TWI575077B - 導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片 - Google Patents

導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片 Download PDF

Info

Publication number
TWI575077B
TWI575077B TW104103187A TW104103187A TWI575077B TW I575077 B TWI575077 B TW I575077B TW 104103187 A TW104103187 A TW 104103187A TW 104103187 A TW104103187 A TW 104103187A TW I575077 B TWI575077 B TW I575077B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plating layer
conductive
plating
thickness
core
Prior art date
Application number
TW104103187A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201542831A (zh
Inventor
安藤節夫
森英人
野坂勉
Original Assignee
日立金屬股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立金屬股份有限公司 filed Critical 日立金屬股份有限公司
Publication of TW201542831A publication Critical patent/TW201542831A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI575077B publication Critical patent/TWI575077B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片
本發明係關於具有主成分為Ni的核的導電性顆粒，並關於包含此種導電性顆粒的導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片。
包含導電性顆粒的高分子組成物作為僅在厚度方向上具有導電性的各向異性導電片(ACF)、各向異性導電膠(ACP)而廣泛地用於例如電子零件之間的電氣連接。特別是各向異性導電片廣泛地用於行動電話等小型電氣裝置內的電氣連接的形成等。此外，使用橡膠(包括合成橡膠)作為高分子的各向異性導電片作為感壓型各向異性導電片亦用於佈線基板等的檢查(例如阻抗測定)中臨時電氣連接的形成(例如PCR(JSR股份有限公司的註冊商標))。
例如，在專利文獻1~3中揭示有使用具有強磁性的導電性顆粒的各向異性導電片。在該等各向異性導電片中，導電性顆粒在厚度方向上排列，並且在片材的面內方向分散分佈。若在厚度方向上對片材施壓，則在厚度方向上排列的導電性顆粒相互接近，形成導電通路。具有強磁性的導電性顆粒藉由磁場而在厚度方向上排列。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第02/13320號
專利文獻2：國際公開第2004/021018號
專利文獻3：日本專利特開2012-174417號公報
專利文獻4：日本專利特開2006-131978號公報
專利文獻5：日本專利特開2009-197317號公報
然而，習知的導電性顆粒為了得到足夠高的導電性(足夠低的體積電阻率，例如0.3×10-5Ω‧m以下)，形成了厚度例如為200nm(0.2μm)的Au(金)鍍層，存在成本高的問題。此外，在要求高耐濕可靠性的用途中，鍍層難以使用Au之外的其它金屬。
本發明係為了解決上述問題而完成者，並以提供較習知廉價且具有足夠高的導電性及耐濕可靠性的導電性顆粒、以及包含此種導電性顆粒的導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片為目的。
本發明之實施形態的導電性顆粒具有：包含Ni及P之球狀的核、覆蓋上述核之表面的Pd鍍層、及覆蓋上述Pd鍍層之表面的Au鍍層。
在有的實施形態中，上述Pd鍍層為非電解還原鍍層。
在有的實施形態中，上述Au鍍層為非電解取代鍍層。
在有的實施形態中，上述Pd鍍層的厚度較上述Au鍍層的厚度大，並且上述Au鍍層的厚度為5nm以上且未滿40nm。上述Pd鍍層的厚度較佳為超過5nm且未滿300nm。
在有的實施形態中，上述核進一步包含Cu及Sn。
在有的實施形態中，上述核的直徑為1μm以上且100μm以下。上述核的直徑較佳為3μm以上。
利用本發明之實施形態的導電性粉體係包含上述任一項所述的導電性顆粒的粉體，其累積體積分佈曲線中的中值粒徑d50為3μm以上且100μm以下，並且[(d90-d10)/d50]≦0.8。
利用本發明之實施形態的導電性高分子組成物係包含上述導電性粉體及高分子，其中，上述高分子例如為橡膠、熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂。
利用本發明之實施形態的各向異性導電片係由上述導電性高分子組成物形成，上述導電性顆粒係在厚度方向上排列。
藉由本發明的實施形態，可提供較習知廉價且具有足夠高的導電性及耐濕可靠性的導電性顆粒、以及包含此種導電性顆粒的導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片。
10‧‧‧導電性顆粒
12‧‧‧核(NiP核)
14‧‧‧Pd鍍層
16‧‧‧Au鍍層
圖1係利用本發明之實施形態的導電性顆粒的截面示意圖。
圖2係表示實施例之導電性顆粒的截面SEM圖像的圖。
圖3係表示實施例之導電性顆粒(Pd鍍層+Au鍍層)及參考例(無Au鍍層)之導電性顆粒的體積電阻率對Pd鍍層厚度的依賴性的圖 表。
圖4係表示比較例(無Pd鍍層)之導電性顆粒的體積電阻率對Au鍍層厚度的依賴性的圖表。
圖5係表示導電性顆粒之體積電阻率的測定中所用之裝置的結構示意圖。
以下，參照附圖對利用本發明之實施形態的導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片進行說明。
圖1係利用本發明之實施形態的導電性顆粒10的截面示意圖。導電性顆粒10係具有球狀的核12、覆蓋核12之表面的Pd(鈀)鍍層14、覆蓋Pd鍍層14之表面的Au鍍層16。核12係含有Ni(鎳)及P(磷)。核12的直徑係例如在1μm以上且100μm以下。若核12的直徑未滿1μm，由於核12的凝集變得嚴重，因此難以作為粉體處理。若核12的直徑超過100μm，則從導電通路中溢出，例如引起鄰接佈線之間的短路的可能性變高。核12的直徑較佳為3μm以上，且較佳為30μm以下。若核12的直徑在3μm以上，由於在進行鍍Pd時核12的凝集得到緩和，因此較實用。若核12的直徑在30μm以下，則從導電通路的溢出減少或消失。作為導電性顆粒10之集合體的導電性粉體，較佳係累積體積分佈曲線的中值粒徑d50在3μm以上且100μm以下，並且[(d90-d10)/d50]≦0.8的粉體。中值粒徑d50可作為導電性粉體之平均粒徑的指標。此外，若[(d90-d10)/d50]超過0.8，則粒徑的偏差過大，在導電通路上存在不與佈線或電極接觸的小粒徑之導電性顆粒，因此有連接可靠性降低之虞。d10及d90係分別表示累積體積分率為10%及90%的粒徑。此外，如無特別說明，本說明 書中的粒徑分佈係表示利用雷射繞射散射法而求得者。
作為導電性顆粒10的核12，例如可適宜地使用專利文獻4或5中記載的導電性顆粒。利用專利文獻5記載的製造方法製造的NiP導電性粉體由於為單分散且粒度分佈窄，因此具有可易於製造滿足[(d90-d10)/d50]≦0.8之關係的導電性粉體的優點。
核12係以Ni作為主成分，並且有包含P(磷)、Cu(銅)及/或Sn(錫)的情況。P、Cu及Sn都是在核12的造球過程中以抑制核的成長或凝集為目的，而可添加作為反應處理液中的原料組分。出於降低核12自身之電阻率的原因，該等元素在核12中的含量越少越好。具體而言，相對於整體，核12較佳係包含1~15質量%的P，更佳係10質量%以下。若P的含量超過15質量%，則核12的體積電阻率顯著上升，並不實用。又，相對於整體，核12較佳係包含0.01質量%~18質量%的Cu。若Cu的含量超過18質量%，則存在核12與Pd鍍層14之密合性降低的可能性。又，相對於整體，核12較佳係包含0.05質量%~10質量%的Sn。若Sn的含量超過10質量%，則存在核12與Pd鍍層14之密合性降低的可能性。又，除了Ni、P及Cu之外，核12較佳係包含Sn。在製造核12所使用的粉體時由於Cu及Sn係以核生成反應之催化劑毒物的形式作用，因此利用單分散可易於製造粒度分佈窄的粉體。此外，Cu及Sn係在NiP導電性顆粒的成長過程中進行共析。
Pd鍍層14較佳為非電解還原鍍層。非電解還原鍍層具有不比非電解取代鍍層遜色的密合性，並且針孔的發生較非電解取代鍍層少。Au鍍層16較佳為非電解取代鍍層。非電解取代Au鍍層與Pd鍍層14的密合性較非電解還原Au鍍層優異。由於非電解取代鍍 Au反應中伴隨著Pd鍍層14的溶解，因此較佳係Pd鍍層14的厚度大於Au鍍層16的厚度，並且Au鍍層16的厚度未滿40nm。若Au鍍層的厚度超過40nm，則特性上並無特別的變化而在成本上造成浪費。Pd鍍層14的厚度較佳為超過5nm且未滿300nm。若Pd鍍層在5nm以下，則在Pd鍍層上施行非電解取代鍍Au時，有Pd鍍層全部溶解之虞。若Pd鍍層全部溶解，則存在Au鍍層的密合性降低、或者Au不析出的可能性。又，若Pd鍍層的厚度超過300nm，則特性上並無特別的變化而在成本上造成浪費。鑒於以上所述，在進一步地提高可靠性的情況下，較佳係Pd鍍層的厚度超過50nm且未滿200nm。
利用本發明之實施形態的導電性顆粒10係具有覆蓋核12表面的Pd鍍層14及覆蓋Pd鍍層14表面的Au鍍層16，因此，較習知更廉價並且具有足夠高的導電性及耐濕可靠性。以下說明其理由，但以下的說明並不限定利用本發明的實施形態。
作為在以Ni為主成分的顆粒(簡稱為Ni顆粒)上形成Au鍍層的方法，有非電解還原型鍍Au及非電解取代型鍍Au。一般而言，顆粒(粉體)的鍍敷不使用電鍍(由於顆粒凝集)，因此以下省略「非電解」而僅稱為「還原型」或「取代型」。
若對Ni顆粒進行取代鍍Au，則Ni溶出至鍍液中，隨著Ni的離子化而釋放的電子被鍍液中的Au離子接收，在Ni顆粒表面析出Au。由於Ni溶出的位置與Au析出的位置不一定一致，因此在取代Au鍍層上形成較多的針孔。若進行耐濕實驗(例如加壓蒸煮實驗)，則從針孔侵入的水分使Ni氧化，生成氫氧化物。一部分氫氧化物存在於Au鍍層上，結果產生導電性降低的問題。此外，取代Au鍍層雖然與Ni顆粒的密合性較下述的還原鍍層高，但無法增大鍍 層厚度。例如難以利用取代鍍敷形成厚度超過100nm、尤其是200nm以上的Au鍍層。
另一方面，還原鍍Au係由於鍍液中的Au離子藉由從還原劑接收電子而作為Au析出，因此沒有Ni的溶出。因此，還原Au鍍層的針孔較取代Au鍍層少，並且可形成厚度200nm以上的Au鍍層。但，還原Au鍍層與Ni顆粒的密合性低，若進行耐濕實驗(例如加壓蒸煮實驗)，則存在還原Au鍍層剝離的問題。
又，在Ni顆粒表面首先形成取代Au鍍層，再以覆蓋取代鍍層的方式併用還原Au鍍層，雖可解決上述問題，但為了獲得足夠的導電性，必須使Au鍍層的整體厚度在約200nm以上，因此成本較高。
相對於此，利用本發明之實施形態的導電性顆粒10係具有包含Ni及P的核(以下有時記載為「NiP核」)12、Pd鍍層14及覆蓋Pd鍍層14的Au鍍層16。由於Pd較Au廉價，因此導電性顆粒10至少因為具有Pd鍍層而較僅具有Au鍍層的導電性顆粒廉價。
又，Pd鍍層14與NiP核12及Au鍍層16兩者都具有良好的密合性，不會發生剝離的問題。而且，雖不及Au，但Pd仍具有較高的導電性，例如厚度為約100nm的Pd鍍層的體積電阻率在0.3×10-5Ω‧m以下，足夠低。並且，若與Au相比，Pd的離子化傾向較大(氧化還原電位較低)，雖易於氧化，但由於Pd鍍層14被Au鍍層16覆蓋，因此導電性顆粒10具有高耐濕可靠性。
Pd鍍層14較佳為還原鍍層。相較於利用取代鍍敷形成的膜，利用還原鍍敷形成的膜的針孔較少且緻密，亦不易發生粒界腐蝕。又，相較於取代鍍敷，還原鍍敷易於形成厚鍍層。由於Pd的 氧化還原電位介於Ni的氧化還原電位及Au的氧化還原電位之間，因此Pd與Ni的取代反應不如Au與Ni的取代反應激烈。其結果，可認為Pd還原鍍層14與NiP核12的密合性高於Au還原鍍層與NiP核12的密合性。若在NiP核12上直接形成Au還原鍍層，可認為在Au還原鍍敷時作為副反應而發生之Au與Ni的激烈取代反應係使Au還原鍍層與NiP核12之密合性降低的原因。
Au鍍層16較佳為取代鍍層。Au與Pd的氧化還原電位之差較小，不易發生Au與Pd的取代反應。利用經由Pd鍍層14的粒界及/或針孔與NiP核12中所含之Ni的取代反應，可在Pd鍍層14上形成Au鍍層16。藉由調節Pd鍍層14的厚度，可控制利用取代鍍敷所形成之Au鍍層16的厚度。其理由係，若利用取代鍍敷，粒界及/或針孔被Au鍍層16覆蓋，則Au鍍層16停止形成。較佳係Pd鍍層14的厚度大於Au鍍層16的厚度，並且Au鍍層16的厚度未滿40nm。若Au鍍層16的厚度超過40nm，則特性上並無特別的變化而在成本上造成浪費。例如，若Pd鍍層14的厚度超過例如100nm，則可形成厚度未滿30nm的Au鍍層16。
此外，Au鍍層16亦可作為還原鍍層。由於還原鍍敷時的副反應Au與Pd的取代反應不易發生，因此Au鍍層與Pd鍍層14的密合性足夠高。但，為了控制Au鍍層16的厚度，尤其是為了以良好的再現性形成未滿40nm的薄Au鍍層16，較佳為取代鍍敷。
利用本發明之實施形態的導電性顆粒10係例如可利用以下方法製造獲得。
首先，準備作為NiP核12之包含NiP顆粒的NiP粉體。NiP粉體較佳係利用專利文獻5記載的方法而製造者。具體而言，將 硫酸鎳六水合物及硫酸銅五水合物以Ni與Cu的莫耳比為Ni/Cu=239的方式製備，並溶解在純水中，製作金屬鹽水溶液15(dm3)。接著，將醋酸鈉溶解在純水中，使其為1.0(kmol/m3)的濃度，再加入氫氧化鈉，製作了pH調製水溶液15(dm3)。然後，將上述金屬鹽水溶液與pH調製水溶液攪拌混合，形成30(dm3)的混合水溶液，測定pH顯示為8.1的值。然後，對上述的混合水溶液一邊利用N2氣體起泡一邊藉由外部加熱器加熱維持在343(K)，並持續攪拌。接著，製作在純水中以1.8(kmol/m3)的濃度溶解膦酸鈉得到的還原劑水溶液15(dm3)，將其亦利用外部加熱器加熱到343(K)。然後，將上述30(dm3)的混合水溶液與15(dm3)的還原劑水溶液以溫度成為343±1(K)的方式調製後混合，利用非電解還原法獲得NiP粉體。
(鍍Pd)
準備鍍Pd建浴液(例如小島化學藥品製造的Pallet LMII，Pd的濃度為10g/L(升))300mL。
準備以甲酸鈉為主成分的還原液(例如小島化學藥品製造的Pallet II)550mL。
將鍍Pd建浴液與還原液混合後，利用純水稀釋，獲得Pd鍍液3L(pH為5.5)。一邊藉由外部加熱器將Pd鍍液加熱保持在328K，一邊進行攪拌。
準備將上述還原液50mL利用純水稀釋後的還原水溶液300mL(pH為5.5)。在還原水溶液中混合NiP粉體(質量50g)，並在室溫下攪拌10分鐘。
其後，將分散有NiP粉體的還原水溶液混合於上述鍍 液中，利用還原鍍敷形成Pd鍍層14。
依此，獲得了被Pd鍍層14覆蓋的NiP核12。若在上述的條件下進行Pd還原鍍敷，則可獲得厚度約115nm的Pd鍍層14。
此外，藉由在上述鍍Pd步驟中將鍍Pd建浴液：還原液的混合比調整為300mL：550mL，可控制Pd鍍層的厚度。例如，若使鍍Pd建浴液：還原液的混合比為420mL：790mL，對35g的NiP核12進行鍍敷，則可獲得厚度約240nm的Pd鍍層。
(鍍Au)
在鍍Au建浴液(例如小島化學藥品製造的Dip G-FP)200mL中混合十二烷基硫酸鈉0.1g及金氰化鉀0.9g，利用純水稀釋，準備Au鍍液(pH為4.0)2L。一邊藉由外部加熱器將Au鍍液加熱保持在334K，一邊進行攪拌。
接著，在以20g/L的濃度溶解有檸檬酸單水合物的水溶液100mL中混合被Pd鍍層14覆蓋的NiP核12的粉體(質量35g)，並在室溫下攪拌5分鐘。
其後，在鍍Au液中混合溶解有檸檬酸單水合物的上述水溶液及NiP粉體，利用取代鍍敷形成Au鍍層16。若在上述條件下進行Au取代鍍敷，則可獲得厚度約20nm的Au鍍層16。
依此，獲得NiP核12被Pd鍍層14及Au鍍層16覆蓋的導電性顆粒10。圖2表示依此所獲得之實施例的導電性顆粒10的截面SEM圖像。可確認NiP核12被Pd鍍層14覆蓋的狀態。又，由於Au鍍層16的厚度為20nm，較薄，因此在SEM圖像中難以確認其存在。
此外，導電性顆粒10所具有的Pd鍍層14及Au鍍層16 的厚度可根據導電性顆粒10的組成、NiP核12的密度、NiP核12的粒徑(中值粒徑)、Pd及Au的密度，藉由例如利用以下的式子計算求出。導電性顆粒10的組成分析，係可將一定量的導電性顆粒10溶解在王水中，利用純水稀釋後，使用ICP發光分析裝置而進行。
鍍層厚度(μm)=(鍍層的質量%/100)×(1/構成鍍層之元素的密度(g/cm3))×(1/NiP核的總表面積(cm2))×10,000
其中，Au的密度為19.32g/cm3，Pd的密度為11.99g/cm3，NiP顆粒的密度為7.8g/cm3，NiP核的總表面積為一個核的表面積(例如中值粒徑d50的球體表面積)與試料中所含之NiP核的總數的乘積。
以下表示實驗例，並對利用本發明之實施形態的導電性顆粒10的特徵進一步詳細地進行說明。此處所示的實驗例為實施例1~4(Pd鍍層+Au鍍層)、參考例1~4(無Au鍍層)及比較例1~4(無Pd鍍層)。實施例1~4分別在參考例1~4的Pd鍍層上形成Au鍍層，比較例1~4直接在NiP核12上形成Au取代鍍層。
在所有的實驗例中，用於NiP核12之NiP粉體的中值粒徑d50為20.0μm，並使用[(d90-d10)/d50]為0.7的粉體。NiP粉體具有以下組成：相對於整體含有6.3質量%的P、3.3質量%的Cu、0.2質量%的Sn、剩餘為Ni。
如上所述，實施例及參考例中的Pd鍍層的厚度係藉由調整鍍Pd建浴液與還原液的混合比而改變。如上所述，實施例中的Au鍍層的厚度係因厚度超過100nm的Pd鍍層的存在而受限制，在任一實施例中Au鍍層的厚度均為約20nm。此外，比較例中的Au鍍層的厚度係藉由調整鍍敷時間及/或鍍液的氰化金鉀濃度而改變。
將實施例、參考例及比較例之導電性粉體的各鍍層的厚度及體積電阻率示於表1~表3及圖3~圖4。圖3係表示實施例之導電性顆粒(Pd鍍層+Au鍍層)及參考例(無Au鍍層)之導電性顆粒的體積電阻率對Pd鍍層厚度的依賴性的圖表，圖4係表示比較例(無Pd鍍層)之導電性顆粒的體積電阻率對Au鍍層厚度的依賴性的圖表。
如上所述，鍍層的厚度係根據導電性粉體的組成分析藉由計算求出。又，各導電性粉體的體積電阻率係使用圖5所示的裝置測定。將粉體試料1.15g放入內徑11mm的量筒內，在利用Cu製的治具(活塞)施加22MPa的載重的狀態下利用電阻計(日置電機製的電阻計3541)測得整體的電阻值，根據該電阻值利用下式求得體積電阻率。
體積電阻率=(整體的電阻值-治具的電阻值)×π×(11/2)2×100/厚度
此外，上式的厚度係以cm單位表示施加上述載重時粉體在量筒內的厚度(與加壓方向平行)。
[表2]
從圖3及表1、2可知，具有約115nm以上厚度的Pd鍍層的導電性粉體(實施例1~4、參考例1~4)的體積電阻率在0.3×10-5Ω‧m以下，足夠低。若將Pd鍍層的厚度增大到約240nm，則即使僅有Pd鍍層(參考例4)，體積電阻率亦在0.22×10-5Ω‧m以下。從表1及表2的比較可知，若在Pd鍍層上形成厚度約20nm的Au鍍層，則體積電阻率降低。雖體積電阻率降低的程度很小，但藉由形成Au鍍層，可抑制因Pd鍍層的氧化導致的體積電阻率的增加。Au鍍層係使導電性粉體的耐濕可靠性提高。實施例1~4的導電性粉體在加壓蒸煮實驗(條件：125℃、95RH%、2.2atm)中，即使在100小時後，亦未發現體積電阻率的上升、或外觀的變化。
另一方面，從表3及圖4可知，在NiP顆粒上僅形成Au鍍層時，即使Au鍍層的厚度為約47nm，體積電阻率亦為0.47×10-5Ω‧m。即，實施例1~4的導電性顆粒10所具有的Au的含有率雖然未滿比較例4的導電性顆粒所具有的Au的含有率的二分之 一，但實施例1~4的導電性顆粒10的體積電阻率係在比較例4的導電性顆粒的二分之一以下。
依此，若利用本發明的實施形態，可獲得較習知更廉價且具有足夠高的導電性及耐濕可靠性的導電性顆粒及含有此種導電性顆粒的導電性粉體。
利用本發明之實施形態的導電性高分子組成物係含有上述導電性粉體及高分子。此外，若無特別說明，高分子係具有電氣絕緣性。作為高分子，可根據用途而使用各種公知的高分子材料。高分子材料例如為橡膠、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂。利用本發明之實施形態的導電性高分子組成物可廣泛地用於各向異性導電片(ACF)、各向異性導電膠(ACP)等。導電性顆粒的含有率可根據用途而適宜地設定，體積百分率大約在3%以上且50%以下，較佳係在5%以上且30%以下。
構成上述導電性粉體的導電性顆粒10由於具有以Ni為主體的核12，因此表現出強磁性。因此，使用利用本發明之實施形態的高分子組成物，可以如專利文獻1~3記載般形成利用磁場使導電性顆粒在厚度方向上排列的各向異性導電片。此處，若使用橡膠(或者合成橡膠)作為高分子，則可獲得感壓型各向異性導電片。感壓型各向異性導電片僅在片材的厚度方向上施加壓力(壓縮)時表現出導電性，且具有若停止加壓則恢復絕緣性的性質。感壓型各向異性導電片適合用於佈線基板或半導體裝置等的檢查中臨時形成電氣連接的用途。作為橡膠，可使用公知的各種橡膠(包括合成橡膠)。從加工性、耐熱性等觀點而言，較佳為硬化型的矽橡膠。
ACF或ACP亦可用於形成液晶顯示裝置、平板電腦、 行動電話等電氣裝置內的電氣連接。在該等用途中，高分子係使用熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，例如可使用各種環氧樹脂，作為光硬化性樹脂，可使用丙烯酸樹脂。
(產業上之可利用性)
本發明可適用於導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片。
10‧‧‧導電性顆粒
12‧‧‧核(NiP核)
14‧‧‧Pd鍍層
16‧‧‧Au鍍層

Claims (9)

  1. 一種導電性顆粒，其係具有包含Ni及P之球狀的核、覆蓋上述核之表面的Pd鍍層、及覆蓋上述Pd鍍層之表面的Au鍍層；上述Pd鍍層的厚度大於上述Au鍍層的厚度，並且上述Au鍍層的厚度為5nm以上且未滿40nm。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電性顆粒，其中，上述Pd鍍層為非電解還原鍍層。
  3. 如申請專利範圍第1項之導電性顆粒，其中，上述Au鍍層為非電解取代鍍層。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性顆粒，其中，上述Pd鍍層之厚度為超過100nm且未滿300nm。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性顆粒，其中，上述核進一步包含Cu及Sn。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性顆粒，其中，上述核的直徑為1μm以上且100μm以下。
  7. 一種導電性粉體，其包含申請專利範圍第1至6項中任一項之導電性顆粒，其特徵在於：累積體積分佈曲線中的中值粒徑d50為3μm以上且100μm以下，並且[(d90-d10)/d50]≦0.8。
  8. 一種導電性高分子組成物，其包含申請專利範圍第7項之導電性粉體、及高分子，上述高分子係橡膠、熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂。
  9. 一種各向異性導電片，其係由申請專利範圍第8項之導電性高分子組成物形成，上述導電性顆粒係在厚度方向上排列。
TW104103187A 2014-02-26 2015-01-30 導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片 TWI575077B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014034966A JP5943019B2 (ja) 2014-02-26 2014-02-26 導電性粒子、導電性粉体、導電性高分子組成物および異方性導電シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201542831A TW201542831A (zh) 2015-11-16
TWI575077B true TWI575077B (zh) 2017-03-21

Family

ID=53913313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104103187A TWI575077B (zh) 2014-02-26 2015-01-30 導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5943019B2 (zh)
KR (1) KR101690696B1 (zh)
CN (1) CN104867530B (zh)
TW (1) TWI575077B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101959536B1 (ko) 2016-04-05 2019-03-18 주식회사 아이에스시 이종의 입자가 혼합된 도전성 입자를 포함하는 이방도전성 시트
TWI761477B (zh) * 2017-03-30 2022-04-21 日商太陽油墨製造股份有限公司 導電性接著劑、硬化物、電子零件及電子零件之製造方法
CN110603612B (zh) * 2017-06-22 2022-08-30 积水化学工业株式会社 导电性粒子、导电性粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200616736A (en) * 2004-11-09 2006-06-01 Akita Prefectural Resources Technology Dev Organization Ball-shaped Nip micro particle and fabricating method thereof and conductive particle for anisotropic conductive film
TW200927951A (en) * 2007-10-18 2009-07-01 Hitachi Metals Ltd Reduced and precipitated fine NiP particles and manufacturing method for the same
CN103594146A (zh) * 2008-02-05 2014-02-19 日立化成工业株式会社 导电粒子及导电粒子的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0797929B2 (ja) 1988-06-29 1995-10-25 井関農機株式会社 水田用農作業機のローリング制御装置
JP2004021018A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Casio Comput Co Ltd 光源ユニット、及び表示装置
JP4188278B2 (ja) * 2004-05-06 2008-11-26 日本化学工業株式会社 異方導電性フィルムおよびヒートシールコネクター
KR100879578B1 (ko) * 2007-04-23 2009-01-22 한화석유화학 주식회사 도전성 무전해 도금분체의 제조방법
JP4957838B2 (ja) * 2009-08-06 2012-06-20 日立化成工業株式会社 導電性微粒子及び異方性導電材料
CN102605359A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 台湾上村股份有限公司 化学钯金镀膜结构及其制作方法、铜线或钯铜线接合的钯金镀膜封装结构及其封装工艺
JP2012174417A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Jsr Corp 異方導電性シート、電子部材の接続方法および電子部品
KR20130058297A (ko) * 2011-11-25 2013-06-04 에이케이이노텍주식회사 도전성 분말 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200616736A (en) * 2004-11-09 2006-06-01 Akita Prefectural Resources Technology Dev Organization Ball-shaped Nip micro particle and fabricating method thereof and conductive particle for anisotropic conductive film
TW200927951A (en) * 2007-10-18 2009-07-01 Hitachi Metals Ltd Reduced and precipitated fine NiP particles and manufacturing method for the same
CN103594146A (zh) * 2008-02-05 2014-02-19 日立化成工业株式会社 导电粒子及导电粒子的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101690696B1 (ko) 2016-12-28
KR20150101376A (ko) 2015-09-03
CN104867530B (zh) 2018-06-19
TW201542831A (zh) 2015-11-16
JP2015160958A (ja) 2015-09-07
JP5943019B2 (ja) 2016-06-29
CN104867530A (zh) 2015-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203520899U (zh) 导电粒子和连接结构体
TW201125661A (en) Conductive fine particles and anisotropic conductive material
JP2007242307A (ja) 導電性微粒子及び異方性導電材料
JP5975054B2 (ja) 導電粒子、異方導電性接着剤、接続構造体及び導電粒子の製造方法
JP5785238B2 (ja) 導電性微粒子
TWI575077B (zh) 導電性顆粒、導電性粉體、導電性高分子組成物及各向異性導電片
JP2014241276A (ja) 導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着剤及び導電粒子の製造方法
JP2013177690A (ja) 還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子およびその製造方法
CN102719814A (zh) 导电粒子
CN107073577B (zh) 导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物和各向异性导电片
JP2015197955A (ja) 導電粒子
JP2007188845A (ja) 導電性粉末、導電性ペーストおよび電気回路
JP6507551B2 (ja) 導電粒子
JP4714719B2 (ja) 導電性微粒子の製造方法
JP4598621B2 (ja) 導電性微粒子、及び、異方性導電材料
JP2006049246A (ja) 導電性微粒子及び異方性導電材料
JP5368613B1 (ja) 導電性微粒子
JP2015130360A (ja) 導電性微粒子及びその用途
JP2011165320A (ja) 回路接続部材
JP6507552B2 (ja) 導電粒子
JP4947687B2 (ja) 異方導電性ゴム用導電性粉末