JP7215858B2 - 冗長センサ欠陥検出 - Google Patents
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Description
x’=k(x+y)、y’=k(y-x)
第2の座標系から前記第1の座標系に変換する方程式は、
x=k(x’-y’)、y=k(y’+x’)。
0度、 エラーは、第1のフィールドセンサ20Aのx次元センサにあり、
90度、 エラーは、第1のフィールドセンサ20Aのy次元センサにあり、
θ度、 エラーは、第2のフィールドセンサ20Bのx’次元センサにあり(図14Aおよび14Bの例における-45度)、ならびに
-θ度、エラーは、第2のフィールドセンサ20Bのy’次元センサにある(図15Aおよび15Bの例における45度)。
10 デバイス基板
12 ワイヤ
14 コンタクトパッド
16 システム基板
20 フィールドセンサ
20A 第1のフィールドセンサ
20B 第2のフィールドセンサ
22 センサ素子
30 コントローラ
32 制御回路
34 記憶回路
36 変換回路
38 比較回路
40 出力センサ信号
42 欠陥センサ信号
50 位相スイッチ
52 差動増幅器
54 差動比較器
99 フィールドセンサデバイス
100 センサデバイスを提供するステップ
110 センサデバイスを動作させるステップ
120 第1および第2の信号を受信するステップ
130 受信したセンサ信号を変換するステップ
140 変換された信号を比較するステップ
150 センサが欠陥であるかを判定するステップ
160 欠陥センサ判定ステップ
170 出力センサ信号を提供するステップ
180 欠陥センサ信号を提供するステップ
190 任意選択で欠陥センサを判定するステップ
Claims (14)
- フィールドセンサデバイスであって、
-第1の座標系によって決定される測定値の第1の軸を有する第1のフィールドセンサであって、磁場ベクトルである外部フィールドに応答して、前記第1の座標系に従って第1のセンサ信号を生成する、第1のフィールドセンサと、
-前記第1の座標系とは異なる第2の座標系によって決定される測定値の第2の軸を有する第2のフィールドセンサであって、前記外部フィールドに応答して、前記第2の座標系に従って第2のセンサ信号を生成する、第2のフィールドセンサと、
-コントローラであって、
a)前記第1および第2のセンサ信号を生成するように、磁場ベクトルである前記外部フィールドに応答して前記第1および第2のフィールドセンサを制御し、
b)前記第1もしくは第2のセンサ信号、または前記第1および第2のセンサ信号の両方を、前記第1の座標系、前記第2の座標系、または第3の座標系のいずれかである共通の座標系において比較可能な複数のセンサ信号に変換し、
c)もしあれば、前記共通の座標系において前記変換された複数のセンサ信号を比較して欠陥フィールドセンサを判定し、
d)欠陥フィールドセンサが判定される場合、欠陥センサ信号を提供し、または、欠陥フィールドセンサが判定されない場合、前記第1のセンサ信号、前記第2のセンサ信号、もしくは前記共通の座標系において比較可能な前記変換された複数のセンサ信号、またはそれらの任意の組み合わせに応答して出力センサ信号を提供する、ように構成された制御回路を有する、コントローラと、を備える、フィールドセンサデバイス。 - 前記制御回路は、前記第1および第2のフィールドセンサのうちのどちらが欠陥であるかを判定するように構成されている、請求項1に記載のフィールドセンサデバイス。
- 前記第1の座標系は、2次元または3次元において前記第2の座標系とは異なる、請求項1に記載のフィールドセンサデバイス。
- 前記制御回路は、前記第1のセンサ信号、前記第2のセンサ信号、および前記共通の座標系において前記変換された複数のセンサ信号のいずれかのうちの1つ以上、または前記共通の座標系において比較可能な前記変換された複数のセンサ信号に対する前記第1のセンサ信号および/又は前記第2のセンサ信号の回転を示す回転マトリックスを記憶するための記憶回路を備える、請求項1に記載のフィールドセンサデバイス。
- 前記第1または第2のフィールドセンサは、1つ以上のセンサ素子、または1つ以上の対のセンサ素子を備える、請求項1に記載のフィールドセンサデバイス。
- 前記第1および第2のフィールドセンサは、基板材料を備えるデバイス基板上に配設され、前記第1および第2のフィールドセンサは、前記基板材料とは少なくとも部分的に異なる1つ以上のセンサ材料を備える、請求項1に記載のフィールドセンサデバイス。
- 前記基板材料は、半導体であり、前記制御回路は、前記デバイス基板の前記半導体内にまたは前記半導体上に少なくとも部分的に形成される、請求項6に記載のフィールドセンサデバイス。
- 前記制御回路は、前記基板材料とは少なくとも部分的に異なる制御回路材料を備え、前記制御回路は、前記デバイス基板上に配設されている、請求項6に記載のフィールドセンサデバイス。
- 前記制御回路は、前記フィールドセンサの測定値のベクトル成分を使用して欠陥フィールドセンサを判定する回路を備える、請求項1に記載のフィールドセンサデバイス。
- フィールドセンサ診断方法であって、
a)磁場ベクトルである外部フィールドに応答して第1および第2のフィールドセンサを制御して、それぞれの第1および第2のセンサ信号を生成するステップであって、前記第1のセンサ信号が第1の座標系に従って決定されかつ前記第2のセンサ信号が前記第1の座標系とは異なる第2の座標系に従って決定されるステップと、
b)前記第1および第2のセンサ信号を受信するステップと、
c)前記第1もしくは第2のセンサ信号、または前記第1および第2のセンサ信号の両方を、前記第1の座標系、前記第2の座標系、または第3の座標系のいずれかである共通の座標系において比較可能な複数のセンサ信号に変換するステップと、
d)前記共通の座標系において変換された複数のセンサ信号を比較して、前記第1または第2のフィールドセンサが欠陥であるかどうかを判定するステップと、
e)欠陥フィールドセンサが判定される場合欠陥センサ信号を提供し、または、欠陥フィールドセンサが判定されない場合、前記第1のセンサ信号、前記第2のセンサ信号、もしくは前記共通の座標系において比較可能な前記変換された複数のセンサ信号、またはそれらの任意の組み合わせに応答して出力センサ信号を提供する、ステップと、を含む、方法。 - 第1の時間に、前記ステップa)~d)を実行し、前記第1のセンサ信号、前記第2のセンサ信号、または前記共通の座標系において比較可能な前記変換された複数のセンサ信号を記憶するステップと、
前記第1の時間とは異なる第2の時間に、前記ステップa)~d)を繰り返すステップと、
前記記憶された複数の信号のうちのいずれか1つ以上を、前記第2の時間の前記第1のセンサ信号、前記第2のセンサ信号、または前記共通の座標系において比較可能な前記変換された複数のセンサ信号のうちのいずれかと比較するステップと、
を含む、請求項10に記載の方法。 - a)前記第2のフィールドセンサが欠陥である場合、前記第1のセンサ信号であるか、もしくは前記第1のセンサ信号から導出された出力センサ信号を提供するステップ、または
b)前記第1のフィールドセンサが欠陥である場合、前記第2のセンサ信号であるか、もしくは前記第2のセンサ信号から導出された出力センサ信号を提供するステップ、を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記第1のフィールドセンサまたは前記第2のフィールドセンサが欠陥であり、前記共通の座標系において比較可能な前記変換された複数のセンサ信号を比較することによって、前記第1のフィールドセンサまたは第2のフィールドセンサのうちのどちらが欠陥であるかを判定するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記共通の座標系において比較可能な前記変換された複数のセンサ信号を組み合わせて前記出力センサ信号を提供するステップ、または、前記第1および第2のセンサ信号から導出された信号を組み合わせて前記出力センサ信号を提供するステップ、を含む、請求項10に記載の方法。
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