TWI617039B - 降低接觸電阻及改善太陽能電池之壽命 - Google Patents

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Abstract

一種太陽能電池，具有在正常操作期間面向太陽的前側、及與前側相對的背側，且太陽能電池可包含具有摻雜區域的矽基板與設置在摻雜區域上的多晶矽層。太陽能電池可包含在第一金屬層和摻雜區域之間形成且穿過或至少部分穿過多晶矽層的導電填充物，其中導電填充物電性偶合第一金屬層和摻雜區域。在一實施例中，第二金屬層形成在第一金屬層上，其中第一金屬層和導電填充物電性偶合摻雜區域和第二金屬層。在部分實施例中，太陽能電池可以是前接觸式太陽能電池或背接觸式太陽能電池。

Description

降低接觸電阻及改善太陽能電池之壽命 相關申請案之交互參照
本申請專利範圍主張於於2013年3月15日提出之美國臨時專利申請案號第61/799,112號，標題為「用於提高太陽電池電特性的結構和方法(STRUCTURES AND METHODS FOR IMPROVING ELECTRICAL PROPERTIES OF SOLAR CELLS)」之優先權，其全部內容併入於此做為參考。
通常以太陽能電池為人所知悉之光伏(PV)電池是眾所周知的將太陽輻射轉換成電能的裝置。一般而言，太陽輻射撞擊太陽能電池基板的表面上並進入太陽能電池基板，而在塊體基板產生電子和電洞對。電子和電洞對遷移到基板中的p型摻雜區域和n型摻雜區域，從而在摻雜區域之間產生電壓差。摻雜區域連接至太陽能電池的導電區域，以將電流從電池引導至外部電路。當光伏電池結合於諸如光伏模組之陣列中，由所有的光伏電池收集的電能可以串聯和並聯配置結合，以提供具有特定的電壓和電流之電源。
改進用於太陽能電池之接觸形成和電鍍金屬的技術可降低加工操作且提高整體輸出產率，降低整體太陽能電池的製造時間且增加可用產品的產率。
100、200、400‧‧‧太陽能電池
102、202、402‧‧‧前側
104、204、404‧‧‧背側
110、210、410‧‧‧矽基板
112、212、412‧‧‧第一摻雜區域
114、214、414‧‧‧第二摻雜區域
120、220、420‧‧‧紋理化表面
122、222、422‧‧‧第一介電層
124、224、424‧‧‧第二介電層
130、430‧‧‧金屬粒子
138‧‧‧接觸位置
140‧‧‧受損區域
142‧‧‧凹坑
150、250、450‧‧‧第二金屬層
206、406‧‧‧多晶矽層
226‧‧‧接觸孔
232‧‧‧黏性基質
238‧‧‧第二接觸位置
244‧‧‧第一接觸位置
252、452‧‧‧第三金屬層
260‧‧‧加熱
440‧‧‧導電填充物
501~518‧‧‧步驟
可藉由在結合附圖考量時參閱詳細說明與申請專利範圍而得到標的更全面地理解，其中整份圖式中，相同的參考符號是指相似的元件。
第1圖係根據部分實施例繪示例示性太陽能電池的剖面圖。
第2圖係根據部分實施例繪示用於第1圖之例示性太陽能電池之單個接觸區域的剖面圖。
第3圖至第5圖係根據部分實施例繪示在太陽能電池上形成接觸區域的各種操作的剖面圖。
第6圖係根據部分實施例繪示另一例示性太陽能電池的剖面圖。
第7圖係根據部分實施例繪示又另一例示性太陽能電池的剖面圖。
第8圖係根據部分實施例繪示用於第7圖之例示性太陽能電池之單個接觸區域的剖面圖。
第9圖係根據部分實施例繪示各種例示性太陽能電池的剖面圖。
第10圖至第11圖係根據部分實施例繪示用於形成太陽能電池之接觸區域之各種例示性方法的流程示意圖。
下文的詳細描述在本質上僅僅是說明性質而並非旨在限制本申請的標的物的實施例或這樣的實施例的用途。如本文所用，詞語「例示性(exemplary)」係意味著「作為範例(example)、例子(instance)、或說明(illustration)」。本文所描述的任何作為例示性的實施方式並不一定須解釋為優於或勝過其他實施方式。此外，不意在受上述技術領域、先前技術、發明內容、或下文詳細描述中任何明示或暗示的推論所約束。
本說明書中包含涉及的「一個實施例(one embodiment)」或「一實施例(an embodiment)」。詞語「在一個實施例中(in one embodiment)」或「在一實施例中(in an embodiment)」的出現不一定是指同一實施例。具體的特徵、結構、或特性可以任何與本發明一致合適的方式結合。
專門用語。下文之段落提供於本揭露(包含所附之申請專利範圍)中找到之詞語的定義及背景：「包含(Comprising)」。此詞語是開放式的。如用在所附之申請專利範圍，此詞語並不排除額外的結構或步驟。
「配置以(Configured To)」。各種單元或組件可描述或主張成「配置以」執行一項或多項任務。在這樣的背景下，「配置以」被用以藉由表示單元/組件包含執行操作期間的那些一項或多項任務的結構而暗示結構。因此，即使在特定單元/組件目前不是正在運作(例如，不導通/主動)時，單元/組件可以說是配置以執 行任務。詳述單元/電路/組件是「配置以」執行一項或多項任務係為明確地意在對於單元/組件不引用美國專利法35§112的第六段(35 U.S.C.§112,sixth paragraph)。
「第一個(First)」、及「第二個(Second)」等。如用於本文中，這些詞語是用來作為其所前綴之名詞的標記，並不意味著任何型式的順序(例如，空間、時間、及邏輯等)。舉例來說，關於「第一」介電質，並不一定意味著該介電質是序列中的第一個介電質；反而詞語「第一」是用來區分此介電質與另一介電質(例如「第二」介電質)。
「基於(Based On)」。如用於本文中，這個詞語是用來描述影響決定之一個或多個因素。這個詞語並不排除可能影響決定的其他因素。也就是說，決定可以僅基於這些因素、或至少部分基於這些因素。請參考片語「基於B來決定A(determine A based on B)」。儘管B可以是影響A的決定的因素，但這樣的片語並不排除A的決定亦是基於C。於其他例子中，A可以是單獨基於B來決定。
「偶合(Coupled)」。下文的描述是指構件、節點、或特徵“偶合”在一起。如用於本文中，除非明確地另外聲明，否則「偶合」意味著一個構件/節點/特徵被直接或間接地連接到另一個構件/節點/特徵(或直接或間接與另一個構件/節點/特徵連接(communicates))，並且未必是機械連接。
此外，某些技術用語也可僅為提及之目的在下文之描述中使用，因而並非旨在作為限制。舉例來說，諸如「較上(upper)」、「較下(lower)」、「上方(above)」、及「下方(below)」的詞語 指的是進行參照之附圖中的方向。諸如「前(front)」、「背(back)」、「後(rear)」、「側(side)」、「外側(outboard)」、及「內側(inboard)」係描述藉由參照討論下描述元件的相關圖式與內容，而變得清楚之一致但任意框架之參照中之元件之部分的方位和/或位置。這樣的技術用語可以包含上文特別提及的詞語、其衍生、以及類似含義的詞語。
「層(Layer)」。如用於本文中，層可以是連續的區域、或可以是具有孔和/或空隙和/或未覆蓋太陽能電池之整個長和/或寬度的區域。
在下文的描述中，為了提供本揭露實施例的徹底理解，而進行大量的具體細節的闡述，例如具體的操作。將對本領域通常知識者而言為顯而易見的是本揭露的實施例可無這些具體細節地實施。在其它情況下，眾所周知的技術並未詳細描述，以避免不必要的模糊本揭露的實施例。
本說明書之第一個描述之示例性太陽能電池可包含揭露之接觸區域，隨後為形成所揭露的接觸區域之例示性方法的描述。在全文中提供各種接觸區域之實施例之更詳細的說明。
現在轉而參見第1圖，描述具有在正常操作期間面向太陽的前側102及與前側102相對的背側104的太陽能電池100。太陽能電池100可包含具有第一摻雜區域112和第二摻雜區域114的矽基板110。矽基板可被清洗、研磨、平面化、和/或薄化、或以其他方式處理。在一實施例中，矽基板110是多晶矽(polysilicon)或多結晶矽(multi-crystalline silicon)。
在一實施例中，第一摻雜區域112和第二摻雜區域114 可通過熱製程生長。在一實施例中，第一摻雜區域112和第二摻雜區域114可通過傳統摻雜製程在矽基板中沉積摻質來形成。第一摻雜區域112和第二摻雜區域114可以各包含摻質材料，但不限定於諸如硼的正型摻質及諸如磷的負型摻質。儘管第一摻雜區域112和第二摻雜區域114皆被描述為通過熱製程生長，如在這裡說明或列舉的任何其他形成、沉積、或生長的製程操作，每個層或物質係使用任何適當的方法形成。舉例來說，使用化學氣相沉積(CVD)製程、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、熱生長、濺鍍、以及任何其他所需的技術於所述之形成。第一摻雜區域112和第二摻雜區域114可通過沉積技術、濺鍍、或諸如噴墨印刷或網版印刷的印刷製程而形成在矽基板110上。
在一實施例中，氧化物層可沉積在第一摻雜區域112和第二摻雜區域114上，作為兩個區域的保護屏障。第一介電層122可形成在第一摻雜區域112和第二摻雜區域114上。在一實施例中，第一摻雜區域112和第二摻雜區域114可包含氮化矽。
太陽能電池100可包含用於吸收額外的光的紋理化表面120及形成在紋理化表面120上的第二介電層124。在部分實施例中，第一介電層122及第二介電層124兩者可包含抗反射塗層。紋理化表面120可以是具有用於散射入射光，從而降低光反射回太陽能電池100之表面的光量之有規則或不規則形狀的表面者。在一實施例中，第一介電層122及第二介電層124兩者可包含在前側102上的抗反射塗層(ARC)或在背側104上的背面抗反射塗層(BARC)。
第一金屬層可貫穿在第一摻雜區域112和第二摻雜區域 114上的接觸區域而形成。在一實施例中，第一金屬層可通過沉積包含金屬粒子130的第一金屬糊料，隨後加熱第一金屬糊料而形成。在部分實施例中，金屬粒子130是鋁粒子。在加熱期間，金屬粒子130可與第一摻雜區域112和第二摻雜區域114的矽反應以在摻雜區域上形成受損區域140。鋁和矽之間的反應，鋁-矽反應可導致凹坑142形成。這些凹坑142可能不利於太陽能電池100之電荷載體的壽命，從而降低整體太陽能電池的性能。
在部分實施例中，可使用標準電鍍製程在第一金屬層上形成第二金屬層150。在部分實施例中，在太陽能電池100可包含例如但不限於，背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、和/或非晶矽太陽能電池太陽能電池。
參照第2圖，這裡示出第1圖之太陽能電池的單個接觸區域。在第一金屬層包含金屬粒子130或鋁粒子的情況下，由於鋁粒子的孔隙率，使接觸電阻可能為高。這裡描繪之鋁粒子和矽基板110之間的接觸位置138為第一摻雜區域112但不以此為限，是為低，因此接觸電阻是高的。另一可觀察到的問題是，這裡描繪之矽基板110上進行反應或受損之區域140中的凹坑142係第一摻雜區域112，但不限於此。凹坑142可以導致矽內破損或斷裂，而增加塊狀矽中電荷再結合的機會，因而降低了太陽能電池100的壽命。當前減少接觸抵抗的方法可包含以高溫加熱如上所述之第一金屬糊料。以高溫加熱的缺點係鋁將溶解來自第一摻雜區域112和第二摻雜區域114的矽而引起太陽能電池100壽命之下降。
第3圖至第6圖係繪示用於在太陽能電池上形成接觸區 域之方法的剖面圖。一種或多種方法係旨在克服上面所討論的限制。將在下文中討論細節和實施例。
現在轉而參見第3圖，這裡顯示用於形成在太陽能電池之接觸區域之方法的步驟。此方法可包含提供具有在正常操作期間面向太陽之前側202及與前側202相對之背側204的太陽能電池200。太陽能電池200可包含矽基板210。太陽能電池200亦可包含第一摻雜區域212和第二摻雜區域214。太陽能電池200亦可包含形成在第一摻雜區域212和第二摻雜區域214上的多晶矽層206。在一實施例中，多晶矽層206是未摻雜的多晶矽層。在一實施例中，多晶矽層206是摻雜的多晶矽層。第一介電層222可形成在多晶矽層206上。在一實施例中，第一介電層222可以是底部抗反射塗佈(BARC)層。類似於上面所提及的，第一摻雜區域212和第二摻雜區域214可包含氮化矽。接觸孔226亦可藉由任何數量之包含濕法蝕刻和消融技術的光刻製程而形成在第一摻雜區域212和第二摻雜區域214上。太陽能電池200還可包含矽基板210上的紋理化表面220，其中第二介電層224可形成在紋理化表面220上。在一實施例中，第二介電層224可以是抗反射塗佈(ARC)層。
第4圖係根據部分實施例繪示用於在太陽能電池形成接觸區域之方法中的另一步驟。此方法可包含形成具有金屬粒子230和黏性基質232的第一金屬糊料或金屬糊料在接觸孔226上。在一實施例中，第一金屬糊料可是鋁糊料或一些其它導電糊料。
參照第5圖，這裡示出用於形成太陽能電池之接觸區域之方法中的又另一步驟。此方法可以包含加熱260第一金屬糊料，其中加熱除去黏性基質232。在第5圖中，顯示加熱260期間之 黏性基質。在一實施例中，加熱260第一金屬糊料或鋁糊料包含在550℃之溫度退火。在一實施例中，加熱260使得第一金屬糊料消耗配置於第一金屬糊料下方的多晶矽層206，形成導電填充物240。第5圖中，導電填充物240在加熱260期間顯示。在一實施例中，導電填充物240包含鋁粒子、矽粒子和/或鋁-矽合金的粒子等。在一實施例中，導電填充物可以是第一合金(例如鋁-矽合金)。在部分實施例中，加熱260使得第一金屬糊料或鋁-矽合金粒子可調節地消耗設置在第一金屬糊料下的多晶矽層206。在一實施例中，如第6圖下所示，導電填充物240可具有在0.2至1微米之範圍內的厚度。在部分實施例中，導電填充物240可具有，但不限於，小於10-4Ohm-cm2的接觸電阻。第二金屬層250可利用金屬化和/或電鍍製程而形成在第一金屬層上。
第6圖繪示用於形成太陽能電池之接觸區域之方法中的又另一步驟。在一實施例中，太陽能電池可包含具有金屬粒子230的第一金屬層及形成在第一金屬層與第一摻雜區域212和第二摻雜區域214之間的導電填充物240。在一實施例中，第一金屬層230可以是鋁。在一實施例中，第二金屬層250可以形成在第一金屬層上，其中第一金屬層和導電填充物240提供在第一摻雜區域212和第二摻雜區域214間之電性連接予第二金屬層250。在一實施例中，第二金屬層250可為銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀、和/或鉑等。第二金屬層250可採用金屬化和/或電鍍製程而形成在第二金屬層250上。
參照第7圖，顯示另一太陽能電池的剖面圖。在一實施例中，第三金屬層252可以形成在第6圖的太陽能電池200上。在一實施例中，第三金屬層252可為銅、錫、鋁、銀、金、鉻、 鐵、鎳、鋅、釕、鈀、和/或鉑等。
轉而參見第8圖，在此顯示第7圖之太陽能電池的單個接觸區域。在第2圖之太陽能電池的第一接觸位置138與在第8圖所示的第一接觸位置244之間對比，在此描述為，但不限於與矽基板210電性連接的總面積為212，在第8圖所示之與矽基板210電性連接的總面積增加。不同於第2圖，第8圖顯示形成穿過或至少部分地穿過多晶矽層206和在金屬粒子230與第一摻雜區域212之間導電接觸物240，其中金屬粒子230在第二接觸位置238與導電接觸物240接觸。再次對比第2圖，第一金屬層的金屬粒子130與矽基板211之間的接觸電阻由於在電性連接的總面積增加而降低。在一實施例中，在矽基板210內的凹坑亦可以減小。因此，第3圖至第8圖中所示的接觸區域可為了增加總接觸面積、減少接觸電阻及減小矽基板210之凹坑而被提供。
第9圖根據部分實施例示出具有在正常操作期間面向太陽的前側402和與前側402相對的背側404的另一太陽能電池400。太陽能電池400可以包含具有第一摻雜區域412和第二摻雜區域414的矽基板410。在一實施例中，第一摻雜區域412和第二摻雜區域414可通過熱製程成長。各第一摻雜區域412和第二摻雜區域414可包含摻質材料，但並不限於諸如硼的正型摻質及諸如磷的負型摻質。第一介電層422可形成在第二摻雜區域414上。第二介電層424以形成在第一摻雜區域412上。太陽能電池400可以包含用於吸收額外的光的紋理化表面420及形成在紋理化表面420上的第二介電層424。在一實施例中，太陽能電池可以包含具有金屬粒子430的第一金屬層和形成在第一金屬層與第一摻雜區域412及第二摻雜區域414之間的導電填充物440。在一實 施例中，導電填充物440可形成為至少部分穿過多晶矽層406。在一實施例中，可以在第一金屬層上形成第二金屬層450，其中，第一金屬層和導電填充物440提供第一摻雜區域412及第二摻雜區域414間之電性連接予第二金屬層450。
在部分實施例中，太陽能電池400包含形成在第二金屬層450上的第三金屬層452，其中導電填充物440、第一金屬層、和第二金屬層450提供在第一摻雜區域412及第二摻雜區域414與第三金屬層452之間的電性連接。在一實施例中，第二金屬層450和/或第三金屬層452可以是銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀、和/或鉑等。第二金屬層450和/或第三金屬層452可使用電鍍製程形成。
參照第10圖，說明繪示用於在太陽能電池上形成接觸區域之方法的流程圖。
在501，方法可包含提供具有在正常操作期間面向太陽的前側、與前側相對的背側以及矽基板的太陽能電池。
在502，可形成多晶矽層在太陽能電池的矽基板上，其中多晶矽層形成在矽基板之至少一摻雜區域。
在503，可形成第一介電層在多晶矽層上。
在504，可以形成至少一個接觸孔穿過多晶矽層上的第一介電層。
在505，可形成第一金屬層在接觸孔上。
在506，可加熱第一金屬糊狀，以形成第一金屬層，其中加熱可使得包含第一合金的導電填充物形成至接觸孔內且穿 過或至少部分穿過多晶矽層，導電填充物電性偶合第一金屬層和摻雜區域。
第11圖繪示用於在太陽能電池上形成接觸區域的另一方法的流程圖。
在511，方法可包含提供具有在正常操作期間面向太陽的前側、與前側相對的背側以及矽基板的太陽能電池。
在512，可沉積具有第一厚度之未摻雜的多晶矽層在太陽能電池的矽基板上，其中未摻雜的多晶矽層可形成在太陽能電池的背側上的矽基板的至少一個摻雜區域上。
在513，可沉積第一介電層在多晶矽層上。
在514，可以形成至少一接觸孔穿過未摻雜的多晶矽層上的第一介電層。
在515，可沉積鋁糊料在接觸孔上，其中鋁糊料與摻雜區域電性偶合。
在516，可固化鋁漿，以形成鋁層。
在517，鋁層與矽基板可以550℃的溫度退火，以允許消耗設置鋁層之下的多晶矽層而形成為導電填充物。在一實施例中，導電填充層物可包含鋁-矽合金。在一實施例中，導電填充物物可具有與第一厚度相等的厚度且電性偶合鋁層和摻雜區域。
在518，可以形成第二金屬層在第一金屬層上，其中導電填充物和鋁層電性偶合摻雜區域至第二金屬層。
儘管上述中已描述具體實施，但即使只有單一的實施例對於特定的特徵進行描述，這些實施例並非旨在限制本揭露的範 疇。在揭露中所提供之特徵的範例，除非另有說明，否則旨在說明而非限制。上述的描述意在涵蓋為本技術領域具有通常知識者顯而易知的替換、修改和等效物。
本揭露的範疇包含任何特徵或本文所揭露之特徵結合(明示或暗示)、或其之無論是否減低任何或所有本文要解決之問題的任何概括，因此，在本申請(其之優先權之申請)的執行期間新的專利申請範圍可被制定於任何此種特徵的組合。具體地，參照所附的專利申請範圍，申請專利範圍之附屬項的特徵可與申請專利範圍之獨立項結合，且各申請專利範圍之獨立項的特徵可以任何適當的方式結合，而不僅僅是在列舉在專利申請範圍之特定的組合。

Claims (20)

  1. 一種太陽能電池，係具有在正常操作期間具有面向太陽的一前側、及與該前側相反及與該前側相對的一背側，該太陽能電池包含：一多晶矽層，設置在一摻雜區域上；一第一金屬層，至少部分地設置在該多晶矽層上，其中該第一金屬層與該摻雜區域對齊；一第一介電層，形成在該多晶矽層上，其中至少一個接觸孔形成穿過該第一介電層；以及一導電填充物，包含形成在至少一該接觸孔下且至少部分地穿過該多晶矽層的一第一合金和一多晶矽，其中該導電填充物電性偶合該第一金屬層和該摻雜區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該多晶矽層是一未摻雜多晶矽層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一介電層包含氮化矽。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其進一步包含一矽基板，供該多晶矽層設置於該矽基板之該摻雜區域上，該矽基板包含選自由N型塊體矽和P型塊體矽組成之群組中的材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該摻雜區域包含選自由N型摻雜矽和P型摻雜矽組成之群 組中的材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該摻雜區域包含選自由磷和硼組成之群組中的一摻質。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該導電填充物包含選自由鋁粒子、矽粒子、和鋁-矽合金粒子組成之群組中的材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該導電填充物具有介於0.2至1微米的範圍內之厚度。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該導電填充物具有小於10-4Ohm-cm2的接觸電阻。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一金屬層包含鋁。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其進一步包含設置在該第一金屬層上的一第二金屬層，其中該第一金屬層和該導電填充物電性偶合該第二金屬層和該摻雜區域。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池，其中該第二金屬層包含選自由銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀、及鉑組成之群組中的金屬。
  13. 一種太陽能電池，具有在正常操作期間面向太陽的一前側、及與該前側相對的一背側，該太陽能電池包含：一矽基板，係在該太陽能電池的該背側具有一摻雜區 域；一未摻雜多晶矽層，設置在該摻雜區域上，其中該未摻雜多晶矽層具有一第一厚度；一鋁粒子，至少部分地設置在該未摻雜多晶矽層上，其中該鋁粒子對齊在該摻雜區域上；至少一個接觸孔，形成穿過一第一介電層；一導電填充物，包含形成在至少一該接觸孔下且穿過該未摻雜多晶矽層的一鋁-矽合金，其中該導電填充物具有與該第一厚度相等的厚度、少於10-4Ohm-cm2的接觸電阻並電性偶合該鋁粒子與該摻雜區域；以及一第二金屬層，設置在該鋁粒子上，其中該鋁粒子和該導電填充物電性偶合該第二金屬層和該摻雜區域。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池，其中該第一厚度介於0.2-1微米的範圍內。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池，其中該第二金屬層包含選自由銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀、和鉑所組成之群組中之金屬。
  16. 一種用於形成太陽能電池之接觸區域之方法，該太陽能電池具有在正常操作期間面向太陽的一前側及與該前側相對的一背側，該方法包含：形成在一多晶矽層在該太陽能電池之一矽基板上，其中該多晶矽層形成在該矽基板中之至少一摻雜區域上； 形成一第一介電層在該多晶矽層上；形成至少一個接觸孔穿過該多晶矽層上之該第一介電層；形成一第一金屬糊料在該接觸孔上，其中該第一金屬糊料電性偶合該摻雜區域；及加熱該第一金屬糊料以形成一第一金屬層，其中加熱使得包含一第一合金的一導電填充物形成在接觸孔內並穿過該多晶矽層，該導電填充物電性偶合該第一金屬層和該摻雜區域。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一金屬糊料是一鋁糊料。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中加熱該第一金屬糊料包含在550℃的溫度下退火。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中加熱使得該第一金屬糊料消耗設置在第一金屬糊料下方的該多晶矽層。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該多晶矽層是一未摻雜多晶矽層。
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