TWI592513B - 具索引之直線式基板製程工具 - Google Patents

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TWI592513B
TWI592513B TW102134793A TW102134793A TWI592513B TW I592513 B TWI592513 B TW I592513B TW 102134793 A TW102134793 A TW 102134793A TW 102134793 A TW102134793 A TW 102134793A TW I592513 B TWI592513 B TW I592513B
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Description

具索引之直線式基板製程工具
本發明之實施例大體係關於半導體處理設備。
習知基板處理系統往往使用單製程腔室來執行製程之多個步驟。舉例而言，單製程腔室可用於快速加熱、沉積材料，且隨後冷卻基板。然而，本發明者已經觀察到，執行上述任務所需之連續加熱、冷卻以及供應不同供應製程資源使系統為低能效的且因此操作成本高昂。
因此，本發明者已提供了可解決上述一些或所有問題之具索引之直線式基板製程工具的實施例。
本文提供一種具索引之直線式基板製程工具及其方法或使用。在一些實施例中，具索引之直線式基板製程工具可包括：具有基底以及相對的基板支撐件對的基板載體，該相對的基板支撐件對具有從基底向上以及向外延伸之各別基板支撐表面；以及以直線排列耦接至彼此的複數個模組，其中複數個模組之每一模組包含具有第一端、第二端以及下表面的外殼，以支撐基板載體並且為基板載體提供從複數個模 組之第一模組直線地移動穿過複數個模組，穿過任何居間模組，到達複數個模組之最後模組的路徑，以及其中複數個模組之至少一個模組包含：設置在外殼之側面以允許將輻射熱提供到外殼中的窗口；耦接至外殼之側面以提供穿過窗口進入外殼之輻射熱的加熱燈；貼近外殼之頂部設置以提供進入外殼之處理氣體的進氣口；以及與進氣口相對設置以從外殼移除處理氣體的排氣口。
在一些實施例中，提供一種用具索引之直線式磊晶沉積工具將材料沉積在基板上的方法，具索引之直線式磊晶沉積工具包含以直線排列耦接至彼此的複數個模組，其中複數個模組之每一模組包含具有第一端、第二端以及下表面的外殼，以支撐基板載體並且為基板載體提供從複數個模組之第一模組直線地移動穿過複數個模組，穿過任何居間模組，到達複數個模組之最後模組的路徑，以及其中複數個模組之至少一個模組包含：設置在外殼之側面以允許將輻射熱提供到外殼中的窗口，耦接至外殼之側面以提供穿過窗口進入外殼之輻射熱的加熱燈，貼近外殼之頂部設置以提供進入外殼之處理氣體的進氣口，以及與進氣口相對設置以從外殼移除處理氣體的排氣口，該方法可包括以下步驟：為複數個模組之第一模組提供基板載體，該基板載體具有設置在基板載體中的第一組基板；在第一組基板上執行磊晶沉積製程的第一步驟；為第一模組提供具有設置在第二基板載體中之第二組基板的第二基板載體，其中第二基板載體將第一基板載體推至複數個模組之第二模組；以及在第一模組中的第二組基板 上執行磊晶沉積製程之第一步驟，同時在第二模組中的第一組基板上執行磊晶沉積製程之第二步驟。
下文描述本發明之其他及進一步實施例。
100‧‧‧直線式基板製程工具
102A‧‧‧第一模組
102B‧‧‧第二模組
102C‧‧‧第三模組
102D‧‧‧第四模組
102E‧‧‧第五模組
102F‧‧‧第六模組
102G‧‧‧第七模組
104‧‧‧裝載模組
106‧‧‧卸載模組
108‧‧‧回傳路徑箭頭
110‧‧‧清潔模組
112‧‧‧模組
114‧‧‧第一端
116‧‧‧第二端
118‧‧‧阻障層
120‧‧‧軌道
122‧‧‧箭頭
202‧‧‧外殼
204‧‧‧底部
206‧‧‧下表面
208‧‧‧進氣口
214‧‧‧窗口
216‧‧‧第一端
218‧‧‧第二端
219‧‧‧阻障層
221‧‧‧排氣口
224‧‧‧凹口
226‧‧‧凹口
228‧‧‧滾輪
230‧‧‧頂部
231‧‧‧孔
233‧‧‧通路
302‧‧‧加熱燈
304‧‧‧加熱燈
306‧‧‧側面
308‧‧‧側面
402‧‧‧主體
406‧‧‧外氣槽
408‧‧‧氣孔
410‧‧‧氣體孔徑
502‧‧‧基板載體
504‧‧‧基板
505‧‧‧頂表面
506‧‧‧基板
507‧‧‧頂表面
508‧‧‧基板支撐件
510‧‧‧基板支撐件
512‧‧‧基底
514‧‧‧通道
516‧‧‧導管
518‧‧‧開口
520‧‧‧基板支撐表面
522‧‧‧基板支撐表面
524‧‧‧區域
526‧‧‧第一狹槽
527‧‧‧底表面
528‧‧‧第二狹槽
529‧‧‧頂表面
530‧‧‧背面
532‧‧‧背面
可藉由參照隨附圖式中圖示的本發明之說明性實施例理解上文簡要概述且下文更詳細論述之本發明的實施例。然而應注意的是，隨附圖式僅圖示本發明之典型實施例且因此不被視為限制本發明之範疇，因為本發明可許可其他等效實施例。
第1圖圖示根據本發明的一些實施例的具索引之直線式基板製程工具。
第2圖係根據本發明的一些實施例的具索引之直線式基板製程工具之模組的橫斷面視圖。
第3圖係根據本發明的一些實施例的具索引之直線式基板製程工具的模組。
第4圖係根據本發明的一些實施例的具索引之直線式基板製程工具的進氣口。
第5圖係根據本發明的一些實施例用於具索引之直線式基板製程工具的基板載體。
為了促進理解，儘可能在可能的地方使用相同的元件符號指示諸圖所共有之相同元件。未按比例繪製諸圖，且為了清晰可簡化諸圖。設想一個實施例之元件及特徵結構可有利地併入其他實施例而無需進一步詳述。
本文提供具索引之直線式基板製程工具及其使用方法的實施例。與用於執行多步驟基板製程的習知基板製程工具相比，本發明之具索引之直線式基板製程工具有利地提供低成本且簡單的可製造性以及低能及低成本的使用。儘管在範疇方面不具限制性，但是本發明者相信本發明之具索引之直線式基板製程工具可能對處理較大尺寸的基板(例如，450mm)以及較大的半導體基板、玻璃面板基板等尤其有利。
第1圖係根據本發明的一些實施例的具索引之直線式基板製程工具100。具索引之直線式基板製程工具100可大體經配置以對用於期望半導體應用的基板執行任一製程。舉例而言，在一些實施例中，具索引之直線式基板製程工具100可經配置以執行一或更多個沉積製程，例如磊晶沉積製程。
具索引之直線式基板製程工具100大體包含以直線排列耦接在一起的複數個模組112(圖示之第一模組102A、第二模組102B、第三模組102C、第四模組102D、第五模組102E、第六模組102F以及第七模組102G)。基板可如箭頭122所指示移動穿過具索引之直線式基板製程工具100。在一些實施例中，一或更多個基板可設置在基板載體(例如，下文關於第5圖所描述的基板載體502)上以促進一或更多個基板穿過具索引之直線式基板製程工具100的移動。
複數個模組112的每一者可個別地經配置以執行期望製程的一部分。藉由使用模組的每一者僅執行期望製程的一部分，複數個模組112的每一模組可經特別配置及/或最佳化以關於製程之彼部分最有效的方式操作，從而使具索引之 直線式基板製程工具100與用於執行多步驟製程之習知使用的工具相比更有效。
另外，藉由在每一模組中執行期望製程的一部分，提供給每一模組的製程資源(例如，電功率、處理氣體等)可由僅完成模組經配置以完成的製程之該部分所需之製程資源的量來決定，從而進一步使本發明之具索引之直線式基板製程工具100與用於執行多步驟製程之習知使用的工具相比更有效。
在具索引之直線式基板製程工具100的示例性配置中，在一些實施例中，第一模組102A可經配置以提供淨化氣體以例如從基板及/或基板載體移除雜質及/或將基板引入到適合氣氛中用於沉積。第二模組102B可經配置以預熱或執行溫度爬升以將基板之溫度提高到適於執行沉積的溫度。第三模組102C可經配置以執行烘焙以在沉積材料之前從基板移除揮發性雜質。第四模組102D可經配置以將期望材料沉積在基板上。第五模組102E可經配置以執行後沉積製程，例如退火製程。第六模組102F可經配置以冷卻基板。第七模組102G可經配置以提供淨化氣體以例如在從具索引之直線式基板製程工具100移除之前從基板及/或基板載體移除製程殘餘物。在不需要某些製程的實施例中，可省略經配置用於製程之彼部分的模組。舉例而言，若在沉積之後不需要退火，則經配置用於退火的模組(例如，上述示例性實施例中的第五模組102E)可被省略或可被經配置用於不同期望製程的模組替換。
複數個模組中的一些或所有模組可例如藉由阻障層118與鄰近的模組隔離或屏蔽，以促進維持相對於具索引之直線式基板製程工具100中之其他模組的隔離的處理容積。舉例而言，在一些實施例中，阻障層118可為在鄰近的模組之間提供以使模組彼此隔離或大體隔離的氣體幕簾(諸如，空氣幕簾或惰性氣體幕簾)。在一些實施例中，阻障層118可為可打開以允許基板載體從一個模組移動到下一個模組以及可關閉以隔離模組的閘門或門。在一些實施例中，具索引之直線式基板製程工具100可包括氣體幕簾與閘兩者，例如，使用氣體幕簾分隔一些模組並且使用閘門來分隔其他模組，及/或使用氣體幕簾及閘門來分隔一些模組。
在一些實施例中，藉由取決於氣體幕簾之位置使用氮氣或氬氣的淨化氣體幕簾提供隔離。舉例而言，將使用氬氣形成較熱處理區域中的氣體幕簾。遠離較熱處理區域且在閘門附近的較冷區域中的氣體幕簾可藉由氮氣提供以最小化操作成本。氮氣幕簾可僅用於每一模組的惰性冷區段。
閘門例如在序列的沉積部分期間為某些製程提供額外隔離。處理系統之較熱區域中的閘門可由石英製成以承受高溫。為了提供反射性閘門以朝處理區域往回反射能量(以及維持閘門低溫)，可提供複合閘門。舉例而言，鎳膜或反射性石英材料可設置在兩個石英板之間。對於其他區域，閘門可由其他製程相容的材料(諸如，拋光的不銹鋼)製成。
在一些實施例中，裝載模組104可設置在具索引之直線式基板製程工具100之第一端114處且卸載模組106可 設置在具索引之直線式基板製程工具100之第二端116處。在存在裝載模組104與卸載模組106時兩者可分別促進提供基板給具索引之直線式基板製程工具100以及從具索引之直線式基板製程工具100移除基板。在一些實施例中，裝載模組104與卸載模組106可提供抽真空以及返回到大氣壓力之功能，以促進基板從具索引之直線式基板製程工具100外側的大氣條件傳送到具索引之直線式基板製程工具100內部的條件(可包括真空壓力)。在一些實施例中，一或更多個基板載體移送機器人可用於從裝載模組104提供基板載體並且從卸載模組106移除基板載體，從而提供基板載體到具索引之直線式基板製程工具100的自動裝載以及從具索引之直線式基板製程工具100的自動卸載。
在一些實施例中，可沿具索引之直線式基板製程工具100之軸向長度提供軌道120以促進導引基板載體穿過具索引之直線式基板製程工具100。可沿安裝具索引之直線式基板製程工具100所在之設備之底板或其他基底表面提供軌道120。在此等實施例中，每一模組可經配置以經裝配使得軌道120可沿模組之暴露底部部分定位以促進基板載體沿軌道120移動並且穿過每一各別模組。或者，在模組以直線陣列裝配之後，則軌道120可安裝到模組之底表面。或者，軌道120之部分可安裝到每一個別模組之底表面，使得在以直線陣列裝配所有模組之後形成完整的軌道120。在一些實施例中，軌道120可包括滾輪以促進基板載體沿軌道120之低摩擦移動。在一些實施例中，諸如下文關於第2圖所描述，軌道120 可由低摩擦材料製成或可塗佈有低摩擦材料，以促進基板載體沿軌道120之低摩擦移動。
在一些實施例中，清潔模組110可設置在裝載模組104與卸載模組106之間。在存在清潔模組110的情況下，清潔模組110可清潔及/或使基板載體做好準備以接收用於後續貫穿具索引之直線式基板製程工具100的另一個或更多個基板(如由回傳路徑箭頭108所指示)。因此，基板載體可重複使用多次。
第2圖圖示模組(諸如，模組102D)之示例性配置的橫斷面視圖，該模組可用作如上所述複數個模組112之一或更多個模組，且在一些實施例中，可用作經配置用於將材料沉積在基板上的模組。儘管下文根據特定模組(102D)大體論述，但是以下論述大體適用於除僅是沉積製程特定所需之組件及/或配置外的所有模組。
參照第2圖，在一些實施例中，模組102D可大體包含外殼202。外殼202可由適於半導體處理的任一材料(例如，金屬，諸如鋁、不銹鋼等)製成。外殼202可具有適於容納經配置以傳送給定尺寸之一或更多個基板以及促進期望流動速率與分佈之基板載體(例如，如下所述之基板載體502)的任一尺寸。例如在一些實施例中，外殼可具有約24吋或約36吋之高度與長度以及約6吋之深度。
在一些實施例中，可藉由將複數個板耦接在一起以形成外殼202來裝配外殼202。每一外殼202可經配置以形成能夠執行製程之期望部分的特定模組(例如，模組102D)。 藉由以此方式裝配外殼202，可經由簡單且低成本的製程產生用於多個應用之多個數量的外殼202。
外殼之下表面206支撐基板載體且為基板載體提供直線移動穿過模組102D到達複數個模組之鄰近模組的路徑。在一些實施例中，下表面206可被配置為軌道120。在一些實施例中，下表面206可具有耦接至下表面206的軌道120，或軌道120之一部分。在一些實施例中，下表面206或軌道120可包含塗層，例如含有乾式潤滑劑(諸如，鎳合金(NiAl))的塗層，以促進基板載體穿過模組102D的移動。或者，或以組合形式，在一些實施例中，複數個滾輪(虛線圖示於228處)可設置在下表面206上方以促進基板載體穿過模組102D之移動。在此等實施例中，複數個滾輪228可由對製程環境無反應性的任一材料(例如，石英(SiO2))製成。
在一些實施例中，阻障層219可貼近外殼202之第一端216及/或第二端218設置(例如，以形成如第1圖中所圖示的阻障層118)。在存在阻障層219的情況下，阻障層219使複數個模組之每一模組與鄰近的模組屏蔽以防止模組之間的環境的交叉污染或混合。在一些實施例中，阻障層219可為由設置在模組102D上方之進氣口(例如，進氣口208)提供之氣體流(例如，淨化氣體)。或者，或以組合形式，在一些實施例中，阻障層219可為可移動閘門。在此等實施例中，閘門可由金屬(諸如鋁、不銹鋼等)製成。在一些實施例中，閘門之一或更多個側面可包含反射塗層以最小化模組102D的熱量損失。在一些實施例中，一或更多個凹口(圖 示之兩個凹口224、226)可形成在閘門中以促進使基板載體固定在模組102D內的期望位置中及/或以在處理期間在基板載體與阻障層219之間形成密封。
在一些實施例中，模組102D可包含設置在外殼之一或更多個側面中的一或更多個窗口，例如，如第2圖中所圖示，設置在外殼202之側面220中的窗口214。在存在窗口214的情況下，窗口214允許將輻射熱從例如與外殼202之內部相對地設置在窗口214之側面上的輻射熱燈提供到外殼202中。窗口214可由適於允許輻射熱穿過窗口214之通道同時在暴露於外殼202內的處理環境時防止退化的任一材料製成。舉例而言，在一些實施例中，窗口214可由石英(SiO2)製成。
在一些實施例中，模組102D可包括貼近外殼202之頂部230設置的進氣口208以提供經由形成在外殼202中之通孔231進入外殼202的處理氣體。進氣口208可以配置為適於提供期望處理氣體流給外殼202的任一方式。
舉例而言，參照第4圖，在一些實施例中，進氣口208可包含具有複數個氣體孔徑410的主體402。主體402可由任何適合材料(例如，石英(SiO2))製成。氣體孔徑410可經配置以提供期望處理氣體及/或淨化氣體流進入外殼202。舉例而言，在一些實施例中，氣體孔徑410可包含內氣孔408及外氣槽406，諸如第4圖所圖示。在此等實施例中，內氣孔408可提供處理氣體之噴流給外殼202之中心區域以促進處理。外氣槽406可提供淨化氣體之層流給外殼內的一或更多 個冷區(例如，貼近如上所述的窗口214)以減少或消除冷區內的材料沉積。
返回參照第2圖，在一些實施例中，模組102D可包含與進氣口208相對地耦接至外殼202之一部分(例如，底部204)的排氣口221，以促進經由形成在外殼202之底部204中的通路233從外殼202移除氣體。
參照第3圖，在一些實施例中，模組102D可包括耦接至外殼202之側面306、308的一或更多個加熱燈(圖示之兩個加熱燈302、304)。加熱燈302、304提供經由窗口214進入外殼202的輻射熱。加熱燈302、304可為適於提供進入外殼之充分輻射熱以執行模組102D內之製程的期望部分的任一類型的加熱燈。舉例而言，在一些實施例中，加熱燈302、304可為能夠提供波長為約0.9微米或在一些實施例中為約2微米之輻射熱的直線燈或分區直線燈。可基於期望應用選擇用於各種模組中之燈的波長。舉例而言，波長可經選擇以提供期望燈絲溫度。低波長燈泡價格比較低廉，使用較少功率，且可用於預熱。較長波長燈泡提供大功率以促進例如為沉積製程提供較高製程溫度。
參照第5圖，在一些實施例中，可提供基板載體502以支撐兩個或兩個以上基板且傳送兩個或兩個以上基板穿過具索引之直線式基板製程工具100。在一些實施例中，基板載體502可大體包括基底512以及一對相對的基板支撐件508、510。一或更多個基板(第5圖中所圖示之基板504、506)可設置在基板支撐件508、510的每一者上用於處理。
基底512可由適於在處理期間適於支撐基板支撐件508、510的任一材料(例如，石墨)製成。在一些實施例中，第一狹槽526及第二狹槽528可形成在基底512中以允許基板支撐件508、510至少部分地設置在第一狹槽526與第二狹槽528內，以使基板支撐件508、510保持在期望處理位置中。基板支撐件508、510大體向外略微成角度，使得基板支撐表面彼此大體相對且亦成「V」形排列。基底512需要是絕熱的(insulating)且將為透明或不透明的石英或者透明與不透明石英的組合以用於溫度管控。
通道514設置在基底512之底表面527中且開口518經設置從基底512之頂表面529穿過基底512達到通道514以形成一或更多種氣體流動穿過基底512的路徑。舉例而言，在基板載體502設置在模組(諸如，如上所述之模組102D)中時，開口518與通道514促進氣流從進氣口(例如，如上所述之進氣口208)到達模組之排氣口(例如，如上所述之模組102D的排氣口221)。托架可由石英製成，其中排氣口與清潔通道可被加工成設置在石英下方的石英或金屬基底。可提供擋板以促進均勻化穿過基底512的流。
在一些實施例中，基底512可包括設置在基底512內並且限定通道514的導管516。導管516可具有沿導管516之長度形成的一或更多個開口，該一或更多個開口將導管516流體耦接至通道514以允許氣流從導管516到達通道514。在一些實施例中，儘管基板載體502設置在模組中，但是可提供清潔氣體給導管516與通道514以促進沉積材料從通道514 移除。清潔氣體可為適於從模組移除特定材料的任一氣體。舉例而言，在一些實施例中，清潔氣體可包含又一種含氯氣體，諸如氯化氫(HCl)、氯氣(Cl2)等。或者，在一些實施例中，惰性氣體可提供給導管516與通道514，以藉由在流動穿過通道與通道之表面的排出氣體之間形成阻障層來最小化材料在通道514上的沉積。
基板支撐件508、510可由適於在處理期間支撐基板504、506的任一材料製成。舉例而言，在一些實施例中，基板支撐件508、510可由石墨製成。在此等實施例中，石墨可塗佈有例如碳化矽(SiC)以提供對退化的抵抗及/或最小化基板污染。
相對的基板支撐件508、510包含從基底512向上以及向外延伸之各別基板支撐表面520、522。因此，在基板504、506設置在基板支撐件508、510上時，基板504、506之每一者的頂表面505、507面向彼此。使基板504、506在處理期間面朝彼此有利地在基板之間產生輻射腔(例如，在基板支撐件508、510之間的區域524中)，該輻射腔提供均勻且對稱的熱量給基板504、506兩者，因此改良在基板504、506之間的製程均勻性。
在一些實施例中，在處理期間，提供處理氣體至在基板支撐件508、510之間的區域524，同時貼近基板支撐件508、510之背面530、532設置的熱源(例如，如上所述的加熱燈302、304)提供熱量給基板504、506。與在熱源與基板支撐件之間提供處理氣體的習知處理系統相比，提供處理氣 體至在基板支撐件508、510之間的區域524有利地減少處理氣體暴露至模組之內部組件，因此減少模組內之冷點(例如，模組之壁、窗口等)上的材料沉積。另外，本發明者已經觀察到，藉由經由基板支撐件508、510之背面530、532加熱基板504、506，模組內的任何雜質將沉積在基板支撐件508、510之背面530、532上而非基板504、506上，從而有利地允許具有高純度及低粒子計數的材料沉積在基板504、506頂部。
在如以上諸圖中所述之具索引之直線式基板製程工具100的操作中，將具有設置在基板載體502中之第一組基板(例如，基板504、506)的基板載體502提供給第一模組(例如，第一模組102A)。在存在阻障層的情況下，第一模組之第一側面及/或第二側面上的阻障層(例如，阻障層118或阻障層219)可關閉或打開以促進隔離第一模組。然後可對第一組基板執行製程的第一部分(例如，沉積製程之淨化步驟)。在完成製程之第一部分之後，將具有設置在第二基板載體中之第二組基板的第二基板載體提供給第一模組。在將第二基板載體提供給第一模組時，第二基板載體將第一載體推至第二模組(例如，第二模組102B)。然後對第一模組中的第二組基板執行製程之第一部分，而對第二模組中的第一組基板執行製程之第二部分。重複添加後續基板載體以將每一基板載體提供至固定位置(亦即，期望模組內)，因此提供基板載體之機械索引。隨著製程的完成，可經由卸載模組(例如，卸載模組106)從具索引之直線式基板製程工具100移除基板載體。
儘管上文針對本發明之實施例，但可在不脫離本發明之基本範疇的情況下設計本發明之其他實施例與進一步實施例。
100‧‧‧具索引之直線式基板製程工具
102A‧‧‧第一模組
102B‧‧‧第二模組
102C‧‧‧第三模組
102D‧‧‧第四模組
102E‧‧‧第五模組
102F‧‧‧第六模組
102G‧‧‧第七模組
104‧‧‧裝載模組
106‧‧‧卸載模組
108‧‧‧回傳路徑箭頭
110‧‧‧清潔模組
112‧‧‧模組
114‧‧‧第一端
116‧‧‧第二端
118‧‧‧阻障層
120‧‧‧軌道
122‧‧‧箭頭

Claims (13)

  1. 一種具索引之直線式基板製程工具，包含：一基板載體，該基板載體具有：一基底，該基底沿著該具索引之直線式基板製程工具的一底部水平設置；一相對之基板支撐件對，該相對之基板支撐件對具有從該基底的一頂表面向上以及向外延伸、設置為「v」形之各別基板支撐表面，其中該相對之基板支撐件對之每一者僅被沿著該基板支撐件的一底部支撐，且其中該基板支撐件對經配置以支撐至少一個基板，使得設置在該基板支撐件對的一第一基板支撐件上的每一基板的一頂表面，面向設置在該基板支撐件對的一第二基板支撐件上的另一基板的一頂表面；及複數個狹槽，該等複數個狹槽形成在該基底之該頂表面中，其中該等複數個基板支撐件的每一者部分地設置在該等複數個狹槽的一各別每一者中；及複數個模組，該等複數個模組以一直線排列耦接至彼此，其中該等複數個模組之每一模組包含具有一第一端、一第二端以及一下表面的一外殼，以支撐該基板載體並且為該基板載體提供從該等複數個模組之一第一模組直線地移動穿過該等複數個模組，穿過任何居間模組，到達該等複數個模組之一最後模組的一路徑，以及其中該等複數個模組之至少一個模組包含：一窗口，該窗口設置在該外殼之一側面中以允許將輻 射熱提供到該外殼中；一加熱燈，該加熱燈耦接至該外殼之該側面以提供穿過該窗口進入該外殼之輻射熱；一進氣口，該進氣口貼近該外殼之一頂部設置以提供進入該外殼的一處理氣體；及一排氣口，該排氣口與該進氣口相對設置以從該外殼移除該處理氣體。
  2. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該基底由石墨製成。
  3. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，進一步包含設置在該等複數個模組之每一模組與一鄰近模組之間以使每一模組與該鄰近模組屏蔽的一阻障層。
  4. 如請求項3所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該阻障層係一可移動閘門或一氣體淨化幕簾中的一者。
  5. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該等複數個模組之每一模組經配置以執行一氣體淨化、基板溫度爬升、基板烘焙、材料沉積、後材料沉積處理或基板冷卻中的一者。
  6. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該模組進一步包含在該等複數個模組之一內表面上的複數個滾輪以允許該基板載體移動穿過該等複數個模組。
  7. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該基板載體在一軌道上滑動穿過該等複數個模組。
  8. 如請求項7所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該等複數個模組進一步包含設置在該等複數個模組之至少一個模組之一內表面上的一潤滑劑。
  9. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該等複數個模組進一步包含設置在該等複數個模組之至少一個模組之一內表面上的一石英襯裡。
  10. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，進一步包含：一裝載模組，該裝載模組設置在該具索引之直線式基板製程工具之一第一端處以提供該基板載體給該具索引之直線式基板製程工具；及一卸載模組，該卸載模組設置在該具索引之直線式基板製程工具之與該第一端相對的一第二端處，以從該具索引之直線式基板製程工具移除該基板載體。
  11. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，進一步包含：一清潔模組，該清潔模組設置在該等複數個模組之該最後模組之後及該等複數個模組之該第一模組之前以清潔該基板載體。
  12. 如請求項1所述之具索引之直線式基板製程工具，其中該進氣口包含：一第一組氣體孔徑，該等氣體孔徑經配置以將一處理氣體噴流提供到該外殼中；及一第二組氣體孔徑，該等氣體孔徑經配置以將一處理氣體之層流提供到該外殼中。
  13. 一種具索引之直線式基板製程工具，包含：一基板載體，該基板載體具有：一基底，該基底沿著該具索引之直線式基板製程工具的一底部水平設置，其中該基底包含：一通道，該通道形成在該基底之一底表面中；一孔，該孔形成在該基底之一頂表面中並且流體耦接至該通道以形成一或更多種氣體流動穿過該基底的一路徑；以及一導管，該導管形成在該基底內限定該通道以提供一清潔氣體給該通道；以及一相對之基板支撐件對，該相對之基板支撐件對具 有從該基底的一頂表面向上以及向外延伸、設置為「v」形之各別基板支撐表面，其中該相對之基板支撐件對之每一者僅被沿著該基板支撐件的一底部支撐；及複數個模組，該等複數個模組以一直線排列耦接至彼此，其中該等複數個模組之每一模組包含具有一第一端、一第二端以及一下表面的一外殼，以支撐該基板載體並且為該基板載體提供從該等複數個模組之一第一模組直線地移動穿過該等複數個模組，穿過任何居間模組，到達該等複數個模組之一最後模組的一路徑，以及其中該等複數個模組之至少一個模組包含：一窗口，該窗口設置在該外殼之一側面中以允許將輻射熱提供到該外殼中；一加熱燈，該加熱燈耦接至該外殼之該側面以提供穿過該窗口進入該外殼之輻射熱；一進氣口，該進氣口貼近該外殼之一頂部設置以提供進入該外殼的一處理氣體；及一排氣口，該排氣口與該進氣口相對設置以從該外殼移除該處理氣體。
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