TW202346388A - 黏著帶及加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種黏著帶，其具有依序積層有基材層、保護層、及黏著層之構造，上述基材層含有離子聚合物樹脂，上述黏著層含有(甲基)丙烯酸系聚合物A及光聚合起始劑，上述黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。

Description

黏著帶及加工方法
本發明係關於一種黏著帶及加工方法。
於對半導體封裝體或半導體晶圓(以下，亦稱作「被黏著體」)等進行單片化等加工時，將半導體晶圓加工用帶件貼附於被黏著體而於切割時暫時固定被黏著體。藉此，能夠防止單片化之晶片飛出。又，於切割後，拉伸半導體晶圓加工用帶件，自半導體晶圓加工用帶件拾取(剝離)經單片化之被黏著體。
作為此種半導體晶圓加工用帶件，主要使用於對紫外線具有透過性之膜基材上塗佈有會因紫外線照射而發生硬化反應之黏著層的黏著帶。於該紫外線硬化型之加工用帶件中，於切割後對黏著層照射紫外線而使硬化反應進行，藉此，能夠使黏著層之黏著力下降，因此，能夠容易地拾取經單片化之被黏著體。
於上述拾取時，自黏著帶之未與被黏著體接觸之背面，藉由頂出銷將經單片化之被黏著體頂出而進行拾取。此時，從高效率地製造高品質之電子零件之觀點而言，要求減少黏著帶於被黏著體之糊劑殘留，又，要求即使是較低之銷高度，亦能以高產率拾取。又，為了使黏著帶追隨被黏著體之階差部等，要求黏著帶對被黏著體之潤濕性較高。
然而，若將黏著帶貼附於被黏著體時黏著劑對被黏著體之潤濕性不良，則糊劑無法完全追隨被黏著體之階差部等而產生氣泡。如此一來，會存在如下情況：於紫外線照射時引起氧抑制等所導致之黏著劑之硬化不良，黏著劑不發生硬化而直接殘留於被黏著體。又，若對被黏著體之黏著力不足，則於切割時切割水會滲入至被黏著體與黏著帶之間而污染被黏著體，或者，進而，經單片化之被黏著體會飛散，等等。
因此，為了補強黏著劑對被黏著體之潤濕性，考慮如下方法：增加黏著層之厚度，或者調配低分子量成分或黏著賦予劑等而提高黏著力，或者降低黏著層之彈性模數而提高黏著力，等等。然而，於此情形時，會存在如下情況：由於切割時刀片旋轉所產生之摩擦熱，黏著劑熔解，被刮起，使得黏著劑碎屑附著於被黏著體。又，若於黏著劑被刮起之狀態下藉由紫外線照射進行硬化，則會存在如下情況：經單片化之被黏著體固定於黏著帶，以較低之銷高度進行拾取變得困難，或者，即使於成功拾取之情形時，亦無法於與被黏著體之界面剝離，會發生黏著劑自身之破裂，黏著劑殘留於被黏著體，等等。
作為解決此種糊劑殘留並提昇拾取性之方法，例如，專利文獻1揭示有一種大量地調配相對較低分子量之紫外線硬化性樹脂成分，使紫外線照射後之黏著力大幅下降之方法。
作為半導體晶圓加工用帶件之基材，例如，有時會如專利文獻2～3所記載，使用包含利用金屬離子所得之交聯結構之離子聚合物樹脂。離子聚合物樹脂與一般基材相比，於對半導體進行加工之溫度附近之彈性模數較低，因此，易於追隨存在階差之被黏著體，能夠抑制晶片飛出或黏著層之硬化不良所引起之糊劑殘留。進而，離子聚合物樹脂即使於如在半導體之加工中般暫時或局部暴露於高溫下之情形時，亦由於具有利用金屬離子所得之交聯結構，而不會如聚烯烴系基材般較大地變形，因此具有例如能夠抑制切割後之毛刺之產生等優點。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2008-13692號公報 專利文獻2：日本專利第5947313號公報 專利文獻3：日本專利第6301987號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於專利文獻1之情形時，由於大量地調配相對較低分子量之紫外線硬化性樹脂成分，紫外線照射後之黏著劑反而變得過硬。因此，存在如下可能性：產生糊劑無法承受拾取時帶件之變形而裂成銷之形狀之現象，成為糊劑殘留之原因。
因此，除了如上所述增加黏著層之厚度，調配低分子量成分或黏著賦予劑等，降低黏著層之彈性模數之類的會增加糊劑殘留風險之方法以外，作為確保對被黏著體之潤濕性之方法，有時會採取將羧基導入至聚合物中，利用羧基之極性之方法。此時，羧基越多，潤濕性越高，越能夠降低晶片飛出等風險。
但是，由本發明人等之研究可知，隨著羧基之含量變多，於在高溫環境下長時間存放之情形時，黏著力逐漸下降，潤濕性變差，晶片飛出等風險上升。作為針對此種現象之對策，有時會減少黏著層中之羧基，但於該情形時，初始黏著力會減小，成為晶片飛出、半導體加工中之水流經污染等之原因。
又，由本發明人等之研究可知，於將離子聚合物作為基材與包含羧基之黏著劑組合使用之情形時，於高溫環境下之黏著力下降變得更加顯著。認為其原因在於：離子聚合物中之金屬離子於高溫環境中移動至黏著層，交聯黏著層中之羧基，因此黏著層硬化，使得黏著力下降。
作為其對策，考慮使用不含金屬離子之聚烯烴系樹脂等作為基材。然而，若使用聚烯烴系樹脂等，則會損壞離子聚合物所具有之上述優點，從降低污染性之觀點而言存在無法應用之情形。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種能夠維持較高之初始黏著力、低污染性，並且抑制於高溫環境中之黏著力之下降之黏著帶及使用其之加工方法。 [解決問題之技術手段]
鑒於上述問題，發明人等潛心研究，結果發現藉由於包含一定濃度以上之羧基(即，含有(甲基)丙烯酸系聚合物，具有規定之酸值)之黏著層與包含離子聚合物樹脂之基材層之間設置保護層，能夠抑制黏著帶於高溫環境中之黏著力之下降，從而完成了本發明。
即，本發明如下所述。 [1] 一種黏著帶， 其具有依序積層有基材層、保護層、及黏著層之構造， 上述基材層含有離子聚合物樹脂， 上述黏著層含有(甲基)丙烯酸系聚合物A及光聚合起始劑， 上述黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。 [2] 如[1]記載之黏著帶，其中 上述保護層含有選自由聚烯烴系聚合物、(甲基)丙烯酸系聚合物、及苯乙烯系聚合物所組成之群中之至少一種。 [3] 如[1]或[2]記載之黏著帶，其中 上述(甲基)丙烯酸系聚合物A包含聚合性雙鍵。 [4] 如[1]至[3]中任一項記載之黏著帶，其中 上述(甲基)丙烯酸系聚合物A具有下述式(1)所示之結構單元： [化1] (式中，R 1表示具有聚合性雙鍵之有機基，R 2表示單鍵或碳數為1～6之有機基，R 3表示氫原子或甲基)。 [5] 如[1]至[4]中任一項記載之黏著帶，其中 上述黏著層進而含有異氰酸酯化合物， 上述異氰酸酯化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份為3重量份以下。 [6] 如[1]至[5]中任一項記載之黏著帶，其中 上述黏著層進而含有胺化合物。 [7] 如[1]至[6]中任一項記載之黏著帶，其中 上述離子聚合物樹脂包含(甲基)丙烯酸系離子聚合物樹脂。 [8] 如[1]至[7]中任一項記載之黏著帶，其中 上述保護層之厚度為0.1～10 μm。 [9] 如[1]至[8]中任一項記載之黏著帶，其中 於將上述黏著帶於40℃下存放一個月之情形時，於將存放前之上述黏著層之黏著力設為F，將存放後之上述黏著層之黏著力設為F'時，比F'/F為0.80以上。 [10] 一種加工方法，其具有： 貼合步驟，其將如[1]至[9]中任一項記載之黏著帶與被黏著體貼合；及 切割步驟，其於將上述黏著帶與上述被黏著體貼合之狀態下，對上述被黏著體進行加工； 上述被黏著體為半導體晶圓、半導體元件、或各種半導體封裝體。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種能夠維持較高之初始黏著力、低污染性，並且抑制於高溫環境中之黏著力之下降之黏著帶及使用其加工方法。
以下，對本發明之實施方式(以下，稱作「本實施方式」)詳細地進行說明。但本發明並不限定於以下實施方式，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變化。
1.黏著帶 本實施方式之黏著帶具有依序積層有基材層、保護層、及黏著層之構造，基材層含有離子聚合物樹脂，黏著層含有(甲基)丙烯酸系聚合物A及光聚合起始劑，黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。
存在於黏著帶之黏著層中之來自基質聚合物之羧基可具有提昇對被黏著體之潤濕性，提昇紫外線照射前之黏著力之功能。然而，得知存在如下問題：若於高溫環境下長期存放基材層中包含離子聚合物樹脂之黏著帶，則黏著層之黏著性經時性地下降。相關理由並無特別限定，但可假定如下：金屬離子自基材層向黏著層移動，與黏著層中之羧基配位，因此，黏著劑彈性模數上升，黏著力下降。
對此，於本實施方式中，於包含離子聚合物樹脂之基材層與具有規定之酸值之黏著層之間設置有保護層。藉此，紫外線照射前之黏著力較高，且紫外線照射後之黏著力較低，並且，即使於在高溫環境下長期存放之情形時，亦能抑制黏著力之下降。認為其原因在於保護層抑制金屬離子自基材層向黏著層之移動，但作用機理並不限定於此。
藉由具有此種構成，根據本實施方式，能夠提供一種初始黏著力、高溫存放時之黏著力穩定性優異，且切割後之半導體晶片能夠容易地剝離，晶片污染風險較低之半導體加工用之黏著帶。
於將黏著帶在40℃下存放一個月之情形時，於將存放前之黏著層之黏著力設為F，將存放後之上述黏著層之黏著力設為F'時，比F'/F較佳為0.80以上，更佳為0.85～2.0，進而較佳為0.90～2.0。藉由使比F'/F處於上述範圍內，高溫存放時之黏著力穩定性呈進一步提昇之趨勢。
以下，對本實施方式之黏著帶詳細地進行說明。
1.1.基材層 基材層含有離子聚合物樹脂。離子聚合物樹脂與一般基材相比，於對半導體進行加工之溫度附近之彈性模數較低，因此，易於追隨存在階差之被黏著體，能夠抑制晶片飛出或黏著層之硬化不良所引起之糊劑殘留。進而，離子聚合物樹脂由於具有利用金屬離子所得之交聯結構，故即使於如在半導體之加工中般暫時或局部暴露於高溫下之情形時，亦能維持形狀之穩定性。與之相對，例如，於聚烯烴系基材之情形時，其會較大地變形，於切割後產生毛刺，等等。
作為離子聚合物樹脂，只要為藉由金屬離子使規定之聚合物分子間鍵結而成者則並無特別限制，例如可例舉：聚烯烴系離子聚合物、(甲基)丙烯酸系離子聚合物、聚苯乙烯系離子聚合物、聚酯系離子聚合物。該等離子聚合物樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。其中，較佳為聚烯烴系離子聚合物及(甲基)丙烯酸系離子聚合物，更佳為(甲基)丙烯酸系離子聚合物。藉由使用此種離子聚合物樹脂，初始黏著力、低污染性、於高溫環境中之黏著力保持性能呈進一步提昇之趨勢。
作為上述聚烯烴系離子聚合物，並無特別限制，例如可例舉：乙烯-甲基丙烯酸鹽共聚物、乙烯-丙烯酸鹽共聚物、乙烯-甲基丙烯酸鹽-丙烯酸酯共聚物等。
作為上述丙烯酸系離子聚合物，並無特別限制，例如可例舉：丙烯酸酯-丙烯酸鹽共聚物、丙烯酸酯-甲基丙烯酸鹽共聚物、甲基丙烯酸酯-丙烯酸鹽共聚物、甲基丙烯酸酯-甲基丙烯酸鹽共聚物等。
作為上述聚苯乙烯系離子聚合物，並無特別限制，例如可例舉：苯乙烯-苯乙烯磺酸鹽共聚物、苯乙烯-丙烯酸鹽共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸鹽共聚物、苯乙烯-苯乙烯羧酸鹽共聚物、苯乙烯-N-甲基-4-乙烯基吡啶鎓鹽共聚物等。
作為上述聚酯系離子聚合物，並無特別限制，例如可例舉：磺基對苯二甲酸鹽-聚對苯二甲酸乙二酯共聚物、磺基間苯二甲酸鹽-聚對苯二甲酸乙二酯共聚物、磺基對苯二甲酸-聚對苯二甲酸丁二酯共聚物、磺基間苯二甲酸-聚對苯二甲酸丁二酯共聚物等。
作為構成上述離子聚合物樹脂之鹽之金屬離子，並無特別限制，例如可例舉鈉離子或鋰離子等一價金屬離子，鋅離子或鈣離子、鎂離子等二價金屬離子，鋁離子等三價金屬離子等，較佳為鋅離子。離子聚合物樹脂中之聚合物及金屬離子可基於聚合物中之離子性官能基及金屬離子之價數任意地組合使用。
基材層亦可視需要包含公知之塑化劑、熱穩定劑、著色劑、有機系潤滑劑、無機系潤滑劑、界面活性劑、加工助劑等其他添加劑。
基材層中之離子聚合物樹脂之含量相對於基材層整體，較佳為80重量%以上，更佳為85重量%以上。藉由使離子聚合物樹脂之含量處於上述範圍內，呈能夠進一步提高對被黏著體之追隨性，又，進一步降低切割時之毛刺產生風險之趨勢。離子聚合物樹脂之含量之上限值並無特別限定，例如為100重量%或95重量%。
作為構成基材層之除離子聚合物樹脂以外之材料，並無特別限制，例如可例舉：聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物。基材層亦可為離子聚合物樹脂與該等樹脂之混合物、共聚物，或其等之積層物。
基材層之厚度較佳為10～500 μm，較佳為50～200 μm，進而較佳為70～160 μm。藉由使基材層之厚度處於上述範圍內，半導體加工過程中之追隨性、形狀之穩定性、及離型性呈進一步提昇之趨勢。基材層為單層或包含2層以上之多層構造均可。於由複數個基材膜構成基材層之情形時，較佳為調整為基材層整體之厚度處於上述範圍內。
為了提昇與保護層之密接性，基材層亦可視需要化學性或物理性地實施表面處理。作為上述表面處理，例如可例舉：電暈處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、及離子化輻射處理等。
1.2.保護層 本實施方式之黏著帶於基材層與黏著層之間具有保護層。保護層能夠抑制金屬離子自基材層向黏著層之移動，能夠抑制黏著帶於高溫存放時之黏著力下降。
保護層之酸值並無特別限定，但較佳為未達10 mgKOH/g，更佳為0.1～9.0 mgKOH/g，進而較佳為0.5～8.0 mgKOH/g。於保護層之酸值較低之情形時，原本金屬離子便不易自基材層向保護層滲透，金屬成分移動本身呈得到抑制之趨勢。又，於保護層之酸值較高之情形時，相對而言金屬離子容易自基材層向保護層滲透，但保護層能夠捕捉金屬成分。因此，無論於哪種情形時，金屬成分自基材層向黏著層之移動均呈得到抑制之趨勢。並且，藉此，能維持較高之初始黏著力、低污染性，並且，於高溫環境中之黏著力之下降呈得到進一步抑制之趨勢。
又，保護層較佳為具有對基材層及黏著層之接著力保持性、以及高溫存放時之防熔融性。從此種觀點而言，保護層所包含之樹脂較佳為選自由聚烯烴系聚合物、(甲基)丙烯酸系聚合物、及苯乙烯系聚合物所組成之群中之至少一種，更佳為使用(甲基)丙烯酸系樹脂。
作為聚烯烴系聚合物，並無特別限定，例如可例舉：聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯-聚丙烯共聚物等。
作為(甲基)丙烯酸系樹脂，並無特別限定，例如可例舉：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、丙烯酸酯-甲基丙烯酸酯共聚物、(甲基)丙烯酸酯-(甲基)丙烯酸共聚物、其他(甲基)丙烯酸酯共聚物。
作為苯乙烯系聚合物，並無特別限定，例如可例舉：苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、順丁烯二酸酐改性氫化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物等。
保護層為單層或包含2層以上之多層構造均可。再者，於多層構造之情形時，較佳為設為保護層整體酸值未達10 mg/gKOH。
保護層亦可視需要包含公知之塑化劑、熱穩定劑、著色劑、有機系潤滑劑、無機系潤滑劑、界面活性劑、加工助劑等其他添加劑。例如，可包含四級銨鹽等鹽，亦可包含導電性聚乙炔、金屬粉、碳粉、奈米碳管等導電性成分。其中，若考慮對黏著層之影響，則較佳為不包含四級銨鹽等鹽或導電性成分。
保護層之厚度較佳為0.1～10 μm，更佳為0.3～5.0 μm，進而較佳為0.5～4.0 μm，進而更佳為0.5～3.0 μm。藉由使保護層之厚度處於上述範圍內，初始黏著力、低污染性、於高溫環境中之黏著力保持性呈進一步提昇之趨勢。又，此外，對被黏著體之追隨性、以及與基材層及黏著層之接著性呈進一步提昇之趨勢。於保護層為多層構造之情形時，較佳為設為保護層整體之厚度。
1.3.黏著層 黏著層含有(甲基)丙烯酸系聚合物及光聚合起始劑，酸值為10 mgKOH/g以上。於本說明書中，將黏著層中所含有之(甲基)丙烯酸系聚合物稱作(甲基)丙烯酸系聚合物A。
1.3.1.酸值 黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上，較佳為10～150 mgKOH/g，更佳為20～100 mgKOH/g，進而較佳為30～80 mgKOH/g。藉由使黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上，紫外線照射前之黏著力進一步提昇。又，藉由使黏著層之酸值為120 mgKOH/g以下，呈各成分之相容性進一步提昇，又，紫外線照射後之黏著力進一步下降之趨勢。又，由於紫外線照射後之黏著力下降，晶片之拾取效率呈進一步提昇之趨勢。黏著層之酸值可藉由後述之(甲基)丙烯酸系聚合物A或胺化合物之使用量而進行調整。又，黏著層之酸值可藉由實施例所記載之方法進行測定。
1.3.2.厚度 黏著層之厚度較佳為1.0～250 μm，更佳為2.0～50 μm，進而較佳為4.0～40 μm。藉由使黏著層之厚度為1.0 μm以上，呈黏著力進一步提昇，且藉由拉伸而分割之半導體晶片之飛散得到抑制之趨勢。又，藉由使黏著層之厚度為250 μm以下，離型性呈進一步提昇之趨勢。
再者，用作半導體晶圓加工用黏著帶時之黏著帶之總厚度較佳為60～250 μm，更佳為70～200 μm，進而較佳為70～180 μm。
1.3.3.(甲基)丙烯酸系聚合物A (甲基)丙烯酸系聚合物A較佳為具有羧基。具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物A有助於紫外線照射前之黏著力之提昇、紫外線照射後之黏著力之下降。(甲基)丙烯酸系聚合物A可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。再者，本實施方式之黏著層除了具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物A以外，亦可視需要進而包含不具有羧基之(甲基)丙烯酸系聚合物。
(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合形態並無特別限制，例如可例舉：均聚物、無規共聚物、嵌段共聚物、或接枝共聚物。又，(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合形狀並無特別限定，例如可例舉：直鏈狀聚合物，支鏈狀聚合物、或交聯狀聚合物。其中較佳為具有交聯狀。藉由使用此種聚合物，呈黏著劑層之凝集力提昇且對被黏著物之接著性進一步提昇，並且污染進一步減少之趨勢。具有交聯狀或支鏈狀之聚合物亦可為具有直鏈形狀之聚合物之聚合性雙鍵之一部分藉由老化等鍵結而成者。
(甲基)丙烯酸系聚合物A之含量相對於黏著層之總量，較佳為60～99質量%，更佳為70～99質量%，進而較佳為80～98質量%。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之含量處於上述範圍內，呈紫外線照射前之黏著力進一步提昇，且紫外線照射後之黏著力進一步下降之趨勢。
1.3.3.1.結構單元 (甲基)丙烯酸系聚合物A所具有之結構單元中，除了來自(甲基)丙烯酸或作為其衍生物之(甲基)丙烯酸系單體之結構單元以外，亦可包含來自可與(甲基)丙烯酸系單體共聚之具有聚合性雙鍵之單體的結構單元。
作為(甲基)丙烯酸系聚合物A，只要為以(甲基)丙烯酸系單體為基本單元聚合而成者則並無特別限制，較佳為於末端及/或側鏈具有羧基者。又，(甲基)丙烯酸系聚合物A亦可於末端及/或側鏈包含除了羧基以外之反應性官能基。作為此種反應性官能基，並無特別限定，例如可例舉：羥基、環氧基、乙烯基、(甲基)丙烯醯基之類的包含聚合性雙鍵之官能基等。
作為構成(甲基)丙烯酸系聚合物A之結構單元之單體，並無特別限定，例如可例舉：含脂肪族基單體、含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體。其中，更佳為含脂肪族基單體及含羧基單體。
作為含脂肪族基單體，並無特別限制，例如可例舉具有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、及十二烷基等直鏈或支鏈之烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。該等含脂肪族基單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
含脂肪族基單體所具有之結構單元相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A之總量，較佳為55～95重量份，更佳為65～90重量份，進而較佳為75～85重量份。藉由使含脂肪族基單體所具有之結構單元之含量處於上述範圍內，呈紫外線照射前之黏著力進一步提昇，且紫外線照射後之黏著力進一步下降，並且即使於在高溫環境下長期存放之情形時，黏著力之下降亦得到進一步抑制之趨勢。
作為含羧基單體，並無特別限制，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、亞甲基丁二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸等。該等含羧基單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
含羧基單體所具有之結構單元相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A之總量，較佳為5～45重量份，更佳為10～35重量份，進而較佳為15～25重量份。藉由使含羧基單體所具有之結構單元之含量處於上述範圍內，呈紫外線照射前之黏著力進一步提昇，且紫外線照射後之黏著力進一步下降，並且即使於在高溫環境下長期存放之情形時，黏著力之下降亦得到進一步抑制之趨勢。
作為酸酐單體，並無特別限定，例如可例舉：順丁烯二酸酐或亞甲基丁二酸酐等。該等酸酐單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
作為含羥基單體，並無特別限定，例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸1-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等。該等含羥基單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
作為含磺酸基單體，並無特別限定，例如可例舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。該等含磺酸基單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
作為含磷酸基單體，並無特別限定，例如可例舉2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等。
又，(甲基)丙烯酸系聚合物A較佳為於末端及/或側鏈具有聚合性雙鍵，更佳為於側鏈具有下述式(1)所示之結構單元作為導入有聚合性雙鍵之結構單元。藉此，藉由紫外線照射，聚合起始劑能夠使(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合反應進行。藉由進行此種(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合反應，呈紫外線照射後之黏著力下降，且對被黏著體之污染進一步減少之趨勢。 [化2] (式中，R 1表示具有聚合性雙鍵之有機基，R 2表示單鍵或碳數為1～6之有機基，R 3表示氫原子或甲基)
作為R 1所表示之具有聚合性雙鍵之有機基，並無特別限定，例如可例舉：-CH 2OC(=O)C(=CH 2)CH 3、-CH 2OC(=O)C(=CH 2)H。作為此種R 1所表示之基，例如可例舉對羧基加成具有聚合性雙鍵之環氧化合物後之殘基。
作為R 2所表示之碳數為1～6之有機基，並無特別限定，例如可例舉：直鏈、支鏈、或環狀之烷基；伸烷氧基等。
於R 2為單鍵之情形時，例如可例舉對來自丙烯酸或甲基丙烯酸之結構單元加成具有聚合性雙鍵之環氧化合物而成之結構單元。
為了使得如式(1)所表示之結構單元般於(甲基)丙烯酸系聚合物A之側鏈具有聚合性雙鍵，可例舉如下方法：使具有聚合性雙鍵之改性劑與導入聚合性雙鍵前之(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有之來自含羧基單體之結構單元之羧基、來自酸酐單體之結構單元之酸酐基、或來自含羥基單體之結構單元之羥基反應。
例如，可藉由使具有聚合性雙鍵之環氧化合物作為改性劑與(甲基)丙烯酸系聚合物A反應，而經由酯鍵將聚合性雙鍵導入至來自含羧基單體之結構單元中。又，作為其他例，可藉由使具有聚合性雙鍵之異氰酸酯化合物作為改性劑與(甲基)丙烯酸系聚合物A反應，而經由醯胺鍵將聚合性雙鍵導入至來自含羧基單體之結構單元中。
再者，作為改性劑，只要為具有能與(甲基)丙烯酸系聚合物A所具有之官能基反應之官能基且具有聚合性雙鍵者則並無特別限制，例如可例舉：具有聚合性雙鍵之環氧化合物、具有聚合性雙鍵之異氰酸酯化合物等。
如式(1)所表示之導入有聚合性雙鍵之結構單元之含量相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A之總量，較佳為2.5～25質量%，更佳為5.0～20質量%，進而較佳為7.5～15質量%。
藉由使導入有聚合性雙鍵之結構單元之含量為2.5質量%以上，紫外線照射後之黏著力進一步下降，由於紫外線照射，(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合性雙鍵之交聯反應充分進行，由於硬化收縮，與被黏著體之接觸面積減少，因此，黏著力呈充分下降之趨勢。藉此，能夠容易地剝離，因此，拾取性能呈進一步提昇之趨勢。又，即使於未聚合之單體殘存於黏著層之類的情形時，亦存在於紫外線照射時能與(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵反應之可能性，糊劑殘留呈得到進一步抑制之趨勢。進而，由於羧基相對變少，故即使於在高溫環境下長期存放之情形時，黏著力之下降亦呈得到進一步抑制之趨勢。
又，藉由使導入有聚合性雙鍵之結構單元之含量為25質量%以下，羧基相對變多，因此，紫外線照射前之黏著力呈進一步提昇之趨勢。又，由於能夠抑制過度交聯，故黏著層無法承受拾取時銷之頂出所引起之黏著帶之變形而裂成銷之形狀或又因此產生糊劑殘留等等呈得到抑制之趨勢。
1.3.3.2.雙鍵當量 (甲基)丙烯酸系聚合物A較佳為包含聚合性雙鍵。(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵當量較佳為500～2500 g/mol，更佳為800～2000 g/mol，進而較佳為1000～1800 g/mol。
藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵當量為500 g/mol以上，羧基相對變多，因此，紫外線照射前之黏著力呈進一步提昇之趨勢。又，由於能夠抑制過度交聯，故黏著層無法承受拾取時銷之頂出所引起之黏著帶之變形而裂成銷之形狀或又因此產生糊劑殘留等等呈得到抑制之趨勢。
又，藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵當量為2500 g/mol以下，由於紫外線照射，(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合性雙鍵之交聯反應充分進行，由於硬化收縮，與被黏著體之接觸面積減少，因此，黏著力呈充分下降之趨勢。藉此，能夠容易地剝離，因此，拾取性能呈進一步提昇之趨勢。又，即使於未聚合之單體殘存於黏著層之類的情形時，亦存在於紫外線照射時能與(甲基)丙烯酸系聚合物A之雙鍵反應之可能性，糊劑殘留呈得到進一步抑制之趨勢。進而，由於羧基相對變少，故即使於在高溫環境下長期存放之情形時，黏著力之下降亦呈得到進一步抑制之趨勢。
本說明書中所記載之「雙鍵當量」係依據「化學製品之酸值、皂化值、酯值、碘值、羥值及不皂化物之試驗方法」(JIS K0070)」，測定碘值並求出雙鍵量所獲得者。具體而言，係於試樣中添加一氯化碘溶液並使其與雙鍵加成，藉由硫代硫酸鈉溶液滴定過量之I，藉由下式求出。 A＝{(B－C)×f×1.269}/S A：碘值 B：空白試驗中所使用之硫代硫酸鈉溶液之量(mL) C：滴定中所使用之硫代硫酸鈉溶液之量(mL) f：硫代硫酸鈉溶液之係數 S：試樣之質量(g) 126.9：碘之原子量
再者，為了使得於末端具有聚合性雙鍵，可例舉如下方法：藉由具有聚合性雙鍵之化合物將(甲基)丙烯酸系聚合物A之聚合開始末端及/或聚合終止末端中之任一者改性。
1.3.3.3.重量平均分子量 (甲基)丙烯酸系聚合物A之重量平均分子量較佳為1.0×10 5～2.0×10 6，更佳為2.0×10 5～1.0×10 6，進而較佳為2.5×10 5～8.0×10 5。
藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之重量平均分子量為1.0×10 5以上，高分子量成分變多，除此以外，分子量越高，一個(甲基)丙烯酸系聚合物A藉由聚合性雙鍵與其他(甲基)丙烯酸系聚合物A聚合之機會越多，因此，污染呈進一步減少之趨勢。
藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之重量平均分子量為2.0×10 6以下，(甲基)丙烯酸系聚合物A易於運動，一個(甲基)丙烯酸系聚合物A與其他(甲基)丙烯酸系聚合物A聚合之機會變多，因此，污染呈進一步減少之趨勢。又，分子量越小，黏著劑之彈性模數越低，黏著力呈進一步提昇之趨勢。又，對被黏著體之追隨性變好，亦能追隨被黏著體之階差，因此，能夠避免氧抑制所導致之紫外線硬化不良所引起之污染。進而較軟之黏著劑易於藉由紫外線照射而充分硬化收縮，因此，能夠充分降低硬化後之黏著力，因此，拾取性亦呈進一步提昇之趨勢。
本說明書中所記載之「重量平均分子量」係針對使(甲基)丙烯酸系聚合物A溶解於四氫呋喃中所獲得之樣本，使用凝膠滲透層析分析裝置，由標準聚苯乙烯換算之分子量之校準曲線測定出之分子量。
1.3.3.4.玻璃轉移點 (甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點較佳為-80～23℃，更佳為-70～10℃，進而較佳為-60～0℃。藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點為-80℃以上，污染呈進一步減少之趨勢。又，藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點為23℃以下，對被黏著物之接著性呈進一步提昇之趨勢。(甲基)丙烯酸系聚合物A之玻璃轉移點可基於JIS K7121，藉由示差掃描熱量測定法(DSC法)進行測定。
1.3.4.光聚合起始劑 對本實施方式之黏著帶，於半導體晶片之剝離時進行活性能量線之照射。藉此，黏著層中之聚合性化合物聚合，黏著層硬化，因此，黏度下降，能夠容易地自被黏著體剝離。作為活性能量線之種類，從照射設備導入之容易度等而言，較佳為使用紫外線(UV)。
於使用UV作為活性能量線之情形時，為了使黏著層硬化、易於剝離被黏著體，使用光聚合起始劑。光聚合起始劑只要為藉由照射UV而產生自由基，使(甲基)丙烯酸系聚合物之聚合開始者，則可使用任意者。
作為此種光聚合起始劑，並無特別限定，例如可例舉：苯烷酮系光聚合起始劑、苯烷酮系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、9-氧硫 系光聚合起始劑、芳香族酮類、芳香族鎓鹽化合物、有機過氧化物、含硫化合物(含有苯硫基之化合物等)、α-胺烷基苯酮化合物、六芳基聯咪唑化合物、酮肟酯化合物、硼酸鹽化合物、吖𠯤鎓化合物、茂金屬化合物、活性酯化合物、具有碳鹵鍵之化合物、及烷基胺化合物。
其中，較佳為苯乙酮、苯乙酮苯偶醯縮酮、1-羥基環己基苯基酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等苯烷酮系光聚合起始劑。藉由使用此種光聚合起始劑，聚合呈更加適當地進行之趨勢。
光聚合起始劑之含量相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份，較佳為0.5～10重量份，更佳為0.5～7.5重量份，進而較佳為0.5～5.0重量份。藉由使光聚合起始劑之含量為0.5重量份以上，即使於紫外線之照度或照射量較低之情形時，亦呈能夠充分使黏著層硬化之趨勢。又，藉由使光聚合起始劑之含量為10重量份以下，光聚合起始劑成為污染之原因之風險呈下降趨勢。
1.3.5.異氰酸酯化合物 黏著層亦可包含異氰酸酯化合物。藉此，黏著層之凝集力呈進一步提昇之趨勢。異氰酸酯化合物每一分子之異氰酸基之數量較佳為2～6個，更佳為2～4個。藉由使用此種異氰酸酯化合物，複數個(甲基)丙烯酸系聚合物A之間亦可藉由異氰酸酯化合物交聯，因此，黏著層之凝集力呈進一步提昇之趨勢。又，呈基材與黏著層之間的錨定性亦提昇，從而獲得更加穩定之黏著特性之趨勢。
作為此種異氰酸酯化合物，並無特別限定，例如可例舉：三羥甲基丙烷改性甲苯二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、4,4-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯、亞甲基-雙(4-環己基異氰酸酯)等脂環族二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯。異氰酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
其中，更佳為三羥甲基丙烷改性甲苯二異氰酸酯。藉由使用此種異氰酸酯化合物，黏著層之凝集力呈進一步提昇之趨勢。
其中，硬化劑較佳為2官能以上之多官能異氰酸酯系化合物。藉由使用此種硬化劑，複數個聚合物A之間亦可藉由硬化劑交聯，因此，黏著層之凝集力呈進一步提昇之趨勢。又，呈基材與黏著層之間的錨定性亦提昇，從而獲得更加穩定之黏著特性之趨勢。
異氰酸酯化合物之含量相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份，較佳為3.0重量份以下，更佳為0.05～2.0重量份，進而較佳為0.1～1.5重量份。藉由使異氰酸酯化合物之含量為0.1重量份以上，呈如下趨勢：黏著層之交聯密度進一步提昇，剝離時產生之凝集破壞得到進一步抑制，凝集破壞所引起之污染得到進一步抑制。又，藉由使異氰酸酯化合物之含量為3.0重量份以下，呈如下趨勢：交聯密度進一步下降，彈性模數變低，因此，黏著力進一步提昇。
1.3.6.胺化合物 黏著層亦可進而包含胺化合物。藉由包含胺化合物，可藉由與來自(甲基)丙烯酸系聚合物A之羧基配位，而抑制羧基之氧化、酯化、縮合等反應，經時性之黏著性之下降呈得到抑制之趨勢。
胺化合物所具有之胺基較佳為二級以上，更佳為二～三級。藉由使用胺化合物，與僅使用一級胺化合物之情形相比，胺化合物中之胺基易於與(甲基)丙烯酸系聚合物A中之羧基配位，高溫存放時之黏著力下降抑制效果得到顯著體現。
作為胺化合物，並無特別限定，例如可例舉鏈狀胺或環狀胺。其中，較佳為環狀胺。藉由使用此種胺化合物，呈如下趨勢：胺化合物中之氮原子更加易於與(甲基)丙烯酸系聚合物之羧基配位，高溫存放時之黏著力之下降得到進一步抑制。
作為鏈狀胺，並無特別限定，例如可例舉：二丁胺、二異丁胺、二己胺、二辛胺、雙(2-乙基己基)胺、二苯胺、N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、三丙胺、三丁胺、三異丁胺、三己胺、三辛胺、三(2-乙基己基)胺。
作為環狀胺，可例舉脂環族胺及芳香族胺。作為脂環族胺，並無特別限定，例如可例舉：吡咯啶、哌啶、𠰌啉、咪唑啉；哌𠯤、高哌𠯤、1-甲基哌𠯤、2-甲基哌𠯤、1-乙基哌𠯤、1,4-二甲基哌𠯤、1-(2-胺基乙基)哌𠯤等哌𠯤系化合物；丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、癸二酸雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、癸二酸雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶酯、甲基丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶酯、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)己烷-1,6-二胺、丁基(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)丙二酸雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯等哌啶基系化合物；1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、2-甲基-1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-醇、2-氯-1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2,5-二甲醇、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-羧酸、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-羧酸甲酯、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛-2-烯、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛-2,5-二烯、1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛-基甲基-2-丙烯酸酯等1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷系化合物；1,5-二氮雜雙環[3,2,2]壬烷、1,4-二氮雜雙環[3,2,2]壬烷、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]-7-十一烯、1,5-二氮雜雙環[4,3,0]-5-壬烯。
又，作為芳香族胺，並無特別限定，例如可例舉：吡咯、吡啶、嘧啶、吡𠯤；咪唑、2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑等咪唑系化合物；1,3,5-三𠯤、1,3,5-三𠯤-2-胺、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]乙基對稱三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]乙基對稱三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]乙基對稱三𠯤等三𠯤系化合物。
其中，較佳為脂環式胺，更佳為哌啶基系化合物或1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷系化合物，進而較佳為1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷或其衍生物，尤佳為1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇等具有羥基之化合物。此種胺化合物中，氮原子突出至胺化合物之外側，因此，與羧基之配位性進一步提昇。因此，藉由使用此種胺化合物，高溫存放時之黏著力之下降呈進一步得到抑制之趨勢。又，藉由具有羥基等，與其他成分之相容性呈進一步提昇之趨勢。
再者，於本實施方式中，所謂「衍生物」，係指某化合物之氫原子經取代基取代之化合物。作為取代基，並無特別限定，例如可例舉：鹵基、羥基、胺基、硝基、羧基。
胺化合物所具有之胺基之數量較佳為1～4個，更佳為1～3個，進而較佳為1～2個。藉由為胺基之數量處於上述範圍內之低分子，呈與羧基之配位性進一步提昇，高溫存放時之黏著力之下降得到進一步抑制之趨勢。
胺化合物之含量相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份，為0.1重量份以上，較佳為0.1～15重量份，更佳為0.5～15.0重量份，進而較佳為0.5～10.0重量份，進而更佳為0.5～5.0重量份。藉由使胺化合物之含量為0.1重量份以上，胺化合物與(甲基)丙烯酸系聚合物A之羧基之配位效果得到充分發揮，高溫存放時之黏著力下降得到進一步抑制。又，藉由使胺化合物之含量為15重量份以下，呈紫外線照射前之黏著力進一步提昇，並且由胺化合物所引起之對被黏著體之污染得到進一步抑制之趨勢。
1.3.7.(甲基)丙烯酸系低聚物 黏著層亦可包含(甲基)丙烯酸系低聚物。(甲基)丙烯酸系低聚物之添加量並無特別限制，但是為了降低未反應低聚物所引起之被黏著體剝離後之污染風險，較佳為設為相對於(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份為50重量份以下。藉此，UV後之剝離力下降呈得到進一步促進之趨勢。
1.3.8.其他成分 黏著層中亦可視需要添加黏著賦予劑、交聯延遲劑、抗氧化劑、金屬捕捉劑、紫外線吸收劑、塑化劑、金屬粉、填料、著色劑、(甲基)丙烯酸系低聚物等添加劑。
作為黏著賦予劑，並無特別限制，例如可例舉：石油系樹脂、萜烯樹脂、萜酚樹脂、芳香族改性萜烯樹脂、苯并呋喃-茚樹脂、天然樹脂松香、改性松香、松香甘油酯、松香季戊四醇酯、酚樹脂、二甲苯樹脂、脂環族系石油樹脂、苯乙烯系樹脂、二環戊二烯樹脂等。
作為交聯延遲劑，並無特別限制，例如可例舉：乙醯丙酮、己烷-2,4-二酮、庚烷-2,4-二酮、辛烷-2,4-二酮等β-二酮類；乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸丙酯、乙醯乙酸丁酯、乙醯乙酸辛酯、乙醯乙酸油酯、乙醯乙酸月桂酯、乙醯乙酸硬脂酯等β-酮酯類；苯甲醯丙酮等。
作為抗氧化劑，並無特別限制，例如可例舉：甲基對苯二酚、對苯二酚、2,2-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、兒茶酚、對苯二酚單甲醚、單第三丁基對苯二酚、2,5-二第三丁基對苯二酚、對苯醌、2,5-二苯基-對苯醌、2,5-二第三丁基-對苯醌、苦味酸、檸檬酸、啡噻𠯤、第三丁基兒茶酚、2-丁基-4-羥基大茴香醚、2,6-二第三丁基-對甲酚、及4-[[4,6-雙(辛硫基)-1,3,5-三𠯤-2-基]胺基]-2,6-二第三丁基苯酚。
1.4.其他層構成 本實施方式之黏著帶只要具有依序積層有基材層、保護層、及黏著層之構造，則亦可具有其他層。例如，亦可於基材層之一面或另一面設置防靜電層等。
又，本實施方式之黏著帶亦可具有與黏著劑層貼合之保護膜以保護黏著劑層。為了於使用黏著帶時被剝離，保護膜較佳為剝離性優異者。作為保護膜，並無特別限制，例如可例舉：包含氟樹脂之表面能較低之膜、藉由矽酮系剝離劑對聚對苯二甲酸乙二酯之表面進行處理所獲得之膜等。
1.5.用途 本實施方式之黏著帶可合適地用於半導體晶圓、半導體元件、或各種半導體封裝體之加工用途。半導體晶圓亦可為形成有電子線路等之單片化前者。又，半導體元件係指經單片化後之各種半導體被黏著體或包含其之元件，所謂半導體封裝體，係指對半導體被黏著體附以連接用於保護其之樹脂、半導體被黏著體、及外部之連接端子所獲得者。
2.黏著帶之製造方法 作為黏著帶之製造方法，並無特別限制，可例舉於基材上形成黏著層之方法。
本實施方式之黏著帶之基材可依據周知技術進行製造。使基材成形之方法並無特別限定，使用慣用之熔融混練等或各種混合裝置(單軸或雙軸擠出機、輥、班布里混合機、各種捏合機等)將上述各種材料加以混合以使各成分均勻分散，藉由T模法、壓延法、充氣法使該混合物成形為基材。較佳為使用利用厚度精度良好之擠出機之T模法進行製膜之方法。
本實施方式之黏著帶之保護層可依據周知技術進行製造。使黏著層成形之方法並無特別限定，使上述各種材料溶解於有機溶劑等溶劑中而使之清漆化，藉由刮塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒式塗佈法、或淋幕式塗佈法等將其塗佈於保護膜上，去除溶劑，藉此形成黏著層。藉由將其貼合於基材上而製作黏著帶。
本實施方式之黏著帶之黏著層可依據周知技術進行製造。使黏著層成形之方法並無特別限定，使上述各種材料溶解於有機溶劑等溶劑中而使之清漆化，藉由刮塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒式塗佈法、或淋幕式塗佈法等將其塗佈於保護膜上，去除溶劑，藉此形成黏著層。藉由將其貼合於基材上而製作黏著帶。
於本實施方式中，亦可於形成黏著層後進行老化處理。於老化處理中，於規定溫度下存放所形成之黏著層。溫度條件並無特別限制，較佳為30～50℃，更佳為35～45℃。又，存放時間並無特別限制，較佳為24～150小時，更佳為48～100小時。藉由進行該老化處理，黏著層之黏著力或硬化特性發生變化。
3.加工方法 本實施方式之加工方法具有將上述黏著帶與被黏著體貼合之貼合步驟、及於使黏著帶與被黏著體貼合之狀態下對被黏著體進行加工之切割步驟，被黏著體為半導體晶圓、半導體元件、或各種半導體封裝體。又，除此之外，本實施方式之加工方法亦可具有對切割步驟後之黏著帶照射紫外線之紫外線照射步驟，亦可具有自紫外線照射後之黏著帶拾取經單片化之晶片之拾取步驟。
貼合步驟只要為將黏著帶之黏著層與被黏著體貼合之步驟則並無特別限定。貼合步驟可於常溫常壓下進行，亦可視需要於加溫下或減壓下進行。
切割步驟之單片化方法並無特別限制，可使用先前公知之方法。例如，使用切割裝置，使含有金剛石研磨粒之切割刀片高速旋轉，藉此能夠將矽晶圓切割成半導體晶片。
紫外線照射方法並無特別限制，可使用先前公知之方法。例如，使用紫外線照射裝置，對切割步驟之黏著帶照射紫外線。
其後，拾取方法並無特別限制，可使用先前公知之方法。例如，可使用拉伸裝置於面方向上拉伸紫外線照射後之黏著帶，於使各晶片分離之狀態下藉由拾取裝置拾取晶片。 實施例
以下，使用實施例及比較例對本發明更加具體地進行說明，但本發明並不限定於該等。又，除非另有特別說明，否則於室溫23℃之環境下實施各操作。
[實施例1] (塗佈溶液1之製備) 使丙烯酸乙酯80重量份、甲基丙烯酸甲酯20重量份、及起始劑(偶氮二異丁腈)0.05重量份於乙酸乙酯中於65℃下進行24小時之共聚合，獲得丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物。進而，將所獲得之丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物與聚烯烴加以混合而獲得塗佈溶液1(酸值為0 mg/KOH)。
(保護層形成) 將該塗佈溶液1以乾燥後之黏著層之厚度成為1 μm之方式塗佈於離子聚合物膜(基材樹脂膜，GUNZE公司製造，製品名為HMD-150，厚度為150 μm)之經過電暈處理之面上，於100℃下進行1分鐘之乾燥，以厚度成為1 μm之方式形成保護層(酸值為0 mg/KOH)。
(黏著層) 使丙烯酸2-乙基己酯82重量份、丙烯酸18重量份、及起始劑(偶氮二異丁腈)0.05重量份於乙酸乙酯中於65℃下進行24小時之共聚合，獲得包含丙烯酸系聚合物0之溶液。
(丙烯酸系聚合物1之合成) 使甲基丙烯酸縮水甘油酯與該丙烯酸系聚合物0中之丙烯酸單元之羧基反應，獲得於側鏈導入有雙鍵之側鏈雙鍵導入型丙烯酸系聚合物1(酸值為38 mg/KOH)。此時，以每100莫耳上述丙烯酸系聚合物之甲基丙烯酸單元，甲基丙烯酸縮水甘油酯之導入量成為60莫耳(60莫耳%)之方式使兩者反應。
(丙烯酸系聚合物2之合成) 使甲基丙烯酸縮水甘油酯與該丙烯酸系聚合物0中之丙烯酸單元之羧基反應，獲得於側鏈導入有雙鍵之側鏈雙鍵導入型丙烯酸系聚合物2(酸值為53 mg/KOH)。此時，以每100莫耳上述丙烯酸系聚合物之甲基丙烯酸單元，甲基丙烯酸縮水甘油酯之導入量成為45莫耳(45莫耳%)之方式使兩者反應。
繼而，於包含50重量份之丙烯酸系聚合物1及50重量份之丙烯酸系聚合物2之溶液中，加入異氰酸酯化合物(三羥甲基丙烷改性甲苯二異氰酸酯，Tosoh製造：Coronate L-45E)0.2重量份、光聚合起始劑(2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮，AGM公司製造：Omnirad 651)2.1質量份、及胺1(1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇，Tosoh製造：RZETA，有效成分約為33%)1.0份，製備作為紫外線硬化型黏著劑之樹脂組合物。
將該樹脂組合物以乾燥後之黏著層之厚度成為10 μm之方式塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯保護膜之經過離型處理之面上，於120℃下進行1分鐘之乾燥。其後，將保護膜與離子聚合物膜以黏著層與黏著層接觸之方式貼合。繼而，於40℃之氣體氛圍下進行72小時之老化，獲得黏著帶。
[實施例2] 將丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(COLCOAT製造：COLCOAT NR-121X-9，包含90重量份之溶劑)加以混合，獲得塗佈溶液2。使用塗佈溶液2代替塗佈溶液1而形成保護層(酸值為0 mg/KOH)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[實施例3] 將順丁烯二酸酐改性氫化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(旭化成製造：Tuftec M1913，酸值為0 mgKOH/g)10重量份與甲苯(溶劑)90重量份加以混合，獲得塗佈溶液3(酸值為0 mg/KOH)。使用塗佈溶液3代替塗佈溶液1而形成保護層(酸值為0 mg/KOH)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[實施例4] 於黏著層之形成中，將丙烯酸系聚合物1之使用量設為100重量份，將丙烯酸系聚合物2之使用量設為0重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[實施例5] 於黏著層之形成中，將丙烯酸系聚合物1之使用量設為0重量份，將丙烯酸系聚合物2之使用量設為100重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[實施例6] 將丙烯酸-2-乙基己酯-丙烯酸共聚物(根上工業製造：DT-7-0，酸值為0 mgKOH/g，玻璃轉移溫度為7℃，重量平均分子量為450000)24.0重量份(包含13.2重量份之混合溶劑乙酸丙酯)與甲苯(溶劑)76.0重量份加以混合，獲得塗佈溶液4(酸值為92 mg/KOH)。使用塗佈溶液4代替塗佈溶液1而形成保護層(酸值為92 mg/KOH)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[實施例7] 於黏著層之形成中，將丙烯酸系聚合物1之使用量設為0重量份，將丙烯酸系聚合物2之使用量設為90重量份，進而使用丙烯酸系聚合物4(聚丙烯酸，酸值為779 mgKOH/g)10重量份而獲得黏著層，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[實施例8] 於黏著層之形成中，未使用1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷-2-甲醇，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[實施例9] (丙烯酸系聚合物5之合成) 首先，使甲基丙烯酸縮水甘油酯與以與實施例1同樣之方式所獲得之丙烯酸系聚合物0中之丙烯酸單元之羧基反應，獲得於側鏈導入有雙鍵之側鏈雙鍵導入型丙烯酸系聚合物5(酸值為18 mg/KOH)。此時，以每100莫耳上述丙烯酸系聚合物之甲基丙烯酸單元，甲基丙烯酸縮水甘油酯之導入量成為80莫耳(80莫耳%)之方式使兩者反應。
繼而，於黏著層之形成中，將丙烯酸系聚合物1之使用量設為0重量份，將丙烯酸系聚合物2之使用量設為0重量份，使用100重量份之丙烯酸系聚合物5而獲得黏著層，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[比較例1] 除未形成保護層以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
[比較例2] 於黏著層之形成中，將丙烯酸系聚合物1、2之使用量分別設為0重量份，將丙烯酸系聚合物3(三菱化學公司製造，製品名為N-2993，酸值為0 mgKOH/g)之使用量設為100重量份，將丙烯酸系低聚物1(根上工業公司製造，製品名為UN-904M，酸值為0 mgKOH/g)之使用量設為30重量份，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作黏著帶。
＜酸值之測定＞ 各實施例及各比較例之黏著帶所具備之保護層及黏著層之酸值[mgKOH/g]係藉由如下方式算出：首先，稱量1 g之用以形成保護層或黏著層之樹脂組合物，使該樹脂組合物於錐形燒杯中溶解於30 g之四氫呋喃(THF)中，其後，添加2、3滴酚酞。繼而，於23℃之環境下自滴定管滴加0.1 N之KOH溶液(溶劑：2-丙醇(IPA))而求出中和點。
＜對矽晶圓之黏著力：180°剝離強度＞ 黏著帶之黏著力係依據JIS Z0237(2009)之黏著力之測定方法(方法1：相對於不鏽鋼試驗板呈180°剝離帶件及片材之試驗方法)而進行測定。具體而言，剝離保護膜，使用壓接裝置(輥之質量為2 kg)使黏著帶之黏著層與表面洗淨之矽晶圓壓接，於溫度為23℃且濕度為50%之環境下，藉由萬能型拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造，Tensilon，型號：RTG-1210)，測定相對於矽晶圓呈180°剝離黏著帶時之180°剝離強度S 0。剝離強度S 0表示UV照射前之對矽晶圓之黏著力。
又，剝離保護膜，使用壓接裝置(輥之質量為2 kg)使黏著帶之黏著層與表面洗淨之矽晶圓壓接。繼而，藉由高壓水銀燈以150 mJ/cm2對處於壓接狀態之黏著帶照射紫外線而促進黏著層中之聚合反應。其後，與上述同樣地測定相對於矽晶圓呈180°剝離黏著帶時之180°剝離強度S 1。剝離強度S 1表示UV照射後之對矽晶圓之黏著力。
以下，示出剝離強度S 0及S 1之測定條件與評價基準。 (測定條件) 測定模式：拉伸 拉伸速度：300 mm/min 夾頭間距離：50 mm 測定樣本寬度：20 mm (剝離強度S 0之評價基準) A：剝離強度S 0為6.0 N/20 mm以上 B：剝離強度S 0為4.0 N/20 mm以上且未達6.0 N/20 mm C：剝離強度S 0未達4.0 N/20 mm (剝離強度S 1之評價基準) A：剝離強度S 1未達0.30 N/20 mm B：剝離強度S 1為0.30 N/20 mm以上且未達0.50 N/20 mm C：剝離強度S 1為0.50 N/20 mm以上
＜保存穩定性＞ 於40℃之恆溫機內以黏著帶之狀態存放一個月，其後，於23℃且相對濕度為50%之氣體氛圍下存放2小時以上，將帶件溫度調整為23℃。使用該黏著帶，與上述同樣地，剝離保護膜，使用壓接裝置(輥之質量為2 kg)使黏著帶之黏著層與表面洗淨之矽晶圓壓接，於溫度為23℃且濕度為50%之環境下，藉由萬能型拉伸試驗機(ORIENTEC公司製造，Tensilon，型號：RTG-1210)，測定相對於矽晶圓呈180°剝離黏著帶時之180°剝離強度S 0'。
算出剝離強度S 0'與剝離強度S 0之比(S 0'/S 0)，根據下述評價基準對保存穩定性進行評價。 A：比(S 0'/S 0)為0.90以上 B：比(S 0'/S 0)為0.80以上且未達0.90 C：比(S 0'/S 0)未達0.80
[表1]
   實施例 比較例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2
保護層 塗佈液No.    1 2 3 1 1 4 1 1 1 - 1
保護層之酸值 mg/KOH 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 92 0.0 0.0 0.0 - 0
黏著層 丙烯酸系聚合物1 重量份 50.0 50.0 50.0 100.0 0.0 50.0 0.0 50.0 0.0 50.0 0.0
丙烯酸系聚合物2 重量份 50.0 50.0 50.0 0.0 100.0 50.0 90.0 50.0 0.0 50.0 0.0
丙烯酸系聚合物3 重量份 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 100.0
丙烯酸系聚合物4 重量份 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 10.0 0.0 0.0 0.0 0.0
丙烯酸系聚合物5 重量份 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 100.0 0.0 30.0
丙烯酸系低聚物1 重量份 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 30.0
胺1 重量份 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.0 1.0 0.0 1.0
異氰酸酯化合物 重量份 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
光聚合起始劑 重量份 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1 2.1
黏著層酸值 mg/KOH 44.0 44.0 44.0 36.8 51.3 44.0 121.6 44.5 17.4 44.5 0.0
評價 對矽晶圓之黏著力 (UV前) N/20 mm 6.27 8.10 9.37 5.00 11.50 6.07 4.20 7.30 4.50 7.20 2.20
評價 A A A B A A B A B A C
對矽晶圓之黏著力 (於40℃下存放一個月後) N/20 mm 6.10 8.23 7.97 4.60 10.50 6.07 6.20 6.00 4.20 5.00 2.10
加熱前後變動率 0.97 1.02 0.85 0.92 0.91 1.00 1.48 0.82 0.93 0.69 0.95
評價 A A B A A A A B A C A
對矽晶圓之黏著力 (UV後) N/20 mm 0.27 0.30 0.17 0.09 0.21 0.29 0.38 0.23 0.10 0.13 0.52
評價 A B A A A A B A A A C
[產業上之可利用性]
本發明之黏著帶作為半導體晶圓加工用帶件，尤其是作為於切割步驟中使用之黏著帶，具有產業上之可利用性。

Claims (10)

  1. 一種黏著帶， 其具有依序積層有基材層、保護層、及黏著層之構造， 上述基材層含有離子聚合物樹脂， 上述黏著層含有(甲基)丙烯酸系聚合物A及光聚合起始劑， 上述黏著層之酸值為10 mgKOH/g以上。
  2. 如請求項1之黏著帶，其中 上述保護層含有選自由聚烯烴系聚合物、(甲基)丙烯酸系聚合物、及苯乙烯系聚合物所組成之群中之至少一種。
  3. 如請求項1或2之黏著帶，其中 上述(甲基)丙烯酸系聚合物A包含聚合性雙鍵。
  4. 如請求項1至3中任一項之黏著帶，其中 上述(甲基)丙烯酸系聚合物A具有下述式(1)所示之結構單元： [化1] (式中，R 1表示具有聚合性雙鍵之有機基，R 2表示單鍵或碳數為1～6之有機基，R 3表示氫原子或甲基)。
  5. 如請求項1至4中任一項之黏著帶，其中 上述黏著層進而含有異氰酸酯化合物， 上述異氰酸酯化合物之含量相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物A 100重量份為3.0重量份以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之黏著帶，其中 上述黏著層進而含有胺化合物。
  7. 如請求項1至6中任一項之黏著帶，其中 上述離子聚合物樹脂包含(甲基)丙烯酸系離子聚合物樹脂。
  8. 如請求項1至7中任一項之黏著帶，其中 上述保護層之厚度為0.1～10 μm。
  9. 如請求項1至8中任一項之黏著帶，其中 於將上述黏著帶於40℃下存放一個月之情形時，於將存放前之上述黏著層之黏著力設為F，將存放後之上述黏著層之黏著力設為F'時，比F'/F為0.80以上。
  10. 一種加工方法，其具有： 貼合步驟，其將如請求項1至9中任一項之黏著帶與被黏著體貼合；及 切割步驟，其於將上述黏著帶與上述被黏著體貼合之狀態下，對上述被黏著體進行加工； 上述被黏著體為半導體晶圓、半導體元件、或各種半導體封裝體。
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