CN110553581B - 临界尺寸量测方法及用于量测临界尺寸的图像处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种临界尺寸量测方法及用于量测临界尺寸的图像处理装置。该临界尺寸量测方法包括：接收一半导体晶圆的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像；对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理及一图像去噪声处理以产生一第一图像；对该第一图像进行一边缘检测处理以产生一第二图像；对该第二图像进行一连通成分标示处理以产生一输出图像；以及依据该输出图像以计算该半导体晶圆的一临界尺寸信息表。本发明可快速地利用图像处理以去除临界尺寸扫瞄电子显微镜图像的噪声，并标示电路布局中的各元件的物件轮廓，藉以分析出在半导体晶圆中的不同位置的临界尺寸。

Description

临界尺寸量测方法及用于量测临界尺寸的图像处理装置

技术领域

本发明有关于半导体制造，特别是有关于一种临界尺寸量测方法及用于量测临界尺寸的图像处理装置。

背景技术

传统晶圆制造是利用扫瞄式电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)以量测临界尺寸(critical dimension，CD)值。然而，半导体集成电路工业经历了指数型的增长。集成电路的材料与设计的技术进步，已经产生了数个世代的集成电路，其中每一个世代具有比上一世代更小且更复杂的电路。这种缩小化过程通常可提高生产效率和降低相关成本，但是也增加了处理和制造集成电路的复杂性，例如线宽不断的微缩、SEM图像中的图型的复杂度增加。因此，所需的机台成本越高，且量测的时间越长。建立光学邻近校正(Optical Proximity Correction，OPC)模型时，需要搜集大量的显影后检视(AfterDeveloping Inspection，ADI)及蚀刻后检视(After Etching Inspection，AEI)的临界尺寸量测数据以提供图形最佳化的修正。临界尺寸量测数据直接影响光掩膜(mask)的修正值，也直接反应至产品设计电性。此外，因为传统的扫瞄式电子显微镜是以电子束反射信号的方式以量测在晶圆上的集成电路的图形(pattern)，且图形材质易受到电子束的斜率、形状、及噪声的影响，进而产生量测误差。

发明内容

本发明提供一种临界尺寸量测方法，所述方法包括：接收一半导体晶圆(wafer)的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像(image)；对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理及一图像去噪声以产生一第一图像；对该第一图像进行一边缘检测处理以产生一第二图像；对该第二图像进行一连通成分标示处理以产生一输出图像；以及依据该输出图像以计算该半导体晶圆的一临界尺寸信息表。

本发明更提供一种用于量测临界尺寸的图像处理装置，所述装置包括：一存储器单元，用以存储一临界尺寸量测程序；以及一处理单元，用以执行该临界尺寸量测程序以进行下列步骤：接收一半导体晶圆的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像；对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理及一图像去噪声处理以产生一第一图像；对该第一图像进行一边缘检测处理以产生一第二三图像；对该第二图像进行一连通成分标示处理以产生一输出图像；以及依据该输出图像以计算该半导体晶圆的一临界尺寸信息表。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1显示依据本发明一实施例中的图像处理系统的方块图。

图2显示依据本发明一实施例中的临界尺寸量测方法的流程图。

图3显示依据本发明一实施例中带有电路布局轮廓的电路布局档案的示意图。

图4显示依据本发明一实施例中在半导体晶圆上的不同晶粒的临界尺寸的示意图。

图5显示依据本发明一实施例中的半导体晶圆的截面的临界尺寸扫瞄电子显微镜图像的示意图。

符号说明：

100～图像处理系统；

110～临界尺寸扫瞄电子显微镜；

120～图像处理装置；

121～处理单元；

122～存储器单元；

123～存储装置；

124～临界尺寸量测程序；

300～第二电路布局档案；

310～部分放大图；

320、330～部分临界尺寸信息表；

311、312～曲线；

313－316～点；

400～区域晶粒临界尺寸表；

500～临界尺寸扫瞄电子显微镜图像；

502－508～间隔。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

图1显示依据本发明一实施例中的图像处理系统的方块图。在一实施例中，图像处理系统100包括临界尺寸扫瞄电子显微镜(CD-SEM)110及一图像处理装置120。临界尺寸扫瞄电子显微镜110是用以对一半导体晶圆进行拍摄以取得一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像(CD-SEM image)。图像处理装置120的用于量测临界尺寸，例如可自临界尺寸扫瞄电子显微镜110取得临界尺寸扫瞄电子显微镜图像(例如为一灰阶图像)，并对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行图像处理以取得在该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像中的电路布局(layout)轮廓，例如包括外侧边界(outer boundary)的俯视轮廓(top-view contour)、内侧边界(inner boundary)的底视轮廓(bottom-view contour)。

如图1所示，图像处理装置120包括一处理单元121、一存储器单元122、一存储装置123。存储装置123是用以存储一临界尺寸量测程序124，其中该临界尺寸量测程序124包括多个程序码用以对临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行图像处理以取得在该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像中的电路布局轮廓或物件轮廓，其细节将详述于后。

处理单元121例如为一中央处理器(central processing unit，CPU)、一通用用途处理器(general-purpose processor)、或一图像信号处理器(image signal processor，ISP)，但本发明并不限于此。处理单元121将存储于存储装置123中的临界尺寸量测程序124读取至存储器单元122并执行临界尺寸量测程序124，藉以由临界尺寸扫瞄电子显微镜图像中取得电路布局轮廓或物件轮廓。其中，存储器单元122例如可为一挥发性存储器(volatile memory)。

举例来说，在一实施例中，当图像处理装置120执行临界尺寸量测程序124以取得在该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像中的物件轮廓后，图像处理装置120分析该物件轮廓以取得在该半导体晶圆上的电路布局在各个不同位置的临界尺寸，并据以输出一临界尺寸信息表。

在另一实施例中，图像处理装置120可取得在该半导体晶圆上的电路布局档案(例如为第一电路布局档案)，例如为图形资料系统(graphics data system，GDS)档案(如GDS或GDSII格式)，并将所取得的电路布局轮廓或物件轮廓合并至原本的电路布局档案，并输出带有电路布局轮廓或物件轮廓的电路布局档案(例如为第二电路布局档案)。

图2显示依据本发明一实施例中的临界尺寸量测方法的流程图。在步骤S200，接收一半导体晶圆的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像。举例来说，临界尺寸扫瞄电子显微镜图像是可由临界尺寸扫瞄电子显微镜对一半导体晶圆进行拍摄而得，例如可为由半导体晶圆上方所拍摄的俯视图或是拍摄半导体晶圆的截面的侧视图。在一实施例中，临界尺寸扫瞄电子显微镜图像例如为一灰阶图像。若临界尺寸扫瞄电子显微镜输出联合图像专家小组(Joint Photographic Experts Group，JPG)格式或标签图档格式(Tagged Image FileFormat，TIFF)的图像，则会先转换为原始的灰阶图像以做为临界尺寸扫瞄电子显微镜图像。

在步骤S210，对临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理(imagesharpening process)及一图像去噪声处理(image de-noise process)以产生一第一图像。在一实施例中，图像处理装置120可套用一巴特沃斯高通滤波器(Butterworth High-pass Filter)至临界尺寸扫瞄电子显微镜图像以进行图像锐化处理，其中巴特沃斯高通滤波器的截止频率(cut-off frequency)及阶数(order)可视实际情况进行调整。在另一实施例中，图像处理装置120可利用在频率域(frequency domain)中的其他类型的高通滤波器对临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行图像锐化处理，例如是离散小波变换(DiscreteWavelet Transform，DWT)高通滤波器、高斯高通滤波器(Gaussian High-pass filter)、拉普拉斯高通滤波器(Laplace High-pass Filter)等等，但本发明并不限于此。

此外，图像处理装置120套用一高斯高通滤波器(Gaussian High-pass Filter)至图像锐化处理所产生的一中间图像以进行图像去噪声处理，其中高斯高通滤波器例如具有一5x5的滤波器遮罩(mask)，且其标准差sigma例如可设定为一预定值(例如2)，但本发明并不限于此。在一些实施例中，图像锐化处理及图像去噪声处理的顺序可交换，例如可先对临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行图像去噪声处理以产生中间图像后，再对中间图像进行图像锐利化处理。

详细而言，因为临界尺寸扫瞄电子显微镜图像通常具有高噪声且图像品质不佳的特性，为了要准确量测临界尺寸的数值，需要先将临界尺寸扫瞄电子显微镜图像在频率域进行图像锐利化并去除噪声以便于进行后续的图像处理步骤。

在步骤S230，对第一图像进行一边缘检测处理(edge detection process)以产生一第二图像。举例来说，上述图像边缘检测处理是对第一图像进行霍夫转换(HoughTransform)以取得第一图像中的图像边缘(edge)并产生该第二图像。其中，第二图像例如为一二值图像(binary image)，若第二图像中的一特定像素的像素值为1，则表示该特定像素的位置有图像边缘存在；若第二图像中的一特定像素的像素值为0，则表示该特定像素的位置没有图像边缘存在。

在步骤S240，对第二图像进行一连通成分标示(connected component labeling)处理以产生一输出图像。举例来说，连通成分标示处理包括利用连通成分标示演算法(例如：4连通(4-connectivity)或8连通(8-connectivity)演算法)及一区域成长(regiongrowing)演算法以一预定顺序(例如循序扫瞄)对第二图像中的各像素进行处理以产生输出图像，其中该输出图像包括在半导体晶圆上的多个物件的物件轮廓，例如是半导体晶圆中的电路布局中的金属导线、接触点等等。在一些实施例中，在步骤S240中的连通成分标示处理是由第二图像先选择一种子像素(seed pixel)，并以种子像素为核心(例如为一处理遮罩的中心点)进行一区域成长(region growing)处理，并判断种子像素的一个或多个周围像素是否与种子像素具有相似的特性(例如两者之间的相似度大于一预定阈值)。当种子像素的一个或多个周围像素与该种子像素具有相似的特性时，则将与种子像素具有相似的特性的一个或多个周围像素标示为同一区域(region)，再分别选择在同一区域中的其中一个周围像素，并将此周围像素设定为一新种子像素，并以新种子像素为核心，继续检测其周围尚未被归类到任一区域的像素，直到整张第二图像中所有的像素都分类完成。

在步骤S250，依据该输出图像以计算在该半导体晶圆上的一临界尺寸信息表。举例来说，在一实施例中，在输出图像中包括了在半导体晶圆上的各物件的物件轮廓，且图像处理装置120可依据在输出图像中的各物件的物件轮廓以取得在不同物件之间的一或多个临界尺寸像素距离信息。举例来说，在电路布局中的金属导线的外侧边界标示出相应的物件轮廓。接着，图像处理装置120则可计算在各相邻金属导线之间的临界尺寸像素距离信息，例如所计算的各种临界尺寸是以像素个数表示。

接着，图像处理装置120对临界尺寸像素距离进行像素至距离转换以取得临界尺寸信息。举例来说，临界尺寸扫瞄式电子显微镜是以一预定视角(Field of View，FOV)及一预定图像解析度对半导体晶圆进行拍摄，故可将半导体晶圆所拍摄的范围转换为对应的像素值。为了便于说明，上述预定图像解析度例如可为480x480(非限定)并对应于8吋晶圆内的一预定范围，故可将输出图像中的临界尺寸像素距离转换为实际距离，此即为临界尺寸。因此，图像处理装置120可依据所计算出的临界尺寸以建立半导体晶圆的临界尺寸信息表。

传统的临界尺寸扫瞄电子显微镜是分析在临界尺寸扫瞄电子显微镜图像中的白边波峰及波谷之间的临界尺寸，并非量测整个线宽的临界尺寸，且容易受到噪声的图像而产生临界尺寸的量测误差。此外，在拍摄临界尺寸扫瞄电子显微镜图像时，在半导体晶圆上需在预定位置涂上光刻胶，且经过临界尺寸扫瞄电子显微镜拍摄后，涂在半导体晶圆上的光刻胶也会有部分消耗，若重复拍摄数次，则可能拍摄出来的结果并不一致。若利用人工的方式检视临界尺寸扫瞄电子显微镜图像中的相邻金属导线(也可为其他元件)间的临界尺寸，则往往需要人工主观地标示测量点并计算相应的临界尺寸，这会造成量测的标准不一致。此外，在电路布局中的金属导线或其他物件并非是呈现完美的直线或长方形，对于传统的临界尺寸量测方式来说更难以客观地确定量测临界尺寸的标准。

相较之下，利用本发明图2中的临界尺寸量测方法，可快速地利用图像处理以去除临界尺寸扫瞄电子显微镜图像的噪声，并标示电路布局中的各元件的物件轮廓，藉以分析出在半导体晶圆中的不同位置的临界尺寸。因为上述分析是利用图像处理的方式进行，可客观地建立量测临界尺寸的标准。

图3显示依据本发明一实施例中带有电路布局轮廓的电路布局档案的示意图。在一实施例中，建立光学邻近校正(OPC)模型时，需要搜集大量的显影后检视(ADI)及蚀刻后检视(AEI)的临界尺寸量测数据以提供图形最佳化的修正。举例来说，图像处理装置120可取得在与半导体晶圆有关的电路布局档案(例如为第一电路布局档案)，并将在图2的实施例中的临界尺寸量测方法所取得的物件轮廓(例如由ADI或AEI后的临界尺寸扫瞄电子显微镜图像所取得)合并至原本的电路布局档案，并输出带有物件轮廓的电路布局档案(例如为第二电路布局档案)。

如图3所示，第二电路布局档案300中部分放大图310中有许多呈现矩形或正方形的元件，此即为在第一电路布局档案中由相应的布局工具程序所产生的电路布局。在部分放大图310中，曲线311及312是分别为相邻两条金属导线的外轮廓。举例来说，在第一电路布局档案中在曲线311及312所相应的金属导线预期应为直线。然而，在经过蚀刻后，曲线312则并非呈现直线，所以在曲线311及312之间的临界尺寸则并非定值。图像处理装置120可计算在点313及314之间的区域所相应的临界尺寸，并建立相应的部分临界尺寸信息表320。

在部分临界尺寸结果表320记录了两相邻金属导线的外轮廓(例如曲线311及312)之间的像素个数及相应的临界尺寸，例如像素个数＝15时，对应的临界尺寸为156.25nm；像素个数＝14时，对应的临界尺寸为145.8333nm，依此类推。需注意的是，在点315及316的区域之间的像素个数及临界尺寸的关系如部分临界尺寸信息表330所示，其中像素个数例如为前述实施例中的临界尺寸像素距离，且可转换为实际的临界尺寸。例如，部分临界尺寸信息表330记录了像素个数为10，且所相应的临界尺寸为104.1667nm，此即表示在部分放大图310中的临界尺寸。

此外，图像处理装置120依据带有物件轮廓的电路布局档案以计算不同位置的临界尺寸信息，且可建立半导体晶圆的临界尺寸信息表，且设计人员可依据临界尺寸信息表以修正光掩膜或是调整工艺的配方(recipe)，使得电路布局轮廓能更符合原本电路布局档案的设计。

图4显示依据本发明一实施例中在半导体晶圆上的不同晶粒(die)的临界尺寸的示意图。在一实施例中，为了便于说明，临界尺寸扫瞄电子显微镜的视角可拍摄到的预定范围例如包括6x6个晶粒。因为半导体工艺设计的关系，在半导体晶圆中的各晶粒的临界尺寸并不一定会相同。依据图2的实施例的方法，可依据所建立的临界尺寸信息表以计算出在半导体晶圆上的各晶粒所相应的临界尺寸(例如以纳米(nm)为单位)，并记录于在区域晶粒临界尺寸表400中相应的晶粒位置，其中在X轴及Y轴的编号是表示晶粒在临界尺寸扫瞄电子显微镜的拍摄范围中的相应位置。因此，设计人员可检视在区域晶粒临界尺寸表400中的各晶粒的临界尺寸，并进一步检查临界尺寸有问题的晶粒的内部电路布局，再修改光掩膜或工艺配方以调整有问题的晶粒的临界尺寸。

图像处理装置120可依据所建立的临界尺寸信息表以计算在半导体晶圆上的各晶粒所相应的临界尺寸，并依据各晶粒所相应的临界尺寸以建立该半导体晶圆的晶粒临界尺寸表。在一些实施例中，临界尺寸扫瞄电子显微镜可计算临界尺寸扫瞄电子显微镜图像对应至半导体晶圆上所量测的座标。接着，由本发明前述实施例的方法，图像处理装置120可建立临界尺寸扫瞄电子显微镜图像的临界尺寸信息表，并设定一预定阈值T，例如是3倍标准差的临界尺寸值。图像处理装置120可依据所量测的座标以计算出光掩膜的布局(layout)所对应的位置。此外，从临界尺寸扫瞄电子显微镜图像所检测出的不同电路布局轮廓的临界尺寸可直接参考临界尺寸信息表进行换算。若电路布局轮廓中有一或多处位置的临界尺寸小于该预定阈值T，则图像处理装置120则会在光掩膜的电路布局档案上进行相应的标示，以便于设计人员进行判断处理。

图5显示依据本发明一实施例中的半导体晶圆的截面的临界尺寸扫瞄电子显微镜图像的示意图。

在一实施例中，临界尺寸扫瞄电子显微镜110是对半导体晶圆的截面进行拍摄以得到临界尺寸扫瞄电子显微镜图像500，意即半导体晶圆的截面的侧视图，如图5所示。在此实施例中，临界尺寸扫瞄电子显微镜图像500例如为蚀刻后检视的临界尺寸扫瞄电子显微镜图像。类似地，图像处理装置120可依据前述实施例的方法以取得在临界尺寸扫瞄电子显微镜图像500中的物件轮廓，并计算物件轮廓之间的临界尺寸，例如间隔502、504、506、及508的距离，分别表示相邻的金属导线之间的临界尺寸。举例来说，目前的物理失效分析(Physical Failure Analysis，PFA)量测工具需要人为判断边界的位置。随着半导体工艺的进步，线宽也愈来愈小，微量的偏移就可能有几纳米的差异，所以人为量测并无法进行客观判断，因为人为量测除了容易有误差，且不同人员进行量测也会有主观认知的差异。然而，利用本发明所提供的图像量测装置及临界尺寸量测方法，可避免人为的量测误差，并可增进量测临界尺寸的一致性。

本发明的方法，或特定型态或其部份，可以以程序码的型态包含于实体媒体，如软碟、光碟片、硬碟、或是任何其他机器可读取(如电脑可读取)存储媒体，其中，当程序码被机器，如电脑载入且执行时，此机器变成用以参与本发明的装置或系统。本发明的方法、系统与装置也可以以程序码型态通过一些传送媒体，如电线或电缆、光纤、或是任何传输型态进行传送，其中，当程序码被机器，如电脑接收、载入且执行时，此机器变成用以参与本发明的装置或系统。当在一般用途处理器实作时，程序码结合处理器提供一操作类似于应用特定逻辑电路的独特装置。

于权利要求中使用如“第一”、“第二”、“第三”等词是用来修饰权利要求中的元件，并非用来表示之间具有优先权顺序，先行关系，或者是一个元件先于另一个元件，或者是执行方法步骤时的时间先后顺序，仅用来区别具有相同名字的元件。

本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (7)

1.一种临界尺寸量测方法，其特征在于，该方法包括：

接收一半导体晶圆的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像；

对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理及一图像去噪声处理以产生一第一图像；

对该第一图像进行一边缘检测处理以产生一第二图像；

对该第二图像进行一连通成分标示处理以产生一输出图像；以及

依据该输出图像以计算该半导体晶圆的一临界尺寸信息表；

其中该连通成分标示处理包括：

由该第二图像中选择一种子像素，并以所选择的该种子像素为核心进行一区域成长处理；

判断该种子像素的一个或多个周围像素是否与该种子像素具有相似的特性；

当该种子像素的该一个或多个周围像素与该种子像素具有相似的特性时，将该种子像素及具有相似的特性的该一个或多个周围像素标示为同一区域，再分别选择在同一区域中的该一个或多个周围像素中的一个做为一新种子像素；以及

依序以该新种子像素为核心，检测该新种子像素周围尚未归类到任一区域的像素，直到该第二图像中所有像素均分类完成，

其中该图像锐化处理包括：套用一巴特沃斯高通滤波器至该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像以产生一中间图像；

其中该图像去噪声处理包括：套用一高斯高通滤波器至该中间图像以产生该第一图像；

其中该边缘检测处理包括：对该第一图像进行霍夫转换以产生该第二图像。

2.如权利要求1所述的临界尺寸量测方法，其特征在于，该输出图像包括在该半导体晶圆上的多个物件的物件轮廓。

3.如权利要求1所述的临界尺寸量测方法，其特征在于，依据该输出图像以计算在该半导体晶圆上的该临界尺寸信息表的步骤更包括：

依据在输出图像中的各物件的物件轮廓以取得在不同物件之间的临界尺寸像素距离信息；以及

对该临界尺寸像素距离信息进行一像素至距离转换以取得临界尺寸信息，并据以产生该临界尺寸信息表。

4.如权利要求2所述的临界尺寸量测方法，其特征在于，所述方法更包括：

取得与该半导体晶圆有关的一第一电路布局档案；

将该多个物件的物件轮廓整合至该第一电路布局档案以产生一第二电路布局档案；以及

依据该第二电路布局档案以计算在该半导体晶圆上的临界尺寸信息，并据以产生该临界尺寸信息表。

5.如权利要求4所述的临界尺寸量测方法，其特征在于，所述方法更包括：

依据该临界尺寸信息表以计算在该半导体晶圆上的各晶粒所相应的临界尺寸；以及

依据各晶粒所相应的该临界尺寸以建立该半导体晶圆的一晶粒临界尺寸表。

6.如权利要求1所述的临界尺寸量测方法，其特征在于，该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像为对该半导体晶圆的一截面拍摄而得。

7.一种用于量测临界尺寸的图像处理装置，其特征在于，所述装置包括：

一存储器单元，用以存储一临界尺寸量测程序；以及

一处理单元，用以执行该临界尺寸量测程序以进行下列步骤：

接收一半导体晶圆的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像；

对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理及一图像去噪声处理以产生一第一图像；

对该第一图像进行一边缘检测处理以产生一第二图像；

对该第二图像进行一连通成分标示处理以产生一输出图像；以及

依据该输出图像以计算该半导体晶圆的一临界尺寸信息表；

其中该连通成分标示处理包括：

由该第二图像中选择一种子像素，并以所选择的该种子像素为核心进行一区域成长处理；

判断该种子像素的一个或多个周围像素是否与该种子像素具有相似的特性；

当该种子像素的该一个或多个周围像素与该种子像素具有相似的特性时，将该种子像素及具有相似的特性的该一个或多个周围像素标示为同一区域，再分别选择在同一区域中的该一个或多个周围像素中的一个做为一新种子像素；以及

依序以该新种子像素为核心，检测该新种子像素周围尚未归类到任一区域的像素，直到该第二图像中所有像素均分类完成，

其中该图像锐化处理包括：套用一巴特沃斯高通滤波器至该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像以产生一中间图像；

其中该图像去噪声处理包括：套用一高斯高通滤波器至该中间图像以产生该第一图像；

其中该边缘检测处理包括：对该第一图像进行霍夫转换以产生该第二图像。

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