TWI567384B - 圖案形狀評估裝置及方法 - Google Patents

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新藤博之
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Description

圖案形狀評估裝置及方法
本發明，係有關於對於形成在基體上之半導體圖案的圖案形狀進行評估之裝置及方法。
在半導體程序中，係使用以下手法：階段性變更曝光裝置之劑量與對焦值而以測長SEM(Scanning Electron Microscope)對於在矽晶圓上所製造之測試圖案進行計測，決定供於製造正常的圖案之給劑範圍與對焦範圍。該手法係揭露於專利文獻1。以下，將該手法稱作「程序容許度解析」。程序容許度解析，係在開發階段，使用於曝光條件的決定和塗布於矽晶圓上之感光性光接收樹脂(以下稱作「抗蝕層」)的選定基準。此外，程序容許度解析的結果，係使用於量產階段之管理，依所需反饋至曝光裝置。
然而，在近幾年的半導體程序中，係圖案高密度化，圖案形狀亦複雜化。隨此，依歷來的測長SEM，係變得難以自動設定在全部的圖案形狀與全部的圖案之配 置方面最適合的程序容許度(例如給劑範圍與對焦範圍)。為此，對於此種的圖案和部位，係採用以下手法：藉目視而判定是否為正常圖案，求得程序容許度。
為了對於此等計測困難的地方之程序容許度解析進行自動化，係需要圖案形狀的定量化。在圖案形狀的評估手法方面，係存在：將電子裝置的設計資料當作參照圖案而對於圖案形狀進行評估之手法(專利文獻2~5)、將良品圖案當作參照圖案而對於圖案形狀進行評估之手法(專利文獻3)、及生成穩定的參照圖案而對於圖案形狀進行評估之手法(專利文獻6)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本發明專利公開平成11-288879號公報
[專利文獻2]日本發明專利申請平成6-49264號公報
[專利文獻3]日本發明專利公開平成10-312461號公報
[專利文獻4]日本發明專利公開2002-6479號公報
[專利文獻5]日本發明專利公開2001-338304號公報
[專利文獻6]日本發明專利公開2009-194051號公報
[專利文獻7]日本發明專利公開2006-66478號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]「R.Matsuoka, New method of Contour based mask shape compiler, SPIE Proc 6730-21, 2007.9.21」
然而，揭露於專利文獻2~5之手法，係前提在於設計資料上的圖案形狀與實際上轉印至晶圓上之圖案形狀的差異為小，故形狀的差異變大時會誤估圖案形狀。此外，根據設計資料而預測實際的圖案形狀，對於參照圖案設定所預測之形狀的情況下，仍難以正確預測近幾年之高密度且複雜的圖案之實際的圖案形狀，仍然存在誤估圖案形狀的問題。順帶一提，專利文獻3，係揭露將良品圖案當作參照圖案而對於圖案形狀進行評估之手法，但在單一的圖案形狀方面，係在因程序變動之包含圖案形狀的變形和邊緣粗糙之情況下無法穩定評估圖案形狀。
解決此等課題之手法揭露於專利文獻6。專利文獻6的手法，係從至少2個以上的電路圖案之輪廓資料作成輪廓分布資料，將其平均形狀或輪廓分布框之中心形狀當作參照圖案而評估圖案形狀。然而，要作成前述的輪廓分布資料，係需要取得曝光條件及設計布局為一致之兩個以上的電路圖案。
然而，在近幾年的半導體程序中，係對於程序變動之容差為少。為此，在量產階段的程序容許度解析方面，係並非使用為了測試用而作成之圖案而是使用產品圖案之必要性增加。為此，變得難以取得曝光條件及設計布局為一致之兩個以上的電路圖案。
為了解決上述課題，對於半導體圖案的圖案形狀進行評估的裝置相關之本發明，係具有：分別從針對相同的設計布局將曝光條件作改變而形成的複數個電路圖案之攝像影像將輪廓資料作抽出之輪廓資料抽出手段；基於所抽出之複數個輪廓資料，而對於前述電路圖案之各邊緣或局部區域的形狀變化量進行測定之形狀變化量測定手段；基於所測定之前述形狀變化量而算出與既定的曝光條件對應之電路圖案或形狀的變化量模型之變化量模型算出手段；以及使用前述變化量模型，而推斷相對於與被指定為基準曝光條件之曝光條件對應的電路圖案或形狀之與任意的曝光條件對應之電路圖案或形狀的形狀變化量，基於所推斷之形狀變化量而算出程序容許度之程序容許度算出手段。
依本發明，即可高準確度算出相對於基準曝光條件之既定的曝光條件之大範圍或局部的形狀差，可穩 定進行針對既定的部位之程序容許度解析。前述以外的課題、構成及效果，係藉以下的實施形態之說明而明朗化。
101‧‧‧CD-SEM
102‧‧‧缺陷檢查裝置
103‧‧‧條件設定裝置
104‧‧‧模擬器
105‧‧‧記憶媒體
106‧‧‧網路
201‧‧‧電子源
202‧‧‧引出電極
203‧‧‧電子束
204‧‧‧聚焦透鏡
205‧‧‧掃描偏向器
206‧‧‧接物鏡
207‧‧‧台
208‧‧‧樣品台
209‧‧‧樣品
210‧‧‧所放出之電子
211‧‧‧二次電子
212‧‧‧轉換電極
213‧‧‧檢測器
214‧‧‧控制裝置
215‧‧‧電子檢測器
216‧‧‧二次電子
[圖1]說明半導體計測系統的一例之圖。
[圖2]繪示掃描型電子顯微鏡的示意構成圖之圖。
[圖3]說明利用了圖案形狀評估裝置之評估手法的流程圖。
[圖4]繪示圖案之攝影影像與從攝影影像所抽出的圖案之輪廓資料的圖。
[圖5]說明輪廓資料與設計資料之邊緣間距離的圖。
[圖6]說明輪廓資料之局部的位置修正手法之流程圖。
[圖7]說明FEM晶圓上的各拍攝與使用於其形成之曝光條件的關係之圖。
[圖8]繪示形狀變化量的計測手法之一例的圖。
[圖9]繪示變化量模型的生成手法之一例的流程圖。
[圖10]繪示各邊緣的變化量模型之圖。
在以下，說明有關於具有以下功能的圖案形狀評估裝置：從設計布局係相等但以不同的曝光條件(劑量、對焦值)而形成的複數個電路圖案之影像資料抽出輪 廓資料，基於所抽出之複數個輪廓資料而生成不依存於因程序變動之形狀變化的形狀變化量，從而高準確度特定程序容許度。更具體而言，說明有關於包含是測定裝置的一種之測長用掃描型電子顯微鏡(CD-SEM：Critical Dimension-Scanning Electron Microscope)作為構成要素中的一者之裝置及系統。
在以下之說明中，係在取得影像資料之裝置方面例示帶電粒子束裝置，同時在其一態樣方面說明採用SEM之例，但在帶電粒子束裝置方面亦可採用例如在樣品上以離子束作掃描而取得影像之聚焦離子束(FIB：Focused Ion Beam)裝置。但是，為了高準確度對於微細化進展之圖案進行測定，係要求極高之倍率，故一般而言採用在分辨度方面勝過FIB裝置之SEM較佳。
(系統構成)
圖1，係繪示複數個測定裝置或檢查裝置連接於網路之半導體計測系統的示意構成。在示於圖1之半導體計測系統中，係於網路106，連接著：CD-SEM101、缺陷檢查裝置102、條件設定裝置103、模擬器104、記憶媒體105。CD-SEM101，係對於樣品(半導體晶圓或光罩等)以電子束作照射而取得影像，從所取得之影像對於圖案尺寸進行測定的裝置。缺陷檢查裝置102，係對於樣品以電子束作照射而取得影像，基於所取得之影像與預先登錄之參照影像的比較結果而抽出缺陷之裝置。以下，在不區別 CD-SEM101與缺陷檢查裝置102之情況下係亦單稱作SEM。條件設定裝置103，係在半導體裝置的設計資料上對於測定位置或測定條件等進行設定之裝置。模擬器104，係基於半導體裝置的設計資料與半導體製造裝置之製造條件等，而對於圖案之完成結果進行模擬的裝置。記憶媒體105，係將包含半導體裝置的佈局資料或製造條件之設計資料作記憶的裝置。
設計資料，係以例如GDS格式或OASIS格式等而表現，依既定的形式而記憶於記憶媒體105。另外，只要顯示設計資料之軟體可顯示該格式形式，可作為圖形資料而處理，則不問設計資料之種類。此外，記憶媒體105，係亦可內建於CD-SEM101的控制裝置、缺陷檢查裝置102的控制裝置、條件設定裝置103、模擬器104。另外，在各SEM係具備不圖示的控制裝置，執行各SEM所需之控制。在此等控制裝置，係亦可搭載模擬器104的功能或測定條件等的設定功能。
SEM，係使用複數段的透鏡而對於藉電子源而放出之電子束進行聚焦，之後，使用掃描偏向器而進行偏向掃描。藉此，電子束係一維或二維對於樣品表面上進行掃描。因電子束的掃描而從樣品表面所放出之二次電子(SE：Secondary Electron)或背向散射電子(BSE：Backscattered Electron)，係藉檢測器而被檢測出，同步於掃描偏向器的掃描而記憶於圖框記憶體等之記憶媒體。記憶於圖框記憶體之影像信號，係藉搭載於控制裝置內之 運算裝置而作積算。此外，利用了掃描偏向器之掃描，係可針對任意的大小、位置、及方向。以上的控制等，係SEM的控制裝置作執行。藉電子束的掃描而取得之影像或對應之信號，係透過網路106而送至條件設定裝置103。
在本實施例中，係說明有關於各SEM的控制裝置與條件設定裝置103分別為別的裝置之情況，但亦可條件設定裝置103控制各SEM，亦可各SEM的控制裝置執行條件設定處理。在條件設定裝置103或各SEM的控制裝置，係記憶有供以執行測定處理的程式，依該程式而執行測定或演算。
在條件設定裝置103，係具備基於半導體裝置的設計資料而作成對於SEM的動作進行控制之程式(配方)的功能，作為配方設定部而發揮功能。具體而言，條件設定裝置103，係設定用於予以執行SEM所需之處理的位置資訊(例如設計資料、圖案之輪廓線資料、實施了模擬之設計資料上的期望之測定點、自動對焦點、自動像差補償點、定址點)等，基於該設定而作成用於自動控制SEM的樣品台和偏向器等的程式。此外，條件設定裝置103，係於專用的處理器或通用的處理器，內建或記憶：從設計資料抽出成為模版之區域的資訊，基於該所抽出之資訊而予以作成模版之程式。
(掃描型電子顯微鏡的構成)
在圖2，繪示掃描型電子顯微鏡的示意構成圖。電子 束203，係從電子源201藉引出電極202而引出，藉不圖示的加速電極而被加速。所加速之電子束203，係藉是聚焦透鏡的一形態之聚焦透鏡204而集中後，藉掃描偏向器205而被偏向。藉此，電子束203，係對於樣品209上作一維或二維掃描。入射於樣品209之電子束203，係藉施加在內建於樣品台208之電極的負電壓而被減速，同時因接物鏡206的透鏡效應被聚焦而照射於樣品209的表面。從樣品209上的照射部位係放出電子210(二次電子、背向散射電子等)。所放出之電子210，係藉基於施加在內建於樣品台208之前述電極的負電壓之加速作用，加速於電子源201的方向。所加速之電子210係衝撞於轉換電極212，使二次電子211產生。從轉換電極212所放出之二次電子211，係藉檢測器213而被捕捉，檢測器213之輸出I依所捕捉之二次電子量而變化。依此輸出I的變化，不圖示的顯示裝置之亮度會變化。在形成例如二維影像之情況下，係使往掃描偏向器205之偏向信號與檢測器213的輸出I同步，形成掃描區域之影像。另外，在圖2的掃描型電子顯微鏡，係在接物鏡206內配置檢測二次電子216之電子檢測器215。
另外，在圖2的構成例之情況下，係繪示將從樣品209所放出之電子210在轉換電極212一部分轉換成二次電子211而作檢測之例子，但當然不限於如此之構成，例如亦可採用：在被加速之電子的軌道上，配置電子變倍影像管或檢測器的檢測面之構成。控制裝置214，係 除了對於掃描型電子顯微鏡的各構成進行控制之功能以外，亦具備：基於所檢測之電子而形成影像之功能、基於被稱作線分布之檢測電子的強度分布而對於形成在樣品上之圖案的圖案寬度進行測定的功能。
(圖案形狀評估裝置的構成)
接著，對於圖案形狀評估裝置的構成例進行說明。圖案形狀評估裝置，係例如(1)內建於控制裝置214，(2)通過利用了控制裝置214的運算裝置之影像處理而實現，(3)通過與控制裝置214經由網路而連接之外部的運算裝置(例如條件設定裝置103)之影像評估而實現。
在圖3，繪示利用了實施例相關之圖案形狀評估裝置的評估處理之內容。此評估處理，係包含：(1)基於藉前述之掃描型電子顯微鏡而攝像之SEM影像的輪廓資料之生成處理；(2)基於所生成之輪廓資料的形狀變動模型(以下稱作「變化量模型」)之生成處理；以及(3)採用所生成之變化量模型(電路圖案)之程序容許度的設定及登錄處理。
首先，圖案形狀評估裝置，係每次拍攝(1次曝光單位)改變曝光條件(對焦值、劑量)而以用相同的電路圖案作印相之FEM(Focus Exposure Matrix)晶圓作為SEM影像而進行攝影(301)。另外，圖案走樣之SEM影像係不適於模型的作成。為此，在此時，圖案走樣之 SEM影像係預先去除亦可。
接著，圖案形狀評估裝置，係從各SEM影像分別將電路圖案之輪廓線作抽出(302)。輪廓線的抽出係有各式各樣的提議，但可應用例如專利文獻7(日本發明專利公開號2006-66478號公報)等所揭露的手法或揭露於非專利文獻1「R.Matsuoka,New method of Contour based mask shape compiler,SPIE Proc 6730-21,2007.9.21」的手法等。
以SEM對於電路圖案進行攝影時，如圖4(a)所示，電路圖案之傾斜部和突起部以白帶狀的影像(白帶影像401)的形式被影像化。圖案形狀評估裝置，係對於包含此白帶影像401之SEM影像402而應用專利文獻7或非專利文獻1的手法，將如圖4(b)之線圖的輪廓線資料403抽出。輪廓線資料403的生成，係以除了前述的走樣之圖案以外所有的SEM影像402為對象而執行。
接著，圖案形狀評估裝置，係在為了實施形狀變化量的計測而進行的前處理方面，為了使計測值的準確度提升，而如圖5所示，執行各輪廓資料間的位置修正(303)。此情況下，圖案形狀評估裝置，係選擇設計資料501(圖5)或具代表性之輪廓資料，計測與對應於該等之輪廓資料502的邊緣間距離503，算出所計測之值及變異性成為最小之位置。另外，曝光條件未中最佳值之情況下，可能發生局部的形狀變化而在重心位置或邊緣間距 離503方面產生變異性，在電路圖案整體方面係無法正確進行位置修正。所以，在本實施例中，係應付因曝光條件的變化而起之局部的形狀變化而執行位置修正。
在圖6，繪示對於因曝光條件的變化而起之局部的形狀變化進行了想像的輪廓資料之位置修正處理。為了位置修正，圖案形狀評估裝置，係首先從對應於各曝光條件之SEM影像讀入輪廓資料(601)。接著，圖案形狀評估裝置，係選擇成為基準之輪廓資料(602)。成為基準之輪廓資料，係例如選擇對應於各曝光條件的複數個輪廓資料之中賦予中央值的輪廓資料701(圖7)。在本說明書中，係將賦予中央值之輪廓資料稱作「基準輪廓資料」，將使用於其形成之曝光條件稱作「基準曝光條件」。雖說如此，對應於基準輪廓資料之電路圖案，係不限於FEM晶圓的中央位置。
圖7，係繪示與曝光條件對應的輪廓資料之關係。順帶一提，圖7，係前述之FEM晶圓的整體影像，採取下者：在晶圓內配置成矩陣狀之各拍攝的劑量係越靠水平方向右側越大越靠水平方向左側越小，各拍攝的對焦值係越靠垂直方向上側越大越靠垂直方向下側越小。
接著，圖案形狀評估裝置，係在基準輪廓資料(輪廓資料701)、及從在與對應於該輪廓資料之曝光條件上鄰接之藉其他曝光條件而形成的電路資料之SEM影像所得的輪廓資料702之間求出邊緣間距離，對於各邊緣的輪廓資料進行位置修正成該距離為最小且變異性成為 最小之位置(603)。在算出邊緣間距離為最小且變異性成為最小之位置的手法方面，係例如存在：從輪廓資料整體的邊緣間距離求出平方平均數，一邊改變修正對象圖案一邊求出值成為最小之位置的方法；及算出藉最小平方法而將前述平方平均數最小化之位置的方法等。
接著，圖案形狀評估裝置，係將結束位置修正之輪廓資料當作新的基準輪廓資料，重複前述處理直到全部的位置修正結束為止(604)。最後，圖案形狀評估裝置，係將各曝光條件的輪廓資料之位置修正量登錄於記憶體上或外儲存器(605)。藉此，可特定在鄰接之曝光條件間的輪廓資料之位置關係。
返回圖3的說明。修正處理的結束後，圖案形狀評估裝置，係計測各輪廓資料之形狀變化量(304)。在形狀變化量的計測方面，係應用例如揭露於專利文獻3(日本發明專利公開平成10-312461號公報)或專利文獻6(日本發明專利公開2009-194051號公報)之手法。此等之手法，係指定或生成參照圖案，計測與其他輪廓資料的間隔之方法。
另外，對於形狀的變化量作模型化，生成假想的形狀時，係需要定義成連續之各邊緣的計測方向為連續且不會交叉而成為平滑。為此，圖案形狀評估裝置，係如圖8所示，從例如各輪廓資料的重疊資料801抽出最小輪廓資料(最內周輪廓資料)802與最大輪廓資料(最外周輪廓資料)803，以該等2個輪廓資料之邊緣會平滑變 化且不會交叉的方式而進行賦予對應關係(求出對應關係804)。或者，圖案形狀評估裝置，係求出最小輪廓資料802與最大輪廓資料803的中央值805，以各中央值的法線向量與相鄰的中央值之法線向量在以最小輪廓資料802與最大輪廓資料803所圍住之範圍內不會交叉的方式而控制向量方向。之後，計測之結束後，圖案形狀評估裝置，係基於所定義之計測方向而求出各輪廓資料之形狀變化量。
返回圖3的說明。圖案形狀評估裝置，係基於所計測之變化量而按各邊緣或局部區域生成變化量模型(305)。在圖9，繪示變化量模型的生成處理的內容。順帶一提，按邊緣或局部區域而計測之變化量，係因程序變動而起之圖案變形或邊緣粗糙等造成不會成為理想的值。理想的值，係指按照公知的物理特性之形狀變化量。例如劑量為相等，僅使對焦值作變化之情況下，形狀評估值係以符合2次曲線的方式作變化(圖10的1001)。此外，對焦值為相等，僅使劑量作變化之情況下，形狀評估值係以符合線形或對數趨勢線上的方式作變化(圖10的1002)。將對於此對焦值與劑量的關係作公式化者稱作變化量模型。
圖案形狀評估裝置，係首先，讀入各曝光條件的形狀評估值(901)，藉使變化量模型符合各邊緣或局部區域的測定值(902)，修正各輪廓資料(903)。輪廓資料之修正，係按邊緣而獨立進行，故會喪失修正後的 輪廓資料之平滑度。所以，圖案形狀評估裝置，係對於平滑度進行評估(904)，修正後的輪廓資料不平滑之情況下，藉形狀近似而再修正輪廓資料(905)。再修正之後，圖案形狀評估裝置，係再度使修正後的輪廓資料之各邊緣資訊符合變化量模型，重複實施處理直到變化量模型的適應性與輪廓資料之平滑度成為一定的值為止。另外，確認到輪廓資料成為平滑時，圖案形狀評估裝置，係將所算出之變化量模型登錄於記憶體(906)。藉使用所生成之變化量模型，變成：不僅在變化量模型的生成中所使用之曝光條件(亦即，在FEM晶圓的生成中所使用之曝光條件)，不論該等曝光條件在範圍內或範圍外，可生成在任意的曝光條件下之輪廓資料。另外，對應於在變化量模型的生成中所使用之曝光條件的範圍內之曝光條件的輪廓資料，係藉對應於鄰接之曝光條件的輪廓資料間之內插演算而算出。此外，對應於在變化量模型的生成中所使用之曝光條件的範圍外之曝光條件的輪廓資料，係藉採用對應於鄰接之曝光條件的輪廓資料之外插演算而算出。
返回圖3的說明。圖案形狀評估裝置，係藉利用所算出之變化量模型，求出複數個以既定的最佳曝光條件而生成之圖案形狀與以任意的曝光條件而生成之輪廓資料的形狀變化量，從各曝光條件間之理想的輪廓資料推斷形狀變化量，基於所推斷之形狀變化量而算出程序容許度(306)。此處的程序容許度之算出，係無需為圖案形狀的整體，亦可任意的部位(例如邊緣)分別算出。之 後，圖案形狀評估裝置，係將所算出之程序容許度登錄於記憶體等(307)。
(總結)
如上所述，依本實施例，即可基於設計布局相等、曝光條件為不同的複數個電路圖案之SEM影像，而生成對應於各曝光條件之理想的圖案形狀。藉此，可高準確度從既定的曝光條件算出不同的曝光條件之大範圍或局部的形狀差，可穩定進行針對既定的部位之程序容許度解析。
(其他實施例)
另外，本發明係非限定於上述之實施例者，包含各式各樣的變化例。例如上述之實施例，係為了容易了解地說明本發明，而詳細說明有關於一部分的實施例者，無需一定實裝所說明之全部的構成和處理。此外，亦可對於前述之實施例追加其他構成或處理，或者，將實施例的一部分之構成或處理作刪除或置換。
此外，上述之各構成、功能、處理部、處理手段等，係亦可將該等之一部分或全部以例如積體電路以外的硬體而實現。此外，上述的各構成、功能等，係亦可處理器解譯實現各自的功能之程式，作執行從而實現。亦即，亦可以軟體而實現。實現各功能之程式、表、檔案等的資訊，係可儲存於記憶體和硬碟、SSD(Solid State Drive)等的記憶裝置、IC卡、SD卡、DVD等的記憶媒 體。
此外，控制線和資訊線，係繪示認為說明上需要者，並未表現產品上需要之全部的控制線和資訊線。可想成實際上係幾乎全部的構成相互連接。

Claims (10)

  1. 一種圖案形狀評估裝置，具有：分別從針對相同的設計布局將曝光條件作改變而形成的複數個電路圖案之攝像影像將輪廓資料作抽出之輪廓資料抽出手段；基於所抽出之複數個輪廓資料，而對於前述電路圖案之各邊緣或局部區域的形狀變化量進行測定之形狀變化量測定手段；將針對由該形狀變化量測定手段所測定的對應於曝光條件的變化的前述各邊緣或局部區域的形狀資訊、及前述曝光條件的關係作公式化下的變化量模型算出的變化量模型算出手段；以及使用前述變化量模型，而推斷相對於與被指定為基準曝光條件之曝光條件對應的電路圖案或形狀之與任意的曝光條件對應之電路圖案或形狀的形狀變化量，基於所推斷之形狀變化量而算出程序容許度之程序容許度算出手段。
  2. 如申請專利範圍第1項之圖案形狀評估裝置，其中，進一步具有輪廓資料位置修正手段，其係將以前述輪廓資料抽出手段所抽出之複數個前述輪廓資料當作處理對象，在從曝光條件為鄰接關係的電路圖案之攝像影像所抽出之輪廓資料間對於位置進行修正之處理。
  3. 如申請專利範圍第1項之圖案形狀評估裝置，其 中，前述變化量模型算出手段，係使所測定之前述形狀變化量按邊緣而符合於變化量模型，修正從對應於各曝光條件之攝像影像所抽出的前述輪廓資料。
  4. 如申請專利範圍第3項之圖案形狀評估裝置，其中，前述變化量模型算出手段，係判定修正後的輪廓資料之平滑度，在判定為不平滑之情況下係藉形狀近似而再修正前述輪廓資料。
  5. 如申請專利範圍第1項之圖案形狀評估裝置，其中，前述程序容許度算出手段，係使用前述變化量模型，而針對前述電路圖案之任意的部位而算出程序容許度。
  6. 一種圖案形狀評估方法，具有：分別從針對相同的設計布局將曝光條件作改變而形成的複數個電路圖案之攝像影像將輪廓資料作抽出之第1處理；基於所抽出之複數個輪廓資料，而對於前述電路圖案之各邊緣或局部區域的形狀變化量進行測定之第2處理；將針對由該第2處理所測定的對應於曝光條件的變化的前述各邊緣或局部區域的形狀資訊、及前述曝光條件的關係作公式化下的變化量模型算出的第3處理；以及使用前述變化量模型，而推斷相對於與被指定為基準 曝光條件之曝光條件對應的電路圖案或形狀之與任意的曝光條件對應之電路圖案或形狀的形狀變化量，基於所推斷之形狀變化量而算出程序容許度的第4處理。
  7. 如申請專利範圍第6項之圖案形狀評估方法，其中，進一步具有以下處理：將在前述第1處理所抽出之複數個前述輪廓資料當作處理對象，在從曝光條件為鄰接關係的電路圖案之攝像影像所抽出之輪廓資料間對於位置進行修正之處理。
  8. 如申請專利範圍第6項之圖案形狀評估方法，其中，前述第3處理，係使所測定之前述形狀變化量按邊緣而符合於變化量模型，修正從對應於各曝光條件之攝像影像所抽出的前述輪廓資料。
  9. 如申請專利範圍第8項之圖案形狀評估方法，其中，前述第3處理，係判定修正後的輪廓資料之平滑度，在判定為不平滑之情況下係藉形狀近似而再修正前述輪廓資料。
  10. 如申請專利範圍第6項之圖案形狀評估方法，其中，前述第4處理，係使用前述變化量模型，針對前述電路圖案之任意的部位而算出程序容許度。
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