TWI611496B - 雷射標記系統以及雷射標記方法 - Google Patents

Abstract

一種雷射標記系統及標記方法，上述雷射標記系統包括：雷射發射器；分束器，將自上述雷射發射器出射的雷射束分割成第一標記雷射束及第二標記雷射束；第一光束控制部及第二光束控制部，配置至上述第一標記雷射束及第二標記雷射束的移動路徑，根據施加的電壓的變化而折射率發生變化，對第一標記雷射束及第二標記雷射束的特性進行控制；以及第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀，對通過上述第一光束控制部及第二光束控制部的第一標記雷射束及第二標記雷射束的方向進行控制。

Description

雷射標記系統以及雷射標記方法

本發明是有關於一種雷射標記系統及利用其的雷射標記方法。

雷射標記系統是指用以利用雷射束於標記對象物、例如半導體封裝體或晶圓上標記所期望的文字、圖形等的系統。

近年來，考慮此種雷射標記系統的價格相對較高，活躍地進行將自一個雷射發射器出射的一個雷射束分離成兩個標記雷射束而藉由兩個頭部同時進行標記作業的研究。

然而，先前於將一個雷射束分離成兩個標記雷射束而同時進行標記作業的情形時，會以強度不同的方式照射兩個標記雷射束。並且，無法單獨地調變兩個標記雷射束，因此無法標記不同的文字或圖形。

本發明提供一種用以解決上述問題的雷射標記系統及利用其的雷射標記方法。

本發明的一態樣的雷射標記系統可包括：雷射發射器；分束器，將自上述雷射發射器出射的雷射束分割成第一標記雷射束及第二標記雷射束；第一光束控制部及第二光束控制部，配置至上述第一標記雷射束及第二標記雷射束的移動路徑，根據施加的電壓的變化而折射率發生變化，對第一標記雷射束及第二標記雷射束的特性進行控制；以及第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀，對通過上述第一光束控制部及第二光束控制部的第一標記雷射束及第二標記雷射束的方向進行控制。

上述第一光束控制部及第二光束控制部分別可包括：勃克爾斯盒(Pockels cell)；驅動器，對上述勃克爾斯盒施加電壓；以及偏光器，使通過上述勃克爾斯盒的標記雷射束偏光。

上述第一光束控制部及第二光束控制部分別可更包括吸收藉由上述偏光器而折射的標記雷射束的傾卸器。

上述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者可藉由選擇性地阻斷由上述驅動器施加至上述勃克爾斯盒的電壓而對通過上述光束控制部的標記雷射束進行調變。

藉由第一標記雷射束而形成於標記對象物的第一形狀可與藉由第二標記雷射束而形成於標記對象物的第二形狀不同。

上述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者可藉由調整由上述驅動器施加至上述勃克爾斯盒的電壓的大小而對通過上述光束控制部的標記雷射束的強度進行調整。

通過上述第一光束控制部的第一標記雷射束的強度可與通過上述第二光束控制部的第二標記雷射束的強度相同。

雷射標記系統可更包括配置於上述分束器與上述第一光束控制部及第二光束控制部之間的第一高反射鏡及第二高反射鏡。

上述第一標記雷射束的移動路徑的長度可與上述第二標記雷射束的移動路徑相同。

上述雷射標記系統可更包括：第一擴束器及第二擴束器，配置於上述第一光束控制部及第二光束控制部與上述第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀之間；以及第一F-theta透鏡及第二F-theta透鏡，配置於通過上述第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀的標記雷射束的移動路徑。

本發明的另一態樣的雷射標記方法可包括如下步驟：產生雷射束的步驟；將上述雷射束分割成第一標記雷射束及第二標記雷射束的步驟；藉由根據施加的電壓的變化而折射率發生變化的第一光束控 制部及第二光束控制部中的至少一者對第一標記雷射束及第二標記雷射束中的至少一者的特性進行控制的步驟；以及對通過上述第一光束控制部及第二光束控制部的第一標記雷射束及第二標記雷射束的方向進行控制而於至少一個標記對象物上標記第一形狀及第二形狀的步驟。

對上述第一標記雷射束及第二標記雷射束中的至少一者的特性進行控制的步驟可藉由選擇性地阻斷施加至上述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者的電壓而對通過上述光束控制部的標記雷射束進行調變。

於標記上述第一形狀及第二形狀的步驟中，上述第一形狀可與上述第二形狀不同。

對上述第一標記雷射束及第二標記雷射束中的至少一者的特性進行控制的步驟可藉由調整施加至上述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者的電壓的大小而對通過上述光束控制部的標記雷射束的強度進行調整。

通過上述第一光束控制部的第一標記雷射束的強度可與通過上述第二光束控制部的第二標記雷射束的強度相同。

根據本發明的實施例的雷射標記系統及利用其的雷射標記方法，可藉由對施加至配置於標記雷射束的移動路徑的光束控制部的電壓進行控制而迅速地調變標記雷射束或調整上述標記雷射束的強度。因此，既可確保標記作業的可靠性，亦可縮短標 記時間、提高產率。

1‧‧‧雷射標記系統

10‧‧‧雷射發射器

20‧‧‧分束器

31、32‧‧‧第一高反射鏡及第二高反射鏡

41、42‧‧‧第一光束控制部及第二光束控制部

51、52‧‧‧第一擴束器及第二擴束器

61、62‧‧‧第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀

71、72‧‧‧第一F-theta透鏡及第二F-theta透鏡

110‧‧‧勃克爾斯盒

120‧‧‧驅動器

130‧‧‧偏光器

140‧‧‧傾卸器

601、602‧‧‧檢流計鏡

L‧‧‧雷射束

L1、L2‧‧‧標記雷射束

P‧‧‧P偏光雷射束

S‧‧‧S偏光雷射束

S10~S40‧‧‧步驟

SH1‧‧‧第一形狀

SH2‧‧‧第二形狀

W1、W2‧‧‧標記對象物

圖1是表示實施例的雷射標記系統的概略性的構成的圖。

圖2是用以說明第一光束控制部的作動的圖。

圖3a及圖3b是概略性地表示第一光束控制部及第二光束控制部的作動的圖。

圖4a與圖4b是表示通過第一光束控制部及第二光束控制部前的狀態的第一標記雷射束及第二標記雷射束的特性的例的圖，圖4c與圖4d是表示通過第一光束控制部及第二光束控制部後的狀態的第一標記雷射束及第二標記雷射束的特性的例的圖。

圖5a及圖5b是表示藉由通過第一光束控制部及第二光束控制部的第一標記雷射束及第二標記雷射束而標記於對象物的形狀的例。

圖6是用以說明第一光束控制部的作動的另一圖。

圖7是概略性地表示圖6的第一光束控制部的作動的圖。

圖8a與圖8b是表示通過第一光束控制部及第二光束控制部前的狀態的第一標記雷射束及第二標記雷射束的特性的例的圖，圖8c與圖8d是表示通過第一光束控制部及第二光束控制部後的狀態的第一標記雷射束及第二標記雷射束的特性的例的圖。

圖9是表示實施例的雷射標記方法的一例的順序圖。

以下，參照隨附圖式，詳細地對本發明的實施例進行說明。於圖中，相同的參照符號表示相同的構成要素，為了說明的明確性，可誇張地表示各構成要素的尺寸或厚度。

圖1是表示實施例的雷射標記系統1的概略性的構成的圖。

參照圖1，雷射標記系統1包括雷射發射器10。

雷射發射器10可產生或發射雷射束L。雷射束L可為經旋偏光的雷射束。例如，雷射束L可為P偏光雷射束。

雷射標記系統1可藉由至少兩個頭部對標記對象物W1、W2進行標記。雷射標記系統1更包括分束器20、第一光束控制部41、第二光束控制部42、第一檢流計掃描儀61及第二檢流計掃描儀62。

分束器20可將自雷射發射器10出射的雷射束L分割成至少兩個標記雷射束。例如，分束器20可將雷射束L分割成第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2。

作為一例，所分割出的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的強度可彼此相同。作為其他例，所分割出的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的強度可不同。第一標記雷射束L1的強度與第二標記雷射束L2的強度之差可為第一標記雷射束L1的強度的50%以內。

可於第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的移動路徑配置第一高反射鏡31及第二高反射鏡32。例如，第一高反射鏡31及第二高反射鏡32可配置至分束器20與下文將述的第一光束控制部41及第二光束控制部42之間。

第一高反射鏡31及第二高反射鏡32可為具有99%以上的反射率的鏡面。第一高反射鏡31能夠以第一標記雷射束L1無能量損失地移動至第一光束控制部41的方式反射第一標記雷射束L1。第二高反射鏡32能夠以第二標記雷射束L2無能量損失地移動至第二光束控制部42的方式反射第二標記雷射束L2。

雖未圖示，但第一高反射鏡31及第二高反射鏡32可根據能量密度、波長、反射角度及用途而於反射表面形成適當的塗敷層。

藉由第一高反射鏡31及第二高反射鏡32而反射的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2可經由第一光束控制部41及第二光束控制部42移動至第一檢流計掃描儀61及第二檢流計掃描儀62。第一檢流計掃描儀61可對第一標記雷射束L1的方向進行控制。第二檢流計掃描儀62可對第二標記雷射束L2的方向進行控制。

於第一檢流計掃描儀61及第二檢流計掃描儀62中，可分別垂直地設置兩個檢流計鏡601、602。可根據此種兩個檢流計鏡601、602的運動向量之和而於標記對象物W1、W2上描繪所期望的標記資料。兩個檢流計鏡601、602可稱為X、Y掃描 儀。

可於第一檢流計掃描儀61及第二檢流計掃描儀62與第一光束控制部41及第二光束控制部42之間配置第一擴束器51及第二擴束器52。第一擴束器51及第二擴束器52可將第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2轉換成較粗的平行光線。雖未圖示，但第一擴束器51及第二擴束器52可由三組透鏡構成。第一擴束器51及第二擴束器52的透鏡的倍率越增加，則越可將第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2轉換成更粗的平行光線，且可更減小擴散角。第一擴束器51及第二擴束器52可用於將第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2調整為所期望的光點尺寸。

第一F-theta透鏡71及第二F-theta透鏡72可配置至通過第一檢流計掃描儀61及第二檢流計掃描儀62的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的移動路徑。

藉由上述分束器20而分割出的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的移動路徑的長度可彼此相同。例如，分束器20與第一光束控制部41之間的第一標記雷射束L1的移動路徑、與分束器20與第二光束控制部之間的第二標記雷射束L2的移動路徑可相同。藉此，可藉由兩個頭部同時進行標記。

第一光束控制部41配置至第一標記雷射束L1的移動路徑，可對第一標記雷射束L1的特性進行控制。第二光束控制部42配置至第二標記雷射束L2的移動路徑，可對第二標記雷射束L2的特性控制。

第一光束控制部41可配置至分束器20與第一檢流計掃描儀61之間，第二光束控制部42可配置至分束器20與第二檢流計掃描儀62之間。

藉由第一光束控制部41及第二光束控制部42進行控制的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的特性可包括標記雷射束的強度(或功率)調整、標記雷射束的調變中的至少一種。作為一例，第一光束控制部41及第二光束控制部42中的至少一者可調節標記雷射束的強度。作為其他例，第一光束控制部41及第二光束控制部42中的至少一者可調變標記雷射束。

為此，第一光束控制部41及第二光束控制部42能夠以根據施加的電壓的變化而折射率發生變化的方式構成。藉此，通過第一光束控制部41及第二光束控制部42的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的偏光特性會發生變化。

第一光束控制部41及第二光束控制部42可分別包括：勃克爾斯盒110；驅動器120，對勃克爾斯盒110施加電壓；偏光器130，使通過上述勃克爾斯盒110的標記雷射束偏光。第一光束控制部41及第二光束控制部42分別可更包括傾卸器140。

勃克爾斯盒110的折射率可根據施加的電壓而發生變化。勃克爾斯盒110的材質可包括磷酸二氫銨(ammonium dihydrogen phosphate，ADP)、磷酸二氫鉀(potassium dihydrogen phosphate，KDP)、磷酸二氘鉀(potassium dideuterium phosphate，KD*P)、鈮酸鋰(lithium niobate，LN)、β-氧化鋇(beta barium oxide，BBO)、三硼酸鋰(lithium triborate，LBO)及碲化鎘(cadmium telluride，CdTe)中的至少一種。

勃克爾斯盒110可為藉由電壓而控制的波長板。例如，於對勃克爾斯盒110施加特定的第一電壓時，勃克爾斯盒110可作為1/2波長板而作動。於對勃克爾斯盒110施加與第一電壓不同的第二電壓時，勃克爾斯盒110可作為1/4波長板而作動。於未對勃克爾斯盒110施加電壓時，勃克爾斯盒110可使標記雷射束直接通過。

驅動器120電連接至勃克爾斯盒110而對勃克爾斯盒110施加電壓。可藉由調節由驅動器120施加的電壓而對勃克爾斯盒110的折射率進行調節。

偏光器130使特定偏光的光通過，阻斷其他偏光的光。例如，偏光器130可使標記雷射束的P偏光雷射束通過，使S偏光雷射束折射。

傾卸器140配置至藉由偏光器130而折射的標記雷射束的移動路徑。傾卸器140可吸收折射的標記雷射束。

如上所述，實施例的雷射標記系統1可無機械驅動而藉由電訊號的變化改變第一光束控制部41及第二光束控制部42的偏光特性，故而可迅速地調整標記雷射束的特性。

圖2是用以說明第一光束控制部41的作動的圖。

參照圖2，第一標記雷射束L1入射至勃克爾斯盒110。入射於勃克爾斯盒110的第一標記雷射束L1可為偏光雷射束。例如，第一標記雷射束L1可為P偏光雷射束。

驅動器120可藉由配置於勃克爾斯盒110的一對電極而對勃克爾斯盒110施加電壓。

作為一例，驅動器120可對勃克爾斯盒110施加可使勃克爾斯盒110的折射率作為1/2波長板而作動的第一電壓。於對勃克爾斯盒110施加第一電壓的情形時，第一標記雷射束L1會於通過勃克爾斯盒110的過程中自P偏光雷射束變成S偏光雷射束。

作為其他例，驅動器120可不對勃克爾斯盒110施加電壓。由於勃克爾斯盒110呈未施加電壓的狀態，因此第一標記雷射束L1不會於通過勃克爾斯盒110的過程中改變而仍為P偏光雷射束。

偏光器130可使P偏光雷射束通過，使S偏光雷射束折射。因此，於藉由勃克爾斯盒110而第一標記雷射束L1變成S偏光雷射束的情形時，第一標記雷射束L1可藉由偏光器130而折射。相反地，於藉由勃克爾斯盒110而第一標記雷射束L1未變成S偏光雷射束的情形時，第一標記雷射束L1可不藉由偏光器130折射而通過。

如上所述，調節由驅動器120施加至勃克爾斯盒110的電壓，藉此第一光束控制部41可選擇性地阻斷第一標記雷射 束L1。藉此，可調變第一標記雷射束L1。

為了便於說明，於圖2中，以第一光束控制部41為中心進行圖示，但第二光束控制部實質上可與第一光束控制部41相同。因此，可藉由第二光束控制部42而對第二標記雷射束L2進行調變。

圖3a及圖3b是概略性地表示第一光束控制部41及第二光束控制部42的作動的圖。圖4a與圖4b是表示通過第一光束控制部41及第二光束控制部42前的狀態的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的特性的例的圖，圖4c與圖4d是表示通過第一光束控制部41及第二光束控制部42後的狀態的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的特性的例的圖。圖5a及圖5b是表示藉由通過第一光束控制部41及第二光束控制部42的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2而標記於標記對象物W1、W2的形狀的例。

參照圖3a，不對第一光束控制部41的勃克爾斯盒110施加電壓。藉此，作為P偏光雷射束的第一標記雷射束L1無變化地通過勃克爾斯盒110，藉此不藉由偏光器130折射而通過。參照圖3b，對第二光束控制部42的勃克爾斯盒110施加第一電壓。藉此，作為P偏光雷射束的第二標記雷射束L2於通過勃克爾斯盒110的過程中變成S偏光雷射束。藉此，第二標記雷射束L2藉由偏光器130而折射。

如上所述，改變分別施加至第一光束控制部41及第二 光束控制部42的勃克爾斯盒110的電壓，藉此可調變通過第一光束控制部41及第二光束控制部42的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2。

例如，於藉由分束器20分割而通過第一光束控制部41及第二光束控制部42前，第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2可作為脈衝雷射而如圖4a、圖4b般表示。於通過單獨地控制的第一光束控制部41及第二光束控制部42的過程中，選擇性地阻斷第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2，藉此通過第一光束控制部41及第二光束控制部42的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2可如圖4c、圖4d般接通/斷開(on/off)時間不同。

藉此，藉由第一標記雷射束L1而標記的第一形狀SH1(參照圖5a)與藉由第二標記雷射束L2而標記的第二形狀SH2(參照圖5b)可不同。

參照圖5a及圖5b，可藉由第一標記雷射束L1而於標記對象物W1上標記文字“D”，可藉由第二標記雷射束L2而於標記對象物W2上標記文字“A”。實施例的雷射標記系統1可於一個標記對象物W1上不中斷地一次標記第一形狀SH1即文字“D”，於另一標記對象物W2上分兩次標記第二形狀SH2即文字“A”。之後，雷射標記系統1亦可藉由第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2而於標記對象物W1、W2上標記不同的形狀。

圖6是用以說明第一光束控制部41的作動的另一圖，圖7是概略性地表示圖6的第一光束控制部41的作動的圖。

參照圖6及圖7，可對勃克爾斯盒110施加與第一電壓不同的第二電壓。例如，第二電壓可小於第一電壓。

因對勃克爾斯盒110施加第二電壓而勃克爾斯盒110的折射率會與對勃克爾斯盒110施加第一電壓或未施加電壓時的折射率不同。藉此，作為P偏光雷射束的第一標記雷射束L1會於通過勃克爾斯盒110的過程中變成具有P偏光特性與S偏光特性的標記雷射束。

第一標記雷射束L1的S偏光雷射束藉由偏光器130而折射，僅P偏光雷射束可通過偏光器130。因此，第一標記雷射束L1的功率(或強度)會於通過第一光束控制部41的過程中衰減。

為了便於說明，於圖6及圖7中，以第一光束控制部41為中心進行圖示，但第二光束控制部實質上可與第一光束控制部41相同。藉此，可藉由第二光束控制部減小第二標記雷射束L2的功率(或強度)。

圖8a與圖8b是表示通過第一光束控制部41及第二光束控制部42前的狀態的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的特性的例的圖，圖8c與圖8d是表示通過第一光束控制部41及第二光束控制部42後的狀態的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的特性的例的圖。

參照圖1及圖8a與圖8b，於雷射束藉由分束器20而分割成第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2時，第一標記雷射束L1與第二標記雷射束L2可不同。例如，如圖8a、圖8b，第一標記雷射束L1的功率可為雷射束的功率的約52%，第二標記雷射束L2的功率可為雷射束的功率的約48%。

如上所述，於第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的功率不同的情形時，在進行精密的作業、例如半導體刻劃作業時，作業的可靠性會下降。

然而，如基於圖6及圖7進行的敍述，可藉由調節施加至第一光束控制部41及第二光束控制部42的勃克爾斯盒110的電壓而使第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2中的至少一者的功率衰減。例如，如圖8c，可使第一標記雷射束L1的功率衰減。因此，實施例的雷射標記系統1可如圖8c、圖8d般以第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的功率彼此相同的方式控制第一光束控制部41及第二光束控制部42。

另一方面，於上述實施例中，以控制第一光束控制部41的例為中心而進行了說明，但並不限定於此，只要為控制第一光束控制部41及第二光束控制部42中的至少一者，則可實施各種變形。

以下，對利用上述雷射標記系統1的雷射標記方法進行說明。

圖9是表示實施例的雷射標記方法的一例的順序圖。 參照圖1及圖9，雷射發射器10可產生雷射束L(步驟S10)。雷射束L可為經旋偏光的雷射束。例如，雷射束L可為P偏光雷射束。

雷射束L可藉由分束器20而分割成第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2(步驟S20)。作為一例，第一標記雷射束L1的強度可與第二標記雷射束L2的強度相同。作為其他例，第一標記雷射束L1的強度可與第二標記雷射束L2的強度不同。第一標記雷射束L1的強度與第二標記雷射束L2的強度之差可為第一標記雷射束L1的強度的50%以內。

所分割出的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2可藉由第一光束控制部41及第二光束控制部42而控制標記雷射束的特性。例如，可調變第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2中的至少一者、或調整上述第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2中的至少一者的強度。

作為一例，可選擇性地阻斷施加至第一光束控制部41及第二光束控制部42中的至少一者的勃克爾斯盒110的電壓。例如，可對第一光束控制部41的勃克爾斯盒110施加第一電壓，不對第二光束控制部的勃克爾斯盒110施加電壓。藉此，第一標記雷射束L1無法通過第一光束控制部41而被阻斷，第二標記雷射束L2通過第二光束控制部42。如上所述，可不同地調變通過第一光束控制部41及第二光束控制部42的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2。因此，藉由第一標記雷射束L1及第二 標記雷射束L2而標記於標記對象物W1、W2的第一形狀SH1及第二形狀SH2會不同。

作為其他例，可調整施加至第一光束控制部41及第二光束控制部42中的至少一者的勃克爾斯盒110的電壓的大小。藉此，可對通過第一光束控制部41及第二光束控制部42的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的強度進行調整。因此，即便藉由分束器20而分割出的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的強度稍微存在差異，亦可相同地調整藉由第一光束控制部41及第二光束控制部42而照射至標記對象物W1、W2的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的強度。

第一檢流計掃描儀61及第二檢流計掃描儀62可對第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的照射方向進行控制。第一檢流計掃描儀61及第二檢流計掃描儀62可藉由不同地控制具有不同的特性的第一標記雷射束L1及第二標記雷射束L2的照射方向而將不同的第一形狀SH1及第二形狀SH2標記至標記對象物W1、W2。

於上述實施例中，以雷射束L為P偏光雷射束的例為中心而進行了說明，但視需要可為S偏光雷射束、或亦可不為偏光雷射束。於此情形時，亦可適當地變更與偏光雷射束相關的構成。

以上，對本發明的實施例進行了說明，但上述實施例僅為示例，於本技術領域內具有常識者應理解，可根據上述實施 例實現各種變形及等同的其他實施例。

1‧‧‧雷射標記系統

10‧‧‧雷射發射器

20‧‧‧分束器

31、32‧‧‧高反射鏡

41、42‧‧‧光束控制部

51、52‧‧‧擴束器

61、62‧‧‧檢流計掃描儀

71、72‧‧‧F-theta透鏡

110‧‧‧勃克爾斯盒

120‧‧‧驅動器

130‧‧‧偏光器

140‧‧‧傾卸器

601、602‧‧‧檢流計鏡

L‧‧‧雷射束

L1、L2‧‧‧標記雷射束

W1、W2‧‧‧標記對象物

Claims (15)

1. 一種雷射標記系統，其包括：雷射發射器；分束器，將自所述雷射發射器出射的雷射束分割成第一標記雷射束及第二標記雷射束；第一光束控制部及第二光束控制部，配置至所述第一標記雷射束及第二標記雷射束的移動路徑，根據施加的電壓的變化而折射率發生變化，對第一標記雷射束及第二標記雷射束的特性進行控制，其中所述第一標記雷射束及所述第二標記雷射束的特性包括標記雷射束的強度調整、標記雷射束的調變中的至少一種；以及第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀，對通過所述第一光束控制部及第二光束控制部的第一標記雷射束及第二標記雷射束的方向進行控制。
2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射標記系統，其中所述第一光束控制部及第二光束控制部分別包括：勃克爾斯盒；驅動器，對所述勃克爾斯盒施加電壓；以及偏光器，使通過所述勃克爾斯盒的標記雷射束偏光。
3. 如申請專利範圍第2項所述的雷射標記系統，其中所述第一光束控制部及第二光束控制部分別更包括吸收藉由所述偏光器而折射的標記雷射束的傾卸器。
4. 如申請專利範圍第2項所述的雷射標記系統，其中所述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者藉由選擇性地阻斷由所述驅動器施加至所述勃克爾斯盒施加的電壓而對通過所述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者的標記雷射束進行調變。
5. 如申請專利範圍第4項所述的雷射標記系統，其中藉由第一標記雷射束而形成於標記對象物的第一形狀與藉由第二標記雷射束而形成於標記對象物的第二形狀不同。
6. 如申請專利範圍第2項所述的雷射標記系統，其中所述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者藉由調整由所述驅動器施加至所述勃克爾斯盒的電壓的大小而對通過所述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者的標記雷射束的強度進行調整。
7. 如申請專利範圍第6項所述的雷射標記系統，其中通過所述第一光束控制部的第一標記雷射束的強度與通過所述第二光束控制部的第二標記雷射束的強度相同。
8. 如申請專利範圍第1項所述的雷射標記系統，其更包括配置於所述分束器與所述第一光束控制部及第二光束控制部之間的第一高反射鏡及第二高反射鏡。
9. 如申請專利範圍第1項所述的雷射標記系統，其中所述第一標記雷射束的移動路徑的長度與所述第二標記雷射束的移動路徑相同。
10. 如申請專利範圍第1項所述的雷射標記系統，其更包括：第一擴束器及第二擴束器，配置於所述第一光束控制部及第二光束控制部與所述第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀之間；以及第一F-theta透鏡及第二F-theta透鏡，配置於通過所述第一檢流計掃描儀及第二檢流計掃描儀的標記雷射束的移動路徑。
11. 一種雷射標記方法，其包括如下步驟：產生雷射束的步驟；將所述雷射束分割成第一標記雷射束及第二標記雷射束的步驟；藉由根據施加的電壓的變化而折射率發生變化的第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者對第一標記雷射束及第二標記雷射束中的至少一者的特性進行控制的步驟，其中所述第一標記雷射束及所述第二標記雷射束的特性包括標記雷射束的強度調整、標記雷射束的調變中的至少一種；以及對通過所述第一光束控制部及第二光束控制部的第一標記雷射束及第二標記雷射束的方向進行控制而於至少一個標記對象物上標記第一形狀及第二形狀的步驟。
12. 如申請專利範圍第11項所述的雷射標記方法，其中對所述第一標記雷射束及第二標記雷射束中的至少一者的特性進行控制的步驟藉由選擇性地阻斷施加至所述第一光束控制部及第 二光束控制部中的至少一者的電壓而對通過所述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者的標記雷射束進行調變。
13. 如申請專利範圍第12項所述的雷射標記方法，其中於標記所述第一形狀及第二形狀的步驟中，所述第一形狀與所述第二形狀不同。
14. 如申請專利範圍第11項所述的雷射標記方法，其中對所述第一標記雷射束及第二標記雷射束中的至少一者的特性進行控制的步驟藉由調整施加至所述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者的電壓的大小而對通過所述第一光束控制部及第二光束控制部中的至少一者的標記雷射束的強度進行調整。
15. 如申請專利範圍第14項所述的雷射標記方法，其中通過所述第一光束控制部的第一標記雷射束的強度與通過所述第二光束控制部的第二標記雷射束的強度相同。