TWI586017B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明關於發光裝置及其製造方法。
當製造具有發光元件的發光裝置時，在玻璃基板等基板上使用半導體製程形成用來驅動發光元件的半導體電路，在半導體電路上形成絕緣膜(平坦化膜)，並且在該絕緣膜上形成發光元件。
另外，已知如下製造撓性發光裝置的方法：在玻璃基板等基板上形成剝離層，在剝離層上形成用來驅動發光元件的半導體電路元件，在半導體電路元件上形成絕緣膜(平坦化膜)，在該絕緣膜上形成發光元件，由剝離層剝離基板和半導體電路元件，並且將半導體電路元件和發光元件轉移在撓性基板上，以製造撓性發光裝置(參照專利文獻1)。
在專利文獻1中，在包含陽極、有機發光層、陰極的發光元件上形成層間絕緣膜，並且使用黏合層黏合層間絕緣層膜和支撐體。接著，由作為剝離層的第一材料層及第二材料層剝離半導體電路元件及發光元件與基板。使用黏合層將被剝離的半導體電路元及發光元件黏合在薄膜基板上。
專利文獻1日本專利申請公開第2003-163337號公報
這裏，有如下問題：在有機層與形成在該有機層上的作為陰極或陽極的電極的緊貼性弱的情況下，當由剝離層剝離半導體電路元件及發光元件與基板時，在電極與有機層的介面可能會發生剝離。
鑒於上述問題，本發明的一個實施例的目的在於抑制當由剝離層剝離半導體電路元件及發光元件與基板時在電極與有機層的介面發生的剝離。
在具有多個像素的發光裝置中，當在每個像素中製造發光元件時，將形成在有機層上的作為陰極或陽極的電極與隔斷牆接觸的區域配置在每個像素周圍。藉由設置與電極的緊貼性強的隔斷牆，當剝離半導體電路元件及發光元件與基板時，可以在有機層與電極不剝離的情況下剝離半導體電路元件及發光元件與基板。
本發明的一個實施例關於一種發光裝置的製造方法，包括：在基板上形成剝離層；在所述剝離層上形成半導體電路元件層；在所述半導體電路元件層上形成電連接於所述半導體電路元件層的多個第一電極；在所述半導體電路元件層上形成重疊於所述多個第一電極的每個電極的端部的隔斷牆；在所述多個第一電極的每一個上形成發紅色光的有機物層、發綠色光的有機物層和發藍色光的有機物層中的任何一種；所述發紅色光的有機物層、所述發綠色光的有機物層和所述發藍色光的有機物層中的發同一種顏色
的光的有機物層相鄰地排列為一列，並且在所述發紅色光的有機物層相鄰地排列為一列的第一區域、所述發綠色光的有機物層相鄰地排列為一列的第二區域和所述發藍色光的有機物層相鄰地排列為一列的第三區域中，以所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域的每一個延伸的方向作為第一方向；所述隔斷牆存在於所述第一區域與所述第二區域之間、所述第二區域與所述第三區域之間和所述第三區域與所述第一區域之間，並且所述隔斷牆在所述第一方向上延伸；在所述有機物層上形成第二電極，該第二電極接觸於所述隔斷牆並使用與所述隔斷牆的緊貼性強的材料而形成；以及在藉由所述剝離層從所述基板剝離包含所述半導體電路元件層、所述第一電極、所述隔斷牆、所述有機物層和所述第二電極的疊層結構的步驟中，從所述基板剝離包含所述半導體電路元件層、所述第一電極、所述隔斷牆、所述有機物層和所述第二電極的疊層結構的方向為垂直於第一方向的第二方向。
所述隔斷牆使用無機材料或有機材料而形成，所述無機材料是氧化矽、氮化矽、包含氮的氧化矽、包含氧的氮化矽和金剛石狀碳中的任何一種或兩種以上，而所述有機材料是聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑或苯並環丁烯和矽氧烷中的任何一種或兩種以上。
所述第二電極是透光陽極、透光陰極、遮光陰極和遮光陽極中的任何一種。
所述透光陽極的材料是氧化銦、氧化銦-氧化錫合
金、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、氧化銦氧化鋅合金、氧化鋅和添加有鎵(Ga)的氧化鋅中的任何一種。
所述透光陰極的材料是功函數低的材料的極薄膜或所述功函數低的材料的極薄膜與透光導電膜的疊層。
所述遮光陰極的材料是功函數小的金屬、功函數小的合金、功函數小的導電化合物和它們的混合物中的任何一種，並且所述功函數小的金屬是鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、銪(Eu)和鐿(Yb)中的任何一種。
所述遮光陽極的材料是功函數大的金屬、功函數大的合金、功函數大的導電化合物和它們的混合物中的任何一種，並且所述功函數大的金屬是金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)和鈀(Pd)中的任何一種。
本發明的一個實施例發揮如下效果：抑制當由剝離層剝離半導體電路元件及發光元件與基板時在電極與有機發光層的介面發生的剝離。
因此，可以製造可靠性高的具有發光元件和半導體元件的發光裝置。
以下，參照附圖說明本發明說明所公開的發明的實施例。然而，因為本發明說明所公開的發明可以按許多不同
模式進行實現，所以所屬技術領域的普通技術人員很容易理解，在不背離本發明說明所公開的發明的範圍和精神的情況下，可以對本發明的模式和細節做各種改變。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在實施例所記載的內容中。注意，在如下所述的附圖中，相同部分或具有相同功能的部分用相同的附圖標記表示，並且省略對它們的重複說明。
注意，在本說明所公開的發明中，半導體裝置是指所有藉由利用半導體而工作的元件及裝置，並且包含電子電路、顯示裝置、發光裝置等的電氣裝置及安裝有該電氣裝置的電子設備包括在其範圍內。
實施例1
在本實施例中，參照圖1A至至1E、圖2、圖3A至3D、圖4A至4C、圖5A及5B、圖6A及6B、圖7A至7C、圖8、圖9、圖16和圖17說明發光裝置及其製造方法。
首先，參照圖1A至1E說明本實施例的概要。首先，在基板101上製造剝離層102和半導體電路元件103(參照圖1A)。
作為基板101，可以使用玻璃基板、石英基板、半導體基板、陶瓷基板、金屬基板等。
剝離層102藉由如下方法形成：藉由電漿CVD法、濺射法等，將由從鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭
(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)和矽(Si)中選擇的元素或包含此類元素作為主要成份的合金材料或化合物材料構成的層形成為單層結構或疊層結構。含矽的層的晶體結構可以為非晶態、微晶態或者多晶態中的任意一種。
當剝離層102具有單層結構時，較佳形成包含如下材料中的任何一種的層：鎢、鉬、鎢和鉬的混合物、鎢的氧化物、鎢的氧氮化物、鎢的氮氧化物、鉬的氧化物、鉬的氧氮化物、鉬的氮氧化物、鎢和鉬的混合物的氧化物、鎢和鉬的混合物的氧氮化物、鎢和鉬的混合物的氮氧化物。例如，鎢和鉬的混合物相當於鎢和鉬的合金。
當剝離層102具有疊層結構時，較佳形成含有鎢、鉬或鎢和鉬的混合物作為第一層，並且形成含有鎢的氧化物、鉬的氧化物、鎢和鉬的混合物的氧化物、鎢的氧氮化物、鉬的氧氮化物或鎢和鉬的混合物的氧氮化物的層作為第二層。當以這種方式將剝離層102形成為具有疊層結構時，較佳使用金屬膜和金屬氧化物膜的疊層結構。作為形成金屬氧化膜的方法的例子，有藉由濺射法直接形成金屬氧化膜的方法，以及藉由熱處理或氧氣氣氛下的電漿處理使形成在基板101上的金屬膜表面氧化而形成金屬氧化膜的方法等。
作為金屬膜，除了上述的鎢(W)、鉬(Mo)以外，還可以使用由選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳
(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)和銥(Ir)的元素、或者主要包含該元素的合金材料或化合物材料構成的膜。
另外，在形成剝離層102之前，可在基板101上形成絕緣膜如氧化矽膜、氮化矽膜、包含氮的氧化矽膜、包含氧的氮化矽膜等，然後在該絕緣膜上形成剝離層102。藉由在基板101和剝離層102之間提供這種絕緣膜，可防止包含在基板101中的雜質進入上層。另外，當在後面進行雷射照射步驟的情況下，能夠在進行該步驟時防止基板101被蝕刻。另外，這裏，包含氮的氧化矽膜和包含氧的氮化矽膜在意思上有所不同，前者含有的氧多於氮，而後者含有的氮多於氧。
接著，在半導體電路元件103上形成電連接於半導體電路元件103的電極104。形成隔斷牆105，以重疊於電極104的端部(參照圖1B)。電極104成為發光元件的陽極或陰極。
發光裝置的陽極和陰極中的一者或兩者需要由透光導電膜形成。當作為陽極及陰極在包含發光層的有機物層下形成透光導電膜並在有機物層上形成遮光導電膜時，發光裝置成為底部發射的發光裝置。與此相反，當作為陽極及陰極在包含發光層的有機物層下形成遮光導電膜並在有機物層上形成透光導電膜時，發光裝置成為頂部發射的發光裝置。當陽極及陰極的兩者由透光導電膜形成時，發光裝置成為雙面發射的發光裝置。
作為透光陽極材料，可以使用氧化銦(In2O3)、氧化銦-氧化錫合金(In2O3-SnO2，即Indium Tin Oxide(ITO))、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO：IZO，即Indium Zinc Oxide)、氧化鋅(ZnO)、為進一步提高可見光的透過率及導電率而添加有鎵(Ga)的氧化鋅(ZnO：Ga)等導電金屬氧化物膜。
這些材料可以藉由濺射法、真空蒸鍍法、溶膠-凝膠法等形成。
例如，氧化銦-氧化鋅(IZO)可以使用對氧化銦添加了1至20wt%的氧化鋅的靶藉由濺射法形成。另外，包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦可以使用對氧化銦添加了0.5至5wt%的氧化鎢和0.1至1wt%的氧化鋅的靶藉由濺射法形成。
在形成透光陰極時，可以使用鋁等功函數小的材料的極薄膜或這樣的物質的薄膜與上述透光導電膜的疊層結構來製造。
另外，藉由在陰極和下文所述的電子傳輸層之間設置電子植入層，可以不考慮功函數的大小地使用各種透光導電材料如ITO、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫等作為陰極。這些導電材料可以藉由濺射法、噴墨法、旋塗法等沉積成膜。
另外，在將遮光導電膜用作陰極時，可以使用功函數小(明確而言，功函數為3.8eV以下)的金屬、功函數小
的合金、功函數小的導電化合物和這些材料的混合物等。作為這樣的陰極材料的具體例子，可以使用屬於元素週期表中第1族或第2族的元素，即鋰(Li)、銫(Cs)等鹼金屬、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等鹼土金屬和包含它們的合金(MgAg、AlLi)、銪(Eu)、鐿(Yb)等稀土金屬和包含它們的合金等。
另外，在將遮光導電膜用作陽極時，較佳使用功函數大(明確而言，功函數為4.0eV以上)的金屬、功函數大的合金、功函數大的導電化合物和這些材料的混合物等。
例如，可以舉出金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或金屬材料的氮化物(如氮化鈦)等。
隔斷牆105用來按每個像素剝離有機物層112，並可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料而形成。
另外，需要使隔斷牆105與在後面的步驟中形成的電極106的緊貼性高。另外，隔斷牆105也可以具有疊層結構。
作為無機材料，例如可以使用氧化矽、氮化矽、包含氮的氧化矽、包含氧的氮化矽和金剛石狀碳(Diamond Like Carbon(DLC))中的任何一種或兩種以上疊層結構。另外，作為有機材料，可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑或苯並環丁烯和矽氧烷中的任何一種或兩種以上的疊層結構。
矽氧烷是指由矽(Si)氧(O)鍵形成其骨架結構，
矽氧烷以聚合物材料為起始材料來形成，該聚合物材料至少包含氫作為取代基、或包含氟、烷基或芳烴之中的至少一種作為取代基。另外，也可採用氟基作為取代基，再者作為取代基也可以採用至少含氫的有機基和氟基。
接著，在電極104上的由相鄰的隔斷牆105夾持的區域中形成有機物層112。並且，在有機物層112上形成電極106以接觸於隔斷牆105；形成密封層107，以覆蓋隔斷牆105和電極106；再者在密封層107上形成保護材料108。在保護材料108上形成支撐體109(參照圖1C)。在電極104為陽極時電極106為陰極，而在電極104為陰極時電極106為陽極。
在本實施例中，使用鋁膜形成電極106，並使用聚醯亞胺形成隔斷牆105。因為聚醯亞胺與鋁的緊貼性強，所以在進行剝離步驟時不會發生剝離。
有機物層112一定包含發光層，並且，可以包含電洞植入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子植入層中的至少一種。另外，其形成方法可以使用蒸鍍法、噴墨法、絲網印刷法等。
以下，明確地說明構成電洞植入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子植入層的材料。
電洞植入層設置為接觸於電極104和電極106中的一者的陽極，並是包含電洞植入性高的物質的層。可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。另外，也可以使用酞菁(縮寫為H2Pc)、酞菁銅
(縮寫為CuPc)等酞菁類化合物、4,4’-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫為DPAB)、N,N’-雙[4-[雙-(3-甲基苯基)-氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯基]-4,4’-二胺(縮寫為DNTPD)等芳香胺化合物、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)等高分子等來形成電洞植入層。
另外，作為電洞植入層，可以使用在電洞傳輸性高的物質中含有受主物質的複合材料。另外，藉由使用在電洞傳輸性高的物質中含有受主物質的材料，可不顧及電極的功函數地選擇用於形成電極的材料。就是說，除了功函數大的材料，也可使用功函數小的材料作為陽極。作為受主物質，可舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(縮寫為F4-TCNQ)、氯醌等。另外，可舉出過渡金屬氧化物。另外，可舉出屬於元素週期表第4至8族的金屬的氧化物。明確地說，由於氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸具有高電子接收性，因此是較佳的。尤其較佳的是氧化鉬，因為它在大氣中穩定並且吸濕性低，容易處理。
作為用於複合材料的高電洞傳輸性的物質，可以使用各種化合物，例如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴和高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合體等)。注意，用於複合材料的有機化合物較佳為具有高電洞傳輸性的有機化合物。具體地，較佳使用電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞傳輸性高於電子
傳輸性的物質，就可以採用上述以外的物質。以下，具體示出可用作複合材料的有機化合物。
例如，作為芳香胺化合物可以舉出下列物質：N,N’-二(p-甲苯基)-N,N’-二苯基-p-苯二胺(縮寫為DTDPPA)；4,4’-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N苯基氨基]聯苯(縮寫為DPAB)；N,N’-雙[4-[雙-(3-甲基苯基)-氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯基]-4,4’-二胺(縮寫為DNTPD)；1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(縮寫為DPA3B)等。
作為可以用於該複合材料的咔唑衍生物，可以具體舉出下列物質：3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(縮寫為PCzPCA1)；3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(縮寫為PCzPCA2)；3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(縮寫為PCzPCN1)等。
此外，作為可以用於複合材料的咔唑衍生物，還可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(縮寫為CBP)；1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(縮寫為TCPB)；9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫為CzPA)；1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。
作為可用於複合材料的芳烴，可舉例如下：2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫為t-BuDNA)；2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽；9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(縮寫為DPPA)；2-叔丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(縮寫
為t-BuDBA)；9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫為DNA)；9,10-二苯基蒽(縮寫為DPAnth)；2-叔丁基蒽(縮寫為t-BuAnth)；9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(縮寫為DMNA)；2-叔丁基-9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽；9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽；9,9’-聯蒽；10,10’-二苯基-9,9’-聯蒽；10,10’-雙(2-苯基苯基)-9,9’-聯蒽；10,10’-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9’-聯蒽；蒽；並四苯；紅熒烯；二萘嵌苯；2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外也可以使用並五苯、暈苯等。像這樣，更較佳使用具有1×10-6cm2/Vs或更大的電洞遷移率並且具有14到42個碳原子的芳烴。
可以用於該複合材料的芳烴可以具有乙烯基骨架。作為包括乙烯基的芳烴，可以舉出例如4,4’-雙(2,2二苯乙烯基)聯苯(縮寫為DPVBi)、9,10-雙[4-(2,2二苯乙烯基)苯基]蒽(縮寫為DPVPA)等。
此外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(縮寫為PVK)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(縮寫為PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯醯胺](縮寫為PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](縮寫為Poly-TPD)等高分子化合物。
電洞傳輸層是包含電洞傳輸性高的物質的層。作為電洞傳輸性高的物質，例如，可使用4,4’-二[N-(1-萘基)-
N-苯基氨基]聯苯(縮寫為NPB)，N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(縮寫為TPD)，4,4’,4”-三[N,N-二苯基氨基]三苯基胺(縮寫為TDATA)，4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(縮寫為MTDATA)或4,4’-二[N-(螺-9,9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫為BSPB)等的芳香胺化合物等。上述物質是主要具有10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質。但是，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以採用上述以外的物質。另外，包含電洞傳輸性高的物質的層不限於單層，可疊置兩個以上的包含上述物質的層。
此外，作為電洞傳輸層，也可以使用聚(N-乙烯咔唑)(縮寫為PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(縮寫為PVTPA)等高分子化合物。
發光層是包含發光物質的層。作為發光層的種類，可以採用以發光中心材料為主要成分的所謂的單膜的發光層、或者在主體材料中分散有發光中心材料的所謂的主體-客體型的發光層。
對使用的發光中心材料沒有限制，而可以使用已知的發射螢光或磷光的材料。作為螢光發光材料，例如，除了可以舉出N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(縮寫為YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(縮寫為YGAPA)等以外，還可以舉出發光波長為450nm以上的4-(9H-咔唑-
9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(縮寫為2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫為PCAPA)、二萘嵌苯、2,5,8,11-四-叔-丁基二萘嵌苯(縮寫為TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(縮寫為PCBAPA)、N,N”-(2-叔-丁基蒽-9,10-二基二-4,1-亞苯基)雙[N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](縮寫為DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫為2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫為2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N”,N”,N''',N'''-八苯基二苯並[g,p]屈(chrysene)-2,7,10,15-四胺(縮寫為DBC1)、香豆素30、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基--9H-咔唑-3-胺(縮寫為2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫為2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫為2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-亞苯基二胺(縮寫為2DPABPhA)、9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(縮寫為2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(縮寫為DPhAPhA)、香豆素545T、N，N’-二苯基喹吖啶酮(縮寫為DPQd)、紅熒烯、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基並四苯(縮寫為BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基氨
基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基(ylidene))丙二腈(縮寫為DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪(quinolizin)-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫為DCM2)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)並四苯-5,11-二胺(縮寫為p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)苊並(acenaphtho)[1,2-a]熒蒽-3,10-二胺(縮寫為p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫為DCJTI)、2-{2-叔-丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫為DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(縮寫為BisDCM)、2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(縮寫為BisDCJTM)等。作為磷光發光材料，除了雙[2-(4’,6’-二氟)吡啶醇-N,C2’]銥(Ⅲ)四(1-吡唑基)硼酸鹽(縮寫為FIr6)以外，還可以舉出：發光波長在470nm至500nm的範圍內的雙[2-(4’,6-二氟苯基)吡啶醇-N,C2’]銥(Ⅲ)吡啶甲酸酯(縮寫為FIrpic)、雙[2-(3’,5’-雙三氟甲基苯基)吡啶醇-N,C2’]銥(Ⅲ)吡啶甲酸酯(縮寫為Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)]吡啶醇-N,C2’]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為FIracac)；發光波長為500nm(綠色發光)以
上的三(2-苯基吡啶醇)銥(Ⅲ)(縮寫為Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為Ir(ppy)2(acac))、三(乙醯丙酮)(單菲咯啉)鋱(Ⅲ)(縮寫為Tb(acac)3(Phen))、雙(苯並[h]喹啉)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為Ir(bzq)2(acac))、雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2’)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為Ir(dpo)2(acac))、雙[2-(4’-全氟烷苯基苯基)吡啶醇]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2’)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為Ir(bt)2(acac))雙[2-(2’-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶醇-N,C3’]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉N,C2’)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(縮寫為Ir(piq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹噁啉合]銥(Ⅲ)(縮寫為Ir(Fdpq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(2,3,5-三苯基吡嗪根合)銥(Ⅲ)(縮寫為Ir(tppr)2(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(Ⅱ)(縮寫為PtOEP)、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(單菲咯啉)銪(Ⅲ)(縮寫為Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](單菲咯啉)(Ⅲ)(縮寫為Eu(TTA)3(Phen))等。根據各發光元件中的發光顏色而從上述那樣的材料或其他已知材料中選擇，即可。
在使用主體材料的情況下，例如可以舉出：三(8-羥基喹啉)鋁(Ⅲ)(縮寫為Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹
啉)鋁(Ⅲ)(縮寫為Almq3)、雙(10-羥基苯[h]喹啉)鈹(Ⅱ)(縮寫為BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚鹽)鋁(Ⅲ)(縮寫為BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(Ⅱ)(縮寫為Znq)、雙[2-(2-苯並噁唑基)苯酚]鋅(Ⅱ)(縮寫為ZnPBO)、雙[2-(2-苯並噻唑基)苯酚]鋅(Ⅱ)(縮寫為ZnBTZ)等的金屬配合物；2-(4-聯苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(縮寫為PBD)、1,3-雙[5-(對-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(縮寫為OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔-丁基苯基)-1,2,4-三唑(縮寫為TAZ)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(縮寫為TPBI)、紅菲繞啉(縮寫為BPhen)、浴銅靈(縮寫為BCP)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(縮寫為CO11)等的雜環化合物；NPB(或α-NPD)、TPD、BSPB等的芳香胺化合物。另外，可以舉出蒽衍生物、菲衍生物、嵌二萘衍生物、屈衍生物、二苯並[g,p]屈衍生物等的縮合多環芳香化合物，明確而言，可以舉出9,10-二苯基蒽(縮寫為DPAnth)、N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫為CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(縮寫為DPhPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(縮寫為YGAPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫為PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-
胺(縮寫為PCAPBA)、N,9-二苯基-N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-9H-咔唑-3-胺(縮寫為2PCAPA)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基屈、N,N,N’,N’,N”,N”,N''',N'''-八苯基二苯並[g,p]屈-2,7,10,15-四胺(縮寫為DBC1)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫為CzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫為DPCzPA)、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(縮寫為DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫為DNA)、2-叔-丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫為t-BuDNA)、9,9’-聯蒽(縮寫為BANT)、9,9’-(二苯乙烯-3,3’-二基)二菲(縮寫為DPNS)、9,9’-(二苯乙烯-4,4’-二基)二菲(縮寫為DPNS2)、3,3’,3”-(苯-1,3,5-三基)三嵌二萘(縮寫為TPB3)等。只要從這些材料及已知的物質中選擇如下物質，即可，該物質包含具有比分散在各主體材料中的發光中心物質的能隙(在磷光發光時是三重態能量)大的能隙(三重態能量)的物質，並呈現符合每個層應該具有的傳輸性的傳輸性。
電子傳輸層是包含電子傳輸性高的物質的層。例如，可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Almq3)、二(10-羥基苯並[h]-喹啉)鈹(縮寫為BeBq2)或二(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(縮寫為BAlq)等的包含具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬配合物等所構成的層。另外，除了上述以外，還可以使用雙[2-(2-苯並噁唑基)苯酚]
鋅(Ⅱ)(縮寫為Zn(BOX)2)、雙[2-(2-苯並噻唑基)苯酚]鋅(Ⅱ)(縮寫為Zn(BTZ)2)等具有噁唑類、噻唑類配位元體的金屬配合物等。除了金屬配合物以外，也可使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(縮寫為PBD)、1,3-二[5-(p-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(縮寫為OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(縮寫為TAZ)、浴菲咯啉(縮寫為BPhen)、浴銅靈(縮寫為BCP)等。此處所述的物質是主要具有10-6cm2/Vs以上的電子遷移率的物質。另外，只要是電子傳輸性高於電洞傳輸性的物質，就可以採用上述以外的物質作為電子傳輸層。
另外，電子傳輸層不限於單層，可疊置兩個以上的包含上述物質的層。
另外，在電子傳輸層與發光層之間可以設置控制電子載子移動的層。該層是將少量的電子捕捉性高的物質添加到上述電子傳輸性高的材料中的層，並且能夠藉由抑制電子載子移動而調整載子平衡。這種結構對由於電子穿過發光層而發生的問題(例如，元件的使用壽命的降低)的抑制發揮很大的效果。
作為接觸於電極104和電極106中的另一者的陰極而設置的電子植入層，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等的鹼金屬、鹼土金屬或它們的化合物。例如，可以使用在由具有電子傳輸性的物質構
成的層中含有鹼金屬、鹼土金屬或其化合物的層，如在Alq層中含有鎂(Mg)的層等。另外，較佳使用在由具有電子傳輸性的物質構成的層中含有鹼金屬或鹼土金屬的層作為電子植入層，這是因為能夠高效地從陰極植入電子。
另外，在由有機物層112得到紅(R)、綠(G)和藍(B)的發光的情況下，也可以根據RGB的每一種顏色的光的波長而改變有機物層112的厚度。例如，在電極104和電極106中的一者由反射導電膜形成的情況下，有從發光層穿過電極104和電極106中的另一者而發射到外側的第一光、以及從發光層發射並被電極104和電極106中的一者反射然後穿過電極104和電極106中的另一者而發射到外側的第二光。因為紅(R)、綠(G)和藍(B)的每一種顏色具有互不相同的光的波長，所以藉由根據每一種顏色而改變有機物層112的厚度，可以得到第一光和第二光干擾並互相加強的最佳距離。
密封層107是鈍化膜，例如，可以藉由濺射等形成氮化矽膜、氧化鋁膜、包含氮的氧化矽膜等具有防潮性的無機膜的單層或該膜的疊層。或者，還可以採用具有防潮性的無機膜與有機膜的疊層結構。該有機膜必須實現平坦化和應力緩和性，例如，可以藉由蒸鍍聚合形成聚乳酸。
作為保護材料108，可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂或在下文所述的在片狀纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體(預浸料)。
另外，支撐體109可以使用再剝離性薄膜以及樹脂材
料，如藉由UV照射而剝離的UV剝離薄膜等。
接著，藉由剝離層102從基板101剝離包含半導體電路元件103、電極104、隔斷牆105、有機物層112、電極106和密封層107的疊層結構、保護材料108和支撐體109(參照圖1D)。
貼合被剝離的包含半導體電路元件103、電極104、隔斷牆105、有機物層112、電極106和密封層107的疊層結構及保護材料108到基體111(參照圖1E)。基體111與半導體電路元件103也可以使用黏合劑而貼合。另外，至於支撐體109，在貼合到基體111之後將其從保護材料108剝離，即可。
基體111可以使用撓性基板等，例如，較佳的是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚醚碸樹脂(PES)、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。尤其是，因為能夠抑制高溫下的基板的拉長而抑制基板的變形和裂縫的產生，所以較佳將熱膨脹係數低的材料應用於基體111。
另外，作為基體111，還可以使用在片狀纖維體302中浸滲有有機樹脂301的結構體305(參照圖7C)。這種結構體305也被稱為預浸料。預浸料明確地說是：在片狀纖維體中浸滲用有機溶劑稀釋基質樹脂而得到的組成物之後，藉由使它乾燥而使有機溶劑揮發來使基質樹脂半固化
的材料。
圖7A和7B示出將線把用作經紗及緯紗而編織的作為片狀纖維體302的織布的俯視圖。另外，圖7C示出藉由在片狀纖維體302中浸滲有機樹脂301而得到的結構體305的截面圖。
片狀纖維體302是使用有機化合物或無機化合物的織布或者不織布。此外，片狀纖維體302還可以使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。
此外，片狀纖維體302也可以由將纖維(單線)的把(下面稱為線把)用作經紗及緯紗而編織的織布或將多種纖維的線把不規則或沿一個方向沉積而得到的不織布構成。當採用織布時，可以適當地使用平紋織物、斜紋織物、緞紋織物等。
線把的截面可以是圓形或橢圓形。作為線把，可以使用藉由以高壓水流、液體為介質的高頻振盪、連續超聲波的振盪、使用輥的按壓等實施了開纖處理的線把。實施了開纖處理的線把的寬度變寬，而可以縮減厚度方向的單線數，這樣，線把的截面成為橢圓形或平板狀。此外，藉由使用低撚絲作為線把，線把容易扁平化，線把的截面形狀成為橢圓形狀或平板形狀。如上所述，藉由使用截面為橢圓形或平板狀的線把，可以減薄片狀纖維體302的厚度。由此，可以減薄結構體305的厚度，從而能夠製造薄型半導體裝置。
如圖7A所示，片狀纖維體302由具有一定間隔的經
紗302a及具有一定間隔的緯紗302b編織。這種纖維體具有經紗302a及緯紗302b都不存在的區域(稱為“方平網眼”(basket hole)302c)。在這種片狀纖維體302中，有機樹脂301浸漬到纖維體中的比例提高，而可以提高片狀纖維體302的密合性。另外，雖然在結構體305中的方平網眼302c中不存在有經紗302a及緯紗302b，但是填充有有機樹脂301。
此外，如圖7B所示，片狀纖維體302也可以是經紗302a及緯紗302b的密度高且方平網眼302c的比例低的纖維體。具有代表性的是，方平網眼302c的大小較佳比受到局部按壓的面積還小。具有代表性的是，較佳是一邊為0.01mm以上且0.2mm以下的矩形。當片狀纖維體302的方平網眼302c的面積這樣小時，即使被具有尖端的構件(具有代表性的是鋼筆或鉛筆等書寫工具)按壓，也可以藉由片狀纖維體302整體吸收該壓力。
另外，也可以對線把施行表面處理，以便提高有機樹脂301對線把內部的滲透率。例如，有用來使線把表面活化的電暈放電處理、電漿放電處理等。此外，還有使用矽烷偶聯劑、鈦酸酯偶聯劑的表面處理。
另外作為高強度纖維，具體為拉伸彈性模量高的纖維或者楊氏模量高的纖維。作為高強度纖維的代表性例子，可以使用聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚醯胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚醯胺纖維、聚對苯撐苯並二唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維，可以採用使用E玻璃、S玻
璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。另外，片狀纖維體302可以由一種上述高強度纖維形成，也可以由多種上述高強度纖維形成。
作為浸滲在片狀纖維體302中的有機樹脂301，可以使用環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂或氰酸酯樹脂等熱固性樹脂。此外，可以使用聚苯醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂或含氟樹脂等熱塑性樹脂。另外，還可以使用上述熱塑性樹脂及上述熱固性樹脂中的多種。藉由使用上述有機樹脂，可以藉由熱處理將片狀纖維體固定到半導體元件層上。另外，有機樹脂301的玻璃化溫度越高，就越不容易因局部按壓損壞，所以是理想的。
可以將高導熱性填料分散在有機樹脂301或纖維體的線把中。作為高導熱性填料，有氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氧化鋁等。此外，作為高導熱性填料，有銀、銅等的金屬粒子。藉由在有機樹脂或線把中含有高導熱性填料，容易將元件層中產生的熱量釋放到外部，所以能夠抑制半導體裝置的蓄熱，而可以減少半導體裝置的破壞。
另外，圖7A和7B示出分別用一條經紗與一條緯紗編織而形成的片狀纖維體，但是經紗及緯紗的條數不侷限於此。只要根據需要而分別決定經紗及緯紗的條數，即可。例如，圖8和圖9分別示出將十條經紗及十條緯紗分別捆束成一把而編織成的片狀纖維體的俯視圖及截面圖。另外，在圖9中，在片狀纖維體302中浸滲有有機樹脂
301，而形成結構體305。
如上所述，因為電極106與隔斷牆105的接觸面積大，所以可以防止在剝離時電極106與有機物層112剝離。
接著，參照圖2至圖9說明形成有作為半導體電路元件103的薄膜電晶體(Thin Film Transistor，即TFT)的發光裝置及其製造方法。
首先，在基板221上形成剝離層222和基底膜204(參照圖3A)。作為基板221，可以使用與基板101相同的材料。
作為基底膜204，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、包含氮的氧化矽膜和包含氧的氮化矽膜中的任何一種或兩種以上的疊層膜。
作為剝離層222，可以使用與剝離層102相同的材料。
另外，在形成剝離層222之前，可在基板221上形成絕緣膜如氧化矽膜、氮化矽膜、包含氮的氧化矽膜、包含氧的氮化矽膜等，然後在該絕緣膜上形成剝離層222。藉由在基板221和剝離層222之間提供這種絕緣膜，可防止包含在基板221中的雜質進入上層。另外，當在後面進行雷射照射步驟的情況下，能夠在進行該步驟時防止基板2121被蝕刻。另外，這裏，包含氮的氧化矽膜和包含氧的氮化矽膜的意思有所不同，前者含有的氧多於氮，而後者含有的氮多於氧。
接著，在基底膜204上形成島狀半導體膜225；形成閘極絕緣膜205，以覆蓋基底膜204和島狀半導體膜225；並且在島狀半導體膜225上隔著閘極絕緣膜205形成閘極電極263(參照圖3B)。
作為形成島狀半導體膜225的材料，可以使用：使用具有以矽(Si)和鍺(Ge)為代表的半導體材料的氣體藉由氣相成長法或濺射法形成的非晶(非晶態)半導體；藉由利用光能或熱能使該非晶半導體結晶而形成的多晶半導體；微晶(也稱為半非晶或微晶態)半導體；以有機材料為主要成分的半導體等。島狀半導體膜225只要在藉由濺射法、LPCVD法或電漿CVD法等形成半導體膜後進行蝕刻來將該半導體膜形成為島狀，即可。在本實施例中，形成島狀矽膜作為島狀半導體膜225。
此外，作為島狀半導體膜225的材料，除了矽(Si)、鍺(Ge)等單質以外，還可以使用諸如GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、SiGe等的化合物半導體。此外，還可以使用氧化物半導體的氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、氧化鎂鋅、氧化鎵、銦氧化物和由多個上述氧化物半導體構成的氧化物半導體等。例如，也可以使用由氧化鋅、銦氧化物和氧化鎵構成的氧化物半導體等。另外，在將氧化鋅用於島狀半導體膜225的情況下，閘極絕緣膜205較佳使用Y2O3、Al2O3、TiO2、它們的疊層等，而閘極電極236、下文所述的電極215a及215b較佳使用ITO、Au、Ti等。此外，還可以將In、Ga等添加到
ZnO。
此外，閘極電極236藉由使用CVD法、濺射法、液滴噴射法等並使用選自Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba中的元素、以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料來形成，即可。另外，還可以使用以摻雜有磷等雜質元素的多晶矽膜為代表的半導體膜、AgPdCu合金。另外，既可使用單層結構，又可使用多個層的疊層結構。
在島狀半導體膜225中，形成通道形成區域233、源極區和汲極區中的一者的區域234a以及源極區和汲極區中的另一者的區域234b(參照圖3C)。區域234a及區域234b藉由以閘極電極236為掩罩將具有一種導電型的雜質元素添加到島狀半導體膜225中來形成，即可。作為具有一種導電型的雜質元素，賦予n型的雜質元素使用磷(P)或砷(As)，而賦予p型的雜質元素使用硼(B)，即可。
另外，還可以在通道形成區域233與區域234a之間及通道形成區域233與區域234b之間分別形成低濃度雜質區域。
接著，形成絕緣膜206及絕緣膜207，以覆蓋閘極絕緣膜205及閘極電極236。再者，在絕緣膜207上形成電連接於區域234a的電極215a及電連接於區域234b的電極215b。如上所述，製造半導體電路所包含的TFT211(參照圖3D)。
絕緣膜206及絕緣膜207分別可以使用在基底膜204的說明中舉出的材料中的任何一種形成。在本實施例中，作為絕緣膜206形成包含氧的氮化矽膜，作為絕緣膜207形成包含氮的氧化矽膜。這是因為為了藉由進行熱處理由包含氧的氮化矽膜所包含的氫終結島狀半導體膜225的懸空鍵的緣故。另外，還可以根據需要形成絕緣膜206及絕緣膜207中的任何一者。
電極215a及電極215b分別可以使用在閘極電極236的說明中描述的材料中的任何一種。
接著，形成絕緣膜208，以覆蓋絕緣膜207、電極215a和電極215b，並且在絕緣膜208上形成電連接於電極215a和電極215b中的一者的電極217(參照圖4A)。
絕緣膜208可以由有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。
作為無機材料，例如可以使用氧化矽、氮化矽、包含氮的氧化矽和金剛石狀碳(Diamond Like Carbon(DLC))中的任何一種或兩種以上的疊層結構。另外，作為有機材料，可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑或苯並環丁烯和矽氧烷中的任何一種或兩種以上的疊層結構。
電極217可以使用在閘極電極236的說明中舉出的材料中的任何一種而形成。
接著，在絕緣膜208上形成隔斷牆275(參照圖4B)。隔斷牆275可以使用在絕緣膜208的說明中舉出的
材料中的任何一種而形成。另外，隔斷牆275重疊於相鄰的電極217的一部分，並具有按照每一個像素剝離電極217及之後形成的有機物層112的功能。
以下，在電極217上的由相鄰的隔斷牆275圍繞的區域中形成有機物層112(參照圖4C)。
接著，在有機物層112及隔斷牆275上形成電極113。電極113可以使用在電極106的說明中描述的材料中的任何一種。
在電極113上形成密封層114(參照圖5A)。密封層114可以使用與密封層107相同的材料而形成。
另外，在密封層114上形成保護材料241。保護材料241可以使用與保護材料108相同的材料而形成。
再者，在保護材料241上形成支撐體242(參照圖5B)。支撐體242可以使用與支撐體109相同的材料。
接著，藉由剝離層222從基板221剝離基底膜204、TFT211、絕緣膜208、電極217、隔斷牆275、有機物層112、電極113、密封層114、保護材料241和支撐體242(參照圖6A)。
此時，還可以照射雷射光束如UV雷射光束，以在剝離層222和基底膜204中形成開口部。
藉由形成開口部，部分地去除剝離層222，而可以簡單地從基板221剝離基底膜204、TFT211、絕緣膜208、電極217、隔斷牆275、有機物層112、電極113、密封層114、保護材料241和支撐體242。在剝離層222的內部或
剝離層222與基底膜204之間的邊界處進行該剝離。
另外，還可以在形成支撐體242之前照射雷射。
另外，雷射光束的種類不侷限於UV雷射光束，而只要能夠形成開口部，就沒有特別的限制。
產生雷射光束振盪的雷射振盪器由雷射媒體、激勵源、共振器構成。當根據媒體對於雷射器進行分類時，有氣體雷射器、液體雷射器和固體雷射器。當根據振盪特徵對於雷射器進行分類時，有自由電子雷射器、半導體雷射器、X射線雷射器。然而，在本實施例中，可以採用任何雷射器。但是較佳使用氣體雷射器或固體雷射器，更較佳使用固體雷射器。
作為氣體雷射器，有氦氖雷射器、二氧化碳氣體雷射器、受激準分子雷射器、氬離子雷射器等。作為受激準分子雷射器，有稀有氣體受激準分子雷射器、稀有氣體鹵受激準分子雷射器。作為稀有氣體受激準分子雷射器，有利用氬、氪、氙的三種受激分子的振盪。作為氬離子雷射器，有稀有氣體離子雷射器、金屬蒸氣離子雷射器。
作為液體雷射器，有無機液體雷射器、有機螯合物雷射器、色素雷射器。無機液體雷射器以及有機螯合物雷射器利用固體雷射器所利用的釹等稀土離子作為雷射媒體。
固體雷射器所利用的雷射媒體是在固體的母體中摻雜有使雷射能作用的活性種的物質。固體的母體是結晶或玻璃。結晶是YAG(釔鋁石榴石結晶)、YLF、YVO4、YAlO3、藍寶石、紅寶石、變石。此外，使雷射能作用的
活性種例如是三價的離子(Cr3+、Nd3+、Yb3+、Tm3+、Ho3+、Er3+、Ti3+)。
而且，當使用陶瓷(多晶)作為媒體時，可以在短時間以低成本形成具有自由形狀的媒體。當使用單晶作為媒體時，通常使用直徑為幾mm且長度為幾十mm的柱狀的單晶。在使用陶瓷(多晶)作為媒體的情況下，可以形成大尺寸的媒體。直接有助於光發射的摻雜劑如Nd或Yb等在媒體中的濃度在單晶中也好在多晶中也好都不能做大的改變，因此，藉由將摻雜劑的濃度增大來提高雷射器輸出的方法受到某種程度的限制。然而，在使用陶瓷作為媒體的情況下，與單晶相比可以顯著地增加媒體的尺寸，因此，可以使雷射器的輸出得到大幅度的提高。而且，在使用陶瓷作為媒體的情況下，可以容易地形成具有平行六面體形狀或長方體形狀的媒體。在使用具有這種形狀的媒體使振盪光在媒體內部以Z字形行進時，可以延長振盪光的路徑。因此，增加了振幅，並且可以使雷射光束以高的輸出振盪。此外，從具有這種形狀的媒體發射出的雷射光束在射出時的截面形狀是四邊形形狀，而截面形狀是四邊形形狀的雷射光束在將雷射光束加工為線狀光束時比具有圓形形狀的雷射光束有利。像這樣，藉由利用光學系統對發射出的雷射光束進行整形，可以容易地獲得短邊長度為1mm或更小且長邊長度為幾mm至幾m的線狀光束。另外，藉由使激發光均勻地照射媒體，線狀光束在長邊的方向上的能量分佈成為均勻的能量分佈。當用該線狀光束照
射半導體膜時，可以對整個半導體膜進行均勻的退火。在直到線狀光束的兩端都需要均勻的退火時，可線狀光束的兩端提供狹縫以便對能量的衰減部分進行遮光。
作為用來形成開口部的雷射光束，可以使用連續波(CW)雷射光束或脈衝振盪雷射光束。而且，考慮到基底膜204和剝離層222的厚度、材料等而適當地控制雷射光束照射條件如頻率、功率密度、能量密度和束輪廓等。
以下，參照圖16及圖17說明在剝離步驟中應該沿哪個方向剝離基板221與基板221上的疊層結構體。
圖16是圖5B所示的疊層結構體的俯視圖。但是，圖16只示出基板221、隔斷牆275、電極113、區域122R、區域122G、區域122B。以下說明區域122R、區域122G、區域122B。
發出同一種顏色的光的有機物層112彼此相鄰而排列成一個列。以發紅色光的有機物層112R排列的區域作為區域122R，以發綠色光的有機物層112G排列的區域作為區域122G，並且以發藍色光的有機物層112B排列的區域作為區域122B(參照圖17)。
另外，隔斷牆275存在於有機物層112R與有機物層112G之間、有機物層112G與有機物層112B之間、有機物層112B與有機物層112R之間。再者，如圖16所示，隔斷牆275可以說在與有機物層112R、有機物層112G和有機物層112B分別延伸的方向相同的方向上延伸。
在圖16中，方向125是與基板221的一邊平行的方
向，並是與有機物層122R、有機物層122G和有機物層122B(總稱為區域122)分別延伸的方向垂直的方向。在沿方向125剝離基板221和基板221上的疊層結構體時，用來剝離的力交替地施加到隔斷牆275和區域122。
因為電極113與包含有機物層112的區域122的緊貼性弱，而電極113與隔斷牆275的緊貼性強，所以在剝離步驟中交替地存在有緊貼性弱的部分與緊貼性強的部分，從而能夠防止電極113與區域122的剝離。
另一方面，在沿有機物層122R、有機物層122G和有機物層122B分別延伸的方向的方向126上剝離基板221和基板221上的疊層結構體時，用來剝離的力一直施加到隔斷牆275和區域122的每一個。
其結果，因為電極113與隔斷牆275的緊貼性強，而電極113與區域122的緊貼性弱，所以連續地存在有緊貼性弱的部分。從而有時會發生電極113與區域122的剝離。
如上所述，剝離的方向必須是與區域122延伸的方向垂直的方向，並是隔斷牆275與區域122交替地排列的方向125。
藉由剝離基板221，能夠獲得具有基底膜204、TFT211、絕緣膜208、電極217、隔斷牆275、有機物層112、電極113、密封層114和保護材料241的疊層結構體237、支撐體242(參照圖6B)。
將基體201貼合到疊層結構體237中的基底膜204。
基體201還可以使用黏合層203實現貼合(參照圖2)。基體201可以使用與基體111相同的材料或圖7A至7C、圖8和圖9所示的結構體305。然後，從疊層結構體237剝離支撐體242。
黏合層203可以使用各種固化型黏合劑如反應固化型黏合劑、熱固化型黏合劑、紫外線固化型黏合劑等的光固化型黏合劑和厭氧型黏合劑等。作為這些黏合劑的材料，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂等。
如上所述，在使用剝離層222進行剝離步驟時，因為電極113與隔斷牆275的接觸面積大，所以能夠防止電極113與有機物層112的剝離。
根據上述，能夠製造發光裝置235。
實施例2
在本實施例中，參照圖10A至10D、圖11A及11B、圖12、圖13、圖14A至14D以及圖15A及15B說明組裝有實施例1所說明的發光裝置的行動電話。在本實施例中，使用同一附圖標記表示同一部分。
圖10C是從正面看到的行動電話的圖，圖10D是從橫向看到的行動電話的圖，圖10B是從上看到的行動電話的圖，並且圖10A是框體411的截面圖。從正面看到的框體411的形狀為具有長邊和短邊的矩形，該矩形的角還可以具有圓度。在本實施例中，與正面形狀的矩形的長邊平行
的方向被稱為長方向，而與正面形狀的矩形的短邊平行的方向被稱為短方向。
另外，從側面看到的框體411的形狀為具有長邊和短邊的矩形，該矩形的角還可以具有圓度。在本實施例中，與側面形狀的矩形的長邊平行的方向被稱為長方向，而與側面形狀的矩形的短邊平行的方向被稱為縱深方向。
圖10A至10D所示的行動電話具有框體411、框體402、組裝在框體411中的顯示區域413、操作按鈕404、EL面板421、觸控面板423和支撐體416。
EL面板421和下文所述的驅動電路412使用實施例1所說明的發光裝置而形成，即可。使用發光元件製造EL面板421，使用半導體電路元件來製造驅動發光元件的像素電路，既可。而且，也可以使用半導體電路元件來製造驅動像素電路的驅動電路412。半導體電路元件是用半導體而形成的元件，並具有包括薄膜電晶體、二極體等的電路。
另外，圖15A是框體411的透視圖，框體411的面積最大的區域為正面455、與正面455相對的面為背面452，存在於正面455與背面452之間的區域為側面453，並且由正面455、背面452和側面453圍繞的區域中的一者為上面454。
另外，圖11A是從背面看到的圖10A至10D所示的行動電話的圖。
如圖11A所示，驅動電路412配置在框體411的背面
452。
圖11B是從圖10C所示的狀態在橫方向上旋轉90°時的俯視圖。本實施例的行動電話不管縱向放置還是橫向方置，都能夠顯示圖像和文字。
如圖10A所示，在框體411的內部存在有支撐體416，並且在支撐體416上配置有EL面板421。這裏，EL面板421覆蓋支撐體416的上面區域。
像這樣，在行動電話的長方向的上部存在有顯示區域413。就是說，在上面454存在有顯示區域413。由此，例如，即使將行動電話放在上衣口袋中，也能夠在不取出行動電話的情況下看到顯示區域413。
可以在顯示區域413上顯示電子郵件的有無、來電的有無、日期和時間、電話號碼、人名等。另外，根據需要，藉由只在顯示區域413中的存在於上面454的區域進行顯示，而在其他區域不進行顯示，能夠實現節能化。
圖12示出圖10D的截面圖。如圖12所示，在框體411中沿支撐體416配置有EL面板421和觸控面板423，並且顯示區域413存在於框體411的正面455和上面454。
另外，圖13示出EL面板421和驅動電路412的展開圖。在圖13中，EL面板421被製造為配置在上面454及背面452，並且驅動電路412配置在背面452。像這樣，不是以正面455和上面454為區別分別製造(兩個)EL面板421，而是以EL面板421存在於正面455和上面454
的兩者的方式製造EL面板421，從而能夠抑制製造成本和製造時間。
在EL面板421上配置有觸控面板423，並且在顯示區域413上顯示觸控面板的按鈕414。藉由用手指等接觸按鈕414，能夠操作顯示區域413的顯示內容。另外，藉由用手指等接觸按鈕414，能夠進行電話的撥打或者製作電子郵件。
根據需要顯示觸控面板423的按鈕414，即可，從而在不需要按鈕414時，能夠如圖11B所示那樣在整個顯示區域413上顯示圖像和文字。
再者，圖14A至14D和圖15B示出如下例子：顯示區域433也存在於行動電話的長方向的上部，並且在行動電話的截面形狀中上部的長邊也具有曲率半徑。
圖14C是從正面看到的行動電話的圖，圖14D是從橫向看到的行動電話的圖，圖14B是從上看到的行動電話的圖，並且圖14A是框體431的截面圖。從正面看到的框體431的形狀為具有長邊和短邊的矩形，該矩形的角還可以具有圓度。在本實施例中，與矩形的長邊平行的方向被稱為長方向，而與矩形的短邊平行的方向被稱為短方向。
圖14A至14D所示的行動電話具有框體431、框體402、組裝在框體431中的顯示區域433、操作按鈕404、EL面板441、觸控面板443和支撐體436。
EL面板441和驅動電路412可以使用實施例1所說明的發光元件和半導體電路元件而形成。使用發光元件製
造EL面板441，使用半導體電路元件來製造驅動發光元件的像素電路，既可。也可以使用半導體電路元件來製造驅動像素電路的驅動電路412。
另外，圖15B是框體431的透視圖，與圖15A同樣，框體431的面積最大的區域為正面455、與正面455相對的面為背面452，存在於正面455與背面452之間的區域為側面453，並且由正面455、背面452和側面453圍繞的區域中的一者為上面454。
另外，從背面看到的圖14A至14D所示的行動電話的圖與從背面看到的圖10A至10D所示的行動電話的圖相同，都是圖11A。
與圖11A同樣，驅動電路412配置在框體431的背面452。作為從背面看到的圖14A至14D所示的行動電話的圖，只要將圖11A的框體411換稱為框體431，即可。
在圖14A至14D所示的行動電話中，將支撐體436的截面形狀形成為上部的長邊具有曲率半徑。由此，在EL面板441和觸控面板443的每一個的截面形狀中，上部的長邊具有曲率半徑。另外，框體431的上部也彎曲。就是說，在從正面455看顯示區域433時，其成為向前圓圓地突出的形狀。
在以支撐體436的上部的長邊的曲率半徑作為R1時，曲率半徑R1較佳為20cm至30cm。
因為支撐體436的上部的長邊彎曲為具有曲率半徑R1，所以覆蓋支撐體436的EL面板441、覆蓋EL面板
441的觸控面板443和框體431的上部的長邊也彎曲。
圖14A至14D所示的行動電話在行動電話的長方向的上部也存在有顯示區域433。就是說，在上面454也存在有顯示區域433。由此，例如，即使將行動電話放在上衣口袋中，也能夠在不取出行動電話的情況下看到顯示區域433。
可以在顯示區域433上顯示電子郵件的有無、來電的有無、日期和時間、電話號碼、人名等。另外，根據需要，藉由只在顯示區域433中的存在於上面454的區域進行顯示，而在其他區域不進行顯示，能夠實現節能化。
EL面板441和驅動電路412的展開圖與圖10A至10D的展開圖同樣，都是圖13，只要將EL面板421換稱為EL面板441，即可。在圖13中，驅動電路412配置在上面454和背面452。
本發明說明根據2009年3月26日在日本專利局申請的日本專利申請編號2009-075989而製作，所述申請內容包括在本發明說明中。
101‧‧‧基板
102‧‧‧剝離層
103‧‧‧半導體電路元件
104‧‧‧電極
105‧‧‧隔斷牆
106‧‧‧電極
107‧‧‧密封層
108‧‧‧保護材料
109‧‧‧支撐體
111‧‧‧基體
112‧‧‧有機物層
112R‧‧‧有機物層
112G‧‧‧有機物層
112B‧‧‧有機物層
113‧‧‧電極
114‧‧‧密封層
122‧‧‧區域
122R‧‧‧區域
122G‧‧‧區域
122B‧‧‧區域
125‧‧‧方向
126‧‧‧方向
201‧‧‧基體
203‧‧‧黏合層
204‧‧‧基底膜
205‧‧‧閘極絕緣膜
206‧‧‧絕緣膜
207‧‧‧絕緣膜
208‧‧‧絕緣膜
211‧‧‧TFT
215a‧‧‧電極
215b‧‧‧電極
217‧‧‧電極
221‧‧‧基板
222‧‧‧剝離層
225‧‧‧島狀半導體膜
233‧‧‧通道形成區域
234a‧‧‧區域
234b‧‧‧區域
235‧‧‧發光裝置
236‧‧‧閘極電極
237‧‧‧疊層結構體
241‧‧‧保護材料
242‧‧‧支撐體
275‧‧‧隔斷牆
301‧‧‧有機樹脂
302‧‧‧片狀纖維體
302a‧‧‧經紗
302b‧‧‧緯紗
302c‧‧‧方平網眼
305‧‧‧結構體
402‧‧‧框體
404‧‧‧操作按鈕
411‧‧‧框體
412‧‧‧驅動電路
413‧‧‧顯示區域
414‧‧‧按鈕
416‧‧‧支撐體
421‧‧‧EL面板
423‧‧‧觸控面板
431‧‧‧框體
433‧‧‧顯示區域
436‧‧‧支撐體
441‧‧‧EL面板
443‧‧‧觸控面板
452‧‧‧背面
453‧‧‧側面
454‧‧‧上面
455‧‧‧正面
在附圖中：圖1A至1E是示出發光裝置的製造方法的截面圖；圖2是示出發光裝置的製造方法的截面圖；圖3A至3D是示出發光裝置的製造方法的截面圖；圖4A至4C是示出發光裝置的製造方法的截面圖；
圖5A和5B是示出發光裝置的製造方法的截面圖；圖6A和6B是示出發光裝置的製造方法的截面圖；圖7A和7B是片狀纖維體的俯視圖；圖7C是結構體的截面圖；圖8是片狀纖維體的俯視圖；圖9是結構體的截面圖；圖10A是行動電話的截面圖；圖10B是行動電話的俯視圖；圖10C是行動電話的前視圖；圖10D是行動電話的側視圖；圖11A行動電話的後視圖；圖11B是行動電話的俯視圖；圖12是行動電話的截面圖；圖13是EL面板的展開圖；圖14A是行動電話的截面圖；圖14B是行動電話的俯視圖；圖14C是行動電話的前視圖；圖14D是行動電話的側視圖；圖15A和15B是行動電話的透視圖；圖16是示出發光裝置的製造方法的俯視圖；圖17是示出發光裝置的製造方法的俯視圖。
113‧‧‧電極
122R‧‧‧區域
122G‧‧‧區域
122B‧‧‧區域
126‧‧‧方向
221‧‧‧基板
275‧‧‧隔斷牆
Claims (12)
- 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上形成隔斷牆，該隔斷牆包括沿第一方向延伸的多個條形部分；在該基板上的該隔斷牆的該多個條形部分之間的各別區域中分別形成發紅色光的有機物層、發綠色光的有機物層和發藍色光的有機物層；在該發紅色光的有機物層、該發綠色光的有機物層和該發藍色光的有機物層上形成電極，以接觸於該隔斷牆；以及沿垂直於該第一方向的第二方向藉由剝離層從該基板剝離包含該隔斷牆、該發紅色光的有機物層、該發綠色光的有機物層、該發藍色光的有機物層和該電極的疊層結構，使得用來剝離的力交替地施加到該多個條形部分和該隔斷牆的該多個條形部分之間的區域。
- 如申請專利範圍第1項的發光裝置的製造方法，其中，該電極包括選自透光陽極、透光陰極、遮光陰極和遮光陽極中的材料。
- 如申請專利範圍第2項的發光裝置的製造方法，其中，該透光陽極包括選自氧化銦、氧化銦-氧化錫合金、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅和添加有鎵的氧化鋅中的材料。
- 如申請專利範圍第2項的發光裝置的製造方法， 其中，該遮光陰極的材料包括選自鋰、銫、鎂、鈣、鍶、銪和鐿中的材料。
- 如申請專利範圍第2項的發光裝置的製造方法，其中，該遮光陽極的材料包括選自金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅和鈀中的材料。
- 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上形成剝離層；在該剝離層上形成半導體電路元件層；在該半導體電路元件層上形成電連接於該半導體電路元件層的多個第一電極；在該半導體電路元件層上形成重疊於該多個第一電極的每個電極的端部的隔斷牆，該隔斷牆沿第一方向延伸；分別在該等第一電極上形成發紅色光的有機物層、發綠色光的有機物層和發藍色光的有機物層；在該等發紅色光的有機物層、該等發綠色光的有機物層、和該等發藍色光的有機物層上形成第二電極，以接觸於該隔斷牆；以及沿垂直於該第一方向的第二方向藉由該剝離層從該基板剝離包含該半導體電路元件層、該第一電極、該隔斷牆、該等發紅色光的有機物層、該等發綠色光的有機物層、該等發藍色光的有機物層和該第二電極的疊層結構，使得用來剝離的力交替地施加到與重疊於該等發紅色光的有機物層、該等發綠色光的有機物層、該等發藍色光的有機物層的該隔斷牆的區域重疊的區域。
- 如申請專利範圍第1或6項的發光裝置的製造方法，其中，該隔斷牆使用無機材料而形成，並且，該無機材料是氧化矽、氮化矽、包含氮的氧化矽、包含氧的氮化矽和金剛石狀碳中的至少一種。
- 如申請專利範圍第1或6項的發光裝置的製造方法，其中，該隔斷牆使用有機材料而形成，並且其中，該有機材料是聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑、苯並環丁烯和矽氧烷中的至少一種。
- 如申請專利範圍第6項的發光裝置的製造方法，其中，該第二電極包括選自透光陽極、透光陰極、遮光陰極和遮光陽極中的材料。
- 如申請專利範圍第9項的發光裝置的製造方法，其中，該透光陽極包括選自氧化銦、氧化銦-氧化錫合金、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅和添加有鎵的氧化鋅中的材料。
- 如申請專利範圍第9項的發光裝置的製造方法，其中，該遮光陰極的材料包括選自鋰、銫、鎂、鈣、鍶、銪和鐿中的材料。
- 如申請專利範圍第9項的發光裝置的製造方法，其中，該遮光陽極的材料包括選自金、鉑、鎳、鎢、 鉻、鉬、鐵、鈷、銅和鈀中的材料。
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