JP2005221383A - 磁気センサ、方位検知システム、携帯通信端末、磁気エンコーダ及び磁気検知装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層の膜面内における所望の磁界方向の領域においてマイナーループ領域(破線参照)を含む領域を用いることで、所望の磁化方位方向においてマイナーループ領域としても常に異方性磁界を受け、磁化回転モードによる磁化反転が主流となる磁気センサとなり、バルクハウゼンノイズの発生を抑制でき、かつ、残留磁化自体の値も小さくなるので、相対的に磁化の変動がマイナーループ領域でも小さくでき、磁化のドリフトを小さくできる。よって、小型・軽量で地磁気程度の磁界オーダの微弱な磁界についても高感度に検知可能な磁気センサを提供できる。
【選択図】 図7
Description
本発明の第一の実施の形態を図1ないし図9に基づいて説明する。本実施の形態の磁気センサ1は、基本的には、図4に示すように、絶縁性の基板2上に積層させた硬磁性体層による磁化固定層3と、この磁化固定層3上に位置する絶縁層4と、絶縁層4を介して磁化固定層3上に位置する磁界検知用軟磁性体層5とよりなる。ここに、磁界検知用軟磁性体層5は、例えば複数に分割されることにより個別に設けられた磁界検知用の複数の個別磁性層5a〜5fとされており、磁化固定層3と各個別磁性層5a〜5fとの積層構造部分により複数のセンサ部6a〜6fが並列配置させた状態で形成されている。ここに、各センサ部6a〜6fとしては、金属磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むトンネル型磁気抵抗効果素子(TMR素子)構造や磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むCPP型巨大磁気抵抗効果素子(CPP型GMR素子)構造を採ることができ、何れにしても膜面に垂直にセンス電流を流すことにより磁界検知用軟磁性体層5の磁化の変化を当該磁気センサ1の抵抗値の違いとして検知する方式のものである。
本発明の第二の実施の形態を図10ないし図13に基づいて説明する。第一の実施の形態で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する(以降の実施の形態でも同様とする)。
本発明の第三の実施の形態を図15に基づいて説明する。本実施の形態は、基本的には第二の実施の形態の初期化方式に準ずるが、その消去の仕方として、例えば図15に示すように、磁性体層5に電流を流す際に、本来縦型(膜面に垂直)に流れるセンス電流(矢印a)を流すための引き出し線25の一部をバイパスさせて(矢印b)、当該引き出し線25と磁性体層5との総抵抗値と絶縁層(トンネル層)4の抵抗値との差を考慮し、この差に見合うようにDC消去用電流又はAC消去用電流を付加するようにしたものである(付加手段)。これにより、より精密にバイアス磁界を発生させることができる。
本発明の第四の実施の形態を図16に基づいて説明する。本実施の形態は、前述した各実施の形態のような磁気センサ1を利用して構成した地磁気検知の方位検知システムへの適用例を示す。まず、例えば2つの磁気センサ1a,1bをxyz3軸ベクトルの方向中の任意の2面(x,y軸でもよく、y,z軸でもよく、z,x軸でもよい)=直交平面上に独立して配置させた地磁気センサ31が設けられている。これらの磁気センサ1a,1bの検知出力はデータ取り込み部32を介して検知手段としての3磁気成分検知部33に入力されている。この3磁気成分検知部33は地磁気検知に関して、磁気センサ1a,1bの検知出力に基づき3軸ベクトル成分を検知する。一方、データ取り込み部32を介して取り込まれた磁気センサ1a,1bの検知出力に関してその絶対値を算出する絶対値演算部34と、この絶対値演算部34により算出された絶対値の大きさを予め設定されている比較地磁気強度に測定マージンを加味した閾値と比較する比較部35とによる異常検知手段36が設けられている。比較部35では算出された絶対値の大きさが閾値を超えている場合に検知結果に異常があると判断する。この比較部35の出力側には異常検知出力に基づき動作する報知手段としての警報部37が設けられている。
本発明の第五の実施の形態を図17に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような磁気センサ1を利用して構成したGPS対応の携帯通信端末としての携帯電話41への適用例を示す。図17は携帯電話41の外観構成を示す概略正面図で、種々の構成例があるが、一例としてマイク部42、入力操作部43、スピーカ部44、LCD等による表示部45等を備え、ヒンジ部46により2つ折り構造とされている。
本発明の第六の実施の形態を図18に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような磁気センサ1と、所定のギャップを介してこの磁気センサ1の近傍に配置された磁界発生手段として交互に磁極の極性を反転させた磁性体51とを備え、磁気センサ1によって磁性体51による磁界を検知しその変化分を計数するタイプの磁気エンコーダ52への適用例を示す。即ち、前述したような磁気センサ1によれば、磁性体51との相対運動を磁界の強度の差として検知する磁気エンコーダ52として用いることは充分可能である。この場合、低磁界に対する感度を増加させることができ、磁性体51が着磁された測定対象となる媒体の磁界強度が小さくても充分機能する。
本発明の第七の実施の形態を図19に基づいて説明する。本実施の形態は、共振回路61と信号処理部62とを備える磁気検知装置63に関して、キャパシタC成分(又は、インダクタンスL成分)を持つ外部素子64とともに、前述したような磁気センサ1を共振回路61中に配置させたものである。図示例では、共振回路61は、例えばキャパシタC成分が固定の外部素子64と磁気センサ1との組合せにより抵抗成分Rが可変のCR共振回路構成とされている。つまり、磁気センサ1のTMR素子等のセンサ部6を磁界強度に応じて可変する抵抗成分Rとし、外部素子64のキャパシタC成分(又は、インダクタ成分L)とでCR共振回路(又は、CL共振回路)を構成し、その発振周波数の変化により磁界強度を検知するものである。
3 磁性薄膜
5 磁界検知用軟磁性体層
6 薄膜磁気抵抗効果素子
12 付加手段
33 検知手段
36 異常検知手段
37 報知手段
45 表示部
52 磁気エンコーダ
61 共振回路
63 磁気検知装置
64 外部素子
Claims (16)
- 少なくとも磁界検知用軟磁性体層を含む磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直にセンス電流を流すことにより前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化を当該素子の抵抗値の違いとして検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、
前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の検知に、当該磁界検知用軟磁性体層の膜面内における所望の磁界方向の領域においてマイナーループ領域を含む領域を用いることを特徴とする磁気センサ。 - 前記薄膜磁気抵抗効果素子は、金属磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むトンネル型磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記薄膜磁気抵抗効果素子は、磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むCPP型巨大磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記磁界検知用軟磁性体層の磁化の変化の初期値は、バイアス磁界によって設定されている、ことを特徴とする請求項1ないし3の何れか一記載の磁気センサ。
- 前記バイアス磁界は、当該センサ内の他の層からの結合磁界である、ことを特徴とする請求項4記載の磁気センサ。
- 前記結合磁界は、静磁気結合磁界である、ことを特徴とする請求項5記載の磁気センサ。
- 前記結合磁界は、交換結合磁界である、ことを特徴とする請求項5記載の磁気センサ。
- 前記センス電流に直流消去用電流を付加する付加手段を備える、ことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記センス電流に交流消去用電流を付加する付加手段を備える、ことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記センス電流を流すための引き出し線の一部をバイパスさせて、当該引き出し線とこの引き出し線が引き出された一方の磁性薄膜との総抵抗値と、中間のトンネル層の抵抗値と、の差に見合うように、直流消去用電流又は交流消去用電流を付加する付加手段を備える、ことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子の磁性薄膜の少なくとも1層の平面形状が、円形形状又はドーナツ形状に形成されている、ことを特徴とする請求項1ないし10の何れか一記載の磁気センサ。
- 地磁気を検知対象とする請求項1ないし11の何れか一記載の磁気センサと、
この磁気センサの検知出力に基づき磁気ベクトルを検知する検知手段と、
前記磁気センサの検知出力の絶対値と予め設定されている閾値とに基づき検知結果に異常があるか否かを判断する異常検知手段と、
この異常検知手段により異常が検知された場合にはその旨を報知する報知手段と、
を備えることを特徴とする方位検知システム。 - 3軸ベクトル以上の方向に独立して配置されて地磁気を検知対象とする請求項1ないし11の何れか一記載の複数の磁気センサと、
これらの磁気センサの検知出力に基づき3軸以上のベクトルを検知する検知手段と、
を備えることを特徴とする方位検知システム。 - 表示部を備える携帯通信端末であって、地磁気を検知対象として前記表示部の裏面側に埋め込まれた請求項1ないし11の何れか一記載の磁気センサを備えることを特徴とする携帯通信端末。
- 請求項1ないし11の何れか一記載の磁気センサと、
この磁気センサの近傍に配置された磁界発生手段と、
を備え、前記磁界発生手段による磁界を検知しその変化分を計数することを特徴とする磁気エンコーダ。 - キャパシタ又はインダクタンスを持つ外部素子とともに請求項1ないし11の何れか一記載の磁気センサが共振回路中に配置されている、ことを特徴とする磁気検知装置。
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