CN118176270A - 粘合带及加工方法 - Google Patents

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CN118176270A CN202280073252.XA CN202280073252A CN118176270A CN 118176270 A CN118176270 A CN 118176270A CN 202280073252 A CN202280073252 A CN 202280073252A CN 118176270 A CN118176270 A CN 118176270A
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Abstract

粘合带，其具备基材和层叠于该基材的至少一面的粘合层，前述粘合层含有具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2级以上的胺基的胺化合物和光聚合引发剂，相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，前述胺化合物的含量为0.1重量份以上，前述粘合层的酸值为10mgKOH/g以上。

Description

粘合带及加工方法
技术领域
本发明涉及粘合带及使用其的加工方法。
背景技术
在将半导体封装体、半导体晶片(以下，也称为“被粘物”)等单片化时，将半导体晶片加工用胶带贴附于被粘物，在划片时临时固定被粘物。由此，在单片化时能够防止芯片飞散。另外，在划片后，使半导体晶片加工用胶带扩展(expanding)，从半导体晶片加工用胶带拾取(剥离)经单片化的被粘物。
作为这样的半导体晶片加工用胶带，主要使用在对紫外线具有透过性的膜基材上涂布有利用紫外线照射而发生固化反应的粘合层的粘合带。在该紫外线固化型的加工用胶带中，通过在划片后对粘合层照射紫外线而使固化反应进行，由此可降低粘合层的粘合力，因此可容易地拾取经单片化的被粘物。
在上述拾取时，从粘合带的不与被粘物接触的背面，用顶起销将单片化的被粘物顶起，进行拾取。此时，从高效地制造高品质的电子部件的观点考虑，要求减少粘合带在被粘物上的残胶、而且即使是低销高度也能够以高收率拾取。
但是，在将粘合带贴附于被粘物时，如果粘合剂对被粘物的润湿性不良，则胶不能完全追随被粘物的台阶部等而产生气泡。如此，在紫外线照射时引起由氧阻聚等导致的粘合剂的固化不良，有时粘合剂在未固化的状态下残留在被粘物上。另外，若对被粘物的粘合力不足，则划片时切削水渗入被粘物与粘合带之间而污染被粘物、或者进而单片化的被粘物飞散。
因此，为补偿粘合剂对被粘物的润湿性，可考虑下述方法：增加粘合层的厚度，或配合低分子量成分、增粘剂等来提高粘合力，或降低粘合层的弹性模量来提高粘合力。然而，在这种情况下，有时粘合剂因由划片时刀片的旋转而产生的摩擦热而熔化、被刮起而导致粘合剂屑附着在被粘物上。另外，若在粘合剂被刮起的状态下利用紫外线照射进行固化，则存在下述情况：经单片化的被粘物被固定在粘合带上，低销高度条件下的拾取变得困难，或者即使能够拾取，在与被粘物的界面处也不能剥离而引起粘合剂自身的破坏，粘合剂残留在被粘物上。
作为抑制这样的粘合剂的刮起的方法，如专利文献1那样，公开了使用丙烯酸系聚合物和具有3个以上不饱和键的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-013692号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，发现了在这样使用了丙烯酸系聚合物和具有3个以上不饱和键的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的情况下，虽然可抑制粘合剂的刮起，但紫外线照射后的粘合剂变得过硬。若在紫外线照射后粘合剂变得过硬，则会产生在拾取时用销从背面上推时固化后的粘合剂不能追随胶带的变形而破裂的现象。而且，若产生这样的胶破裂，则反而有可能成为残胶的原因。
因此，可考虑通过向聚合物中导入羧基并利用羧基的极性而确保与被粘物的润湿性。此时，羧基越多，则粘合力越上升，润湿性也提高，因此能够降低芯片飞散等的风险。但是，通过本申请的发明人的研究发现，羧基的含量越多，则在高温环境下长期保管的情况下粘合力缓缓降低，润湿性恶化，芯片飞散等的风险上升。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的是提供紫外线照射前的粘合力高且紫外线照射后的粘合力低、而且即使在高温环境下长期保管的情况下粘合力的降低也少的粘合带及加工方法。
用于解决课题的手段
本申请的发明人为了解决上述课题而进行了深入研究。结果发现，通过使用规定量的具有2级以上的胺基的胺化合物，可解决上述课题，从而完成了本发明。
即，本发明如下所述。
〔1〕
粘合带，其具备基材和层叠于该基材的至少一面的粘合层，
前述粘合层含有具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2级以上的胺基的胺化合物和光聚合引发剂，
相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，前述胺化合物的含量为0.1重量份以上，
前述粘合层的酸值为10mgKOH/g以上。
〔2〕
如〔1〕所述的粘合带，其中，相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，前述胺化合物的含量为15重量份以下。
〔3〕
如〔1〕或〔2〕所述的粘合带，其中，前述胺化合物包含环状胺化合物。
〔4〕
如〔3〕所述的粘合带，其中，前述环状胺化合物包含脂环式胺。
〔5〕
如〔3〕或〔4〕所述的粘合带，其中，前述环状胺化合物包含1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷或其衍生物。
〔6〕
如〔1〕～〔5〕中任一项所述的粘合带，其中，前述粘合层的酸值为100mgKOH/g以下。
〔7〕
如〔1〕～〔6〕中任一项所述的粘合带，其中，前述(甲基)丙烯酸系聚合物在末端及/或侧链具有聚合性双键。
〔8〕
如〔1〕～〔7〕中任一项所述的粘合带，其中，前述(甲基)丙烯酸系聚合物具有下述式(1)表示的结构单元。
[化学式1]
(式中，R1表示具有聚合性双键的有机基团，R2表示单键或碳原子数1～6的有机基团，R3表示氢原子或甲基。)
〔9〕
如〔1〕～〔8〕中任一项所述的粘合带，其中，前述粘合层包含异氰酸酯化合物，
相对于前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，该异氰酸酯化合物的含量为4.0重量份以下。
〔10〕
加工方法，其具有：
将〔1〕～〔9〕中任一项所述的粘合带与被粘物贴合的贴合工序；
在将前述粘合带与前述被粘物贴合的状态下对前述被粘物进行加工的划片工序；和
向该划片工序后的粘合带照射紫外线的紫外线照射工序，
前述被粘物为半导体晶片、半导体器件或各种半导体封装体。
发明效果
根据本发明，可以提供紫外线照射前的粘合力高且紫外线照射后的粘合力低、而且即使在高温环境下长期保管的情况下粘合力的降低也少的粘合带及加工方法。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式(以下，称为“本实施方式”。)进行详细说明，但本发明并不限定于此，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变形。
需要说明的是，本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯-”，是指“甲基丙烯-”和“丙烯-”这两者。另外，所谓“单体”，是指聚合前的化合物，所谓“结构单元”，是指聚合物中的某种单体的重复单元。
1.粘合带
本实施方式的粘合带具备基材和层叠于该基材的至少一面的粘合层，粘合层含有具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下，也称为“(甲基)丙烯酸系聚合物A”。)、具有2级以上的胺基的胺化合物(以下，也称为“胺化合物B”。)和光聚合引发剂，相对于(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份而言，胺化合物B的含量为0.1重量份以上，粘合层的酸值为10mgKOH/g以上。
来自存在于粘合带的粘合层中的基体聚合物的羧基能具有提高对被粘物的润湿性从而提高紫外线照射前的粘合力的功能。但是，发现了存在如下问题：若将粘合带在高温环境下长期保管，则进行羧基的氧化、酯化、缩合等反应，由此，源自羧基而得以发挥的粘合性经时性地降低。
与此相对，本实施方式中，通过并用具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物A和规定量的具有2级以上的胺基的胺化合物B，从而紫外线照射前的粘合力高，并且紫外线照射后的粘合力低，而且，即使在高温环境下长期保管的情况下，也能够抑制粘合力的降低。认为这是因为胺化合物B的胺基配位于(甲基)丙烯酸系聚合物A的羧基，从而抑制了成为粘合性经时性地降低的重要因素的羧基的反应，但作用机理并不限定于此。以下，对本实施方式的粘合带进行详述。
1.1.基材
作为构成基材的材料，没有特别限制，例如可举出聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物以及利用金属离子将乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等交联而得到的离聚物树脂。构成基材的材料可以单独使用它们中的1种，也可以并用2种以上。另外，基材也可以为由这样的材料得到的多个层的层叠体。
基材的厚度优选为10～500μm，更优选为50～200μm，进一步优选为70～150μm。通过使基材的厚度在上述范围内，从而存在操作性进一步提高、成本进一步降低的倾向。此处，所谓基材的厚度，在基材由多个层构成的情况下，是指其总厚度。
就基材而言，为了提高与粘合层的密合性，可以根据需要以化学或物理方式对供粘合层接触的面实施表面处理。作为上述表面处理，例如可举出电晕处理、铬酸处理、臭氧曝露、火焰曝露、高压电击曝露及离子化放射线处理等。
1.2.粘合层
粘合层是层叠于基材的至少一面的层，并且含有具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物A、具有2级以上的胺基的胺化合物B和光聚合引发剂，根据需要，也可以包含异氰酸酯化合物、其他成分。
1.2.1.酸值
粘合层的酸值为10mgKOH/g以上，优选为20～120mgKOH/g，更优选为25～100mgKOH/g，进一步优选为30～80mgKOH/g。通过使粘合层的酸值为10mgKOH/g以上，从而紫外线照射前的粘合力进一步提高。另外，通过使粘合层的酸值为120mgKOH/g以下，从而存在各成分的相容性进一步提高、而且紫外线照射后的粘合力进一步降低的倾向。另外，由于紫外线照射后的粘合力的降低，存在芯片的拾取效率进一步提高的倾向。粘合层的酸值可以通过后述的(甲基)丙烯酸系聚合物A、胺化合物B的使用量来调整。另外，粘合层的酸值可以利用实施例中记载的方法来测定。
1.2.2.厚度
粘合层的厚度优选为1.0～250μm，更优选为2.0～50μm，进一步优选为4.0～40μm。通过使粘合层的厚度为1.0μm以上，从而存在粘合力进一步提高、抑制通过扩展而被分割的半导体的芯片飞散的倾向。另外，通过使粘合层的厚度为250μm以下，从而存在成本进一步降低的倾向。
需要说明的是，作为半导体晶片加工用粘合带而使用时的粘合带的总厚度优选为60～250μm，更优选为70～200μm，进一步优选为70～180μm。
1.2.3.具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物
具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物A有助于紫外线照射前的粘合力的提高、紫外线照射后的粘合力的降低。(甲基)丙烯酸系聚合物A可以单独使用1种，也可以并用2种以上。需要说明的是，就本实施方式的粘合层而言，除了具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物A之外，还可以根据需要进一步包含不具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物。
(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合形态没有特别限制，例如可举出均聚物、无规共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。另外，(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合形状没有特别限定，例如可举出直链状聚合物、支链状聚合物或交联状聚合物。具有交联状或支链状的聚合物也可以是通过老化等使具有直链形状的聚合物的聚合性双键的一部分键合而得到的聚合物。
相对于粘合层的总量而言，(甲基)丙烯酸系聚合物A的含量优选为60～99质量％，更优选为70～99质量％，进一步优选为80～98质量％。通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的含量在上述范围内，从而存在紫外线照射前的粘合力进一步提高、紫外线照射后的粘合力进一步降低的倾向。
1.2.3.1.结构单元
在(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有的结构单元中，除了来自作为(甲基)丙烯酸或其衍生物的(甲基)丙烯酸系单体的结构单元以外，还可以包含来自具有能与(甲基)丙烯酸系单体共聚的聚合性双键的单体的结构单元。
作为(甲基)丙烯酸系聚合物A，只要是将(甲基)丙烯酸系单体作为基本单元进行聚合而得到的聚合物、并且是在末端及/或侧链具有羧基的聚合物即可，没有特别限制。另外，(甲基)丙烯酸系聚合物A也可以在末端及/或侧链包含除羧基以外的反应性官能团。作为这样的反应性官能团，没有特别限定，例如可举出羟基、环氧基、乙烯基、(甲基)丙烯酰基这样的包含聚合性双键的官能团等。
作为构成(甲基)丙烯酸系聚合物A的结构单元的单体，没有特别限定，例如可举出含脂肪族基团的单体、含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含磺酸基的单体、含磷酸基的单体。其中，更优选含脂肪族基团的单体和含羧基的单体。
作为含脂肪族基团的单体，没有特别限制，例如可举出具有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基及十二烷基等直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。这些含脂肪族基团的单体可以单独使用1种，或者也可以并用2种以上。
相对于(甲基)丙烯酸系聚合物A的总量而言，含脂肪族基团的单体所具有的结构单元优选为55～95重量份，更优选为65～90重量份，进一步优选为75～85重量份。通过使含脂肪族基团的单体所具有的结构单元的含量在上述范围内，从而存在下述倾向：紫外线照射前的粘合力进一步提高，并且紫外线照射后的粘合力进一步降低，即使在高温环境下长期保管的情况下，也可进一步抑制粘合力的降低。
作为含羧基的单体，没有特别限制，例如可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸及巴豆酸等。这些含羧基的单体可以单独使用1种，或者也可以并用2种以上。
相对于(甲基)丙烯酸系聚合物A的总量而言，含羧基的单体所具有的结构单元优选为5～45重量份，更优选为10～35重量份，进一步优选为15～25重量份。通过使含羧基的单体所具有的结构单元的含量在上述范围内，从而存在下述倾向：紫外线照射前的粘合力进一步提高，并且紫外线照射后的粘合力进一步降低，即使在高温环境下长期保管的情况下，也可进一步抑制粘合力的降低。
作为酸酐单体，没有特别限定，例如可举出马来酸酐、衣康酸酐等。这些酸酐单体可以单独使用1种，或者也可以并用2种以上。
作为含羟基的单体，没有特别限定，例如可举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸1-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等。这些含羟基的单体可以单独使用1种，或者也可以并用2种以上。
作为含磺酸基的单体，没有特别限定，例如可举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯及(甲基)丙烯酰基氧基萘磺酸等。这些含磺酸基的单体可以单独使用1种，或者也可以并用2种以上。
作为含磷酸基的单体，没有特别限定，例如可举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等。
另外，(甲基)丙烯酸系聚合物A优选在末端及/或侧链具有聚合性双键，更优选具有下述式(1)表示的结构单元作为在侧链导入有聚合性双键的结构单元。由此，通过紫外线照射，聚合引发剂能够使(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合反应得以进行。通过进行这样的(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合反应，从而存在紫外线照射后的粘合力降低、对被粘物的污染进一步减少的倾向。
[化学式2]
(式中，R1表示具有聚合性双键的有机基团，R2表示单键或碳原子数1～6的有机基团，R3表示氢原子或甲基。)
作为R1表示的具有聚合性双键的有机基团，没有特别限定，例如可举出-CH2OC(＝O)C(＝CH2)CH3、-CH2OC(＝O)C(＝CH2)H。这样的R1表示的基团例如可举出具有聚合性双键的环氧化合物加成至羧基后的残基。
作为R2表示的碳原子数1～6的有机基团，没有特别限定，例如可举出直链、支链或环状的烷基、亚烷基氧基等。
作为R2为单键的情况，例如可举出具有聚合性双键的环氧化合物加成至来自丙烯酸或甲基丙烯酸的结构单元而得到的结构单元。
为了如式(1)表示的结构单元那样使(甲基)丙烯酸系聚合物A的侧链具有聚合性双键，可举出使具有聚合性双键的改性剂、与导入聚合性双键前的(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有的来自含羧基的单体的结构单元的羧基、来自酸酐单体的结构单元的羧酸酐基或来自含羟基的单体的结构单元的羟基反应的方法。
例如，通过使具有聚合性双键的环氧化合物作为改性剂与(甲基)丙烯酸系聚合物A反应，能够经由酯键向来自含羧基的单体的结构单元中导入聚合性双键。另外，作为其他例子，通过使具有聚合性双键的异氰酸酯化合物作为改性剂与(甲基)丙烯酸系聚合物A反应，能够经由酰胺键向来自含羧基的单体的结构单元中导入聚合性双键。
需要说明的是，作为改性剂，只要是具有与(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有的官能团反应的官能团并且具有聚合性双键的改性剂即可，没有特别限制，例如可举出具有聚合性双键的环氧化合物、具有聚合性双键的异氰酸酯化合物等。
相对于(甲基)丙烯酸系聚合物A的总量而言，式(1)所示那样的导入有聚合性双键的结构单元的含量优选为2.5～25质量％，更优选为5.0～20质量％，进一步优选为7.5～15质量％。
另外，相对于构成(甲基)丙烯酸系聚合物A的结构单元的总量而言，导入有聚合性双键的结构单元的含量优选为15～95摩尔％，也可以为30～85摩尔％、45～80摩尔％。
通过使导入有聚合性双键的结构单元的含量为2.5质量％以上或15摩尔％以上，从而存在下述倾向：紫外线照射后的粘合力进一步降低，通过紫外线照射而使(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合性双键的交联反应充分进行，通过固化收缩而使得与被粘物的接触面积减少，从而粘合力充分降低。由此，能够容易地剥离，因此存在拾取性能进一步提高的倾向。另外，即使在粘合层中残存有未聚合的单体这样的情况下，也有可能在紫外线照射时能够与(甲基)丙烯酸系聚合物A的双键反应，存在进一步抑制残胶的倾向。此外，由于羧基相对变少，因此存在下述倾向：即使在高温环境下长期保管的情况下，也可进一步抑制粘合力的降低。
另外，通过使导入有聚合性双键的结构单元的含量为25质量％以下或95摩尔％以下，从而羧基相对变多，因此存在紫外线照射前的粘合力进一步提高的倾向。另外，能够抑制过度的交联，因此存在可抑制粘合层不能耐受拾取时的销的顶起所引起的粘合带的变形而以销的形状破裂、以及由此产生残胶的情况的倾向。
另外，相对于构成(甲基)丙烯酸系聚合物A的结构单元的总量而言，具有羧基的结构单元的含量优选为5～85摩尔％，也可以为15～70摩尔％、25～55摩尔％。
另外，(甲基)丙烯酸系聚合物A的双键当量优选为500～2500g/mol，更优选为800～2000g/mol，进一步优选为1000～1800g/mol。
通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的双键当量为500g/mol以上，从而羧基相对变多，因此存在紫外线照射前的粘合力进一步提高的倾向。另外，能够抑制过度的交联，因此存在可抑制粘合层不能耐受拾取时的销的顶起所引起的粘合带的变形而以销的形状破裂、以及由此产生残胶的情况的倾向。
另外，通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的双键当量为2500g/mol以下，从而存在下述倾向：通过紫外线照射而使(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合性双键的交联反应充分进行，通过固化收缩而使得与被粘物的接触面积减少，从而粘合力充分降低。由此，能够容易地剥离，因此存在拾取性能进一步提高的倾向。另外，即使在粘合层中残存有未聚合的单体这样的情况下，也有可能在紫外线照射时能够与(甲基)丙烯酸系聚合物A的双键反应，存在进一步抑制残胶的倾向。此外，由于羧基相对变少，因此存在下述倾向：即使在高温环境下长期保管的情况下，也可进一步抑制粘合力的降低。
本说明书中记载的“双键当量”是按照“化学制品的酸值、皂化值、酯值、碘值、羟值及不皂化物的试验方法”(JIS K 0070)”测定碘值并求出双键量而得到的值。具体而言，向试样中添加一氯化碘溶液，使其与双键加成，利用硫代硫酸钠溶液对过量的I进行滴定，由下式求出。
A＝{(B-C)×f×1.269}/S
A：碘值
B：空白试验中使用的硫代硫酸钠溶液的量(mL)
C：用于滴定的硫代硫酸钠溶液的量(mL)
f：硫代硫酸钠溶液的因数(factor)
S：试样的质量(g)
需要说明的是，为了使末端具有聚合性双键，可举出利用具有聚合性双键的化合物对(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合开始末端及/或聚合停止末端中的任一者进行改性的方法。
另外，(甲基)丙烯酸系聚合物A的酸值优选为10～1000mgKO H/g，也可以为20～500mgKOH/g、30～250mgKOH/g、30～100mgKOH/g。通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的酸值为10mgKOH/g以上，从而存在紫外线照射前的粘合力进一步提高的倾向。另外，通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的酸值为1000mgKOH/g以下，从而存在各成分的相容性进一步提高、而且紫外线照射后的粘合力进一步降低的倾向。
1.2.3.2.重均分子量
(甲基)丙烯酸系聚合物A的重均分子量优选为1.0×105～2.0×106，更优选为2.0×105～1.0×106，进一步优选为2.5×105～8.0×105。
通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的重均分子量为1.0×105以上，除了高分子量成分变多以外，分子量越高则1个(甲基)丙烯酸系聚合物A与其他(甲基)丙烯酸系聚合物A以聚合性双键聚合的机会越多，因此存在污染进一步减少的倾向。
通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的重均分子量为2.0×106以下，从而(甲基)丙烯酸系聚合物A容易移动，1个(甲基)丙烯酸系聚合物A与其他(甲基)丙烯酸系聚合物A聚合的机会变多，因此存在污染进一步减少的倾向。另外，分子量越小则粘合剂的弹性模量越低，存在粘合力进一步提高的倾向。另外，对被粘物的追随性变好，对被粘物的高低差也能追随，因此能够避免由氧阻聚为原因的紫外线固化不良导致的污染。进而，柔软的粘合剂容易通过紫外线照射而充分固化收缩，因此能够充分降低固化后的粘合力，故而拾取性也存在进一步提高的倾向。
本说明书中记载的“重均分子量”是针对将(甲基)丙烯酸系聚合物A溶解于四氢呋喃而得到的样品，使用凝胶渗透色谱分析装置而由按标准聚苯乙烯换算的分子量的校正曲线测定的分子量。
1.2.3.3.玻璃化转变点
(甲基)丙烯酸系聚合物A的玻璃化转变点优选为-80～23℃，更优选为-70～10℃，进一步优选为-60～0℃。通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的玻璃化转变点为-80℃以上，从而存在污染进一步减少的倾向。另外，通过使(甲基)丙烯酸系聚合物A的玻璃化转变点为23℃以下，从而存在对被粘物的粘接性进一步提高的倾向。(甲基)丙烯酸系聚合物A的玻璃化转变点可以基于JIS K7121，通过差示扫描量热测定法(DSC法)进行测定。
1.2.4.具有2级以上的胺基的胺化合物
具有2级以上的胺基的胺化合物B通过配位于来自(甲基)丙烯酸系聚合物A的羧基，从而能够抑制羧基的氧化、酯化、缩合等反应，能够抑制经时性的粘合性的降低。需要说明的是，就本实施方式的粘合层而言，除了具有2级以上的胺基的胺化合物B之外，还可以根据需要进一步包含伯胺化合物。
胺化合物B所具有的胺基为2级以上，优选为2～3级。通过使用具有2级以上的胺基的胺化合物B，从而与仅使用伯胺化合物的情况相比，胺化合物B中的胺基容易配位于(甲基)丙烯酸系聚合物A中的羧基，显著地表现出抑制高温保管时的粘合力降低的效果。
作为胺化合物B，没有特别限定，例如可举出链状胺、环状胺。其中，优选环状胺。通过使用这样的胺化合物B，从而胺化合物B中的氮原子更容易配位于(甲基)丙烯酸系聚合物的羧基，存在可进一步抑制高温保管时的粘合力降低的倾向。
作为链状胺，没有特别限定，例如可举出二丁基胺、二异丁基胺、二己基胺、二辛基胺、双(2-乙基己基)胺、二苯基胺、N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、三丙基胺、三丁基胺、三异丁基胺、三己基胺、三辛基胺、三(2-乙基己基)胺。
作为环状胺，可举出脂环族胺和芳香族胺。作为脂环族胺，没有特别限定，例如可举出吡咯烷、哌啶、吗啉、咪唑啉；哌嗪、高哌嗪、1-甲基哌嗪、2-甲基哌嗪、1-乙基哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪等哌嗪系化合物；丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、双(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸、双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸、甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基酯、甲基丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基酯、N,N’-双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)己烷-1,6-二胺、双(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)丁基(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)丙二酸等哌啶基系化合物；1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷、2-甲基-1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷-2-醇、2-氯-1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷-2-甲醇、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷-2,5-二甲醇、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷-2-甲酸、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷-2-甲酸甲酯、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛-2-烯、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛-2,5-二烯、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛基甲基-2-丙烯酸酯等1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷系化合物；1,5-二氮杂双环[3,2,2]壬烷、1,4-二氮杂双环[3,2,2]壬烷、1,8-二氮杂双环[5,4,0]-7-十一碳烯、1,5-二氮杂双环[4,3,0]-5-壬烯。
另外，作为芳香族胺，没有特别限定，例如可举出吡咯、吡啶、嘧啶、吡嗪；咪唑、2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2,3-二氢-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑等咪唑系化合物；1,3,5-三嗪、1,3,5-三嗪-2-胺、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]乙基均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]乙基均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]乙基均三嗪等三嗪系化合物。
其中，优选脂环式胺，更优选哌啶基系化合物、1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷系化合物，进一步优选1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷或其衍生物，特别优选1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷-2-甲醇等具有羟基的化合物。就这样的胺化合物B而言，氮原子向胺化合物B的外侧伸出，因此对羧基的配位性进一步提高。因此，通过使用这样的胺化合物B，从而存在可进一步抑制高温保管时的粘合力降低的倾向。另外，通过具有羟基等，从而存在与其他成分的相容性进一步提高的倾向。
需要说明的是，本实施方式中，所谓“衍生物”，是指某个化合物的氢原子被取代基取代而得到的化合物。作为取代基，没有特别限定，例如可举出卤素基、羟基、氨基、硝基、羧基。
胺化合物B所具有的氨基的数量优选为1～4个，更优选为1～3个，进一步优选为1～2个。通过为氨基的数量在上述范围内的低分子，从而对羧基的配位性进一步提高，存在可进一步抑制高温保管时的粘合力降低的倾向。
相对于(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份而言，胺化合物B的含量为0.1重量份以上，优选为0.1～15重量份，更优选为0.5～15.0重量份，进一步优选为0.5～10.0重量份，更进一步优选为0.5～5.0重量份。通过使胺化合物B的含量为0.1重量份以上，可充分发挥胺化合物B向(甲基)丙烯酸系聚合物A的羧基的配位效果，可进一步抑制高温保管时的粘合力降低。另外，通过使胺化合物B的含量为15重量份以下，从而紫外线照射前的粘合力进一步提高，除此之外，还存在进一步抑制由胺化合物B对被粘物造成的污染的倾向。
1.2.5.光聚合引发剂
通过对粘合层进行紫外线照射，从而光聚合引发剂产生自由基等活性种，由此进行(甲基)丙烯酸系聚合物A的聚合性双键的聚合。由此，粘合层固化，粘度降低，拾取性进一步提高。
作为这样的光聚合引发剂，没有特别限定，例如可举出烷基苯基酮系光聚合引发剂、酰基氧化膦系光聚合引发剂、噻吨酮系光聚合引发剂、芳香族酮类、芳香族鎓盐化合物、有机过氧化物、硫代化合物(含有苯硫基的化合物等)、α-氨基烷基苯基酮化合物、六芳基联咪唑化合物、酮肟酯化合物、硼酸盐化合物、吖嗪鎓化合物、茂金属化合物、活性酯化合物、具有碳卤键的化合物以及烷基胺化合物。
其中，优选苯乙酮、苯乙酮苄基缩酮、1-羟基环己基苯基酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等烷基苯基酮系光聚合引发剂。通过使用这样的光聚合引发剂，从而存在更适当地进行聚合的倾向。
相对于(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份而言，光聚合引发剂的含量优选为0.5～10重量份，更优选为0.5～7.5重量份，进一步优选为0.5～5.0重量份。通过使光聚合引发剂的含量为0.5重量份以上，从而存在下述倾向：即使在紫外线的照度或照射量低的情况下，也能够使粘合层充分固化。另外，通过使光聚合引发剂的含量为10重量份以下，从而存在光聚合引发剂成为污染的原因的风险降低的倾向。
1.2.6.异氰酸酯化合物
粘合层可以包含异氰酸酯化合物。由此，存在粘合层的凝集力进一步提高的倾向。每一分子异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的数量优选为2～6个，更优选为2～4个。通过使用这样的异氰酸酯化合物，从而也能够利用异氰酸酯化合物使多个(甲基)丙烯酸系聚合物A之间交联，因此存在粘合层的凝集力进一步提高的倾向。另外，基材与粘合层的锚定性也提高，存在可获得更稳定的粘合特性的倾向。
作为这样的异氰酸酯化合物，没有特别限定，例如可举出三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、4,4-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲撑二异氰酸酯等芳香族二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯、亚甲基双(4-环己基异氰酸酯)等脂环族二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族二异氰酸酯。异氰酸酯化合物可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
其中，更优选三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯。通过使用这样的异氰酸酯化合物，从而存在粘合层的凝集力进一步提高的倾向。
相对于(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份而言，异氰酸酯化合物的含量优选为4.0重量份以下，更优选为0.05～2.0重量份，进一步优选为0.1～1.5重量份。通过使异氰酸酯化合物的含量为0.1重量份以上，从而存在下述倾向：粘合层的交联密度进一步提高，可进一步抑制在剥离时产生的内聚破坏，可进一步抑制起因于内聚破坏的污染。另外，通过使异氰酸酯化合物的含量为4.0重量份以下，从而交联密度进一步降低，弹性模量变低，因此存在粘合力进一步提高的倾向。
1.2.7.其他成分
粘合层可以根据需要添加增粘剂、交联延迟剂、抗氧化剂、金属捕获剂、紫外线吸收剂、增塑剂、金属粉、填料、着色剂等添加剂。
作为增粘剂，没有特别限制，例如可举出石油系树脂、萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、芳香族改性萜烯树脂、香豆酮-茚树脂、天然树脂松香、改性松香、甘油酯松香、季戊四醇酯松香、酚醛树脂、二甲苯树脂、脂环族系石油树脂、苯乙烯系树脂、二环戊二烯树脂等。
作为交联延迟剂，没有特别限制，例如可举出乙酰丙酮、己烷-2,4-二酮、庚烷-2,4-二酮、辛烷-2,4-二酮等β-二酮类；乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸丙酯、乙酰乙酸丁酯、乙酰乙酸辛酯、乙酰乙酸油酯、乙酰乙酸月桂酯、乙酰乙酸硬脂酯等β-酮酯类；苯甲酰丙酮等。
作为抗氧化剂，没有特别限制，例如可举出甲基氢醌、氢醌、2,2-亚甲基-双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、儿茶酚、氢醌单甲醚、单叔丁基氢醌、2,5-二叔丁基氢醌、对苯醌，2,5-二苯基-对苯醌、2,5-二叔丁基对苯醌、苦味酸、柠檬酸、吩噻嗪、叔丁基儿茶酚、2-丁基-4-羟基茴香醚、2,6-二叔丁基对甲酚和4-[[4,6-双(辛硫基)-1,3,5-三嗪-2-基]氨基]-2,6-二叔丁基苯酚。
1.3.保护膜
对于本实施方式的粘合带而言，为了保护粘合层，也可以具有贴合在粘合层上的保护膜。保护膜由于在粘合带的使用时被剥离，因此优选剥离性优异的保护膜。作为保护膜，没有特别限制，例如可举出由氟树脂形成的表面能低的膜、用有机硅系剥离剂对聚对苯二甲酸乙二醇酯的表面进行了处理的膜等。
1.4.用途
本实施方式的粘合带可以优选用于半导体晶片、半导体器件或各种半导体封装体的加工用途。半导体晶片也可以是形成有电子电路等的单片化之前的晶片。另外，半导体器件是指单片化后的各种半导体芯片或包含其的元件，半导体封装体是指在半导体芯片上附加有用于保护其的树脂和连接半导体芯片与外部的连接端子的封装体。
2.粘合带的制造方法
作为粘合带的制造方法，没有特别限制，可举出在基材上形成粘合层的方法。
本实施方式的粘合带的基材可以按照已知的技术制造。将基材成型的方法没有特别限定，使用惯用的熔融混炼等、各种混合装置(单螺杆或双螺杆挤出机、辊、班伯里混炼机、各种捏合机等)将上述各种材料以各成分均匀分散的方式混合，将该混合物用T模法、压延法、吹塑法成型为基材。优选使用厚度精度高的利用挤出机的T模法进行制膜的方法。
本实施方式的粘合带的粘合层可以按照已知的技术制造。将粘合层成型的方法没有特别限定，将上述各种材料溶解于有机溶剂等溶剂中而形成清漆，通过刮刀涂布法、辊涂法、喷涂法、凹版涂布法、棒涂法或帘涂法等将其涂敷在保护膜上，除去溶剂，由此形成粘合层。通过将其贴合在基材上，从而制作粘合带。
在本实施方式中，可以在形成粘合层后进行老化处理。在老化处理中，在规定的温度下保管所形成的粘合层。温度条件没有特别限制，优选为30～50℃，更优选为35～45℃。另外，保管时间没有特别限制，优选为24～150小时，更优选为48～100小时。通过进行该老化处理，粘合层的粘合力、固化特性发生变化。
3.加工方法
本实施方式的加工方法为下述方法，其具有：将上述粘合带与被粘物贴合的贴合工序；在将粘合带与被粘物贴合的状态下对被粘物进行加工的划片工序；和向划片工序后的粘合带照射紫外线的紫外线照射工序，所述方法对作为被粘物的半导体晶片、半导体器件或各种半导体封装体进行加工。另外，本实施方式的加工方法可以根据需要具有从紫外线照射后的粘合带拾取单片化后的芯片的拾取工序。
贴合工序只要是将粘合带的粘合层与被粘物贴合的工序即可，没有特别限定。贴合工序可以在常温常压下进行，根据需要，也可以在加热下、减压下进行。
利用划片工序的单片化方法没有特别限制，可以使用以往已知的方法。例如，通过使用划片装置使含有金刚石磨粒的划片刀片高速旋转，可以将硅晶片切断成半导体芯片。
紫外线照射方法没有特别限制，可以使用以往已知的方法。例如，使用紫外线照射装置向划片工序的粘合带照射紫外线。
然后，拾取方法没有特别限制，可以使用以往已知的方法。例如，可以使用扩展装置将紫外线照射后的粘合带沿面方向拉伸，在使各芯片分离的状态下利用拾取装置拾取芯片。
实施例
以下，使用实施例和比较例更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。
(合成例1：丙烯酸系聚合物1)
使丙烯酸2-乙基己酯82重量份、丙烯酸18重量份和聚合引发剂(偶氮二异丁腈)0.05重量份在乙酸乙酯中于65℃共聚24小时，得到共聚物。
使甲基丙烯酸缩水甘油酯与如上所述地得到的共聚物中的来自丙烯酸的结构单元的羧基反应，得到在侧链具有双键的丙烯酸系聚合物1。需要说明的是，就丙烯酸系聚合物1而言，上述共聚物的来自丙烯酸的结构单元100摩尔％之中，60摩尔％的结构单元为与甲基丙烯酸缩水甘油酯进行了反应的结构单元，40摩尔％的结构单元为来自丙烯酸的结构单元。
(合成例2：丙烯酸系聚合物2)
使丙烯酸2-乙基己酯82重量份、丙烯酸18重量份和聚合引发剂(偶氮二异丁腈)0.05重量份在乙酸乙酯中于65℃共聚24小时，得到共聚物。
使甲基丙烯酸缩水甘油酯与如上所述地得到的共聚物中的来自丙烯酸的结构单元的羧基反应，得到在侧链具有双键的丙烯酸系聚合物2。需要说明的是，就丙烯酸系聚合物2而言，上述共聚物的来自丙烯酸的结构单元100摩尔％之中，45摩尔％的结构单元为与甲基丙烯酸缩水甘油酯进行了反应的结构单元，55摩尔％的结构单元为来自丙烯酸的结构单元。
(合成例3：丙烯酸系聚合物5的合成)
使丙烯酸2-乙基己酯82重量份、丙烯酸18重量份和聚合引发剂(偶氮二异丁腈)0.05重量份在乙酸乙酯中于65℃共聚24小时，得到共聚物。
使甲基丙烯酸缩水甘油酯与如上所述地得到的共聚物中的来自丙烯酸的结构单元的羧基反应，得到在侧链具有双键的丙烯酸系聚合物5。需要说明的是，就丙烯酸系聚合物5而言，上述共聚物的来自丙烯酸的结构单元100摩尔％之中，80摩尔％的结构单元为与甲基丙烯酸缩水甘油酯进行了反应的结构单元，20摩尔％的结构单元为来自丙烯酸的结构单元。
(实施例1)
向包含50重量份丙烯酸系聚合物1和50重量份丙烯酸系聚合物2的溶液中，以有效成分成为1.0重量份的方式加入三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(日本聚氨酯株式会社：Coronate L-45E)0.2重量份、光聚合引发剂(2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(BASF公司制：Omnirad 651))2.1重量份、和胺1(1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷-2-甲醇，TOSOH制：RZETA，有效成分为约33％，用二丙二醇稀释)，制备紫外线固化型的树脂组合物。
将该树脂组合物以干燥后的粘合层的厚度成为10μm的方式涂敷在预先实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯保护膜的脱模处理面上，于120℃干燥1分钟。然后，将粘合层的表面与预先对供粘合层贴合的表面实施了电晕处理的聚烯烃膜(基材)的电晕处理面贴合，使粘合剂转印至基材上。将其在40℃的气氛下老化72小时，得到粘合带。
(实施例2)
不使用丙烯酸系聚合物2，而使用了100重量份丙烯酸系聚合物1，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例3)
不使用丙烯酸系聚合物1，而使用了100重量份丙烯酸系聚合物2，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例4)
不使用丙烯酸系聚合物1，而使用了95重量份丙烯酸系聚合物2、5重量份丙烯酸系聚合物4(聚丙烯酸(FUJIFILM Wako Pure Chemical制，制品名聚丙烯酸5000))，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例5)
使胺1的使用量为0.5重量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例6)
使胺1的使用量为10.0重量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例7)
代替胺1而使用了胺2(甲基丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基酯，ADEKA制：LA-87)10.0重量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例8)
代替胺1而使用了胺3(二辛基胺，FUJIFILM Wako Pure Che mical制)10.0重量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例9)
不使用丙烯酸系聚合物1，而使用了90重量份丙烯酸系聚合物2、10重量份丙烯酸系聚合物4，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(实施例10)
不使用丙烯酸系聚合物1、丙烯酸系聚合物2，而使用了100重量份丙烯酸系聚合物5，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(比较例1)
不使用胺1，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(比较例2)
代替胺1而使用了为伯胺的胺4(聚氧丙烯二胺，HUNTMAN制：Jeffamine D-400)10.0重量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
(比较例3)
代替丙烯酸系聚合物1及丙烯酸系聚合物2而使用了不含羧基的丙烯酸系聚合物3(Mitsubishi Chemical制：COPONYL N-2993)100重量份、和不含羧基的丙烯酸系低聚物1(根上工业制：ART RESIN UN-904M)30重量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作粘合带。
<粘合层的酸值的测定>
通过以下方法测定了各实施例及各比较例的粘合带所具备的粘合层的酸值[mgKOH/g]。具体而言，首先，称量1g用于形成粘合层的树脂组合物，在锥形烧杯中使该树脂组合物溶解于四氢呋喃(TH F)30g中，然后，添加2、3滴酚酞。然后，从滴定管滴加0.1N的KOH溶液(溶剂：2-丙醇(IPA))，求出中和点，由此算出。
<玻璃化转变点的测定>
(甲基)丙烯酸系聚合物A的玻璃化转变点基于JIS K7121，通过差示扫描量热测定法(DSC法)进行测定。
<粘合力>
各实施例及各比较例的粘合带的粘合力依照JIS Z0237(2009)的180°剥离强度的测定方法(方法1：将带及片相对于不锈钢试验板以180°剥离的试验方法)进行测定。具体而言，使用压接装置(辊的质量2kg)将粘合带压接于已清洗过表面的硅晶片，在温度为23℃、湿度为50％的环境下使用万能型拉伸试验机(ORIENTEC公司制Tensilon型号：RTG-1210)测定相对硅晶片以180°将粘合带剥离时的180°剥离强度S0。
另外，使用压接装置(辊的质量为2kg)将粘合带压接于已清洗过表面的硅晶片，利用高压汞灯对粘合带照射150mJ/cm2的紫外线。然后，与上述同样地测定相对硅晶片以180°剥离粘合带时的180°剥离强度S1。测定条件如下所示。
(测定条件)
测定模式：拉伸
拉伸速度：300mm/min
卡盘间距离：50mm
测定样品宽度：20mm
在上述测定条件下测定紫外线照射前的粘合力和紫外线照射后的粘合力，分别根据下述评价基准进行评价。
(评价基准：紫外线照射前的粘合力)
A：8.0N/20mm以上
B：4.0N/20mm以上且小于8.0N/20mm
C：小于4.0N/20mm
(评价基准：紫外线照射后的粘合力)
A：小于0.5N/20mm
B：0.5N/20mm以上且小于1.0N/20mm
C：1.0N/20mm以上
<高温保管时的粘合力变动率的评价>
将各实施例及各比较例的粘合带在40℃的恒温机内保管1个月，然后，在23℃、50％RH气氛下保管2小时以上，将带温度调整为23℃后，通过与上述粘合力同样的方法测定180°剥离强度。然后，算出保管后的粘合带的粘合力与保管前的粘合带的粘合力之比作为粘合力的变动率，基于下述评价基准，对高温保管时的粘合力变动率进行评价。
(评价基准：高温保管时的粘合力变动率)
A：0.90以上
B：0.85以上且小于0.90
C：小于0.85
<双键当量>
就双键当量而言，按照“化学制品的酸值、皂化值、酯值、碘值、羟值及不皂化物的试验方法”(JIS K 0070)”测定碘值并求出双键量。具体而言，向试样中添加一氯化碘溶液，使其与双键加成，利用硫代硫酸钠溶液对过量的I进行滴定，由下式求出。
A＝{(B-C)×f×1.269}/S
A：碘值
B：空白试验中使用的硫代硫酸钠溶液的量(mL)
C：用于滴定的硫代硫酸钠溶液的量(mL)
f：硫代硫酸钠溶液的因数(factor)
S：试样的质量(g)
[表1]
产业上的可利用性
本发明的粘合带作为半导体晶片加工用胶带、特别是划片工序中使用的粘合带具有产业上的可利用性。

Claims (10)

1.粘合带，其具备基材和层叠于该基材的至少一面的粘合层，
所述粘合层含有具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物、具有2级以上的胺基的胺化合物和光聚合引发剂，
相对于所述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，所述胺化合物的含量为0.1重量份以上，
所述粘合层的酸值为10mgKOH/g以上。
2.如权利要求1所述的粘合带，其中，相对于所述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，所述胺化合物的含量为15重量份以下。
3.如权利要求1或2所述的粘合带，其中，所述胺化合物包含环状胺化合物。
4.如权利要求3所述的粘合带，其中，所述环状胺化合物包含脂环式胺。
5.如权利要求3或4所述的粘合带，其中，所述环状胺化合物包含1,4-二氮杂双环[2,2,2]辛烷或其衍生物。
6.如权利要求1～5中任一项所述的粘合带，其中，所述粘合层的酸值为100mgKOH/g以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的粘合带，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物在末端及/或侧链具有聚合性双键。
8.如权利要求1～7中任一项所述的粘合带，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物具有下述式(1)表示的结构单元，
[化学式1]
式(1)中，R1表示具有聚合性双键的有机基团，R2表示单键或碳原子数1～6的有机基团，R3表示氢原子或甲基。
9.如权利要求1～8中任一项所述的粘合带，其中，所述粘合层包含异氰酸酯化合物，
相对于所述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份而言，该异氰酸酯化合物的含量为4.0重量份以下。
10.加工方法，其具有：
将权利要求1～9中任一项所述的粘合带与被粘物贴合的贴合工序；
在将所述粘合带与所述被粘物贴合的状态下对所述被粘物进行加工的划片工序；和
向该划片工序后的粘合带照射紫外线的紫外线照射工序，
所述被粘物为半导体晶片、半导体器件或各种半导体封装体。
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