TWI571730B - 熱管理組件 - Google Patents

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梅爾文Ｋ 班乃迪克
喬瑟夫 艾倫
約翰 諾頓
秉 阮
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Description

熱管理組件
本發明涉及熱管理組件。
現有許多類型的電腦資料儲存裝置。一種類型的電腦資料儲存裝置的是隨機存取記憶體(RAM)。使用RAM而在計算裝置開機時來暫時儲存資料。RAM可以利用積體電路而以記憶體模組的形式而來實施，諸如雙列直插記憶體模組(DIMM)。
提供一種熱管理組件，其包括：第一熱管理構件、第二熱管理構件以及連接構件。所述第一熱管理構件包括：第一主要區域，所述第一主要區域是連續的；第一連接區域，所述第一連接區域是不連續的；以及第一頂側。所述第二熱管理構件包括：第二主要區域；第二連接區域，其中所述第二主要區域和所述第二連接區域是連續的；以及第二頂側。所述連接構件經由所述第一連接區域和所述第二連接區域將所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件耦接到記憶體裝置，且其中，當所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件被耦接到所述記憶體裝置的時候，所述第一頂側和所述第二頂側在水平方向與所述記憶體裝置的頂側實質上位於同一位準。
提供一種方法，其包括：將第一熱管理構件的第一連接區域的開口對齊於記憶體裝置的上部凹槽，其中所述第一連接區域是不連續的，且其中所述第一熱管理構件包括第一主要區域和第一頂側，所述第一主要區域是連續的；將第二熱管理構件的第二連接區域的連接突片插入於所述開口和所述上部凹槽內，其中所述第二熱管理構件包括第二主要區域和第二頂側，其中所述第二主要區域和所述第二連接區域是連續的，且其中所述第一頂側和所述第二頂側在水平方向與所述記憶體裝置的頂側實質上齊平；以及將連接構件插入於所述第一連接區域和所述第二連接區域內，以將所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件耦接到所述記憶體裝置。
提供一種設備，其包括：記憶體裝置，所述記憶體裝置包含上部凹槽和下部凹槽；熱管理組件，所述熱管理組件經由所述上部凹槽耦接到所述記憶體裝置；以及記憶體裝置插槽，所述記憶體裝置插槽電耦接到所述記憶體裝置，其中，所述記憶體裝置插槽包括可收納於所述下部凹槽中的保持夾。所述熱管理組件包含：第一熱管理構件、第二熱管理構件以及連接構件。所述第一熱管理構件包括：第一主要區域，所述第一主要區域是連續的；第一連接區域，所述第一連接區域是不連續的；以及第一頂側。所述第二熱管理構件包括：第二主要區域；第二連接區域，其中所述第二主要區域和所述第二連接區域是連續的；以及第二頂側。所述連接構件將所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件耦接到所述記憶體裝置，其中，所述第一頂側和所述第二頂側與所述記憶體裝置的頂側實質上齊平。
102‧‧‧第一熱管理構件
104‧‧‧第二熱管理構件
106‧‧‧第一主要區域
108‧‧‧第一連接區域
110‧‧‧開口
112‧‧‧記憶體裝置
113‧‧‧上部凹槽
114‧‧‧下部凹槽
116‧‧‧第二主要區域
118‧‧‧第二連接區域
120‧‧‧連接突片
122‧‧‧連接構件
124‧‧‧第一頂側
126‧‧‧第二頂側
128‧‧‧第三頂側
202‧‧‧第二連接構件
302‧‧‧記憶體裝置插槽
304‧‧‧第一保持夾
306‧‧‧第二保持夾
308‧‧‧下部凹槽
310‧‧‧液體冷卻組件
312‧‧‧液體冷卻板
400‧‧‧方法
402‧‧‧步驟
404‧‧‧步驟
406‧‧‧步驟
本申請案的一些範例參照於以下的圖式而加以敘述：圖1A是範例性熱管理組件的範例性第一熱管理構件的側視圖；圖1B是範例性熱管理組件的範例性第二熱管理構件的側視圖；圖1C是範例性熱管理組件的範例性連接構件的側視圖；圖2A是圖1A-1C的範例性熱管理組件的前視圖；圖2B是圖1A-1C的另一範例性熱管理組件的前視圖；圖3是插入於範例性記憶體裝置插槽內的範例性熱管理組件的前視圖；圖4是闡釋將熱管理組件耦接到記憶體裝置的範例性方法內的流程圖。
如上所述，隨機存取記憶體(RAM)可以利用積體電路而以記憶體模組的形式而來實施，諸如雙列直插記憶體模組(DIMM)。在操作期間，DIMM會由於流經所述DIMM的電流，其結果產生熱。由DIMM所產生的熱會增加DIMM的裝置溫度。過高的裝置溫度會降低DIMM的操作壽命和/或功能。
本文實施例中描述的是藉由提供一種可耦接至記憶體裝置的熱管理組件來解決上述的挑戰。例如，熱管理組件可以包括第一熱管理構件、第二熱管理構件、以及連接構件。所述連接構件可將第一熱管理構件和第二熱管理構件耦接到記憶體裝置，諸如DIMM。第一熱管理構件可包括第一主要區域和第一連接區域，第一主要區域是連續的而第一連接區域是不連續的。第二熱管理構件可包括第二主要區域和第二連接區域。第 二主要區域和第二連接區域可以是連續的。當第一熱管理構件和第二熱管理構件耦接到記憶體裝置時，第一熱管理構件的第一頂側和第二熱管理構件的第二頂側可以實質上與所述記憶體裝置的頂側在水平方向對齊。以這種方式，本文所描述的實例可以讓記憶體裝置得以減少記憶體裝置的裝置溫度。
現在參考圖式，圖1A是範例性熱管理組件的範例性第一熱管理構件的側視圖。熱管理組件可以是一種適合於將熱從半導體裝置(諸如記憶體裝置)取走或吸走的裝置。熱管理組件可以包括第一熱管理構件102和第二熱管理構件104。第二熱管理構件104會在圖1B中進行更詳細的描述。第一熱管理構件102可以包括第一主要區域106和第一連接區域108。第一主要區域106可以是連續的區域。如本文所使用的，連續的區域可以是一個沒有任何開口和/或凹部的區域。在一些實例中，第一主要區域106可以是實質上平坦的區域，其沒有任何其它從第一主要區域106的表面所延伸的部分，例如鰭片。第一連接區域108可以是第一熱管理構件102的凹部區域。第一連接區域108可以包括開口110。開口110可以是一貫穿孔，以接收來自第二熱管理構件104的連接突片。因此，第一連接區域108可以是不連續區域。如本文所使用的，不連續的區域可以是包括貫通孔的區域。開口110可以在第一熱管理構件102耦接到記憶體裝置112時與記憶體裝置112的上部凹槽113對齊。在一些實例中，記憶體裝置112可以是符合雙倍資料率(DDR)4協議的DIMM。記憶體裝置112還可以包括下部凹槽114。
圖1B是範例性熱管理組件的範例性第二熱管理構件的側視圖。第二熱管理構件104可以包括第二主要區域116和第二連接區域118。 第二主要區域116可以是連續的區域。在一些實例中，第二主要區域116可以是實質上平坦的區域，其沒有任何其它從第二主要區域116的表面所延伸的部分，例如鰭片。第二連接區域118可以是第二熱管理構件104的凹部區域。第二連接區域118可以是一個連續的區域。第二連接區域118可以包括連接突片120。連接突片120可以插入開口110和記憶體裝置112的上部凹槽113。因此，當第二熱管理構件104被耦接到記憶體裝置112時，連接突片120可以和記憶體裝置112的上部凹槽113對齊。
圖1C是範例性熱管理組件的範例性連接構件的側視圖。熱管理組件也可以包括連接構件122。可以形成連接構件122，使得連接構件122的第一區域被插入到第一連接區域108內，且連接構件122的第二區域被插入到第二連接區域118內。連接構件122可將第一熱管理構件102與第二熱管理構件104耦接到記憶體裝置112。連接構件122可以在水平方向上插入到第一連接區域108和第二連接區域118內，使得記憶體裝置112的整體裝置高度在第一熱管理構件102與第二熱管理構件104被耦接到記憶體裝置112的時候不會增加。熱管理構件102和104以及連接構件122可使用不同的材料，如鋁合金，銅或其他金屬製成。在一些實例中，熱管理構件102和104可以是蒸汽室，熱管，冷卻劑液體填充的腔室等等。
當第一熱管理構件102與第二熱管理構件104被耦接到記憶體裝置112時，第一熱管理構件102的第一頂側124和第二熱管理構件的第二頂側126實質上對齊或在水平方向上與記憶體裝置112的第三頂側128位於同一位準。例如，當第一熱管理構件102和第二熱管理構件104被耦接到記憶體裝置112時，第一頂側124、第二頂側126、第三頂側128之間的高 度差可以是大約在+/- 0.010英寸的範圍內。第一頂側124可具有與第一主要區域106實質上相同的厚度。第二頂側126可具有與第二主要區域116實質上相同的厚度。
圖2A是圖1A-1C的範例性熱管理組件的前視圖。如圖2A所示，在一些實例中，第一熱管理構件102可以包括單一的連接區域，例如第一連接區域108(圖2A中未示出)。第二熱管理構件104也可以包括單一的連接區域，例如第二連接區域118(圖2A中未示出)。因此，單一的連接構件(例如連接構件122)可以將第一熱管理構件102與第二熱管理構件104耦接到記憶體裝置112。
圖2B是圖1A-1C的另一範例性熱管理組件的前視圖。如圖2B所示，在一些實例中，第一熱管理構件102可以包括多個連接區域(圖2B中未示出)。第二熱管理構件104也可以包括多個連接區域(圖2B中未示出)。因此，多個連接構件(例如連接構件122和第二連接構件202)可以用來將第一熱管理構件102與第二熱管理構件104耦接到記憶體裝置112。
圖3是插入於範例性記憶體裝置插槽內的範例性熱管理組件的前視圖。在操作期間，耦接到第一熱管理構件102與第二熱管理構件104的記憶體裝置112可以被插入到記憶體裝置插槽302內。記憶體裝置插槽302可包括第一保持夾304和第二保持夾306。保持夾304和306可以分別推入於下部凹槽308和114內，以固定記憶體裝置112在記憶體裝置插槽302中。因此，藉由通過下部凹槽308和114來使用記憶體裝置插槽302固定記憶體裝置112，與通過上部槽口固定記憶體裝置112相較之下，記憶體裝置112的整體裝置高度在被插入到記憶體裝置插槽內的時候不會增加。
在一些實例中，熱可以從記憶體裝置112經由液體冷卻而加以移除。例如，液體冷卻組件310可以用來從記憶體裝置112中移除熱。液體冷卻組件310可包括複數個部件，諸如液體泵和貯存槽。液體冷卻板312可耦接到液體冷卻組件310。液體冷卻板312也可以與記憶體裝置112和熱管理構件102和104的頂側接觸，諸如頂側124~128。在操作期間，記憶體裝置112會由於電流通過記憶體裝置112的電路的結果112而產生熱。因為主要區域106和116是連續的，由記憶體裝置112所產生的熱可以由熱管理構件102和104所吸收，而不會消散在接近記憶體裝置112的區域。
當液體冷卻板312與頂側124~128接觸時，液體冷卻板312可以使用循環流過液體冷卻板312的液體來將由熱管理構件102和104所吸收的熱以及由記憶體裝置112所產生的熱帶走。因此，記憶體裝置112的裝置溫度會降低。
圖4是闡釋將熱管理組件耦接到記憶體裝置的範例性方法400內的流程圖。方法400包括將第一熱管理構件的第一連接區域的開口對齊於記憶體裝置的上部凹槽113，其中第一連接區域是不連續的，且其中第一熱管理構件包括第一主要區域和第一頂側，第一主要區域是連續的(在402處)。舉例而言，參考圖1A，開口110可以在第一熱管理構件102耦接到記憶體裝置112時與記憶體裝置112的上部凹槽113對齊。
方法400也包括將第二熱管理構件的第二連接區域的連接突片插入於開口和上部凹槽113內，其中第二熱管理構件包括第二主要區域和第二頂側，其中第二主要區域和第二連接區域是連續的，並且其中第一頂側和第二頂側在水平方向與記憶體裝置的頂側實質上齊平(在404 處)。舉例而言，參考圖1B，連接突片120可被插入到開口110和記憶體裝置112的上部凹槽113內。
方法400還包括將連接構件插入於第一連接區域和第二連接區域內，以將第一熱管理構件和第二熱管理構件耦接到記憶體裝置(在406處)。舉例而言，參考圖1C，連接構件122可在水平方向上插入到第一連接區域108和第二連接區域118內。
使用「包括」、「包含」或「具有」是同義的，並且本文中它們的變異意為包含性的或開放式的，並且不排除額外未列舉的元件或方法步驟。
102‧‧‧第一熱管理構件
104‧‧‧第二熱管理構件
106‧‧‧第一主要區域
108‧‧‧第一連接區域
110‧‧‧開口
112‧‧‧記憶體裝置
113‧‧‧上部凹槽
114‧‧‧下部凹槽

Claims (14)

  1. 一種熱管理組件，其包括：第一熱管理構件，包括：第一主要區域，所述第一主要區域是連續的；第一連接區域，所述第一連接區域是不連續的；以及第一頂側；第二熱管理構件，包括：第二主要區域；第二連接區域，其中所述第二主要區域和所述第二連接區域是連續的；以及第二頂側；以及連接構件，所述連接構件經由所述第一連接區域和所述第二連接區域將所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件耦接到記憶體裝置，且其中，當所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件被耦接到所述記憶體裝置的時候，所述第一頂側和所述第二頂側在水平方向與所述記憶體裝置的頂側實質上位於同一位準，其中，一液體冷卻板會耦接到所述第一頂側、所述第二頂側以及所述記憶體裝置的所述頂側。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的熱管理組件，其中，所述第一連接區域是第一熱管理構件的凹部區域且包括開口，其中，所述第二連接區域是第二熱管理構件的凹部區域且包括連接突片，且其中，所述連接突片可收納於所述開口中。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的熱管理組件，其中，所述第一主要區 域沒有貫穿孔。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的熱管理組件，其中，所述第二熱管理構件沒有貫穿孔。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的熱管理組件，其中，所述第一頂側具有與所述第一主要區域實質上相同的厚度，且其中，所述第二頂側具有與所述第二主要區域實質上相同的厚度。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的熱管理組件，其中，所述第一頂側和所述第二頂側實質上是平坦的。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的熱管理組件，其中，所述記憶體裝置包含符合雙倍資料率4(DDR4)協議的雙列直插記憶體模組。
  8. 一種方法，其包括：將第一熱管理構件的第一連接區域的開口對齊於記憶體裝置的上部凹槽，其中所述第一連接區域是不連續的，且其中所述第一熱管理構件包括第一主要區域和第一頂側，所述第一主要區域是連續的；將第二熱管理構件的第二連接區域的連接突片插入於所述開口和所述上部凹槽內，其中所述第二熱管理構件包括第二主要區域和第二頂側，其中所述第二主要區域和所述第二連接區域是連續的，且其中所述第一頂側和所述第二頂側在水平方向與所述記憶體裝置的頂側實質上齊平；將連接構件插入於所述第一連接區域和所述第二連接區域內，以將所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件耦接到所述記憶體裝置；以及將液體冷卻板耦接到所述第一頂側、所述第二頂側以及所述記憶體裝置的所述頂側，其中，所述第一頂側、所述第二頂側以及所述記憶體裝置 的所述頂側實質上是平坦的。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述的方法，其中，所述第一主要區域沒有貫穿孔，且其中，所述第二熱管理構件沒有貫穿孔。
  10. 根據申請專利範圍第8項所述的方法，進一步包括：將耦接到所述第一熱管理構件和所述第二熱管理構件的所述記憶體裝置插入於記憶體裝置插槽內，其中，所述記憶體裝置插槽包括保持夾；以及將所述保持夾插入於所述記憶體裝置的下部凹槽內。
  11. 一種設備，其包括：記憶體裝置，所述記憶體裝置包含上部凹槽和下部凹槽；熱管理組件，所述熱管理組件經由所述上部凹槽耦接到所述記憶體裝置，其中，所述熱管理組件包含：第一熱管理構件，包括：第一主要區域，所述第一主要區域是連續的；第一連接區域，所述第一連接區域是不連續的；以及第一頂側；第二熱管理構件，包括：第二主要區域；第二連接區域，其中所述第二主要區域和所述第二連接區域是連續的；以及第二頂側；連接構件，所述連接構件將所述第一熱管理構件和所述第二熱管理 構件耦接到所述記憶體裝置，其中，所述第一頂側和所述第二頂側與所述記憶體裝置的頂側實質上齊平；記憶體裝置插槽，所述記憶體裝置插槽電耦接到所述記憶體裝置，其中，所述記憶體裝置插槽包括可收納於所述下部凹槽中的保持夾；以及液體冷卻板，所述液體冷卻板耦接到所述第一頂側、所述第二頂側以及所述記憶體裝置的所述頂側。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述的設備，其中，所述第一頂側具有與所述第一主要區域實質上相同的厚度，且其中，所述第二頂側具有與所述第二主要區域實質上相同的厚度。
  13. 根據申請專利範圍第11項所述的設備，其中，所述第一頂側和所述第二頂側實質上是平坦的。
  14. 根據申請專利範圍第11項所述的設備，其中，所述記憶體裝置包含符合雙倍資料率4(DDR4)協議的雙列直插記憶體模組。
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