TWI598576B - Test equipment and sample evaluation methods - Google Patents

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TWI598576B
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    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • GPHYSICS
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    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections

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Description

試驗裝置及試樣之評價方法
本發明係關於一種進行試樣之溫度特性之評價的評價基板。又,本發明係關於一種將評價基板暴露於特定之環境下之環境試驗裝置。進而,本發明係關於一種使用環境試驗裝置評價試樣之溫度特性之評價方法。
作為評價製品等之性能之方法之一,有環境試驗。環境試驗係將製品等置於特定之環境下,並觀察性能等之變化者。
環境試驗裝置係用以進行環境試驗之裝置,且係可將試驗空間內維持為所需之溫度等環境者(例如專利文獻1)。環境試驗裝置可形成例如高溫環境或低溫環境、高濕度環境或低濕度環境、真空環境等各種環境。即,環境試驗裝置係於試驗室內設置製品,可評價各種環境下之製品之性能。
然而,自先前以來,於安裝於印刷基板之小型器件等中,為了確保安全性或可靠性而評價構成構件之特性。
例如,於溫度特性評價試驗中,準備焊接安裝有作為評價對象之試樣之印刷基板。而且,將該印刷基板設置於空氣循環式之環境試驗裝置,於將試樣暴露於特定溫度之空氣中之狀態下進行通電,藉此評價試樣之溫度特性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-209303號公報
通常,於評價試樣之溫度特性時,多數情況下一次評價多個試樣。即,多數情況下於1片印刷基板上安裝複數個試樣,評價該各個試樣。於評價該等試樣時,為了獲得可靠性較高之溫度特性之結果,必須於同一條件、環境下進行評價。
然而,作為試樣,於如晶片電阻之因通電而伴隨發熱之試樣(以下亦稱為發熱試樣)之情形時,於先前之環境試驗裝置中,根據試驗室內之空氣(風)之吹送方式,試樣於發熱狀態、散熱狀態間變化。因此,有印刷基板內之溫度分佈變大,且因試樣之安裝位置而產生試驗溫度之不均之情況。因此,於使用先前之環境試驗裝置之評價方法中,存在如下問題,即,有無法準確地評價溫度特性之情況。
因此,作為解決此種問題之對策之一,考慮將試驗室內設為無風空間,而不對試樣吹送風之方法。
例如,考慮如下方法,即,於無風空間內,將表面安裝有發熱試樣之印刷基板置於如電氣加熱板之加熱機器上。藉此,直接加熱發熱試樣,評價溫度特性。
然而,於該對策中,亦會因印刷基板與加熱機器之接觸情況而使印刷基板內之溫度產生不均。即,因印刷基板之表面形狀或加熱機器之加熱面之凹凸,印刷基板與加熱機器之間之傳熱面積產生不均,向安裝於印刷基板之發熱試樣之傳熱產生不均。因此,於該對策中,亦存在如下問題,即,存在無法準確地評價發熱試樣之溫度特性之情況。
因此,本發明之目的在於提供一種評價基板,其於評價試樣時,不易產生試驗溫度之不均,而可準確地評價試樣之溫度特性。 又,本發明之目的在於提供一種環境試驗裝置,其係即便為自發熱之試樣,亦不易產生試驗溫度之不均,而可準確地評價試樣之溫度特性。進而,本發明之目的在於提供一種評價方法,其可準確地評價試樣之溫度特性。
用以解決上述課題之本發明之一態樣係一種評價基板,其係一面對試樣通電一面將試樣暴露於所需之溫度而用以評價試樣者,且包括:基板本體,其具有面狀之擴展形狀;安裝部,其可安裝上述試樣;及加熱器,其加熱上述基板本體;且上述安裝部位於上述基板本體之一主面側,於上述基板本體之另一主面側,上述加熱器呈面狀地分佈且被一體化。
根據本態樣,上述安裝部位於上述基板本體之一主面側,於上述基板本體之另一主面側,上述加熱器呈面狀地分佈且被一體化。 即,安裝部與加熱器隔著基板本體對向,由加熱器產生之熱經由基板本體而傳遞至安裝於安裝部之試樣。
即,本態樣之評價基板係藉由自身之加熱器而呈面狀地加熱基板本體者,即便不使用加熱機器等其他加熱機構,亦可將試樣暴露於特定之溫度。因此,不易產生向安裝於基板本體之相反側之試樣之傳熱不均,可準確地評價試樣之溫度特性。
較佳之態樣為,上述加熱器係由導電層構成之寬度較全長窄之通電路徑,藉由對上述通電路徑通電而使上述通電路徑發熱。
根據本態樣,藉由對由導電層構成之寬度較全長窄之通電路徑通電而使上述通電路徑發熱。即,根據本態樣,由於係藉由導電層之內部電阻等而發熱,因此,可容易地加熱基板本體。
較佳之態樣為,上述加熱器係寬度較全長窄之一系統或複數系統之通電路徑,上述通電路徑具有複數個曲路,藉由對上述通電路徑 通電而使上述通電路徑發熱。
根據本態樣,上述通電路徑具有複數個曲路,藉由對上述通電路徑通電而使上述通電路徑發熱。因此,可於基板本體之主面上均勻地密鋪通電路徑,而可使基板本體之面內溫度分佈更均等。
較佳之態樣為,上述加熱器係對較寬地設置於上述基板本體上之導電層進行蝕刻而形成之寬度較全長窄之導電路徑。
根據本態樣,加熱器係對較寬地設置於基板本體上之導電層進行蝕刻而形成。因此,可容易地將導電路徑圖案化為所需之形狀。因此,藉由該圖案化,可容易地形成寬度較全長窄之導電路徑。
較佳之態樣為,評價基板為印刷基板,上述加熱器為由印刷配線形成之寬度較全長窄之通電線路。
根據本態樣,評價基板為印刷基板,加熱器為由印刷配線形成之寬度較全長窄之通電線路。因此,可容易地將加熱器形成為所需之形狀,並且亦容易進行量產。
較佳之態樣為,於上述基板本體之端部設置有加熱器用供電部,該加熱器用供電部連接於上述加熱器,上述加熱器用供電部可卡合於其他構件,藉由與其他構件卡合,而對上述加熱器用供電部通電。
根據本態樣,藉由將連接於加熱器之加熱器用供電部與其他構件卡合,而經由加熱器用供電部對加熱器通電。因此,可一面利用其他構件支持基板本體,一面容易地自其他構件對加熱器通電。
又,較理想為,對試樣通電之試樣通電路徑與上述基板本體一體化。
根據該構成,可穩定地對試樣通電。
又,較理想為,於上述基板本體之端部設置有試樣用供電部,該試樣用供電部連接於試樣通電路徑,上述試樣用供電部可卡合於其 他構件,藉由與其他構件卡合而對上述試樣用供電部通電。
根據該構成,藉由使連接於試樣通電路徑之試樣用供電部與其他構件卡合,對試樣用供電部通電。因此,可一面利用其他構件支持基板本體,一面容易地自其他構件對試樣通電。
又,較佳為,評價基板係用以評價複數個試樣者,且具有複數個安裝部,該安裝部於上述基板本體之一主面側均等地分佈。
根據該構成,由於安裝部均等地分佈並配置於基板本體之一主面上,故而可抑制安裝於安裝部之試樣間產生之影響。
例如,即便於安裝有在通電時等自發熱之試樣之情形時,亦可抑制因該發熱導致之對鄰接之試樣之影響。
然而,於評價所安裝之多個試樣之溫度特性之情形時,就儘可能配合測定條件之觀點而言,考慮於相同試驗室內使安裝有複數個試樣之評價基板並列而進行評價。
然而,於在評價基板安裝有自發熱之試樣之情形時,存在如下情況,即,因該試樣之發熱產生對流,而對其他試樣之溫度條件或其他評價基板之面內之溫度分佈造成影響。
對該方面具體地進行說明。
對如圖15之評價基板1A與評價基板1C之關係般,以評價基板之主面於上下方向平行之方式排列2片之情形(評價基板之主面成為朝向上下方向之姿勢之情形)進行說明。
若於位於上下方向下側之下側評價基板安裝有發熱試樣,則因該發熱試樣之發熱產生之對流可能會對位於其上方之上側評價基板之溫度分佈造成影響。因此,產生無法準確地評價試樣之虞。
又,對如圖5之評價基板1A與評價基板1B之關係般,以評價基板之主面於水平方向平行之方式排列2片之情形(評價基板之主面成為朝向水平方向之姿勢之情形)進行說明。於此情形時,可抑制上述因評 價基板間之對流導致之影響。然而,於評價基板上,因位於上下方向下側之下側發熱試樣之發熱產生之對流可能會對安裝於同一評價基板上且位於上下方向上方之上側發熱試樣造成影響。
如此,於在一個試驗室內並排設置有評價基板之情形時,可能無法充分地發揮本發明之評價基板之特長。
因此,本發明之一態樣係一種環境試驗裝置,該環境試驗裝置包括:設置空間,其設置上述評價基板;減壓機構,其對上述設置空間進行減壓;及加熱器供電機構,其對上述加熱器供電;且可於減壓下一面對試樣通電一面將試樣暴露於所需之溫度。
根據本態樣,可於減壓下一面對試樣通電一面將試樣暴露於所需之溫度。即,由於各試樣在與大氣壓相比為減壓下被通電,故而於作為熱介質之空氣之量較少之狀態下被評價,而熱不易傳熱至其他試樣。因此,可排除因試樣之發熱導致之試樣間之溫度之影響。因此,可準確地評價試樣之特性。
較理想為,減壓機構可將設置空間減壓至0kPa以上且50kPa以下。
根據該構成,由於減壓機構可將設置空間減壓至0kPa以上且50kPa以下,故而可將設置空間內設為低於大氣壓之真空狀態,而可將試樣真空隔熱。因此,不易受到對流等之影響,而可準確地進行評價。
更理想為,減壓機構可將設置空間減壓至10kPa以下。
根據該構成,減壓機構可將設置空間之壓力減壓至10kPa以下。該範圍係不會引起放電之程度之真空度,且成為經濟之真空度且達到真空之時間較短之真空度。
尤其理想為,可將設置空間調整為1.3kPa以上且10kPa以下之一定範圍之壓力。
根據該構成,可將設置空間調整為1.3kPa以上且10kPa以下之一定範圍之壓力。即,始終維持為低真空狀態。
若為該範圍,則於試驗室內存在少量氣體(例如空氣),因此,可產生自評價基板之適度之散熱,可使評價基板之加熱器之溫度控制性提昇。又,若真空度高於該範圍,則有自試樣產生放電現象之虞,但若為該範圍,則不易引起放電。
本發明之一態樣係一種試樣之評價方法,其係使用上述評價基板者,且於減壓下一面對試樣通電一面將複數個試樣暴露於所需之溫度,而對複數個試樣之溫度進行評價。
根據本態樣,於試樣間不易產生溫度不均,可準確地進行評價。
又,較理想為,藉由上述加熱器進行加熱,將試樣暴露於所需之溫度。
根據該方法,無論基板本體上之試樣之設置位置如何,均可無溫度不均地進行評價。
再者,較理想為,將上述所需之溫度設為50攝氏度以上且200攝氏度以下之範圍。
若設為上述範圍,則對其他試樣之輻射熱之影響較少。
根據本發明之評價基板,不易產生試驗溫度之不均,可準確地評價試樣之溫度特性。
根據本發明之環境試驗裝置,即便於評價自發熱之試樣之情形時,亦不易產生試驗溫度之不均,可準確地評價試樣之溫度特性。
根據本發明之試樣之評價方法,可準確地進行評價。
1‧‧‧評價基板
1A‧‧‧評價基板
1B‧‧‧評價基板
1C‧‧‧評價基板
1D‧‧‧評價基板
2‧‧‧基板本體
3‧‧‧安裝部
4‧‧‧溫度測定機構
5‧‧‧試樣用通電路徑(試樣通電路徑)
6‧‧‧絕緣層
7‧‧‧導電層
8‧‧‧加熱器
9‧‧‧絕緣層
10‧‧‧試樣
11‧‧‧安裝區域
12‧‧‧接頭區域
13‧‧‧導電性接著劑
15‧‧‧加熱器用通電路徑(通電路徑)
16‧‧‧導電層
17‧‧‧直線路徑
18‧‧‧曲路
20‧‧‧試樣用露出部(試樣用供電部)
21‧‧‧加熱器用露出部(加熱器用供電部)
21A‧‧‧加熱器用露出部
21B‧‧‧加熱器用露出部
30‧‧‧加熱器
31‧‧‧加熱器
32‧‧‧板狀構件
33‧‧‧加熱器
100‧‧‧環境試驗裝置
101‧‧‧試驗室
102‧‧‧平台
103‧‧‧真空泵(減壓機構)
104‧‧‧特性評價裝置
105‧‧‧母基板
105A‧‧‧母基板
105B‧‧‧母基板
106‧‧‧母用供電槽
107‧‧‧評價基板用槽
108‧‧‧邊緣接頭
110‧‧‧設置空間
111‧‧‧測定點
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之評價基板之立體 圖。
圖2係圖1之評價基板之分解立體圖。
圖3係圖1之評價基板之俯視圖。
圖4係自背面觀察圖3之評價基板之俯視圖。
圖5係概念性地表示對評價基板進行評價之環境試驗裝置之立體圖。
圖6係安裝於圖5之環境試驗裝置之母基板之立體圖。
圖7係表示圖1之評價基板之測定狀況之說明圖。
圖8係第2實施形態之評價基板之立體圖。
圖9係第3實施形態之評價基板之分解立體圖。
圖10係第4實施形態之評價基板之剖面圖。
圖11係第5實施形態之評價基板之分解立體圖。
圖12係第6實施形態之評價基板之分解立體圖。
圖13係第7實施形態之評價基板之俯視圖。
圖14係第8實施形態之評價基板之俯視圖。
圖15係第9實施形態之環境試驗裝置之立體圖。
圖16係第10實施形態之環境試驗裝置之立體圖。
以下,對本發明之第1實施形態詳細地進行說明。
再者,於以下之說明中,只要事先未特別說明,則上下之位置關係係以通常之設置位置(圖1)為基準進行說明。
第1實施形態之評價基板1係藉由一面對作為評價對象之試樣10通電,一面將試樣10暴露於特定之溫度,而用以評價試樣10之溫度特性的基板。
評價基板1係如圖1般於具有面狀之擴展形狀之基板本體2安裝有試樣10之印刷基板。若如圖3般俯視,則評價基板1包括安裝區域11及 接頭區域12。
安裝區域11係如圖3般安裝試樣10等之區域,且係形成試樣10之評價環境之部位。
接頭區域12係可與其他構件連接之區域,且係被稱為所謂邊緣接頭之部位。接頭區域12係作為用以對安裝於安裝區域11之試樣10等供電之供電部發揮功能之部位。接頭區域12可與其他構件卡合。
而且,第1實施形態之評價基板1之特徵之一在於:安裝有加熱器8,該加熱器8可加熱基板本體2將試樣10暴露於所需之溫度。
基於此,以下對評價基板1之構成進行說明。
如圖1、圖2般,評價基板1係於基板本體2之一主面側(上表面側)設置有複數個安裝部3、通過各安裝部3之試樣用通電路徑5(試樣通電路徑)、及溫度測定機構4,進而自其上方被覆有絕緣層6。
又,如根據圖1、圖2可理解般,評價基板1係於基板本體2之另一主面側(下表面側)設置有作為本發明之特徵之加熱器8,進而,自其下側被覆有絕緣層9。
基板本體2係具有面狀之擴展形狀之板狀基板,且具有於懸臂狀地支持時不會彎曲之剛性。
基板本體2之材質只要具有上述剛性及耐熱性,則並無特別限定,但就容易進行蝕刻處理之觀點而言,較佳為玻璃-環氧樹脂製(FR4製)。
基板本體2之厚度較佳為設為可高效率地進行利用加熱器8之向評價基板1之熱傳導之範圍。
如根據圖1、圖2可理解般,安裝部3係與試樣用通電路徑5連續之部位,且係經由焊料等導電性接著劑13而安裝試樣10之部位。安裝部3可對所安裝之試樣10供電。
試樣用通電路徑5由積層於基板本體2之導電層7形成。
具體而言,試樣用通電路徑5係藉由蝕刻於基板本體2上具有擴展形狀地設置之導電層7而被圖案化為所需之形狀而形成。
例如,試樣用通電路徑5係於基板本體2上之導電層7形成所需之抗蝕圖案。而且,試樣用通電路徑5係於去除導電層7之該抗蝕圖案以外之部位之後去除抗蝕圖案而形成。
試樣用通電路徑5跨及安裝區域11及接頭區域12而形成,可藉由自接頭區域12與其他構件連接而通電。
作為導電層7,只要具有導電性則並無特別限定,但就廉價且可容易蝕刻之觀點而言,較佳為銅箔。
溫度測定機構4係公知之溫度感測器,可測定評價基板1之溫度,並將測定溫度發送至外部之微電腦等。
絕緣層6係具有絕緣性之樹脂層,且係公知之阻焊劑。
加熱器8由以安裝區域11之基板本體2之面內溫度分佈變得均等之方式分佈之加熱器用通電路徑15形成。
較佳為加熱器8以通電時之安裝區域11之基板本體2之面內溫度分佈收斂於-1攝氏度以上且1攝氏度以下之方式形成有加熱器用通電路徑15。就使溫度分佈更小之觀點而言,更佳為以成為-0.5攝氏度以上且0.5攝氏度以下之方式形成有加熱器用通電路徑15。
加熱器用通電路徑15係細長地延伸之通電線路,且係寬度較全長窄之導電路徑。加熱器用通電路徑15係於安裝區域11以於基板本體2上延伸至各個角落之方式形成。
具體而言,如圖4所示,加熱器用通電路徑15於安裝區域11呈波狀地蜿蜒,其端部延伸至接頭區域12。加熱器用通電路徑15由呈直線狀延伸之複數個直線路徑17、及呈圓弧狀回折之複數個曲路18形成。
直線路徑17於基板本體2之下表面上分別於寬度方向平行地排列,曲路18以連接鄰接之直線路徑17、17之端部間之方式連接。即, 曲路18亦可稱為變更加熱器用通電路徑15之延伸方向之方向轉換機構。
加熱器用通電路徑15係由印刷配線形成者,且由積層於基板本體2之箔狀之導電層16形成。具體而言,其係藉由蝕刻將於基板本體2上具有擴展形狀地設置之導電層16圖案化為上述形狀而形成。
蝕刻之方法並無特別限定,主要使用濕式蝕刻。
作為導電層16,只要係具有導電性者則並無特別限定,但就廉價且可容易地蝕刻之觀點而言,較佳為銅箔。又,就電阻相對較高而發熱效率較高之觀點而言,較佳為鐵箔。
加熱器用通電路徑15跨及安裝區域11及接頭區域12而形成,可自接頭區域12與其他構件通電。
而且,加熱器用通電路徑15藉由自其他構件被供電,且藉由導電層16之內部電阻而發熱,而可加熱基板本體2以使其成為所需之溫度。
加熱器用通電路徑15之截面面積係根據試樣10之測定溫度等適當設計。只要可藉由利用內部電阻之發熱而進行加熱即可。較佳為當加熱基板本體2時,溫度以適當之速度上升之範圍。
本實施形態之加熱器用通電路徑15之寬度於安裝區域11大致相同,加熱器用通電路徑15之厚度於安裝區域11亦大致相同。即,加熱器用通電路徑15遍及全長具有大致相同之電阻值。
絕緣層9係具有絕緣性之樹脂層,且係公知之阻焊劑。
試樣10例如係元件或電阻等公知之試樣。於本實施形態中,試樣10為電阻,係藉由通電而自發熱之發熱體。
繼而,對安裝有試樣10之評價基板1之各部位之位置關係進行說明。
於基板本體2之單側主面(上表面)上,如圖3所示,於安裝區域11 配置有複數個安裝部3。各安裝部3於寬度方向x(相對於厚度方向正交之一方向)及長度方向y(相對於厚度方向正交且相對於寬度方向正交之方向)空開特定之間隔而排列。
較佳為各安裝部3於安裝區域11,以鄰接之安裝部3間之距離成為等間隔之方式均等地分佈於基板本體2上。
試樣用通電路徑5如圖3所示般於安裝區域11與各安裝部3連接,於接頭區域12具有自絕緣層6露出之試樣用露出部20(試樣用供電部)。即,藉由對該試樣用露出部20連接其他構件,可經由試樣用通電路徑5而對各安裝部3通電。
如圖4所示,加熱器用通電路徑15於接頭區域12具有自絕緣層9露出之加熱器用露出部21(加熱器用供電部)。藉由對加熱器用露出部21連接其他構件,可對加熱器用通電路徑15通電。即,加熱器用通電路徑15形成自一個加熱器用露出部21A(21)經由安裝區域11之直線路徑17及曲路18連接於另一加熱器用露出部21B(21)之一系統之導電路徑。
如圖2所示,溫度測定機構4處於絕緣層6之上側,且以避開加熱器用通電路徑15之構件厚度方向之投影面上之方式配置。
試樣10藉由焊料等導電性接著劑13而接著於各安裝部3,而與評價基板1一體化。即,試樣10經由安裝部3而與試樣用通電路徑5電性連接。
絕緣層6以基板本體2為基準,於上下方向(相對於主面垂直之方向)上被覆試樣用通電路徑5之外側。又,絕緣層9以基板本體2為基準被覆加熱器用通電路徑15之外側。
繼而,對適於使用安裝有上述試樣10之評價基板1時之環境試驗裝置100進行說明。
如根據圖5、圖7可理解般,環境試驗裝置100包括試驗室101、 平台102、真空泵103(減壓機構)、特性評價裝置104、及未圖示之微電腦。
試驗室101係具有設置連接有複數個評價基板1之母基板105之設置空間110之殼體。
如圖6所示,平台102由可連接評價基板1之母基板105、及連接於外部電源之母用供電槽106形成。
母基板105係公知之母板,如圖6所示,包括連接評價基板1之1個或複數個評價基板用槽107、及對各評價基板用槽107供電之邊緣接頭108。
母基板105安裝有未圖示之公知之整流電路。母基板105具有至少2系統之電路,可自評價基板用槽107向評價基板1獨立地供給直流電力及交流電力(例如商用電力)。
評價基板用槽107係固定評價基板1之部位,可與評價基板1之接頭區域12卡合。
又,評價基板用槽107藉由與評價基板1卡合而可對試樣用露出部20供給直流電力,且可對加熱器用露出部21供給交流電力。即,評價基板用槽107為試樣供電機構,並且亦為加熱器供電機構。
邊緣接頭108可與母用供電槽106卡合,可藉由卡合而與母用供電槽106電性連接。
真空泵103係公知之真空泵。真空泵103可對試驗室101內之設置空間110進行減壓,且可藉由微電腦控制而調整為特定範圍之壓力。
特性評價裝置104係測定、評價試樣10之溫度特性之裝置。具體而言,其係將圖7所示之安裝部3與試樣10之連接部位、即導電性接著劑13作為測定點111進行測定、評價者。
繼而,對環境試驗裝置100之各構件之位置關係進行說明。
如圖5所示,母用供電槽106於試驗室101之內部側面設置有複數 個。母基板105之邊緣接頭108安裝於母用供電槽106,母基板105朝向相對於試驗室101之內部側面交叉之方向。於本實施形態中,母基板105朝向相對於試驗室101之內部側面垂直之方向,而成為縱向姿勢(上下延伸之姿勢)。
評價基板1之接頭區域12安裝於評價基板用槽107,評價基板1朝向相對於母基板105之主面交叉之方向。於本實施形態中,評價基板1朝向相對於母基板105之主面垂直之方向,而成為縱向姿勢(垂直地延伸之姿勢)。即,於本實施形態中,評價基板1以相對於試驗室101之內部側面對面之方式安裝。
例如,圖5所示之評價基板1A(1)於一片母基板105上與在水平方向上鄰接之評價基板1B(1)平行。又,評價基板1A(1)與在上下方向上鄰接之評價基板1D(1)排列於同一直線上。
再者,一評價基板1和與該一評價基板1在上下方向上鄰接之另一評價基板1之關係亦可未必為排列於同一直線上之關係。
繼而,對使用環境試驗裝置100之試樣10之評價方法進行說明。
首先,使用導電性接著劑13將複數個試樣10接著於各安裝部3,將試樣10安裝於評價基板1。於本實施形態中,將複數個試樣10焊接而接著於各安裝部3。
此時,於1片評價基板1上安裝複數個試樣10。於本實施形態中,如圖1所示,於1片評價基板1上安裝有4個試樣10。
其後,如圖6所示般將安裝有試樣10之評價基板1之接頭區域12插入母基板105之評價基板用槽107。
此時,評價基板1成為相對於母基板105之主面交叉之姿勢。即,評價基板1係藉由於評價基板用槽107卡合接頭區域12而相對於母基板105呈懸臂狀地被支持。
而且,於試驗室101內之母用供電槽106插入母基板105之邊緣接 頭108,如圖7所示般於各安裝部3與試樣10之連接部位連接特性評價裝置104。
其後,將圖5所示之試驗室101設為密閉空間,藉由真空泵103將試驗室101內抽真空,使設置空間110減壓至成為特定之壓力以下。
此時,設置空間110被減壓至0kPa以上且50kPa以下。就成為經濟且達到真空之時間較短之真空度之觀點而言,設置空間110較佳為被減壓至10kPa以下。於本實施形態中,就成為不會引起放電之程度之壓力之觀點而言,以成為1.3kPa以上且10kPa以下之範圍之方式進行減壓控制。
即,設置空間110成為低真空狀態。
而且,將設置空間110減壓至成為特定之真空度以下為止,若真空度穩定,則對加熱器8通電,而加熱基板本體2。
此時,藉由將設置於絕緣層6上之溫度測定機構4之測定溫度接收至微電腦,由微電腦啟閉控制向加熱器8之電力輸出,而以成為所需之溫度之方式進行控制。
能以基板本體2之溫度成為50攝氏度以上且200攝氏度以下之範圍之任意值之方式進行控制,於本實施形態中,以成為100攝氏度左右之方式進行控制。
再者,向加熱器8之電力輸出控制可為比例控制,亦可為PID(Proportional Integral Derivative,比例-積分-微分)控制。
若基板本體2被加熱而成為試樣10之溫度被暴露於特定之溫度之狀態,則對試樣10通電,藉由特性評價裝置104測定安裝部3與試樣10之連接部位之溫度,對試樣10之溫度特性進行評價。
根據本實施形態之環境試驗裝置100,於評價時,將設置空間110內維持為低真空,各試樣10被真空隔熱。即,由於在相較大氣壓為減壓下進行測定,故而可防止因試樣10自身之發熱而對其他試樣10造成 溫度影響。
又,於本實施形態中,試樣10之試驗溫度為較低之100攝氏度左右,因此,試樣10之輻射熱對其他試樣10造成之溫度影響較少。
於上述實施形態中,將試樣10排列成縱橫網格狀,但本發明並不限定於此,試樣10之排列並無特別限定。例如,亦可如圖8所示般於基板本體2上將試樣10排列成鋸齒狀(第2實施形態)。
於上述實施形態中,藉由對與基板本體2一體化之導電層16進行蝕刻而形成有加熱器用通電路徑15,但本發明並不限定於此,亦可將不同體之加熱器安裝於基板本體2。
再者,加熱器之安裝方法及種類並無特別限定。
例如,亦可如圖9所示般藉由接著劑等而於基板本體2安裝具有面狀之加熱部之加熱器30或線狀或箔狀之加熱器(第3實施形態)。又,亦可如圖10所示般藉由利用基板本體2與板狀構件32夾持線狀、板狀或箔狀之加熱器31而使加熱器31與基板本體2接觸而進行安裝(第4實施形態)。
又,亦可如圖11所示般設為藉由2片基板本體2夾持線狀、板狀或箔狀之加熱器33之積層構造(第5實施形態)。於此情形時,由於試樣10可安裝於該積層構造之兩面,故而可縮小設置評價基板之空間。
例如,於線狀之加熱器之情形時,可使用鎳鉻合金線,於箔狀或板狀之加熱器之情形時,可使用鐵箔或鐵板之衝壓物。
又,亦可於在基板本體2安裝加熱器時,使基板本體2或加熱器之至少一者熔合而一體化。
於上述實施形態中,使用1系統之加熱器用通電路徑15加熱基板本體2,但本發明並不限定於此,亦可使用複數系統之加熱器用通電路徑15加熱基板本體2。於此情形時,較佳為如圖12所示般於基板本體2之下表面平行地排列複數行複數系統(於圖中2系統)之加熱器用通 電路徑15(第6實施形態)。
於上述實施形態中,安裝區域11中之基板本體2上之加熱器用通電路徑15之分佈一樣,但本發明並不限定於此,加熱器用通電路徑15之分佈亦可不一樣。
例如,於在空氣中對評價基板1進行評價之情形時,加熱器用通電路徑15藉由存在之空氣,自基板本體2之面方向之外側(基板本體2之緣側)被冷卻而溫度降低。於用於此種情形時,亦可如圖13所示般縮小加熱器用通電路徑15之外側部位之截面面積而增加發熱量(第7實施形態)。
於上述實施形態中,將加熱器用通電路徑15以於基板本體2之背面呈波形線狀延伸之方式形成,但本發明並不限定於此,只要為基板本體2整體被加熱之形狀即可。例如,亦可如圖14般將加熱器用通電路徑15形成為螺旋狀(第8實施形態)。
於上述實施形態中,於試驗室101內各評價基板1以分別於水平方向平行之方式固定,但本發明並不限定於此,試驗室101內之各評價基板1之設置位置及姿勢並無特別限定。例如,亦可如圖15所示般將評價基板1固定為橫向姿勢(第9實施形態)。此時,評價基板1A(1)於一片母基板105上與在水平方向上鄰接之評價基板1B(1)排列於同一直線上。又,評價基板1A(1)與在上下方向鄰接之評價基板1C(1)平行。再者,一評價基板1與在母基板105上與一評價基板1在水平方向上鄰接之另一評價基板1之關係亦可未必為排列於同一直線上之關係。
於上述實施形態中,於試驗室101內,各母基板105以分別於水平方向平行之方式固定,但本發明並不限定於此,試驗室101內之各母基板105之設置位置及姿勢並無特別限定。例如,亦可如圖16所示般將母基板105固定為橫向姿勢(第9實施形態)。此時,母基板105A(105)與在上下方向鄰接之母基板105B(105)平行。
於上述實施形態中,使用銅箔作為導電層16,但本發明並不限定於此,亦可使用伴隨著溫度上升而內部電阻變大且電流密度降低之材質者。
於上述實施形態中,以設置空間110內成為1.3kPa以上且10kPa以下之範圍之方式進行減壓控制,但本發明並不限定於此,只要成為50kPa以下即可。例如,亦可藉由真空泵103始終進行減壓。
於上述實施形態中,溫度測定機構4設置於絕緣層6之上表面,但本發明並不限定於此,只要可測定基板本體2之溫度即可。即,溫度測定機構4可處於基板本體2之任一部位,亦可設置於絕緣層9之下表面。又,溫度測定機構4亦可設置於基板本體2。
於上述實施形態中,藉由蝕刻而形成試樣用通電路徑5及加熱器用通電路徑15,但本發明並不限定於此,亦可藉由印刷法將導電膏塗佈於基板本體2,而形成試樣用通電路徑5及/或加熱器用通電路徑15。
於上述實施形態中,於設置空間110被減壓至特定之真空度以下且真空度穩定之後,對加熱器8通電而加熱基板本體2,但本發明並不限定於此,亦可與減壓同時對加熱器8通電而加熱基板本體2。
於上述實施形態中,於環境試驗裝置100內進行安裝於評價基板1之試樣10之評價,但本發明並不限定於此,亦可不進行減壓而於大氣中進行。
於上述實施形態中,於環境試驗裝置100之試驗室101內設置複數個評價基板1而進行試樣10之評價,但本發明並不限定於此,亦可僅藉由1片評價基板1進行評價。
於上述實施形態中,於環境試驗裝置100之試驗室101內設置複數個安裝有評價基板1之母基板105進行試樣10之評價,但本發明並不限定於此,亦可僅利用1片母基板105進行評價。
1‧‧‧評價基板
2‧‧‧基板本體
3‧‧‧安裝部
4‧‧‧溫度測定機構
5‧‧‧試樣用通電路徑(試樣通電路徑)
6‧‧‧絕緣層
7‧‧‧導電層
8‧‧‧加熱器
9‧‧‧絕緣層
15‧‧‧加熱器用通電路徑(通電路徑)
16‧‧‧導電層

Claims (9)

  1. 一種試驗裝置,其係使用評價基板而進行試驗者,該評價基板係一面對試樣通電一面將試樣暴露於所需之溫度而用以評價試樣者,其特徵在於包含:可供電至上述評價基板之母基板;且上述評價基板可與其他評價基板一同連接於母基板,且包括基板本體,其具有面狀之擴展形狀;安裝部,其可安裝上述試樣;及加熱器,其加熱上述基板本體;且於上述評價基板,上述安裝部位於上述基板本體之一主面側,於上述基板本體之另一主面側,上述加熱器呈面狀地分佈且被一體化,上述評價基板之主面朝向相對於上述母基板之主面交叉之方向而安裝。
  2. 如請求項1之試驗裝置,其中上述加熱器係由導電層構成之寬度較全長窄之通電路徑,藉由對上述通電路徑通電而使上述通電路徑發熱。
  3. 如請求項1之試驗裝置,其中上述加熱器係寬度較全長窄之一系統或複數系統之通電路徑,且上述通電路徑具有複數個曲路,藉由對上述通電路徑通電而使上述通電路徑發熱。
  4. 如請求項1之試驗裝置,其中上述加熱器係蝕刻較寬地設置於上述基板本體之導電層而形成之寬度較全長窄之導電路徑。
  5. 如請求項1之試驗裝置,其中上述評價基板為印刷基板,上述加熱器為由印刷配線形成之寬度較全長窄之通電線路。
  6. 如請求項1之試驗裝置,其包括:設置空間,其設置上述評價基板;減壓機構,其對上述設置空間進行減壓;及加熱器供電機構,其對上述加熱器供電;且可於減壓下一面對試樣通電一面將試樣暴露於所需之溫度。
  7. 如請求項1之試驗裝置,其包括:設置空間,其設置上述評價基板;減壓機構,其對上述設置空間進行減壓;及加熱器供電機構,其對上述加熱器供電;且滿足以下(1)或(2)之條件而評價試樣時,可於減壓下一面對試樣通電一面將各試樣暴露於所需之溫度:(1)評價基板包括基板本體,其具有面狀之擴展形狀;複數個安裝部,其可安裝上述試樣;及加熱器,其加熱上述基板本體;且複數個安裝部位於上述基板本體之一主面側而分佈,於上述基板本體之另一主面側,上述加熱器呈面狀地分佈且被一體化;(2)複數個評價基板配置於上述設置空間,上述評價基板包括基板本體,其具有面狀之擴展形狀;安裝部,其可安裝上述試樣;及加熱器,其加熱上述基板本體;且安裝部位於上述基板本體之一主面側,於上述基板本體之另一主面側,上述加熱器呈面狀地分佈且被一體化。
  8. 如請求項1至7中任一項之試驗裝置,其中於上述基板本體之端部設置有加熱器用供電部,該加熱器用供電部連接於上述加熱器,上述加熱器用供電部可卡合於其他構件,藉由與其他構件卡合而對上述加熱器用供電部通電。
  9. 一種試樣之評價方法,其特徵在於:其係使用評價基板及可供電至上述評價基板之母基板,與其他評價基板一同地將上述評 價基板之主面朝向相對於母基板之主面交叉之方向而連接並進行試樣之評價者,該評價基板包括基板本體,其具有面狀之擴展形狀;安裝部,其可安裝上述試樣;及加熱器,其加熱上述基板本體;且上述安裝部位於上述基板本體之一主面側,於上述基板本體之另一主面側,上述加熱器呈面狀地分佈且被一體化;且於減壓下一面對試樣通電一面將複數個試樣暴露於所需之溫度,而評價複數個試樣之溫度。
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