TWI570504B - 感光性樹脂組成物、使用其的圖案的製造方法、硬化膜、有機el顯示裝置及液晶顯示裝置的製造方法 - Google Patents
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- Materials For Photolithography (AREA)
Description
本發明是有關於一種感光性樹脂組成物及使用此組成物的圖案的製造方法。進而,本發明是有關於一種包含該圖案製造方法的有機電致發光(EL(Electroluminescence))顯示裝置或液晶顯示裝置的製造方法、以及利用圖案製造方法所製造的圖案。更詳細來說,本發明是有關於一種適於液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等的電子零件的抗蝕劑蝕刻(resist etching)的形成的正型感光性樹脂組成物及使用此組成物的圖案的製造方法。
在有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置等中,設置著已形成了圖案的氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)膜等的金屬配線圖案。在該ITO膜等的圖案形成時,以下方法廣為人知:在ITO膜上塗布感光性樹脂組成物及將溶劑除去,進行曝光、顯影,將所形成的圖案作為遮罩對ITO膜進行蝕刻,實施加工。
另外,近年來,為了使有機EL顯示裝置或液晶顯示裝
置具有高精細的顯示特性,而要求ITO加工的高解析性。為了對ITO進行高精細的微細加工,對蝕刻時作為遮罩而發揮功能的感光性樹脂組成物要求高解析性。
作為能高精細地獲得微細的圖案形狀的感光性樹脂組成物,例如在日本專利特開平9-325473號公報中公開了一種感放射線性樹脂組成物,此感放射線性樹脂組成物含有包含羥基苯乙烯單體的結構單元、及羥基經酸分解性基保護的羥基苯乙烯單體的結構單元的共聚物。另外,在日本專利特開平10-326015號公報中公開了一種正型光阻組成物,此正型光阻組成物是在因酸的作用而由相對於鹼為不溶性或難溶性的狀態變為鹼可溶性的樹脂中,調配光酸產生劑及具有醚鍵的三級胺化合物而成。
此處,作為近年來開發的傾向,有伴隨著曝光波長的短波化而追求在短波下具有吸收區域的組成物的傾向,另外,有需求在可見區域中不具有吸收性的材料的傾向。但是,這種組成物必須使用像i射線步進機那樣的昂貴且解析力良好的曝光設備。本發明是鑒於所述實際情況而成,其目的在於提供一種感光性樹脂組成物,此感光性樹脂組成物即便使用廉價的gh射線掃描器或低數值孔徑(Numerical Aperture,NA)曝光設備(NA=0.1以下),感度也高,與i射線步進機同等的解析性及矩形性優異。
本申請發明人基於所述狀況進行了努力研究,結果通過將含有具有酸基的結構單元及經保護的酸基的聚合物、與對羥基苯乙烯(p-hydroxy styrene,PHS)系聚合物摻合,相分離(抗蝕劑膜中的聚合物鏈的交纏狀態)的狀態與使這些結構單元全部含
在一種聚合物中的情況(單黏合劑系)、或各聚合物分別含有3種結構單元的情況(三黏合劑系)不同,成功地提高了感度及解析性。進而,令人驚訝地發現,通過設定為摻合系,矩形性也提高,從而完成了本發明。
另外,本申請發明人基於所述狀況進行了努力研究,結果發現,通過採用特定的增感劑,可以解決所述課題。這種增感劑在長波(ghi射線、gh射線)下具有吸收區域,且具有高的i射線、gh射線吸收性,進而電子傳輸效率良好,因此可以適當地對光酸產生劑作出貢獻,提高感度、解析性及矩形性。
具體來說,通過下述手段<1>、優選手段<2>~手段<24>解決了所述課題。
<1>一種感光性樹脂組成物,其含有:(A-1)含有具有酸基的結構單元及通式(a-1)所表示的結構單元的聚合物;(A-2)含有通式(a-2)所表示的結構單元的聚合物;(B)光酸產生劑;及(C)溶劑,
(通式(a-1)中,R1及R2分別表示氫原子、烷基或芳基,至
少R1及R2的任一個為烷基或芳基,R3表示烷基或芳基,R1或R2與R3也可以連結而形成環狀醚,R4表示氫原子或甲基,X表示單鍵或伸芳基);
(通式(a-2)中,R4為氫原子或甲基)。
<2>如<1>所記載的感光性樹脂組成物,其中(A-2)聚合物進一步含有通式(a-3)所表示的結構單元;
(通式(a-3)中,R4為氫原子或甲基;R5為直鏈、分支或環狀的烷基,所述烷基中含有至少1個-O-)。
<3>如<2>所記載的感光性樹脂組成物,其中通式
(a-3)的R5是由通式(a-4)或通式(a-5)所表示;
(通式(a-4)中,R2表示碳數1~5的直鏈或分支的烷基;在星號的位置上與通式(a-3)鍵結);
(通式(a-5)中,在星號的位置上與通式(a-3)鍵結)。
<4>如<1>至<3>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其進一步含有(D)增感劑。
<5>如<4>所記載的感光性樹脂組成物,其中(D)增感劑為下述通式(O)或通式(P)所表示的化合物;通式(O)(R1)n-L1-(R2)m
(通式(O)中,R1及R2分別表示芳基或具有1個以上的乙
烯鍵的雜環結構;L1表示具有2個~4個乙烯鍵的2價~4價的連結基;n及m分別表示1或2);
(通式(P)中,R分別為碳數1~8的烷基)。
<6>如<1>至<5>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中(B)光酸產生劑為肟磺酸酯化合物。
<7>如<1>至<6>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其進一步含有環氧樹脂。
<8>一種圖案的製造方法,其包括:(1)將如<1>至<7>中任一項所記載的感光性樹脂組成物應用在基板上的步驟;(2)從所應用的感光性樹脂組成物中除去溶劑的步驟;(3)利用活性放射線進行曝光的步驟;(4)利用水性顯影液進行顯影的步驟;(5)將所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩對所述基板進行蝕刻的步驟;及(6)將所述抗蝕劑圖案剝離的步驟。
<9>如<8>所記載的圖案的製造方法,其中在所述顯影步驟後、蝕刻步驟前,包括對所述抗蝕劑圖案在100℃~160℃下進行後烘烤的步驟。
<10>如<8>或<9>所記載的圖案的製造方法,其中所述基板為ITO基板、鉬基板、矽基板、Cu基板、Al基板或單晶藍寶石基板。
<11>一種硬化膜,其是使如<1>至<7>中任一項所記載的感光性樹脂組成物硬化而成。
<12>一種有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置的製造方法,其包含如<8>至<10>中任一項所記載的圖案的製造方法。
另外,與本發明不同的實施方式也優選以下實施方式。
<13>一種感光性樹脂組成物,其含有:(A)含有聚合物的聚合物成分,所述聚合物含有經酸分解性基保護的單體單元;(B)光酸產生劑;(C)下述通式(O)所表示的化合物;及(D)溶劑,通式(O)(R1)n-L1-(R2)m
(通式(O)中,R1及R2分別表示芳基或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構;L1表示具有2個~4個乙烯鍵的2價~4價的連結基;n及m分別表示1或2)。
<14>如<13>所記載的感光性樹脂組成物,其中L1至少含有-(CR=CR)p-(R為氫原子或甲基,p為2以上的整數)、或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構。
<15>如<13>或<14>所記載的感光性樹脂組成物,其中(C)通式(O)所表示的化合物中的乙烯鍵的個數為4~14。
<16>如<13>至<15>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中R1及R2的芳基或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構分別僅含有單環作為環狀結構。
<17>如<13>~<16>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中R1及R2分別為可具有取代基的苯基、或下述通式(O-1)所表示的基團,
(通式(O-1)中,R表示取代基,r為0~2的整數)。
<18>如<13>至<17>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中L1為下述通式(O-2)或通式(O-3)所表示的基團,
(通式(O-2)中,S1為1~6的整數);
(通式(O-3)中,S2為2~4的整數)。
<19>如<13>至<18>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中R1及R2分別為可具有取代基的苯基、或下述通式(O-1)所表示的基團,L1為下述通式(O-2)或通式(O-3)所表示的基團,
(通式(O-1)中,R為鹵素原子或碳數1~3的烷基,r為0~2的整數);
(通式(O-2)中,S1為1~6的整數);通式(O-3)
(通式(O-3)中,S2為2~4的整數)。
<20>如<13>至<19>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其為化學增幅型感光性樹脂組成物。
<21>如<13>至<20>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中(A)含有經酸分解性基保護的單體單元的聚合物含有來源於經酸分解性基保護的羥基苯乙烯的單體單元、或具有經酸分解性基保護的保護羧基的單體單元。
<22>如<13>至<21>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中(A)含有經酸分解性基保護的單體單元的聚合物含有下述通式(I)~通式(III)的至少一種,
(通式(I)中,R2、R3、R4分別表示氫原子或甲基,R5表示可具有取代基的直鏈、分支或環狀的碳數1~6的烷基;通式(II)中,Ra1~Ra6分別表示氫原子、可具有取代基的
碳數1~20的烷基或可具有取代基的芳基,Ra2與Ra3、Ra4與Ra5也可以相互鍵結而形成環;Ra7表示氫原子或甲基,Ra8表示鹵素原子、羥基或碳數1~3的烷基,n1表示0~4的整數;通式(III)中,R1及R2分別表示氫原子、烷基或芳基,至少R1及R2的任一個為烷基或芳基,R3表示烷基或芳基,R1或R2與R3也可以連結而形成環狀醚;R4表示氫原子或甲基,X表示單鍵或伸芳基)。
<23>如<13>至<22>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中(A)含有經酸分解性基保護的單體單元的聚合物進一步含有來源於羥基苯乙烯的單體單元。
<24>如<13>至<23>中任一項所記載的感光性樹脂組成物,其中(B)光酸產生劑為肟磺酸酯化合物或鎓鹽化合物。
<25>一種圖案的製造方法,其包括:(1)將如<13>至<24>中任一項所記載的感光性樹脂組成物應用在基板上的步驟;(2)從所應用的感光性樹脂組成物中除去溶劑的步驟;(3)利用活性放射線進行曝光的步驟;(4)利用水性顯影液進行顯影的步驟;(5)將所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩對所述基板進行蝕刻的步驟;及(6)將所述抗蝕劑圖案剝離的步驟。
<26>如<25>所記載的圖案的製造方法,其中在所述顯影步驟後、蝕刻步驟前,包括對所述抗蝕劑圖案在100℃~160℃下進行後烘烤的步驟。
<27>如<25>或<26>所記載的圖案的製造方法,其中所述基板為ITO基板、鉬基板、矽基板、Cu基板、Al基板或單晶藍寶石基板。
<28>一種硬化膜,其是使如<13>至<24>中任一項所記載的感光性樹脂組成物硬化而成。
<29>一種有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置的製造方法,其包括如<25>至<27>中任一項所記載的圖案的製造方法。
根據本發明,可以提供一種感度高、解析性及矩形性優異的感光性樹脂組成物。特別是即便不使用像i射線步進機那樣的昂貴且解析力良好的曝光設備、或不使用短波的曝光光源,即便使用廉價的低NA(數值孔徑)曝光設備(NA=0.1以下),也能達成這些性能,從此方面來說本發明的價值高。
1‧‧‧TFT(薄膜電晶體)
2‧‧‧配線
3‧‧‧絕緣膜
4‧‧‧平坦化膜
5‧‧‧第一電極
6‧‧‧玻璃基板
7‧‧‧接觸孔
8‧‧‧絕緣膜
10‧‧‧液晶顯示裝置
12‧‧‧背光單元
14、15‧‧‧玻璃基板
16‧‧‧TFT
17‧‧‧硬化膜
18‧‧‧接觸孔
19‧‧‧ITO透明電極
20‧‧‧液晶
22‧‧‧彩色濾光片
圖1表示有機EL顯示裝置的一例的構成概念圖,表示底部發光型的有機EL顯示裝置中的基板的示意性截面圖,具有平坦化膜4。
圖2表示液晶顯示裝置的一例的構成概念圖,表示液晶顯示裝置中的主動矩陣基板的示意性截面圖,具有作為層間絕緣膜的硬化膜17。
以下,對本發明的內容加以詳細說明。另外,本申請說明書中,「~」是以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值
的含意而使用。另外,本發明中的有機EL顯示裝置是指有機電致發光顯示裝置。本發明中的多分散度是指Mw/Mn的值。
第1實施形態:本發明的感光性樹脂組成物的特徵在於含有:(A-1)含有具有酸基的結構單元及通式(a-1)所表示的結構單元的聚合物、(A-2)含有通式(a-2)所表示的結構單元的聚合物、(B)光酸產生劑及(C)溶劑。
(通式(a-1)中,R1及R2分別表示氫原子、烷基或芳基,至少R1及R2的任一個為烷基或芳基,R3表示烷基或芳基,R1或R2與R3也可以連結而形成環狀醚,R4表示氫原子或甲基,X表示單鍵或伸芳基)
(通式(a-2)中,R4為氫原子或甲基)
以前,具有酸基的結構單元、通式(a-1)所表示的結構單元以及通式(a-2)所表示的結構單元通常為使這些結構單元全部含於一種聚合物中的情況(單黏合劑系),但本發明中,通過設定為(A-1)含有具有酸基的結構單元及通式(a-1)所表示的結構單元的聚合物、與(A-2)含有通式(a-2)所表示的結構單元的聚合物的摻合系,相分離的狀態不同,成功地提高了感度、解析性及矩形性。
本發明的感光性樹脂組成物可以優選地用作化學增幅型正型感光性樹脂組成物。
以下,對本發明的組成物加以詳細說明。
<(A)聚合物成分>
本發明的感光性樹脂組成物中,作為聚合物成分,將(A-1)及(A-2)作為必需成分,進而也可以含有其他聚合物(A-3)。以下,對這些聚合物成分加以說明。本說明書中,「(A)成分」、「聚合物成分」只要無特別描述,則是指(A-1)、(A-2)及(A-3)的摻合物。
(A)聚合物成分優選的是鹼不溶性,且優選的是在通式(a-1)所表示的結構單元的酸分解性基發生分解時成為鹼可溶性的樹脂。此處,所謂酸分解性基,是指可以在酸的存在下分解的官能基的含意。即,通式(a-1)為具有羧基經酸分解性基保護的保護羧基的結構單元,因此保護基因酸而分解,由此可以生成羧基。此處,本發明所謂「鹼可溶性」,是指將該化合物(樹脂)的溶液塗布在基板上,在90℃下加熱2分鐘,由此所形成的該化合物(樹脂)的塗膜(厚度3 μm)對於23℃下的0.4%氫氧化四甲基銨水
溶液的溶解速度為0.01 μm/秒以上,所謂「鹼不溶性」,是指將該化合物(樹脂)的溶液塗布在基板上,在90℃下加熱2分鐘,由此所形成的該化合物(樹脂)的塗膜(厚度為3 μm)對於23℃下的0.4%氫氧化四甲基銨水溶液的溶解速度小於0.01 μm/秒。
(A-1)含有具有酸基的結構單元及通式(a-1)所表示的結構單元的聚合物
本發明的聚合物(A-1)含有具有酸基的結構單元及通式(a-1)所表示的結構單元。
(酸基)
聚合物(A-1)含有酸基。通過含有酸基,容易溶解在鹼性的顯影液中,更有效地發揮本發明的效果。本發明中所謂酸基,是指pKa小於7的質子解離性基。酸基通常是使用能形成酸基的單體,以具有酸基的結構單元的形式組入到樹脂中。通過使這種含有酸基的結構單元含在樹脂中,有鹼可溶性變大的傾向。
本發明中所用的酸基可以例示來源於羧酸基的酸基、來源於磺醯胺基(sulfonamido)的酸基、來源於膦酸基的酸基、來源於磺酸基的酸基、來源於酚性羥基的酸基、磺醯胺基、磺醯基醯亞胺基(sulfonylimido)等,優選來源於羧酸基的酸基及/或來源於酚性羥基的酸基。
本發明中所用的具有酸基的結構單元更優選來源於苯乙烯的結構單元或者來源於乙烯系化合物的結構單元、來源於(甲基)丙烯酸及/或其酯的結構單元。
本發明中,從感度的觀點來看,特別優選的是含有具有羧基的結構單元或具有酚性羥基的結構單元,進而優選具有羧基
的結構單元。
具有酸基的結構單元優選的是聚合物(A-1)成分的結構單元的1莫耳%~80莫耳%,更優選1莫耳%~50莫耳%,進而優選5莫耳%~40莫耳%,特別優選5莫耳%~30莫耳%,尤其優選5莫耳%~20莫耳%。
(具有通式(a-1)所表示的結構單元的聚合物)
本發明中所用的(A-1)聚合物包括含有通式(a-1)所表示的結構單元的聚合物。
(通式(a-1)中,R1及R2分別表示氫原子、烷基或芳基,至少R1及R2的任一個為烷基或芳基,R3表示烷基或芳基,R1或R2與R3也可以連結而形成環狀醚,R4表示氫原子或甲基,X表示單鍵或伸芳基)
在R1及R2為烷基的情況下,優選碳數為1~10的烷基。在R1及R2為芳基的情況下,優選苯基。R1及R2分別優選氫原子或碳數1~4的烷基。
R3表示烷基或芳基,優選碳數1~10的烷基,更優選碳數1~6的烷基。
X表示單鍵或伸芳基,優選單鍵。
通式(a-1)所表示的結構單元的優選具體例可以例示下述結構單元。此外,R表示氫原子或甲基。
通式(a-1)所表示的結構單元優選的是聚合物(A-1)成分的結構單元的10莫耳%~80莫耳%,更優選20莫耳%~80莫耳%,進而優選30莫耳%~70莫耳%。
本發明的(A-1)聚合物也可以在不偏離本發明的主旨的範圍內含有其他結構單元(其中,將相當於通式(a-2)的結構單元除外)。
從密接性的觀點來看,其他結構單元優選(甲基)丙烯酸烷基酯。具體可以舉出:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等,更優選(甲基)丙烯酸甲酯。
構成聚合物(A-1)的結構單元中,所述其他結構單元的含有率優選60莫耳%以下,更優選50莫耳%以下,進而優選40莫耳%以下。下限值也可以為0莫耳%,但例如可以設定為1莫耳%以上,進而可以設定為5莫耳%以上。若所述其他結構單元的含有率在所述數值範圍內,則由感光性樹脂組成物所得的硬化膜的
各特性變良好。
(A-1)聚合物的保護率優選1%~60%,更優選5%~50%,進而優選10%~40%。通過設定為這種範圍,感度提高,另外曝光部與未曝光部的溶解性的差異(discrimination)更明顯。所謂保護率,是指將(A-1)聚合物中的所有結構單元設定為100莫耳%時,被保護的基團的莫耳比率。
所述(A-1)聚合物的重量平均分子量(Mw)優選2000~15000的範圍,更優選5000~12000,進而優選7500~12000。通過設定為2000以上,可以獲得所形成的畫素在後烘烤的加熱後也能維持矩形性的效果,通過設定為15000以下,可以獲得感度、曝光後延遲(post exposure delay,PED)特性提高的效果。此處,重量平均分子量是根據凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography,GPC)的聚苯乙烯換算值來定義。
所述(A-1)聚合物的多分散度(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))優選1.0~4.0,更優選1.5~3.5,進而優選2.0~3.0。通過設定為這種範圍,矩形性優異。
(A-2)含有通式(a-2)所表示的結構單元的聚合物本發明中所用的(A-2)聚合物包括含有通式(a-2)所表示的結構單元的聚合物。
通式(a-2)
(通式(a-2)中,R4為氫原子或甲基)
R4優選氫原子。
OH基可以為對-、間-、鄰-的任一種,優選的是鍵結在對位上。
通式(a-2)所表示的結構單元優選的是聚合物(A-2)成分的結構單元的5.0莫耳%~30莫耳%,更優選10莫耳%~20莫耳%。若少於最低值則產生無法獲得效果的問題,若過多則產生感度過高、曝光製程界限(process margin)變窄等問題。
本發明的(A-2)聚合物也可以在不偏離本發明主旨的範圍內含有其他結構單元。但是,其他結構單元並非具有酸基的結構單元及通式(a-1)所表示的結構單元。其他結構單元優選的是具有通式(a-3)所表示的結構單元。
(通式(a-3)中,R4為氫原子或甲基。R5為直鏈、分支或環狀的烷基,該烷基中含有至少1個-O-)
R5優選直鏈、分支或環狀的碳數1~10的烷基。另外,R5優選的是在該烷基中含有1個-O-。
通式(a-3)的R5優選的是由通式(a-4)或通式(a-5)所表示。
(通式(a-4)中,R2表示碳數1~5的直鏈或分支的烷基。在星號的位置上與通式(a-3)鍵結)
R2優選碳數1~3的直鏈或分支的烷基,更優選甲基或乙基。
(通式(a-5)中,在星號的位置上與通式(a-3)鍵結)
以下,將通式(a-3)所表示的結構單元的優選例示於以下。但是,本發明當然不限定於這些優選例。
構成聚合物(A-2)的結構單元中,通式(a-3)所表示
的結構單元優選的是聚合物(A-2)成分的結構單元的5莫耳%~40莫耳%,更優選10莫耳%~40莫耳%,進而優選20莫耳%~35莫耳%。
聚合物(A-2)也可以進一步含有其他結構單元,其他結構單元例如可以舉出:苯乙烯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環不飽和化合物類、馬來醯亞胺化合物類、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、其他不飽和化合物。
另外,也可以舉出具有酸基的結構單元、或具有交聯性基的結構單元。
這些結構單元的調配量優選的是聚合物(A-2)的所有結構單元的30莫耳%以下,更優選10莫耳%以下。
(A-2)聚合物的保護率優選1%~60%,更優選5%~50%,進而優選10%~40%。通過設定為此種範圍,圖像縮減(decrease)及感度、解析性變良好。所謂保護率,是指將(A-2)聚合物中的所有結構單元設定為100莫耳%時,被保護的基團的莫耳比率。
所述(A-2)聚合物的重量平均分子量(Mw)優選2000~15000的範圍,更優選5000~12000,進而優選7500~12000。通過設定為2000以上,可以獲得所形成的畫素即便在後烘烤的加熱後也能維持矩形性的效果,通過設定為15000以下,可以獲得感度、PED特性提高的效果。此處,重量平均分子量是根據凝膠滲透層析法的聚苯乙烯換算值來定義。
所述(A-2)聚合物的多分散度(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))優選1.0~4.0,更優選1.5~3.5,進而優選2.0~3.0。通過設定為這種範圍,矩形性優化。
(A-1)與(A-2)成分的調配比
本發明的感光性樹脂組成物含有(A-1)及(A-2)作為聚合物成分,這些成分的質量比優選1:6~6:1,更優選2:5~8:1。通過設定為這種範圍,有更有效地發揮本發明的效果的傾向。
其他聚合物(A-3)
本發明中,除了所述聚合物以外也可以含有其他聚合物(A-3)。例如可以例示苯乙烯系聚合物。這些聚合物優選的是所有聚合物成分的10重量%以下。
本發明的組成物優選的是相對於總固體成分而在組成物中以60重量%以上的比例含有(A)聚合物成分,更優選的是以80重量%以上的比例含有(A)聚合物成分。
<(B)光酸產生劑>
本發明的感光性樹脂組成物含有(B)光酸產生劑。本發明中使用的光酸產生劑(也稱為「(B)成分」)優選的是感應波長300 nm以上、優選感應波長300 nm~450 nm的光化射線而產生酸
的化合物,其化學結構並無限制。另外,關於不直接感應波長300 nm以上的光化射線的光酸產生劑,只要為通過與增感劑併用而感應波長300 nm以上的光化射線、產生酸的化合物,則可以與增感劑組合而優選地使用。本發明中使用的光酸產生劑優選的是產生pKa為4以下的酸的光酸產生劑,更優選的是產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑,最優選的是產生2以下的酸的光酸產生劑。
光酸產生劑的例子可以舉出:三氯甲基-均三嗪類、鋶鹽或錪鎓鹽(iodonium salt)、四級銨鹽類、重氮甲烷化合物、醯亞胺磺酸酯化合物及肟磺酸酯化合物等。這些中,從絕緣性的觀點來看,優選的是使用鎓鹽化合物及肟磺酸酯化合物,更優選肟磺酸酯化合物。在使用肟磺酸酯化合物的情況下,與使用鎓鹽化合物的情況相比較,可以獲得明顯優異的效果。這些光酸產生劑可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。三氯甲基-均三嗪類、二芳基錪鎓鹽類、三芳基鋶鹽類、四級銨鹽類及重氮甲烷衍生物的具體例可以例示日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0083~段落編號0088中記載的化合物。
肟磺酸酯化合物、即具有肟磺酸酯結構的化合物可以優選地例示含有下述通式(B-1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物。
(通式(B-1)中,R21表示烷基或芳基。波線表示與其他基團的鍵結)
任一基團可以經取代,R21的烷基可以為直鏈狀,也可以為分支狀,也可以為環狀。以下對容許的取代基加以說明。
R21的烷基優選碳數1~10的直鏈狀或分支狀烷基。R21的烷基也可以經鹵素原子、碳數6~11的芳基、碳數1~10的烷氧基或環烷基(包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等橋接式脂環基,優選雙環烷基等)所取代。
R21的芳基優選碳數6~11的芳基,更優選苯基或萘基。R21的芳基也可以經低級烷基、烷氧基或鹵素原子所取代。
含有所述通式(B-1)所表示的肟磺酸酯結構的所述化合物也優選下述通式(B-2)所表示的肟磺酸酯化合物。
(通式(B-2)中,R42表示可經取代的烷基或芳基,X表示烷基、烷氧基或鹵素原子,m4表示0~3的整數,當m4為2或3時,多個X可以相同也可以不同)
R42的優選範圍與所述R21的優選範圍相同。
作為X的烷基,優選碳數1~4的直鏈狀或分支狀烷基。
作為X的烷氧基,優選碳數1~4的直鏈狀或分支狀烷氧基。
作為X的鹵素原子,優選氯原子或氟原子。
m4優選0或1。
所述通式(B-2)中,特別優選m4為1,X為甲基,X的取代位置為鄰位,R42為碳數1~10的直鏈狀烷基、7,7-二甲基-2-氧代降冰片基甲基或對甲苯甲醯基(p-toluyl)的化合物。
含有所述通式(B-1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物也更優選下述通式(B-3)所表示的肟磺酸酯化合物。
(通式(B-3)中,R43與式(B-2)中的R42為相同含意,X1表示鹵素原子、羥基、碳數1~4的烷基、碳數1~4的烷氧基、氰基或硝基,n4表示0~5的整數)
所述通式(B-3)中的R43優選甲基、乙基、正丙基、正丁基、正辛基、三氟甲基、五氟乙基、全氟正丙基、全氟正丁基、對甲苯基、4-氯苯基或五氟苯基,特別優選正辛基。
X1優選碳數1~5的烷氧基,更優選甲氧基。
n4優選0~2,特別優選0~1。
所述通式(B-3)所表示的化合物的具體例可以舉出:
α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)苯乙腈(α-(methylsulfonyloxyimino)benzyl cyanide)、α-(乙基磺醯基氧基亞胺基)苯乙腈、α-(正丙基磺醯基氧基亞胺基)苯乙腈、α-(正丁基磺醯基氧基亞胺基)苯乙腈、α-(4-甲苯磺醯基氧基亞胺基)苯乙腈、α-[(甲基磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈(α-[(methylsulfonyloxyimino)-4-methoxyphenyl]acetonitrile)、α-[(乙基磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(正丙基磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(正丁基磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(4-甲苯磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈。
優選的肟磺酸酯化合物的具體例可以舉出下述化合物(i)~化合物(viii)等,可以單獨使用一種或併用兩種以上。化合物(i)~化合物(viii)可以作為市售品而獲取。另外,也可以與其他種類的(B)光酸產生劑組合使用。
含有所述通式(B-1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物也優選下述通式(OS-1)所表示的化合物。
所述通式(OS-1)中,R101表示氫原子、烷基、烯基、烷氧基、烷氧基羰基、醯基、胺甲醯基(carbamoyl)、胺磺醯基(sulfamoyl)、磺基、氰基、芳基或雜芳基。R102表示烷基或芳基。
X101表示-O-、-S-、-NH-、-NR105-、-CH2-、-CR106H-或-CR105R107-,R105~R107表示烷基或芳基。
R121~R124分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、烷氧基、胺基、烷氧基羰基、烷基羰基、芳基羰基、醯胺基、磺基、氰基或芳基。R121~R124中的2個也可以分別相互鍵結而形成環。
R121~R124優選氫原子、鹵素原子及烷基,另外,也可以優選地舉出R121~R124中的至少2個相互鍵結而形成芳基的態樣。其中,從感度的觀點來看,優選的是R121~R124均為氫原子的態樣。
所述官能基均可以進一步具有取代基。
所述通式(OS-1)所表示的化合物更優選下述通式
(OS-2)所表示的化合物。
所述通式(OS-2)中,R101、R102、R121~R124分別與式(OS-1)中的R101、R102、R121~R124為相同含意,另外優選例也相同。
這些中,更優選的是所述通式(OS-1)及所述通式(OS-2)中的R101為氰基或芳基的態樣,最優選的是由所述通式(OS-2)所表示且R101為氰基、苯基或萘基的態樣。
另外,所述肟磺酸酯化合物中,肟或苯並噻唑環的立體結構(E、Z等)可以分別為任一種,也可以為混合物。
可以合適地用於本發明中的所述通式(OS-1)所表示的化合物的具體例可以舉出日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0128~段落編號0132中記載的化合物(例示化合物b-1~例示化合物b-34),但本發明不限定於此。
在本發明中,含有所述通式(B-1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物優選下述通式(OS-3)、下述通式(OS-4)或下述通式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物。
(通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R22、R25及R28分別獨立地表示烷基、芳基或雜芳基,R23、R26及R29分別獨立地表示氫原子、烷基、芳基或鹵素原子,R24、R27及R30分別獨立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、磺酸基、胺基磺醯基或烷氧基磺醯基,X1~X3分別獨立地表示氧原子或硫原子,n1~n3分別獨立地表示1或2,m1~m3分別獨立地表示0~6的整數)
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R22、R25及R28的烷基、芳基或雜芳基可具有取代基。
所述式(OS-3)~式(OS-5)中,R22、R25及R28的烷基優選可具有取代基的總碳數1~30的烷基。
另外,所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R22、R25及R28的芳基優選可具有取代基的總碳數6~30的芳基。
另外,所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R1的雜芳基優選可具有取代基的總碳數4~30的雜芳基。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R22、R25及R28的雜芳基只要至少1個環為雜芳香環即可,例如也可以使雜芳香環與苯環縮環。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R23、R26及R29優選氫原子、烷基或芳基,更優選氫原子或烷基。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,在化合物中存在2個以上的R23、R26及R29中,優選的是1個或2個為烷基、芳基或鹵素原子,更優選的是1個為烷基、芳基或鹵素原子,特別優選的是1個為烷基且其餘為氫原子。
R23、R26及R29的烷基優選可具有取代基的總碳數1~12的烷基,更優選可具有取代基的總碳數1~6的烷基。
R23、R26及R29的芳基優選可具有取代基的總碳數6~30的芳基。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,X1~X3分別獨立地表示O或S,優選O。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,含有X1~X3作為環員的環為5員環或6員環。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,n1~n3分別獨立地表示1或2,在X1~X3為O的情況下,優選的是n1~n3分別獨立為1,另外,在X1~X3為S的情況下,優選的是n1~n3分別獨立為2。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R24、R27及R30分別獨立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、磺酸基、胺基磺醯基或烷氧基磺醯基。其中,優選的是R24、R27及R30分別獨立為烷基或烷氧基。
R24、R27及R30的烷基、烷氧基、磺酸基、胺基磺醯基及烷氧基磺醯基可具有取代基。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R24、R27及R30的烷基優選可具有取代基的總碳數1~30的烷基。
所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,R24、R27及R30的烷氧基優選可具有取代基的總碳數1~30的烷氧基。
另外,所述通式(OS-3)~通式(OS-5)中,m1~m3分別獨立地表示0~6的整數,優選0~2的整數,更優選0或1,特別優選0。
另外,關於所述(OS-3)~(OS-5)的各取代基,日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0092~0109中記載的(OS-3)~(OS-5)的取代基優選範圍也同樣優選。
另外,含有所述通式(B-1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物特別優選下述通式(OS-6)~通式(OS-11)的任一個所表示的肟磺酸酯化合物。
(式(OS-6)~式(OS-11)中,R301~R306表示烷基、芳基或雜芳基,R307表示氫原子或溴原子,R308~R310、R313、R316及R318分別獨立地表示氫原子、碳數1~8的烷基、鹵素原子、氯甲基、溴甲基、溴乙基、甲氧基甲基、苯基或氯苯基,R311及R314
分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、甲基或甲氧基,R312、R315、R317及R319分別獨立地表示氫原子或甲基)
所述通式(OS-6)~通式(OS-11)的優選範圍與日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0110~段落編號0112中記載的(OS-6)~(OS-11)的優選範圍相同。
所述通式(OS-3)~所述通式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物的具體例可以舉出日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0114~段落編號0120中記載的化合物,但本發明不限定於這些化合物。
在本發明的感光性樹脂組成物中,相對於感光性樹脂組成物中的所有樹脂成分(優選固體成分,更優選共聚物的合計量)100質量份,(B)光酸產生劑優選的是使用0.1質量份~10質量份,更優選的是使用0.5質量份~10質量份。也可以併用兩種以上。
<(C)溶劑>
本發明的感光性樹脂組成物含有(C)溶劑。本發明的感光性樹脂組成物優選的是製備成作為必需成分的所述(A)成分及(B)成分、後述的其他成分溶解在(C)溶劑中而成的溶液。用於製備本發明的組成物的溶劑可以使用均勻地溶解必需成分及任意成分、且不與各成分反應的溶劑。
本發明的感光性樹脂組成物中使用的(C)溶劑可以使用眾所周知的溶劑,可以例示:乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇二烷基醚類、
二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、酯類、酮類、醯胺類、內酯類等。另外,本發明的感光性樹脂組成物中使用的溶劑的具體例也可以舉出日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0174~段落編號0178中記載的溶劑、日本專利特開2012-194290號公報的段落編號0167~段落編號0168中記載的溶劑,將這些內容併入到本申請說明書中。
本發明的感光性樹脂組成物中使用的(C)溶劑的具體例例如可以舉出日本專利特開2011-221494號公報的段落編號[0174]~段落編號[0178]中記載的溶劑等。
另外,在這些溶劑中,進一步視需要也可以添加苄基乙基醚、二己醚、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、異佛爾酮(isophorone)、己酸(caproic acid)、辛酸(caprylic acid)、1-辛醇、1-壬醇、苄醇、苯甲醚(anisol)、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等溶劑。這些溶劑可以單獨使用一種或混合使用兩種以上。本發明中可以使用的溶劑優選的是單獨使用一種或併用兩種,更優選的是併用兩種,進而優選的是併用丙二醇單烷基醚乙酸酯類或二烷基醚類、二乙酸酯類與二乙二醇二烷基醚類,或酯類與丁二醇烷基醚乙酸酯類。
另外,(C)成分優選的是沸點為130℃以上且小於160℃的溶劑、沸點為160℃以上的溶劑或這些溶劑的混合物,更優選的是沸點為130℃以上且小於160℃的溶劑、沸點為160℃以上且200℃以下的溶劑或這些溶劑混合物,進而優選的是沸點為130℃
以上且小於160℃的溶劑與沸點為160℃以上且200℃以下的溶劑的混合物。
沸點為130℃以上且小於160℃的溶劑可以例示:丙二醇單甲醚乙酸酯(沸點146℃)、丙二醇單乙醚乙酸酯(沸點158℃)、丙二醇甲基正丁基醚(沸點155℃)、丙二醇甲基正丙基醚(沸點131℃)。
沸點160℃以上的溶劑可以例示:3-乙氧基丙酸乙酯(沸點170℃)、二乙二醇甲基乙基醚(沸點176℃)、丙二醇單甲醚丙酸酯(沸點160℃)、二丙二醇甲醚乙酸酯(沸點213℃)、3-甲氧基丁基醚乙酸酯(沸點171℃)、二乙二醇二乙醚(沸點189℃)、二乙二醇二甲醚(沸點162℃)、丙二醇二乙酸酯(沸點190℃)、二乙二醇單乙醚乙酸酯(沸點220℃)、二丙二醇二甲醚(沸點175℃)、1,3-丁二醇二乙酸酯(沸點232℃)。
相對於感光性樹脂組成物中的所有樹脂成分(優選固體成分,更優選所述(A)聚合物)100重量份,本發明的感光性樹脂組成物中的(C)溶劑的含量優選50重量份~3,000重量份,更優選100重量份~2,000重量份,進而優選150重量份~1,500重量份。
<其他成分>
本發明的正型感光性樹脂組成物中,除了(A)成分、(B)成分及(C)成分以外,視需要可以優選地添加(D)增感劑、(E)鹼性化合物、(F)密接改良劑、(G)界面活性劑、(H)抗氧化劑。進而,本發明的正型感光性樹脂組成物中,可以添加塑化劑、熱自由基產生劑、抗氧化劑、熱酸產生劑、紫外線吸收劑、增稠劑
及有機或無機的防沉澱劑等眾所周知的添加劑。
<(D)增感劑>
本發明的感光性樹脂組成物中,為了在與(B)光酸產生劑組合時促進其分解,優選的是含有增感劑。增感劑吸收光化射線或放射線而成為電子激發狀態。成為電子激發狀態的增感劑與光酸產生劑接觸,產生電子移動、能量移動、發熱等作用。由此,光酸產生劑發生化學變化而分解,生成酸。優選的增感劑的例子可以舉出:屬於以下的化合物類、且在350 nm~450 nm的波長區域的任一處具有吸收波長的化合物。
多核芳香族類(例如芘、苝、聯三伸苯(triphenylene)、蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽、3,7-二甲氧基蒽、9,10-二丙氧基蒽)、氧雜蒽(xanthene)類(例如螢光素(fluorescein)、曙紅(eosin)、赤蘚紅(erythrosine)、玫瑰紅B(rhodamine B)、孟加拉玫瑰紅(rose bengal))、氧雜蒽酮(xanthone)類(例如氧雜蒽酮、硫雜蒽酮(thioxanthone)、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮)、花青(cyanine)類(例如硫雜羰花青(thiacarbocyanine)、氧雜羰花青(oxacarbocyanine))、部花青(merocyanine)類(例如部花青、羰部花青(carbomerocyanine))、若丹菁(rhodacyanine)類、氧雜菁(oxonol)類、噻嗪類(例如硫堇(thionine)、亞甲藍(methylene blue)、甲苯胺藍(toluidine blue))、吖啶類(例如吖啶橙、氯黃素(chloroflavin)、吖啶黃素(acriflavine))、吖啶酮類(例如吖啶酮、10-丁基-2-氯吖啶酮)、蒽醌類(例如蒽醌)、方酸化合物(squarylium)類(例如、方酸化合物)、苯乙烯基(styryl)類、鹼性苯乙烯基類(例如2-[2-[4-(二甲基胺基)苯基]乙烯基]苯
並噁唑)、香豆素類(例如7-二乙基胺基-4-甲基香豆素、7-羥基-4-甲基香豆素、2,3,6,7-四氫-9-甲基-1H,5H,11H[1]苯並吡喃並[6,7,8-ij]喹嗪-11-酮(2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H,5H,11H[1]benzopyrano[6,7,8-ij]quinolizine-11-non))。
這些增感劑中,優選多核芳香族類、吖啶酮類、苯乙烯基類、鹼性苯乙烯基類、香豆素類,更優選多核芳香族類。多核芳香族類中,最優選下述通式(O)或通式(P)所表示的化合物。關於通式(O)的詳細情況,如後述第2實施形態中所說明,優選範圍也相同。
通式(O)
(R1)n-L1-(R2)m
(通式(O)中,R1及R2分別表示芳基或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構。L1表示具有2個~4個乙烯鍵的2價~4價的連結基。n及m分別表示1或2)
(通式(P)中,R分別為碳數1~8的烷基)
(關於通式(P)所表示的化合物)
通式(P)中,R分別為碳數1~8的烷基,更優選碳數2~6的烷基。
相對於感光性樹脂組成物的光酸產生劑100重量份,本發明的感光性樹脂組成物中的增感劑的添加量優選0重量份~1000重量份,更優選10重量份~500重量份,進而優選50重量份~200重量份。也可以併用兩種以上。
<(E)鹼性化合物>
本發明的感光性樹脂組成物也可以含有鹼性化合物。本發明中使用的鹼性化合物可以從化學增幅抗蝕劑中所用的鹼性化合物中任意選擇使用。例如可以舉出脂肪族胺、芳香族胺、雜環式胺、氫氧化四級銨、羧酸的四級銨鹽等。
鹼性化合物的具體例可以例示日本專利特開2009-98616號公報的段落編號0052~段落編號0056中記載的化合物,將該內容併入到本申請說明書中。
本發明中可以使用的鹼性化合物可以單獨使用一種,也可以併用兩種以上,優選的是併用兩種以上,更優選的是併用兩種,進而優選的是併用兩種雜環式胺。
本發明中,鹼性化合物優選下述通式(Q-a)、通式(Q-b)及通式(Q-c)所表示的化合物的至少一種。
通式(Q-a)
(通式(Q-a)中,R2表示碳數為1~6的烷基或碳數3~10的環烷基。X表示氧原子或硫原子。Y1表示氧原子或-NH-基。p1表示1~3的整數)
本發明中所用的鹼性化合物為具有以下的結構上的特徵的化合物:在分子內具有至少1個由脲或硫尿素鍵所表示的部分結構,而且含有嗎啉基或哌嗪基。
鹼性化合物優選的是所述X為硫原子,且為下述通式(Q-a2)所表示的硫脲化合物,即具有硫尿素鍵所表示的部分結構。
(通式(Q-a2)中,R3表示碳數為1~6的烷基或碳數3~10的環烷基。Y2表示氧原子或-NH-基。p2表示1~3的整數)
鹼性化合物進而更優選的是下述通式(Q-a3)所表示的硫脲化合物,即含有嗎啉基。
(通式(Q-a3)中,R4表示碳數為1~6的烷基或碳數3~10的環烷基。p3表示1~3的整數)
所述通式(Q-a)~通式(Q-a3)所表示的化合物的R2~R4的碳數為1~6的烷基優選甲基、乙基、丙基、正丁基、第2丁基、第3丁基等碳數1~4的烷基,更優選直鏈的碳數1~4的烷基,特別優選甲基。
所述通式(Q-a)~通式(Q-a3)所表示的化合物的R2~R4的碳數3~10的環烷基優選環丙基、環丁基、環己基、金剛烷基等碳數3~10的環烷基,更優選碳數5~10的環烷基,特別優選環己基。
所述通式(Q-a)所表示的鹼性化合物的具體例可以舉出以下所示的化合物(C-1)~化合物(C-7),但本發明不限定於這些化合物。
這些鹼性化合物可以單獨使用或混合使用兩種以上。
通式(Q-b)中,R8、R9、R10分別獨立地表示氫原子、可具有取代基的碳數1~6的烷基、可具有取代基的芳基或可具有取代基的碳數3~10的環烷基。
所述通式(Q-b)所表示的化合物的R8~R10的碳數為1~6的烷基、芳基優選甲基、乙基、丙基、正丁基、第2丁基、第3丁基、戊基、新戊基、己基等,更優選直鏈的碳數1~4的烷基,特別優選甲基。
所述通式(Q-b)所表示的化合物的R8~R10的碳數3~10的環烷基優選環丙基、環丁基、環己基、金剛烷基等碳數3~10的環烷基,更優選碳數5~10的環烷基,特別優選環己基。
所述通式(Q-b)所表示的化合物的R8~R10的烷基、芳基可具有的取代基與通式(Q-a2)的R3的烷基可具有的優選取代基相同。
本發明中,關於鹼性化合物的添加量,從滿足感度及解析性全部的觀點來看,以感光性樹脂組成物中的所有樹脂成分(優選固體成分,更優選所述(A)聚合物)為基準,通常是在0.001重量%~20重量%的範圍內使用,優選在0.005重量%~10重量%、最優選在0.01重量%~5重量%的範圍內使用。
<(F)密接改良劑>
本發明的感光性樹脂組成物也可以含有密接改良劑。本發明的感光性樹脂組成物中可以使用的密接改良劑是使成為基材的無機物(例如矽、氧化矽、氮化矽等矽化合物,金、銅、鋁等金屬)與絕緣膜的密接性提高的化合物。具體可以舉出矽烷偶合劑、硫醇系化合物等。本發明中使用的作為密接改良劑的矽烷偶合劑是以界面的改性為目的,並無特別限定,可以使用眾所周知的矽烷偶合劑。
優選的矽烷偶合劑例如可以參考日本專利特開2012-042837號公報的段落編號0175的記載,將該內容併入到本申請說明書中。這些矽烷偶合劑可以單獨使用一種或組合使用兩種以上。這些偶合劑於提高與基板的密接性為有效,並且於調整與基板的錐角也有效。
相對於感光性樹脂組成物中的所有樹脂成分(優選固體成分、更優選所述(A)共聚物)100重量份,本發明的感光性樹脂組成物中的密接改良劑的含量優選0.1重量份~20重量份,更優選0.5重量份~10重量份。
<(G)界面活性劑>
本發明的感光性樹脂組成物也可以含有界面活性劑。界面活性劑可以使用陰離子系、陽離子系、非離子系或兩性的任一種,優選的界面活性劑為非離子系界面活性劑。
界面活性劑的優選例例如可以參考日本專利特開2012-042837號公報的段落編號0184~段落編號0196的記載,將該內容併入到本申請說明書。
這些界面活性劑可以單獨使用一種或混合使用兩種以上。
相對於感光性樹脂組成物中的所有樹脂成分(優選固體成分、更優選所述(A)共聚物)100重量份,本發明的感光性樹脂組成物的(G)界面活性劑的添加量優選10重量份以下,更優選0.01重量份~10重量份,進而優選0.01重量份~1重量份。
<(H)抗氧化劑>
本發明的感光性樹脂組成物也可以含有抗氧化劑。作為抗氧化劑,可以含有眾所周知的抗氧化劑。通過添加抗氧化劑,有可以防止硬化膜的著色或可以減少由分解導致的膜厚減少、另外耐熱透明性優異的優點。
這種抗氧化劑例如可以參考日本專利特開2012-042837號公報的段落編號0194~段落編號0196的記載,將該內容併入到本申請說明書中。
相對於感光性樹脂組成物的總固體成分,抗氧化劑的含量優選0.1重量%~6重量%,更優選0.2重量%~5重量%,特別優選0.5重量%~4重量%。通過設定為該範圍,可以獲得所形成的膜的充分的透明性,且圖案形成時的感度也變良好。
另外,作為抗氧化劑以外的添加劑,也可以將《高分子添加劑的新展開(日刊工業報社(股))》中記載的各種紫外線吸收劑或金屬鈍化劑等添加到本發明的感光性樹脂組成物中。
第2實施形態:本發明的感光性樹脂組成物(以下也稱為「本發明的組成物」)的特徵在於含有:(A)包含聚合物的聚合物成分,所述聚合物含有經酸分解性基保護的單體單元;(B)光酸產生劑;(O)下述通
式(O)所表示的化合物;及(C)溶劑。本發明的感光性樹脂組成物可以優選地用作化學增幅型正型感光性樹脂組成物。
以下,對本發明的組成物加以詳細說明。
(A)包含聚合物的聚合物成分,所述聚合物含有經酸分解性基保護的單體單元
本發明的組成物包含聚合物作為(A)聚合物成分,所述聚合物含有經酸分解性基保護的單體單元。
(A)聚合物成分優選的是對於鹼為不溶性或難溶性,且在經保護的單體單元所具有的經保護的基團(酸分解性基)因酸的作用而分解時成為鹼可溶性的聚合物成分。此處,本發明中所謂「鹼可溶性」,是指將該聚合物成分的溶液塗布在基板上,在90℃下加熱2分鐘,由此所形成的聚合物的塗膜(厚度3 μm)對於23℃下的2.38%氫氧化四甲基銨水溶液的溶解速度為0.01 μm/秒以上,所謂「鹼不溶性」,是指將該聚合物的溶液塗布在基板上,在90℃下加熱2分鐘,由此所形成的該聚合物的塗膜(厚度3 μm)對於23℃下的2.38%氫氧化四甲基銨水溶液的溶解速度小於0.01 μm/秒。
本發明中所用的(A)成分含有聚合物,該聚合物含有經酸分解性基保護的單體單元(a1)(以下有時簡稱為「單體單元(a1)」)。經酸分解性基保護的單體單元(a1)優選的是來源於經酸分解性基保護的羥基苯乙烯的單體單元、或具有經酸分解性基保護的保護羧基的單體單元。
<來源於經酸分解性基保護的羥基苯乙烯的單體單元>
來源於羥基苯乙烯的單體單元的骨架可以為鄰羥基苯乙烯、間羥基苯乙烯或對羥基苯乙烯的任一種,從顯影後的圖案形狀的觀點來看,優選對羥基苯乙烯骨架。所述來源於羥基苯乙烯的單體單元的骨架也可以局部經氫化。
進而,所述來源於羥基苯乙烯的單體單元的骨架可以具有羥基(hydroxy)及經酸分解性基保護的羥基以外的取代基。這種取代基可以舉出烷基、烷氧基、芳烷基、芳基等。
此處,所述烷基優選像甲基、乙基、丙基、正丁基、第2丁基、第3丁基那樣的碳數1個~4個的基團,所述環烷基優選像環丙基、環丁基、環己基、金剛烷基那樣的碳數3個~10個的基團,所述烯基優選像乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基那樣的碳數2個~4個的基團,所述芳基優選像苯基、二甲苯基、甲苯甲醯基、枯烯基、萘基、蒽基那樣的碳數6個~14個的基團。
另外,羥基(hydroxy)及經酸分解性基保護的羥基以外的取代基的取代基可以舉出:羥基,鹵素原子(氟、氯、溴、碘),硝基,氰基、所述烷基,甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第2丁氧基、第3丁氧基等烷氧基,甲氧基羰基、乙氧基羰基等烷氧基羰基,苄基、苯乙基、枯基等芳烷基,芳烷氧基,甲醯基、乙醯基、丁醯基、苯甲醯基、肉桂醯基、戊醯基等醯基,丁醯氧基等醯氧基,所述烯基,乙烯氧基、丙烯氧基、烯丙氧基、丁烯氧基等烯氧基,所述芳基,苯氧基等芳氧基,苯甲醯氧基等芳氧基羰基。
本發明中,所述(A)成分中所含的來源於經酸分解性基保護的羥基苯乙烯的單體單元(a1)中,保護羥基的保護基並
無特別限制。所述保護羥基的保護基優選矽烷基、枯基羰基、乙縮醛基(acetal group)、四氫吡喃基、四氫呋喃基、烯醇基、烯醇羰基、三級烷基、三級烷基羰基、三級烷氧基羰基等。更優選三級烷基羰基、三級烷氧基羰基、枯基羰基、乙縮醛基、四氫吡喃基、四氫呋喃基。最優選乙縮醛基。
本發明中所用的所述(A)成分可以通過以下方式獲得:像歐州專利254853號、日本專利特開平2-25850號、日本專利特開平3-223860號、日本專利特開平4-251259號等所公開那樣,使可以利用酸而分解的基團的前驅物與鹼可溶性樹脂反應,或使鍵結了可以利用酸而分解的基團的鹼可溶性樹脂單體與各種單體共聚合。
<具有經酸分解性基保護的保護羧基的單體單元>
具有經酸分解性基保護的保護羧基的單體單元為具有保護羧基的單體單元,所述保護羧基為利用酸分解性基將具有羧基的單體單元的羧基保護而成。
可用於具有經酸分解性基保護而成的保護羧基的單體單元之所述具有羧基的單體單元並無特別限制,可使用眾所周知的單體單元。例如可以舉出:來源於不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和三羧酸等分子中具有至少1個羧基的不飽和羧酸等的單體單元,或一併具有乙烯性不飽和基與來源於酸酐的結構的單體單元。
酸分解性基可以使用相對較容易利用酸而分解的基團(例如四氫吡喃基酯基或四氫呋喃基酯基等乙縮醛系官能基)、或相對較難利用酸而分解的基團(例如第3丁酯基等三級烷基、第3
丁基碳酸酯基等三級烷基碳酸酯基)。
羧基經酸分解性基保護的其他單體單元的詳細情況可以參考日本專利特開2011-215580號公報的段落編號0029~段落編號0044的記載。
(A)經酸分解性基保護的單體單元(a1)優選下述通式(I)~通式(III)的至少1個,更優選通式(I)或通式(II)的至少1個。
(通式(I)中,R2、R3、R4分別獨立地表示氫原子或甲基,R5表示可具有取代基的直鏈、分支或環狀的碳數1~6的烷基;
通式(II)中,Ra1~Ra6分別獨立地表示氫原子、可具有取代基的碳數1~20的烷基或可具有取代基的芳基,Ra2與Ra3、Ra4與Ra5也可以相互鍵結而形成環。Ra7表示氫原子或甲基,Ra8表示鹵素原子、羥基或碳數1~3的烷基,n1表示0~4的整數;
通式(III)中,R1及R2分別表示氫原子、烷基或芳基,至少R1及R2的任一個為烷基或芳基,R3表示烷基或芳基,R1或R2與R3也可以連結而形成環狀醚,R4表示氫原子或甲基,X表示單
鍵或伸芳基)
(通式(I))
R2為氫原子或甲基,優選氫原子。
R3及R4優選的是一個為氫原子且另一個為甲基。
R5可以舉出:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、異丙基、第2丁基、第3丁基、新戊基、第2戊基、第3戊基、第2己基、第3己基、第2庚基、第3庚基、環戊基、環己基等,優選甲基、乙基、丙基、第3丁基、環己基。
R5可具有的取代基可以舉出:烷基、烷氧基、芳基、羥基、鹵素原子、硝基、醯基、醯氧基、醯基胺基(acylamino)、磺醯基胺基、烷硫基、芳硫基、芳烷硫基、噻吩羰氧基、噻吩甲基羰氧基、吡咯烷酮殘基等雜環殘基等。這些取代基的碳數優選12以下。另外,這些基團也可以進一步由這些基團所取代。R5優選的是不具有取代基。
(通式(II))
Ra1~Ra7優選氫原子。
Ra8優選鹵素原子。
n1優選0或1,更優選0。
(通式(III))
在R1及R2為烷基的情況下,優選碳數為1~10的烷基。在R1及R2為芳基的情況下,優選苯基。R1及R2分別優選氫原子或碳數1~4的烷基。
R3表示烷基或芳基,優選碳數1~10的烷基,更優選1~6的烷基。
X表示單鍵或伸芳基,優選單鍵。
A成分的保護率優選1%~60%,更優選5%~50%,進而優選10%~40%。通過設定為這種範圍,感度提高,曝光部與未曝光部的溶解性的差(discrimination)變良好。所謂保護率,是指將聚合物中的單體單元的合計量設定為100莫耳%時,被保護的基團的比例。
<其他單體單元(a2)>
本發明的組成物優選的是含有(A')含有經酸分解性基保護的單體單元(a1)的聚合物、及(A")含有其他單體單元(a2)的聚合物作為(A)聚合物成分。
本發明的感光性樹脂組成物可以含有所述含有單體單元(a1)的聚合物(A')及含有其他單體單元(a2)的聚合物(A")等兩種成分作為互不相同的聚合物,也可以所述含有單體單元(a1)的聚合物(A')與含有其他單體單元(a2)的聚合物(A")為同一共聚物(A)。此外,本說明書中,只要預先無特別說明,則「成分A」的情況包含所述聚合物(A')及聚合物(A")、以及共聚物(A)兩者。
本發明的感光性樹脂組成物優選的是所述含有單體單元(a1)的聚合物(A')與含有其他單體單元(a2)的聚合物(A")為同一共聚物(A)。
即,本發明的感光性樹脂組成物優選含有的(A)共聚物為含有以下成分的共聚物:(a1)經酸分解性基保護的單體單元(以下也稱為「單體單元(a1)」)、及
(a2)其他單體單元(以下也稱為「單體單元(a2)」)。
其他單體單元(a2)可以為僅一種,也可以為兩種以上。
其他單體單元例如可以舉出:苯乙烯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環不飽和化合物類、馬來醯亞胺化合物類、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、其他不飽和化合物。
另外,也可以舉出具有酸基的單體單元、或具有交聯性基的單體單元。
本發明中,其他單體單元(a2)優選來源於羥基苯乙烯的單體單元,可以為鄰羥基苯乙烯、間羥基苯乙烯或對羥基苯乙烯的任一種,從顯影後的圖案形狀的觀點來看,優選對羥基苯乙烯骨架。羥基苯乙烯的單體單元的骨架也可以局部經氫化。所述羥基苯乙烯的單體單元的骨架也可具有羥基以外的取代基。這種取代基可以舉出:羥基,鹵素原子(氟、氯、溴、碘),硝基,氰基,所述烷基,甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第2丁氧基、第3丁氧基等烷氧基,甲氧基羰基、乙氧基羰基等烷氧基羰基,苄基、苯乙基、枯基等芳烷基,芳烷氧基,甲醯基、乙醯基、丁醯基、苯甲醯基、肉桂醯基、戊醯基等醯基,丁醯氧基等醯氧基,所述烯基,乙烯氧基、丙烯氧基、烯丙氧基、丁烯氧基等烯氧基,所述芳基,苯氧基等芳氧基,苯甲醯氧基等芳氧基羰基。但是,優選的是不具有取代基。
即,優選的是其他單體單元(a2)的至少1種為下述單體單
元。
單體單元(a1)與單體單元(a2)的比率優選1/99~60/40,更優選5/95~50/50,進而優選10/90~40/60。
所述A成分的重量平均分子量(Mw)優選2000~15000的範圍,更優選5000~12000,進而優選7500~12000。通過設定為2000以上,可以獲得所形成的畫素即便在後烘烤的加熱後也能維持矩形性的效果,通過設定為15000以下,可以獲得感度、PED特性提高的效果。此處,重量平均分子量是根據凝膠滲透層析法的聚苯乙烯換算值來定義。
所述A成分的多分散度(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))優選1.0~4.0,更優選1.0~3.0,進而優選1.0~1.5。通過設定為這種範圍,曝光部與未曝光部的溶解性的差(discrimination)增大,另外矩形性也變良好。
以下示出本發明中所用的聚合物成分(A)的優選例,但本發明當然不限定於這些優選例。
本發明的組成物優選的是相對於總固體成分而在組成物中以60重量%以上的比例含有(A)聚合物成分,更優選的是以80重量%以上的比例含有(A)聚合物成分。
<(B)光酸產生劑>
本發明的感光性樹脂組成物含有(B)光酸產生劑。本發明
中使用的光酸產生劑(也稱為「(B)成分」)與第1實施形態中使用的光酸產生劑相同,優選範圍也相同。
<(O)通式(O)所表示的化合物>
本發明的感光性樹脂組成物含有通式(O)所表示的化合物。本發明中,通式(O)所表示的化合物作為光酸產生劑的增感劑而發揮作用。一直以來,在有機EL顯示裝置的領域中,採用結構與本發明中所用的通式(O)所表示的化合物近似的化合物,但並不像本發明那樣用作光酸產生劑的增感劑。另外,雖然在與本發明完全不同的領域中採用結構與通式(O)所表示的化合物近似的化合物,但追求的目的等也不同。
通式(O)(R1)n-L1-(R2)m
(通式(O)中,R1及R2分別表示芳基或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構。L1表示具有2個~4個乙烯鍵的2價~4價的連結基。n及m分別表示1或2)
R1及R2分別表示芳基或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構,優選的是R1及R2的至少一個表示具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構,更優選的是R1及R2兩者表示具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構。雜環優選的是含有硫原子。
R1及R2所具有的環狀結構可以為單環,也可以為縮合環。本發明中,R1及R2的芳基或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構優選的是分別僅含有單環作為環狀結構。該情況下,單環可以為僅1
個,也可以為2個以上,優選1個~4個,更優選1個。
R1及R2所含的環可以例示5員環、6員環、5員環及6員環的2個以上的縮合環,優選5員環或6員環。
R1及R2分別優選可具有取代基的苯基或下述通式(O-1)所表示的基團。
(通式(O-1)中,R表示取代基,r為0~2的整數)
所述苯基可具有的取代基及通式(O-1)的取代基優選的是每1分子的1個取代基部分的質量為250以下,更優選100以下。所述苯基可具有的取代基及通式(O-1)的取代基分別優選鹵素原子、烷氧基、烷基或胺基,更優選烷氧基、烷基,進而優選碳數1~3的烷氧基或碳數1~4的烷基。
苯基優選的是不具有取代基。
r優選0或1,更優選0。
R1及R2優選的是同一基團。
n及m分別表示1或2,分別優選1,更優選的是兩者為1。
L1也可以具有環狀結構,也可以在環狀結構中含有乙烯鍵。L1優選的是至少具有-(CR=CR)p-(R為氫原子或甲基,p為2以上的整數)、或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構,更優選下述通式(O-2)或通式(O-3)所表示的基團,進而優選的是由通式(O-2)
所表示。
L1的乙烯鍵的個數優選2個或3個,更優選2個。
(通式(O-2)中,S1為1~6的整數)
S1優選1~4的整數,更優選1。
(通式(O-3)中,S2為2~4的整數)
S2優選2或3。
(C)通式(O)所表示的化合物進而優選下述通式(O-4)~通式(O-6)的任一式所表示的化合物。
通式(O-5)
(通式(O-4)~通式(O-6)中,R1~R6分別為氫原子或取代基)
通式(O-4)~通式(O-6)中,R1~R6分別更優選氫原子、鹵素原子、烷氧基、烷基,分別進而優選氫原子、碳數1~3的烷氧基或碳數1~4的烷基,分別特別優選氫原子。
通式(O)中,乙烯鍵的個數優選4~14,更優選5~10。
以下,例示本發明中可優選地使用的通式(O)所表示的化合物,但本發明當然不限定於這些化合物。下述中,Me表示甲基。
相對於感光性樹脂組成物中的所有樹脂成分(優選固體成分、更優選共聚物的合計量)100質量份,(O)下述通式(O)所表示的化合物優選的是使用0.1質量份~10質量份,更優選的是使用0.5質量份~5.0質量份。通過以此範圍的添加量使用,可以有效地發揮本發明的效果,另外即便有增感色素的吸收的影響,光也能到達膜底部,因此矩形性良好。也可以併用兩種以上。
<(C)溶劑>
本發明的感光性樹脂組成物含有(C)溶劑。溶劑與第1實施形態中使用的溶劑相同,優選範圍也相同。
<其他成分>
本發明的正型感光性樹脂組成物除了(A)成分、(B)成分、(C)成分及(O)成分以外,視需要也可以優選地添加鹼性化合物、密接改良劑、界面活性劑、抗氧化劑。這些添加劑可以採用與第1實施形態的鹼性化合物、密接改良劑、界面活性劑、抗氧化劑相同的添加劑,優選範圍也相同。進而,本發明的正型感光性樹脂組成物中可以添加塑化劑、熱自由基產生劑、抗氧化劑、熱酸產生劑、紫外線吸收劑、增稠劑及有機或無機的防沉澱劑等眾所周知的添加劑。
本發明中,也可以併用通式(O)所表示的化合物以外的增感劑,優選的是實質上不含有該增感劑。所謂實質上不含有,例如是指包括在不影響本發明的效果的範圍內調配的情況等。
[圖案的製造方法]
接著,對本發明的圖案的製造方法加以說明。
本發明的圖案的製造方法的特徵在於包括以下的(1)
~(6)的步驟。
(1)將本發明的感光性樹脂組成物應用在基板上的步驟;(2)從所應用的感光性樹脂組成物中除去溶劑的步驟;(3)利用活性放射線進行曝光的步驟;(4)利用水性顯影液進行顯影的步驟;(5)將所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩對所述基板進行蝕刻的步驟;及(6)將所述抗蝕劑圖案剝離的步驟。
以下依次對各步驟加以說明。
(1)的步驟中,優選的是將本發明的正型感光性樹脂組成物應用在基板上,製成含有溶劑的濕潤膜。
(2)的步驟中,通過減壓(真空)及/或加熱從所應用的所述膜中除去溶劑,在基板上形成乾燥塗膜。
(3)進行曝光的步驟中,對所得的塗膜照射波長300 nm~450 nm的光化射線。該步驟中,在第1實施形態中,(B)光酸產生劑分解而產生酸。通過所產生的酸的催化作用,使(A-1)成分中所含的具有酸基的結構單元(a-1)的經酸分解性基(保護羧基)保護的羥基水解,生成酚性羥基。在第2實施形態中,(B)光酸產生劑分解而產生酸。通過所產生的酸的催化作用,使(A)成分中所含的羥基苯乙烯的單體單元(a1)的經酸分解性基保護的羥基水解,生成酚性羥基。
在生成酸催化劑的區域中,為了加快所述水解反應,視需要可以進行曝光後加熱處理(曝光後烘烤(Post Exposure Bake),以下也稱為「PEB」)。通過PEB,可以促進自酸分解性基
的羧基或酚性羥基的生成。在本發明的圖案的製造方法中,優選的是在所述顯影步驟後、蝕刻步驟前,包含對所述抗蝕劑圖案進行後烘烤而使抗蝕劑圖案熱硬化的步驟。
第1實施形態的(A)成分中所含的羥基苯乙烯的結構單元(A-2)的羥基由於酸分解的活化能量低,容易因通過曝光而來源於光酸產生劑的酸發生分解,產生酚性羥基,因此未必需要進行PEB,也可以通過顯影來形成正型圖像,在本發明的圖案的製造方法中,優選的是使用本發明的感光性樹脂組成物來進行所述後烘烤步驟。
第2實施形態中,(A)成分中所含的羥基苯乙烯的單體單元(a1)的經酸分解性基保護的羥基由於酸分解的活化能量低,容易因通過曝光而來源於光酸產生劑的酸發生分解,產生酚性羥基,因此未必需要進行PEB,也可以通過顯影來形成正型圖像,但本發明的圖案的製造方法中並非必需。
在本發明的圖案的製造方法中,優選的是在相對較低的溫度下進行PEB,由此在不引起交聯反應的情況下促進酸分解性基的水解。進行PEB的情況下的溫度優選30℃~130℃,更優選40℃~110℃,特別優選50℃~100℃。加熱時間可以根據加熱溫度等來適當設定,但優選的是設定為1分鐘~60分鐘的範圍內。
(4)進行顯影的步驟中,使用鹼性顯影液對具有遊離的羧基或酚性羥基的共聚物進行顯影。通過將含有易溶解於鹼性顯影液中且具有羧基或酚性羥基的樹脂組成物的曝光部區域除去,而形成正型圖像。
優選的是在相對較低的溫度下進行PEB,由此在不引起
交聯反應的情況下促進酸分解性基的水解。進行PEB的情況下的溫度優選30℃~130℃,更優選40℃~110℃下,特別優選50℃~80℃。加熱時間可以根據加熱溫度等來適當設定,但優選的是設定為10分鐘~90分鐘的範圍內。
在本發明的圖案的製造方法中,優選的是從(4)進行顯影的步驟起到後述蝕刻步驟為止之間包括後烘烤步驟,更優選的是在所述(4)進行顯影的步驟後、蝕刻步驟前,包括對所述抗蝕劑圖案在100℃~160℃下進行後烘烤的步驟。在(4)進行顯影的步驟後的後烘烤步驟中,通過對所得的正型圖像進行加熱,可以獲得蝕刻尺寸穩定性提高的效果。
所述(4)進行顯影的步驟後、(5)進行蝕刻的步驟前的後烘烤步驟更優選120℃~150℃。通過在相對較低的溫度下進行PEB,可以獲得不使抗蝕劑圖案熱流動而提高蝕刻尺寸穩定性的效果。
加熱時間可以根據加熱溫度等來適當設定,優選的是設定為1分鐘~60分鐘的範圍內。
然後,對使用本發明的感光性樹脂組成物的硬化膜的形成方法加以具體說明。
<感光性樹脂組成物的製備方法>
將第1實施形態及第2實施形態的必需成分及任意成分以既定的比例且利用任意的方法混合,攪拌溶解而製備感光性樹脂組成物。例如,也可以製成使各成分分別預先溶解在上述溶劑中的溶液後,將這些溶液以既定的比例混合而製備樹脂組成物。例如也可以使用孔徑0.2 μm的過濾器等對像上述那樣製備的組成物溶
液進行過濾後供使用。
<(1)將感光性樹脂組成物應用在基板上的步驟及(2)除去溶劑的步驟>
將感光性樹脂組成物應用到既定的基板上,通過減壓及/或加熱(預烘烤)而除去溶劑,由此可形成所需的乾燥塗膜。作為所述基板,例如在液晶顯示元件的製造中,可以例示:設有偏光板、進而視需要設有黑色矩陣層及彩色濾光片層、進而設有透明導電電路層的玻璃板等。將感光性樹脂組成物應用到基板上的方法並無特別限制,其中,本發明中優選的是對基板塗布感光性樹脂組成物。對基板的塗布方法並無特別限定,例如可以使用狹縫塗布法、噴霧法、輥塗法、旋轉塗布法等方法。其中,從適於大型基板的觀點來看,優選狹縫塗布法。若以大型基板來製造,則因生產性高而優選。此處,所謂大型基板,是指各邊為1 m以上的大小的基板。
另外,(2)的步驟的加熱條件為未曝光部中的(A)成分中的結構單元(a-1)中酸分解性基發生分解、且使(A)成分處於在鹼顯影液中並非可溶性的範圍,也根據各成分的種類或調配比而不同,優選的是80℃~130℃、30秒鐘~120秒鐘左右。
<(3)進行曝光的步驟及(4)進行顯影的步驟(圖案形成方法)>
在(3)的步驟中,對設有塗膜的基板隔著具有既定圖案的遮罩來照射光化射線。曝光步驟後,視需要進行加熱處理(PEB)後,在(4)的步驟中使用鹼性顯影液將曝光部區域除去而形成圖像圖案。
在利用光化射線的曝光中,可以使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、發光二極體(Light Emitting Diode,LED)光源、準分子雷射產生裝置等,可以優選地使用g射線(436 nm)、i射線(365 nm)、h射線(405 nm)等具有300 nm~450 nm的波長的光化射線。另外,視需要也可以通過像長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器那樣的分光濾波器來調整照射光。
(3)的步驟中使用的遮罩優選的是使用可以一次性獲得具有多種厚度的圖案的半色調(halftone)相位遮罩。
(4)的步驟中使用的顯影液中,優選的是含有鹼性化合物。鹼性化合物例如可以使用:氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀等鹼金屬氫氧化物類;碳酸鈉、碳酸鉀等鹼金屬碳酸鹽類;重碳酸鈉、重碳酸鉀等鹼金屬重碳酸鹽類;氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化膽鹼(choline hydroxide)等氫氧化銨類;矽酸鈉、偏矽酸鈉等的水溶液。另外,也可以使用在所述鹼類的水溶液中添加了適當量的甲醇或乙醇等水溶性有機溶劑或者界面活性劑的水溶液作為顯影液。
顯影液的pH值優選10.0~14.0。
顯影時間優選30秒鐘~180秒鐘,另外,顯影的方法為覆液(puddle)顯影法、浸漬法等的任一種。顯影後,可以進行30秒鐘~90秒鐘的流水清洗而形成所需的圖案。
<(5)進行蝕刻的步驟>
本發明的圖案的製造方法包括所述(5)將所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩對所述基板進行蝕刻的步驟。
將所述抗蝕劑圖案作為遮罩對所述基板進行蝕刻的方法並無特別限制,可以使用眾所周知的方法。
<(6)將抗蝕劑圖案剝離的步驟>
本發明的圖案的製造方法包括所述(6)將所述抗蝕劑圖案剝離的步驟。
將所述抗蝕劑圖案剝離的方法並無特別限制,可以使用眾所周知的方法。
<基板>
本發明的圖案的製造方法中所用的基板並無特別限制,例如可以使用:鉻膜、鉬膜、鉬合金膜、鉭膜、鉭合金膜、摻雜了氧化錫的氧化銦(ITO)膜或氧化錫膜,Ni、Cu、Fe、Al等的金屬基板;石英、玻璃、氮化矽膜、矽酮、氮化矽酮、聚矽酮、氧化矽酮、非晶矽酮膜、旋塗式玻璃(Spin on glass,SOG)、半導體元件製造用的矽晶圓、液晶元件製造用的玻璃方形基板等矽基板;紙、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、有機EL顯示裝置中所用的其他聚合物基板等聚合物基板;陶瓷材料、Ti基板、Al基板、LED照明中所用的單晶藍寶石基板等。其中,本發明中優選ITO基板、鉬基板、矽基板、Cu基板、Al基板或單晶藍寶石基板,更優選ITO基板、鉬基板、矽基板或單晶藍寶石基板,進而優選ITO基板或單晶藍寶石基板。
基板的形狀可以為板狀,也可以為卷狀。
[硬化膜]
本發明中,在(4)進行顯影的步驟後,對通過顯影所得的與未曝光區域對應的圖案使用熱板或烘箱等加熱裝置,在既定的溫
度下、例如180℃~250℃下,以既定的時間進行加熱處理,例如若在熱板上則以5分鐘~60分鐘進行加熱處理,若為烘箱則以30分鐘~90分鐘進行加熱處理,由此可以形成耐熱性、硬度等優異的保護膜或層間絕緣膜等硬化膜。
另外,在進行加熱處理時,通過在氮氣環境下進行,也可以提高硬化膜的透明性。
此外,優選的是在加熱處理之前,利用光化射線對已形成了圖案狀硬化膜的基板進行再曝光後,進行加熱。
即,在形成本發明的硬化膜時,優選的是在進行顯影的步驟與進行熱硬化的步驟之間,包括利用光化射線進行再曝光的步驟。
進行再曝光的步驟中的曝光只要利用與所述進行曝光的步驟同樣的方法來進行便可,在所述進行再曝光的步驟中,優選的是對基板的由本發明的感光性樹脂組成物形成了膜的一側進行全面曝光。進行再曝光的步驟的優選曝光量為100 mJ/cm2~1,000 mJ/cm2。
[圖案]
本發明的圖案為使用使本發明的感光性樹脂組成物硬化所得的抗蝕劑圖案作為遮罩,對所述基板進行蝕刻所得的圖案。本發明的圖案可以優選地用作ITO圖案、鉬圖案或矽圖案,可以更優選地用作ITO圖案。
本發明的感光性樹脂組成物由於感度、解析性及曝光界限優異,因此可以獲得矩形性優異的抗蝕劑圖案。本發明的圖案是利用使用所述抗蝕劑圖案的本發明的圖案的製造方法所得,因此可以進行微細加工,可以使有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置具有高
精細的顯示特性。
[有機EL顯示裝置、液晶顯示裝置]
本發明的感光性樹脂組成物也可以用作層間絕緣膜,可以利用本發明的圖案的製造方法來製造有機EL顯示裝置及液晶顯示裝置。本發明的有機EL顯示裝置及液晶顯示裝置優選的是具有ITO圖案。
本發明的有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置除了具有使用所述本發明的感光性樹脂組成物而形成的平坦化膜或層間絕緣膜以外,並無特別限制,可以舉出採用各種結構的眾所周知的各種有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置。
另外,本發明的感光性樹脂組成物及本發明的硬化膜不限定於所述用途,可以用於各種用途。例如除了平坦化膜或層間絕緣膜以外,也可以合適地用於彩色濾光片的保護膜、或用來將液晶顯示裝置中的液晶層保持為一定厚度的間隔件(spacer)或在固體攝影元件中設置在彩色濾光片上的微透鏡(microlens)等。
圖1表示有機EL顯示裝置的一例的構成概念圖,表示底部發光(bottom emitting)型的有機EL顯示裝置中的基板的示意性截面圖,具有平坦化膜4。
在玻璃基板6上形成底部閘極(bottom gate)型的TFT1,以覆蓋該TFT1的狀態形成包含Si3N4的絕緣膜3。在絕緣膜3中形成此處省略圖示的接觸孔後,在絕緣膜3上形成經由該接觸孔而連接於TFT1的配線2(高度1.0 μm)。配線2是用來將TFT1間、或此後的步驟中形成的有機EL元件與TFT1連接的線。
進而,為了使因形成配線2而產生的凹凸平坦化,以填埋由
配線2所致的凹凸的狀態在絕緣膜3上形成平坦化膜4。
在平坦化膜4上形成底部發光型的有機EL元件。即,在平坦化膜4上,經由接觸孔7連接於配線2而形成包含ITO的第一電極5。另外,第一電極5相當於有機EL元件的陽極。
形成覆蓋第一電極5的邊緣的形狀的絕緣膜8,通過設置該絕緣膜8,可以防止第一電極5與此後的步驟中形成的第二電極之間的短路。
進而,圖1中並未圖示,但隔著所需的圖案遮罩依序蒸鍍而設置電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層,接著在基板上方的整個面上形成包含Al的第二電極,通過使用密封用玻璃板及紫外線硬化型環氧樹脂進行貼合而密封,獲得在各有機EL元件上連接用來驅動該有機EL元件的TFT1而成的主動矩陣型的有機EL顯示裝置。
圖2為表示主動矩陣方式的液晶顯示裝置10的一例的概念性截面圖。該彩色液晶顯示裝置10為背面上具有背光單元12的液晶面板,並且液晶面板中配置著TFT16的元件,該TFT16的元件與配置在貼附了偏光膜的2片玻璃基板14、玻璃基板15之間的所有畫素對應。通過硬化膜17中形成的接觸孔18,對形成在玻璃基板上的各元件進行形成畫素電極的ITO透明電極19的配線。
在ITO透明電極19上,設有液晶20的層及配置了黑色矩陣的RGB彩色濾光片22。
實施例
以下舉出實施例對本發明進行更具體說明。以下實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不偏離本發
明的主旨,則可適當變更。因此,本發明的範圍不限定於以下所示的具體例。此外,第2實施形態的實施例為參考例。
第1實施形態的實施例:在以下合成例中,以下的符號分別表示以下的化合物。
V-65:2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥工業製造)
V-601:二甲基-2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)(和光純藥工業製造)
MAEVE:甲基丙烯酸-1-乙氧基乙酯
MATHF:甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯
MATHP:甲基丙烯酸-2-四氫吡喃酯(新中村化學公司製造)
StOEVE:4-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯
THFFMA:甲基丙烯酸四氫糠酯
MMA:甲基丙烯酸甲酯
MAA:甲基丙烯酸
(合成例1:a-1-1的合成(MATHF/MMA/MAA=60/15/25))
<MATHF的合成>
預先將甲基丙烯酸(86 g、1 mol)冷卻到15℃,添加樟腦磺酸(4.6 g、0.02 mol)。在該溶液中滴加2-二氫呋喃(71 g、1 mol、1.0當量)。攪拌1小時後,添加飽和碳酸氫鈉(500 mL),利用乙酸乙酯(500 mL)進行萃取,利用硫酸鎂加以乾燥後,過濾不溶物後在40℃以下減壓濃縮,將殘渣的黃色油狀物減壓蒸餾,以無色油狀物的形式獲得沸點(bp.)為54℃~56℃/3.5 mm Hg餾分的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯(MATHF)125 g(產率為80%)。
<a-1-1的合成>
在三口燒瓶中混合甲基丙烯酸50.33 g(0.585 mol)、樟腦磺酸0.27 g(0.2 mol%)並冷卻到15℃。在該溶液中滴加2,3-二氫呋喃41.00 g(0.585 mol)。對反應液添加飽和碳酸氫鈉水溶液(500 mL),利用乙酸乙酯(500 mL)進行萃取,利用硫酸鎂進行乾燥。將不溶物過濾後在40℃以下減壓濃縮,將殘渣的無色油狀物減壓蒸餾,由此獲得沸點(bp.)為54℃~56℃/3.5 mm Hg餾分的73.02 g的MATHF。
在三口燒瓶中放入PGMEA(29.6 g),在氮氣環境下升溫到80℃。使MATHF(28.1 g)、MMA(7.51 g)、MAA(3.87 g)、V-601(1.93 g,相對於單體而為2.8 mol%)溶解於PGMEA(29.6 g)中,用2小時滴加到所述溶液中。滴加結束後攪拌4小時,結束反應。由此獲得a-1-1。重量平均分子量為15,000。多分散度為2.60。
(合成例2:a-1-2的合成)
在合成例1中,除了以使MATHF、MAA及MMA的比率成為15莫耳、15莫耳及70莫耳的方式變更莫耳比以外,同樣地進行操作。
(合成例3:a-1-3的合成)
在合成例1中,除了以使MATHF、MAA及MMA的比率成為25莫耳、15莫耳及60莫耳的方式變更莫耳比以外,同樣地進行操作。
(合成例4:a-1-4的合成)
在合成例1中,除了以使MATHF、MAA及MMA的比率成為35莫耳、15莫耳及50莫耳的方式變更莫耳比以外,同樣地進行操作。
(合成例5:a-1-5的合成)
在合成例1中,除了以使MATHF、MAA及MMA的比率成為45莫耳、15莫耳及40莫耳的方式變更莫耳比以外,同樣地進行操作。
(合成例6:a-1-6的合成(THF/EVE/PHS/MAA=33/15/37/15))
<樹脂(R-1)的合成>
將對乙醯氧基苯乙烯110.3 g(0.68莫耳)、甲基丙烯酸10.3 g(0.12莫耳)溶解在丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)140 g中,在氮氣流及攪拌下在65℃~75℃下投入二甲基-2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)(V-601)6.5 g(0.028莫耳)的PGMEA溶液,進而持續攪拌6小時,由此進行聚合反應。溶解在甲醇200 ml中,添加甲氧化鈉甲醇溶液(SM-28)14 g,反應3小時。利用鹽酸進行中和,添加水200 ml進行稀釋,添加乙酸乙酯300 ml進行分液操作,以水清洗3次。然後,使白色的樹脂析出。將該樹脂過濾分離,進行水洗、乾燥。進而溶解在丙酮200 ml中,一面攪拌一面滴加到3 L的己烷/乙酸乙酯=10/1溶液中,進行再沉澱。將所得的樹脂在
真空乾燥器中在40℃下乾燥24小時,獲得聚(對羥基苯乙烯)/MAA鹼可溶性樹脂(R-1)。所得的樹脂的重量平均分子量為15000,多分散度為2.60。
<聚合物THF/EVE/PHS/MAA的合成>
將所述所得的鹼可溶性樹脂(R-1)23.0 g及丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)94.4 g溶解在燒瓶中,進行減壓蒸餾,將水與PGMEA共沸蒸餾去除。確認到含水量充分變低後,添加2,3-二氫呋喃4.17 g、乙基乙烯醚2.08 g、對甲苯磺酸0.025 g,在室溫下攪拌4小時。向其中添加三乙胺0.090 g而停止反應。在反應液中添加乙酸乙酯,進而進行水洗後,通過減壓蒸餾去除將乙酸乙酯、水蒸餾去除,獲得THF保護率為33莫耳%、EVE保護率為15莫耳%的作為可溶性樹脂的聚合物(a-1-6)。
(合成例7:聚合物PHS-EVE的合成)
將鹼可溶性樹脂(瑪露卡琳卡(Maruka Lyncur)M S-4P,丸善石油化學股份有限公司製造)20 g及丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)320g溶解在燒瓶中,進行減壓蒸餾,將水與PGMEA共沸蒸餾去除。確認到含水量充分變低後,添加乙基乙烯醚4.48 g及對甲苯磺酸0.35 g,在室溫下攪拌1小時。向其中添加三乙胺0.28 g而停止反應。在反應液中添加乙酸乙酯,進而進行水洗後,通過減壓蒸餾去除將乙酸乙酯、水、共沸成分的PGMEA蒸餾去除,獲得聚合物PHS-EVE。所得樹脂的重量平均分子量為11,000。另外,多分散度為2.6。
PHS-EVE的結構為對羥基苯乙烯的1-乙氧基乙基保護體/對羥基苯乙烯共聚物(30莫耳%/70莫耳%)。
(合成例8:聚合物PHS-THF的合成)
將鹼可溶性樹脂(瑪露卡琳卡M S-4P,丸善化學工業股份有限公司製造)15.6 g及丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)100 g溶解在燒瓶中,進行減壓蒸餾,將水與PGMEA共沸蒸餾去除。確認到含水量充分變低後,添加2,3-二氫呋喃2.7 g及對甲苯磺酸0.015 g,在室溫下攪拌2小時。向其中添加三乙胺0.090 g而停止反應。在反應液中添加乙酸乙酯,進而進行水洗後,通過減壓蒸餾去除將乙酸乙酯、水蒸餾去除,獲得保護率為25莫耳%的作為可溶性樹脂的聚合物PHS-THF。所得樹脂的重量平均分子量為12,000。另外,多分散度為2.6。
PHS-THF的結構為對羥基苯乙烯的2-四氫呋喃基保護體/對羥基苯乙烯共聚物(25莫耳%/75莫耳%)。
(合成例9:聚合物a-1-7的合成
(MATHP/MAA/MMA=60/15/25))
在聚合物a-1-1的合成中,將MATHF變更為MATHP,並根據目標聚合物的莫耳比來調節添加量,除此以外,同樣地合成聚合物a-1-7(MATHP/MAA/MMA=60/15/25)。
(合成例10:聚合物a-1-8的合成(MAEVE/MAA/MMA=60/15/25))
在聚合物a-1-1的合成中,將MATHF變更為MAEVE,並根據目標聚合物的莫耳比來調節添加量,除此以外,同樣地合成聚合物a-1-8(MAEVE/MAA/MMA=60/15/25)。
聚合物a-1-9:BuVE/MAA/MMA=60/15/25(下述結構)
聚合物a-1-10:CyHexVE/MAA/MMA=60/15/25(下述結構)
聚合物PHS:(丸善化學工業股份有限公司製造,瑪露卡琳卡M S-4P)
光酸產生劑
(B-1)下述化合物
依照日本專利特表2002-528451號公報的段落編號[0108]中記載的方法來合成α-(對甲苯磺醯基氧基亞胺基)苯基乙腈。
(B-2)下述化合物(巴斯夫(BASF)公司製造,CGI-1397)
(B-3)下述結構(巴斯夫公司製造,伊魯卡(Irgacure)250)
伊魯卡250
增感劑
DBA:安托拉卡(Anthracure)(川崎化成工業製造)
O-1(東京化成工業製造,D2077)
O-2(東京化成工業製造,T1196)
環氧樹脂
JER157S65,日本環氧樹脂(Japan epoxy resin)製造
艾比克隆(EPICLON)N-695,迪愛生(DIC)製造
(感光性樹脂組成物的製備)
以成為下述表所示的組成的方式將各成分溶解混合,利用口徑為0.2 μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾,獲得實施例及比較例的感光性樹脂組成物。另外,調配比是像下述表那樣設定。
.(A)聚合物 以表中所示的比例(重量比)將(A-1)與(A-2)摻合。
.(B)光酸產生劑 相對於(A)聚合物100重量份而為2.7重量份
.增感劑 相對於(A)聚合物100重量份,調配像下述表所記載那樣的量。
.環氧樹脂(JER157S65,日本環氧樹脂製造)
相對於(A)聚合物100重量份而為2.7重量份
.溶劑PGMEA 以不揮發成分相對於組成物而成為10重量%的方式調整
對通過以上操作而獲得的各實施例、各比較例的感光性樹脂組成物進行以下所示的各評價。
<感度的評價>
將各感光性樹脂組成物狹縫塗布在玻璃基板(康寧(Corning)1737,0.7 mm厚(康寧(Corning)公司製造))上後,以90℃、120秒的條件在熱板上預烘烤而使溶劑揮發,形成膜厚為1.5 μm的感光性樹脂組成物層。
然後,使用佳能(Canon)(股)製造的PLA-501F曝光機(超高壓水銀燈),通過既定的遮罩對所得的感光性樹脂組成物層進行曝光。接著,利用鹼顯影液(2.38質量%的氫氧化四甲基銨水溶液)以23℃、60秒鐘的條件對曝光後的感光性組成物層進行顯影後,利用超純水淋洗20秒。
將通過這些操作且以1:1解析10 μm的線與間隙(line and space)時的最佳i射線曝光量(Eopt)作為感度。
根據以下基準進行評價。
1:100 mJ/cm2以上
2:45 mJ/cm2以上且小於100 mJ/cm2
3:2.0 mJ/cm2以上且小於45 mJ/cm2
4:1.0 mJ/cm2以上且小於2.0 mJ/cm2
5:0.01 mJ/cm2以上且小於1.0 mJ/cm2
<解析度的評價>
在經清洗、六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane,HMDS)處理的玻璃基板上以1.3 μm的膜厚塗布感光性樹脂組成物,通過遮罩進行曝光顯影,將線與間隙圖案中能解析的最小圖案作為解析度。
1分:解析度為5 μm以上
2分:3.0 μm解析,但2.5 μm未解析
3分:2.5 μm解析,但2.0 μm未解析
4分:2.0 μm解析,但1.5 μm未解析
5分:1.5 μm解析。
<矩形性的評價>
在經清洗、六甲基二矽氮烷處理的玻璃基板上以1.3 μm的膜厚塗布感光性樹脂組成物,通過遮罩進行曝光顯影,然後在140℃進行後烘烤,對後烘烤後的2.5 μm的線與間隙圖案部分的形狀的矩形性進行評價。
1分:截面形狀為拱形(dome)而無角,並且錐角小於45°
2分:截面形狀為拱形而無角,並且錐角為45°以上且小於60°
3分:截面形狀為拱形而無角,並且錐角為60°以上且小於75°
4分:截面形狀有角,並且錐角為60°以上且小於75°
4.5分:截面形狀有角,並且錐角為75°以上且小於80°
5分:截面形狀有角,並且錐角為80°以上
<綜合性能>
將感度、解析性及矩形性的評價的數值分別合計,按照以下基準評價為綜合性能。
5:能完全無問題地使用的水準。
4.5:能無進一步問題地使用的水準。
4:能無問題地使用的水準。
3:能通過製程應對來使用的水準。
2:不耐使用的水準。
1:完全不耐使用的水準。
像所述表所示那樣,得知各實施例的感光性樹脂組成物在與各比較例的感光性樹脂組成物的對比中,感度、解析性及矩形性的任一評價均可獲得優異的結果。特別是僅含一種聚合物的情況(比較例4)下,完全未達成本發明的效果。
(實施例100)
<有機EL顯示裝置>
利用以下方法來製作具備ITO圖案的有機EL顯示裝置(參照圖1)。
在玻璃基板6上形成底部閘極型的TFT1,以覆蓋該TFT1的狀態形成包含Si3N4的絕緣膜3。接著,在所述絕緣膜3中形成此處省略圖示的接觸孔後,在絕緣膜3上形成通過該接觸孔而連接於TFT1的配線2(高度為1.0 μm)。該配線2是用來將TFT1間、或此後的步驟中形成的有機EL元件與TFT1連接的線。
進而,為了使因形成配線2所致的凹凸平坦化,以填埋由配線2所致的凹凸的狀態在絕緣膜3上形成平坦化膜4。在絕緣膜3上的平坦化膜4的形成是將日本專利特開2009-98616號公報的實施例1中記載的感光性樹脂組成物旋轉塗布在基板上,在熱板上進行預烘烤(90℃、2分鐘)後,從遮罩上使用高壓水銀燈以45 mJ/cm2(照度為20 mW/cm2)來照射i射線(365 nm)後,利用鹼水溶液進行顯影而形成圖案,在230℃下進行60分鐘的加熱處理。
塗布感光性樹脂組成物時的塗布性良好,在曝光、顯影、煅燒後所得的硬化膜中,看不到褶皺或龜裂的產生。進而,配線2的平均階差為500 nm,所製作的平坦化膜4的膜厚為2,000
nm。
然後,在所得的平坦化膜4上形成底部發光型的有機EL元件。首先,在平坦化膜4上經由接觸孔7連接於配線2而形成包含ITO的第一電極5。然後,將實施例1的感光性樹脂組成物旋轉塗布在ITO基板上,在熱板上進行預烘烤(90℃、2分鐘)後,從遮罩上使用高壓水銀燈以20 mJ/cm2(照度為20 mW/cm2)來照射i射線(365 nm)後,利用鹼水溶液進行顯影而形成圖案。其後,在蝕刻步驟前在140℃下進行3分鐘的後烘烤加熱處理。將該抗蝕劑圖案作為遮罩,在ITO蝕刻劑(3%草酸水溶液)中在40℃下浸漬1分鐘,由此通過濕式蝕刻來進行ITO的圖案加工。其後,在抗蝕劑剝離液(MS2001,富士軟片電子材料(FUJIFILM Electronics Materials)公司製造)中在70℃下浸漬7分鐘,將所述抗蝕劑圖案剝離。像這樣而獲得的第一電極5相當於有機EL元件的陽極。
然後,形成覆蓋第一電極5的邊緣的形狀的絕緣膜8。對於絕緣膜8,使用日本專利特開2009-98616號公報的實施例1中記載的感光性樹脂組成物,利用與上文所述同樣的方法來形成絕緣膜8。通過設置該絕緣膜8,可以防止第一電極5與此後的步驟中形成的第二電極之間的短路。
進而,在真空蒸鍍裝置內,隔著所需的圖案遮罩依序蒸鍍而設置電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層。然後,在基板上方的整個面上形成包含Al的第二電極。將所得的所述基板從蒸鍍機中取出,通過使用密封用玻璃板及紫外線硬化型環氧樹脂進行貼合而密封。
像以上所述那樣,獲得了在各有機EL元件上連接用來驅動有機EL元件的TFT1而成的主動矩陣型的具備ITO圖案的有機EL顯示裝置。經過驅動電路來施加電壓,結果得知其為顯示良好的顯示特性,且可靠性高的有機EL顯示裝置。
(實施例101)
<液晶顯示裝置>
利用以下方法來製作具備ITO圖案的液晶顯示裝置。
在日本專利第3321003號公報的圖1中記載的主動矩陣型液晶顯示裝置中,像以下那樣形成硬化膜17作為層間絕緣膜,獲得實施例101的液晶顯示裝置。
即,利用與所述實施例100中的有機EL顯示裝置的平坦化膜4的形成方法相同的方法,形成硬化膜17作為層間絕緣膜。
對所得的具備ITO圖案的液晶顯示裝置施加驅動電壓,結果得知其為顯示良好的顯示特性,且可靠性高的液晶顯示裝置。
(實施例102)
<圖案化的(patterned)藍寶石基板>
利用旋轉塗布機在單晶藍寶石基板上塗布實施例4的感光性樹脂組成物後,以90℃、120秒的條件在熱板上進行預烘烤而使溶劑揮發,形成膜厚為2.5 μm的感光性樹脂組成物層。繼而,使用尼康(Nikon)公司製造的i射線步進機曝光機(NSR-2005i9C),隔著既定的遮罩對所得的感光性樹脂組成物層進行曝光。然後,利用鹼顯影液(2.38質量%的氫氧化四甲基銨水溶液)以23℃、60秒的條件對曝光後的感光性組成物層進行顯影後,利用超純水淋洗20秒,獲得1.0 μm的線與間隙圖案。圖案為矩形,殘膜率為
100%。另外,將該基板在140℃下進行3分鐘後烘烤後,使用BCl3/HBr/Ar的混合氣體來進行藍寶石基板的乾式蝕刻,獲得具有1.0 μm的線與間隙圖案的藍寶石基板。所得圖案的形狀良好。
第2實施形態的實施例(參考例):
聚合物PHS-EVE是與第1實施形態的實施例中的合成例7同樣地合成。聚合物PHS-THF是與第1實施形態的實施例中的合成例8同樣地合成。
(合成例11:聚合物PHS-THP的合成)
將鹼可溶性樹脂(瑪露卡琳卡M S-4P,丸善石油化學股份有限公司製造)15.6 g及丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)100 g溶解在燒瓶中,進行減壓蒸餾,將水與PGMEA共沸蒸餾去除。確認到含水量充分變低後,添加2,3-二氫吡喃3.4 g及對甲苯磺酸0.015 g,在室溫下攪拌2小時。向其中添加三乙胺0.10 g而停止反應。在反應液中添加乙酸乙酯,進而進行水洗後,通過減壓蒸餾去除將乙酸乙酯、水蒸餾去除,獲得保護率為25莫耳%的作為可溶性樹脂的PHS-THP。所得樹脂的重量平均分子量為12,000。另外,多分散度為2.6。
PHS-THP的結構為對羥基苯乙烯的2-四氫吡喃基保護體/對羥基苯乙烯共聚物(25莫耳%/75莫耳%)。
(合成例12:THF/MAA/MMA=60/15/25)
<MATHF的合成>
MATHF是與第1實施形態的實施例中的合成例1同樣地合成。
<MATHF/MAA/MMA=60/15/25的合成>
在三口燒瓶中放入PGMEA(29.6 g),在氮氣環境下升溫到80℃。使MATHF(28.1 g)、MMA(7.51 g)、MAA(3.87 g)、V-601(1.93 g,相對於單體而為2.8 mol%)溶解至PGMEA(29.6 g)中,用2小時滴加至所述溶液中。滴加結束後攪拌4小時,結束反應。由此獲得聚合物。重量平均分子量為11,000。
(合成例13:聚合物A)
將鹼可溶性樹脂(瑪露卡琳卡M S-4P,丸善石油化學股份有限公司製造)15.6 g及丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)100 g溶解在燒瓶中,進行減壓蒸餾,將水與PGMEA共沸蒸餾去除。確認到含水量充分變低後,添加2,3-二氫吡喃3.4 g及對甲苯磺酸0.015 g,在室溫下攪拌2小時。向其中添加三乙胺0.10 g而停止反應。在反應液中添加乙酸乙酯,進而進行水洗後,通過減壓蒸餾去除將乙酸乙酯、水蒸餾去除,獲得保護率為25莫耳%的作為可溶性
樹脂的聚合物A。所得樹脂的重量平均分子量為12,000。另外,多分散度為2.6。
聚合物A的結構為對羥基苯乙烯的2-四氫吡喃基保護體/對羥基苯乙烯共聚物(25莫耳%/75莫耳%)。
(合成例14:聚合物B)
依照眾所周知的合成方法(功能材料、17(12)、16(1997))來進行合成。
聚合物B的結構為對羥基苯乙烯的第3丁基羧酸保護體/對羥基苯乙烯共聚物(25莫耳%/75莫耳%)。
(合成例15:聚合物C)
依照眾所周知的合成方法(功能材料、17(12)、16(1997))來進行合成。
聚合物A的結構為MMA的t-Boc保護體/對羥基苯乙烯共聚物(25莫耳%/75莫耳%)。
(合成例16:EVE/MMA/HEMA=60/15/25)
<MAEVE的合成>
在乙基乙烯醚(144.2份,2莫耳當量)中添加酚噻嗪(0.5份),一面將反應體系中冷卻到10℃以下一面滴加甲基丙烯酸(86.1份,1莫耳當量)後,在室溫(25℃)下攪拌4小時。添加對甲苯磺酸吡啶鎓(5.0份)後,在室溫下攪拌2小時,在室溫下放置一夜。在反應液中添加碳酸氫鈉5份及硫酸鈉(5份),在室溫下攪拌1小時,將不溶物過濾後在40℃以下進行減壓濃縮,將殘渣的黃色油狀物減壓蒸餾,以無色油狀物的形式獲得沸點(bp.)為43℃~45℃/7 mm Hg餾分的甲基丙烯酸-1-乙氧基乙酯(MAEVE)(134.0份)。
MMA(甲基丙烯酸甲酯)是使用和光純藥工業製造的產品。HEMA(甲基丙烯酸-2-羥基乙酯)是使用和光純藥工業製造的產品。
<MAEVE/MMA/HEMA=60/15/25的合成>
在所述合成例12中,除了像上文所述那樣來變更材料及莫耳比以外,同樣地進行操作而獲得聚合物。
(合成例17:MATHF/MMA/MAA/HEMA=60/10/5/25)MAA(甲基丙烯酸)是使用和光純藥工業公司製造的產品。
在所述合成例12中,除了像上文所述那樣來變更材料及莫耳比以外,同樣地進行操作而獲得聚合物。
(B)光酸產生劑
(B-1)下述化合物
依照日本專利特表2002-528451號公報的段落編號[0108]中記載的方法來合成α-(對甲苯磺醯基氧基亞胺基)苯基乙腈。
(B-2)CGI-1397(巴斯夫公司製造)
(B-4)下述化合物
(Ts表示甲苯磺醯基(tosyl,對甲苯磺醯基))
依照以下方法來合成。
在2-萘酚(10 g)、氯苯(30 mL)的懸濁溶液中添加氯化鋁(10.6 g)、2-氯丙醯氯(10.1 g),將混合液加熱到40℃並反應2小時。在冰浴冷卻下,在反應液中滴加4N HCl水溶液(60 mL),添加乙酸乙酯(50 mL)進行分液。在有機層中添加碳酸鉀(19.2 g),在40℃下反應1小時後,添加2N HCl水溶液(60 mL)進行分液,將有機層濃縮後,利用二異丙醚(10 mL)將結晶再製漿(reslurry),過濾、乾燥而獲得酮化合物(6.5 g)。
在所得的酮化合物(3.0 g)、甲醇(30 mL)的懸濁溶液中添加乙酸(7.3 g)、50重量%羥基胺水溶液(8.0 g),加熱回流。放置冷卻後,添加水(50 mL),將析出的結晶過濾,進行冷甲醇清洗後,加以乾燥而獲得肟化合物(2.4 g)。
使所得的肟化合物(1.8 g)溶解在丙酮(20 mL)中,在冰浴冷卻下添加三乙胺(1.5 g)、對甲苯磺醯氯(2.4 g),升溫到室溫後反應1小時。在反應液中添加水(50 mL),將析出的結晶過濾後,利用甲醇(20mL)再製漿,過濾、乾燥而獲得2.3 g的B-4。
此外,B-3的1H-NMR光譜(300 MHz,CDCl3)為δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.4(dd,1H),7.3(d,2H),7.1(d,1H),5.6(q,1H),2.4(s,3H),1.7(d,3H)。
(B-5)下述化合物
依照以下方法來進行合成。
使2-萘酚(20 g)溶解於N,N-二甲基乙醯胺(150 mL)中,添加碳酸鉀(28.7 g)、2-溴辛酸乙酯(52.2 g),在100℃下反應2小時。在反應液中添加水(300 mL)、乙酸乙酯(200 mL)進行分液,將有機層濃縮後,添加48重量%氫氧化鈉水溶液(23 g)、乙醇(50 mL)、水(50 mL),反應2小時。將反應液倒到1N HCl水溶液(500 mL)中,將析出的結晶過濾,水洗而獲得羧酸粗產物後,添加聚磷酸30 g,在170℃下反應30分鐘。將反應液倒到水(300 mL)中,添加乙酸乙酯(300mL)進行分液,將有機層濃縮後利用矽膠管柱層析法(Silicagel column chromatography)進行純化,獲得酮化合物(10 g)。
在所得的酮化合物(10.0 g)、甲醇(100 mL)的懸濁溶液中添加乙酸鈉(30.6 g)、鹽酸羥基胺(25.9 g)、硫酸鎂(4.5 g),加熱回流24小時。放置冷卻後,添加水(150 mL)、乙酸乙酯(150 mL)進行分液,利用水80 mL將有機層分液4次,濃縮後利用矽膠管柱層析法進行純化,獲得肟化合物(5.8 g)。
使所得的肟化合物(1.8 g)溶解在丙酮(20 mL)中,在冰浴冷卻下滴加三乙胺(1.5 g)、對甲苯磺醯氯(2.4 g),升溫到室溫後反應1小時。在反應液中添加水(50 mL),將析出的結晶過濾後,利用甲醇(20 mL)進行再製漿,過濾、乾燥而獲得3.2 g的B-6。
此外,B-5的1H-NMR光譜(300 MHz,CDCl3)為δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.5(dd,1H),7.3(d,2H),7.1(d,1H),5.6(dd,1H),2.4(s,3H),2.2(ddt,1H),1.9(ddt,1H),1.4~1.2(m,8H),0.8(t,3H)。
(B-7)下述化合物
(B-8)下述化合物
(B-9)下述化合物
(B-10)下述化合物
(O-1)下述化合物(東京化成工業股份有限公司製造,D2077)
(O-2)下述化合物(東京化成工業製造,T1196)
(O-3)下述化合物
利用以下方法來進行合成。
在300 ml三口燒瓶中添加2,4-二甲氧基苄基氯(0.19 mol,1 eq)、三苯基膦(PPh3)(0.19 mol,1 eq)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)
(100 ml),在140℃下加熱攪拌4小時。然後,投入到水中,添加KPF6(0.23 mol,1.2 eq),在室溫下攪拌1小時,結果固體析出,因此將固體過濾,進而利用水進行清洗,並加以乾燥,由此獲得鏻鹽(phosphonium salt)A。
在500 ml三口燒瓶中添加鏻鹽A(37.8 mmol,1 eq)、THF(100 ml),在冰浴上攪拌。向其中緩緩添加NaH(56.7 mmol,1.5 eq)/THF(20 ml),添加結束後在冰浴上攪拌15分鐘,然後回到室溫。向其中添加反式肉桂醛(37.8 mmol,1 eq),加熱回流4小時。然後,投入到冰水中,結果固體析出,進行過濾,進而利用甲醇進行清洗,由此獲得化合物(O-3)。
(O-4)下述化合物
(O-5)下述化合物
在(O-3)的合成例中,將2,4-二甲氧基苄基氯變更為4-甲氧基苄基氯,除此以外,同樣地獲得化合物(O-5)。
(O-6)下述化合物(京化成工業製造,D0879)
(O-7)下述化合物
利用以下方法來進行合成。
在500 ml三口燒瓶中添加NaH(氫氧化鈉,78.6 mmol,1.5 eq)、鏻鹽B(52.4 mmol,1 eq)、THF(四氫呋喃,100 ml),在冰浴上攪拌。向其中緩緩添加鋶鹽(52.4 mmol,1 eq),添加結束後在冰浴上攪拌15分鐘,然後回到室溫。向其中添加反式肉桂醛(52.4 mmol,1 eq),加熱回流3小時。然後投入到冰水中,結果固體析出,進行過濾,進而進行甲醇再製漿,由此獲得化合物(O-7)。
鏻鹽B
(O-8)下述化合物(東京化成工業製造,T0168)
(O-9)下述化合物
(O-10)下述化合物DBA(商品名,9,10-二丁氧基蒽,川崎化成工業製造)
(C)溶劑
丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMA)(三井化學公司製造)鹼性化合物
下述化合物(東洋化成工業製造,CMTU)
(感光性樹脂組成物的製備)
以成為下述表所示的組成的方式將各成分溶解混合,利用口
徑0.2 μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾,獲得實施例及比較例的感光性樹脂組成物。
.(A)聚合物
.(B)光酸產生劑 相對於(A)聚合物100重量份而為2.7重量份
.(C)通式(O)所表示的化合物 相對於(A)聚合物100重量份而為1.3重量份
.鹼性化合物 相對於(A)聚合物100重量份而為0.2重量份
.界面活性劑 美佳法(Megafac)F-554(迪愛生股份有限公司製造) 0.10重量份
.溶劑PGMEA 以不揮發成分相對於組成物而成為10重量%的方式製備
對通過以上方式所得的各實施例、各比較例的感光性樹脂組成物進行以下所示的各評價。
<感度的評價>
與第1實施形態的實施例中的感度的評價同樣地進行評價。
<解析度的評價>
與第1實施形態的實施例中的解析度的評價同樣地進行評價。
<矩形性的評價>
在經清洗、六甲基二矽氮烷處理的玻璃基板上以1.3 μm的膜厚來塗布感光性樹脂組成物,通過遮罩進行曝光顯影,然後在140℃下進行後烘烤,對後烘烤後的2.5 μm的線與間隙圖案部分的形
狀的矩形性進行評價。
1分:截面形狀為拱形而無角,並且錐角小於45°
2分:截面形狀為拱形而無角,並且錐角為45°以上且小於60°
3分:截面形狀為拱形而無角,並且錐角為60°以上且小於75°
4分:截面形狀有角,並且錐角為60°以上且小於75°
5分:截面形狀有角,並且錐角為75°以上
<綜合性能>
將感度、解析性及矩形性的評價的數值分別合計,按照以下基準評價為綜合性能。
5:能完全無問題地使用的水準。
4:能無問題地使用的水準。
3:能通過製程應對來使用的水準。
2:不耐使用的水準。
1:完全不耐使用的水準。
像所述表所示那樣,得知各實施例的感光性樹脂組成物在與各比較例的感光性樹脂組成物的對比中,在感度、解析性及矩形性的任一評價中均可以獲得優異的結果。尤其得知,在聚合物具有通式(I)~通式(III)的任一個所表示的經酸分解性基保護的單體單元的情況下,更有效地發揮本發明的效果。
(實施例200)
<有機EL顯示裝置>
在實施例100中,除了將實施例1的感光性樹脂組成物設定為實施例1A的感光性樹脂組成物以外,與實施例100同樣地製作實施例200的有機EL顯示裝置。通過驅動電路來施加電壓,結果得知其為顯示良好的顯示特性,且可靠性高的有機EL顯示裝置。
(實施例201)
<液晶顯示裝置>
利用以下方法來製作具備ITO圖案的液晶顯示裝置。
在日本專利第3321003號公報的圖1中記載的主動矩陣型液晶顯示裝置中,像以下那樣形成硬化膜17作為層間絕緣膜,獲得實施例201的液晶顯示裝置。
即,利用與所述實施例200中的有機EL顯示裝置的平坦化膜4的形成方法相同的方法,形成硬化膜17作為層間絕緣膜。
對所得的具備ITO圖案的液晶顯示裝置施加驅動電壓,結果得知其為顯示良好的顯示特性,且可靠性高的液晶顯示裝置。
作為近年來的開發傾向,有伴隨著曝光波長的短波化而追求在短波下具有吸收區域的組成物的傾向,另外有要求在可見
區域中不具有吸收性的材料的傾向。有使用像i射線步進機那樣的昂貴且解析力良好的曝光設備、使用短波的曝光光源、使用在曝光域中吸收少的光酸產生劑的傾向。但是,本發明中,通過採用在長波(ghi射線、gh射線)下具有吸收區域的增感劑,即便使用廉價的低NA(數值孔徑)曝光設備(NA=0.1以下),也能提供一種感度高、解析性及矩形性優異的感光性樹脂組成物。這種感光性樹脂組成物也有能採用現有裝置的改良版的優點。另外,本發明中所用的增感劑雖然在可見區域中著色,但只要用作蝕刻材料則無問題。
1‧‧‧TFT(薄膜電晶體)
2‧‧‧配線
3‧‧‧絕緣膜
4‧‧‧平坦化膜
5‧‧‧第一電極
6‧‧‧玻璃基板
7‧‧‧接觸孔
8‧‧‧絕緣膜
Claims (12)
- 一種感光性樹脂組成物,其特徵在於含有:(A-1)含有具有酸基的結構單元及通式(a-1)所表示的結構單元的聚合物;(A-2)含有通式(a-2)所表示的結構單元的聚合物;(B)光酸產生劑;及(C)溶劑,
- 如申請專利範圍第1項所述的感光性樹脂組成物,其中通式(a-3)的R5是由通式(a-4)或通式(a-5)所表示;
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物,其進一步含有(D)增感劑。
- 如申請專利範圍第3項所述的感光性樹脂組成物,其中所述(D)增感劑為下述通式(O)或通式(P)所表示的化合物;通式(O)(R1)n-L1-(R2)m通式(O)中,R1及R2分別表示芳基或具有1個以上的乙烯鍵的雜環結構;L1表示具有2個~4個乙烯鍵的2價~4價的連結基;n及m分別表示1或2;
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物, 其中所述(B)光酸產生劑為肟磺酸酯化合物。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物,其進一步含有環氧樹脂。
- 一種圖案的製造方法,其特徵在於包括:(1)將如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物應用到基板上的步驟;(2)從所應用的感光性樹脂組成物中除去溶劑的步驟;(3)利用活性放射線進行曝光的步驟;(4)利用水性顯影液進行顯影的步驟;(5)將所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩對所述基板進行蝕刻的步驟;及(6)將所述抗蝕劑圖案剝離的步驟。
- 如申請專利範圍第7項所述的圖案的製造方法,其中在所述顯影步驟後、所述蝕刻步驟前,包括對所述抗蝕劑圖案在100℃~160℃下進行後烘烤的步驟。
- 如申請專利範圍第7項所述的圖案的製造方法,其中所述基板為氧化銦錫基板、鉬基板、矽基板、Cu基板、Al基板或單晶藍寶石基板。
- 一種硬化膜,其特徵在於:其是使如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物硬化而成。
- 一種有機電致發光顯示裝置的製造方法,其特徵在於:含有如申請專利範圍第7項所述的圖案的製造方法。
- 一種液晶顯示裝置的製造方法,其特徵在於:含有如申請專利範圍第7項所述的圖案的製造方法。
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