TWI620981B - 用於修正光罩的系統與方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種於需對半導體製程中使用的光罩進行修正時，藉由利用雷射束解離氣體而對光罩進行修正的系統及方法。上述系統包括：腔室，於內部設置欲進行修正的光罩；真空裝置，用以將上述腔室的內部保持為真空；氣體供給裝置，向上述腔室內供給蝕刻氣體及鈍化氣體；及雷射照射裝置，向上述腔室內的上述光罩中的欲進行修正部分照射雷射束而將上述腔室內的蝕刻氣體解離；上述鈍化氣體吸附至上述欲進行修正的部分而均勻地蝕刻上述欲進行修正部分。

Description

用於修正光罩的系統與方法
本發明是有關於一種藉由利用雷射束解離氣體而對光罩的欲進行修正部分進行修正的光罩修正系統及修正方法。
光罩是為了於晶圓上形成積體電路而利用的高精度板（plate）。此種光罩包括透明基板及形成至上述透明基板的一面的遮光圖案。光罩的遮光圖案藉由曝光製程而限定晶圓上的電路圖案。理論上，光罩的遮光圖案的臨界尺寸（critical dimension，CD）需與形成於晶圓上的相應的電路圖案的CD準確地對應。此處，CD一致可指以相同的倍率對應，或者亦可指以不同的倍率對應。然而，光罩的遮光圖案的CD與晶圓上的電路圖案的CD會因如下等原因而不同：如光源的空間分佈不良或透鏡缺陷的曝光設備的缺陷；及光罩的遮光圖案本身的錯誤。最近，隨著圖案的超微細化，對圖案化邊緣較弱的熱點（hot-spot）區域內的晶圓上的CD分散進行改善的重要性逐漸增加。
[發明欲解決的課題] 本發明的實施例提供一種於需對半導體製程中使用的光罩進行修正時，藉由利用雷射束解離氣體而對光罩進行修正的光罩修正系統及修正方法。 [解決課題的手段]
本發明的一實施例的光罩修正系統包括：腔室，於內部設置欲進行修正的光罩；真空裝置，用以將上述腔室的內部保持為真空；氣體供給裝置，向上述腔室內供給蝕刻氣體（etching gas）及鈍化氣體（passivation gas）；及雷射照射裝置，向上述腔室內的上述光罩中的欲進行修正的部分照射雷射束而將上述腔室內的蝕刻氣體解離；且上述鈍化氣體吸附至上述欲進行修正的部分而均勻地蝕刻上述欲進行修正的部分。
上述蝕刻氣體可包括含氟（F）氣體及含氯（Cl）氣體中的至少一種。
上述鈍化氣體可包括含氧（O2 ）氣體、含氬（Ar）氣體及含氮（N2 ）氣體中的至少一種。
上述雷射束可包括頂帽（top-hat）形態的光束。
上述腔室可包括可使上述雷射束透射的窗。
上述真空裝置可將上述腔室的內部保持為10-4 Torr至10-7 Torr的壓力。
上述氣體供給裝置可包括向上述腔室內噴射上述氣體的噴嘴。
上述雷射照射裝置可照射248 nm至355 nm的波長的雷射束。
上述雷射照射裝置可照射10 kHz至50 kHz的頻率的雷射束。
上述雷射照射裝置可照射10 mJ/cm2 至20 mJ/cm2 的能量密度的雷射束。
上述氣體供給裝置可包括質量流量控制器（mass flow controller，MFC）。
本發明的一實施例的光罩修正方法包括如下步驟：於在腔室內設置光罩後，將上述腔室的內部保持為真空的步驟；向上述腔室內注入蝕刻氣體及鈍化氣體的步驟；向上述光罩中的欲進行修正的部分照射雷射束而將上述蝕刻氣體解離的步驟；藉由解離上述蝕刻氣體而產生的原子吸附至上述光罩中的欲進行修正的部分的步驟；及上述光罩中的欲進行修正的部分與上述原子一併脫落的步驟；且上述鈍化氣體吸附至上述欲進行修正的部分而均勻地蝕刻上述欲進行修正的部分。
上述蝕刻氣體可包括含氟（F）氣體及含氯（Cl）氣體中的至少一種，上述蝕刻氣體藉由照射上述雷射束解離而附著至上述光罩中的欲進行修正的部分的原子包括氟（F）原子及氯（Cl）原子中的至少一種。
所述鈍化氣體包括含氧（O2 ）氣體、含氬（Ar）氣體及含氮（N2 ）氣體中的至少一種。
上述雷射束可包括頂帽（top-hat）形態的光束。
上述腔室的內部可於注入上述蝕刻氣體及上述鈍化氣體前，保持為10-4 Torr至10-7 Torr的壓力。
照射至上述光罩的上述雷射束的波長可為248 nm至355 nm。
照射至上述光罩的上述雷射束的頻率可為10 kHz至50 kHz。
照射至上述光罩的上述雷射束的能量密度可為10 mJ/cm2 至20 mJ/cm2 。
可藉由噴嘴向上述腔室的內部噴射上述蝕刻氣體及上述鈍化氣體。 [發明之效果]
根據本發明的實施例，隨著半導體電路的積體度變高，能夠以數nm以下的位準對在光罩微影（lithography）製程中產生誤差的光罩進行校正。並且，以數nm以下的位準校正CD而成的此種光罩用於形成晶圓上的圖案，藉此能夠以數nm以下、例如1 nm的位準校正晶圓上圖案的CD。
並且，根據本發明的實施例，可藉由利用蝕刻氣體與鈍化氣體的混合氣體而均勻地蝕刻光罩。
並且，根據本發明的實施例，可藉由使用頂帽（top-hat）形態的雷射束而僅對欲進行修正的固定區域進行精確蝕刻。
以下，參照隨附圖式，詳細地對本發明的較佳的實施例進行說明。本發明的實施例是為了向於本技術領域內具有常識者更完整地說明本發明而提供，下述實施例可變形為其他多種形態，本發明的範圍並不限定於下述實施例。這些實施例是為了使本發明更充實、完整且向於本技術領域內具有常識者完整地傳遞本發明的思想而提供。
於以下說明中，在記述為某個構成要素連接於其他構成要素時，可與其他構成要素直接連接，亦可於其等之間介置第三構成要素。與此相似，於記述為某個構成要素存在於其他構成要素的上部時，可存在於其他構成要素的正上方，亦可於其等之間介置第三構成要素。並且，為了說明的便利性及明確性，於圖中誇張地表示各構成要素的構造或尺寸，省略與說明無關的部分。於圖中，相同的符號表示相同的要素。另一方面，所使用的用語僅以說明本發明為目的而使用，並非是為了限定含義或限制申請專利範圍中所記載的本發明的範圍而使用。
圖1是概略性地表示本發明的一實施例的光罩修正系統的圖。
參照圖1，本實施例的光罩修正系統100包括腔室110、真空裝置120、氣體供給裝置130、雷射照射裝置140、窗150及噴嘴160。
於腔室110內設置欲進行修正的光罩M，腔室110可與真空裝置120及氣體供給裝置130連接。並且，腔室110可包括可使自雷射照射裝置140照射的雷射束透射的窗150。
真空裝置120可於在腔室110內設置光罩M後，將腔室110的內部設為真空狀態。由於需僅對注入的氣體進行解離，因此腔室110的內部需保持高真空狀態。因此，真空裝置120能夠以將腔室110的內部保持為10-4 Torr至10-7 Torr的壓力的方式設置。
氣體供給裝置130可向腔室110的內部噴射蝕刻氣體（etching gas）及鈍化氣體（passivation gas）。蝕刻氣體是包括鹵元素的氣體，例如可為含氟（F）氣體、含氯（Cl）氣體、含溴（Br）氣體或含碘（I）氣體等。可根據蝕刻對象的材質而適當地選擇氣體，可利用CCl4 、C2 Cl4 、C2 H2 Cl2 等含氯氣體或NF3 、CF4 、XeF2 等含氟氣體。鈍化氣體是吸附至光罩M的欲進行修正的部分而均勻地蝕刻欲進行修正的部分的氣體，可利用含氧（O2 ）氣體、含氬（Ar）氣體或含氮（N2 ）氣體。
氣體供給裝置130可包括質量流量控制器（mass flow controller，MFC）。質量流量控制器可用於測定控制氣體的流量。
氣體供給裝置130可更包括向腔室110內噴射氣體的噴嘴160。噴嘴160的內徑（inner diameter）可為0.2 mm至0.8 mm。
雷射照射裝置140可向腔室110內的光罩M中的欲進行修正的部分照射雷射束。光源可為電子束或聚焦離子束（Focused Ion Beam：FIB），並不限定於此。
由雷射照射裝置140照射的雷射束需具有可解離氣體的能量。可解離氣體的光子能量（photon energy）可為3 eV以上，並不限定於此。為了使雷射束解離氣體，由雷射照射裝置140照射的雷射束的波長可為248 nm至355 nm，頻率可為10 kHz至50 kHz。並且，雷射束的能量密度可為10 mJ/cm2 至20 mJ/cm2 。並且，如下所述，自雷射照射裝置140出射的雷射束可根據位置而呈強度均勻的頂帽（top-hat）形態。
窗150以可使雷射束透射的方式形成，可由玻璃或石英（quartz）構成。
圖2a至圖2b是表示高斯（Gaussian）形態的雷射束及頂帽（top-hat）形態的雷射束的圖。
於圖2a中，表示有高斯形態的雷射束。參照圖2a可知，高斯形態的雷射束的中間部分的強度最大，越朝向邊緣側，則其強度越小。因此，高斯形態的雷射束具有難以向照射區域照射強度均勻的雷射束的缺點。
另一方面，於圖2b中，表示有頂帽形態的雷射束。參照圖2b可知，頂帽形態的雷射束的強度較圖2a所示的高斯形態的雷射束更固定。因此，頂帽形態的雷射束可向照射區域照射強度均勻的雷射束。於照射區域外，雷射束的強度較弱，故而可防止於並非為照射區域的部分發生因蝕刻氣體的解離引起的未意欲的光罩M的蝕刻。
圖3a至圖3d是表示對本發明的一實施例的光罩圖案的CD進行修正的過程的圖。
參照圖3a，圖案可按照特定間隔形成至光罩M1。多個圖案中的一個圖案的寬度可為D1，於D1值與欲製成的圖案的寬度存在誤差的情形時，圖案之間的CD會變不良。另一方面，誤差厚度可非常微小至數nm以下，於如上所述般誤差過小的情形時，會不適合或無法應用利用電子束的直接去除方法。其原因在於，於應用利用電子束的直接去除方法的情形時，具有亦一併去除不期望進行修正的周邊區域的可能性，且具有產生整個光罩因產生的熱而變形的現象的可能性。因此，於本實施例的光罩修正方法中，可如圖3b至圖3d所示般間接地對光罩的CD進行校正。
參照圖3b，將光罩M1配置至真空狀態的腔室110而噴射氣體G。氣體G可包括蝕刻氣體（etching gas）及鈍化氣體（passivation gas）。腔室110可於注入氣體G前，保持為10-4 Torr至10-7 Torr的壓力。蝕刻氣體是包括鹵元素的氣體，例如可為含氟（F）氣體、含氯（Cl）氣體、含溴（Br）氣體或含碘（I）氣體等。可根據蝕刻對象的材質而適當地選擇蝕刻氣體，可利用CCl4 、C2 Cl4 、C2 H2 Cl2 等含氯氣體或NF3 、CF4 、XeF2 等含氟氣體。鈍化氣體是可吸附至光罩M的欲進行修正的部分而均勻地蝕刻欲進行修正的部分的氣體，可利用含氧（O2 ）氣體、含氬（Ar）氣體或含氮（N2 ）氣體。
所噴射的蝕刻氣體呈惰性狀態，可擴散至光罩M1的表面而以單分子層（Mono-layer）形態吸附。以單分子層（Mono-layer）形態吸附的蝕刻氣體呈惰性狀態，因此不會與光罩M1進行反應。
並且，所噴射的鈍化氣體可擴散而吸附至光罩M1的表面上。鈍化氣體可於蝕刻氣體蝕刻光罩時，按照相同的深度均勻地蝕刻光罩。
蝕刻氣體及鈍化氣體可藉由噴嘴160而注入至腔室110內，噴嘴160的內徑（inner diameter）可為0.2 mm至0.8 mm。
參照圖3c及圖3d，向欲進行修正的部分、即光罩M1的圖案的兩側面照射由雷射照射裝置140產生的雷射束L1。為了使雷射束L1解離蝕刻氣體，雷射束L1的波長可為248 nm至355 nm，頻率可為10 kHz至50 kHz。並且，雷射束L1的能量密度可為10 mJ/cm2 至20 mJ/cm2 。
此處，雷射束L1可使用圖2b所示的頂帽形態的光束。於使用頂帽形態的光束的情形時，可僅向光罩M1的欲進行修正的部分限定地照射雷射束L1，於照射區域外，雷射束的強度較弱，故而不會於並非為照射區域的部分發生因蝕刻氣體的解離引起的光罩M1的圖案的蝕刻。
若照射雷射束L1，則吸附於被照射的區域的蝕刻氣體藉由雷射束L1解離而變成活性狀態，藉此會產生原子或離子。變成活性狀態的蝕刻氣體、例如鹵素原子（F、Cl、Br、I）或鹵素離子（F- 、Cl- 、Br- 、I- ）與光罩M1進行反應而變成揮發性（Volatile）氣體，藉此可將光罩蝕刻成特定厚度D2而去除。
於此情形時，鈍化氣體亦吸附於照射雷射束L1的區域，鈍化氣體可發揮抑制變成活性狀態的蝕刻氣體與光罩M1進行反應的作用。因此，可防止變成活性狀態的蝕刻氣體過度地蝕刻光罩M1的欲進行修正的部分，可跨及雷射束L1的照射區域而按照均勻的深度蝕刻光罩M1的欲進行修正部分。
圖4a至圖4d是表示去除本發明的一實施例的光罩的橋（bridge）的過程的圖。
參照圖4a，可於光罩M2按照特定間隔形成多個圖案。如圖所示，會於上述圖案之間存在橋B。因存在橋B而會於曝光製程時發生多餘的遮光，因此會於晶圓上的電路圖案中發生不良。另一方面，橋B的寬度及厚度可非常微小至數nm以下，於如上所述般寬度及厚度非常微小的情形時，會不適合或無法應用利用電子束的直接去除方法。其原因在於，於應用利用電子束的直接去除方法的情形時，存在不僅去除橋B，而且亦一併去除其周邊區域的可能性，且存在產生整個光罩因產生的熱而變形的現象的可能性。因此，於本實施例的光罩修正方法中，可如圖4b至圖4d所示般間接地對產生於光罩的橋B進行校正。
參照圖4b，將光罩M2配置至真空狀態的腔室110而噴射惰性狀態的氣體G。氣體G可包括蝕刻氣體。腔室110可於注入氣體G前，保持為10-4 Torr至10-7 Torr的壓力。蝕刻氣體是包括鹵元素的氣體，例如可為含氟（F）氣體、含氯（Cl）氣體、含溴（Br）氣體或含碘（I）氣體等。可根據蝕刻對象的材質而適當地選擇氣體，可利用CCl4 、C2 Cl4 、C2 H2 Cl2 等含氯氣體或NF3 、CF4 、XeF2 等含氟氣體。
所噴射的惰性狀態的蝕刻氣體可擴散至光罩M2的表面而以單分子層（Mono-layer）形態吸附。以單分子層（Mono-layer）形態吸附的蝕刻氣體呈惰性狀態，因此不會與光罩M2進行反應。並且，氣體G可藉由噴嘴160而注入至腔室110內，噴嘴160的內徑（inner diameter）可為0.2 mm至0.8 mm。
參照圖4c及圖4d，向欲進行修正的部分、即橋B部分照射由雷射照射裝置140產生的雷射束L2。為了使雷射束L2解離氣體，雷射束L2的波長可為248 nm至355 nm，頻率可為10 kHz至50 kHz。並且，雷射束L2的能量密度可為10 mJ/cm2 至20 mJ/cm2 。
此處，雷射束L2可使用圖2b所示的頂帽形態的光束。於使用頂帽形態的光束的情形時，可僅向光罩M2的欲進行修正的部分、即橋B部分限定地照射雷射束L2，於照射區域外，雷射束的強度較弱，故而不會於並非為照射區域的部分發生因蝕刻氣體的解離引起的光罩M2的圖案的蝕刻。
若照射雷射束L2，則吸附於被照射的區域的蝕刻氣體藉由雷射束L2解離而變成活性狀態，藉此會產生原子或離子。變成活性狀態的蝕刻氣體、例如鹵素原子（F、Cl、Br、I）或鹵素離子（F- 、Cl- 、Br- 、I- ）與橋B進行反應而變成揮發性（Volatile）氣體，藉此可蝕刻去除橋B。
以上，參照圖式所示的實施例，對本發明進行了說明，但上述實施例僅為示例，於本技術領域內具有常識者應理解，可根據上述實施例實現各種變形及其他等同的實施例。因此，本發明的真正的技術保護範圍應由隨附的申請專利範圍的技術思想界定。
100‧‧‧光罩修正系統
110‧‧‧腔室
120‧‧‧真空裝置
130‧‧‧氣體供給裝置
140‧‧‧雷射照射裝置
150‧‧‧窗
160‧‧‧噴嘴
B‧‧‧橋
D1‧‧‧圖案的寬度
D2‧‧‧特定厚度
G‧‧‧氣體
L1、L2‧‧‧雷射束
M、M1、M2‧‧‧光罩
圖1是概略性地表示本發明的一實施例的光罩修正系統的圖。 圖2a至圖2b是表示高斯形態的雷射束及頂帽（top-hat）形態的雷射束的圖。 圖3a至圖3d是表示對本發明的一實施例的光罩圖案的CD進行修正的過程的圖。 圖4a至圖4d是表示去除本發明的一實施例的光罩的橋（bridge）的過程的圖。

Claims (20)

  1. 一種光罩修正系統，其包括：腔室，於內部設置欲進行修正的光罩；真空裝置，用以將所述腔室的內部保持為真空；氣體供給裝置，向所述腔室內供給蝕刻氣體及鈍化氣體，讓所述光罩的表面吸附單分子層的所述蝕刻氣體；以及雷射照射裝置，向所述腔室內的所述光罩中欲進行修正的部分照射雷射束，將吸附之單分子層的所述蝕刻氣體解離；且其中解離之所述蝕刻氣體與所述欲進行修正的部分反應以蝕刻欲進行修正的部分，所述鈍化氣體吸附至所述欲進行修正的部分以均勻地蝕刻所述欲進行修正的部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述蝕刻氣體包括含氟氣體及含氯氣體中的至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述鈍化氣體包括含氧氣體、含氬氣體及含氮氣體中的至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述雷射束包括頂帽形態的光束。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述腔室包括所述雷射束能透射的窗。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述真空裝置將所述腔室的內部保持為10-4Torr至10-7Torr的壓力。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述 氣體供給裝置包括向所述腔室內噴射氣體的噴嘴。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述雷射照射裝置照射248nm至355nm的波長的雷射束。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的光罩修正系統，其中所述雷射照射裝置照射10kHz至50kHz的頻率的雷射束。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的光罩修正系統，其中所述雷射照射裝置照射10mJ/cm2至20mJ/cm2的能量密度的雷射束。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的光罩修正系統，其中所述氣體供給裝置包括質量流量控制器。
  12. 一種光罩修正方法，其包括如下步驟：在腔室內設置光罩後，將所述腔室的內部保持為真空；向所述腔室內注入蝕刻氣體及鈍化氣體，讓所述光罩的表面吸附單分子層的所述蝕刻氣體；向所述光罩中的欲進行修正的部分照射雷射束，將吸附之單分子層的所述蝕刻氣體解離；讓解離所述蝕刻氣體而產生的原子吸附至所述光罩中的欲進行修正的部分；以及讓所述光罩中的欲進行修正的部分與所述原子一併脫落；且其中所述鈍化氣體吸附至所述欲進行修正的部分以均勻地蝕刻所述欲進行修正的部分。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的光罩修正方法，其中所述蝕刻氣體包括含氟氣體及含氯氣體中的至少一種，所述蝕刻氣 體因照射所述雷射束解離而附著至所述光罩中的欲進行修正的部分的原子包括氟原子及氯原子中的至少一種。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的光罩修正方法，其中所述鈍化氣體包括含氧氣體、含氬氣體及含氮氣體中的至少一種。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的光罩修正方法，其中所述雷射束包括頂帽(top-hat)形態的光束。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的光罩修正方法，其中所述腔室的內部於注入所述蝕刻氣體及所述鈍化氣體前，保持為10-4Torr至10-7Torr的壓力。
  17. 如申請專利範圍第12項所述的光罩修正方法，其中照射至所述光罩的所述雷射束的波長為248nm至355nm。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的光罩修正方法，其中照射至所述光罩的所述雷射束的頻率為10kHz至50kHz。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的光罩修正方法，其中照射至所述光罩的所述雷射束的能量密度為10mJ/cm2至20mJ/cm2。
  20. 如申請專利範圍第12項所述的光罩修正方法，其中藉由噴嘴而向所述腔室的內部噴射所述蝕刻氣體及所述鈍化氣體。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040113097A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 International Business Machines Corporation Apparatus and techniques for scanning electron beam based chip repair
TW200518229A (en) * 2003-08-19 2005-06-01 Nawotec Gmbh Method for high resolution processing of thin layers using electron beams
CN1695222A (zh) * 2002-09-18 2005-11-09 Fei公司 粒子－光学装置与检测装置
TW201021117A (en) * 2008-08-14 2010-06-01 Nawotec Gmbh A method for electron beam induced etching

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3739573B2 (ja) * 1998-07-27 2006-01-25 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 フォトマスクの欠陥修正方法及びそれに用いる装置
KR20000061800A (ko) * 1999-03-31 2000-10-25 구자홍 레이저를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성방법
JP2006501651A (ja) * 2002-09-27 2006-01-12 東京エレクトロン株式会社 Ｈｉｇｈ−ｋ誘電材料をエッチングするための方法及びシステム
KR101152555B1 (ko) * 2005-06-29 2012-06-01 엘지전자 주식회사 액정패널의 리페어패턴 형성장치 및 방법
KR101051073B1 (ko) * 2008-12-17 2011-07-21 주식회사 코윈디에스티 하프톤 마스크의 리페어 방법 및 리페어 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1695222A (zh) * 2002-09-18 2005-11-09 Fei公司 粒子－光学装置与检测装置
US20040113097A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 International Business Machines Corporation Apparatus and techniques for scanning electron beam based chip repair
TW200518229A (en) * 2003-08-19 2005-06-01 Nawotec Gmbh Method for high resolution processing of thin layers using electron beams
TW201021117A (en) * 2008-08-14 2010-06-01 Nawotec Gmbh A method for electron beam induced etching

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