TWI576016B - 分段式天線組件及使用其之裝置 - Google Patents

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Description

分段式天線組件及使用其之裝置
本發明之實施例一般地關於一種用於電漿增強式化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)裝置之天線。
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)係一製程，藉此製程，化學前導物(precursors)被引入處理室中，進行化學反應以形成預定之組合物或材料，並將組合物或材料沉積於處理室中的基板上。電漿增強式化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)係藉由激發處理室中的電漿以增強前導物間的反應之製程。
PECVD製程可用於處理大面積基板，例如，平板顯示器或太陽能面板。PECVD製程亦可用於處理多層沉積，例如用於電晶體的矽薄膜。一般來說，當基板尺寸增大，則處理室中的元件尺寸也必須增大。然而就大面積基板來說，維修及保養處理室中用以激發電漿的射頻(radio frequency,RF)硬體是相當麻煩的。舉例來說，於傳統的系統中，電漿源通常包括跨越處理室高度的微波天線。此外，此天線也許會和多個內部及外部處理室元件相連接。由於取出並替換例如是天線的RF硬體元件時可能需要拆解多個處理室元件，如此將延長停工期並降低產量。例如，於傳統系統中，移除並替換天線需將該天線從微波發射組件中拆下，這是一個必需拆解多個RF元件的程序。因此，存在有以簡單又有效率的方式來拆下及維修RF硬體元件的需求。
本發明一般地關於一種用於電漿增強式化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)裝置之分段式天線。於一態樣，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線以及介電層。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電性耦接於第一段，並延伸通過處理室體之內部空間。第三段電性耦接於第二段。介電層設置於該第二段之外徑的周圍。
於另一態樣，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線、介電層、第一微波發射組件以及第二微波發射組件。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電性耦接於第一段，並延伸通過處理室體之內部空間。第三段電性耦接於第二段。介電層設置於該第二段之外徑的周圍。第一微波發射組件設置於處理室體的上表面，並電性耦接於天線的該第一段。第二微波發射組件設置於該處理室體的下表面，並電性耦接於天線的第三段。
於另一態樣，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線以及介電層。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電性耦接於第一段，並延伸通過處理室體之內部空間。第三段電性耦接於第二段。介電層設置於該第二段之外徑的周圍。其中天線包括適用於傳輸冷卻流體的中空導電管，此中空導電管之外徑約0.3英吋至0.5英吋，且介電層包括礬土。
於另一態樣，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線、介電層、第一耦接體以及第二耦接體。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電性耦接於第一段，並延伸通過處理室體之內部空間。第三段電性耦接於第二段。介電層設置於第二段之外徑的周圍。第一耦接體連接第二段至第一段。第二耦接體連接第二段至第三段。其中第一及第二耦接體包括螺紋墊圈密連接。
於另一態樣，天線組件包括第一中空管、介電層、第一耦接體以及第二耦接體。第一中空管為導電性。介電層設置於第一中空管的周圍。第一耦接體位於第一中空管之第一端，用以形成與第二中空管之電性及流體連接。第二耦接體位於第一中空管之第二端，用以形成與第三中空管之電性及流體連接。
於另一態樣，天線組件包括第一中空管、介電層、第一耦接體以及第二耦接體。第一中空管為導電性。介電層設置於第一中空管的周圍。第一耦接體位於第一中空管之第一端，用以形成與第二中空管之電性及流體連接。第二耦接體位於第一中空管之第二端，用以形成與第三中空管之電性及流體連接。其中第一耦接體包括第一螺紋面，第一螺紋面用以將第一耦接體耦接至第二中空管，而第二耦接體包括第二螺紋面，第二螺紋面用以將第二耦接體耦接至第三中空管。
又於另一態樣，天線組件包括第一中空管、介電層、第一耦接體以及第二耦接體。第一中空管為導電性。介電層設置於第一中空管的周圍。第一耦接體位於第一中空管之第一端，用以形成與第二中空管之電性及流體連接。第二耦接體位於第一中空管之第二端，用以形成與第三中空管之電性及流體連接。其中第一中空管以及介電層用以於處理室中產生電漿。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100‧‧‧垂直線性CVD系統100
102A,102B‧‧‧基板堆疊模組
104A,104B‧‧‧大氣機械手臂
106A,106B‧‧‧基板負載站
108A,108B‧‧‧基板負載鎖定室
110A,110B‧‧‧處理室
112‧‧‧共同系統控制平台
114A,114B‧‧‧處理線
204‧‧‧遮蔽框
208‧‧‧壓板
210‧‧‧天線
212‧‧‧微波能量頭
214‧‧‧氣體導入管
300‧‧‧雙處理室
304‧‧‧遮蔽框
308‧‧‧壓板
310‧‧‧天線
311‧‧‧第一段
312‧‧‧第二段
313‧‧‧第三段
314‧‧‧氣體導入管
316‧‧‧接頭
320‧‧‧端蓋
322‧‧‧介電層
326‧‧‧饋通口
330‧‧‧微波發射組件
332‧‧‧微波能量頭
342‧‧‧頂部
344‧‧‧底部
410‧‧‧暴露端
412‧‧‧耦接體
414‧‧‧第一螺紋面
416‧‧‧墊圈
418‧‧‧第二螺紋面
420‧‧‧間隔物
424‧‧‧第一螺紋面
426‧‧‧墊圈
432‧‧‧耦接體
433‧‧‧螺紋連接
434‧‧‧第一錐形面
436‧‧‧墊圈
438‧‧‧第二錐形面
第1圖繪示依照本發明之一實施例的垂直線性CVD系統100之示意圖。
第2A圖繪示依照本發明之一實施例的雙處理室110A,110B其中之一者之正視圖。
第2B圖繪示依照本發明之一實施例的雙處理室110A,110B其中之一者之透視圖。
第2C圖繪示依照本發明之一實施例的雙處理室110A,110B其中之一者之側視圖。
第2D圖繪示依照本發明之一實施例的雙處理室110A,110B其中之一者之頂視圖。
第3A圖繪示依照本發明之一實施例的雙處理室300之剖面圖。
第3B圖繪示依照本發明之一實施例的雙處理室300之剖面圖。
第4A圖繪示依照本發明之一實施例的天線310之部份剖面圖。
第4B圖繪示依照本發明之一實施例的天線310之部份剖面圖。
第4C圖繪示依照本發明之一實施例的天線310之部份剖面圖。
本發明一般地提供一種用於電漿增強式化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)裝置的分段式天線組件。天線分段化容許在不需移除整座天線的情況下，對天線的多個部份進行維修或替換。若環繞於天線的介電層發生破損，則相關的天線段可獨自地從處理室中拆下，而不需完整拆解微波發射組件或其它處理室元件。天線分段化的其它優點包括降低處理室中操作設備的淨高(ceiling height)需求，以及具有在不需開啟處理室以移除整座天線的情況下，將天線中多個需要被維護或更替的部分獨自地從微波發射組件中拆下的能力。藉由使天線段可獨自地被拆下，維護天線的勞動及材料成本可大幅降低，且可縮短維護天線的時間，降低處理室的停工期並增加產量。
雖然沒有限制所述之實施例可被實施於其中的特定裝置，然而將此實施例實施於垂直CVD處理室中特別有利，CVD處理室例如可由位於加州聖塔克拉拉的應用材料公司(Applied Materials,Inc.)取得。可以瞭解的是，本實施例亦可實施於其他系統，包括其他製造商所販售之其他系統。
第1圖繪示根據一實施例之垂直線性CVD系統100。此系統100較佳地包括兩個分開之處理線114A及處理線114B，此些處理線114A,114B藉由共同系統控制平台112耦接在一起，以形成雙處理線配置/佈局。共同電源供應器(例如是交流電源供應器)、共同及/或分享的泵排氣元件(pumping and exhaust components)、以及共同氣體面板可用於此雙處理線114A,114B。。亦可思及的是，系統亦可配置成採用單處理線或大於兩條處理線。
每一條處理線114A,114B各包括一基板堆疊模組102A,102B。多個新基板(即尚未經系統100處理之基板)係擷取自此些基板堆疊模組102A,102B，而處理後之基板係存放於此些基板堆疊模組102A,102B當中。大氣機械手臂104A,104B係自基板堆疊模組102A,102B中擷取基板，並將此些基板置入雙基板負載站106A,106B當中。接著，此些新基板被移至雙基板負載鎖定室108A,108B，並進一步送入雙基板處理室110A,110B。每一塊經處理之基板係經由基板負載鎖定室108A,108B其中之一者送返至雙基板負載站106A,106B其中之一者，而此些大氣機械手臂104A,104B其中之一者再從雙基板負載站106A,106B中擷取經處理之基板，並將其送返至基板堆疊模組102A,102B其中之一。
第2A圖繪示根據一實施例之雙處理室110A,110B之正視圖。雙處理室110A,110B包括多個天線210，此些天線210係位於每一處理室110A,110B的中間並以直線排列的方式配置。此些天線210係從處理室之頂部垂直地延伸至處理室之底部。每一天線210具有對應的微波能量頭(microwave power head)212，此微波能量頭212係於位於與天線210耦接之處理室之頂部及底部。
第2B圖繪示根據一實施例之雙處理室110A,110B之透視圖。每一雙處理室110A,110B包括遮蔽框204、多個天線210以及多個微波能量頭212。如第2B圖所示，此些微波能量頭212係交錯排列。此交錯排列乃因空間限制的關係。透過每一能量頭212，能量可獨自地被施加至每一天線210的端點。另外，此些天線210可操作於介於300MHz至300GHz之範圍的頻率。
第2C圖繪示根據一實施例之雙處理室110A,110B之側視圖。每一雙處理室110A,110B包括遮蔽框204、多個天線210、多個微波能量頭212以及多個氣體導入管214。此些氣體導入管214係配置於相鄰的天線210之間，並使處理氣體得以被導入。處理氣體例如為矽前導物或氮前導物。氣體導入管214係從處理室之底部垂直地延伸至處理室之頂部，並與天線210平行。
第2D圖繪示根據一實施例之雙處理室110A,110B之頂視圖。第2D圖呈現了天線210、氣體導入管214、遮蔽框204以及壓板(platens)208於處理室110A,110B中的佈局。天線210係位於處理室110A,110B的中央，壓板208及遮蔽框204則配置於天線210的相反側，而氣體導入管214係配置於天線210與遮蔽框204之間。位於置於中央之天線210之每一側的氣體導入管214的數量係相等。每一氣體導入管214之直徑係介於約0.25英吋與約0.625英吋之間。每一處理室110A,110B可處理兩塊基板，此兩塊基板分別位於天線210的兩側。藉由壓板208以及遮蔽框204，基板係被支撐於處理室110A,110B中的位置。雖然未繪示於第2A至2D圖，處理室110A,110B係可透過位於基板載體後方的抽氣埠而進行排氣。
第3A及3B圖為根據實施例之一雙處理室300之剖面圖。雙處理室300包括多個遮蔽框304、多個壓板308、多個天線310、多個氣體導入管314以及多個微波發射組件330。每一天線310包括第一段311、第二段312、第三段313以及介電層322。每一第一段311、第二段312及第三段313各包括一中空圓 柱形電性導電體，冷卻流體可流經此導電體。天線310之第一及第三段311,313係電性地及流體地(fluidly)耦接至第二段312的端點。介電層322係置於第二段312的周圍，並透過多個間隔物420(如第4A至4C圖所示)以耦接至第二段312。此些間隔物420的設置係使流體可流過形成於第二段312之外徑與介電層322之內徑之間之通道。每一微波發射組件330包括微波能量頭332、饋通口326以及端蓋320。
此些天線310之每一者係從處理室之頂部342垂直地延伸至處理室之底部344。每一天線310之第一段311係延伸穿過耦接於處理室之頂部342的微波發射組件330。每一天線310之第三段313則延伸穿過耦接於處理室之底部344的微波發射組件330。天線310之第二段312垂直地延伸於每一微波發射組件330的每一饋通口326之間。微波發射組件330的端蓋320可於饋通口326和圍繞於天線310之第二段312配置的介電層322之間形成一真空密封(vacuum seal)。微波發射組件330可包括一同軸波導，同軸波導耦合並傳送微波發射組件330所產生的能量至天線310。
第一段311和第二段312可相連於位在處理室300內部的位置，以使第一及第二段311,312可在不需移除對應之微波發射組件330的情況下，將彼此拆解開來。此外，第二段312和第三段313可相連於位在處理室內部的位置，以使第二和第三段312,313可在不需移除對應之微波發射組件330的情況下將彼此拆解開來。於一實施例中，第一及第二段311,312間的耦接處，與第二及第三段312,313間的耦接處，係處於電漿未產生的位置。藉由將此些天線段311,312,313間的連合處設在電漿產生區的外部，可避免像是電弧(arcing)以及不均勻電漿(poor plasma unifornity)等不良效應。
分段式天線310之多個天線部分可在不需移除整座天線310的情況下被維修或替換。藉由將天線310分段化，可增 加天線的可製造性(manufacturability)，並降低與天線製造相關的成本。萬一介電層322發生破損，第二段312可直接自處理室中移除，而不需將第一及第三段311,313從微波發射組件330拆解下來。
於產生電漿的過程中，天線310將產生熱。若未將熱從系統中去除，則可能造成雙處理室300中元件的損害。為了冷卻天線310，天線310可包括一中空導電管，冷卻流體可流過中空導管。舉例來說，天線310可包括一硬抽(hard drawn)式中空銅管，其外徑約為0.25英吋至1英吋，例如外徑可約為0.3英吋至0.5英吋。接頭(fitting)316係與每一第一及第三段311,313之一端流體連接。於操作上，液體儲備池可被放置成流體連接至一或多個接頭316，進而使一流體，例如是水，可流通並冷卻天線310。為促使冷卻流體流經天線310，一流體密封件(fluid tight seal)可形成於每個天線段311,312,313之間。上述之密封件可由一形成於兩天線段之間的螺紋墊圈密封件(threading and gasket seal)所實現。而本領域具有通常知識者所知之其它用以形成天線段311,312,313之間的流體密封件亦在本發明之範疇之內。
此外，流體可流通於介電層322及天線310的外徑之間，以冷卻天線310之第一、第二、及/或第三段311,312,313。冷卻流體可為惰性氣體，例如為氮氣。而介於微波發射組件330之每一端蓋320與介電層322之間的真空密封件，其結構可使冷卻流體流通於介電層322及天線310之間，而不影響處理室300的真空條件。
第二段312的替換可藉由將冷卻流體自天線310排除來實現。每一端蓋320可包括彈性墊圈，此彈性墊圈可使真空密封件形成於端蓋320及介電層322之間，而不會對介電層322造成損壞或裂縫。因此，處理室300的側邊可能被打開，而介於端蓋320及介電層322間的密封件可能斷裂。端蓋320可從饋通口326移除，例如，透過栓開端蓋320以將其自饋通口326移除。 接著，第二段312的端點可自第一段311及第三段313上拆解下來。將第一段311及第三段313自第二段312的端點拆解下來之操作可包括旋開一耦接體412(顯示於第4A圖)，此耦接體412係在第一段311及第二段312之間，以及第三段313及第二段312之間，形成電性及/或流體連接。於是，第二段312可在不需移除第一及第三段311,313的情況下被移除及替換。上述之架構降低了於雙處理室300中操作之設備的淨高需求。也就是說，替換非分段式天線係可能要將該天線自處理室頂部342移除，且可能需要8至10公尺的淨高。
當天線310之第一段311及第三段313耦接於微波發射組件330時，此些天線段311,313可具有旋轉的能力。讓第一及第三段311,313可以旋轉可有利於第二段312與第一及第三段311,313間的耦接。在此架構下，第二段312可被嵌入於第一及第三段311,313之間，而第一及第三段311,313可個別地被旋轉以形成與第二段312間的螺紋連接。
分段式天線310的其他有利的方面包括將第一及第三段311,313自第二段312拆解下來的能力，例如，使得微波發射組件330可被維修。第一及第三段311,313的移除及替換可在不需開啟或破壞雙處理室300真空條件的情況下完成，亦不需將端蓋320從介電層322及/或饋通口326上拆解下來。藉由允許多個天線段可獨自地被移除，將可大幅降低天線維修的勞動及材料成本。此外，維修天線的時間也會因此縮短，進而降低處理室的停工時間以及相關的操作成本。
於操作天線310的過程中，射頻訊號係自微波發射組件330發送，並經由第一及第三段311,313傳輸至第二段312。接著，環繞於第二段312之外徑的介電層322，係有利於雙處理室300中電漿的形成。介電層322可延伸至第二段312的端點，或者，介電層322可短於第二段312，讓第二段312的端點暴露在外以連接至第一及第三段311,313。於另一實施例中，介電層 322可環繞於第一、第二及/或第三段311,312,313之外徑。介電層322可包括陶瓷材料，例如礬土。介電層322可為管體，以環繞天線310之外徑的方式配置，使得介電層322之內徑大於天線310之外徑。於此架構下，多個間隔物420可設置於天線310的外徑與介電層322的內徑之間，以將天線310置於介電層322的中央。此些間隔物420可具有一惰性材料及/或電性絕緣材料，例如是聚四氟乙烯(PTFE)。於一例示性的實施例中，介電層322之外徑可約為32毫米至38毫米(例如為35毫米)，介電層322之內徑約為25毫米至30毫米。
天線310之第一及第三段311,313之長度可短於第二段312之長度。其中，第二段312係延伸穿過雙處理室300的內部空間。此外，此些天線段311,312,313之長度可依照所使用的處理室尺寸而決定。舉例來說，對於一特定之處理室尺寸，第一及第三段311,313之長度約為1至2公尺，而第二段312之長度約為3至5公尺。例如第二段312之長度可約為3至3.5公尺。然而，對於使用於較小處理室的第二段312而言，其長度約為1至3公尺。例如第二段312之長度可約為2公尺。於其他實施例中，每一天線段311,312,313可具有相同的長度，或者，第一及第三段311,313的長度可比第二段312的長度來的長。
包括多於三個天線段(例如具有四個或更多個天線段)的天線310亦在本申請案的範圍之內。舉例來說，天線310延伸穿過處理室300內部空間的部份，可具有多於一個的天線段。舉例來說，萬一介電層322出現裂隙時，上述之架構可降低替換天線段的成本。於另一實施例中，天線310延伸至處理室300外部的多個部份可包括多於一個天線段。於其他實施例中，天線310可被分段並使得處理室300中的每一個元件可在不需拆解其它處理室元件的情況下，個別地被維修或替換。
第4A圖繪示乃根據一實施例之天線310之部份剖面圖。天線310具有第一段311，第二段312以及介電層322。第 一段311包括耦接體412，此耦接體412具有第一螺紋面414以及墊圈416。第二段312包括暴露端410，此暴露端410具有第二螺紋面418。多個間隔物420係置於第二段312的外徑及介電層322的內徑之間。
藉由將第一螺紋面414耦接至第二螺紋面418，第一及第二段311,312之間可建立一電性及/或流體連接。當耦接第一段311與第二段312時，墊圈416可頂住第二段312的端點，進而增強天線段間的不透水密封。墊圈416可包括一O型環，此O型環由壓縮成不透水密封件的材料所組成，且可低抗電漿產生過程中所產生的高溫。
於其他實施例中，第一及/或第三段311,313可藉由不同結構的螺紋面耦接至第二段312。舉例來說，第一或第三段311,313可包括一形成於其內徑的螺紋面，而第二段312可包括一形成於其外徑的螺紋面，使得第二段312可嵌入第一或第三段311,313，並旋轉以耦接此些螺紋面。或者，此些螺紋面可形成於第一及第三段311,313的外徑以及第二段312的內徑。上述之結構可包括墊圈或迫緊式接頭(compression fittings)的使用，以確保不透水密封。或者，前述之結構可不包括墊圈或迫緊式接頭。
每一間隔物420可環繞於天線310的整個周圍設置，或者，多個間隔物420可被設置在環繞天線310周圍的不同位置，以容許流體流過於天線310及介電層322之間。舉例來說，兩個間隔物420可設置在天線310外徑的兩側，或者，三個或三個以上的間隔物420可等間距地環繞於天線310的外徑被隔開，以形成天線310外徑與介電層322內徑之間的流體通道。此流體通道可沿著介電層322的長度作延伸。
第4B圖乃根據一實施例之天線310之部份剖面圖。天線310包括第一段311、第二段312以及介電層322。第一段311包括第一螺紋面424。第二段312包括暴露端410，此暴露端410具有第二螺紋面418及墊圈426。多個間隔物420係置於 第二段312外徑與介電層322內徑之間。
第4C圖繪示根據一實施例之天線310之部份剖面圖。天線310包括第一段311、第二段312以及介電層322。第一段311包括第一錐形面434及墊圈436。第二段312包括暴露端410，此暴露端410具有第二錐形面438。多個間隔物420配置於第二段312外徑與介電層322內徑之間。
於此實施例中，第一及第二段311,312可藉由擴口式管接頭(flare fittings)來耦接，例如37°擴口式管接頭(ISO 8434-2；SAE J514)。於此實施例中，第一錐形面434可被設置成和第二錐形面438接觸。接著，耦接體432可被旋至第二段312暴露端410上，以形成第一段311與第二段312之間的螺紋連接433。當螺紋連接433形成，耦接體432將墊圈436壓入第一段311的錐形端，以形成耦接體432、墊圈436以及第一段311的錐形端之間的密封。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
300‧‧‧雙處理室
304‧‧‧遮蔽框
308‧‧‧壓板
310‧‧‧天線
311‧‧‧第一段
312‧‧‧第二段
313‧‧‧第三段
314‧‧‧氣體導入管
316‧‧‧接頭
320‧‧‧端蓋
322‧‧‧介電層
326‧‧‧饋通口
330‧‧‧微波發射組件
332‧‧‧微波能量頭
342‧‧‧頂部
344‧‧‧底部

Claims (20)

  1. 一種沉積裝置，包括：一處理室體，具有一上表面及一下表面；一天線，包括：一第一段；一第二段，電性耦接於該第一段，並延伸通過該處理室體之一內部空間；以及一第三段，電性耦接於該第二段；以及一介電層，設置於該第二段之一外徑的周圍；其中各個該第一段、該第二段及該第三段係獨自地可被拆下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第一段延伸通過該處理室體之該上表面，且該第三段延伸通過該處理室體之該下表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包括一第一微波發射組件，該第一微波發射組件係設置於該處理室體之該上表面，並電性耦接於該天線之該第一段。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之裝置，更包括一第二微波發射組件，該第二微波發射組件係設置於該處理室體之該下表面，並電性耦接於該天線之該第三段。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該天線包括一中空導電管，該中空導電管適用於傳輸一冷卻流體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中該中空導電管包括一中空銅管。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中該中空導電管之一外徑約0.3英吋至0.5英吋。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該介電層包括礬土。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中複數個間隔物係耦接於該天線之一外徑以及該介電層之一內徑之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中該些間隔物用以於該天線之該外徑與該介電層之該內徑之間形成一流體通道，該流體通道係沿著該介電層之一長度作延伸。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包括：一第一耦接體，連接該第二段至該第一段；以及一第二耦接體，連接該第二段至該第三段。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第一段及該第三段之長度至少為0.5公尺，該第二段之長度至少為2公尺。
  13. 一種天線組件，包括：一第一中空管，該第一中空管係具備導電性；一介電層，設置於該第一中空管的周圍；一第一耦接體，位於該第一中空管之一第一端，該第一耦接體用以形成與一第二中空管之電性及流體連接；以及一第二耦接體，位於該第一中空管之一第二端，該第二耦接體用以形成與一第三中空管之電性及流體連接。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之天線組件，其中該第一耦接體包括一第一螺紋面，用以將該第一耦接體耦接至該第二中空 管，而該第二耦接體包括一第二螺紋面，用以將該第二耦接體耦接至該第三中空管。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之天線組件，其中該第一中空管包括一中空銅管。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之天線組件，更包括複數個間隔物，該些間隔物係設置於該第一中空管與該介電層之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之天線組件，其中該些間隔物用以形成一流體通道，該流體通道係形成於該第一中空管之一外徑與該介電層之一內徑之間，且該流體通道係沿著介電層之一長度作延伸。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之天線組件，其中該第一中空管與該介電層係用以於一處理室中產生電漿。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之天線組件，更包括：該第二中空管係電性地及流體地耦接至該第一中空管之該第一端，且該第二中空管係具備導電性；以及該第三中空管係電性地及流體地耦接至該第一中空管之該第二端，且該第三中空管係具備導電性。
  20. 一種沉積裝置，包括：一處理室體，該處理室體具有一上表面及一下表面；一天線，包括：一第一段；一第二段，電性耦接於該第一段，並延伸通過該處理室體之一內部空間；以及一第三段，電性耦接於該第二段；以及 一介電層，設置於該第二段之一外徑的周圍，其中該第一段延伸通過該處理室體之該上表面，該第三段延伸通過該處理室體之該下表面，且該天線包括一中空導電管，該中空導電管適用於傳輸一冷卻流體；其中各個該第一段、該第二段及該第三段係獨自地可被拆下。
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