TWI577744B - Composition and polarizing film - Google Patents

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TWI577744B
TWI577744B TW102110357A TW102110357A TWI577744B TW I577744 B TWI577744 B TW I577744B TW 102110357 A TW102110357 A TW 102110357A TW 102110357 A TW102110357 A TW 102110357A TW I577744 B TWI577744 B TW I577744B
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Haruki Okawa
Nobuyuki Hatanaka
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Sumitomo Chemical Co
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Description

組合物及偏光膜
本發明係關於一種組合物及由該組合物形成之偏光膜等。更詳細而言，本發明係關於一種作為二色性色素有用之組合物及由該組合物形成之偏光膜等。
作為液晶顯示裝置等中所使用之偏光膜，已知有由含有二色性色素、及溶劑之偏光膜形成用組合物形成者。作為此種二色性色素，例如專利文獻1中記載有以下所示之化合物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開昭64-70585號公報
然而，本發明者之研究結果表明，關於上述偏光膜形成用組合物，若欲使用自該偏光膜形成用組合物之製備後保管特定時間者而形成偏光膜，則有所獲得之偏光膜中產生缺陷，變得無法獲得高品質之偏光膜之情況。因此，本發明之目的在於提供一種即便於保管特定時間之情形時亦可形成高品質之偏光膜的組合物(偏光膜形成用組合 物)、及對該偏光膜形成用組合物有用之組合物。
本發明包含以下之發明。
[1]一種組合物，其含有式(A)所表示之偶氮化合物(A)、及式(B)所表示之偶氮化合物(B)，
[式(A)中，na及ma分別獨立為0~3之整數，且滿足na+ma≧1之關係；Ar1a、Ar2a及Ar3a分別獨立為可具有甲基之2價芳香族基；R1a表示可具有氟原子之碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基、乙醯基、碳數1~20之二烷基胺基、硝基、氰基或氫原子；R2a及R3a分別獨立為碳數1~3之烷基，且R2a及R3a之合計碳數為2~4，或者R2a及R3a相互鍵結而形成碳數2~4之烷二基]
[式(B)中，nb及mb分別獨立為0~3之整數，且滿足nb+mb≧1之關係；Ar1b、Ar2b及Ar3b分別獨立為可具有甲基之2價芳香族基；R1b表示可具有氟原子之碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基、乙醯基、碳數1~20之二烷基胺基、硝基、氰基或氫原子； R2b及R3b分別獨立為碳數1~12之烷基，且R2b及R3b之合計碳數為6以上，或者R2b及R3b相互鍵結而形成碳數6以上之烷二基]。
[2]如[1]之組合物，其中Ar2a及Ar2b分別獨立為噻吩并噻吩二基、噻吩并噻唑二基或噻吩并唑二基。
[3]如[1]或[2]之組合物，其中上述偶氮化合物(A)之含量相對於上述偶氮化合物(B)之含量的比為50~90質量%之範圍。
[4]如[1]至[3]中任一項之組合物，其中式(B)所表示之偶氮化合物(B)為式(B')所表示之偶氮化合物(B')，
[式(B')中，R1a、Ar1a、Ar2a、Ar3a、na及ma與上述式(A)含義相同；R2b及R3b與上述式(B)含義相同]。
[5]如[4]之組合物，其中Ar2a為噻吩并噻吩二基、噻吩并噻唑二基或噻吩并唑二基。
[6]如[4]或[5]之組合物，其中上述偶氮化合物(A)之含量相對於上述偶氮化合物(B')之含量的比為50~90質量%之範圍。
[7]如[1]至[6]中任一項之組合物，其進而含有聚合性液晶化合物。
[8]如[7]之組合物，其中上述聚合性液晶化合物為顯示層列型液晶相之化合物。
[9]一種偏光膜，其係由如[7]或[8]之組合物所形成。
[10]如[9]之偏光膜，其中於X射線繞射測定中可獲得布拉格峰 (Bragg peak)。
[11]如[10]之偏光膜，其中上述布拉格峰為源自分子配向之面週期結構之波峰，且其週期間隔為3.0~5.0Å。
[12]一種顯示裝置，其包含如[9]至[11]中任一項之偏光膜。
根據本發明，可提供一種即便自偏光膜形成用組合物之製備後保管特定時間，亦可防止缺陷等之產生而形成高品質之偏光膜的組合物、及由該組合物形成之偏光膜等。
1‧‧‧基材
2‧‧‧光配向膜
3‧‧‧本偏光膜
4‧‧‧相位差層
10‧‧‧液晶顯示裝置
12a、12b‧‧‧偏光元件
13a、13b‧‧‧相位差膜
14a、14b‧‧‧基板
15‧‧‧彩色濾光片
16‧‧‧透明電極
17‧‧‧液晶層
18‧‧‧層間絕緣膜
19‧‧‧背光單元
20‧‧‧黑矩陣
21‧‧‧薄膜電晶體
22‧‧‧像素電極
23‧‧‧間隔件
24‧‧‧液晶顯示裝置
30‧‧‧EL顯示裝置
31‧‧‧偏光膜
32‧‧‧相位差膜
33‧‧‧基板
34‧‧‧層間絕緣膜
35‧‧‧像素電極
36‧‧‧發光層
37‧‧‧陰極電極
38‧‧‧乾燥劑
39‧‧‧密封蓋
40‧‧‧薄膜電晶體
41‧‧‧肋部
42‧‧‧薄膜密封膜
44‧‧‧EL顯示裝置
100‧‧‧本偏光元件
110‧‧‧本圓偏光板
111‧‧‧光源
112‧‧‧第1透鏡陣列
112a‧‧‧透鏡
113‧‧‧第2透鏡陣列
114‧‧‧偏光轉換元件
115‧‧‧重疊透鏡
121、123、132‧‧‧分色鏡
122‧‧‧反射鏡
140R、140G、140B‧‧‧液晶面板
142、143‧‧‧偏光元件
150‧‧‧合光稜鏡
170‧‧‧投影透鏡
180‧‧‧螢幕
210‧‧‧第1輥
210A‧‧‧卷芯
211A、211B‧‧‧塗佈裝置
212A、212B‧‧‧乾燥爐
213A‧‧‧偏光UV照射裝置
213B‧‧‧光照射裝置
220‧‧‧第2輥
220A‧‧‧卷芯
230‧‧‧第3輥
240‧‧‧第4輥
240A‧‧‧卷芯
300‧‧‧輔助輥
D1‧‧‧方向
D2‧‧‧方向
圖1係表示本發明之偏光膜之連續製造方法之主要部分的模式圖。
圖2係表示光配向膜之配向方向D2、與膜之搬送方向D1之關係的模式圖。
圖3係表示使用包含本發明之偏光膜之偏光元件的液晶顯示裝置之構成之剖面模式圖。
圖4(A1)(A2)係表示圖3之液晶顯示裝置中所設置之偏光元件之層順序的模式圖。
圖5(B1)(B2)係表示圖3之液晶顯示裝置中所設置之偏光元件之層順序的模式圖。
圖6係表示使用包含本發明之偏光膜之偏光元件的液晶顯示裝置(in-cell(內嵌)形式)之構成之剖面模式圖。
圖7係表示使用包含本發明之偏光膜之偏光元件的EL顯示裝置之構成之剖面模式圖。
圖8(A)(B)係包含本發明之偏光膜之圓偏光板的剖面模式圖。
圖9係表示包含本發明之偏光膜之圓偏光板的連續製造方法之一例之剖面模式圖。
圖10係表示設置有包含本發明之偏光膜之偏光元件的EL顯示裝置之構成之剖面模式圖。
圖11係表示設置有包含本發明之偏光膜之偏光元件的投射型液晶顯示裝置之構成之概略圖。
<本發明之組合物(以下，視情況稱為「本組合物」)>
本組合物之特徵在於：含有上述式(A)所表示之偶氮化合物(A)、及上述式(B)所表示之偶氮化合物(B)。本組合物可含有複數種偶氮化合物(A)，亦可含有複數種偶氮化合物(B)。
上述式(A)之R1a及式(B)之R1b中之可具有氟原子之碳數1~20之烷基係指甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基、癸基、十二烷基、十七烷基、十八烷基及二十烷基等烷基，及此處所示之烷基中所含之一部分或全部之氫原子被取代成氟原子的氟化烷基。可具有氟原子之碳數1~20之烷基可為直鏈，亦可分支。
上述式(A)之R1a及式(B)之R1b中之碳數1~20之烷氧基之具體例為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、己氧基、辛氧基、癸氧基、十二烷氧基、十七烷氧基、十八烷氧基及二十烷氧基等。碳數1~20之烷氧基可為直鏈，亦可分支，但該烷氧基較佳為直鏈。
上述式(A)之R1a及上述式(B)之R1b中之碳數1~20之二烷基胺基係指具有2個烷基之胺基，且該2個烷基之合計碳數為2~20之範圍。再者，亦有處於該二烷基胺基中之2個烷基相互鍵結而與氮原子一併形成環的情況，於此情形時，該環之碳數為2~20之範圍。
上述式(A)之R1a及上述式(B)之R1b較佳為分別獨立為碳數1~12之烷基、乙醯基、三氟甲基、氰基或硝基。
上述式(A)之Ar1a及Ar3a、以及上述式(B)之Ar1b及Ar3b為可具有甲基之2價芳香族基，該等芳香族基例如為碳數6~12之芳香族烴基、包 含雜原子之碳數4~6之芳香族雜環基。此處所謂之芳香族雜環基，典型的是自芳香族雜環化合物中去除2個氫原子所得之基。又，所謂該芳香族烴基及芳香族雜環基之碳數，於該等基具有甲基作為取代基之情形時，係指包括作為取代基之甲基之碳數在內的碳數之合計。式(A)之Ar1a及Ar3a、以及式(B)之Ar1b及Ar3b較佳為芳香族烴基，更佳為苯基及萘基，尤佳為苯基。
上述式(A)之Ar2a及上述式(B)之Ar2b尤佳為芳香族雜環基。Ar2a及Ar2b之芳香族雜環基之總碳數包括任意進行取代之甲基之碳數在內較佳為4~12之範圍，更佳為5~6之範圍。
Ar2a及Ar2b較佳為未經取代(不具有甲基)之多環式芳香族雜環基，又，較佳為二環式之多環式芳香族雜環基。所謂二環式之多環式芳香族雜環基，係指自2個單環之芳香族雜環縮合而成之芳香族雜環化合物、或1個單環之芳香族雜環與1個單環之芳香環縮合而成之芳香族雜環化合物中去除2個氫原子所得之基。
其中，較佳之Ar2a及Ar2b為如噻吩并噻吩二基、噻吩并噻唑二基及噻吩并唑二基之含有硫原子作為構成環之原子者。該等基例如為自下述任一芳香族雜環化合物中去除2個氫原子所得之基，
典型的是以下所示之基(再者，基中之2個*表示鍵結鍵)。
該等之中，作為Ar2a及Ar2b，尤佳為分別由式(AR1-2)及式(AR1-4)所表示之基。
上述式(A)之R2a及R3a分別獨立為碳數1~3之烷基，且R2a及R3a之合計碳數為2~4之範圍。若以[R2a：R3a]之形式表示此種R2a及R3a之組合，則可列舉：[甲基：甲基]、[甲基：乙基]、[甲基：丙基]及[乙基：乙基]等。該組合中，如丙基般可呈直鏈狀或支鏈狀者可為其中任一種，但較佳為直鏈狀。該等組合之中，就可更簡便地製造偶氮化合物(A)之方面而言，較佳為R2a與R3a為相同之基，若以[R2a：R3a]表示，則較佳為[甲基：甲基]或[乙基：乙基]。
又，有R2a及R3a相互鍵結而形成碳數2~4之烷二基之情況。作為此種烷二基，可列舉：乙二基、丙二基及丁二基等。
上述式(B)之R2b及R3b分別獨立為碳數1~12之烷基，且R2b及R3b之合計碳數為6以上之範圍。該R2b及R3b之合計碳數較佳為6~24之範圍，進而較佳為6~12之範圍。若以[R2b：R3b]之形式表示此種R2b及 R3b之組合，則可列舉：[丙基：丙基]、[丙基：丁基]、[丙基：戊基]、[丙基：己基]、[丁基：丁基]、[丁基：戊基]、[丁基：己基]、[戊基：戊基]、[戊基：己基]、[己基：己基]等。該組合中，可呈直鏈或支鏈者可為其中任一種，但較佳為直鏈。該等組合之中，就可更簡便地製造偶氮化合物(B)之方面而言，較佳為R2b與R3b為相同之基，若以[R2b：R3b]表示，則較佳為[丙基：丙基]或[丁基：丁基]或[戊基：戊基]或[己基：己基]。
又，有R2b及R3b相互鍵結而形成碳數6以上之烷二基之情況。此種烷二基為己二基、庚二基、癸二基及十二烷二基等。該烷二基之碳數之上限例如較佳為20以下，尤佳為12以下。
上述式(A)之na及ma分別獨立為0~3之整數，且滿足na+ma≧1之關係。該等na及ma較佳為分別獨立為0~2之整數，進而較佳為na及ma均為1。
上述式(B)之nb及mb分別獨立為0~3之整數，且滿足nb+mb≧1之關係。該等nb及mb較佳為分別獨立為0~2之整數，進而較佳為nb及mb均為1。
此處，例示偶氮化合物(A)之較佳例。
又，偶氮化合物(B)之較佳例如下所述。
本組合物中所含之偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B)之較佳之組合係式(A)之R1a與式(B)之R1b相同，式(A)之Ar1a、Ar2a及Ar3a與式(B)之Ar1b、Ar2b及Ar3b分別相同，式(A)之na及ma與式(B)之nb及mb分別相同的組合。即，較佳之組合係本組合物含有偶氮化合物(A)、及式(B')所表示之偶氮化合物(B')。
[式(B')中，R1a、Ar1a、Ar2a、Ar3a、na及ma與上述式(A)含義相同。
R2b及R3b與上述式(B)含義相同]
此種組合更容易獲取原料，故而尤佳。
此種含有偶氮化合物(A)、及偶氮化合物(B')之本組合物具有可由同一原料製造之優點。若列舉具體例進行說明，則例如可藉由依據日 本專利特開平1-146960號公報中所揭示之方法而製造ma=1之偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B')。例如，使式(C1)所表示之化合物(C1)以適當之方法偶氮化，
(式中之各符號均與上述含義相同)
使該經偶氮化之化合物(C1)、與式(C2)所表示之化合物(C2)進行偶合反應，藉此可製造偶氮化合物(A)，
(式中之各符號均與上述含義相同)
使經偶氮化之化合物(C1)、與式(C3)所表示之化合物(C3)進行偶合反應，藉此可製造偶氮化合物(B')。
(式中之各符號均與上述含義相同)
如此般分別預先製造偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B')並將該等加以混合，藉此可製備本組合物，但若例如使經偶氮化之化合物(C1)、化合物(C2)及化合物(C3)同時反應，則可以一次之反應獲得本組合 物。
關於本組合物中之偶氮化合物(A)與偶氮化合物(B)之調配比例，以偶氮化合物(A)之含量相對於偶氮化合物(B)之含量的比表示，較佳為50~90質量%之範圍，進而較佳為60~80質量%之範圍。關於本組合物中之偶氮化合物(A)與偶氮化合物(B')之調配比例，以偶氮化合物(A)之含量相對於偶氮化合物(B')之含量的比表示，較佳為50~90質量%之範圍，進而較佳為60~80質量%之範圍。於如上述般以一次之反應獲得含有偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B')之本組合物之情形時，以使偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B')之含有比率成為上述範圍內之方式調整化合物(C1)、化合物(C2)及化合物(C3)之使用量。
上文對以一次之反應製造含有偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B')之本組合物的情況進行了說明，但偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B)[或偶氮化合物(B')]亦可利用其他公知之方法製造。例如，若依據上述專利文獻1中所記載之二色性色素之製造方法，則業者可容易地獲得偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B)。又，若依據日本專利特開平1-146960號公報中所揭示之方法，則可以高純度製造偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B)。
以上所說明之本組合物對偏光膜形成用之二色性色素、尤其是後述之偏光膜形成用組合物中所使用之二色性色素有用。以下，對使用本組合物作為二色性色素之偏光膜形成用組合物、及使用該偏光膜形成用組合物之偏光膜之製造進行說明。
<偏光膜形成用組合物>
根據包含本組合物之偏光膜形成用組合物，藉由後述之偏光膜製造，可充分防止缺陷之產生而形成高品質之偏光膜。該偏光膜形成用組合物較佳為除本組合物(二色性色素)以外亦包含聚合性液晶化合物及溶劑。再者，關於該偏光膜形成用組合物中之本組合物之含量， 以相對於後述之聚合性液晶化合物100質量份之含量表示，較佳為10質量份以下，更佳為0.1質量份以上5質量份以下，進而較佳為0.1質量份以上3質量份以下。若為上述範圍內，則於偏光膜形成時，使聚合性液晶化合物聚合時不會打亂其配向，進而亦不會使本組合物於偏光膜形成用組合物中結晶化而產生缺陷。
此處，對偏光膜形成用組合物中所含的本組合物以外之構成成分進行說明。
<聚合性液晶化合物>
上述偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物係指具有聚合性基且於特定溫度條件下顯示液晶狀態、較佳為層列型液晶相之液晶狀態的化合物。所謂聚合性基，意指參與聚合反應之基。
聚合性液晶化合物所顯示的較佳之層列型液晶相之液晶狀態較佳為高次之層列型液晶相。此處所謂之高次之層列型液晶相，係指層列B相、層列D相、層列E相、層列F相、層列G相、層列H相、層列I相、層列J相、層列K相及層列L相，其中更佳為層列B相、層列F相及層列I相。根據聚合性液晶化合物所顯示之液晶狀態，可獲得配向秩序度較高之偏光膜。又，如此般配向秩序度較高之偏光膜於X射線反射測定中可獲得布拉格峰。根據後述之使用偏光膜形成用組合物之偏光膜，可獲得該布拉格峰為源自分子配向之面週期結構之波峰且其週期間隔為3.0~5.0Å的偏光膜。
作為較佳之聚合性層列型液晶組合物，例如可列舉式(2)所表示之化合物(以下，視情況稱為「化合物(2)」)。
U1-V1-W1-X1-Y10-X2-Y11-X3-W2-V2-U2 (2)
[式(2)中，X1、X2及X3相互獨立地表示可具有取代基之1,4-伸苯基或可具有取代基之環己烷-1,4-二基。其中，X1、X2及X3中之至少一者為可具有 取代基之1,4-伸苯基。構成可具有取代基之環己烷-1,4-二基之-CH2-亦可被取代成-O-、-S-或-NR-。R為碳數1~6之烷基或苯基。Y10及Y11相互獨立地表示-CH2CH2-、-CH2O-、-COO-、-OCOO-、單鍵、-N=N-、-CRa=CRb-、-C≡C-或-CRa=N-。Ra及Rb相互獨立地表示氫原子或碳數1~4之烷基。
U1表示氫原子或聚合性基。
U2表示聚合性基。
W1及W2相互獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-COO-或-OCOO-。
V1及V2相互獨立地表示可具有取代基之碳數1~20之烷二基，構成該烷二基之-CH2-亦可被取代成-O-、-S-或-NH-]
於化合物(2)中，如上所述，較佳為X1、X2及X3中之至少兩者為可具有取代基之1,4-伸苯基。
可具有取代基之1,4-伸苯基較佳為未經取代。可具有取代基之環己烷-1,4-二基較佳為可具有取代基之反式-環己烷-1,4-二基，更佳為可具有取代基之反式-環己烷-1,4-二基係未經取代。
作為可具有取代基之1,4-伸苯基或可具有取代基之環己烷-1,4-二基所任意地具有之取代基，可列舉：甲基、乙基及丁基等碳數1~4之烷基；氰基；鹵素原子等。
化合物(2)之Y10較佳為-CH2CH2-、-COO-或單鍵，Y11較佳為-CH2CH2-或-CH2O-。
U2為聚合性基。U1為氫原子或聚合性基，較佳為聚合性基。較佳為U1及U2均為聚合性基，更佳為均為光聚合性基。所謂光聚合性基，係指可藉由自後述之光聚合起始劑產生之活性自由基或酸等而參與聚合反應之基。具有光聚合性基之聚合性液晶化合物就可於更低溫條件下進行聚合之方面而言亦有利。
於化合物(2)中，U1及U2之聚合性基亦可相互不同，但較佳為相 同種類之基。作為聚合性基，可列舉：乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、環氧乙烷基、環氧丙烷基等。其中，較佳為丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯氧基、環氧乙烷基及環氧丙烷基，更佳為丙烯醯氧基。
作為V1及V2所表示之可具有取代基之碳數1~20之烷二基中的碳數1~20之烷二基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、癸烷-1,10-二基、十四烷-1,14-二基及二十烷-1,20-二基等。V1及V2較佳為碳數2~12之烷二基，更佳為碳數6~12之烷二基。
作為可具有取代基之碳數1~20之烷二基所任意地具有之取代基，可列舉氰基及鹵素原子等，該烷二基較佳為未經取代，更佳為未經取代且為直鏈狀之烷二基。
W1及W2相互獨立較佳為單鍵或-O-。
作為化合物(2)，可列舉式(2-1)~式(2-43)分別所表示之化合物等[以下，視情況將該等聚合性液晶化合物與其式編號對應地稱為「化合物(2-6)」等]。於該化合物(2)之具體例具有環己烷-1,4-二基之情形時，該環己烷-1,4-二基較佳為反式體。
聚合性液晶化合物可單獨或混合2種以上而用於偏光膜形成用組合物。又，於混合2種以上之情形時，較佳為至少1種為化合物(2)，更佳為至少2種為化合物(2)。作為混合2種聚合性液晶化合物之情形 之混合比，通常為1：99~50：50，較佳為5：95~50：50，更佳為10：90~50：50。
偏光膜形成用組合物之聚合係預先求出聚合性液晶化合物之相轉移溫度，以於低於該相轉移溫度之溫度條件下使該聚合性液晶化合物聚合之方式調整聚合性液晶化合物以外之成分而實施。作為此種可控制聚合溫度之成分，可列舉：後述之光聚合起始劑、光敏劑及聚合抑制劑等。藉由適當調節該等之種類及量，可控制聚合性液晶化合物之聚合溫度。再者，於將2種以上之聚合性液晶化合物之混合物用於偏光膜形成用組合物之情形時，亦求出該2種以上之聚合性液晶化合物之混合物之相轉移溫度後，以相同之方式實施。
於所例示之化合物(2)之中，較佳為分別以式(2-5)、式(2-6)、式(2-7)、式(2-8)、式(2-9)、式(2-10)、式(2-11)、式(2-12)、式(2-13)、式(2-14)、式(2-15)、式(2-22)、式(2-24)、式(2-25)、式(2-26)、式(2-27)、式(2-28)及式(2-29)表示之化合物。該等化合物藉由與其他聚合性液晶化合物或光聚合起始劑之相互作用，可容易地於低於相轉移溫度之溫度條件下，即於充分保持高次之層列相之液晶狀態的狀態下進行聚合。更具體而言，藉由與光聚合起始劑之相互作用，該等化合物可於70℃以下、較佳為60℃以下之溫度條件下，於充分保持高次之層列相之液晶狀態的狀態下進行聚合。
偏光膜形成用組合物中之聚合性液晶化合物之含有比例相對於偏光膜形成用組合物之固形物成分，較佳為70~99.9質量%，更佳為90~99.9質量%。若聚合性液晶化合物之含有比例為上述範圍內，則有聚合性液晶化合物之配向性變高之傾向。此處，所謂固形物成分，係指自偏光膜形成用組合物中去除溶劑等揮發性成分所得之成分之合計量。
聚合性液晶化合物例如可利用Lub et al.Recl.Trav.Chim.Pays- Bas,115,321-328(1996)或日本專利第4719156號等中所記載之公知方法製造。
<聚合性非液晶化合物>
偏光膜形成用組合物較佳為含有聚合性非液晶化合物。所謂聚合性非液晶化合物，意指具有聚合性基且不會因溫度變化而具有固體與液體之間之液晶狀態的化合物。
聚合性非液晶化合物較佳為(i)其本身無著色(對可見光之吸收)，(ii)具有與聚合性液晶化合物均勻混合之程度之相溶性，且(iii)不會阻礙聚合性液晶化合物所顯示之液晶狀態之形成。又，較佳為無如於聚合性液晶化合物與聚合性非液晶化合物之聚合中途發生相分離之情況的化合物。
作為此種聚合性非液晶化合物，可列舉：單官能丙烯酸酯及多官能丙烯酸酯。所謂單官能，意指具有1個聚合性基，所謂多官能，意指具有複數個聚合性基。就聚合性液晶化合物與聚合性非液晶化合物之聚合反應連續進行之方面而言，較佳為多官能丙烯酸酯。聚合性非液晶化合物所具有之自由基聚合性基之個數較佳為1個至6個，進而較佳為2個至6個，更佳為3個至6個。
聚合性非液晶化合物所具有之聚合性基較佳為與聚合性液晶化合物所具有之聚合性基相同。
再者，於選自聚合性液晶化合物及聚合性非液晶化合物中之至少一種化合物具有複數種聚合性基之情形時，較佳為聚合性液晶化合物所具有之至少1種聚合性基、與聚合性非液晶化合物所具有之至少1種聚合性基相同。
作為更佳之聚合性非液晶化合物，可列舉具有上述(i)、(ii)及(iii)之特徵且分子內具有1個至6個、較佳為2個至6個之聚合性基的單官能丙烯酸酯及多官能丙烯酸酯。再者，關於此種單官能丙烯酸酯及多官 能丙烯酸酯，就為非液晶性而言，較佳為具有液晶原基結構者。
此種聚合性非液晶化合物可使用市售品。
作為此種市售品，例如可列舉：A-DOD-N、A-HD-N、A-NOD-N、APG-100、APG-200、APG-400、A-GLY-9E、A-GLY-20E、A-TMM-3、A-TMPT、AD-TMP、ATM-35E、A-TMMT、A-9550、A-DPH、HD-N、NOD-N、NPG、TMPT(新中村化學股份有限公司製造)，“ARONIX M-220”、“ARONIX M-325”、“ARONIX M-240”、“ARONIX M-270”、“ARONIX M-309”、“ARONIX M-310”、“ARONIX M-321”、“ARONIX M-350”、“ARONIX M-360”、“ARONIX M-305”、“ARONIX M-306”、“ARONIX M-450”、“ARONIX M-451”、“ARONIX M-408”、“ARONIX M-400”、“ARONIX M-402”、“ARONIX M-403”、“ARONIX M-404”、“ARONIX M-405”、“ARONIX M-406”(東亞合成股份有限公司製造)，“EBECRYL 11”、“EBECRYL 145”、“EBECRYL 150”、“EBECRYL 40”、“EBECRYL 140”、“EBECRYL 180”、DPGDA、HDDA、TPGDA、HPNDA、PETIA、PETRA、TMPTA、TMPEOTA、DPHA(Daicel-Cytec股份有限公司製造)。
聚合性非液晶化合物之含量相對於偏光膜形成用組合物之總質量，為0.1~20質量%，較佳為1~10質量%，更佳為3~7質量%。更佳為相對於本組合物之固形物成分100質量份，為0.1~19質量份，進而較佳為1~15質量份，尤佳為4~10質量份。進而，相對於聚合性液晶化合物100質量份，尤佳為3質量份以上10質量份以下。若聚合性非液晶化合物之含量為上述範圍內，則可於不使偏光膜形成用組合物之配向性紊亂之情況下使偏光膜形成組合物中之聚合性成分(聚合性液晶化合物及聚合性非液晶化合物)進行共聚合。雖亦取決於聚合性液晶化合物及聚合性非液晶化合物各自之種類，但若聚合性非液晶化合 物之含量多於上述範圍，則有聚合性液晶化合物發生相分離，容易獲得不均較多且透明性較低之偏光膜之傾向。
<溶劑>
偏光膜形成用組合物較佳為含有溶劑。溶劑可選擇可充分溶解本混合物及聚合性液晶化合物者。又，作為溶劑，較佳為對偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物之聚合反應為惰性者。
作為溶劑，可列舉：甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚及丙二醇單甲醚等醇溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁內酯或丙二醇甲醚乙酸酯及乳酸乙酯等酯溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-庚酮及甲基異丁基酮等酮溶劑；戊烷、己烷及庚烷等脂肪族烴溶劑；甲苯及二甲苯等芳香族烴溶劑；乙腈等腈溶劑；四氫呋喃及二甲氧基乙烷等醚溶劑；氯仿及氯苯等含氯之溶劑等。該等溶劑可單獨使用，亦可組合複數種而使用。
溶劑之含量相對於偏光膜形成用組合物之總量，較佳為50~98質量%。換言之，偏光膜形成用組合物中之固形物成分較佳為2~50質量%。若固形物成分為2質量%以上，則有更容易獲得薄型之偏光膜之傾向。又，若該固形物成分為50質量%以下，則偏光膜形成用組合物之黏度降低，因此有偏光膜之厚度變得大致均勻，藉此使該偏光膜變得不易產生不均之傾向。又，該固形物成分可考慮偏光膜之厚度而設定。
其次，對有偏光膜形成用組合物任意地含有之情況的構成成分進行說明。
<聚合反應助劑>
偏光膜形成用組合物較佳為含有聚合起始劑。該聚合起始劑為可使聚合性液晶化合物之聚合反應開始的化合物。作為聚合起始劑， 就可於低溫條件下使聚合反應開始之方面而言，較佳為光聚合起始劑。具體而言，可使用藉由光之作用而產生活性自由基或酸的化合物作為光聚合起始劑。該光聚合起始劑之中，更佳為藉由光之作用而產生活性自由基者。
作為聚合起始劑，例如可列舉：安息香化合物、二苯基酮化合物、烷基苯酮化合物、醯基氧化膦化合物、三化合物、錪鹽及鋶鹽等。
作為安息香化合物，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚及安息香異丁醚等。
作為二苯基酮化合物，例如可列舉：二苯基酮、鄰苯甲醯苯甲酸甲酯、4-苯基二苯基酮、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯基硫醚、3,3',4,4'-四(第三丁基過氧化羰基)二苯基酮及2,4,6-三甲基二苯基酮等。
作為烷基苯酮化合物，例如可列舉：二乙氧基苯乙酮、2-甲基-2-啉基-1-(4-甲基噻吩基)丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)丁烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1,2-二苯基-2,2-二甲氧基乙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮及2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷-1-酮之低聚物等。
作為醯基氧化膦化合物，可列舉：2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。
作為三化合物，例如可列舉：2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯基)-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基萘基)-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(4-二乙基胺基-2-甲基苯基)乙烯基]-1,3,5-三及2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,4-二甲氧基 苯基)乙烯基]-1,3,5-三等。
聚合起始劑亦可使用市售者。作為市售之聚合起始劑，可列舉：“Irgacure 907”、“Irgacure 184”、“Irgacure 651”、“Irgacure 819”、“Irgacure 250”、“Irgacure 369”(Ciba-Japan股份有限公司)；“Seikuol BZ”、“Seikuol Z”、“Seikuol BEE”(精工化學股份有限公司)；“kayacure BP100”(日本化藥股份有限公司)；“kayacure UVI-6992”(Dow公司製造)；“Adeka Optomer SP-152”、“Adeka Optomer SP-170”(ADEKA股份有限公司)；“TAZ-A”、“TAZ-PP”(Nihon SiberHegner公司)；及“TAZ-104”(Sanwa Chemical公司)等。
於偏光膜形成用組合物含有聚合起始劑之情形時，其含量可根據偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物之種類及其量而適當調節，通常聚合起始劑相對於聚合性液晶化合物之合計100質量份的含量為0.1~30質量份，較佳為0.5~10質量份，更佳為0.5~8質量份。若聚合性起始劑之含量為該範圍內，則可於不使聚合性液晶化合物之配向紊亂之情況下進行聚合，故而較佳。
於偏光膜形成用組合物含有光聚合起始劑之情形時，該偏光膜形成用組合物亦可含有光敏劑。作為光敏劑，例如可列舉：氧雜蒽酮及9-氧硫等氧雜蒽酮化合物(例如，2,4-二乙基9-氧硫、2-異丙基9-氧硫等)；蒽及含烷氧基之蒽(例如，二丁氧基蒽等)等蒽化合物；酚噻及紅螢烯(rubrene)等。
於偏光膜形成用組合物含有光聚合起始劑及光敏劑之情形時，可進一步促進該偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物之聚合反應。此種光敏劑之含量可根據所併用之光聚合起始劑及聚合性液晶化合物之種類及其量而適當調節，通常相對於聚合性液晶化合物之含量100質量份，為0.1~30質量份，較佳為0.5~10質量份，更佳為0.5~8質量份。
為了使聚合性液晶化合物及聚合性非液晶化合物之聚合反應穩定地進行，偏光膜形成用組合物亦可含有聚合抑制劑。可藉由聚合抑制劑來控制聚合性液晶化合物之聚合反應之進行程度。
作為上述聚合抑制劑，例如可列舉：對苯二酚、含烷氧基之對苯二酚、含烷氧基之鄰苯二酚(例如，丁基鄰苯二酚等)、鄰苯三酚、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶基氧自由基等自由基補充劑；苯硫酚類；β-萘胺類及β-萘酚類等。
於偏光膜形成用組合物含有聚合抑制劑之情形時，其含量可根據所使用之聚合性液晶化合物之種類及其量、以及光敏劑之含量等而適當調節，通常相對於聚合性液晶化合物之含量100質量份，為0.1~30質量份，較佳為0.5~10質量份，更佳為0.5~8質量份。
若聚合抑制劑之含量為上述範圍內，則可於不使偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物之配向紊亂之情況下進行聚合，故而較佳。
<調平劑>
偏光膜形成用組合物較佳為含有調平劑。所謂調平劑，係指具有調整偏光膜形成用組合物之流動性，使塗佈偏光膜形成用組合物而獲得之塗佈膜更平坦之功能者，可列舉界面活性劑等。作為較佳之調平劑，可列舉以聚丙烯酸酯化合物為主成分之調平劑及以含氟原子之化合物為主成分之調平劑等。
作為以聚丙烯酸酯化合物為主成分之調平劑，可列舉：“BYK-350”、“BYK-352”、“BYK-353”、“BYK-354”、“BYK-355”、“BYK-358N”、“BYK-361N”、“BYK-380”、“BYK-381”及“BYK-392”[BYK Chemie公司]等。
作為以含氟原子之化合物為主成分之調平劑，可列舉：“Megafac R-08”、“Megafac R-30”、“Megafac R-90”、“Megafac F-410”、 “Megafac F-411”、“Megafac F-443”、“Megafac F-445”、“Megafac F-470”、“Megafac F-471”、“Megafac F-477”、“Megafac F-479”、“Megafac F-482”及“Megafac F-483”[DIC股份有限公司]；“Surflon S-381”、“Surflon S-382”、“Surflon S-383”、“Surflon S-393”、“Surflon SC-101”、“Surflon SC-105”、“KH-40”及“SA-100”[AGC Seimi Chemical股份有限公司]；“E1830”、“E5844”[大金精密化學研究所股份有限公司]；“Eftop EF301”、“Eftop EF303”、“Eftop EF351”及“Eftop EF352”[三菱綜合材料電子化成(Mitsubishi Materials Electronic Chemicals)股份有限公司]等。
於偏光膜形成用組合物含有調平劑之情形時，其含量通常相對於聚合性液晶化合物之含量100質量份，為0.3質量份以上5質量份以下，較佳為0.5質量份以上3質量份以下。若調平劑之含量為上述之範圍內，則有容易使聚合性液晶化合物進行水平配向，且所獲得之偏光膜變得更平滑之傾向。若調平劑相對於聚合性液晶化合物的含量超過上述範圍，則有所獲得之偏光膜容易產生不均之傾向。再者，該偏光膜形成用組合物亦可含有2種以上之調平劑。
<偏光膜之形成方法>
其次，對由包含本組合物之偏光膜形成用組合物形成偏光膜(以下，視情況稱為「本偏光膜」)的方法進行說明。於該方法中，通常係藉由將該偏光膜形成用組合物塗佈於基材上而形成本偏光膜。包含本組合物之偏光膜形成用組合物可形成缺陷較少之本偏光膜、塗佈不均之產生得到充分抑制之高品質之本偏光膜。
<基材>
作為基材，較佳為透明基材。所謂透明基材，係指具有可使光、尤其是可見光透過之程度之透明性之基材。該透明性係指對遍及波長380~780nm之光線之透過率成為80%以上之特性。具體而言， 作為透明基材，可列舉玻璃基材及塑膠基材等，較佳為塑膠基材。作為構成塑膠基材之塑膠，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、降烯系聚合物等聚烯烴；環狀烯烴系樹脂；聚乙烯醇；聚對苯二甲酸乙二酯；聚甲基丙烯酸酯；聚丙烯酸酯；三乙酸纖維素、二乙酸纖維素及乙酸丙酸纖維素等纖維素酯；聚萘二甲酸乙二酯；聚碳酸酯；聚碸；聚醚碸；聚醚酮；聚苯硫醚及聚苯醚等塑膠。其中，就可自市場上容易地獲取或透明性優異之方面而言，尤佳為纖維素酯、環狀烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸酯。於使用此種透明基材製造本偏光膜時，就於搬運或保管該透明基材時不會產生破裂等破損而可容易地操作之方面而言，亦可預先於該透明基材上黏附支持基材等。又，下文中進行敍述，於由本偏光膜製造圓偏光板時，有對塑膠基材賦予相位差性之情況。於此情形時，只要藉由延伸處理等對塑膠基材賦予相位差性即可。
於對塑膠基材賦予相位差性之情形時，就容易控制其相位差值之方面而言，較佳為包含纖維素酯或環狀烯烴系樹脂之塑膠基材。
纖維素酯係纖維素中所含之羥基之至少一部分經乙酸酯化而成者。包含此種纖維素酯之纖維素酯膜可自市場上容易地獲取。作為市售之三乙酸纖維素膜，例如有“Fujitac Film”(富士軟片股份有限公司)；“KC8UX2M”、“KC8UY”及“KC4UY”(Konica Minolta Opto股份有限公司)等。此種市售三乙酸纖維素膜可直接或視需要賦予相位差性後用作透明基材。又，亦可對透明基材之表面實施防眩處理、硬塗層處理、抗靜電處理或抗反射處理等表面處理後用作透明基材。
作為對塑膠基材賦予相位差性之方法，如上所述，可列舉對塑膠基材進行延伸等方法等。包含熱塑性樹脂之塑膠基材均可進行延伸處理，但就容易控制相位差性之方面而言，更佳為包含環狀烯烴系樹脂之塑膠基材。所謂環狀烯烴系樹脂，係指例如包含降烯或多環降 烯系單體等環狀烯烴之聚合物或共聚物者，該環狀烯烴系樹脂亦可局部包含開環部。又，亦可為將包含開環部之環狀烯烴系樹脂氫化而成者。又，就不顯著損及透明性之方面或不顯著增大吸濕性之方面而言，該環狀烯烴系樹脂例如亦可為環狀烯烴與鏈狀烯烴或具有乙烯基之芳香族化合物(苯乙烯等)等之共聚物。又，該環狀烯烴系樹脂亦可於其分子內導入極性基。
於環狀烯烴系樹脂為環狀烯烴與鏈狀烯烴或具有乙烯基之芳香族化合物之共聚物之情形時，作為該鏈狀烯烴，可列舉乙烯或丙烯等，作為具有乙烯基之芳香族化合物，可列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯及經烷基取代之苯乙烯等。於此種共聚物中，源自環狀烯烴之結構單元之含有比例相對於環狀烯烴系樹脂之全部結構單元，為50莫耳%以下、例如15~50莫耳%左右之範圍。於環狀烯烴系樹脂為由環狀烯烴、鏈狀烯烴、及具有乙烯基之芳香族化合物獲得之三元共聚物之情形時，例如源自鏈狀烯烴之結構單元之含有比例通常相對於該環狀烯烴系樹脂之全部結構單元為5~80莫耳%，源自具有乙烯基之芳香族化合物之結構單元之含有比例為5~80莫耳%左右。此種三元共聚物之環狀烯烴系樹脂具有於製造該環狀烯烴系樹脂時可使價格高昂之環狀烯烴之使用量相對較少之優點。
環狀烯烴系樹脂可自市場上容易地獲取。作為市售之環狀烯烴系樹脂，可列舉：“Topas”[Ticona公司(獨資)]；“ARTON”[JSR股份有限公司]；“ZEONOR”及“ZEONEX”[日本ZEON股份有限公司]；“APEL”[三井化學股份有限公司製造]等。可藉由例如溶劑澆鑄法或熔融擠出法等公知之製膜方法將此種環狀烯烴系樹脂製膜而製成膜(環狀烯烴系樹脂膜)。又，亦可使用既已以膜之形態市售之環狀烯烴系樹脂膜。作為此種市售之環狀烯烴系樹脂膜，例如可列舉：“S-SINA”及“SCA40”[積水化學工業股份有限公司]；“ZEONOR FILM”[Optronics股份有限公司]；“ARTON膜”[JSR股份有限公司]等。
其次，說明對塑膠基材賦予相位差性之方法。塑膠基材可藉由公知之延伸方法賦予相位差性。例如準備將塑膠基材捲取於輥上之輥(捲取體)，自該捲取體連續地捲出塑膠基材，並將所捲出之塑膠基材搬送至加熱爐。加熱爐之設定溫度係設為塑膠基材之玻璃轉移溫度附近(℃)~[玻璃轉移溫度+100](℃)之範圍，較佳為設為玻璃轉移溫度附近(℃)~[玻璃轉移溫度+50](℃)之範圍。於該加熱爐中，於沿塑膠基材之行進方向或與行進方向正交之方向延伸時，調整搬送方向或張力而使其傾斜任意之角度地進行單軸或雙軸之熱延伸處理。延伸之倍率通常為1.1~6倍左右之範圍，較佳為1.1~3.5倍左右之範圍。又，作為沿傾斜方向延伸之方法，只要可連續地使配向軸傾斜所需之角度，則並無特別限定，可採用公知之延伸方法。此種延伸方法例如可列舉日本專利特開昭50-83482號公報或日本專利特開平2-113920號公報中所記載之方法。
關於透明基材之厚度，就為可進行實用性操作之程度之重量之方面及可確保充分之透明性之方面而言，越薄越好，但若過薄，則有強度降低，加工性較差之傾向。玻璃基材之適當之厚度例如為100~3000μm左右，較佳為100~1000μm左右。塑膠基材之適當之厚度例如為5~300μm左右，較佳為20~200μm左右。將偏光膜用作後述之圓偏光板之情形、或尤其是用作行動機器用途之圓偏光板之情形的透明基材之厚度較佳為20~100μm左右。再者，於藉由進行延伸而對膜賦予相位差性之情形時，延伸後之厚度係由延伸前之厚度或延伸倍率所決定。
<配向膜>
較佳為於本偏光膜之製造中所使用之基材上形成配向膜。於此情形時，偏光膜形成用組合物係塗佈於配向膜上。因此，該配向膜較 佳為具有不會因偏光膜形成用組合物之塗佈等而溶解之程度之耐溶劑性。又，較佳為具有用以去除溶劑或使液晶配向之加熱處理下之耐熱性。此種配向膜可由配向性聚合物形成。
作為配向性聚合物，例如可列舉：分子內具有醯胺鍵之聚醯胺或明膠類、分子內具有醯亞胺鍵之聚醯亞胺及作為其水解物之聚醯胺酸、聚乙烯醇、烷基改性聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚唑、聚伸乙基亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯啶酮、聚丙烯酸或聚丙烯酸酯類等聚合物。該等之中，較佳為聚乙烯醇。形成配向膜之該等配向性聚合物可單獨使用，亦可混合2種以上而使用。
配向性聚合物可藉由以溶解於溶劑而成之配向性聚合物組合物(含有配向性聚合物之溶液)之形式塗佈於基材上而於該基材上形成配向膜。作為該溶劑，可列舉：水；甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲基溶纖素、丁基溶纖素及丙二醇單甲醚等醇溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲醚乙酸酯及乳酸乙酯等酯溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮及甲基異丁基酮等酮溶劑；戊烷、己烷及庚烷等脂肪族烴溶劑；甲苯及二甲苯等芳香族烴溶劑；乙腈等腈溶劑；四氫呋喃及二甲氧基乙烷等醚溶劑；氯仿及氯苯等經氯取代之烴溶劑等。該等有機溶劑可單獨使用，亦可組合複數種而使用。
又，作為用以形成配向膜之配向性聚合物組合物，亦可直接使用市售之配向膜材料。作為市售之配向膜材料，可列舉：Sunever(註冊商標，日產化學工業股份有限公司製造)及Optomer(註冊商標，JSR股份有限公司製造)等。
作為於基材上形成配向膜之方法，例如可列舉於基材上塗佈上述配向性聚合物組合物或市售之配向膜材料並進行退火之方法。以此種方式獲得之配向膜之厚度例如為10nm~10000nm之範圍，較佳為 10nm~1000nm之範圍。
為了對上述配向膜賦予配向限制力，亦可視需要進行摩擦(摩擦法)。可藉由賦予配向限制力而使聚合性液晶化合物沿所需之方向配向。
作為藉由摩擦法賦予配向限制力之方法，例如可列舉如下方法：準備捲取有摩擦布且旋轉中之摩擦輥，將基材上形成有配向膜形成用塗佈膜之積層體置於載台上，朝向旋轉中之摩擦輥進行搬送，藉此使該塗佈膜與旋轉中之摩擦輥接觸。
又，亦可利用所謂之光配向膜。所謂光配向膜，係指藉由將含有具有光反應性基之聚合物或單體及溶劑之組合物(以下，視情況稱為「光配向膜形成用組合物」)塗佈於基材上並照射偏光(較佳為偏光UV(Ultraviolet，紫外線))而賦予有配向限制力之配向膜。所謂光反應性基，係指藉由照射光(光照射)而產生液晶配向能之基。具體而言係引起藉由照射光而產生之分子之配向誘導或異構化反應、二聚化反應、光交聯反應、或光分解反應之類的成為液晶配向能之起源之光反應者。於該光反應性基之中，就配向性優異，保持偏光膜形成時之層列型液晶狀態之方面而言，較佳為引起二聚化反應或光交聯反應者。作為可引起如上反應之光反應性基，較佳為具有不飽和鍵、尤其是雙鍵者，尤佳為具有選自由碳-碳雙鍵(C=C鍵)、碳-氮雙鍵(C=N鍵)、氮-氮雙鍵(N=N鍵)、及碳-氧雙鍵(C=O鍵)所組成之群中之至少一者之基。
作為具有C=C鍵之光反應性基，例如可列舉：乙烯基、多烯基、茋基、苯乙烯基吡啶基、苯乙烯基吡啶鎓基(stilbazolium group)、査耳酮基及桂皮醯基等。作為具有C=N鍵之光反應性基，可列舉：具有芳香族希夫鹼(Schiff base)及芳香族腙等結構之基。作為具有N=N鍵之光反應性基，可列舉：偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族雜環偶氮基、 雙偶氮基及甲臢基等、或以氧偶氮苯為基本結構者。作為具有C=O鍵之光反應性基，可列舉：二苯基酮基、香豆素基、蒽醌基及順丁烯二醯亞胺基等。該等基亦可具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧基羰基、羥基、磺酸基及鹵化烷基等取代基。
其中，較佳為可引起光二聚化反應之光反應性基，就容易獲得光配向所必需之偏光照射量相對較少且熱穩定性或經時穩定性優異之光配向膜而言，較佳為桂皮醯基及查耳酮基。進一步而言，作為具有光反應性基之聚合物，尤佳為如聚合物側鏈之末端部成為桂皮酸結構之具有桂皮醯基者。
作為光配向膜形成用組合物之溶劑，較佳為溶解具有光反應性基之聚合物及單體者，作為該溶劑，例如可列舉上述配向性聚合物組合物中所使用之溶劑。
具有光反應性基之聚合物或單體相對於光配向膜形成用組合物的濃度可根據該具有光反應性基之聚合物或單體之種類或所欲製造之光配向膜之厚度而適當調節，以固形物成分濃度表示，較佳為設為至少0.2質量%，尤佳為0.3~10質量%之範圍。又，於不顯著損及光配向膜之特性之範圍內，該光配向膜形成用組合物中亦可含有聚乙烯醇或聚醯亞胺等高分子材料或光敏劑。
作為將配向性聚合物組合物或光配向膜形成用組合物塗佈於基材上之方法，可採用旋轉塗佈法、擠壓法、凹版塗佈法、模具塗佈法、棒式塗佈法及敷料器法等塗佈法，或軟版法等印刷法等公知之方法。再者，於藉由後述之卷對卷(Roll to Roll)形式之連續製造方法實施本偏光膜之製造之情形時，該塗佈方法通常係採用凹版塗佈法、模具塗佈法或軟版法等印刷法。
再者，於進行摩擦或偏光照射時，若進行遮蔽，則亦可形成配向方向不同之複數個區域(圖案)。
<本偏光膜之製造方法>
於基材上或形成於基材上之配向膜上塗佈偏光膜形成用組合物而獲得塗佈膜(以下，有時稱為偏光膜形成用塗佈膜)。作為於該配向膜上塗佈偏光膜形成用組合物之方法(塗佈方法)，例如可列舉與作為將配向性聚合物組合物或光配向膜形成用組合物塗佈於基材上之方法所例示者相同之方法。此處，對偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物為顯示層列型液晶相之液晶狀態的化合物之情形進行說明。
於不使偏光膜形成用塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合之條件下將溶劑乾燥去除，藉此形成乾燥覆膜。作為乾燥方法，例如可列舉：自然乾燥法、通風乾燥法、加熱乾燥及減壓乾燥法等。繼而，較佳為暫時使該乾燥覆膜中所含之聚合性液晶組合物之液晶狀態成為向列相(向列型液晶狀態)之後，使該向列相轉移為層列相。為了如此般經由向列相而形成層列相，例如可採用如下方法：加熱至乾燥覆膜中所含之聚合性液晶化合物相轉移為向列相之液晶狀態之溫度以上，繼而進行冷卻直至該聚合性液晶化合物顯示層列相之液晶狀態之溫度。
於使上述乾燥覆膜中之聚合性液晶化合物成為層列型液晶相之液晶狀態、較佳為高次之層列型液晶狀態，或使該聚合性液晶化合物經由向列型液晶狀態而成為層列型液晶狀態之情形時，藉由測定所使用之聚合性液晶化合物之相轉移溫度，可容易地求出控制液晶狀態之條件(加熱條件)。該相轉移溫度測定之測定條件於本申請案之實施例中進行說明。
為了於使上述聚合性液晶化合物聚合時良好地保持尤其是層列相之液晶狀態，較佳為使用包含2種以上之聚合性層列型液晶化合物作為該聚合性液晶化合物之偏光膜形成用組合物。若使用該2種以上 之聚合性液晶化合物之含量比經調整之偏光膜形成用組合物，則具有如下優點：可於經由向列相而形成層列相之液晶狀態後暫時形成過冷狀態，容易保持高次之層列相之液晶狀態。
其次，對聚合性液晶化合物之聚合步驟進行說明。此處，對使偏光膜形成用組合物中含有光聚合起始劑，使乾燥覆膜中之聚合性液晶化合物之液晶狀態成為層列相之後，於保持該層列相之液晶狀態的狀態下使該聚合性液晶化合物進行光聚合的方法進行詳細敍述。
光聚合中，作為對乾燥覆膜所照射之光，可根據該乾燥覆膜中所含之光聚合起始劑之種類、或聚合性液晶化合物之種類(尤其是該聚合性液晶化合物所具有之光聚合基之種類)及其量，適當地藉由選自由可見光、紫外光及雷射光所組成之群中之光或活性電子束而進行光聚合。該等之中，就容易控制聚合反應之進行之方面、或可使用廣泛地用於本領域者作為光聚合之裝置之方面而言，較佳為紫外光。因此，較佳為以可藉由紫外光進行光聚合之方式預先選擇上述偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物或光聚合起始劑之種類。又，於進行聚合時，亦可照射紫外光，並且藉由適當之冷卻方法對乾燥覆膜進行冷卻，藉此控制聚合溫度。若藉由採用此種冷卻方法可於更低溫下實施聚合性液晶化合物之聚合，則亦有即便上述透明基材使用耐熱性相對較低者，亦可適當地形成本偏光膜之優點。再者，於光聚合時，亦可藉由進行遮蔽或顯影等而獲得經圖案化之偏光膜。
藉由進行如上光聚合，而上述聚合性液晶化合物於保持層列相、較佳為如已例示之高次之層列相之液晶狀態的狀態下進行聚合，從而形成本偏光膜。聚合性液晶化合物於保持層列相之液晶狀態的狀態下進行聚合而獲得之本偏光膜係於包含聚合性液晶化合物之液晶相中分散有包含本組合物之二色性色素。
如此形成之本偏光膜之厚度較佳為0.5μm以上5μm以下之範圍， 進而較佳為1μm以上5μm以下。因此，偏光膜形成用塗佈膜之厚度可考慮所獲得之本偏光膜之厚度而設定。再者，本偏光膜之厚度係利用干涉膜厚計或雷射顯微鏡或觸針式膜厚計之測定而求出。
又，如上所述，如此形成之本偏光膜尤佳為於X射線反射測定中可獲得布拉格峰者。作為此種可獲得布拉格峰之偏光膜，例如可列舉：顯示源自六角相(hexatic phase)或結晶相(crystal phase)之繞射波峰之偏光膜。
於以上所說明之本偏光膜之製造中，成為依序具備本偏光膜/配向膜/基材之構件。此種構件可直接成為液晶顯示裝置中所使用之偏光元件。偏光元件之製造方法例如包括以下之(1)~(5)。
(1)準備於基材上具備配向膜之積層體的步驟；(2)於上述積層體之配向膜上塗佈偏光膜形成用組合物而獲得偏光膜形成用塗佈膜的步驟；(3)將溶劑自上述偏光膜形成用塗佈膜中去除而獲得乾燥覆膜的步驟；(4)使上述乾燥覆膜中所含之聚合性液晶化合物成為層列型液晶狀態的步驟；(5)於使上述聚合性液晶化合物保持層列型液晶狀態的狀態下使上述聚合性液晶化合物聚合，藉此於上述配向膜上形成偏光膜的步驟。
<本偏光膜之連續製造方法>
以上，對本偏光膜之製造方法之概要進行了說明，但於商業上製造本偏光膜時，謀求可連續地製造本偏光膜之方法。此種連續製造方法係基於卷對卷(Roll to Roll)形式者，視情況稱為「本製造方法」。
本製造方法例如包括如下步驟：準備將基材捲取於第1卷芯上之第1輥的步驟； 自該第1輥連續地送出該基材的步驟；於該基材上連續地塗佈光配向膜形成用組合物的步驟；將該溶劑自所塗佈之光配向膜形成用組合物中乾燥去除而於該基材上形成第1乾燥覆膜的步驟；藉由對該第1乾燥覆膜照射偏光UV而形成光配向膜，從而連續地獲得積層體的步驟；於該光配向膜上塗佈含有聚合性液晶化合物、二色性色素及溶劑之偏光膜形成用組合物，從而於該光配向膜上連續地形成偏光膜形成用塗佈膜的步驟；將該偏光膜形成用塗佈膜於不會使偏光膜形成用塗佈膜中所含之聚合性液晶化合物聚合之條件下進行乾燥，藉此於該光配向膜上形成第2乾燥覆膜的步驟；使該第2乾燥覆膜中所含之該聚合性液晶化合物成為層列型液晶狀態後，於保持該液晶狀態的狀態下使該聚合性液晶化合物聚合，藉此連續地形成偏光膜並製成偏光元件的步驟；及將連續地獲得之偏光元件捲取於第2卷芯上而獲得第2輥的步驟。
此處，參照圖1對本製造方法進行說明。
將基材捲取於第1卷芯210A上之第1輥210例如可自市場上容易地獲取。作為可以此種輥之形態自市場上獲取之基材，於已例示之基材中，可列舉包含纖維素酯、環狀烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸酯之膜等。又，於使用本偏光膜作為圓偏光板時，預先賦予有相位差性之透明基材亦可自市場上容易地獲取，例如可列舉包含纖維素酯或環狀烯烴系樹脂之相位差膜等。
繼而，自上述第1輥210捲出基材。捲出基材之方法係藉由在該第1輥210之卷芯210A上設置適當之旋轉機構，藉由該旋轉機構使第1 輥210旋轉而進行。又，亦可為於自第1輥210搬送基材之方向上設置適當之輔助輥300，利用該輔助輥300之旋轉機構捲出基材的形式。進而，亦可為第1卷芯210A及輔助輥300均設置旋轉機構，藉此一面對基材賦予適度之張力一面將基材捲出的形式。
自上述第1輥210捲出之基材係於通過塗佈裝置211A時，藉由該塗佈裝置211A將光配向膜形成用組合物塗佈於其表面上。為了如此般連續地塗佈光配向膜形成用組合物，如上所述，藉由該塗佈裝置211A實施凹版塗佈法、模具塗佈法、軟版法等印刷法。
經過塗佈裝置211A之基材係搬送至乾燥爐212A，藉由該乾燥爐212A進行加熱，而於透明基材上連續地形成第1乾燥覆膜。作為乾燥爐212A，例如可使用熱風式乾燥爐等。乾燥爐212A之設定溫度可根據藉由塗佈裝置211A塗佈之上述光配向膜形成用組合物中所含之溶劑之種類等而設定。又，乾燥爐212A可為劃分成複數個區域並使所劃分之複數個區域每一個中設定溫度各不相同的形式，亦可為串列地配置複數個乾燥爐並使每一個乾燥爐中設定溫度各不相同的形式之乾燥爐。
藉由通過加熱爐212A而連續地形成之第1乾燥覆膜繼而藉由偏光UV照射裝置213A對第1乾燥覆膜側之表面或透明基材側之表面照射偏光UV，從而該第1乾燥覆膜形成光配向膜。此時，使基材之搬送方向D1與所形成之光配向膜之配向方向D2所成之角度成為大致45°。圖2係表示偏光UV照射後所形成之光配向膜之配向方向D2與基材之搬送方向D1之關係的模式圖。即，圖2表示通過偏光UV照射裝置213A後基材之搬送方向D1與光配向膜之配向方向D2所成之角度顯示大致45°。
如此連續地形成有光配向膜之基材繼而通過塗佈裝置211B，藉此於該光配向膜上塗佈偏光膜形成用組合物，其後通過乾燥爐 212B。藉由通過乾燥爐212B，使偏光膜形成用組合物中所含之聚合性液晶化合物形成層列相之液晶狀態而形成第2乾燥覆膜。乾燥爐212B擔負將溶劑自上述偏光膜形成用組合物中乾燥去除的作用，並且擔負提供熱能以使上述第2乾燥覆膜中所含之聚合性液晶化合物成為層列相之液晶狀態的作用。又，為了於使聚合性液晶化合物成為層列相之液晶狀態之前暫時使該聚合性液晶化合物成為向列相之液晶狀態，而必需藉由不同之加熱條件進行多階段之加熱處理。因此，乾燥爐212B與乾燥爐212A同樣地，可為劃分成複數個區域並使所劃分之複數個區域每一個中設定溫度各不相同的形式，亦可為串列地配置複數個乾燥爐並使每一個乾燥爐中設定溫度各不相同的形式之乾燥爐。
經過上述乾燥爐212B之基材係將偏光膜形成用組合物中所含之溶劑充分去除，以使第2乾燥覆膜中之聚合性液晶化合物保持層列相之液晶狀態的狀態搬送至光照射裝置213B。藉由利用光照射裝置213B之光照射，而該聚合性液晶化合物於保持上述液晶狀態的狀態下進行光聚合，從而使本偏光膜連續地形成於配向膜上。
如此連續地形成之本偏光膜係以包含透明基材及配向膜之積層體之形態捲取於第2卷芯220A上，而獲得第2輥220之形態。於捲取所形成之本偏光膜而獲得第2輥時，亦可進行使用適當之間隔件之同時捲取。
如此，使基材依序通過第1輥/塗佈裝置211A/乾燥爐212A/偏光UV照射裝置213A/塗佈裝置211B/乾燥爐212B/光照射裝置213B，藉此於基材上之光配向膜上連續地形成本偏光膜，製造偏光元件。
又，於圖1所示之本製造方法中，例示了自基材開始連續地進行製造直至成為本偏光膜的方法，但例如亦可將藉由使基材依序通過第1輥/塗佈裝置211A/乾燥爐212A/偏光UV照射裝置213A而連續地形成之積層體捲取於卷芯上，以輥之形態製造積層體，自該輥捲出該積層 體，使所捲出之該積層體依序通過塗佈裝置211B/乾燥爐212B/光照射裝置213B，而製造本偏光膜。
藉由本製造方法獲得之本偏光膜係其形狀為膜狀且為長條狀者。該本偏光膜於用於後述之液晶顯示裝置等之情形時，係根據該液晶顯示裝置之尺度等裁剪成所需之尺寸而使用。
以上，以基材/光配向膜/本偏光膜之積層體之形態之情形為中心對包含本偏光膜之偏光元件之構成及製造方法進行了說明，但如上所述，可將光配向膜或基材自包含本偏光膜之偏光元件剝離，亦可成為於該偏光元件上積層有基材/光配向膜/本偏光膜以外之層或膜的形態。作為該等層及膜，如已敍述般，可進而具備相位差膜，亦可進而具備抗反射層或增亮膜。
又，藉由使基材本身成為相位差膜，亦可製成相位差膜/配向膜/本偏光膜之形態之圓偏光板或橢圓偏光板。例如於使用經單軸延伸之1/4波長板作為相位差膜之情形時，藉由將偏光UV之照射方向設定為相對於透明基材之搬送方向成為大致45°，可利用卷對卷(Roll to Roll)製作圓偏光板。如此製造圓偏光板時所使用之1/4波長板較佳為具有對可見光之面內相位差值隨著波長變短而減小之特性者。
又，使用1/2波長板作為相位差膜，製作使其遲相軸與偏光膜之吸收軸之角度偏移地設定之直線偏光板輥，於與形成有該偏光膜之面相反之側進而形成1/4波長板，藉此亦可寬頻帶之圓偏光板。
<本偏光膜之用途>
本偏光膜可用於各種顯示裝置。顯示裝置係指具有顯示元件之裝置，且包含發光元件或發光裝置作為發光源。作為顯示裝置，例如可列舉：液晶顯示裝置、有機電致發光(EL，electroluminescence)顯示裝置、無機電致發光(EL)顯示裝置、電子發射顯示裝置(例如電場發射顯示裝置(FED，field emission display)、表面場發射顯示裝置 (SED(Surface-conduction electron-emitter display，表面傳導電子發射顯示器)))、電子紙(使用電子油墨或電泳元件之顯示裝置)、電漿顯示裝置、投射型顯示裝置(例如柵狀光閥成像系統(GLV，Grating Light Valve)顯示裝置、具有數位微鏡晶片(DMD，Digital Micro-mirror Device)之顯示裝置)及壓電陶瓷顯示器等。液晶顯示裝置亦包含透過型液晶顯示裝置、半透過型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、直觀型液晶顯示裝置及投影型液晶顯示裝置等中之任意者。該等顯示裝置可為顯示二維圖像之顯示裝置，亦可為顯示三維圖像之立體顯示裝置。
圖3及圖6係表示使用本偏光膜之液晶顯示裝置(以下，視情況稱為「本液晶顯示裝置」)10及24之剖面構成的模式圖。液晶層17係由2片基板14a及基板14b夾持。
圖7及圖10係表示使用本偏光膜之EL顯示裝置(以下，視情況稱為「本EL顯示裝置」)之剖面構成的模式圖。
圖11係模式性地表示使用本偏光膜之投射型液晶顯示裝置之構成的概略圖。
首先，對圖3所示之本液晶顯示裝置10進行說明。
於基板14a之液晶層17側配置有彩色濾光片15。彩色濾光片15配置於夾持液晶層17且與像素電極22對向之位置上，黑矩陣20配置於與像素電極間之邊界對向之位置上。透明電極16以覆蓋彩色濾光片15及黑矩陣20之方式配置於液晶層17側。再者，亦可於彩色濾光片15與透明電極16之間具有保護層(未圖示)。
於基板14b之液晶層17側規則整齊地配置有薄膜電晶體21與像素電極22。像素電極22配置於夾持液晶層17且與彩色濾光片15對向之位置上。於薄膜電晶體21與像素電極22之間配置有具有連接孔(未圖示)之層間絕緣膜18。
作為基板14a及基板14b，可使用玻璃基板及塑膠基板。該玻璃基板或塑膠基板可採用與作為本偏光膜製造中所使用之透明基材所例示者相同材質者。又，本偏光膜之透明基板1亦可兼作基板14a及基板14b。於製造形成於基板上之彩色濾光片15或薄膜電晶體21時，於必需進行加熱至高溫之步驟之情形時，較佳為玻璃基板或石英基板。
薄膜電晶體可根據基板14b之材質而採用最佳者。作為薄膜電晶體21，形成於石英基板上之高溫多晶矽電晶體、形成於玻璃基板上之低溫多晶矽電晶體、形成於玻璃基板或塑膠基板上之非晶矽電晶體。為了使本液晶顯示裝置進一步小型化，亦可於基板14b上形成驅動IC(integrated circuit，積體電路)。
於透明電極16與像素電極22之間配置有液晶層17。於液晶層17上，為了使基板14a及基板14b間之距離保持固定而配置有間隔件23。再者，圖2中係以柱狀之間隔件進行圖示，但該間隔件並不限定於柱狀，只要可使基板14a及基板14b間之距離保持固定，則其形狀為任意。
亦可於基板14a及基板14b上所形成之層中與液晶層17接觸之面上分別配置用以使液晶沿所需之方向配向之配向層。再者，亦可將本偏光膜配置於液晶單元內部，即於接觸於液晶層17之面側配置本偏光膜。以下將此種形式稱為「in-cell形式」。再者，in-cell形式之較佳之液晶顯示裝置之概略於下文中進行敍述。
各構件係以基板14a、彩色濾光片15及黑矩陣20、透明電極16、液晶層17、像素電極22、層間絕緣膜18及薄膜電晶體21、以及基板14b之順序積層。
於此種夾持有液晶層17之基板14a及基板14b中之基板14b之外側設置有偏光元件12a及12b，該等之中，至少1個偏光元件中使用本偏光膜。
進而，較佳為積層相位差層(例如，1/4波長板或光學補償膜)13a及13b。藉由將本偏光膜配置於偏光元件12a及12b中之偏光元件12b，可對本液晶顯示裝置10賦予將入射光轉換成直線偏光之功能。再者，根據液晶顯示裝置之構造或液晶層17中所含之液晶化合物之種類，亦可不配置相位差膜13a及13b，於使用透明基板為相位差膜且包含本偏光膜之圓偏光板之情形時，可將該相位差膜設為相位差層，因此亦可省略圖3之相位差層13a及/或13b。亦可於包含本偏光膜之偏光元件之光出射側(外側)進而設置偏光膜。
又，亦可於包含本偏光膜之偏光元件之外側(於本偏光膜上進而設置有偏光膜之情形時，於該偏光膜之外側)配置用以防止外部光之反射之抗反射膜。
如上所述，可於圖3之本液晶顯示裝置10之偏光元件12a或12b中使用本偏光膜。藉由將本偏光膜設置於偏光元件12a及/或12b而具有可達成本液晶顯示裝置10之薄型化之效果。
於將本偏光膜用於偏光元件12a或12b之情形時，其積層順序並無特別限定。參照圖3之虛線所包圍之A及B之部分之放大圖對其進行說明。
圖4係圖3之A之部分的放大模式剖面圖。圖4之(A1)係表示於將包含本偏光膜之偏光元件(以下，有時稱為本偏光元件)100用作偏光元件12a之情形時，設置為自相位差層13a側起依序配置本偏光膜3、光配向膜2及基材1。又，圖4之(A2)係表示設置為自相位差層13a側起依序配置基材1、光配向膜2及本偏光膜3。
圖5係圖3之B之部分的放大模式圖。圖5之(B1)係於將本偏光元件100用作偏光元件12b之情形時，設置為自相位差膜13b側起依序配置基材1、光配向膜2及本偏光膜3。圖5之(B2)係於將本偏光元件100用作偏光元件12b之情形時，設置為自相位差膜13b側起依序配置本偏 光膜3、光配向膜2及基材1。
於偏光元件12b之外側配置有作為發光源之背光單元19。背光單元19包含光源、導光體、反射板、擴散片及視角調整片。作為光源，可列舉：電致發光、冷陰極管、熱陰極管、發光二極體(LED，Light-Emitting Diode)、雷射光源及水銀燈等。又，可根據此種光源之特性選擇本偏光膜之種類。
於本液晶顯示裝置10為透過型液晶顯示裝置之情形時，自背光單元19中之光源發出之白色光入射至導光體，藉由反射板改變行進路線並由擴散片擴散。擴散光係於藉由視角調整片調整為具有所需之指向性後自背光單元19入射至偏光元件12b。
作為無偏光之入射光之中，僅某一方向之直線偏光透過液晶面板之偏光元件12b。該直線偏光藉由相位差層13b轉換成圓偏光或橢圓偏光，依序透過基板14b、像素電極22等而到達至液晶層17。
此處，根據像素電極22與對向之透明電極16之間之電位差之有無，而使液晶層17中所含之液晶分子之配向狀態發生變化，控制自本液晶顯示裝置10出射之光之亮度。於液晶層17為將偏光轉換而使之透過之配向狀態之情形時，該偏光係透過液晶層17、透明電極16，某特定之波長範圍之光透過彩色濾光片15而到達至偏光元件12a，液晶顯示裝置最亮地顯示由彩色濾光片決定之顏色。
反之，於液晶層17為使偏光直接透過之配向狀態之情形時，透過液晶層17、透明電極16及彩色濾光片15之光被偏光元件12a吸收。藉此，該像素顯示黑色。於該等2種狀態之中間之配向狀態下，自本液晶顯示裝置10出射之光之亮度亦成為上述兩者之中間，因此該像素顯示中間色。
於本液晶顯示裝置10為半透過型液晶顯示裝置之情形時，較佳為使用於本偏光元件之本偏光膜側進而積層有1/4波長板者(圓偏光 板)。此時，像素電極22具有由透明材料形成之透過部、及由使光反射之材料形成之反射部，於透過部中，以與上述之透過型液晶顯示裝置相同之方式顯示圖像。另一方面，於反射部中，外部光入射至液晶顯示裝置，藉由本偏光膜上進而具備之1/4波長板之作用，使透過本偏光膜之圓偏光通過液晶層17，藉由像素電極22反射而利用於顯示。
其次，參照圖6對使用本偏光膜的in-cell形式之較佳之液晶顯示裝置(本液晶顯示裝置24)進行說明。
於本液晶顯示裝置24中，依序積層基板14a、偏光元件12a、相位差膜13a、彩色濾光片15及黑矩陣20、透明電極16、液晶層17、像素電極22、層間絕緣膜18及薄膜電晶體21、相位差膜13b、偏光元件12b、基板14b、以及背光單元19，於該構成中，較佳為使用本偏光元件作為偏光元件12a。於該構成中，本偏光膜亦可以使處於偏光元件中之基材兼作基板14a之方式依序配置基材1、光配向膜2及本偏光膜3。以此種構成具備本偏光膜之本液晶顯示裝置24被賦予使入射光成為直線偏光之功能。再者，與本液晶顯示裝置10同樣地，根據液晶層17中所含之液晶化合物之種類，亦可不配置相位差層13a及13b。
其次，參照圖7對使用本偏光膜的本EL顯示裝置30進行說明。於將本偏光膜用於本EL顯示裝置之情形時，較佳為將本偏光膜製成圓偏光板(以下，視情況稱為「本圓偏光板」)後使用。本圓偏光板有2個實施形態。因此，於說明本EL顯示裝置30之構成等之前，參照圖7對本圓偏光板之2個實施形態進行說明。
圖8之(A)係模式性地表示本圓偏光板110之第1實施形態的剖面圖。該第1實施形態係於本偏光元件100中之本偏光膜3上進而設置有相位差層4之本圓偏光板110。圖8之(B)係模式性地表示本圓偏光板110之第2實施形態的剖面圖。該第2實施形態係藉由使用預先賦予有相位差性之基材1(相位差層4)作為製造本偏光元件100時所使用之基 材1，而使基材1本身成為兼具作為相位差層4之功能者的本圓偏光板110。
此處，預先對本圓偏光板110之製造方法進行說明。圓偏光板110之第2實施形態如已說明般，於製造本偏光元件100之本製造方法中，可藉由使用預先賦予有相位差性之基材1、即相位差膜作為基材1而製造。本圓偏光板110之第1實施形態只要藉由在藉由本製造方法製造之本偏光膜3上貼合相位差膜而形成相位差層4即可。再者，於藉由本製造方法B以第2輥220之形態製造本偏光元件100之情形時，可為自該第2輥220捲出本偏光元件100並裁剪成特定之尺寸後於裁剪所得之本偏光元件100上貼合相位差膜之形態，亦可藉由準備將相位差膜捲取於卷芯上之第3輥而連續地製造形狀為膜狀且為長條狀之本圓偏光板110。
參照圖9對連續地製造本圓偏光板110之第1實施形態之方法進行說明。該製造方法包括如下步驟：自上述第2輥220連續地捲出本偏光元件100，並且自捲取有相位差膜之第3輥230連續地捲出上述相位差膜的步驟；將自上述第2輥220捲出之本偏光元件100中所設置之偏光膜、與自上述第3輥捲出之上述相位差膜連續地貼合而形成本圓偏光板110的步驟；及將所形成之本圓偏光板110捲取於第4卷芯240A上而獲得第4輥240的步驟。
本圓偏光板之較佳實施態樣例如可列舉以下之<X1>及<X2>等。
<X1>具備本偏光膜、及λ/4層，且滿足以下之(A1)及(A2)之必要條件的本圓偏光板
(A1)本偏光膜之吸收軸與上述λ/4層之遲相軸所成之角度為大致 45°；(A2)以波長550nm之光測定的上述λ/4層之正面延遲之值為100~150nm之範圍。
<X2>依序具備本偏光膜、λ/2層、及λ/4層，且滿足以下之(B1)~(B4)之任意必要條件的圓偏光板
(B1)上述偏光膜之吸收軸與上述λ/2層之遲相軸所成之角度為大致15°；(B2)上述λ/2層之遲相軸與上述λ/4層之遲相軸所成之角度為大致60°；(B3)上述λ/2層以波長550nm之光測定的上述λ/2層之正面延遲之值為200~300nm之範圍；(B4)上述λ/4層以波長550nm之光測定的上述λ/4層之正面延遲之值為100~150nm之範圍。
以上，對本圓偏光板110之第1實施形態之製造方法進行了說明，但亦可於將偏光元件100中之本偏光膜3與相位差膜貼合時，使用適當之黏著劑，通過由該黏著劑形成之黏著層將本偏光膜3與相位差膜貼合。
再次參照圖7，對具備本圓偏光板110之本EL顯示裝置進行說明。
本EL顯示裝置30係於形成有像素電極35之基板33上積層有作為發光源之有機功能層36、及陰極電極37者。於夾持基板33且與有機功能層36相反之側配置圓偏光板31，並使用本圓偏光板110作為該圓偏光板31。對像素電極35施加正電壓，對陰極電極37施加負電壓，從而於像素電極35及陰極電極37間施加直流電流，藉此使有機功能層36發光。作為發光源之有機功能層36包含電子傳輸層、發光層及電洞傳輸層等。自有機功能層36出射之光通過像素電極35、層間絕緣膜34、基 板33、圓偏光板31(本圓偏光板110)。對具有有機功能層36之有機EL顯示裝置進行說明，但亦可應用於具有無機功能層之無機EL顯示裝置。
於製造本EL顯示裝置30時，首先於基板33上使薄膜電晶體40形成為所需之形狀。然後，成膜層間絕緣膜34，繼而利用濺鍍法成膜像素電極35，並進行圖案化。其後，積層有機功能層36。
其次，於基板33之設置有薄膜電晶體40之面之相反面上設置圓偏光板31(本圓偏光板110)。
於使用本圓偏光板110作為圓偏光板31之情形時，參照圖7之虛線所包圍之C之部分之放大圖對其積層順序進行說明。於使用本圓偏光板110作為圓偏光板31之情形時，將處於該本圓偏光板110中之相位差層4配置於基板33側。圖8之(A)係使用本圓偏光板110之第1實施形態作為圓偏光板31的放大圖，圖8之(B)係使用本圓偏光板110之第2實施形態作為圓偏光板31的放大圖。
其次，對本EL顯示裝置30之本偏光膜31(圓偏光板110)以外之構件進行說明。
作為基板33，可列舉：藍寶石玻璃基板、石英玻璃基板、鈉玻璃基板及氧化鋁等陶瓷基板；銅等金屬基板；塑膠基板等。雖未圖示，但亦可於基板33上形成導熱性膜。作為導熱性膜，可列舉：金剛石薄膜(DLC(Diamond-like carbon，類鑽碳)等)等。於使像素電極35為反射型之情形時，光向與基板33相反之方向出射。因此，不僅可使用透明材料，而且亦可使用不鏽鋼等非透過材料。基板可單一地形成，亦可利用接著劑貼合複數個基板而形成為積層基板。又，該等基板並不限定於板狀者，亦可為膜。
作為薄膜電晶體40，例如只要使用多晶矽電晶體等即可。薄膜電晶體40係設置於像素電極35之端部，其大小為10~30μm左右。再 者，像素電極35之大小為20μm×20μm~300μm×300μm左右。
於基板33上設置有薄膜電晶體40之配線電極。配線電極之電阻較低，具有與像素電極35電性連接而將電阻值抑制為較低之功能，通常該配線電極可使用含有Al、Al及過渡金屬(其中，Ti除外)、Ti或氮化鈦(TiN)之任1種或2種以上者。
於薄膜電晶體40與像素電極35之間設置有層間絕緣膜34。層間絕緣膜34只要為利用濺鍍或真空蒸鍍使SiO2等氧化矽、氮化矽等無機系材料成膜而成者，由SOG(Spin-on-Glass，旋塗式玻璃)形成之氧化矽層，光阻、聚醯亞胺及丙烯酸系樹脂等樹脂系材料之塗膜等具有絕緣性者，則可為任一者。
於層間絕緣膜34上形成肋部41。肋部41係配置於像素電極35之周邊部(鄰接像素間)。作為肋部41之材料，可列舉：丙烯酸系樹脂及聚醯亞胺樹脂等。肋部41之厚度較佳為1.0μm以上3.5μm以下，更佳為1.5μm以上2.5μm以下。
其次，對包含作為透明電極之像素電極35、作為發光源之有機功能層36、及陰極電極37之EL元件進行說明。有機功能層36具有分別至少1層之電洞傳輸層及發光層，例如依序具有電子注入傳輸層、發光層、電洞傳輸層及電洞注入層。
作為像素電極35，例如可列舉：ITO(摻雜有錫之氧化銦)、IZO(摻雜有鋅之氧化銦)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxides，銦鎵鋅氧化物)、ZnO、SnO2及In2O3等，尤佳為ITO或IZO。像素電極35之厚度只要具有可充分進行電洞注入之一定以上之厚度即可，較佳為設為10~500nm左右。
像素電極35可藉由蒸鍍法(較佳為濺鍍法)而形成。作為濺鍍氣體，並無特別限制，只要使用Ar、He、Ne、Kr及Xe等惰性氣體或該等之混合氣體即可。
作為陰極電極37之構成材料，例如只要使用K、Li、Na、Mg、La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn及Zr等金屬元素即可，但為了提高電極之動作穩定性，較佳為使用選自所例示之金屬元素中之2種成分或3種成分之合金系。作為合金系，例如較佳為Ag-Mg(Ag：1~20at%)、Al-Li(Li：0.3~14at%)、In-Mg(Mg：50~80at%)及Al-Ca(Ca：5~20at%)等。
陰極電極37可藉由蒸鍍法及濺鍍法等而形成。陰極電極37之厚度較佳為0.1nm以上、較佳為1~500nm。
電洞注入層具有使來自像素電極35之電洞之注入較為容易之功能，電洞傳輸層具有傳輸電洞之功能及阻斷電子之功能，亦稱為電荷注入層或電荷傳輸層。
發光層之厚度、電洞注入層與電洞傳輸層之合計厚度、及電子注入傳輸層之厚度並無特別限定，根據形成方法而有所不同，較佳為設為5~100nm左右。電洞注入層或電洞傳輸層可使用各種有機化合物。於電洞注入傳輸層、發光層及電子注入傳輸層之形成時，就可形成均質之薄膜之方面而言，可使用真空蒸鍍法。
作為發光源之有機功能層36可使用利用自單重態激子之發光(螢光)者、利用自三重態激子之發光(磷光)者、包含利用自單重態激子之發光(螢光)者與利用自三重態激子之發光(磷光)者之物質、藉由有機物形成者、包含藉由有機物形成者與藉由無機物形成者之物質、高分子材料、低分子材料、包含高分子材料與低分子材料者等。但是，並不限定於此，可將使用作為EL元件用途而公知之各種物質之有機功能層36用於本EL顯示裝置30。
於陰極電極37與密封蓋39之空間中配置乾燥劑38。其原因在於，有機功能層36不耐濕度。藉由乾燥劑38吸收水分而防止有機功能層36之劣化。
圖10係表示本EL顯示裝置30之另一態樣之剖面構成的概略圖。該本EL顯示裝置30具有使用薄膜密封膜42之密封構造，且亦可自陣列基板之相反面獲得出射光。
作為薄膜密封膜42，較佳為使用於電解電容器之膜上蒸鍍有DLC(類鑽碳)之DLC膜。DLC膜具有水分滲透性極差之特性，防濕性能較高。又，亦可將DLC膜等直接蒸鍍於陰極電極37之表面而形成。又，亦可將樹脂薄膜與金屬薄膜積層為多層而形成薄膜密封膜42。
以如上所述之方式可提供本發明之新穎之偏光膜(本偏光膜)、及具備本偏光膜之新穎之顯示裝置(本液晶顯示裝置及本EL顯示裝置)。
最後，對使用本偏光膜之投射型液晶顯示裝置進行說明。
圖11係表示使用本偏光膜之投射型液晶顯示裝置的概略圖。
作為該投射型液晶顯示裝置之偏光元件142及/或偏光元件143，可使用本偏光膜。
自作為發光源之光源(例如，高壓水銀燈)111出射之光線束首先通過第1透鏡陣列112、第2透鏡陣列113、偏光轉換元件114、重疊透鏡115，藉此進行反光線束剖面中之亮度之均勻化與偏光化。
具體而言，自光源111出射之光線束係藉由使微小之透鏡112a形成為矩陣狀之第1透鏡陣列112而分割成多條微小之光線束。第2透鏡陣列113及重疊透鏡115係以使分割而成之各光線束照射作為照明對象之3個液晶面板140R、140G、140B之整體之方式設置，因此各液晶面板入射側表面係整體成為大致均勻之照度。
偏光轉換元件114包含偏光分光鏡陣列，配置於第2透鏡陣列113與重疊透鏡115之間。藉此，發揮將來自光源之無規偏光預先轉換成具有特定偏光方向之偏光，減少由後述之入射側偏光元件引起之光量損耗而提高畫面之亮度之作用。
如上所述般經亮度均勻化及偏光化之光係經由反射鏡122藉由用 以使光分離為RGB(red-green-blue，紅-綠-藍)之三原色之分色鏡121、123、132依序分離為紅色通路、綠色通路、藍色通路，並分別入射至液晶面板140R、140G、140B。
液晶面板140R、140G、140B中，分別於其入射側配置偏光元件142，於出射側配置偏光元件143。該偏光元件142、偏光元件143中可使用本偏光膜。
配置於RGB各光路之偏光元件142及偏光元件143係以使各自之吸收軸正交之方式配置。配置於各光路之各液晶面板140R、140G、140B具有將藉由圖像信號控制每一像素之偏光狀態轉換成光量之功能。
本偏光元件100係藉由選擇適合所對應之通道之二色性色素之種類，而於藍色通路、綠色通路及紅色通路之任一光路中均可用作耐久性優異之偏光膜。
藉由根據液晶面板140R、140G、140B之圖像資料，針對每一像素以各不相同之透過率使入射光透過而製成的光學影像係藉由合光稜鏡150而合成，藉由投影透鏡170而放大投影於螢幕180上。
作為電子紙，可列舉：藉由光學各向異性、染料分子配向、電泳、粒子移動、粒子旋轉、相變化等而顯示者，藉由使膜之一端移動而顯示者，藉由分子之顯色/相變化而顯示者，藉由分子之光吸收而顯示者，電子與電洞結合藉由自發光而顯示者等。更具體而言，可列舉：微膠囊型電泳、水平移動型電泳、垂直移動型電泳、球狀扭轉球、磁性扭轉球、圓柱扭轉球方式、帶電碳粉、電子粉流體、磁泳型、磁感熱式、電潤濕式、光散射(透明/白濁變化)、膽固醇狀液晶/光導電層、膽固醇狀液晶、雙穩定性向列型液晶、鐵電液晶、二色性色素-液晶分散型、可動膜、利用隱色染料之顯色消色、光致變色、電致變色、電沈積、軟性有機EL等。電子紙不僅為個人利用視訊或 圖像者，而且亦可為廣告顯示(Signage，標牌)等所利用者等。根據本偏光膜，可使電子紙之厚度變薄。
作為立體顯示裝置，例如提出有如微桿方式般交替排列不同之相位差膜之方法(日本專利特開2002-185983號公報)，但若使用本發明之偏光膜，則藉由印刷、噴墨、光微影等容易進行圖案化，因此可縮短顯示裝置之製造步驟，且不需要相位差膜。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行更詳細說明。例中之「%」及「份」只要未特別說明，則為質量%及質量份。
實施例1[偏光膜形成用組合物(1)之製備]
按照以下之比率將本組合物與其他成分混合，於80℃下攪拌1小時，藉此獲得偏光膜形成用組合物(1)。
[本組合物]
偶氮化合物(A)： 1.5份
偶氮化合物(B)[偶氮化合物(B')]： 1.0份
[其他成分]
聚合性液晶化合物：化合物(2-6) 75份
化合物(2-8) 25份
聚合性非液晶化合物：二季戊四醇六丙烯酸酯(Daicel-Cytec股份 有限公司製造) 5份
聚合起始劑：2-二甲基胺基-2-苄基-1-(4-啉基苯基)丁烷-1-酮(Irgacure 369；汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司製造) 6份
調平劑：聚丙烯酸酯化合物(BYK-361N；BYK-Chemie公司製造) 1.2份
溶劑：甲苯 250份
[相轉移溫度之測定]
相轉移溫度係藉由如下方式而確認：於形成有配向膜之玻璃基材上塗佈偏光膜形成用組合物(1)，去除溶劑而形成膜，加熱後一面進行冷卻，一面利用偏光顯微鏡(BX-51，Olympus公司製造)進行質構觀察。由偏光膜形成用組合物(1)獲得之膜升溫至140℃後，於降溫時，於107℃下相轉移為向列相，於99℃下相轉移為層列A相，於74℃下相轉移為層列B相。
[本偏光膜之製造及評價] 1.配向膜之形成
使用玻璃基材作為基材。
於該玻璃基材上藉由旋轉塗佈法塗佈聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol 1000完全皂化型，和光純藥工業股份有限公司製造)之2質量%水溶液(配向膜聚合物組合物)，乾燥後形成厚度100nm之膜。繼而，對所獲得之膜之表面實施摩擦處理，藉此形成配向層。摩擦處理係使用半自動摩擦裝置(商品名：LQ-008型，常陽工學股份有限公司製造)，藉由布(商品名：YA-20-RW，吉川化工股份有限公司製造)，於壓入量0.15mm、轉數500rpm、16.7mm/s之條件下進行。藉由該摩擦處理，而獲得於玻璃基材上形成有配向膜之積層體(1)。
2.偏光膜之形成
於積層體(1)之配向膜上藉由旋轉塗佈法塗佈上述偏光膜形成用組合物(1)，於120℃之加熱板上加熱乾燥1分鐘後，迅速冷卻至室溫，而於上述配向層上形成乾燥覆膜。繼而，使用UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；Ushio電機股份有限公司製造)，以曝光量2000mJ/cm2(313nm基準)照射紫外線，藉此使該乾燥覆膜中所含之聚合性液晶化合物聚合，由該乾燥覆膜形成偏光膜，獲得積層體(2)。藉由雷射顯微鏡(Olympus股份有限公司製造之OLS3000)測定此時之偏光膜之厚度，結果為1.8μm。
3. X射線繞射測定
使用X射線繞射裝置X'Pert PRO MPD(Spectris股份有限公司製造)對所獲得之積層體(2)之偏光膜進行X射線繞射測定。使用Cu作為靶材，使於X射線管電流40mA、X射線管電壓45kV之條件下產生之X射線經由固定發散狹縫1/2°而自配向方向入射，於掃描範圍2θ=4.0~40.0°之範圍內以2θ=0.01671°之間隔(step)掃描而進行測定，結果於2θ=20.2°附近獲得波峰半高寬(FWHM，Full Width at Half Maxium)=約0.31°之陡峭之布拉格峰。又，即便自與配向垂直之方向入射，亦獲得同等之結果。可知根據波峰位置求出之秩序週期(d)為約4.41Å，形成反映高次層列相之結構。
4.二色比之測定
為了確認如此獲得之偏光膜之有用性，而以如下方式測定積層體(2)之二色比。
使用分光光度計(島津製作所股份有限公司製造之UV-3150)上設置有附有偏光元件之光罩夾之裝置，利用雙光束法測定極大吸收波長下之透過軸方向之吸光度(A1)及吸收軸方向之吸光度(A2)。該光罩夾於參考(reference)側設置有將光量截止50%之篩網。根據所測定之透過軸方向之吸光度(A1)及吸收軸方向之吸光度(A2)之值，算出比 (A2/A1)，設為二色比。將結果示於表中。可謂二色比二色比越高，作為偏光膜越有用。將吸收軸方向之吸光度(A2)之極大吸收波長以及該波長下之二色比之測定結果示於表1。
5.偏光膜之外觀評價
將偏光膜形成用組合物(1)於室溫下靜置1天後及靜置3天後，以相同之方式製作偏光膜，藉由目視以及顯微鏡觀察評價由結晶析出引起之配向缺陷之有無。將評價結果示於表1。以將產生配向缺陷者設為「×」，將無配向缺陷而保持良好之配向性者設為「○」之兩水準進行評價，作為其判定(綜合判定)，將偏光膜形成用組合物靜置3天而無配向缺陷者設為「◎」，將靜置1天而無配向缺陷者設為「○」，將靜置1天後產生配向缺陷者設為「×」。
參考例1~2、實施例2
以表1所示之比率變更化合物(A-4)及化合物(B-2)之組成比，除此以外，以與實施例1相同之方式製作偏光膜。將該等偏光膜之評價結果與實施例1之結果一併示於表1。
再者，偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B)之欄中所附之「組成比」係表示偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B)於偏光膜形成用組合物中所使用之本組合物中的分別之組成比，以下亦相同。
參考例3、實施例3~4
使用化合物(B-3)代替化合物(B-2)作為偶氮化合物(B)，且以表2所示之比率變更化合物(A-4)及化合物(B-3)之組成比，除此以外，以與實施例1相同之方式製作偏光膜。將該等偏光膜之評價結果與參考例1之結果一併示於表2。
偶氮化合物(B)：
實施例5~8
使用化合物(B-5)代替化合物(B-2)作為偶氮化合物(B)，且以表3 所示之比率變更化合物(A-4)及化合物(B-5)之組成比，除此以外，以與實施例1相同之方式製作偏光膜。將該等偏光膜之評價結果示於表3。
實施例9~12[偏光膜形成用組合物(2)之製備]
按照以下之比率將本組合物與其他成分混合，於80℃下攪拌1小時，藉此獲得偏光膜形成用組合物(2)。
[本組合物]
(本組合物中之偶氮化合物(A)及偶氮化合物(B)之組成比示於表4)
偶氮化合物(A)：
偶氮化合物(B)[偶氮化合物(B')]：
[其他成分]
聚合性液晶化合物：化合物(2-22) 75份
化合物(2-25) 25份
聚合性非液晶化合物：二季戊四醇六丙烯酸酯(Daicel-Cytec股份有限公司製造) 5份
[本偏光膜之製造及評價]
使用如此製備之偏光膜形成用組合物(2)，進行與實施例1相同之實驗，形成偏光膜，並進行其評價。將結果示於表4。
如根據上述結果所知般，包含混合有偶氮化合物(A)與偶氮化合物(B)之本組合物之偏光膜形成用組合物可形成具有較高之二色性之偏光膜，並且即便於偏光膜形成用組合物之製備後經過特定時間，亦可形成無配向缺陷之高品質之偏光膜。因此，本組合物可實現具備良好之保存穩定性之偏光膜形成用組合物。
[產業上之可利用性]
本組合物對液晶顯示裝置或(有機)EL顯示裝置及投射型液晶顯示裝置中所使用之偏光膜之製造用組合物(偏光膜形成用組合物)有用，產業上之價值較高。
10‧‧‧液晶顯示裝置
12a、12b‧‧‧偏光元件
13a、13b‧‧‧相位差膜
14a、14b‧‧‧基板
15‧‧‧彩色濾光片
16‧‧‧透明電極
17‧‧‧液晶層
18‧‧‧層間絕緣膜
20‧‧‧黑矩陣
21‧‧‧薄膜電晶體
22‧‧‧像素電極
23‧‧‧間隔件

Claims (11)

  1. 一種組合物，其含有式(A)所表示之偶氮化合物(A)、及式(B)所表示之偶氮化合物(B)， [式(A)中，na及ma分別獨立為0~3之整數，且滿足na+ma≧1之關係；Ar1a、Ar2a及Ar3a分別獨立為可具有甲基之2價芳香族基；R1a表示可具有氟原子之碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基、乙醯基、碳數1~20之二烷基胺基、硝基、氰基或氫原子；R2a及R3a分別獨立為碳數1~3之烷基，且R2a及R3a之合計碳數為2~4，或者R2a及R3a相互鍵結而形成碳數2~4之烷二基] [式(B)中，nb及mb分別獨立為0~3之整數，且滿足nb+mb≧1之關係；Ar1b、Ar2b及Ar3b分別獨立為可具有甲基之2價芳香族基；R1b表示可具有氟原子之碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基、乙醯基、碳數1~20之二烷基胺基、硝基、氰基或氫原子；R2b及R3b分別獨立為碳數1~12之烷基，且R2b及R3b之合計碳數為6以上，或者R2b及R3b相互鍵結而形成碳數6以上之烷二基]， Ar2a、Ar2b分別獨立地選自下式(AR1-1)~(AR1-5)所表示之基組成之群中之基者， 偶氮化合物(A)之含量相對於偶氮化合物(B)之含量的比為50~90質量%。
  2. 如請求項1之組合物，其中Ar2a及Ar2b分別獨立為噻吩并噻吩二基、噻吩并噻唑二基或噻吩并唑二基。
  3. 如請求項1之組合物，其中式(B)所表示之偶氮化合物(B)為式(B')所表示之偶氮化合物(B')， [式(B')中，R1a、Ar1a、Ar2a、Ar3a、na及ma與上述式(A)含義相同； R2b及R3b與上述式(B)含義相同]。
  4. 如請求項3之組合物，其中Ar2a為噻吩并噻吩二基、噻吩并噻唑二基或噻吩并唑二基。
  5. 如請求項3之組合物，其中上述偶氮化合物(A)之含量相對於上述偶氮化合物(B')之含量的比為50~90質量%之範圍。
  6. 如請求項1至5中任一項之組合物，其進而含有聚合性液晶化合物。
  7. 如請求項6之組合物，其中上述聚合性液晶化合物為顯示層列型液晶相之化合物。
  8. 一種偏光膜，其係由如請求項6或7之組合物所形成。
  9. 如請求項8之偏光膜，其中於X射線繞射測定中可獲得布拉格峰。
  10. 如請求項9之偏光膜，其中上述布拉格峰為源自分子配向之面週期結構之波峰，且其週期間隔為3.0~5.0Å。
  11. 一種顯示裝置，其包含如請求項8至10中任一項之偏光膜。
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