TWI585543B - 靜電夾具、微影裝置及方法 - Google Patents

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TWI585543B TW102111949A TW102111949A TWI585543B TW I585543 B TWI585543 B TW I585543B TW 102111949 A TW102111949 A TW 102111949A TW 102111949 A TW102111949 A TW 102111949A TW I585543 B TWI585543 B TW I585543B
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德 威克 郎諾 凡
羅傑 威哈幕斯 安東尼斯 亨利克斯 史密茲
雅努 威稜 諾登布
曼諾 愛麗斯 威爾
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

靜電夾具、微影裝置及方法
本發明係關於一種用於固持物件之靜電夾具、一種微影裝置及一種方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生對應於該IC之個別層之電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分，一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
靜電夾具可用於在某些波長(例如EUV)下操作之微影裝置中，此係因為：在此等波長下，微影裝置之某些區在真空條件下操作。可提供靜電夾具以將諸如光罩或基板(晶圓)之物件分別靜電地夾持至諸如光罩台或晶圓台之物件支撐件。
施加至靜電夾具之電壓可相當大。舉例而言，該電壓可為大約數千伏特。絕緣障壁通常位於靜電夾具之電極上方，絕緣障壁用以使諸如基板之物件與施加至該電極之電壓絕緣。絕緣障壁可薄，以便最小化橫越絕緣體之電壓降。然而，絕緣障壁之厚度可使其易遭受破裂。若發生破裂，則在電極與基板之間可發生放電，此情形可造成對靜電夾具及基板之損害。在此等情況下，可有必要替換靜電夾具且捨棄基板。
舉例而言，需要提供一種預防或減輕先前技術之問題中之一或多者(不管在本文中抑或在別處予以識別)的改良型靜電夾具。
根據本發明之一第一態樣，提供一種經組態以固持一物件之靜電夾具，該靜電夾具包含一電極、位於該電極上的由一電阻性材料形成之一電阻性部分，及位於該電阻性部分上的由一介電材料形成之一介電部分。
該夾具可進一步包含位於該靜電夾具之物件收納側上之複數個瘤節。
一導體可提供於該等瘤節之一最外部表面上，使得該導體在使用時接觸一經夾持物件。
該導體可具有小於1 Ωm之一電阻率。
該電阻性介質可具有一電阻，在考量該電極之一表面積及在使用時該電阻性部分與一經夾持物件之間的分離度的情況下，該電阻提供小於0.1秒之一RC常數。
該介電介質可具有超過1013 Ω之一電阻。
該介電部分之厚度可介於2微米與100微米之間。
該電阻性部分之厚度可介於0.1毫米與10毫米之間。
該夾具可為一雙極夾具，其進一步包含經安置成鄰近於該電極 之一第二電極，該第二電極係與該電極分離，該第二電極經組態以接收相比於由該電極接收之電壓具有相反正負號之一電壓。
該電極可為大體上矩形。
該電極可大體上呈一圓圈之一片段之形狀。
根據本發明之一第二態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，其經建構及配置以提供一輻射光束；及一物件支撐件，其經建構及配置以在該輻射光束之一光束路徑中支撐一物件，其中該物件支撐件包含根據本發明之該第一態樣之一靜電夾具。
根據本發明之一第三態樣，提供一種方法，該方法包含：提供一物件；使用一照明系統來提供一輻射光束；使用一靜電夾具以在一光束路徑中固持一物件，該夾具包含由一電阻性材料形成之一電阻性部分、安置於該電阻性部分與該待固持物件之間的由一介電材料形成之一介電部分，及安置於該電阻性部分之與鄰近於該介電部分之表面相對的表面上之一電極；其中一電壓施加於該電極與該待固持物件之間。
施加至該電極之該電壓可為至少300 V。
根據本發明之一第四態樣，提供一種經組態以固持一物件之夾具，該夾具包括一電極，一電壓可施加至該電極以便將該物件緊固至該夾具，該夾具進一步包括具有一入口及一出口之一冷卻流體導管，其中該夾具具備經組態以局域地加熱該冷卻流體導管之部分之一加熱器。
該加熱器可經組態以局域地加熱鄰近於該入口的該冷卻流體導管之部分。
該加熱器可經定位成鄰近於該冷卻流體導管之一入口。
該加熱器可延伸遍及90°或更大，其係自該夾具之中心圍繞該夾具予以量測。該加熱器可延伸遍及高達180°，其係自該夾具之該中心 圍繞該夾具予以量測。
該加熱器可位於該夾具之該冷卻流體導管與一電極之間。該電極可為用以緊固該物件之該電極。
該夾具可為一Johnsen-Rahbek夾具。該夾具可為一靜電夾具。該夾具可為根據本發明之該第一態樣之一夾具。
根據本發明之一第五態樣，提供一種冷卻經組態以固持一物件之一夾具之方法，該夾具包括一電極，一電壓可施加至該電極以便將該物件緊固至該夾具，該方法包含將冷卻流體傳遞至一冷卻流體導管之一入口中且自該冷卻流體導管之一出口移除熱冷卻流體，該方法進一步包含使用一加熱器以局域地加熱該冷卻流體。
該加熱器可用以局域地加熱鄰近於該入口之該冷卻流體。
該加熱器可縮減鄰近於該入口之冷卻流體與正接近該出口之冷卻流體之間的一溫度梯度。
根據本發明之一第六態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，其經建構及配置以提供一輻射光束；及一物件支撐件，其經建構及配置以在該輻射光束之一光束路徑中支撐一物件，其中該物件支撐件包含根據本發明之該第四態樣之一夾具。
下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外實施例、特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
1‧‧‧靜電夾具
2‧‧‧介電部分
4‧‧‧電極
5‧‧‧瘤節
6‧‧‧平面
11‧‧‧靜電夾具
13‧‧‧電阻性部分
14‧‧‧電極
15‧‧‧瘤節
16‧‧‧平面
21‧‧‧靜電夾具
21a‧‧‧雙極靜電夾具
22‧‧‧介電部分/介電層
23‧‧‧電阻性部分
24‧‧‧電極
24a‧‧‧電極
24b‧‧‧電極
25‧‧‧瘤節
26‧‧‧平面
27‧‧‧導體線路
28‧‧‧電壓源/電壓供應器
28a‧‧‧電壓源
28b‧‧‧電壓源
29‧‧‧接地
30‧‧‧缺陷
31‧‧‧部位
100‧‧‧微影裝置
111‧‧‧Johnsen-Rahbek夾具/晶圓夾具
113‧‧‧電阻性材料
114‧‧‧第一電極
115‧‧‧瘤節
116‧‧‧平面
117‧‧‧第二電極
119‧‧‧腳座
120‧‧‧螺旋形冷卻流體導管
122‧‧‧平面
130‧‧‧入口
131‧‧‧出口
132‧‧‧區
140‧‧‧加熱器
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
219‧‧‧開口
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧輻射光束
222‧‧‧琢面化場鏡面元件
224‧‧‧琢面化光瞳鏡面元件
226‧‧‧經圖案化光束
228‧‧‧反射器件
230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染截留器/污染物障壁/反射器件
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧輻射收集器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器裝置
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2為微影裝置之更詳細示意圖；圖3為圖1及圖2之裝置之源收集器裝置SO的更詳細示意圖；圖4以橫截面示意性地展示先前技術靜電夾具之部件；圖5以橫截面示意性地展示不同先前技術靜電夾具之部件；圖6(包含圖6a及圖6b)以橫截面且在自上方進行檢視的情況下示意性地展示根據本發明之一實施例的靜電夾具之部件；圖7在自上方進行檢視的情況下示意性地展示根據本發明之一替代實施例的靜電夾具之部件；圖8以橫截面示意性地展示圖6之靜電夾具之部件，其中缺陷存在於該靜電夾具之介電層中；圖9以橫截面示意性地展示根據本發明之一替代實施例的夾具之部件；及圖10在自上方進行檢視的情況下以橫截面示意性地展示圖9所示之夾具。
本發明之特徵及優點將自下文在結合圖式時所闡述之【實施方式】變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之器件。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結 構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器裝置SO之微影裝置100。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的 任何元件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器裝置SO接收極紫外輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器裝置SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於 源收集器裝置中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器裝置可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且雷射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器裝置。
在常常被稱為放電產生電漿(DPP)之替代方法中，藉由使用放電以使燃料汽化來產生EUV發射電漿。燃料可為具有在EUV範圍內之一或多種發射譜線之元素，諸如，氙、鋰或錫。放電可藉由電力供應器產生，電力供應器可形成源收集器裝置之部件或可為經由電連接而連接至源收集器裝置之分離實體。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面元件及琢面化光瞳鏡面元件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在自圖案化元件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2 來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中創製極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿 之放電來創製極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面元件222及琢面化光瞳鏡面元件224，琢面化場鏡面元件222及琢面化光瞳鏡面元件224經配置以提供在圖案化元件MA處輻射光束221之所要角分佈，以及在圖案化元件MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化元件MA處輻射光束221之反射後，隨即形成經圖案化光束226，且由投影系統PS將經圖案化光束226經由反射器件228、230而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所示器件多之器件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射器件多1至6個的額外反射器件。
如圖2所說明，收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
或者，源收集器裝置SO可為如圖3所示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
圖4以橫截面描繪根據先前技術之靜電夾具1之部件，其可用以夾持諸如光罩(或其他圖案化元件)或晶圓(或其他基板)之物件。夾具1包含由介電材料形成之介電部分2，及電極4。複數個瘤節5位於介電部分2之上部表面上。瘤節5可由介電材料形成。瘤節之上部表面判定物件(圖中未繪示)之下部表面待固持之平面6。電極4提供於介電部分2之與瘤節5對置之表面上。
電極4經組態以固持於一電壓以在夾具1與物件之間產生靜電夾持力。當將電壓施加至電極4時，物件可藉由靜電夾持力固持於平面6中。靜電或庫侖(Coulomb)夾持力可根據如下公式而與外加電壓有關：
其中：P為施加於待夾持物件上之庫侖夾持壓力；ε0為真空介電常數(8.854×10-12)；且 E為由經夾持物件經歷之電場強度。
電場強度E係與供電場延伸的夾具之表面(在此狀況下，介電部分2之上部表面)處的電壓V成比例，且與供該場延伸之表面與經夾持物件之間的間隙g(在此狀況下，間隙g等於瘤節5之高度)成反比。
夾持力可藉由如下操作而增加：縮減介電部分2之厚度、縮減物件待夾持之平面6與電極4之間的分離度，且增加該介電部分之電容。然而，隨著介電部分2之厚度縮減，此情形增加崩潰風險，從而在電極4與經夾持物件之間造成短路，或若瘤節5導電或經塗佈有導體(且連接至接地)，則在電極4與瘤節5之間造成短路。若在電極4與系統之接地部件之間發生短路或任何顯著放電，則電極4與物件之間的電壓可下降，且夾持力可顯著地縮減，此係因為其取決於該電壓之平方。亦可對靜電夾具1造成損害。
圖5以橫截面描繪根據先前技術之替代靜電夾具11之部件，其可用以夾持諸如光罩(或其他圖案化元件)或晶圓(或其他基板)之物件。此類型之夾具有時被稱作夾具。夾具11包含由電阻性材料形成之電阻性部分13，及電極14。複數個瘤節15位於電阻性部分13之上部表面上。瘤節15係由電阻性材料(例如，與電阻性部分13相同之材料)形成。瘤節15之上部表面判定物件(圖中未繪示)之下部表面待固持之平面16。電極14提供於電阻性部分13之與瘤節15對置之表面上。
電極14經組態以固持於一電壓以在夾具11與物件之間產生靜電夾持力。物件可固持於平面16中。瘤節15與經夾持物件之間的電流流動將引起將會將該等瘤節及該經夾持物件拉在一起之效應。
有可能將導電塗層提供至瘤節15之上部表面，導電塗層連接至接地。若進行此操作，則電流不會自瘤節流動至經夾持物件且該效應不會提供夾持力。由庫侖定律(進一步參見上文之方程式(1))引起之靜電夾持力在電壓施加至電極14時將物件夾持至靜電夾具11。該力存在 於瘤節15之間的區中，但不存在於該等瘤節自身處，此係因為此等瘤節連接至接地。在瘤節15附近，電阻性部分13之上部表面上之電壓歸因於電流流動通過該等瘤節而衰退。因此，在瘤節15附近，施加至物件之力亦衰退。
圖6以橫截面且在自上方進行檢視的情況下示意性地描繪根據本發明之一實施例的靜電夾具21之部件，其可用以夾持諸如光罩(或其他圖案化元件)或晶圓(或其他基板)之物件。夾具21包含由介電材料形成之介電部分22、由電阻性材料形成之電阻性部分23，及電極24。電極24提供於電阻性部分23之與介電部分22對置之表面上。該電極經組態以固持於一電壓以在夾具21與物件之間產生靜電夾持力。複數個瘤節25提供於介電部分22上。瘤節25之上部表面判定物件(圖中未繪示)待固持之平面26。介電層22可提供於瘤節25下方(如所說明)或可提供於該等瘤節之頂部上。在靜電夾具21之內容背景中，術語「上部」及「下部」描述該靜電夾具在處於圖6所示之定向上時之特徵。靜電夾具可在使用時具有任何合適定向。
自圖6b可看出，瘤節25係藉由導體線路27彼此連接且連接至接地29。接地29可處於零伏特，或可為固定非零電壓。自圖6b亦可看出，電極24(其係用點線被展示，此係因為其在靜電夾具21之與所示側相對之側上)連接至電壓源28。電壓源28將所要電壓施加至電極24(例如，大約kV)。庫侖力將會將物件夾持至靜電夾具21。庫侖力可足夠強以使得當物件被夾持至靜電夾具21時污染粒子被物件壓碎。
舉例而言，電阻性部分23可由陶瓷形成。舉例而言，可藉由將陶瓷薄片燒結在一起以便形成具有所要厚度之陶瓷層來形成電阻性部分23。此程序可造成電阻性部分具有不均勻表面。因此，可將足夠數目個陶瓷薄片燒結在一起以提供具有過度厚度之陶瓷，此後，可使用研磨以改良該陶瓷之表面之平坦度(該研磨亦會將該陶瓷之厚度縮減 至所要厚度)。舉例而言，陶瓷可具有1毫米之厚度。舉例而言，陶瓷可具有0.1毫米或更大之厚度。舉例而言，陶瓷可具有10毫米或更小之厚度。
介電部分22可(例如)由石英形成，或可由任何合適絕緣體形成。電極24可(例如)由鉻或鋁或某其他合適導體形成。若靜電夾具21之製造處於高溫，則電極24可由諸如鎢或鉬的具有高熔融溫度之金屬形成(或由諸如複合材料之某其他合適導體形成)。靜電夾具可由金屬氮化物形成。相似地，導體線路27可由鉻、鋁、鎢、鉬、金屬氮化物、複合材料或某其他合適導體形成。
電阻性部分23之表面上之任何點處的電壓將與施加至電極24之電壓實質上相同，其限制條件為：無顯著電流流動通過電阻性部分23(可預期為該狀況)。可藉由根據如下公式將介電部分22及該介電部分與經夾持物件之間的間隙視為串聯電容器來判定該介電部分之上部表面上之電壓：
其中V s 為該介電部分之上部表面上之電壓，C d 為介電部分22之電容，且C v 為該介電部分與經夾持物件之間的間隙之電容。在夾具21與經夾持物件之間有效之力係藉由方程式(1)所給出之關係定義。
介電部分22可薄於圖4所示之先前技術靜電夾具1之介電部分，此係因為介電部分22係由電阻性部分23結構上支撐。介電部分22可(例如)具有10微米或更小之厚度，且可(例如)具有5微米或更大之厚度(或可具有某其他厚度)。參看方程式(2)，可看出，藉由使介電部分22較薄來增加介電部分22之電容將會增加該介電部分之上部表面上之電壓V s 。因此，對於施加至電極24之給定電壓，當使介電部分22較薄時，大於將由先前技術靜電夾具1施加之力的力施加至物件。相反 地，可在使介電部分22較薄時使用電極24處之較低電壓來產生與由先前技術靜電夾具1施加之力相同的力。
圖6所示之實施例相比於圖4所示之先前技術靜電夾具的另外優點在於：若介電部分22遭受破裂或缺陷，則在電極24與經夾持物件之間存在電阻性部分23將會引起僅小電流流動至該物件。因此，很可能避免歸因於放電而對夾具之損害，且可有可能繼續使用該夾具。相似地，可避免對電壓源28之損害。由缺陷引起的夾持壓力之任何縮減將被局域化且對靜電夾具21之操作可不致命。
如上文進一步所提及，介電層22可提供於瘤節25下方(如所說明)或可提供於該等瘤節之頂部上。瘤節25可由任何合適材料形成。
在瘤節提供於介電層22之頂部上之實施例中，瘤節25可(例如)由導電材料形成，且可(例如)藉由導體線路27而連接至接地。或者，瘤節可(例如)由電阻性或介電材料形成，且可具備導電塗層且藉由導體線路27而連接至接地。
在瘤節提供於介電層22下方之實施例中，導電塗層可提供於瘤節之頂部上(該介電層之頂部上)，導電塗層係藉由導體線路27連接。瘤節可(例如)由介電材料形成，或由任何其他合適材料形成。
圖7展示根據本發明之一實施例之靜電夾具21a的平面圖，靜電夾具21a可用以夾持諸如光罩(或其他圖案化元件)或晶圓(或其他基板)之物件。靜電夾具21a具有大體上對應於圖6a所示之橫截面構造的橫截面構造。然而，靜電夾具21a為雙極夾具。雙極夾具21a包含一對電極24a、24b(藉由點線說明)，而非圖6所示之單一電極24。電極24a及24b分別藉由電壓源28a及28b而固持於彼此具有相同量值但相對於彼此具有相反正負號之電壓。與圖6所示之實施例一樣，瘤節25係藉由導體線路27而彼此連接且連接至接地29。瘤節25可由導電材料形成，或可由絕緣材料或電阻性材料形成且具備導電材料塗層。介電層22可提供 於瘤節25下方(如所說明)或可提供於該等瘤節之頂部上。在任一狀況下，瘤節25上之最上部表面(亦即，在使用時接觸經夾持物件)可導電且可連接至接地。
圖7所示之雙極靜電夾具21a相比於(例如)一些先前技術雙極靜電夾具係有利的。在一些先前技術雙極靜電夾具中，在自一電極至經夾持物件之電流傳送與自另一電極至經夾持物件之電流傳送之間可存在差異。此差異可造成經夾持物件隨著時間推移而變得帶電。圖7所示之雙極靜電夾具21a避免在經夾持物件處的電荷之此不良累積，此係因為介電層22防止電荷傳遞至經夾持物件。
圖8以橫截面描繪圖6所示之靜電夾具21之部件，其中缺陷30存在於介電部分22中。介電部分22中之缺陷30將電阻性部分23連接至瘤節25，瘤節25導電且連接至接地29。應理解，缺陷30在缺陷30之緊鄰處的電阻性部分23之表面與瘤節25之間提供低電阻路徑。缺陷30處之電位將為零，且此區中之夾持力將相應地縮減。
電阻性部分23之表面上之另一部位31處的電位將藉由如下兩個電阻之比率定義：部位31與電極24之間的電阻，此處被展示為電阻R1b；及部位31與缺陷30之間的電阻，此處被展示為電阻R2。應理解，電阻R1b及R2為近似值，此係因為電阻性部分23充當散佈式電阻器(distributed resistor)。然而，電阻性部分23內之任何兩個部位之間的距離將具有有限電阻，其將與彼等部位之間的距離成比例地增加。
因此，若如圖所示在介電部分22中發生缺陷30，且電阻性部分23之表面上之某部位變得經由瘤節25而耦接至接地29，則電阻性部分23之表面上之部位31處的電位係藉由第一電阻器之電阻R1b與第二電阻器之電阻R2的比率定義，如以下方程式所描述：
其中：V31為部位31處之電壓；R1b為電極24與部位31之間的電阻性部分22之電阻；R2為部位31與缺陷30之間的電阻性部分22之電阻；且VS為由電壓供應器28供應之電壓。
部位31處之表面電位可由缺陷30縮減。然而，隨著部位31與缺陷30之間的距離變得相當於電阻性部分23之厚度，則部位31處之表面電壓將為電極24處之電壓的大約一半。隨著部位31與缺陷30之間的距離變得大於電阻性部分23之厚度，則部位31處之表面電壓將接近電極24處之電壓。以此方式，在電極24與介電部分22之間存在電阻性部分23會確保諸如缺陷30之任何缺陷將僅具有對電阻性部分23之表面處之電壓的局域效應，且因此將僅具有對夾具21與物件之間的有效夾持壓力的局域效應。
可在考慮形成本發明之實施例之電阻性部分23的電阻性材料對切換速率之效應的情況下進行該電阻性材料之選擇。雖然有益的是使用儘可能大的電阻器而引起至任何缺陷之電流縮減且因此引起功率耗散縮減，但較大電阻將促成回應時間增加。下文可藉由工作實例來說明此情形。
參看圖7，第二電極26b可具有大約35000 mm2之面積。出於簡單起見，在此工作實例中，介電質可被假定為足夠薄以使得其不具有對充電/放電時間之效應(實務上，其可將大約30%加至充電/放電時間)。第二電極與瘤節之頂部(且因此，經夾持物件之底部)之間的間隙可為10微米。由電極26b及間隙建立之電容器可具有30 nF之電容。可需要小於0.1秒之RC常數(以便(例如)確保將在0.5秒內發生放電)。因此，可需要使在第二電極26b處由電阻性部分提供之電阻小於3 MΩ。可結合電阻性部分23之厚度來使用此值，以自用以形成該電阻性部分之電 阻性材料判定需要何種電阻率。舉例而言，電阻性材料可具有大約109 Ωm之電阻率(例如，若電阻性材料具有大約1毫米之厚度)。舉例而言，電阻性材料可具有大約108 Ωm之電阻率(例如，若電阻性材料具有大約0.1毫米之厚度)。
如上文進一步所提及，介電部分22可(例如)由石英形成，或可由任何合適絕緣體形成。用以形成介電部分22之材料可具有比用以形成電阻性部分23之材料之電阻率大若干數量級的電阻率。舉例而言，介電部分22之電阻可超過1013 Ω(例如，若該介電部分具有10微米之厚度，則電阻率超過1016 Ω)。介電部分22可被認為是絕緣體。介電部分22可具有引起使電荷累積於介電部分22之外部表面上之RC時間的電阻，該RC時間超過1000秒。
介電部分22可具有2微米或更大之厚度(對於小於此厚度之厚度，可發生電荷貫穿(charge breakthrough))。介電部分22可具有高達100微米之厚度(儘管可使其厚於此厚度，但由靜電夾具提供之夾持力將縮減)。
介電部分22之電阻率可比電阻性部分23之電阻率大至少兩個數量級。
瘤節25上之導體之電阻率可小於1 Ωm。
舉例而言，介電部分22可具有介於大約2與大約5之間的電容率。
舉例而言，瘤節25之高度可介於5微米與1000微米之間。舉例而言，瘤節之高度可高達200微米(此等級之瘤節高度可用於浸潤微影基板台中)。瘤節25之高度可經選擇成允許容納具有給定直徑之污染粒子。瘤節之高度可根據需要而基於靜電夾具意欲被使用之方式予以選擇。
任何合適數目個瘤節可提供於靜電夾具上。瘤節可(例如)被分離 達2.5毫米(或可具有某其他分離度)。瘤節可以柵格配置或任何其他合適配置而提供。
在一實施例中，靜電夾具可不具有瘤節。在此狀況下，導體可提供於介電層之頂部上。導體可(例如)以柵格形式而配置，或可以某其他配置而提供。
靜電夾具可經組態以提供50毫巴之最小夾持壓力。若瘤節之高度為10微米，則施加至電極之電壓可為至少300 V。可將更高或更低電壓施加至電極。舉例而言，可將高達1000 V或更大施加至電極。
靜電夾具可具有任何合適形狀。靜電夾具可(例如)為矩形，且因此可適於夾持光罩(或其他矩形物件)。靜電夾具可(例如)具有圓圈之片段之一般形狀，且因此可適於夾持晶圓(或其他圓形基板)。
在以上描述中，已參考接地29。接地29可處於零伏特或可具有某其他固定電壓(施加至電極之電壓係相對於彼固定電壓予以判定)。接地29處於零伏特之優點為：其可連接至微影裝置之部件。
在一實施例中，導管可提供於夾具內部，諸如水之冷卻流體可循環通過導管。
靜電夾具之介電部分22可包含單一介電層。或者，介電部分可包含兩個或兩個以上堆疊式介電層。
在一實施例中，夾具可為雙側式。舉例而言，被隔開之兩個電極可提供於電阻性部分23內，其中絕緣部分提供於該電阻性部分之頂部表面及底部表面兩者上。雙側式夾具可提供在一個側上至基板台之夾持，且提供在相對側上至基板(或其他物件)之夾持。
圖9以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的Johnsen-Rahbek夾具111之部件。該Johnsen-Rahbek夾具可用以夾持諸如光罩(或其他圖案化元件)或晶圓(或其他基板)之物件。夾具111包含電阻性材料113，第一電極114及第二電極117提供於電阻性材料113內。電阻 性材料113可(例如)為AlN或可為任何其他合適材料。冷卻液體在使用期間傳遞通過之冷卻流體導管120位於電阻性材料113中。下文進一步描述該冷卻流體導管，其在圖9中顯現為三個分離導管，但事實上為單一導管。
複數個瘤節115位於電阻性材料113之上部表面上。瘤節115係由電阻性材料(例如，與電阻性部分113相同之材料)形成。瘤節115之上部表面判定物件(圖中未繪示)之下部表面在使用時被固持之平面116。儘管展示僅三個瘤節，但大量瘤節可提供於夾具111上。瘤節115可橫越夾具111之上部表面而分佈。
腳座119提供於電阻性材料113之下部表面上。該腳座可由電阻性材料(例如，與電阻性材料113相同之材料)形成。以與瘤節相似之方式，腳座119可建立夾具111在使用時接觸基板台WT(參見圖1及圖2)之平面122。儘管展示僅兩個腳座119，但大量腳座可提供於夾具111上。腳座119可橫越夾具111之下部表面而分佈。
在使用時，夾具111定位於基板台WT上，且電壓施加至第二電極117。在夾具111與基板台WT之間的電流流動引起Johnsen-Rahbek效應。此效應將夾具111及基板台WT拉在一起，藉此將該夾具緊固於該基板台上。當基板待曝光時，基板定位於瘤節115之頂部上且電壓接著施加至第一電極114。自第一電極114至基板之電流流動引起Johnsen-Rahbek效應。此效應將基板拉至夾具111上，藉此將該基板緊固至該夾具。
電阻性材料113之電阻率高，且結果，自電極114、117流動通過該電阻性材料之電流將造成該電阻性材料之顯著加熱。水(或其他液體)傳遞通過冷卻流體導管120，以便自夾具111移除此熱中之一些。
圖10在自上方進行檢視的情況下以橫截面示意性地展示夾具111，該橫截面穿過冷卻流體導管120。自圖10可看出，冷卻流體導管 120可呈單一導管之形式，其在夾具111之外部邊緣處開始、朝向該夾具之中心向內成螺旋形且接著朝向該夾具之外部邊緣向外成螺旋形。在圖10所示之實施例中，冷卻流體導管120之入口130係在夾具111之與該冷卻流體導管之出口131相對的側上。
Johnsen-Rahbek效應在夾具111中引起大量熱。出於此原因，出口131處之流體之溫度顯著地高於入口130處之流體之溫度。進入入口130之流體接近於幾乎已到達出口131之流體而傳遞。發生此情形之區係藉由虛線132指示。此情形將在位於區132中的冷卻流體導管120之部分之間引起不良溫度梯度。亦即，將在未經加熱流體接近於幾乎已到達出口之流體而傳遞之冷卻流體導管部分之間看到不良溫度梯度(幾乎已到達出口之流體已藉由夾具111加熱)。溫度梯度不良，此係因為其將造成在該溫度梯度附近的固持於晶圓夾具111上之晶圓之失真。儘管可在某種程度上有可能經由微影裝置之鏡面或其他光學件之調整而校正由不良溫度梯度造成之晶圓失真，但也許沒有可能以此方式提供足夠有效量之校正。舉例而言，經投影圖案之疊對(亦即，經投影圖案與晶圓上之圖案對準的程度)可未能對應於所要疊對。
在圖9及圖10所示的本發明之實施例中，藉由將加熱器140提供於夾具111中來處理此問題。舉例而言，加熱器140可為電加熱器(例如，金屬板，其係藉由使電流傳遞通過該金屬板而被加熱)。加熱器140圍繞鄰近於入口130的冷卻流體導管120之大約第一90°而延伸。90°角度係自夾具111之中心圍繞該夾具予以量測，其中0°大致為入口130之部位。在此實施例中，加熱器140位於冷卻流體導管120與第一電極114之間。加熱器用以加熱傳遞通過冷卻流體導管120之流體，藉此增加該冷卻流體導管中之流體之溫度。此情形係有利的，此係因為其縮減在由虛線132圍封之區中的冷卻流體導管120之部分之間的溫度梯度。儘管某溫度梯度將留存，但該溫度梯度顯著地縮減，且可有可 能使用微影裝置之鏡面或其他光學件來校正由剩餘溫度梯度造成之晶圓失真。此情形可允許達成對應於所要疊對之疊對。
儘管加熱器140在圖9中被展示為介於冷卻流體導管120與第一電極114之間，但或者(或另外)，加熱器140可位於該冷卻流體導管與第二電極117之間。加熱器140可提供於夾具111內之任何合適位置處。加熱器可經定位成使得其加熱鄰近於入口130之流體，藉此縮減鄰近於入口之流體與正接近出口之流體之間的溫度梯度。由加熱器140提供之加熱被局域化。亦即，加熱器140使在該加熱器附近的電阻性材料113之溫度顯著地上升，但不(例如)使在夾具111之其他部件中的電阻性材料113之溫度顯著地上升。
術語「正接近出口之流體」可被認為(例如)意謂已經行進通過冷卻流體導管120之長度之至少大約四分之三的流體。術語「鄰近於入口」不意欲意謂在與流體進入夾具111之點相隔的特定距離內。術語「鄰近於入口」可指代已進入夾具111之流體首先接近於已傳遞通過該夾具之實質部分而行進且因此顯著地較熱之流體的部位(例如，如圖10所示)。
電阻性材料113可由層狀AlN層形成。加熱器140可在夾具111之製作期間提供於兩個AlN層之間。
結合圖9及圖10而描述的本發明之實施例的優點為：冷卻流體導管120之鄰近部分之間的溫度梯度之縮減可足夠大以使得其允許在選擇可用以形成夾具111之電阻性材料113方面的更多靈活性。亦即，因為有問題的溫度梯度已縮減，所以可使用具有較高電阻率之電阻性材料，而不會將該溫度梯度增加達其可不再被補償之程度。本發明之實施例可允許在所使用之冷卻液體方面的更多靈活性。此係因為防止夾具111中不良地大之溫度梯度所需要的冷卻液體之熱容量縮減。
儘管圖10展示加熱器140圍繞鄰近於入口130的冷卻流體導管120 之大約第一90°而延伸，但加熱器140可圍繞鄰近於入口130的該冷卻流體導管之某其他部分而延伸。舉例而言，加熱器140可圍繞冷卻流體導管之第一90°以上(例如，鄰近於入口130的冷卻流體導管120之大約第一180°)而延伸。加熱器140可圍繞冷卻流體導管120之任何合適部分而延伸。加熱器140可經定位成使得其在冷卻液體已進入夾具111之後加熱該冷卻液體(該加熱器位於該夾具中或上)。加熱器140經提供成鄰近於入口130(例如，如圖10所示，或相比於圖10所示之情形較靠近於或較遠離於該入口)。在冷卻液體接近於熱冷卻液體而傳遞之部位處提供夾具111中之冷卻液體之局域化加熱會縮減該夾具中之溫度梯度。
冷卻液體可(例如)為水，或可為任何其他合適液體。隨著冷卻液體傳遞通過冷卻流體導管120而由冷卻液體接收之熱可足夠以使得該液體中之一些可在其到達出口131之前變成氣體。
儘管圖10中展示螺旋形冷卻流體導管120，但該冷卻流體導管可具有任何合適組態。儘管圖10中展示一個冷卻流體導管120，但一個以上冷卻流體導管可提供於夾具中。在提供一個以上冷卻流體導管的情況下，每一冷卻流體導管可具備一加熱器。
加熱器可用以局域地加熱冷卻流體導管之任何部分。舉例而言，加熱器可用以局域地加熱存在需要縮減之溫度梯度(例如，不能使用諸如透鏡或鏡面調整之其他方式予以足夠良好地補償之溫度梯度)的冷卻流體導管之部分。可使用一個以上加熱器，例如，以局域地加熱冷卻流體導管之不同部分。
儘管圖9及圖10所示的本發明之實施例已在Johnsen-Rahbek夾具之內容背景中予以描述，但本發明可用於任何合適夾具中。舉例而言，本發明可用於靜電夾具中，或用於上文結合圖6至圖8進一步所描述之類型之夾具中。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
儘管在本文中可特定地參考靜電夾具在微影裝置中之使用，但應理解，本文所描述之靜電夾具可具有其他應用，諸如，用於光罩檢測裝置、晶圓檢測裝置、空中影像度量衡系統，且更通常用於在真空中或在周圍(非真空)條件下量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化元件)之物品之任何系統，諸如，電漿蝕刻器或沈積裝置。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365 mn、355 mn、248 mn、193 mn、157 mn或126 mn之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5 mn至20 mn之範圍內之波長)，以及帶電粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
219‧‧‧開口
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧輻射光束
222‧‧‧琢面化場鏡面元件
224‧‧‧琢面化光瞳鏡面元件
226‧‧‧經圖案化光束
228‧‧‧反射器件
230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染截留器/污染物障壁/反射器件
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
CO‧‧‧輻射收集器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧源收集器裝置
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (22)

  1. 一種經組態以固持(hold)一物件之靜電夾具，該靜電夾具包含一電極、位於該電極上的由一電阻性材料形成之一電阻性部分、及位於該電阻性部分上的由一介電材料形成之一介電部分。
  2. 如請求項1之靜電夾具，該夾具進一步包含位於該靜電夾具之物件收納側(object receiving side)上之複數個瘤節(burls)。
  3. 如請求項2之靜電夾具，其中一導體提供於該等瘤節之一最外部表面上，使得該導體在使用時接觸一經夾持物件。
  4. 如請求項3之靜電夾具，其中該導體具有小於1Ωm之一電阻率。
  5. 如請求項1、2或3之靜電夾具，其中該電阻性材料具有一電阻，在考量該電極之一表面積及在使用時該電阻性部分與一經夾持物件之間的分離度的情況下，該電阻提供小於0.1秒之一RC常數。
  6. 如請求項1、2或3之靜電夾具，其中該介電材料具有超過1013Ω之一電阻。
  7. 如請求項1、2或3之靜電夾具，其中該介電部分之厚度介於2微米與100微米之間。
  8. 如請求項1、2或3之靜電夾具，其中該電阻性部分之厚度介於0.1毫米與10毫米之間。
  9. 如請求項1、2或3之靜電夾具，其中該夾具為一雙極夾具，其進一步包含經安置成鄰近於該電極之一第二電極，該第二電極係與該電極分離，該第二電極經組態以接收相比於由該電極接收之電壓具有相反正負號之一電壓。
  10. 如請求項1、2或3之靜電夾具，其中該電極為大體上(generally)矩形。
  11. 如請求項1、2或3之靜電夾具，其中該電極大體上呈一圓圈之一片段之形狀。
  12. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經建構及配置以提供一輻射光束；及一物件支撐件，其經建構及配置以在該輻射光束之一光束路徑中支撐一物件，其中該物件支撐件包含一如請求項1至11中任一項之靜電夾具。
  13. 一種使用一靜電夾具之方法，該方法包含：提供一物件；使用一照明系統來提供一輻射光束；使用一靜電夾具以在一光束路徑中固持一物件，該夾具包含由一電阻性材料形成之一電阻性部分、安置於該電阻性部分與該待固持物件之間的由一介電材料形成之一介電部分，及安置於該電阻性部分之與鄰近於該介電部分之表面相對的表面上之一電極；其中一電壓施加於該電極與該待固持物件之間。
  14. 如請求項13之方法，其中施加至該電極之該電壓為至少300V。
  15. 一種經組態以固持一物件之夾具，該夾具包括：一電極，一電壓可施加至該電極以將該物件緊固(secure)至該夾具；一冷卻流體導管，其具有一入口及一出口，其中該夾具具備經組態以局域地加熱該冷卻流體導管之一部分之一加熱器，且其中該加熱器經組態以僅局域地加熱該冷卻流體導管之鄰近於該入口的部分，以縮減鄰近於該入口之流體與正接近(approaching)該出口之流體之間的一溫度梯度(temperature gradient)。
  16. 如請求項15之夾具，其中該加熱器經定位成鄰近於該冷卻流體導管之一入口。
  17. 如請求項16之夾具，其中該加熱器延伸遍及大約90°，其係自該夾具之中心圍繞該夾具予以量測。
  18. 如請求項15之夾具，其中該加熱器位於該夾具之該冷卻流體導管與一電極之間。
  19. 如請求項15之夾具，其中在該夾具中的是一Johnsen-Rahbek夾具或一靜電夾具。
  20. 如請求項15之夾具，其中該冷卻流體導管包含一單一導管(single conduit)，其在該夾具之一外部邊緣處開始、朝向該夾具之一中心向內成螺旋形且接著朝向該夾具之該外部邊緣向外成螺旋形。
  21. 一種冷卻經組態以固持一物件之一夾具之方法，該夾具包括一電極，一電壓可施加至該電極以便將該物件緊固至該夾具，該方法包含將冷卻流體傳遞至一冷卻流體導管之一入口中且自該冷卻流體導管之一出口移除熱的冷卻流體，該方法進一步包含使用一加熱器以僅局域地加熱鄰近於該入口的該冷卻流體以使得鄰近於該入口之流體與正接近該出口之流體之間的一溫度梯度被縮減。
  22. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經建構及配置以提供一輻射光束；及一物件支撐件，其經建構及配置以在該輻射光束之一光束路徑中支撐一物件，其中該物件支撐件包含一如請求項15之夾具。
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