TWI573852B - Processing method for adhesive tape for semiconductor wafer surface protection and semiconductor wafer - Google Patents

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Description

半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之加工方法
本發明係關於一種半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之加工方法。更詳細而言，係關於一種對半導體晶圓進行研削等直至其成為薄膜時所使用之半導體晶圓之表面保護用黏著帶及半導體晶圓之加工方法。
半導體封裝係將高純度矽單晶等進行切割製成半導體晶圓後，藉由離子注入、蝕刻等在該晶圓表面形成積體電路而製造。藉由對形成有積體電路之半導體晶圓之背面進行研削、研磨等，使半導體晶圓得以加工成所需厚度。此時，為了保護形成於半導體晶圓表面之積體電路，使用半導體晶圓表面保護用黏著帶(以下，亦簡稱為「表面保護帶」)。
經背面研削之半導體晶圓於背面研削結束之後被收納於晶圓盒並輸送至切割(dicing)步驟而加工成半導體晶片。
先前謀求藉由背面研削等將半導體晶圓之厚度設為200~400μm左右。然而，隨著近年來之高密度安裝技術之進步，產生將半導體晶片小型化之需要，半導體晶圓之薄膜化正在進展。根據半導體晶片之種類，變得必須使半導體晶圓薄至100μm左右。又，為了增多藉由一次加 工可製造之半導體晶片之數量，有使用大型之晶圓之傾向。之前的主流為直徑5英吋或6英吋之晶圓，相對於此，近年來，將直徑8~12英吋之半導體晶圓加工成半導體晶片成為主流。
半導體晶圓之薄膜化及大型化之趨勢特別是於存在NAND型或NOR型之快閃記憶體之領域、或作為易失性記憶體之DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)等領域中較顯著。例如，將直徑12英吋之半導體晶圓研削至150μm以下之厚度之情況亦不罕見。
通常，半導體晶圓係由機械臂自被稱為晶圓盒之專用盒體逐片取出，受到位在研削機器內之半導體晶圓固定用治具保持，並且進行背面研削。經背面研削之半導體晶圓由機械臂收納於晶圓盒並搬送至下一步驟。此時，若半導體晶圓之翹曲較大，則有產生如下等問題之可能性：或產生吸附不良，或最壞之情形為晶圓於搬送之途中自吸附臂偏離而掉落。然而，該問題正藉由被稱為線上系統(inline system)之薄膜研削專用機之出現、或特殊之膠帶之開發而得到解決(例如，參照專利文獻1及2)。因此，認為晶圓之薄膜化趨勢今後將日益加速。
將研削後之晶圓安裝於切割保護膠帶或切晶-黏晶膜(dicing-die bonding film)上，其後，剝離表面保護膠帶。於對大型之半導體晶圓之背面進行研削而將晶圓薄膜化之情形時，若不對貼附於該晶圓之正側之表面之表面保護膠帶之剝離力進行抑制，則於剝離表面保護膠帶時，會對晶圓施加過多負荷而導致晶圓容易破裂。
又，為了在離散系晶圓亦提昇性能，而正在慢慢地進行薄膜化。該離散系晶圓由於實施特殊之表面處理，或表面之階差之大小各異， 故而於剝離表面保護膠帶時容易產生糊劑殘留，剝離性之提昇成為重大之課題之一。
對於表面保護膠帶，於晶圓背面之研削步驟中謀求較高之晶圓保持力，於剝離時被要求較低之黏著力。因此，自先前以來一直廣泛使用具有紫外線硬化性之黏著劑層之膠帶作為表面保護膠帶。具有紫外線硬化性之黏著劑層之表面保護膠帶由於可於具有高黏著力之狀態下貼合於半導體晶圓，故而密合性優異且表現高晶圓保持力。另一方面，由於可於剝離前藉由照射紫外線進行硬化而使黏著力降低，故而剝離性亦得以改善。(例如，參照專利文獻3)。
然而，由於紫外線硬化性之黏著劑層反應性較高，故而若晶圓表面被改質，則存在黏著劑層之成分與該晶圓表面進行反應而產生剝離不良或晶圓破裂之情況。又，存在晶圓表面設置有包含聚醯亞胺等之絕緣樹脂層及導體配線圖案之情況，若於晶圓表面存在絕緣樹脂層，則表面保護膠帶之黏著力增加而導致剝離性降低。
於此種狀況下，作為改善表面保護膠帶之自半導體表面之剝離性之方法，於專利文獻4記載有以對於二碘甲烷(methylene iodide)之接觸角為指標而調節黏著劑層表面之性狀之內容。
進而，作為改善表面保護膠帶之自半導體表面之剝離性之方法，於專利文獻5記載有不僅以對於二碘甲烷(methylene iodide)之接觸角為指標，而且以黏著劑層之表面自由能為指標而調節黏著劑層表面之性狀之內容。
[專利文獻1]日本特開2011-151355號公報
[專利文獻2]日本特開2003-261842號公報
[專利文獻3]日本特開平9-298173號公報
[專利文獻4]日本特開2009-242776號公報
[專利文獻5]國際公開第2013/122060號公報
然而，於如上述專利文獻4所記載般將表面保護膠帶之黏著劑層表面設為特定之性狀而提高自半導體晶圓之剝離性之情形時，存在如下情況：於搬送步驟或收入晶圓盒時，半導體晶圓之外周部(邊緣)變得容易自膠帶剝離(即，變得容易產生邊緣隆起)。若產生邊緣隆起，則有如下之虞：於其後之切割保護膠帶貼合時，因藉由輥而引起之加壓，會產生邊緣破裂或晶圓破裂。又，於將該表面保護膠帶應用於附凸塊(電極)之半導體晶圓時，存在無法充分地獲得與具有凸塊之晶圓表面的密合性之情況，且變得容易於表面保護膠帶與晶圓表面之間混入空氣(air)。
另一方面，於專利文獻5記載之表面保護膠帶由於要省略步驟管理複雜之紫外線照射步驟，故而用於黏著劑層之黏著劑為感壓型。因此，於專利文獻5中，並未著眼於用於黏著劑層之黏著劑為紫外線等放射線硬化型之表面保護膠帶之改善。
本發明之課題在於提供一種半導體晶圓表面保護用黏著帶、及使用該膠帶之半導體晶圓之加工方法，該半導體晶圓表面保護用黏著帶即便於應用於附凸塊之半導體晶圓之凹凸表面之情形時亦密合性優 異，又，更不易產生邊緣隆起，進而，即便於半導體晶圓之表面保護膠帶貼合面存在絕緣層或導體配線圖案之情形時亦可於不損傷晶圓之情況下容易地剝離，於剝離後之晶圓表面之糊劑殘留亦較少，且用於黏著劑層之黏著劑為放射線硬化型。
本發明人等鑒於上述課題進行了努力研究。結果發現：於將紫外線硬化性之黏著劑設為紫外線照射後表面自由能上升且二碘甲烷之接觸角變小之性狀時，即便為附凸塊之半導體晶圓等之凹凸表面，亦充分地進行密合，又，亦不易產生邊緣隆起，進而，即便於半導體晶圓之表面保護膠帶貼合面存在絕緣層或導體配線圖案，亦可容易地自半導體晶圓將該膠帶剝離，且亦可抑制剝離後之晶圓表面之糊劑殘留。本發明係基於該等見解進而反覆研究而完成者。
即，本發明之主旨如下。
(1)一種附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係於基材膜上具有紫外線硬化性之黏著劑層者，其特徵在於：於該黏著劑層含有重量平均分子量1萬以上且200萬以下並且具有含放射線硬化型碳-碳雙鍵之基、羥基及羧基之(甲基)丙烯酸聚合物；紫外線照射前之該黏著劑層表面之表面自由能為25.5mN/m以上且未達35mN/m；經紫外線照射之硬化後之該黏著劑層之表面與紫外線照射前之該黏著劑層之表面相比，表面自由能高5mN/m以上；經紫外線照射之硬化後之該黏著劑層之表面與紫外線照射前之該黏著劑層之表面相比，對於二碘甲烷之接觸角較小； 上述(甲基)丙烯酸聚合物係使具有羥基及羧基之導入放射線硬化型碳-碳雙鍵基前之聚合物與具有放射線硬化型碳-碳雙鍵基之化合物進行反應所獲得之聚合物，且於形成該導入放射線硬化型碳-碳雙鍵基前之聚合物的所有單體成分中，包含(甲基)丙烯酸1mol%~10mol%；構成上述黏著劑層表面之聚合物之羥值為30~100mgKOH/g；構成上述黏著劑層表面之聚合物之酸值為5~65mgKOH/g。
(2)如(1)記載之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其特徵在於：上述具有放射線硬化型碳-碳雙鍵基之化合物為異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯(2-(meth)acryloyloxyethyl isocyanate)。
(3)如(2)記載之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其特徵在於：上述異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯之摻合量相對於上述(甲基)丙烯酸聚合物100質量份為1質量份~20質量份。
(4)如(1)至(3)中任一項記載之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其特徵在於：相對於上述(甲基)丙烯酸聚合物100質量份摻合交聯劑0.1~5質量份。
(5)如(1)至(4)中任一項記載之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其特徵在於：構成上述黏著劑層表面之聚合物之酸值為10~35mgKOH/g。
(6)一種附凸塊之半導體晶圓之加工方法，其係使用(1)至(5)中任一項記載之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶之附凸塊之半導體晶圓之加工方法，其特徵在於包含下述步驟(A)~(D)：步驟(A)：將上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於附凸 塊之半導體晶圓之形成有凸塊之表面；步驟(B)：對上述附凸塊之半導體晶圓之與上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合面相反側的表面進行研削；步驟(C)：對上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶照射紫外線，使上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶硬化；及步驟(D)：自上述附凸塊之半導體晶圓將上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶剝離。
(7)如(6)記載之附凸塊之半導體晶圓之加工方法，其特徵在於：上述附凸塊之半導體晶圓於與上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合面具有絕緣層。
(8)如(6)或(7)記載之附凸塊之半導體晶圓之加工方法，其特徵在於：上述凸塊之高度為15μm以上。
於本說明書中，於稱為「黏著劑層之表面」或「黏著劑層表面」時，只要無特別申明，則意指與基材膜之貼合面相反側之表面。
於本說明書中，所謂將半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於半導體晶圓，意指將黏著劑層表面朝向半導體晶圓表面進行貼合。
於本說明書中，「(甲基)丙烯酸」之用語係以丙烯酸及甲基丙烯酸之任一者或包含兩者之含義使用。此情況針對「(甲基)丙烯醯基」、「(甲基)丙烯醯胺」之用語亦相同。
本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶即便在應用於附焊接凸塊或金凸塊等凸塊的半導體晶圓之凹凸表面時亦不易混入空氣而密合性優異，亦不易產生邊緣隆起。又，本發明之半導體晶圓表面保護用黏著 帶剝離性亦優異，即便在貼合於大型半導體晶圓表面並對該晶圓背面進行研削而加工成100μm以下之薄膜晶圓時，亦可於不損傷晶圓之情況下容易地進行剝離，且亦可抑制剝離後之晶圓表面之糊劑殘留。又，即便對於半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合面存在絕緣層或導體配線圖案者亦同樣地表現良好之剝離性。
因此，本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶適宜作為如離散系晶圓之類的表面階差相對較大之半導體晶圓、附有由絕緣層與導體配線圖案所構成之凸塊電極之半導體晶圓、用以應用在覆晶構裝方式之附焊接凸塊或金凸塊之半導體晶圓等之表面保護用黏著帶。
又，根據本發明之半導體晶圓之加工方法，能夠以較高之良率獲得薄膜半導體晶圓。即，本發明之半導體晶圓之加工方法適宜作為薄膜半導體晶圓之製造方法。
關於本發明之上述及其他特徵及優勢，適當參照隨附之圖式並根據下述記載會變得更明確。
10‧‧‧黏著帶
11‧‧‧基材膜
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧半導體晶圓
圖1係表示本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之一實施形態之剖面圖。
<<半導體晶圓表面保護用黏著帶>>
參照圖式，針對本發明之較佳半導體晶圓表面保護用黏著帶(以下， 簡稱為「本發明之黏著帶」)進行說明。如圖1之示意性的剖面圖所示，本發明之黏著帶10於基材膜11之至少單面形成黏著劑層12，並使黏著劑層12接著於半導體晶圓13而使用。
以下，詳細地說明本發明之實施形態。
<黏著劑層>
本發明之黏著帶之黏著劑層可為單層，亦可為積層不同組成之2種以上之黏著劑層而成之多層構造。本發明之黏著帶之黏著劑層至少其表面為紫外線硬化性，較佳為黏著劑層整體為紫外線硬化性。於本發明之黏著帶中，經紫外線照射之硬化後之黏著劑層表面與紫外線照射前之黏著劑層表面相比，表面自由能高5mN/m以上，且與紫外線照射前之黏著劑層表面相比，對於二碘甲烷(CH2I2)之接觸角較小。
(黏著劑層表面之表面自由能)
於本發明中，黏著劑層表面之表面自由能係使用Owens and Wendt法所獲得之值，係藉由測定黏著劑層表面相對於純水及二碘甲烷之接觸角(液滴容量：純水2μL、二碘甲烷3μL；讀取時間：滴加30秒後；測定環境：溫度23℃、相對濕度50%)並解開下述式1之聯立方程式而求出。再者，下述之「固體表面」於本說明書中係指黏著劑層表面。
<式1>γ s=γ s p+γ s d (1) 72.8(1+cos θ 1 H)=2(51.0 γ s p)1/2+2(21.8 γ s d)1/2 (2a) 50.8(1+cos θ 1 I)=2(2.3 γ s p)1/2+2(48.5 γ s d)1/2 (2b)γs=表面自由能γs p=表面自由能之極性成分γs d=表面自由能之分散成分θ1 H=純水相對於固體表面之接觸角θ1 I=二碘甲烷(CH2I2)相對於固體表面之接觸角
此處，式(1)係以Fowkes-Owens式區分表面自由能之成分者，且表面自由能γ s設為表面自由能之極性成分γ s p(僅London力)與表面自由能之分散成分γ s d(包含Debye力或氫鍵力)之和。上述式(2a)及(2b)係將Young之式組合於針對如固體s與液體1之界面之界面張力γ sl的擴張Fowkes模式之關係式所獲得之關係式，其中，式(2a)係為純水之情形時之關係式，式(2b)係為二碘甲烷之情形時之關係式。
由於純水之表面張力γ 1、表面張力極性成分γ 1 p、表面張力分散成分γ 1 d分別依序為72.8mN/m、51.0mN/m、21.8mN/m，二碘甲烷之表面張力γ 1、表面張力極性成分γ 1 p、表面張力分散成分γ 1 d分別依序為50.8mN/m、2.3mN/m、48.5mN/m，因此上述式(2a)及(2b)中併入有該等值。
再者，純水與二碘甲烷由於極性成分及分散成分不同，因此表面張力如上述般不同。其原因在於：伴隨著純水與二碘甲烷於氫鍵之有無、陰電性之差不同，極性會大幅不同。特別是於水之情形時，-OH及-O-等之氫鍵較強，極性成分之比例較大。
於黏著劑中，可藉由向聚合物中賦予羥基或羧基而使極性成分變化。藉此，相對於水之接觸角會變化，因此可使表面自由能變化。推 測：於將黏著帶剝離時產生因凝聚不足而引起之糊劑殘留，此情況時分散成分為主導，於已實施特殊之活化處理的表面產生糊劑殘留之情況時極性成分為主導。因此，為了解決對各種性狀之表面的糊劑殘留之問題，控制相對於水或二碘甲烷之接觸角即黏著劑層表面之表面自由能變得重要。
紫外線硬化性之黏著劑因紫外線照射而黏著力降低，藉此與半導體晶圓之剝離性提昇。如此，紫外線硬化性之黏著劑層與感壓型之黏著劑層不同，於紫外線照射前後產生黏著劑層之物性或構造變化。
紫外線硬化性之黏著劑層由於通常含有光聚合起始劑，因此即便於紫外線硬化前亦存在因熱或光之影響而與例如晶圓表面反應而接著之情況。該接著成為剝離時之糊劑殘留之原因。本發明人等發現：藉由將紫外線硬化前之黏著劑層表面之表面自由能一定程度上抑制為較低，可維持黏著性且抑制上述紫外線照射前之反應，防止因經時而引起之晶圓與黏著帶之接著。
另一方面，根據本發明人等之研究，可知：於紫外線照射後，即便黏著劑層表面之表面自由能高到某種程度，亦不易產生剝離不良。認為其原因在於：因紫外線照射，黏著劑硬化而黏著力降低，除此以外，因藉由紫外線照射而引起之硬化反應，上述光聚合起始劑已被消耗，因此與晶圓表面之反應性降低。進而，本發明人等發現：藉由將紫外線照射後之黏著劑層表面之表面自由能提高到一定程度，可於裝置內之搬送或盒收納時有效地防止邊緣隆起。若產生邊緣隆起，則變得如上述般容易因切割保護膠帶貼合時之由輥帶來之壓力而產生邊緣破裂，最壞之情況會引起晶圓破裂。
於本發明之黏著帶中，經紫外線照射之硬化後之黏著劑層表面之表面 自由能較佳為高於紫外線照射前之黏著劑層表面之表面自由能6mN/m以上，更佳為高7mN/m以上。又，於本發明之黏著帶中，經紫外線照射之硬化後之黏著劑層表面之表面自由能與紫外線照射前之黏著劑層之表面自由能之差通常為15mN/m以下，亦較佳為12mN/m以下。
又，於本發明之黏著帶中，紫外線照射前之黏著劑層表面之表面自由能為25.5mN/m以上且未達35mN/m，更佳為28~33mN/m。
(對於二碘甲烷之接觸角)
若著眼於對於二碘甲烷之接觸角，則黏著劑層表面對於二碘甲烷之接觸角較大之情況意味著分散成分較大，於此情形時，構成黏著劑之聚合物之分子間力變強而難以延伸。於紫外線照射後，黏著劑之交聯密度大幅上升，因此若構成黏著劑之聚合物之分子間力過強，則會變得硬且脆，變得容易於剝離黏著帶時產生因糊劑破裂而引起之糊劑殘留。反之，於黏著劑層表面對於二碘甲烷之接觸角較小之情形時，構成黏著劑之聚合物之分子間力較弱，因此即便於經紫外線照射之硬化後亦具備對應拉伸之柔軟性，從而糊劑不易破裂，於自凸塊等突起進行剝離時，糊劑亦變得不保持於凸塊等突起而容易脫落。因此，於經紫外線照射之黏著劑層之硬化後，黏著劑層表面對於二碘甲烷之接觸角最好為小至某種程度。
另一方面，於將表面保護膠帶貼合於表面具有凸塊等較大之突起或高階差之晶圓時，若該晶圓與黏著劑層之密合性不充分，則存在夾帶空氣而貼合之情況。若夾帶空氣，則存在如下情況：因由空氣中之氧而引起之硬化阻礙，即便照射紫外線亦不進行硬化。於此種情形時，構成黏著劑之聚合物分子間之交聯變得不充分，因此若紫外線照射前之聚合物之分子間力 不高，則容易發生凝聚破壞。即，於經紫外線照射之硬化反應前，黏著劑層表面對於二碘甲烷之接觸角最好為大至某種程度。
於本發明之黏著帶中，較佳為紫外線照射前之黏著劑層表面對於二碘甲烷之接觸角(I)與經紫外線照射之硬化後之黏著劑層表面對於二碘甲烷之接觸角(II)滿足(I)>(II)之關係，且其差(I-II)為5~20度。
又，於本發明之黏著帶中，紫外線照射前之黏著劑層表面對於二碘甲烷之接觸角較佳為50~80度，更佳為55~75度，尤佳為55~66.5度。
於本發明中，為了測定硬化後之黏著劑層之表面自由能及對於二碘甲烷之接觸角而進行之用以使黏著劑層硬化之所謂「紫外線照射」，係指以累計照射量成為500mJ/cm2之方式對黏著劑層整體照射紫外線。於紫外線照射中例如可使用高壓水銀燈。
關於本發明之黏著劑層之構成，首先針對黏著劑層為單層構造之情形進行說明。
於本發明之黏著帶中，黏著劑層由可藉由紫外線照射而硬化之組成所構成。該黏著劑層含有聚合物，較佳為含有光聚合起始劑、及交聯劑。該黏著劑層亦可視需要含有用以防止潤濕或者提昇滑動性之添加劑或塑化劑等。
(黏著劑)
於本發明之黏著帶中，用於黏著劑層之黏著劑只要利用紫外線照射會硬化則並無特別限制，至少含有1種具有至少1個可藉由紫外線照射而進行聚合反應之反應性基的聚合物(以下，稱為「紫外線硬化性聚合物」)。
上述黏著劑較佳為以紫外線硬化性聚合物作為主成分。更具體而言， 較佳為含有紫外線硬化性聚合物50質量%以上，更佳為含有80質量%以上，進而較佳為含有90質量%以上。
作為上述可藉由紫外線照射而進行聚合反應之反應性基，較佳為乙烯性不飽和基，即具有碳-碳雙鍵之基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、苯乙烯基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯基胺基等。
對上述紫外線硬化性聚合物並無特別限制，例如可列舉(甲基)丙烯酸聚合物、聚酯、乙烯或苯乙烯共聚物、聚胺酯(polyurethane)。再者，於本發明中，可將該等紫外線硬化性聚合物單獨使用1種，亦可組合多種而使用。
本發明之黏著劑層含有重量平均分子量1萬以上且200萬以下之(甲基)丙烯酸聚合物作為紫外線硬化性聚合物之必需成分，且該(甲基)丙烯酸聚合物具有放射線硬化型碳-碳雙鍵、羥基及羧基。
於本發明中，上述重量平均分子量1萬以上且200萬以下之(甲基)丙烯酸聚合物可使用市售者，亦可使用藉由常用方法而合成者。於進行合成之情形時，較佳為(甲基)丙烯酸聚合物為使具有羥基及羧基之導入放射線硬化型碳-碳雙鍵基前之聚合物與具有放射線硬化型碳-碳雙鍵基之化合物進行反應所獲得之聚合物。於此情形時，較佳為於形成導入放射線硬化型碳-碳雙鍵基前之聚合物的所有單體成分中包含(甲基)丙烯酸1mol%~10mol%。
於本發明中，作為具有放射線硬化型碳-碳雙鍵基之化合物，較佳為使後述異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯與後述含有羥基之聚合物反應而成者。
再者，於本發明中，異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯之摻合量較佳為相對於(甲基)丙烯酸聚合物100質量份為1質量份~20質量份，更佳為6質量份~20質量份。
作為上述紫外線硬化性聚合物之合成方法，例如(a)於為具有乙烯性不飽和基之聚合物時使具有乙烯性不飽和基之化合物與聚合物進行反應而獲得導入有乙烯性不飽和基之聚合物之方法、(b)利用具有乙烯性不飽和基之低聚物[例如作為交聯劑之一種之(甲基)丙烯酸胺酯低聚物等]之方法，該等方法簡便且容易而為佳，其中較佳為上述(a)之方法。
上述(a)之方法中，作為具有乙烯性不飽和基之化合物係使用具有與該乙烯性不飽和基不同之反應性基(稱為反應性基α)之結構的化合物，且作為導入有乙烯性不飽和基之聚合物係使用具有與具有該乙烯性不飽和基之化合物之反應性基α進行反應之反應性基β之結構的聚合物(以下，稱為「具有反應性基β之聚合物」)，而使反應性基α與β進行反應。
此種反應性基α、β較佳為例如設為一者為進行親核攻擊之基，另一者為承受親核攻擊之基或承受加成反應之基。作為此種反應性基，例如可列舉：羥基、胺基、巰基、羧基、環氧基、氧雜環丁基、異氰酸酯基、形成環狀之酸酐之基、鹵素原子、烷氧基或芳氧基羰基等。
此處，於反應性基α及β之任一者為羥基、胺基、巰基、羧基時，另一反應性基可設為環氧基、氧雜環丁基、異氰酸酯基、形成環狀之酸酐之基、鹵素原子、烷氧基或芳氧基羰基。
具有乙烯性不飽和基之化合物所具有之反應性基α較佳為承受親核攻擊之基或承受加成反應之基，例如較佳為環氧基、氧雜環丁基、 異氰酸酯基、形成環狀之酸酐之基、鹵素原子、烷氧基或芳氧基羰基，更佳為環氧基、氧雜環丁基、異氰酸酯基、或形成環狀之酸酐之基，進而較佳為環氧基、氧雜環丁基、或異氰酸酯基，進而較佳為異氰酸酯基。
另一方面，導入乙烯性不飽和基之聚合物所具有之反應性基β較佳為進行親核攻擊之基，例如較佳為羥基、胺基、巰基、或羧基，更佳為羥基、胺基、或巰基，進而較佳為羥基、胺基、或羧基，進而較佳為羥基、或羧基，其中較佳為羥基。
作為具有乙烯性不飽和基及反應性基α之化合物、或用於合成具有反應性基β之聚合物的具有反應性基β之單體，可列舉以下化合物。
-反應性基為羧基之化合物-
(甲基)丙烯酸、桂皮酸、衣康酸、反丁烯二酸等
-反應性基為羥基之化合物-
於醇部具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯[例如，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、三羥甲基丙烷單(甲基)丙烯酸酯、乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇單(甲基)丙烯酸酯]、於胺部具有羥基之烷基胺之N-(羥基烷基)烷基(甲基)丙烯醯胺[例如，N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-雙羥甲基(甲基)丙烯醯胺]、烯丙醇等
-反應性基為胺基之化合物-
於醇部具有胺基之(甲基)丙烯酸胺基烷基酯[例如，(甲基)丙烯酸2-(烷基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(烷基胺基)丙酯]、(甲基)丙烯醯胺等
-反應性基為環狀之酸酐之化合物-
順丁烯二酸酐、衣康酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐等
-反應性基為環氧基或氧雜環丁基之化合物-
(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、3-乙基-3-羥基甲基氧雜環丁烷等
-反應性基為異氰酸酯基之化合物-
異氰酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯[例如，異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯]、利用具有羥基或羧基、及乙烯性不飽和基之化合物將多元異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之一部分進行胺酯化而成者[例如2~10官能之(甲基)丙烯酸之丙烯酸胺酯低聚物]等
再者，作為上述丙烯酸胺酯低聚物，例如較佳為使(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等醇部具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯與甲苯二異氰酸酯、亞甲基聯苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、亞甲基雙環己基異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯等二異氰酸酯或3官能以上之異氰酸酯進行反應而獲得之具有至少1個異氰酸酯基之低聚物。又，亦可為除(甲基)丙烯酸羥基烷基酯與多元異氰酸酯以外，亦與多元醇化合物、聚醚二醇化合物或聚酯二醇化合物進行反應而獲得之低聚物。
-反應性基為鹵素原子之化合物-
2,4,6-三氯-1,3,5-三、2,4-二氯-6-甲氧基-1,3,5-三等鹵化三等
作為上述具有乙烯性不飽和基及反應性基α之化合物，較佳為上述反應性基為異氰酸酯基之化合物，另一方面，作為用於具有反應 性基β之聚合物之合成之單體，較佳為上述反應性基為羧基之化合物或反應性基為羥基之化合物，更佳為反應性基為羥基之化合物。
上述(b)之方法由於要使用上述(甲基)丙烯酸胺酯低聚物(該低聚物亦為後述之交聯劑之一種)，因此可使(甲基)丙烯酸共聚物與(甲基)丙烯酸胺酯低聚物共存而構成紫外線硬化性之黏著劑層。作為(甲基)丙烯酸共聚物，較佳為使(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯進行聚合而獲得者。構成(甲基)丙烯酸共聚物之(甲基)丙烯酸酯成分之較佳之形態與後述之作為具有反應性基β之聚合物中之共聚成分進行說明者相同。
上述具有反應性基β之單體成分占構成上述具有反應性基β之聚合物的所有單體成分之比例，較佳為5~50莫耳%，更佳為20~40莫耳%。
又，於使具有乙烯性不飽和基及反應性基α之化合物與具有反應性基β之聚合物進行反應而將乙烯性不飽和基導入至具有反應性基β之聚合物時，較佳為使具有反應性基α之化合物相對於具有反應性基β之聚合物100質量份反應1~40質量份，更佳為反應1~30質量份，進而較佳為反應1~20質量份，尤佳為反應1~10質量份。
由於在上述反應性基α與β之反應後，會殘留未反應之反應性基β，因此可利用後述之交聯劑等調節樹脂特性。
上述具有反應性基β之聚合物較佳為具有上述具有反應性基β之單體成分及作為共聚成分之(甲基)丙烯酸酯成分作為其構成成分。
作為該(甲基)丙烯酸酯，較佳為1種或2種以上(甲基)丙烯酸烷基酯。該(甲基)丙烯酸酯之醇部不具有上述反應性基β。較佳為上述(甲基)丙烯酸 酯之醇部未經取代。
作為此種(甲基)丙烯酸酯，醇部之碳數較佳為1~12。醇部之碳數更佳為1~10，進而較佳為4~10，其中較佳為醇部為分支烷基者，尤佳為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
又，於上述紫外線聚合性聚合物含有多種(甲基)丙烯酸酯成分作為構成成分之情形時，較佳為於該(甲基)丙烯酸酯成分中包含醇部之碳數為1~8之(甲基)丙烯酸酯成分，其中較佳為包含(甲基)丙烯酸乙酯成分。
以下列舉作為上述共聚成分加入至聚合物中之單體之具體例。
-(甲基)丙烯酸之烷基酯-
作為(甲基)丙烯酸之烷基酯，較佳為醇部之碳數為1~12者，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異癸酯等。該等可單獨使用，亦可將2種以上混合使用。藉由將2種以上併用可使之發揮作為黏著劑之各種功能，進而變得可兼顧對於半導體晶圓表面之階差之追隨性及包含防糊劑殘留之非污染性。
-(甲基)丙烯酸之烷基酯以外之單體-
作為(甲基)丙烯酸之烷基酯以外之單體，可列舉乙酸乙烯酯、苯乙烯或(甲基)丙烯醯胺，例如：N,N-二乙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-異丙基丙烯醯胺、N-丙烯醯嗎福啉等。該等可單獨使用，亦可將2種以上混合使用。
上述共聚成分占構成上述具有反應性基β之聚合物的所有單體成分之比例，較佳為5~50莫耳%，更佳為20~40莫耳%。
本發明之上述表面自由能或黏著劑層表面的對於二碘甲烷或水之接觸角可藉由調整紫外線硬化性聚合物及與該聚合物併用之聚合物之種類及含量而自由地控制。
其中，較佳為藉由調整構成紫外線硬化性聚合物之具有反應性基β之單體成分、如(甲基)丙烯酸烷基酯成分之共聚成分、(甲基)丙烯酸成分等之種類及含有比率而進行控制。
例如，於該具有反應性基β之聚合物之該反應性基β為羥基、羧基或胺基(含醯胺基)之情形時，反應性基β可與具有反應性基α及乙烯性不飽和基之化合物進行反應，但使未反應之羥基、羧基、或胺基殘存。又，可藉由於具有反應性基β之聚合物中存在2種反應性基β(例如，羧基與羥基)，並僅使其中一者之一部分(例如僅羥基之一部分)與反應性基α進行反應，而使一者之反應性基(羥基)之一部分與另一者之反應性基(羧基)殘留，從而可根據所殘留之反應性基之種類或量而控制表面自由能或黏著劑層表面相對於水之接觸角。
於此情形時，例如羧基之極性高於羥基或胺基，表面自由能或接觸角會較大地發生變化。
又，例如藉由亦包含由羧基、胺基(含醯胺基)彼此之氫鍵而引起之聚集之偽交聯，凝聚力亦提昇，故而亦可調節對於二碘甲烷之接觸角。
反之，於殘存之反應性基β主要為羥基之情形時，極性未高至羧基之程度，故而對黏著劑層表面之表面自由能或黏著劑層表面相對於水之接觸 角之影響較小，但由於幾乎不形成由羥基彼此引起之偽交聯，故而可於幾乎不影響對於二碘甲烷之接觸角之情況下調整表面自由能。
再者，殘存於紫外線硬化性聚合物中之反應性基β之量亦取決於具有反應性基α之化合物之摻合量，亦可根據後述之交聯劑之種類及摻合量進行調節。即，亦可藉由交聯劑調節黏著劑層表面之表面自由能。
於本發明中，較佳為相對於上述(甲基)丙烯酸聚合物100質量份摻合交聯劑0.1~5質量份。
為了控制黏著劑層之表面自由能之極性成分，本發明之黏著帶較佳為黏著劑層所含之紫外線硬化性聚合物含有羥基、羥基與羧基、或羥基與胺基(含醯胺之基)。其中，較佳為含有羥基與羧基。
構成黏著劑層表面之聚合物之羥值較佳為5~100mgKOH/g，更佳為10~100mgKOH/g，進而較佳為20~100mgKOH/g，尤佳為30~100mgKOH/g。藉由設為該範圍內，可藉由交聯劑控制凝聚力、或藉由不參與交聯之殘留羥基來控制表面自由能。又，構成黏著劑層表面之聚合物之酸值較佳為O~70mgKOH/g，更佳為5~65mgKOH/g，進而較佳為10~65mgKOH/g或5~35mgKOH/g，尤佳為10~35mgKOH/g，最佳為15~35mgKOH/g。其中，較佳為構成黏著劑層表面之聚合物之羥值為10~100mgKOH/g且酸值為5~65mgKOH/g，更佳為聚合物之羥值為20~100mgKOH/g且酸值為10~65mgKOH/g，進而較佳為聚合物之羥值為30~100mgKOH/g且酸值為10~35mgKOH/g，尤佳為聚合物之羥值為30~100mgKOH/g且酸值為15~35mgKOH/g。再者，本發明中，於聚合物之羥值為30~100mgKOH/g之情形時，聚合物之酸值為5~65mgKOH/g(較 佳為5~35mgKOH/g)亦為較佳之態樣。又，構成黏著劑層表面之聚合物中主要具有之酸基較佳為羧基。
上述酸值係以紫外線照射前(硬化前)之聚合物作為試樣，並依據JIS K5601-2-1：1999而測得者。又，羥值係依據JIS K 0070而測得者。
再者，於本說明書中，「羥值」係紫外線照射前(硬化前)之聚合物之固形物成分之羥值，即利用KOH求出醯化所必需之羥基所得之羥值，「酸值」係紫外線照射前(硬化前)之聚合物之固形物成分之酸值，即利用作為中和羧基等酸性基所必需之鹼即KOH所求出之酸值。
上述用於黏著劑層之紫外線硬化性聚合物之重量平均分子量為10000~2000000，較佳為50000~2000000，又，於將該聚合物與其他聚合物併用之情形時，較佳為所併用之聚合物之重量平均分子量亦在上述範圍內。
若上述用於黏著劑層之聚合物之重量平均分子量過大，則有如下之虞：變得難以進行聚合且分散度變高，導致含有低分子量之聚合物，故而凝聚力變低。另一方面，若分子量過小，則聚合物本身之凝聚力會變低，故而容易成為產生糊劑殘留之原因。於本發明之黏著帶中，使用於黏著劑層之聚合物之重量平均分子量較佳為200000~800000。
重量平均分子量係將藉由凝膠滲透層析法(Waters公司製造；商品名：150-C ALC/GPC)對溶解於四氫呋喃而獲得之1%溶液進行測定而得之值以聚苯乙烯換算之重量平均分子量之方式所算出者。
(光聚合起始劑)
本發明之黏著劑層尤佳為含有光聚合起始劑。藉由調整黏著劑層之光聚合起始劑之摻合量可控制交聯後之黏著力。作為此種光聚合起始劑，具體而言，可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆(tetramethylthiuram monosulfide)、偶氮雙異丁腈、二苯偶醯、二乙醯、β-氯蒽醌等。光聚合起始劑通常以相對於具有乙烯性不飽和基之聚合物及具有乙烯性不飽和基之化合物之總量100質量份為0.1~10質量份之比例而使用。藉由對以此方式而形成之紫外線硬化性之黏著劑層照射紫外線，可使接著力大幅降低，從而可容易地將該黏著帶自被黏著體剝離。
(交聯劑)
本發明中，較佳為於黏著劑層含有交聯劑。交聯劑之交聯性基即反應性基較佳為與具有反應性基β之聚合物之反應性基β進行反應之交聯性基。
例如，於具有反應性基β之樹脂之反應性基β為羧基或羥基之情形時，交聯劑之交聯性基即反應性基較佳為環狀之酸酐、異氰酸酯基、環氧基、鹵素原子，更佳為異氰酸酯基或環氧基。
藉由使用此種交聯劑，可根據其摻合量調節具有反應性基β之聚合物之反應性基β之殘存量，從而可將表面自由能控制在所需範圍。
又，藉由使用交聯劑，亦可控制黏著劑層之凝聚力。
作為較佳地使用於上述黏著劑層之交聯劑，可列舉：多元異氰酸酯化合物、多元環氧化合物、多元氮丙啶化合物、螯合化合物等。作為多元異氰酸酯化合物，具體而言，可列舉：甲苯基二異氰酸酯、二苯甲 烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯及該等之加成物型等。
作為多元環氧化合物，可列舉乙二醇二縮水甘油醚、對苯二甲酸二縮水甘油酯丙烯酸酯等。多元氮丙啶化合物可列舉：三-2,4,6-(1-氮丙啶基)-1,3,5-三、三[1-(2-甲基)-氮丙啶基]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸三等。又，作為螯合化合物，可列舉：乙醯乙酸乙酯二異丙醇鋁、三(乙醯乙酸乙酯)鋁等。
又，亦可於本發明所使用之黏著劑中使用分子內具有至少2個以上乙烯性不飽和基之交聯劑，較佳為使用低聚物或聚合物之交聯劑，將交聯劑本身用作紫外線硬化性樹脂。
作為分子內具有至少2個以上乙烯性不飽和基之低分子化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯等。
除此以外，亦可使用丙烯酸胺酯低聚物，具體而言，可廣泛應用使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯(例如，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯)與末端異氰酸酯胺酯預聚物進行反應而獲得者，該末端異氰酸酯胺酯預聚物係使聚酯型或聚醚型等之多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物(例如，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯甲烷4,4-二異氰酸酯等)進行反應而獲得。
交聯劑之含量較佳為相對於構成黏著劑層之聚合物100質量份為0.1~5.0質量份，更佳為0.5~4.0質量份。
(添加劑)
於本發明中，黏著劑層除上述以外亦可含有添加劑。
作為此種添加劑，例如作為用以防止潤濕或者提昇滑動性之添加劑，可列舉聚矽氧丙烯酸酯(例如，聚矽氧二丙烯酸酯、聚矽氧六丙烯酸酯)、紫外線硬化促進劑。又，作為該添加劑，亦可含有作為耐水劑之胺基丙烯酸酯。又，作為該添加劑，亦可含有塑化劑。又，亦可含有用於聚合物之聚合時之界面活性劑。
(儲存彈性模數)
本發明之黏著劑或者黏著劑層之儲存彈性模數並無特別限制，若考慮到糊劑殘留或對凹凸形狀之追隨性，則較佳為紫外線照射前之儲存彈性模數為30000~75000Pa，更佳為35000~60000Pa。經紫外線照射之硬化後(以累計照射量成為500mJ/cm2之方式對黏著劑層整體照射紫外線使之硬化之後)之黏著劑之儲存彈性模數較佳為100000Pa以上。
於本發明之黏著帶中，黏著劑層可為如上述般積層不同組成之2種以上黏著劑而成之多層構造。於黏著劑層為多層構造之情形時，至少將構成黏著劑層之表面之層之構成設為上述黏著劑層之構成(即作為單層構造之黏著劑層之構成進行說明之態樣)。又，較佳為多層構造之黏著劑層之所有層為上述黏著劑層之構成(即作為單層構造之黏著劑層之構成進行說明之態樣)。
(黏著劑層之厚度)
黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為10~300μm，更佳為30~200μm，進而較佳為40~200μm。
又，黏著劑層可根據目的而設置於基材膜之兩面。
為了於基材膜上形成黏著劑層，可如上述般藉由常用方法於基材膜之至少單面塗佈至少1種黏著劑。
(其他層)
於本發明中，可於基材膜與黏著劑層之間視需要而設置底塗層等中間層。
<剝離襯墊>
本發明之黏著帶可於黏著劑層上具有剝離襯墊。作為剝離襯墊，可使用經聚矽氧脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜等。又，亦可視需要使用未經聚矽氧脫模處理之聚丙烯膜等。
<基材膜>
作為用於本發明之基材膜之材質，以保護半導體晶圓免於對背面進行研削加工時之衝擊為主要目的，特別是具有對水洗淨等之耐水性及加工零件之保持性很重要。作為此種基材膜，例如可列舉日本特開2004-186429號公報所記載者。
再者，本發明中使用之基材膜可使用通常於黏著帶中所使用者，例如可列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、離子聚合物等α-烯烴之均聚物或共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑膠、聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等熱塑性彈性體，亦可為混合 有選自該等之群中之2種以上者，或進行多層化而成者。
該等之中，本發明中較佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、丙烯酸胺酯低聚物與丙烯酸異莰酯之共聚物。再者，丙烯酸胺酯低聚物與丙烯酸異莰酯之共聚物可利用如於黏著劑層中說明之光聚合起始劑來對丙烯酸胺酯低聚物及丙烯酸異莰酯進行製造。
又，基材膜較佳為可見光透過性者，進而較佳為紫外線透過性者。又，基材膜之厚度並無特別限定，較佳為50~500μm。若基材膜之厚度為50μm以下，則存在如下情況：於進行製造時，厚度精度容易變差，又，由於剛性較低，故而欠缺晶圓之保持性，引起搬送誤差。反之，若基材膜之厚度超過500μm，則存在如下情況：因研削後之翹曲變大而引起搬送誤差，或因剛性過強而無法膠帶化。基材膜之厚度更佳為80~300μm，進而較佳為100~300μm。
進而，亦可使用使黏著劑進行紫外線硬化而膜化者作為基材膜。例如可使用藉由日本特開平11-343469號公報等之方法所製造者。
<<半導體晶圓及半導體晶圓之加工方法>>
應用本發明之黏著帶之半導體晶圓並無特別限制，可應用於一切形態之半導體晶圓。
使用有本發明之黏著帶之半導體晶圓之加工方法(以下，稱為「本發明之加工方法」)至少包含下述步驟(A)~(D)。
(A)將本發明之黏著帶貼合於半導體晶圓之表面之步驟
(B)對上述半導體晶圓之與本發明之黏著帶之貼合面相反側之表面(晶圓之背面)進行研削之步驟
(C)對本發明之黏著帶照射放射線使本發明之黏著帶硬化之步驟
(D)自上述半導體晶圓將本發明之黏著帶剝離之步驟； 於上述步驟(C)所照射之放射線係指如紫外線之類的光線、或如電子束之類的游離放射線。於上述步驟(C)所照射之放射線較佳為紫外線。上述步驟(C)之放射線之累計照射量較佳設為300~1000mJ/cm2左右。
本發明之黏著帶亦適宜作為於該黏著帶之貼合面具有絕緣層之半導體晶圓用之表面保護膠帶。即，即便於半導體晶圓表面存在包含聚醯亞胺樹脂等之絕緣層，亦可兼顧良好之密合性及良好之剝離性。
又，即便於黏著帶之貼合面具有電極等凸塊，亦可兼顧良好之密合性及良好之剝離性。例如即便電極等凸塊之高度為15μm以上，進而為50μm以上，亦可兼顧良好之密合性及良好之剝離性。上述凸塊之高度於實用上而言，為300μm以下。
又，藉由本發明之加工方法來進行背面研削而成之薄膜半導體晶圓其厚度較佳為20~500μm，更佳為50~200μm。
藉由使用本發明之加工方法，能夠以較高之良率獲得薄膜半導體晶圓。即，本發明之半導體晶圓之加工方法適宜作為薄膜半導體晶圓之製造方法。
[實施例]
以下，基於實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例限定。
實施例1
摻合重量平均分子量3500之丙烯酸胺酯系低聚物(新中村化學工業股 份有限公司製造)50質量份、丙烯酸異莰酯50質量份、及作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)5.0質量份，而獲得紫外線硬化型樹脂組成物。藉由噴塗模嘴(fountain die)方式於作為澆鑄用工程片材之PET膜(Toray股份有限公司製造：厚度38μm)上以厚度成為270μm之方式塗佈所獲得之紫外線硬化型樹脂組成物，而形成樹脂組成物層。於塗佈後立即於樹脂組成物層上進而層壓相同之PET膜，其後使用高壓水銀燈(160W/cm，高度10cm)，於光量500mJ/cm2之條件下進行紫外線照射，藉此使樹脂組成物層交聯、並硬化，從而獲得厚度270μm之基材膜。
摻合甲基丙烯酸1.5mol%、丙烯酸2-乙基己酯64mol%、及丙烯酸2-羥基乙酯34.5mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯18質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：40萬；羥值99.1mgKOH/g；酸值10.5mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)2.5質量份、及作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)5.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為40μm之方式塗佈於已將層壓於上述兩面之PET膜剝離之上述基材膜，並與透明之剝離襯墊(厚度50μm)貼合，而獲得厚度310μm之黏著帶。
<實施例2>
摻合甲基丙烯酸2.0mol%、丙烯酸2-乙基己酯70mol%、及丙烯酸2-羥基乙酯28mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯10質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：50萬；羥值50.8mgKOH/g；酸值10.5mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)0.5質量份、及作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)5.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊(厚度50μm)上，並貼合於厚度100μm之乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<實施例3>
摻合甲基丙烯酸4.0mol%、丙烯酸2-乙基己酯76mol%、及丙烯酸2-羥基乙酯20mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯10質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz AOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：35萬；羥值33.8mgKOH/g；酸值19.9mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)1.5質量份及 TETRAD-X(MITSUBISHI GAS CHEMICAL股份有限公司製造)0.3質量份、及作為光聚合起始劑之Irgacure 651(BASF公司製造)5.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之低密度聚乙烯(LDPE)膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<實施例4>
摻合甲基丙烯酸6.0mol%、丙烯酸乙酯74mol%、及丙烯酸2-羥基乙酯20mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯10質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：70萬；羥值33.7mgKOH/g；酸值33.1mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)0.9質量份、及作為光聚合起始劑之Esacure KIP-150(Lamberte公司製造)5.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊(厚度50μm)上，並貼合於厚度100μm之EVA膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<實施例5>
摻合甲基丙烯酸1.0mol%、丙烯酸2-乙基己酯78mol%、及丙烯酸2 -羥基乙酯21mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯10質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：75萬；羥值33.7mgKOH/g；酸值5.6mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)2.0質量份、及作為光聚合起始劑之Esacure KIP-150(Lamberte公司製造)5.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為150μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊(厚度50μm)上，並貼合於厚度80μm之聚丙烯(PP)膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<實施例6>
摻合甲基丙烯酸1.0mol%、丙烯酸2-乙基己酯78mol%、及丙烯酸2-羥基乙酯21mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯6質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：60萬；羥值55.6nngKOH/g；酸值5.9mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)0.5質量份、及作為光聚合起始劑之Esacure KIP-150(Lamberte公司製造)5.0質量份，而 獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為150μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊(厚度50μm)上，並貼合於厚度150μm之EVA膜，而獲得厚度300μm之黏著帶。
<比較例1>
摻合丙烯酸2-乙基己酯78mol%、丙烯酸2-羥基乙酯21mol%、及甲基丙烯酸1mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得重量平均分子量70萬之聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯10質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：60萬；羥值50.1mgKOH/g；酸值6.1mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry公司製造)1.5質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)3.0質量份、及作為添加劑之Ebecryl 350(DAICEL-ALLNEX公司製造)0.3質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之EVA膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<比較例2>
摻合甲基丙烯酸20mol%、丙烯酸2-乙基己酯30mol%、丙烯酸2-羥基乙酯10mol%、及丙烯酸甲酯40mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得 重量平均分子量60萬之聚合物溶液。該聚合物之羥值為28.1mgKOH/g，酸值為60.8mgKOH/g。
於該聚合物溶液中，相對於該聚合物100質量份摻合作為紫外線反應性樹脂之6官能之丙烯酸胺酯低聚物(新中村化學工業股份有限公司製造)100質量份及3官能之丙烯酸胺酯低聚物(新中村化學工業股份有限公司製造)50質量份、作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)4.0質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)10質量份、及作為添加劑之Ebecryl 350(DAICEL-ALLNEX股份有限公司製造)0.5質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之LDPE(低密度聚乙烯)膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<比較例3>
摻合甲基丙烯酸20mol%、丙烯酸2-乙基己酯30mol%、丙烯酸2-羥基乙酯10mol%、及丙烯酸甲酯40mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得重量平均分子量60萬之聚合物溶液。該聚合物之羥值為33.5mgKOH/g，酸值為48.6mgKOH/g。
於該聚合物溶液中，相對於該聚合物100質量份摻合作為紫外線反應性樹脂之5官能之丙烯酸胺酯低聚物(新中村化學工業股份有限公司製造)100質量份及3官能之丙烯酸胺酯低聚物(新中村化學工業股份有限公司製造)10質量份及2官能之丙烯酸胺酯低聚物(新中村化學工業股份有限公司製造)30質量份、作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry 股份有限公司製造)4.0質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)5質量份、及作為添加劑之Ebecryl 350(DAICEL-ALLNEX股份有限公司製造)0.5質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之LDPE膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<比較例4>
摻合甲基丙烯酸20mol%、丙烯酸2-乙基己酯35mol%、丙烯酸2-羥基乙酯5mol%、及丙烯酸甲酯40mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得重量平均分子量20萬之聚合物溶液。該聚合物之羥值為5.5mgKOH/g，酸值為60.8mgKOH/g。
於該聚合物溶液中，相對於該聚合物100質量份摻合作為紫外線反應性樹脂之6官能之丙烯酸胺酯低聚物(新中村化學工業股份有限公司製造)80質量份及2官能之丙烯酸胺酯低聚物(新中村化學工業股份有限公司製造)20質量份、作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)4.0質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)2.5質量份、及作為添加劑之Ebecryl 350(DAICEL-ALLNEX股份有限公司製造)0.5質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為150μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之LDPE膜，而獲得厚度250μm之黏著帶。
<比較例5>
摻合甲基丙烯酸20mol%、丙烯酸2-乙基己酯60mol%、丙烯酸甲酯20rnol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得重量平均分子量40萬之聚合物溶液。該聚合物之羥值為0mgKOH/g，酸值為48.8mgKOH/g。
於該聚合物溶液中，相對於該聚合物100質量份摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)1.0質量份、及TETRAD-X(MITSUBISHI GAS CHEMICAL股份有限公司製造)1.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之LDPE膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<比較例6>
摻合丙烯酸2-乙基己酯78mol%、丙烯酸2-羥基乙酯21mol%、及甲基丙烯酸1mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得重量平均分子量70萬之聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯5.0質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：70萬；羥值38.0mgKOH/g；酸值6.5mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)1.0質量份、TETRAD-X(MITSUBISHI GAS CHEMICAL股份有限公司製造)0.5質量份、及作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)5.0質量份，而 獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之EVA膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<比較例7>
使丙烯酸2-乙基己酯95質量份、丙烯酸2-羥基乙酯5質量份、作為光自由基產生劑之Irgacure 651(BASF公司製造，50%乙酸乙酯溶液)0.2質量份、及月桂硫醇0.01質量份溶解於乙酸乙酯，而獲得溶液。對該溶液照射紫外線進行聚合，而獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於該溶液之固形物成分100質量份使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)3.5質量份進行反應，而合成重量平均分子量為70萬、羥值為11.1mgKOH/g、酸值為0.9mgKOH/g之含有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸樹脂交聯體即丙烯酸共聚物。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)1.0質量份及作為丙烯酸胺酯低聚物之U-324A(新中村化學工業股份有限公司製造)2.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之EVA膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<比較例8>
使丙烯酸2-乙基己酯95質量份、丙烯酸2-羥基乙酯5質量份、作為 光自由基產生劑之Irgacure 651(BASF公司製造，50%乙酸乙酯溶液)0.2質量份、及月桂硫醇0.01質量份溶解於乙酸乙酯，而獲得溶液。對該溶液照射紫外線進行聚合，而獲得聚合物之乙酸乙酯溶液。進而，相對於該溶液之固形物成分100質量份使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(昭和電工股份有限公司製造，Karenz MOI)3.5質量份進行反應，而合成重量平均分子量為70萬、羥值為12.2mgKOH/g、酸值為0.9mgKOH/g之含有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸樹脂交聯體即丙烯酸共聚物。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製造)1.0質量份、作為丙烯酸胺酯低聚物之U-324A(新中村化學工業股份有限公司製造)2.0質量份及作為填料之SE4050(Admatechs股份有限公司製造)150質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之EVA膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
<比較例9>
摻合甲基丙烯酸2.0mol%、丙烯酸2-乙基己酯71mol%、及丙烯酸2-羥基乙酯27mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得重量平均分子量20萬之聚合物溶液。於溶液中，相對於該聚合物100質量份混合異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯20質量份(昭和電工股份有限公司製造，Karenz AOI)而向羥基導入乙烯性不飽和基，藉此合成含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物(重量平均分子量：30萬；羥值12.3mgKOH/g；酸值7.8mgKOH/g)。
於該含有乙烯性不飽和基之丙烯酸共聚物聚合物中摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)1.5質量份、及作為光聚合起始劑之Irgaeure 184(BASF公司製造)5.0質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為150μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之LDPE膜，而獲得厚度250μm之黏著帶。
<比較例10>
摻合丙烯酸丁酯96mol%、及丙烯酸2-羥基乙酯4mol%，並於溶液中進行聚合，藉此獲得重量平均分子量70萬之聚合物溶液。該聚合物之羥值為16.7mgKOH/g，酸值為0mgKOH/g。
於該聚合物溶液中，相對於該聚合物100質量份摻合作為交聯劑之Coronate L(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)2.5質量份，而獲得黏著劑組成物。
將所獲得之黏著劑組成物以黏著劑之厚度成為130μm之方式塗佈於透明之剝離襯墊上，並將所形成之黏著劑層貼合於厚度100μm之LDPE膜，而獲得厚度230μm之黏著帶。
針對上述實施例及比較例所製作之黏著帶進行以下試驗，並對其性能進行評價。將評價結果記載於下述表1及2。
<測定、分析>
接觸角之測定及表面自由能之算出：
使用雙面膠帶將基材膜之未設置黏著劑層之面固定至表面平坦之晶 圓。
其後，將剝離襯墊剝離，於黏著劑層上將二碘甲烷及純水滴加至互不相同之位置，使用協和化學工業股份有限公司製造之FACE接觸角計CA-S150型對各者之接觸角θ進行測定。
繼而，為了測定羥紫外線照射而硬化之黏著劑層對於二碘甲烷及純水之接觸角，以與上述相同之方法將黏著帶固定至表面平坦之晶圓。然後，使用高壓水銀燈自剝離襯墊側以累計照射量成為500mJ/cm2之方式進行紫外線照射。進行紫外線照射後，放置1小時，其後將剝離襯墊剝離，並將二碘甲烷及純水滴加於互不相同之位置，使用協和化學工業股份有限公司製造之FACE接觸角計CA-S150型對各者之接觸角θ進行測定。
將上述所獲得之接觸角θ之值代入上述<式1>之聯立方程式，算出黏著劑層表面之表面自由能。
羥值：
依據JIS K 0070進行測定。
酸值：
依據JIS K5601-2-1：1999進行測定。
<試驗例1>邊緣隆起之評價
使用日東精機公司製造之DR8500III(商品名)於厚度725μm、直徑8英吋之矽晶圓上形成約10μm厚之聚醯亞胺膜[HD-8820(商品名，HD MicroSystems股份有限公司製造)]，利用藉由O2電漿之蝕刻清潔晶圓表面。將上述實施例及比較例所製作之膠帶貼合於該附聚醯亞胺之晶圓。其後，使用具有線上(inline)機構之研磨機[DISCO股份有限公司製造之DFG8760 (商品名)]進行研削直至厚度變為250μm。對各膠帶實施該作業25次。將研削後之晶圓收納於搬送用之盒，並關閉盒之蓋，以目視觀察邊緣之隆起。
(邊緣部隆起評價基準)
A：25片全部看不到隆起
B：觀察到隆起者為12片以下
C：觀察到隆起者為13片以上
<試驗例2>剝離性試驗
無凸塊之晶圓之剝離性試驗：
將實施例及比較例所製作之黏著帶貼合於以與上述試驗例1相同之方法製備而成的附聚醯亞胺之晶圓之表面。其後，使用具有線上機構之研磨機[DISCO股份有限公司製造之DFG8760(商品名)]進行研削直至厚度變為75μm，使用具有線上機構之貼片機RAD2700(商品名，Lintec股份有限公司製造)自經研削之晶圓將黏著帶剝離。此處，應用感壓型黏著劑之比較例5之黏著帶進行了50℃之加熱剝離。又，應用紫外線硬化性黏著劑之實施例1~6、比較例1~4、6~10之黏著帶係於使用高壓水銀燈以累計照射量成為500mJ/cm2之方式照射紫外線之後進行剝離。
(剝離性評價基準)
A：可將黏著帶全部剝離
B：產生剝離誤差(熱密封接著不良或膠帶切斷)、或無法剝離
附凸塊之晶圓之剝離性試驗：
將上述實施例及比較例所製作之黏著帶貼合於具有高度100μm、凸塊 間距200μm之焊接凸塊之直徑8英吋之附凸塊之矽晶圓、及於高度50μm、凸塊間距100μm之銅柱凸塊進而附7μm之聚醯亞胺膜[HD-8820(商品名，HD MicroSystems股份有限公司製造)]之晶圓之表面。以與上述無凸塊之晶圓相同之方法將附焊接凸塊之晶圓研削至100μm厚，將附銅柱凸塊之晶圓研削至50μm厚，並以與上述無凸塊之晶圓相同之方法自經研削之晶圓將黏著帶剝離。
(剝離性評價基準)
A：可將黏著帶全部剝離
B：產生剝離誤差(因熱密封接著不良或黏著帶切斷而引起之剝離誤差)、或無法剝離
<試驗例3>糊劑殘留評價
利用光學顯微鏡對已於上述試驗例2中將黏著帶剝離之附焊接凸塊之晶圓及附銅柱凸塊之晶圓之晶圓表面進行觀察，並對糊劑殘留之有無進行評價。
(糊劑殘留評價基準)
A：無糊劑殘留
B：於附銅柱凸塊之晶圓或附焊接凸塊之晶圓之任一者有糊劑殘留
C：於附焊接凸塊之晶圓及附銅柱凸塊之晶圓之任一者均有糊劑殘留
<試驗例4>密合性試驗
使用日東精機公司製造之DR8500III(商品名)，於工作臺溫度及輥溫度：常溫(23℃)、貼合壓：0.4MPa之條件下將上述實施例及比較例所製作之黏著帶貼合於具有高度100μm、凸塊間距200μm之焊接凸塊的直徑 8英吋之附凸塊之矽晶圓表面。
以目視對此時之密合性進行確認，調查空氣有無混入黏著帶與晶圓之間。
(密合性之評價基準)
A：貼合後超過48小時亦無空氣混入
B：於貼合後超過24至48小時之間有空氣之混入
C：於剛貼合後~24小時之間有空氣之混入
將結果示於下述表1。
比較例1~4之黏著帶係紫外線(UV)照射後之黏著劑面之表面自由能降低之例。若使用比較例1~4之膠帶，則會變成如下結果：因盒收納而導致之邊緣隆起以較高之機率產生。進而，比較例1~4之黏著帶於剝離性、糊劑殘留及密合性之至少1個評價項目中成為較差之結果。
比較例5及10之黏著帶係使用感壓型黏著劑，結果容易產生邊緣隆起(比較例5)，又，於剝離時產生大量糊劑殘留(比較例5及10)。
比較例6~8之黏著帶係雖然UV照射後之黏著劑面之表面自由能上升但其程度小於本發明所規定之範圍之例。若使用比較例6~8之黏著帶，則變為於剝離後產生糊劑殘留之結果。進而，比較例6~8之黏著帶於邊緣隆起、剝離性及密合性之至少1個評價項目中成為較差之結果。
比較例9之黏著帶之UV照射前之黏著劑之表面自由能為小於本發明所規定之值之值。其結果：自凸塊晶圓之剝離力不足，雖於附焊接凸塊之晶圓未殘留糊劑，但於附聚醯亞胺膜之銅柱凸塊晶圓會殘留糊劑。
相對於此，於使用實施例1~6之黏著帶之情形時，皆無邊緣隆起。又，即便對於具有高度100μm之凸塊之表面亦表現優異之密合性，即便貼合後超過48小時亦未確認有空氣混入。進而，於剝離時，黏著帶不會切斷，亦未產生糊劑殘留。
以上對本發明與其實施態樣一併進行了說明，但只要吾等未特別指定，則說明之任何細微部分均非欲對吾等之發明進行限定，認為應於不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神及範圍之情況下，應做廣範圍地解釋。
本申請案係主張基於2014年10月6日於日本提出專利申請 之日本特願2014-205465之優先權者，本申請案係進行參照並將其內容作為本說明書之記載之一部分而引入本文中。

Claims (9)

  1. 一種附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係於基材膜上具有紫外線硬化性之黏著劑層者，其特徵在於：於該黏著劑層含有重量平均分子量1萬以上且200萬以下並且具有含放射線硬化型碳-碳雙鍵之基、羥基及羧基之(甲基)丙烯酸聚合物；紫外線照射前之該黏著劑層表面之表面自由能為25.5mN/m以上且未達35mN/m；經紫外線照射之硬化後之該黏著劑層之表面與紫外線照射前之該黏著劑層之表面相比，表面自由能高5mN/m以上；經紫外線照射之硬化後之該黏著劑層之表面與紫外線照射前之該黏著劑層之表面相比，對於二碘甲烷之接觸角較小；上述(甲基)丙烯酸聚合物係使具有羥基及羧基之導入放射線硬化型碳-碳雙鍵基前之聚合物與具有放射線硬化型碳-碳雙鍵基之化合物進行反應所獲得之聚合物，且於形成該導入放射線硬化型碳-碳雙鍵基前之聚合物的所有單體成分中，包含(甲基)丙烯酸1mol%~10mol%，構成上述黏著劑層表面之聚合物之羥值為30~100mgKOH/g；構成上述黏著劑層表面之聚合物之酸值為5~65mgKOH/g。
  2. 如申請專利範圍第1項之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述具有放射線硬化型碳-碳雙鍵基之化合物為異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯(2-(meth)acryloyloxyethyl isocyanate)。
  3. 如申請專利範圍第2項之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯之摻合量相對於上述(甲基) 丙烯酸聚合物100質量份為1質量份~20質量份。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，相對於上述(甲基)丙烯酸聚合物100質量份摻合交聯劑0.1~5質量份。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，構成上述黏著劑層表面之聚合物之酸值為10~35mgKOH/g。
  6. 如申請專利範圍第4項之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，構成上述黏著劑層表面之聚合物之酸值為10~35mgKOH/g。
  7. 一種附凸塊之半導體晶圓之加工方法，係使用申請專利範圍第1至6項中任一項之附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶的附凸塊之半導體晶圓之加工方法，其包含下述步驟(A)~(D)：步驟(A)：將上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於附凸塊之半導體晶圓的形成有凸塊之表面；步驟(B)：對上述附凸塊之半導體晶圓之與上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合面相反側之表面進行研削；步驟(C)：對上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶照射紫外線，使上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶硬化；及步驟(D)：自上述附凸塊之半導體晶圓將上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著帶剝離。
  8. 如申請專利範圍第7項之附凸塊之半導體晶圓之加工方法，其中，上述附凸塊之半導體晶圓於與上述附凸塊之半導體晶圓表面保護用黏著 帶之貼合面具有絕緣層。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之附凸塊之半導體晶圓之加工方法，其中，上述凸塊之高度為15μm以上。
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