TWI586985B - 用於測量磁場的裝置與方法 - Google Patents

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Description

用於測量磁場的裝置與方法
本發明係有關於一種用於測量磁場的裝置，包含鐵芯及勵磁線圈，該鐵芯具有可轉磁化(ummagnetisieren,英：reverse magnetize)鐵芯材料，該勵磁線圈用於轉磁化該鐵芯材料。本發明亦有關於一種測量磁場的方法。
存在各種用於測定或測量磁場的裝置。其中包括霍爾感測器、AMR感測器(AMR：各向異性磁阻)、磁敏元件、磁場線圈、磁通門感測器、GMR感測器(GMR：巨磁電阻)、TMR感測器(TMR：穿隧磁阻)及SQIDS(超導量子干涉儀)。
基於線圈與軟磁鐵芯之磁通門感測器工作原理非常簡單。其測量原理係利用勵磁線圈對軟磁鐵芯進行轉磁化並用測量線圈(拾波線圈)偵測所產生之時間相關磁通。其中，藉由軟磁鐵芯與外場相關的磁化曲線測定磁通變化。轉磁化速度愈快，則拾波線圈中電壓愈高。其中，電壓升高原因可能在於磁滯斜率變大(磁導率變大)，亦可能在於勵磁線圈頻率增大。
常用分析法之一為測量拾波線圈中訊號之第二諧波分量。此分量大致等於傳遞函數因鐵芯飽和而產生的非線性分量。其中，第二諧波分量的振幅與外場成比例。
Drljaca,P.M.等人"Low-Power 2-D fully integrated CMOS Fluxgate Magnetometer",IEEE Sensor Journal,Vol.5, Issue 5,Page 909-915(2005)曾描述過上述方法。其磁通門鐵芯長1400μm，寬20μm，厚7μm。此方法需要將訊號波形分解為傅立葉分量，以便分離與外場相關之第二諧波分量。在此情況下，第二諧波分量的振幅需明顯大於系統雜訊。但此振幅隨鐵芯材料體積減小而下降。故小型化程度有限。
根據另一相關文獻所載測量法(Promotion Walter Heinecke："Messung von magnetischen Feldern und Felddifferenzen mit Saturationskernsonden nach dem Verfahren mit direkter Zeitverschlüsselung",Braunschweig,1975)，利用拾波線圈中所感應之電壓的電壓擺幅測量轉磁化時間點。此時間點與外場有關，故可用作測量待測磁場之參數。
為準確測量此時間點，需要使因轉磁化而產生的電壓脈衝具有儘可能陡的上升邊緣。提高頻率則無所裨益，因為此舉雖會使上升邊緣變窄，但位移幅度將以相同比例減小，故而無法達到提高解析度之目的。因此，所剩之唯一途徑係為藉由選用適合材料及製程來儘量增大磁滯斜率。
小型化磁通門感測器在材料及製程最佳化方面受到限制，因為MEMS製程受邊界條件影響少有變化。此外，較短磁通門鐵芯在去磁因數作用下所形成之磁滯曲線比採用相同材料的非小型化磁通門更平坦。且拾波線圈上的訊號會因線圈及線圈鐵芯的小型化而愈來愈差(相同磁滯情況下)，分析難度遂愈來愈大。
本發明之目的在於提供一種測量裝置及一種以較小空間需求測量超小磁場的測量方法。
本發明用以達成上述目的之解決方案為如申請專利範圍第1項之裝置。本發明裝置之鐵芯材料實施為一層或多個彼此間隔一定距離的層。該鐵芯具有：(a)最大總延伸度G且2.5mmG0.2mm、(b)厚度D且2μmD0.2μm及(c)大於等於二十的長寬比。具有上述尺寸之鐵芯的至少一層實施為磁各向異性層。該磁各向異性層在磁化方面較佳具有二次對稱性(180°對稱)。下文將該裝置稱作FlipCore感測器。
「總延伸度」G可定義為：環繞著鐵芯的路徑，當長度約1200μm(1.2mm)而厚度2μm時，一般在此範圍：2.5mmG0.2mm。
鐵芯材料採用上述設計方案之優點在於，利用至少一布洛赫壁的位移來實現轉磁化。布洛赫壁位移速度約為100m/s，故而布洛赫壁在層寬約為50μm的鐵芯材料中將以短於0.5μs的時間完成位移。與主要基於外司疇極性反轉之磁通門磁力儀相比，該設計方案的優點在於所產生的訊號將增強10倍。磁化變化主要取決於布洛赫壁位移速度，故而本發明裝置之鐵芯材料的磁化變化(至少基本)與流經勵磁線圈之交流電流的頻率無關。本發明裝置的另一優點在於，該裝置因訊號增強而可加大小型化程度。
亦即，本發明之核心在於對鐵芯10的尺寸進行最佳 化，使得轉磁化所用時間短於磁化曲線所需經過時間。因此，整個轉磁化過程在一採用疇壁運動速度的步驟中便可完成。
藉此可將轉磁化過程持續時間限制在500ns內，從而使補償點具有良好之時間解析度。此舉有助於測定相應的勵磁電流。
因此，本發明之裝置可整合於微晶片如微機電系統(MEMS)中。“微機電系統”在此特定言之既指微機電系統(MEMS)，亦指小型機電系統如奈米機電系統(NEMS)。該等外司疇的延伸範圍較佳覆蓋該層或該等層的整個厚度。
該鐵芯的厚度D特定言之為1μmD0.2μm。
根據本發明一種較佳設計方案，該鐵芯之長寬比大於等於二十五。
根據本發明一種較佳實施方式，該鐵芯材料的磁導率μr大於等於五千(5000)，特定言之大於等於一萬(10000)。
根據本發明一種較佳實施方式，該鐵芯的鐵芯材料為軟磁材料。特定言之，該鐵芯的鐵芯材料為鎳鐵合金(NiFe或高導磁合金(即μ-金屬，英語為Mu-metal或permalloy))。高導磁合金為磁導率極高(磁導率μr：50000...140000)的軟磁鎳鐵合金(約含75-80%鎳)，該種軟磁鎳鐵合金例如用於遮罩低頻率磁場以及用於製造訊號變壓器、磁力電流感測器及電流互感器之鐵磁鐵芯。
根據本發明另一較佳實施方式，該等由可轉磁化鐵芯 材料構成的層之間各設有一非磁性中間層。該等中間層較佳採用不會發生結晶的厚度，以免對該等由可轉磁化鐵芯材料構成的層間的交換作用造成干擾。該(等)非磁性中間層的厚度尤佳介於一奈米(1nm)與三奈米(3nm)之間。
根據另一較佳實施方式，該包含多個彼此間隔一定距離的層之鐵芯中，每個由可轉磁化鐵芯材料構成的層的層厚DS為60nmDS 20nm
根據本發明另一較佳實施方式，該裝置具有用於偵測該轉磁化過程的單元。該單元例如可利用磁光效應或所產生的漏磁場來偵測轉磁化。該單元例如實施為用於偵測鐵芯材料之磁化狀態的單元。
本發明亦有關於一種包含本發明裝置的微機電系統。
本發明亦有關於一種利用上述裝置測量磁場的方法。根據本發明的方法，由用於週期性轉磁化鐵芯材料的交流電流流經該勵磁線圈並產生週期性變化的磁場，藉此使該鐵芯材料發生週期性轉磁化。其中，待測磁場與該勵磁線圈之磁場疊加。根據轉磁化該鐵芯材料時相對於該交流電流之過零點的時移來推斷該待測磁場。
根據本發明另一實施方式，該裝置具有用於偵測該轉磁化過程的單元，其係由可轉磁化的鐵芯材料構成。當有磁場存在，就造成轉磁化(magnetic reversal)的程序，此程序可利用適當裝置證明，俾檢知磁場或其強度，適當的裝置例如「測量線圈」。其中，根據基於布洛赫壁位移，特別 是基於單個布洛赫壁之位移的訊號測定轉磁化時間點。布洛赫壁位移速度一般高於外司疇的轉磁化速度，如此便可產生更強訊號並能準確指出轉磁化時間點，故而上述舉措較為有利。
根據本發明另一較佳實施方式，該單元具有用於對該鐵芯材料所引發的磁場變化進行測量的測量線圈，其中，根據測量線圈中所感應的電壓變化測定轉磁化時間點。特定言之，可根據測量線圈中基於布洛赫壁位移，特別是基於單個布洛赫壁之位移而感應的電壓脈衝測定轉磁化時間點。布洛赫壁位移速度一般高於外司疇的轉磁化速度，如此便可產生更強訊號並能準確指出轉磁化時間點，故而上述舉措較為有利。
下文將參照附圖對本發明進行詳細說明。
根據一種未繪示實施方式，該用於測量磁場的裝置具有如圖2所示之鐵芯10、用於對該鐵芯10的層進行轉磁化之勵磁線圈，以及用於對該轉磁化過程進行時間相關偵測之單元，該鐵芯包含實施為至少一層的可轉磁化鐵芯材料。該單元具有用於對該可轉磁化鐵芯材料所引發的磁場變化進行測量的測量線圈。
圖1為用以闡述測量原理的兩關聯圖。上圖為時間t內流經該勵磁線圈的交流電流Ierr。該交流電流與磁場強度H成正比。在勵磁線圈上施加交流電壓後遂產生交流電流Ierr，該交流電壓在本實施例中實施為角接電壓。圖中亦繪 示了待測外磁場之磁場強度Hext。
圖1中的下圖為時間t內所產生的電壓U，可在該裝置之測量線圈上分接該電壓。該電壓在本實施例中實施為電壓脈衝UP。
圖2為用於測量磁場之裝置的鐵芯10。鐵芯10具有多個(此處為五個)平面平行且彼此間隔一定距離的層12、14、16、18、20，該等層由可轉磁化鐵芯材料構成且任兩相鄰層12、14、16、18、20間皆設有一非磁性中間層22、24、26、28。鐵芯10之最大總延伸度G約大於1.5mm，長度L與寬度B之比大於或等於二十，且宜等於二十四(L：B=24)，厚度D為0.26μm。每個由可轉磁化材料構成之層的長度L為1200μm，寬度B為50μm。每個由可轉磁化材料構成之層12、14、16、18、20的厚度DS為50nm。
該可轉磁化鐵芯材料為磁導率較高(磁導率μr例如為100000)而磁致伸縮性較小之鎳鐵合金。基於層12、14、16、18、20之所選幾何形狀及相應選用的基板(未繪示)，該等可轉磁化層皆實施為關於磁化方向呈二次對稱(180°對稱)的磁各向異性層，參見圖2中的雙向箭頭M。所有由可轉磁化材料構成之層12、14、16、18、20的此種對稱性皆為平行定向。
本發明工作方式如下：本發明的測量方法係讓交流電流Ierr流經勵磁線圈並產生週期性變化的磁場Herr，從而使該等層12、14、16、18、20中的鐵芯材料得到週期性轉磁化。其中，待測磁場Hext與勵磁線圈之磁場Herr疊加。根 據轉磁化該鐵芯材料時相對於交流電流過零點的時移(△t)來推斷待測磁場Hext。為此需根據測量線圈中所感應的電壓變化測定轉磁化時間點。特定言之，可根據測量線圈中基於布洛赫壁位移，特別是基於單個布洛赫壁之位移而感應的電壓脈衝測定轉磁化時間點。布洛赫壁的位移速度一般高於外司疇的轉磁化速度，如此便可產生更強訊號並能準確指出轉磁化時間點，故而上述舉措較為有利。
採用高磁導軟磁鐵芯材料且相應層採用特殊幾何形狀後能產生極窄電壓脈衝，以便準確測定外磁場。其中，該勵磁線圈所採用之尺寸能在規定測量範圍內促使該可轉磁化鐵芯材料在兩(反向平行的)磁化方向上達到+/-Ms飽和磁化。採用高導磁合金時的飽和磁化為0.7 T至0.8 T通量密度。應用FlipCore測量法時，亦可採用飽和磁化強度更大或更小的材料。
因此，該裝置亦可稱作FlipCore(磁場)感測器。該FlipCore感測器(其餘部分結構簡單，與磁通門感測器相似)之基本原理在於：當鐵芯總是在磁場過零時驟然發生轉磁化(翻轉)從而指出磁場過零時，用勵磁線圈對待測外磁場Hext進行補償。利用測量線圈(拾波線圈)或普通磁場感測器便可測出驟然間發生的轉磁化，因為從+Ms(飽和磁化)至-Ms的磁化轉變極易辨識。此時便可根據補償外場Hext所需之電流Ierr來測定該外磁場。
與磁通門感測器相比，該感測器之優點在於便於小型化。小型化甚至符合flip原理。
採用μm或更高量級尺寸的磁性材料一般總是顯示多個磁疇。不同磁疇從不同時發生轉磁化，故而轉磁化持續時間相應較長。為實現驟然間轉磁化，一方面需要採用一高磁導磁性層(例如，NiFe)，抑或採用多個視情況包含多個非磁性中間層22、24、26、28的層12、14、16、18、20。該等可轉磁化層不可過厚，以免發生多磁疇疊加(厚度小於等於2μm或小於等於1μm)。此外，鐵芯10的長寬比不得超過一定大小，否則鐵芯自身的漏磁場會在整個條帶發生轉磁化之前阻止轉磁化。鐵芯長度為1600μm至2000μm時，寬度較佳80μm，鐵芯長度為1000μm至1600μm時，寬度較佳50μm，鐵芯長度為700μm至1000μm時，寬度較佳35μm。鐵芯長度小於700μm時，寬度較佳限制在22μm以下。
採用上述規定幾何結構後便可主要透過磁疇跳變(對於本應用而言，尤佳範圍為700μm至1600μm)來實現轉磁化過程。該材料特定言之當為高磁導材料，以免轉磁化過程受其他過程干擾。
10‧‧‧鐵芯
12‧‧‧層
14‧‧‧層
16‧‧‧層
18‧‧‧層
20‧‧‧層
22‧‧‧中間層
24‧‧‧中間層
26‧‧‧中間層
28‧‧‧中間層
B‧‧‧寬度
D‧‧‧厚度
L‧‧‧長度
M‧‧‧雙向箭頭
圖1為兩個用以闡述測量原理的關聯圖；及圖2為用於測量磁場之裝置的鐵芯。
10‧‧‧鐵芯
12‧‧‧層
14‧‧‧層
16‧‧‧層
18‧‧‧層
20‧‧‧層
22‧‧‧中間層
24‧‧‧中間層
26‧‧‧中間層
28‧‧‧中間層
B‧‧‧寬度
D‧‧‧厚度
L‧‧‧長度
M‧‧‧雙向箭頭

Claims (10)

  1. 一種用於測量磁場的裝置，包含鐵芯(10)及勵磁線圈，該鐵芯具有可轉磁化鐵芯材料，該勵磁線圈用於轉磁化該鐵芯材料，其中，該可轉磁化鐵芯材料實施為一層或多個彼此間隔一距離的層(12，14，16，18，20)，該鐵芯(10)具有：最大總延伸度G，且2.5mmG0.2mm，大於或等於二十的長寬比，及厚度D，且2μmD0.2μm，其特徵在：該包含多個層(12，14，16，18，20)之鐵芯(10)中每個由可轉磁化鐵芯材料構成的層(12，14，16，18，20)的層厚DS為60nmDS 20nm。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其特徵在於，該可轉磁化鐵芯材料之磁導率大於等於兩千。
  3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其特徵在於，該磁導率大於等於一萬。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵在於，該鐵芯(10)之可轉磁化鐵芯材料為軟磁材料。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵在於，該鐵芯(10)之可轉磁化鐵芯材料為鎳鐵合金。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵在於，該等由可轉磁化鐵芯材料構成的層之間各設有一非磁性中間層(22，24，26，28)。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵在於， 設有用於偵測該轉磁化過程的單元，其係由該可轉磁化的鐵芯材料構成。
  8. 一種利用如申請專利範圍第1至7項中任一項之裝置測量磁場的方法，其中，由用於週期性轉磁化該鐵芯材料的交流電流流經該勵磁線圈並產生週期性變化的磁場，其中，該待測磁場與該勵磁線圈之磁場疊加，根據轉磁化該鐵芯材料時相對於該交流電流之過零點的時移來推斷該待測磁場，其中，該包含多個層(12，14，16，18，20)之鐵芯(10)中每個由可轉磁化鐵芯材料構成的層(12，14，16，18，20)的層厚DS為60nmDS 20nm。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其特徵在於，該裝置具有用於偵測該轉磁化過程的單元，其係由該可轉磁化的鐵芯材料構成。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之方法，其特徵在於，該單元具有用於對該可轉磁化鐵芯材料所引發的磁場變化進行測量的測量線圈，其中，根據該測量線圈中感應的電壓變化，特別是電壓脈衝來測定轉磁化時間點。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012210049A1 (de) * 2012-06-14 2013-12-19 Robert Bosch Gmbh Hybrid integriertes Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102014203317A1 (de) * 2014-02-25 2015-08-27 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung, Herstellungsverfahren für eine Sensorvorrichtung mit mindestens einem Magnetkern und Verfahren zum Ermitteln einer Feldstärke eines Magnetfelds in mindestens einer Raumrichtung
TWI551876B (zh) * 2014-12-01 2016-10-01 Magnetic field sensing device and method
US10978448B2 (en) * 2016-01-22 2021-04-13 Texas Instruments Incorporated Integrated fluxgate device
JP2021036199A (ja) * 2017-10-06 2021-03-04 株式会社村田製作所 磁気センサ及び電流センサ
GB201719876D0 (en) * 2017-11-29 2018-01-10 Creavo Medical Tech Limited Magnetometer for medical use
EP3877771A4 (en) * 2018-11-06 2022-08-31 Efficient Power Conversion Corporation MAGNETIC FIELD PULSE CURRENT MEASUREMENT FOR TIMING-SENSITIVE CIRCUITS
JP6791237B2 (ja) * 2018-12-28 2020-11-25 Tdk株式会社 磁気センサ装置
CN113030796B (zh) 2021-03-10 2022-10-25 洛玛瑞芯片技术常州有限公司 一种磁传感器
TWI769819B (zh) * 2021-05-18 2022-07-01 宇能電科技股份有限公司 電流感測器與裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080316647A1 (en) * 2005-12-14 2008-12-25 Helene Joisten Miniature Magnetic Core, Sensor Comprising Same and Method for Manufacturing Same
US20090243609A1 (en) * 2006-03-31 2009-10-01 Citizen Electronics Co., Ltd Magnetic sensor element and magnetic sensor using the same
TWM414027U (en) * 2011-06-01 2011-10-11 Hiwin Mikrosystem Corp Linear motor Coil Package configuration

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE502773C2 (sv) * 1990-01-04 1996-01-08 Instrument Verken Ab Magnetfältsdetektor
JP3295482B2 (ja) 1993-04-08 2002-06-24 バブコック日立株式会社 移動物体検出方法および装置
JPH09145375A (ja) * 1995-11-29 1997-06-06 Sony Corp 地磁気方位センサ
JP3360168B2 (ja) * 1999-04-08 2002-12-24 ミネベア株式会社 磁気インピーダンス素子
AU3875300A (en) * 1999-03-17 2000-10-04 Southwest Research Institute Method and apparatus for long range inspection of plate-like ferromagnetic structures
JP2006216202A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの評価方法
KR20090016170A (ko) * 2007-08-10 2009-02-13 엘지마이크론 주식회사 자기저항 박막 센서
DE102009001617A1 (de) 2009-03-17 2010-09-23 Robert Bosch Gmbh Sensormodul für ein Fahrzeugsicherheitssystem und Verfahren zum Betreiben eines solchen Sensormoduls
CN102147451B (zh) * 2011-01-14 2013-10-16 广东工业大学 一种基于铁基非晶合金磁芯的磁通门探头及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080316647A1 (en) * 2005-12-14 2008-12-25 Helene Joisten Miniature Magnetic Core, Sensor Comprising Same and Method for Manufacturing Same
US20090243609A1 (en) * 2006-03-31 2009-10-01 Citizen Electronics Co., Ltd Magnetic sensor element and magnetic sensor using the same
TWM414027U (en) * 2011-06-01 2011-10-11 Hiwin Mikrosystem Corp Linear motor Coil Package configuration

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