JP2019215522A - 表面微細構造体の転写用金型の製造方法及び表面微細構造体の転写用金型 - Google Patents
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Abstract
Description
項1. 金型基板とマスク層とレジストパターン層とをこの順で有し、且つ前記レジストパターン層の頂面が前記基板と反対側に凸となる曲面である金型基板積層体を形成する金型基板積層体形成工程(A)と、
前記金型基板積層体にエッチングを行い、前記金型基板に表面微細構造体の成形転写面を形成するエッチング工程(B)と、
を含む、表面微細構造体の転写用金型の製造方法。
項2. 前記金型基板積層体形成工程(A)が、
前記マスク層の表面にレジスト層を形成し、前記レジスト層の一部を所定のパターンで残存させることでレジストパターン前駆層を形成するレジストパターン前駆層形成工程、及び
加熱処理によって前記レジストパターン前駆層の頂面を前記基板と反対側に凸の曲面にするリフロー工程
を含む、項1に記載の製造方法。
項3. 前記金型基板積層体形成工程(A)が、前記レジストパターン層の成形転写面を有する金型を用いて、前記マスク層の表面に前記レジストパターン層を転写するモールド転写工程を含む、項1に記載の製造方法。
項4. 前記金型基板がガラス状炭素からなり、前記マスク層が金属ケイ化物からなる、項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
項5. 前記金型基板が炭化ケイ素からなり、前記マスク層が金属からなる、項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
項6. 前記エッチング工程(B)において、1種又は複数種のフッ素系ガス、酸素、アルゴン、ヘリウム、及び窒素からなる群から選択される少なくとも2種の混合ガスを用いてエッチングを行う、項1〜5のいずれかに記載の製造方法。
項7. 成形転写面に微細突部を有する、表面微細構造体の転写用金型であって、
前記微細突部が、尖頂部と、前記微細突部の内部側に湾曲する湾曲側面とを含む、表面微細構造体の転写用金型。
項8. 前記微細突部の高さが2μm以上である、項7に記載の転写用金型。
項9. 前記微細突部が、前記尖頂部が前記湾曲側面に取り囲まれた変形錐体状構造を有する、項7又は8に記載の転写用金型。
項10. 前記尖頂部が三角格子点状又は四角格子点状に配列している、項9に記載の転写用金型。
項11. 被転写材料がガラスである、項7〜10のいずれかに記載の転写用金型。
項12. 項7〜10のいずれかに記載の転写用金型の前記微細突部の被転写構造を表面に有する、表面微細構造体。
項13. ガラスで構成される、項12に記載の表面微細構造体。
項14. 前記ガラスが赤外線透過性ガラスである、項13に記載の表面微細構造体。
項15. 赤外光用の光学素子である、項12〜14のいずれかに記載の表面微細構造体。
本発明の表面微細構造体の転写用金型の製造方法は、金型基板積層体形成工程(A)(以下、工程(A)とも記載する。)とエッチング工程(B)(以下、工程(B)とも記載する。)とを含む。工程(A)においては、金型基板とマスク層とレジストパターン層とをこの順で有し、且つ前記レジストパターン層の頂面が前記基板と反対側に凸となる曲面である金型基板積層体を形成する。工程(B)においては、前記金型基板積層体にエッチングを行い、前記金型基板に表面微細構造体の成形転写面を形成する。これによって、形成転写面に特定形状の微細突部を有する転写用金型を得ることができる。以下、図面を参照して、本発明の表面微細構造体の転写用金型の製造方法を説明する。
図1に工程(A)の一実施形態を模式的断面図で示す。図1の実施形態においては、工程(A)が、レジストパターン前駆層形成工程(図1(A1)〜図1(A3))とリフロー工程(図1(A3)〜図1(A4))とを含む。
エッチング工程(B)においては、金型基板積層体に、少なくともプラズマ法によるドライエッチングを行う。ドライエッチングの条件としては、通常の異方性エッチングにおける条件を当業者が適宜選択される。例えば、プロセスガスとしては、金型基板積層体の金型基板、マスク層及びレジストパターン層の材質に応じて当業者が適宜決定することができ、たとえば、フッ素系ガス、酸素、アルゴン、ヘリウム、及び窒素等が挙げられる。フッ素系ガスとしては、フッ化物のガスであれば特に限定されず、例えば、CF4、CHF3、CH2F2、C2F6、C3F8、C4F6、C4F8、C4F10、C5F10、CCl2F2、CF3I、CF3Br、CHF2COF、CF3COF等のフルオロカーボン;SF6;NF3;BF3等が挙げられる。これらのプロセスガスは、1種を単独で用いてもよいし、複数種を組み合わせ(例えば、一のフッ素系ガスと酸素との組み合わせ、一のフッ素系ガスと他のフッ素系ガスとの組み合わせ、等の任意の組み合わせ)て用いてもよい。つまり、本発明においては、1種又は複数種のフッ素系ガス、酸素、アルゴン、ヘリウム、及び窒素からなる群から選択される少なくとも2種の混合ガスを用いることが好ましい。
本発明の本発明の表面微細構造体の転写用金型の製造方法は、上記の工程(A)及び工程(B)の他に、任意の工程を含む。任意の工程としては、エッチング後の成形転写面をコーティングする工程、洗浄工程、アッシング工程等が挙げられる。
本発明の表面微細構造体の転写用金型は、成形転写面に特定形状の微細突部を有する。本発明の表面微細構造体の転写用金型は、上述の「1.表面微細構造体の転写用金型の製造方法」によって得ることができる。図5に、本発明の表面微細構造体の転写用金型の一例を模式的断面図で示す。図5に示すように、本発明の表面微細構造体の転写用金型10は、成形転写面に所定のピッチpで高さhの微細突部11を有しており、微細突部11は、尖頂部12と、微細突部11の内部側に凸となるように湾曲する湾曲側面13とを含む。
本発明の表面微細構造体は、上述の「2.表面微細構造体の転写用金型」の微細突部の被転写構造を表面に有する。本発明の表面微細構造体は、上述の「2.表面微細構造体の転写用金型」を用いて被転写材料の表面を転写する。図10に、上述の表面微細構造体の転写用金型10を挙げ、表面微細構造体の転写用金型10を用いて表面微細構造体をプレス成形する方法の一例を模式的断面図で示す。
金型基板としてガラス状炭素基板(東海ファインカーボン社製、品番GC−20、かさ密度1.7g/cm3、25mm×25mm)を用意した。ガラス状炭素基板の表面に、ケイ化タングステンをスパッタ法により1200nm厚で製膜し、マスク層を得た。製膜したマスク層上に、ノボラック樹脂系レジストであるAZ−6130(AZエレクトロニックマテリアルズ社製)を毎分5000回転、30秒でスピンコートし、1.2μm厚のレジスト層を得た。マスクアライナー(露光孔直径5μm、8μmピッチの三角格子点配列型)をフォトマスクとして使用し、レジスト層にフォトマスクのパターンが移ったレジストパターン前駆層を得た(レジストパターン前駆層形成工程)。レジストパターン前駆層が得られた積層体をオーブンに投入し、135℃で30秒加熱し、頂面が曲面となったレジストパターン層を得た(リフロー工程)。
実施例1で得られた転写用金型1を用い、被成形材料としてカルコゲナイドガラス(元素組成Ge20Sb15Se65、Optocreate社製、品番KG-1、φ5.5mm、高さ6.0mmの円柱形、TMA装置によって測定される屈伏点Atは298℃)を用い、カルコゲナイドガラスの表面を転写成形した。具体的には、まず、被成形材料を真空中で313℃(At+15℃)に昇温して加熱した。次に、当該温度条件を保ったまま、被成形材料を、一方の底面側に対して実施例1で得られた転写用金型1と、他方の底面側に対して平面金型とを用いて挟みこみ、プレス圧6MPaで10秒プレスした。抜圧後10℃/分でガラス転移点まで、その後は自然に室温に冷却した後、転写成形した厚さ約0.8mmの板状の表面微細構造体を得た。得られた表面微細構造体のSEM写真(倍率1000倍)を図12に示す。さらに、厚み方向に一部切り欠いて断面を露出させた表面微細構造体のSEM写真(倍率4300倍)を図13に示す。表面微細構造体の高さh’/ピッチp’比は0.8であった。得られた表面微細構造体について、赤外領域の透過率をFT−IR(Nicolet、Avator360)を用い、透過スペクトルを得た。得られた透過スペクトルを図14に示す。図14に示すように、16μm以上の波長で透過率の上昇が確認された。なお、破線で示されるスペクトルは、表面微細構造を有さない平滑な両面を有する厚さ0.8mmの同素材のガラスについての透過スペクトルである(以下の実施例においても同様)。なお、図14において、10μmにおける透過率は54.8%であった。
レジストパターン前駆層形成工程におけるフォトマスクとして、露光孔直径1.5μm、3μmピッチの三角格子点配列型のマスクアライナー用いたことを除いて、実施例1と同様にして転写用金型を作成した。転写用金型は、同様の方法で2個(つまり、転写用金型2(表用)と転写用金型2(裏用)との一対の金型)作成した。
被成形材料としてカルコゲナイドガラス(元素組成Ge20Sb15Se65、Optocreate社製、品番KG-1、φ5.5mm、高さ6.0mmの円柱形、TMA装置によって測定される屈伏点Atは298℃)を用い、カルコゲナイドガラスの表面を転写成形した。具体的には、まず、被成形材料を真空中で308℃(At+10℃)に昇温して加熱した。次に、当該温度条件を保ったまま、被成形材料を、一方の底面側に対して実施例3で得られた表用の転写用金型2と、他方の底面側に対して裏用の転写用金型2とを用いて挟みこみ、プレス圧6MPaで110秒プレスした。抜圧後10℃/分でガラス転移点まで、その後は自然に室温に冷却した後、転写成形した厚さ約0.8mmの板状の表面微細構造体を得た。得られた表面微細構造体の表面のSEM写真(倍率2500倍)を図17に、裏面のSEM写真(倍率2500倍)を図18に示す。表面微細構造体の高さh’/ピッチp’比は0.25であった。得られた表面微細構造体について、赤外領域の透過率をFT−IR(Nicolet、Avator360)を用い、透過スペクトルを測定したところ、7μm以上の波長で透過率の上昇が確認された。
被成形材料としてカルコゲナイドガラス(元素組成Ge28Sb12Se60、Optocreate社製、品番KG−2、φ5.5mm、高さ6.0mmの円柱形、TMA装置によって測定される屈伏点Atは℃)を用い、カルコゲナイドガラスの表面を転写成形した。具体的には、まず、被成形材料を真空中で315℃(At+10℃)に昇温して加熱した。次に、当該温度条件を保ったまま、被成形材料を、一方の底面側に対して実施例3で得られた表用の転写用金型2と、他方の底面側に対して裏用の転写用金型2とを用いて挟みこみ、プレス圧5MPaで100秒プレスした。抜圧後10℃/分でガラス転移点まで、その後は自然に室温に冷却した後、転写成形した厚さ約0.8mmの板状の表面微細構造体を得た。得られた表面微細構造体を厚み方向に一部切り欠いて断面を露出させた表面微細構造体の表面側のSEM写真(倍率13000倍)を図19に、裏面のSEM写真(倍率2500倍)を図20に示す。得られた表面微細構造体について、赤外領域の透過率をFT−IR(Nicolet、Avator360)を用い、透過スペクトルを得た。得られた透過スペクトルを図21に示す。図21に示すように、7μm以上の波長で透過率の上昇が確認された。なお、図21において、10μmにおける透過率は80.3%であった。
露光孔直径を、表面に対しては1.8μm、裏面に対しては1.6μmとしたことを除き、実施例3の転写用金型2と同様の操作を行い、転写用金型3を作製した。
被成形材料としてカルコゲナイドガラス(元素組成Ge20Sb15Se65、Optocreate社製、品番KG-1、φ5.5mm、高さ6.0mmの円柱形、TMA装置によって測定される屈伏点Atは298℃)を用い、カルコゲナイドガラスの表面を転写成形した。具体的には、まず、被成形材料を真空中で308℃(At+10℃)に昇温して加熱した。次に、当該温度条件を保ったまま、被成形材料を、一方の底面側に対して実施例6で得られた表用の転写用金型3と、他方の底面側に対して裏用の転写用金型3とを用いて挟みこみ、プレス圧5MPaで100秒プレスした。抜圧後10℃/分でガラス転移点まで、その後は自然に室温に冷却した後、転写成形した厚さ約0.8mmの板状の表面微細構造体を得た。得られた表面微細構造体の表面のSEM写真(倍率2500倍)を図24に、裏面のSEM写真(倍率2500倍)を図25に示す。表面微細構造体の高さh’/ピッチp’比は0.25弱であった。得られた表面微細構造体について、赤外領域の透過率をFT−IR(Nicolet、Avator360)を用い、透過スペクトルを得た。得られた透過スペクトルを図26に示す。図26に示すように、7μm以上の波長で透過率の上昇が確認された。なお、図26において、10μmにおける透過率は80.4%であった。
金型基板として炭化ケイ素基板(東海ファインカーボン社製、品番ソリッドSiC(Tra)、かさ密度3.14g/cm3)を用意した。炭化ケイ素基板の表面に、クロムをスパッタ法により500nm厚で製膜し、マスク層を得た。製膜したマスク層上に、ナフトキノンジアジド系レジストであるAZ-1500(AZエレクトロニックマテリアルズ社製)を毎分3000回転、30秒でスピンコートし、1.1μm厚のレジスト層を得た。マスクアライナー(露光孔直径8μm、12μmピッチの三角格子点配列型)をフォトマスクとして使用し、レジスト層にフォトマスクのパターンが移ったレジストパターン前駆層を得た(レジストパターン前駆層形成工程)。レジストパターン前駆層が得られた積層体をオーブンに投入し、130℃で60秒加熱し、頂点面が曲面となったレジストパターン層を得た(リフロー工程)。
リフロー工程の加熱時間を30秒に変更したことを除いて、実施例3と同様にして転写用金型を得た。加熱時間が不足していたため、レジストパターン層の頂面が曲面とならず、当該頂面には平面が実質的に残存した。つまり、所定のリフロー工程は行われなかった。得られた転写用金型のSEM写真(倍率2500倍)を図28に示す。図28に示されるように、比較例1で得られた転写用金型は、所定のリフロー工程が行われなかったため、先鋭化された尖頂部が形成されず、丸みを帯びた頂部が形成された。
リフロー工程を行わなかったことを除いて、実施例1と同様にして転写用金型を得た。得られた転写用金型のSEM写真(倍率5000倍)を図29(a)に示し、図29(a)の部分拡大SEM写真(倍率40000倍)を図29(b)に示す。図29(a)に示されるように、比較例2で得られた転写用金型は、リフロー工程が行われなかったため、先鋭化された尖頂部が形成されず、頂部は平坦面を形成した。更に、図29(b)に示されるように、当該平坦面は、サブミクロンサイズの突起構造(数100nm)を有する粗面を成していた。
比較例2で得られた転写用金型を用い、被成形材料としてリン酸塩ガラス(K−PSK200、住田光学製、φ10mm)の表面を転写成形した。具体的には、410℃に昇温し、プレス厚0.6kNで240秒プレスした。室温に冷却した後、転写成形した面微細構造体を得た。得られた表面微細構造体のSEM写真(倍率10000倍)を図30に示す。図30は、図29(b)に相当する部分の転写面であり、このように荒れた表面を有する転写成形体が得られた。
11,11a,11b,11d,11e…微細突部
12,12a,12b,12d,12e…尖頂部
13,13a,13b…湾曲側面
h…(微細突部の)高さ
2…金型基板
3…マスク層
41…レジスト層
42,42a,42b…レジストパターン前駆層
43,43’,43c…レジストパターン層
43T,43T’,43cT…(レジストパターン層の)頂面
30,30c…金型基板積層体
(A1)〜(A4),(A3)〜(A4’)(A1c)〜(A4c)…金型基板積層体形成工程(A)
(A1)〜(A3)…レジストパターン前駆層形成工程
(A3)〜(A4),(A3)〜(A4’)…リフロー工程
(A3c)…モールド転写工程
(B2)〜(B5)…エッチング工程(B)
ms…(レジストパターン層の)成形転写面
m…(レジストパターン層の成形転写面を有する)金型
90’…被転写材料
90…表面微細構造体
Claims (15)
- 金型基板とマスク層とレジストパターン層とをこの順で有し、且つ前記レジストパターン層の頂面が前記基板と反対側に凸となる曲面である金型基板積層体を形成する金型基板積層体形成工程(A)と、
前記金型基板積層体にエッチングを行い、前記金型基板に表面微細構造体の成形転写面を形成するエッチング工程(B)と、
を含む、表面微細構造体の転写用金型の製造方法。 - 前記金型基板積層体形成工程(A)が、
前記マスク層の表面にレジスト層を形成し、前記レジスト層の一部を所定のパターンで残存させることでレジストパターン前駆層を形成するレジストパターン前駆層形成工程、及び
加熱処理によって前記レジストパターン前駆層の頂面を前記基板と反対側に凸の曲面にするリフロー工程
を含む、請求項1に記載の製造方法。 - 前記金型基板積層体形成工程(A)が、前記レジストパターン層の成形転写面を有する金型を用いて、前記マスク層の表面に前記レジストパターン層を転写するモールド転写工程を含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記金型基板がガラス状炭素からなり、前記マスク層が金属ケイ化物からなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記金型基板が炭化ケイ素からなり、前記マスク層が金属からなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記エッチング工程(B)において、1種又は複数種のフッ素系ガス、酸素、アルゴン、ヘリウム、及び窒素からなる群から選択される少なくとも2種の混合ガスを用いてエッチングを行う、請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 成形転写面に微細突部を有する、表面微細構造体の転写用金型であって、
前記微細突部が、尖頂部と、前記微細突部の内部側に湾曲する湾曲側面とを含む、表面微細構造体の転写用金型。 - 前記微細突部の高さが2μm以上である、請求項7に記載の転写用金型。
- 前記微細突部が、前記尖頂部が前記湾曲側面に取り囲まれた変形錐体状構造を有する、請求項7又は8に記載の転写用金型。
- 前記尖頂部が三角格子点状又は四角格子点状に配列している、請求項9に記載の転写用金型。
- 被転写材料がガラスである、請求項7〜10のいずれか1項に記載の転写用金型。
- 請求項7〜10のいずれか1項に記載の転写用金型の前記微細突部の被転写構造を表面に有する、表面微細構造体。
- ガラスで構成される、請求項12に記載の表面微細構造体。
- 前記ガラスが赤外線透過性ガラスである、請求項13に記載の表面微細構造体。
- 赤外光用の光学素子である、請求項12〜14のいずれか1項に記載の表面微細構造体。
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