TWI610322B - 薄膜開關結構及其製造方法 - Google Patents

薄膜開關結構及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI610322B
TWI610322B TW106102152A TW106102152A TWI610322B TW I610322 B TWI610322 B TW I610322B TW 106102152 A TW106102152 A TW 106102152A TW 106102152 A TW106102152 A TW 106102152A TW I610322 B TWI610322 B TW I610322B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
hole
air passage
substrate layer
substrate
Prior art date
Application number
TW106102152A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201828318A (zh
Inventor
何斌聖
胡才榮
Original Assignee
達方電子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 達方電子股份有限公司 filed Critical 達方電子股份有限公司
Priority to TW106102152A priority Critical patent/TWI610322B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI610322B publication Critical patent/TWI610322B/zh
Publication of TW201828318A publication Critical patent/TW201828318A/zh

Links

Abstract

一種薄膜開關結構及其製造方法。薄膜開關結構包括第一基材層、第二基材層、間隔層、黏合層、第一通孔、第二通孔及疏水層。第二基材層設置於第一基材層之下。間隔層設置於第一基材層與第二基材層之間。黏合層黏合第一基材層、間隔層與第二基材層,並共同圍繞出一通氣道。第一通孔與第二通孔分別連通通氣道。疏水層形成於通氣道之內表面。

Description

薄膜開關結構及其製造方法
本發明是有關於一種薄膜開關結構及其製造方法,且特別是有關於一種具有疏水層的薄膜開關結構及其製造方法。
薄膜開關結構為一多層結構,在層與層的對接製程中,水氣或空氣難免會進入或殘留在薄膜開關結構的內部。此外,在最終的薄膜開關結構產品中,外界水氣也容易侵入到薄膜開關結構內部。此些侵入的水氣容易導致薄膜開關結構的壽命降低及損壞。因此,亟需提出一種新的技術去改善前述問題。
因此,本發明提出一種薄膜開關結構及其製造方法,可改善習知問題。
根據本發明之一實施例,提出一種薄膜開關結構。薄膜開關結構包括一第一基材層、一第二基材層、一間隔層、一黏合層、一第一通孔、一第二通孔及一疏水層。第二基材層設置於第一基材層之下。間隔層設置於第一基材層與第二基材層之間。 黏合層黏合第一基材層、間隔層與第二基材層,並共同圍繞出一通氣道。第一通孔與第二通孔分別連通通氣道。疏水層形成於通氣道之內表面。
根據本發明之另一實施例,提出一種薄膜開關結構的製造方法。製造方法包括以下步驟。以一第一黏合層黏合一第一基材層與一間隔層,其中第一基材層包括二第一突出部,第一黏合層包括二分別形成在二第一突出部的第一注入部;以一第二黏合層黏合間隔層與一第二基材層,其中間隔層位於第一基材層與第二基材層之間、第一黏合層與第二黏合層圍繞出一通氣道,第二基材層包括二第二突出部,第二黏合層包括二分別形成在二第二突出部的第二注入部,且各第二注入部與對應的第一注入部對接後形成一與通氣道連通的注入通道;透過二注入通道之一者注入一疏水層於通氣道內;以及,去除二第一突出部、二第二突出部、二第一注入部及二第二注入部,以露出一第一通孔與一第二通孔。
根據本發明之另一實施例,提出一種薄膜開關結構的製造方法。製造方法包括以下步驟。提供一第一基材層,其中第一基材層具有一第一通孔及一第二通孔;以一第一黏合層黏合第一基材層與一間隔層;以一第二黏合層黏合間隔層與一第二基材層,其中第一黏合層、第二黏合層、第一基材層、第二基材層與間隔層圍繞出一通氣道,且第一通孔及第二通孔連通通氣道;以一覆蓋件覆蓋第一通孔;於覆蓋件形成一連通通氣道的穿孔; 以及,透過穿孔注入一疏水層於通氣道內。
根據本發明之另一實施例,提出一種薄膜開關結構。薄膜開關結構包括一第一基材層、一第二基材層、一間隔層、一上黏合層、一第一通孔、一第二通孔及一疏水層。第一基材層之下表面具有複數個上接點。第二基材層之上表面具有複數個下接點,且各下接點位於對應之上接點的下方。間隔層設置於第一基材層與第二基材層之間,間隔層具有複數個開孔,間隔層之上表面具有一黏合表面及一通氣道表面,通氣道表面連接些開孔;當第一基材層被按壓時,些上接點之一者穿過對應之開孔而接觸對應之下接點。上黏合層,覆蓋黏合表面但暴露通氣道表面,上黏合層使黏合表面黏合於第一基材層,使得在通氣道表面和第一基材層之間形成一上通氣道,上通氣道具有二端點,且上通氣道連通些開孔。第一通孔及一第二通孔,分別連通上通氣道之二端點。疏水層,形成於上通氣道之內表面;當疏水層自第一通孔注入上通氣道時,原本停留於上通氣道內的空氣自第二通孔排出。
據本發明之另一實施例,提出一種薄膜開關結構。薄膜開關結構包括一第一基材層、一第二基材層、一間隔層、一下黏合層、一第一通孔、一第二通孔及一疏水層。第一基材層之下表面具有複數個上接點。第二基材層之上表面具有複數個下接點,且各下接點位於對應之上接點的下方。間隔層設置於第一基材層與第二基材層之間,間隔層具有複數個開孔,間隔層下表面具有一黏合表面及一通氣道表面,通氣道表面連接些開孔;當第 一基材層被按壓時,些上接點之一者穿過對應之開孔而接觸對應之下接點。下黏合層,下黏合層覆蓋黏合表面但暴露通氣道表面,下黏合層使黏合表面黏合於第二基材層,使得在通氣道表面與第二基材層之間形成一下通氣道,下通氣道具有二端點,且下通氣道連通些開孔。第一通孔及一第二通孔,第一通孔與第二通孔分別連通下通氣道之二端點。一疏水層,形成於上通氣道之內表面;當疏水層自第一通孔注入上通氣道時,原本停留於上通氣道內的空氣自第二通孔排出。
據本發明之另一實施例,提出一種薄膜開關結構。薄膜開關結構包括一第一基材層、一第二基材層、一間隔層、一上黏合層、一下黏合層、一第一通孔、一第二通孔及一疏水層。第一基材層之下表面具有數個上接點。第二基材層之上表面具有數個下接點,且各下接點位於對應之上接點的下方。間隔層設置於第一基材層與第二基材層之間,間隔層具有數個開孔及一通道,間隔層具有一上黏合表面及一下黏合表面,通道連接數個開孔;當第一基材層被按壓時,數個上接點之一穿過對應之開孔而接觸對應之下接點。上黏合層塗佈該上黏合表面但暴露數個開孔及通道,上黏合層使上黏合表面黏合於第一基材層;下黏合層覆蓋黏合表面但暴露數個開孔及通道,下黏合層使黏合表面黏合於第二基材層,數個開孔及通道使得第一基材層與第二基材層之間形成一通氣道,通氣道貫穿間隔層,通氣道具有二端點,且通氣道連通此些開孔。第一通孔與第二通孔分別連通通氣道之二端點。一 疏水層形成於通氣道內表面;當疏水層自第一通孔注入通氣道時,原本停留於上通氣道內的空氣自第二通孔排出。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
10‧‧‧注入器
100、200‧‧‧薄膜開關結構
100’、200’‧‧‧薄膜開關組合
110‧‧‧第一基材層
111‧‧‧第一突出部
110b‧‧‧下表面
112‧‧‧上接點
120‧‧‧第二基材層
120u‧‧‧上表面
121‧‧‧第二突出部
122‧‧‧下接點
130‧‧‧間隔層
130a‧‧‧開孔
130b1、130u1‧‧‧黏合表面
130b2、130u2‧‧‧通氣道表面
131‧‧‧間隔層突出部
140‧‧‧黏合層
141‧‧‧第一黏合層
142‧‧‧第二黏合層
1411‧‧‧第一注入部
1421‧‧‧第二注入部
150a‧‧‧第一通孔
150b‧‧‧第二通孔
160‧‧‧疏水層
260‧‧‧覆蓋件
260a‧‧‧穿孔
270‧‧‧彈性體
160’‧‧‧疏水材料
B1‧‧‧輪廓邊界
S1‧‧‧突出結構
P1‧‧‧通氣道
P11‧‧‧上通氣道
P12‧‧‧下通氣道
P2‧‧‧注入通道
第1A至3B圖繪示依照本發明一實施例之薄膜開關結構的製作過程圖。
第4A至5B圖繪示依照本發明另一實施例之薄膜開關結構的製作過程圖
請參照第1A至3B圖,其繪示依照本發明一實施例之薄膜開關結構100的製作過程圖。
首先,如第1A至1C圖所示,第1A圖繪示依照本發明一實施例之薄膜開關組合100’的俯視圖,第1B圖繪示第1A圖之薄膜開關組合100’沿方向1B-1B’的剖視圖,而第1C圖繪示第1A圖之薄膜開關組合100’的突出結構的示意圖。在本步驟中,提供薄膜開關組合100’。
如第1B圖所示,薄膜開關組合100’包括第一基材層110、第二基材層120、間隔層130及黏合層140。第二基材層120設置於第一基材層110之下。間隔層130設置於第一基材層 110與第二基材層120之間。黏合層140(如第1A圖所示的斜線所圍繞的範圍)黏合第一基材層110、間隔層130與第二基材層120,並共同圍繞出通氣道P1(如第1A圖所示的虛線所圍繞的範圍內)。
如第1B圖所示,第一基材層110具有至少一上接點112及下表面110b,其中上接點112配置在下表面110b。第二基材層120具有至少一下接點122及一上表面120u,其中下接點122配置在上表面120u,且位於對應之上接點112的下方。間隔層130具有至少一開孔130a,開孔130a可以是通氣道P1的一部分。當第一基材層110被按壓時,此些上接點112之一者穿過對應之開孔130a而電性接觸對應之下接點122,以輸出一觸發訊號。
此外,如第1B圖所示,黏合層140包括第一黏合層141(上黏合層)及第二黏合層142(下黏合層),其中第一黏合層141黏合第一基材層110與間隔層130,而第二黏合層142黏合間隔層130與第二基材層120。間隔層130之上表面包括黏合表面130u1及通氣道表面130u2,通氣道表面130u2連接開孔130a。間隔層130之下表面包括黏合表面130b1及通氣道表面130b2,通氣道表面130b2連接開孔130a。第一黏合層141覆蓋黏合表面130u1但暴露通氣道表面130u2,第一黏合層141使黏合表面130u1黏合於第一基材層110,使得在通氣道表面130u2和第一基材層110之間形成上通氣道P11。此外,第二黏合層142覆蓋黏 合表面130b1但暴露通氣道表面130b2,第二黏合層142使黏合表面130b1黏合於第二基材層120,使得在通氣道表面130b1與第二基材層120之間形成下通氣道P12。在實施例中,通氣道P1由間隔層130分隔,其中間隔層130上方的部分可界定為上通氣道P11,而間隔層130下方的部分可界定為下通氣道P12。
在薄膜開關組合100’的其中一種製作方式中,首先,提供第一基材層110、第二基材層120、間隔層130、第一黏合層141與第二黏合層142,如第1C圖所示,其中第一基材層110包括二第一突出部111(第1C圖僅繪示出一個),第一黏合層141包括二分別形成在二第一突出部111的第一注入部1411(第1C圖僅繪示出一個),間隔層130包括二間隔層突出部131(第1C圖僅繪示出一個),而第二基材層120包括二第二突出部121(第1C圖僅繪示出一個),第二黏合層142包括二分別形成在二第二突出部121的第二注入部1421(第1C圖僅繪示出一個)。然後,以第一黏合層141黏合第一基材層110與間隔層130。接著,以第二黏合層142黏合間隔層130與第二基材層120,其中間隔層130位於第一基材層110與第二基材層120之間。在第一基材層110、第二基材層120、間隔層130、第一黏合層141與第二黏合層142彼此黏合後,第一基材層110、第二基材層120、間隔層130、第一黏合層141與第二黏合層142之間圍繞出通氣道P1,且第一突出部111、第一注入部1411、間隔層突出部131、第二突出部121與第二注入部1421構成一突出結構S1,且各第二注入部1421與 對應的第一注入部1411對接後形成一與通氣道P1連通的注入通道P2。
在薄膜開關組合100’的另一種製作方式中,第一基材層110、第二基材層120、間隔層130、第一黏合層141與第二黏合層142也可以採用不同順序製成。例如,可先以第二黏合層142黏合間隔層130與第二基材層120,然後再以第一黏合層141黏合第一基材層110與間隔層130。
然後,如第2A圖所示,其繪示注入疏水材料160’於第1C圖之注入通道P2內的示意圖。在本步驟中,可使用注入器10,透過二注入通道P2之一者注入疏水材料160’於通氣道P1內,其中注入器10例如是針筒或其它可儲存疏水材料160’且可將疏水材料160’輸入至通氣道P1內的裝置。疏水材料160’具有流動性,因此在流動後可充滿整個通氣道P1並沾附在通氣道P1的內表面上。此外,在注入器10的強制推動下,疏水材料160’可更快速地充滿整個通氣道P1。
接著,當疏水材料160’充滿大部分或整個通氣道P1後,可讓疏水材料160’從注入通道P2流出。舉例來說,薄膜開關組合100’界定出一輪廓邊界B1(輪廓邊界B1繪示於第1A圖)。二突出結構S1位於輪廓邊界B1的二對角處,如此,當疏水材料160’從另一注入通道P2流出時,表示疏水材料160’已佈滿大部分或整個通氣道P1,因此接著可讓薄膜開關組合100’內的殘存疏水材料160’透過二注入通道P2之任一者流出。讓殘存疏水材料 160’流出的方法例如是通氣方式,即以氣壓推動殘存疏水材料160’流出。
如第2B圖所示,其繪示第1B圖之通氣道P1內形成有疏水層160的示意圖。由於薄膜開關組合100’具有二注入通道P2,因此疏水材料160’可從一注入通道P2進入通氣道P1,且能從另一注入通道P2流出通氣道P1。當殘存疏水材料160’完全流出後,留在通氣道P1的內表面上的疏水材料160’在硬化後或乾燥後成為一固態的疏水層160。例如,疏水層160形成於黏合層140及間隔層130的所有內側面的至少一部分、第一基材層110的所有下表面的至少一部分、間隔層130的所有上表面的至少一部分、第二基材層120的所有上表面的至少一部分及/或間隔層130的所有下表面的至少一部分。換言之,疏水層160形成在第一基材層110、第二基材層120、間隔層130及黏合層140與通氣道P1及開孔130a連通或連接的所有表面的至少一部分。此外,如第2B圖所示,疏水層160的厚度極薄,因此即使疏水層160本身是絕緣材料,然亦不影響上接點112下接點121的電性接觸。在一實施例中,疏水層160的厚度可介於0微米與1微米之間。
然後,如第3A及3B圖所示,第3A圖繪示第1A圖之薄膜開關組合100’的突出結構S1被去除的示意圖,而第3B圖依照本發明一實施例之薄膜開關結構100的局部側視圖。在本步驟中,可採用刀具裁切或雷射切割,去除第1A圖之二突出結構S1,以形成薄膜開關結構100。薄膜開關結構100露出第一通 孔150a與第二通孔150b,其中第一通孔150a及第二通孔150b從黏合層140的側面露出並連通通氣道P1的二端點或端部,且第一通孔150a與第二通孔150b分別位於輪廓邊界B1的二對角處。
由於疏水層160可以將通氣道P1的水氣聚集後形成水滴。相較於水氣(或水汽),水滴的流動性較佳,因此能順利從第一通孔150a及/或第二通孔150b流出。此外,第一通孔150a及第二通孔150b附近的水氣在一進入到通氣道P1後,由於疏水層160的特性,使此些水氣在深入通氣道P1前即能形成流動性較佳的水滴,然後順利從第一通孔150a及/或第二通孔150b流出。除此之外,因疏水層160可以將通氣道P1的水氣聚集後形成水滴,也會發生水滴因為在第一通孔150a及/或第二通孔150b結合成珠狀而無法進入通氣道P1。
請參照第4A至5B圖,其繪示依照本發明另一實施例之薄膜開關結構200的製作過程圖。
首先,如第4A至4B圖所示,第4A圖繪示依照本發明另一實施例之薄膜開關組合200’的俯視圖,而第4B圖繪示第4A圖之薄膜開關組合200’沿方向4B-4B’的剖視圖。在本步驟中,提供一薄膜開關組合200’。
薄膜開關組合200’包括第一基材層110、第二基材層120、間隔層130、黏合層140、第一通孔150a、第二通孔150b及覆蓋件260。薄膜開關組合200’具有類似前述薄膜開關組合200’ 的結構,不同的是,本實施例之薄膜開關組合200’的第一通孔150a及第二通孔150b貫穿第一基材層110,且薄膜開關組合200’更包括覆蓋件260。在另一實施例中,第一通孔150a及第二通孔150b亦可貫穿第二基材層120;或者,第一通孔150a及第二通孔150b可分別貫穿第一基材層110及第二基材層120。覆蓋件260覆蓋第一通孔150a與第二通孔150b之一者且具有一連通通氣道P1的穿孔260a。在另一實施例中,薄膜開關組合200’可省略覆蓋件260。
此外,如第4A圖所示,薄膜開關組合200’更包括至少一彈性體(Rubber Dome)270。為避免圖示過於複雜,第4A圖僅繪示一個彈性體270。彈性體270設置在第一基材層110之上,且彈性體270可對應上接點112與下接點122的位置配置。彈性體270用以提供一鍵帽(未繪示)一彈性回復力,其中至少一支撐機構可配置在第一基材層110上,並用以連接或支撐鍵帽。當鍵帽受到按壓時,支撐機構及彈性體變形,以允許鍵帽往下運動。當釋放鍵帽時,彈性體270提供彈性回復力將鍵帽往上推。在一實施例中,覆蓋件260的材質與彈性體270的材質可相同,然亦可相異。以材質相同來說,由於覆蓋件260具有等同於彈性體270的優良彈性回復性,因此即使覆蓋件260具有穿孔260a,常態下穿孔260a形同封閉,即穿孔260經常性地封閉,避免外界水氣或灰塵透過侵入穿孔260a至通氣道P1內。以材質種類來說,在一實施例中,彈性體270例如是橡膠。
在薄膜開關組合200’的其中一種製作方式中,首先,提供第一基材層110、第二基材層120、間隔層130、第一黏合層141與第二黏合層142,其中第一基材層110具有第一通孔150a及第二通孔150b。然後,以第一黏合層141黏合第一基材層110與間隔層130。然後,以第二黏合層142黏合間隔層130與第二基材層120,其中第一黏合層141、第二黏合層142、第一基材層110、第二基材層120與間隔層130圍繞出通氣道P1,且第一通孔150a及第二通孔150b連通通氣道P1。然後,以覆蓋件260覆蓋第一通孔150a。然後,可採用針刺方式,於覆蓋件260形成連通通氣道P1的穿孔260a,以形成如第4A及4B圖所示之薄膜開關組合200’。在一實施例中,彈性體270可與覆蓋件260在同一製程中配置在第一基材層110上,然亦可在二先、後製程中,分別配置彈性體270及覆蓋件260,或分別配置覆蓋件260及彈性體270。
在薄膜開關組合200’的另一種製作方式中,第一基材層110、第二基材層120、間隔層130、第一黏合層141與第二黏合層142也可以採用不同順序製成。例如,可先以第二黏合層142黏合間隔層130與第二基材層120,然後再以第一黏合層141黏合第一基材層110與間隔層130。
然後,如第5A圖所示,其繪示注入疏水材料160’於通氣道P1內的示意圖。在本步驟中,可使用注入器10,透過覆蓋件260的穿孔260a注入疏水材料160’於通氣道P1內。疏水 材料160’具有流動性,因此在流動後可充滿整個通氣道P1並沾附在通氣道P1的內表面上。此外,在注入器10的強制推動下,疏水材料160’可更快速地充滿整個通氣道P1。
接著,當疏水材料160’充滿大部分或整個通氣道P1後,可讓疏水材料160’從第二通孔150b流出。如第4A圖所示,由於第一通孔150a及第二通孔150b分別位於輪廓邊界B1的二對角處,使當疏水材料160’從第二通孔150b流出時,表示疏水材料160’已佈滿大部分或整個通氣道P1,因此接著可讓薄膜開關組合200’內的殘存疏水材料160’透過第二通孔150b流出。此外,當疏水材料160’自第一通孔150a注入上通氣道P11時,原本停留於上通氣道P11內的空氣自第二通孔150b排出。
如第5B圖所示,其繪示第5B圖之通氣道P1內形成有疏水層160的示意圖。當殘存疏水材料160’完全流出後,留在通氣道P1的內表面上的疏水材料160’在硬化後或乾燥後成為一固態的疏水層160。例如,疏水層160形成於黏合層140及間隔層130的所有內側面、第一基材層110的下表面、間隔層130的上表面、第二基材層120的上表面及間隔層130的下表面。或者,疏水層160形成在第一基材層110、第二基材層120、間隔層130及黏合層140與通氣道P1連通或連接的所有表面的至少一部分。
整體觀之,請參照第1B、1C、2B及3A圖所示,本實施例為一種薄膜開關結構。第一基材層110之下表面具有複 數個上接點112,第二基材層120之上表面具有複數個下接點122,且各下接點122位於對應之上接點112的下方,間隔層130設置於第一基材層110與第二基材層120之間,間隔層130具有數個開孔130a及通道P2,所以當第一基材層110被按壓時,數個上接點112之一者穿過對應之開孔130a而接觸對應之下接點122。此外,間隔層130具有黏合表面130b1及130u1與通氣道表面130b2及130u2。通道P2連接數個開孔130a。第一黏合層141與第二黏合層142塗佈黏合表面130b1及130u1但暴露數個開孔130a、通氣道表面130b2、130u2及通道P2,第一黏合層141,使黏合表面130u1黏合於第一基材層110。第二黏合層142使黏合表面130b1黏合於第二基材層120,並形成數個開孔130a。通氣道表面130b2、130u2及通道P2在第一基材層110與該第二基材層120之間形成通氣道P1,且第一通孔150a與第二通孔150b分別連通通氣道P1之二端點。疏水層160形成於通氣道P1之內表面,當疏水層160自第一通孔150a注入該通氣道P1時,原本停留於通氣道P1內的空氣自第二通孔150b排出。
綜上所述,雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100’‧‧‧薄膜開關組合
110‧‧‧第一基材層
110b‧‧‧下表面
112‧‧‧上接點
120‧‧‧第二基材層
120u‧‧‧上表面
122‧‧‧下接點
130‧‧‧間隔層
130a‧‧‧開孔
130b1、130u1‧‧‧黏合表面
130b2、130u2‧‧‧通氣道表面
140‧‧‧黏合層
141‧‧‧第一黏合層
142‧‧‧第二黏合層
P1‧‧‧通氣道
P11‧‧‧上通氣道
P12‧‧‧下通氣道

Claims (14)

  1. 一種薄膜開關結構,包括:一第一基材層;一第二基材層,該第二基材層設置於該第一基材層之下;一間隔層,該間隔層設置於該第一基材層與該第二基材層之間;一黏合層,該黏合層黏合該第一基材層、該間隔層與該第二基材層,並共同圍繞出一通氣道;一第一通孔及一第二通孔,該第一通孔與該第二通孔分別連通該通氣道;以及一疏水層,形成於該通氣道之內表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜開關結構,其中該疏水層形成於該黏合層和該間隔層的所有內側面、該第一基材層的下表面、該間隔層的上表面、該第二基材層的上表面及該間隔層的下表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜開關結構,其中該第一通孔及該第二通孔從該黏合層的一側面連通該通氣道。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜開關結構,其中該薄膜開關結構界定出一輪廓邊界,該第一通孔及該第二通孔位於該 輪廓邊界的二對角處。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜開關結構,其中該第一通孔及該第二通孔貫穿至少該第一基材層或該第二基材層之其中之一。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜開關結構,更包括:一覆蓋件,覆蓋該第一通孔或該第二通孔,且該覆蓋件具有一連通該通氣道的穿孔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜開關結構,更包括:一彈性體,設置在該第一基材層之上;其中,該覆蓋件的材質與該彈性體的材質相同。
  8. 一種薄膜開關結構的製造方法,包括:以一第一黏合層黏合一第一基材層與一間隔層,其中該第一基材層包括二第一突出部,該第一黏合層包括二分別形成在該二第一突出部的第一注入部;以一第二黏合層黏合該間隔層與一第二基材層,其中該間隔層位於該第一基材層與該第二基材層之間、該第一黏合層與該第二黏合層圍繞出一通氣道,該第二基材層包括二第二突出部,該第二黏合層包括二分別形成在該二第二突出部的第二注入部,且 各該第二注入部與對應的該第一注入部對接後形成一與該通氣道連通的注入通道;透過該二注入通道之一者注入一疏水層於該通氣道內;以及去除該二第一突出部、該二第二突出部、該二第一注入部及該二第二注入部,以露出一第一通孔與一第二通孔。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法,更包括:設置至少一彈性體在該第一基材層上。
  10. 一種薄膜開關結構的製造方法,包括:提供一第一基材層,其中該第一基材層具有一第一通孔及一第二通孔;以一第一黏合層黏合該第一基材層與一間隔層;以一第二黏合層黏合該間隔層與一第二基材層,其中該第一黏合層、該第二黏合層、該第一基材層、該第二基材層與該間隔層圍繞出一通氣道,且該第一通孔及該第二通孔連通該通氣道;以一覆蓋件覆蓋該第一通孔;於該覆蓋件形成一連通該通氣道的穿孔;以及透過該穿孔注入一疏水層於該通氣道內。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之製造方法,更包括:設置至少一彈性體在該第一基材層上; 其中,以該覆蓋件覆蓋該第一通孔之步驟與該設置至少一彈性體在該第一基材層之步驟係於同一製程中完成。
  12. 一種薄膜開關結構,包括:一第一基材層,該第一基材層之下表面具有複數個上接點;一第二基材層,該第二基材層之上表面具有複數個下接點,且各該下接點位於對應之該上接點的下方;一間隔層,該間隔層設置於該第一基材層與該第二基材層之間,該間隔層具有複數個開孔,該間隔層之上表面具有一黏合表面及一通氣道表面,該通氣道表面連接該些開孔,當該第一基材層被按壓時,該些上接點之一者穿過對應之該開孔而接觸對應之該下接點;一上黏合層,覆蓋該黏合表面但暴露該通氣道表面,該上黏合層使該黏合表面黏合於該第一基材層,使得在該通氣道表面和該第一基材層之間形成一上通氣道,該上通氣道具有二端點,且該上通氣道連通該些開孔;一第一通孔及一第二通孔,分別連通該上通氣道之該二端點;以及一疏水層,形成於該上通氣道之內表面,當該疏水層自該第一通孔注入該上通氣道時,原本停留於該上通氣道內的空氣自該第二通孔排出。
  13. 一種薄膜開關結構,包括:一第一基材層,該第一基材層之下表面具有複數個上接點;一第二基材層,該第二基材層之上表面具有複數個下接點,且各該下接點位於對應之該上接點的下方;一間隔層,該間隔層設置於該第一基材層與該第二基材層之間,該間隔層具有複數個開孔,該間隔層下表面具有一黏合表面及一通氣道表面,該通氣道表面連接該些開孔,當該第一基材層被按壓時,該些上接點之一者穿過對應之該開孔而接觸對應之該下接點;一下黏合層,該下黏合層覆蓋該黏合表面但暴露該通氣道表面,該下黏合層使該黏合表面黏合於該第二基材層,使得在該通氣道表面與該第二基材層之間形成一下通氣道,該下通氣道具有二端點,且該下通氣道連通該些開孔;一第一通孔及一第二通孔,該第一通孔與該第二通孔分別連通該下通氣道之該二端點;以及一疏水層,形成於該下通氣道之內表面,當該疏水層自該第一通孔注入該下通氣道時,原本停留於該下通氣道內的空氣自該第二通孔排出。
  14. 一種薄膜開關結構,包括:一第一基材層,該第一基材層之下表面具有複數個上接點;一第二基材層,該第二基材層之上表面具有複數個下接點, 且各該下接點位於對應之該上接點的下方;一間隔層,該間隔層設置於該第一基材層與該第二基材層之間,該間隔層具有複數個開孔及一通道,該間隔層具有一上黏合表面及一下黏合表面,該通道連接該些開孔,當該第一基材層被按壓時,該些上接點之一者穿過對應之該開孔而接觸對應之該下接點;一上黏合層,該上黏合層塗佈該上黏合表面但暴露該複數個開孔及該通道,該上黏合層使該上黏合表面黏合於該第一基材層;一下黏合層,該下黏合層塗佈該下黏合表面但暴露該複數個開孔及該通道,該下黏合層使該下黏合表面黏合於該第二基材層,該複數個開孔及該通道使得在該第一基材層與該第二基材層之間形成一通氣道,該通氣道貫穿該間隔層,該通氣道具有二端點,且該通氣道連通該些開孔;一第一通孔及一第二通孔,該第一通孔與該第二通孔分別連通該通氣道之該二端點;以及一疏水層,形成於該通氣道之內表面,當該疏水層自該第一通孔注入該通氣道時,原本停留於該通氣道內的空氣自該第二通孔排出。
TW106102152A 2017-01-20 2017-01-20 薄膜開關結構及其製造方法 TWI610322B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106102152A TWI610322B (zh) 2017-01-20 2017-01-20 薄膜開關結構及其製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106102152A TWI610322B (zh) 2017-01-20 2017-01-20 薄膜開關結構及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI610322B true TWI610322B (zh) 2018-01-01
TW201828318A TW201828318A (zh) 2018-08-01

Family

ID=61728572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106102152A TWI610322B (zh) 2017-01-20 2017-01-20 薄膜開關結構及其製造方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI610322B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI748531B (zh) * 2020-06-24 2021-12-01 東隆五金工業股份有限公司 微觸式面板機構及微觸式面板裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020157934A1 (en) * 2000-04-18 2002-10-31 Shuji Teruyama Membrane switch
US20040085299A1 (en) * 2002-10-30 2004-05-06 Jianming Huang Combined touchscreen and membrane switch
US20040159535A1 (en) * 2003-02-14 2004-08-19 Josef Wagner Hermetic sealed switch
US20060042924A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Polymatech Co., Ltd. Membrane switch, method for manufacturing membrane switch, and contact switch

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020157934A1 (en) * 2000-04-18 2002-10-31 Shuji Teruyama Membrane switch
US20040085299A1 (en) * 2002-10-30 2004-05-06 Jianming Huang Combined touchscreen and membrane switch
US20040159535A1 (en) * 2003-02-14 2004-08-19 Josef Wagner Hermetic sealed switch
US20060042924A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Polymatech Co., Ltd. Membrane switch, method for manufacturing membrane switch, and contact switch

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI748531B (zh) * 2020-06-24 2021-12-01 東隆五金工業股份有限公司 微觸式面板機構及微觸式面板裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201828318A (zh) 2018-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8796059B2 (en) Method of forming electronic device that includes forming protective package to house substrate and die attached thereto while leaving first and second active surface portions of the die exposed
JP4049160B2 (ja) 蓋体フレーム、半導体装置、及びその製造方法
KR100272045B1 (ko) 반도체장치및그제조방법
JP5045769B2 (ja) センサ装置の製造方法
KR100734708B1 (ko) 전자 장치
JP2008529273A5 (zh)
JP2002289733A (ja) 半導体装置
TWI610322B (zh) 薄膜開關結構及其製造方法
JP6558559B2 (ja) トップポート型のマイクロフォン及び製造方法
CN106847592B (zh) 薄膜开关结构及其制造方法
JP4675945B2 (ja) 半導体装置
JP2006073586A (ja) 半導体装置の製造方法
US7521276B2 (en) Compliant terminal mountings with vented spaces and methods
US20080137270A1 (en) Electronic element package and method of manufacturing the same
US8062571B2 (en) Resin sealing method in stacked wiring substrate
JP6266350B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
US7538020B2 (en) Chip packaging process
JP5042501B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR101210138B1 (ko) 멤스 센서의 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법
US8487443B2 (en) Semiconductor structure, manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor device
JP2021088158A (ja) 記録素子基板及び液体吐出ヘッドならびにそれらの製造方法
JP5901991B2 (ja) 電子部品パッケージ及びその製造方法
JP5559836B2 (ja) 半導体装置
US20210159151A1 (en) Sensing device and manufacturing method thereof
JP3705235B2 (ja) 半導体装置の製造方法