TWI716684B - 臨界尺寸量測方法及用於量測臨界尺寸的影像處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種臨界尺寸量測方法，包括：接收一半導體晶圓之一臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像；對該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行一影像銳化處理及一影像去雜訊處理以產生一第一影像；對該第一影像進行一邊緣偵測處理以產生一第二影像；對該第二影像進行一連通成分標示處理以產生一輸出影像；以及依據該輸出影像以計算該半導體晶圓之一臨界尺寸資訊表。

Description

臨界尺寸量測方法及用於量測臨界尺寸的影像處理裝置
本發明係有關於半導體製造，特別是有關於一種臨界尺寸量測方法及用於量測臨界尺寸的影像處理裝置。
傳統晶圓製造係利用掃瞄式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)以量測臨界尺寸(critical dimension，CD)值。然而，半導體積體電路工業經歷了指數型的增長。積體電路之材料與設計的技術進步，已經產生了數個世代的積體電路，其中每一個世代具有比上一世代更小且更複雜的電路。這種縮小化過程通常可提高生產效率和降低相關成本，但是也增加了處理和製造積體電路的複雜性，例如線寬不斷的微縮、SEM影像中之圖型的複雜度增加。因此，所需的機台成本越高，且量測的時間越長。建立光學鄰近校正(Optical Proximity Correction，OPC)模型時，需要蒐集大量的顯影後檢視(After Developing Inspection，ADI)及蝕刻後檢視(After Etching Inspection，AEI)的臨界尺寸量測數據以提供圖形最佳化的修正。臨界尺寸量測數據直接影響光罩的修正值，也直接反應至產品設計電性。此外，因為傳統的掃瞄式電子顯微鏡是 以電子束反射訊號的方式以量測在晶圓上之積體電路的圖形(pattern)，且圖形材質易受到電子束之斜率、形狀、及雜訊的影響，進而產生量測誤差。
本發明係提供一種臨界尺寸量測方法，包括：接收一半導體晶圓之一臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像；對該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行一影像銳化處理及一影像去雜訊以產生一第一影像；對該第一影像進行一邊緣偵測處理以產生一第二影像；對該第二影像進行一連通成分標示處理以產生一輸出影像；以及依據該輸出影像以計算該半導體晶圓之一臨界尺寸資訊表。
本發明更提供一種用於量測臨界尺寸的影像處理裝置，包括：一記憶體單元，用以儲存一臨界尺寸量測程式；以及一處理單元，用以執行該臨界尺寸量測程式以進行下列步驟：接收一半導體晶圓之一臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像；對該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行一影像銳化處理及一影像去雜訊處理以產生一第一影像；對該第一影像進行一邊緣偵測處理以產生一第二三影像；對該第二影像進行一連通成分標示處理以產生一輸出影像；以及依據該輸出影像以計算該半導體晶圓之一臨界尺寸資訊表。
100‧‧‧影像處理系統
110‧‧‧臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡
120‧‧‧影像處理裝置
121‧‧‧處理單元
122‧‧‧記憶體單元
123‧‧‧儲存裝置
124‧‧‧臨界尺寸量測程式
300‧‧‧第二電路佈局檔案
310‧‧‧部分放大圖
320、330‧‧‧部分臨界尺寸資訊表
311、312‧‧‧曲線
313-316‧‧‧點
400‧‧‧區域晶粒臨界尺寸表
500‧‧‧臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像
502-508‧‧‧間隔
第1圖係顯示依據本發明一實施例中之影像處理系統之方塊圖。
第2圖係顯示依據本發明一實施例中之臨界尺寸量測方法的流程圖。
第3圖係顯示依據本發明一實施例中帶有電路佈局輪廓的電路佈局檔案的示意圖。
第4圖係顯示依據本發明一實施例中在半導體晶圓上之不同晶粒之臨界尺寸的示意圖。
第5圖係顯示依據本發明一實施例中之半導體晶圓之截面的臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像之示意圖。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
第1圖係顯示依據本發明一實施例中之影像處理系統之方塊圖。在一實施例中，影像處理系統100包括臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡(CD-SEM)110及一影像處理裝置120。臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡110係用以對一半導體晶圓進行拍攝以取得一臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像(CD-SEM image)。影像處理裝置120係用於量測臨界尺寸，例如可自臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡110取得臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像(例如為一灰階影像)，並對該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行影像處理以取得在該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像中之電路佈局(layout)輪廓，例如包括外側邊界(outer boundary)之俯視輪廓(top-view contour)、內側邊界(inner boundary)之底視輪廓(bottom-view contour)。
如第1圖所示，影像處理裝置120係包括一處理單元121、一記憶體單元122、一儲存裝置123。儲存裝置123係用以儲存一臨界尺寸量測程式124，其中該臨界尺寸量測程式124係包括複數個程式碼用以對臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行影像處理以取得在該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像中之電路佈局輪廓或物件輪廓，其細節將詳述於後。
處理單元121例如為一中央處理器(central processing unit，CPU)、一通用用途處理器(general-purpose processor)、或一影像信號處理器(image signal processor，ISP)，但本發明並不限於此。處理單元121係將儲存於儲存裝置123中之臨界尺寸量測程式124讀取至記憶體單元122並執行臨界尺寸量測程式124，藉以由臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像中取得電路佈局輪廓或物件輪廓。其中，記憶體單元122例如可為一揮發性記憶體(volatile memory)。
舉例來說，在一實施例中，當影像處理裝置120執行臨界尺寸量測程式124以取得在該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像中之物件輪廓後，影像處理裝置120係分析該物件輪廓以取得在該半導體晶圓上之電路佈局在各個不同位置的臨界尺寸，並據以輸出一臨界尺寸資訊表。
在另一實施例中，影像處理裝置120可取得在該半導體晶圓上之電路佈局檔案(例如為第一電路佈局檔案)，例如為圖形資料系統(graphics data system，GDS)檔案(如GDS或GDSII格式)，並將所取得的電路佈局輪廓或物件輪廓合併至原本的電路佈局檔案，並輸出帶有電路佈局輪廓或物件輪廓的電 路佈局檔案(例如為第二電路佈局檔案)。
第2圖係顯示依據本發明一實施例中之臨界尺寸量測方法的流程圖。在步驟S200，接收一半導體晶圓之一臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像。舉例來說，臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像係可由臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡對一半導體晶圓進行拍攝而得，例如可為由半導體晶圓上方所拍攝的俯視圖或是拍攝半導體晶圓之截面的側視圖。在一實施例中，臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像例如為一灰階影像。若臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡係輸出聯合圖像專家小組(Joint Photographic Experts Group，JPG)格式或標籤圖檔格式(Tagged Image File Format，TIFF)之影像，則會先轉換為原始的灰階影像以做為臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像。
在步驟S210，對臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行一影像銳化處理(image sharpening process)及一影像去雜訊處理(image de-noise process)以產生一第一影像。在一實施例中，影像處理裝置120係可套用一巴特沃斯高通濾波器(Butterworth High-pass Filter)至臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像以進行影像銳化處理，其中巴特沃斯高通濾波器之截止頻率(cut-off frequency)及階數(order)可視實際情況進行調整。在另一實施例中，影像處理裝置120係可利用在頻率域(frequency domain)中之其他類型的高通濾波器對臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行影像銳化處理，例如是離散小波變換(Discrete Wavelet Transform，DWT)高通濾波器、高斯高通濾波器(Gaussian High-pass filter)、拉普拉斯高通濾波器(Laplace High-pass Filter)等等，但本發明並不限於此。
此外，影像處理裝置120係套用一高斯高通濾波器(Gaussian High-pass Filter)至影像銳化處理所產生的一中間影像以進行影像去雜訊處理，其中高斯高通濾波器例如具有一5x5的濾波器遮罩(mask)，且其標準差sigma例如可設定為一預定值(例如2)，但本發明並不限於此。在一些實施例中，影像銳化處理及影像去雜訊處理之順序可交換，例如可先對臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行影像去雜訊處理以產生中間影像後，再對中間影像進行影像銳利化處理。
詳細而言，因為臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像通常具有高雜訊且影像品質不佳的特性，為了要準確量測臨界尺寸之數值，需要先將臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像在頻率域進行影像銳利化並去除雜訊以便於進行後續的影像處理步驟。
在步驟S230，對第一影像進行一邊緣偵測處理(edge detection process)以產生一第二影像。舉例來說，上述影像邊緣偵測處理係對第一影像進行霍夫轉換(Hough Transform)以取得第一影像中之影像邊緣(edge)並產生該第二影像。其中，第二影像例如為一二值影像(binary image)，若第二影像中之一特定像素之像素值為1，則表示該特定像素的位置有影像邊緣存在；若第二影像中之一特定像素之像素值為0，則表示該特定像素的位置沒有影像邊緣存在。
在步驟S240，對第二影像進行一連通成分標示(connected component labeling)處理以產生一輸出影像。舉例來說，連通成分標示處理包括利用連通成分標示演算法(例 如：4連通(4-connectivity)或8連通(8-connectivity)演算法)及一區域成長(region growing)演算法以一預定順序(例如循序掃瞄)對第二影像中之各像素進行處理以產生輸出影像，其中該輸出影像包括在半導體晶圓上之多個物件之物件輪廓，例如是半導體晶圓中之電路佈局中的金屬導線、接觸點等等。在一些實施例中，在步驟S240中之連通成分標示處理係由第二影像先選擇一種子像素(seed pixel)，並以種子像素為核心(例如為一處理遮罩之中心點)進行一區域成長(region growing)處理，並判斷種子像素之一或多個周圍像素是否與種子像素具有相似的特性(例如兩者之間的相似度大於一預定閾值)。當種子像素之一或多個周圍像素與該種子像素具有相似的特性時，則將與種子像素具有相似的特性的一或多個周圍像素標示為同一區域(region)，再分別選擇在同一區域中之其中一個周圍像素，並將此周圍像素設定為一新種子像素，並以新種子像素為核心，繼續偵測其周圍尚未被歸類到任一區域的像素，直到整張第二影像中所有的像素都分類完成。
在步驟S250，依據該輸出影像以計算在該半導體晶圓上之一臨界尺寸資訊表。舉例來說，在一實施例中，在輸出影像中包括了在半導體晶圓上之各物件之物件輪廓，且影像處理裝置120可依據在輸出影像中之各物件的物件輪廓以取得在不同物件之間的一或多個臨界尺寸像素距離資訊。舉例來說，在電路佈局中之金屬導線之外側邊界係標示出相應的物件輪廓。接著，影像處理裝置120則可計算在各相鄰金屬導線之間的臨界尺寸像素距離資訊，例如所計算的各種臨界尺寸係以 像素個數表示。
接著，影像處理裝置120對臨界尺寸像素距離進行像素至距離轉換以取得臨界尺寸資訊。舉例來說，臨界尺寸掃瞄式電子顯微鏡係以一預定視角(Field of View，FOV)及一預定影像解析度對半導體晶圓進行拍攝，故可將半導體晶圓所拍攝的範圍轉換為對應的像素值。為了便於說明，上述預定影像解析度例如可為480x480(非限定)並對應於8吋晶圓內之一預定範圍，故可將輸出影像中之臨界尺寸像素距離轉換為實際距離，此即為臨界尺寸。因此，影像處理裝置120可依據所計算出之臨界尺寸以建立半導體晶圓之臨界尺寸資訊表。
傳統的臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡係分析在臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像中之白邊波峰及波谷之間的臨界尺寸，並非量測整個線寬的臨界尺寸，且容易受到雜訊的影像而產生臨界尺寸的量測誤差。此外，在拍攝臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像時，在半導體晶圓上需在預定位置塗上光阻，且經過臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡拍攝後，塗在半導體晶圓上之光阻也會有部分消耗，若重複拍攝數次，則可能拍攝出來的結果並不一致。若利用人工的方式檢視臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像中之相鄰金屬導線(亦可為其他元件)間的臨界尺寸，則往往需要人工主觀地標示測量點並計算相應的臨界尺寸，這會造成量測的標準不一致。此外，在電路佈局中之金屬導線或其他物件並非是呈現完美的直線或長方形，對於傳統的臨界尺寸量測方式來說更難以客觀地確定量測臨界尺寸的標準。
相較之下，利用本發明第2圖中之臨界尺寸量測方 法，可快速地利用影像處理以去除臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像之雜訊，並標示電路佈局中之各元件之物件輪廓，藉以分析出在半導體晶圓中之不同位置的臨界尺寸。因為上述分析是利用影像處理的方式進行，可客觀地建立量測臨界尺寸的標準。
第3圖係顯示依據本發明一實施例中帶有電路佈局輪廓的電路佈局檔案的示意圖。在一實施例中，建立光學鄰近校正(OPC)模型時，需要蒐集大量的顯影後檢視(ADI)及蝕刻後檢視(AEI)的臨界尺寸量測數據以提供圖形最佳化的修正。舉例來說，影像處理裝置120可取得在與半導體晶圓有關之電路佈局檔案(例如為第一電路佈局檔案)，並將在第2圖之實施例中的臨界尺寸量測方法所取得的物件輪廓(例如由ADI或AEI後的臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像所取得)合併至原本的電路佈局檔案，並輸出帶有物件輪廓的電路佈局檔案(例如為第二電路佈局檔案)。
如第3圖所示，第二電路佈局檔案300中部分放大圖310中有許多呈現矩形或正方形之元件，此即為在第一電路佈局檔案中由相應的佈局工具程式所產生的電路佈局。在部分放大圖310中，曲線311及312係分別為相鄰兩條金屬導線的外輪廓。舉例來說，在第一電路佈局檔案中在曲線311及312所相應的金屬導線預期應為直線。然而，在經過蝕刻後，曲線312則並非呈現直線，所以在曲線311及312之間的臨界尺寸則並非定值。影像處理裝置120係可計算在點313及314之間的區域所相應的臨界尺寸，並建立相應的部分臨界尺寸資訊表320。
在部分臨界尺寸結果表320係記錄了兩相鄰金屬 導線之外輪廓(例如曲線311及312)之間的像素個數及相應的臨界尺寸，例如像素個數=15時，對應的臨界尺寸為156.25nm；像素個數=14時，對應的臨界尺寸為145.8333nm，依此類推。需注意的是，在點315及316之區域之間的像素個數及臨界尺寸的關係如部分臨界尺寸資訊表330所示，其中像素個數例如為前述實施例中的臨界尺寸像素距離，且可轉換為實際的臨界尺寸。例如，部分臨界尺寸資訊表330係記錄了像素個數為10，且所相應的臨界尺寸為104.1667nm，此即表示在部分放大圖310中的臨界尺寸。
此外，影像處理裝置120依據帶有物件輪廓的電路佈局檔案以計算不同位置的臨界尺寸資訊，且可建立半導體晶圓的臨界尺寸資訊表，且設計人員可依據臨界尺寸資訊表以修正光罩或是調整製程的配方(recipe)，使得電路佈局輪廓能更符合原本電路佈局檔案之設計。
第4圖係顯示依據本發明一實施例中在半導體晶圓上之不同晶粒(die)之臨界尺寸的示意圖。在一實施例中，為了便於說明，臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡之視角可拍攝到的預定範圍例如包括6x6個晶粒。因為半導體製程設計的關係，在半導體晶圓中之各晶粒的臨界尺寸並不一定會相同。依據第2圖之實施例的方法，可依據所建立的臨界尺寸資訊表以計算出在半導體晶圓上之各晶粒所相應的臨界尺寸(例如以奈米(nm)為單位)，並記錄於在區域晶粒臨界尺寸表400中相應的晶粒位置，其中在X軸及Y軸之編號係表示晶粒在臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡之拍攝範圍中的相應位置。因此，設計人員可檢視在區 域晶粒臨界尺寸表400中之各晶粒的臨界尺寸，並進一步檢查臨界尺寸有問題之晶粒的內部電路佈局，再修改光罩或製程配方以調整有問題之晶粒的臨界尺寸。
影像處理裝置120係可依據所建立的臨界尺寸資訊表以計算在半導體晶圓上之各晶粒所相應的臨界尺寸，並依據各晶粒所相應的臨界尺寸以建立該半導體晶圓之晶粒臨界尺寸表。在一些實施例中，臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡可計算臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像對應至半導體晶圓上所量測的座標。接著，由本發明前述實施例之方法，影像處理裝置120可建立臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像之臨界尺寸資訊表，並設定一預定閾值T，例如是3倍標準差的臨界尺寸值。影像處理裝置120可依據所量測之座標以計算出光罩之佈局(layout)所對應的位置。此外，從臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像所偵測出的不同電路佈局輪廓之臨界尺寸可直接參考臨界尺寸資訊表進行換算。若電路佈局輪廓中有一或多處位置的臨界尺寸小於該預定閾值T，則影像處理裝置120則會在光罩之電路佈局檔案上進行相應的標示，以便於設計人員進行判斷處理。
第5圖係顯示依據本發明一實施例中之半導體晶圓之截面的臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像之示意圖。
在一實施例中，臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡110係對半導體晶圓之截面進行拍攝以得到臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像500，意即半導體晶圓之截面的側視圖，如第5圖所示。在此實施例中，臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像500例如為蝕刻後檢視的臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像。類似地，影像處理裝置 120可依據前述實施例之方法以取得在臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像500中之物件輪廓，並計算物件輪廓之間的臨界尺寸，例如間隔502、504、506、及508的距離，分別表示相鄰的金屬導線之間的臨界尺寸。舉例來說，目前的物理失效分析(Physical Failure Analysis，PFA)量測工具需要人為判斷邊界的位置。隨著半導體製程的進步，線寬也愈來愈小，微量的偏移就可能有幾奈米的差異，所以人為量測並無法進行客觀判斷，因為人為量測除了容易有誤差，且不同人員進行量測也會有主觀認知的差異。然而，利用本發明所提供之影像量測裝置及臨界尺寸量測方法，可避免人為的量測誤差，並可增進量測臨界尺寸的一致性。
本發明之方法，或特定型態或其部份，可以以程式碼的型態包含於實體媒體，如軟碟、光碟片、硬碟、或是任何其他機器可讀取(如電腦可讀取)儲存媒體，其中，當程式碼被機器，如電腦載入且執行時，此機器變成用以參與本發明之裝置或系統。本發明之方法、系統與裝置也可以以程式碼型態透過一些傳送媒體，如電線或電纜、光纖、或是任何傳輸型態進行傳送，其中，當程式碼被機器，如電腦接收、載入且執行時，此機器變成用以參與本發明之裝置或系統。當在一般用途處理器實作時，程式碼結合處理器提供一操作類似於應用特定邏輯電路之獨特裝置。
於權利要求中使用如”第一”、"第二"、"第三"等詞係用來修飾權利要求中的元件，並非用來表示之間具有優先權順序，先行關係，或者是一個元件先於另一個元件，或者是執 行方法步驟時的時間先後順序，僅用來區別具有相同名字的元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S200-S250‧‧‧步驟

Claims (8)

  1. 一種臨界尺寸量測方法，包括：接收一半導體晶圓之一臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像；對該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像進行一影像銳化處理及一影像去雜訊處理以產生一第一影像；對該第一影像進行一邊緣偵測處理以產生一第二影像；對該第二影像進行一連通成分標示處理以產生一輸出影像；以及依據該輸出影像以計算該半導體晶圓之一臨界尺寸資訊表；其中依據該輸出影像以計算在該半導體晶圓上之該臨界尺寸資訊表之步驟更包括：依據在輸出影像中之各物件的物件輪廓以取得在不同物件之間的臨界尺寸像素距離資訊；以及對該臨界尺寸像素距離資訊進行一像素至距離轉換以取得臨界尺寸資訊，並據以產生該臨界尺寸資訊表。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之臨界尺寸量測方法，其中該輸出影像包括在該半導體晶圓上之複數個物件的物件輪廓。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之臨界尺寸量測方法，其中該影像銳化處理包括：套用一巴特沃斯高通濾波器(Butterworth High-pass Filter)至該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像以產生一中間影像，其中該影像去雜訊處理包括：套用一高斯高通濾波器至該中間影像以產生該第一影像， 其中該邊緣偵測處理包括：對該第一影像進行霍夫轉換(Hough Transform)以產生該第二影像。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之臨界尺寸量測方法，其中該連通成分標示處理包括：利用一連通成分標示演算法及一區域成長演算法以一預定順序對該第二影像中之各像素進行處理以產生該輸出影像。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之臨界尺寸量測方法，其中該連通成分標示包括：由該第二影像中選擇一種子像素，並以所選擇的該種子像素為核心進行一區域成長處理；判斷該種子像素之一或多個周圍像素是否與該種子像素具有相似的特性；當該種子像素之該一或多個周圍像素與該種子像素具有相似的特性時，將該種子像素及具有相似的特性的該一或多個周圍像素標示為同一區域，再分別選擇在同一區域中之該一或多個周圍像素中之一者做為一新種子像素；以及依序以該新種子像素為核心，偵測該新種子像素周圍尚未歸類到任一區域的像素，直到該第二影像中之所有像素均分類完成。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之臨界尺寸量測方法，更包括：取得與該半導體晶圓有關之一第一電路佈局檔案；將該等物件之物件輪廓整合至該第一電路佈局檔案以產生一第二電路佈局檔案；以及依據該第二電路佈局檔案以計算在該半導體晶圓上之臨界 尺寸資訊，並據以產生該臨界尺寸資訊表。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之臨界尺寸量測方法，更包括：依據該臨界尺寸資訊表以計算在該半導體晶圓上之各晶粒所相應之臨界尺寸；以及依據各晶粒所相應的該臨界尺寸以建立該半導體晶圓之一晶粒臨界尺寸表。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之臨界尺寸量測方法，其中該臨界尺寸掃瞄電子顯微鏡影像為對該半導體晶圓之一截面拍攝而得。
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