TWI615380B - 用於使乙烯寡聚合以製造１－己烯及／或１－辛烯之觸媒組成物及方法 - Google Patents

用於使乙烯寡聚合以製造１－己烯及／或１－辛烯之觸媒組成物及方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種觸媒組成物及用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯或1-辛烯之方法，其中該觸媒組成物包含鉻化合物；式(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)的NPNPN配位基，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基、C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基或C6-C20烷基取代的苯基。

Description

用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯及/或1-辛烯之觸媒組成物及方法
本發明係關於用於寡聚合反應，特別是乙烯製造1-己烯或1-辛烯之寡聚合反應，之觸媒組成物和方法。
現有用以製造直鏈α烯烴(LAOs)，包括共聚單體等級的1-丁烯、1-己烯、和1-辛烯之方法仰賴乙烯的寡聚合反應，且製得具有4、6、8等鏈長的乙烯寡聚物之混合物。不限於特定理論，這是因為化學機構主要由競爭鏈成長和替代反應步驟所主導，導致Schulz、Flory或Poisson產物分佈。由商業觀點，此產物分佈對於全範圍直鏈α烯烴製造商而言是嚴峻的挑戰。其原因在於各自供應的市場區域在市場規模和成長、地理、區塊等展現非常不同表現。因此，由於一部分的產物可能為以指定經濟規模提高的高需求，而同時，其他產品部分完全無市場需求 或需求量極低，所以LAO製造商很難因應市場需求。
LAO(如1-丁烯、1-己烯、和1-辛烯)適用於製造聚乙烯，包括直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)。目前，用以製造聚乙烯的主要LAO是1-丁烯，再者是1-己烯。對於後者的需求提高，此歸因於自1-己烯製得之聚乙烯的優良性質。同時，某些等級的聚乙烯材料要求改良的物理性質，如優良的抗拉強度和耐破裂性，須要1-辛烯存在。
乙烯的寡聚合反應通常在適當觸媒存在下進行。現有的乙烯寡聚合反應(即，二聚合反應、三聚合反應或四聚合反應)中之數者，觸媒具有一或多個缺點。這些缺點會影響使用這些觸媒的對應方法，包括以下一至或多者：對於所欲產物(即，1-己烯或1-辛烯)的選擇性低(因為副反應形成所不欲的副產物)；產物本身的純度低，即，對於LAO異構物中之特定的C6-或C8-餾份的選擇性低(異構化反應、支鏈烯烴形成等)；蠟之形成，即，形成重質長鏈(高碳數)產物；聚合物形成(聚乙烯，包括支鏈和/或交聯的PE)，此會導致顯著的LAO產物產率損失及污染設備；欠佳的週轉率/觸媒活性，造成每公斤產物的成本提高；高觸媒或配位基成本；複雜的多步驟配位基合成，造成欠佳的觸媒利用性和高觸媒成本；觸媒性能，在活性和選擇性二者方面，易受到微量雜質的影響(造成，例如，觸媒耗損/毒化)；觸媒組份在技術/商業環境(如，在觸媒錯合物合成、預混合、惰性化、觸媒回收、或配位基回收的期間內)中難以操作；嚴苛的反應條件，如，高 溫度和壓力，造成須要特殊設備(提高投資、維護和能量成本)；高輔觸媒/活性劑成本或消耗；輔觸媒的改變量易受影響，此通常為使用較大量活性相對較低的化合物(如含MAO種類)作為活化劑之時的情況。
據此，此技術對於可以高選擇性得到1-辛烯或1-己烯之乙烯的寡聚合反應之觸媒系統有需求存在。此技術中，對於可提供1-辛烯和1-己烯之組合的觸媒系統有進一步需求存在。同時，此技術中，對於可提供具預定比的1-辛烯和1-己烯之組合的觸媒系統有需求存在，其中預定比的範圍可為觸媒系統亦提供之可利用的比。對於乙烯的寡聚合反應製造高純度和可變化的比之1-辛烯和1-己烯之方法亦有需求。
此處所提出者係一種用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯或1-辛烯之觸媒組成物，該觸媒組成物包含：鉻化合物；以下式的NPNPN配位基(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基或C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基或C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物(其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)或其任何環狀衍 生物(其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒。
此處亦提出一種用於使乙烯寡聚合之方法，其包含令乙烯與上述觸媒組成物在有效地製造1-己烯或1-辛烯的乙烯寡聚合反應條件下接觸。
此處進一步提出一種觸媒組成物，其可藉由至少合併以下者而得：鉻化合物；以下式的NPNPN配位基(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基或C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基或C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物(其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)或其任何環狀衍生物(其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒。
此處另提出的是用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯及1-辛烯，其中對於1-己烯或1-辛烯之選擇性係至少約90%。
此處亦提出的是自乙烯寡聚合方法得到的直鏈α烯烴組成物，其中1-己烯對1-辛烯之重量比至少約0.2至約8。
本發明者發現用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯或1-辛烯(即，己烯、1-辛烯、或包含前述至少一或二者之組合)之觸媒組成物。此觸媒組成物包括(i)鉻化合物；(ii)式(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)的NPNPN配位基和(iii)活化劑或輔觸媒。此觸媒組成物可用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯或1-辛烯之方法。本發明者進一步發現，當觸媒組成物用於此方法中時，可以優良的選擇性、產製性和純度製得1-己烯或1-辛烯。此外，可製得1-己烯對1-辛烯的重量比預定於由約0.1至約10，較佳地由約0.2至約8，更佳地由約0.3至約7的範圍內之包含1-己烯和1-辛烯之組合。
鉻化合物係Cr(II)或Cr(III)的有機鹽、無機鹽、配位錯合物、或有機金屬錯合物。一個具體實施例中，鉻化合物係有機金屬錯合物，較佳地為Cr(II)或Cr(III)的有機金屬錯合物。鉻化合物的例子包括乙醯基丙酮Cr(III)、辛酸Cr(III)、CrCl3(四氫呋喃)3、2-乙基己酸Cr(III)、六羰基鉻、氯化Cr(III)、苯(三羰基)鉻。可以使用包含前述鉻化合物中之至少一者之組合。
NPNPN配位基中，R1、R2、R3、R4、R5、R6 和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基、或C1-C20烴基。較佳地，此C1-C20烴基是直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基或C6-C20烷基取代的苯基。更佳地，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫(H)、氯(Cl)、甲基(Me)、乙基(Et)、異丙基(iPr)、三級丁基(tBu)、正己基(C6H11)、或苯基(Ph)。
任意地，該配位基係環狀衍生物(其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)或其任何環狀衍生物(其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)。該環系統可由NPNPN配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成，即，藉由形式上每個構成化合物消去兩個整體基團R1-R7(如定義者)，自兩個基團R1-R7(如定義者)各者或整個基團R1-R7(如定義者)消去一個原子及自另一個基團R1-R7(如定義者)消去一個原子，且每個構成化合物藉一個共價鍵連接形式上所形成之價數不飽和點以提供與初時存在於指定點處之相同價數。
特定適當的NPNPN配位基是Et(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)Et、C6H11(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)C6H11、iPr(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)iPr、H(tBu)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(tBu)H、(C6H11)2N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(C6H11)2、iPr(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)iPr、H(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)H、 H(iPr)N-P(Ph)-N(iPr)-P(Ph)-N(iPr)H、Et(Me)N-P(Ph)-N(C6H11)-P(Ph)-N(Me)Et、和Et(Me)N-P(Me)-N(Me)-P(Me)-N(Me)Et。可以使用包含前述NPNPN配位基中之至少一者之組合。
NPNPN配位基的結構亦可藉以下結構式(A)表示：
Figure TWI615380BD00001
 其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、和R7如之前之定義。
NPNPN配位基之特定例子的結構示於以下結構式(A1)至(A10)。
Figure TWI615380BD00002
Figure TWI615380BD00003
 可使用包含式(A1)至(A10)中之至少一者之組合。
該NPNPN配位基可藉嫻於此技術者已知的合成程序製造。一些具體實施例中，(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)配位基可藉圖表1所示的反應途徑得到。
Figure TWI615380BD00004
 圖表1中，R1至R4具有前述相同意義。
活化劑(亦稱為輔觸媒)係鋁化合物，例如三甲基鋁、三乙基鋁、三異丙基鋁、三異丁基鋁、二乙基氯化鋁、乙基倍半氯化鋁、乙基二氯化鋁、甲基鋁氧烷。可使用不同鋁化合物之組合。可以使用包含前述鋁化合物中之至少一者之組合。一些具體實施例中，此活化劑較佳地為 經改質的甲基鋁氧烷，更佳地為MMAO-3A(CAS No.146905-79-5)(其為經改質的甲基鋁氧烷，3A類型，可得自Akzo Nobel，含7%鋁的甲苯溶液，此對應於約18%的MMAO-3A濃度)。
觸媒組成物可以進一步含有溶劑。例示溶劑為芳族烴、直鏈和環狀脂族烴、直鏈烯烴、醚等。可以使用包含前述溶劑中之至少一者之組合。較佳地，溶劑係甲苯、氯苯、鄰-二氯苯、溴苯、氯環己烷、氯己烷、多重鹵化的芳族混合物、或包含以上至少一者之組合。甲苯溶劑為更佳者。
鉻化合物濃度可取決於所用的特別化合物和所欲反應速率而改變。一些具體實施例中，鉻化合物濃度是由約0.01至約100毫莫耳/升(mmol/l)，約0.01至約10mmol/l，約0.01至約1mmol/l，約0.1至約100mmol/l，約0.1至約10mmol/l，約0.1至約1.0mmol/l，約1至約10mmol/l，和約1至約100mmol/l。較佳地，鉻化合物濃度是由約0.1至約1.0mmol/l。
配位基/Cr莫耳比可由約0.5至50，約0.5至5，約0.8至約2.0，約1.0至5.0，或較佳地由約1.0至約1.5。
Al/Cr莫耳比可由約1至約1000，約10至約1000，約1至500，約10至500，約10至約300，約20至約300，或較佳地由50至約300。
一些具體實施例中，觸媒組成物包括乙醯基丙 酮Cr(III)作為鉻化合物；Et(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)Et作為NPNPN配位基；和MMAO-3A作為活化劑。
此處提出的觸媒組成物可用於乙烯的寡聚合反應。一個具體實施例中，此方法含括使乙烯與觸媒組成物在有效製造1-己烯或1-辛烯的乙烯寡聚合反應條件下接觸。嫻於此技術者將了解製造1-己烯之乙烯寡聚合反應可為藉乙烯的三聚合反應，而製造1-辛烯的乙烯寡聚合反應可為藉乙烯的四聚合反應。
乙烯寡聚合反應可於由約1至約200bar，約10至約200bar，約10至約100bar，約20至約70bar，和約10至50bar的壓力進行。較佳地，寡聚合反應於由約20至約70bar的壓力進行。
乙烯寡聚合反應亦可於由約10至約200℃，約20至約100℃，約30至約100℃，約40至約100℃，約40至約80℃，較佳地約40至約70℃的溫度進行。
另一具體實施例中，此方法以連續、半連續或不連續方式進行。
此方法通常在適當反應器中進行。進行此方法的時間，通常在反應器中，亦被稱為停留時間。此方法的停留時間可由約10分鐘至約20小時，約20分鐘至約20小時，約1小時至約16小時，約1小時至約8小時，較佳地由約1至約4小時。
如嫻於此技術者可理解者，觸媒組成物的必要組份，鉻化合物、NPNPN配位基、和活化劑亦可視為 起始物。因此，不限於特定理論，當接觸時(例如藉混合)，這三個組份可驅動轉變或轉化，藉此通常形成觸媒組成物。因此，有利的特點為，藉至少合併鉻化合物；式(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)的NPNPN配位基(其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7如前文之定義)；和活化劑或輔觸媒，可得到觸媒。
令人驚訝地，發現用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯或1-辛烯之觸媒組成物和方法，明顯克服現有觸媒和方法的缺點。特別訝異和意外的是發現1-己烯和1-辛烯的重量比可改變至明顯程度。不限於特定理論，咸信此改變可由有利地選擇NPNPN配位基中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、和R7而主導。一個具體實施例中，1-己烯對1-辛烯的重量比範圍由約0.1至約10，較佳地由約0.2至約8，更佳地由約0.3至約7。1-己烯對1-辛烯的重量比範圍可以由約0.1至約9，約0.1至約8，約0.1至約7，約0.1至約6，約0.2至約10，約0.2至約9，約0.2至約7，約0.2至約6，約0.3至約10，約0.3至約9，約0.3至約8，或約0.3至約6。1-己烯對1-辛烯的重量比亦可為至少約0.1，約0.2，約0.3，約0.4，約0.5，約0.6，約0.7，約0.8，約0.9，或約1。1-己烯對1-辛烯的重量比可以高至約10，約9，約8，約7，約6，約5，約4，約3，約2，約1.5，或約1.2。
如前文所討論者，此處提出的方法和觸媒組成物用以使得以高選擇性製造C6和C8餾份。此外，C6或 C8餾份中，對於對應的LAO之選擇性提高。藉此，未觀察到寬的LAO產物分佈，且可選擇性地製造特定的直鏈α烯烴，即，1-己烯或1-辛烯。對於1-己烯或1-辛烯的高選擇性為有利的特點，因為其導致較高的產物純度，藉此緩和對於分離處理中之額外的純化步驟之需求。觸媒組成物和方法的其他有利特點包括抑制導致所不欲的聚合物形成之乙烯聚合反應、較溫和的反應條件和，結果，較低的設備投資成本及操作和能量成本。此外，可能有相對簡單且直接的方法設計。
另一具體實施例中，對於1-己烯或1-辛烯之選擇性可為至少約75%，約80%，約85%，約90%，約95%，約96%，約97%，約98%，或約99%。至少約90%的選擇性為較佳者。
為更充分了解此處所提出的本發明，提出以下實例。這些實例僅用於說明之目的且不欲以任何方式對本發明構成限制。
實例 實例1：配位基(A1)-(A10)之製備 1.1 途徑A，一般程序(參考圖表1)
3mmol雙(氯膦基)胺RP(Cl)N(R’)P(Cl)R，溶於甲苯中，緩慢地移入8mmol二級或三級胺、6mmol NEt3和甲苯之約0℃的混合物中。此溶液於40℃攪拌24小時，之後變成霧狀。所有揮發性化合物蒸發之後，殘渣 置於熱的正己烷中並過濾。溶劑蒸發得到無色油或固體。必要時，產物自乙醇或正戊烷再結晶以提高純度。
1.2 途徑B，一般程序(參考圖表1)
6mmol二級胺以一當量在Et2O中之MeLi於約0℃鋰化。之後，此溶液於室溫攪拌6小時，再度冷卻至約0℃並以3mmol雙(氯膦基)胺RP(Cl)N(R)P(Cl)R的醚溶液處理，另於室溫攪拌24小時。處理方式與途徑A對等。
藉由修飾R.Jefferson,J.F.Nixon,T.M.Painter,R.Keat,L.Stobbs J.Chem.Soc.Dalton Trans.1973,1414-1419的程序，製得先質PhP(Cl)N(Me)P(Cl)Ph。
相同程序用於PhP(Cl)N(C6H11)P(Cl)Ph(Me3SiN(C6H11)SiMe3代替Me3SiN(Me)SiMe3)，用於PhP(Cl)N(iPr)P(Cl)Ph(Me3SiN(iPr)SiMe3代替Me3SiN(Me)SiMe3)和用於MeP(Cl)N(Me)P(Cl)Me(MePCl2代替PhPCl2)。
根據Y.Hamada,Y.Yamamoto,H.Shimizu J.Organomet.Chem.1996,510,1-6進行Me3SiN(iPr)SiMe3和Me3SiN(C6H11)SiMe3之製備。
藉此製得配位基(A1)至(A10)。這些的特徵如下：Et(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)Et(A1)，途徑A， 31P-NMR C6D6：101.6；101.9ppm，異構物；C6H11(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)C6H11(A2)，途徑B，31P-NMR C6D6：98.2；99.6ppm，異構物；iPr(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)iPr(A3)，途徑A，31P-NMR C6D6：99.5；100.3ppm，異構物；H(tBu)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(tBu)H(A4)，途徑A，31P-NMR C6D6：64.6ppm，分離的主要異構物；(C6H11)2N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(C6H11)2(A5)，途徑B，31P-NMR C6D6：87.8；88.1ppm，異構物；iPr(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)iPr(A6)，途徑B，31P-NMR C6D6：98.7；100.2ppm，異構物；H(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)H(A7)，途徑A，31P-NMR C6D6：70.0；73.3ppm，異構物；H(iPr)N-P(Ph)-N(iPr)-P(Ph)-N(iPr)H(A8)；31P-NMR C6D6：60.6ppm，分離的主要異構物；Et(Me)N-P(Ph)-N(C6H11)-P(Ph)-N(Me)Et(A9)，途徑A,31P-NMR C6D6：93.4；85.9ppm，異構物；Et(Me)N-P(Me)-N(Me)-P(Me)-N(Me)Et(A10)，途徑A，31P-NMR C6D6：84.0ppm寬，異構物。
實例2：觸媒製造；一般程序
適當量的配位基和作為鉻先質的乙醯基丙酮Cr(III)，以配位基對Cr比為1.25，在惰性氣氛下稱入和引入Schlenk管中。添加75ml無水溶劑(詳情見表1)且此 溶液以磁攪拌器攪拌。Cr-化合物和對應的配位基溶解之後，添加5ml MMAO-3A(7重量%Al於庚烷中(Akzo))溶液。此溶液立即轉移至反應器並開始反應。達到乙烯最大量(80g)或預定時間之後，藉由關閉乙烯輸入閥而中止反應，冷卻至室溫，洩壓和開啟反應器。
液態產物混合物以稀HCl淬冷並使用氣體層析儀，以已知量的十二氫聯三苯內標準品分析。任何固態副產物，即，蠟、聚乙烯，經濾除，乾燥，和稱重。
標準反應條件為：p乙烯=30bar，T=60℃，輔觸媒=5mL MMAO-3A(7重量% Al於庚烷中)，75mL溶劑，nCr=0.034mmol，[配位基]/[Cr]=1.25mol/mol。
實例3：寡聚合反應方法
標準的乙烯寡聚合反應之進行如下：進行任何實驗之前，300ml壓力反應器於減低的壓力下加熱至100℃達數小時以消除微量的水、氧和充氧的雜質。
配備滴流管、熱井、氣體夾帶攪拌器、冷卻線圈、用於溫度、壓力和攪拌速率的控制單元(所有皆連接至數據取得系統)之反應器之後藉由通以無水氬氣而惰性化。藉由將鋁和加壓氣筒置於天平上而維持等壓乙烯供應。藉電腦化的數據取得系統，長時間經由氣筒的失重偵測乙烯消耗。
寡聚合反應結果
表1彙整在這些標準條件下和使用以NPNPN-配位基結構(A1)-(A10)製得的觸媒系統進行之乙烯寡聚合反應實驗的結果。此表指出對於C4、C6、C8、和C10+烯烴餾份的個別選擇性，此以在液相中的量%表示。括弧中的數字代表各種直鏈α-烯烴在總C6/C8餾份中之重量%。這些LAO雜質通常有利地高，同時，介於1-己烯和1-辛烯之間的比係藉基團R1至R7測得且可，因此，藉由取代基之選擇而改變至明顯程度。此外，藉改變溶劑可完成程1-C6/1-C8-LAO比的合理微調。C10+ -餾份有利地作為反應器沖洗介質，用於清洗以自設備清除副產物蠟和聚乙烯。
Figure TWI615380BD00005
此結果顯示LAO雜質通常有利地高，而介於1-己烯和1-辛烯之間的比之改變取決於基團R1至R7。因此，藉由選擇取代基，此比可以有明顯程度的改變。此比亦可藉選擇基團R1至R7而調整至預定值。此外，藉由選擇溶劑，可完成1-C6/1-C8-LAO比的合理微調。C10+餾份有利地作為反應器沖洗介質，用於清洗以自設備清除副產物蠟和聚乙烯。關於後者，結果顯示所形成的固體量有利地低。
藉以下具體實施例進一步說明本發明：
具體實施例1：用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯或1-辛烯之觸媒組成物，該觸媒組成物包含鉻化合物；式(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)的NPNPN配位基，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基或C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基或C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物(其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)或其任何環狀衍生物(其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒。
具體實施例2：具體實施例1之觸媒組成物，其中該鉻化合物包含Cr(II)或Cr(III)的有機鹽、無機鹽、配位錯合物、或有機金屬錯合物。
具體實施例3：具體實施例1或2之觸媒組成物，其中該鉻化合物包含乙醯基丙酮Cr(III)、辛酸Cr(III)、CrCl3(四氫呋喃)3、2-乙基己酸Cr(III)、六羰基鉻、氯化Cr(III)、苯(三羰基)鉻、或包含以上至少一者之組合。
具體實施例4：具體實施例1至3中之任一或多者之觸媒組成物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、甲基(Me)、乙基(Et)、異丙基(iPr)、三級丁基(tBu)、正己基或苯基(Ph)。
具體實施例5：具體實施例1至4中之任一或多者之觸媒組成物，其中該活化劑或輔觸媒包含三甲基鋁、三乙基鋁、三異丙基鋁、三異丁基鋁、二乙基氯化鋁、乙基倍半氯化鋁、乙基二氯化鋁、甲基鋁氧烷，較佳地為經改質的甲基鋁氧烷，更佳地為MMAO-3A或包含以上至少一者之組合。
具體實施例6：具體實施例1至5中之任一或多者之觸媒組成物，其中該配位基包含Et(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)Et、C6H11(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)C6H11、iPr(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)iPr、H(tBu)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(tBu)H、(C6H11)2N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(C6H11)2、iPr(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)iPr、H(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)H、H(iPr)N-P(Ph)-N(iPr)-P(Ph)-N(iPr)H、Et(Me)N-P(Ph)-N(C6H11)-P(Ph)-N(Me)Et、Et(Me)N-P(Me)-N(Me)-P(Me)-N(Me)Et，或包含以上至少一者之組合。
具體實施例7：具體實施例1至6中之任一或多者之觸媒組成物，其進一步包含溶劑，較佳地其中該溶劑係甲苯、氯苯、鄰-二氯苯、溴苯、氯環己烷、氯己烷、多重鹵化的芳族混合物、或包含以上至少一者之組合。
具體實施例8：具體實施例1至7中之任一或多者之觸媒組成物，其中該鉻化合物的濃度係由約0.01至約10mmol/l，較佳地約0.1至約1.0mmol/l。
具體實施例9：具體實施例1至8中之任一或多者之觸媒組成物，其中配位基/Cr莫耳比係由約1.0至約5.0，較佳地約1.0至約1.5。
具體實施例10：具體實施例1至9中之任一或多者之觸媒組成物，其中Al/Cr莫耳比係由約1至約500，較佳地由約50至約300。
具體實施例11：具體實施例1至10中之任一或多者之觸媒組成物，其中該鉻化合物係乙醯基丙酮Cr(III)；NPNPN配位基係Et(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)Et；而活化劑或輔觸媒係MMAO-3A。
具體實施例12：一種用於乙烯之寡聚合之方法，其包含令乙烯與具體實施例1至11中任一者之觸媒組成物在有效地製造1-己烯或1-辛烯之乙烯寡聚合條件下接觸。
具體實施例13：具體實施例12之方法，其中該接觸係在約10至約100bar，較佳地約20至約70bar的壓力下進行。
具體實施例14：具體實施例12或13之方法，其中該接觸係在約30℃至約100℃，較佳地約40℃至約70℃的溫度下進行。
具體實施例15：具體實施例12至14中任一 或多者之方法，其中平均停留時間是10分鐘至約20小時。
具體實施例16：具體實施例12至15中任一或多者之方法，其中1-己烯對1-辛烯之重量比在約0.1至10，較佳地約0.2至8的範圍內。
具體實施例17：一種觸媒組成物，其可藉由至少合併以下者而得：鉻化合物；式(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)的NPNPN配位基，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基或C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基或C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物(其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)或其任何環狀衍生物(其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒。
具體實施例18：一種製造1-己烯和1-辛烯的乙烯寡聚合反應，其中對於1-己烯或1-辛烯之選擇性係至少約90%。
具體實施例19：具體實施例18之乙烯寡聚合反應，其包含以鉻為底之催化系統。
具體實施例20：具體實施例19之乙烯寡聚合反應，其中該以鉻為底之催化系統包含：鉻化合物；式(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)的NPNPN配位 基，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基、C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基、C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物(其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)或其任何環狀衍生物(其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員)，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒。
具體實施例21：一種得自乙烯寡聚合法之直鏈α-烯烴組成物，其中1-己烯對1-辛烯之重量比係至少約0.2至約8。
具體實施例22：具體實施例21之直鏈α-烯烴組成物，其中1-己烯對1-辛烯之重量比係至少約1.64至約5.93。
具體實施例23：具體實施例22之直鏈α-烯烴組成物，其中1-己烯對1-辛烯之重量比係至少約5.93。
除非文中他處清楚指出，否則單數形式“一”、“一種”和“該”包括複數指數。“或”是指“和/或”。
針對相同組份或性質之所有範圍的終點被涵蓋且可不相干地合併(如範圍“低於或等於約25重量%，或5重量%至約20重量%”涵蓋“5重量%至約25重量%”範圍內的終點和所有中間值等)。除了較寬範圍以外的較窄範圍或更特定族群之揭示並非放棄較寬範圍或較大族群。
除非另外定義，否則此處所用的技術和科學詞彙具有嫻於本發明所屬技術之人士一般理解的相同意義。“合併”涵蓋摻混物、混合物、合金、反應產物等。
茲將所有引用的專利案、專利申請案、和其他參考文件全文以引用方式納入本文中。但是，若本申請案中的詞彙與納入參考的文件中之詞彙相抵觸或矛盾，則本申請案所用詞彙優先於納入的參考文件所用之相抵觸的詞彙。
已經以參考一或多個例示具體實施例的方式描述本發明，嫻於此技術者將理解能夠在不背離本發明之範圍的情況下，作出各種改變且元件之對等物可經取代。此外，能夠在不背離本發明之基本範圍的情況下，依本發明之經驗，採用許多修飾以因應特別的情況或材料。

Claims (20)

  1. 一種用於使乙烯寡聚合以製造1-己烯或1-辛烯之觸媒組成物，該觸媒組成物包含：鉻化合物；以下式的NPNPN配位基(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基、C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基、C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物，其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員，或其任何環狀衍生物，其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒。
  2. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中該鉻化合物包含Cr(II)或Cr(III)的有機鹽、無機鹽、配位錯合物、或有機金屬錯合物。
  3. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中該鉻化合物包含乙醯基丙酮Cr(III)、辛酸Cr(III)、CrCl3(四氫呋喃)3、2-乙基己酸Cr(III)、六羰基鉻、氯化Cr(III)、苯(三羰基)鉻、或包含以上至少一者之組合。
  4. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、氯、甲基、 乙基、異丙基、三級丁基、正己基或苯基。
  5. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中該活化劑或輔觸媒包含三甲基鋁、三乙基鋁、三異丙基鋁、三異丁基鋁、二乙基氯化鋁、乙基倍半氯化鋁、乙基二氯化鋁、甲基鋁氧烷，較佳地為經改質的甲基鋁氧烷，更佳地為MMAO-3A或包含以上至少一者之組合。
  6. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中該配位基包含Et(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)Et、C6H11(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)C6H11、iPr(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)iPr、H(tBu)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(tBu)H、(C6H11)2N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(C6H11)2、iPr(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)iPr、H(Ph)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Ph)H、H(iPr)N-P(Ph)-N(iPr)-P(Ph)-N(iPr)H、Et(Me)N-P(Ph)-N(C6H11)-P(Ph)-N(Me)Et、Et(Me)N-P(Me)-N(Me)-P(Me)-N(Me)Et、或包含以上至少一者之組合。
  7. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其進一步包含溶劑，較佳地其中該溶劑係甲苯、氯苯、鄰-二氯苯、溴苯、氯環己烷、氯己烷、多重鹵化的芳族混合物、或包含以上至少一者之組合。
  8. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中該鉻化 合物的濃度係由約0.01至約10mmol/l，較佳地約0.1至約1.0mmol/l。
  9. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中配位基/Cr莫耳比係由約1.0至約5.0，較佳地約1.0至約1.5。
  10. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中Al/Cr莫耳比係由約1至約500，較佳地由約50至約300。
  11. 如申請專利範圍第1項之觸媒組成物，其中該鉻化合物係乙醯基丙酮Cr(III)；NPNPN配位基係Et(Me)N-P(Ph)-N(Me)-P(Ph)-N(Me)Et；而該活化劑或輔觸媒係MMAO-3A。
  12. 一種用於乙烯之寡聚合之方法，其包含令乙烯與如申請專利範圍第1至11項中任一項之觸媒組成物在有效地製造1-己烯或1-辛烯之乙烯寡聚合條件下接觸。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該接觸係在約10至約100bar，較佳地約20至約70bar的壓力下進行。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該接觸係在約30℃至100℃，較佳地約40℃至約70℃的溫度下進行。
  15. 如申請專利範圍第12項之方法，其中平均停留時間是約10分鐘至約20小時。
  16. 如申請專利範圍第12項之方法，其中1-己烯對1-辛烯之重量比在約0.1至約10，較佳地約0.2至約8的範 圍內。
  17. 一種觸媒組成物，其藉由至少合併以下者而得：鉻化合物；以下式的NPNPN配位基(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基、或C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基、或C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物，其中配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員，或其任何環狀衍生物，其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒。
  18. 一種包含以鉻為底之催化系統之製造1-己烯和1-辛烯的乙烯寡聚合反應，其中該以鉻為底之催化系統包含：鉻化合物；以下式的NPNPN配位基(R1)(R2)N-P(R3)-N(R4)-P(R5)-N(R6)(R7)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地為氫、鹵素、胺基、三甲矽基、C1-C20烴基，較佳地為直鏈或支鏈C1-C10烷基、苯基、C6-C20芳基、C6-C20烷基取代的苯基，任意地，其中該配位基係環狀衍生物，其中配位基的 P或N原子中之至少一者係環系統的一員，或其任何環狀衍生物，其中NPNPN配位基的P或N原子中之至少一者係環系統的一員，該環系統由配位基的一或多個構成化合物藉取代反應所形成；和活化劑或輔觸媒，和對於1-己烯或1-辛烯之選擇性係至少約90%。
  19. 如申請專利範圍第18項之乙烯寡聚合反應，其中1-己烯對1-辛烯之重量比係至少約0.2至約8。
  20. 如申請專利範圍第19項之乙烯寡聚合反應，其中1-己烯對1-辛烯之重量比係至少約1.64至約5.93。
TW104123898A 2014-07-24 2015-07-23 用於使乙烯寡聚合以製造１－己烯及／或１－辛烯之觸媒組成物及方法 TWI615380B (zh)

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