口12a塗佈密封材料後,藉由能量線照射或加熱處理使其硬化。藉此,如圖7A所示,於開口12a形成密封部32。作為密封材料之塗佈方法,可使用例如噴墨印刷、偏移印刷、網版印刷、分配器、噴射分配器等。作為密封材料之材料,可使用選自由能量線硬化性樹脂組合物及熱硬化性樹脂組合物所組成之群之1種以上,若自耐熱性等觀點來看,則較好為改質矽等之矽樹脂。
(低反射層之形成步驟)
接著,藉由將低反射層形成用之樹脂組合物以仿照光吸收部12之細微凹凸面12s及密封部32之上表面之方式,幾乎一致地塗佈,形成塗膜。作為塗佈法,可使用旋轉塗佈法、噴塗法、狹縫塗佈法、棒塗佈法、浸塗法、晶片塗佈法、凹版塗佈法、刮刀塗佈法、抗蝕劑塗佈法、毛細管塗佈法等。於作為塗佈法使用噴塗法之情形時,由於可藉由非接觸方式塗佈樹脂組合物,故不依存於顯示面10s之凹凸形狀,可實現無薄膜破裂之塗佈。又,可降低塗佈時樹脂組合物飛散於環境空氣中,且形成膜厚之均一性優良之低反射層14a、14b。於作為塗佈法使用噴塗法之情形時,可於光吸收部12及密封部32之表面同時形成塗膜。
於作為塗佈法使用噴塗法之情形時,若將氟系樹脂稀釋成0.5%左右而調製塗料,且將調製之塗料於濕(乾燥前)狀態下以塗佈厚為20μm左右之方式塗佈,則可將硬化後之膜厚設為100nm左右。
低反射層形成用之樹脂組合物係包含選自由含有氟之化合物(以下稱為「氟系化合物」)、複數個多孔質粒子、及複數個中空粒子所組成之群之1種以上之樹脂組合物。該樹脂組合物係包含選自由自然硬化性樹脂組合物、能量線硬化性樹脂組合物及熱硬化性樹脂組合物所組成之群之1種以上。
接著,樹脂組合物包含溶媒之情形時,藉由根據需要使塗膜乾燥,而揮發溶媒。低反射層形成用之樹脂組合物為自然硬化性樹脂組合物之情形時,於該步驟塗膜硬化,且如圖7B所示,於光吸收部12及密封部32之表面分別形成低反射層14a、14b。
接著,低反射層形成用之樹脂組合物包含能量線硬化性樹脂組合物及熱硬化性樹脂組合物之至少一者之情形時,藉由對塗膜實施能量線照射或加熱處理,使塗膜硬化。藉此,如圖7B所示,於光吸收部12及密封部32之表面分別形成低反射層14a、14b。
藉由以上,可獲得作為目的之顯示裝置10。
[效果]
於第1實施形態中,由於將複數個發光部13各者藉由光吸收部12包圍,故可提高對比度。又,由於相對於顯示裝置10之光吸收部12之細微凹凸面12s設置有低反射層14a,故可降低細微凹凸面12s之外光之擴散反射。又,由於相對於顯示裝置10之發光部13之上表面設置有低反射層14b,故可降低發光部13之上表面之外光之反射。
將發光元件31設置於開口12a內,且於該開口12a內藉由密封部32密封發光元件31。因此,由於無需遍及電路基板11之表面及光吸收部12之界面整體形成密封層,故可使顯示裝置10薄型化。
<2.第2實施形態>
[2.1顯示裝置之構成]
如圖8所示,本技術之第2實施形態之顯示裝置70係於具備2層構造之光吸收部41之方面,與第1實施形態之顯示裝置10不同。光吸收部41具備具有平坦面42s之光吸收層42、及設置於該平坦面42s之擴散層(形狀層)43。又,密封部32之上表面亦可覆蓋開口12a之周緣。
光吸收層42係除了具有平坦面42s代替細微凹凸面12s以外與第1實施形態之光吸收部12相同。
擴散層43具有將光擴散之細微凹凸面41s。擴散層43包含複數個微粒子及樹脂材料。細微凹凸面41s係藉由複數個微粒子而構成。更具體而言,細微凹凸面係藉由使複數個微粒子之表面之一部分自擴散層43之表面突出而構成。低反射層14係以仿照擴散層43之細微凹凸面41s及密封部32之上表面之方式設置。作為微粒子係可使用與上述第1實施形態中光吸收部12所包含者相同之微粒子。
[2.2顯示裝置之製造方法]
本技術之第2實施形態之顯示裝置之製造方法係光吸收層之形成步驟之前之步驟與上述第1實施形態相同。因此,以下,參照圖9A~圖9C,僅對其以後之步驟進行說明。
(密封部之形成步驟)
首先,將密封材料塗佈於開口12a。此時,以密封材料之上表面覆蓋開口12a之周緣之方式塗佈密封材料。接著,對塗佈之密封材料,實施能量線照射或加熱處理而使其硬化。藉此,如圖9A所示,於開口12a形成密封部32。
(擴散層之形成步驟)
接著,根據需要混合樹脂組合物、複數個微粒子、及溶劑,而調製分散有微粒子之塗料。此時,亦可根據需要進一步添加光穩定 劑、紫外線吸收劑、防帶電劑、耐燃劑、防氧化劑等添加劑。樹脂組合物包含能量線硬化性樹脂組合物及熱硬化性樹脂組合物之至少一者。接著,藉由例如印刷法,將包含調製之塗料之矩陣狀之塗膜形成於光吸收層42上。
接著,樹脂組合物包含溶媒之情形時,藉由根據需要使樹脂組合物乾燥,而揮發溶媒。乾燥條件並非特別限定者,可為自然乾燥,亦可為調整乾燥溫度或乾燥時間等之人工性乾燥。然而,於乾燥時對塗料表面吹風之情形時,較好為避免於塗膜表面產生風紋。又,乾燥溫度及乾燥時間係可根據塗料中所包含之溶媒之沸點適當決定。於此情形時,乾燥溫度及乾燥時間係較好為考慮基板21之耐熱性,且於不會因熱收縮而引起基板21之變形之範圍內選定。
接著,對塗佈之密封材料,實施能量線照射或加熱處理而使其硬化。藉此,如圖9B所示,於光吸收層42之平坦面42s上形成擴散層43。
(低反射層之形成步驟)
接著,藉由將低反射層形成用之樹脂組合物以仿照擴散層43之細微凹凸面41s及密封部32之上表面之方式,大致一致地塗佈,而形成塗膜。接著,藉由對塗膜實施能量線照射或加熱處理,而使塗膜硬化。藉此,如圖9C所示,形成仿照擴散層43之細微凹凸面41s及密封部32之上表面之兩者表面之低反射層14。
藉由以上,可獲得作為目的之顯示裝置10。
<3.第3實施形態>
[3.1概要]
於顯示裝置或顯示器面板中,畫面內之光學特性上有不均時,顯示不均一。此係由於微觀而言製程上於每個像素單位產生構造不均。難以迴避此種不均之發生。尤其配光特性因像素而異之問題,係 被例舉為嚴重之問題之一。為了自所有角度觀察,畫面內皆看起來均一,需要配光特性遍及顯示畫面整體,且於像素單位中精度高且一致。於液晶或有機EL之各種方式之顯示裝置之生產中,期望實現平面均一性,然而不僅垂直觀察,於所有觀察角度中完全均一係較為困難。可認為光學特性之不均之根本原因在於材料及製程之平面均一化有極限。即使於如將細微之LED作為各個像素構造平鋪幾百萬個之LED顯示裝置等中亦有同樣之問題,各個LED之配光特性、及其安裝製程之不均係原因之根本。期望為容許該等製程極限,於面板構造中新設置使配光穩定化之配光控制構造,而改善該顯示裝置之良率之方法。
於將LCD、有機EL、LED作為像素排列之顯示裝置中,由於僅像素之形狀發生微小變化,而於內部之光學路徑產生變化,其結果,導致光提取時之配光特性較大地不均。此種配光特性之不均係直接關係到顯示裝置之平面不均,導致作為顯示裝置畫面欠缺均一性之嚴重問題,以及量產時之低良率之問題。因此,於第3實施形態中,說明作為顯示裝置之平面配光特性,為切斷於每個像素不均之配光特性或導致其之前製程等之關連,於顯示裝置設置使配光穩定化之配光控制構造,確保作為顯示裝置之平面均一性之技術。
[3.2顯示裝置之構成]
如圖13A所示,第3實施形態之顯示裝置50具備電路基板51、複數個發光部52、及覆蓋玻璃53。複數個發光部52係以規則之週期2維地排列於電路基板51之表面。覆蓋玻璃53係覆蓋複數個發光部52,與電路基板51對向配置。以下,對該等構成要素依次說明。
(電路基板)
電路基板51係與上述第1實施形態之電路基板51相同。
(發光部)
發光部52具備發光元件61、光反射層62、光擴散層63、及中空部64。發光元件61係與上述第1實施形態之發光元件31相同。光反射層62係以包圍發光元件61之周圍之方式設置。光反射層62反射自發光元件61出射之光。中空部64係以電路基板51與光反射層62及覆蓋玻璃53包圍之中空之空間。作為充滿中空部64之氣體,可使用例如空氣或特定之氣體等。
光擴散層63設置於覆蓋玻璃53之兩主表面中之對向於電路基板51之側之主表面。光擴散層63具有使自發光元件61出射之光、或藉由反射層62反射之光擴散之功能。光擴散層63具有光擴散透射構造。
光擴散層63係例如藉由加工覆蓋玻璃53之表面而構成。作為具有此種構成之覆蓋玻璃53,可使用例如磨砂玻璃、蝕刻玻璃、霜花玻璃、腐蝕玻璃、蛋白石玻璃等加工玻璃。作為該等玻璃之加工方法,例舉例如將砂等硬質之粉體以高速碰撞於玻璃表面之噴砂工法、藉由使用酸之玻璃溶解之蝕刻工法等。藉由調整該等玻璃加工之加工量(例如速度或時間等),可控制光擴散特性。
於自Z軸方向觀察顯示裝置50之情形時,較好為光擴散層63覆蓋發光元件61。更具體而言,於發光元件61之一邊之尺寸為約10μm~數百μm左右時,較好為光擴散層63之一邊之尺寸為其以上。光擴散層63之厚度係不必較厚,可為例如5μm左右極薄層。
上述加工玻璃之表面具有細微之凹凸構造,且該微觀構造係可看做細微之顆粒形狀。對玻璃面自垂直於該面之方向觀察時之二維之粒徑、或該等顆粒形狀之間隔為例如數μm~數十μm左右之範圍。又,其深度為數百nm~數μm左右之範圍。一般,存在其粒徑或間隔越小,深度越深,則透射之光之直線透射成分越弱,相反擴散成分越強之傾向。
又,光擴散層63係可例如成膜於覆蓋玻璃53之表面。作為此種 光擴散層63之形成方法,例如例舉將微粒子攪拌於粘合劑即透明樹脂材料而調製塗料後,塗佈於覆蓋玻璃53之表面並硬化之方法。
[3.3光擴散層之成膜方法]
以下,對將光擴散層63成膜於覆蓋玻璃53之表面之方法之一例進行詳細說明。首先,將微粒子攪拌於粘合劑即透明樹脂材料而調製塗料。攪拌時係較好為使用微粒子之凝聚較少、而可以短時間有效地攪拌塗料之攪拌裝置。作為此種攪拌裝置,例如例舉自轉/公轉型之離心攪拌機。較好為將攪拌之塗料通過微粉碎分散機或三本粉碎機之粉碎機。其理由為,即使為藉由攪拌產生略微之微粒子之凝聚之情形,亦可粉碎該凝聚,保持所期望之濃度且獲得均質之漿料。
藉由調整微粒子相對於粘合劑之比率、及/或光擴散層63之厚度,可控制光擴散層63之光擴散功能。作為粘合劑,例舉例如雙液性之熱硬化型矽樹脂等。作為微粒子之材料,例舉例如三聚氰胺、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦等。作為微粒子,使用例如於數百nm~數μm左右之範圍進行一定粒徑管理者。
接著,將調製之塗料塗佈於覆蓋玻璃53之表面而形成塗膜。作為塗佈方法,可使用例如分配塗佈、網版印刷等印刷製程。光擴散層63之厚度係可藉由設定例如印刷製程之控制參數而調整。於例如網版印刷中,藉由選擇版之網目直徑或開口率,可將塗佈厚穩定地保持於5μm或30μm。
接著,將覆蓋玻璃53之表面之塗膜硬化。硬化方法係根據塗料中所含之透明樹脂材料之種類選擇。例如,於透明樹脂材料為熱硬化型樹脂之情形時,藉由以數百度鍛燒數小時,可使塗膜硬化。
[3.4效果]
藉由設置光擴散層63所獲得之效果係可於將附有光擴散層63之覆蓋玻璃53覆蓋於發光元件61上之前後,藉由實測像素發光之配光特 性而確認(參照圖15A、圖15B)。另一方面,作為附有光擴散層63之覆蓋玻璃53之基礎評估,可藉由掌握平行光入射時之出射配光(透射散射特性BTDF(Bidirectional Transmittance Distribution Function:雙向投射分佈函數),參照圖16A、圖16B),使用另行獲取之像素配光(覆蓋附有光擴散層63之覆蓋玻璃53前之配光特性,參照圖15A),可高精度預測計算覆蓋附有光擴散層63之覆蓋玻璃53之後之配光特性(參照圖15B)。由於該BTDF係根據微粒子之濃度而不同,故成為對設定必要之最低濃度較為重要之逆算法。作為結果,觀察比較將圖15A、圖15B之配光FFP(Far Field Pattern:遠場模式)以某個特定角度θ擴散前後時,於某個設定微粒子濃度之光擴散層63中,該透射前後之配光不均之關係係可如圖17般顯示。即,傾斜稱為配光控制靈敏度,其成為小於1之值係已抑制配光不均之證據。此點於圖18A、圖18B所示之配光FFP中亦相同。另,於圖18A、圖18B中,以左右不對稱之配光FFP為前提,將左右反轉後之二種配光不均作為一例而顯示。藉由覆蓋附有光擴散層63之覆蓋玻璃53,可提高對稱性,降低不均。又,即使於通過製造製程等,配光左右錯亂之情形時,亦可藉由附加光擴散層63,修正該不均。
於第3實施形態之顯示裝置50中,由於將光擴散層63設置於發光元件61上,故可抑制配光不均。因此,可提高量產製程之良率。又,可有助於削減顯示裝置50之成本。
[3.5變化例]
以下,參照圖13B~圖14C,對上述第3實施形態之變化例之顯示裝置50之構成例進行說明。
於顯示裝置50中,如圖13B所示,亦可遍及覆蓋玻璃53之兩主表面中之對向於電路基板51之側之主表面之大致整體設置光擴散層63。藉由採用此種構成,可提高顯示裝置50之量產性。
顯示裝置50係如圖13C所示,亦可進一步具備光擴散層65,其填充於以電路基板51與光反射層62及覆蓋玻璃53包圍之中空之空間部。藉由採用此種構造,發光元件61之露出部分之整體係由光擴散層65直接包含。於該情形時,可省略圖13A所示之光擴散層63。
顯示裝置50係如圖13D所示,亦可於以電路基板51與光反射層62及覆蓋玻璃53包圍之中空之空間部,進一步具備以透明樹脂材料構成之密封部66。
顯示裝置50係如圖14A所示,亦可進一步具備覆蓋發光元件61之露出部分之整體之光擴散層67。或,如圖14B所示,亦可進一步具備覆蓋發光元件61之露出部分中之上表面部等之一部分之光擴散層67。
顯示裝置50係如圖14C所示,亦可於覆蓋玻璃53及光擴散層63之間進一步具備黑色矩陣68。黑色矩陣68具有複數個開口68a,各開口68a係自Z軸方向觀察時,設置於各發光元件61上。由於黑色矩陣68之厚度極薄,係例如1μm左右,故可容易以印刷製程等形成於覆蓋玻璃之表面,亦不會導致顯示裝置50之大幅之構成之變更。
<4.第4實施形態>
本技術之第4實施形態之電子機器具備第1實施形態之顯示裝置10、或第2實施形態之顯示裝置70、第3實施形態之顯示裝置50、或第3實施形態之變化例之顯示裝置50。以下,對本技術之第4實施形態之電子機器之例進行說明。
圖10A係作為電子機器顯示電視裝置之例之外觀圖。電視裝置111係具備框體112、及收納於該框體112之顯示裝置113。此處,顯示裝置113係第1實施形態之顯示裝置10、第2實施形態之顯示裝置70、第3實施形態之顯示裝置50、或第3實施形態之變化例之顯示裝置50。
圖10B係作為電子機器顯示筆記型個人電腦之例之外觀圖。筆記型個人電腦121具備電腦本體122、及顯示裝置125。電腦本體122及顯 示裝置125係分別收納於框體123及框體124。此處,顯示裝置125係第1實施形態之顯示裝置10、或第2實施形態之顯示裝置70、第3實施形態之顯示裝置50、或第3實施形態之變化例之顯示裝置50。
[實施例]
以下,雖藉由參照例具體說明本技術,但本技術並非僅限定於該等參考例者。
關於本參考例係以以下之順序進行說明。
I密封部表面之正反射之降低
Ⅱ光吸收層表面之正反射及擴散反射之降低
<I密封部表面之正反射之降低>
如以下般模擬性地確認對具有與玻璃相同之折射率之密封部之彎曲面(例如部分球面),形成低反射層所發揮之反射率降低效果。
(參考例1)
首先,準備具有平坦面之玻璃基板。接著,藉由噴塗法,於該玻璃基板之一主表面(平坦面)實施低反射塗佈後,藉由自然乾燥,形成低反射層。作為低反射層之材料,使用氟樹脂(股份式公司Harves,商品名:DS-5305C)。接著,於玻璃基板之另一主表面(與低反射層之形成面為相反側之面)形成光吸收層。藉由以上,獲得作為目的之樣本。
(參考例2)
準備與參考例1相同之玻璃基板,將其作為樣本。
(參考例3)
藉由模擬求得於玻璃基板表面形成有低反射層(折射率n=1.4,膜厚=95nm)時之反射光譜。
(反射光譜之評估)
接著,使用分光光度計(株式會社Hitachi High-Technologies製, 商品名:U-4100)測定如上述般獲得之樣本之表面之入射角5°之反射率(參照圖1A)。其測定結果顯示於圖11B。
根據圖11B,藉由實際製作之樣本獲得之實測值(參考例1)、及藉由模擬獲得之理論值(參考例3)大致一致,可確認發現正如期待之反射率降低效果。
即使於具有與玻璃相同之折射率之密封部之彎曲面(例如部分球面)形成有低反射層之情形時,亦可推測發現與於玻璃基板之平坦面形成有低反射層之情形相同之效果。
<Ⅱ光吸收層表面之正反射及擴散反射之降低>
對藉由對光吸收層之細微凹凸面形成低反射層所發揮之反射率降低效果,如以下般模擬性地確認。
(參考例4)
首先,準備具有平坦面之玻璃基板。接著,於該玻璃基板之一主表面(平坦面)形成表面黑。接著,藉由噴塗法,於表面黑之表面實施低反射塗佈後,藉由自然乾燥,形成低反射層。作為低反射塗佈之材料,使用氟樹脂(株式會社Harves,商品名:DS-5305C)。接著,於玻璃基板之另一主表面(與低反射層之形成面為相反側之面)形成光吸收層。藉由以上,獲得作為目的之樣本。
(反射光強度之角度依存性之評估)
接著,使用光度計(GENESIA Gonio/Far Field Profiler:遠場測繪器)測定如上述般獲得之樣本之低反射層側之反射光強度之角度依存性(參照圖12A)。其測定結果顯示於圖12B。另,作為光源使用雷射(株式會社高知豐中技研製,商品名:GLM-A2(λ=532nm)),將相對於樣本之表面之入射角設定為35°。
自圖11B,可確認可維持擴散反射,且抑制正反射。
以上,已具體說明本技術之實施形態,本技術並非限定於上述 實施形態者,可基於本技術之技術性思想進行各種變化。
例如,上述實施形態中例舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等不過是例子,亦可根據需要使用與其不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又,上述實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等係只要不脫離本技術之主旨,則可互相組合。
又,於上述實施形態中,雖將藉由密封部密封發光元件,且於該密封部之表面設置低反射層之構造作為例子進行說明,但本技術並非限定於該例者。亦可採用省略密封部之形成,而於發光元件之表面直接形成低反射層之構成。即,亦可採用發光部不藉由密封部密封,而藉由露出之發光元件構成,且於露出之發光元件表面直接形成低反射層之構成。
又,於上述實施形態中,雖將發光元件為LED之情形作為例子進行說明,但發光元件並非限定於該例者,作為發光元件,亦可使用例如有機電致發光元件或無機電致發光元件等。
又,本技術係亦可採用以下之構成。
(1)
一種顯示裝置,其包含:複數個發光部;光吸收部,其包圍上述複數個發光部各者;及低反射層,其設置於上述發光部及上述光吸收部之兩者表面;上述光吸收部之表面係將光擴散之凹凸面;上述低反射層係仿照上述凹凸面設置。
(2)
如技術方案(1)之顯示裝置,其中上述發光部包含發光元件、及密封該發光元件之密封部。
(3)
如技術方案(2)之顯示裝置,其中上述密封部具有平坦面、凹凸面或彎曲面。
(4)
如技術方案(2)之顯示裝置,其中上述密封部具有凸狀或凹狀之彎曲面;上述低反射層係仿照上述彎曲面設置。
(5)
如技術方案(2)之顯示裝置,其中上述發光元件係發光二極體或電致發光元件。
(6)
如技術方案(2)至(5)中任一項之顯示裝置,其中上述光吸收部具有複數個開口;於上述開口內設置有上述發光元件。
(7)
如技術方案(2)至(6)中任一項之顯示裝置,其中上述密封部包含具有透明性或擴散透射性之幾乎透明之材料。
(8)
如技術方案(1)之顯示裝置,其中上述發光部包含露出之發光元件。
(9)
如技術方案(1)至(8)中任一項之顯示裝置,其中上述凹凸面係由複數個微粒子構成。
(10)
如技術方案(1)至(9)中任一項之顯示裝置,其中上述光吸收部包含: 光吸收層;及形狀層,其設置於上述光吸收層之表面,且具有上述凹凸面。
(11)
如技術方案(1)至(10)中任一項之顯示裝置,其中上述低反射層包含選自由氟樹脂、多孔質粒子及中空粒子所組成之群之1種以上。
(12)
如技術方案(1)至(11)中任一項之顯示裝置,其中上述低反射層具有以低反射為目的之光之波長以上之膜厚。
(13)
如技術方案(1)至(11)中任一項之顯示裝置,其中上述低反射層具有約λ/(4.n)(其中,λ:以低反射為目的之光之波長,n:上述低反射層之折射率)之膜厚。
(14)
如技術方案(1)至(13)中任一項之顯示裝置,其中上述發光部及上述光吸收部具有階差。
(15)
一種顯示裝置,其具備2維配置之複數個顯示單元;上述顯示單元包含複數個發光部、包圍上述複數個發光部各者之光吸收部、及設置於上述發光部及上述光吸收部之兩者表面之低反射層;上述光吸收部之表面係將光擴散之凹凸面;上述低反射層係仿照上述凹凸面設置。
(16)
一種電子機器,其具備顯示裝置,該顯示裝置包含複數個發光部、包圍上述複數個發光部各者之光吸收部、及設置於上述發光部及上述光吸收部之兩者表面之低反射層; 上述光吸收部之表面係將光擴散之凹凸面;上述低反射層係仿照上述凹凸面設置。
又,本技術亦可採用以下之構成。
(1)一種顯示裝置,其具備複數個發光元件;於上述發光元件之附近設置有光擴散構造。
(2)如技術方案(1)之顯示裝置,其中上述光擴散構造之光擴散特性係光學透射型。
(3)如技術方案(1)或(2)之顯示裝置,其中上述光擴散構造係直接設置於發光元件之表面。
(4)如技術方案(1)或(2)之顯示裝置,其中進一步具備覆蓋玻璃;上述光擴散構造設置於覆蓋玻璃之表面。
(5)如技術方案(4)之顯示裝置,其中上述覆蓋玻璃係磨砂玻璃、蝕刻玻璃、霜花玻璃、腐蝕玻璃、或蛋白石玻璃。
(6)如技術方案(4)或(5)之顯示裝置,其中藉由調整上述覆蓋玻璃之加工量,控制光擴散特性。
(7)如技術方案(1)之顯示裝置,其中上述光擴散構造係包含粘合劑及複數個微粒子之光擴散層。
(8)如技術方案(7)之顯示裝置,其中藉由調整上述光擴散層所包含之複數個微粒子之含有量,控制光擴散特性。
(9)如技術方案(7)或(8)之顯示裝置,其中上述粘合劑包含矽樹脂;上述微粒子包含含有三聚氰胺、氧化矽、氧化鋁或氧化鈦之微粒子。
(10)如技術方案(4)至(6)中任一項之顯示裝置,其中藉由調整上述覆蓋玻璃之加工量,相對於擴散前之配光不均,可將擴散後之配光不均以相對比不滿1之所期望之感度量抑制。
(11)如技術方案(7)至(9)中任一項之顯示裝置,其中藉由調整上述光擴散層所包含之上述微粒子之含有量,相對於擴散前之配光不均,可將擴散後之配光不均以相對比不滿1之所期望之感度量抑制。
(12)一種顯示裝置,其具備2維配置之複數個顯示單元;上述顯示單元具有複數個發光元件;於上述發光元件之附近設置有光擴散構造。
(13)一種電子機器,其具備包含複數個發光元件之顯示裝置;於上述發光元件之附近設置有光擴散構造。

Claims (16)

  1. 一種顯示裝置,其包含:至少一個發光部;光吸收部,其包圍上述至少一個發光部;及低反射層,其設置於上述至少一個發光部之第一表面及上述光吸收部之第二表面;且上述光吸收部之上述第二表面具有第一凹凸形狀且上述第二表面係將光擴散;上述低反射層之一部分之上表面及下表面具有第二凹凸形狀;上述部分係對應於上述第一凹凸形狀之上述第二表面。
  2. 如請求項1之顯示裝置,其中上述至少一個發光部包含發光元件、及密封該發光元件之密封部。
  3. 如請求項2之顯示裝置,其中上述密封部具有平坦面、凹凸面或彎曲面中之至少一者。
  4. 如請求項2之顯示裝置,其中上述密封部具有凸狀或凹狀之彎曲面;且上述低反射層係進而設置於上述彎曲面上。
  5. 如請求項2之顯示裝置,其中上述發光元件係發光二極體或電致發光元件中之至少一者。
  6. 如請求項2之顯示裝置,其中上述光吸收部具有至少一個開口;且上述發光元件係設置於上述至少一個開口內。
  7. 如請求項2之顯示裝置,其中上述密封部包含具有透明性或擴散透射性之一者之透明之材料。
  8. 如請求項1之顯示裝置,其中上述至少一個發光部包含露出之發光元件。
  9. 如請求項1之顯示裝置,其中上述第一凹凸形狀之上述第二表面係包含複數個微粒子。
  10. 如請求項1之顯示裝置,其中上述光吸收部包含:光吸收層及形狀層;且上述形狀層位於上述光吸收層之第三表面與上述部分之間;且上述形狀層具有上述第一凹凸形狀。
  11. 如請求項1之顯示裝置,其中上述低反射層包含至少一材料,上述材料包含氟樹脂、多孔質粒子或中空粒子中之一者。
  12. 如請求項1之顯示裝置,其中上述低反射層具有上述光之波長以上之膜厚。
  13. 如請求項1之顯示裝置,其中上述低反射層具有λ/(4.n)(其中,λ:上述光之波長,n:上述低反射層之折射率)之膜厚。
  14. 如請求項1之顯示裝置,其中上述至少一個發光部及上述光吸收部之兩者皆具有階差。
  15. 一種顯示裝置,其包含2維配置之複數個顯示單元;上述複數個顯示單元之各者包含:至少一個發光部、包圍上述至少一個發光部之光吸收部、及設置於上述至少一個發光部之第一表面及上述光吸收部之第二表面之低反射層;上述光吸收部之第二表面具有第一凹凸形狀,且上述光吸收部係將光擴散;上述低反射層之一部分之上表面及下表面具有第二凹凸形 狀;上述部分係對應於上述第一凹凸形狀之上述第二表面。
  16. 一種電子機器,其具備顯示裝置,該顯示裝置包含:至少一個發光部;光吸收部,其包圍上述至少一個發光部;及低反射層,其設置於上述至少一個發光部之第一表面及上述光吸收部之第二表面;且上述光吸收部之上述第二表面具有第一凹凸形狀且上述第二表面係將光擴散;上述低反射層之一部分之上表面及下表面具有第二凹凸形狀;上述部分係對應於上述第一凹凸形狀之上述第二表面。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6305070B2 (ja) * 2014-01-16 2018-04-04 三菱電機株式会社 映像表示装置
JP2016219505A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
KR102364551B1 (ko) * 2015-08-12 2022-02-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 표시 장치
EP3405008A4 (en) * 2016-01-14 2018-12-26 Konica Minolta, Inc. Electroluminescence element
KR102455084B1 (ko) * 2016-02-23 2022-10-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 갖는 표시장치
CN107403819B (zh) * 2016-05-20 2020-06-16 群创光电股份有限公司 显示设备
JP2017212384A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
JP6800702B2 (ja) * 2016-11-08 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、および、その製造方法
TWM550834U (zh) * 2017-06-12 2017-10-21 Harvatek Corp 發光二極體顯示器及其顯示模組
JP2019082594A (ja) 2017-10-31 2019-05-30 ソニー株式会社 表示装置
WO2019225484A1 (ja) * 2018-05-21 2019-11-28 Agc株式会社 表示装置
KR20200057202A (ko) 2018-11-16 2020-05-26 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
CN109686868B (zh) * 2019-01-31 2021-08-24 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
US11926160B2 (en) 2019-04-26 2024-03-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Evaluating surfaces
WO2021176538A1 (ja) * 2020-03-02 2021-09-10 シャープ株式会社 表示装置
US20230105196A1 (en) * 2020-03-02 2023-04-06 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US20220293832A1 (en) * 2021-03-15 2022-09-15 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same
KR102560459B1 (ko) * 2021-04-02 2023-07-26 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
CN112885253B (zh) * 2021-04-13 2023-12-29 珠海华萃科技有限公司 柔性透明led显示屏制作工艺
CN117693781A (zh) * 2021-07-16 2024-03-12 索尼集团公司 显示系统
TWI795144B (zh) * 2021-12-27 2023-03-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示裝置
KR20230160136A (ko) * 2022-05-16 2023-11-23 코닝정밀소재 주식회사 전이층을 갖는 디스플레이 영역

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100052520A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Hee-Chul Jeon Organic light emitting diode display
US20100052518A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Hee-Chul Jeon Organic light emitting diode display
US20110234087A1 (en) * 2006-01-10 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display Device and Manufacturing Method Thereof
US20120235175A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-20 Valeriy Prushinskiy Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2016025357A (ja) * 2014-07-21 2016-02-08 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 半導体発光素子

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11287991A (ja) * 1998-04-06 1999-10-19 Casio Comput Co Ltd 反射型表示装置
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP4736284B2 (ja) * 2001-09-10 2011-07-27 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
KR100858297B1 (ko) * 2001-11-02 2008-09-11 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP4087620B2 (ja) * 2002-03-01 2008-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP3991862B2 (ja) * 2002-12-25 2007-10-17 セイコーエプソン株式会社 表示体および表示装置
JP4165478B2 (ja) * 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR20050112456A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2006318776A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100829753B1 (ko) * 2007-03-02 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이장치
KR101378439B1 (ko) * 2008-08-20 2014-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100959108B1 (ko) * 2008-08-28 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100989133B1 (ko) * 2009-01-07 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5539907B2 (ja) * 2010-03-31 2014-07-02 パナソニック株式会社 表示パネル装置及び表示パネル装置の製造方法
KR102169016B1 (ko) * 2014-02-13 2020-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110234087A1 (en) * 2006-01-10 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display Device and Manufacturing Method Thereof
US20100052520A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Hee-Chul Jeon Organic light emitting diode display
US20100052518A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Hee-Chul Jeon Organic light emitting diode display
US20120235175A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-20 Valeriy Prushinskiy Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2016025357A (ja) * 2014-07-21 2016-02-08 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 半導体発光素子

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