TWI572977B - 光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法 Download PDF

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Description

光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種具備轉印用圖案之光罩及該光罩之製造方法，尤其係關於一種可用於顯示裝置製造用之光罩。又，本發明係關於一種使用該光罩之顯示裝置之製造方法。
伴隨顯示裝置等電子元件製品之高精細化等，對於用於其等之製造之光罩所具備之膜圖案，不斷要求更良好之尺寸控制。
與此相關，於專利文獻1中，記載有更準確地進行遮光膜之尺寸控制之方法。即，於專利文獻1中記載有如下方法：將抗蝕圖案作為遮罩而進行遮光膜之蝕刻，去除未被抗蝕圖案覆蓋之遮光膜而停止蝕刻之後，自基板之背面照射光，使未被遮光膜遮光之抗蝕劑感光、顯影，藉此把握遮光膜之邊緣位置，決定追加蝕刻時間。
又，於專利文獻2中，記載有用以獲得重複圖案區域之形狀等之均勻性較高、不均較少的灰色調遮罩之光罩之製造方法。即，於專利文獻2中，記載有一種光罩之製造方法，其係包含以繪圖裝置之頭之朝掃描方向(Y方向)之特定之掃描單位、及朝與掃描方向垂直之方向(X方向)之特定之進給單位進行繪圖的繪圖步驟者，其特徵在於：上述光罩之圖案包含重複圖案，上述繪圖步驟包含對包含相同之重複圖案之圖案單位，以分別相同之進給條件而繪圖各圖案單位之步驟。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-169750號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-244272號公報
顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等)所要求之畫質或亮度、動作速度之快慢、進而省電性能之水準正在前所未有地高漲。根據此種狀況，必須實現用於該等顯示裝置之製造之光罩之轉印用圖案之微細化、高密度化。
於顯示裝置之製造時，利用光微影步驟製造具備所需之轉印用圖案之光罩。即，於成膜於透明基板上之光學膜上形成抗蝕膜，於該抗蝕膜上以能量線(雷射光等)進行繪圖、顯影，將藉此獲得之抗蝕圖案作為遮罩，對光學膜實施蝕刻。視需要，於上述光學膜上進而成膜其他光學膜，重複上述光微影步驟，形成最終之轉印用圖案。此處之光學膜包含例如對朝光罩而曝光之光進行遮光之遮光膜、使一部分透過之半透光膜、或相位偏移膜或蝕刻終止膜等功能膜等。
與半導體裝置製造用光罩(一般而言，一邊為5~6英吋)相比，顯示裝置製造用光罩之尺寸較大(例如一邊為300mm以上)，而且存在多種尺寸，因而於光學膜之蝕刻中，使用濕式蝕刻相較需要真空腔室之乾式蝕刻具有如下之優點，即，裝置或步驟之負擔小，且易於控制。
另一方面，濕式蝕刻中，亦存在因其性質而導致之困難。一般而言，乾式蝕刻具有各向異性蝕刻之性質，相對於此，濕式蝕刻之各向同性地進行蝕刻之各向同性蝕刻之性質較強，因此，自蝕刻對象之光學膜之側面亦進行蝕刻(側蝕)。圖11係表示作為光學膜之遮光膜之側面藉由濕式蝕刻而蝕刻後之狀態的SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)照片。因此，蝕刻而成之光學膜圖案之尺寸並非必須與成為蝕刻遮罩之抗蝕圖案之尺寸一致。於實施特定時間之蝕刻後之時間點，光學膜圖案之邊緣前進至抗蝕圖案之邊緣位置之內側而成為被抗蝕圖案覆蓋之狀態，因而無法直接測量光學膜圖案之尺寸。因此，難以決定蝕刻之終點(參照圖11)。
為達到所需之圖案尺寸，即便已把握蝕刻速率(每單位時間之蝕刻量)，但僅依存蝕刻速率來決定蝕刻之必要時間亦未必有效。例如，於濕式蝕刻時成為蝕刻遮罩之抗蝕圖案係受抗蝕劑之顯影溫度或顯影劑濃度之變動或不均勻之影響者，難以使該等始終為固定。
進而可知，抗蝕圖案之邊緣形狀係藉由繪圖而形成者，但抗蝕圖案之膜厚、或光學膜之表面反射率會對繪圖條件造成影響。且說，抗蝕圖案之膜厚或光學膜之表面反射率亦仍難以始終為固定值。
亦即，於對光學膜進行濕式蝕刻時之實際之蝕刻進展中，因光學膜與蝕刻劑而導致之除純粹之蝕刻速率以外之因素，尤其因抗蝕劑而導致之變動因素無法避免。
考慮到上述現狀，為了進行尺寸精度較高之圖案化，無論上述變動因素之影響，把握蝕刻終點之前之準確之蝕刻時間(即，對必要之剩餘蝕刻量之必要之蝕刻時間)為有用。
專利文獻1之方法中，於遮光膜之蝕刻開始後，去除未被抗蝕圖案覆蓋之遮光膜之後停止蝕刻，藉由來自背面之光照射而使抗蝕圖案與遮光膜之邊緣一致，且把握該邊緣位置，藉此決定追加蝕刻時間。根據該方法，可把握被抗蝕圖案覆蓋之遮光膜之邊緣之位置，因而具有可取得必要之追加蝕刻量、即追加蝕刻時間之效果。但，於與抗蝕圖案積層之狀態下之遮光膜邊緣之位置把握中，存在難以取得足夠精度之不良狀況。
且說，於由液晶顯示裝置所代表之顯示裝置中，具有較先前更 微細之構造之顯示裝置存在增加之傾向。此係薄膜電晶體(TFT，thin-film transistor)基板、彩色濾光片(黑矩陣、感光性間隔件、色版)等共同之傾向，與該等顯示裝置之圖像之精細度、動作之快慢、亮度、省電等之需求相關。
伴隨上述情形，顯示裝置製造用光罩具有之轉印用圖案之CD(Critical Dimension，臨界尺寸：以下，作為圖案線寬之含義使用。以下，亦稱為「CD值」)之精度要求亦變得嚴格。此前，為了提高CD精度，努力地抑制光罩製造所必要之各步驟(繪圖、抗蝕劑顯影、蝕刻等)中之CD值之不均。
然而，於最近之顯示裝置中，要求例如含有2μm以下之線寬部分之線與間隙圖案等，且用以轉印至被轉印體(液晶面板基板等)之轉印性之裕度亦變得極小。
例如，要求使轉印用圖案之CD精度為目標值±50nm以下，進而為目標值±20nm以下。
為滿足此種要求，必須抑制轉印用圖案形成中之面內之CD值之不均，並且必須將CD值之絕對值無限地最終加工至如設計之尺寸。換言之，必須使所形成之轉印用圖案之CD值之中心值與目標值精度良好地一致。
因此，本發明之目的在於獲得一種可形成尺寸精度較高之轉印用圖案之光罩之製造方法。
上述課題於光罩之製造方法之各向同性蝕刻中，可藉由於圖案化之光學膜尺寸之CD中心值達到目標值之同時停止蝕刻而解決。因此，準確地進行停止蝕刻之時序之檢測(終點檢測)變得重要。
因此，為解決上述課題，本發明具有以下之構成。本發明係以下述之構成1~12為特徵之光罩之製造方法、以下述之構成13、14為 特徵之光罩、及以下述之構成15、16為特徵之顯示裝置之製造方法。
(構成1)
本發明之構成1係一種光罩之製造方法，其特徵在於，該光罩具備於透明基板上將光學膜圖案化而得之轉印用圖案，該光罩之製造方法之特徵在於具有：準備光罩基板之步驟，該光罩基板係於上述透明基板上具有上述光學膜及抗蝕膜；繪圖步驟，其係使用繪圖裝置，根據特定之圖案資料而對上述抗蝕膜進行繪圖；抗蝕圖案形成步驟，其係藉由對上述抗蝕膜進行顯影而形成抗蝕圖案；及光學膜圖案化步驟，其係將上述抗蝕圖案作為遮罩而對上述光學膜進行蝕刻，藉此形成光學膜圖案而獲得上述轉印用圖案；且於上述繪圖步驟中，使用包含用以形成欲獲得之上述轉印用圖案之轉印用圖案資料及用以形成尺寸測定用之監控圖案之監控圖案資料的上述圖案資料進行繪圖，上述光學膜圖案化步驟包含：第1蝕刻，其係對上述光學膜實施特定時間之蝕刻；上述監控圖案之尺寸測定；及第2蝕刻，其係根據藉由上述尺寸測定所取得之上述監控圖案之尺寸而對上述光學膜實施追加之蝕刻；上述監控圖案於將上述轉印用圖案之至少一部分設為CD保證部時，包含與上述CD保證部相同尺寸之CD測定部。
(構成2)
本發明之構成2係如構成1之光罩之製造方法，其特徵在於：上述監控圖案所包含之上述CD測定部係以與上述CD保證部相同之繪圖 條件繪圖而成者，上述繪圖條件包含選自用於繪圖之能量射束的X方向之射束排列及Y方向之掃描位置之至少一者，上述尺寸測定係針對上述CD測定部進行。
(構成3)
本發明之構成3係如構成1或2之光罩之製造方法，其特徵在於：上述第1蝕刻及上述第2蝕刻為濕式蝕刻。
(構成4)
本發明之構成4係如構成1至3中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：於上述尺寸測定時，係局部地去除形成有上述監控圖案之部分之上述抗蝕膜。
(構成5)
本發明之構成5係如構成1至4中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：上述監控圖案於上述透明基板上係於上述轉印用圖案之區域外配置有複數個，且該等複數個上述監控圖案分別具有上述CD測定部。
(構成6)
本發明之構成6係如構成1至5中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：上述轉印用圖案包含使單位圖案重複之重複部分，上述監控圖案包含使具有與上述轉印用圖案所包含之上述單位圖案之上述X方向或上述Y方向之尺寸相等之部分之單位圖案重複之重複部分。
(構成7)
本發明之構成7係如構成1至6中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：上述轉印用圖案包含使上述單位圖案重複之上述重複部分，上述監控圖案包含使與上述轉印用圖案所包含之單位圖案相同之上述單位圖案重複之重複部分。
(構成8)
本發明之構成8係如構成1至7中任一項之光罩之製造方法，其特徵在於：上述繪圖步驟具有使特定之上述繪圖條件於上述X方向重複之X方向之繪圖重複週期，上述射束排列針對每一上述X方向之繪圖重複週期而重複。
(構成9)
本發明之構成9係如構成1至8中任一項之光罩之製造方法，其中上述繪圖步驟具有使特定之上述繪圖條件於上述Y方向重複之Y方向之繪圖重複週期，上述掃描位置針對每一上述Y方向之繪圖重複週期而重複。
(構成10)
本發明之構成10係如構成8之光罩之製造方法，其特徵在於：上述繪圖步驟中之上述X方向之繪圖重複週期、與上述單位圖案之上述X方向之間距之最小公倍數成為20以下之整數。
(構成11)
本發明之構成11係如構成9之光罩之製造方法，其特徵在於：上述繪圖步驟中之上述Y方向之繪圖重複週期、與上述單位圖案之上述Y方向之間距之最小公倍數成為20以下之整數。
(構成12)
本發明之構成12係如構成1至11中任一項之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案為顯示裝置製造用之圖案。
(構成13)
本發明之構成13係一種光罩，其特徵在於：其具備於透明基板上將光學膜圖案化而得之轉印用圖案及複數個監控圖案，上述監控圖案係設置於上述轉印用圖案之區域外，於將上述轉印用圖案之至少一部分設為CD保證部時，上述監控 圖案包含與上述CD保證部相同尺寸之部分。
(構成14)
本發明之構成14係如構成13之光罩，其特徵在於：上述監控圖案所包含之與上述CD保證部相同尺寸之部分係以與上述CD保證部相同之繪圖條件而形成者，上述繪圖條件係用於上述轉印用圖案之繪圖之能量射束的X方向之射束排列或Y方向之掃描位置之至少一者。
(構成15)
本發明之構成15係一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟：準備利用如構成1至12中任一項之製造方法製造之光罩；及使用曝光裝置，將上述光罩具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上。
(構成16)
本發明之構成16係一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟：準備如構成13或14之光罩；及使用曝光裝置，將上述光罩具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上。
根據本發明之光罩之製造方法，可形成尺寸精度較高之轉印用圖案。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧光學膜
2a‧‧‧光學膜圖案(轉印用圖案)
2b‧‧‧光學膜圖案(監控圖案)
3‧‧‧抗蝕膜
3a‧‧‧抗蝕圖案(形成有轉印用圖案之部分之抗蝕圖案)
3b‧‧‧抗蝕圖案(形成有監控圖案之部分之抗蝕圖案)
6‧‧‧雷射射束
P11、P12、...P24、M11、M12、...M14‧‧‧單位圖案
圖1(a)、(b)、(c)、(d-1)、(d-2)、(d-3)、(e)、(f)係本發明之光罩之製造方法之一態樣之製造方法流程(左側)、及表示製造方法流程各步驟中之透明基板上之光學膜之狀態之推移的剖面模式圖之一例(右 側)。
圖2係用以求出追加蝕刻時間之表示CD相對於蝕刻時間之變化量之一例之圖。
圖3中，(a)係形成於顯示裝置製造用之光罩之主表面上的圖案之模式圖之例。(b)係(a)所示之圖案中之轉印用圖案之放大模式圖。(c)係(a)所示之圖案中之監控圖案之放大模式圖。
圖4中，(a)係形成於顯示裝置製造用之光罩之主表面的圖案之另一態樣之模式圖之例。(b)係(a)所示之圖案中之轉印用圖案之放大模式圖。(c)係(a)所示之圖案中之監控圖案之放大模式圖。
圖5中，(a)係形成於顯示裝置製造用之光罩之主表面的圖案之又一態樣之模式圖之例。(b)係(a)所示之圖案中之轉印用圖案之放大模式圖。(c)係(a)所示之圖案中之監控圖案之放大模式圖。
圖6中，(a)係在形成於顯示裝置製造用之光罩之主表面的圖案上配置有OPC(Optical Proximity Correction，光學近接校正)之態樣之模式圖之例。(b)係(a)所示之圖案中之轉印用圖案之放大模式圖。(c)係(a)所示之圖案中之監控圖案之放大模式圖。
圖7係表示自雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束之移動之一例的模式圖。
圖8係表示自雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束之移動之一例的模式圖。
圖9(a)~(c)係表示以自雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束進行之Y方向之線寬(CD)控制之方法之一例的模式圖。
圖10(a)~(c)係用以說明X方向之圖案之CD(線寬)係藉由自雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束(射束徑A μm)之光之照射強度而決定的模式圖。
圖11係表示將作為光學膜之遮光膜之側面藉由濕式蝕刻而蝕刻後 之狀態之SEM照片。
本發明係一種光罩之製造方法，該光罩具備於透明基板上將光學膜圖案化所得之轉印用圖案者。本發明之光罩之製造方法具有：準備光罩基板之步驟，該光罩基板於上述透明基板上具有上述光學膜與抗蝕膜；繪圖步驟，其係使用繪圖裝置，根據特定之圖案資料而對上述抗蝕膜進行繪圖；抗蝕圖案形成步驟，其係藉由對上述抗蝕膜進行顯影而形成抗蝕圖案；及光學膜圖案化步驟，其係將上述抗蝕圖案作為遮罩而對上述光學膜進行蝕刻，藉此形成光學膜圖案而獲得上述轉印用圖案。於上述繪圖步驟中，使用包含用以形成欲獲得之上述轉印用圖案之轉印用圖案資料及用以形成尺寸測定用之監控圖案之監控圖案資料的上述圖案資料進行繪圖。上述光學膜圖案化步驟包含：第1蝕刻，其係對上述光學膜實施特定時間之蝕刻；上述監控圖案之尺寸測定；及第2蝕刻，其係根據藉由上述尺寸測定所取得之上述監控圖案之尺寸而對上述光學膜實施追加之蝕刻。上述監控圖案於將上述轉印用圖案之至少一部分設為CD保證部時，包含與上述CD保證部為相同尺寸、且以與上述CD保證部相同之繪圖條件繪圖所得之CD測定部。上述繪圖條件包含選自用於繪圖之能量射束的X方向之射束排列及Y方向之掃描位置之至少一者。上述尺寸測定係針對上述CD測定部進行。
使用圖1所示之製造方法流程來說明本發明之光罩之製造方法之一態樣。於圖1所示之流程之右側，將各步驟中之透明基板上之光學膜之狀態作為剖面模式圖而例示。圖中，符號1表示透明基板，符號2表示光學膜，符號2a及符號2b表示光學膜圖案，符號3表示抗蝕膜，符號3a及符號3b表示抗蝕圖案，以及符號6表示雷射繪圖時之雷射射束。再者，符號2a之光學膜圖案表示相當於轉印用圖案，符號2b之光 學膜圖案表示相當於監控圖案。同樣地，符號3a之抗蝕圖案表示形成有轉印用圖案之部分，符號3b之抗蝕圖案表示形成有監控圖案之部分。
(a)準備光罩基板之步驟
可用於本發明之光罩之製造方法中之光罩基板可設為空白光罩，該空白光罩係於透明基板1上成膜光學膜2，進而於其表面形成有光阻膜(以下，將光阻膜亦僅稱為抗蝕膜)3。光學膜2可為單層，或亦可由複數膜積層。
又，作為本發明之光罩基板，為了製造具有積層構造之膜圖案之光罩，其可為已使一部分光學膜圖案化之光罩中間體，進而，為了對圖案未形成之光學膜實施圖案化，其亦可為形成有抗蝕膜者。
(光學膜)
於準備光罩基板之步驟中，藉由濺鍍法等公知之成膜法而於透明基板1之第1主面上形成光學膜2。
作為光學膜，可設為例如遮光膜(相對於使用光罩時之曝光之光的光學濃度OD為3以上)。又，光學膜亦可設為使一部分曝光之光透過之半透光膜、或透明膜。半透光膜之曝光之光之透光率以透明基板之透過率為基準(100%)而例示有3~60%者。
光學膜可為例如對曝光之光之透過率為3~30%、並且使曝光之光所包含之代表波長之相位反轉(大致180度偏移)的相位偏移膜。所謂大致180度係指150~210度之範圍內之角度。
進而，光學膜可為半透光膜，其係對曝光之光之透光率為3~60%，並且使包含於曝光之光中之代表波長之相位於5~90度之範圍偏移。此種半透光膜於形成微細之間隙圖案或孔圖案之情形時，亦可代替遮光膜或與遮光膜一同使用，輔助透過光罩之光量，成為用以到達被轉印體上之抗蝕劑之感光閾值之光量輔助圖案。
光學膜之膜厚藉由其功能而決定，但較佳為5~250nm。例如，若為二元遮罩之遮光膜，則遮光膜之膜厚可設為50~200nm。
光學膜設為能進行濕式蝕刻者。光學膜之材料可包含例如鉻(Cr)。或，光學膜可為包含鉻化合物之半透光膜。於光學膜為具備如上所述之透過率或相位偏移量之半透光膜之情形時，可為包含鉻之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、及碳氮氧化物之任一者之膜。
進而，亦可使用包含鉻以外之金屬，例如Mo、Ta、W、Zr、Nb、Ti或其等之化合物之光學膜。光學膜之材料亦可設為例如包含金屬矽化物或其氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮氧化物之材料。作為可用作光學膜之材料之金屬矽化物之例，有矽化鉬、及矽化鉭等。
上述光學膜較佳為於表面具備用以抑制光反射率之抗反射層者。於該情形時，例如，配置於以鉻為主成分之光學膜之表面之抗反射層較佳為，鉻化合物(氧化物、氮化物、碳化物等)之表面層於光學膜之厚度方向上產生組成變化。再者，組成變化既可為階段性變化，亦可為緩慢之變化。該抗反射層對於使用光罩時所用之曝光之光，具有抑制反射之功能，於下述之尺寸測定中，亦具有抑制表面反射之作用。
(抗蝕膜)
作為用於本發明之光罩之製造方法之光罩基板，可使用於光學膜2上形成有抗蝕膜3者。可藉由狹縫式塗佈機或旋轉塗佈機等公知之塗佈裝置，將成為抗蝕膜之原料之抗蝕劑塗佈於透明基板上。抗蝕膜之膜厚較佳為300~1000nm。
再者，此處，將抗蝕膜作為雷射繪圖用之正型型光阻而說明。但，抗蝕膜亦可使用負型光阻，進而，於以電子束進行繪圖之情形時，亦可使用電子束用抗蝕劑。再者，於利用電子束之情形時，以下 之對雷射射束之說明亦可替換稱為電子射束。
進而，於本發明之光罩之製造方法中，準備對抗蝕膜之繪圖用圖案資料。繪圖用圖案資料包含根據欲獲得之元件而設計之轉印用圖案資料，更包含用以形成下述CD測定用之監控圖案之監控圖案資料。
再者，用於本發明之繪圖用圖案資料中所包含之轉印用圖案資料及監控圖案資料較佳為針對形成之光學膜圖案之目標CD而進行特定量之尺寸加工(所謂確定尺寸)。藉此，於下述追加蝕刻(第2蝕刻)之前，確實地成為蝕刻不足(光學膜之去除尺寸較小)之狀態，取得裕度。該尺寸加工較佳為相對於通常之賦予抗蝕圖案之裕度(例如50~300nm)進一步於不足側實施30~100nm左右。該轉印用圖案及監控圖案之詳情將於以下敍述。
(b)繪圖步驟
於本發明之光罩之製造方法中，對光罩基板之抗蝕膜3照射雷射射束6，進行繪圖。於進行對抗蝕膜之繪圖時，使用上述繪圖用圖案資料。作為用於繪圖之繪圖裝置，可使用以雷射光(波長413nm左右)作為光源之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用雷射繪圖裝置。
於本發明之光罩之製造方法中，如上所述，繪圖用之特定之圖案資料包含用以形成欲獲得之轉印用圖案之轉印用圖案資料、及用以形成尺寸測定用之監控圖案之監控圖案資料。因此，轉印用圖案與監控圖案係於同一繪圖步驟中被描繪。
(c)抗蝕圖案形成步驟
本發明之光罩之製造方法中，藉由進行光學膜之表面之抗蝕膜之顯影而形成抗蝕圖案3a、3b。該抗蝕圖案係作為蝕刻光學膜時之蝕刻遮罩而發揮功能。
(d)光學膜圖案化步驟 (d-1)第1蝕刻
本發明之光罩之製造方法中，將抗蝕圖案3a、3b作為遮罩而以特定時間進行對光學膜2之第1蝕刻。第1蝕刻設為濕式蝕刻，蝕刻劑(蝕刻液)可配合光學膜之組成而選擇適當者。再者，較佳為第1蝕刻及下述之第2蝕刻均為濕式蝕刻。例如，於光學膜為鉻系之遮光膜之情形時，可使用含有硝酸鈰銨之蝕刻液。蝕刻液首先作用於未被抗蝕圖案覆蓋之部分之光學膜表面，藉此開始該部分之光學膜之溶出。但，於未被抗蝕圖案覆蓋之部分之光學膜溶出結束後，藉由各向同性蝕刻而進行自光學膜之側面之蝕刻。於第1蝕刻中，於未被抗蝕圖案覆蓋之部分之光學膜實質上消失之前之時間，進行光學膜之蝕刻，然後暫且停止。例如，第1蝕刻之時間可為50~120秒左右。
(d-2)監控圖案之尺寸測定
於停止對光學膜之第1蝕刻時，存在如下之情況，即，圖案化之光學膜之邊緣位於與抗蝕圖案之邊緣相同之位置、或成為進入至較抗蝕圖案之邊緣靠內側之位置(即，光學膜之邊緣位置進入至抗蝕圖案下之狀態)，但藉由以下方法而能進行第1蝕刻後之光學膜圖案(監控圖案2b)之尺寸測定。
再者，於光學膜之濕式蝕刻中，進行光學膜之側蝕，此時之光學膜之蝕刻速率實質上為固定。因此，光學膜之邊緣位置與蝕刻時間成比例而後退，光學膜圖案之CD產生變化(減少)。CD之變化量與蝕刻時間之相關關係可預先實驗性地求出。例如如圖2所示，預先測定並把握於相同條件下對相同膜厚及相同組成之光學膜進行側蝕之情形時的CD相對於蝕刻時間之變化量。於圖2所示之例中，特定之條件下之光學膜之蝕刻速率為8nm/秒。
本發明之光罩之製造方法中，測定停止第1蝕刻後之光罩基板上之監控圖案2b之尺寸、即CD。因此，剝離位於監控圖案2b上之抗蝕 圖案3b，使監控圖案之測定對象部分露出。具體而言，例如，對抗蝕圖案中之位於監控圖案上之部分進行點曝光，使顯影液接觸，去除該部分之抗蝕劑。藉此，包含光學膜之監控圖案露出。
於尺寸測定時，藉由局部地去除形成有監控圖案之部分之抗蝕膜而能自表面側直接進行監控圖案之尺寸測定，因此能進行精度良好的光學尺寸測定。監控圖案之尺寸測定可藉由線寬測定裝置，使用波長400~600nm之光進行透過測定。
作為監控圖案之尺寸而測定之部分較佳為於監控圖案中亦包含與轉印用圖案中之保證CD值之部分(以下，稱為保證部)對應之部分(稱為測定部)、即與CD保證部相同尺寸之部分。因此，上述監控圖案之尺寸之測定結果成為反映與測定部對應之轉印用圖案之保證部之CD值者。
繼而，把握對監控圖案測定之CD值、與作為目標之CD值之差，且可根據該差與預先把握(參照圖2)之該光學膜之蝕刻速率之值而計算必要之追加蝕刻時間。
再者，上述尺寸測定後之監控圖案於此後進行追加蝕刻之情形時，一同進行露出之表面之蝕刻與側蝕。因此，有時監控圖案區域之光學膜之表面反射率產生變化、或光學膜受到損傷。然而，監控圖案並非用於最終製品之圖案，因而無任何問題。
又，為避免監控圖案之損傷，亦可於尺寸測定後貼附或塗佈遮蔽材等，於追加蝕刻時，進行使監控圖案區域之光學膜與蝕刻液不接觸之被覆。
(d-3)第2蝕刻
為獲得作為目標之CD值之轉印用圖案，以如上述般獲得之追加蝕刻時間進行追加蝕刻(即第2蝕刻)。第2蝕刻較佳為濕式蝕刻。再者，由於光學膜之被蝕刻邊緣已接近目標尺寸之位置，因而即便為需 要追加蝕刻之情形，該追加蝕刻時間亦較短即可。較佳為，追加蝕刻時間可設為0~10秒之蝕刻時間。
(e)洗淨步驟
於追加蝕刻時間量之第2蝕刻結束後，再次停止蝕刻，剝離抗蝕圖案3a、3b，並且洗淨。
藉由上述方法，即便於成為蝕刻遮罩之抗蝕圖案之形成中存在各種不穩定要素，亦能使最終形成之光學膜圖案(轉印用圖案)之尺寸確實與特定之規格一致。
(f)檢查步驟
對所形成之轉印用圖案2a進行CD值等之檢查。又，進行用以確認轉印用圖案之完成結果之其他檢查。
再者，於上述態樣中，監控圖案之尺寸測定僅進行1次。但，亦可視需要重複進行監控圖案之尺寸測定及第2蝕刻，且此種態樣亦包含於本發明。
對形成於光罩之轉印用圖案及監控圖案更詳細地進行說明。於顯示裝置製造用之光罩上，形成有於薄膜電晶體或彩色濾光片等之構造中必要之包含重複圖案之轉印用圖案。圖3表示其一例。圖3(a)係本發明之光罩之主表面之模式圖之例。實際之圖案形狀未必與此相同。
如圖3(a)所示，於本態樣之光罩中，於透明基板主表面之中央，配置有2張顯示裝置製造用之轉印用圖案，於轉印用圖案之區域外，設置有8個監控圖案。本發明之光罩之製造方法中，監控圖案較佳為於透明基板上，於轉印用圖案之區域外配置有複數個，且該等複數個監控圖案分別包含CD測定部。該8個位置之監控圖案較佳為例如於X方向、Y方向之任一者均具有0.2~10mm左右之大小，更佳為0.5~10mm。形成於本發明之光罩之監控圖案之個數並無限制。監控圖案之 個數較佳可設為2~12個。根據複數個監控圖案，於蝕刻行為於面內並不均勻之情形時把握其傾向、或對複數個監控圖案之測定結果進行加工(例如計算平均值)等，進行精度更高之追加蝕刻(第2蝕刻)，藉此能獲得可靠性更高之轉印用圖案。
複數個監控圖案之各者之位置較佳為轉印用圖案之區域外，且於透明基板所具有之角或邊之附近位置相互隔開而分別配置。例如，可分別配置於透明基板之4角之附近，或分別配置於4邊之附近。藉由監控圖案彼此隔開(例如，透明基板之短邊之1/4以上之隔開距離)，即便於透明基板上光學膜之圖案化中產生微小之面內不均勻，亦可把握該情況。
本態樣中，轉印用圖案設為包含具有用於液晶顯示裝置之像素圖案之像素圖案部者。像素圖案部中，包含例如將複數個以一像素之像素圖案為單位之同一形狀之單位圖案規則地排列之重複部分(參照圖3(b))。
於本說明書中，所謂單位圖案係指以此為單位而進行相同之重複者。作為單位圖案，可為最小單位圖案(例如於顯示裝置用之圖案中，為1像素量之像素圖案)，或亦可為將複數個(例如於X及/或Y方向各為2~5個)最小單位圖案排列而成者。
又，監控圖案中，亦以與轉印用圖案中之單位圖案之配置相同之方式具有規則性地排列有複數個與轉印用圖案所包含之單位圖案相同之單位圖案(參照圖3(c))。再者，監控圖案中之單位圖案亦可不必與轉印用圖案中之單位圖案為相同形狀(參照圖4(b))。
如此，本發明之光罩之製造方法較佳為，轉印用圖案包含使單位圖案重複之重複部分，且監控圖案包含使具有與轉印用圖案所包含之單位圖案之X方向或Y方向之尺寸相等之部分之單位圖案重複之重複部分。又，本發明之光罩之製造方法較佳為，轉印用圖案包含使單 位圖案重複之重複部分，且監控圖案包含使與轉印用圖案所包含之單位圖案相同之單位圖案重複之重複部分。
但，較佳為使轉印用圖案與監控圖案之蝕刻環境近似。因此，轉印用圖案及監控圖案於分別將周圍1mm之正方形區域內之圖案開口率設為A(%)及B(%)時，其差(A-B(%))較理想為20(%)以下，更佳為10(%)以下。此處，開口率係圖案單位面積中之去除光學膜之面積之比例。
關於監控圖案所包含之單位圖案之重複之數目，只要為可排列於形成有監控圖案之部分之面積之範圍，則並無特別限定。較佳為，於1個位置之監控圖案中，於X、Y方向分別排列3~1000個左右之單位圖案，更佳為排列10~500個。形成有監控圖案之部分之面積只要可對下述尺寸測定帶來適當之精度與方便即可。該監控圖案並未被使用於欲獲得之顯示裝置之驅動中。
圖3(b)係本態樣中例示之轉印用圖案之放大模式圖。於圖3(b)中，同一形狀之像素圖案P11、P12...等規則地排列於X方向及Y方向。於圖3(b)之例中，例如，可將一個像素圖案P11作為單位圖案而將P11、P12等作為單位圖案之重複圖案。再者，例如亦可將於X方向及Y方向分別包含二個像素圖案(P11、P12、P21及P22)之重複圖案作為單位圖案。單位圖案之尺寸(即圖案之重複週期)於X方向及Y方向分別為10~300μm左右，且於X、Y方向排列有多個單位圖案。以下，以一個像素圖案(P11、P12等)為單位圖案而說明本態樣。
於轉印用圖案中設置有保證部。其係轉印用圖案所包含之任意之部分，且可作為求出較高之CD精度之部分。圖3(b)中，作為單位圖案即P22之X方向之寬度，由X-CD保證部規定，作為Y方向之寬度，由Y-CD保證部規定。
圖3(c)中，表示使用上述轉印用圖案時所使用之監控圖案M之放 大模式圖。其中，與轉印用圖案所包含之單位圖案(P11、P12...)相同形狀之單位圖案(M11、M12...)以與上述轉印用圖案所包含之單位圖案相同之間距而排列。而且，作為單位圖案M22之X方向之寬度，設置有X-CD測定部，作為Y方向之寬度，設置有Y-CD測定部。又，單位圖案P22之X-CD保證部及Y-CD保證部之尺寸分別與單位圖案M22之X-CD測定部及Y-CD測定部之尺寸相同。
本態樣中，於對光學膜實施之第1蝕刻後，進行單位圖案M22之X-CD測定部之測定、及Y-CD測定部之測定，藉此可準確地把握單位圖案P22之部分之光學膜之蝕刻進展程度，且可決定此後之第2蝕刻所使用之蝕刻時間。
且說，於上述例中，單位圖案P22與單位圖案M22係以相同繪圖條件而繪圖。因此，單位圖案M22之CD測定部與單位圖案P22之CD保證部成為相同繪圖條件下之CD。以下就該點進行說明。
圖7中，表示自本態樣所使用之雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束之移動。於該雷射繪圖裝置中，重複執行以下動作：使雷射射束於Y方向掃描特定之掃描長度量之後，於X方向進給特定之進給長度量。藉由該動作之重複而使特定面積(1條紋)之繪圖結束後，藉由繪圖頭或平台移動而進行相鄰之條紋之繪圖。當然，該等移動可與雷射射束之特定振幅之移動一併作為繪圖頭或平台之相對移動之組合而進行。
關於圖7中之接縫部分(與相鄰之條紋之邊界之部分)，可使掃描(雷射射束之照射)重疊，亦可使其接連。
例如，若為射束徑A(μm)之單射束方式之繪圖，則X方向之射束進給長度亦成為A(μm)。另一方面，若為使複數個雷射射束同時掃描之多射束方式，則X方向之射束進給長度成為射束徑之整數倍。
再者，對於單射束方式、多射束方式之任一者，本發明均可應 用，尤其於多射束方式之情形時，發明之效果顯著。
圖8中，表示自雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束之移動之例。
參照圖9，對以自雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束進行之Y方向之線寬(CD)控制之方法進行說明。於Y方向之1掃描期間，根據使雷射射束導通/阻斷之時序而控制CD。即，以由雷射繪圖裝置規定之最小單位即柵格G(例如，G=0.005μm)之單位進行雷射射束之導通/阻斷，劃定圖案之邊緣。但，雷射射束之照射能量於1掃描期間未必固定。反而，於Y方向之1掃描、亦即雷射射束之振幅(射束掃描長度)中，雷射繪圖裝置亦存在固有之混亂，且光量不均勻之情形亦不少。
另一方面，如圖10所示，X方向之圖案之CD(線寬)係藉由自雷射繪圖裝置之繪圖頭照射之雷射射束(射束徑A μm)之光之照射強度而決定。此處，於多射束方式之情形時，照射使各個雷射射束之光合成後之複數個雷射射束之光量之光。但，複數個雷射射束係以固定距離排列(於X方向)，為了不使其相對位置變動，於對圖案之邊緣進行繪圖時，以成為必要之線寬之方式而調整雷射射束之功率。例如，於圖10(b)中，若藉由射束徑A μm之雷射射束而繪圖A μm之線寬，則對該雷射射束設定100%之射束強度即可。如圖10(c)所示，於繪圖1.3A μm之線寬時，將100%(以白色圈表示)之功率(射束強度)與30%之功率(以灰色圈表示)合成而繪圖。藉由如此方式而可繪圖具有射束徑之整數倍以外之線寬之圖案。如此般，X方向之CD控制藉由雷射射束之功率控制而進行。雷射射束之功率控制能階段性地調整，例如，於具有0.25μm之射束徑之雷射射束中，可使射束強度以50階段(每0.005μm)而變化。
再者，關於圖10(a)中作為3條射束而例示之射束之排列，於繪圖裝置之動作中，不僅有維持該排列而成為一體地移動之情形，亦有使 鄰接之射束具有時差而移動之情形。即，本申請案中射束之排列係指最終繪圖之圖案上之位置之排列，未必係指繪圖動作中之射束彼此之排列。
如以上般，一般而言，於雷射繪圖裝置中，X方向之CD劃定與Y方向之CD劃定分別藉由上述機制而進行。若於X方向之進給中不存在射束強度之不均勻、或雷射射束之個體差(多射束方式之情形)，且於Y方向之各掃描中不存在射束強度之變動，則理論上藉由上述導通/阻斷之控制(Y方向)與射束強度之排列組合(X方向)，於任何位置均可再現如設計之CD。但實際上，於1掃描期間照射之能量中亦存在裝置固有之變動。因此，藉由該等之不均因素而無法避免所形成之抗蝕圖案之形狀產生變化。進而，於藉由複數個雷射射束同時進行掃描之多射束方式中，繪圖效率變高之另一方面，產生由各個雷射射束之個體差而導致之照射量之不均。
考慮到上述情形時，於進行本發明之監控圖案之尺寸測定時，若使該監控圖案之成為蝕刻遮罩之抗蝕圖案之形成中使用之繪圖條件與轉印用圖案中使用之繪圖條件一致，則能成為可靠性真正高的尺寸測定。亦即，將與轉印用圖案中使用之繪圖條件相同之繪圖條件應用於監控圖案之X方向及Y方向之至少一者、較佳為兩者時為有效。而且，該繪圖條件較佳為，於X方向上設為用於繪圖之雷射射束等能量射束之射束排列，於Y方向上設為該能量射束之掃描位置。此處掃描位置係指於1掃描之週期中安排給繪圖之部分(位置)。
所謂射束排列係雷射射束之射束強度之排列。又，於使用多射束方式之情形時，除此之外，射束排列係於識別各個雷射射束後，各雷射射束之組合與其各者之射束強度之排列。
舉例而言，於圖3(b)所示之轉印用圖案中，於X方向以固定之進給長度(若為單射束繪圖，則進給長度與射束徑相等，若為多射束繪 圖，則進給長度為射束徑之整數倍)傳送雷射射束，並朝Y方向進行固定之掃描長度(2像素量)之掃描，且重複此動作。於圖3(b)、(c)中，白圈表示100%之射束強度，黑圈表示射束強度0%(斷開)，灰色圈表示其等之中間強度。
此處，於X方向上，21個量之射束徑之排列(圖3(b)中與自下起之白圈、黑圈、黑圈、...對應之作為射束排列之100%、0%、0%...之排列)成為繪圖重複週期，其相當於單位圖案P11及P21之2像素量(於X方向2個單位圖案之量)。單位圖案P31以後之繪圖中，亦藉由該21個雷射射束之射束排列而繪圖X方向2像素量。
此處，設置有保證部之單位圖案P22藉由上述21個雷射射束之射束排列中之上側之一半之射束排列而繪圖。
另一方面，於Y方向上，雷射繪圖裝置之掃描長度為2像素量，重複該繪圖掃描。因此，於圖3所示之例中，Y方向之繪圖重複週期成為掃描長度。此處，單位圖案P22藉由該1掃描長度之後半(右側)之掃描位置而繪圖。
且說，於圖3(c)所示之監控圖案中，亦與圖3(b)之轉印用圖案同樣地，排列有與單位圖案P11及P21等相同尺寸之單位圖案M11及M21等。而且，於監控圖案中，亦作為與上述相同之X方向之射束排列(即，與上述同樣地，自下起之白圈、黑圈、黑圈...灰色圈之21個組合)而繪圖。
因而可知，關於在尺寸測定步驟中測定之測定部(X-CD測定部、Y-CD測定部)，只要與圖3(b)所示之轉印用圖案之情形同樣地設為21個雷射射束之繪圖重複單位之上半量之X-CD測定部、及Y方向之1掃描長度之後半之掃描位置之Y-CD測定部即可。如根據圖3(c)而理解，設置有測定部之單位圖案M22藉由上述X方向之21個雷射射束之排列中之上側之一半而繪圖，且藉由Y方向之1掃描長度之後半(右側)之掃 描位置而繪圖。如此，為了進行精密的CD管理，有效的是將與轉印用圖案中使用之繪圖條件相同之繪圖條件應用於監控圖案之X方向及Y方向之至少一者，較佳為兩者。又，為了進行精密的CD管理，有效的是繪圖條件包含選自用於繪圖之能量射束的X方向之射束排列及Y方向之掃描位置之至少一者。
於考慮繪圖機制之後決定尺寸測定之對象，藉此能進行極其精密的CD管理。即，如上所述，於將轉印用圖案之至少一部分設為CD保證部時，以使監控圖案之CD測定部與轉印用圖案之CD保證部為相同尺寸、且以與轉印用圖案之CD保證部相同之繪圖條件而繪圖的方式，決定尺寸測定之對象即CD測定部，藉此能進行極其精密的CD管理。
再者，於使用多射束方式之情形時，作為X方向之射束排列，較佳為不僅考慮射束強度之排列，而且識別各個雷射射束(例如射束No.1、No.2...)，並同時考慮該射束排列與其各者之射束強度。即，於轉印用圖案之保證部與監控圖案之測定部中，使所使用之射束排列、及射束強度之組合完全相同。藉此，可包含各個雷射射束之微小之個體差，使轉印用圖案之繪圖之狀態(繪圖條件)於監控圖案中反映，且可提高後續步驟之尺寸測定之可靠性。
如上所述，於本發明之光罩之製造方法中，於繪圖步驟中具有使特定之繪圖條件於X方向重複之X方向之繪圖重複週期(射束排列)之情形時，本發明之效果顯著。射束排列對應X方向之每一繪圖重複週期而重複。
於上述使用圖3而說明之例中，繪圖步驟中之X方向之繪圖重複週期(射束排列)與單位圖案之X方向之間距(重複週期)為2：1。即，於圖3所示之例中，X方向之繪圖重複週期(射束21個量)相當於單位圖案P11及P21(於監控圖案之情形時，為單位圖案M11及M21)之2個X方向 之單位圖案之長度(單位圖案之X方向之間距)。但並不限定於此，於X方向之繪圖重複週期、與單位圖案之X方向之間距之最小公倍數為20以下之整數、更佳為15以下、進而佳為10以下之整數時，複數個CD保證部(或CD測定部)之選定變得容易，從而有利。
又，於上述例中，繪圖步驟中之Y方向之繪圖重複週期(掃描長度)與單位圖案之Y方向之間距(重複週期)為2：1。即，於圖3所示之例中，Y方向之繪圖重複週期(掃描長度)之長度相當於單位圖案P11及P12(於監控圖案之情形時，為單位圖案M11及M12)之2個Y方向之單位圖案之長度(單位圖案之Y方向之間距)。但並不限定於此，於Y方向之繪圖重複週期、與單位圖案之Y方向之間距之最小公倍數為20以下之整數、更佳為15以下、進而佳為10以下之整數時，複數個CD保證部(或CD測定部)之選定變得容易，從而有利。
如此設定最小公倍數之範圍，因而亦能加工圖案資料。例如，可將圖案資料於X方向或Y方向預先放大或縮小，將單位圖案之尺寸調整為與X方向或Y方向之繪圖重複週期具有20以下之整數之最小公倍數，且於繪圖時，可進行還原為原本之尺度之縮小或放大之校正。
又，於本發明中，亦能將Y方向之掃描長度設定為小於雷射繪圖裝置所具有之最大掃描長度之範圍。藉此，存在可設為上述範圍之最小公倍數之情況。
關於轉印用圖案(及與其對應之監控圖案之形狀)，並不限於圖3所示之形狀，可根據所製造之光罩之用途而設計。
圖4所示之轉印用圖案基本上與圖3相同，但轉印用圖案之CD保證部僅為Y-CD保證部，因而於監控圖案中無需X-CD測定部之測定。與此對應，圖4所示之監控圖案之形狀成為線與間隙圖案。但，如圖4所示，成為測定對象之光學膜圖案之邊緣對應，且Y-CD保證部與Y-CD測定部之設計尺寸相等。
圖5中，例示有如TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之S(Source，源極)/D(Drain，汲極)層般形狀複雜之圖案。於圖5所示之例中，設定有2個位置之轉印用圖案之Y-CD保證部(內部1個位置為通道部分)，監控圖案之Y-CD測定部亦設置於與該等對應之2個位置。於本例中，X方向及Y方向之繪圖重複週期與單位圖案之X方向及Y方向之間距一致(1：1)。又，監控圖案之單位圖案為與轉印用圖案之單位圖案相同之形狀。
又，於圖5所示之例中，轉印用圖案之X-CD保證部成為空間部(透光部)，且Y-CD保證部成為線部(遮光部)及空間部(透光部)，與此對應，於監控圖案中，將對應之相同寬度之部分設為X-CD測定部及Y-CD測定部，且作為尺寸測定之測定對象。
圖6係於四角形之圖案之角部分別配置有OPC(Optical Proximity Correction，光學近接校正)者，繪圖雷射射束之配置、及保證部、測定部之關係與圖3之例相同。
再者，表示保證部與測定部之圖案設計並非必須完全一致，只要用於CD測定之光學膜邊緣之位置於兩者中對應即可。即，保證部具有特定設計之遮光圖案，測定部中，於一部分相對於該圖案形狀而具有缺損部分或附加部分之情形時(圖6中為此一例)、或於測定部中該遮光圖案分離為複數個之情形時，只要在用於CD測定之光學膜邊緣之位置上具有對應者，則設為「具有與CD保證部相同尺寸之CD測定部」。
以上之說明係就使用雷射射束作為繪圖用之情形進行了說明，於使用電子射束等其他能量射束之情形時，亦可同樣地使用。
再者，於以上所述中，就於透明基板上形成1個轉印用圖案之情形進行了敍述，其可較佳地應用於所謂二元遮罩。但，本發明並不限定於此。例如，於透明基板上分別經過繪圖、蝕刻而形成複數層圖案 之情形時，對於複數層之任一層均可應用本發明，且對於複數層之所有層亦可應用本發明。
例如，在製造於透明基板上藉由形成遮光膜、及透過曝光之光之一部分之半透光膜，且將各者圖案化而形成有包含遮光部、透光部、及半透光部之轉印用圖案之多色調光罩時，能應用本發明之製造方法。
或，在製造於透明基板上藉由形成使曝光之光之相位反轉之相位偏移膜、或除此之外形成遮光膜，且將各者圖案化而形成有轉印用圖案之相位偏移遮罩時，亦能應用本發明之製造方法。
以本發明之製造方法製造之光罩之用途中並無特別限制。例如，以本發明之光罩之製造方法製造之光罩之轉印用圖案可為液晶顯示裝置(LCD，Liquid Crystal Display)及EL(electroluminescence display，電致發光)顯示裝置等顯示裝置製造用之圖案。
本發明包含使用以上述製造方法製造之光罩且藉由曝光裝置將轉印用圖案轉印至被轉印體上之顯示裝置之製造方法。即，本發明之顯示裝置之製造方法包含：準備利用上述製造方法製造之光罩之步驟；及使用曝光裝置，將上述光罩具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上之步驟。根據本發明之顯示裝置之製造方法，可製造將尺寸精度較高之轉印用圖案轉印至被轉印體上之顯示裝置。
此處，所使用之曝光裝置宜設為作為LCD用或FPD用而公知之等倍曝光之投影曝光裝置(例如光學系統之數值孔徑NA為0.08~0.9)。作為曝光光源，可使用包含i射線、h射線、g射線在內之寬波長之光。再者，當然亦能應用使用相同之光源之近接式曝光裝置。
又，本發明係於透明基板上具備將光學膜圖案化所得之轉印用圖案與複數個監控圖案之光罩。複數個監控圖案形成於轉印用圖案之區域外。於本發明之光罩中，於將轉印用圖案之至少一部分設為CD 保證部時，監控圖案包含與CD保證部相同尺寸、且以與CD保證部相同之繪圖條件而形成之CD測定部。再者，繪圖條件係轉印用圖案之繪圖中使用之能量射束的X方向之射束排列或Y方向之掃描位置之至少一者。關於X方向之射束排列及Y方向之掃描位置，為如上所述。本發明之光罩具有尺寸精度較高之轉印用圖案。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧光學膜
2a‧‧‧光學膜圖案(轉印用圖案)
2b‧‧‧光學膜圖案(監控圖案)
3‧‧‧抗蝕膜
3a‧‧‧抗蝕圖案(形成有轉印用圖案之部分之抗蝕圖案)
3b‧‧‧抗蝕圖案(形成有監控圖案之部分之抗蝕圖案)
6‧‧‧雷射射束

Claims (22)

  1. 一種光罩之製造方法，其特徵在於，該光罩具備於透明基板上將光學膜圖案化而得之轉印用圖案，該光罩之製造方法具有：準備光罩基板之步驟，該光罩基板於上述透明基板上具有上述光學膜及抗蝕膜；繪圖步驟，其係使用繪圖裝置，根據特定之圖案資料而對上述抗蝕膜進行繪圖；抗蝕圖案形成步驟，其係藉由對上述抗蝕膜進行顯影而形成抗蝕圖案；及光學膜圖案化步驟，其係將上述抗蝕圖案作為遮罩而對上述光學膜進行蝕刻，藉此形成光學膜圖案；且於上述繪圖步驟中，使用包含用以形成欲獲得之上述轉印用圖案之轉印用圖案資料及用以形成尺寸測定用之監控圖案之監控圖案資料的上述圖案資料進行繪圖，上述光學膜圖案化步驟包含：第1蝕刻，其係對上述光學膜實施特定時間之蝕刻；上述監控圖案之尺寸測定；及第2蝕刻，其係根據藉由上述尺寸測定所取得之上述監控圖案之尺寸而對上述光學膜實施追加之蝕刻；上述監控圖案於將上述轉印用圖案之至少一部分設為CD保證部時，包含與上述CD保證部相同尺寸之CD測定部，上述尺寸測定係針對上述CD測定部進行。
  2. 如請求項1之光罩之製造方法，其中上述監控圖案所包含之上述CD測定部係以與上述CD保證部相 同之繪圖條件繪圖而成者，上述繪圖條件包含選自用於繪圖之能量射束的X方向之射束排列及Y方向之掃描位置之至少一者，上述尺寸測定係針對上述CD測定部進行。
  3. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述第1蝕刻及上述第2蝕刻為濕式蝕刻。
  4. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中於上述尺寸測定時，係局部地去除形成有上述監控圖案之部分之上述抗蝕膜。
  5. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述監控圖案於上述透明基板上係於上述轉印用圖案之區域外配置有複數個，且該等複數個上述監控圖案分別具有上述CD測定部。
  6. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案包含使單位圖案重複之部分，上述監控圖案包含使具有與上述轉印用圖案所包含之上述單位圖案之上述X方向或上述Y方向之尺寸相等之部分之單位圖案重複之部分。
  7. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案包含使單位圖案重複之部分，上述監控圖案包含使與上述轉印用圖案所包含之單位圖案相同之上述單位圖案重複之部分。
  8. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述繪圖步驟具有使特定之上述繪圖條件於上述X方向重複之X方向之繪圖重複週期，上述射束排列針對每一上述X方向之繪圖重複週期而重複。
  9. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述繪圖步驟具有使特定之上述繪圖條件於上述Y方向重複之Y方向之繪圖重複週期，上述掃描位置針對每一上述Y方向之繪圖重複週期而重複。
  10. 如請求項8之光罩之製造方法，其中上述繪圖步驟中之上述X方向之繪圖重複週期、與上述單位圖案之上述X方向之間距之最小公倍數成為20以下之整數。
  11. 如請求項9之光罩之製造方法，其中上述繪圖步驟中之上述Y方向之繪圖重複週期、與上述單位圖案之上述Y方向之間距之最小公倍數成為20以下之整數。
  12. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案為顯示裝置製造用之圖案。
  13. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述繪圖步驟中使用雷射繪圖裝置。
  14. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述尺寸測定係使用光學透過測定。
  15. 一種光罩，其特徵在於，其具備於透明基板上將光學膜圖案化而得之轉印用圖案與複數個監控圖案，上述監控圖案係設置於上述轉印用圖案之區域外，於將上述轉印用圖案之至少一部分設為CD保證部時，上述監控圖案包含與上述CD保證部相同尺寸之部分。
  16. 如請求項15之光罩，其中上述監控圖案所包含之與上述CD保證部相同尺寸之部分係以與上述CD保證部相同之繪圖條件而形成者，上述繪圖條件係用於上述轉印用圖案之繪圖之能量射束的X方向之射束排列或Y方向之掃描位置之至少一者。
  17. 如請求項15之光罩，其中上述監控圖案之表面受到蝕刻液損傷。
  18. 如請求項17之光罩，其中上述損傷係監控圖案之表面反射率之變化。
  19. 如請求項15之光罩，其中上述轉印用圖案及監控圖案具有由濕式蝕刻形成之邊緣。
  20. 如請求項15之光罩，其係用以利用FPD用曝光裝置曝光之光罩。
  21. 一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟：準備利用如請求項1或2之製造方法製造之光罩；及使用曝光裝置，將上述光罩具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上。
  22. 一種顯示裝置之製造方法，其具有以下步驟：準備如請求項15至20中任一項之光罩；及使用曝光裝置，將上述光罩具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上。
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