TWI572050B - 異質接面之矽基太陽能電池製作方法及直列式製作設備 - Google Patents

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Description

異質接面之矽基太陽能電池製作方法及直列式製作設備
本發明是有關於一種矽基太陽能電池製作方法與其直列式製作設備。
光伏元件（photovoltaic device）因為其將發自一光源（例如，太陽光）中容易取得的能量轉換成電力，以操控例如，計算機、電腦、加熱器等電子裝置，所以光伏元件已被廣泛地使用。最常見的光伏元件即為矽基太陽能電池。矽基太陽能電池係指利用取自單晶矽晶棒或多晶矽鑄錠之結晶矽基材所製作的太陽能電池。
近來，有所謂的HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）構造太陽能電池，亦即於單晶矽基板與非晶矽層之間挾有本質非晶質矽層(intrinsic amorphous silicon thin layer)，以降低該界面上之缺陷，進而改善異質接合界面的特性。
惟，目前製作前述太陽能電池的方法，主要是以矽基板藉由單一進出獨立式的化學氣相沈積設備或叢聚型（cluster）化學氣相沈積設備進行，前述製程需在每次完成製備半導體層後取出矽基板，而將設備予以清潔之後才能再行使用。後者則受限於設備而需不斷地將矽基板置入、翻轉及取出於叢聚型設備的多個子設備之間，因此無論何者，其所須的工序繁多且複雜，而不符合量產效益。
本發明提供一種異質接面之矽基太陽能電池製作方法及直列式製作設備，藉以簡化異質接面之矽基太陽能電池的製作工序與降低製程時間，以符合量產效益。
本發明的異質接面之矽基太陽能電池製作方法，包括：提供矽基板，具有彼此上、下相對的第一表面與第二表面；在第一表面上化學氣相沈積第一本質型半導體層；在第一本質型半導體層上化學氣相沈積電洞型矽半導體層；維持第一表面與第二表面呈上、下相對的姿態而在第二表面化學氣相沈積第二本質型半導體層；以及在第二本質型半導體層下方化學氣相沈積電子型矽半導體層。
本發明的直列式製作設備，用以連續地製作異質接面之矽基太陽能電池。直列式製作設備包括沿直線依序排列的第一正鍍式化學氣相沈積設備、第二正鍍式化學氣相沈積設備、第一背鍍式化學氣相沈積設備，以及第二背鍍式化學氣相沈積設備，其中正鍍式化學氣相沈積設備的鍍製方向與背鍍式化學氣相沈積設備的鍍製方向彼此相反。
在本發明的一實施例中，上述各化學氣相沈積的製程時間一致。
在本發明的一實施例中，上述化學氣相沈積包括電漿輔助化學氣相沈積、電感應耦合型電漿化學氣相沈積與電子迴旋共振化學氣相沈積的至少其一。
在本發明的一實施例中，上述化學氣相沈積所使用的電漿源是選自13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、以及60MHz以上的高頻電漿源（very high frequency, VHF）的其中之一。
在本發明的一實施例中，上述化學氣相沈積的製程壓力為15Pa至150Pa。
在本發明的一實施例中，上述化學氣相沈積中的該矽基板溫度為100℃至300℃。
在本發明的一實施例中，上述化學氣相沈積中所使用的射頻功率為30W至500W。
在本發明的一實施例中，還包括：在上述的電洞型矽半導體層上物理氣相沈積第一透明導電薄膜；以及在上述的電子型矽半導體層下方物理氣相沈積第二透明導電薄膜。
在本發明的一實施例中，上述物理氣相沈積包括真空蒸鍍、濺鍍與離子鍍著的至少其一。
在本發明的一實施例中，上述各化學氣相沈積的製程時間與各物理氣相沈積的製程時間一致。
基於上述，在本發明的上述實施例中，異質接面之矽基太陽能電池藉由直列式製作設備，而讓矽基板以直列式製程路徑依序經過各鍍製設備，以在矽基板的相對兩表面上氣相沈積所須的半導體層，其中矽基板無須因應其表面位置而在製程中翻轉，因此藉由直列式的製程路徑得以簡化在各個鍍製設備之間的傳送工序。同時，藉由所述直列式製作設備，亦能讓各鍍製設備能專一在其本位製程，亦即無須因矽基板的狀態或其上半導體層的種類而予以對應變換製程。據此，所述直列式的製作方法及設備能有效地提高製程效率，而符合量產效益。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依據本發明一實施例的一種異質接面之矽基太陽能電池的結構示意圖。圖2是圖1異質接面之矽基太陽能電池製作流程圖。圖3是用以製作出異質接面之矽基太陽能電池的製作設備示意圖。請同時參考圖1至圖3，在本實施例中，異質接面之矽基太陽能電池20包括矽基板200、第一本質（i型）半導體層210、第二本質（i型）半導體層220、電洞型（P型）矽半導體層230以及電子型（N型）矽半導體層240。矽基板200具有彼此相對的第一表面S1、第二表面S2，第一本質（i型）半導體層210配置於第一表面S1，第二本質（i型）半導體層220配置於第二表面S2，而電洞型（P型）矽半導體層230配置於第一本質（i型）半導體層210上，電子型（N型）矽半導體層240配置於第二本質（i型）半導體層220。
在本實施例中，為讓異質接面之矽基太陽能電池20在製備前述各半導體層的時間得以有效地降低並簡化其製備工序，請參考圖2所述流程與圖3所示設備。首先，在圖3中，直列式製作設備100包括沿一直線依序排列的進片承載台E1、第一正鍍式化學氣相沈積設備110、第二正鍍式化學氣相沈積設備120、第一背鍍式化學氣相沈積設備130、第二背鍍式化學氣相沈積設備140以及出片承載台E2。矽基板200適於藉由進片承載台E1而進入直列式製作設備100的各個製程設備中進行前述半導體層的鍍製，而於完成如圖1的結構後再藉由出片承載台E2移出直列式製作設備100。
如此一來，矽基板200無須如前述反覆地進出同一個獨立式設備或是在叢集型的各個設備中切換，取而代之的，則是如圖3所示一條龍式的製作過程，即，圖3所示各個鍍製設備之間均設有傳送機構（未繪示），以讓完成鍍製的矽基板200能立即送往下一個鍍製設備，直至使矽基板200行遍圖3所示各個鍍製設備。因而所述呈單一流向的直列式製作設備100能有效簡化傳送矽基板200所需的時間與工序。
更重要的是，由於異質接面之矽基太陽能電池20是要在矽基板200的相對兩表面（即前述第一表面S1、第二表面S2）均鍍製半導體層，因而無論是前述的獨立式或叢集型設備，均需以機械手臂或人工將矽基板200予以翻轉，以利於在另一表面鍍製半導體層，而此舉往往造成設備之間除傳送設備外需再行配置轉換設備，而造成設備成本增加，且也因此提高整體製程所需時間。據此，後續將詳述本發明之相關設備以作為前述問題的改善。
在此需先說明的是，本實施例的各半導體層是以化學氣相沈積的方式而鍍製在矽基板200的第一表面S1與第二表面S2上，且所述化學氣相沈積包括電漿輔助化學氣相沈積、電感應耦合型電漿化學氣相沈積與電子迴旋共振化學氣相沈積的至少其一。
圖4繪示電漿輔助化學氣相沈積設備的示意圖。圖6繪示電感應耦合型電漿化學氣相沈積設備的示意圖。圖8繪示電子迴旋共振化學氣相沈積設備的示意圖。相對地，圖5繪示另一種電漿輔助化學氣相沈積設備的示意圖。圖7繪示另一種電感應耦合型電漿化學氣相沈積設備的示意圖。圖9繪示另一種電子迴旋共振化學氣相沈積設備的示意圖。
請先參考圖4與圖5，圖4所示的電漿輔助化學氣相沈積設備A100包括：固定座A112，用以固定並承載矽基板200，並讓兩者同處於腔室A130中；射頻（radio frequency, RF）控制A120，電性連接於固定座A112及其對側的電極A114，相當於將固定座A112與電極A114視為耦合電容A110，以對通入腔室A130的製程氣體F1進行解離（離子化）而形成電漿F2；真空系統A140，用以維持腔室A130內的真空狀態，同時也將腔室A130內反應後的副產物由此帶離；以及冷卻系統A150，例如通以氦氣，以對矽基板200進行冷卻（散熱）之用。
請參考圖5，電漿輔助化學氣相沈積設備B100包括固定座B112、電極B114（兩者形成耦合電容B110）、腔室B130、射頻控制B120、真空系統B140、以及冷卻系統B150，均如前述電漿輔助化學氣相沈積設備A100之結構。惟不同的是，其配置方式是以由下而上作為其鍍製半導體層的方向。換句話說，所述兩種電漿輔助化學氣相沈積設備A100與B100分別是正鍍式（由上而下）與背鍍式（由下而上）的相反鍍製方向而對矽基板200的第一表面S1、第二表面S2進行半導體層的鍍製製程。如此一來，矽基板200藉由不同方向的鍍製而無須對其施予翻轉的傳送。
請參考圖6與圖7，所示電感應耦合型電漿化學氣相沈積設備A200（B200）包括腔室A210（B210），其例如是以陶瓷蓋A212（B212）與基座A214（B214）彼此可拆卸地結合而成。腔室A210（B210）內設置固定座A220（B220）（例如為靜電夾盤），而矽基板200承載並固定在固定座A220（B220）上。所述陶瓷蓋A212（B212）周緣配置有多個感應線圈A230（B230），其連接射頻控制A240（B240），以讓射頻電流通過感應線圈A230（B230）而產生交流磁場，再經由感應耦合（inductively coupling）產生變電場，使其加速空氣中游離的電子，而被加速的電子在其獲得足夠能量與中性氣體分子碰撞，便使其解離而形成電漿F2。
再者，本實施例尚能藉由偏壓射頻控制A250（B250）而控制離子（電漿）能量，此時射頻控制A240（B240）的功率用以控制離子的流通量，而冷卻系統A260（B260）則與前述實施例相同，用以對矽基板200進行冷卻（散熱）之用。類似於前述實施例，圖6與圖7所示實施例的結構相同，其差異在於所鍍製半導體層的方向是彼此相反的。因此矽基板200於圖6所示設備中完成鍍製之後，無須額外進行翻轉，即能傳送至圖7所示設備進行另一表面的鍍製製程。
請參考圖8與圖9，所示電子迴旋共振（Electron Cyclotron Resonator, ECR）化學氣相沈積設備A300（B300）包括腔室A310（B310），其內設置固定座A320（B320），例如是靜電夾盤，以承載並固定矽基板200，腔室A310（B310）於其一側的局部周緣設置有磁場線圈A330（B330），其產生磁力線M2如示，同時於該側提供微波M1，因此當電子在磁場中迴旋的頻率與微波M1的頻率一致時，便會產生共振現象，以在低壓狀態下吸收高強度的微波M1功率而形成高密度電漿F3。其次，本實施例尚設置有偏壓射頻控制A340（B340）而控制離子（電漿）能量，此時微波M1功率用以控制離子流通量，而冷卻系統A350（B350）則與前述實施例相同，用以對矽基板200進行冷卻（散熱）之用。類似於前述實施例，圖8與圖9所示實施例的結構相同，其差異在於所鍍製半導體層的方向是彼此相反的。因此矽基板200於圖8所示設備中完成鍍製之後，無須額外進行翻轉，即能傳送至圖9所示設備進行另一表面的鍍製製程。
基於上述圖4至圖9之敘述結果，請再參考圖2與圖3，如步驟S110、S120與S130所述製程，提供矽基板200，在矽基板200的第一表面S1上化學氣相沈積第一本質型半導體層，以及在第一本質型半導體層化學氣相沈積電洞型矽半導體層，其均能在圖4、圖6與圖8所示設備至中擇一進行，亦即在圖3所示的直列式製作設備100中，第一正鍍式化學氣相沈積設備110、第二正鍍式化學氣相沈積設備120能從圖4、圖6與圖8中選擇。
接著，在步驟S140與S150中，讓矽基板200維持第一表面S1與第二表面S2呈上、下相對的姿態而在第二表面S2化學氣相沈積第二本質型半導體層，以及在第二本質型半導體層的下方化學氣相沈積電子型矽半導體層，則是能從圖5、圖7與圖9所示設備中擇一進行，亦即在圖3所示的直列式設備中，第一背鍍式化學氣相沈積設備130與第二背鍍式化學氣相沈積設備140是從圖5、圖7與圖9選擇。
如此一來，以矽基板200在直列式製作設備100中進行半導體層的鍍製製程時，便僅需讓矽基板200依序行經各個鍍製設備，而無須考慮半導體層需在矽基板200上的哪一個表面鍍製半導體層，亦即本實施例藉由改變各個鍍製設備的鍍製方向，而讓圖4、圖6與圖8所示為正鍍式設備，圖5、圖7與圖9為背鍍式設備，藉以簡化矽基板200的傳送工序，而能先以其第一表面S1在正鍍式設備中依序完成所有鍍製製程後，直接傳送至背鍍式設備而對第二表面S2進行相關鍍製製程，以有效降低整體製程時間。
另需提及的是，使用者能藉由控制前述化學氣相沈積設備的電漿源頻率、射頻功率、腔室內部壓力以及溫度，而對半導體層的沈積速率進行控制，進而使直列式製作設備100的每個鍍製設備能達到一致的製程時間，如此有利於直列式製作設備的製程時間，亦即前一個矽基板從鍍製設備完成後進行下一個鍍製設備時，即是另一個矽基板進入此鍍製設備中，而讓整體流程得以具備連續式的行進狀態。在本實施例中，所述化學氣相沈積所使用的電漿源是選自13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、以及60MHz以上的高頻電漿源（very high frequency, VHF）的其中之一，而所需製程壓力為15Pa至150Pa，矽基板溫度為100℃至300℃，射頻功率為30W至500W，使用者可依據量產需求而予以對應地調整。
圖10繪示本發明另一實施例的一種異質接面之矽基太陽能電池的結構示意圖。圖11繪示本發明另一實施例的一種直列式製作設備的示意圖，以製作出圖10所示異質接面之矽基太陽能電池。請同時參考圖10與圖11，在本實施例中，與前述實施例不同的是，異質接面之矽基太陽能電池30還包括在矽基板200之相對兩側鍍製透明導電薄膜250、260，以作為電極之用。如圖10所示，透明導電薄膜250是配置在電洞型矽半導體層上方，而透明導電薄膜260是配置在電子型矽半導體層下方，因此明顯分屬矽基板200的第一表面S1與第二表面S2。據此，本實施例的直列式製作設備300則需在第二正鍍式化學氣相沈積設備120，及第一背鍍式化學氣相沈積設備130之間設置正鍍式物理氣相沈積設備150，同時也需再於第二背鍍式化學氣相沈積設備140之後設置背鍍式物理氣相沈積設備160，以利於透明導電薄膜250、260的鍍製。在此，所述物理氣相沈積包括真空蒸鍍、濺鍍與離子鍍著的至少其一。
圖12繪示真空蒸鍍設備的示意圖。圖14繪示濺鍍設備的示意圖。圖16繪示離子鍍著設備的示意圖。圖13繪示另一種真空蒸鍍設備的示意圖。圖15繪示另一種鍍設備的示意圖。圖17繪示另一種離子鍍著設備的示意圖。與前述化學氣相沈積設備類似，圖12至圖17所示物理氣相沈積設備的實施例也是藉由構件配置而使其達到讓鍍製方向相反的效果，因此後續的描述方式亦比照上述實施例。
請先參考圖12與圖13，所示真空蒸鍍設備A400（B400）包括腔室A410（B410），設置在腔室A410（B410）內的行星式轉動架A420（B420），多個矽基板200配置於行星式轉動架A420（B420）。藉由真空系統A440（B440）而使腔室A410（B410）內達到真空狀態，蒸鍍材料A450（B450）受蒸發源A430（B430）加熱後汽化昇華，擋板A460（B460）作為選擇不同蒸鍍材料A450（B450）之用。兩側的加熱器A470（B470）用以對腔室A410（B410）內部溫度升溫，以藉此提高蒸鍍材料A450（B450）汽化後的能量，並同時也能提高矽基板200的溫度，以使蒸鍍材料A450（B450）順利地附著於矽基板200的第一表面S1（圖13則為第二表面S2）。換句話說，圖12與圖13所示的真空蒸鍍設備A400（B400）差異在於兩者的鍍製方向相反，因而矽基板200無須另行翻轉，而將其分別經由真空蒸鍍設備A400（B400）即能在第一表面與第二表面得到所需的透明導電薄膜250、260。
請參考圖14與圖15，所示濺鍍設備A500（B500）包括腔室A510（B510）與設置其內的電極A540（B540），其包括第一電極A542（B542）、第二電極A544（B544），以及分別配置在電極A540（B540）上的靶材A560（B560）與矽基板200，電極A540（B540）連接至射頻控制A550（B550）。另外，以真空系統A520（B520）將腔室A510（B510）內氣體排出後處於真空狀態，而再通以氬氣Ar，以在電極A540（B540）之間形成電漿F4（氬離子），再藉由氬離子撞擊靶材A560（B560）產生的濺鍍現象，將靶材A560（B560）的原子擊出，使其沉積在矽基板200上。同前述，圖14與圖15之間的差異也在於鍍製方向為彼此相反。
請參考圖16與圖17，所示為離子鍍著（ion plating）設備A600（B600），其係利用電漿撞擊靶材，使靶材原子被激發出來，與反應性氣體反應，形成化合物沉積於工件表面的一種技術。如圖所示，腔室A610（B610）藉由真空系統A620（B620）而運行至高真空後，通入氬氣Ar於電漿槍A660（B660），在電漿槍A660（B660）（陰極）與絕緣的電子鎗坩鍋A650（B650）（陽極）間形成電漿F5。鍍材A690（B690）則在電子鎗坩鍋A650（B650）上方被電漿F5離子化，因此能被加速飛向自我偏壓的矽基板200上並與氧氣O2充分結合成膜層。同前述，圖16與圖17之間的差異也在於鍍製方向為彼此相反。
基於上述圖12至圖17，本實施例於圖11所示之正鍍式物理氣相沈積設備150便能從圖12、圖14與圖16中擇一使用，而背鍍式物理氣相沈積設備160則是從圖13、圖15與圖17中擇一使用，以利矽基板200簡化在傳送過程中需對其進行翻轉的工序。
如同在圖3所述，直列式製作設備100的每個鍍製設備的製程時間為一致，亦即在圖11所示的直列式製作設備300，物理氣相沈積設備與化學氣相沈積設備的製程時間也能如前述控制相關的條件而讓半導體層在矽基板200上的沈積速率一致，以利於直列式製作設備300以連續式的製作方式，而有效提高製程效率。
綜上所述，在本發明的上述實施例中，異質接面之矽基太陽能電池藉由直列式製作設備，而讓矽基板以直列式製程路徑依序經過各鍍製設備，以在矽基板的相對兩表面上氣相沈積所須的半導體層，其中矽基板無須因應其表面位置而在製程中翻轉，因此藉由直列式的製程路徑得以簡化在各個鍍製設備之間的傳送工序。換句話說，本發明的直列式製作設備中，其兼具正鍍式與背鍍式的化學氣相沈積設備與物理氣相沈積設備，因而得以在矽基板無須翻轉的狀態下，即能以固定姿態行經所有的鍍製設備，故能簡化在各個鍍製設備之間的傳送工序，進而讓矽基板在每個鍍製設備均是單進單出的行進模式，而有助於讓直列式製作設備符合量產的需求。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
20、30‧‧‧異質接面之矽基太陽能電池
100、300‧‧‧直列式製作設備
110‧‧‧第一正鍍式化學氣相沈積設備
120‧‧‧第二正鍍式化學氣相沈積設備
130‧‧‧第一背鍍式化學氣相沈積設備
140‧‧‧第二背鍍式化學氣相沈積設備
150‧‧‧正鍍式物理氣相沈積設備
160‧‧‧背鍍式物理氣相沈積設備
200‧‧‧矽基板
210‧‧‧第一本質（i型）半導體層
220‧‧‧第二本質（i型）半導體層
230‧‧‧電洞型（P型）矽半導體層
240‧‧‧電子型（N型）矽半導體層
250、260‧‧‧透明導電薄膜
A100、B100‧‧‧電漿輔助化學氣相沈積設備
A110、B110‧‧‧耦合電容
A112、B112‧‧‧固定座
A114、B114‧‧‧電極
A120、B120‧‧‧射頻控制
A130、B130‧‧‧腔室
A140、B140‧‧‧真空系統
A150、B150‧‧‧冷卻系統
A200、B200‧‧‧電感應耦合型電漿化學氣相沈積設備
A210、B210‧‧‧腔室
A212、B212‧‧‧陶瓷蓋
A214、B214‧‧‧基座
A220、B220‧‧‧固定座
A230、B230‧‧‧感應線圈
A240、B240‧‧‧射頻控制
A250、B250‧‧‧偏壓射頻控制
A260、B260‧‧‧冷卻系統
A300、B300‧‧‧電子迴旋共振化學氣相沈積設備
A310、B310‧‧‧腔室
A320、B320‧‧‧固定座
A330、B330‧‧‧磁場線圈
A340、B340‧‧‧射頻控制
A350、B350‧‧‧冷卻系統
A400、B400‧‧‧真空蒸鍍設備
A410、B410‧‧‧腔室
A420、B420‧‧‧行星式轉動架
A430、B430‧‧‧蒸發源
A440、B440‧‧‧真空系統
A450、B450‧‧‧蒸鍍材料
A460、B460‧‧‧擋板
A470、B470‧‧‧加熱器
A500、B500‧‧‧濺鍍設備
A510、B510‧‧‧腔室
A520、B520‧‧‧真空系統
A540、B540‧‧‧電極
A542、B542‧‧‧第一電極
A544、B544‧‧‧第二電極
A550、B550‧‧‧射頻控制
A560、B560‧‧‧靶材
A600、B600‧‧‧離子鍍著設備
A610、B610‧‧‧腔室
A620、B620‧‧‧真空系統
A650、B650‧‧‧電子槍坩鍋
A660、B660‧‧‧電漿槍
A690、B690‧‧‧鍍材
Ar‧‧‧氬氣
E1‧‧‧進片承載台
E2‧‧‧出片承載台
F1‧‧‧製程氣體
F2、F3、F4、F5‧‧‧電漿
M1‧‧‧微波
M2‧‧‧磁力線
O2‧‧‧氧氣
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
S110～S150‧‧‧步驟
圖1是依據本發明一實施例的一種異質接面之矽基太陽能電池的結構示意圖。 圖2是圖1異質接面之矽基太陽能電池製作流程圖。 圖3是用以製作出異質接面之矽基太陽能電池的製作設備示意圖。 圖4繪示電漿輔助化學氣相沈積設備的示意圖。 圖5繪示另一種電漿輔助化學氣相沈積設備的示意圖。 圖6繪示電感應耦合型電漿化學氣相沈積設備的示意圖。 圖7繪示另一種電感應耦合型電漿化學氣相沈積設備的示意圖。 圖8繪示電子迴旋共振化學氣相沈積設備的示意圖。 圖9繪示另一種電子迴旋共振化學氣相沈積設備的示意圖。 圖10繪示本發明另一實施例的一種異質接面之矽基太陽能電池的結構示意圖。 圖11繪示本發明另一實施例的一種直列式製作設備的示意圖。 圖12繪示真空蒸鍍設備的示意圖。 圖13繪示另一種真空蒸鍍設備的示意圖。 圖14繪示濺鍍設備的示意圖。 圖15繪示另一種鍍設備的示意圖。 圖16繪示離子鍍著設備的示意圖。 圖17繪示另一種離子鍍著設備的示意圖。
S110~S150‧‧‧步驟

Claims (10)

  1. 一種異質接面之矽基太陽能電池製作方法，包括依序進行以下步驟：提供一矽基板，該矽基板具有彼此上、下相對的一第一表面與一第二表面；在該第一表面上化學氣相沈積一第一本質型半導體層；在該第一本質型半導體層上化學氣相沈積一電洞型矽半導體層；維持該第一表面與該第二表面呈上、下相對的姿態而在該第二表面化學氣相沈積一第二本質型半導體層；以及在該第二本質型半導體層下方化學氣相沈積一電子型矽半導體層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的異質接面之矽基太陽能電池製作方法，其中所述各化學氣相沈積的製程時間一致。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的異質接面之矽基太陽能電池製作方法，其中所述化學氣相沈積所使用的電漿源是選自13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、以及60MHz以上的高頻電漿源(very high frequency,VHF)的其中之一。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的異質接面之矽基太陽能電池製作方法，還包括：在該電洞型矽半導體層上物理氣相沈積一第一透明導電薄膜；以及 在該電子型矽半導體層下方物理氣相沈積一第二透明導電薄膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的異質接面之矽基太陽能電池製作方法，其中所述各化學氣相沈積的製程時間與各物理氣相沈積的製程時間一致。
  6. 一種直列式製作設備，用以製作如申請專利範圍第1項所述異質接面之矽基太陽能電池，該直列式製作設備包括：依序排列的一第一正鍍式化學氣相沈積設備、一第二正鍍式化學氣相沈積設備、一第一背鍍式化學氣相沈積設備，以及一第二背鍍式化學氣相沈積設備，其中該些正鍍式化學氣相沈積設備的鍍製方向與該些背鍍式化學氣相沈積設備的鍍製方向彼此相反。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的直列式製作設備，其中所述化學氣相沈積設備的製程時間一致。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的直列式製作設備，其中所述化學氣相沈積設備所使用的電漿源是選自13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、以及60MHz以上的高頻電漿源(very high frequency,VHF)的其中之一。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的直列式製作設備，還包括：一正鍍式物理氣相沈積設備，設置在該第二正鍍式化學氣相沈積設備與該第一背鍍式化學氣相沈積設備之間；以及 一背鍍式物理氣相沈積設備，設置在該第二背鍍式化學氣相沈積設備之後，其中該正鍍式物理氣相沈積設備的鍍製方向與該背鍍式物理氣相沈積設備的鍍製方向彼此相反。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的直列式製作設備，其中所述化學氣相沈積設備與所述物理氣相沈積設備的製程時間一致。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103094403A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 Pecvd法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺

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