TW202328242A - 黏著帶及加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種黏著帶，其具備基材、及積層於該基材之至少一面之黏著層，上述黏著層含有具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2級以上之胺基之胺化合物、及光聚合起始劑，上述胺化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為0.1重量份以上，且上述黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。

Description

黏著帶及加工方法
本發明係關於一種黏著帶及使用其之加工方法。
對半導體封裝體或半導體晶圓(以下，亦稱為「被黏著體」)等進行單片化時，將半導體晶圓加工用膠帶貼附於被黏著體，於切晶時對被黏著體進行暫時固定。藉此，可防止單片化時晶片飛濺。又，於切晶後擴開半導體晶圓加工用膠帶，自半導體晶圓加工用膠帶拾取(剝離)經單片化之被黏著體。
作為此種半導體晶圓加工用膠帶，主要使用於對紫外線具有透過性之膜基材上塗佈有利用紫外線照射進行硬化反應之黏著層的黏著帶。對於該紫外線硬化型加工用膠帶，於切晶後對黏著層照射紫外線而進行硬化反應，由此可降低黏著層之黏著力，從而能夠容易地拾取經單片化之被黏著體。
於上述拾取時，利用頂出銷自黏著帶之未與被黏著體接觸之背面頂出經單片化之被黏著體並進行拾取。此時，就高效率地製造高品質之電子零件之觀點而言，要求減少黏著帶於被黏著體上之糊劑殘留，又，即便銷高度較低亦可高產率地進行拾取。
然而，於對被黏著體貼附黏著帶時，若黏著劑對被黏著體之潤濕性不佳，則糊劑不能完全追隨被黏著體之階差部等，會有氣泡進入。如此一來，於照射紫外線時，會由於氧抑制等引起黏著劑之硬化不良，黏著劑有時不會硬化而殘留於被黏著體。又，若對被黏著體之黏著力不足，則於切晶時切削水會浸入被黏著體與黏著帶之間從而污染被黏著體，或進而單片化後之被黏著體會飛散。
對此，可以想到為了補償黏著劑對被黏著體之潤濕性而增加黏著層之厚度、或調配低分子量成分或黏著賦予劑等以提昇黏著力、或降低黏著層之彈性模數以提昇黏著力之方法。然而，於此情形時，有時黏著劑會因切晶時之刀片旋轉所產生之摩擦熱而熔解並被刮起，從而黏著劑碎屑附著於被黏著體。又，若於黏著劑被刮起之狀態下利用紫外線照射進行硬化，則有時經單片化之被黏著體被固定於黏著帶，低銷高度下之拾取變得困難，即便於可拾取之情形時，黏著劑亦無法於與被黏著體之界面處剝離並且其自身發生破裂，黏著劑殘留於被黏著體。
作為抑制此種黏著劑刮起之方法，如專利文獻1般，揭示有一種使用丙烯酸系聚合物與具有3個以上不飽和鍵之胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-013692號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，已知於以上述方式使用丙烯酸系聚合物與具有3個以上不飽和鍵之胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物之情形時，黏著劑之刮起得到抑制，但紫外線照射後之黏著劑會變得過硬。若黏著劑於紫外線照射後變得過硬，則於拾取時利用銷自背面頂出時，會發生硬化後之黏著劑不能追隨膠帶之變形從而破裂之現象。並且，若產生此種糊劑破裂，反而可能引起糊劑殘留。
對此，可以想到藉由向聚合物中導入羧基，並利用羧基之極性，確保與被黏著體之潤濕性。此時，由於若羧基愈多，則黏著力愈上升，潤濕性亦有所提昇，故而可降低晶片飛濺等風險。然而，根據本發明人等之研究可知：若羧基之含量愈多，則於高溫環境中長期保存之情形時，黏著力逐漸下降，潤濕性變差，晶片飛濺等風險上升。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種紫外線照射前之黏著力較高、且紫外線照射後之黏著力較低，並且即便於高溫環境中長期保存之情形時，黏著力之降低亦較少之黏著帶及加工方法。 [解決問題之技術手段]
本發明人等為了解決上述課題而進行了深入研究。其結果，發現藉由使用特定量之具有2級以上之胺基之胺化合物，可解決上述問題，從而完成了本發明。
即，本發明如下所述。 [1] 一種黏著帶，其具備基材、及積層於該基材之至少一面之黏著層， 上述黏著層含有具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2級以上之胺基之胺化合物、及光聚合起始劑， 上述胺化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為0.1重量份以上， 且上述黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。 [2] 如[1]所記載之黏著帶，其中上述胺化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為15重量份以下。 [3] 如[1]或[2]所記載之黏著帶，其中上述胺化合物包括環狀胺化合物。 [4] 如[3]所記載之黏著帶，其中上述環狀胺化合物包括脂環式胺。 [5] 如[3]或[4]所記載之黏著帶，其中上述環狀胺化合物包括1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷或其衍生物。 [6] 如[1]至[5]中任一項所記載之黏著帶，其中上述黏著層之酸值為100 mgKOH/g以下。 [7] 如[1]至[6]中任一項所記載之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物於末端及/或側鏈具有聚合性雙鍵。 [8] 如[1]至[7]中任一項所記載之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物具有下述式(1)所表示之結構單元： [化1] (式中，R 1表示具有聚合性雙鍵之有機基，R 2表示單鍵或碳數1～6之有機基，R 3表示氫原子或甲基)。 [9] 如[1]至[8]中任一項所記載之黏著帶，其中上述黏著層包含異氰酸酯化合物， 該異氰酸酯化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為4.0重量份以下。 [10] 一種加工方法，其包含如下步驟： 貼合步驟，將如[1]至[9]中任一項所記載之黏著帶與被黏著體貼合； 切晶步驟，於上述黏著帶與上述被黏著體貼合之狀態下，對上述被黏著體進行加工； 紫外線照射步驟，對該切晶步驟後之黏著帶照射紫外線； 上述被黏著體為半導體晶圓、半導體元件或各種半導體封裝體。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種紫外線照射前之黏著力較高、且紫外線照射後之黏著力較低，並且即便於高溫環境中長期保存之情形時黏著力之降低亦較少之黏著帶及加工方法。
以下，對本發明之實施方式(以下，稱為「本實施方式」)詳細地進行說明，但本發明並非限定於此，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變化。
再者，於本實施方式中，「(甲基)丙烯酸基」係指甲基丙烯酸基與丙烯酸基兩者。又，「單體」係指聚合前之化合物，「結構單元」係指聚合物中之某個單體之重複單元。
1.黏著帶 本實施方式之黏著帶具備基材、及積層於該基材之至少一面之黏著層，黏著層含有具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物(以下，亦稱為「(甲基)丙烯酸系聚合物A」)、具有2級以上之胺基之胺化合物(以下，亦稱為「胺化合物B」)、及光聚合起始劑，胺化合物B之含量相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份為0.1重量份以上，且黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。
來自黏著帶之黏著層中所存在之基質聚合物之羧基可具有提昇對被黏著體之潤濕性、並提昇紫外線照射前之黏著力之功能。然而，已知黏著帶若於高溫環境中長期保存，則會發生羧基之氧化、酯化、縮合等反應，由此，存在來自羧基而發揮出之黏著性會隨時間下降之問題。
對此，於本實施方式中，將具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物A與特定量之具有2級以上之胺基之胺化合物B併用，藉此可使紫外線照射前之黏著力較高、紫外線照射後之黏著力較低，並且即便於高溫環境中長期保存之情形時亦可抑制黏著力之降低。認為其原因在於胺化合物B之胺基配位於(甲基)丙烯酸系聚合物A之羧基，造成黏著性隨時間經過而降低之羧基之反應得到抑制，但作用機理並不限定於此。以下，對本實施方式之黏著帶詳細地進行說明。
1.1.基材 作為構成基材之材料，並無特別限制，例如，可例舉利用金屬離子將聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等交聯而成之離子聚合物樹脂。構成基材之材料可單獨使用其等中之1種，亦可併用2種以上。又，基材可為由此種材料構成之複數層積層體。
基材之厚度較佳為10～500 μm，更佳為50～200 μm，進而較佳為70～150 μm。藉由使基材之厚度在上述範圍內，而具有操作性進一步提昇，且成本進一步降低之傾向。此處，基材之厚度，於基材由複數層構成之情形時，係指其總厚度。
對於基材，為了提昇其與黏著層之密接性，可視需要於黏著層所接觸之面實施化學性或物理性之表面處理。作為上述表面處理，例如可例舉電暈處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露及離子化輻射處理等。
1.2.黏著層 黏著層係積層於基材之至少一面之層，含有具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物A、具有2級以上之胺基之胺化合物B、及光聚合起始劑，視需要可包含異氰酸酯化合物或其它成分。
1.2.1.酸值 黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上，較佳為20～120 mgKOH/g，更佳為25～100 mgKOH/g，進而較佳為30～80 mgKOH/g。藉由使黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上，從而紫外線照射前之黏著力進一步提昇。又，藉由使黏著層之酸值為120 mgKOH/g以下，而具有各成分之相容性進一步提昇，又，紫外線照射後之黏著力進一步降低之傾向。又，藉由使紫外線照射後之黏著力降低，而具有晶片之拾取效率進一步提昇之傾向。黏著層之酸值可藉由下述之(甲基)丙烯酸系聚合物A或胺化合物B之使用量進行調整。又，黏著層之酸值可藉由實施例中記載之方法進行測定。
1.2.2.厚度 黏著層之厚度較佳為1.0～250 μm，更佳為2.0～50 μm，進而較佳為4.0～40 μm。藉由使黏著層之厚度為1.0 μm以上，而具有黏著力進一步提昇，藉由擴開而分割成之半導體之晶片飛散得到抑制之傾向。又，藉由使黏著層之厚度為250 μm以下，而具有成本進一步降低之傾向。
再者，作為半導體晶圓加工用黏著帶使用時之黏著帶之總厚度較佳為60～250 μm，更佳為70～200 μm，進而較佳為70～180 μm。
1.2.3.具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物 具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物A有助於提昇紫外線照射前之黏著力，並降低紫外線照射後之黏著力。(甲基)丙烯酸系聚合物A可單獨使用1種，亦可併用2種以上。再者，本實施方式之黏著層除具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物A以外，亦可視需要進而包含不具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物。
(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合形態並無特別限制，例如可例舉均聚物、無規共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。又，(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合形狀並無特別限定，例如可例舉直鏈狀聚合物、支鏈狀聚合物或交聯狀聚合物。具有交聯狀或支鏈狀之聚合物可為具有直鏈形狀之聚合物之部分聚合性雙鍵藉由老化等鍵結而成者。
(甲基)丙烯酸系聚合物A之含量相對於黏著層之總量較佳為60～99質量%，更佳為70～99質量%，進而較佳為80～98質量%。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之含量在上述範圍內，而具有紫外線照射前之黏著力進一步提昇，紫外線照射後之黏著力進一步降低之傾向。
1.2.3.1.結構單元 於(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有之結構單元中，除來自(甲基)丙烯酸或作為其衍生物之(甲基)丙烯酸系單體之結構單元以外，亦可包含來自具有可與(甲基)丙烯酸系單體共聚之聚合性雙鍵之單體的結構單元。
作為(甲基)丙烯酸系聚合物A，只要為將(甲基)丙烯酸系單體作為基本單元聚合而成、且末端及/或側鏈具有羧基者即可，並無特別限制。又，(甲基)丙烯酸系聚合物A亦可於末端及/或側鏈包含除羧基以外之反應性官能基。作為此種反應性官能基，並無特別限定，例如可例舉如羥基、環氧基、乙烯基、(甲基)丙烯醯基之包含聚合性雙鍵之官能基等。
作為構成(甲基)丙烯酸系聚合物A之結構單元之單體，並無特別限定，例如可例舉含脂肪族基單體、含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體。其中，更佳為含脂肪族基單體與含羧基單體。
作為含脂肪族基單體，並無特別限制，例如可例舉具有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基及十二烷基等直鏈或支鏈之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。該等含脂肪族基單體可單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。
作為含脂肪族基單體所具有之結構單元，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A之總量，較佳為55～95重量份，更佳為65～90重量份，進而較佳為75～85重量份。藉由使含脂肪族基單體所具有之結構單元之含量在上述範圍內，而具有紫外線照射前之黏著力進一步提昇，且紫外線照射後之黏著力進一步降低，即便於高溫環境中長期保存之情形時黏著力之降低亦得到抑制之傾向。
作為含羧基單體，並無特別限制，例如可例舉丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸及丁烯酸等。該等含羧基單體可單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。
作為含羧基單體所具有之結構單元，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A之總量，較佳為5～45重量份，更佳為10～35重量份，進而較佳為15～25重量份。藉由使含羧基單體所具有之結構單元之含量在上述範圍內，而具有紫外線照射前之黏著力進一步提昇，且紫外線照射後之黏著力進一步降低，即便於高溫環境中長期保存之情形時黏著力之降低亦得到抑制之傾向。
作為酸酐單體，並無特別限定，例如可例舉順丁烯二酸酐或衣康酸酐等。該等酸酐單體可單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。
作為含羥基單體，並無特別限定，例如可例舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸1-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂基酯及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。該等含羥基單體可單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。
作為含磺酸基單體，並無特別限定，例如可例舉苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。該等含磺酸基單體可單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。
作為含磷酸基單體，並無特別限定，例如可例舉2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等。
又，(甲基)丙烯酸系聚合物A較佳為於末端及/或側鏈具有聚合性雙鍵，更佳為具有下述式(1)所表示之結構單元作為於側鏈導入有聚合性雙鍵之結構單元。藉此，聚合起始劑可藉由紫外線照射進行(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合反應。藉由進行此種(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合反應，而具有紫外線照射後之黏著力降低，對被黏著體之污染進一步減少之傾向。 [化2] (式中，R 1表示具有聚合性雙鍵之有機基，R 2表示單鍵或碳數1～6之有機基，R 3表示氫原子或甲基)
作為R 1所表示之具有聚合性雙鍵之有機基，並無特別限定，例如可例舉-CH 2OC(＝O)C(＝CH 2)CH 3、-CH 2OC(＝O)C(＝CH 2)H。此種R 1所表示之基例如可例舉對羧基加成具有聚合性雙鍵之環氧化合物後之殘基。
作為R 2所表示之碳數1～6之有機基，並無特別限定，例如可例舉直鏈、支鏈或環狀之烷基、伸烷氧基等。
作為R 2為單鍵之情形，例如可例舉對來自丙烯酸或甲基丙烯酸之結構單元加成具有聚合性雙鍵之環氧化合物而得之結構單元。
如式(1)所表示之結構單元般，為使(甲基)丙烯酸系聚合物A之側鏈具有聚合性雙鍵，可例舉使具有聚合性雙鍵之改質劑與導入聚合性雙鍵前之(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有的來自含羧基單體之結構單元之羧基、來自酸酐單體之結構單元之酸酐基或來自含羥基單體之結構單元之羥基反應之方法。
例如，藉由使作為改質劑之具有聚合性雙鍵之環氧化合物與(甲基)丙烯酸系聚合物A反應，可經由酯鍵向來自含羧基單體之結構單元中導入聚合性雙鍵。又，作為其它例，藉由使作為改質劑之具有聚合性雙鍵之異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸系聚合物A反應，可經由醯胺鍵向來自含羧基單體之結構單元中導入聚合性雙鍵。
再者，作為改質劑，只要為具有與(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有之官能基反應之官能基且具有聚合性雙鍵者即可，並無特別限制，例如，可例舉具有聚合性雙鍵之環氧化合物、具有聚合性雙鍵之異氰酸酯化合物等。
作為如式(1)所表示之導入有聚合性雙鍵之結構單元之含量，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A之總量，較佳為2.5～25質量%，更佳為5.0～20質量%，進而較佳為7.5～15質量%。
又，作為導入有聚合性雙鍵之結構單元之含量，相對於構成(甲基)丙烯酸系聚合物A之結構單元之總量，較佳為15～95莫耳%，亦可為30～85莫耳%、45～80莫耳%。
藉由使導入有聚合性雙鍵之結構單元之含量為2.5質量%以上或15莫耳%以上，而使紫外線照射後之黏著力進一步降低，利用紫外線照射充分進行(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合性雙鍵之交聯反應，並利用硬化收縮減少與被黏著體之接觸面積，由此具有黏著力充分降低之傾向。藉此，能夠容易地剝離，因此具有拾取性能進一步提昇之傾向。又，即便於如黏著層殘存有未聚合之單體之情形時，亦有可能於紫外線照射時能夠與(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵反應，具有糊劑殘留得到抑制之傾向。進而，由於羧基相對變少，故而具有即便於高溫環境中長期保存之情形時黏著力之降低亦得到抑制之傾向。
又，由於藉由使導入有聚合性雙鍵之結構單元之含量為25質量%以下或95莫耳%以下，而使羧基相對增多，故而具有紫外線照射前之黏著力進一步提昇之傾向。又，可抑制過度之交聯，因此具有抑制黏著層無法承受拾取時之銷之頂起所導致之黏著帶變形而破裂成銷之形狀、或由此產生糊劑殘留之傾向。
又，作為具有羧基之結構單元之含量，相對於構成(甲基)丙烯酸系聚合物A之結構單元之總量，較佳為5～85莫耳%，亦可為15～70莫耳%、25～55莫耳%。
又，(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵當量較佳為500～2500 g/mol，更佳為800～2000 g/mol，進而較佳為1000～1800 g/mol。
藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵當量為500 g/mol以上，而使羧基相對增多，因此具有紫外線照射前之黏著力進一步提昇之傾向。又，可抑制過度之交聯，因此具有抑制黏著層無法承受拾取時之銷之頂起所導致之黏著帶變形而破裂成銷之形狀、或由此產生糊劑殘留之傾向。
又，藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵當量為2500 g/mol以下，而利用紫外線照射充分進行(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合性雙鍵之交聯反應，並利用硬化收縮減少與被黏著體之接觸面積，由此具有黏著力充分降低之傾向。藉此，能夠容易地剝離，因此具有拾取性能進一步提昇之傾向。又，即便於如黏著層殘存有未聚合之單體之情形時，亦有可能於紫外線照射時能夠與(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵反應，具有糊劑殘留得到抑制之傾向。進而，由於羧基相對變少，故而即便於高溫環境中長期保存之情形時，亦具有黏著力之降低得到抑制之傾向。
本說明書中記載之「雙鍵當量」係依據「化學製品之酸值、皂化值、酯值、碘值、羥值及不皂化物之試驗方法」(JIS K 0070)」，測定碘值並求出雙鍵量而得者。具體而言，向試樣中添加一氯化碘溶液而使其加成至雙鍵，用硫代硫酸鈉溶液對過量之I進行滴定，利用下式求出。 A＝{(B－C)×f×1.269}/S A：碘值 B：空白試驗中使用之硫代硫酸鈉溶液之量(mL) C：滴定中使用之硫代硫酸鈉溶液之量(mL) f：硫代硫酸鈉溶液之因數 S：試樣之質量(g)
再者，為使末端具有聚合性雙鍵，可例舉利用具有聚合性雙鍵之化合物對(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合起始末端及/或聚合終止末端中之任一者進行改性之方法。
又，(甲基)丙烯酸系聚合物A之酸值較佳為10～1000 mgKOH/g，亦可為20～500 mgKOH/g、30～250 mgKOH/g、30～100 mgKOH/g。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之酸值為10 mgKOH/g以上，而具有紫外線照射前之黏著力進一步提昇之傾向。又，藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之酸值為1000 mgKOH/g以下，而具有各成分之相容性進一步提昇，又，紫外線照射後之黏著力進一步降低之傾向。
1.2.3.2.重量平均分子量 (甲基)丙烯酸系聚合物A之重量平均分子量較佳為1.0×10 5～2.0×10 6，更佳為2.0×10 5～1.0×10 6，進而較佳為2.5×10 5～8.0×10 5。
藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之重量平均分子量為1.0×10 5以上，而使高分子量成分增多，除此以外，分子量愈高，則1個(甲基)丙烯酸系聚合物A經由聚合性雙鍵與其它(甲基)丙烯酸系聚合物A聚合之機會愈多，由此具有污染進一步降低之傾向。
由於藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之重量平均分子量為2.0×10 6以下，而使(甲基)丙烯酸系聚合物A容易移動，1個(甲基)丙烯酸系聚合物A與其它(甲基)丙烯酸系聚合物A聚合之機會增多，故而具有污染進一步降低之傾向。又，分子量愈小，則黏著劑之彈性模數愈低，具有黏著力進一步提昇之傾向。又，由於對被黏著體之追隨性變良好，亦可追隨被黏著體之階差，故而可避免氧抑制所引起之紫外線硬化不良導致之污染。進而，由於柔軟之黏著劑容易利用紫外線照射充分地進行硬化收縮，故而可充分地降低硬化後之黏著力，因此具有拾取性亦進一步提昇之傾向。
本說明書中記載之「重量平均分子量」係使用凝膠滲透層析法分析裝置，根據標準聚苯乙烯換算之分子量之校準曲線，對(甲基)丙烯酸系聚合物A溶解於四氫呋喃中而得之試樣進行測定而獲得之分子量。
1.2.3.3玻璃轉移點 (甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點較佳為-80～23℃，更佳為-70～10℃，進而較佳為-60～0℃。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點為-80℃以上，而具有污染進一步降低之傾向。又，藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點為23℃以下，而具有對被黏著物之黏著性進一步提昇之傾向。(甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點可基於JIS K7121利用示差掃描熱測定法(DSC法，Differential Scanning Calorimetry)進行測定。
1.2.4.具有2級以上之胺基之胺化合物 關於具有2級以上之胺基之胺化合物B，藉由對來自(甲基)丙烯酸系聚合物A之羧基進行配位，可抑制羧基之氧化、酯化、縮合等反應，可抑制黏著性隨時間經過而降低。再者，本實施方式之黏著層中，除具有2級以上之胺基之胺化合物B以外，亦可視需要進而包含1級之胺化合物。
胺化合物B所具有之胺基為2級以上，較佳為2～3級。相較於僅使用1級之胺化合物之情形，藉由使用具有2級以上之胺基之胺化合物B，使胺化合物B中之胺基更容易與(甲基)丙烯酸系聚合物A中之羧基配位，可顯著表現出抑制高溫保存時之黏著力降低之效果。
作為胺化合物B，並無特別限定，例如可例舉鏈狀胺或環狀胺。其中，較佳為環狀胺。藉由使用此種胺化合物B，使胺化合物B中之氮原子更容易與(甲基)丙烯酸系聚合物之羧基配位，具有高溫保存時之黏著力之降低進一步得到抑制之傾向。
作為鏈狀胺，並無特別限定，例如可例舉二丁胺、二異丁胺、二己胺、二辛胺、雙(2-乙基己基)胺、二苯胺、N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、三丙胺、三丁胺、三異丁胺、三己胺、三辛胺、三(2-乙基己基)胺。
作為環狀胺，可例舉脂環族胺與芳香族胺。作為脂環族胺，並無特別限定，例如可例舉：吡咯啶、哌啶、𠰌啉、咪唑啉；哌𠯤、高哌𠯤、1-甲基哌𠯤、2-甲基哌𠯤、1-乙基哌𠯤、1,4-二乙基哌𠯤、1-(2-胺基乙基)哌𠯤等哌𠯤系化合物；丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸、雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸、甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基酯、甲基丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基酯、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)己烷-1,6-二胺、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)丁基(3,5-2-第三丁基-4-羥基苄基)丙二酸等哌啶基系化合物；1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、2-甲基-1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-醇、2-氯-1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2,5-二甲醇、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-羧酸、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-羧酸甲酯、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛-2-烯、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛-2,5-二烯、2-丙烯酸1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛基甲酯等1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷系化合物；1,5-二氮雜雙環[3,2,2]壬烷、1,4-二氮雜雙環[3,2,2]壬烷、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]-7-十一烯、1,5-二氮雜雙環[4,3,0]-5-壬烯。
又，作為芳香族胺，並無特別限定，例如可例舉：吡咯、吡啶、嘧啶、吡𠯤；咪唑、2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑等咪唑系化合物；1,3,5-三𠯤、1,3,5-三𠯤-2-胺、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]乙基對稱三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]乙基對稱三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]乙基對稱三𠯤等三𠯤系化合物。
其中，較佳為脂環式胺，更佳為哌啶基系化合物或1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷系化合物，進而較佳為1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷或其衍生物，尤佳為1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇等具有羥基之化合物。此種胺化合物B中，由於氮原子向胺化合物B之外側伸出，故而對羧基之配位性進一步提昇。因此，藉由使用此種胺化合物B，而具有高溫保存時之黏著力之降低進一步得到抑制之傾向。又，藉由具有羥基等，而具有與其它成分之相容性進一步提昇之傾向。
再者，於本實施方式中，「衍生物」係指某化合物之氫原子被取代基取代之化合物。作為取代基，並無特別限定，例如可例舉鹵基、羥基、胺基、硝基、羧基。
胺化合物B所具有之胺基數較佳為1～4個，更佳為1～3個，進而較佳為1～2個。藉由使其成為胺基數在上述範圍內之低分子，而具有對羧基之配位性進一步提昇，高溫保存時之黏著力之降低進一步得到抑制之傾向。
作為胺化合物B之含量，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份，為0.1重量份以上，較佳為0.1～15重量份，更佳為0.5～15.0重量份，進而較佳為0.5～10.0重量份，進而更佳為0.5～5.0重量份。藉由使胺化合物B之含量為0.1重量份以上，胺化合物B對(甲基)丙烯酸系聚合物A之羧基之配位效果得到充分發揮，高溫保存時之黏著力低下進一步得到抑制。又，藉由使胺化合物B之含量為15重量份以下，除紫外線照射前之黏著力進一步提昇以外，亦具有胺化合物B對被黏著體之污染得到抑制之傾向。
1.2.5.光聚合起始劑 藉由對黏著層照射紫外線，光聚合起始劑產生自由基等活性種，由此進行(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合性雙鍵之聚合。藉此，黏著層發生硬化，黏度降低，拾取性進一步提昇。
作為此種光聚合起始劑，並無特別限定，例如可例舉苯烷酮系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、9-氧硫𠮿系光聚合起始劑、芳香族酮類、芳香族鎓鹽化合物、有機過氧化物、硫代化合物(含苯硫基化合物等)、α-胺烷基苯酮化合物、六芳基聯咪唑化合物、酮肟酯化合物、硼酸鹽化合物、𠯤鎓化合物、茂金屬化合物、活性酯化合物、具有碳鹵鍵之化合物及烷基胺化合物。
其中，較佳為苯乙酮、苯乙酮苯偶醯縮酮、1-羥基環己基苯基酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等苯烷酮系光聚合起始劑。藉由使用此種光聚合起始劑，而具有更加適當地進行聚合之傾向。
作為光聚合起始劑之含量，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份，較佳為0.5～10重量份，更佳為0.5～7.5重量份，進而較佳為0.5～5.0重量份。藉由使光聚合起始劑之含量為0.5重量份以上，而具有即便於紫外線之照度或照射量較低之情形時，亦可使黏著層充分地硬化之傾向。又，藉由使光聚合起始劑之含量為10重量份以下，而具有光聚合起始劑污染造成污染之風險降低之傾向。
1.2.6.異氰酸酯化合物 黏著層可包含異氰酸酯化合物。藉此，具有黏著層之凝集力進一步提昇之傾向。異氰酸酯化合物之每分子中之異氰酸基數較佳為2～6個，更佳為2～4個。由於藉由使用此種異氰酸酯化合物，亦可利用異氰酸酯化合物使複數個(甲基)丙烯酸系聚合物A間進行交聯，故而具有黏著層之凝集力進一步提昇之傾向。又，具有基材與黏著層之錨定性亦得到提昇，可獲得更加穩定之黏著特性之傾向。
作為此種異氰酸酯化合物，並無特別限定，例如可例舉：三羥甲基丙烷改性甲苯二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、4,4-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯、亞甲基雙(4-環己基異氰酸酯)等脂環族二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯。異氰酸酯化合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
其中，更佳為三羥甲基丙烷改性甲苯二異氰酸酯。藉由使用此種異氰酸酯化合物，而具有黏著層之凝集力進一步提昇之傾向。
作為異氰酸酯化合物之含量，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份，較佳為4.0重量份以下，更佳為0.05～2.0重量份，進而較佳為0.1～1.5重量份。藉由使異氰酸酯化合物之含量為0.1重量份以上，而具有黏著層之交聯密度進一步提昇，於剝離時產生之凝集破壞進一步得到抑制，由凝集破壞引起之污染亦進一步得到抑制之傾向。又，由於藉由使異氰酸酯化合物之含量為4.0重量份以下，從而交聯密度進一步降低，彈性模數降低，故而具有黏著力進一步提昇之傾向。
1.2.7.其它成分 黏著層可視需要添加黏著賦予劑、交聯延遲劑、抗氧化劑、金屬捕捉劑、紫外線吸收劑、塑化劑、金屬粉末、填料、著色劑等添加劑。
作為黏著賦予劑，並無特別限制，例如可例舉石油系樹脂、萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、芳香族改性萜烯樹脂、苯并呋喃-茚樹脂、天然樹脂松香、改性松香、甘油酯松香、季戊四醇酯松香、酚樹脂、二甲苯樹脂、脂環族系石油樹脂、苯乙烯系樹脂、二環戊二烯樹脂等。
作為交聯延遲劑，並無特別限制，例如可例舉：乙醯丙酮、己烷-2,4-二酮、庚烷-2,4-二酮、辛烷-2,4-二酮等β-二酮類；乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸丙酯、乙醯乙酸丁酯、乙醯乙酸辛酯、乙醯乙酸油酯、乙醯乙酸月桂酯、乙醯乙酸硬脂酯等β-酮酯類；苯甲醯丙酮等。
作為抗氧化劑，並無特別限制，例如可例舉甲基對苯二酚、對苯二酚、2,2-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、兒茶酚、對苯二酚單甲醚、單第三丁基對苯二酚、2,5-二第三丁基對苯二酚、對苯醌、2,5-二苯基-對苯醌、2,5-二第三丁基-對苯醌、苦味酸、檸檬酸、啡噻𠯤、第三丁基兒茶酚、2-丁基-4-羥基苯甲醚、2,6-二第三丁基-對甲酚及4-[[4,6-雙(辛硫基)-1,3,5-三𠯤-2-基]胺基]-2,6二第三丁基苯酚。
1.3.保護膜 本實施方式之黏著帶可具有貼合於黏著層之保護膜以保護黏著層。由於保護膜於使用黏著帶時被剝離，故而較佳為剝離性優異者。作為保護膜，並無特別限制，例如可例舉包含氟樹脂之表面能較低之膜、利用矽酮系剝離劑對聚對苯二甲酸乙二酯之表面進行處理而成之膜等。
1.4.用途 本實施方式之黏著帶可適當地用於半導體晶圓、半導體元件或各種半導體封裝體之加工用途中。半導體晶圓可為形成有電子線路等之未單片化之半導體晶圓。又，半導體元件係指單片化後之各種半導體晶片或包含其之元件，半導體封裝體係指於半導體晶片附接有用以保護其之樹脂、及將半導體晶片與外部連接之連接端子而成者。
2.黏著帶之製造方法 作為黏著帶之製造方法，並無特別限制，可例舉於基材上形成黏著層之方法。
本實施方式之黏著帶之基材可依據周知之技術製造。使基材成形之方法並無特別限定，使用慣用之熔融混練等或各種混合裝置(單軸或雙軸擠出機、輥、班布里混合機、各種捏合機等)以各成分均勻地分散之方式混合上述各種材料，利用T模法、壓延法、充氣法使該混合物成形為基材。較佳為利用厚度精度較高之擠出機使用T模法進行製膜之方法。
本實施方式之黏著帶之黏著層可依據周知之技術製造。使黏著層成形之方法並無特別限定，使上述各種材料溶解於有機溶劑等溶劑中並製成清漆，使用刮塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、凹版塗佈法或淋幕式塗佈法等將其塗佈於保護膜上，藉由去除溶劑而形成黏著層。藉由將其貼合於基材上，而製作黏著帶。
於本實施方式中，於形成黏著層後，可進行老化處理。於老化處理中，於特定溫度下保存所形成之黏著層。溫度條件並無特別限制，較佳為30～50℃，更佳為35～45℃。又，保存時間並無特別限制，較佳為24～150小時，更佳為48～100小時。藉由進行該老化處理，黏著層之黏著力或硬化特性會發生變化。
3.加工方法 本實施方式之加工方法係包含將上述黏著帶與被黏著體貼合之貼合步驟、於黏著帶與被黏著體貼合之狀態下對被黏著體進行加工之切晶步驟、及對切晶步驟後之黏著帶照射紫外線之紫外線照射步驟，且對半導體晶圓、半導體元件或各種半導體封裝體進行加工來製成被黏著體之方法。又，本實施方式之加工方法可視需要具有自紫外線照射後之黏著帶拾取經單片化之晶片之拾取步驟。
貼合步驟只要為將黏著帶之黏著層與被黏著體貼合之步驟即可，並無特別限定。貼合步驟可於常溫常壓下進行，亦可視需要於加溫下或減壓下進行。
基於切晶步驟之單片化方法並無特別限制，可使用先前公知之方法。例如，藉由使用切晶裝置使含有金剛石研磨粒之切晶刀片高速旋轉，可將矽晶圓切割為半導體晶片。
紫外線照射方法並無特別限制，可使用先前公知之方法。例如，使用紫外線照射裝置，對切晶步驟之黏著帶照射紫外線。
其後，拾取方法並無特別限制，可使用先前公知之方法。例如，可使用擴開裝置將紫外線照射後之黏著帶於面方向上拉伸，於使各晶片分離之狀態下使用拾取裝置拾取晶片。 [實施例]
以下，使用實施例及比較例對本發明更具體地進行說明，但本發明並不限定於其等。
(合成例1：丙烯酸系聚合物1) 於乙酸乙酯中，在65℃下使丙烯酸2-乙基己酯82重量份、丙烯酸18重量份、及聚合起始劑(偶氮二異丁腈)0.05重量份共聚24小時，獲得共聚物。
使甲基丙烯酸縮水甘油酯與以如上所述方式獲得之共聚物中之來自丙烯酸之結構單元之羧基反應，獲得於側鏈具有雙鍵之丙烯酸系聚合物1。再者，丙烯酸系聚合物1中，上述共聚物之來自丙烯酸之結構單元100莫耳%中，60莫耳%之結構單元為與甲基丙烯酸縮水甘油酯反應之結構單元，40莫耳%之結構單元為來自丙烯酸之結構單元。
(合成例2：丙烯酸系聚合物2) 於乙酸乙酯中，在65℃下使丙烯酸2-乙基己酯82重量份、丙烯酸18重量份、及聚合起始劑(偶氮二異丁腈)0.05重量份共聚24小時，獲得共聚物。
使甲基丙烯酸縮水甘油酯與以如上所述方式獲得之共聚物中之來自丙烯酸之結構單元之羧基反應，獲得於側鏈具有雙鍵之丙烯酸系聚合物2。再者，丙烯酸系聚合物2中，上述共聚物之來自丙烯酸之結構單元100莫耳%中，45莫耳%之結構單元為與甲基丙烯酸縮水甘油酯反應之結構單元，55莫耳%之結構單元為來自丙烯酸之結構單元。
(合成例3：丙烯酸聚合物5之合成) 於乙酸乙酯中，在65℃下使丙烯酸2-乙基己酯82重量份、丙烯酸18重量份、及聚合起始劑(偶氮二異丁腈)0.05重量份共聚24小時，獲得共聚物。
使甲基丙烯酸縮水甘油酯與以如上所述方式獲得之共聚物中之來自丙烯酸之結構單元之羧基反應，獲得於側鏈具有雙鍵之丙烯酸系聚合物5。再者，丙烯酸系聚合物5中，上述共聚物之來自丙烯酸之結構單元100莫耳%中，80莫耳%之結構單元為與甲基丙烯酸縮水甘油酯反應之結構單元，20莫耳%之結構單元為來自丙烯酸之結構單元。
(實施例1) 向包含50重量份丙烯酸系聚合物1、50重量份丙烯酸系聚合物2之溶液中加入0.2重量份三羥甲基丙烷改性甲苯二異氰酸酯(日本聚胺酯股份有限公司：Coronate L-45E)、2.1重量份光聚合起始劑(2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(BASF公司製造：Omnirad 651))、及有效成分為1.0重量份之胺1(1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇，東曹製造：RZETA，有效成分約33%，使用二丙二醇稀釋)，製備紫外線硬化型樹脂組合物。
將該樹脂組合物以乾燥後之黏著層之厚度為10 μm之方式塗佈於預先實施了離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯保護膜之離型處理面上，在120℃下乾燥1分鐘。其後，將黏著層之表面與預先對需貼合黏著層之表面實施了電暈處理之聚烯烴膜(基材)之電暈處理面貼合，以將黏著劑轉印至基材。在40℃之氛圍中將其老化72小時，獲得黏著帶。
(實施例2) 使用100重量份丙烯酸系聚合物1而不使用丙烯酸系聚合物2，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例3) 使用100重量份丙烯酸系聚合物2而不使用丙烯酸系聚合物1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例4) 使用95重量份丙烯酸系聚合物2、5重量份丙烯酸系聚合物4(聚丙烯酸(富士膠片和光純藥製造，產品名聚丙烯酸 5000))而不使用丙烯酸系聚合物1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例5) 將胺1之使用量設為0.5重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例6) 將胺1之使用量設為10.0重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例7) 使用10.0重量份胺2(甲基丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶酯，ADEKA製造：LA-87)代替胺1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例8) 使用10.0重量份胺3(二辛胺，富士膠片和光純藥製造)代替胺1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例9) 使用90重量份丙烯酸系聚合物2、10重量份丙烯酸系聚合物4而不使用丙烯酸系聚合物1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(實施例10) 使用100重量份丙烯酸系聚合物5而不使用丙烯酸系聚合物1、丙烯酸系聚合物2，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(比較例1) 不使用胺1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(比較例2) 使用10.0重量份作為1級胺之胺4(聚氧丙烯二胺，HUNTMAN製造：JEFFAMINE D-400)代替胺1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
(比較例3) 使用100重量份不含羧基之丙烯酸系聚合物3(Mitsubishi Chemical製造：COPONYLN N-2993)、30重量份不含羧基之丙烯酸系低聚物1(根上工業製造：Artresin UN-904M)代替丙烯酸系聚合物1及丙烯酸聚合物2，除此以外，以與實施例1相同之方式製作黏著帶。
＜黏著層之酸值之測定＞ 利用以下方法，對各實施例及各比較例之黏著帶所具備之黏著層之酸值[mgKOH/g]進行測定。具體而言，首先，稱量1 g用以形成黏著層之樹脂組合物，於錐形燒杯中使該樹脂組合物溶解於30 g四氫呋喃(THF)中，其後，添加2、3滴酚酞。繼而，自滴定管滴加0.1 N之KOH溶液(溶劑：2-丙醇(IPA))而求出中和點，由此計算而得。
＜玻璃轉移點之測定＞ (甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點係依據JIS K7121，利用示差掃描熱測定法(DSC法)測定而得。
＜黏著力＞ 各實施例及各比較例之黏著帶之黏著力係依據JIS Z0237(2009)之180°剝離強度之測定方法(方法1：將膠帶和片材以相對於不鏽鋼試驗板為180°之方式剝離之試驗方法)測定而得。具體而言，使用壓接裝置(輥之質量2 kg)將黏著帶壓接於已洗淨表面之矽晶圓，在溫度23℃、濕度50%之環境中，使用萬能型拉力試驗機(ORIENTEC公司製造 Tensilon 型號：RTG-1210)測定以相對於矽晶圓為180°之方式剝離黏著帶時之180°剝離強度S 0。
又，使用壓接裝置(輥之質量2 kg)將黏著帶壓接於已洗淨表面之矽晶圓，利用高壓水銀燈對黏著帶照射150 mJ/cm 2之紫外線。其後，以與上述相同之方式測定以相對於矽晶圓為180°之方式剝離黏著帶時之180°剝離強度S 1。測定條件如下所示。 (測定條件) 測定模式：拉伸 拉伸速度：300 mm/min 夾頭間距離：50 mm 測定試樣寬度：20 mm
於上述測定條件下，測定紫外線照射前之黏著力與紫外線照射後之黏著力，分別依據下述評估標準進行評估。 (評估標準：紫外線照射前之黏著力) A：8.0 N/20 mm以上 B：4.0 N/20 mm以上且未達8.0 N/20 mm C：未達4.0 N/20 mm (評估標準：紫外線照射後之黏著力) A：未達0.5 N/20 mm B：0.5 N/20 mm以上且未達1.0 N/20 mm C：1.0 N/20 mm以上
＜高溫保存時之黏著力變動率之評估＞ 將各實施例及各比較例之黏著帶於40℃之恆溫機內保存1個月，其後，於23℃、50%RH之氛圍中保存2小時以上，將膠帶溫度調整至23℃，其後利用與上述黏著力相同之方法測定180°剝離強度。並且，計算出保存後之黏著帶之黏著力相對於保存前之黏著帶之黏著力的比作為黏著力之變動率，基於下述評估標準，對高溫保存時之黏著力變動率進行評估。 (評估標準：高溫保存時之黏著力變動率) A：0.90以上 B：0.85以上且未達0.90 C：未達0.85
＜雙鍵當量＞ 雙鍵當量係依據「化學製品之酸值、皂化值、酯值、碘值、羥值及不皂化物之試驗方法」(JIS K 0070)」測定碘值並求出雙鍵量。具體而言，向試樣中添加一氯化碘溶液而使其加成至雙鍵，用硫代硫酸鈉溶液對過量之I進行滴定，利用下式求出。 A＝{(B－C)×f×1.269}/S A：碘值 B：空白試驗中使用之硫代硫酸鈉溶液之量(mL) C：滴定中使用之硫代硫酸鈉溶液之量(mL) f：硫代硫酸鈉溶液之因數 S：試樣之質量(g)
[表1]
   實施例 比較例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3
丙烯酸系聚合物1(酸值38 mgKOH/g) (雙鍵當量 1200 g/mol) [重量份] 50.0 100.0       50.0 50.0 50.0 50.0       50.0 50.0   
丙烯酸系聚合物2(酸值53 mgKOH/g) (雙鍵當量 1600 g/mol) [重量份] 50.0    100.0 95.0 50.0 50.0 50.0 50.0 90.0    50.0 50.0   
丙烯酸系聚合物3(酸值0 mgKOH/g) [重量份]                                     100.0
丙烯酸系聚合物4(酸值779 mgKOH/g) [重量份]          5.0             10.0            
丙烯酸系聚合物5(酸值18 mgKOH/g) (雙鍵當量 900 g/mol) [重量份]                            100.0         
丙烯酸系低聚物1(酸值0 mgKOH/g) [重量份]                                     30.0
胺1(1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇) [重量份] 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 10.0       1.0 1.0       1.0
胺2(LΑ-87) [重量份]                   10.0                  
胺3(二辛胺) [重量份]                      10.0               
胺4(D-400) [重量份]                                  10.0   
異氰酸酯化合物(L-45E) [重量份] 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
光聚合起始劑(Omnirad 651) [重量份] 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1
黏著層酸值 [mgKOH/g] 43.2 36.1 50.3 84.8 43.8 34.4 40.5 40.5 119.3 17.4 44.5 40.5 -
聚合物玻璃轉移點 [℃] -42.0 -42.0 -42.0 -38.0 -42.0 -42.0 -42.0 -42.0 -33.0 -42.0 -42.0 -42.0 -30.0
紫外線照射前之黏著力(對矽晶圓) [N/20 mm] 12.4 8.5 16.8 11.8 13.4 10.7 13.4 13.4 7.8 7.6 13.8 11.8 3.5
評估 A A A A A A A A B B A A C
紫外線照射後之黏著力(對矽晶圓) [N/20 mm] 0.27 0.19 0.33 0.90 0.23 0.24 0.26 0.25 0.88 0.17 0.25 0.30 1.50
評估 A A A B A A A A B A A A C
高溫保存前後之黏著力變動率(在40℃下保存1個月後) (對矽晶圓) [N/20 mm] 12.9 8.9 16.5 10.9 14.1 10.0 12.3 11.7 8.7 7.5 11.2 9.3 3.9
變動率 1.04 1.05 0.98 0.92 1.05 0.93 0.92 0.87 1.12 0.99 0.81 0.79 1.11
評估 A A A A A A A B A A C C A
[產業上之可利用性]
本發明之黏著帶作為半導體晶圓加工用膠帶，尤其是切晶步驟中使用之黏著帶，具有產業上之可利用性。

Claims (10)

  1. 一種黏著帶，其具備基材、及積層於該基材之至少一面之黏著層， 上述黏著層含有具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2級以上之胺基之胺化合物、及光聚合起始劑， 上述胺化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為0.1重量份以上， 且上述黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。
  2. 如請求項1之黏著帶，其中上述胺化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為15重量份以下。
  3. 如請求項1或2之黏著帶，其中上述胺化合物包括環狀胺化合物。
  4. 如請求項3之黏著帶，其中上述環狀胺化合物包括脂環式胺。
  5. 如請求項3或4之黏著帶，其中上述環狀胺化合物包括1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷或其衍生物。
  6. 如請求項1至5中任一項之黏著帶，其中上述黏著層之酸值為100 mgKOH/g以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物於末端及/或側鏈具有聚合性雙鍵。
  8. 如請求項1至7中任一項之黏著帶，其中上述(甲基)丙烯酸系聚合物具有下述式(1)所表示之結構單元： [化1] (式中，R 1表示具有聚合性雙鍵之有機基，R 2表示單鍵或碳數1～6之有機基，R 3表示氫原子或甲基)。
  9. 如請求項1至8中任一項之黏著帶，其中上述黏著層包含異氰酸酯化合物， 該異氰酸酯化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份為4.0重量份以下。
  10. 一種加工方法，其包含如下步驟： 貼合步驟，其將如請求項1至9中任一項之黏著帶與被黏著體貼合； 切晶步驟，其於上述黏著帶與上述被黏著體貼合之狀態下，對上述被黏著體進行加工； 紫外線照射步驟，其對該切晶步驟後之黏著帶照射紫外線； 上述被黏著體為半導體晶圓、半導體元件或各種半導體封裝體。
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