TWI592311B - 具有多層光學膜的低色偏抗刮物件 - Google Patents

具有多層光學膜的低色偏抗刮物件 Download PDF

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TWI592311B TW103131408A TW103131408A TWI592311B TW I592311 B TWI592311 B TW I592311B TW 103131408 A TW103131408 A TW 103131408A TW 103131408 A TW103131408 A TW 103131408A TW I592311 B TWI592311 B TW I592311B
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Description

具有多層光學膜的低色偏抗刮物件 【相關申請案之交叉引用】
本申請案根據專利法規定主張2014年8月7日申請之美國臨時申請案第62/034,412號、2014年3月18日申請之美國臨時申請案第61/954,697號及2013年9月13日申請之美國臨時申請案第61/877,568號之優先權權益，該等申請案之內容為本文之依據並且該等申請案以全文引用之方式併入本文中。本申請案為部分接續申請案且根據專利法規定主張2014年4月25日申請之美國申請案第14/262,066號之優先權權益，該申請案又根據專利法規定主張2014年3月18日申請之美國臨時申請案第61/954,697號、2013年9月13日申請之美國臨時申請案第61/877,568號及2013年5月7日申請之美國臨時申請案第61/820,407號之優先權權益，該等申請案之內容為本文之依據並且該等申請案以全文引用之方式併入本文中。
本揭示案係關於具有保留的光學特性的抗刮物件，且更特定而言，係關於展示高硬度及在不同入射照明角下觀 察時的低色偏的物件。
罩蓋及殼體基板通常用於消費型電子產品中以保護產品內的關鍵裝置、提供用戶介面以用於輸入及/或顯示及/或許多其他功能。此等消費型電子產品包括行動裝置，諸如智慧型手機、mp3播放器及平板電腦。罩蓋物件亦包括建築物件、運輸相關物件、電器物件或需要某一透明度、抗刮性、耐磨性或以上之組合之任何物件。此等應用及其他應用通常亦需求耐久的(例如，抗刮的)罩蓋及殼體基板，該罩蓋及殼體基板亦具有較強的光學效能特徵。通常，罩蓋基板包括用於此目的之玻璃；然而，亦可使用其他基板。
在罩蓋基板應用中(及可能在一些殼體基板應用中)需要關於最大光透射及最小反射率的較強的光學效能。此外，罩蓋基板應用要求在反射及/或透射中顯示或感知之顏色不會隨著觀察角(或入射照明角)之改變而明顯改變。原因在於若顏色、反射率或透射隨著觀察角改變至明顯程度，則併入有蓋玻璃的產品的使用者將感知顯示器顏色或亮度之改變，此舉可降低顯示器之感知品質。在此等變化中，顏色之改變通常最顯著且最令使用者反感。
已知的罩蓋基板包括玻璃及膜組合，玻璃及膜組合通常在用於惡劣操作環境後展示各種不同類型的刮痕。在一些情況下，大部分彼等刮痕為可微延展(microductile)的刮痕，該等刮痕通常包括在材料中具有延伸長度且具有範圍為 約100nm至約500nm之深度的單一凹槽。可微延展的刮痕可伴隨其他類型的有形損害，諸如子表面開裂、摩擦開裂、剝落及/或磨耗。證據表明，大多數此等刮痕及其他有形損害由發生於單一接觸事件中的猛烈接觸導致。一旦罩蓋基板上出現顯著刮痕，則產品的外觀降級，因為刮痕導致光散射增加，光散射增加可導致顯示器上影像之亮度、清晰度及對比度顯著降低。顯著刮痕亦可影響觸敏式顯示器之精度及可靠性。上述此等刮痕及其他有形損害中之一部分亦可由多個接觸事件(包括往復式磨耗或磨損)導致。此等刮痕及甚至較不顯著的刮痕皆為不美觀的且可影響產品效能。
單一事件刮痕損害可與磨耗損害進行對比。磨耗損害通常由諸如與硬性相反面物體(例如，砂、砂礫及砂紙)的往復滑動接觸的多個接觸事件引起。磨耗損害可產生熱量，此情況可使膜材料中的化學鍵減弱且導致蓋玻璃之剝脫及其他類型的損害。另外，由於磨耗損害通常比導致刮痕的單一事件經歷更長時間，經歷磨耗損害的膜材料亦可能氧化，此情況進一步使膜之耐久性降級且因此使玻璃膜積層之耐久性降級。導致刮痕的單一事件大體上不涉及與導致磨耗損害的事件相同之條件且因此通常用來防止磨耗損害的解決方案可能不能再防止罩蓋基板中的刮痕。此外，已知的刮痕及磨耗損害解決方案通常不利於光學特性。
因此，需要新的罩蓋基板及製造該等罩蓋基板的方法，該等罩蓋基板為對於各種不同類型之刮痕抗刮的、耐磨 的且具有良好光學效能。
本揭示案之一個態樣係關於一種物件，該物件包括具有一表面之基板及安置在該基板之該表面上形成經塗佈表面之光學膜。一或多個實施例之物件在照明體下以與垂直入射成範圍為約0度至約60度之入射照明角觀察時展示一透射率顏色及/或反射率以使得透射率顏色坐標及/或反射率顏色坐標(在經塗佈表面處量測)具有約2或更少之色偏或約0.5或更少之色偏。示例性照明體包括國際照明委員會(「CIE」)F2或CIE F10。
一些實施例之物件可展示約8GPa或更大之硬度，如藉由本文中所描述之Berkovich壓頭硬度試驗沿約100nm或更大(例如，約100nm至約300nm、約100nm至約400nm、約100nm至約500nm或約100nm至約600nm)之壓痕深度所量測。物件可視情況包括安置在光學膜與基板之間或光學膜內的裂紋減緩層。
在一或多個實施例中，光學膜包括抗刮層。抗刮層可展示約8GPa或更大之硬度，如藉由Berkovich壓頭硬度試驗所量測。一些實施例之抗刮層可展示約1.7或更大之折射率。抗刮層可包括AlN、Si3N4、AlOxNy、SiOxNy、Al2O3、SixCy、SixOyCz、ZrO2、TiOxNy、金剛石、類金剛石碳及SiuAlvOxNy中之一或多者。
一或多個實施例之光學膜包括安置於抗刮層與基板 之間的光學干涉層。光學干涉層可包括第一低折射率(RI)子層及第二高RI子層。第一低RI子層之折射率與第二高RI子層之折射率之間的差異可為約0.01或更大(例如，約0.1或更大、約0.2或更大、約0.3或更大或約0.4或更大)。在一或多個實施例中，光學干涉層包括複數個子層組(例如，高達約10個子層組)，該複數個子層組可包括第一低RI子層及第二高RI子層。第一低RI子層可包括以下中之一或多者：SiO2、Al2O3、GeO2、SiO、AlOxNy、SiOxNy、SiuAlvOxNy、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、DyF3、YbF3、YF3及CeF3。第二高RI子層可包括以下中之一或多者：SiuAlvOxNy、Ta2O5、Nb2O5、AlN、Si3N4、AlOxNy、SiOxNy、HfO2、TiO2、ZrO2、Y2O3、Al2O3及MoO3。
在一些情況下，光學干涉層包括第三子層。第三子層可安置於複數個子層組與抗刮層之間。或者，第三子層可安置於基板與複數個子層組之間。一或多個實施例之第三子層可具有第一低RI子層之折射率與第二高RI子層之折射率之間的RI。一些實施例之光學膜可包括安置在抗刮層上的覆蓋層。
光學干涉層之第一低RI子層及/或第二高RI子層可具有在約2nm至約200nm之範圍內的光學厚度(n*d)。光學干涉層可展示約800nm或更小之厚度。
在一些實施例中，光學干涉層展示在光學波長體系內的約0.5%或更低之平均光反射。在一些實施例中，物件展 示在光學波長體系內的平均透射率或平均反射率，該平均透射率或平均反射率具有約5個百分點或更低的平均振幅。
一或多個實施例之基板可包括非晶基板或結晶基板。非晶基板可包括玻璃，該玻璃選自由以下各者組成之群組：鹼石灰玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼金屬之硼矽酸鹽玻璃及鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃。玻璃視情況可經化學強化及/或可包括具有至少250MPa之表面CS之壓縮應力(CS)層，該壓縮應力(CS)層自化學強化玻璃之表面在化學強化玻璃內延伸至一層深度(DOL)。由此等基板展示之DOL可為至少約10μm。
本文中所揭示之物件可包括關於顯示器(或顯示器物件)(例如，消費型電子產品，包括行動電話、平板電腦、電腦、導航系統等)、建築物件、運輸物件(例如，汽車、火車、飛機、海輪等)、電器物件或需要某一透明度、抗刮性、耐磨性或以上之組合之任何物件的物件。
將在以下詳細描述中闡述額外特徵及優點。對於熟習此項技術者而言，額外特徵及優點將自彼描述顯而易見或藉由實踐本文中及附圖中所描述之實施例來認識到。
應理解，前述一般描述及以下詳細描述兩者僅為示例性的，且意欲提供用於理解申請專利範圍之性質及特性之綜述或框架。包括隨附圖式以提供進一步理解，且隨附圖式併入本說明書中並構成本說明書之一部分。圖式圖示一或多個實施例，且連同描述用以解釋各種實施例之原理及操作。
10‧‧‧抗刮材料/空氣界面
20‧‧‧抗刮材料/基板界面
30‧‧‧抗刮材料
40‧‧‧基板
50‧‧‧Al2O3單層干涉層
60‧‧‧SiO2層
100‧‧‧物件
101‧‧‧經塗佈表面
110‧‧‧基板
112‧‧‧主要表面
114‧‧‧主要表面
116‧‧‧次要表面
118‧‧‧次要表面
120‧‧‧光學膜
130‧‧‧光學干涉層
131‧‧‧子層組
131A‧‧‧第一低RI子層
131B‧‧‧第二高RI子層
140‧‧‧抗刮層
150‧‧‧覆蓋層
200‧‧‧物件
210‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
220‧‧‧光學膜
230‧‧‧光學干涉層
231A‧‧‧子層
231B‧‧‧子層
240‧‧‧抗刮層
250‧‧‧覆蓋層
300‧‧‧物件
310‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
320‧‧‧光學膜
330‧‧‧光學干涉層
331A‧‧‧子層
331B‧‧‧子層
331C‧‧‧子層
331D‧‧‧子層
340‧‧‧抗刮層
350‧‧‧覆蓋層
400‧‧‧物件
410‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
420‧‧‧光學膜
430‧‧‧光學干涉層
431A‧‧‧子層
431B‧‧‧子層
431C‧‧‧子層
431D‧‧‧子層
440‧‧‧抗刮層
450‧‧‧覆蓋層
500‧‧‧物件
510‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
520‧‧‧光學膜
530‧‧‧光學干涉層
531A‧‧‧子層
531B‧‧‧子層
531C‧‧‧子層
540‧‧‧抗刮層
550‧‧‧覆蓋層
600‧‧‧物件
610‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
620‧‧‧光學膜
630‧‧‧光學干涉層
631A‧‧‧子層
631B‧‧‧子層
631C‧‧‧子層
640‧‧‧抗刮層
650‧‧‧覆蓋層
700‧‧‧物件
710‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
720‧‧‧光學膜
730‧‧‧光學干涉層
731A‧‧‧子層
731B‧‧‧子層
731C‧‧‧子層
740‧‧‧抗刮層
750‧‧‧覆蓋層
800‧‧‧物件
810‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
820‧‧‧光學膜
830‧‧‧光學干涉層
831A‧‧‧子層
831B‧‧‧子層
831C‧‧‧子層
840‧‧‧抗刮層
850‧‧‧覆蓋層
900‧‧‧物件
910‧‧‧鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板
920‧‧‧光學膜
930‧‧‧光學干涉層
931A‧‧‧子層
931B‧‧‧子層
931C‧‧‧子層
940‧‧‧抗刮層
950‧‧‧覆蓋層
1000‧‧‧物件
1010‧‧‧玻璃基板
1020‧‧‧光學膜
1030‧‧‧光學干涉層
1031A‧‧‧子層
1031B‧‧‧子層
1040‧‧‧抗刮層
1050‧‧‧覆蓋層
第1圖為已知基板及抗刮材料實施例之圖解；第2圖為包括單層干涉層之已知物件的圖解；第3圖為第2圖所示之物件的反射光譜；第4圖為圖示基於第3圖所示之反射光譜計算之a*色偏與b*色偏的範圍的圖表；第5圖為根據一或多個實施例之物件之圖解；第6圖為第5圖所示之物件之更詳細圖解；第7圖為根據模型化實例1的具有帶三個子層組的光學干涉層之物件的經計算反射光譜；第8圖為圖示模型化實例1的經計算之a*色偏與b*色偏的範圍的圖表；第9圖為根據模型化實例2的物件之示意圖；第10圖為根據模型化實例2的物件之經計算反射光譜；第11圖為圖示模型化實例2的經計算a*色偏與b*色偏的範圍的圖表；第12圖為根據模型化實例3的物件之示意圖；第13圖為根據模型化實例3的物件之經計算反射光譜；第14圖為圖示模型化實例3的經計算a*色偏與b*色偏的範圍的圖表；第15圖為根據模型化實例4的物件之示意圖； 第16圖為根據模型化實例4的物件之經計算反射光譜；第17圖為圖示模型化實例4的經計算a*色偏與b*色偏的範圍的圖表；第18圖為根據模型化實例5的物件之示意圖；第19圖為根據模型化實例5的物件之經計算反射光譜；第20圖為根據模型化實例6的物件之示意圖；第21圖為根據模型化實例6的物件之經計算反射光譜；第22圖為根據模型化實例7的物件之示意圖；第23圖為根據模型化實例7的物件之經計算反射光譜；第24圖為根據模型化實例8的物件之示意圖；第25圖為根據模型化實例8的物件之經計算反射光譜；第26圖為圖示模型化實例6至模型化實例8的經計算a*色偏與b*色偏的範圍的圖表；第27圖為根據模型化實例9的物件之示意圖；第28圖為根據模型化實例9的物件之經計算反射光譜；第29圖圖示根據實例10至實例11及比較實例12的物件之經量測透射光譜； 第30圖圖示實例10至實例11及裸玻璃在不同入射照明角下的經量測之反射顏色坐標；第31圖圖示實例10至實例11在5度之入射照明角下的經量測之透射光顏色坐標；及第32圖為根據模型化實例13的物件之示意圖。
現將詳細參考各種實施例，在隨附圖式中圖示該等實施例之實例。在可能的情況下，將貫穿圖式使用相同元件符號指示相同或相似部件。
已知的抗刮材料(諸如AlN、Si3N4、AlOxNy及SiOxNy)具有(例如)在約1.7至約2.1之範圍內的高折射率。包括抗刮材料的常見基板為玻璃基板及塑膠基板。玻璃材料及塑膠材料通常具有在約1.45至約1.65之範圍內的折射率。抗刮材料及基板之折射率的此差異可導致不理想的光學干涉效應。此等不理想的光學干涉效應在抗刮材料具有在約0.05微米至約10微米之範圍內的物理厚度時可能更顯著。來自抗刮材料/空氣界面10(如第1圖所示)及抗刮材料/基板界面20(如第1圖所示)之反射波之間的光學干涉可導致光譜反射率振盪，該等振盪特別是在反射中在抗刮材料30(及/或抗刮材料30與基板40之組合)中產生表觀顏色。歸因於光譜反射率振盪隨著入射照明角的偏移，顏色在反射中隨著觀察角度偏移。觀測到的顏色及隨著入射照明角之色偏通常使裝置使用者分心或反感，特別是在具有銳性光譜特徵的照明(諸 如熒光發光及某種LED發光)下如此。
觀測到的顏色及色偏可藉由最小化一個或兩個界面10、20處的反射率而減少，從而減少整個物件之反射率振盪及反射色偏。對於抗刮材料，反射率通常最可能在抗刮材料/基板界面20處降低，同時保持抗刮材料/空氣界面10之高耐久性或抗刮性。降低反射率之各種方式包括在抗刮材料/基板界面20處使用單一光學干涉層(如第2圖所示)或具有折射率單調梯度之層。然而，此等選擇通常展示在各種照明體下的透射及/或反射光譜的大幅振盪。單層干涉層包括在第2圖所示之物件中。該物件包括鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃基板10、具有約80奈米(nm)之物理厚度的Al2O3單層干涉層50、具有約2000nm之物理厚度的SiuAlvOxNy抗刮層30及具有約10nm之物理厚度的SiO2層60。第3圖圖示第2圖中所示之物件的模型化反射光譜。光譜展示在光學波長體系內的振盪，該等振盪之振幅範圍為約3.5個百分點(例如，在約520nm至540nm之波長範圍下約8.5%之低反射率及約12%之峰值反射率)至約8個百分點(例如，在約400nm至410nm之波長下約6.5%之低反射率及約14.5%之峰值反射率)。如本文中所使用，術語「振幅」包括反射率或透射率之峰穀值改變。如本文中所使用，術語「透射率」界定為在透射穿過一材料(例如，物件、基板或光學膜或光學膜之部分)的給定波長範圍內的入射光學功率之百分比。術語「反射率」類似地界定為自一材料(例如，物件、基板或光學膜或光學膜之部分) 反射的給定波長範圍內的入射光學功率之百分比。使用特定線寬量測透射率及反射率。在一或多個實施例中，透射率及反射率之特性化之光譜解析度小於5nm或0.02eV。
片語「平均振幅」包括光學波長體系內每一可能的100nm波長範圍內求平均的反射率或透射率之峰穀值改變。如本文中所使用，「光學波長體系」包括約420nm至約700nm之波長範圍。根據此資訊，可預測當在不同照明體下以與垂直入射之不同入射照明角觀察時，第2圖及第3圖中所示之物件將展示相對較大色偏，如第4圖所示。
本揭示案之實施例採用安置於基板與抗刮材料之間的包括多個層的光學干涉層。在不同照明體下以與垂直入射的不同入射照明角觀察時，光學干涉層達成在無色及/或較小色偏方面的改良光學效能。此等光學干涉層適合彼單調梯度設計更快的製造，且併入有光學干涉層的物件提供抗刮性及優良光學特性。
本揭示案之第一態樣係關於一種物件，該物件即使當在照明體下以不同入射照明角觀察時亦展示無色。在一或多個實施例中，物件針對在本文中所提供之範圍內的任何入射照明角展示約2或更少之色偏。如本文中所使用，片語「色偏」係指在反射或折射時CIE L*、a*、b*比色法系統下之a*值及b*值兩者之變化。a*值及b*值分別經描述為透射率顏色(或透射率顏色坐標)或反射率顏色(或反射率顏色坐標)。可使用以下方程式(在以垂直入射觀察時物件之a*坐標及b* 坐標(亦即，a*1及b*1)及以距垂直入射成一入射照明角觀察時物件之a*坐標及b*坐標(亦即，a*2及b*2))決定色偏：√((a*2-a*1)2+(b*2-b*1)2)，條件是入射照明角不同於垂直入射且在一些情況下與垂直入射相差至少約2度或約5度。經由許多不同觀測儀對各種顏色之量測指示普通觀測儀在色偏為約2時發現兩種顏色的剛好可察覺之差異。
在一些情況下，在發光體下以與垂直入射之各種入射照明角下觀察時，物件展示約2或更少之色偏。在一些情況下，色偏為約1.9或更少、1.8或更少、1.7或更少、1.6或更少、1.5或更少、1.4或更少、1.3或更少、1.2或更少、1.1或更少、1或更少、0.9或更少、0.8或更少、0.7或更少、0.6或更少、0.5或更少、0.4或更少、0.3或更少、0.2或更少或0.1或更少。在一些實施例中，色偏可能為約0。照明體可包括由CIE決定的標準照明體，包括照明體A(代表鎢絲發光)、照明體B(代表日光模擬照明體)、照明體C(代表日光模擬照明體)、D系列照明體(代表自然日光)及F系列照明體(代表各種類型的熒光發光)。在特定實例中，當在CIE F2、CIE F10、CIE F11、CIE F12或CIE D65照明體下以與垂直入射之入射照明角觀察時，物件展示約2或更少之色偏。入射照明角距垂直入射可在以下範圍內：約0度至約80度、約0度至約75度、約0度至約70度、約0度至約65度、約0度至約60度、約0度至約55度、約0度至約50度、約0度至約45度、約0度至約40度、約0度至約35度、約0度至約 30度、約0度至約25度、約0度至約20度、約0度至約15度、約5度至約80度、約5度至約80度、約5度至約70度、約5度至約65度、約5度至約60度、約5度至約55度、約5度至約50度、約5度至約45度、約5度至約40度、約5度至約35度、約5度至約30度、約5度至約25度、約5度至約20度、約5度至約15度及以上各者之間的所有範圍及子範圍內。物件在距垂直入射約0度至約80度之範圍內的所有入射照明角下及沿該等角度可展示本文中所描述之最大色偏。在一個實例中，物件在距垂直入射約0度至約60度、約2度至約60度或約5度至約60度之範圍內的任何入射照明角下可展示2或更少之色偏。
根據一或多個實施例，物件100展示在可見光譜內之約85%或更高之平均透射率。在一或多個實施例中，物件100具有15%或更低之總反射率。
參照第5圖，根據一或多個實施例之物件100可包括基板110及安置在基板上的光學膜120。基板110包括相對的主要表面112、114及相對的次要表面116、118。光學膜120在第5圖中圖示為安置在第一相對主要表面112上；然而，除了或替代安置在第一相對主要表面112上，光學膜120可安置在第二相對主要表面114及/或相對次要表面之一者或兩者上。物件100包括經塗佈表面101。
光學膜120包括至少一種材料之至少一層。術語「層」可包括單層或可包括一或多個子層。此等子層可互相 直接接觸。子層可由相同材料或兩種或兩種以上不同材料形成。在一或多個替代性實施例中，此等子層可具有安置在此等子層之間的不同材料的介入層。在一或多個實施例中，層可包括一或多個連續及不間斷層及/或一或多個不連續及間斷層(亦即，互相鄰近形成具有不同材料的層)。層或子層可藉由此項技術中任何已知方法形成，包括離散沉積或連續沉積製程。在一或多個實施例中，層可僅使用連續沉積製程形成，或，替代地，僅使用離散沉積製程形成。
如本文中所使用，術語「安置」包括使用此項技術中任何已知方法塗佈、沉積及/或形成材料至表面上。如本文中所界定，經安置材料可構成層。片語「安置在...上」包括形成材料至表面上以使得材料與表面直接接觸之情況，且亦包括材料形成於表面上同時一或多種介入材料處於經安置之材料與表面之間的情況。如本文中所界定，一或多種介入材料可構成層。
本文中所描述之物件具有抗刮性，該抗刮性可以物件之經量測硬度(或光學膜之經量測硬度，如本文中所描述，該光學膜可包括抗刮層)為特徵。可由「Berkovich壓頭硬度試驗」來量測硬度，包括藉由使用金剛石Berkovich壓頭對表面進行壓痕來量測其表面上的材料之硬度。Berkovich壓頭硬度試驗包括：使用金剛石Berkovich壓頭來對物件之經塗佈表面101或光學膜之表面(如本文中所描述，該光學膜可包括抗刮層)進行壓痕以形成至範圍為約50nm至約1000nm之 壓痕深度(或光學膜之整個厚度，無論哪一個更小)的壓痕，及通常使用Oliver，W.C.；Pharr，G.M用於決定硬度及彈性模數之經改良技術使用負載及位移感測壓痕實驗(An improved technique for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments)(J.Mater.Res.，第7卷，No.6，1992，1564-1583)及Oliver，W.C.；Pharr，G.M.Measurement of Hardness and Elastic Modulus by Instrument Indentation：Advances in Understanding and Refinements to Methodology(J.Mater.Res.,第19卷，No.1,2004,3-20.)中所闡述之方法根據沿整個壓痕深度範圍或此壓痕深度之部分(例如，在約100nm至約600nm之範圍內)之此壓痕量測最大硬度。自物件之經塗佈表面101、光學膜之表面及/或光學膜中各層中之任何一或多者之表面來形成及量測壓痕深度。如本文中所使用，硬度係指最大硬度，而不是平均硬度。
通常在相較下層基板較硬之塗層或膜之奈米壓痕量測方法(諸如藉由使用Berlovich壓頭)中，經量測之硬度首先可在較淺壓痕深度處歸因於塑性區之形成而看似增加且隨後在較深壓痕深度處增加且達到最大值或穩定水平。之後，歸因於下層基板之效應，硬度在甚至更深壓痕深度處開始降低。在使用相較塗層具有增加硬度之基板的情況下，可發現相同效應；然而，歸因於下層基板之效應，硬度在較深壓痕深度處增加。
可選擇壓痕深度範圍及在某一(些)壓痕深度範圍的硬度值以在無下層基板之效應之情況下識別光學膜及光學膜之層之特定硬度回應，如本文中所描述。當使用Berkovich壓頭量測光學膜或光學膜之層(當安置在基板上時)之硬度時，材料之永久變形區域(塑性區)與材料之硬度相關聯。在壓痕期間，彈性應力場延伸遠遠超出此永久變形區域。隨著壓痕深度增加，表觀硬度及模數受與下層基板之應力場交互作用影響。基板對於硬度之影響發生在較深壓痕深度(亦即，通常在大於光學膜結構或層厚度之約10%之深度)處。此外，進一步複雜化在於硬度回應需要某一最低負載以在壓痕製程期間形成完全塑性。在彼某一最低負載之前，硬度顯示大體上增加之趨勢。
在小壓痕深度(該小壓痕深度亦可特徵化為小負載)(例如，達約100nm，或小於約70nm)，材料之表觀硬度相比壓痕深度看似急劇增加。此小壓痕深度體系不代表硬度之真實度量，而是相反反應前述塑性區之形成，該塑性區與壓頭之曲率之有限半徑相關。在中等壓痕深度處，表觀硬度接近最大位準。在較深壓痕深度處，隨著壓痕深度增加，基板之影響變得更為顯著。一旦壓痕深度超過光學膜結構厚度或層厚度之約30%，硬度即可能開始急劇下降。
已觀測到，在中等壓痕深度處(在該深度處，硬度接近且維持在最大位準)及在較深壓痕深度處量測之硬度取決於材料或層之厚度。特定地，評估具有不同厚度的AlOxNy 之四個不同層(亦即，500nm厚、1000nm厚、1500nm厚及2000nm厚)之硬度回應。使用Berkovich壓頭硬度試驗量測每一層之硬度。500nm厚的層展示該層在約100nm至180nm之壓痕深度處的最大硬度，隨後是在約180nm至約200nm之壓痕深度處的硬度的急劇下降，指示基板之硬度影響硬度量測。1000nm厚的層展示在約100nm至約300nm之壓痕深度處的最大硬度，隨後是在大於約300nm之壓痕深度處的硬度的急劇下降。1500nm厚的層展示在約100nm至約550nm之壓痕深度處的最大硬度，且2000nm厚的層展示約100nm至約600nm之壓痕深度處的最大硬度。
在一些實施例中，物件、光學膜及/或光學膜中的一或多個層展示在大於約100nm或大於約200nm之壓痕深度處的最大硬度，且因而展示足以提供不受基板影響的抗刮性的硬度。在一些實施例中，物件、光學膜及/或光學膜中的一或多個層在此等壓痕深度處具有最大硬度且因而耐受特定刮痕，諸如可微延展的刮痕(該等刮痕通常具有約100nm至約500nm或約200nm至約400nm之深度)。舉例而言，由於物件沿特定壓痕深度展示本文所述硬度值(如藉由Berkovich壓頭硬度試驗所量測)，經塗佈表面101(或光學膜或光學膜之任何一或多個層之表面)可耐受可微延展的刮痕。
可藉由調整光學膜或光學膜中的一或多個層之厚度來最大化物件及/或光學膜(或光學膜中的層)之經量測或表觀硬度。
在一或多個實施例中，物件100展示約8GPa或更高、約10GPa或更高、約14GPa或更高、約18GPa或更高之平均硬度，如藉由Berkovich壓頭硬度試驗所量測。在一些實施例中，物件之平均硬度可在5Gpa至約30Gpa、約6GPa至約30GPa、約7GPa至約30GPa、約8GPa至約30GPa、約9GPa至約30GPa、約10GPa至約30GPa、約12GPa至約30GPa、約5GPa至約28GPa、約5GPa至約26GPa、約5GPa至約24GPa、約5GPa至約22GPa、約5GPa至約20GPa、約12GPa至約25GPa、約15GPa至約25GPa、約16GPa至約24GPa、約18GPa至約22Gpa之範圍內及以上各者之間的所有範圍及子範圍內。此等硬度值可存在於約50nm或更大或約100nm或更大(例如，約100nm至約300nm、約100nm至約400nm、約100nm至約500nm、約100nm至約600nm、約200nm至約300nm、約200nm至約400nm、約200nm至約500nm或約200nm至約600nm)之壓痕深度處。
在一或多個實施例中，物件100亦可展示耐磨性。特定地，本文中所描述之物件之一或多個實施例展示對刮痕及由磨耗(或多個接觸事件)形成之其他損害之抗性。此項技術中已知各種形式之磨耗試驗，諸如在ASTM D1044-99中指定的使用由Taber Industries提供之研磨介質的彼磨耗試驗。可使用不同類型研磨介質、研磨劑幾何結構及運動、壓力等產生與ASTM D1044-99相關的經修改磨耗方法以便提供可重複及可量測的磨耗或磨損痕跡以有意圖地區分不同樣本 之耐磨性。舉例而言，對於軟塑膠試驗樣本對硬無機試驗樣本，不同試驗條件通常將為適當的。本文中所描述之實施例展示抗刮性，如ASTM D1044-99試驗之特定修改版本所量測，ASTM D1044-99試驗在本文中被稱為「Taber試驗」或「Garnet試驗」，該等試驗提供不同樣本之間的耐久性之清晰及可重複差異化，該等樣本主要包含硬無機材料。視測試之特定樣本而定，此等試驗方法可產生可微延展的刮痕與上文提及之其他損害模式之組合。
如本文中所使用，片語「Taber試驗」係指在包括約22℃ +/- 3℃之溫度及達約70%之相對濕度之環境中使用由Taber Industries提供之Taber線性研磨儀(Taber Linear Abraser)5750(TLA 5750)及配件之試驗方法。TLA 5750包括具有6.7mm直徑研磨儀頭端之CS-17研磨儀材料。根據Taber試驗研磨每一樣本且使用霾度及雙向透射率分佈函數(Bidirectional Transmittance Distribution Function；BTDF)量測及其他方法評估磨耗損害。在Taber試驗中，研磨每一樣本之工序包括將TLA 5750及平坦樣本支架放置在剛性平坦平面上及將TLA 5750及樣本支架固定至表面。在根據Taber試驗研磨每一樣本之前，使用黏附至玻璃之新的S-14重磨帶重磨研磨儀材料(CS-17)。在不添加額外重量之情況下(亦即，在重修期間使用約350g之總重量，該總重量為主軸及保持研磨儀之夾頭之組合重量)，研磨儀經受使用25循環/分鐘之循環速度及1吋之衝程長度的10個重磨循環。該工序隨後包括 操作TLA 5750以研磨樣本，其中樣本放置在與研磨儀頭端接觸且支撐施加至研磨儀頭端之重量的樣本支架中，研磨中使用25循環/分鐘之循環速度及1吋之衝程長度，以及使得施加至樣本之總重量為850g(亦即，除主軸及夾頭之350g之組合重量之外，施加500g之輔助重量)之一重量。該工序包括針對可重複性在每一樣本上形成兩個磨損痕跡，及在每一樣本上的兩個磨損痕跡中之每一者中將每一樣本研磨500次循環次數。
在一或多個實施例中，根據以上Taber試驗研磨物件之經塗佈表面101且物件展示約5%或更小之霾度，如使用商標為Haze-Gard plus ®之由BYK Gardner提供之測霾計使用來源埠上方之孔徑在經研磨側上所量測，該孔徑具有8mm之直徑。
在一些實施例中，Taber試驗之後量測之霾度可為約4%或更小、約3%或更小、約2%或更小、約1%或更小、約0.8%或更小、約0.5%或更小、約0.4%或更小、約0.3%、約0.2%或更小或約0.1%或更小。
在一或多個實施例中，物件之經塗佈表面101在如由Taber試驗研磨之後可展示如藉由光散射量測所量測之耐磨性。在一或多個實施例中，光散射量測包括使用Radiant Zemax IS-SA TM儀器執行之雙向反射率分佈函數(BRDF)或雙向透射率分佈函數(BTDF)量測。此儀器具有使用反射中為垂直入射至約85度入射及透射中為垂直入射至約85度入 射之任何輸入角度量測光散射，同時亦捕獲反射或透射之任一者中至2*Pi球面度中的所有散射光輸出(反射或透射之全半球)的靈活性。在一個實施例中，物件100展示耐磨性，如在垂直入射處使用BTDF及在所選角度範圍(例如在極角及極角中的任何角度範圍內約10°至約80°)分析透射之散射光所量測。可分析及整合角度之全方位範圍，或可選擇特定方位角度部分(例如在方位上約0°至90°)。在線性磨耗之情況下，可採用實質上與研磨方向正交的方位方向以增加光學散射量測之信噪比。在一或多個實施例中，當在透射中之垂直入射處使用CCBTDF模式之Radiant Zemax IS-SA工具(具有2mm之孔徑及設定為600nm波長之單色計)時，且當以範圍為約15°至約60°(例如，特定為約20°)之極性散射角評估時，物件可在Taber試驗之後展示約小於約0.1、約0.05或更低、約0.03或更低、約0.02或更低、約0.01或更低、約0.005或更低或約0.003或更低(單位為1/球面度)之散射光強度(如在經塗佈表面101處量測)。透射中之垂直入射可另外稱為透射中之0度，可藉由儀器軟體將該垂直入射標示為180°入射。在一或多個實施例中，可沿實質上與藉由Taber試驗研磨之樣本之研磨方向正交的方位方向量測散射光強度。此等光學強度值亦可對應於小於約1%、小於約0.5%、小於約0.2%或小於約0.1%之輸入光強度，該輸入光強度散射至大於約5度、大於約10度、大於約30度或大於約45度之極性散射角。
一般而言，如本文中所描述，垂直入射下之BTDF測試與透射霾度量測密切相關，因為兩者均量測在穿過樣本(或，在此情況下穿過研磨經塗佈表面101後的物件)的透射中散射之光的量。相比霾度量測，BTDF量測提供更大敏感度及更詳細角度資訊。BTDF允許至不同極角及方位角中之散射的量測，例如從而允許吾人選擇性地評估至實質上與線性Taber試驗中的研磨方向正交的方位角(此等角為自線性磨耗散射的光為最高的角)的散射。透射霾度基本上為藉由垂直入射BTDF量測之所有散射光至大於約+/-2.5度之極角之整個半球的整合。
Garnet試驗將相同設備用作Taber試驗(亦即，Taber線性研磨器或等效設備)。Garnet試驗包括針對一個往復式循環(亦即，一個前後循環)使用150-粒度石榴石砂紙在不同施加負載下研磨樣本表面，其中衝程長度為1"及速度為45循環/分鐘。施加之負載係就總負載(包括研磨器主軸、保持器及任何添加重量之重量)而言。類似於Taber試驗，石榴石砂紙與樣本具有約7mm之接觸面積。以此方式執行之Garnet試驗相較Taber試驗通常更具目的性且可產生更多種損害模式。可見刮痕及損害亦更任意。可使用如上文所描述之BTDF及霾度量測來特徵化自此等樣本之光散射。
在一或多個實施例中，在使用範圍為約380g至約2100g之總負載之Garnet試驗中測試時，物件在Garnet試驗後展示約3%或更小(例如，約2%或更小、約1%或更小、約 0.5%或更小或約0.2%或更小)之霾度。一或多個實施例之物件在20度之極角下(如由CC-BTDF所量測，與磨耗軸正交)展示約0.04或更小、約0.02或更小、約0.01或更小、或甚至約0.005或更小(單位為1/球面度)之散射光位準。
根據一或多個實施例，物件100展示約80%或更高之平均光透射。術語「光透射」係指經由介質透射之光之量。光透射之測度為進入介質之光之量與退出介質之光之量之間的差異。換言之，光透射為經由介質傳播而未被吸收或散射之光。如CIE標準觀測儀所描述，術語「平均光透射」係指光透射乘以發光效率函數之頻譜平均數。特定實施例之物件100可展示80%或更大、82%或更大、85%或更大、90%或更大、90.5%或更大、91%或更大、91.5%或更大、92%或更大、92.5%或更大、93%或更大、93.5%或更大、94%或更大、94.5%或更大或95%或更大之平均光透射。
在一或多個實施例中，物件100具有20%或更低之總反射率。舉例而言，物件可具有20%或更低、15%或更低、10%或更低、9%或更低、8%或更低、7%或更低、6%或更低之總反射率。在一些特定實施例中，物件具有6.9%或更低、6.8%或更低、6.7%或更低、6.6%或更低、6.5%或更低、6.4%或更低、6.3%或更低、6.2%或更低、6.1%或更低、6.0%或更低、5.9%或更低、5.8%或更低、5.7%或更低、5.6%或更低或5.5%或更低之總反射率。根據一或多個實施例，物件100具有等同於或小於基板110之總反射率的總反射率。在一或多個實 施例中，物件100展示在光學波長體系內的相對平坦的透射光譜、反射光譜或透射光譜及反射光譜。在一些實施例中，相對平坦的透射光譜及/或反射光譜沿整個光學波長體系或光學波長體系中的波長範圍區段包括約5個百分點或更低之平均振幅。波長範圍區段可為約50nm、約100nm、約200nm或約300nm。在一些實施例中，平均振幅可為約4.5個百分點或更低、約4個百分點或更低、約3.5個百分點或更低、約3個百分點或更低、約2.5個百分點或更低、約2個百分點或更低、約1.75個百分點或更低、約1.5個百分點或更低、約1.25個百分點或更低、約1個百分點或更低、約0.75個百分點或更低、約0.5個百分點或更低、約0.25個百分點或更低或約0個百分點及以上各者之間的所有範圍及子範圍。在一或多個特定實施例中，物件顯示在光學波長體系內約100nm或200nm之所選波長範圍區段內的透射率，其中光譜振動具有約80%、約82%、約84%、約86%、約87%、約88%、約89%、約90%、約91%、約92%、約93%、約94%或約95%及以上各者之間的所有範圍及子範圍之最大峰值。
在一些實施例中，相對平坦的平均透射率及/或平均反射率包括沿光學波長體系中的特定波長範圍區段的最大振幅，該振幅表示為平均透射率或平均反射率之百分比。平均透射率或平均反射率亦可能沿光學波長體系中的相同特定波長範圍區段進行量測。波長範圍區段可為約50nm、約100nm或約200nm。在一或多個實施例中，物件100展示具有以下 平均振幅之平均透射率及/或平均反射率：約10%或更低、約5%或更低、約4.5%或更低、約4%或更低、約3.5%或更低、約3%或更低、約2.5%或更低、約2%或更低、約1.75%或更低、約1.5%或更低、約1.25%或更低、約1%或更低、約0.75%或更低、約0.5%或更低、約0.25%或更低或約0.1%或更低及以上各者之間的所有範圍及子範圍。物件可沿光學波長體系中約50nm、約100nm、約200nm或約300nm之波長範圍區段展示此基於百分比之平均振幅。舉例而言，物件可沿光學波長體系內約500nm至約600nm之波長範圍(約100nm之波長範圍區段)展示約85%之平均透射率。物件亦可沿相同波長範圍(500nm至約600nm)展示約3%之基於百分比的振幅，此情況意謂沿500nm至600nm之波長範圍，絕對(不基於百分比的)振幅為約2.55個百分點。
基板
基板110可為無機的且可包括非晶基板、結晶基板或以上各者之組合。基板110可由人造材料及/或天然形成之材料形成。在一些特定實施例中，基板110可特定地排除塑膠及/或金屬基板。在一些實施例中，基板110可為有機的且特定地為聚合的。適合聚合物之實例包括(但不限於)；熱塑性塑膠，包括聚苯乙烯(PS)(包括苯乙烯共聚物及摻合物)、聚碳酸酯(PC)(包括共聚物及摻合物)、聚酯(包括共聚物及摻合物，包括聚對苯二甲酸乙二酯及聚對苯二甲酸乙二酯共聚物)、聚烯烴(PO)及環式聚烯烴(環式PO)、 聚氯乙烯(PVC)、包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸聚合物(包括共聚物及摻合物)、熱塑性聚胺酯(TPU)、聚醚醯亞胺(PEI)及此等聚合物彼此之摻合物。其他示例性聚合物包括環氧樹脂、苯乙烯樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂及矽酮樹脂。
在一或多個實施例中，基板展示範圍為約1.45至約1.55的折射率。在特定實施例中，基板110可在一或多個相對主要表面上的表面處展示平均應變破壞，該平均應變破壞為0.5%或更高、0.6%或更高、0.7%或更高、0.8%或更高、0.9%或更高、1%或更高、1.1%或更高、1.2%或更高、1.3%或更高、1.4%或更高、1.5%或甚至2%或更高，如使用環上球試驗(ball-on-ring testing)所量測，該試驗使用至少5個、至少10個、至少15個或至少20個樣本。在特定實施例中，基板110可在基板110的一或多個相對主要表面上的表面處顯示平均應變破壞，該平均應變破壞為約1.2%、約1.4%、約1.6%、約1.8%、約2.2%、約2.4%、約2.6%、約2.8%或約3%或更高。
適合基板110可展示範圍為約30GPa至約120GPa的彈性模數(或楊氏模數)。在一些情況下，基板之彈性模數可在以下範圍內：約30GPa至約110GPa、約30GPa至約100GPa、約30GPa至約90GPa、約30GPa至約80GPa、約30GPa至約70GPa、約40GPa至約120GPa、約50GPa至約120GPa、約60GPa至約120GPa、約70GPa至約120GPa 及以上各者之間的所有範圍及子範圍。
在一或多個實施例中，基板可為非晶的且可包括玻璃，該玻璃可為強化的或非強化的。適合玻璃之實例包括鹼石灰玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼金屬之硼矽酸鹽玻璃及鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃。在一些變體中，玻璃可不含氧化鋰。在一或多個替代性實施例中，基板110可包括諸如玻璃陶瓷基板之結晶基板(該等基板可為強化的或非強化的)或可包括諸如藍寶石之單晶結構。在一或多個特定實施例中，基板110包括非晶基底(例如，玻璃)及結晶覆蓋層(例如，藍寶石層、多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2O4)層)。
基板110可實質上為平面的或薄片狀，但其他實施例可採用彎曲的或以其他方式成形或雕刻的基板。基板110可實質上為光學清透的、透明的且沒有光散射。在此等實施例中，基板可展示在光學波長體系內約85%或更高、約86%或更高、約87%或更高、約88%或更高、約89%或更高、約90%或更高、約91%或更高或約92%或更高之平均光透射。在一或多個替代性實施例中，基板110可為不透明的或展示在光學波長體系內小於約10%、小於約9%、小於約8%、小於約7%、小於約6%、小於約5%、小於約4%、小於約3%、小於約2%、小於約1%或小於約0%之平均光透射。基板110可視情況展示諸如白色、黑色、紅色、藍色、綠色、黃色、橙色等顏色。
或者或另外，出於美觀及/或功能原因，基板110之 物理厚度可沿基板之一或多種尺寸變化。舉例而言，相較於基板110之較中心區域，基板110之邊緣可能更厚。基板110之長度、寬度及物理厚度尺寸亦可根據物件100之應用或使用變化。
可使用各種不同製程提供基板110。例如，在基板110包括諸如玻璃之非晶基板的情況下，各種形成方法可包括浮法玻璃製程及諸如融合拉伸及狹縫拉伸之下拉製程。
一旦形成基板110，基板110即可經強化以形成經強化基板。如本文中所使用，術語「經強化基板」可係指例如經由基板表面中較小離子對較大離子的離子交換而經化學強化之基板。然而，可採用此項技術中已知的其他強化方法(諸如熱回火或採用基板之部分之間的熱膨脹係數失配產生壓縮應力區域及中心張力區域)以形成經強化基板。
在藉由離子交換製程化學強化基板之情況下，基板之表面層中的離子由具有相同價或氧化態的較大離子取代或與該等較大離子交換。通常藉由將基板浸入含有將與基板中之較小離子進行交換之較大離子的熔融鹽浴中來執行離子交換製程。熟習此項技術者將瞭解，離子交換製程之參數(包括但不限於浴組成及溫度、浸入時間、基板在一或多個鹽浴中之浸入次數、多種鹽浴之使用、額外步驟(諸如退火、清洗)等)大體上係由自強化操作所得的基板之組成及基板之所要壓縮應力(CS)及壓縮應力層之深度(或層深度)而決定。舉例而言，含鹼金屬之玻璃基板之離子交換可藉由浸入 含有鹽(諸如但不限於較大鹼金屬離子之硝酸鹽、硫酸鹽及氯化物)之至少一個熔融浴來達成。熔融鹽浴之溫度通常在約380℃至約450℃之範圍內，而浸入時間範圍為約15分鐘至約40小時。然而，亦可使用與上述溫度及浸入時間不同之溫度及浸入時間。
另外，在以下申請案中描述了將玻璃基板浸入多種離子交換浴中(在浸入之間進行清洗及/或退火步驟)的離子交換製程的非限制實例：Douglas C.Allan等人在2009年7月10日申請之題為「Glass with Compressive Surface for Consumer Applications」且主張2008年7月11日申請之美國臨時專利申請案第61/079,995號之優先權的美國專利申請案第12/500,650號，其中藉由浸入而在具有不同濃度的鹽浴中以多次連續的離子交換處理對玻璃基板進行強化；以及Christopher M.Lee等人的發佈於2012年11月20日且題為「Dual Stage Ion Exchange for Chemical Strengthening of Glass」且主張2008年7月29日申請之美國臨時專利申請案第61/084,398號之優先權的美國專利第8,312,739號，其中玻璃基板藉由以下方式進行強化：在用流出離子稀釋的第一浴中進行離子交換，然後浸入第二浴中，所述第二浴的流出離子濃度小於第一浴。美國專利申請案第12/500,650號及美國專利第8,312,739號之內容全文以引用之方式併入本文中。
可基於參數(中心張力(CT)、表面CS及層深度(DOL))對藉由離子交換達成的化學強化之程度進行量化。 可在表面附近或各種深度下的經強化玻璃內量測表面CS。最大CS值可包括在經強化基板之表面處的經量測CS(CSs)。針對鄰近玻璃基板內的壓縮應力層的內部區域計算之CT可根據CS、物理厚度t及DOL計算。使用此項技術中已知的彼等手段量測CS及DOL。此等手段包括但不限於：使用市售儀器(諸如由Luceo有限責任公司(日本東京)製造的FSM-6000等)的表面應力量測(FSM)，且在題為「Standard Specification for Chemically Strengthened Flat Glass」之ASTM 1422C-99及ASTM 1279.19779「Standard Test Method for Non-Destructive Photoelastic Measurement of Edge and Surface Stresses in Annealed,Heat-Strengthened,and Fully-Tempered Flat Glass」中描述了量測CS及DOL之方法，以上兩者之內容全文以引用之方式併入本文中。表面應力量測依賴於應力光學係數(SOC)之精確量測，應力光學係數與玻璃基板之雙折射相關。SOC又係藉由此項技術中已知的彼等方法量測，諸如纖維法及四點彎曲法以及整體氣缸法(bulk cylinder method)，纖維法及四點彎曲法兩者均描述於題為「Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient」之ASTM標準C770-98(2008)中，該ASTM標準C770-98(2008)之內容全文以引用之方式併入本文中。CS與CT之間的關係由表達式(1)給出：CT=(CS˙DOL)/(t-2 DOL)(1)，其中t為玻璃物件之物理厚度(μm)。在本揭示案之各種部 分中，CT及CS在本文中以兆帕(MPa)表示，物理厚度 t 以微米(μm)或毫米(mm)表示，且DOL以微米(μm)表示。
在一個實施例中，經強化基板110可具有以下表面CS：250MPa或更高、300MPa或更高，例如，400MPa或更高、450MPa或更高、500MPa或更高、550MPa或更高、600MPa或更高、650MPa或更高、700MPa或更高、750MPa或更高或800MPa或更高。經強化基板可具有10μm或更高、15μm或更高、20μm或更高(例如，25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm或更高)之DOL及/或10MPa或更高、20MPa或更高、30MPa或更高、40MPa或更高(例如，42MPa、45MPa或50MPa或更高)但小於100MPa(例如95MPa、90MPa、85MPa、80MPa、75MPa、70MPa、65MPa、60MPa、55MPa或更小)之CT。在一或多個特定實施例中，經強化基板具有以下之一或多者：大於500MPa之表面CS、大於15μm之DOL及大於18MPa之CT。
可用於基板中的示例性玻璃可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物或鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃組成物，但預期到其他玻璃組成物。此等玻璃組成物能夠藉由離子交換製程化學強化。一個示例性玻璃組成物包含SiO2、B2O3及Na2O，其中(SiO2+B2O3)≧66莫耳%，且Na2O≧9莫耳%。在實施例中，玻璃組成物包括至少6重量%之氧化鋁。在進一步實施例中，基板包括具有一或多種鹼土金屬氧化物以使得鹼土金屬氧化 物之含量為至少5重量%的玻璃組成物。在一些實施例中，適合玻璃組成物進一步包含K2O、MgO及CaO中之至少一者。在特定實施例中，用於基板中的玻璃組成物可包含61-75莫耳%之SiO2、7-15莫耳%之Al2O3、0-12莫耳%之B2O3、9-21莫耳%之Na2O、0-4莫耳%之K2O、0-7莫耳%之MgO及0-3莫耳%之CaO。
適用於基板之進一步示例性玻璃組成物包含：60-70莫耳%之SiO2、6-14莫耳%之Al2O3、0-15莫耳%之B2O3、0-15莫耳%之Li2O、0-20莫耳%之Na2O、0-10莫耳%之K2O、0-8莫耳%之MgO、0-10莫耳%之CaO、0-5莫耳%之ZrO2、0-1莫耳%之SnO2、0-1莫耳%之CeO2、小於50ppm之As2O3及小於50ppm之Sb2O3，其中12莫耳%≦(Li2O+Na2O+K2O)≦20莫耳%且0莫耳%≦(MgO+CaO)≦10莫耳%。
適用於基板之又進一步示例性玻璃組成物包含：63.5-66.5莫耳%之SiO2、8-12莫耳%之Al2O3、0-3莫耳%之B2O3、0-5莫耳%之Li2O、8-18莫耳%之Na2O、0-5莫耳%之K2O、1-7莫耳%之MgO、0-2.5莫耳%之CaO、0-3莫耳%之ZrO2、0.05-0.25莫耳%之SnO2、0.05-0.5莫耳%之CeO2、小於50ppm之As2O3及小於50ppm之Sb2O3，其中14莫耳%≦(Li2O+Na2O+K2O)≦18莫耳%且2莫耳%≦(MgO+CaO)≦7莫耳%。
在特定實施例中，適用於基板之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物包含氧化鋁、至少一種鹼金屬及在一些實施例中包 含大於50莫耳%之SiO2，在其他實施例中包含至少58莫耳%之SiO2，及在其他實施例中包含至少60莫耳%之SiO2，其中比率為，其中在該比率中，組份以莫耳%表示且 改質劑為鹼金屬氧化物。在特定實施例中，此玻璃組成物包含：58-72莫耳%之SiO2、9-17莫耳%之Al2O3、2-12莫耳%之B2O3、8-16莫耳%之Na2O及0-4莫耳%之K2O，其中比率 為。
在再一實施例中，基板可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物包含：64-68莫耳%之SiO2、12-16莫耳%之Na2O、8-12莫耳%之Al2O3、0-3莫耳%之B2O3、2-5莫耳%之K2O、4-6莫耳%之MgO及0-5莫耳%之CaO，其中：66莫耳%≦SiO2+B2O3+CaO≦69莫耳%；Na2O+K2O+B2O3+MgO+CaO+SrO>10莫耳%；5莫耳%≦MgO+CaO+SrO≦8莫耳%；(Na2O+B2O3)-Al2O3≦2莫耳%；2莫耳%≦Na2O-Al2O3≦6莫耳%且4莫耳%≦(Na2O+K2O)-Al2O3≦10莫耳%。
在替代性實施例中，基板可包含鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物包含：2莫耳%或更多之Al2O3及/或ZrO2或4莫耳%或更多之Al2O3及/或ZrO2。
在基板110包括結晶基板之情況下，基板可包括單晶體，該單晶體可包括Al2O3。此等單晶基板被稱為藍寶石。其他適用於結晶基板之材料包括多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2O4)。
視情況，結晶基板110可包括玻璃陶瓷基板，該玻璃陶瓷基板可為強化的或非強化的。適合玻璃陶瓷之實例可包括Li2O-Al2O3-SiO2系統(亦即LAS系統)玻璃陶瓷、MgO-Al2O3-SiO2系統(亦即MAS系統)玻璃陶瓷及/或包括以下主要晶相之玻璃陶瓷：該主要晶相包括β-石英固溶體、β-鋰輝石固溶體、堇青石及二矽酸鋰。可使用本文中所揭示之化學強化製程對玻璃陶瓷基板進行強化。在一或多個實施例中，MAS系統玻璃陶瓷基板可在Li2SO4熔融鹽中進行強化，藉此可發生用Mg2+交換2Li+。
根據一或多個實施例之基板110可具有範圍為約100μm至約5mm之物理厚度。示例性基板110之物理厚度範圍為約100μm至約500μm(例如，100μm、200μm、300μm、400μm或500μm)。進一步示例性基板110之物理厚度範圍為約500μm至約1000μm(例如，500μm、600μm、700μm、800μm、900μm或1000μm)。基板110可具有大於約1mm(例如，約2mm、3mm、4mm或5mm)之物理厚度。在一或多個特定實施例中，基板110可具有2mm或更小或小於1mm之物理厚度。基板110可經酸拋光或以其他方式加以處理以消除或減少表面瑕疵之效應。
光學膜
如第5圖至第6圖所示，光學膜120可包括複數個層130、140、150。額外層亦可包括在光學膜120中。此外，在一些實施例中，一或多個膜或層可安置在基板110與光學 膜120相對之側面上(亦即，主要表面114上)。
光學膜120之物理厚度可在約0.1μm至約3μm之範圍內。在一些情況下，光學膜120之物理厚度可在以下範圍內：約0.1μm至約2.9μm、約0.1μm至約2.8μm、約0.1μm至約2.7μm、約0.1μm至約2.6μm、約0.1μm至約2.5μm、約0.1μm至約2.4μm、約0.1μm至約2.3μm、約0.1μm至約2.2μm、約0.1μm至約2.1μm、約0.1μm至約2μm、約0.5μm至約3μm、約1μm至約3μm、約1.1μm至約3μm、約1.2μm至約3μm、約1.3μm至約3μm、約1.4μm至約3μm或約1.5μm至約3μm及以上各者之間的所有範圍及子範圍。
光學膜120可展示大於約5GPa之最大硬度，如藉由Berkovitch壓頭硬度試驗在經塗佈表面101上進行量測。舉例而言，光學膜120可展示在以下範圍內之硬度：約6GPa至約30GPa、約7GPa至約30GPa、約8GPa至約30GPa、約9GPa至約30GPa、約10GPa至約30GPa、約12GPa至約30GPa、約5GPa至約28GPa、約5GPa至約26GPa、約5GPa至約24GPa、約5GPa至約22GPa、約5GPa至約20GPa、約12GPa至約25GPa、約15GPa至約25GPa、約16GPa至約24GPa、約18GPa至約22GPa及在以上各者之間的所有範圍及子範圍內。此等硬度值可在約50nm或更大或約100nm或更大之壓痕深度處展示。在一或多個實施例中，壓痕深度可在以下範圍內：約100nm至約300nm、約100nm至約 400nm、約100nm至約500nm、約100nm至約600nm、約200nm至約300nm、約200nm至約400nm、約200nm至約500nm或約200nm至約600nm。
在一或多個實施例中，光學膜包括安置在基板110之主要表面112上的光學干涉層130、安置在光學干涉層130上的抗刮層140及安置在抗刮層140上的可選覆蓋層150。在所示實施例中，光學干涉層130安置在基板110與抗刮層140之間，從而修改基板110與抗刮層140之間的介面。
光學膜或光學膜中各層中之任何一或多者可展示約10-4或更低之消光係數(在約400nm之波長處)。
光學干涉層130可包括兩個或更多個子層。在一或多個實施例中，兩個或更多個子層可經特徵化具有不同折射率。除非另有規定，本文中所描述之折射率值參照約550nm之波長。在實施例中，光學干涉層130包括第一低RI子層及第二高RI子層。第一低RI子層及第二高RI子層之折射率之差異可為約0.01或更大、0.05或更大、0.1或更大或甚至0.2或更大。
如第6圖所示，光學干涉層可包括複數個子層組(131)。單一子層組可包括第一低RI子層及第二高RI子層。舉例而言，子層組131包括第一低RI子層131A及第二高RI子層131B。在一些實施例中，光學干涉層可包括複數個子層組以使得第一低RI子層(圖解中指定為「L」)及第二高RI子層(圖解中指定為「H」)可提供以下子層序列：L/H/L/H 或H/L/H/L，以使得第一低RI子層及第二高RI子層看似沿光學干涉層之物理厚度交替。在第6圖中之實例中，光學干涉層130包括三個子層組。在一些實施例中，光學干涉層130可包括達10個子層組。舉例而言，光學干涉層130可包括約2至約12個子層組、約3至約8個子層組、約3至約6個子層組。
在一些實施例中，光學干涉層可包括一或多個第三子層。一或多個第三子層可具有低RI、高RI或中RI。在一些實施例中，一或多個第三子層可具有與第一低RI子層131A或第二高RI子層131B相同的RI。在其他實施例中，一或多個第三子層可具有介於第一低RI子層131A之RI與第二高RI子層131B之RI之間的中RI。一或多個第三子層可安置在複數個子層組與抗刮層140之間(見第12圖，第三子層231C)或基板與複數個子層組之間(見第12圖，第三子層231D)。或者，第三子層可包括在複數個子層組(未圖示)中。第三子層可能以以下示例性配置提供在光學干涉層中：L第三子層/H/L/H/L、H第三子層/L/H/L/H、L/H/L/H/L第三子層、H/L/H/L/H第三子層、L第三子層/H/L/H/L/H第三子層、H第三子層/L/H/L/H/L第三子層、L第三子層/L/H/L/H、H第三子層/H/L/H/L、H/L/H/L/L第三子層、L/H/L/H/H第三子層、L第三子層/L/H/L/H/H第三子層、H第三子層/H/L/H/L/L第三子層、L/M/H/L/M/H、H/M/L/H/M/L、M/L/H/L/M及其他組合。在此等配置中，無任何下標的「L」係指第一低RI子層且無任何下標的「H」係指第二高RI子層。對「L第三子層」之引用係指 具有低RI的第三子層，「H第三子層」係指具有高RI的第三子層且「M」係指具有中RI的第三子層。
如本文中所使用，術語「低RI」、「高RI」及「中RI」係指RI彼此的相對值(例如，低RI<中RI<高RI)。在一或多個實施例中，與第一低RI子層或第三子層一起使用的術語「低RI」包括約1.3至約1.7之範圍(例如，約1.4至約1.6，或約1.46)。在一或多個實施例中，與第二高RI子層或第三子層一起使用的術語「高RI」包括約1.6至約2.5之範圍(例如，約1.8至約2.1，或約1.9至約2.0)。在一些實施例中，與第三子層一起使用的術語「中RI」包括約1.55至約1.8之範圍。在一些情況下，低RI、高RI及中RI之範圍可重疊；然而，在大多數情況下，光學干涉層之子層關於RI具有以下一般關係：低RI<中RI<高RI。
適合用於光學干涉層130之示例性材料包括：SiO2、Al2O3、GeO2、SiO、AlOxNy、AlN、Si3N4、SiOxNy、SiuAlvOxNy、Ta2O5、Nb2O5、TiO2、ZrO2、TiN、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、SnO2、HfO2、Y2O3、MoO3、DyF3、YbF3、YF3,CeF3、聚合物、含氟聚合物、電漿聚合聚合物、矽氧烷聚合物、矽倍半氧烷、聚醯亞胺、氟化聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚苯碸、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、丙烯酸聚合物、聚胺酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、適合用於抗刮層中的以下列舉之其他材料及此項技術中已知的其他材料。用於第一低RI子層中的適合材料之一些實例包括 SiO2、Al2O3、GeO2、SiO、AlOxNy、SiOxNy、SiuAlvOxNy、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、DyF3、YbF3、YF3及CeF3。用於第二高RI子層中的適合材料之一些實例包括SiuAlvOxNy、Ta2O5、Nb2O5、AlN、Si3N4、AlOxNy、SiOxNy、HfO2、TiO2、ZrO2、Y2O3、Al2O3及MoO3。
在一或多個實施例中，光學干涉層之一或多個子層中之至少一者可包括特定光學厚度範圍。如本文中所使用，術語「光學厚度」由(n*d)決定，其中「n」係指子層之RI且「d」係指子層之物理厚度。在一或多個實施例中，光學干涉層之子層中之至少一者可包括範圍為約2nm至約200nm、約10nm至約100nm或約15nm至約100nm之光學厚度。在一些實施例中，光學干涉層130中的所有子層各自可具有範圍為約2nm至約200nm、約10nm至約100nm或約15nm至約100nm之光學厚度。在一些情況下，光學干涉層130之至少一個子層具有約50nm或更大之光學厚度。在一些情況下，第一低RI子層中之每一者具有範圍為約2nm至約200nm、約10nm至約100nm或約15nm至約100nm之光學厚度。在其他情況下，第二高RI子層中之每一者具有範圍為約2nm至約200nm、約10nm至約100nm或約15nm至約100nm之光學厚度。在其他情況下，第三子層中之每一者具有範圍為約2nm至約200nm、約10nm至約100nm或約15nm至約100nm之光學厚度。
在一或多個實施例中，光學干涉層130具有約800 nm或更小之物理厚度。光學干涉層130可具有在以下範圍內之物理厚度：約10nm至約800nm、約50nm至約800nm、約100nm至約800nm、約150nm至約800nm、約200nm至約800nm、約10nm至約750nm、約10nm至約700nm、約10nm至約650nm、約10nm至約600nm、約10nm至約550nm、約10nm至約500nm、約10nm至約450nm、約10nm至約400nm、約10nm至約350nm、約10nm至約300nm、約50nm至約300nm、約100nm至約200nm、約125nm至約200nm、約150nm至約190nm或約160nm至約180nm及以上各者之間的所有範圍及子範圍。
在一些實施例中，當在浸入狀態下量測時，光學干涉層展示在光學波長體系內約2%或更低、1.5%或更低、0.75%或更低、0.5%或更低、0.25%或更低、0.1%或更低或甚至0.05%或更低之平均光反射率。如本文中所使用，片語「浸入狀態」包括藉由減去或以其他方式消除由物件在介面(除了涉及光學干涉層的彼等介面)處產生之反射進行的平均反射率量測。在一些情況下，光學干涉層可展示在其他波長範圍內(諸如約450nm至約650nm、約420nm至約680nm、約420nm至約740nm、約420nm至約850nm或約420nm至約950nm)之此平均光反射率。在一些實施例中，光學干涉層展示在光學波長體系內約90%或更高、92%或更高、94%或更高、96%或更高或98%或更高之平均光透射。
本文中所描述之實施例之光學干涉層130可與具有 單調折射率梯度之層區分。在抗刮層140與基板110之間包括光學干涉層130的物件展示改良之光學效能(例如，如本文中所描述之高平均光透射、低平均光反射率、低色偏)，同時減少光學膜120之物理厚度。單調折射率梯度層提供類似光學特性但可能需要更大物理厚度。
一或多個實施例之抗刮層140可包括無機碳化物、氮化物、氧化物、類金剛石材料或此等之組合。用於抗刮層140之適合材料之實例包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬碳氧化物及/或以上之組合以上之組合。示例性金屬包括B、Al、Si、Ti、V、Cr、Y、Zr、Nb、Mo、Sn、Hf、Ta及W。可用於抗刮層140之材料之特定實例可包括Al2O3、AlN、AlOxNy、Si3N4、SiOxNy、SiuAlvOxNy、金剛石、類金剛石碳、SixCy、SixOyCz、ZrO2、TiOxNy及以上之組合。
抗刮層亦可包含奈米複合材料或具有受控微結構之材料以改良硬度、韌度或耐磨耗性/耐磨損性。舉例而言，抗刮層可包含大小範圍為約5nm至約30nm之奈米晶體。在實施例中，抗刮層可包含相變增韌(transformation-toughened)氧化鋯、部分穩定氧化鋯或氧化鋯增韌氧化鋁。在實施例中，抗刮層展示大於約1MPa之斷裂韌度值且同時展示大於約8GPa之硬度值，如藉由Berkovich壓頭硬度試驗所量測。
抗刮層140之組成物可經改質以提供特定特性(例如，硬度、折射率等)。在一或多個實施例中，抗刮層可包 括AlOxNy，AlOxNy包括達約60原子%之鋁、達約20原子%之氧及達約40原子%之氮。在一些實施例中，AlOxNy材料可包括矽。在一些實施例中，AlOxNy材料可包括量之範圍為約45原子%至約55原子%(例如，約50原子%)之鋁、量之範圍為約12原子%至約20原子%(例如，約15原子%至約17原子)之氧及量之範圍為約30原子%至約35原子%(例如，約32原子%或約33原子%)之氮。
在一些情況下，可控制抗刮層中氧之量以形成較大晶體大小或較小晶體大小。換言之，氧之量可經修改以提供抗刮層之所要結晶度及/或晶體大小(或大小範圍)。可控制氮之量以提供如藉由Berkovich壓頭硬度試驗所量測之所要硬度。氮相對氧之增加量可提供抗刮層且因而提供包括抗刮層的物件，該物件相比包括相對氧之量更少之氮的此類層或物件展示較高硬度。此外，氮相對氧之量可改變折射率且因而可影響物件之透射率及色偏。
在一或多個實施例中，抗刮層140展示在約5GPa至約30GPa之範圍內的硬度，如藉由Berkovich壓頭硬度試驗所量測(自抗刮層之主要表面量測)。在一或多個實施例中，抗刮層140展示以下範圍內的硬度：在約6GPa至約30GPa、約7GPa至約30GPa、約8GPa至約30GPa、約9GPa至約30GPa、約10GPa至約30GPa、約12GPa至約30GPa、約5GPa至約28GPa、約5GPa至約26GPa、約5GPa至約24GPa、約5GPa至約22GPa、約5GPa至約20GPa、約12GPa 至約25GPa、約15GPa至約25GPa、約16GPa至約24GPa、約18GPa至約22Gpa及以上各者之間的所有範圍及子範圍。在一或多個實施例中，抗刮層140可展示大於15GPa、大於20GPa或大於25GPa之硬度。在一或多個實施例中，抗刮層展示在約15GPa至約150GPa、約15GPa至約100GPa或約18GPa至約100GPa之範圍內的硬度。此等硬度值可存在於以下壓痕深度處：約50nm或更大、或約100nm或更大(例如，在約100nm至約300nm、約100nm至約400nm、約100nm至約500nm、約100nm至約600nm、約200nm至約300nm、約200nm至約400nm、約200nm至約500nm或約200nm至約600nm之範圍內)。
抗刮層140之物理厚度可在約1.5μm至約3μm之範圍內。在一些實施例中，抗刮層140之物理厚度可在以下範圍內：約1.5μm至約3μm、約1.5μm至約2.8μm、約1.5μm至約2.6μm、約1.5μm至約2.4μm、約1.5μm至約2.2μm、約1.5μm至約2μm、約1.6μm至約3μm、約1.7μm至約3μm、約1.8μm至約3μm、約1.9μm至約3μm、約2μm至約3μm、約2.1μm至約3μm、約2.2μm至約3μm、約2.3μm至約3μm及以上各者之間的所有範圍及子範圍。在一些實施例中，抗刮層140之物理厚度可在約0.1μm至約2μm，或約0.1μm至約1μm，或約0.2μm至約1μm之範圍內。
在一或多個實施例中，抗刮層140具有約1.6或更 高之折射率。在一些情況下，抗刮層140之折射率可為約1.65或更高、1.7或更高、1.8或更高、1.9或更高、2或更高或2.1或更高(例如，在約1.8至約2.1或約1.9至約2.0之範圍內)。抗刮層可具有大於基板110之折射率的折射率。在特定實施例中，在約550nm之波長處量測時，抗刮層具有相比基板之折射率高約0.05個折射率單位或約0.2個折射率單位之折射率。
一或多個實施例之覆蓋層150可包括低折射率材料，諸如SiO2、Al2O3、GeO2、SiO、AlOxNy、SiOxNy、SiuAlvOxNy、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、DyF3、YbF3、YF3及CeF3以及其他此等材料。覆蓋層之物理厚度可在以下範圍內：約0nm至約100nm、約0.1nm至約50nm、約1nm至約50nm、約5nm至約50nm、約10nm至約50nm、約0nm至約40nm、約0nm至約30nm、約0nm至約20nm、約0nm至約10nm、約0.1nm至約15nm、約0.1nm至約12nm、約0.1nm至約10nm、約0.1nm至約8nm、約4nm至約30nm、約4至約20nm、約8nm至約12nm、約9nm至約10nm及以上各者之間的所有範圍及子範圍內。覆蓋層之折射率可在約1.4至約1.6之範圍內(例如，約1.46)。覆蓋層可展示在約7GPa至約10GPa之範圍內的固有硬度，如藉由Berkovich壓頭硬度試驗所量測(如在以相同方式形成但具有約1微米或更大之厚度的具有與覆蓋層相同之材料的層之表面上所量測)。
在一或多個實施例中，物件在經塗佈表面101處具 有約1.7或更高之折射率，該經塗佈表面101可包括覆蓋層。可使用矽烷基低摩擦材料(包括氟矽烷、烷基矽烷、矽倍半氧烷等)藉由液相沉積法或氣相沉積法形成覆蓋層150。在一或多個實施例中，覆蓋層可包含兩種或更多種材料或兩個或更多個子層(例如，4個子層或6個子層)。覆蓋層可提供抗反射功能，尤其在採用多個子層之情況下如此。子層可包括不同折射率且可包括具有高折射率(H)及低折射率(L)之層，其中「高」與「低」為彼此相對的且在抗反射膜之已知範圍內。子層可經佈置以使得高折射率子層與低折射率子層交替。材料或子層可包括(例如)SiO2或SiOxNy。在此等實施例中，一或多個子層可各自或組合具有約4nm至約50nm之範圍內的厚度。在一些實施例中，覆蓋層150可包括具有範圍為約0.1nm至約20nm之厚度的矽烷基低摩擦子層，該子層安置在覆蓋層之下伏子層上(例如，一或多個SiO2層及/或SiOxNy層)。
在一些實施例中，光學干涉層130亦可包含裂紋減緩層。此裂紋減緩層可抑制或防止抗刮層140與基板110之間的裂紋橋接，因此修改或改良物件之機械特性或強度。裂紋減緩層之實施例進一步描述於美國專利申請案第14/052,055號、第14/053,093號及第14/053139號中，該等申請案以引用之方式併入本文中。裂紋減緩層可包含裂紋鈍化材料、裂紋偏向材料、裂紋阻止材料、韌性材料或受控黏附界面。裂紋減緩層可包含聚合材料、奈米多孔材料、金屬氧 化物、金屬氟化物、金屬材料或本文中提及用於光學干涉層130或抗刮層140之其他材料。裂紋減緩層之結構可為多層結構，其中多層結構經設計以偏向、抑制或防止裂紋擴張，同時提供本文中所描述之光學干涉益處。裂紋減緩層可包括奈米晶體、奈米複合材料、相變增韌材料、多層有機材料、多層無機材料、多層交錯有機與無機材料或混合有機-無機材料。裂紋減緩層可具有大於約2%或大於約10%之應變破壞。此等裂紋減緩層亦可單獨與本文中所描述之基板、抗刮層及一或多個光學干涉層組合；未嚴格要求裂紋減緩層同時充當光學干涉層。在實施例中，裂紋減緩層可在存在或不存在光學干涉層之情況下執行裂紋減緩層之功能(反之亦然)。若需要，可調節光學干涉層之設計以適應裂紋減緩層之存在。
裂紋減緩層可包括：韌性或奈米結構無機物，例如氧化鋅、某些Al合金、Cu合金、鋼或穩定四方氧化鋯(包括相變增韌氧化鋯、部分穩定氧化鋯、氧化釔穩定氧化鋯、二氧化鈰穩定氧化鋯、氧化鈣穩定氧化鋯、及氧化鎂穩定氧化鋯)；氧化鋯增韌陶瓷(包括氧化鋯增韌氧化鋁)；陶瓷-陶瓷複合物；碳-陶瓷複合物、纖維增強或晶須增強陶瓷或玻璃-陶瓷(例如SiC或Si3N4纖維增強或晶須增強陶瓷)；金屬-陶瓷複合物；多孔或無孔混合或有機-無機材料，例如，奈米複合材料、聚合物-陶瓷複合物、聚合物-玻璃複合物、纖維增強聚合物、碳-奈米管-或石墨烯-陶瓷複合物、矽倍半氧烷、聚矽倍半氧烷或「ORMOSIL」(有機改質氧化矽或矽酸鹽)； 及/或各種多孔或無孔聚合材料，例如矽氧烷、聚矽氧烷、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸化物、PI(聚醯亞胺)、氟化聚醯亞胺、聚醯胺、PAI(聚醯胺亞胺)、聚碳酸酯、聚碸類、PSU或PPSU(聚芳碸)、含氟聚合物、含氟彈性體、內醯胺、聚環烯烴及類似材料，包括(但不限於)：PDMS(聚二甲基矽氧烷)，PMMA(聚(甲基丙烯酸甲酯))，BCB(苯並環丁烯)，PEI(聚乙基醚醯亞胺)，諸如PEEK(聚-醚-醚-酮)、PES(聚醚碸)及PAR(聚芳酯)之聚(伸芳基醚)，PET(聚對苯二甲酸乙二酯)，PEN(聚萘二甲酸乙二酯=聚(乙烯-2,6-二羧酸酯萘)，FEP(氟化乙烯丙烯)，PTFE(聚四氟乙烯)，PFA(全氟烷氧基聚合物，例如，商標名Teflon®、Neoflon®)，及類似材料。其他適合材料包括經改質聚碳酸酯、一些版本之環氧樹脂、氰酸酯、PPS(聚苯硫醚)、聚亞苯、聚吡咯酮、聚喹喏啉及雙馬來亞醯胺。
光學膜120之層之物理及/或光學厚度可經調節以達成所要之光學及機械特性(例如，硬度)。舉例而言，抗刮層140可製得更薄，例如在約100nm至約500nm之範圍內，同時仍然提供對刮傷、磨耗或損傷事件(包括物件墜落至諸如瀝青、水泥或砂紙等堅硬表面之事件)的某一抗性。亦可調節覆蓋層之物理及/或光學厚度。當需要甚至更低之總反射時，可包括覆蓋層。亦可包括覆蓋層以進一步調整物件之顏色。舉例而言，本文中所描述之光學膜藉由改變a*或b*坐標中的入射照明角最小化色偏，但亦可能展示相對反射光譜之 略微傾斜。覆蓋層150可包括在光學膜120中且覆蓋層之物理及/或光學厚度可經略微調節(例如，約10nm至約14nm)以提供跨越光學波長體系之甚至更平坦的反射光譜(或具有甚至更小的振幅的反射光譜)。
一或多個實施例之光學膜可包括或展示感測功能或包括或展示使得感測成為可能的一或多個特性。如本文中所使用，感測可包括光學感測、電氣感測、磁感測、機械感測或以上之組合。感測功能可包括電容式感測、電阻式感測、電感式感測、表面聲波感測、光電感測或其他已知感測功能。在一或多個實施例中，光學膜之部分(例如，單一或一或多個所選層)可展示此感測功能或使得感測成為可能的一或多個特性。在一個實施例中，光學膜或光學膜之部分可展示壓電特性、熱電特性或以上之組合。在一些實施例中，光學膜可展示壓電特性但基本上不展示熱電特性，反之亦然。光學膜內的一或多個壓電層可包含結晶或多晶材料，且亦可展示本文中所描述之硬度及/或低光學吸收(及/或高光學透明度)。在一些實施例中，壓電特性可存在於光學膜內的一或多個氮化鋁層或氧摻雜氮化鋁層中。在一些實施例中，此等光學膜可感測力或壓力量值、感測聲學信號及/或感測加速度。此等實施例可描述為具有包括感測器或感測器層的光學膜。光學膜可包括或可與一或多個導電層、透明導體層(亦即，光學透明層及導電層)及/或光學波導層一起使用以執行此等感測功能。光學膜可耦接至信號偵測器、電極或信號處 理器以便捕獲、儲存或解析感測功能之輸出。
本文中所揭示之物件可包括關於顯示器(或顯示器物件)(例如，消費型電子產品，包括行動電話、平板電腦、電腦、導航系統等)、建築物件、運輸物件(例如，汽車、火車、飛機、海輪等)、電器物件或需要某一透明度、抗刮性、耐磨性或以上之組合之任何物件的物件。
實例
各種實施例將藉由以下實例得以進一步闡明。實例1至實例9使用模型化以理解物件之反射光譜及色偏，該等物件包括光學膜，該光學膜具有光學干涉層、抗刮層及覆蓋層。模型化係基於自各種材料形成之層及經強化鋁硼矽酸鹽(「ABS」)玻璃基板收集之折射率資料。實例10、實例11及比較實例12為進一步證明模型化實例1至模型化實例9之原理的實驗製造多層操作實例。
藉由至矽晶圓上的DC反應性濺射、反應性DC及射頻(RF)濺射及電子束蒸發來形成層。形成之層中之一些包括SiO2、Nb2O5或Al2O3且藉由使用離子協助在約50℃之溫度下自矽、鈮或鋁目標(分別地)進行DC反應性濺射而沉積至矽晶圓上。以此方式形成之層係用指示符「RS」指定。包括SiO2的其他層藉由將晶圓加熱至300℃且在無離子協助的情況下進行電子束蒸發而沉積至矽晶圓上。此等層係用指示符「E」指定。Ta2O5層藉由將晶圓加熱至300℃且在無離子協助的情況下進行電子束蒸發而沉積至矽晶圓上。
在有離子協助之情況下使用由AJA-Industries供應的濺射沉積工具藉由DC反應性濺射結合RF疊加DC濺射將SiuAlvOxNy層沉積至矽晶圓上。在沉積期間將晶圓加熱至200℃，且使用直徑為3吋之矽目標及直徑為3吋之鋁目標。使用之反應性氣體包括氮氣及氧氣，且將氬氣用作惰性氣體。在13.56Mhz下將RF功率供應至矽目標，且將DC功率供應至鋁目標。所得SiuAlvOxNy層在550nm處具有約1.95之折射率及在正試驗之SiuAlvOxNy層的表面上使用Berkovitch壓頭量測之大於約15GPa之硬度，如本文中所描述。
光學膜及玻璃基板之形成層的折射率(隨波長變化)係使用橢圓偏振光譜法(spectroscopic ellipsometry)加以量測。表1至表7包括經量測之折射率及色散曲線。因此，隨後將經量測之折射率用於計算各種模型化實例之反射光譜及角向色偏。
實例1
模型化實例1包括具有如第6圖所示之相同結構之物件。模型化實例1包括化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃基板及安置在該基板上的光學膜。光學膜包括具有三組子層的 光學干涉層、安置在該光學干涉層上的抗刮層及安置在該抗刮層上的覆蓋層。表8中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第7圖中圖示模型化實例1之經計算反射光譜。如第7圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約0.5個百分點)，導致在F2照明體下在60度至垂直入射之入射觀察角範圍內之10度觀測儀的經計算的相對較低之可見色偏，如第8圖所示。第7圖圖示具有0.2之半徑之目標，該目標在F2照明下位於基板之顏色坐標中心，光學膜未安置在基板上。
實例2
模型化實例2包括物件200，物件200具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板210及安置在該基板上的光學膜220。如第9圖所示，光學膜220包括光學干涉層230、安置 在該光學干涉層上的抗刮層240及覆蓋層250。光學干涉層230包括四組子層231A、231B。表9中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第10圖中圖示模型化實例2之經計算反射光譜。如第10圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約0.5個百分點)，導致在F2照明體下在60度至垂直入射之入射觀察角範圍內之10度觀測儀的經計算的相對較 低之可見色偏，如第11圖所示。第11圖圖示具有0.2之半徑之目標，該目標在F2照明下位於基板之顏色坐標中心，光學膜未安置在基板上。
實例3
模型化實例3包括物件300，物件300具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板310及安置在該基板上的光學膜320。光學膜320包括光學干涉層330、安置在該光學干涉層上的抗刮層340及安置在抗刮層250上的覆蓋層350。如第12圖所示，光學干涉層包括兩組子層331A、331B、安置在複數個子層與抗刮層之間的第三子層331C及安置在複數個子層與基板之間的第三子層331D。表10中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第13圖中圖示模型化實例3之經計算反射光譜。如第13圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約0.5個百分點)，導致在F2照明體下在60度至垂 直入射之入射觀察角範圍內之10度觀測儀的經計算的相對較低之可見色偏，如第14圖所示。第14圖圖示具有0.2之半徑之目標，該目標在F2照明下位於基板之顏色坐標中心，光學膜未安置在基板上。
實例4
模型化實例4包括物件400，物件400具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板410及安置在該基板上的光學膜420。光學膜420包括光學干涉層430、安置在該光學干涉層上的抗刮層440及安置在抗刮層上的覆蓋層450。如第15圖所示，光學干涉層包括三組子層431A、431B、安置在複數個子層與抗刮層之間的第三子層431C及安置在複數個子層與基板之間的第三子層431D。表11中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第16圖中圖示模型化實例4之經計算反射光譜。 如第16圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約0.5個百分點)，導致在F2照明體下在60度至垂直入射之入射觀察角範圍內之10度觀測儀的經計算的相對較低之可見色偏，如第17圖所示。第17圖圖示具有0.2之半徑之目標，該目標在F2照明下位於基板之顏色坐標中心，光學膜未安置在基板上。
實例5
模型化實例5包括物件500，物件500具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板510及安置在該基板上的光學膜520。光學膜520包括光學干涉層530、安置在該光學干涉層上的抗刮層540及安置在抗刮層550上的覆蓋層550。如第18圖所示，光學干涉層包括六組子層531A、531B及安置在複數個子層與抗刮層之間的第三子層531C。表12中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第19圖中圖示模型化實例5之經計算反射光譜。如第19圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約1個百分點)，此舉將導致當在照明體下在相對垂直入射約0度至約60度之入射觀察角處觀察時的相對較低之可見色偏。
實例6
模型化實例6包括物件600，物件600具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板610及安置在該基板上的光學膜620。光學膜620包括光學干涉層630、安置在該光學干涉層上的抗刮層640及安置在抗刮層650上的覆蓋層650。如第20圖所示，光學干涉層包括兩組子層631A、631B及安置在複數個子層與基板之間的第三子層631C。表13中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第21圖中圖示模型化實例6之經計算反射光譜。如第21圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約1個百分點)，導致在F2照明體下在60度至垂直入射之入射觀察角範圍內之10度觀測儀的經計算的相對較低之可見色偏，如第26圖所示。第26圖圖示具有0.2之半徑之目標，該目標在F2照明下位於基板之顏色坐標中心，光學膜未安置在基板上。
實例7
模型化實例7包括物件700，物件700具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板710及安置在該基板上的光學膜720。光學膜720包括光學干涉層730、安置在該光學干涉層上的抗刮層740及安置在抗刮層750上的覆蓋層750。如第22圖所示，光學干涉層包括三組子層731A、731B及安置在複數個子層與基板之間的第三子層731C。表14中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第21圖中圖示模型化實例7之經計算反射光譜。如第22圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約0.5個百分點，且在一些情況下，在光學波長體系內小於約0.1個百分點)，導致在F2照明體下在60度至垂直入射之入射觀察角範圍內之10度觀測儀的經計算的相對較低之可見色偏，如第26圖所示。
實例8
模型化實例8包括物件800，物件800具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板810及安置在該基板上的光學膜820。光學膜820包括光學干涉層830、安置在該光學干涉層上的抗刮層840及安置在抗刮層840上的覆蓋層850。如第23圖所示，光學干涉層包括四組子層831A、831B及安置在複數個子層與抗刮層之間的第三子層831C。表15中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第25圖中圖示模型化實例8之經計算反射光譜。如第25圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約0.25個百分點，且在一些情況下，在光學波長體系內小於約0.1個百分點)，導致在F2照明體下在60度至垂直入射之入射觀察角範圍內之10度觀測儀的經計算的相對較低之可見色偏，如第26圖所示。
實例9
模型化實例9包括物件900，物件900具有化學強化鹼金屬鋁硼矽酸鹽基板910及安置在該基板上的光學膜920。光學膜920包括光學干涉層930、安置在光學干涉層上的抗刮層940及安置在抗刮層950上的覆蓋層950。如第27圖所示，光學干涉層包括三組子層931A、931B及安置在複數個子層與抗刮層之間的第三子層931C。表16中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
在第28圖中圖示模型化實例9之經計算反射光譜。如第28圖所示，反射光譜之振盪較小(亦即，在光學波長體系內小於約1個百分點，且在一些情況下，在光學波長體系內小於約0.1個百分點)，此舉將導致當在照明體下在相對垂直入射約0度至約60度之入射觀察角處觀察時相對較低之可見色偏。
實例10至實例11及比較實例12
製造實例10且實例10包括基板及安置在該基板上的光學膜。基板包括化學強化ABS玻璃基板，該化學強化ABS玻璃基板具有約900MPa之壓縮應力及約45μm之DOL。如表17所示，光學膜包括具有六個子層組的光學干涉層。六個子層組包括SiOxNy之第一低RI子層(在約550nm之波長處具有約1.49之折射率值)及AlOxNy之第二高RI子層(在約550nm之波長處具有約2.0之折射率值)。光學膜亦包括AlOxNy抗刮層。使用氧化及氮化環境、使用AJA-Industries濺射工具、使用反應性磁控濺射形成實例10之光學干涉層。使用之濺射目標包括直徑為3"的矽目標及直徑為3"的鋁目標。
藉由供應約490W之RF至矽目標來形成第一低RI層。在第一低RI層之形成期間，將約75W之RF及50W之DC供應至鋁目標；然而，關閉鋁擋板以防止鋁之沉積。在第 一低RI子層之沉積期間，氧氣以約3.3sccm之流動速率流至反應器中，氬氣以約30sccm之流動速率流至反應器中且氮氣以約30sccm之流動速率流至反應器中。第一低RI子層之沉積時間經修改以提供表17及表18中所示之厚度。
使用定向在鋁目標處之RF疊加DC功率安置第二高RI子層。將約300W之DC功率供應至鋁目標且將約200W之RF功率供應至Al目標。在第二高RI層之形成期間，以約50W將RF功率供應至矽目標；然而，關閉矽擋板以防止矽之沉積。在第二高RI子層之沉積期間，氧氣以約0.25sccm之流動速率流至反應器中，氬氣以約30sccm之流動速率流至反應器中且氮氣以約30sccm之流動速率流至反應器中。第二高RI子層之沉積時間經修改以提供表17及表18中所示之厚度。
表17亦提供在約550nm之波長處第一低RI子層、第二高RI子層及抗刮層各自的折射率值。此等子層之整體色散曲線類似用於模型化實例1至模型化實例9中的相似材料(該等材料之折射率色散亦經實驗量測)。模型化實例1至模型化實例9中使用的色散曲線可在每一波長處略微向上或向下偏移線性量或縮放量以達到實例10及實例11中使用的目標折射率以非常接近地再現操作實例10及操作實例11中的材料之實際色散曲線。
在第一低RI子層(SiOxNy)及第二高RI子層(AlOxNy)之間的過渡中之每一者處，當氣體流過渡至以下子層所需的彼等氣體流時，關閉矽擋板及鋁擋板兩者達約60 秒。在此過渡期間，調節功率及氣體流。將濺射維持為「打開」但經濺射材料轉到關閉的擋板上。由於第二高RI子層採用低氧氣流量(與用於形成第一低RI子層的氧氣流量相比)，供應至矽目標之功率在一些情況下保持在約500W以排除剩餘氧氣。在針對給定子層打開擋板之前，在用於各種層之氣體之存在下，此製程允許濺射目標獲得其所需功率。
使用與用於形成第二高RI子層相同的條件形成抗刮層。與所描述光學干涉層組合之所得抗刮層展示如使用本文中所描述之Berkovich壓頭所量測之約15GPa之硬度及如藉由已知奈米壓痕方法量測之約212GPa之模數。
總時間：35523.0
使用與實例10相同的設備及類似反應性濺射製程來形成實例11；然而，實例11包括在第二高RI子層中及作為抗刮層的SiuAlvOxNy，該抗刮層在約550nm之波長處具有約1.998之折射率。實例11中使用的基板與實例10中使用的相同。實例11之光學膜設計及用於形成實例11的濺射製程條件圖示於表19及表20中。
如本文中所描述，使用Berkovich金剛石壓頭及約100nm之壓痕深度量測實例11之硬度，且實例11之物件具有21GPa之經量測硬度。實例11亦展示237GPa之彈性模數。
使用與實例10及實例11相同的基板形成比較實例12，但使用Shincron旋轉鼓式塗佈機藉由反應性濺射來形成 安置在基板上的膜。比較實例12之膜包括安置在抗刮層與玻璃基板之間的單一光學干涉層。比較實例12包括以下結構：玻璃基板/115nm之Al2O3光學干涉層/2000nm之AlOxNy抗刮層/32nm之SiO2覆蓋層。
在第29圖至第31圖中概述實例10及實例11及比較實例12之光學特性。第29圖圖示實例10至實例11及比較實例12之透射光譜。第30圖圖示在不同入射照明角(例如，5度、20度、40度及60度)下使用F2照明量測的實例10至實例11之反射光顏色坐標。第31圖圖示在5度之入射照明角下使用D65照明量測的實例10至實例11之透射光顏色坐標。圓形目標線圖示於第30圖及第31圖中作為眼部之導向。
在約450nm至約650nm或約400nm至約700nm之較寬波長範圍內針對任何50nm或100nm波長範圍區段，實例10之透射率之振幅經量測為小於約3個百分點。如第30圖所示，在量測入射照明角在5度至60度內變化之情況下，在F2照明下實例10之反射顏色坐標之最大變化在b*顏色坐標中小於+/-1.5且在a*顏色坐標中小於+/-0.5。如第31圖所示，在D65照明下在5度入射照明角處實例10之透射顏色坐標在b*顏色坐標中與未經塗佈玻璃顏色坐標之不同小於+/-0.2且在a*顏色坐標中與未經塗佈玻璃顏色坐標之不同小於+/-0.1。
在約450nm至約650nm或約400nm至約700nm 之較寬波長範圍內針對任何50nm或100nm波長範圍區段內，實例11之透射率之振幅經量測為小於約3個百分點。在一些情況下，振幅在一些50nm或100nm波長範圍區段內甚至小於2個百分點。如第30圖所示，在量測入射照明角在5度至60度內變化之情況下，在F2照明下實例11之反射顏色坐標之最大變化在a*顏色坐標及b*顏色坐標兩者中小於+/-0.4。如第31圖所示，在D65照明下在5度處實例11之透射顏色坐標在b*顏色坐標中與未經塗佈玻璃顏色坐標之不同小於+/-0.4且在a*顏色坐標中與未經塗佈玻璃顏色坐標之不同小於+/-0.1。
如第29圖所示，比較實例12之透射振幅相對較大。根據此資料，可預測在與用於評估實例10及實例11相同之照明體及相同之入射照明角下，顏色坐標a*及b*實質上將變化。
如模型化實例中所示，可藉由添加覆蓋層(例如，具有範圍為約5nm至約25nm之厚度的SiO2或SiOxNy覆蓋層)來進一步調整實例10及實例11之絕對顏色坐標。實例10及實例11中可見的顏色變化及反射率/透射率振幅之範圍在低較及有用範圍內，但顏色變化相較模型化實例中可見的顏色變化稍大。據信模型化實例1至模型化實例9及實例10至實例11之間的此差異為反應性RF濺射製程期間遇到的層厚度及折射率變化之函數。現有技術中已知用於形成實例10至實例11及在本文中所描述之光學膜的各種方法，該等方法 未用於此等實驗中，此舉可進一步改良實驗製造層之對照及子層厚度及折射率。示例性方法包括針對光學膜中的最薄層的較慢沉積速率、沉積期間層或子層厚度之光學或石英晶體厚度監測、沉積期間腔室中氣體組成物之電漿發射或質譜監測及用於控制薄膜沉積中的層厚度及組成物之其他已知技術。
實例中使用的光學干涉層經設計以最小化抗刮層與基板之間的反射，因而減少整體物件的反射率振盪。減少之反射率振盪(或具有減小之振幅的反射率振盪)在多個照明源(包括具有銳性波長峰值之照明源，諸如CIE F2及F10照明)下在不同入射觀察角處提供低觀測顏色及低色偏。在如本文中所描述使用Berkovich壓頭量測時，抗刮層展示大於約15GPa之硬度，且在一些情況下甚至大於20GPa。
實例13
模型化實例13包括物件1000，物件1000具有化學強化玻璃基板1010及安置在該基板上的光學膜1020。光學膜1020包括光學干涉層1030、安置在光學干涉層上的抗刮層1040及安置在抗刮層1040上的覆蓋層1050。如第32圖所示，光學干涉層在基板與抗刮層之間包括三組子層1031A、1031B。表21中以佈置在光學膜中的順序提供光學膜材料及每一層之厚度。
實例13具有勻稱光學干涉層。在一或多個實施例中，只要維持勻稱性，光學干涉層可經修改以具有不同子層及厚度不同之子層。
實例14
使用經化學強化之鋁矽酸鹽玻璃基板形成實例14A，且實例14A展示在約700MPa至約900MPa之範圍內的壓縮應力及在約40μm至約50μm之範圍內的壓縮應力層深度。實例14A包括光學膜，該光學膜包括表22中所示之以下結構，歸因於製造公差，每一層之厚度變化不大於5nm。
比較實例14B包括與實例14A相同但未經塗佈的基 板。比較實例14C包括與實例14A相同之基板，在基板上安置有具有約10nm之厚度之疏水性低摩擦氟矽烷塗層。比較實例14D至比較實例14F包括與實例14A相同之基板，該基板具有厚度為186nm(14D)或478nm(14E)之SiuAlvOxNy單層或厚度為約294nm(14F)之AlOxNy單層。
使用自金屬目標之反應性DC濺射或組合之反應性DC及RF濺射來形成實例14A及比較實例14D至比較實例14F上的塗層。應注意，AlOxNy層通常可代替SiuAlvOxNy層且可使用用以形成此等層之相同或類似製程形成。可製造SiuAlvOxNy層及AlOxNy層兩者，SiuAlvOxNy層及AlOxNy層在550nm處展示約1.95至2.05之折射率及沿約100nm或更大之壓痕深度使用Berkovich壓頭硬度試驗量測之大於15GPa之經量測硬度。
表23展示在使樣本經受Taber試驗後的散射光強度(CCBTDF，1/球面度)及透射霾度(具有8mm孔徑)。表23亦展示實例14A及比較實例14B至比較實例14F之平均散射光強度值及霾度值作為基線。較低散射光強度及較低霾度與在磨耗試驗後較不可見之刮痕及較不可見之損害相關。實例14A在Taber試驗後展示最低散射光強度及霾度，指示對多個接觸事件損害之優良抗性。
表23：實例14A及比較實例14B至比較實例14F之散射光強度及霾度量測
如表24中所示，實例14A亦以不同總負載經受Garnet試驗(與Taber試驗分離)。比較實例14B亦經受Garnet試驗(與Taber試驗分離)以進行比較。
如表24所示，實例14A相較於比較實例14B在所有負載下的Garnet試驗後展示顯著較少霾度及較少散射光。
熟習此項技術者將顯而易見，可在不偏離本發明之精神或範疇之情況下進行各種修改及變化。
100‧‧‧物件
101‧‧‧經塗佈表面
110‧‧‧基板
112‧‧‧主要表面
114‧‧‧主要表面
116‧‧‧次要表面
118‧‧‧次要表面
120‧‧‧光學膜
130‧‧‧光學干涉層
131‧‧‧子層組
131A‧‧‧第一低RI子層
131B‧‧‧第二高RI子層
140‧‧‧抗刮層
150‧‧‧覆蓋層

Claims (10)

  1. 一種物件，該物件包含：一基板，該基板具有一表面；以及一光學膜，該光學膜安置在該基板表面上，形成一經塗佈表面；其中該物件包含12GPa或更大之一最大硬度，其由Berkovich壓頭硬度試驗沿約100nm或更大之壓痕深度所量測，該物件又包含在可見光譜內之85%或更高之平均透射率，且當在包含CIE A照明體、CIE B照明體、CIE C照明體、CIE D照明體、或CIE F照明體之一照明體下，以與垂直入射成範圍為約2度至約60度的一入射照明角觀察時，該物件包含2或更少之一色偏；其中色偏係由方程式√((a*2-a*1)2+(b*2-b*1)2)所決定，其中a*1及b*1為以垂直入射觀察時之物件坐標，而a*2及b*2為以入射照明角觀察時之物件坐標，且其中以垂直入射觀察時之物件坐標與以入射照明角觀察時之物件坐標皆為透射率坐標或反射率坐標。
  2. 如請求項1所述之物件，其中該物件包含在該光學波長體系內之一平均透射率或平均反射率，該平均透射率或平均反射率具有約5個百分點或更低的一平均振幅。
  3. 如請求項1所述之物件，其中該光學膜包含一感測層。
  4. 如請求項1所述之物件，其中該基板包含一非晶基板或一結晶基板。
  5. 如請求項4所述之物件，其中該非晶基板包含一玻璃，該玻璃係選自由以下各者所組成之群組：鹼石灰玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼金屬之硼矽酸鹽玻璃、以及鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃。
  6. 如請求項5所述之物件，其中該玻璃經化學強化，且包含具有至少250MPa之表面CS之壓縮應力(CS)層，該壓縮應力層自化學強化玻璃之表面在化學強化玻璃內延伸至一至少約10μm之層深度(DOL)。
  7. 一種物件，該物件包含：一基板，該基板包含有一基板表面及一玻璃，其中該玻璃經化學強化，且包含具有至少250MPa之表面CS之壓縮應力(CS)層，該壓縮應力層自化學強化玻璃之表面在化學強化玻璃內延伸至一至少約10μm之層深度(DOL)；以及一光學膜，該光學膜安置在該基板表面上，形成一經塗佈表面；其中該光學膜包含一抗刮層及安置在該抗刮層與該基板之間的一光學干涉層，該光學干涉層包含至少一組子層，該組子層包含一第一低RI子層及一第二高RI子層； 其中該物件包含在約12GPa至約50GPa之範圍內的一最大硬度，如由一Berkovich壓頭硬度試驗沿約100nm或更大之壓痕深度所量測；且其中當在包含CIE A照明體、CIE B照明體、CIE C照明體、CIE D照明體、或CIE F照明體之一照明體下，以與垂直入射成範圍為約2度至約60度的一入射照明角觀察時，該物件包含小於2之一色偏；其中色偏係由方程式√((a*2-a*1)2+(b*2-b*1)2)所決定，其中a*1及b*1為以垂直入射觀察時之物件坐標，而a*2及b*2為以入射照明角觀察時之物件坐標，且其中以垂直入射觀察時之物件坐標與以入射照明角觀察時之物件坐標皆為透射率坐標或反射率坐標。
  8. 如請求項7所述之物件，其中該第一低RI子層包含以下中之至少一者：SiO2、Al2O3、GeO2、SiO、AlOxNy、SiOxNy、SiuAlvOxNy、MgO、MgF2、BaF2、CaF2、DyF3、YbF3、YF3及CeF3，其中該第二高RI子層包含以下中之至少一者：SiuAlvOxNy、Ta2O5、Nb2O5、AlN、Si3N4、AlOxNy、SiOxNy、HfO2、TiO2、ZrO2、Y2O3、Al2O3及MoO3。
  9. 如請求項7所述之物件，其中該抗刮層包含以下中之至少一者：AlN、Si3N4、AlOxNy、SiOxNy、Al2O3、SixCy、SixOyCz、ZrO2、TiOxNy、金剛石、類金剛石碳及SiuAlvOxNy。
  10. 如請求項7所述之物件，其中該物件進一步包含一裂紋減緩層。
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